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WO2026009853A1 - 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、ポリイミド前駆体の合成方法 - Google Patents

樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、ポリイミド前駆体の合成方法

Info

Publication number
WO2026009853A1
WO2026009853A1 PCT/JP2025/023387 JP2025023387W WO2026009853A1 WO 2026009853 A1 WO2026009853 A1 WO 2026009853A1 JP 2025023387 W JP2025023387 W JP 2025023387W WO 2026009853 A1 WO2026009853 A1 WO 2026009853A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
formula
group
resin composition
repeating unit
cured product
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2025/023387
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
大輔 浅川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of WO2026009853A1 publication Critical patent/WO2026009853A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/08—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated side groups
    • C08F290/14—Polymers provided for in subclass C08G
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12—Unsaturated polyimide precursors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds

Definitions

  • the present invention relates to a resin composition, a cured product, a laminate, a method for producing a cured product, a method for producing a laminate, a method for producing a semiconductor device, a semiconductor device, and a method for synthesizing a polyimide precursor.
  • heterocycle-containing polymers such as polyimides have excellent heat resistance and insulating properties, and are therefore used in a variety of applications.
  • examples of such applications include, but are not limited to, insulating films, sealing materials, or protective films for semiconductor devices used for packaging. They are also used as base films or coverlays for flexible substrates.
  • polyimide is used in the form of a resin composition containing a polyimide precursor.
  • a resin composition is applied to a substrate by, for example, coating to form a photosensitive film, and then, if necessary, exposure, development, heating, etc. are carried out to form a cured product on the substrate.
  • the resin composition can be applied by a known coating method, etc., and therefore can be said to have excellent adaptability in manufacturing, for example, a high degree of freedom in designing the shape, size, application position, etc. of the applied resin composition when applied.
  • industrial application development of the above-mentioned resin composition is expected to become increasingly widespread.
  • Patent Document 1 describes a polyimide precursor solution for photosensitive resins containing a polyimide precursor obtained by reacting a diamine compound and a carboxylic dianhydride in a molar ratio of approximately 1:1, in which the imidization rate of the polyimide precursor is 30 to 40 mol %, and a negative-type photosensitive resin composition containing such a polyimide precursor solution.
  • the present invention aims to provide a resin composition that can give a cured product with large elongation at break, a cured product obtained by curing the resin composition, a laminate including the cured product, a method for producing the cured product, a method for producing the laminate, a method for producing a semiconductor device including the method for producing the cured product, and a semiconductor device including the cured product.
  • Another object of the present invention is to provide a novel method for synthesizing a polyimide precursor.
  • a resin composition comprising a polyimide precursor that includes a repeating unit represented by the following formula (A-1), and that has a weight-average molecular weight of 5,000 or more and a dispersity, expressed as weight-average molecular weight/number-average molecular weight, of 2.0 or less:
  • A-1 represents a tetravalent linking group
  • Y 1 represents a structure obtained by removing two hydrogen atoms from a structure represented by formula (Y-1) below
  • each A 1 is independently —O—, —S—, or —NR N —
  • R N represents a hydrogen atom or an organic group
  • each n represents an integer of 1 or more
  • each L 1 is independently an (n+1)-valent linking group
  • each R 1 independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted alkyl group.
  • R 1 and Y 1 each independently represent an alkyl group which may have a substituent or an alkoxy group which may have a substituent; m and n each independently represent an integer of 0 to 4.
  • a resin composition comprising a polyimide precursor that includes a repeating unit represented by the following formula (A-2), and that has a weight-average molecular weight of 5,000 or more and a dispersity, expressed as weight-average molecular weight/number-average molecular weight, of 2.0 or less:
  • X2 represents a tetravalent linking group
  • Y2 represents a divalent linking group
  • at least one of X2 and Y2 represents a structure represented by the following formula (XY-1) by removing four or two hydrogen atoms, respectively
  • A2's are each independently -O-, -S-, or -NR N -
  • R N represents a hydrogen atom or an organic group
  • n's are each independently an integer of 1 or more
  • ⁇ 3> The resin composition according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the polyimide precursor has a weight-average molecular weight of 20,000 to 50,000 and a dispersity of 2.0 or less.
  • ⁇ 4> The resin composition according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the polyimide precursor has a weight average molecular weight of 20,000 to 50,000 and a dispersity of 1.7 or less.
  • formulas (2a) to (2e) *1 to *4 respectively represent bonding sites with the carbonyl group in formula (A-1).
  • L 1 and L 2 are divalent linking groups.
  • n1 is an integer of 0 or more.
  • formulas (2a) to (2e) *1 to *4 respectively represent bonding sites with the carbonyl group in formula (A-2).
  • L 1 and L 2 are divalent linking groups.
  • n1 is an integer of 0 or more.
  • R 1 and X1 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent.
  • R 1 X2 and R 1 X3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and R 1 X2 and R 1 X3 may be bonded to form a ring structure.
  • ⁇ 14> The method for producing a cured product according to ⁇ 13>, comprising: an exposure step of selectively exposing the film to light; and a development step of developing the film with a developer to form a pattern.
  • ⁇ 17> A method for producing a semiconductor device, comprising the method for producing a cured product according to ⁇ 13>.
  • ⁇ 18> A semiconductor device comprising the cured product according to ⁇ 11>.
  • a method for synthesizing a polyimide precursor which contains at least one of a repeating unit represented by formula (A-1) and a repeating unit represented by formula (A-2), and has a polydispersity expressed as weight average molecular weight/number average molecular weight of 2.0 or less, comprising: amidating a carboxylic acid dianhydride or a compound derived therefrom with a diamine to obtain a polyamide; Adding a poor solvent for the polyamide to the solution of the polyamide to obtain a precipitate 1, and recovering the precipitate 1; and adding a solution obtained by redissolving the precipitate 1 to a poor solvent for the polyamide to obtain a precipitate 2, and recovering the precipitate 2 as the polyimide precursor.
  • X 1 represents a tetravalent linking group
  • Y 1 represents a structure obtained by removing two hydrogen atoms from a structure represented by formula (Y-1) below
  • each A 1 is independently —O—, —S—, or —NR N —
  • R N represents a hydrogen atom or an organic group
  • each n represents an integer of 1 or more
  • each L 1 is independently an (n+1)-valent linking group
  • each R 1 independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted alkyl group.
  • R 1 and Y 1 each independently represent an alkyl group which may have a substituent or an alkoxy group which may have a substituent; m and n each independently represent an integer of 0 to 4.
  • X2 represents a tetravalent linking group
  • Y2 represents a divalent linking group
  • at least one of X2 and Y2 represents a structure represented by the following formula (XY-1) by removing four or two hydrogen atoms, respectively
  • A2's are each independently -O-, -S-, or -NR N -
  • R N represents a hydrogen atom or an organic group
  • n's are each independently an integer of 1 or more
  • L2 's are each independently an (n+1)-valent linking group
  • R2 's are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted alkyl group.
  • a resin composition that can give a cured product with large elongation at break, a cured product obtained by curing the resin composition, a laminate including the cured product, a method for producing the cured product, a method for producing the laminate, a method for producing a semiconductor device that includes the method for producing the cured product, and a semiconductor device that includes the cured product.
  • the present invention also provides a novel method for synthesizing a polyimide precursor.
  • a numerical range expressed using the symbol "to” means a range that includes the numerical values before and after "to” as the lower and upper limits, respectively.
  • the term “step” includes not only an independent step but also a step that cannot be clearly distinguished from other steps, as long as the intended effect of the step can be achieved.
  • groups (atomic groups) when a notation does not specify whether they are substituted or unsubstituted, it encompasses both groups (atomic groups) that have no substituents and groups (atomic groups) that have substituents.
  • alkyl group encompasses not only alkyl groups that have no substituents (unsubstituted alkyl groups) but also alkyl groups that have substituents (substituted alkyl groups).
  • exposure includes not only exposure using light but also exposure using particle beams such as electron beams and ion beams. Examples of light used for exposure include the bright line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet light typified by excimer lasers, extreme ultraviolet light (EUV light), X-rays, electron beams, and other actinic rays or radiation.
  • (meth)acrylate means both or either of “acrylate” and “methacrylate”
  • (meth)acrylic means both or either of “acrylic” and “methacrylic”
  • (meth)acryloyl means both or either of “acryloyl” and “methacryloyl”.
  • Me represents a methyl group
  • Et represents an ethyl group
  • Bu represents a butyl group
  • Ph represents a phenyl group.
  • total solids content refers to the total mass of all components of the composition excluding the solvent
  • solids concentration refers to the mass percentage of the components excluding the solvent relative to the total mass of the composition.
  • the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) are values measured using gel permeation chromatography (GPC) and are defined as polystyrene equivalent values.
  • the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) can be determined, for example, by using an HLC-8420GPC (manufactured by Tosoh Corporation) and guard columns SuperAW-H, TSKgel SuperAWM-H, and TSKgel SuperAWM-H (all manufactured by Tosoh Corporation) connected in series in this order.
  • these molecular weights are measured using NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) as the eluent.
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • THF tetrahydrofuran
  • detection in GPC measurement is assumed to be performed using a UV (ultraviolet) detector at a wavelength of 254 nm.
  • a third layer or element may be interposed between the reference layer and the other layer, and the reference layer and the other layer do not need to be in contact.
  • the direction in which layers are stacked on the substrate is referred to as "up,” or, if a resin composition layer is present, the direction from the substrate to the resin composition layer is referred to as “up,” and the opposite direction is referred to as “down.”
  • the "up" direction in this specification may differ from the vertical upward direction.
  • a composition may contain, as each component contained in the composition, two or more compounds corresponding to that component.
  • the content of each component in the composition means the total content of all compounds corresponding to that component.
  • the temperature is 23° C.
  • the atmospheric pressure is 101,325 Pa (1 atmosphere)
  • the relative humidity is 50% RH.
  • combinations of preferred embodiments are more preferred embodiments.
  • the resin composition according to a first aspect of the present invention contains a polyimide precursor which contains a repeating unit represented by the following formula (A-1), has a weight average molecular weight of 5,000 or more, and has a dispersity expressed as weight average molecular weight/number average molecular weight of 2.0 or less.
  • a resin composition related to a second aspect of the present invention contains a polyimide precursor which contains a repeating unit represented by the following formula (A-2), has a weight average molecular weight of 5,000 or more, and has a dispersity expressed as weight average molecular weight/number average molecular weight of 2.0 or less.
  • first resin composition and the “second resin composition” will be collectively referred to simply as the "resin composition.”
  • a polyimide precursor containing a repeating unit represented by the following formula (A-1), having a weight-average molecular weight of 5,000 or more, and having a dispersity expressed as weight-average molecular weight/number-average molecular weight of 2.0 or less will also be referred to as a "first specific resin.”
  • a polyimide precursor containing a repeating unit represented by the following formula (A-2), having a weight-average molecular weight of 5,000 or more, and having a dispersity expressed as weight-average molecular weight/number-average molecular weight of 2.0 or less will also be referred to as a "second specific resin.”
  • a resin that corresponds to at least one of the first specific resin and the second specific resin will also be simply referred to as a "specific resin.”
  • X 1 represents a t
  • R 1 and Y 1 each independently represent an alkyl group which may have a substituent or an alkoxy group which may have a substituent; m and n each independently represent an integer of 0 to 4.
  • X2 represents a tetravalent linking group
  • Y2 represents a divalent linking group
  • at least one of X2 and Y2 represents a structure represented by the following formula (XY-1) by removing four or two hydrogen atoms, respectively
  • A2's are each independently -O-, -S-, or -NR N -
  • R N represents a hydrogen atom or an organic group
  • n's are each independently an integer of 1 or more
  • L2 's are each independently an (n+1)-valent linking group
  • R2 's are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted alkyl group.
  • the resin composition of the present invention is preferably used to form a photosensitive film that is subjected to exposure and development, and more preferably used to form a film that is subjected to exposure and development using a developer containing an organic solvent.
  • the resin composition of the present invention can be used to form, for example, an insulating film for a semiconductor device, an interlayer insulating film for a rewiring layer, a stress buffer film, etc., and is preferably used to form an interlayer insulating film for a rewiring layer.
  • the resin composition of the present invention is preferably used to form a photosensitive film to be subjected to negative development.
  • negative development refers to development in which the unexposed areas are removed by development
  • positive development refers to development in which the exposed areas are removed by development.
  • the exposure method, the developer, and the development method for example, the exposure method described in the exposure step and the developer and development method described in the development step in the description of the method for producing a cured product described below can be used.
  • the resin composition of the present invention gives a cured product with a large elongation at break.
  • the mechanism by which the above effects are obtained is unknown, but is speculated as follows.
  • a cured product having excellent elongation at break can be obtained by including a polyimide precursor that contains at least one of a repeating unit represented by formula (A-1) and a repeating unit represented by formula (A-2), and that has a weight-average molecular weight of 5,000 or more and a dispersity, expressed as weight-average molecular weight/number-average molecular weight, of 2.0 or less.
  • A-1 a repeating unit represented by formula (A-1)
  • A-2 repeating unit represented by formula (A-2)
  • a cured product obtained from a composition containing a polyimide precursor including at least one of a repeating unit represented by formula (A-1) and a repeating unit represented by formula (A-2) is moderately flexible and easily exhibits intermolecular interactions.
  • a polyimide precursor having such physical properties by reducing the dispersity, the polymer chain lengths become nearly uniform, and therefore the interactions between polymer chains become nearly uniform throughout the cured product, and the amount of resin with an extremely low molecular weight (low degree of polymerization) that could become the starting point for breakage is reduced.
  • the repeating unit represented by formula (A-1) and the repeating unit represented by formula (A-2) are both repeating units having a polymerizable group.
  • Patent Document 1 does not describe resin compositions containing specific resins.
  • the first resin composition of the present invention includes a polyimide precursor (first specific resin) that includes a repeating unit represented by formula (A-1), has a weight-average molecular weight of 5,000 or more, and has a dispersity, expressed as weight-average molecular weight/number-average molecular weight, of 2.0 or less.
  • the resin composition according to the second aspect of the present invention includes a polyimide precursor (second specific resin) that includes a repeating unit represented by formula (A-2), has a weight-average molecular weight of 5,000 or more, and has a dispersity expressed as weight-average molecular weight/number-average molecular weight of 2.0 or less.
  • the polyimide precursor refers to a resin that changes its chemical structure in response to an external stimulus to become a polyimide.
  • a resin that changes its chemical structure in response to heat to become a polyimide is preferred, and a resin that changes its chemical structure in response to heat to become a polyimide by forming a ring structure through a ring-closing reaction is more preferred.
  • polyimide refers to a resin having a repeating unit containing an imide group in the molecular chain, and is preferably a resin having a repeating unit containing an imide ring structure in the molecular chain.
  • the polyimide when the polyimide is a linear resin, the polyimide is preferably a resin having a repeating unit containing an imide group in the main chain, and more preferably a resin having a repeating unit containing an imide ring structure in the main chain.
  • the term "main chain” refers to the relatively longest bonding chain in a resin molecule, and the term “side chain” refers to any other bonding chain.
  • the imide ring structure refers to a ring structure containing two carbon atoms and all of the nitrogen atoms in the imide as ring members.
  • the imide ring structure is preferably a five-membered ring.
  • the polyimide may be a so-called polyamideimide, which has an amide group in the molecular chain in addition to an imide group.
  • # represents a bonding site to another structure, preferably a bonding site to a hydrogen atom or a carbon atom, and more preferably a bonding site to a hydrogen atom.
  • the weight average molecular weight of the specific resin is 5,000 or more, preferably 8,000 or more, more preferably 12,000 or more, even more preferably 16,000 or more, and particularly preferably 20,000 or more. There is no particular upper limit to the weight average molecular weight, but for example, it is preferably 100,000 or less, more preferably 90,000 or less, even more preferably 70,000 or less, and particularly preferably 50,000 or less.
  • the number average molecular weight of the specific resin is preferably 2,500 or more, more preferably 4,000 or more, and even more preferably 6,000 or more.
  • the number average molecular weight is preferably 50,000 or less, more preferably 45,000 or less, and even more preferably 35,000 or less.
  • the polydispersity of the specific resin expressed as weight average molecular weight/number average molecular weight, is 2.0 or less, preferably 1.9 or less, and more preferably 1.8 or less.
  • the dispersity is not particularly limited, but is preferably 1.5 or more.
  • the specific resin preferably has a weight average molecular weight of 20,000 to 50,000 and a dispersity of 2.0 or less, and more preferably has a weight average molecular weight of 20,000 to 50,000 and a dispersity of 1.7 or less.
  • the first specific resin contains a repeating unit represented by formula (A-1).
  • the second specific resin may contain a repeating unit represented by formula (A-1).
  • X 1 preferably has 4 or more carbon atoms, more preferably 4 to 50 carbon atoms, and even more preferably 6 to 40 carbon atoms.
  • X1 is preferably any of the structures represented by the following formulas (2a) to (2e), or a structure containing a structure in which two or more hydrogen atoms have been removed from a structure represented by the following formula (2f):
  • *1 to *4 respectively represent bonding sites with the carbonyl group in formula (A-1).
  • L 1 and L 2 are divalent linking groups.
  • n1 is an integer of 0 or more.
  • L 1 and L 2 each independently represent —CH 2 — or —O—.
  • the hydrogen atoms in formulas (2a) to (2e) may be substituted with a substituent.
  • substituents include an alkyl group or a halogenated alkyl group.
  • An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferred, with a methyl group or a trifluoromethyl group being more preferred.
  • a halogenated alkyl group refers to an alkyl group in which at least one hydrogen atom has been substituted with a halogen atom.
  • the halogen atom is preferably F or Cl, with F being more preferred.
  • n1 is preferably an integer of 0 to 5, more preferably 0 to 2, and even more preferably 0 or 1.
  • X1 is a group containing a structure obtained by removing two or more hydrogen atoms from a structure represented by formula (2f)
  • X1 is preferably a group represented by the following formula (2f-1).
  • * represents the bonding site to which X1 in formula (A-1) bonds with the four carbonyl groups.
  • a bond crossing a side of a ring structure means that one of the hydrogen atoms in the ring structure is substituted.
  • the definition and preferred embodiments of n1 are as described above.
  • the hydrogen atoms in the following structure may be further substituted with a known substituent such as a hydrocarbon group.
  • X1 is also preferably a structure containing a structure in which two or more hydrogen atoms have been removed from a structure represented by any one of formulas (V-1) to (V-3).
  • R 1 and X1 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or a halogenated alkyl group.
  • R 1 X2 and R 1 X3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and R 1 X2 and R 1 X3 may be bonded to form a ring structure.
  • R and X1 are each independently preferably an alkyl group or a halogenated alkyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • a halogenated alkyl group refers to an alkyl group in which at least one hydrogen atom has been substituted with a halogen atom.
  • the halogen atom is preferably F or Cl, and more preferably F.
  • R 1 X2 and R 1 X3 each independently represent a hydrogen atom.
  • R X2 and R X3 are bonded to form a ring structure
  • the structure formed by bonding R X2 and R X3 is preferably a single bond, —O— or —C(R) 2 —, more preferably —O— or —C(R) 2 —, and even more preferably —O—.
  • R represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and more preferably a hydrogen atom.
  • X1 is a group containing a structure obtained by removing two or more hydrogen atoms from a structure represented by formula (V-1)
  • X1 is preferably a group represented by the following formula (V-1-1).
  • * represents the bonding site to which X1 in formula (A-1) bonds with the four carbonyl groups.
  • the hydrogen atoms in the following structure may be further substituted with known substituents such as hydrocarbon groups.
  • X1 is a group containing a structure obtained by removing two or more hydrogen atoms from a structure represented by formula (V-2)
  • X1 is preferably a group represented by the following formula (V-2-1).
  • * represents the bonding site to the four carbonyl groups to which X1 in formula (A-1) is bonded.
  • R X1 is as described above.
  • the hydrogen atoms in these structures may be further substituted with known substituents such as hydrocarbon groups.
  • X 1 is a group containing a structure obtained by removing two or more hydrogen atoms from a structure represented by formula (V-3)
  • X 1 is preferably a group represented by formula (V-3-1) or formula (V-3-2) below, and from the viewpoint of reducing the dielectric constant of the cured product, a group represented by formula (V-3-2) is preferred.
  • * represents the bonding site to the four carbonyl groups to which X 1 in formula (A-1) is bonded.
  • R X2 and R X3 are as described above.
  • the hydrogen atoms in these structures may be further substituted with known substituents such as hydrocarbon groups.
  • X 1 may be a tetracarboxylic acid residue remaining after removal of the anhydride groups from the tetracarboxylic acid dianhydride described in paragraphs 0055 to 0057 of JP-A No. 2023-003421.
  • X1 does not contain an imide bond in the structure. Furthermore, it is preferable that X1 does not contain a urethane bond, a urea bond, or an amide bond in the structure.
  • R N is preferably a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and even more preferably a hydrogen atom.
  • X 1 does not contain an imide bond, a urethane bond, a urea bond, or an amide bond, and it is more preferable that X 1 does not contain an imide bond, a urethane bond, a urea bond, an amide bond, or an ester bond.
  • Y1 is a structure containing a structure obtained by removing two hydrogen atoms from the structure represented by formula (Y-1).
  • R 1 and Y1 each independently represent preferably an alkyl group which may have a substituent, more preferably an alkyl group or a halogen atom, and more preferably a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group for R Y1 (not including the number of carbon atoms in the substituent) is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 4, still more preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.
  • the alkyl group may be straight-chain, branched-chain, or cyclic.
  • the substituent of the alkyl group may be a halogen atom, and a fluorine atom is preferred.
  • the number of carbon atoms of the alkoxy group in R Y1 (not including the number of carbon atoms of the substituent) is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 4, still more preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.
  • the substituent of the alkoxy group may be a halogen atom, preferably a fluorine atom.
  • m and n are each preferably independently an integer of 0 to 2, and more preferably 0 or 1. It is also preferable that both m and n are 0 or both are 1.
  • the structure represented by formula (Y-1) is preferably a structure represented by the following formula (Y-2), and more preferably a structure represented by formula (Y-3).
  • R and Y1 each independently represent an alkyl group which may have a substituent or an alkoxy group which may have a substituent
  • m and n each independently represent an integer of 0 to 4, and * each independently represent a bonding site to the nitrogen atom which bonds to Y1 in formula (A-1).
  • R and Y1 each independently represent an alkyl group which may have a substituent or an alkoxy group which may have a substituent
  • R Y-2 the preferred embodiments of R Y1 , m and n are the same as the preferred embodiments of R Y1 , m and n in formula (Y-1).
  • R 3 the preferred embodiments of R 1 Y1 are the same as the preferred embodiments of R 1 Y1 in formula (Y-1).
  • each A 1 independently is preferably —O— or —S—, and more preferably —O—.
  • R 1 Z represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and preferably a hydrogen atom.
  • n is preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and even more preferably 1.
  • L 1 is preferably a hydrocarbon group or a group in which a hydrocarbon group is bonded to at least one group selected from the group consisting of —O—, —C( ⁇ O)—, —S—, —S( ⁇ O) 2 —, and —NR N —, and more preferably a hydrocarbon group.
  • the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a group represented by a bond between these groups, but is preferably an aliphatic hydrocarbon group, and more preferably a saturated aliphatic hydrocarbon group.
  • the aliphatic hydrocarbon group is preferably an aliphatic hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, more preferably an aliphatic hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, and even more preferably an aliphatic hydrocarbon group having 2 to 6 carbon atoms.
  • the aromatic hydrocarbon group is preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, and even more preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 carbon atoms.
  • the hydrogen atoms in the hydrocarbon groups may be substituted with halogen atoms, hydroxy groups, or the like. Specific examples of L1 are shown below, but the present invention is not limited to these. In the following structures, * represents the bonding site with A1 in formula (A-1).
  • R 1s each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted alkyl group, and are preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a methyl group.
  • the first specific resin may contain a repeating unit represented by formula (A-2).
  • the second specific resin contains a repeating unit represented by formula (A-2).
  • X2 preferably has 4 or more carbon atoms, more preferably 4 to 50 carbon atoms, and even more preferably 6 to 40 carbon atoms.
  • X2 preferably has a structure in which four hydrogen atoms have been removed from the structure represented by formula (XY-1).
  • X2 is a structure obtained by removing four hydrogen atoms from a structure represented by formula (XY-1)
  • X2 is preferably a group represented by the following formula (XY-1-1), and more preferably a group represented by formula (XY-1-2).
  • * represents the bonding site to the four carbonyl groups to which X2 in formula (A-2) is bonded.
  • the hydrogen atoms in the following structure may be further substituted with known substituents such as hydrocarbon groups.
  • Y2 preferably has 4 or more carbon atoms, more preferably 4 to 50 carbon atoms, and even more preferably 6 to 40 carbon atoms.
  • Y2 is preferably a structure in which two hydrogen atoms have been removed from the structure represented by formula (XY-1).
  • Y2 is a structure obtained by removing four hydrogen atoms from a structure represented by formula (XY-1), Y2 is preferably a group represented by the following formula (XY-2-1), and more preferably a group represented by formula (XY-2-2).
  • * represents the bonding site with the nitrogen atom to which Y2 is bonded in formula (A-2).
  • the hydrogen atoms in the following structure may be further substituted with known substituents such as hydrocarbon groups.
  • Y2 When Y2 is not a structure obtained by removing two hydrogen atoms from the structure represented by formula (XY-1) (i.e., when X2 is a structure obtained by removing four hydrogen atoms from the structure represented by formula (XY-1)), Y2 may be a structure derived from an aromatic diamine, a structure derived from an aliphatic diamine, or a structure derived from another diamine.
  • the aromatic diamine refers to a compound in which the two amino groups of the diamine are both bonded to an aromatic ring by a single bond without a linking group.
  • the aromatic ring may be either an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring, but is preferably an aromatic hydrocarbon ring.
  • the number of carbon atoms in the aromatic hydrocarbon ring is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 10, and even more preferably 6.
  • Y2 is a structure derived from an aromatic diamine, it is preferable that Y2 is a structure represented by any of the formulae (C-1) to (C-3) described below, and that each of the *'s is a bonding site to the two nitrogen atoms to which Y2 is bonded in formula (A-2).
  • the aliphatic diamine refers to a compound in which two amino groups of the diamine are both bonded to an aliphatic group by a single bond without a linking group, and is preferably a compound in which both amino groups are bonded to an aliphatic ring by a single bond without a linking group.
  • the aliphatic ring is preferably an aliphatic ring having 4 to 20 ring members, more preferably an aliphatic ring having 4 to 10 ring members.
  • the aliphatic ring may be an aliphatic hydrocarbon ring or an aliphatic heterocyclic ring, but is preferably an aliphatic hydrocarbon ring.
  • the aliphatic ring is preferably a cyclohexane ring which may be substituted with a hydrogen atom
  • the cyclohexane ring is preferably a trans-cyclohexane ring.
  • Y2 is a structure derived from an aliphatic diamine
  • Y2 is preferably a structure containing the structures represented by formulae (C-1) to (C-3).
  • each R 1 independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituent, n1 represents an integer of 0 to 3, n2 represents an integer of 0 to 3, and * represents a bonding site to another structure.
  • each R 1 independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituent, n1 represents an integer of 0 to 3, n2 represents an integer of 0 to 3, each R 2 independently represents an alkyl group or a fluoroalkyl group, and * represents a bonding site to another structure.
  • each R 1 independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent, n1 represents an integer of 0 to 3, and * represents a bonding site to another structure.
  • each R 1 is preferably an alkyl group or a halogenated alkyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • the halogen atom in the halogenated alkyl group is preferably F or Cl, and more preferably F.
  • n1 is preferably 0 or 1, and more preferably 1.
  • n2 is preferably 0 or 1, and more preferably 1.
  • each R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • R 1 and n1 are the same as the preferred embodiments of R 1 and n1 in formula (C-1).
  • each * is preferably a bonding site to the two nitrogen atoms to which Y2 in formula (A-2) is bonded.
  • Y2 is a group containing a structure obtained by removing two or more hydrogen atoms from a structure represented by formula (C-1)
  • Y2 is preferably a group represented by formula (C-1-2) or formula (C-1-3) below.
  • * represents the bonding site between Y2 and the two nitrogen atoms in formula (A-2)
  • n1 represents an integer of 0 to 5.
  • An embodiment in which n1 is 0 is also one of the preferred embodiments of the present invention.
  • the hydrogen atoms in the following structures may be further substituted with known substituents such as hydrocarbon groups. Examples of known substituents include alkyl groups, halogenated alkyl groups, and halogen atoms.
  • Y2 is a group containing a structure obtained by removing two or more hydrogen atoms from a structure represented by formula (C-2)
  • Y2 is preferably a group represented by formula (C-2-3) or formula (C-2-4) below, and from the viewpoint of reducing the dielectric constant of the cured product, a group represented by formula (C-2-4) is preferable.
  • L X1 represents a single bond or -O-
  • * represents the bonding site between Y2 and the two nitrogen atoms in formula (A-2).
  • R2 are as described above.
  • the hydrogen atoms in these structures may be further substituted with known substituents such as hydrocarbon groups.
  • Y2 is also preferably a structure containing a structure represented by formula (C-4) to formula (C-7).
  • * represents a bonding site to other structures.
  • the hydrogen atoms in formula (C-4) may be further substituted with known substituents such as hydrocarbon groups.
  • Each R and X5 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent, and is preferably an alkyl group or a halogenated alkyl group, more preferably -CH3 or -CF3 .
  • the hydrogen atom in formula (C-6) may be further substituted with a known substituent such as a hydrocarbon group.
  • each * is preferably a bonding site to the two nitrogen atoms to which Y2 in formula (A-2) is bonded.
