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Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkristallen mit p-n-Übergängen
nach dem Stufenziehverfahren Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
einer Anzahl Halbleitereinkristalle mit p-n-Übergängen nach dem Stufenziehverfahren
durch Regelung der Wachstumsgeschwindigkeit beim Ziehen aus einer Donatoren und
Akzeptoren haltigen Schmelze, wobei in der Schmelze während des Ziehvorganges eine
Anreicherung der Aktivatoren infolge ihrer Abscheidungskoeffizienten kleiner als
1 stattfindet. Bei diesem Herstellungsverfahren sollen also. Halbleiterkristalle
mit einer in einer bestimmten Weise variierenden Verteilung der Donatoren- und Akzeptorenkonzentration
erhalten werden.
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Es ist bekannt, daß bei der Herstellung eines Halbleiterkristalls
durch Ziehen aus einer Schmelze, welche aus Halbleitermaterial besteht und Donatoren
oder Akzeptoren einer bestimmten Konzentration enthält, sich eine von Kristallanfang
zum Kristallende hin anwachsende Aktivatorenverteilung einstellt. Diese ist darauf
zurückzuführen, daß während des Ziehvorganges eine Steigerung der Aktivatorkonzentration
in der Schmelze infolge eines Abscheidungskoeffizienten der Aktivatoren kleiner
als 1 stattfindet.
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Um nun eine konstante Verteilung der Aktivatoren in dem Halbleiterkristall
und damit eine längs des ganzen Kristalls konstante Leitfähigkeit zu erzielen, wurde
vorgeschlagen, die Konzentration der Donatoren bzw. der Akzeptoren in der Schmelze
während des Ziehens eines Halbleiterkristalls ständig konstant zu halten. Hierzu
wird der Schmelze kontinuierlich Halbleitersubstanz derart zugeführt, daß das Volumen
der Schmelze sich während des Ziehvorganges nicht ändert, und zwar wird eine solche
Halbleitersubstanz verwendet, in welcher eine bestimmte Konzentration an Donatoren
bzw. Akzeptoren enthalten ist. Diese Konzentration soll zahlenmäßig mit der Konzentration
an Donatoren bzw. Akzeptoren übereinstimmen, die von dem wachsenden Halbleiterkristall
aus der Schmelze aufgenommen wird. In einem speziellen Fall, bei welchem der Halbleiterkristall
aus der Schmelze eine solche Störstellensubstanz aufnehmen soll, welche einen Abscheidungskoeffizienten
klein gegen 1 aufweist. kann zur ständigen Nachfüllung der Schmelze an Stelle des
mit einer bestimmten Konzentration an Donatoren bzw. Akzeptoren versehenen Halbleitermaterials
ein Halbleitermaterial ohne besonderen Zusatz von Donatoren bzw. Akzeptoren verwendet
werden.
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Da dieses Verfahren dem Zweck dient, einen Halbleiterkristall mit
einem längs der Achse des gezogenen Halbleiterkristalls konstanten Verlauf der Konzentration
an Donatoren bzw. Akzeptoren herzustellen, werden bei diesem Verfahren dem Nachfüllmaterial
Donatoren bzw. Akzeptoren in einer Konzentration beigemischt, deren Wert eine bestimmte
und während des Ziehens eines Halbleiterkristalls unveränderliche Größe hat.
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Halbleiterkristalle, insbesondere Halbleitereinkristalle, mit einem
oder mehreren p-n-Übergängen finden zahlreiche Anwendung fürelektrisch unsymmetrisch
leitende Systeme, insbesondere Kristallgleichrichter oder Kristallverstärker, und
für gesteuerte Kristallgleichrichter mit einem oder mehreren p-n-Übergängen, deren
Steuerung auf einer Einwirkung von Licht, Wärme oder elektrischen oder/und magnetischen
Feldern auf die den elektrischen Strom transportierenden Teilchen beruht. Die Einwirkung
kann auf Stromträger erfolgen, welche gerade einen p-n-Übergang durchlaufen; sie
kann aber auch in unmittelbarer Nähe von einem oder mehreren p-n-Übergängen oder
in einem oder mehreren Bereichen einheitlichen Leitungstyps vorgesehen werden.
