[go: up one dir, main page]

CN104032276A - 软磁性靶材 - Google Patents

软磁性靶材 Download PDF

Info

Publication number
CN104032276A
CN104032276A CN201410287333.7A CN201410287333A CN104032276A CN 104032276 A CN104032276 A CN 104032276A CN 201410287333 A CN201410287333 A CN 201410287333A CN 104032276 A CN104032276 A CN 104032276A
Authority
CN
China
Prior art keywords
soft magnetic
target
target material
magnetic
magnetic target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410287333.7A
Other languages
English (en)
Inventor
柳谷彰彦
相川芳和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Special Steel Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Special Steel Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Special Steel Co Ltd filed Critical Sanyo Special Steel Co Ltd
Publication of CN104032276A publication Critical patent/CN104032276A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
    • G11B5/667—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers including a soft magnetic layer
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

本发明公开一种不使磁特性劣化，并使耐气候性提高的软磁性靶材。第一方式的软磁性靶材，由Fe:Co的原子比为100:0～20:80的Fe－Co系合金构成，所述合金还含有0.2～5原子％的Al或Cr的1种或2种。另外，本发明的第二方式的软磁性靶材，由Fe:Ni的原子比为100:0～20:80的Fe－Ni系合金构成，所述合金还含有0.2～5原子％的Al或Cr的1种或2种。在第一及第二方式的软磁性靶材中，上述合金能够含有30原子％以下的从B、Nb、Zr、Ta、Hf、Ti及V所构成的群中选择的1种或2种以上。