  • Y2 preferably has any of the following structures:
  • * represents the bonding site of the two nitrogen atoms to which Y2 is bonded in formula (A-2).
  • Y2 may have a structure described in paragraphs 0042 to 0053 of JP-A No. 2023-003421. It is also preferable that Y2 does not contain an imide structure in its structure. It is also preferable that Y2 does not contain a urethane bond, a urea bond, or an amide bond in the structure. Among these, Y2 preferably does not contain an imide bond, a urethane bond, a urea bond, or an amide bond, and more preferably does not contain an imide bond, a urethane bond, a urea bond, an amide bond, or an ester bond.
  • A-2 preferred embodiments of A 2 , n, L 2 and R 2 are the same as preferred embodiments of A 1 , n, L 1 and R 1 in formula (A-1).
  • the description of "formula (A-1)" in the explanation of these preferred embodiments should be read as “formula (A-2)”.
  • the specific resin may further contain a repeating unit represented by formula (A-3).
  • the repeating unit represented by formula (A-3) is a repeating unit that does not fall into either the repeating unit represented by formula (A-1) or the repeating unit represented by formula (A-2).
  • X3 represents a tetravalent linking group
  • Y3 represents a divalent linking group
  • A3 is each independently -O- or -NR N -
  • R N represents a hydrogen atom or an organic group
  • R3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.
  • X3 is not a structure obtained by removing four hydrogen atoms from the structure represented by formula (XY-1) above
  • Y3 is not a structure obtained by removing two hydrogen atoms from the structure represented by formula (Y-1) above, nor a structure obtained by removing two hydrogen atoms from the structure represented by formula (XY-1) above.
  • Y3 In formula (A-3), preferred embodiments of Y3 are the same as the preferred embodiments when Y2 in formula (A-2) above is not a structure obtained by removing two hydrogen atoms from the structure represented by formula (XY-1).
  • the term "formula (A-2)" in the description of these preferred embodiments should be read as "formula (A-3).”
  • R 3 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.
  • the monovalent organic group preferably contains a linear or branched alkyl group, a cyclic alkyl group, an aromatic group, or a polyalkyleneoxy group.
  • at least one of R 3 contains a polymerizable group, and it is more preferable that both contain polymerizable groups.
  • at least one of R 3 contains two or more polymerizable groups.
  • the polymerizable group is a group capable of undergoing a crosslinking reaction by the action of heat, radicals, or the like, and a radically polymerizable group is preferred.
  • the polymerizable group examples include a group having an ethylenically unsaturated bond, an alkoxymethyl group, a hydroxymethyl group, an acyloxymethyl group, an epoxy group, an oxetanyl group, a benzoxazolyl group, a blocked isocyanate group, and an amino group.
  • the radically polymerizable group contained in the polyimide precursor is preferably a group having an ethylenically unsaturated bond.
  • Examples of the group having an ethylenically unsaturated bond include a vinyl group, an allyl group, an isoallyl group, a 2-methylallyl group, a group having an aromatic ring directly bonded to a vinyl group (for example, a vinylphenyl group), a (meth)acrylamide group, a (meth)acryloyloxy group, and a group represented by the following formula (III), and the group represented by the following formula (III) is preferred.
  • R 200 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a methylol group, and is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
  • * represents a bonding site to another structure.
  • R 201 represents an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, —CH 2 CH(OH)CH 2 —, a cycloalkylene group, or a polyalkyleneoxy group.
  • R 201 examples include alkylene groups such as ethylene, propylene, trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, hexamethylene, octamethylene, and dodecamethylene, 1,2-butanediyl, 1,3-butanediyl, —CH 2 CH(OH)CH 2 —, and polyalkyleneoxy groups, of which alkylene groups such as ethylene and propylene, —CH 2 CH(OH)CH 2 —, cyclohexyl, and polyalkyleneoxy groups are more preferred, and alkylene groups such as ethylene and propylene, or polyalkyleneoxy groups are even more preferred.
  • alkylene groups such as ethylene, propylene, trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, hexamethylene, octamethylene, and dodecamethylene, 1,2-butanediyl, 1,3-butanediyl, —CH 2 CH(OH)CH 2 —, and polyalky
  • the polyalkyleneoxy group refers to a group in which two or more alkyleneoxy groups are directly bonded.
  • the alkylene groups in the multiple alkyleneoxy groups contained in the polyalkyleneoxy group may be the same or different.
  • the arrangement of the alkyleneoxy groups in the polyalkyleneoxy group may be a random arrangement, an arrangement having blocks, or an arrangement having a pattern such as alternating.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group (including the number of carbon atoms in the substituent when the alkylene group has a substituent) is preferably 2 or more, more preferably 2 to 10, even more preferably 2 to 6, still more preferably 2 to 5, still more preferably 2 to 4, still more preferably 2 or 3, and particularly preferably 2.
  • the alkylene group may have a substituent, and preferred examples of the substituent include an alkyl group, an aryl group, and a halogen atom.
  • the number of alkyleneoxy groups contained in the polyalkyleneoxy group (the number of repeating polyalkyleneoxy groups) is preferably 2 to 20, more preferably 2 to 10, and even more preferably 2 to 6.
  • a polyethyleneoxy group, a polypropyleneoxy group, a polytrimethyleneoxy group, a polytetramethyleneoxy group, or a group in which a plurality of ethyleneoxy groups and a plurality of propyleneoxy groups are bonded is preferred, a polyethyleneoxy group or a polypropyleneoxy group is more preferred, and a polyethyleneoxy group is even more preferred.
  • the ethyleneoxy groups and the propyleneoxy groups may be arranged randomly, may be arranged in blocks, or may be arranged in a pattern such as alternating. The preferred embodiments of the number of repetitions of the ethyleneoxy groups etc. in these groups are as described above.
  • the polyimide precursor when R3 is a hydrogen atom, may form a counter salt with a tertiary amine compound having an ethylenically unsaturated bond, such as N,N-dimethylaminopropyl methacrylate.
  • the first specific resin preferably contains the following repeating unit 1-1.
  • the second specific resin may contain the following repeating unit 1-1.
  • Repeating unit 1-1 A repeating unit represented by formula (A-1), in which X 1 is any of the structures represented by the following formulas (2a) to (2e), or a repeating unit containing a structure in which two or more hydrogen atoms have been removed from the structure represented by the following formula (2f):
  • the first specific resin preferably contains the following repeating unit 1-2:
  • the first specific resin also preferably contains the above repeating unit 1-1 and the following repeating unit 1-2:
  • the second specific resin may contain the following repeating unit 1-2.
  • the first specific resin may contain the following repeating unit 2-1.
  • the second specific resin preferably contains the following repeating unit 2-1.
  • Repeating unit 2-1 A repeating unit represented by formula (A-2), in which X2 is any of the structures represented by the following formulas (2a) to (2e), or a repeating unit containing a structure in which two or more hydrogen atoms have been removed from the structure represented by the following formula (2f):
  • the first specific resin may contain the following repeating unit 2-2: It is also preferable that the second specific resin contains the above repeating unit 2-1 and the following repeating unit 2-2.
  • the second specific resin preferably contains the following repeating unit 2-2.
  • Repeating unit 2-2 A repeating unit represented by formula (A-2), in which X2 is a repeating unit containing a structure in which two or more hydrogen atoms have been removed from a structure represented by any one of the following formulae (V-1) to (V-3):
  • the content of the repeating unit represented by formula (A-1) is preferably 10 to 100 mol %, more preferably 20 to 100 mol %, and even more preferably 30 to 100 mol %, based on the molar amount of all repeating units in the specific resin.
  • the imidization rate described below is not 0%
  • the content of the structure in which at least one of the two amic acid structures contained in the repeating unit represented by formula (A-1) is imidized is included in the content of the repeating unit represented by formula (A-1) above. This also applies to the contents of the following repeating units.
  • the content of repeating unit 1-1 is preferably 10 to 90 mol %, more preferably 20 to 80 mol %, and even more preferably 30 to 70 mol %, relative to the molar amount of all repeating units in the specific resin.
  • the content of repeating unit 1-2 is preferably 10 to 90 mol %, more preferably 20 to 80 mol %, and even more preferably 30 to 70 mol %, relative to the molar amount of all repeating units in the specific resin.
  • the content of the repeating unit represented by formula (A-2) is preferably 10 to 100 mol %, more preferably 20 to 100 mol %, and even more preferably 30 to 100 mol %, based on the molar amount of all repeating units in the specific resin.
  • the content of repeating unit 2-1 is preferably 10 to 90 mol %, more preferably 20 to 80 mol %, and even more preferably 30 to 70 mol %, relative to the molar amount of all repeating units in the specific resin.
  • the content of repeating unit 2-2 is preferably 10 to 90 mol %, more preferably 20 to 80 mol %, and even more preferably 30 to 70 mol %, relative to the molar amount of all repeating units in the specific resin.
  • the total molar amount of the repeating units represented by formula (A-1), the repeating units represented by formula (A-2), and the repeating units represented by formula (A-3) in the specific resin is preferably 70 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, even more preferably 90 mol% or more, even more preferably 95 mol% or more, and particularly preferably 99 mol% or more, relative to the molar amount of all repeating units in the specific resin.
  • the first specific resin contains a block formed of a repeating unit represented by formula (A-1).
  • the first specific resin contains a block formed of a repeating unit represented by formula (A-1) and a block formed of a repeating unit represented by formula (A-3).
  • the first specific resin preferably contains a block formed from a repeating unit represented by formula (A-1) and a block formed from a repeating unit represented by formula (A-2).
  • the first specific resin may further contain a block formed from a repeating unit represented by formula (A-3).
  • a block refers to a molecular chain formed by a sequence of repeating units made of the same monomer.
  • a block is preferably a molecular chain formed by four or more consecutive repeating units made of the same monomer, more preferably a molecular chain formed by six or more consecutive repeating units, and even more preferably a molecular chain formed by eight or more consecutive repeating units.
  • the number of consecutive repeating units can be, for example, 30 or less.
  • the "block formed by the repeating unit represented by formula (A-1)" may contain a structure in which at least one of the two amic acid structures contained in the repeating unit represented by formula (A-1) is imidized.
  • the at least one imidized structure is a repeating unit formed from the same monomer as the repeating unit represented by formula (A-1).
  • the first specific resin contains a total of three or more types of blocks formed from repeating units represented by formula (A-1) and blocks formed from repeating units represented by formula (A-3).
  • the second specific resin contains a block formed of a repeating unit represented by formula (A-2).
  • the first specific resin contains a block formed from a repeating unit represented by formula (A-2) and a block formed from a repeating unit represented by formula (A-3).
  • the second specific resin contains a total of three or more types of blocks formed from repeating units represented by formula (A-2) and blocks formed from repeating units represented by formula (A-3).
  • the imidization rate of the specific resin is preferably less than 70%, more preferably 60% or less, even more preferably 50% or less, still more preferably 40% or less, and particularly preferably 30% or less.
  • the lower limit of the imidization rate is not particularly limited, and it is sufficient if it is 0% or more.
  • the imidization rate is a value calculated by the following method.
  • the resin is dissolved in ⁇ -butyrolactone, diluted to a viscosity of 2,000 mPa ⁇ s, and applied to a silicon wafer by spin coating to form a resin layer. If a resin layer cannot be formed due to reasons such as low solubility of the resin in ⁇ -butyrolactone, the solvent may be changed to another solvent. Examples of other solvents include solvents contained in the resin composition, such as NMP. The viscosity may also be adjusted as needed.
  • the silicon wafer to which the resulting resin layer is applied is dried on a hot plate at 110°C for 5 minutes to obtain a resin layer with a uniform thickness of approximately 15 ⁇ m after film formation on the silicon wafer.
  • the film thickness may be adjusted as needed. For example, if the film thickness is 5 ⁇ m or greater, the imidization rate will be approximately the same.
  • the resin layer is measured by the ATR method using a NicoletiS20 (manufactured by Thermofisher) in the measurement range of 4000 to 700 cm ⁇ 1 , with 50 measurements.
  • the imidization index A of the resin is calculated by dividing the peak height near 1380 cm ⁇ 1 (1350 to 1450 cm ⁇ 1 , the peak with the greatest intensity if there are multiple peaks) by the peak height near 1500 cm ⁇ 1 (1460 to 1550 cm ⁇ 1 , the peak with the greatest intensity if there are multiple peaks).
  • the imidization index B is calculated in the same manner for a film heated at a heating rate of 10°C/min in a nitrogen atmosphere and heated at 350°C for 1 hour, and the imidization index A is divided by the imidization index B to calculate the imidization rate of the resin.
  • a resin for which the imidization rate is to be measured can be obtained from the composition, for example, by the following method: A solution of 1 g of the composition and 2 g of tetrahydrofuran is added to 50 g of methanol or water to cause crystallization, and the resin is precipitated and filtered. The residue is recovered, dissolved in 3.0 g of THF (tetrahydrofuran), and added to 50 g of methanol or water to cause crystallization. The crystallized resin is filtered and dried at 40°C for 20 hours to obtain a resin.
  • THF tetrahydrofuran
  • the specific resin is preferably produced, for example, by the following method for synthesizing a polyimide precursor.
  • the method for producing the specific resin is not limited thereto, and a resin synthesized by another known method may also be used as the specific resin.
  • a method for synthesizing a polyimide precursor comprising: amidating a carboxylic acid dianhydride or a compound derived therefrom with a diamine to obtain a polyamide; adding a poor solvent for the polyamide to a solution of the polyamide to obtain a precipitate 1, and adding a solution in which the precipitate 1 has been redissolved to a poor solvent for the polyamide to obtain a precipitate 2, which is then recovered as the polyimide precursor.
  • the synthesis method includes amidating a carboxylic acid dianhydride or a compound derived therefrom with a diamine to obtain a polyamide (hereinafter also referred to as a "polyamide synthesis step").
  • Examples of compounds derived from carboxylic dianhydrides include diesters obtained from tetracarboxylic dianhydrides and alcohols, and compounds obtained by converting the above diesters into acid halides.
  • the polyamide synthesis step can be carried out, for example, by reacting a tetracarboxylic dianhydride with a diamine at low temperature to obtain a polyamic acid, followed by esterification using a condensing agent or an alkylating agent, by obtaining a diester from a tetracarboxylic dianhydride with an alcohol, and then reacting the diester with a diamine in the presence of a condensing agent, or by obtaining a diester from a tetracarboxylic dianhydride with an alcohol, and then acid-halogenating the remaining dicarboxylic acid with a halogenating agent, followed by reacting the remaining dicarboxylic acid with a diamine.
  • the method of obtaining a diester from a tetracarboxylic dianhydride with an alcohol, and then reacting the remaining dicarboxylic acid with a halogenating agent in the presence of a condensing agent or the method of obtaining a diester from a tetracarboxylic dianhydride with an alcohol, and then acid-halogenating the remaining dicarboxylic acid with a halogenating agent, followed by reacting the remaining diamine with a diamine, is more preferred.
  • the weight-average molecular weight and number-average molecular weight (i.e., the number of repetitions) of the polyimide precursor finally obtained can be adjusted by appropriately adjusting the amount of diamine used, the reaction temperature, the reaction time, etc.
  • the diester is preferably a compound represented by formula (DE-1) below, and the diamine is preferably a compound represented by formula (DA-1) below.
  • a diester represented by formula (DE-2) and a diamine represented by formula (DA-2) may be further used, and a diester represented by formula (DE-3) and a diamine represented by formula (DA-3) may be further used.
  • a plurality of types of the diester represented by formula (DE-1), the diester represented by formula (DE-2), the diester represented by formula (DE-3), the diamine represented by formula (DA-1), the diamine represented by formula (DA-2), and the diamine represented by formula (DA-3) may be used.
  • the diester is preferably a compound represented by the following formula (DE-2), and the diamine is preferably a compound represented by the following formula (DA-2).
  • a diester represented by (DE-1) and a diamine represented by (DA-1) may be further used, and a diester represented by (DE-3) and a diamine represented by (DA-3) may be further used.
  • a plurality of types of the diester represented by formula (DE-1), the diester represented by formula (DE-2), the diester represented by formula (DE-3), the diamine represented by formula (DA-1), the diamine represented by formula (DA-2), and the diamine represented by formula (DA-3) may be used.
  • X 1 , Y 1 , A 1 , n, L 1 and R 1 have the same meanings as X 1 , Y 1 , A 1 , n, L 1 and R 1 in formula (A-1), respectively.
  • X 2 , Y 2 , A 2 , n, L 2 and R 2 have the same meanings as X 2 , Y 2 , A 2 , n, L 2 and R 2 in formula (A-2), respectively.
  • formula (DE-3) or formula (DA-3) X 3 , Y 3 , A 3 and R 3 have the same meanings as X 3 , Y 3 , A 3 and R 3 in formula (A-3), respectively.
  • Examples of the condensing agent include dicyclohexylcarbodiimide, diisopropylcarbodiimide, 1-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline, 1,1-carbonyldioxy-di-1,2,3-benzotriazole, N,N'-disuccinimidyl carbonate, and trifluoroacetic anhydride.
  • Examples of the alkylating agent include N,N-dimethylformamide dimethyl acetal, N,N-dimethylformamide diethyl acetal, N,N-dialkylformamide dialkyl acetal, trimethyl orthoformate, and triethyl orthoformate.
  • Examples of the halogenating agent include thionyl chloride, oxalyl chloride, and phosphorus oxychloride.
  • the organic solvent may be one kind or two or more kinds.
  • the organic solvent can be appropriately determined depending on the raw materials, and examples thereof include pyridine, diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, ethyl propionate, dimethylacetamide, dimethylformamide, tetrahydrofuran, and ⁇ -butyrolactone.
  • a basic compound may be one kind or two or more kinds.
  • the basic compound can be appropriately selected depending on the raw material, and examples thereof include triethylamine, diisopropylethylamine, pyridine, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene, and N,N-dimethyl-4-aminopyridine.
  • any carboxylic acid anhydrides, acid anhydride derivatives, or amino groups remaining at the resin terminals of the polyamide it is also preferable to cap any carboxylic acid anhydrides, acid anhydride derivatives, or amino groups remaining at the resin terminals of the polyamide to further improve storage stability.
  • end-capping agents for capping the carboxylic acid anhydrides and acid anhydride derivatives remaining at the resin terminals include monoalcohols, phenols, thiols, thiophenols, and monoamines. From the perspective of reactivity and film stability, it is more preferable to use monoalcohols, phenols, or monoamines.
  • Preferred monoalcohol compounds include primary alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, hexanol, octanol, dodecynol, benzyl alcohol, 2-phenylethanol, 2-methoxyethanol, 2-chloromethanol, and furfuryl alcohol; secondary alcohols such as isopropanol, 2-butanol, cyclohexyl alcohol, cyclopentanol, and 1-methoxy-2-propanol; and tertiary alcohols such as t-butyl alcohol and adamantane alcohol.
  • primary alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, hexanol, octanol, dodecynol, benzyl alcohol, 2-phenylethanol, 2-methoxyethanol, 2-chloromethanol, and furfuryl alcohol
  • secondary alcohols such as isopropanol, 2-butano
  • Preferred phenolic compounds include phenols such as phenol, methoxyphenol, methylphenol, naphthalen-1-ol, naphthalen-2-ol, and hydroxystyrene.
  • Preferred monoamine compounds include aniline, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4-ethynylaniline, 5-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy-7-aminonaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy-4-aminonaphthalene, 2-hydroxy-7-aminonaphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-carboxy-7-aminonaphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, 1-carboxy-5-aminonaphthalene, Examples include 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6-amin
  • capping agents include carboxylic acid anhydrides, carboxylic acid chlorides, carboxylic acid bromides, sulfonic acid chlorides, sulfonic acid anhydrides, and sulfonic acid carboxylic acid anhydrides, with carboxylic acid anhydrides and carboxylic acid chlorides being more preferred.
  • Preferred carboxylic acid anhydride compounds include acetic anhydride, propionic acid anhydride, oxalic acid anhydride, succinic acid anhydride, maleic acid anhydride, phthalic acid anhydride, benzoic acid anhydride, and 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride.
  • carboxylic acid chloride compounds include acetyl chloride, acrylic acid chloride, propionyl chloride, methacrylic acid chloride, pivaloyl chloride, cyclohexanecarbonyl chloride, 2-ethylhexanoyl chloride, cinnamoyl chloride, 1-adamantanecarbonyl chloride, heptafluorobutyryl chloride, stearic acid chloride, and benzoyl chloride.
  • the polyamide synthesis process may also include a step of precipitating a solid. Specifically, after filtering out the water-absorbing by-product of the dehydration condensation agent coexisting in the reaction solution as needed, the resulting polymer component is poured into a poor solvent such as water, a lower aliphatic alcohol, or a mixture thereof to precipitate the polymer component as a solid, which can then be dried to obtain a powdered resin.
  • a poor solvent such as water, a lower aliphatic alcohol, or a mixture thereof
  • the synthesis method includes adding a poor solvent for the polyamide to a solution of the polyamide and recovering the resulting precipitate 1 (first reprecipitation step).
  • the polyamide solution can be obtained, for example, by dissolving the powdery specific resin obtained in the polyamide synthesis step in a solvent.
  • the solvent include the same solvents as those that may be contained in the resin composition of the present invention, which will be described later, and preferred embodiments are also the same.
  • the poor solvent may be water, aliphatic lower alcohols, or a mixture thereof.
  • a preferred method for adding the poor solvent is to add the poor solvent dropwise to the polyamide solution.
  • the recovery method is not particularly limited, and methods such as filtration can be used.
  • the synthesis method includes adding a solution in which the precipitate 1 has been redissolved to a poor solvent for the polyamide to obtain a precipitate 2, which is then recovered as the polyimide precursor (second reprecipitation step).
  • a poor solvent for the polyamide for the polyamide
  • the poor solvent may be water, aliphatic lower alcohols, or a mixture thereof.
  • a preferred method for adding the solution in which the precipitate 1 has been redissolved is to add the solution from the container dropwise to the poor solvent.
  • the recovery method is not particularly limited, and methods such as filtration can be used.
  • the specific resin in powder form can be obtained by drying the recovered polyimide precursor.
  • the polyamide synthesis step, the first sedimentation step, or the second sedimentation step may include removing ionic impurities using an ion exchange resin.
  • the content of the specific resin in the resin composition of the present invention is preferably 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, even more preferably 40% by mass or more, and even more preferably 50% by mass or more, based on the total solid content of the resin composition. Also, the content of the resin in the resin composition of the present invention is preferably 99.5% by mass or less, more preferably 99% by mass or less, even more preferably 98% by mass or less, even more preferably 97% by mass or less, and even more preferably 95% by mass or less, based on the total solid content of the resin composition.
  • the resin composition of the present invention may contain only one specific resin or two or more specific resins. When two or more specific resins are contained, the total amount is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention also preferably contains at least two types of resins.
  • the resin composition of the present invention may contain a total of two or more types of the specific resin and the other resins described below, or may contain two or more types of specific resins, but it is preferable that the resin composition contains two or more types of specific resins.
  • the resin composition of the present invention contains two or more specific resins, it is preferable that the resin composition contains, for example, two or more polyimide precursors having different dianhydride-derived structures.
  • the resin composition of the present invention may contain the above-mentioned specific resin and another resin different from the specific resin (hereinafter, also simply referred to as "another resin").
  • other resins include phenolic resins, polyamides, epoxy resins, polysiloxanes, resins containing a siloxane structure, (meth)acrylic resins, (meth)acrylamide resins, urethane resins, butyral resins, styryl resins, polyether resins, and polyester resins.
  • phenolic resins polyamides
  • epoxy resins polysiloxanes
  • resins containing a siloxane structure resins containing a siloxane structure
  • (meth)acrylic resins eth)acrylamide resins
  • urethane resins urethane resins
  • butyral resins styryl resins
  • polyether resins e.g., polyether resins
  • polyester resins e.g., polyether resins,
  • a (meth)acrylic resin having a weight average molecular weight of 20,000 or less and a high polymerizable group value for example, the molar amount of polymerizable groups contained in 1 g of resin is 1 ⁇ 10 -3 mol/g or more
  • the resin composition it is possible to improve the coatability of the resin composition and the solvent resistance of the pattern (cured product), etc.
  • the content of the other resins is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, even more preferably 1% by mass or more, still more preferably 2% by mass or more, even more preferably 5% by mass or more, and even more preferably 10% by mass or more, relative to the total solid content of the resin composition.
  • the content of the other resins is preferably 80 mass% or less, more preferably 75 mass% or less, even more preferably 70 mass% or less, still more preferably 60 mass% or less, and even more preferably 50 mass% or less, relative to the total solid content of the resin composition.
  • a preferred embodiment of the resin composition of the present invention may be an embodiment in which the content of the other resin is low.
  • the content of the other resin is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, even more preferably 10% by mass or less, even more preferably 5% by mass or less, and even more preferably 1% by mass or less, based on the total solid content of the resin composition.
  • the lower limit of the content is not particularly limited, and may be 0% by mass or more.
  • the resin composition of the present invention may contain only one type of other resin, or may contain two or more types. When two or more types are contained, the total amount is preferably in the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably further contains a polymerization initiator and a polymerizable compound. Each of these will be explained below.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a polymerizable compound.
  • the polymerizable compound may be a radical crosslinking agent or other crosslinking agent.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a radical crosslinking agent.
  • the radical crosslinking agent is a compound having a radical polymerizable group.
  • the radical polymerizable group is preferably a group containing an ethylenically unsaturated bond.
  • Examples of the group containing an ethylenically unsaturated bond include a vinyl group, an allyl group, a vinylphenyl group, a (meth)acryloyl group, a maleimide group, and a (meth)acrylamide group.
  • a (meth)acryloyl group, a (meth)acrylamide group, and a vinylphenyl group are preferred, and from the viewpoint of reactivity, a (meth)acryloyl group is more preferred.
  • the radical crosslinking agent is preferably a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds, more preferably a compound having two or more ethylenically unsaturated bonds, and may also have three or more ethylenically unsaturated bonds.
  • the compound having two or more ethylenically unsaturated bonds is preferably a compound having 2 to 15 ethylenically unsaturated bonds, more preferably a compound having 2 to 10 ethylenically unsaturated bonds, and even more preferably a compound having 2 to 6 ethylenically unsaturated bonds.
  • the resin composition of the present invention contains a compound having two ethylenically unsaturated bonds and the compound having three or more ethylenically unsaturated bonds.
  • the molecular weight of the radical crosslinking agent is preferably 2,000 or less, more preferably 1,500 or less, and even more preferably 900 or less.
  • the lower limit of the molecular weight of the radical crosslinking agent is preferably 100 or more.
  • radical crosslinking agents include unsaturated carboxylic acids (e.g., acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.), their esters, and amides.
  • esters of unsaturated carboxylic acids and polyhydric alcohol compounds are esters of unsaturated carboxylic acids and polyamine compounds.
  • addition reaction products of unsaturated carboxylic acid esters or amides having nucleophilic substituents such as hydroxyl groups, amino groups, or sulfanyl groups with monofunctional or polyfunctional isocyanates or epoxy groups, and dehydration condensation reaction products of monofunctional or polyfunctional carboxylic acids.
  • the radical crosslinking agent is preferably a compound having a boiling point of 100°C or higher under normal pressure.
  • Examples of compounds having a boiling point of 100°C or higher under normal pressure include the compounds described in paragraph 0203 of WO 2021/112189, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • radical crosslinking agents other than those mentioned above include the radical polymerizable compounds described in paragraphs 0204 to 0208 of WO 2021/112189, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • Preferred radical crosslinking agents include dipentaerythritol triacrylate (commercially available products include KAYARAD D-330 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)), dipentaerythritol tetraacrylate (commercially available products include KAYARAD D-320 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and A-TMMT (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)), dipentaerythritol penta(meth)acrylate (commercially available products include KAYARAD D-310 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)), dipentaerythritol hexa(meth)acrylate (commercially available products include KAYARAD DPHA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and A-DPH (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)), and structures in which
  • radical crosslinking agents include, for example, SR-494, a tetrafunctional acrylate with four ethyleneoxy chains, SR-209, 231, and 239, difunctional methacrylates with four ethyleneoxy chains (all manufactured by Sartomer Corporation), DPCA-60, a hexafunctional acrylate with six pentyleneoxy chains, and TPA-330, a trifunctional acrylate with three isobutyleneoxy chains (all manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and urethane oligomers.
  • SR-494 a tetrafunctional acrylate with four ethyleneoxy chains
  • SR-209, 231, and 239 difunctional methacrylates with four ethyleneoxy chains
  • DPCA-60 a hexafunctional acrylate with six pentyleneoxy chains
  • TPA-330 a trifunctional acrylate with three isobutyleneoxy chains (all manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and urethane oligomers.
  • esters examples include UAS-10 and UAB-140 (manufactured by Nippon Paper Industries Co., Ltd.), NK Ester M-40G, NK Ester 4G, NK Ester M-9300, NK Ester A-9300, and UA-7200 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), DPHA-40H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, and AI-600 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), and Blenmar PME400 (manufactured by NOF Corporation).
  • Suitable radical crosslinking agents include urethane acrylates such as those described in JP-B No. 48-041708, JP-A No. 51-037193, JP-B No. 02-032293, and JP-B No. 02-016765, as well as urethane compounds with an ethylene oxide skeleton such as those described in JP-B No. 58-049860, JP-B No. 56-017654, JP-B No. 62-039417, and JP-B No. 62-039418.
  • Compounds with an amino structure or sulfide structure in the molecule such as those described in JP-A Nos. 63-277653, 63-260909, and JP-A No. 01-105238, can also be used as radical crosslinking agents.