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Ungesteuerte und gesteuerte Kristallgleichrichter und andere Halbleitervorrichtungen
werden in ihrer Güte wesentlich von den Eigenschaften der in ihnen enthaltenen Halbleiterkristalle
bestimmt. In wachsendem Umfange werden für Halbleitervorrichtungen Halbleiterkristalle
aus halbleitenden Elementen, wie Germanium, Silicium, und Halbleiterkristalle aus
halbleitenden Verbindungen. wie Verbindungen aus Elemneten der III. und V. Gruppe
des Periodischen Svstems der Elemente oder metallischen Verbindungen, verwendet.
Mit diesen Halbleiterstoffen lassen sich bei Anwendung geeigneter Herstellungsverfahren
brauchbare Halbleiterkristalle erzielen.
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Zur Herstellung von Halbleiterkristallen ist ein Verfahren bekanntgeworden,
bei welchem Halbleiterkristalle mit einem oder mehreren p-n-Übergängen durch Regeln
der Wachstumsgeschwindigkeit beim Ziehen aus einer Schmelze hergestellt werden,
welche neben der Halbleitersubstanz Donatoren und Akzeptoren
enthält.
Hierbei «erden fast immer Halbleiterkristalle erhalten, die mehrere p-n-Übergänge
aufweisen. Diese werden dann in Halbleiterkristalle mit einer für den Verwendungszweck
erwünschten Anzahl p-n-Übergänge zerlegt. Zur Durchführung dieses Verfahrens ist
eine Schmelze herzustellen, welche eine vorgegebene Konzentration eines Donators
und eine bestimmte Konzentration eines Akzeptors aufweist. Unter Umständen können
an Stelle eines einzigen Donators mehrere Donatoren zur Verwendung gelangen, ebenso
wie an Stelle eines Akzeptors mehrere Akzeptoren vorgesehen werden können. Um nach
diesem Verfahren Kristalle mit bestimmten Eigenschaften zu erzielen, kommt es sowohl
auf die Größe der Konzentration dieser Stoffe selbst als auch auf das Verhältnis
der Konzentration beider Stoffe an.
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Diese in der Schmelze vorhandenen Aktivatoren «-erden in das Gitter
der Halbleiterkristalle in einer Konzentration eingebaut, welche sich aus dein Abscheidung#,koeffizienten
des betreffenden Stoffes und der in der Schmelze vorliegenden Konzentration bestimmt.
-Nun besteht für den AbscheidungskoeffizienLen dieser Stoffe eine Abhängigkeit von
der Größe der Wachstumsgeschwindigkeit der Halbleiterkristalle; beispielsweise zeigen
in Germanium als Akzeptoren wirkende Stoffe, wie Gallium, Indium und Aluminium,
bei zunehmender Wachstumsgeschwindigkeit nur ein fast tmmerlcliches Ansteigen ihrer
Abscheidungskoeffizienten. während in Germanium als Domtoren wirkende Stoffe, wie
Antimon und Arsen, bei zunehmender N\'aclistuinsgesclnvindigkeit ein beträchtliches
Anwachsen ihrer Abscheidungskoeffizienten aufweisen.
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Entsprechend der Bemessung der Konzentration der Donatoren und der
Akzeptoren gibt es einen Wert der Wachstumsgeschwindigkeit, bei welchem die von
dein Gitter des wachsenden Halbleiterkristalls aufgenommenen Aktivatoren in gleicher
Konzentration eingebaut werden. Bei diesem Wert der Wachstumsgeschwindigkeit tragen
die in das Gitter der Halbleiterkristalle eingebauten Aktivatoren zur Leitung eines
elektrischen Stromes im Halbleiter nicht bei, da von ihnen herstammende Elektronen
und Defektelektronen sich neutralisieren und somit keine für den Stromtransport
nutzbaren Teilchen ergeben. Wird aber beim Ziehen eines Halbleiterkristalls die
Wachstumsgeschwindigkeit über diesem Wert der Wachstumsgeschwindigkeit gehalten,
dann tritt eine Erhöhung der vom Halbleiterkristall aufgenommenen Konzentration
der Donatoren ein. Damit überwiegt aber in dem Halbleiterkristall die Konzentration
dieses Stoffes die des anderen, und die Differenz beider stellt eine dementsprechende
Elektronenkonzentration zur Leitung eines elektrischen Stromes zur Verfügung. Die
bei erhöhter Wachstumsgeschwindigkeit gewachsenen Bereiche weisen daher Elektronenleitung
auf und die finit erniedrigter Wachstumsgeschwindigkeit gewachsenen Bereiche Defektelektronenleitung.