Description

软磁性靶材
本申请是申请号：200710091791.3，申请日：2007.04.11，发明名称：“软磁性靶材”的申请的分案申请。
这里参照2006年4月14日申请的日本专利申请第2006－112504号，此全部公开内容据此参照包括在本说明书的公开内容中。
技术领域
本发明涉及一种用于通过溅射法成形软磁性薄膜的Fe－Co系或Fe－Ni系靶材。
背景技术
近年来，磁记录技术的进步显著，为了驱动器的大容量化，磁记录介质的高记录密度化得到推进。然而，在现在世间广泛使用的面内磁记录方式的磁记录介质中，若想实现高记录密度化，则需记录比特(bit)微细化，要求由记录比特几乎无法记录的高矫顽磁力。因此，作为解决这些问题以使记录密度提高的方法，研究了垂直磁记录方式。
所谓垂直磁记录方式，就是相对于垂直磁记录介质的磁性膜中的介质面，使易磁化轴在垂直方向上取向的方式形成，以适于高记录密度的方法。于是，在垂直磁记录方式中，开发有具有提高了记录灵敏度的磁记录膜层和软磁性膜层的两层记录介质。该磁记录膜层一般采用CoCrPt－SiO2系合金。
另一方面，作为两层记录介质的软磁性膜，提出有使用Fe－Co－B系合金的软磁性膜，例如，如特开2004－346423号公报中所公开的，提出了Fe－Co－B系合金靶材，其在剖面微组织中没有硼化物相存在的区域中描绘的最大内接圆的直径为30μm以下。
在上述的软磁性膜的成膜中，一般使用磁控管溅射(magnetronsputtering)法。所谓此磁控管溅射法，就是在靶材的背后配置磁铁，在靶材的表面使磁通漏泄，通过使该漏泄磁通区域收集等离子体而形成高速成膜的溅射法。此磁控管溅射法以在靶材的的溅射表面漏泄磁通为特征，因此在靶材自身的导磁率高时，靶材的溅射表面就难以形成磁控管溅射法中必要的充分的漏泄磁通。因此，从必须极力降低靶材自身的导磁率这样的要求出发，提出了特开2004－346423号公报。
然而，上述中的靶材制品的厚度的界限在5mm左右，若厚度在此之上，则靶材表面未出现充分的泄漏磁通，因此有无法进行正常的磁控管溅射这样的问题。另外，作为磁控管溅射用所使用的靶材的膜时，由于要求有高磁通密度，所以优选以Fe为基础的材料，但是这时有耐腐蚀性方面的课题，另外，由于靶材的氧化，膜的品质会劣化，溅射时在氧化部发生异常放电而有溅射不良的情况。
发明内容
本发明者们此番得到的发现如下：通过在饱和磁通密度大的Fe－Co系合金或Fe－Ni系合金中添加0.2～5原子％的Al或Cr，从而得到不会使磁特性劣化，能够使耐气候性提高的软磁性靶材软磁性靶材。这里，所谓耐气候性指的是在使用组装室内的电子元件的机器的环境下的耐气候性能。
因此，本发明的目的在于，提供一种不会使磁特性劣化，并使耐气候性提高的软磁性靶材。
即，本发明的第一方式的软磁性靶材，由Fe:Co的原子比为100:0～20:80的Fe－Co系合金构成，所述合金还含有0.2～5原子％的Cr。
另外，本发明的第二方式的软磁性靶材，由Fe:Ni的原子比为100:0～20:80的Fe－Ni系合金构成，所述合金还含有0.2～5原子％的Cr。
具体实施方式
以下，就本发明中的成分组成的限定理由进行详细说明。
即，本发明的第一方式的软磁性靶材，由Fe:Co的原子比(at比)为100:0～20:80的Fe－Co系合金构成，本发明的第二方式的软磁性靶材，
由Fe:Ni的原子比(at比)为100:0～20:80的Fe－Ni系合金构成。此Fe－Co系或Fe－Ni系合金为饱和磁通密度大的合金系，被作为垂直磁记录膜使用。这里，之所以使Fe:Co或Fe:Ni的原子比处于上述范围内，是因为若Co或Ni相对于Fe来说超过80％，则磁特性劣化。还有，Fe和Co的含量以及Fe和Ni的含量，是从100原子％减去后述的Al、Cr和B等的含量的值。
本发明的第一及第二方式的软磁性靶材的合金，还含有0.2～5原子％(at％)Al或Cr的1种或2种，优选含有0.5～3原子％。Al或Cr的1种或2种低于0.2原子％时，耐气候性的改善效果不充分，另外若超过5原子％，则磁特性的劣化变大而不为优选。
根据本发明的优选方式，在本发明的第一及第二方式的软磁性靶材中，优选上述合金含有30原子％以下的从B、Nb、Zr、Ta、Hf、Ti及V所构成的群中选择的1种或2种以上，更优选为5～20原子％。B、Nb、Zr、Ta、Hf、Ti及V是用于促进薄膜的非晶态化的成分，这些添加元素的合计量若超过30原子％，则磁特性劣化，因此其上限为30原子％。
本发明的软磁性靶材的成形方法，任何一种能够成形为高密度的方法都可以，但是例示优选HIP、热压等。作为软磁性靶材的成形所使用的粉未的制作方法，气体雾化(gas-atomizing)、水雾化、铸造－粉碎粉的任一种都可以，没有特别限定。
如上述，在磁性磁的成膜中，一般采用磁控管溅射法，本发明的软磁性靶材能够使用此方法。所谓磁控管溅射法，就是在靶材的背后配置磁铁，在靶材的表面使磁通漏泄，通过使该漏泄磁通区域收集等离子体而实现高速成膜的溅射法。此磁控管溅射装置的特征是，为了消除了2极直流辉光放电(DC glow discharge)溅射装置的缺点，在靶的里侧放置磁铁，施加磁场而在靶附近遏制γ电子，因为γ电子处在缠绕于磁力线上的轨道，所以等离子体集中在靶附近，能够降低对基板的损害。另外，同时γ电子的运动距离变长，因此以低气压就能够进行高速的溅射。
实施例
以下通过实施例具体地说明本发明。
如表1所示，根据气体雾化法(gas-atomizing method)或铸造法制作Fe－Co系合金或Fe－Ni系合金。气体雾化法是在气体种类为氩气，喷嘴直径为6mm，气压为5MPa的条件下进行。另一方面，铸造法是通过由陶瓷坩埚(ф200×30L)熔解，其后进行粉碎而成为粉未来进行。将如此制作的粉未在500μm以下进行分级，由V型混合机搅拌各粉未1小时。
将如此制作而成的各粉未填充到直径200mm、高100mm的由SC材质构成的封装罐，在到达真空度10－1Pa以上进行脱气真空封装后，通过HIP(热等静压挤压)，在温度1173K、压力150MPa、保持时间5小时的条件下制作成形体。接着，通过机械加工赋予得到的成形体以最终形状，得到外径180mm、厚3～10mm的靶材。上述的靶材的特性在表1中显示。
表1
注)下划线为本发明条件外
为了评价制作的靶材的特性，按如下这样进行耐气候性试验(加速试验)和磁特性(饱和磁通密度)的测定。
(1)耐气候性试验(加速试验)
作为使用靶材的盐水喷雾试验，基于JIS Z2371，通过目视评价喷雾NaCl为5质量％的溶液24小时后的靶材外观有无生锈。该评价标准如下。
○：没有生锈
△：靶材的一部分生锈
×：靶材全部生锈
(2)磁特性(饱和磁通密度)的测定
环状试验片制作：外径15mm，内径10mm，高5mm
装置：BH描图器(tracer)
外加磁场：8kA/m
如表1所示，No.1～35是本发明例，No.36～47是比较例。比较例No.36及37因为Fe的含量低，而Co、Ni的含量高，所以作为磁特性的饱和磁通密度低。比较例No.38因为Ta含量高，所以饱和磁通密度低。比较例No.39及40因为Nb和Zr的合计含量高，所以饱和磁通密度低。比较例No.41因为Hf和Ta的合计含量高，所以饱和磁通密度低。比较例No.42因为Zr和Ti的合计含量高，所以饱和磁通密度低。比较例No.43因为B的含量高，所以饱和磁通密度低。
比较例No.44因为Cr的含量低，所以耐气候性差。比较例No.45因为Al的含量低，所以耐气候性差。比较例No.46因为Cr的含量高，所以饱和磁通密度低。比较例No.47因为Al的含量高，所以饱和磁通密度低。相对于此，可知本发明例No.1～35由于均满足本发明的条件，所以饱和磁通密度及耐气候性都优异。
如上述，通过在饱和磁通密度大的Fe－Co系或Fe－Ni系合金中添加Al或Cr的1种或2种0.2～5原子％，能够进行不使磁特性劣化并使耐气候性提高的软磁性靶材的制作，能够将在使用组装了室内的电子元件的机器的环境下的耐气候性充分地发挥出来。