  • the radical crosslinking agent may be a radical crosslinking agent having an acid group such as a carboxy group or a phosphate group.
  • the radical crosslinking agent having an acid group is preferably an ester of an aliphatic polyhydroxy compound and an unsaturated carboxylic acid, and more preferably a radical crosslinking agent in which an acid group is imparted by reacting a non-aromatic carboxylic anhydride with the unreacted hydroxy groups of an aliphatic polyhydroxy compound.
  • a radical crosslinking agent in which an acid group is imparted by reacting a non-aromatic carboxylic anhydride with the unreacted hydroxy groups of an aliphatic polyhydroxy compound, in which the aliphatic polyhydroxy compound is pentaerythritol or dipentaerythritol.
  • examples of commercially available products include polybasic acid-modified acrylic oligomers M-510 and M-520 manufactured by Toagosei Co., Ltd.
  • the acid value of the radical crosslinking agent having an acid group is preferably 0.1 to 300 mgKOH/g, and more preferably 1 to 100 mgKOH/g.
  • the acid value of the radical crosslinking agent is within the above range, it provides excellent handling during manufacturing and developability. It also provides good polymerizability.
  • the acid value is measured in accordance with the description of JIS K 0070:1992.
  • the radical crosslinking agent is preferably a radical crosslinking agent having at least one selected from the group consisting of a urea bond and a urethane bond (hereinafter also referred to as "crosslinking agent U").
  • crosslinking agent U examples include compounds described in paragraphs 0133 to 0143 of WO 2023/190064, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • a bifunctional methacrylate or acrylate for the resin composition.
  • Specific compounds include triethylene glycol diacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, PEG (polyethylene glycol) 200 diacrylate, PEG 200 dimethacrylate, PEG 600 diacrylate, PEG 600 dimethacrylate, polytetraethylene glycol diacrylate, polytetraethylene glycol dimethacrylate, dipropylene glycol diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, 3-methyl-1,5-pentanediol diacrylate, 1,6-hexyl methyl ...
  • Examples of usable surfactants include xanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, dimethylol-tricyclodecane dimethacrylate, ethylene oxide (EO) adduct diacrylate of bisphenol A, propylene oxide (PO) adduct dimethacrylate of bisphenol A, propylene oxide (PO) adduct dimethacrylate of bisphenol A, 2-hydroxy-3-acryloyloxypropyl methacrylate, EO-modified isocyanuric acid diacrylate, EO-modified isocyanuric acid dimethacrylate, and other bifunctional acrylates and bifunctional methacrylates having a urethane bond.
  • EO ethylene oxide
  • PO propylene oxide
  • PO propylene oxide
  • PO propylene oxide
  • adduct dimethacrylate of bisphenol A 2-hydroxy-3-acryloyloxyprop
  • PEG200 diacrylate refers to polyethylene glycol diacrylate with a formula weight of about 200 for the polyethylene glycol chain.
  • a monofunctional radical crosslinking agent can be preferably used as the radical crosslinking agent.
  • Examples of the monofunctional radical crosslinking agent include (meth)acrylic acid derivatives such as n-butyl(meth)acrylate, 2-ethylhexyl(meth)acrylate, 2-hydroxyethyl(meth)acrylate, butoxyethyl(meth)acrylate, carbitol(meth)acrylate, cyclohexyl(meth)acrylate, benzyl(meth)acrylate, phenoxyethyl(meth)acrylate, N-methylol(meth)acrylamide, glycidyl(meth)acrylate, polyethylene glycol mono(meth)acrylate, and polypropylene glycol mono(meth)acrylate; N-vinyl compounds such as N-vinylpyrrolidone and N-vinylcaprolactam; and allyl glycidyl ether.
  • (meth)acrylic acid derivatives such as n-butyl(meth)acrylate, 2-ethylhex
  • compounds having a boiling point of 100°C or higher under normal pressure are also preferred as the monofunctional radical crosslinking agent.
  • the bifunctional or higher functional radical crosslinking agent include allyl compounds such as diallyl phthalate and triallyl trimellitate.
  • the content of the radical crosslinking agent is preferably more than 0% by mass and not more than 60% by mass, based on the total solids content of the resin composition.
  • the lower limit is more preferably 5% by mass or more.
  • the upper limit is more preferably 50% by mass or less, and even more preferably 30% by mass or less.
  • a single radical crosslinking agent may be used, or two or more may be used in combination. When two or more types are used in combination, it is preferable that the total amount be within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a crosslinking agent other than the above-mentioned radical crosslinking agent.
  • the other crosslinking agent refers to a crosslinking agent other than the above-mentioned radical crosslinking agent, and is preferably a compound having, in its molecule, a plurality of groups that promote a reaction to form a covalent bond with another compound in the composition or a reaction product thereof upon exposure to light by the above-mentioned photoacid generator or photobase generator, and more preferably a compound having, in its molecule, a plurality of groups that promote, by the action of an acid or a base, a reaction to form a covalent bond with another compound in the composition or a reaction product thereof.
  • the acid or base is preferably an acid or base generated from a photoacid generator or a photobase generator in the exposure step.
  • Other cross-linking agents include the compounds described in paragraphs 0179 to 0207 of WO 2022/145355, which are incorporated herein by reference.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a polymerization initiator.
  • the polymerization initiator may be a thermal polymerization initiator or a photopolymerization initiator, but it is particularly preferable to include a photopolymerization initiator.
  • the photopolymerization initiator is preferably a photoradical polymerization initiator.
  • the photoradical polymerization initiator there are no particular limitations on the photoradical polymerization initiator, and it can be appropriately selected from known photoradical polymerization initiators.
  • a photoradical polymerization initiator that is photosensitive to light in the ultraviolet to visible range is preferred.
  • it may be an activator that reacts with a photoexcited sensitizer to generate active radicals.
  • the photoradical polymerization initiator preferably contains at least one compound having a molar absorption coefficient of at least about 50 L mol cm in a wavelength range of about 240 to 800 nm (preferably 330 to 500 nm).
  • the molar absorption coefficient of the compound can be measured using a known method. For example, it is preferably measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (Varian Cary-5 spectrophotometer) at a concentration of 0.01 g/L using ethyl acetate as a solvent.
  • any known compound can be used as the photoradical polymerization initiator.
  • halogenated hydrocarbon derivatives e.g., compounds having a triazine skeleton, compounds having an oxadiazole skeleton, compounds having a trihalomethyl group, etc.
  • acylphosphine compounds such as acylphosphine oxide, hexaarylbiimidazole, oxime compounds such as oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, ketoxime ethers, ⁇ -aminoketone compounds such as aminoacetophenone, ⁇ -hydroxyketone compounds such as hydroxyacetophenone, azo compounds, azide compounds, metallocene compounds, organic boron compounds, and iron arene complexes.
  • halogenated hydrocarbon derivatives e.g., compounds having a triazine skeleton, compounds having an oxadiazole skeleton, compounds having a trihal
  • ketone compounds include the compounds described in paragraph 0087 of JP 2015-087611 A, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • Kayacure-DETX-S manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. is also suitable.
  • hydroxyacetophenone compounds, aminoacetophenone compounds, and acylphosphine compounds can be suitably used as photoradical polymerization initiators. More specifically, for example, the aminoacetophenone initiators described in JP-A-10-291969 and the acylphosphine oxide initiators described in Japanese Patent No. 4225898 can be used, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • ⁇ -hydroxyketone initiators examples include Omnirad 184, Omnirad 1173, Omnirad 2959, and Omnirad 127 (all manufactured by IGM Resins B.V.), IRGACURE 184 (IRGACURE is a registered trademark), DAROCUR 1173, IRGACURE 500, IRGACURE-2959, and IRGACURE 127 (all manufactured by BASF).
  • ⁇ -aminoketone initiators examples include Omnirad 907, Omnirad 369, Omnirad 369E, and Omnirad 379EG (all manufactured by IGM Resins B.V.), and IRGACURE 907, IRGACURE 369, and IRGACURE 379 (all manufactured by BASF).
  • acylphosphine oxide initiators for example, compounds described in paragraphs 0161 to 0163 of WO 2021/112189 can also be suitably used.
  • the contents of this specification are incorporated herein by reference.
  • a more preferred example of a photoradical polymerization initiator is an oxime compound.
  • an oxime compound By using an oxime compound, it is possible to more effectively improve the exposure latitude.
  • Oxime compounds are particularly preferred because they have a wide exposure latitude (exposure margin) and also function as a photocuring accelerator.
  • oxime compounds include compounds described in JP 2001-233842 A, compounds described in JP 2000-080068 A, compounds described in JP 2006-342166 A, compounds described in J. C. S. Perkin II (1979, pp. 1653-1660), compounds described in J. C. S. Perkin II (1979, pp. 1653-1660), and compounds described in J. C. S. Compounds described in Perkin II (1979, pp. 156-162), compounds described in Journal of Photopolymer Science and Technology (1995, pp.
  • Preferred oxime compounds include, for example, compounds having the following structure: 3-(benzoyloxy(imino))butan-2-one, 3-(acetoxy(imino))butan-2-one, 3-(propionyloxy(imino))butan-2-one, 2-(acetoxy(imino))pentan-3-one, 2-(acetoxy(imino))-1-phenylpropan-1-one, 2-(benzoyloxy(imino))-1-phenylpropan-1-one, 3-((4-toluenesulfonyloxy)imino)butan-2-one, and 2-(ethoxycarbonyloxy(imino))-1-phenylpropan-1-one.
  • oxime compounds include IRGACURE OXE 01, IRGACURE OXE 02, IRGACURE OXE 03, and IRGACURE OXE 04 (manufactured by BASF), ADEKA OPTOMER N-1919 (manufactured by ADEKA Corporation, photoradical polymerization initiator 2 described in JP 2012-014052 A), TR-PBG-304, TR-PBG-305 (manufactured by Changzhou Strong Electronic New Materials Co., Ltd.), ADEKA ARCLES NCI-730, NCI-831, and ADEKA ARCLES NCI-930 (manufactured by ADEKA Corporation), DFI-091 (manufactured by Daito ChemiX Co., Ltd.), and SpeedCure PDO (SARTOMER Also, an oxime compound having the following structure can be used.
  • an oxime compound having a fluorene ring described in paragraphs 0169 to 0171 of WO 2021/112189 an oxime compound having a skeleton in which at least one benzene ring of a carbazole ring is replaced with a naphthalene ring, or an oxime compound having a fluorine atom can be used.
  • oxime compounds having a nitro group oxime compounds having a benzofuran skeleton, and oxime compounds having a carbazole skeleton to which a substituent having a hydroxy group is bonded, as described in paragraphs 0208 to 0210 of WO 2021/020359, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • the content thereof is preferably 0.1 to 30 mass% relative to the total solid content of the resin composition, more preferably 0.1 to 20 mass%, even more preferably 0.5 to 15 mass%, and even more preferably 1.0 to 10 mass%.
  • Only one type of photopolymerization initiator may be contained, or two or more types may be contained. When two or more types of photopolymerization initiators are contained, it is preferable that the total amount is in the above range.
  • the photopolymerization initiator may also function as a thermal polymerization initiator, the crosslinking by the photopolymerization initiator may be further promoted by heating in an oven, a hot plate, or the like.
  • the resin composition may contain a sensitizer.
  • the sensitizer absorbs specific actinic radiation and becomes electronically excited.
  • the electronically excited sensitizer comes into contact with a thermal radical polymerization initiator, a photoradical polymerization initiator, or the like, and effects such as electron transfer, energy transfer, and heat generation occur.
  • the thermal radical polymerization initiator or the photoradical polymerization initiator undergoes a chemical change and decomposes, generating a radical, an acid, or a base.
  • Usable sensitizers include benzophenone-based, Michler's ketone-based, coumarin-based, pyrazole azo-based, anilino azo-based, triphenylmethane-based, anthraquinone-based, anthracene-based, anthrapyridone-based, benzylidene-based, oxonol-based, pyrazolotriazole azo-based, pyridone azo-based, cyanine-based, phenothiazine-based, pyrrolopyrazole azomethine-based, xanthene-based, phthalocyanine-based, benzopyran-based, and indigo-based compounds.
  • sensitizer examples include Michler's ketone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, 2,5-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclopentane, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclohexanone, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)-4-methylcyclohexanone, 4,4'-bis(dimethylamino)chalcone, 4,4'-bis(diethylamino)chalcone, p-dimethylaminocinnamylideneindanone, p-dimethylaminobenzylideneindanone, and Non, 2-(p-dimethylaminophenylbiphenylene)benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)isonaphthothiazole, 1,
  • the content of the sensitizer is preferably 0.01 to 20 mass%, more preferably 0.1 to 15 mass%, and even more preferably 0.5 to 10 mass%, based on the total solids content of the resin composition.
  • One type of sensitizer may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the resin composition of the present invention may contain a chain transfer agent.
  • Chain transfer agents are defined, for example, in the Third Edition of the Polymer Dictionary (edited by the Society of Polymer Science, 2005), pages 683-684.
  • Examples of chain transfer agents include compounds having -S-S-, -SO 2 -S-, -N-O-, SH, PH, SiH, and GeH in the molecule, and dithiobenzoates, trithiocarbonates, dithiocarbamates, and xanthate compounds having a thiocarbonylthio group used in RAFT (Reversible Addition Fragmentation Chain Transfer) polymerization. These donate hydrogen to low-activity radicals to generate radicals, or can generate radicals by being oxidized and then deprotonated. Thiol compounds are particularly preferred.
  • chain transfer agent may be the compound described in paragraphs 0152-0153 of WO 2015/199219, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • the content of the chain transfer agent is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and even more preferably 0.5 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the total solids content of the resin composition. Only one type of chain transfer agent may be used, or two or more types may be used. When two or more types of chain transfer agents are used, the total amount is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention contains two or more types of polymerization initiators.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a photopolymerization initiator and a thermal polymerization initiator described below, or contains the above-mentioned photoradical polymerization initiator and the above-mentioned photoacid generator.
  • the content of the thermal polymerization initiator is preferably 20 to 70 mass%, more preferably 30 to 60 mass%, relative to the total content of the photopolymerization initiator and the thermal polymerization initiator.
  • the content ratio of the photoacid generator relative to the total content of the photopolymerization initiator and the photoacid generator is preferably 20 to 70 mass%, more preferably 30 to 60 mass%.
  • thermal polymerization initiator examples include a thermal radical polymerization initiator.
  • a thermal radical polymerization initiator is a compound that generates radicals by thermal energy and initiates or promotes the polymerization reaction of a polymerizable compound. Addition of the thermal radical polymerization initiator can also promote the polymerization reaction of the resin and the polymerizable compound, thereby further improving solvent resistance.
  • thermal radical polymerization initiators include the compounds described in paragraphs 0074 to 0118 of JP 2008-063554 A, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • a thermal polymerization initiator is included, its content is preferably 0.1 to 30 mass% of the total solids content of the resin composition, more preferably 0.1 to 20 mass%, and even more preferably 0.5 to 15 mass%.
  • the resin composition may contain only one type of thermal polymerization initiator, or two or more types. If two or more types of thermal polymerization initiators are included, the total amount is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention may contain a base generator.
  • the base generator is a compound that can generate a base by physical or chemical action.
  • Preferred base generators include thermal base generators and photobase generators.
  • the resin composition preferably contains a base generator.
  • the thermal base generator in the resin composition, for example, the cyclization reaction of the precursor can be promoted by heating, and the mechanical properties and chemical resistance of the cured product can be improved, resulting in good performance as an interlayer insulating film for a rewiring layer included in, for example, a semiconductor package.
  • the base generator may be an ionic base generator or a nonionic base generator.
  • Examples of the base generated from the base generator include secondary amines and tertiary amines.
  • the base generator is not particularly limited, and known base generators can be used, such as carbamoyl oxime compounds, carbamoyl hydroxylamine compounds, carbamic acid compounds, formamide compounds, acetamide compounds, carbamate compounds, benzyl carbamate compounds, nitrobenzyl carbamate compounds, sulfonamide compounds, imidazole derivative compounds, amine imide compounds, pyridine derivative compounds, ⁇ -aminoacetophenone derivative compounds, quaternary ammonium salt derivative compounds, iminium salts, pyridinium salts, ⁇ -lactone ring derivative compounds, phthalimide derivative compounds, and acyloxyimino compounds.
  • Specific examples of non-ionic base generators include the compounds described in paragraphs 0249 to 0275 of WO 2022/145355, the disclosures of which are incorporated herein by reference.
  • Base generators include, but are not limited to, the following compounds:
  • the molecular weight of the nonionic base generator is preferably 800 or less, more preferably 600 or less, and even more preferably 500 or less.
  • the lower limit is preferably 100 or more, more preferably 200 or more, and even more preferably 300 or more.
  • Specific preferred compounds for the ionic base generator include, for example, the compounds described in paragraphs 0148 to 0163 of WO 2018/038002.
  • ammonium salts include, but are not limited to, the following compounds:
  • iminium salts include, but are not limited to, the following compounds:
  • the base generator is an amine in which the amino group is protected with a t-butoxycarbonyl group.
  • Amine compounds protected by a t-butoxycarbonyl group include, for example, ethanolamine, 3-amino-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-amino-1-propanol, 4-amino-1-butanol, 2-amino-1-butanol, 1-amino-2-butanol, 3-amino-2,2-dimethyl-1-propanol, 4-amino-2-methyl-1-butanol, valinol, 3-amino-1,2-propanediol, and 2-amino-1,3-propanediol.
  • the content of the base generator is preferably 0.1 to 50 parts by mass relative to 100 parts by mass of the resin in the resin composition.
  • the lower limit is more preferably 0.3 parts by mass or more, and even more preferably 0.5 parts by mass or more.
  • the upper limit is more preferably 30 parts by mass or less, even more preferably 20 parts by mass or less, still more preferably 10 parts by mass or less, even more preferably 5 parts by mass or less, and particularly preferably 4 parts by mass or less.
  • the base generator may be used alone or in combination of two or more. When two or more types are used, the total amount is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a solvent. Any known solvent can be used as the solvent.
  • the solvent is preferably an organic solvent. Examples of the organic solvent include compounds such as esters, ethers, ketones, cyclic hydrocarbons, sulfoxides, amides, ureas, and alcohols.
  • Esters for example, ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, hexyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -caprolactone, ⁇ -valerolactone, ⁇ -valerolactone, alkyl alkyloxyacetates (for example, methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, butyl alkyloxyacetate (for example, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.)), alkyl 3-alkyloxypropionates (for example,
  • 2- Suitable examples include alkyl esters of alkyloxypropionates (e.g., methyl 2-alkyloxypropionate, ethyl 2-alkyloxypropionate, propyl 2-alkyloxypropionate (e.g., methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate)), methyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate and ethyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate (e.g., methyl 2-methoxy-2-methylpropionate, ethyl 2-ethoxy-2-methylpropionate), methyl pyruvate, eth
  • Suitable examples of ethers include ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, di
  • ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 3-methylcyclohexanone, levoglucosenone, and dihydrolevoglucosenone.
  • Suitable examples of cyclic hydrocarbons include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, and anisole, and cyclic terpenes such as limonene.
  • a suitable example of a sulfoxide is dimethyl sulfoxide.
  • Preferred amides include N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylisobutyramide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropionamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropionamide, N-formylmorpholine, and N-acetylmorpholine.
  • Preferred ureas include N,N,N',N'-tetramethylurea and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.
  • Alcohols include methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, benzyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, 1-methoxy-2-propanol, 2-ethoxyethanol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, polypropylene glycol, tetraethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, methylphenyl carbinol, n-amyl alcohol, methyl amyl alcohol, and diacetone alcohol.
  • Another preferred embodiment of the present invention is to further add toluene to these combined solvents in an amount of about 1 to 10% by mass, based on the total mass of the solvents.
  • an embodiment in which ⁇ -valerolactone is contained as a solvent is also one of the preferred embodiments of the present invention.
  • the content of ⁇ -valerolactone relative to the total mass of the solvent is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, and even more preferably 70% by mass or more.
  • the upper limit of the content is not particularly limited and may be 100% by mass. The content may be determined taking into consideration the solubility of components such as the specific resin contained in the resin composition, etc.
  • the solvent preferably contains 60 to 90% by mass of ⁇ -valerolactone and 10 to 40% by mass of dimethyl sulfoxide, more preferably 70 to 90% by mass of ⁇ -valerolactone and 10 to 30% by mass of dimethyl sulfoxide, and even more preferably 75 to 85% by mass of ⁇ -valerolactone and 15 to 25% by mass of dimethyl sulfoxide, relative to the total mass of the solvent.
  • the solvent content is preferably an amount that results in a total solids concentration of the resin composition of the present invention of 5 to 80 mass%, more preferably an amount that results in 5 to 75 mass%, even more preferably an amount that results in 10 to 70 mass%, and even more preferably an amount that results in 20 to 70 mass%.
  • the solvent content may be adjusted depending on the desired thickness of the coating film and the application method. When two or more solvents are used, the total amount is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a metal adhesion improver from the viewpoint of improving adhesion to metal materials used in electrodes, wiring, etc.
  • metal adhesion improvers include silane coupling agents having an alkoxysilyl group, aluminum-based adhesion aids, titanium-based adhesion aids, compounds having a sulfonamide structure, compounds having a thiourea structure, phosphoric acid derivative compounds, ⁇ -ketoester compounds, and amino compounds.
  • silane coupling agent examples include the compounds described in paragraph 0316 of WO 2021/112189 and the compounds described in paragraphs 0067 to 0078 of JP 2018-173573 A, the contents of which are incorporated herein by reference. It is also preferable to use two or more different silane coupling agents, as described in paragraphs 0050 to 0058 of JP 2011-128358 A. It is also preferable to use the following compounds as the silane coupling agent. In the following formula, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group. Furthermore, the following R represents a structure derived from a blocking agent in a blocked isocyanate group.
  • Blocking agents may be selected depending on the desorption temperature, and examples include alcohol compounds, phenol compounds, pyrazole compounds, triazole compounds, lactam compounds, and active methylene compounds.
  • caprolactam is preferred from the perspective of achieving a desorption temperature of 160 to 180°C.
  • Commercially available products of such compounds include X-12-1293 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
  • silane coupling agents include, for example, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl
  • an oligomer type compound having a plurality of alkoxysilyl groups can also be used as the silane coupling agent.
  • Such oligomer-type compounds include compounds containing a repeating unit represented by the following formula (S-1).
  • R 1 S1 represents a monovalent organic group
  • R 1 S2 represents a hydrogen atom, a hydroxy group or an alkoxy group
  • n represents an integer of 0 to 2.
  • R S1 preferably has a structure containing a polymerizable group.
  • Examples of the polymerizable group include a group having an ethylenically unsaturated bond, an epoxy group, an oxetanyl group, a benzoxazolyl group, a blocked isocyanate group, and an amino group.
  • Examples of the group having an ethylenically unsaturated bond include a vinyl group, an allyl group, an isoallyl group, a 2-methylallyl group, a group having an aromatic ring directly bonded to a vinyl group (for example, a vinylphenyl group), a (meth)acrylamide group, and a (meth)acryloyloxy group.
  • a vinylphenyl group, a (meth)acrylamide group, or a (meth)acryloyloxy group is preferred, a vinylphenyl group or a (meth)acryloyloxy group is more preferred, and a (meth)acryloyloxy group is even more preferred.
  • R S2 is preferably an alkoxy group, more preferably a methoxy group or an ethoxy group.
  • n represents an integer of 0 to 2, and is preferably 1.
  • the structures of the repeating units represented by formula (S-1) contained in the oligomer-type compound may be the same.
  • n is 1 or 2 in at least one, more preferably that n is 1 or 2 in at least two, and even more preferably that n is 1 in at least two.
  • commercially available products can be used, and examples of commercially available products include KR-513 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
  • Aluminum-based adhesion promoter examples include aluminum tris(ethylacetoacetate), aluminum tris(acetylacetonate), and ethylacetoacetate aluminum diisopropylate.
  • metal adhesion improvers that can be used include the compounds described in paragraphs 0046 to 0049 of JP 2014-186186 A and the sulfide-based compounds described in paragraphs 0032 to 0043 of JP 2013-072935 A, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • the content of the metal adhesion improver is preferably 0.01 to 30 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and even more preferably 0.5 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the specific resin. By ensuring that the content is above the above lower limit, the adhesion between the pattern and the metal layer will be good, and by ensuring that the content is below the above upper limit, the heat resistance and mechanical properties of the pattern will be good. Only one type of metal adhesion improver may be used, or two or more types may be used. When two or more types are used, it is preferable that the total amount is within the above range.
  • the resin composition of the present invention may contain compound X1.
  • Compound X1 is a compound having at least one structure selected from the group consisting of a 1,3-dicarbonyl structure and a ⁇ -hydroxycarbonyl structure, and having a molecular weight of 1,000 or less.
  • the 1,3-dicarbonyl structure refers to a structure represented by the following formula (DC-1)
  • the ⁇ -hydroxycarbonyl structure refers to a structure represented by the following formula (HC-1).
  • the compound X1 does not contain a metal atom in its structure, and the metal atom in this case does not include a metalloid atom such as silica. In addition, it is preferable that the compound X1 is not coordinated to a metal atom in the resin composition.
  • the molecular weight of compound X1 is 1,000 or less, preferably 100 to 500, more preferably 100 to 400, even more preferably 100 to 350, particularly preferably 100 to 300, and even more preferably 100 to 250.
  • compound X1 include, but are not limited to, compounds having the following structures:
  • the content of compound X1 relative to the total solid content of the resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 30% by mass.
  • the lower limit is more preferably 0.02% by mass or more, even more preferably 0.05% by mass or more, and particularly preferably 0.10% by mass or more.
  • the upper limit is more preferably 20% by mass or less, even more preferably 10% by mass or less, and particularly preferably 5% by mass or less.
  • An embodiment in which the content is 1% by mass or less is also one of the preferred embodiments of the present invention.
  • Compound X1 may be used singly or in combination of two or more. When two or more types are used in combination, the total amount thereof is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably further contains a migration inhibitor.
  • a migration inhibitor for example, when the resin composition is applied to a metal layer (or metal wiring) to form a film, migration of metal ions derived from the metal layer (or metal wiring) into the film can be effectively suppressed.
  • Migration inhibitors are not particularly limited, but include compounds having a heterocycle (pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyrazole ring, isoxazole ring, isothiazole ring, tetrazole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, piperidine ring, piperazine ring, morpholine ring, 2H-pyran ring, 6H-pyran ring, triazine ring), thioureas and compounds having a sulfanyl group, hindered phenol compounds, salicylic acid derivative compounds, and hydrazide derivative compounds.
  • a heterocycle pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring,
  • triazole compounds such as 1,2,4-triazole, benzotriazole, 3-amino-1,2,4-triazole, and 3,5-diamino-1,2,4-triazole
  • tetrazole compounds such as 1H-tetrazole, 5-phenyltetrazole, and 5-amino-1H-tetrazole are preferred.
  • Ion trapping agents that capture anions such as halogen ions can also be used as migration inhibitors.
  • Other migration inhibitors that can be used include the rust inhibitors described in paragraph 0094 of JP 2013-015701 A, the compounds described in paragraphs 0073 to 0076 of JP 2009-283711 A, the compounds described in paragraph 0052 of JP 2011-059656 A, the compounds described in paragraphs 0114, 0116, and 0118 of JP 2012-194520 A, and the compounds described in paragraph 0166 of WO 2015/199219, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • migration inhibitors include the following compounds:
  • the content of the migration inhibitor is preferably 0.01 to 5.0 mass%, more preferably 0.05 to 2.0 mass%, and even more preferably 0.1 to 1.0 mass%, relative to the total solids content of the resin composition.
  • the migration inhibitor may be one type or two or more types. If two or more types of migration inhibitors are used, it is preferable that the total amount is within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a polymerization inhibitor, such as a phenolic compound, a quinone compound, an amino compound, an N-oxyl free radical compound, a nitro compound, a nitroso compound, a heteroaromatic ring compound, or a metal compound.
  • a polymerization inhibitor such as a phenolic compound, a quinone compound, an amino compound, an N-oxyl free radical compound, a nitro compound, a nitroso compound, a heteroaromatic ring compound, or a metal compound.
  • polymerization inhibitor compounds include the compounds described in paragraph 0310 of WO 2021/112189, p-hydroquinone, o-hydroquinone, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine 1-oxyl free radical, phenoxazine, and 1,4,4-trimethyl-2,3-diazabicyclo[3.2.2]non-2-ene-N,N-dioxide.
  • the contents of this document are incorporated herein by reference.
  • the content of the polymerization inhibitor is preferably 0.01 to 20 mass%, more preferably 0.02 to 15 mass%, and even more preferably 0.05 to 10 mass%, based on the total solids content of the resin composition.
  • the polymerization inhibitor may be one type only, or two or more types. If two or more types of polymerization inhibitors are used, it is preferable that the total amount is within the above range.
  • the resin composition of the present invention may contain at least one compound (hereinafter also referred to as "urea compound, etc.") selected from the group consisting of compounds having a urea bond (urea compound), compounds having a carbodiimide structure (carbodiimide compound), and compounds having an isourea bond (isourea compound).
  • urea compound compounds having a urea bond
  • the resin composition of the present invention further contains a compound having a urea bond.
  • the urea compounds and the like referred to here do not include the above-mentioned polymerizable compounds and compounds corresponding to silane coupling agents. Examples of the urea compound include the compounds described in paragraphs 0334 to 0339 of WO 2022/070730.
  • urea compounds include, but are not limited to, dicyclohexylurea, diisopropylurea, dicyclohexylcarbodiimide, diisopropylcarbodiimide, dicyclohexylisourea, and diisopropylisourea.