Damit wird ersichtlich, daß durch ein Regelprogramm der Wachstumsgeschwindigkeit,
insbesondere durch ein periodisches Anheben und Absenken der Wachstumsgeschwindigkeit.
Halbleiterkristalle aus der Schmelze gezogen werden können, bei denen elektronen-
und defektelektronenieitende Bereiche abwechselnd aufeinanderfolgen und durch Gleichrichterwirkung
aufweisende p-n-übergänge miteinander verbunden sind.
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Dieses Verfahren erfordert zu seiner Durchführung eine nur unter beträchtlichem
Zeitaufwand und oft nur besonderer Sorgfalt zu erreichende Bemessung der Konzentration
der Schmelze an Donatoren und Akzeptoren, damit ein bestimmtes, zu einer erwünschten
Wachstumsgeschwindigkeit gehörendes Konzentrationsverhältnis mit bestmöglicher Genauigkeit
erhalten wird.
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Die Herstellung eines bestimmten vorgegebenen Konzentrationsverhältnisses
kann dabei auf folgende Weise vorgenommen werden: Zu einer Schmelze werden ein Donator
und Akzeptor in bestimmter Menge zugegeben, wobei besondere Sorgfalt auf die bestmögliche
Verwirklichung eines bestimmten Konzentrationsverhältnisses verwendet wird. Aber
auch das sorgfältigste Vorgehen führt meistens nur zu einem Konzentrationsverhältnis,
das zur Durchführung obigen Verfahrens bei weitem nicht ausreichend genau ist. Daher
wird aus dieser Schmelze aus Halbleitersubstanz und Donatoren sowie Akzeptoren ein
Probekristall mit konstanter und vorbestimmter Wachstumsgeschwindigkeit durch Hochziehen
eines Keimkristalls aus der Schmelze hergestellt. Eine Untersuchung der Leitfähigkeit
dieses Probekristalls läßt auf das Konzentrationsverhältnis schließen, das in der
Schmelze vorlag, aus der der Probekristall gezogen wurde. Ergibt diese Untersuchung,
daß dieses Konzentrationsverhältnis mit ungenügender Genauigkeit ausgefallen ist,
so kann der Probekristall eingeschmolzen werden und nach Hinzufügen einer die Korrektur
des Konzentrationsverhältnisses bezweckenden kleinen Menge von Donatoren oder von
Akzeptoren mit gleicher Wachstumsgeschwindigkeit ein neuer Probekristall gezogen
werden.
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Erst nach einer Reihe derartiger Versuche kann man so zu einer Schmelze
gelangen, welche ein vorgegebenes Konzentrationsverhältnis mit der erforderlichen
Genauigkeit besitzt. Wie sich aus praktischen Erfahrungen ergibt, kann ein vorgegebenes
Konzentrationsverhältnis mit ausreichender Genauigkeit durch etwa 3- bis 6maliges
Ziehen eines Probekristalls erreicht werden. Dieses Vorgehen ist nicht nur sehr
zeitraubend, sondern kann sogar für die Güte der zu ziehenden Halbleiterkristalle
von erheblichem - -\-achteil werden.
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Zur fortlaufenden Herstellung von gleichen Hall)-leiterkristallen
müßten daher immer wieder neue Schmelzen mit praktisch immer demselben Konzentrationsverhältnis
hergestellt werden. Hierbei würde sich der bereits für die Herstellung einer Schmelze
erhebliche Zeitaufwand noch um ein Vielfaches vergrößern.
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Erfindungsgemäß wird nun so verfahren, daß die einmal mit einem vorgegebenen
Konzentrationsverhältnis zubereitete Schmelze beim Ziehen jedes Halbleiterkristalls
nur zu einem Teil verbraucht und nach jedem Ziehvorgang eine dem jeweiligen Verbrauch
mindestens angenähert gleiche Menge verhältnismäßig reiner Halbleitersubstanz zugegeben
wird, so daß die Ausgangszusammensetzung der Schmelze bezüglich ihres Donatoren-Akzeptoren-Verhältnisses
mindestens angenähert wiederhergestellt wird.
