[go: up one dir, main page]

CN201274284Y - 真空腔室和具有该真空腔室的基板传送系统 - Google Patents

真空腔室和具有该真空腔室的基板传送系统 Download PDF

Info

Publication number
CN201274284Y
CN201274284Y CNU2008201052338U CN200820105233U CN201274284Y CN 201274284 Y CN201274284 Y CN 201274284Y CN U2008201052338 U CNU2008201052338 U CN U2008201052338U CN 200820105233 U CN200820105233 U CN 200820105233U CN 201274284 Y CN201274284 Y CN 201274284Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
support bracket
vacuum chamber
support
substrate
base plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNU2008201052338U
Other languages
English (en)
Inventor
斯里兰·克里士纳瓦米
洪·T·纽恩
乔治·曾
马提亚·布伦纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
Publication of CN201274284Y publication Critical patent/CN201274284Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H10P72/0462
    • H10P72/0466
    • H10P72/0478
    • H10P72/3306

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本实用新型包含一种用于传送基板进出配置成容纳多块基板的腔室的系统。在一个实施方式中,该系统包含包括沿着垂直轴可独立移动的第一基板支撑溜槽和第二基板支撑溜槽的腔室外壳,以及可移动进出腔室外壳的基板输送装置。第一基板支撑溜槽和第二基板支撑溜槽可移动到部分第二基板支撑溜槽容纳在第一基板支撑溜槽中的位置处。