Claims (5)

1.一种软磁性靶材，是由Fe-Co系合金构成的软磁性靶材，其用于形成软磁性非晶薄膜，在所述靶材中，含有30原子％以下的从B、Nb、Zr、Ta、Hf、Ti以及V所构成的群中选择的1种或2种以上，并含有0.2～5原子％的Al或Cr中的1种或2种。
2.根据权利要求1所述的软磁性靶材，其中，所述Fe-Co系合金中的Fe：Co的原子比为100：0～20：80的范围。
3.根据权利要求1所述的软磁性靶材，其中，所述Fe-Co系合金中的Fe：Co的原子比为90：10～20：80的范围。
4.一种权利要求1～3中任一项所述的靶材的使用，用于通过溅射法形成由Fe-Co系合金构成的软磁性非晶薄膜。
5.一种软磁性非晶薄膜的制造方法，其中，在通过溅射法形成由Fe-Co系合金构成的软磁性非晶薄膜时，作为靶材使用权利要求1～3中任一项所述的靶材。
CN201410287333.7A 2006-04-14 2007-04-11 软磁性靶材 Pending CN104032276A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-112504 2006-04-14
JP2006112504A JP4331182B2 (ja) 2006-04-14 2006-04-14 軟磁性ターゲット材

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100917913A Division CN101054658A (zh) 2006-04-14 2007-04-11 软磁性靶材

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104032276A true CN104032276A (zh) 2014-09-10

Family

ID=38647311

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100917913A Pending CN101054658A (zh) 2006-04-14 2007-04-11 软磁性靶材
CN201410287333.7A Pending CN104032276A (zh) 2006-04-14 2007-04-11 软磁性靶材

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100917913A Pending CN101054658A (zh) 2006-04-14 2007-04-11 软磁性靶材

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070251821A1 (zh)
JP (1) JP4331182B2 (zh)
CN (2) CN101054658A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107610870A (zh) * 2016-07-12 2018-01-19 Tdk株式会社 软磁性金属粉末及压粉磁芯
CN111712587A (zh) * 2018-02-19 2020-09-25 山阳特殊制钢株式会社 溅射靶材