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Die Erfindung geht von der Beobachtung aus. daß die Konzentration
der Aktivatoren einer einmal zubereiteten Schmelze einer bestimmten Menge Halbleitersubstanz
während der Überführung dieser Menge Halbleitersubstanz in einen Halbleiterkristall
durch den Ziehprozeß zunächst nur eine geringe Änderung erfährt. Insbesondere findet
eine starke Erhöhung der Konzentration der Aktivatoren in der Schmelze, die bei
der Anwesenheit von Aktivatoren mit --Nbscheidungskoeffizienten kleiner als 1 in
einem gewissen Zeitpunkt eintritt, bei dem Stufenziehverfahren durch Regeln der
Wachstumsgeschwindigkeit erst in einem Zeitpunkt statt, in dem bereits ein erheblicher
Teil
der Halbleitersubstanz der Schmelze in einen festen Halbleiterkristall
umgewandelt ist.
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Durch das Verfahren wird insbesondere eine beträchtliche Vereinfachung
der fortlaufenden Herstellung von Halbleiterkristallen und damit eine für die Anwendung
des obigen Herstellungsverfahrens wertvolle Zeitersparnis erreicht. Nach der Erfindung
ist es nämlich möglich, sich zur Durchführung des obigen Verfahrens eine Schmelze
mit praktisch immer unveränderter Zusammensetzung zu verschaffen, aus welcher ohne
die zeitraubende Herstellung einer Reihe von Probekristallen fortlaufend neue und
immer gleiche Halbleiterkristalle gezogen werden können. Unter den in der Praxis
meist geforderten Bedingungen können nach dem Verfahren mindestens etwa zehn bis
fünfzehn Halbleiterkristalle aus einer Schmelze mit einem einmal angesetzten Konzentrationsverhältnis
gezogen werden, insbesondere wenn beim Ziehen jedes Halbleiterkristalls die Schmelze
nur etwa zur Hälfte verbraucht wird.
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Zur Durchführung des Verfahrens können auch solche Donatoren und Akzeptoren
verwendet werden, deren Abscheidungskoeffizienten sich in ihrer Größe erheblich,
z. B. um eine Größenordnung oder mehr, unterscheiden. Insbesondere dann erweist
es sich als zweckmäßig, nach mehrmaligem Ziehen von Halbleiterkristallen und jedesmaligern
Zugeben von verhältnismäßig reiner Halbleitersubstanz eine bestimmte verhältnismäßig
kleine Menge von Donatoren oder Akzeptoren der Schmelze zuzugeben. Die Größe dieser
Menge kann auf irgendeine Weise, z. B. durch eine Versuchsreihe, ermittelt werden.
Unter Umständen kann die Zugabe einer solchen die Zusammensetzung der Schmelze ein
wenig verbessernden Menge Donatoren oder Akzeptoren nach jedem Ziehen eines Halbleiterkristalls
und Zugeben von verhältnismäßig reiner Halbleitersubstanz vorgenommen werden. Die
Anwendung eines Ausgleiches der Zusammensetzung der Schmelze kann insbesondere zur
etwa angenäherten Deckung des Verlustes der Schmelze an Donatoren oder Akzeptoren
durch Verdampfen und andere das Konzentrationsverhältnis ändernde Einflüsse vorgesehen
werden.
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Eine derartige Ausgleichszugabe einer verhältnismäßig kleinen Menge
Donatoren oder Akzeptoren erweist sich auch dann als besonders zweckmäßig, wenn
die Herstellung der Halbleiterkristalle derart geleitet werden soll, daß ein Mehrverbrauch
des einen gegenüber dem anderen Stoff eintritt. Beispielsweise kann aus fertigungstechnischen
oder anderen Gründen beabsichtigt werden, den elektronen- oder den defektelektroneiileitenden
Bereichen eine größere Ausdehnung als den Bereichen des entgegengesetzten Leitungstyps
zu geben.