Description

真空腔室和具有该真空腔室的基板传送系统
技术领域
在此所述的实施方式主要涉及一种用于传送基板进出配置以容纳多块基板的腔室的方法和系统。
背景技术
在平板显示器的制造过程中,大面积基板的半导体工艺包括通常在真空腔室中执行的诸如沉积、蚀刻以及测试等多个工艺。大面积基板通常由大气/真空界面传送进出真空腔室,该界面有时候称为加载互锁真空腔室(load lockchamber),其提供大气压与真空腔室内压力之间的分级真空。在一些系统中,加载互锁真空腔室可配置成耦接于常压排队系统与真空腔室之间,用于进行常压到真空的交换。类似地,已处理的基板可经过传送腔室传送出真空腔室至常压条件下。
为了能有更高的通过量(throughput),通常这些传送腔室的尺寸设计为同时容纳两块基板。然而,由于大面积基板(2200mm×2400mm以及更大尺寸)的尺寸,每个传送循环期间,这些基板中至少一块的尺寸需要大的内部空间,其必须被抽气降压和排气。当该内部空间设计成大于一块基板的尺寸时,传送腔室的内部空间甚至更大。该大内部空间引起抽气降压时间的难题,原因在于需要多个低真空泵以在短时间周期内完成抽气降压。
因此,需要一种能容纳占据最小腔室空间的多块大面积基板的系统,使得该腔室能利用相同数目的泵进行负加压,从而使抽气降压和排气时间最短,其能使成本最小化并增加通过量。
发明内容
本发明主要包含一种用于传送基板进出配置成容纳多块基板的腔室的方法和系统。
在一个实施方式中,描述了设计尺寸以容纳至少两块大面积基板的真空腔室。该真空腔室包括具有内部空间的外壳,以及设置在所述内部空间中的第一支撑托架(support tray)和第二支撑托架。所述第一和第二支撑托架的每一个都包含多个基本平行并隔开的支撑构件,该支撑构件限定耦接到设置在第二水平平面中的底部部分的第一水平平面,该第二水平平面不同于所述第一水平平面,其中所述第一支撑托架的尺寸大于所述第二支撑托架。
在另一实施方式中,描述了一种基板传送系统。该基板传送系统包括具有至少一个进入孔的腔室外壳,其中所述腔室外壳包括第一基板支撑托架和与所述第一基板支撑托架平行的第二基板支撑托架,其中所述第一和第二基板支撑托架沿着垂直轴单独移动。该腔室外壳还包括基板输送装置,其移动进出所述腔室外壳以在所述基板输送装置和所述第一与第二基板支撑托架任一之间传送基板,其中所述第一基板支撑托架和第二基板支撑托架彼此相对移动到部分所述第二基板支撑托架嵌套在所述第一基板支撑托架中的位置,以减小所述外壳的内部空间。
在另一实施方式中,描述了一种传送大面积基板的方法。该方法包括将所述基板放置在基板输送装置上,移动所述基板输送装置进入具有基板支撑结构的加载互锁真空腔室中,其中所述基板支撑结构包括沿着垂直轴单独移动的至少第一基板支撑托架和第二基板支撑托架。该方法还包括操作所述基板支撑结构以将基板从所述基板输送装置传送到第一和第二基板支撑托架的任一个,其中操作所述基板支撑结构包括相对于所述第二基板支撑托架将所述第一基板支撑托架移动到其中部分所述第二基板支撑托架嵌套在所述第一基板支撑托架中的位置,以减小所述加载互锁真空腔室的内部空间。
附图说明
为了能详细理解本发明的上述特征,现在将参照部分在附图中示出的实施方式对本发明的以上概述进行详细描述。然而,应该注意到附图仅示出了本发明的典型实施方式,因此不应理解为对本发明范围的限制,因为本发明可称为其它等效实施方式。
图1根据一个实施方式的加载互锁真空腔室的侧视图;
图2是适于在根据实施方式的图1的加载互锁真空腔室内使用的基板支架的等轴视图;
图3-6是示出根据一个实施方式的第一基板传送循环的实施例的示意图;
图7-10是示出根据另一实施方式的第二基板传送循环的实施例的示意图;
图11-13是示出根据另一实施方式的第三基板传送循环的实施例的示意图;
图14-17是示出根据另一实施方式的第四基板传送循环的实施例的示意图;
图18是在根据另一实施方式的图1中示出的部分腔室的侧部剖视图;
图19是加载互锁真空腔室的另一实施方式的等轴视图;以及
图20是在图18中示出的部分腔室的侧部剖视图。
为了便于理解,尽可能使用相同的附图标记表示附图共有的相同元件。可以理解在一个实施方式中公开的元件可以毫无疑义地用于另一实施方式,而不用特别阐述。
具体实施方式
在此所述的实施方式涉及一种用于传送基板的系统和方法,其中该基板可用于配置以容纳多块基板的各种腔室。尽管实施方式示例性地描述为在传送器件中使用,诸如加载互锁真空腔室或配置以提供大气/真空界面的其它腔室,部分实施方式可用于配置两块或三块基板的其它腔室。实施例包括但不限制于处理腔室、测试腔室、沉积腔室和热处理腔室。基板,如在此所述的,包括由玻璃、聚合物材料或适于在其上形成电子器件的其它材料制成的大面积基板,其配置用于平板显示器制造、太阳能电池制造和可形成于大面积基板栅的其它电子器件。实施例包括薄膜晶体管(TFT)、有机发光二极管(OLED)和p-i-n结或在太阳能电池阵和/或光生伏打电池的制造中使用的其它器件。
图1是加载互锁真空腔室100的等轴视图,该腔室包括设置在支撑框架105上的密封外壳110。外壳110包含侧壁135、底部(在该视图中未示出)和盖130。外壳110具有第一端115和第二端120,每端包括由阀122选择性打开和关闭的进入孔123。第一端115可以为常压界面,其可以为设置在清洗室中的常压机械装置或其它传送器件的界面。第二端120可以为一处理界面,其适于耦接到并与配置成处理大面积基板的真空腔室(未示出),诸如沉积腔室、蚀刻腔室、测试腔室等等。耦接到第二端120的真空腔室可包括输送装置140,其可以是机械装置或者耦接到真空腔室内的基板支架上的其它传送机构。输送装置140可包括叶片或其它支撑部分,其在该实施方式中配置成多个间隔开的指部145A-145D,其具有适于支撑并传送大面积基板的上表面。在一个实施方式中,输送装置140配置成适于延伸及收缩进出真空腔室以传送基板进出加载互锁真空腔室100的终端受动器。在2005年12月8日提交并在2006年12月7日公布的美国专利申请No.2006/0273815中描述了加载互锁真空腔室100和耦接到该受动器的真空腔室的实施例,在此引入该申请作为参考。