  • the total content of the urea compounds and the like is preferably 0.1 to 10.0 parts by mass, more preferably 0.5 to 8.0 parts by mass, and even more preferably 1.0 to 6.0 parts by mass, per 100 parts by mass of the specific resin.
  • the urea compounds and the like may be used alone or in combination of two or more. When two or more bases are used in combination in the base-containing treatment liquid, it is preferable that the total content thereof is within the above range.
  • the resin composition of the present invention also preferably contains a compound (light absorber) that reduces the absorbance of light at the exposure wavelength upon exposure.
  • a compound light absorber
  • Examples of the light absorber include the compounds described in paragraphs 0159 to 0183 of WO 2022/202647 and the compounds described in paragraphs 0088 to 0108 of JP 2019-206689 A. The contents of these compounds are incorporated herein by reference.
  • the content of the light absorber relative to the total solid content of the resin composition of the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, and even more preferably 1 to 5% by mass.
  • the resin composition of the present invention may contain various additives, such as surfactants, higher fatty acid derivatives, thermal polymerization initiators, inorganic particles, UV absorbers, organic titanium compounds, antioxidants, photoacid generators, anti-aggregation agents, phenolic compounds, other polymer compounds, plasticizers, and other auxiliary agents (e.g., antifoaming agents, flame retardants, etc.), as needed, as long as the effects of the present invention are achieved.
  • auxiliary agents e.g., antifoaming agents, flame retardants, etc.
  • the total content is preferably 3% by mass or less of the solid content of the resin composition of the present invention.
  • the viscosity of the resin composition of the present invention can be adjusted by the solids concentration of the resin composition. From the viewpoint of coating film thickness, it is preferably 1,000 mm 2 /s to 12,000 mm 2 /s, more preferably 2,000 mm 2 /s to 10,000 mm 2 /s, and even more preferably 2,500 mm 2 /s to 8,000 mm 2 /s. Within the above range, it is easy to obtain a highly uniform coating film.
  • the water content of the resin composition of the present invention is preferably less than 2.0% by mass, more preferably less than 1.5% by mass, and even more preferably less than 1.0% by mass. If the water content is less than 2.0%, the storage stability of the resin composition is improved. Methods for maintaining the moisture content include adjusting the humidity during storage and reducing the porosity of the container during storage.
  • the metal content of the resin composition of the present invention is preferably less than 5 ppm by mass (parts per million), more preferably less than 1 ppm by mass, and even more preferably less than 0.5 ppm by mass.
  • metals include sodium, potassium, magnesium, calcium, iron, copper, chromium, and nickel, but this does not include metals contained as complexes of organic compounds with metals. When multiple metals are contained, it is preferable that the total amount of these metals is within the above range.
  • methods for reducing metal impurities unintentionally contained in the resin composition of the present invention include selecting raw materials with low metal content as the raw materials for constituting the resin composition of the present invention, filtering the raw materials for constituting the resin composition of the present invention, and lining the inside of the apparatus with polytetrafluoroethylene or the like to perform distillation under conditions that minimize contamination as much as possible.
  • the content of halogen atoms is preferably less than 500 ppm by mass, more preferably less than 300 ppm by mass, and even more preferably less than 200 ppm by mass from the viewpoint of wiring corrosion.
  • those present in the form of halogen ions are preferably less than 5 ppm by mass, more preferably less than 1 ppm by mass, and even more preferably less than 0.5 ppm by mass.
  • Examples of halogen atoms include chlorine atoms and bromine atoms. It is preferable that the total of chlorine atoms and bromine atoms, or chlorine ions and bromine ions, is within the above range.
  • a preferred method for adjusting the content of halogen atoms is ion exchange treatment.
  • any conventional container known in the art can be used as a container for storing the resin composition of the present invention.
  • a container for storing the resin composition of the present invention For the purpose of preventing impurities from being mixed into the raw materials or the resin composition of the present invention, it is also preferable to use a multi-layer bottle whose inner wall is made up of six layers of six types of resin, or a bottle with a seven-layer structure made up of six types of resin. Examples of such containers include the container described in JP 2015-123351 A.
  • a cured product of the resin composition By curing the resin composition of the present invention, a cured product of the resin composition can be obtained.
  • the cured product of the present invention is a cured product obtained by curing a resin composition.
  • the resin composition is preferably cured by heating, with the heating temperature being more preferably 120°C to 400°C, even more preferably 140°C to 380°C, and particularly preferably 170°C to 350°C.
  • the form of the cured product of the resin composition is not particularly limited, and can be selected according to the application, such as film, rod, sphere, or pellet.
  • the cured product is preferably in the form of a film.
  • the shape of the cured product can be selected according to the application, such as forming a protective film on the wall surface, forming via holes for electrical conduction, adjusting impedance, capacitance, or internal stress, or imparting heat dissipation functionality.
  • the film thickness of the cured product (film made of the cured product) is preferably 0.5 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the shrinkage percentage of the resin composition of the present invention when cured is preferably 50% or less, more preferably 45% or less, and even more preferably 40% or less.
  • the imidization reaction rate of the cured product of the resin composition of the present invention is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and even more preferably 90% or more. If it is 70% or more, the cured product may have excellent mechanical properties.
  • the elongation at break of the cured product of the resin composition of the present invention is preferably 30% or more, more preferably 40% or more, and even more preferably 50% or more.
  • the glass transition temperature (Tg) of the cured product of the resin composition of the present invention is preferably 180°C or higher, more preferably 210°C or higher, and even more preferably 230°C or higher.
  • the resin composition of the present invention can be prepared by mixing the above-mentioned components.
  • the mixing method is not particularly limited, and can be carried out by a conventionally known method. Examples of the mixing method include mixing with a stirring blade, mixing with a ball mill, and mixing by rotating a tank.
  • the temperature during mixing is preferably 10 to 30°C, more preferably 15 to 25°C.
  • a filter In order to remove foreign matter such as dust and fine particles from the resin composition of the present invention, it is preferable to perform filtration using a filter.
  • a filter for example, the filter described in paragraph 0287 of WO 2023/190064 can be used. This description is incorporated herein by reference.
  • the method for producing a cured product of the present invention preferably includes a film-forming step of applying the resin composition onto a substrate to form a film.
  • the method for producing a cured product more preferably includes the above-mentioned film formation step, an exposure step of selectively exposing the film formed in the film formation step, and a development step of developing the film exposed in the exposure step with a developer to form a pattern.
  • the method for producing a cured product includes the above-mentioned film-forming step, the above-mentioned exposure step, the above-mentioned development step, and at least one of a heating step of heating the pattern obtained in the development step and a post-development exposure step of exposing the pattern obtained in the development step.
  • the method for producing a cured product preferably includes the film-forming step and the step of heating the film. Each step will be described in detail below.
  • the resin composition of the present invention can be used in a film-forming process in which the resin composition is applied to a substrate to form a film.
  • the method for producing a cured product of the present invention preferably includes a film-forming step of applying the resin composition onto a substrate to form a film.
  • the type of substrate can be appropriately determined depending on the application and is not particularly limited.
  • substrates include semiconductor production substrates such as silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon, quartz, glass, optical films, ceramic materials, vapor deposition films, magnetic films, reflective films, metal substrates such as Ni, Cu, Cr, and Fe (for example, substrates formed from metals, and substrates on which a metal layer is formed by plating, vapor deposition, etc.), paper, SOG (Spin On Glass), TFT (thin film transistor) array substrates, mold substrates, and electrode plates for plasma display panels (PDPs).
  • semiconductor production substrates such as silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon, quartz, glass, optical films, ceramic materials, vapor deposition films, magnetic films, reflective films, metal substrates such as Ni, Cu, Cr, and Fe (for example, substrates formed from metals, and substrates on which a metal layer is formed by plating, vapor de
  • the substrate is particularly preferably a semiconductor production substrate, and more preferably a silicon substrate, a Cu substrate, or a mold substrate. These substrates may have a layer such as an adhesion layer made of hexamethyldisilazane (HMDS) or an oxide layer provided on the surface.
  • HMDS hexamethyldisilazane
  • the shape of the substrate is not particularly limited, and may be circular or rectangular.
  • the size of the substrate is preferably, for example, a diameter of 100 to 450 mm, more preferably 200 to 450 mm, if it is circular, and preferably, a short side length of 100 to 1000 mm, more preferably 200 to 700 mm, if it is rectangular.
  • a plate-shaped substrate preferably a panel-shaped substrate (substrate) is used as the substrate.
  • a resin composition When a film is formed by applying a resin composition to the surface of a resin layer (e.g., a layer made of a cured product) or the surface of a metal layer, the resin layer or metal layer serves as the substrate.
  • a resin layer e.g., a layer made of a cured product
  • the resin layer or metal layer serves as the substrate.
  • the resin composition is preferably applied to a substrate by coating.
  • Specific examples of the application method include dip coating, air knife coating, curtain coating, wire bar coating, gravure coating, extrusion coating, spray coating, spin coating, slit coating, and inkjet coating. From the viewpoint of uniformity of film thickness, spin coating, slit coating, spray coating, or inkjet coating is preferred, and from the viewpoint of uniformity of film thickness and productivity, spin coating and slit coating are more preferred.
  • the application method can be appropriately selected depending on the shape of the substrate. For circular substrates such as wafers, spin coating, spray coating, inkjet coating, etc.
  • slit coating for example, it can be applied at a rotation speed of 500 to 3,500 rpm for about 10 seconds to 3 minutes.
  • a coating film may be formed by applying the coating to a temporary support in advance using the above-mentioned application method, and then transferred onto the substrate.
  • the transfer method the production methods described in paragraphs 0023 and 0036 to 0051 of JP-A No. 2006-023696 and paragraphs 0096 to 0108 of JP-A No. 2006-047592 can be suitably used.
  • a process for removing excess film from the edge of the substrate may be performed, such as edge bead rinsing (EBR) or back rinsing.
  • EBR edge bead rinsing
  • a pre-wetting step may be employed in which various solvents are applied to the substrate before the resin composition is applied to the substrate to improve the wettability of the substrate, and then the resin composition is applied.
  • the film may be subjected to a step (drying step) of drying the formed film (layer) to remove the solvent.
  • the method for producing a cured product of the present invention may include a drying step of drying the film formed in the film forming step.
  • the drying step is preferably carried out after the film-forming step and before the exposure step.
  • the drying temperature of the film in the drying step is preferably 50 to 150°C, more preferably 70 to 130°C, and even more preferably 90 to 110°C. Drying may also be performed under reduced pressure.
  • the drying time is, for example, 30 seconds to 20 minutes, preferably 1 to 10 minutes, and more preferably 2 to 7 minutes.
  • the film may be subjected to an exposure step to selectively expose the film to light.
  • the method for producing a cured product may include an exposure step of selectively exposing the film formed in the film formation step to light. Selective exposure means that only a portion of the film is exposed, and selective exposure results in exposed and unexposed areas of the film.
  • the exposure dose is not particularly limited as long as it can cure the resin composition of the present invention, but is preferably 50 to 10,000 mJ/cm 2 and more preferably 200 to 8,000 mJ/cm 2 in terms of exposure energy at a wavelength of 365 nm.
  • the exposure wavelength can be appropriately set in the range of 190 to 1,000 nm, with 240 to 550 nm being preferred.
  • the exposure wavelength in relation to the light source, (1) semiconductor laser (wavelengths 830 nm, 532 nm, 488 nm, 405 nm, 375 nm, 355 nm, etc.), (2) metal halide lamp, (3) high-pressure mercury lamp, g-line (wavelength 436 nm), h-line (wavelength 405 nm), i-line (wavelength 365 nm), broad (three wavelengths of g, h, i-line), (4) excimer laser, KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F2 excimer laser (wavelength 157 nm), (5) extreme ultraviolet light; EUV (wavelength 13.6 nm), (6) electron beam, (7) YAG laser second harmonic 532 nm, third harmonic 355 nm, etc.
  • semiconductor laser wavelengths 830 nm, 532 nm, 488 nm, 405 nm
  • exposure with a high-pressure mercury lamp is particularly preferred, and exposure with i-line is more preferred from the viewpoint of exposure sensitivity.
  • the exposure method is not particularly limited as long as it is a method that exposes at least a part of the film made of the resin composition of the present invention, and examples thereof include exposure using a photomask and exposure by laser direct imaging.
  • the film may be subjected to a step of heating after exposure (post-exposure baking step). That is, the method for producing a cured product of the present invention may include a post-exposure baking step in which the film exposed in the exposure step is heated.
  • the post-exposure baking step can be carried out after the exposure step and before the development step.
  • the heating temperature in the post-exposure baking step is preferably 50°C to 140°C, more preferably 60°C to 120°C.
  • the heating time in the post-exposure baking step is preferably from 30 seconds to 300 minutes, more preferably from 1 minute to 10 minutes.
  • the temperature rise rate in the post-exposure heating step from the starting temperature to the maximum heating temperature is preferably 1 to 12° C./min, more preferably 2 to 10° C./min, and even more preferably 3 to 10° C./min.
  • the temperature rise rate may be changed during heating as needed.
  • the heating means in the post-exposure baking step is not particularly limited, and known means such as a hot plate, an oven, and an infrared heater can be used. It is also preferable to carry out the heating in an atmosphere of low oxygen concentration by flowing an inert gas such as nitrogen, helium, or argon.
  • the film After exposure, the film may be subjected to a development step in which it is developed with a developer to form a pattern. That is, the method for producing a cured product of the present invention may include a development step in which the film exposed in the exposure step is developed with a developer to form a pattern. Development removes either the exposed or unexposed portions of the film, forming a pattern.
  • development in which the non-exposed portions of the film are removed by the development process is called negative development
  • development in which the exposed portions of the film are removed by the development process is called positive development.
  • the developer used in the development step may be an aqueous alkaline solution or a developer containing an organic solvent.
  • examples of basic compounds that the alkaline aqueous solution may contain include inorganic alkalis, primary amines, secondary amines, tertiary amines, and quaternary ammonium salts.
  • the basic compounds described in paragraph 0300 of WO 2023/190064 can be used, with TMAH being more preferred.
  • the content of the basic compound in the developer is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 5% by mass, and even more preferably 0.3 to 3% by mass, based on the total mass of the developer.
  • the description in paragraph 0300 of WO 2023/190064 is incorporated herein by reference.
  • Suitable alcohols include methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, pentanol, octanol, diethylene glycol, propylene glycol, methyl isobutylcarbinol, and triethylene glycol
  • suitable amides include N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, and dimethylformamide.
  • the organic solvent can be used alone or in combination of two or more.
  • a developer containing at least one selected from the group consisting of cyclopentanone, ⁇ -butyrolactone, dimethyl sulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone, and cyclohexanone is particularly preferred, a developer containing at least one selected from the group consisting of cyclopentanone, ⁇ -butyrolactone, and dimethyl sulfoxide is more preferred, and a developer containing cyclopentanone is particularly preferred.
  • the content of the organic solvent relative to the total weight of the developer is preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight or more, even more preferably 80% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more.
  • the above content may also be 100% by weight.
  • the developer may further contain other components.
  • other components include known surfactants and known defoaming agents.
  • the method of supplying the developer is not particularly limited as long as it can form a desired pattern, and includes a method of immersing a substrate on which a film has been formed in the developer, puddle development in which the developer is supplied to a film formed on a substrate using a nozzle, and a method of continuously supplying the developer.
  • the type of nozzle is not particularly limited, and examples thereof include a straight nozzle, a shower nozzle, and a spray nozzle.
  • a method of supplying the developer through a straight nozzle or a method of continuously supplying the developer through a spray nozzle is preferred, and from the viewpoint of the permeability of the developer into the image areas, a method of supplying the developer through a spray nozzle is more preferred.
  • a process may be employed in which the developer is continuously supplied through a straight nozzle, the substrate is spun to remove the developer from the substrate, and after spin drying, the developer is continuously supplied again through a straight nozzle, and the substrate is spun to remove the developer from the substrate, and this process may be repeated multiple times.
  • Methods for supplying the developer in the development step include a step in which the developer is continuously supplied to the substrate, a step in which the developer is kept substantially stationary on the substrate, a step in which the developer is vibrated on the substrate by ultrasonic waves or the like, and a step in which these are combined.
  • the development time is preferably 10 seconds to 10 minutes, and more preferably 20 seconds to 5 minutes.
  • the temperature of the developer during development is not particularly specified, but is preferably 10 to 45°C, and more preferably 18 to 30°C.
  • the pattern may be further washed (rinsed) with a rinse solution.
  • a rinse solution may be supplied before the developer in contact with the pattern has completely dried.
  • Rinse solution When the developer is an alkaline aqueous solution, for example, water can be used as the rinse liquid.
  • the developer is a developer containing an organic solvent, for example, a solvent different from the solvent contained in the developer (for example, water, an organic solvent different from the organic solvent contained in the developer) can be used as the rinse liquid.
  • the organic solvent include the same organic solvents as those exemplified when the developer contains an organic solvent.
  • the organic solvent contained in the rinse liquid is preferably different from the organic solvent contained in the developer, and more preferably an organic solvent that has a lower solubility for the pattern than the organic solvent contained in the developer.
  • the organic solvent can be used alone or in combination of two or more.
  • Preferred organic solvents are cyclopentanone, gamma-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, PGMEA, and PGME, with cyclopentanone, gamma-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, PGMEA, and PGME being more preferred, and cyclohexanone and PGMEA being even more preferred.
  • the organic solvent preferably accounts for 50% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, and even more preferably 90% by mass or more, of the total mass of the rinse solution.
  • the organic solvent may account for 100% by mass of the total mass of the rinse solution.
  • the rinse solution may further contain other ingredients.
  • other components include known surfactants and known defoaming agents.
  • the method of supplying the rinse liquid is not particularly limited as long as it can form a desired pattern, and examples thereof include a method of immersing the substrate in the rinse liquid, a method of supplying the rinse liquid to the substrate by puddling, a method of supplying the rinse liquid to the substrate by showering, and a method of continuously supplying the rinse liquid onto the substrate by means of a straight nozzle or the like.
  • the rinse liquid can be supplied using a shower nozzle, a straight nozzle, a spray nozzle, etc., and the method of continuously supplying the rinse liquid using a spray nozzle is preferred, and from the viewpoint of the permeability of the rinse liquid into the image areas, the method of supplying the rinse liquid using a spray nozzle is more preferred.
  • the type of nozzle is not particularly limited, and examples include a straight nozzle, a shower nozzle, a spray nozzle, etc.
  • the rinsing step is preferably a step of supplying a rinsing liquid to the exposed film through a straight nozzle or continuously supplying the rinsing liquid to the exposed film, and more preferably a step of supplying the rinsing liquid through a spray nozzle.
  • the method of supplying the rinse liquid in the rinsing step may include a step of continuously supplying the rinse liquid to the substrate, a step of keeping the rinse liquid substantially stationary on the substrate, a step of vibrating the rinse liquid on the substrate by ultrasonic waves or the like, and a combination of these steps.
  • the rinsing time is preferably 10 seconds to 10 minutes, and more preferably 20 seconds to 5 minutes.
  • the temperature of the rinsing liquid during rinsing is not particularly specified, but is preferably 10 to 45°C, and more preferably 18 to 30°C.
  • the pattern obtained by the development step (if a rinsing step is performed, the pattern after rinsing) may be subjected to a heating step in which the pattern obtained by the development step is heated. That is, the method for producing a cured product of the present invention may include a heating step of heating the pattern obtained in the development step. The method for producing a cured product of the present invention may also include a heating step of heating a pattern obtained by another method without performing a development step, or a film obtained in the film-forming step. In the heating step, the resin such as polyimide undergoes cyclization to become a resin such as polyimide.
  • the heating temperature (maximum heating temperature) in the heating step is preferably 50 to 450°C, more preferably 150 to 350°C, even more preferably 150 to 250°C, still more preferably 160 to 250°C, and particularly preferably 160 to 230°C.
  • the heating step can be carried out by, for example, the method described in paragraphs 0326 to 0332 of WO 2023/190064, the disclosure of which is incorporated herein by reference.
  • the pattern obtained by the development step (if a rinsing step is performed, the pattern after rinsing) may be subjected to a post-development exposure step in which the pattern after the development step is exposed to light, instead of or in addition to the heating step. That is, the method for producing a cured product of the present invention may include a post-development exposure step of exposing the pattern obtained by the development step.
  • the method for producing a cured product of the present invention may include both a heating step and a post-development exposure step, or may include only one of the heating step and the post-development exposure step.
  • the photosensitivity of the photobase generator can promote a reaction in which the cyclization of the polyimide precursor or the like progresses.
  • the post-development exposure step it is sufficient that at least a part of the pattern obtained in the development step is exposed, but it is preferable that the entire pattern is exposed.
  • the exposure dose in the post-development exposure step is preferably 50 to 20,000 mJ/cm 2 , more preferably 100 to 15,000 mJ/cm 2 , in terms of exposure energy at a wavelength to which the photosensitive compound has sensitivity.
  • the post-development exposure step can be carried out using, for example, the light source used in the exposure step described above, and it is preferable to use broadband light.
  • the pattern obtained by the development step (which is preferably subjected to at least one of the heating step and the post-development exposure step) may be subjected to a metal layer forming step in which a metal layer is formed on the pattern. That is, the method for producing a cured product of the present invention preferably includes a metal layer forming step of forming a metal layer on the pattern obtained by the development step (preferably the pattern has been subjected to at least one of a heating step and a post-development exposure step).
  • the metal layer is not particularly limited and any existing metal species can be used, including copper, aluminum, nickel, vanadium, titanium, chromium, cobalt, gold, tungsten, tin, silver, and alloys containing these metals. Copper and aluminum are more preferred, and copper is even more preferred.
  • the method for forming the metal layer is not particularly limited, and existing methods can be applied.
  • the methods described in JP 2007-157879 A, JP 2001-521288 A, JP 2004-214501 A, JP 2004-101850 A, U.S. Patent No. 7,888,181 B2, and U.S. Patent No. 9,177,926 B2 can be used.
  • suitable methods include photolithography, PVD (physical vapor deposition), CVD (chemical vapor deposition), lift-off, electroplating, electroless plating, etching, printing, and combinations of these. More specific examples include patterning methods that combine sputtering, photolithography, and etching, and patterning methods that combine photolithography and electroplating.
  • a preferred form of plating is electroplating using a copper sulfate or copper cyanide plating solution.
  • the thickness of the metal layer at its thickest point is preferably 0.01 to 50 ⁇ m, and more preferably 1 to 10 ⁇ m.
  • Examples of fields to which the cured product manufacturing method of the present invention or the cured product can be applied include insulating films for electronic devices, interlayer insulating films for rewiring layers, stress buffer films, etc. Other examples include etching patterns for sealing films, substrate materials (base films, coverlays, and interlayer insulating films for flexible printed circuit boards), and insulating films for packaging applications such as those described above.
  • the method for producing the cured product of the present invention, or the cured product of the present invention can also be used to produce printing plates such as offset printing plates or screen printing plates, to etch molded parts, and to produce protective lacquers and dielectric layers in electronics, particularly microelectronics.
  • the laminate of the present invention refers to a structure having a plurality of layers each made of the cured product of the present invention.
  • the laminate is a laminate including two or more layers made of a cured product, and may be a laminate including three or more layers.
  • at least one is a layer made of the cured product of the present invention, and from the viewpoint of suppressing shrinkage of the cured product or deformation of the cured product associated with the shrinkage, it is also preferable that all of the layers made of the cured product contained in the laminate are layers made of the cured product of the present invention.
  • the method for producing a laminate of the present invention preferably includes the method for producing a cured product of the present invention, and more preferably includes repeating the method for producing a cured product of the present invention multiple times.
  • the laminate of the present invention preferably includes two or more layers made of a cured product, and a metal layer between any two of the layers made of the cured product.
  • the metal layer is preferably formed by the metal layer-forming step. That is, the method for producing a laminate of the present invention preferably further includes a metal layer-forming step of forming a metal layer on the layer made of the cured product, between the steps for producing a cured product that are performed multiple times. Preferred aspects of the metal layer-forming step are as described above.
  • the laminate for example, a laminate including at least a layer structure in which three layers, a layer made of a first cured product, a metal layer, and a layer made of a second cured product, are laminated in this order, can be mentioned as a preferred example. It is preferable that the layer made of the first cured product and the layer made of the second cured product are both layers made of the cured product of the present invention.
  • the resin composition of the present invention used to form the layer made of the first cured product and the resin composition of the present invention used to form the layer made of the second cured product may have the same composition or different compositions.
  • the metal layer in the laminate of the present invention is preferably used as metal wiring such as a rewiring layer.
  • the method for producing the laminate of the present invention preferably includes a lamination step.
  • the lamination process is a series of processes including (a) a film formation process (layer formation process), (b) an exposure process, (c) a development process, and (d) at least one of a heating process and a post-development exposure process, which are carried out again on the surface of the pattern (resin layer) or metal layer in this order.
  • at least one of the (a) film formation process and the (d) heating process and the post-development exposure process may be repeated.
  • the (e) metal layer formation process may be included. It goes without saying that the lamination process may further include the above-mentioned drying process, etc. as appropriate.
  • a surface activation treatment step may be performed after the exposure step, the heating step, or the metal layer formation step.
  • An example of a surface activation treatment is plasma treatment. Details of the surface activation treatment will be described later.
  • the lamination step is preferably carried out 2 to 20 times, more preferably 2 to 9 times.
  • a structure of 2 to 20 resin layers such as resin layer/metal layer/resin layer/metal layer/resin layer/metal layer, is preferred, and a structure of 2 to 9 resin layers is more preferred.
  • the above layers may be the same or different in composition, shape, film thickness, etc.
  • a cured product (resin layer) of the resin composition of the present invention is further formed to cover the metal layer.
  • a cured product (resin layer) of the resin composition of the present invention is further formed to cover the metal layer.
  • Specific examples include an embodiment in which the following steps are repeated in this order: (a) film formation step, (b) exposure step, (c) development step, (d) at least one of a heating step and a post-development exposure step, and (e) metal layer formation step; or an embodiment in which the following steps are repeated in this order: (a) film formation step, (d) at least one of a heating step and a post-development exposure step, and (e) metal layer formation step.
  • the method for producing a laminate of the present invention preferably includes a surface activation treatment step of subjecting at least a portion of the metal layer and the resin composition layer to a surface activation treatment.
  • the surface activation treatment step is usually performed after the metal layer formation step, but the resin composition layer may be subjected to the surface activation treatment step after the above-mentioned development step (preferably after at least one of the heating step and the post-development exposure step) and then the metal layer formation step may be performed.
  • the surface activation treatment may be performed on at least a portion of the metal layer, or on at least a portion of the resin composition layer after exposure, or on at least a portion of both the metal layer and the resin composition layer after exposure.
  • the surface activation treatment is preferably performed on at least a portion of the metal layer, and more preferably on part or all of the region of the metal layer on which the resin composition layer is formed. In this way, by performing the surface activation treatment on the surface of the metal layer, it is possible to improve the adhesion with the resin composition layer (film) provided on the surface.
  • the surface activation treatment is preferably performed on a part or all of the resin composition layer (resin layer) after exposure. By performing the surface activation treatment on the surface of the resin composition layer in this way, it is possible to improve the adhesion with a metal layer or a resin layer provided on the surface that has been surface-activated.
  • the resin composition layer when negative development is performed, for example, if the resin composition layer is cured, it is less susceptible to damage due to the surface treatment, and adhesion is likely to be improved.
  • the surface activation treatment can be carried out, for example, by the method described in paragraph 0415 of WO 2021/112189, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • the present invention also discloses a semiconductor device comprising the cured product or laminate of the present invention.
  • the present invention also discloses a method for producing a semiconductor device, which includes the method for producing the cured product of the present invention or the method for producing the laminate.
  • semiconductor devices using the resin composition of the present invention for forming an interlayer insulating film for a rewiring layer the descriptions in paragraphs 0213 to 0218 and FIG. 1 of JP-A-2016-027357 can be referred to, and the contents of these can be incorporated into this specification.
  • the method for synthesizing a polyimide precursor of the present invention is a method for synthesizing a polyimide precursor that contains at least one of a repeating unit represented by formula (A-1) and a repeating unit represented by formula (A-2) and has a dispersity, expressed as weight average molecular weight/number average molecular weight, of 2.0 or less, and includes the steps of amidating a carboxylic acid dianhydride or a compound derived therefrom with a diamine to obtain a polyamide, adding a poor solvent for the polyamide to a solution of the polyamide to obtain a precipitate 1, recovering the precipitate 1, and adding a solution in which the precipitate 1 has been redissolved to a poor solvent for the polyamide to obtain a precipitate 2, recovering the precipitate 2 as the polyimide precursor.
  • X 1 represents a tetravalent linking group
  • Y 1 represents a structure obtained by removing two hydrogen atoms from a structure represented by formula (Y-1) below
  • each A 1 is independently —O—, —S—, or —NR N —
  • R N represents a hydrogen atom or an organic group
  • each n represents an integer of 1 or more
  • each L 1 is independently an (n+1)-valent linking group
  • each R 1 independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted alkyl group.
  • R 1 and Y 1 each independently represent an alkyl group which may have a substituent or an alkoxy group which may have a substituent; m and n each independently represent an integer of 0 to 4.
  • X2 represents a tetravalent linking group
  • Y2 represents a divalent linking group
  • at least one of X2 and Y2 represents a structure represented by the following formula (XY-1) by removing four or two hydrogen atoms, respectively
  • A2's are each independently -O-, -S-, or -NR N -
  • R N represents a hydrogen atom or an organic group
  • n's are each independently an integer of 1 or more
  • L2 's are each independently an (n+1)-valent linking group
  • R2 's are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted alkyl group.