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Zur mindestens angenäherten Wiederherstellung der Ausgangszusammensetzung
der Schmelze kann gemäß der Erfindung eine verhältnismäßig reine Halbleitersubstanz
verwendet werden, deren Gehalt an Aktivatoren höchstens so hoch ist, daß ein hiervon
in einem Halbleiterkristall gelangender Teil zur Konzentration der Donatoren oder
Akzeptoren dieses Halbleiterkristalls einen Beitrag ergeben kann, der mindestens
um etwa eine Größenordnung kleiner als die Aktivatorenkonzentration in diesem Halbleiterkristall
ist. Für viele Anwendungen wird es besonders zweckmäßig sein, die mindestens angenäherte
Ausgangszusammensetzung der Schmelze durch Zugeben einer verhältnismäßig reinen
Halbleitersubstanz wiederherzustellen. deren Gehalt an Aktivatoren höchstens so
hoch ist, daß ein hiervon in einen Halbleiterkristall gelangender Teil zur Konzentration
der Donatoren oder Aktivatoren dieses Halbleiterkristalls einen Beitrag ergeben
kann, der mindestens um etwa zwei Größenordnungen kleiner als die Ahtivatorenkonzentration
in diesem Halbleiterkristall ist. Unter Umständen ist die Verwendung einer verhältnisrnäßig
reinen Halbleitersubstanz vorzuziehen, deren Gehalt an Aktivatoren höchstens so
hoch ist, daß ein hiervon in einen Halbleiterkristall gelangender Teil zur Konzentration
der Donatoren oder Akzeptoren dieses Halbleiterkristalls einen Beitrag ergeben kann,
der mindestens um etwa drei Größenordnungen kleiner als die Aktiv ato°enkonzentration
in diesem Halbleiterkristall ist. Für besondere Verhältnisse, z. B. zum Ziehen von
Hall)-leiterkristallen mit besonders kleinen Aktivatorenkonzentrationen, erweist
es sich als vorteilhaft, sogar solche verhältnismäßig reine Halbleitersubstanzen
zu verwenden, deren Gehalt an Aktivatoren höchstens so hoch ist, daß ein hiervon
in einen Halbleiterkristall gelangender Teil zur Konzentration der Donatoren oder
Akzeptoren einen Beitrag ergeben kann, der mindestens um etwa vier Größenordnungen
kleiner als die Aktivatorenkonzentration in diesem Halbleiterkristall ist.
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Wird beabsichtigt, nach mehrmaligem Ziehen von Halbleiterkristallen
und jedesmaligetn Zugeben von verhältnismäßig reiner Halbleitersubstanz der Schmelze
eine bestimmte verhältnismäßig kleine Menge Donatoren oder Akzeptoren zuzugeben,
dann kann zweckmäßig wie folgt verfahren werden. Für die Wiederherstellung der Ausgangszusammensetzung
der Schmelze wird eine dem letzten @T erbrauch an Schmelze mindestens angenähert
gleiche Menge Halbleitersubstanz bereitgestellt, die jedoch bereits die vorgesehene
verhältnismäßig kleine Menge Donatoren oder Akzeptoren enthält. Durch die Verwendung
einer verhältnismäßig reinen Halbleitersubstanz mit einem Zusatz einer bestimmten
verhältnismäßig kleinen Menge Donatoren oder Akzeptoren wird neben einer Vereinfachung
eine besonders günstige Möglichkeit der Zuführung einer solchen Ausgleichszugabe
erreicht. Mit Vorteil kann man auch nach jedem Ziehen eines Halbleiterkristalls
die Wiederherstellung der Ausgangszusammensetzung der Schmelze dadurch bewirken,
daß eine verhältnismäßig reine Halbleitersubstanz verwendet wird, welche mit einem
Zusatz einer bestimmten verhältnismäßig kleinen Menge Donatoren oder Akzeptoren
versehen ist.
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Im allgemeinen kann das Verfahren zweckmäßig so geleitet werden, daß
beim Ziehen eines jeden Halbleiterkristalls die Schmelze bis zu etwa neun Zehntel
verbraucht wird. Meist erweist es sich jedoch als besonders zweckmäßig, die Schmelze
jeweils zu etwa zwei Drittel aufzubrauchen. Vorteilhaft wird die Menge der Schmelze,
die jeweils beim Ziehen eines Halbleiterkristalls verbraucht wird, besonders nach
der Größe der Abscheidungskoeffizienten der Donatoren und Akzeptoren bemessen. Werden
beispielsweise zur Herstellung von Halbleiterkristallen Akzeptoren mit größeren
Abscheidungskoeffizienten verwendet, dann können günstig Halbleiterkristalle aus
der Schmelze gezogen werden, die die Schmelze zu etwa einem Drittel oder weniger
aufbrauchen.