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4637785B2 (ja) * 2006-04-26 2011-02-23 昭和電工株式会社 磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置
JP4907259B2 (ja) * 2006-08-16 2012-03-28 山陽特殊製鋼株式会社 Ｃｒを添加したＦｅＣｏＢ系ターゲット材
JP4953082B2 (ja) * 2006-10-10 2012-06-13 日立金属株式会社 Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法
JP2008121071A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Sanyo Special Steel Co Ltd 軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材
JP5111835B2 (ja) * 2006-11-17 2013-01-09 山陽特殊製鋼株式会社 （ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法
JP5031443B2 (ja) 2007-05-29 2012-09-19 山陽特殊製鋼株式会社 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金
JP5253781B2 (ja) * 2007-09-18 2013-07-31 山陽特殊製鋼株式会社 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材
JP2009191359A (ja) * 2008-01-15 2009-08-27 Hitachi Metals Ltd Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材
CN102766848B (zh) * 2008-04-30 2015-03-04 山阳特殊制钢株式会社 垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜
JP5397755B2 (ja) * 2008-06-17 2014-01-22 日立金属株式会社 軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材
JP5605787B2 (ja) * 2008-07-14 2014-10-15 山陽特殊製鋼株式会社 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金を成膜するためのスパッタリングターゲット材とその製造方法
JP4721126B2 (ja) * 2008-11-05 2011-07-13 日立金属株式会社 軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金、軟磁性膜および垂直磁気記録媒体
JP5066136B2 (ja) * 2009-06-05 2012-11-07 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司 磁場透過率の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材
JP5385018B2 (ja) * 2009-06-12 2014-01-08 山陽特殊製鋼株式会社 高スパッタ率を有する軟磁性膜作製用スパッタリングターゲット材用原料粉末およびスパッタリングターゲット材
JP5787273B2 (ja) * 2010-06-17 2015-09-30 日立金属株式会社 磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜、磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜形成用スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜の製造方法
JP5734599B2 (ja) * 2010-08-17 2015-06-17 山陽特殊製鋼株式会社 ＣｒＴｉ系合金スパッタリング用ターゲット材およびそれらを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法
JP6302153B2 (ja) * 2011-09-28 2018-03-28 山陽特殊製鋼株式会社 垂直磁気記録媒体内の軟磁性薄膜層及び垂直磁気記録媒体
CN102534350A (zh) * 2012-02-27 2012-07-04 湖南中精伦金属材料有限公司 一种新型铁基合金靶材的制造方法
CN104145043B (zh) * 2012-06-06 2015-11-25 日立金属株式会社 Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法
JP6210503B2 (ja) * 2012-08-13 2017-10-11 山陽特殊製鋼株式会社 磁気記録用軟磁性用合金およびスパッタリングターゲット材
JP6050050B2 (ja) * 2012-08-14 2016-12-21 山陽特殊製鋼株式会社 Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法
CN103882379A (zh) * 2012-12-24 2014-06-25 财团法人金属工业研究发展中心 用于导磁材料表面处理的磁性镀膜与处理方法
JP6062462B2 (ja) * 2015-02-09 2017-01-18 山陽特殊製鋼株式会社 磁気記録媒体に用いる低飽和磁束密度を有する軟磁性膜層用スパッタリングターゲット材
JP2017057490A (ja) * 2015-09-18 2017-03-23 山陽特殊製鋼株式会社 Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ系合金ターゲット材
JP6660130B2 (ja) 2015-09-18 2020-03-04 山陽特殊製鋼株式会社 ＣｏＦｅＢ系合金ターゲット材
TWI619817B (zh) * 2016-10-26 2018-04-01 光洋應用材料科技股份有限公司 鈷鐵鈮基靶材
JP6245391B1 (ja) * 2017-01-30 2017-12-13 Tdk株式会社 軟磁性合金および磁性部品
KR102903501B1 (ko) * 2017-02-16 2025-12-26 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치 및 그 제조 방법
CN107893199A (zh) * 2017-11-23 2018-04-10 海盐中达金属电子材料有限公司 一种Co27铁铬钴软磁合金钢带
JP7382142B2 (ja) * 2019-02-26 2023-11-16 山陽特殊製鋼株式会社 スパッタリングターゲット材に適した合金
US11804317B2 (en) * 2019-07-31 2023-10-31 Tdk Corporation Soft magnetic metal powder and electronic component
CN112371987A (zh) * 2020-11-13 2021-02-19 河南东微电子材料有限公司 一种铁钴硼铬铝合金粉末的制备方法
CN116288196B (zh) * 2022-12-14 2025-05-16 有研亿金新材料有限公司 一种CoFeB靶材及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4992095A (en) * 1988-10-26 1991-02-12 Sumitomo Metal Mining Company, Ltd. Alloy target used for manufacturing magneto-optical recording medium
KR960002611B1 (ko) * 1991-09-30 1996-02-23 가부시키가이샤 도시바 강 자성막
JPH08311642A (ja) * 1995-03-10 1996-11-26 Toshiba Corp マグネトロンスパッタリング法及びスパッタリングターゲット
US5780175A (en) * 1996-02-02 1998-07-14 Lucent Technologies Inc. Articles comprising magnetically soft thin films and methods for making such articles
KR100348920B1 (ko) * 1998-09-03 2002-08-14 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 자성막과 그 제조 방법
US20020058159A1 (en) * 2000-11-15 2002-05-16 Yukiko Kubota Soft magnetic underlayer (SUL) for perpendicular recording medium
JP2002309353A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Fujitsu Ltd 軟磁性膜及びこれを用いる記録用の磁気ヘッド
US7141208B2 (en) * 2003-04-30 2006-11-28 Hitachi Metals, Ltd. Fe-Co-B alloy target and its production method, and soft magnetic film produced by using such target, and magnetic recording medium and TMR device
JP2005025890A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド用磁性膜
US20060042938A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Heraeus, Inc. Sputter target material for improved magnetic layer
US7566508B2 (en) * 2005-03-02 2009-07-28 Seagate Technology Llc Perpendicular media with Cr-doped Fe-alloy-containing soft underlayer (SUL) for improved corrosion performance
US20070017803A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Heraeus, Inc. Enhanced sputter target manufacturing method
JP4907259B2 (ja) * 2006-08-16 2012-03-28 山陽特殊製鋼株式会社 Ｃｒを添加したＦｅＣｏＢ系ターゲット材
JP2008121071A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Sanyo Special Steel Co Ltd 軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材
JP5111835B2 (ja) * 2006-11-17 2013-01-09 山陽特殊製鋼株式会社 （ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107610870A (zh) * 2016-07-12 2018-01-19 Tdk株式会社 软磁性金属粉末及压粉磁芯
CN111712587A (zh) * 2018-02-19 2020-09-25 山阳特殊制钢株式会社 溅射靶材