外壳110还包括安装在外壳110的两个相对侧壁135上的第一对致动器组件125A,以及也安装在外壳110的两个相对侧壁135上的第二对致动器组件125B。致动器组件125A和125B耦接到设置在外壳110的内部空间中的基板支撑结构200(图2)。在一个实施方式中,致动器组件125A、125B的每一个都通过支撑臂160(仅在图1中示出并且可以在图2中更清晰地看出)经过外壳110的侧壁135而耦接到基板支撑结构。将致动器组件125A、125B耦接到基板支撑结构的各个支撑托架205、210(图2)的支撑臂160可经过侧壁135通过真空密封而耦接。
致动器组件125A、125B配置成垂直致动器,尽管也可以设置其它移动范例。致动器组件125A、125B的每一个都包括驱动机构或发动机150,其可以是适于提供至少垂直移动的电、液压、气动或其机械驱动。每个发动机150通过底座155耦接到各个支撑臂160。致动器组件125A、125B从加载互锁真空腔室100的内部空间有效地密封隔开,以将真空应用到内部空间。在一个实施方式中,每个支撑臂160可包括密封件(未示出),其配置以允许至少垂直移动到支撑臂160,诸如波纹管(bellow)、柔性滑脚或配置以从环境大气密封加载互锁真空腔室100的内部空间的其它密封器件。遮板(cover)165还可用于覆盖每个支撑臂160并且还可以用作密封件。在之前已经引入作为参考的美国专利申请No.2006/0273815的图10和图11的描述中发现了致动器密封配置的一个应用的更加详细的描述。
图2是适于设置在图1的加载互锁真空腔室100的内部空间中的基板支撑结构200的一个实施方式的等轴视图。该基板支撑结构200包括在基本平行的方向上垂直配置的上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210。上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210分别包含适于通过支撑臂160耦接到各个致动器组件125A、125B的支撑点215、220。上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210适于通过成对致动器组件125A和125B的每一个驱动而单独地升降。支撑点215可稍微偏离支撑点220以有助于致动器耦合和各个支撑托架的单独垂直升降。另外,相对的支撑点215、220相对于各个支撑托架205、210的偏移在升降期间改善稳定性。
上(第一)支撑托架205的尺寸稍微大于下(第二)支撑托架210,并且可靠近下(第二)支撑托架210放置,以使加载互锁真空腔室100的内部空间中的空间最小。在一个实施例中,支撑托架205、210适于彼此嵌套以减小加载互锁真空腔室100的内部空间。例如,下(第二)支撑托架210可由上(第一)支撑托架205以嵌套的配置容纳。上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210的每一个都包括用于支撑大面积基板的基本平坦的上表面,其在一个实施方式是分别设置在上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210上的多个基本平行的支撑构件230、235。在一个实施例中,支撑构件230、235是结构构件,诸如具有固体或管状横截面的杆或棒、槽、“I”梁或“H”梁及其组合。支撑构件230、235隔开以允许指部145A-145D的机械叶片(图1)容纳在其间。共同地,支撑构件230、235提供基本平坦的表面以支撑基板,同时允许接近机械装置的指部145A-145D或其它支撑部分。在一个实施方式中,支撑构件230、235包括耦接到每个支撑构件230、235的上表面并从其向上延伸以限定基板支撑表面的支撑销240。每个支撑销240包括减摩擦上表面,诸如抛光表面或滚动表面,例如球或销。
每个支撑构件230、235的相对端固定连接到各个底部框架233、239,并包括有助于支撑且由每个支撑构件230、235隔开的弯曲部分231、237。在一个方案中,在各个支撑托架205、210上的支撑构件230、235的每一个都设置在第一水平平面中以限定支撑表面,并且各个底部框架233、239设置在第二水平平面中,并且第一和第二平面垂直隔开。在一个实施方式中,支撑构件230、235和底部框架233、239可形成于由相同材料制成的单一主体中,其中该相同材料包括铝、碳纤维及其组合。在可选实施方式中,支撑构件230、235可由用铝或碳纤维制成的离散结构构件形成,并且可耦接到由铝或碳纤维制成的各个底部框架233、239。支撑构件230、235和底部框架233、239还可由重量轻和最小化排气的其它耐工艺(process resistent)材料制成。
图3-17根据在此所述的实施方式在多个传送循环期间进出加载互锁真空腔室100的基板305A-305C的多个传送位置的示意性侧视图。元件310和320表示各个机械叶片、终端受动器的输送装置部分或传送机构的支撑部分。在一个实施方式中,输送装置部分310、320的其中之一或两者可以为适于传送基本进出清洗室、晶圆匣或其它存储器件的常压传送机构。在其它实施方式中,输送装置部分310、320的其中之一或两者可以为适于从一个负压腔室传送基板到另一腔室的在工具上(on-tool)进行传送的机构,诸如图1的输送装置140。在另一实施方式中,输送装置部件310、320可包含一个或多个叶片或指部,诸如图1的指部145A-145D,其具有基本平坦的上表面,用于支撑并传送大面积基板。在该实施方式中,输送装置部分310、320的每一个都在基本水平的平面中进行传输以从第一端115和相对的第二端120选择性进出加载互锁真空腔室100,从而有助于基板305A-305C的传送。更具体地,在每个传送循环中,第一输送装置310和第二输送装置320中的任一个都可以进入加载互锁真空腔室100,以实现以下其中一个:1)将基板从输送装置装载到上(第一)或下(第二)支撑托架,或者2)将基板从上(第一)或下(第二)支撑托架卸载到输送装置上。