  • the preferred aspects of the method for synthesizing the polyimide precursor of the present invention are the same as the preferred aspects of the method for producing the characteristic resin described above.
  • Preferred embodiments of the polyimide precursor obtained by the method for synthesizing a polyimide precursor of the present invention are the same as the preferred embodiments of the specific resin described above, and the preferred embodiments of formulas (A-1) and (A-2) in the specific resin described above, respectively.
  • the reaction mixture was stored in a refrigerator overnight, then warmed to room temperature, and the precipitate that formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction mixture.
  • the resulting reaction solution was added to 640.0 g of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer.
  • the resulting crude polymer was recovered by decantation and dissolved in 330.1 g of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution.
  • the resulting crude polymer solution was added dropwise to 6930 g of water to precipitate the polymer.
  • the resulting precipitate was filtered and then vacuum dried at 45 ° C to obtain 52.9 g of powdered resin.
  • the molecular weight of Resin P-1 was measured by the following gel permeation chromatography (GPC) measurement, and the weight average molecular weight (Mw) was 44,000 and the dispersity was 1.8.
  • GPC measurements were performed using a high-speed GPC system HLC-8420GPC (manufactured by Tosoh Corporation), a TSK guard column Super AW-H (4.6 mm x 35 mm), and two TSKgel Super AWM-H (4.6 mm x 150 mm) columns connected in series.
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • Polystyrene PS-1 manufactured by AMR was used as the standard.
  • the weight average molecular weight and dispersity of the following resins were measured by the same method as for the resin P-1. It was confirmed by 1 H-NMR that the structure of resin P-1 was a structure represented by the following formula (P-1): In the following structure, the subscripts in parentheses represent the molar ratio of each repeating unit.
  • each component shown in the table below was mixed to obtain a resin composition.
  • the components shown in the table below were mixed to obtain a comparative composition.
  • the content (blending amount) of each component shown in the table other than the solvent is the amount (parts by mass) shown in the "parts by mass” column of each column in the table.
  • the solvent contents (amounts blended) were adjusted so that the solid content of the composition was the value (mass %) of "solid content concentration” in the table, and the ratio (mass ratio) of the content of each solvent to the total mass of the solvents was the ratio shown in the "Ratio" column in the table.
  • the resulting resin composition and comparative composition were filtered under pressure using a polytetrafluoroethylene filter with a pore width of 0.8 ⁇ m.
  • "-" indicates that the composition does not contain the corresponding component.
  • Resins P-1 to P-21, P-1B, P-7B to P-10B, CP-1 to CP-5 obtained by the above synthesis examples P-1 to P-21, P-1B, and P-7B to P-10B are resins that fall under the category of specific resins.
  • B-1 to B-10 Compounds having the following structure (however, B-5 is a compound that also functions as a migration inhibitor)
  • ⁇ E-9 E-9 described below
  • E-1 to E-14 Compounds having the following structure
  • F-554 Megafac F-554 (manufactured by DIC Corporation)
  • ⁇ BYK-333 BYK-333 (manufactured by BYK)
  • E-7 Ester of 2,2',3,3'-tetrahydro-3,3,3',3'-tetramethyl-1,1'-spirobi(1H-indene)-5,5',6,6',7,7'hexanol and 1,2-naphthoquinone-(2)-diazo-5-sulfonic acid
  • E-8 The following synthetic product
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • EL ethyl lactate
  • DMSO dimethyl sulfoxide
  • GBL ⁇ -butyrolactone
  • MDMPA KJCMPA-100 (manufactured by KJ Chemicals Co., Ltd.)
  • ⁇ toluene toluene
  • ⁇ CP cyclopentanone
  • ⁇ CH cyclohexanone
  • the resin composition layer or comparative composition layer on the copper substrate was exposed to light with an exposure wavelength (nm) listed in the "Exposure Wavelength (nm)" column in the table, using a mask with an exposed area formed to form a rectangular region 3 mm wide and 30 mm long, and a stepper as the light source, at an exposure energy of 500 mJ/ cm2 .
  • laser direct imaging exposure was performed on a rectangular area 3 mm wide and 30 mm long using a direct exposure device (ADTECH DE-6UH III) as the light source without using a photomask.
  • the film was developed with cyclopentanone for 60 seconds and rinsed with PGMEA to obtain a resin layer.
  • the exposed resin composition layer was heated at a heating rate of 10°C/min in a nitrogen atmosphere using a hot plate. After reaching the temperature listed in the “Cure temperature (°C)” column in the table, the temperature was maintained for the “Cure time (min)” in the table to obtain a cured product.
  • the resin film obtained in each example was heated at a heating rate of 10°C/min in a nitrogen atmosphere using an infrared lamp heating device (RTP-6, manufactured by Advance Riko Co., Ltd.). After the temperature reached 230°C, the temperature was maintained for the "Cure time (min)" in the table to obtain a cured product.
  • the cured resin composition layer (cured product) was immersed in a 4.9% by mass aqueous solution of hydrofluoric acid, and the cured product was peeled off from the silicon wafer.
  • the longitudinal elongation of the peeled cured product (a test piece having a sample width of 3 mm and a sample length of 30 mm) was measured using a tensile tester (Tensilon) at a crosshead speed of 300 mm/min, 25°C, and 65% RH (relative humidity) in accordance with JIS K 6251:2017. Each measurement was performed five times, and the arithmetic average of the elongation at which the test piece broke (elongation at break) in the five measurements was used as the index value. The evaluation was carried out according to the following evaluation criteria, and the evaluation results are shown in the column "Elongation at break" in the table. The larger the index value, the better the film strength of the cured product. -Evaluation criteria- A: The index value was 65% or more. B: The index value was 60% or more and less than 65%. C: The index value was 55% or more and less than 60%. D: The index value was less than 55%.
  • the Tg of the test piece prepared in the above "Evaluation of Breaking Elongation” was measured using a DMA850 (TA Instruments). Specifically, the temperature conditions of the cured product were changed in the following order (1) to (2), and the glass transition temperature was measured. (1) The temperature was increased from 25°C to 350°C at a rate of 5°C/min. (2) Cool from 350°C to 25°C. The obtained Tg was evaluated according to the following evaluation criteria. -Evaluation criteria- A: The glass transition temperature was 230°C or higher. B: The glass transition temperature was 180°C or higher and lower than 230°C. C: The glass transition temperature was less than 180°C.
  • the resin composition of the present invention can give a cured product with a large elongation at break.
  • the comparative composition according to Comparative Example 1 does not contain the specific resin. It is clear that the cured product formed from such a comparative composition has a small elongation at break.
  • Example 201 The resin composition used in Example 1 was applied in the form of a layer by spin coating onto the surface of the thin copper layer of a resin substrate having a thin copper layer formed on its surface, and dried at 100°C for 5 minutes to form a photosensitive film with a thickness of 20 ⁇ m. This was then exposed using a stepper (Nikon Corporation, NSR1505 i6). The exposure was carried out at a wavelength of 365 nm through a mask (a binary mask with a 1:1 line-and-space pattern and a line width of 10 ⁇ m). After the exposure, the film was developed in cyclopentanone for 2 minutes and rinsed with PGMEA for 30 seconds to obtain a layer pattern.
  • the temperature was increased at a rate of 10° C./min in a nitrogen atmosphere, and after reaching 230° C., the temperature was maintained at 230° C. for 180 minutes to form an interlayer insulating film for a rewiring layer.
  • This interlayer insulating film for a rewiring layer had excellent insulating properties. Furthermore, when a semiconductor device was manufactured using this interlayer insulating film for rewiring layer, it was confirmed that it operated without any problems.

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Abstract

下記式（Ａ－１）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を含むポリイミド前駆体を含む樹脂組成物、上記樹脂組成物を硬化してなる硬化物、上記硬化物を含む積層体、上記硬化物の製造方法、上記積層体の製造方法、上記硬化物の製造方法を含む半導体デバイスの製造方法、及び、上記硬化物を含む半導体デバイス、また、新規なポリイミド前駆体の合成方法。

Description

樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、ポリイミド前駆体の合成方法
　本発明は、樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、ポリイミド前駆体の合成方法に関する。
　現代では様々な分野において、樹脂を含む樹脂組成物から製造された樹脂材料を活用することが行われている。
　例えば、ポリイミド等の複素環含有ポリマーは、耐熱性及び絶縁性等に優れるため、様々な用途に適用されている。上記用途としては、特に限定されないが、実装用の半導体デバイスを例に挙げると、絶縁膜や封止材の材料、又は、保護膜としての利用が挙げられる。また、フレキシブル基板のベースフィルムやカバーレイなどとしても用いられている。
　例えば上述した用途において、ポリイミドは、ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物の形態で用いられる。
　このような樹脂組成物を、例えば塗布等により基材に適用して感光膜を形成し、その後、必要に応じて露光、現像、加熱等を行うことにより、硬化物を基材上に形成することができる。
　樹脂組成物は、公知の塗布方法等により適用可能であるため、例えば、適用される樹脂組成物の適用時の形状、大きさ、適用位置等の設計の自由度が高いなど、製造上の適応性に優れるといえる。ポリイミド等の複素環含有ポリマーが有する高い性能に加え、このような製造上の適応性に優れる観点から、上述の樹脂組成物の産業上の応用展開がますます期待されている。
　例えば、特許文献１には、ジアミン化合物とカルボン酸二無水物とを、モル比で略１：１で反応させることにより得られるポリイミド前駆体を含有するポリイミド前駆体溶液であって、上記ポリイミド前駆体のイミド化率が３０～４０モル％である感光性樹脂用ポリイミド前駆体溶液、このようなポリイミド前駆体溶液を含むネガ型感光性樹脂組成物等が記載されている。
特開第２０１３－２２１１４０号公報
　ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物について、デバイスの小型化、薄型化、軽量化、使用環境の多様化等に伴い、破断伸びが大きい硬化物が得られることが求められている。破断伸びが大きい硬化物を用いることにより、例えば、応力集中等による硬化物の破断が抑制される等の利点がある。
　本発明は、破断伸びが大きい硬化物が得られる樹脂組成物、上記樹脂組成物を硬化してなる硬化物、上記硬化物を含む積層体、上記硬化物の製造方法、上記積層体の製造方法、上記硬化物の製造方法を含む半導体デバイスの製造方法、及び、上記硬化物を含む半導体デバイスを提供することを目的とする。
　また、本発明は、新規なポリイミド前駆体の合成方法を提供することを目的とする。
　本発明の代表的な実施態様の例を以下に示す。
＜１＞　下記式（Ａ－１）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を含む
　樹脂組成物。
　式（Ａ－１）中、Ｘ１は４価の連結基を表し、Ｙ１は下記式（Ｙ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造を含む構造であり、Ａ１はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数を表し、Ｌ１はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
　式（Ｙ－１）中、ＲＹ１はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であり、ｍおよびｎはそれぞれ独立に、０～４の整数である。
＜２＞　下記式（Ａ－２）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を含む
　樹脂組成物。
　式（Ａ－２）中、Ｘ２は４価の連結基を表し、Ｙ２は２価の連結基であり、Ｘ２及びＹ２のうち少なくとも一方は下記式（ＸＹ－１）で表される構造からそれぞれ４つ又は２つの水素原子を除いた構造であり、Ａ２はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、Ｌ２はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
＜３＞　上記ポリイミド前駆体の重量平均分子量が２０，０００～５０，０００であり、且つ、分散度が２．０以下である、＜１＞または＜２＞に記載の樹脂組成物。
＜４＞　上記ポリイミド前駆体の重量平均分子量が２０，０００～５０，０００であり、且つ、分散度が１．７以下である、＜１＞または＜２＞に記載の樹脂組成物。
＜５＞　上記ポリイミド前駆体が、下記繰返し単位１－１を含む、＜１＞に記載の樹脂組成物。
　繰返し単位１－１：式（Ａ－１）で表される繰返し単位であって、Ｘ１が下記式（２ａ）～式（２ｅ）で表される構造のいずれかであるか、又は、下記式（２ｆ）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
　式（２ａ）～（２ｅ）中、＊１～＊４はそれぞれ、式（Ａ－１）中のカルボニル基との結合部位を表す。
　式（２ｃ）中、Ｌ１及びＬ２は２価の連結基である。
　式（２ｆ）中、ｎ１は０以上の整数である。
＜６＞　上記ポリイミド前駆体が、下記繰返し単位１－２を含む、＜１＞又は＜５＞に記載の樹脂組成物。
　繰返し単位１－２：式（Ａ－１）で表される繰返し単位であって、Ｘ１が下記式（Ｖ－１）～（Ｖ－３）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
　式（Ｖ－２）～（Ｖ－３）中、ＲＸ１、ＲＸ２はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基である。
＜７＞　上記ポリイミド前駆体が、下記繰返し単位２－１を含む、＜２＞に記載の樹脂組成物。
　繰返し単位２－１：式（Ａ－２）で表される繰返し単位であって、Ｘ２が下記式（２ａ）～式（２ｅ）で表される構造のいずれかであるか、又は下記式（２ｆ）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
　式（２ａ）～（２ｅ）中、＊１～＊４はそれぞれ、式（Ａ－２）中のカルボニル基との結合部位を表す。
　式（２ｃ）中、Ｌ１及びＬ２は２価の連結基である。
　式（２ｆ）中、ｎ１は０以上の整数である。
＜８＞　上記ポリイミド前駆体が、下記繰返し単位２－２を含む、＜２＞又は＜７＞に記載の樹脂組成物。
　繰返し単位２－２：式（Ａ－２）で表される繰返し単位であって、Ｘ２が下記式（Ｖ－１）～（Ｖ－３）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
　式（Ｖ－２）中、ＲＸ１はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を有してもよいアルキル基である。
　式（Ｖ－３）中、ＲＸ２及びＲＸ３はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲＸ２とＲＸ３は結合して環構造を形成してもよい。
＜９＞　塩基発生剤を更に含む、＜１＞、２、５又は７に記載の樹脂組成物。
＜１０＞　再配線層用層間絶縁膜の形成に用いられる、＜１＞、２、５又は７に記載の樹脂組成物。
＜１１＞　＜１＞、２、５又は７に記載の樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
＜１２＞　＜１１＞に記載の硬化物からなる層を２層以上含み、上記硬化物からなる層同士のいずれかの間に金属層を含む積層体。
＜１３＞　＜１＞、２、５又は７に記載の樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程を含む、硬化物の製造方法。
＜１４＞　上記膜を選択的に露光する露光工程及び上記膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含む、＜１３＞に記載の硬化物の製造方法。
＜１５＞　上記膜を５０～４５０℃で加熱する加熱工程を含む、＜１４＞に記載の硬化物の製造方法。
＜１６＞　＜１３＞に記載の硬化物の製造方法を含む、積層体の製造方法。
＜１７＞　＜１３＞に記載の硬化物の製造方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
＜１８＞　＜１１＞に記載の硬化物を含む、半導体デバイス。
＜１９＞　式（Ａ－１）で表される繰返し単位、及び、式（Ａ－２）で表される繰返し単位の少なくとも一方を含み、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を合成する方法であって、
　カルボン酸二無水物又はこれに由来する化合物と、ジアミンとをアミド化してポリアミドを得ること、
　上記ポリアミドの溶液に、上記ポリアミドの貧溶媒を追加して得られる沈殿物１を回収すること、並びに、
　上記沈殿物１を再溶解した溶液を上記ポリアミドの貧溶媒に追加して得られる沈殿物２を上記ポリイミド前駆体として回収すること、を含む
　ポリイミド前駆体の合成方法。
　式（Ａ－１）中、Ｘ１は４価の連結基を表し、Ｙ１は下記式（Ｙ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造を含む構造であり、Ａ１はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数を表し、Ｌ１はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
　式（Ｙ－１）中、ＲＹ１はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であり、ｍおよびｎはそれぞれ独立に、０～４の整数である。
　式（Ａ－２）中、Ｘ２は４価の連結基を表し、Ｙ２は２価の連結基であり、Ｘ２及びＹ２のうち少なくとも一方は下記式（ＸＹ－１）で表される構造からそれぞれ４つ又は２つの水素原子を除いた構造であり、Ａ２はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、Ｌ２はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
　本発明によれば、破断伸びが大きい硬化物が得られる樹脂組成物、上記樹脂組成物を硬化してなる硬化物、上記硬化物を含む積層体、上記硬化物の製造方法、上記積層体の製造方法、上記硬化物の製造方法を含む半導体デバイスの製造方法、及び、上記硬化物を含む半導体デバイスが提供される。
　また、本発明によれば、新規なポリイミド前駆体の合成方法が提供される。
　以下、本発明の主要な実施形態について説明する。しかしながら、本発明は、明示した実施形態に限られるものではない。
　本明細書において「～」という記号を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、その工程の所期の作用が達成できる限りにおいて、他の工程と明確に区別できない工程も含む意味である。
　本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有しない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。
　本明細書において「露光」とは、特に断らない限り、光を用いた露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線を用いた露光も含む。また、露光に用いられる光としては、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、電子線等の活性光線又は放射線が挙げられる。
　本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方、又は、いずれかを意味し、「（メタ）アクリル」は、「アクリル」及び「メタクリル」の両方、又は、いずれかを意味し、「（メタ）アクリロイル」は、「アクリロイル」及び「メタクリロイル」の両方、又は、いずれかを意味する。
　本明細書において、構造式中のＭｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、Ｂｕはブチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
　本明細書において、全固形分とは、組成物の全成分から溶剤を除いた成分の総質量をいう。また本明細書において、固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分の質量百分率である。
　本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、特に述べない限り、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法を用いて測定した値であり、ポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、ＨＬＣ－８４２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてガードカラムＳｕｐｅｒＡＷ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＡＷＭ－Ｈ、及び、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＡＷＭ－Ｈ（以上、東ソー（株）製）をこの順に直列に連結して用いることによって求めることができる。それらの分子量は特に述べない限り、溶離液としてＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）を用いて測定したものとする。ただし、溶解性が低い場合など、溶離液としてＮＭＰが適していない場合にはＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いることもできる。また、ＧＰＣ測定における検出は特に述べない限り、ＵＶ線（紫外線）の波長２５４ｎｍ検出器を使用したものとする。
　本明細書において、積層体を構成する各層の位置関係について、「上」又は「下」と記載したときには、注目している複数の層のうち基準となる層の上側又は下側に他の層があればよい。すなわち、基準となる層と上記他の層の間に、更に第３の層や要素が介在していてもよく、基準となる層と上記他の層は接している必要はない。特に断らない限り、基材に対し層が積み重なっていく方向を「上」と称し、又は、樹脂組成物層がある場合には、基材から樹脂組成物層へ向かう方向を「上」と称し、その反対方向を「下」と称する。なお、このような上下方向の設定は、本明細書中における便宜のためであり、実際の態様においては、本明細書における「上」方向は、鉛直上向きと異なることもありうる。
　本明細書において、特段の記載がない限り、組成物は、組成物に含まれる各成分として、その成分に該当する２種以上の化合物を含んでもよい。特段の記載がない限り、組成物における各成分の含有量とは、その成分に該当する全ての化合物の合計含有量を意味する。
　本明細書において、特に述べない限り、温度は２３℃、気圧は１０１，３２５Ｐａ（１気圧）、相対湿度は５０％ＲＨである。
　本明細書において、好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。
（樹脂組成物）
　本発明の第１の態様に係る樹脂組成物（以下、「第１の樹脂組成物」ともいう。）は、下記式（Ａ－１）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を含む。
　本発明の第２の態様に係る樹脂組成物（以下、「第２の樹脂組成物」ともいう。）は、下記式（Ａ－２）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を含む。
　以下、「第１の樹脂組成物」と「第２の樹脂組成物」とを併せて、単に「樹脂組成物」ともいう。
　以下、下記式（Ａ－１）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を「第１の特定樹脂」ともいう。
　以下、下記式（Ａ－２）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を「第２の特定樹脂」ともいう。
　以下、第１の特定樹脂、及び、第２の特定樹脂の少なくとも一方に該当する樹脂を、単に「特定樹脂」ともいう。
　式（Ａ－１）中、Ｘ１は４価の連結基を表し、Ｙ１は下記式（Ｙ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造を含む構造であり、Ａ１はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数を表し、Ｌ１はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
　式（Ｙ－１）中、ＲＹ１はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であり、ｍおよびｎはそれぞれ独立に、０～４の整数である。
　式（Ａ－２）中、Ｘ２は４価の連結基を表し、Ｙ２は２価の連結基であり、Ｘ２及びＹ２のうち少なくとも一方は下記式（ＸＹ－１）で表される構造からそれぞれ４つ又は２つの水素原子を除いた構造であり、Ａ２はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、Ｌ２はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
　本発明の樹脂組成物は、露光及び現像に供される感光膜の形成に用いられることが好ましく、露光及び有機溶剤を含む現像液を用いた現像に供される膜の形成に用いられることがより好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、例えば、半導体デバイスの絶縁膜、再配線層用層間絶縁膜、ストレスバッファ膜等の形成に用いることができ、再配線層用層間絶縁膜の形成に用いられることが好ましい。
　また、本発明の樹脂組成物は、ネガ型現像に供される感光膜の形成に用いられることが好ましい。
　本発明において、ネガ型現像とは、露光及び現像において、現像により非露光部が除去される現像をいい、ポジ型現像とは、現像により露光部が除去される現像をいう。
　上記露光の方法、上記現像液、及び、上記現像の方法としては、例えば、後述する硬化物の製造方法の説明における露光工程において説明された露光方法、現像工程において説明された現像液及び現像方法が使用される。
　本発明の樹脂組成物によれば、破断伸びが大きい硬化物が得られる。
　上記効果が得られるメカニズムは不明であるが、下記のように推測される。
　従来から、ポリイミド前駆体を用いて硬化物を得る際に、破断伸びが大きい硬化物を得たいという要求があった。そこで、上述の破断伸びを改善するために、例えばポリイミド前駆体の原料である酸二無水物、ジアミンの構造を特定の構造とするなどの検討が行われてきた。
　本発明者らは、式（Ａ－１）で表される繰返し単位、及び、式（Ａ－２）で表される繰返し単位の少なくとも一方を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を含むことにより、破断伸びに優れた硬化物が得られることを見出した。
　上記構成により効果が得られるメカニズムは不明であるが、以下のように推測される。
　式（Ａ－１）で表される繰返し単位、及び、式（Ａ－２）で表される繰返し単位の少なくとも一方を含むポリイミド前駆体を含む組成物から得られる硬化物は、適度に柔軟であり、且つ分子間で相互作用しやすいと考えられる。
　このような物性を有するポリイミド前駆体において、分散度を小さくすることにより、ポリマー鎖長が均一に近いため硬化物全体でポリマー鎖間の相互作用が均一に近い状態になり、また、破断の起点になりうる極端に分子量が低い（重合度が小さい）樹脂が少なくなる。
　また、式（Ａ－１）で表される繰返し単位、及び、式（Ａ－２）で表される繰返し単位はいずれも重合性基を有する繰返し単位である。
　このように、適度に柔軟であり、且つ分子間で相互作用しやすい樹脂において重合性基が導入されると、硬化物中でのラジカル重合が均一に進行しやすくなり、硬化物の架橋密度が均一に近い状態となると考えられる。
　そうすると、破断伸びの起点となりうる箇所である、局所的な架橋密度が低い箇所が硬化物中に形成されることが抑制され、破断伸びが向上すると考えられる。
　また、上述の通り特定樹脂は樹脂分子間で相互作用しやすく、また、硬化物の架橋密度が均一に近い状態となるため、硬化物のガラス転移温度も増大すると考えられる。
