CN201355867Y - 硅基电容式麦克风 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 16
- 230000037237 body shape Effects 0.000 claims description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种硅基电容式麦克风，包括背极板、内部设有空腔的支撑层、与背极板相对的振膜，振膜包括振动主体和与振动主体相连的连接部，振膜通过连接部支撑在支撑层上，所述硅基电容式麦克风还包括一挡盖，所述挡盖包括定位于振膜连接部上的固持部和与固持部相连且凸出固持部、位于振动主体边缘之上的挡块。该挡块能对振膜的振动主体边缘进行限位，防止振动主体边缘振幅过大，克服了现有技术的不足，有利于提高产品的灵敏度。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及一种麦克风，尤其涉及一种硅基电容式麦克风。
【背景技术】
随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。
目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，简称MEMS)，其封装体积比传统的驻极体麦克风小。MEMS麦克风是基于硅基半导体材料制成，故又称硅基麦克风。近几年，硅基MEMS麦克风已取得了很大的进步。
如图3所示，为相关结构的MEMS硅基麦克风1的立体示意图，其包括支撑层10和振膜11，振膜11包括振动主体110和与振动主体及支撑层相连的连接部111。该类麦克风振膜在振动时，由于振膜通过连接部支撑在支撑层上，振动主体的边缘偏离的幅度会比较大，从而导致产品阻尼大幅度下降、灵敏度降低。
【实用新型内容】
本实用新型需解决的技术问题是克服上述的不足，提供一种灵敏度得到改善的硅基电容式麦克风。
根据上述需解决的技术问题，设计了一种硅基电容式麦克风，包括背极板、内部设有空腔的支撑层、与背极板相对的振膜，振膜包括振动主体和与振动主体相连的连接部，振膜通过连接部支撑在支撑层上，所述硅基电容式麦克风还包括一挡盖，所述挡盖包括定位于振膜连接部上的固持部和与固持部相连且凸出固持部、位于振动主体边缘之上的挡块。
作为本实用新型进一步改进，所述挡盖的横截面呈“”状。
作为本实用新型进一步改进，所述挡盖与振动主体形状相匹配。。
作为本实用新型进一步改进，所述挡盖为圆环状。
作为本实用新型进一步改进，所述连接部突出圆形振动主体边缘。
作为本实用新型进一步改进，所述连接部呈“十”字形支撑在支撑层上。
本实用新型设有的挡盖的挡块能对振膜的振动主体边缘进行限位，防止振动主体边缘振幅过大，克服了现有技术的不足，有利于提高产品的灵敏度。
【附图说明】
图1是本实用新型硅基电容式麦克风的立体示意图；
图2是图1中B-B方向的剖视示意图；
图3是相关结构硅基电容式麦克风的示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。
如图1和图2所示，本实用新型硅基电容式麦克风2包括支撑层20、背极板21、与背极板相对的振膜22、挡盖23。支撑层覆盖在内部设有空腔的基底24上，相应地，支撑层内也形成空腔。背极板21收容于基底24的空腔内，其上设有声孔210。背极板21与振膜相对，和振膜22之间间隔支撑层20。
本实施方式振膜22包括圆形振动主体220和与振动主体相连、并突出圆形振动主体的连接部221。该连接部数量为四个，呈“十”字形均等分布在振动主体的边缘。振动主体通过连接部与支撑层相连而支撑在支撑层上。本实用新型振膜的连接部不限于四个或图中的形状。
本实施方式挡盖23与振动主体的形状匹配，为圆环状，其横截面呈“
”状，包括固持部231和与固持部相连且凸出固持部的挡块230。固持部231固定定位于连接部221上，可使连接部稳定地与支撑层相连。挡块230位于振动主体边缘之上，相对振动主体边缘间隔一定所需的距离，它能对振动主体边缘进行限位，防止振动主体边缘振幅过大，克服了现有技术的不足，提高了产品的灵敏度。
本实用新型硅基电容式麦克风的振动主体可相对背极板上下振动并与背极板形成电容效应。当声音气流传递到振膜上时，振动主体上下振动以产生位移，改变电容器的电容量，电容量的改变使电容器的输出端产生相应的交变电场，形成与声波信号对应的电信号，从而完成声电转换的功能。
以上所述的仅是本实用新型的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1、一种硅基电容式麦克风，包括背极板、内部设有空腔的支撑层、与背极板相对的振膜，振膜包括振动主体和与振动主体相连的连接部，振膜通过连接部支撑在支撑层上，其特征在于：所述硅基电容式麦克风还包括一挡盖，所述挡盖包括定位于振膜连接部上的固持部和与固持部相连且凸出固持部、位于振动主体边缘之上的挡块。
2、根据权利要求1所述的硅基电容式麦克风，其特征在于：所述挡盖的横截面呈
状。
3、根据权利要求1所述的硅基电容式麦克风，其特征在于：所述挡盖与振动主体形状相匹配。
4、根据权利要求1所述的硅基电容式麦克风，其特征在于：所述挡盖为圆环状。
5、根据权利要求1所述的硅基电容式麦克风，其特征在于：所述连接部突出圆形振动主体边缘。
6、根据权利要求5所述的硅基电容式麦克风，其特征在于：所述连接部呈“十”字形支撑在支撑层上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008202357259U CN201355867Y (zh) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 硅基电容式麦克风 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008202357259U CN201355867Y (zh) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 硅基电容式麦克风 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201355867Y true CN201355867Y (zh) | 2009-12-02 |
Family
ID=41412207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2008202357259U Expired - Lifetime CN201355867Y (zh) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 硅基电容式麦克风 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201355867Y (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI448164B (zh) * | 2010-05-14 | 2014-08-01 | Nat Univ Tsing Hua | Micro electromechanical condenser microphones |
| CN104105041A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-10-15 | 歌尔声学股份有限公司 | 硅基mems麦克风及其制作方法 |
| CN107770707A (zh) * | 2016-08-22 | 2018-03-06 | 上海微联传感科技有限公司 | 一种mems麦克风 |
| CN110545514A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-12-06 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式mems麦克风 |
-
2008
- 2008-12-26 CN CNU2008202357259U patent/CN201355867Y/zh not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI448164B (zh) * | 2010-05-14 | 2014-08-01 | Nat Univ Tsing Hua | Micro electromechanical condenser microphones |
| CN104105041A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-10-15 | 歌尔声学股份有限公司 | 硅基mems麦克风及其制作方法 |
| CN104105041B (zh) * | 2014-07-31 | 2019-01-04 | 歌尔股份有限公司 | 硅基mems麦克风及其制作方法 |
| CN107770707A (zh) * | 2016-08-22 | 2018-03-06 | 上海微联传感科技有限公司 | 一种mems麦克风 |
| CN110545514A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-12-06 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式mems麦克风 |
| WO2021031105A1 (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-25 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式 mems 麦克风 |
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