结合图3-6,现在将详细描述用于将基板305A从第一输送装置310装载到下(第二)支撑托架210的第一传送循环。腔室100可以位于制造工艺中的某一点,包括之前已经从耦接到第一端115的真空腔室(未示出)传送到腔室100,并且正在等待传送到清洗室中的大气环境的已处理基板。
在图3中,示出了在第一传送循环中的中间初始台。其上承载基板305A的第一输送装置310已经移动到了邻近腔室100第一端115的位置。为了准备另一基板的传送,其上承载基板305C的第二输送装置320也可移动到邻近腔室100第二端120的备用位置。在准备传送基板305A期间,下(第二)支撑托架210移动到其上放置基板305A的第一输送装置310的支撑表面的平面下方的初始装载位置。另外,上(第一)支撑托架205已经移动到了下(第二)支撑托架210上方的偏移位置。上(第一)支撑托架205还可支撑可被传送出腔室100并已经传送进入真空腔室用于处理的未处理基板305B。
参照图4,承载基板305A的第一输送装置310随后经过第一端115进入腔室100,移动越过下(第二)支撑托架210的区域,并停在与下(第二)支撑托架210基本垂直对准的传送位置处。在第一输送装置310的该传送位置中,承载在其上的基板305A被精确定位在下(第二)支撑托架210的支撑表面上方。
参照图5,在第一输送装置310保持固定在其传送位置中时,下(第二)支撑托架210随后相对于上(第一)支撑托架205向上移动,上(第一)支撑托架205可处于固定状态,使得下(第二)支撑托架210的支撑表面经过第一输送装置310的支撑表面上方并因此提升基板305A。从而基板305A从第一输送装置310被卸载并且装载在下(第二)支撑托架210上。一旦基板305A由下(第二)支撑托架210支撑,则输送装置310可收缩或经过第一端115退出腔室100,如在图6中所示。
结合图7-10,现在将描述用于将基板305B从上(第一)支撑托架205卸载到第一输送装置310的第二传送循环。在图7中,示出第二传送循环中的中间初始阶段。在准备卸载基板305B时,承载基板305B的上(第一)支撑托架205已经移动到了包含第一输送装置310的支撑表面的平面上方的初始卸载位置。另外,下(第二)支撑托架210已经移动到了上(第一)支撑托架205下方偏移位置处。在一个实施方式中,第二传送循环可在以上输送的第一传送循环已经完成之后发生。
参照图8,第一输送装置310随后传输经过第一端115,移动越过上(第一)支撑托架205的区域,并且停在与上(第一)支撑托架205基本垂直对准的传送位置处。在第一输送装置310的该传送位置中,其可以与在图4中示出的传送位置相同,下(第二)支撑托架210上的基板305A被精确定位在第一输送装置310的支撑表面上方。
参照图9,在第一输送装置310保持固定在其传送位置中时,上(第一)支撑托架205随后从初始卸载位置朝向下(第二)支撑托架向下移动,使得上(第一)支撑托架205的支撑表面经过第一输送装置310的支撑表面下方。因此,基板305B被从上(第一)支撑托架205卸载并且装载在第一输送装置310上。在上(第一)支撑托架205下倾以卸载基板305B时,位于静止(resting)位置中的下(第二)支撑托架210至少部分容纳在由上(第一)支撑托架205的结构形成的孔隙中。上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210的这种可折叠配置减小了容积和由腔室100的内部容积内的上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210占据的空间,其有助于减小腔室100的重量。降低重量反过来使需要用于抽气降压和排气的内部容积最小化,其有助于更高的通过量。
参照图10,一旦基板305B已经装载在其上,则第一输送装置310传输经过第一端115以重新移出腔室100。基板305B可以为未处理基板,如以上所述,并且可被传送到进一步处理基板诸如测试程序的真空腔室。
结合图11-13,现在将描述将基板305C从第二输送装置320装载到上(第一)支撑托架205的第三传送循环。在图11中,示出了第三传送循环中的中间初始阶段。在准备装载基板305C时,上(第一)支撑托架205已经移动到了包含第二输送装置320的支撑表面的平面下方的初始装载位置。上(第一)支撑托架205的该初始装载位置可以类似于在图10中示出的上(第一)支撑托架205的配置,在下(第二)支撑托架210上方拆卸。另外,第二输送装置320已经进入腔室100,并且放置在与上(第一)支撑托架205基本对齐的传送位置处。在第二输送装置320的该传送位置中,承载在其上的基板305C被精确定位在上(第一)支撑托架205的支撑表面上方。
参照图12,在第二输送装置320保持固定在其传送位置时,上(第一)支撑托架205随后向上移动,使得上(第一)支撑托架205的支撑表面经过第二输送装置320的支撑表面上方并从而提升基板305C。该基板305C从而被从第二输送装置320卸载并装载在上(第一)支撑托架205上。
参照图13,在基板305C已经从第二输送装置320传送到上(第一)支撑托架205之后,第二输送装置320经过第二端120退出腔室100。在腔室100内,上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210因而分别由基板305C和305A装载。
结合图14-17,现在描述将基板305A从下(第二)支撑托架210卸载到第二输送装置320的第四循环。在图14中,示出第四传送循环中的中间初始阶段。承载基板305A的下(第二)支撑托架210已经移动到了包含其上将传送基板305A的第二输送装置320的支撑表面的平面上方的初始卸载位置。另外,上(第一)支撑托架205已经移动到下(第二)支撑托架210上方的偏移位置处。