　更に、上述のように硬化物の架橋密度が均一に近い状態となることにより、硬化物の熱膨張率が小さくなり、また、硬化物のヤング率も増大すると考えられる。
　ここで、特許文献１には、特定樹脂を含む樹脂組成物については記載されていない。
　以下、本発明の樹脂組成物に含まれる成分について詳細に説明する。
＜特定樹脂＞
　本発明の第１の樹脂組成物は、式（Ａ－１）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体（第１の特定樹脂）を含む。
　本発明の第２の態様に係る樹脂組成物は、式（Ａ－２）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体（第２の特定樹脂）を含む。
　ポリイミド前駆体とは、外部刺激により化学構造の変化を生じてポリイミドとなる樹脂をいい、熱により化学構造の変化を生じてポリイミドとなる樹脂が好ましく、熱により閉環反応を生じて環構造が形成されることによりポリイミドとなる樹脂がより好ましい。
　本発明において、ポリイミドとは、分子鎖内にイミド基を含む繰返し単位を有する樹脂をいい、分子鎖内にイミド環構造を含む繰返し単位を有する樹脂であることが好ましい。
　また、ポリイミドが直鎖状の樹脂である場合、ポリイミドは主鎖内にイミド基を含む繰返し単位を有する樹脂であることが好ましく、主鎖内にイミド環構造を含む繰返し単位を有する樹脂であることがより好ましい。
　本明細書において、「主鎖」とは、樹脂分子中で相対的に最も長い結合鎖を表し、「側鎖」とはそれ以外の結合鎖をいう。
　本明細書において、イミド基とは、＊－C（＝O）N（－＊）C（＝O）－＊で表される構造をいい、＊は他の構造との結合部位を表し、炭素原子との結合部位であることが好ましく、第四級炭素原子との結合部位であることがより好ましい。
　本明細書において、イミド環構造とは、上記イミドにおける炭素原子２つと窒素原子の全てを環員として含む環構造をいう。イミド環構造は、５員環であることが好ましい。
　ポリイミドは、イミド基に加えて、分子鎖内にアミド基を有する、いわゆるポリアミドイミドであってもよい。本明細書において、アミド基とは＊－C（＝O）N（－＃）－＊で表される構造をいい、＊は他の構造との結合部位を表し、炭素原子との結合部位であることが好ましく、第四級炭素原子との結合部位であることがより好ましい。また＃は他の構造との結合部位を表し、水素原子又は炭素原子との結合部位であることが好ましく、水素原子との結合部位であることがより好ましい。
〔重量平均分子量〕
　特定樹脂の重量平均分子量は、５，０００以上であり、８，０００以上であることが好ましく、１２，０００以上であることがより好ましく、１６，０００以上であることがさらに好ましく、２０，０００以上であることが特に好ましい。
　上記重量平均分子量の上限は特に限定されないが、例えば１００，０００以下であることが好ましく、９０，０００以下であることがより好ましく、７０，０００以下であることがさらに好ましく、５０，０００以下であることが特に好ましい。
　また、特定樹脂の数平均分子量は、２，５００以上であることが好ましく、４，０００以上であることがより好ましく、６，０００以上であることがさらに好ましい。
　上記数平均分子量の上限は特に限定されないが、例えば５０，０００以下であることが好ましく、４５，０００以下であることがより好ましく、３５，０００以下であることがさらに好ましい。
　特定樹脂の重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度は２．０以下であり、１．９以下であることが好ましく、１．８以下であることがより好ましい。
　上記分散度は特に限定されないが、１．５以上であることが好ましい。
　これらの中でも、破断伸びの観点からは、特定樹脂は、重量平均分子量が２０，０００～５０，０００であり、且つ、分散度が２．０以下であることが好ましく、重量平均分子量が２０，０００～５０，０００であり、且つ、分散度が１．７以下であることがより好ましい。
〔式（Ａ－１）〕
　第１の特定樹脂は、式（Ａ－１）で表される繰返し単位を含む。
　第２の特定樹脂は、式（Ａ－１）で表される繰返し単位を含んでもよい。
－Ｘ１－
　式（Ａ－１）中、Ｘ１の炭素数は、４以上であることが好ましく、４～５０であることがより好ましく、６～４０であることがさらに好ましい。
　式（Ａ－１）中、Ｘ１は下記式（２ａ）～式（２ｅ）で表される構造のいずれかであるか、又は、下記式（２ｆ）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む構造であることが好ましい。
　式（２ａ）～（２ｅ）中、＊１～＊４はそれぞれ、式（Ａ－１）中のカルボニル基との結合部位を表す。
　式（２ｃ）中、Ｌ１及びＬ２は２価の連結基である。
　式（２ｆ）中、ｎ１は０以上の整数である。
　式（２ｃ）中、Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立に、－ＣＨ２－又は－Ｏ－であることが好ましい。
　式（２ａ）～式（２ｅ）中におほんきさける水素原子は置換基により置換されていてもよいが、置換基としては、アルキル基、ハロゲン化アルキル基等が挙げられ、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、メチル基又はトリフルオロメチル基がより好ましい。ハロゲン化アルキル基とは、アルキル基の水素原子の少なくとも１つがハロゲン原子により置換された基をいう。ハロゲン原子としては、Ｆ又はＣｌが好ましく、Ｆがより好ましい。
　式（２ｆ）中、ｎ１は０～５の整数であることが好ましく、０～２であることがより好ましく、０又は１であることがさらに好ましい。
　Ｘ１が、式（２ｆ）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｘ１は下記式（２ｆ－１）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（Ａ－１）中のＸ１が結合する４つのカルボニル基との結合部位を表す。本明細書において、環構造の辺と交差する結合は、その環構造における水素原子のいずれかを置換することを意味している。また、ｎ１の定義及び好ましい態様は上述の通りである。下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　また、Ｘ１は式（Ｖ－１）～（Ｖ－３）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む構造であることも好ましい。
　式（Ｖ－２）中、ＲＸ１はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。
　式（Ｖ－３）中、ＲＸ２及びＲＸ３はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲＸ２とＲＸ３は結合して環構造を形成してもよい。
　式（Ｖ－２）中、ＲＸ１はそれぞれ独立に、アルキル基又はハロゲン化アルキル基であることが好ましく、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロゲン化アルキル基であることがより好ましく、メチル基又はトリフルオロメチル基が更に好ましい。ハロゲン化アルキル基とは、アルキル基の水素原子の少なくとも１つがハロゲン原子により置換された基をいう。ハロゲン原子としては、Ｆ又はＣｌが好ましく、Ｆがより好ましい。
　式（Ｖ－３）中、ＲＸ２及びＲＸ３はそれぞれ独立に、水素原子であることが好ましい。
　ＲＸ２とＲＸ３が結合して環構造を形成する場合、ＲＸ２とＲＸ３が結合して形成される構造は、単結合、－Ｏ－又は－Ｃ（Ｒ）２－であることが好ましく、－Ｏ－又は－Ｃ（Ｒ）２－であることがより好ましく、－Ｏ－であることが更に好ましい。Ｒは水素原子又は１価の有機基を表し、水素原子、アルキル基又はアリール基が好ましく、水素原子が更に好ましい。
　Ｘ１が、式（Ｖ－１）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｘ１は下記式（Ｖ－１－１）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（Ａ－１）中のＸ１が結合する４つのカルボニル基との結合部位を表す。また、下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　Ｘ１が、式（Ｖ－２）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｘ１は下記式（Ｖ－２－１）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（Ａ－１）中のＸ１が結合する４つのカルボニル基との結合部位を表す。また、ＲＸ１の定義及び好ましい態様は上述の通りである。また、これらの構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　Ｘ１が、式（Ｖ－３）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｘ１は下記式（Ｖ－３－１）又は式（Ｖ－３－２）で表される基であることが好ましく、硬化物の誘電率を低下させる等の観点からは、式（Ｖ－３－２）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（Ａ－１）中のＸ１が結合する４つのカルボニル基との結合部位を表す。また、ＲＸ２及びＲＸ３の定義及び好ましい態様は上述の通りである。また、これらの構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　その他、Ｘ１は特開２０２３－００３４２１号公報の段落００５５～００５７に記載のテトラカルボン酸二無水物から無水物基の除去後に残存するテトラカルボン酸残基であってもよい。
　また、Ｘ１は構造中にイミド結合を含まないことが好ましい。
　また、Ｘ１は構造中にウレタン結合、ウレア結合及びアミド結合を含まないことが好ましい。
　本発明において、ウレタン結合とは＊－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲＮ－＊で表される結合であり、ＲＮは水素原子又は１価の有機基を表し、＊はそれぞれ、炭素原子との結合部位を表す。ＲＮは水素原子又は炭化水素基が好ましく、水素原子又はアルキル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
　本発明において、ウレア結合とは、＊－ＮＲＮ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲＮ－＊で表される結合であり、ＲＮはそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、＊はそれぞれ、炭素原子との結合部位を表す。ＲＮの好ましい態様は上述の通りである。
　更に、Ｘ１は構造中にエステル結合を含まないことが好ましい。
　本発明において、エステル結合とは、＊－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－＊で表される結合である。
　これらの中でも、Ｘ１はイミド結合、ウレタン結合、ウレア結合及びアミド結合を含まないことが好ましく、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、アミド結合及びエステル結合を含まないことがより好ましい。
－Ｙ１－
　式（Ａ－１）中、Ｙ１は式（Ｙ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造を含む構造である。
　式（Ｙ－１）中、ＲＹ１はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基であることが好ましく、アルキル基又はハロゲン原子であることがより好ましく、メチル基又はトリフルオロメチル基であることがより好ましい。
　ＲＹ１におけるアルキル基の炭素数（置換基の炭素数は含まないものとする）としては、１～１０が好ましく、１～４がより好ましく、１又は２が更に好ましく、１が特に好ましい。
　上記アルキル基は直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
　上記アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
　ＲＹ１におけるアルコキシ基の炭素数（置換基の炭素数は含まないものとする）としては、１～１０が好ましく、１～４がより好ましく、１又は２が更に好ましく、１が特に好ましい。
　上記アルコキシ基の置換基としては、ハロゲン原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
　式（Ｙ－１）中、ｍ及びｎはそれぞれ独立に、０～２の整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましい。また、ｍ及びｎがいずれも０であるか、いずれも１であることが好ましい。
　式（Ｙ－１）で表される構造は、下記式（Ｙ－２）で表される構造であることが好ましく、式（Ｙ－３）で表される構造であることがより好ましい。
　式（Ｙ－２）中、ＲＹ１はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であり、ｍおよびｎはそれぞれ独立に、０～４の整数であり、＊はそれぞれ独立に、式（Ａ－１）中のＹ１と結合する窒素原子との結合部位を表す。
　式（Ｙ－３）中、ＲＹ１はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であり、＊はそれぞれ独立に、式（Ａ－１）中のＹ１と結合する窒素原子との結合部位を表す。
　式（Ｙ－２）中、ＲＹ１、ｍおよびｎの好ましい態様は、式（Ｙ－１）中のＲＹ１、ｍおよびｎの好ましい態様と同様である。
　式（Ｙ－３）中、ＲＹ１の好ましい態様は、式（Ｙ－１）中のＲＹ１の好ましい態様と同様である。
－Ａ１－
　式（Ａ－１）中、Ａ１はそれぞれ独立に、－Ｏ－又は－Ｓ－であることが好ましく、－Ｏ－であることがより好ましい。
　Ａ１が－ＮＲＮ－である場合のＲＺは水素原子又は１価の有機基を表し、水素原子が好ましい。
－ｎ－
　式（Ａ－１）中、ｎは１～５の整数が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。
－Ｌ１－
　式（Ａ－１）中、Ｌ１は炭化水素基、又は、炭化水素基と、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）２－、及び、－ＮＲＮ－からなる群より選ばれた少なくとも１種の基とが結合した基がより好ましく、炭化水素基がより好ましい。
　上記炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であってもよいし、芳香族炭化水素基であってもよく、これらの結合により表される基であってもよいが、脂肪族炭化水素基であることが好ましく、飽和脂肪族炭化水素基であることがより好ましい。
　上記脂肪族炭化水素基としては、炭素数２～２０の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数２～１０の脂肪族炭化水素基がより好ましく、炭素数２～６の脂肪族炭化水素基がさらに好ましい。
　上記芳香族炭化水素基としては、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が好ましく、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基がより好ましく、炭素数６の芳香族炭化水素基がさらに好ましい。
　上記炭化水素基における水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基等により置換されていてもよい。
　Ｌ１の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。下記構造中、＊は式（Ａ－１）中のＡ１との結合部位を表す。
－Ｒ１－
　式（Ａ－１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。
〔式（Ａ－２）〕
　第１の特定樹脂は、式（Ａ－２）で表される繰返し単位を含んでもよい。
　第２の特定樹脂は、式（Ａ－２）で表される繰返し単位を含む。
－Ｘ２－
　式（Ａ－２）中、Ｘ２の炭素数は、４以上であることが好ましく、４～５０であることがより好ましく、６～４０であることがさらに好ましい。
　式（Ａ－２）中、Ｘ２は式（ＸＹ－１）で表される構造から４つの水素原子を除いた構造であることが好ましい。
　Ｘ２が、式（ＸＹ－１）で表される構造から４つの水素原子を除いた構造である場合、Ｘ２は下記式（ＸＹ－１－１）で表される基であることが好ましく、式（ＸＹ－１－２）で表される基であることがより好ましい。下記式中、＊は式（Ａ－２）中のＸ２が結合する４つのカルボニル基との結合部位を表す。また、下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　Ｘ２が式（ＸＹ－１）で表される構造から４つの水素原子を除いた構造でない（すなわち、Ｙ２が式（ＸＹ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造である）場合、Ｘ２の好ましい態様は、上述の式（Ａ－１）中のＸ１の好ましい態様と同様である。ただし、これらの好ましい態様の説明における「式（Ａ－１）」なる記載は、「式（Ａ－２）」と読み替えるものとする。
－Ｙ２－
　式（Ａ－２）中、Ｙ２の炭素数は、４以上であることが好ましく、４～５０であることがより好ましく、６～４０であることがさらに好ましい。
　式（Ａ－２）中、Ｙ２は式（ＸＹ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造であることが好ましい。
　Ｙ２が、式（ＸＹ－１）で表される構造から４つの水素原子を除いた構造である場合、Ｙ２は下記式（ＸＹ－２－１）で表される基であることが好ましく、式（ＸＹ－２－２）で表される基であることがより好ましい。下記式中、＊は式（Ａ－２）中のＹ２が結合する窒素原子との結合部位を表す。また、下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　Ｙ２が式（ＸＹ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造でない（すなわち、Ｘ２が式（ＸＹ－１）で表される構造から４つの水素原子を除いた構造である）場合、Ｙ２は芳香族ジアミンに由来する構造であっても脂肪族ジアミンに由来する構造であってもよいし、他のジアミンに由来する構造であってもよい。
　芳香族ジアミンとは、ジアミンの２つのアミノ基がいずれも芳香環に連結基を介さずに単結合で結合した化合物をいう。
　芳香環としては、芳香族炭化水素環であっても芳香族複素環であってもよいが、芳香族炭化水素環であることが好ましい。芳香族炭化水素環の炭素数は、６～２０であることが好ましく、６～１０であることがより好ましく、６であることがさらに好ましい。
　Ｙ２が芳香族ジアミンに由来する構造である場合、Ｙ２は後述の式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）で表される構造であって、＊がいずれも式（Ａ－２）中のＹ２が結合する２つの窒素原子との結合部位であることが好ましい。
　脂肪族ジアミンとは、ジアミンの２つのアミノ基がいずれも脂肪族基に連結基を介さずに単結合で結合した化合物をいい、いずれも脂肪族環に連結基を介さずに単結合で結合した化合物であることが好ましい。
　脂肪族環としては、環員数が４～２０の脂肪族環が好ましく、４～１０の脂肪族環がより好ましい。
　また、脂肪族環としては、脂肪族炭化水素環であってもよいし、脂肪族複素環であってもよいが、脂肪族炭化水素環であることが好ましい。
　これらの中でも、脂肪族環としては、水素原子が置換されていてもよいシクロヘキサン環が好ましい。また、上記シクロヘキサン環としては、ｔｒａｎｓ－シクロヘキサン環が好ましい。
　Ｙ２が脂肪族ジアミンに由来する構造である場合、Ｙ２は後述の式（Ｃ－４）～（Ｃ－７）で表される構造であって、＊がいずれも式（Ａ－２）中のＹ２が結合する２つの窒素原子との結合部位であることが好ましい。
　式（Ａ－２）中、Ｙ２は式（Ｃ－１）～式（Ｃ－３）で表される構造を含む構造であることが好ましい。
　式（Ｃ－１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を表し、ｎ１は０～３の整数を表し、ｎ２は０～３の整数を表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（Ｃ－２）中、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または置換基を表し、ｎ１は０～３の整数を表し、ｎ２は０～３の整数を表し、Ｒ２はそれぞれ独立に、アルキル基またはフルオロアルキル基を表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（Ｃ－３）中、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または置換基を表し、ｎ１は０～３の整数を表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（Ｃ－１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に、アルキル基又はハロゲン化アルキル基が好ましく、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロゲン化アルキル基であることがより好ましく、メチル基又はトリフルオロメチル基が更に好ましい。ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子としては、Ｆ又はＣｌが好ましく、Ｆがより好ましい。
　式（Ｃ－１）中、ｎ１は０又は１が好ましく、１がより好ましい。
　式（Ｃ－１）中、ｎ２は０又は１が好ましく、１がより好ましい。
　式（Ｃ－２）中、Ｒ１、ｎ１及びｎ２の好ましい態様はそれぞれ、式（Ｃ－１）中の、Ｒ１、ｎ１及びｎ２の好ましい態様と同様である。
　式（Ｃ－２）中、Ｒ２はそれぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のフルオロアルキル基であることが好ましく、メチル基又はトリフルオロメチル基がより好ましい。
　式（Ｃ－３）中、Ｒ１及びｎ１の好ましい態様はそれぞれ、式（Ｃ－１）中の、Ｒ１及びｎ１の好ましい態様と同様である。
　式（Ｃ－１）～式（Ｃ－３）中、＊はいずれも式（Ａ－２）中のＹ２が結合する２つの窒素原子との結合部位であることが好ましい。
　また、Ｙ２が、式（Ｃ－１）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｙ２は下記式（Ｃ－１－２）又は式（Ｃ－１－３）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊はいずれも式（Ａ－２）中のＹ２が結合する２つの窒素原子との結合部位を表し、ｎ１は０～５の整数を表す。またｎ１が０である態様も、本発明の好ましい態様の一つである。また、下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。公知の置換基としては、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子等が挙げられる。
　また、Ｙ２が、式（Ｃ－２）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｙ２は下記式（Ｃ－２－３）又は式（Ｃ－２－４）で表される基であることが好ましく、硬化物の誘電率を低下させる等の観点からは、式（Ｃ－２－４）で表される基であることが好ましい。下記式中、ＬＸ１は単結合又は－Ｏ－を表し、＊はいずれも式（Ａ－２）中のＹ２が結合する２つの窒素原子との結合部位を表す。また、Ｒ２の定義及び好ましい態様は上述の通りである。また、これらの構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　式（Ａ－２）中、Ｙ２は式（Ｃ－４）～式（Ｃ－７）で表される構造を含む構造であることも好ましい。
　式（Ｃ－４）中、＊は他の構造との結合部位を表す。また、式（Ｃ－４）における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　式（Ｃ－５）中、＊は他の構造との結合部位を表す。また、下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　式（Ｃ－６）中、＊は他の構造との結合部位を表す。ＲＸ５はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を有してもよいアルキル基であり、アルキル基又はハロゲン化アルキル基であることが好ましく、－ＣＨ３又は－ＣＦ３であることがより好ましい。式（Ｃ－６）における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　式（Ｃ－７）中、＊は他の構造との結合部位を表す。また、式（Ｃ－７）における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。
　式（Ｃ－４）～式（Ｃ－７）中、＊はいずれも式（Ａ－２）中のＹ２が結合する２つの窒素原子との結合部位であることが好ましい。
　これらの中でも、Ｙ２は下記構造のいずれかであることが好ましい。下記構造中、＊は式（Ａ－２）中のＹ２が結合する２つの窒素原子との結合部位を表す。
　その他、Ｙ２は特開２０２３－００３４２１号公報の段落００４２～００５３に記載の構造であってもよい。
　また、Ｙ２は構造中にイミド構造を含まないことが好ましい。
　また、Ｙ２は構造中にウレタン結合、ウレア結合及びアミド結合を含まないことが好ましい。
　これらの中でも、Ｙ２はイミド結合、ウレタン結合、ウレア結合及びアミド結合を含まないことが好ましく、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、アミド結合及びエステル結合を含まないことがより好ましい。
－Ａ２、ｎ、Ｌ２及びＲ２－
　式（Ａ－２）中、Ａ２、ｎ、Ｌ２及びＲ２の好ましい態様は、式（Ａ－１）中のＡ１、ｎ、Ｌ１及びＲ１の好ましい態様と同様である。ただし、これらの好ましい態様の説明における「式（Ａ－１）」なる記載は、「式（Ａ－２）」と読み替えるものとする。
〔式（Ａ－３）で表される繰返し単位〕
　特定樹脂は、式（Ａ－３）で表される繰返し単位を更に含んでもよい。
　式（Ａ－３）で表される繰返し単位は、上述の式（Ａ－１）で表される繰返し単位、及び、式（Ａ－２）で表される繰返し単位のいずれにも該当しない繰返し単位である。
　式（Ａ－３）中、Ｘ３は４価の連結基を表し、Ｙ３は２価の連結基を表し、Ａ３はそれぞれ独立に、－Ｏ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、Ｒ３は水素原子又は１価の有機基を表す。
　式（Ａ－３）中、Ｘ３は上述の式（ＸＹ－１）で表される構造から４つの水素原子を除いた構造ではなく、Ｙ３は上述の式（Ｙ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造、及び、上述の式（ＸＹ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造のいずれでもない。
－Ｘ３－
　式（Ａ－３）中、Ｘ３の好ましい態様は、上述の式（Ａ－１）中のＸ１の好ましい態様と同様である。ただし、これらの好ましい態様の説明における「式（Ａ－１）」なる記載は、「式（Ａ－３）」と読み替えるものとする。
－Ｙ３－
　式（Ａ－３）中、Ｙ３の好ましい態様は、上述の式（Ａ－２）中のＹ２が式（ＸＹ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造でない場合の好ましい態様と同様である。ただし、これらの好ましい態様の説明における「式（Ａ－２）」なる記載は、「式（Ａ－３）」と読み替えるものとする。
－Ａ３－
　式（Ａ－３）中、Ａ３の好ましい態様は、上述の式（Ａ－１）中のＡ１の好ましい態様と同様である。ただし、これらの好ましい態様の説明における「式（Ａ－１）」なる記載は、「式（Ａ－３）」と読み替えるものとする。
－Ｒ３－
　式（Ａ－３）におけるＲ３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、芳香族基、又はポリアルキレンオキシ基を含むことが好ましい。また、Ｒ３の少なくとも一方が重合性基を含むことが好ましく、両方が重合性基を含むことがより好ましい。Ｒ３の少なくとも一方が２以上の重合性基を含むことも好ましい。重合性基としては、熱、ラジカル等の作用により、架橋反応することが可能な基であって、ラジカル重合性基が好ましい。重合性基の具体例としては、エチレン性不飽和結合を有する基、アルコキシメチル基、ヒドロキシメチル基、アシルオキシメチル基、エポキシ基、オキセタニル基、ベンゾオキサゾリル基、ブロックイソシアネート基、アミノ基が挙げられる。ポリイミド前駆体が有するラジカル重合性基としては、エチレン性不飽和結合を有する基が好ましい。
　エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、アリル基、イソアリル基、２－メチルアリル基、ビニル基と直接結合した芳香環を有する基（例えば、ビニルフェニル基など）、（メタ）アクリルアミド基、（メタ）アクリロイルオキシ基、下記式（ＩＩＩ）で表される基などが挙げられ、下記式（ＩＩＩ）で表される基が好ましい。
　式（ＩＩＩ）において、Ｒ２００は、水素原子、メチル基、エチル基又はメチロール基を表し、水素原子又はメチル基が好ましい。
　式（ＩＩＩ）において、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（ＩＩＩ）において、Ｒ２０１は、炭素数２～１２のアルキレン基、－ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２－、シクロアルキレン基又はポリアルキレンオキシ基を表す。
　好適なＲ２０１の例は、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、ドデカメチレン基等のアルキレン基、１，２－ブタンジイル基、１，３－ブタンジイル基、－ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２－、ポリアルキレンオキシ基が挙げられ、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基、－ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２－、シクロヘキシル基、ポリアルキレンオキシ基がより好ましく、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基、又はポリアルキレンオキシ基が更に好ましい。
　本発明において、ポリアルキレンオキシ基とは、アルキレンオキシ基が２以上直接結合した基をいう。ポリアルキレンオキシ基に含まれる複数のアルキレンオキシ基におけるアルキレン基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　ポリアルキレンオキシ基が、アルキレン基が異なる複数種のアルキレンオキシ基を含む場合、ポリアルキレンオキシ基におけるアルキレンオキシ基の配列は、ランダムな配列であってもよいし、ブロックを有する配列であってもよいし、交互等のパターンを有する配列であってもよい。
　上記アルキレン基の炭素数（アルキレン基が置換基を有する場合、置換基の炭素数を含む）は、２以上であることが好ましく、２～１０であることがより好ましく、２～６であることがより一層好ましく、２～５であることが更に好ましく、２～４であることが一層好ましく、２又は３であることがより更に好ましく、２であることが特に好ましい。
　また、上記アルキレン基は、置換基を有していてもよい。好ましい置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。
　また、ポリアルキレンオキシ基に含まれるアルキレンオキシ基の数（ポリアルキレンオキシ基の繰返し数）は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６が更に好ましい。
　ポリアルキレンオキシ基としては、溶剤溶解性及び耐溶剤性の観点からは、ポリエチレンオキシ基、ポリプロピレンオキシ基、ポリトリメチレンオキシ基、ポリテトラメチレンオキシ基、又は、複数のエチレンオキシ基と複数のプロピレンオキシ基とが結合した基が好ましく、ポリエチレンオキシ基又はポリプロピレンオキシ基がより好ましく、ポリエチレンオキシ基が更に好ましい。上記複数のエチレンオキシ基と複数のプロピレンオキシ基とが結合した基において、エチレンオキシ基とプロピレンオキシ基とはランダムに配列していてもよいし、ブロックを形成して配列していてもよいし、交互等のパターン状に配列していてもよい。これらの基におけるエチレンオキシ基等の繰返し数の好ましい態様は上述の通りである。
　式（Ａ－３）において、Ｒ３が水素原子である場合、ポリイミド前駆体はエチレン性不飽和結合を有する３級アミン化合物と対塩を形成していてもよい。このようなエチレン性不飽和結合を有する３級アミン化合物の例としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピルメタクリレートが挙げられる。
〔繰返し単位１－１〕
　第１の特定樹脂は、下記繰返し単位１－１を含むことが好ましい。
　第２の特定樹脂は、下記繰返し単位１－１を含んでもよい。
　繰返し単位１－１：式（Ａ－１）で表される繰返し単位であって、Ｘ１が下記式（２ａ）～式（２ｅ）で表される構造のいずれかであるか、又は、下記式（２ｆ）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
〔繰返し単位１－２〕
　第１の特定樹脂は、下記繰返し単位１－２を含むことが好ましい。また、第１の特定樹脂は、上述の繰返し単位１－１と、下記繰返し単位１－２とを含むことも好ましい。
　第２の特定樹脂は、下記繰返し単位１－２を含んでもよい。
　繰返し単位１－２：式（Ａ－１）で表される繰返し単位であって、Ｘ１が下記式（Ｖ－１）～（Ｖ－３）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
〔繰返し単位２－１〕
　第１の特定樹脂は、下記繰返し単位２－１を含んでもよい。
　第２の特定樹脂は、下記繰返し単位２－１を含むことが好ましい。
　繰返し単位２－１：式（Ａ－２）で表される繰返し単位であって、Ｘ２が下記式（２ａ）～式（２ｅ）で表される構造のいずれかであるか、又は下記式（２ｆ）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
〔繰返し単位２－２〕
　第１の特定樹脂は、下記繰返し単位２－２を含んでもよい。また、第２の特定樹脂は、上述の繰返し単位２－１と、下記繰返し単位２－２とを含むことも好ましい。
　第２の特定樹脂は、下記繰返し単位２－２を含むことが好ましい。
　繰返し単位２－２：式（Ａ－２）で表される繰返し単位であって、Ｘ２が下記式（Ｖ－１）～（Ｖ－３）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
〔繰返し単位の含有量〕
　第１の特定樹脂において、式（Ａ－１）で表される繰返し単位の含有量は、特定樹脂における全繰返し単位のモル量に対し、１０～１００モル％であることが好ましく、２０～１００モル％であることがより好ましく、３０～１００モル％であることが更に好ましい。
　ただし、後述のイミド化率が０％でない場合、式（Ａ－１）で表される繰返し単位に含まれる２つのアミック酸構造のうち、少なくとも一方がイミド化した構造の含有量は上述の式（Ａ－１）で表される繰返し単位の含有量に含まれる。これは、以下の繰返し単位の含有量について同様である。
　第１の特定樹脂において、繰返し単位１－１の含有量は、特定樹脂における全繰返し単位のモル量に対し、１０～９０モル％であることが好ましく、２０～８０モル％であることがより好ましく、３０～７０モル％であることが更に好ましい。
　第１の特定樹脂において、繰返し単位１－２の含有量は、特定樹脂における全繰返し単位のモル量に対し、１０～９０モル％であることが好ましく、２０～８０モル％であることがより好ましく、３０～７０モル％であることが更に好ましい。
　第２の特定樹脂において、式（Ａ－２）で表される繰返し単位の含有量は、特定樹脂における全繰返し単位のモル量に対し、１０～１００モル％であることが好ましく、２０～１００モル％であることがより好ましく、３０～１００モル％であることが更に好ましい。
　第２の特定樹脂において、繰返し単位２－１の含有量は、特定樹脂における全繰返し単位のモル量に対し、１０～９０モル％であることが好ましく、２０～８０モル％であることがより好ましく、３０～７０モル％であることが更に好ましい。
　第２の特定樹脂において、繰返し単位２－２の含有量は、特定樹脂における全繰返し単位のモル量に対し、１０～９０モル％であることが好ましく、２０～８０モル％であることがより好ましく、３０～７０モル％であることが更に好ましい。
　また、特定樹脂における、式（Ａ－１）で表される繰返し単位と、式（Ａ－２）で表される繰返し単位と、式（Ａ－３）で表される繰返し単位との合計モル量は、特定樹脂における全繰返し単位のモル量に対し７０モル％以上であることが好ましく、８０モル％以上であることがより好ましく、９０モル％以上であることが更に好ましく、９５モル％以上であることが一層好ましく、９９モル％以上であることが特に好ましい。上記含有量の上限は特に限定されず、１００モル％であってもよい。
〔ブロック〕
　第１の特定樹脂は、式（Ａ－１）で表される繰返し単位により形成されるブロックを含むことも好ましい。
　上記態様において、第１の特定樹脂は、式（Ａ－１）で表される繰返し単位により形成されるブロックと、式（Ａ－３）で表される繰返し単位により形成されるブロックとを含むことも好ましい。
　また、上記態様において、第１の特定樹脂は、式（Ａ－１）で表される繰返し単位により形成されるブロックと、式（Ａ－２）で表される繰返し単位により形成されるブロックとを含むことも好ましい。本態様において、更に式（Ａ－３）で表される繰返し単位により形成されるブロックを含んでもよい。
　本発明において、ブロックとは、同一の単量体からなる繰返し単位の連続により形成される分子鎖をいう。ブロックは、同一の単量体からなる繰返し単位の４以上の連続により形成される分子鎖であることが好ましく、６以上の連続により形成される分子鎖であることがより好ましく、８以上の連続により形成される分子鎖であることがさらに好ましい。上記連続数の上限は特に限定されないが、例えば３０以下とすることができる。
　例えば、後述のイミド化率が０％でない場合、「式（Ａ－１）で表される繰返し単位により形成されるブロック」には、式（Ａ－１）で表される繰返し単位に含まれる２つのアミック酸構造のうち、少なくとも一方がイミド化した構造が含まれていてもよい。上記少なくとも一方がイミド化した構造は、式（Ａ－１）で表される繰返し単位と同一の単量体からなる繰返し単位である。
　また、第１の特定樹脂は、式（Ａ－１）で表される繰返し単位により形成されるブロックと、式（Ａ－３）で表される繰返し単位により形成されるブロックとを合計で３種以上含むことも好ましい。
　第２の特定樹脂は、式（Ａ－２）で表される繰返し単位により形成されるブロックを含むことも好ましい。
　上記態様において、第１の特定樹脂は、式（Ａ－２）で表される繰返し単位により形成されるブロックと、式（Ａ－３）で表される繰返し単位により形成されるブロックとを含むことも好ましい。
　また、第２の特定樹脂は、式（Ａ－２）で表される繰返し単位により形成されるブロックと、式（Ａ－３）で表される繰返し単位により形成されるブロックとを合計で３種以上含むことも好ましい。
〔イミド化率〕
　特定樹脂のイミド化率は、得られる有機膜の膜強度、絶縁性等の観点からは、７０％未満であることが好ましく、６０％以下であることがより好ましく、５０％以下であることが更に好ましく、４０％以下であることが一層好ましく、３０％以下であることが特に好ましい。
　上記イミド化率の下限は特に限定されず、０％以上であればよい。
