DE1065943B - Verfahren zur Herstellung einer Flächenhalbleiteranordnung mit Schutzschicht-Zus. z. Pat. 969 465 - Google Patents

Description

DEUTSCHES PATENTAMT

kl. 21g 11/02

INTERNAT. KL. HOlI

94:

S 45103 VIII c/21g

ANMELDETAG: 8. A U G U S T 1955

BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UND AUSGABE DER AÜSLEGESCHR1FT: 24. SEPTEMBER 1959

Im
nung,

Patent 969 465 ist eine Flächenhalbleiteranordbeispielsweise Flächcnriclitteiter, Flächentransistor od. dgl., mit scharfen Übergängen zwischen Zonen unterschiedlichen Leitungstypus, z. B. einem oder mehreren p-n-Übcrgängen, beschrieben, welche dadurch gekennzeichnet ist, daß die Oberfläche des Halbleiterkörpers mindestens längs des scharfen Überganges bzw. der scharfen Übergänge mit einer festen Schutzschicht bedeckt ist, die_ elektrisch jsoliert, feucJTtjgkeitsundurchlässjg istV äut der riaib-'|p\tni^r¥nrhft^diifr]i^J^AVTiin.'sipp „foaftet und aus anvorzugsweise einem Oxyd, bei

organischem Stoff,
spielsweise Quarz, besteht.

Die Erfindung betrifft ein besonders einfaches und sicheres Verfahren zur Flerstellung einer Oxydschicht auf dem Halbleiterkörper aus einem Oxyd des !HaIbleitergrunrlmaterials. Das gemäß der' Erfindung vorili'schlagene verfahren zur Herstellung einer Flächcnhalbleiteranordnung mit scharfen pn- oder pnp- bzw. npn-Ubergängen, bei der die Oberfläche des Halbleiterkörpers mindestens längs des scharfen Überganges bzw. der scharfen Übergänge mit einer festen, feuchtigkeitsundurchlässigen, elektrisch isolierenden und auf der Halbleiteroberfläche haftenden Schutzschicht bedeckt ist, besteht darin, daß die Schutzschicht durch anodische Oxydation mittels Phosphorsäure als Elektrolyt hergestellt wird.

Die Durchführung gestaltet sich z. B. folgendermaßen: Als Elektrolyt dient wasserfreie Phosphorsäure. Der mit dem Schutzüberzug zu versehene Gerroaniumkörper wird als Anode geschaltet und mit Herzu überziehenden Oberfläche in den Elektrolyten eingetaucht. Die Kathode besteht ebenfalls aus Germanium. Das Absinken des Stromes auf einen mfni-' malen Sättigungswert zeigt das Ende der Schichtbildung. Durch Wahl der gegebenenfalls allmählich erhöhten Spannung läßt sich die Isoliereigenschaft in gewünschtem Maße einstellen. An Stelle von Germanium sind auch Silizium-Hälbleiteranorrintingen oder Halbleileranordmingcn aus Verbindungen eier TV. Gruppe des Periodischen Systems untereinander oder aus Verbindungen _von. Elementen der III. _uhd'yj, Ii. und IV. Gruppe des Periodischen Systems 'sowie" aus halbleitenden Mehrfachverbindungen der genannten Stoffe in gleicher Weise zu behandeln.

Es war bekannt, polymerisiertes Glykolborat als Elektrolyt bei einer anodischen Oxydationsbehandlung von Germanium zu verwenden. Dieser Elektrolyt führt jedoch bei η-leitendem Germanium zur Bildung Verfahren zur Herstellung

einer Flächenhalbleiteranordnung

mit Schutzschicht

Zusatz zum Patent 969 465

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2

Dipl.-Chem. Georg Rosenberger, München,
ist als Erfinder genannt worden

einer p-leitenden Oberflächenschicht, während es bei der Herstellung der Schutzschichten bei den im Hauptpatent beschriebenen Anordnungen gerade darauf ankommt, daß der Leitungstvpus der zu überziehenden Halbleiteroberfläche nicht beeinflußt wird. ^rDies wird von Phosphorsäure als Elektrolyt geleistet," die außerdem den Vorzug hat, auch bei Silizium zu der gewünschten Oberflächenschicht ?m führen.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH:

   Verfahren zur Herstellung einer Flächenhalblciteranordnung mit scharfen pn- oder pnp- bzw. npn-Übergängen, bei der die Oberfläche des Halbleiterkörpers mindestens längs des scharfen Überganges bzw. der scharfen Übergänge mit einer festen, feuchtigkeitsundurchlässigen, elektrisch isolierenden und auf der Halbleiteroberfläche haftenden Schutzschicht bedeckt ist, nach Patent 969 465, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht durch anodische OxyjdjjttiorLtiiiitels Phosphorsäure als Elektrolyt hergestellt wird.

   In Betracht gezogene Druckschriften:
   »Das Elektron«, Bd. 5, 1951/52, Heft 13/14, S. 429

   bis 439;

   »Zeitschrift für Elektrochemie«, Bd. 58, 1954,

   Nr. S, S. 283 bis 321.