参照图15,第二输送装置320随后传输经过第一端120,移动越过下(第二)支撑托架210的区域,并停在与下(第二)支撑托架210基本垂直对准的传送位置处。在第二输送装置320的该传送位置中,承载下(第二)支撑托架210上的基板305A被精确定位在第二输送装置320的支撑表面上方。
参照图16,在第二输送装置320保持固定在其传送位置时,下(第二)支撑托架210随后向下移动,使得下(第二)支撑托架210的支撑表面经过第二输送装置320的支撑表面下方。因此,该基板305A被从下(第二)支撑托架210卸载并被装载在第二输送装置320的支撑表面上。
参照图17,在基板305A已经从下(第二)支撑托架210传送到第二输送装置320之后,第二输送装置320随后经过第二端120退出腔室100,以将基板305A传送出腔室100。
如以上所述,基板支架200从而能将多块基板支撑在适于彼此独立升降的至少上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210上。上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210从而可移动到它们彼此啮合(fit)以占据较小容积的配置处。
图18是图1的腔室100的部分外壳110的等轴剖视图。在类似于图9中的视图的降低位置处,在上(第一)、下(第二)支撑托架205、210一起拆卸或彼此啮合处的配置中示出了上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210。上(第一)支撑托架205和下(第二)支撑托架210的尺寸设计为使得外壳110的内部空间的高度最小,其使真空排空时间最短。例如,上(第一)支撑托架205适于容纳并至少部分遮盖下(第二)支撑托架210。在一个实施方式中,下(第二)支撑托架210还适于设置在形成于外壳110的下表面180中的凹槽182中,其进一步减小了支撑托架205、210和内部空间的高度需求。
图19是示出加载互锁真空腔室400的另一实施方式的示意图。类似于图1中示出的实施方式,加载互锁真空腔室400包括设置在支撑框架105上并由盖430向上覆盖的密封外壳110。外壳110具有第一端115和第二端120,每端包括由阀(未示出)打开和关闭的进入孔123,用于由输送装置140选择性进出,该输送装置140具有适于支撑大面积基板的分离指部145A-145D。然而,取代经过外壳110的侧壁135耦接到基板支撑结构的致动器,加载互锁真空腔室400包括经过形成于盖430中的各个开口而耦接到基板支撑结构的致动器组件425A1-425D1、425A2-425D2。在所示的实施方式中,加载互锁真空腔室400包括在加载互锁真空腔室400一侧上的四个致动器组件425A1、425B1、425A2和425B2,以及在加载互锁真空腔室400另一侧上的四个致动器组件425C1、425C2、425D1和425D2
致动器组件425A1-425D1、425A2-425D2的每一个都包括发动机或驱动机构,其可以为电性、液压、气动或适于提供到设置在内部空间中的各个支撑托架的至少垂直移动的其它机械驱动。参照致动器组件,每个致动器组件的各个驱动机构可耦接到与支撑托架(图20)耦接的支撑臂428N。致动器组件425A1-425D1、425A2-425D2可在致动器/腔室界面426处耦接到盖430,其中该界面包含允许各个支撑臂428N进入的盖430中的开口和密封部件。在一个实施方式中,密封部件可以为柔性波纹管、柔性防护罩或适于提供各个支撑臂428N和腔室400的真空密封的其它类型的密封件。
图20示出了在图19中示出的加载互锁真空腔室400的部分内部空间的等轴视图。内部空间包括上(第一)支撑托架460和下(第二)支撑托架465。尽管仅示出了上(第一)支撑托架460和下(第二)支撑托架465的一侧,但是在一个实施方式中,致动器组件425A1、425B2和425D1-425C2可耦接到上(第一)支撑托架460,并且致动器组件425B1、425A2和425C1、425D2可耦接到下(第二)支撑托架465。也可能是其它致动器组件/支撑托架耦接方案。致动器组件可通过上(第一)支撑托架460上的各个支撑臂4282、4283和下(第二)支撑托架465上的支撑臂4281、4284而耦接到支撑托架460、465。在一个实施方式中,致动器组件425B1和425A2耦接到下(第二)支撑托架465上的外部支撑臂4281、4284,并且致动器组件425A1和425B2耦接到上(第一)支撑托架460上的内部支撑臂4282、4283。尽管没有示出,但是支撑托架460、465的另一侧可以类似于致动器组件425C(1-2)和425D(1-2)耦接。虽然未示出,但是可以理解其它实施方式的到支撑托架460、465的致动器组件耦接方案也可以提供增强的支撑和每个支撑托架460、465的单独提升。
虽然以上已经结合特定实施方式描述了本发明,但是在不脱离本发明的范围下也可能是变型和修改。例如,不是使用上(第一)/下(第二)支撑托架相对于固定第一/第二输送装置的向上和向下移动以传送基板的所示实施方式,其它实施方式可相反地配置第一/第二输送装置以执行向上和向下移动同时上(第一)/下(第二)支撑托架保持在固定位置中,或者可选地为上(第一)/下(第二)支撑托架的移动与第一/第二输送装置朝向彼此移动的组合。
在此所述的实施方式配置以使传送腔室100或400的内部空间最小。测试出具有在此所述的支撑托架205、210的腔室100减小了腔室100内部空间的40%。最小化的内部空间可减小需要排空腔室100或400的真空泵数量和/或缩短系统的循环时间。缩短循环时间可增加通过量和/或真空泵数量减少可减少系统成本。
虽然前述针对本发明的实施方式,但是在不脱离本发明的基本范围下,也承认本发明的其它和进一步实施方式,并且本发明的范围由以下的权利要求书确定。