　本発明において、イミド化率とは以下の方法により算出される値である。
　樹脂をγ－ブチロラクトンに溶解させ、粘度が２，０００ｍＰａ・ｓになるよう希釈し、スピンコート法でシリコンウエハ上に適用して樹脂層を形成する。γ－ブチロラクトンに対する樹脂の溶解性が低い等の理由により、樹脂層が形成できない場合には溶剤を他の溶剤に変更してもよい。他の溶剤としては、樹脂組成物に含まれる溶剤を使用することもでき、例えば、ＮＭＰが挙げられる。また、粘度については調整できる範囲で適宜変更してもよい。得られた樹脂層を適用したシリコンウエハをホットプレート上で、１１０℃で５分間乾燥し、シリコンウエハ上に製膜後の膜厚が約１５μｍの均一な厚さの樹脂層を得る。ここで、粘度が小さい樹脂溶液しか得られず、膜厚が１５μｍである樹脂層が得られにくいなどの事情がある場合には、膜厚は適宜変更してもよい。例えば膜厚が５μｍ以上であれば、イミド化率の値としては同程度の値が得られる。
　上記樹脂層をNicoletiS20(Thermofisher社製)でＡＴＲ法にて測定し、測定範囲４０００～７００ｃｍ－１、測定回数５０回で測定を行う。１３８０ｃｍ－１付近（１３５０～１４５０ｃｍ－１、複数ピークがある場合はピーク強度が最大のもの）のピーク高さと１５００ｃｍ－１付近（１４６０～１５５０ｃｍ－１、複数ピークがある場合はピーク強度が最大のもの）のピーク高さで割った値を樹脂のイミド化指数Ａとし、窒素雰囲気下で１０℃／分の昇温速度で昇温し３５０℃で１時間加熱した膜について、同様の方法でイミド化指数Ｂを算出し、イミド化指数Ａをイミド化指数Ｂで割った値を樹脂のイミド化率として算出する。
　イミド化率の測定において、組成物からイミド化率を測定する樹脂を、例えば以下の方法で取得することができる。組成物１ｇとテトラヒドロフラン２ｇの溶液をメタノールまたは水５０ｇに添加して晶析させ、樹脂を析出させ、ろ過する。ろ物を回収し、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）３．０ｇに溶解し、これをメタノールまたは水５０ｇに添加して晶析させ、ろ過し、４０℃で２０時間乾燥させて樹脂を得る。
〔特定樹脂の製造方法〕
　特定樹脂は、例えば、下記のポリイミド前駆体の合成方法により製造されることが好ましい。ただし、特定樹脂の製造方法はこれに限定されるものではなく、他の公知の方法で合成したものを特定樹脂として使用してもよい。
　カルボン酸二無水物又はこれに由来する化合物と、ジアミンとをアミド化してポリアミドを得ること、上記ポリアミドの溶液に、上記ポリアミドの貧溶媒を追加して得られる沈殿物１を回収すること、並びに、記沈殿物１を再溶解した溶液を上記ポリアミドの貧溶媒に追加して得られる沈殿物２を上記ポリイミド前駆体として回収すること、を含むポリイミド前駆体の合成方法。
－ポリアミド合成工程－
　上記合成方法は、カルボン酸二無水物又はこれに由来する化合物と、ジアミンとをアミド化してポリアミドを得ること（以下、「ポリアミド合成工程」ともいう。）を含む。
　カルボン酸二無水物に由来する化合物としては、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとにより得られたジエステル、上記ジエステルを酸ハロゲン化した化合物等が挙げられる。
　ポリアミド合成工程は、例えば、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させてポリアミック酸を得、縮合剤又はアルキル化剤を用いてエステル化する方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得て、その後ジアミンと縮合剤の存在下で反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸をハロゲン化剤を用いて酸ハロゲン化し、ジアミンと反応させる方法、などの方法を利用して得ることができる。上記製造方法のうち、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得て、その後ジアミンと縮合剤の存在下で反応させる方法、又は、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸をハロゲン化剤を用いて酸ハロゲン化し、ジアミンと反応させる方法がより好ましい。
　また、これらの反応において、ジアミンの使用量、反応温度、反応時間等を適宜調整することにより、最終的に得られるポリイミド前駆体の重量平均分子量及び数平均分子量（すなわち、繰返し数）を調整することができる。
　第１の特定樹脂を合成する場合、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得て、その後ジアミンと縮合剤の存在下で反応させる方法、又は、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸をハロゲン化剤を用いて酸ハロゲン化し、ジアミンと反応させる方法において、ジエステルは下記式（ＤＥ－１）で表される化合物であることが好ましく、ジアミンは下記式（ＤＡ－１）で表される化合物であることが好ましい。また、（ＤＥ－２）で表されるジエステル及び（ＤＡ－２）で表されるジアミンを更に用いてもよく、（ＤＥ－３）で表されるジエステル及び（ＤＡ－３）で表されるジアミンを更に用いてもよい。
　また、式（ＤＥ－１）で表されるジエステル、式（ＤＥ－２）で表されるジエステル、式（ＤＥ－３）で表されるジエステル、式（ＤＡ－１）で表されるジアミン、式（ＤＡ－２）で表されるジアミン及び式（ＤＡ－３）で表されるジアミンは、それぞれ複数種を用いてもよい。
　第２の特定樹脂を合成する場合、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得て、その後ジアミンと縮合剤の存在下で反応させる方法、又は、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸をハロゲン化剤を用いて酸ハロゲン化し、ジアミンと反応させる方法において、ジエステルは下記式（ＤＥ－２）で表される化合物であることが好ましく、ジアミンは下記式（ＤＡ－２）で表される化合物であることが好ましい。また、（ＤＥ－１）で表されるジエステル及び（ＤＡ－１）で表されるジアミンを更に用いてもよく、（ＤＥ－３）で表されるジエステル及び（ＤＡ－３）で表されるジアミンを更に用いてもよい。
　また、式（ＤＥ－１）で表されるジエステル、式（ＤＥ－２）で表されるジエステル、式（ＤＥ－３）で表されるジエステル、式（ＤＡ－１）で表されるジアミン、式（ＤＡ－２）で表されるジアミン及び式（ＤＡ－３）で表されるジアミンは、それぞれ複数種を用いてもよい。
　式（ＤＥ－１）又は式（ＤＡ－１）中、Ｘ１、Ｙ１、Ａ１、ｎ、Ｌ１、Ｒ１はそれぞれ、式（Ａ－１）中のＸ１、Ｙ１、Ａ１、ｎ、Ｌ１、Ｒ１と同義である。
　式（ＤＥ－２）又は式（ＤＡ－２）中、Ｘ２、Ｙ２、Ａ２、ｎ、Ｌ２、Ｒ２はそれぞれ、式（Ａ－２）中のＸ２、Ｙ２、Ａ２、ｎ、Ｌ２、Ｒ２と同義である。
　式（ＤＥ－３）又は式（ＤＡ－３）中、Ｘ３、Ｙ３、Ａ３、Ｒ３はそれぞれ、式（Ａ－３）中のＸ３、Ｙ３、Ａ３、Ｒ３と同義である。
　上記縮合剤としては、例えばジシクロヘキシルカルボジイミド、ジイソプロピルカルボジイミド、１－エトキシカルボニル－２－エトキシ－１，２－ジヒドロキノリン、１，１－カルボニルジオキシ－ジ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、Ｎ，Ｎ’－ジスクシンイミジルカーボネート、無水トリフルオロ酢酸等が挙げられる。
　上記アルキル化剤としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドジメチルアセタール、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドジエチルアセタール、Ｎ，Ｎ－ジアルキルホルムアミドジアルキルアセタール、オルトギ酸トリメチル、オルトギ酸トリエチル等が挙げられる。
　上記ハロゲン化剤としては、塩化チオニル、塩化オキサリル、オキシ塩化リン等が挙げられる。
　ポリアミド合成工程では、反応に際し、有機溶剤を用いることが好ましい。有機溶剤は１種でもよいし、２種以上でもよい。
　有機溶剤としては、原料に応じて適宜定めることができるが、ピリジン、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－エチルピロリドン、プロピオン酸エチル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、γ－ブチロラクトン等が例示される。
　ポリアミド合成工程では、反応に際し、塩基性化合物を添加することが好ましい。塩基性化合物は１種でもよいし、２種以上でもよい。
　塩基性化合物は、原料に応じて適宜定めることができるが、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン等が例示される。
　ポリアミド合成工程に際し、保存安定性をより向上させるため、ポリアミドの樹脂末端に残存するカルボン酸無水物、酸無水物誘導体、或いは、アミノ基を封止することも好ましい。樹脂末端に残存するカルボン酸無水物、及び酸無水物誘導体を封止する際、末端封止剤としては、モノアルコール、フェノール、チオール、チオフェノール、モノアミン等が挙げられ、反応性、膜の安定性から、モノアルコール、フェノール類やモノアミンを用いることがより好ましい。モノアルコールの好ましい化合物としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、ドデシノール、ベンジルアルコール、２－フェニルエタノール、２－メトキシエタノール、２－クロロメタノール、フルフリルアルコール等の１級アルコール、イソプロパノール、２－ブタノール、シクロヘキシルアルコール、シクロペンタノール、１－メトキシ－２－プロパノール等の２級アルコール、ｔ－ブチルアルコール、アダマンタンアルコール等の３級アルコールが挙げられる。フェノール類の好ましい化合物としては、フェノール、メトキシフェノール、メチルフェノール、ナフタレン－１－オール、ナフタレン－２－オール、ヒドロキシスチレン等のフェノール類などが挙げられる。また、モノアミンの好ましい化合物としては、アニリン、２－エチニルアニリン、３－エチニルアニリン、４－エチニルアニリン、５－アミノ－８－ヒドロキシキノリン、１－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－４－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－カルボキシ－７－アミノナフタレン、１－カルボキシ－６－アミノナフタレン、１－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－カルボキシ－７－アミノナフタレン、２－カルボキシ－６－アミノナフタレン、２－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－アミノ安息香酸、３－アミノ安息香酸、４－アミノ安息香酸、４－アミノサリチル酸、５－アミノサリチル酸、６－アミノサリチル酸、２－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノベンゼンスルホン酸、４－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノ－４，６－ジヒドロキシピリミジン、２－アミノフェノール、３－アミノフェノール、４－アミノフェノール、２－アミノチオフェノール、３－アミノチオフェノール、４－アミノチオフェノールなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよく、複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入してもよい。
　また、樹脂末端のアミノ基を封止する際、アミノ基と反応可能な官能基を有する化合物で封止することが可能である。アミノ基に対する好ましい封止剤は、カルボン酸無水物、カルボン酸クロリド、カルボン酸ブロミド、スルホン酸クロリド、無水スルホン酸、スルホン酸カルボン酸無水物などが好ましく、カルボン酸無水物、カルボン酸クロリドがより好ましい。カルボン酸無水物の好ましい化合物としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水シュウ酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水安息香酸、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物などが挙げられる。また、カルボン酸クロリドの好ましい化合物としては、塩化アセチル、アクリル酸クロリド、プロピオニルクロリド、メタクリル酸クロリド、ピバロイルクロリド、シクロヘキサンカルボニルクロリド、２－エチルヘキサノイルクロリド、シンナモイルクロリド、１－アダマンタンカルボニルクロリド、ヘプタフルオロブチリルクロリド、ステアリン酸クロリド、ベンゾイルクロリド、などが挙げられる。
　また、ポリアミド合成工程に際し、固体を析出する工程を含んでいてもよい。具体的には、反応液中に共存している脱水縮合剤の吸水副生物を必要に応じて濾別した後、水、脂肪族低級アルコール、又はその混合液等の貧溶媒に、得られた重合体成分を投入し、重合体成分を析出させることで、固体として析出させ、乾燥させることで粉末状の樹脂を得ることができる。
－第１の再沈工程－
　上記合成方法は、上記ポリアミドの溶液に、上記ポリアミドの貧溶媒を追加して得られる沈殿物１を回収すること（第１の再沈工程）を含む。
　上記ポリアミドの溶液は、例えば、上記ポリアミド合成工程に際して得られた粉末状の特定樹脂を溶剤に溶解することにより得ることができる。
　上記溶剤としては、後述の本発明の樹脂組成物が含有してもよい溶剤と同様の溶剤が挙げられ、好ましい態様も同様である。
　また、上記貧溶媒としては、水、脂肪族低級アルコール、又はその混合液等が挙げられる。
　貧溶媒の追加方法としては、貧溶媒を上記ポリアミドの溶液に滴下する方法が好ましく挙げられる。
　回収方法としては特に限定されず、ろ過等の方法を用いることができる。
－第２の再沈工程－
　上記合成方法は、上記沈殿物１を再溶解した溶液を上記ポリアミドの貧溶媒に追加して得られる沈殿物２を上記ポリイミド前駆体として回収すること（第２の再沈工程）を含む。
　上記沈殿物１を再溶解した溶液における溶剤としては、後述の本発明の樹脂組成物が含有してもよい溶剤と同様の溶剤が挙げられ、好ましい態様も同様である。
　また、上記貧溶媒としては、水、脂肪族低級アルコール、又はその混合液等が挙げられる。
　上記沈殿物１を再溶解した溶液の追加方法としては、容器溶液を貧溶媒に滴下する方法が好ましく挙げられる。
　回収方法としては特に限定されず、ろ過等の方法を用いることができる。
　また、回収されたポリイミド前駆体を乾燥させることで粉末状の特定樹脂を得ることもできる。
　また、ポリアミド合成工程、第１の最沈工程、第２の最沈工程のいずれかにおいて、イオン交換樹脂を用いてイオン性不純物を除去することを含んでいてもよい。
〔含有量〕
　本発明の樹脂組成物における特定樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、４０質量％以上であることが更に好ましく、５０質量％以上であることが一層好ましい。また、本発明の樹脂組成物における樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、９９．５質量％以下であることが好ましく、９９質量％以下であることがより好ましく、９８質量％以下であることが更に好ましく、９７質量％以下であることが一層好ましく、９５質量％以下であることがより一層好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、特定樹脂を１種のみ含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。２種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、少なくとも２種の樹脂を含むことも好ましい。
　具体的には、本発明の樹脂組成物は、特定樹脂と、後述する他の樹脂とを合計で２種以上含んでもよいし、特定樹脂を２種以上含んでいてもよいが、特定樹脂を２種以上含むことが好ましい。
　本発明の樹脂組成物が特定樹脂を２種以上含む場合、例えば、ポリイミド前駆体であって、二無水物由来の構造が異なる２種以上のポリイミド前駆体を含むことが好ましい。
＜他の樹脂＞
　本発明の樹脂組成物は、上述した特定樹脂と、特定樹脂とは異なる他の樹脂（以下、単に「他の樹脂」ともいう）とを含んでもよい。
　他の樹脂としては、フェノール樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂、ポリシロキサン、シロキサン構造を含む樹脂、（メタ）アクリル樹脂、（メタ）アクリルアミド樹脂、ウレタン樹脂、ブチラール樹脂、スチリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。
　例えば、（メタ）アクリル樹脂を更に加えることにより、塗布性に優れた樹脂組成物が得られ、また、耐溶剤性に優れたパターン（硬化物）が得られる。
　例えば、後述する重合性化合物に代えて、又は、後述する重合性化合物に加えて、重量平均分子量が２０，０００以下の重合性基価の高い（例えば、樹脂１ｇにおける重合性基の含有モル量が１×１０－３モル／ｇ以上である）（メタ）アクリル樹脂を樹脂組成物に添加することにより、樹脂組成物の塗布性、パターン（硬化物）の耐溶剤性等を向上させることができる。
　本発明の樹脂組成物が他の樹脂を含む場合、他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、１質量％以上であることが更に好ましく、２質量％以上であることが一層好ましく、５質量％以上であることがより一層好ましく、１０質量％以上であることが更に一層好ましい。
　本発明の樹脂組成物が他の樹脂を含む場合、他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、８０質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、７０質量％以下であることが更に好ましく、６０質量％以下であることが一層好ましく、５０質量％以下であることがより一層好ましい。
　本発明の樹脂組成物の好ましい一態様として、他の樹脂の含有量が低含有量である態様とすることもできる。上記態様において、他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、２０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが更に好ましく、５質量％以下であることが一層好ましく、１質量％以下であることがより一層好ましい。上記含有量の下限は特に限定されず、０質量％以上であればよい。
　本発明の樹脂組成物は、他の樹脂を１種のみ含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。２種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、重合開始剤及び重合性化合物を更に含むことが好ましい。
　以下、それぞれについて説明する。
＜重合性化合物＞
　本発明の樹脂組成物は、重合性化合物を含むことが好ましい。
　重合性化合物としては、ラジカル架橋剤、又は、他の架橋剤が挙げられる。
〔ラジカル架橋剤〕
　本発明の樹脂組成物は、ラジカル架橋剤を含むことが好ましい。
　ラジカル架橋剤は、ラジカル重合性基を有する化合物である。ラジカル重合性基としては、エチレン性不飽和結合を含む基が好ましい。上記エチレン性不飽和結合を含む基としては、ビニル基、アリル基、ビニルフェニル基、（メタ）アクリロイル基、マレイミド基、（メタ）アクリルアミド基などが挙げられる。
　これらの中でも、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基、ビニルフェニル基が好ましく、反応性の観点からは、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。
　ラジカル架橋剤は、エチレン性不飽和結合を１個以上有する化合物であることが好ましいが、２個以上有する化合物であることがより好ましい。ラジカル架橋剤は、エチレン性不飽和結合を３個以上有していてもよい。
　上記エチレン性不飽和結合を２個以上有する化合物としては、エチレン性不飽和結合を２～１５個有する化合物が好ましく、エチレン性不飽和結合を２～１０個有する化合物がより好ましく、２～６個有する化合物が更に好ましい。
　得られるパターン（硬化物）の膜強度の観点からは、本発明の樹脂組成物は、エチレン性不飽和結合を２個有する化合物と、上記エチレン性不飽和結合を３個以上有する化合物とを含むことも好ましい。
　ラジカル架橋剤の分子量は、２，０００以下が好ましく、１，５００以下がより好ましく、９００以下が更に好ましい。ラジカル架橋剤の分子量の下限は、１００以上が好ましい。
　ラジカル架橋剤の具体例としては、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など）やそのエステル類、アミド類が挙げられ、好ましくは、不飽和カルボン酸と多価アルコール化合物とのエステル、及び不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミド類である。また、ヒドロキシ基やアミノ基、スルファニル基等の求核性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル又はアミド類と、単官能若しくは多官能イソシアネート類又はエポキシ類との付加反応物や、単官能若しくは多官能のカルボン酸との脱水縮合反応物等も好適に使用される。また、イソシアネート基やエポキシ基等の親電子性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル又はアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との付加反応物、更に、ハロゲノ基やトシルオキシ基等の脱離性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル又はアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との置換反応物も好適である。また、別の例として、上記の不飽和カルボン酸の代わりに、不飽和ホスホン酸、スチレン等のビニルベンゼン誘導体、ビニルエーテル、アリルエーテル等に置き換えた化合物群を使用することも可能である。具体例としては、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０１１３～０１２２の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　ラジカル架橋剤は、常圧下で１００℃以上の沸点を持つ化合物も好ましい。常圧下で１００℃以上の沸点を持つ化合物としては、国際公開第２０２１／１１２１８９号公報の段落０２０３に記載の化合物等が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。
　上述以外の好ましいラジカル架橋剤としては、国際公開第２０２１／１１２１８９号公報の段落０２０４～０２０８に記載のラジカル重合性化合物等が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。
　ラジカル架橋剤としては、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３３０（日本化薬（株）製））、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３２０（日本化薬（株）製）、Ａ－ＴＭＭＴ（新中村化学工業（株）製））、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３１０（日本化薬（株）製））、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ（日本化薬（株）製）、Ａ－ＤＰＨ（新中村化学工業社製））、及びこれらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール残基又はプロピレングリコール残基を介して結合している構造が好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。
　ラジカル架橋剤の市販品としては、例えばエチレンオキシ鎖を４個有する４官能アクリレートであるＳＲ－４９４、エチレンオキシ鎖を４個有する２官能メタクリレートであるＳＲ－２０９、２３１、２３９（以上、サートマー社製）、ペンチレンオキシ鎖を６個有する６官能アクリレートであるＤＰＣＡ－６０、イソブチレンオキシ鎖を３個有する３官能アクリレートであるＴＰＡ－３３０（以上、日本化薬（株）製）、ウレタンオリゴマーであるＵＡＳ－１０、ＵＡＢ－１４０（以上、日本製紙社製）、ＮＫエステルＭ－４０Ｇ、ＮＫエステル４Ｇ、ＮＫエステルＭ－９３００、ＮＫエステルＡ－９３００、ＵＡ－７２００（以上、新中村化学工業社製）、ＤＰＨＡ－４０Ｈ（日本化薬（株）製）、ＵＡ－３０６Ｈ、ＵＡ－３０６Ｔ、ＵＡ－３０６Ｉ、ＡＨ－６００、Ｔ－６００、ＡＩ－６００（以上、共栄社化学社製）、ブレンマーＰＭＥ４００（日油（株）製）などが挙げられる。
　ラジカル架橋剤としては、特公昭４８－０４１７０８号公報、特開昭５１－０３７１９３号公報、特公平０２－０３２２９３号公報、特公平０２－０１６７６５号公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭５８－０４９８６０号公報、特公昭５６－０１７６５４号公報、特公昭６２－０３９４１７号公報、特公昭６２－０３９４１８号公報に記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。ラジカル架橋剤として、特開昭６３－２７７６５３号公報、特開昭６３－２６０９０９号公報、特開平０１－１０５２３８号公報に記載される、分子内にアミノ構造やスルフィド構造を有する化合物を用いることもできる。
　ラジカル架橋剤は、カルボキシ基、リン酸基等の酸基を有するラジカル架橋剤であってもよい。酸基を有するラジカル架橋剤は、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルが好ましく、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシ基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせたラジカル架橋剤がより好ましい。特に好ましくは、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシ基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせたラジカル架橋剤において、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトール又はジペンタエリスリトールである化合物である。市販品としては、例えば、東亞合成（株）製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーとして、Ｍ－５１０、Ｍ－５２０などが挙げられる。
　酸基を有するラジカル架橋剤の酸価は、０．１～３００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、１～１００ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましい。ラジカル架橋剤の酸価が上記範囲であれば、製造上の取扱性に優れ、現像性に優れる。また、重合性が良好である。上記酸価は、ＪＩＳ　Ｋ　００７０：１９９２の記載に準拠して測定される。
　ラジカル架橋剤としては、ウレア結合、及び、ウレタン結合からなる群より選ばれた少なくとも一方を有するラジカル架橋剤（以下、「架橋剤Ｕ」ともいう。）も好ましい。
　架橋剤Ｕとしては、国際公開第２０２３／１９００６４号の段落０１３３～０１４３に記載の化合物が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。
　樹脂組成物は、パターンの解像性と膜の伸縮性の観点から、２官能のメタアクリレート又はアクリレートを用いることが好ましい。
　具体的な化合物としては、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）２００ジアクリレート、ＰＥＧ２００ジメタクリレート、ＰＥＧ６００ジアクリレート、ＰＥＧ６００ジメタクリレート、ポリテトラエチレングリコールジアクリレート、ポリテトラエチレングリコールジメタクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、３－メチル-１，５－ペンタンジオールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート、ジメチロール－トリシクロデカンジアクリレート、ジメチロール－トリシクロデカンジメタクリレート、ビスフェノールＡのＥＯ（エチレンオキシド）付加物ジアクリレート、ビスフェノールＡのＥＯ付加物ジメタクリレート、ビスフェノールＡのＰＯ（プロピレンオキシド）付加物ジアクリレート、ビスフェノールＡのＰＯ付加物ジメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－アクリロイロキシプロピルメタクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジメタクリレート、その他ウレタン結合を有する２官能アクリレート、ウレタン結合を有する２官能メタクリレートを使用することができる。これらは必要に応じ、２種以上を混合し使用することができる。
　なお、例えばＰＥＧ２００ジアクリレートとは、ポリエチレングリコールジアクリレートであって、ポリエチレングリコール鎖の式量が２００程度のものをいう。
　本発明の樹脂組成物は、パターン（硬化物）の反り抑制の観点から、ラジカル架橋剤として、単官能ラジカル架橋剤を好ましく用いることができる。単官能ラジカル架橋剤としては、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、カルビトール（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、グリシジル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸誘導体、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のＮ－ビニル化合物類、アリルグリシジルエーテル等が好ましく用いられる。単官能ラジカル架橋剤としては、露光前の揮発を抑制するため、常圧下で１００℃以上の沸点を持つ化合物も好ましい。
　その他、２官能以上のラジカル架橋剤としては、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート等のアリル化合物類が挙げられる。
　ラジカル架橋剤を含有する場合、ラジカル架橋剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０質量％超６０質量％以下であることが好ましい。下限は５質量％以上がより好ましい。上限は、５０質量％以下であることがより好ましく、３０質量％以下であることが更に好ましい。
　ラジカル架橋剤は１種を単独で用いてもよいが、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を併用する場合にはその合計量が上記の範囲となることが好ましい。
〔他の架橋剤〕
　本発明の樹脂組成物は、上述したラジカル架橋剤とは異なる、他の架橋剤を含むことも好ましい。
　他の架橋剤とは、上述したラジカル架橋剤以外の架橋剤をいい、上述の光酸発生剤、又は、光塩基発生剤の感光により、組成物中の他の化合物又はその反応生成物との間で共有結合を形成する反応が促進される基を分子内に複数個有する化合物であることが好ましく、組成物中の他の化合物又はその反応生成物との間で共有結合を形成する反応が酸又は塩基の作用によって促進される基を分子内に複数個有する化合物がより好ましい。
　上記酸又は塩基は、露光工程において、光酸発生剤又は光塩基発生剤から発生する酸又は塩基であることが好ましい。
　他の架橋剤としては、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落０１７９～０２０７に記載の化合物が挙げられる。上記記載は本明細書に組み込まれる。
〔重合開始剤〕
　本発明の樹脂組成物は、重合開始剤を含むことが好ましい。
　重合開始剤は熱重合開始剤であっても光重合開始剤であってもよいが、特に光重合開始剤を含むことが好ましい。
　光重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤であることが好ましい。光ラジカル重合開始剤としては、特に制限はなく、公知の光ラジカル重合開始剤の中から適宜選択することができる。例えば、紫外線領域から可視領域の光線に対して感光性を有する光ラジカル重合開始剤が好ましい。また、光励起された増感剤と作用し、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよい。
　光ラジカル重合開始剤は、波長約２４０～８００ｎｍ（好ましくは３３０～５００ｎｍ）の範囲内で少なくとも約５０Ｌ・ｍｏｌ－１・ｃｍ－１のモル吸光係数を有する化合物を、少なくとも１種含有していることが好ましい。化合物のモル吸光係数は、公知の方法を用いて測定することができる。例えば、紫外可視分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製Ｃａｒｙ－５　ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）にて、酢酸エチル溶剤を用い、０．０１ｇ／Ｌの濃度で測定することが好ましい。
　光ラジカル重合開始剤としては、公知の化合物を任意に使用できる。例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有する化合物、オキサジアゾール骨格を有する化合物、トリハロメチル基を有する化合物など）、アシルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体等のオキシム化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、ケトオキシムエーテル、アミノアセトフェノンなどのα－アミノケトン化合物、ヒドロキシアセトフェノンなどのα－ヒドロキシケトン化合物、アゾ系化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、有機ホウ素化合物、鉄アレーン錯体などが挙げられる。これらの詳細については、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０１６５～０１８２、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１３８～０１５１の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。また、特開２０１４－１３０１７３号公報の段落００６５～０１１１、特許第６３０１４８９号公報に記載された化合物、ＭＡＴＥＲＩＡＬ　ＳＴＡＧＥ　３７～６０ｐ，ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．３，２０１９に記載されたパーオキサイド系光重合開始剤、国際公開第２０１８／２２１１７７号に記載の光重合開始剤、国際公開第２０１８／１１０１７９号に記載の光重合開始剤、特開２０１９－０４３８６４号公報に記載の光重合開始剤、特開２０１９－０４４０３０号公報に記載の光重合開始剤、特開２０１９－１６７３１３号公報に記載の過酸化物系開始剤が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　ケトン化合物としては、例えば、特開２０１５－０８７６１１号公報の段落００８７に記載の化合物が例示され、この内容は本明細書に組み込まれる。市販品では、カヤキュア－ＤＥＴＸ－Ｓ（日本化薬（株）製）も好適に用いられる。
　本発明の一実施態様において、光ラジカル重合開始剤としては、ヒドロキシアセトフェノン化合物、アミノアセトフェノン化合物、及び、アシルホスフィン化合物を好適に用いることができる。より具体的には、例えば、特開平１０－２９１９６９号公報に記載のアミノアセトフェノン系開始剤、特許第４２２５８９８号に記載のアシルホスフィンオキシド系開始剤を用いることができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　α－ヒドロキシケトン系開始剤としては、Ｏｍｎｉｒａｄ　１８４、Ｏｍｎｉｒａｄ　１１７３、Ｏｍｎｉｒａｄ　２９５９、Ｏｍｎｉｒａｄ　１２７（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　１８４（ＩＲＧＡＣＵＲＥは登録商標）、ＤＡＲＯＣＵＲ　１１７３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　５００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－２９５９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　１２７（以上、ＢＡＳＦ社製）を用いることができる。
　α－アミノケトン系開始剤としては、Ｏｍｎｉｒａｄ　９０７、Ｏｍｎｉｒａｄ　３６９、Ｏｍｎｉｒａｄ　３６９Ｅ、Ｏｍｎｉｒａｄ　３７９ＥＧ（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　３６９、及び、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　３７９（以上、ＢＡＳＦ社製）を用いることができる。
　アミノアセトフェノン系開始剤、アシルホスフィンオキシド系開始剤、メタロセン化合物としては、例えば、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０１６１～０１６３に記載の化合物も好適に使用することができる。この内容は本明細書に組み込まれる。
　光ラジカル重合開始剤として、より好ましくはオキシム化合物が挙げられる。オキシム化合物を用いることにより、露光ラチチュードをより効果的に向上させることが可能になる。オキシム化合物は、露光ラチチュード（露光マージン）が広く、かつ、光硬化促進剤としても働くため、特に好ましい。
　オキシム化合物の具体例としては、特開２００１－２３３８４２号公報に記載の化合物、特開２０００－０８００６８号公報に記載の化合物、特開２００６－３４２１６６号公報に記載の化合物、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年、ｐｐ．１６５３－１６６０）に記載の化合物、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年、ｐｐ．１５６－１６２）に記載の化合物、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９５年、ｐｐ．２０２－２３２）に記載の化合物、特開２０００－０６６３８５号公報に記載の化合物、特表２００４－５３４７９７号公報に記載の化合物、特開２０１７－０１９７６６号公報に記載の化合物、特許第６０６５５９６号公報に記載の化合物、国際公開第２０１５／１５２１５３号に記載の化合物、国際公開第２０１７／０５１６８０号に記載の化合物、特開２０１７－１９８８６５号公報に記載の化合物、国際公開第２０１７／１６４１２７号の段落番号００２５～００３８に記載の化合物、国際公開第２０１３／１６７５１５号に記載の化合物などが挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　好ましいオキシム化合物としては、例えば、下記の構造の化合物や、３－（ベンゾイルオキシ（イミノ））ブタン－２－オン、３－（アセトキシ（イミノ））ブタン－２－オン、３－（プロピオニルオキシ（イミノ））ブタン－２－オン、２－（アセトキシ（イミノ））ペンタン－３－オン、２－（アセトキシ（イミノ））－１－フェニルプロパン－１－オン、２－（ベンゾイルオキシ（イミノ））－１－フェニルプロパン－１－オン、３－（（４－トルエンスルホニルオキシ）イミノ）ブタン－２－オン、及び２－（エトキシカルボニルオキシ（イミノ））－１－フェニルプロパン－１－オンなどが挙げられる。樹脂組成物においては、特に光ラジカル重合開始剤としてオキシム化合物を用いることが好ましい。光ラジカル重合開始剤としてのオキシム化合物は、分子内に＞Ｃ＝Ｎ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－の連結基を有する。