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Mit gutem Erfolg kann das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkristallen
oder Halbleitereinkristallen aus Germanium verwendet werden. Zur Durchführung des
erfindungsgemäßen Verfahrens können einer Germaniumschmelze als Donatoren und Akzeptoren
zweckmäßig Aluminium und Antimon, Gallium und Arsen, Gallium und Antimon, Indium
und
Arsen oder Indium und Antimon zugegeben werden.
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Vorzugsweise können nach dein Verfahren Halbleiterkristalle aus Germanium
hergestellt werden, deren elektronenleitende Bereiche Aktivatoren in einer Konzentration
enthalten, die von gleicher Größenordnung wie die Konzentration dieser Stoffe in
den defektelektronenleitenden Bereichen ist.
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Halbleiterkristalle, insbesondere aus Germanium, deren elektroneu-
oder/und defektelektronenleitende Bereiche Donatoren sowie Akzeptoren in einer Atomkonzentration
bis zu der Größenordnung 1017 cm-3 aufweisen, lassen sich nach dem erfindungsgemäßen
\"erfahren in überraschend hoher Zahl aus einer einmal mit einem vorgegebenen Konzentrationsverhältnis
angesetzten Schmelze erhalten. Eine befriedigende Anzahl Halbleiterkristalle erhält
man, wenn nach dem erfindungsgemäßen Verfahren Halbleiterkristalle, insbesondere
aus Germanium, hergestellt werden, deren elektroneu- oder/und defektelektronenleitende
Bereiche Aktivatoren in einer Atomkonzentration bis zu der Größenordnung
1016 cm-3 aufweisen. Auch Halbleiterkristalle, insbesondere aus Germanium,
deren elektroneu- oder/und defektelektronenleitende Bereiche Aktivatoren in einer
Atomkonzentration bis zu der Größenordnung 1015 cm-3 aufweisen, können nach dem
erfindungsgemäßen Verfahren in günstigerer «'eise als nach den bekannten Verfahren
hergestellt werden. Bei Halbleiterkristallen mit niedriger Aktivatorenkonzentration
ist die erforderliche Genauigkeit besonders sorgfältig einzuhalten und daher in
erhöhtem Umfange mit einem erheblichen Zeitaufwand verbunden. -Nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren ergeben sich deshalb bei der Herstellung von Halbleiterkristallen, deren
Anwendungszwecke niedrige Konzentrationen erfordern, besonders wertvolle Zeiteinsparungen.
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Es gibt für Halbleiterkristalle mit einem oder mehreren p-n-Übergängen
Anwendungen, bei welchen es nicht darauf ankommt. von Kristall zu Kristall eine
bestimmte Konzentration an Elektronen- sowie Defektelektronenleitung bewirkenden
Stoffen in den elektroneu- oder/und defektelektronenleitenden Bereichen ganz streng
einzuhalten.
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Beispielsweise kann es in Einzelfällen zulässig sein, daß diese Konzentration
in den Halbleiterkristallen, welche nacheinander gezogen worden sind, eine Streuung
bis zu 10 % aufweist.
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-Nach dein Verfahren kann die Herstellung von Halbleiterkristallen,
die hinsichtlich ihrer Konzentration an Aktivatoren nur innerhalb weiterer Grenzen
übereinstimmen sollen, besonders zweckmäßig erfolgen. indem nach jedem Ziehen eines
Halbleiterkristalls die Wiederherstellung der Ausgangszusammensetzung der Schmelze
ebenfalls nur innerhalb einer gröberen Annäherung bewerkstelligt wird. Dies kann
vorzugsweise durch Zugeben einer Menge verhältnismäßig reiner Halbleitersubstanz
bewirkt werden, die dem jeweiligen Verbrauch nur innerhalb einer entsprechend gröberen
Annäherung gleich ist.
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Das Verfahren kann ebenso wie zur Herstellung c-on Halbleiterkristallen
aus Germanium auch zur Herstellung von Halbleiterkristallen oder Halbleitereinkristallen
aus Silizium verwendet werden, wobei die Elektronen- bzw. Defektelektronenleitung
im Silizium durch Zugabe von Aluminium und Antimon zur Schmelze bewirkt werden kann.
Außerdem können nach dem erfindungsgemäßen Verfahren Halbleiterkristalle oder Halbleitereinkristalle
aus einer halbleitenden Verbindung, insbesondere aus einer halbleitenden Verbindung
aus Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems der Elemente, oder
aus einer intermetallischen Verbindung hergestellt werden.