Claims (23)

1、一个尺寸设计为容纳至少两块大面积基板的真空腔室,其特征在于,所述真空腔室包含:
具有内部空间的外壳;以及
设置在所述内部空间中的第一支撑托架和第二支撑托架,其中所述第一和第二支撑托架的每一个都包含:
多个基本平行并隔开的支撑构件,其限定耦接到设置在第二水平平面中的底部部分的第一水平平面,所述第二水平平面不同于所述第一水平平面,其中所述第一支撑托架的尺寸大于所述第二支撑托架以减小所述外壳的内部空间。
2、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述支撑构件的每一个都包括终止在所述底部部分处的弯曲部分。
3、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述第一和第二支撑托架的每一个都耦接两个致动器。
4、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述第一和第二支撑托架的每一个都耦接四个致动器。
5、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,一个或多个所述支撑构件包括设置在该构件上表面上的支撑销,以将所述基板与所述支撑构件隔开。
6、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述外壳具有适于容纳所述第一和第二支撑托架至少其中之一的所述底部部分的凹槽。
7、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,当所述第一支撑托架和所述第二支撑托架彼此靠近时,所述第二支撑托架以嵌套关系与所述第一支撑托架啮合。
8、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述真空腔室是加载互锁真空腔室。
9、一种尺寸设计为容纳至少两块大面积基板的真空腔室,其特征在于,所述真空腔室包含:
具有内部空间的外壳;以及
设置在所述内部空间中并基本平行的第一支撑托架和第二支撑托架,其中所述第一和第二支撑托架的每一个都包含:
多个基本平行并隔开的支撑构件,其限定耦接到设置在第二水平平面中的底部部分的第一水平平面,所述第二水平平面不同于所述第一水平平面,其中所述第一支撑托架的尺寸大于所述第二支撑托架以减小所述外壳的内部空间,以及
耦接到所述支撑托架另一侧的升降机构。
10、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,所述支撑构件的每一个都包括终止在所述底部部分处的弯曲部分。
11、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,一个或多个所述支撑构件包括设置在该构件上表面上的支撑销。
12、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,所述外壳具有适于容纳所述第一和第二支撑托架至少其中之一的所述底部部分的凹槽。
13、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,所述升降机构包含单一致动器。
14、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,所述升降机构包含两个致动器。
15、一种基板传送系统,其特征在于,所述基板传送系统包含:
具有至少一个进入孔的腔室外壳,其中所述腔室外壳包括第一基板支撑托架和与所述第一基板支撑托架平行的第二基板支撑托架,其中所述第一和第二基板支撑托架沿着垂直轴单独移动;以及
基板输送装置,其移动进出所述腔室外壳以在所述基板输送装置和所述第一与第二基板支撑托架任一之间传送基板,其中所述第一基板支撑托架和第二基板支撑托架彼此相对移动到部分所述第二基板支撑托架嵌套在所述第一基板支撑托架中的位置,以减小所述外壳的内部空间。
16、根据权利要求15所述的系统,其特征在于,至少所述第一基板支撑托架包括多个横向隔开的支撑构件,该支撑构件配置以在其之间容纳部分所述基板输送装置。
17、根据权利要求16所述的系统,其特征在于,所述支撑构件的每一个都包括弯曲以与所述支撑构件正交的角度连接到底部框架的两个相对端部分。
18、根据权利要求16所述的系统,其特征在于,所述外壳具有适于容纳所述第一和第二支撑托架至少其中之一的所述底部框架的凹槽。
19、根据权利要求16所述的系统,其特征在于,所述支撑构件包括向上凸出的多个支撑销,其用于支撑所述基板,以使所述基板相对于所述支撑构件而呈一隔开关系。
20、根据权利要求15所述的系统,其特征在于,所述基板输送装置移动到所述外壳内部的传送位置,该位置与所述第一和第二基板支撑托架的任一个基本对齐。
21、根据权利要求20所述的系统,其特征在于,所述第一基板支撑托架配置成移动经过在所述传送位置保持固定的所述基板输送装置,以传送基板。
22、根据权利要求20所述的系统,其特征在于,所述支撑托架的每一个都耦接到该托架相对侧的致动器。
23、根据权利要求22所述的系统,其特征在于,所述第一支撑托架耦接两个致动器,以及所述第二支撑托架耦接两个致动器。
CNU2008201052338U 2007-04-12 2008-04-11 真空腔室和具有该真空腔室的基板传送系统 Expired - Fee Related CN201274284Y (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US91149607P 2007-04-12 2007-04-12
US60/911,496 2007-04-12
US11/871,510 2007-10-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201274284Y true CN201274284Y (zh) 2009-07-15