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007284741A (ja) 2007-11-01
CN101054658A (zh) 2007-10-17
JP4331182B2 (ja) 2009-09-16
US20070251821A1 (en) 2007-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104032276A (zh) 软磁性靶材
US8057650B2 (en) Soft magnetic FeCo based target material
CN101161854B (zh) Co—Fe—Zr系合金溅射靶材及其制造方法
TWI512113B (zh) An alloy for a seed layer of a magnetic recording medium, and a sputtering target
TWI508114B (zh) A magneto-magnetic recording medium for magnetic recording, a sputtering target, and a magnetic recording medium
CN105473759A (zh) Fe－Co系合金溅射靶材和软磁性薄膜层、以及使用它的垂直磁记录介质
JP5037036B2 (ja) ＦｅＣｏ系ターゲット材
JP6254295B2 (ja) Ｎｉ系スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体
JP5111835B2 (ja) （ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法
JP5477724B2 (ja) 軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金、軟磁性膜および垂直磁気記録媒体
WO2014027636A1 (ja) Ｆｅ－Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材及びその製造方法並びに軟磁性薄膜層及びそれを使用した垂直磁気記録媒体
WO2016129492A1 (ja) スパッタ性に優れたＮｉ系ターゲット材
JP2533922B2 (ja) 焼結タ―ゲット部材およびその製造方法
JP4699194B2 (ja) ＦｅＣｏＢ系スパッタリングターゲット材の製造方法
JP4907259B2 (ja) Ｃｒを添加したＦｅＣｏＢ系ターゲット材
JP5348661B2 (ja) 軟磁性ターゲット材
JP5403418B2 (ja) Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法
CN103842549B (zh) 在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金，溅射靶材，以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
JP5037542B2 (ja) 軟磁性ターゲット材
JP5418897B2 (ja) Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2010150591A (ja) 軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金
TWI823989B (zh) 磁氣記錄媒體之軟磁性層用濺鍍靶材及磁氣記錄媒體
JP5248000B2 (ja) ＣｏＷ系ターゲット材およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140910