Family

ID=39852559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNU2008201052338U Expired - Fee Related CN201274284Y (zh) 2007-04-12 2008-04-11 真空腔室和具有该真空腔室的基板传送系统

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20080251019A1 (zh)
CN (1) CN201274284Y (zh)
TW (1) TWM349547U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105358959A (zh) * 2013-07-22 2016-02-24 应用材料公司 用于处理大面积基板的设备和方法
CN111312634A (zh) * 2018-12-12 2020-06-19 日月光半导体制造股份有限公司 载体传送舱

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010225687A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置
DE102010056123B3 (de) * 2010-12-21 2012-04-26 Ekra Automatisierungssysteme Gmbh Drucktischanordnung, Verfahren zum Betreiben einer Drucktischanordnung
US9679751B2 (en) 2012-03-15 2017-06-13 Lam Research Corporation Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching
JP6607873B2 (ja) 2014-07-02 2019-11-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 埋め込み式ファイバーオプティクス及びエポキシ光ディフューザーを使用した基板の温度制御のための装置、システム、並びに方法
US10973088B2 (en) 2016-04-18 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
JP7002326B2 (ja) * 2017-12-26 2022-01-20 川崎重工業株式会社 蓋閉じ装置及び蓋閉じ方法

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4090056A (en) * 1976-05-17 1978-05-16 Electron Beam Welding, Inc. Optical viewing system for an electron beam welder
US5187115A (en) * 1977-12-05 1993-02-16 Plasma Physics Corp. Method of forming semiconducting materials and barriers using a dual enclosure apparatus
DE2902852C2 (de) * 1979-01-25 1983-04-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Flache Elektronenstrahl-Bildwiedergaberöhre
CH626214GA3 (zh) * 1979-02-07 1981-11-13
US4512391A (en) * 1982-01-29 1985-04-23 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet
US4495966A (en) * 1982-05-24 1985-01-29 Electron Beam Corporation Separable high vacuum valve
US4801241A (en) * 1984-03-09 1989-01-31 Tegal Corporation Modular article processing machine and method of article handling therein
US4985681A (en) * 1985-01-18 1991-01-15 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam measuring method for non-contact testing of interconnect networks
US4725736A (en) * 1986-08-11 1988-02-16 Electron Beam Memories Electrostatic electron gun with integrated electron beam deflection and/or stigmating system
US4740705A (en) * 1986-08-11 1988-04-26 Electron Beam Memories Axially compact field emission cathode assembly
US4818933A (en) * 1986-10-08 1989-04-04 Hewlett-Packard Company Board fixturing system
US5292393A (en) * 1986-12-19 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Multichamber integrated process system
US5882165A (en) * 1986-12-19 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Multiple chamber integrated process system
US4819038A (en) * 1986-12-22 1989-04-04 Ibm Corporation TFT array for liquid crystal displays allowing in-process testing
US4795912A (en) * 1987-02-17 1989-01-03 Trw Inc. Method and apparatus for correcting chromatic aberration in charged particle beams
US4913929A (en) * 1987-04-21 1990-04-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Thermal/microwave remote plasma multiprocessing reactor and method of use
US4828224A (en) * 1987-10-15 1989-05-09 Epsilon Technology, Inc. Chemical vapor deposition system
JPS6411320A (en) * 1987-07-06 1989-01-13 Toshiba Corp Photo-cvd device
US4816098A (en) * 1987-07-16 1989-03-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for transferring workpieces
US4911103A (en) * 1987-07-17 1990-03-27 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
KR960006869B1 (ko) * 1987-09-02 1996-05-23 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 프로우브 장치에 의한 전기특성 검사방법
EP0306967B1 (en) * 1987-09-11 1997-04-16 Hitachi, Ltd. Apparatus for performing heat treatment on semiconductor wafers
FR2621930B1 (fr) * 1987-10-15 1990-02-02 Solems Sa Procede et appareil pour la production par plasma de couches minces a usage electronique et/ou optoelectronique
US5202716A (en) * 1988-02-12 1993-04-13 Tokyo Electron Limited Resist process system
ATE208961T1 (de) * 1988-05-24 2001-11-15 Unaxis Balzers Ag Vakuumanlage
US4923584A (en) * 1988-10-31 1990-05-08 Eaton Corporation Sealing apparatus for a vacuum processing system
US4983833A (en) * 1988-11-21 1991-01-08 Siemens Aktiengesellschaft Device for the detecting of charged secondary particles
US4985676A (en) * 1989-02-17 1991-01-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of performing probing test for electrically and sequentially testing semiconductor device patterns
US5186718A (en) * 1989-05-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Staged-vacuum wafer processing system and method
US5177437A (en) * 1990-08-08 1993-01-05 Photon Dynamics, Inc. High-density optically-addressable circuit board probe panel and method for use
US5285150A (en) * 1990-11-26 1994-02-08 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for testing LCD panel array
US5081687A (en) * 1990-11-30 1992-01-14 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for testing LCD panel array prior to shorting bar removal
JPH05136218A (ja) * 1991-02-19 1993-06-01 Tokyo Electron Yamanashi Kk 検査装置
US5199483A (en) * 1991-05-15 1993-04-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling wafers
US5504438A (en) * 1991-09-10 1996-04-02 Photon Dynamics, Inc. Testing method for imaging defects in a liquid crystal display substrate
US5313156A (en) * 1991-12-04 1994-05-17 Advantest Corporation Apparatus for automatic handling
JP2598353B2 (ja) * 1991-12-04 1997-04-09 アネルバ株式会社 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法
US5404894A (en) * 1992-05-20 1995-04-11 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Conveyor apparatus
JP2968653B2 (ja) * 1992-09-03 1999-10-25 日本電気株式会社 出力回路
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
DE69304038T2 (de) * 1993-01-28 1996-12-19 Applied Materials Inc Vorrichtung für ein Vakuumverfahren mit verbessertem Durchsatz
US5352294A (en) * 1993-01-28 1994-10-04 White John M Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support
US5607009A (en) * 1993-01-28 1997-03-04 Applied Materials, Inc. Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor
KR100267617B1 (ko) * 1993-04-23 2000-10-16 히가시 데쓰로 진공처리장치 및 진공처리방법
US5616208A (en) * 1993-09-17 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus
US5738767A (en) * 1994-01-11 1998-04-14 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system for flat panel displays
US5742173A (en) * 1995-03-18 1998-04-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for probe testing substrate
US5621333A (en) * 1995-05-19 1997-04-15 Microconnect, Inc. Contact device for making connection to an electronic circuit device
JP3288200B2 (ja) * 1995-06-09 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US5615988A (en) * 1995-07-07 1997-04-01 Pri Automation, Inc. Wafer transfer system having rotational capability
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
KR100238998B1 (ko) * 1995-07-26 2000-01-15 우치가사키 기이치로 가열로
TW331599B (en) * 1995-09-26 1998-05-11 Toshiba Co Ltd Array substrate for LCD and method of making same
JP2713276B2 (ja) * 1995-12-07 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
US6176667B1 (en) * 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
US5892224A (en) * 1996-05-13 1999-04-06 Nikon Corporation Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams
US6046599A (en) * 1996-05-20 2000-04-04 Microconnect, Inc. Method and device for making connection
US6224680B1 (en) * 1996-07-09 2001-05-01 Gamma Precision Technology, Inc. Wafer transfer system
US5891251A (en) * 1996-08-07 1999-04-06 Macleish; Joseph H. CVD reactor having heated process chamber within isolation chamber
US6243208B1 (en) * 1996-08-22 2001-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Optical element, optical system using optical element, and optical device with optical element
US6048154A (en) * 1996-10-02 2000-04-11 Applied Materials, Inc. High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock
US5855681A (en) * 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
US5902088A (en) * 1996-11-18 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Single loadlock chamber with wafer cooling function
KR100234539B1 (ko) * 1996-12-24 1999-12-15 윤종용 반도체장치 제조용 식각 장치
US6059507A (en) * 1997-04-21 2000-05-09 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with small batch load lock
JP3549141B2 (ja) * 1997-04-21 2004-08-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板保持装置
KR100271758B1 (ko) * 1997-06-25 2001-01-15 윤종용 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법
US6034000A (en) * 1997-07-28 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Multiple loadlock system
JPH1154496A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びガス処理装置
US6337722B1 (en) * 1997-08-07 2002-01-08 Lg.Philips Lcd Co., Ltd Liquid crystal display panel having electrostatic discharge prevention circuitry
JP4048387B2 (ja) * 1997-09-10 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 ロードロック機構及び処理装置
US6042623A (en) * 1998-01-12 2000-03-28 Tokyo Electron Limited Two-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
DE19802848B4 (de) * 1998-01-26 2012-02-02 Display Products Group,Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Testen eines Substrats
US6033281A (en) * 1998-04-15 2000-03-07 Toro-Lira; Guillermo L. System for testing field emission flat panel displays
KR100265287B1 (ko) * 1998-04-21 2000-10-02 윤종용 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템
US6206176B1 (en) * 1998-05-20 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle having a magnetic drive
US6213704B1 (en) * 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and processing
US6517303B1 (en) * 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
US6086362A (en) * 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
US6176668B1 (en) * 1998-05-20 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. In-situ substrate transfer shuttle
US6215897B1 (en) * 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing system
US6016611A (en) * 1998-07-13 2000-01-25 Applied Komatsu Technology, Inc. Gas flow control in a substrate processing system
US6198299B1 (en) * 1998-08-27 2001-03-06 The Micromanipulator Company, Inc. High Resolution analytical probe station
US6343369B1 (en) * 1998-09-15 2002-01-29 Microconnect, Inc. Methods for making contact device for making connection to an electronic circuit device and methods of using the same
JP3718355B2 (ja) * 1998-11-26 2005-11-24 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US6380729B1 (en) * 1999-02-16 2002-04-30 Alien Technology Corporation Testing integrated circuit dice
JP2000311930A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Agilent Technologies Japan Ltd 半導体検査装置と半導体検査装置におけるウエハ上の各ダイの属性を指定する方法
EP2038608A2 (en) * 1999-12-22 2009-03-25 Honeywell International Inc. Method and apparatus for limiting attitude drift during turns
KR100960773B1 (ko) * 2000-09-15 2010-06-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록
US6992290B2 (en) * 2001-01-10 2006-01-31 Ebara Corporation Electron beam inspection system and inspection method and method of manufacturing devices using the system
US6528767B2 (en) * 2001-05-22 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications
WO2002103337A2 (en) * 2001-06-15 2002-12-27 Ebara Corporation Electron beam apparatus and method for using said apparatus
US6873175B2 (en) * 2003-03-04 2005-03-29 Shimadzu Corporation Apparatus and method for testing pixels arranged in a matrix array
US7041998B2 (en) * 2003-03-24 2006-05-09 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for high-throughput inspection of large flat patterned media using dynamically programmable optical spatial filtering
US7077019B2 (en) * 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
JP4144035B2 (ja) * 2003-12-24 2008-09-03 株式会社島津製作所 Tftアレイ検査装置
US20060038554A1 (en) * 2004-02-12 2006-02-23 Applied Materials, Inc. Electron beam test system stage
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105358959A (zh) * 2013-07-22 2016-02-24 应用材料公司 用于处理大面积基板的设备和方法
CN111312634A (zh) * 2018-12-12 2020-06-19 日月光半导体制造股份有限公司 载体传送舱

Also Published As

Publication number Publication date
US20080251019A1 (en) 2008-10-16
TWM349547U (en) 2009-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201274284Y (zh) 真空腔室和具有该真空腔室的基板传送系统
CN101136349B (zh) 衬底传送装置、衬底处理装置和传送衬底的方法
KR100285408B1 (ko) 기판처리장치,기판반송기 및 기판반송장치
JP5503006B2 (ja) 基板処理システム、搬送モジュール、基板処理方法及び半導体素子の製造方法
KR100598196B1 (ko) 반도체 처리 시스템에 있어서의 지지 기구
KR100310249B1 (ko) 기판처리장치
JP5336885B2 (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法
KR102163605B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102491212B1 (ko) 진공 처리 장치 및 기판 반송 방법
CN1608318A (zh) 被处理体的搬送装置和具有搬送装置的处理系统
CN101542713A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读存储介质
JP2003017543A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
KR20140004132A (ko) 진공 처리 장치
JP4023543B2 (ja) 基板搬送装置および基板搬送方法ならびに真空処理装置
JP2003124284A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN101989562B (zh) 输送机构的组装方法及输送室
JP5926694B2 (ja) 基板中継装置,基板中継方法,基板処理装置
JP6016584B2 (ja) ロードロック装置
US6860711B2 (en) Semiconductor-manufacturing device having buffer mechanism and method for buffering semiconductor wafers
US10403529B2 (en) Carrier transport device and carrier transport method
KR20120022598A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2012169534A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101688842B1 (ko) 기판 처리 장치
KR200448307Y1 (ko) 복수의 기판을 수용하는 체적이 감소된 챔버의 내외로기판을 이송하는 시스템 및 방법
JP2011138844A (ja) 真空処理装置および半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: American California

Patentee after: Applied Materials Inc.

Address before: American California

Patentee before: Applied Materials Inc.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090715

Termination date: 20150411

EXPY Termination of patent right or utility model