　オキシム化合物の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０２、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０４（以上、ＢＡＳＦ社製）、アデカオプトマーＮ－１９１９（（株）ＡＤＥＫＡ製、特開２０１２－０１４０５２号公報に記載の光ラジカル重合開始剤２）、ＴＲ－ＰＢＧ－３０４、ＴＲ－ＰＢＧ－３０５（常州強力電子新材料有限公司製）、アデカアークルズＮＣＩ－７３０、ＮＣＩ－８３１及びアデカアークルズＮＣＩ－９３０（（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＤＦＩ－０９１（ダイトーケミックス（株）製）、ＳｐｅｅｄＣｕｒｅ　ＰＤＯ（ＳＡＲＴＯＭＥＲ　ＡＲＫＥＭＡ製）が挙げられる。また、下記の構造のオキシム化合物を用いることもできる。
　光ラジカル重合開始剤としては、例えば、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０１６９～０１７１に記載のフルオレン環を有するオキシム化合物、カルバゾール環の少なくとも１つのベンゼン環がナフタレン環となった骨格を有するオキシム化合物、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることもできる。
　また、国際公開第２０２１／０２０３５９号の段落０２０８～０２１０に記載のニトロ基を有するオキシム化合物、ベンゾフラン骨格を有するオキシム化合物、カルバゾール骨格にヒドロキシ基を有する置換基が結合したオキシム化合物を用いることもできる。これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　その他、光重合開始剤としては、特開２０２３－０５８５８５号公報の段落０１１３～０１１７に記載の化合物を用いることもできる。この記載は本願明細書に組み込まれる。
　樹脂組成物が光重合開始剤を含む場合、その含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し０．１～３０質量％が好ましく、０．１～２０質量％がより好ましく、０．５～１５質量％が更に好ましく、１．０～１０質量％が更により好ましい。光重合開始剤は１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。光重合開始剤を２種以上含有する場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。
　なお、光重合開始剤は熱重合開始剤としても機能する場合があるため、オーブンやホットプレート等の加熱によって光重合開始剤による架橋を更に進行させられる場合がある。
〔増感剤〕
　樹脂組成物は、増感剤を含んでいてもよい。増感剤は、特定の活性放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤などと接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用が生じる。これにより、熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤は化学変化を起こして分解し、ラジカル、酸又は塩基を生成する。
　使用可能な増感剤として、ベンゾフェノン系、ミヒラーズケトン系、クマリン系、ピラゾールアゾ系、アニリノアゾ系、トリフェニルメタン系、アントラキノン系、アントラセン系、アントラピリドン系、ベンジリデン系、オキソノール系、ピラゾロトリアゾールアゾ系、ピリドンアゾ系、シアニン系、フェノチアジン系、ピロロピラゾールアゾメチン系、キサンテン系、フタロシアニン系、ベンゾピラン系、インジゴ系等の化合物を使用することができる。
　増感剤としては、例えば、ミヒラーズケトン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，５－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロペンタン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）－４－メチルシクロヘキサノン、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ－ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ－ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビフェニレン）－ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３－ビス（４’－ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３’－カルボニル－ビス（７－ジエチルアミノクマリン）、３－アセチル－７－ジメチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－ベンジロキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－メトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン（７－（ジエチルアミノ）クマリン－３－カルボン酸エチル）、Ｎ－フェニル－Ｎ’－エチルエタノールアミン、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－ｐ－トリルジエタノールアミン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－モルホリノベンゾフェノン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、２－メルカプトベンズイミダゾール、１－フェニル－５－メルカプトテトラゾール、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ナフト（１，２－ｄ）チアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノベンゾイル）スチレン、ジフェニルアセトアミド、ベンズアニリド、Ｎ－メチルアセトアニリド、３’，４’－ジメチルアセトアニリド等が挙げられる。
　また、他の増感色素を用いてもよい。
　増感色素の詳細については、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０１６１～０１６３の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　樹脂組成物が増感剤を含む場合、増感剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１５質量％がより好ましく、０．５～１０質量％が更に好ましい。増感剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
〔連鎖移動剤〕
　本発明の樹脂組成物は、連鎖移動剤を含有してもよい。連鎖移動剤は、例えば高分子辞典第三版（高分子学会編、２００５年）６８３－６８４頁に定義されている。連鎖移動剤としては、例えば、分子内に－Ｓ－Ｓ－、－ＳＯ２－Ｓ－、－Ｎ－Ｏ－、ＳＨ、ＰＨ、ＳｉＨ、及びＧｅＨを有する化合物群、ＲＡＦＴ（Reversible Addition Fragmentation chain Transfer）重合に用いられるチオカルボニルチオ基を有するジチオベンゾアート、トリチオカルボナート、ジチオカルバマート、キサンタート化合物等が用いられる。これらは、低活性のラジカルに水素を供与して、ラジカルを生成するか、若しくは、酸化された後、脱プロトンすることによりラジカルを生成しうる。特に、チオール化合物を好ましく用いることができる。
　また、連鎖移動剤は、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１５２～０１５３に記載の化合物を用いることもでき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　樹脂組成物が連鎖移動剤を有する場合、連鎖移動剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分１００質量部に対し、０．０１～２０質量部が好ましく、０．１～１０質量部がより好ましく、０．５～５質量部が更に好ましい。連鎖移動剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。連鎖移動剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
　また、本発明の樹脂組成物が、重合開始剤として、２種以上の重合開始剤を含むことも本発明の好ましい態様の一つである。
　具体的には、本発明の樹脂組成物は、光重合開始剤及び後述の熱重合開始剤を含むか、又は、上述の光ラジカル重合開始剤及び上述の光酸発生剤を含むことが好ましい。
　光重合開始剤及び後述の熱重合開始剤を含むことにより、露光によるパターン形成が可能となり、かつ、後述の加熱工程による硬化時にラジカル重合も進行しやすくなり、耐薬品性等の性能が向上する場合が有る。
　光重合開始剤及び後述の熱重合開始剤を含む場合の含有比率としては、光重合開始剤及び熱重合開始剤の合計含有量に対し、熱重合開始剤の含有量が２０～７０質量％であることが好ましく、３０～６０質量％であることがより好ましい。
　光ラジカル重合開始剤及び光酸発生剤を含むことにより解像性等の性能が向上する場合が有る。
　光重合開始剤及び光酸発生剤を含む場合の含有比率としては、光重合開始剤及び光酸発生剤の合計含有量に対し、光酸発生剤の含有量が２０～７０質量％であることが好ましく、３０～６０質量％であることがより好ましい。
〔熱重合開始剤〕
　熱重合開始剤としては、例えば、熱ラジカル重合開始剤が挙げられる。熱ラジカル重合開始剤は、熱のエネルギーによってラジカルを発生し、重合性を有する化合物の重合反応を開始又は促進させる化合物である。熱ラジカル重合開始剤を添加することによって樹脂及び重合性化合物の重合反応を進行させることもできるので、より耐溶剤性を向上できる。
　熱ラジカル重合開始剤として、具体的には、特開２００８－０６３５５４号公報の段落００７４～０１１８に記載されている化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　熱重合開始剤を含む場合、その含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し０．１～３０質量％であることが好ましく、０．１～２０質量％であることがより好ましく、０．５～１５質量％であることが更に好ましい。樹脂組成物は熱重合開始剤を１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。熱重合開始剤を２種以上含有する場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。
＜塩基発生剤＞
　本発明の樹脂組成物は、塩基発生剤を含んでもよい。ここで、塩基発生剤とは、物理的または化学的な作用によって塩基を発生することができる化合物である。好ましい塩基発生剤としては、熱塩基発生剤および光塩基発生剤が挙げられる。
　特に、樹脂組成物がポリイミド前駆体を含む場合、樹脂組成物は塩基発生剤を含むことが好ましい。樹脂組成物が熱塩基発生剤を含有することによって、例えば加熱により前駆体の環化反応を促進でき、硬化物の機械特性や耐薬品性が良好なものとなり、例えば半導体パッケージ中に含まれる再配線層用層間絶縁膜としての性能が良好となる。
　塩基発生剤としては、イオン型塩基発生剤でもよく、非イオン型塩基発生剤でもよい。塩基発生剤から発生する塩基としては、例えば、２級アミン、３級アミンが挙げられる。
　塩基発生剤は特に限定されず、公知の塩基発生剤を用いることができる。公知の塩基発生剤としては、例えば、カルバモイルオキシム化合物、カルバモイルヒドロキシルアミン化合物、カルバミン酸化合物、ホルムアミド化合物、アセトアミド化合物、カルバメート化合物、ベンジルカルバメート化合物、ニトロベンジルカルバメート化合物、スルホンアミド化合物、イミダゾール誘導体化合物、アミンイミド化合物、ピリジン誘導体化合物、α－アミノアセトフェノン誘導体化合物、４級アンモニウム塩誘導体化合物、イミニウム塩、ピリジニウム塩、α－ラクトン環誘導体化合物、フタルイミド誘導体化合物、アシルオキシイミノ化合物等が挙げられる。
　非イオン型塩基発生剤の具体例としては、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落０２４９～０２７５に記載の化合物が挙げられる。上記記載は本明細書に組み込まれる。
　塩基発生剤としては、下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
　非イオン型塩基発生剤の分子量は、８００以下が好ましく、６００以下がより好ましく、５００以下が更に好ましい。下限は、１００以上が好ましく、２００以上がより好ましく、３００以上が更に好ましい。
　イオン型塩基発生剤の具体的な好ましい化合物としては、例えば、国際公開第２０１８／０３８００２号の段落番号０１４８～０１６３に記載の化合物が挙げられる。
　アンモニウム塩の具体例としては、下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
　イミニウム塩の具体例としては、下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
　また、塩基発生剤としては、保存安定性およびキュア時に脱保護で塩基を発生させる観点からアミノ基がｔ－ブトキシカルボニル基によって保護されたアミンであることが好ましい。
　ｔ－ブトキシカルボニル基によって保護されたアミン化合物としては、例えば、エタノールアミン、３－アミノ－１－プロパノール、１－アミノ－２－プロパノール、２－アミノ－１－プロパノール、４－アミノ－１－ブタノール、２－アミノ－１－ブタノール、１－アミノ－２－ブタノール、３－アミノ－２，２－ジメチル－１－プロパノール、４－アミノ－２－メチル－１－ブタノール、バリノール、３－アミノ－１，２－プロパンジオール、２－アミノ－１，３－プロパンジオール、チラミン、ノルエフェドリン、２－アミノ－１－フェニル－１，３－プロパンジオール、２－アミノシクロヘキサノール、４－アミノシクロヘキサノール、４－アミノシクロヘキサンエタノール、４－（２－アミノエチル）シクロヘキサノール、Ｎ－メチルエタノールアミン、３－（メチルアミノ）－１－プロパノール、３－（イソプロピルアミノ）プロパノール、Ｎ－シクロヘキシルエタノールアミン、α－［２－（メチルアミノ）エチル］ベンジルアルコール、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、３－ピロリジノール、２－ピロリジンメタノール、４－ヒドロキシピペリジン、３－ヒドロキシピペリジン、４－ヒドロキシ－４－フェニルピペリジン、４－（３－ヒドロキシフェニル）ピペリジン、４－ピペリジンメタノール、３－ピペリジンメタノール、２－ピペリジンメタノール、４－ピペリジンエタノール、２－ピペリジンエタノール、２－（４－ピペリジル）－２－プロパノール、１，４－ブタノールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１，２－ビス（２－アミノエトキシ）エタン、２，２’－オキシビス（エチルアミン）、１，１４－ジアミノ－３，６，９，１２－テトラオキサテトラデカン、１－アザ－１５－クラウン５－エーテル、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１，１１－ジアミノ－３，６，９－トリオキサウンデカン、又は、アミノ酸及びその誘導体のアミノ基をｔ－ブトキシカルボニル基によって保護した化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　樹脂組成物が塩基発生剤を含む場合、塩基発生剤の含有量は、樹脂組成物中の樹脂１００質量部に対し、０．１～５０質量部が好ましい。下限は、０．３質量部以上がより好ましく、０．５質量部以上が更に好ましい。上限は、３０質量部以下がより好ましく、２０質量部以下が更に好ましく、１０質量部以下が一層好ましく、５質量部以下がより一層好ましく、４質量部以下が特に好ましい。
　塩基発生剤は、１種又は２種以上を用いることができる。２種以上を用いる場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。
＜溶剤＞
　本発明の樹脂組成物は、溶剤を含むことが好ましい。
　溶剤は、公知の溶剤を任意に使用できる。溶剤は有機溶剤が好ましい。有機溶剤としては、エステル類、エーテル類、ケトン類、環状炭化水素類、スルホキシド類、アミド類、ウレア類、アルコール類などの化合物が挙げられる。
　エステル類として、例えば、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、酢酸へキシル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、δ－バレロラクトン、γ－バレロラクトン、アルキルオキシ酢酸アルキル（例えば、アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、３－アルキルオキシプロピオン酸メチル、３－アルキルオキシプロピオン酸エチル等（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル等））、２－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、２－アルキルオキシプロピオン酸メチル、２－アルキルオキシプロピオン酸エチル、２－アルキルオキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル、２－エトキシプロピオン酸エチル））、２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸メチル及び２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸エチル（例えば、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチル、ヘキサン酸エチル、ヘプタン酸エチル、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル等が好適なものとして挙げられる。
　エーテル類として、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等が好適なものとして挙げられる。
　ケトン類として、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、３－メチルシクロヘキサノン、レボグルコセノン、ジヒドロレボグルコセノン等が好適なものとして挙げられる。
　環状炭化水素類として、例えば、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族炭化水素類、リモネン等の環式テルペン類が好適なものとして挙げられる。
　スルホキシド類として、例えば、ジメチルスルホキシドが好適なものとして挙げられる。
　アミド類として、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、３－ブトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、Ｎ－ホルミルモルホリン、Ｎ－アセチルモルホリン等が好適なものとして挙げられる。
　ウレア類として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルウレア、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が好適なものとして挙げられる。
　アルコール類として、メタノール、エタノール、１-プロパノール、２-プロパノール、１－ブタノール、１－ペンタノール、１－ヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、１－メトキシ－２－プロパノール、２－エトキシエタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、メチルフェニルカルビノール、ｎ－アミルアルコール、メチルアミルアルコール、および、ダイアセトンアルコール等が挙げられる。
　溶剤は、塗布面性状の改良などの観点から、２種以上を混合する形態も好ましい。
　本発明では、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、トルエン、ジメチルスルホキシド、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、プロピレングリコールメチルエーテル、及びプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、レボグルコセノン、ジヒドロレボグルコセノンから選択される１種の溶剤、又は、２種以上で構成される混合溶剤が好ましい。ジメチルスルホキシドとγ－ブチロラクトンとの併用、ジメチルスルホキシドとγ－バレロラクトンとの併用、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミドとγ－ブチロラクトンとの併用、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミドとγ－ブチロラクトンとジメチルスルホキシドとの併用、又は、Ｎ－メチル－２－ピロリドンと乳酸エチルとの併用が特に好ましい。これらの併用された溶剤に、更にトルエンを溶剤の全質量に対して１～１０質量％程度添加する態様も、本発明の好ましい態様の１つである。
　特に、樹脂組成物の保存安定性等の観点からは、溶剤としてγ－バレロラクトンを含む態様も、本発明の好ましい態様の１つである。このような態様において、溶剤の全質量に対するγ－バレロラクトンの含有量は、５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましい。また、上記含有量の上限は、特に限定されず１００質量％であってもよい。上記含有量は、樹脂組成物に含まれる特定樹脂などの成分の溶解度等を考慮して決定すればよい。
　また、ジメチルスルホキシドとγ－バレロラクトンとを併用する場合、溶剤の全質量に対して、６０～９０質量％のγ－バレロラクトンと１０～４０質量％のジメチルスルホキシドとを含むことが好ましく、７０～９０質量％のγ－バレロラクトンと１０～３０質量％のジメチルスルホキシドとを含むことがより好ましく、７５～８５質量％のγ－バレロラクトンと１５～２５質量％のジメチルスルホキシドとを含むことが更に好ましい。
　溶剤の含有量は、塗布性の観点から、本発明の樹脂組成物の全固形分濃度が５～８０質量％になる量とすることが好ましく、５～７５質量％となる量にすることがより好ましく、１０～７０質量％となる量にすることが更に好ましく、２０～７０質量％となる量にすることが一層好ましい。溶剤含有量は、塗膜の所望の厚さと塗布方法に応じて調節すればよい。溶剤を２種以上含有する場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜金属接着性改良剤＞
　本発明の樹脂組成物は、電極や配線などに用いられる金属材料との接着性を向上させる観点から、金属接着性改良剤を含むことが好ましい。金属接着性改良剤としては、アルコキシシリル基を有するシランカップリング剤、アルミニウム系接着助剤、チタン系接着助剤、スルホンアミド構造を有する化合物及びチオウレア構造を有する化合物、リン酸誘導体化合物、β－ケトエステル化合物、アミノ化合物等が挙げられる。
〔シランカップリング剤〕
　シランカップリング剤としては、例えば、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０３１６に記載の化合物、特開２０１８－１７３５７３の段落００６７～００７８に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、特開２０１１－１２８３５８号公報の段落００５０～００５８に記載のように異なる２種以上のシランカップリング剤を用いることも好ましい。シランカップリング剤は、下記化合物を用いることも好ましい。以下の式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を表す。また、下記Ｒはブロックイソシアネート基におけるブロック化剤由来の構造が挙げられる。ブロック化剤としては、脱離温度に応じて選択すればよいが、アルコール化合物、フェノール化合物、ピラゾール化合物、トリアゾール化合物、ラクタム化合物、活性メチレン化合物等が挙げられる。例えば、脱離温度を１６０～１８０℃としたい観点からは、カプロラクタムなどが好ましい。このような化合物の市販品としては、Ｘ－１２－１２９３（信越化学工業株式会社製）などが挙げられる。
　他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、トリス－（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３－ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３－トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物が挙げられる。これらは１種単独または２種以上を組み合わせて使用することができる。
　また、シランカップリング剤として、アルコキシシリル基を複数個有するオリゴマータイプの化合物を用いることもできる。
　このようなオリゴマータイプの化合物としては、下記式（Ｓ－１）で表される繰返し単位を含む化合物などが挙げられる。
　式（Ｓ－１）中、ＲＳ１は１価の有機基を表し、ＲＳ２は水素原子、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を表し、ｎは０～２の整数を表す。
　ＲＳ１は重合性基を含む構造であることが好ましい。重合性基としては、エチレン性不飽和結合を有する基、エポキシ基、オキセタニル基、ベンゾオキサゾリル基、ブロックイソシアネート基、アミノ基等が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、アリル基、イソアリル基、２－メチルアリル基、ビニル基と直接結合した芳香環を有する基（例えば、ビニルフェニル基など）、（メタ）アクリルアミド基、（メタ）アクリロイルオキシ基などが挙げられ、ビニルフェニル基、（メタ）アクリルアミド基又は（メタ）アクリロイルオキシ基が好ましく、ビニルフェニル基又は（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましく、（メタ）アクリロイルオキシ基が更に好ましい。
　ＲＳ２はアルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基又はエトキシ基であることがより好ましい。
　ｎは０～２の整数を表し、１であることが好ましい。
　ここで、オリゴマータイプの化合物に含まれる複数の式（Ｓ－１）で表される繰返し単位の構造は、それぞれ同一であってもよい。
　ここで、オリゴマータイプの化合物に含まれる複数の式（Ｓ－１）で表される繰返し単位のうち、少なくとも１つにおいてｎが１又は２であることが好ましく、少なくとも２つにおいてｎが１又は２であることがより好ましく、少なくとも２つにおいてｎが１であることが更に好ましい。
　このようなオリゴマータイプの化合物としては市販品を用いることができ、市販品としては例えば、ＫＲ－５１３（信越化学工業株式会社製）が挙げられる。
〔アルミニウム系接着助剤〕
　アルミニウム系接着助剤としては、例えば、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等を挙げることができる。
　その他の金属接着性改良剤としては、特開２０１４－１８６１８６号公報の段落００４６～００４９に記載の化合物、特開２０１３－０７２９３５号公報の段落００３２～００４３に記載のスルフィド系化合物を用いることもでき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　金属接着性改良剤の含有量は特定樹脂１００質量部に対して、０．０１～３０質量部が好ましく、０．１～１０質量部がより好ましく、０．５～５質量部が更に好ましい。上記下限値以上とすることでパターンと金属層との接着性が良好となり、上記上限値以下とすることでパターンの耐熱性、機械特性が良好となる。金属接着性改良剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。２種以上用いる場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜化合物Ｘ１＞
　本発明の樹脂組成物は、化合物Ｘ１を含んでもよい。
　化合物Ｘ１は１，３－ジカルボニル構造及びβ－ヒドロキシカルボニル構造からなる群より選ばれた少なくとも一方の構造を有し、分子量が１，０００以下である化合物である。
　ここで、１，３－ジカルボニル構造とは、下記式（ＤＣ－１）で表される構造をいい、β－ヒドロキシカルボニル構造とは、下記式（ＨＣ－１）で表される構造をいう。
　式（ＤＣ－１）又は式（ＨＣ－１）中、＊及び＃はそれぞれ、他の構造との結合部位を表す。ここで、＊は炭素原子、酸素原子、窒素原子又は硫黄原子との結合部位であることが好ましい。また、＃は水素原子又は炭素原子との結合部位であることが好ましい。
　ここで、上記（ＤＣ－１）で表される構造は、下記式（ＤＣ－２）のようにエノール型であってもよい。
　また、上記（ＨＣ－１）で表される構造は、下記式（ＨＣ－２）のようにエノール型であってもよい。
　式（ＤＣ－２）又は式（ＨＣ－２）中、＊及び＃はそれぞれ、他の構造との結合部位を表す。＊は炭素原子、酸素原子、窒素原子又は硫黄原子との結合部位であることが好ましい。また、＃は水素原子又は炭素原子との結合部位であることが好ましい。
　化合物Ｘ１は、構造中に金属原子を含まないことが好ましい。ここでいう金属原子には、シリカ等の半金属原子は含まないものとする。
　また、化合物Ｘ１は、樹脂組成物中で金属原子に配位していないことが好ましい。
〔分子量〕
　化合物Ｘ１の分子量は、１，０００以下であり、１００～５００であることが好ましく、１００～４００であることがより好ましく、１００～３５０であることが更に好ましく、１００～３００であることが特に好ましく、１００～２５０であることが一層好ましい。
〔具体例〕
　化合物Ｘ１の具体例としては、特に限定されないが、下記構造の化合物が挙げられる。
〔含有量〕
　本発明の樹脂組成物の全固形分に対する、化合物Ｘ１の含有量は、０．０１～３０質量％であることが好ましい。下限は０．０２質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上が更に好ましく、０．１０質量％以上が特に好ましい。上限は、２０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが更に好ましく、５質量％以下であることが特に好ましい。また、１質量％以下である態様も、本発明の好ましい態様の一つである。
　化合物Ｘ１は１種を単独で用いてもよいが、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合にはその合計量が上記の範囲となることが好ましい。
＜マイグレーション抑制剤＞
　本発明の樹脂組成物は、マイグレーション抑制剤を更に含むことが好ましい。マイグレーション抑制剤を含むことにより、例えば、樹脂組成物を金属層（又は金属配線）に適用して膜を形成した際に、金属層（又は金属配線）由来の金属イオンが膜内へ移動することを効果的に抑制することができる。
　マイグレーション抑制剤としては、特に制限はないが、複素環（ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、テトラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、２Ｈ－ピラン環及び６Ｈ－ピラン環、トリアジン環）を有する化合物、チオ尿素類及びスルファニル基を有する化合物、ヒンダードフェノール系化合物、サリチル酸誘導体系化合物、ヒドラジド誘導体系化合物が挙げられる。特に、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾール等のトリアゾール系化合物、１Ｈ－テトラゾール、５－フェニルテトラゾール、５－アミノ―１Ｈ－テトラゾール等のテトラゾール系化合物が好ましく使用できる。
　マイグレーション抑制剤としては、ハロゲンイオンなどの陰イオンを捕捉するイオントラップ剤を使用することもできる。
　その他のマイグレーション抑制剤としては、特開２０１３－０１５７０１号公報の段落００９４に記載の防錆剤、特開２００９－２８３７１１号公報の段落００７３～００７６に記載の化合物、特開２０１１－０５９６５６号公報の段落００５２に記載の化合物、特開２０１２－１９４５２０号公報の段落０１１４、０１１６及び０１１８に記載の化合物、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１６６に記載の化合物などを使用することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　マイグレーション抑制剤の具体例としては、下記化合物を挙げることができる。
　本発明の樹脂組成物がマイグレーション抑制剤を有する場合、マイグレーション抑制剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１～５．０質量％であることが好ましく、０．０５～２．０質量％であることがより好ましく、０．１～１．０質量％であることが更に好ましい。
　マイグレーション抑制剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。マイグレーション抑制剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜重合禁止剤＞
　本発明の樹脂組成物は、重合禁止剤を含むことが好ましい。重合禁止剤としてはフェノール系化合物、キノン系化合物、アミノ系化合物、Ｎ－オキシルフリーラジカル系化合物、ニトロ系化合物、ニトロソ系化合物、ヘテロ芳香環系化合物、金属化合物などが挙げられる。
　重合禁止剤の具体的な化合物としては、国際公開第２０２１／１１２１８９の段落０３１０に記載の化合物、ｐ－ヒドロキノン、ｏ－ヒドロキノン、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン１－オキシルフリーラジカル、フェノキサジン、１，４，４－トリメチル－２，３－ジアザビシクロ［３．２．２］ノナ－２－エン－Ｎ，Ｎ－ジオキシド等が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。
　本発明の樹脂組成物が重合禁止剤を有する場合、重合禁止剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１～２０質量％であることが好ましく、０．０２～１５質量％であることがより好ましく、０．０５～１０質量％であることが更に好ましい。
　重合禁止剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。重合禁止剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
〔ウレア化合物、カルボジイミド化合物、イソウレア化合物〕
　破断伸び、及び、金属又は樹脂層との密着性の観点から、本発明の樹脂組成物は、ウレア結合を有する化合物（ウレア化合物）、カルボジイミド構造を有する化合物（カルボジイミド化合物）及びイソウレア結合を有する化合物（イソウレア化合物）からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物（以下、「ウレア化合物等」ともいう）を含んでもよい。
　これらの中でも、本発明の樹脂組成物は、ウレア結合を有する化合物を更に含むことが好ましい。
　ここでいうウレア化合物等には、上述の重合性化合物、シランカップリング剤に該当する化合物は含まれないものとする。
　ウレア化合物としては、国際公開第２０２２／０７０７３０号の段落０３３４～０３３９に記載の化合物等が挙げられる。
　ウレア化合物等の具体例としては、ジシクロへキシルウレア、ジイソプロピルウレア、ジシクロへキシルカルボジイミド、ジイソプロピルカルボジイミド、ジシクロへキシルイソウレア、ジイソプロピルイソウレア等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
　ウレア化合物等の合計含有量は、特定樹脂１００質量部に対して０．１～１０．０質量部が好ましく、０．５～８．０質量部がより好ましく、１．０～６．０質量部が更に好ましい。
　ウレア化合物等は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。塩基含有処理液において２種以上の塩基を併用する場合、それらの合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。
＜光吸収剤＞
　本発明の樹脂組成物は、露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物（光吸収剤）を含むことも好ましい。
　光吸収剤としては、国際公開第２０２２／２０２６４７号の段落０１５９～０１８３に記載の化合物、特開２０１９－２０６６８９号公報の段落００８８～０１０８に記載の化合物等が挙げられる。これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　また、光吸収剤として、下記構造の化合物を含むことも好ましい。
　本発明の樹脂組成物の全固形分に対する光吸収剤の含有量は、特に限定されないが、０．１～２０質量％であることが好ましく、０．５～１０質量％であることがより好ましく、１～５質量％であることが更に好ましい。
＜その他の添加剤＞
　本発明の樹脂組成物は、本発明の効果が得られる範囲で、必要に応じて、各種の添加物、例えば、界面活性剤、高級脂肪酸誘導体、熱重合開始剤、無機粒子、紫外線吸収剤、有機チタン化合物、酸化防止剤、光酸発生剤、凝集防止剤、フェノール系化合物、他の高分子化合物、可塑剤及びその他の助剤類（例えば、消泡剤、難燃剤など）等を含んでいてもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、膜物性などの性質を調整することができる。これらの成分は、例えば、特開２０１２－００３２２５号公報の段落番号０１８３以降（対応する米国特許出願公開第２０１３／００３４８１２号明細書の段落番号０２３７）の記載、特開２００８－２５００７４号公報の段落番号０１０１～０１０４、０１０７～０１０９等の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。これらの添加剤を配合する場合、その合計含有量は本発明の樹脂組成物の固形分の３質量％以下とすることが好ましい。
＜樹脂組成物の特性＞
　本発明の樹脂組成物の粘度は、樹脂組成物の固形分濃度により調整できる。塗布膜厚の観点から、１，０００ｍｍ２／ｓ～１２，０００ｍｍ２／ｓが好ましく、２，０００ｍｍ２／ｓ～１０，０００ｍｍ２／ｓがより好ましく、２，５００ｍｍ２／ｓ～８，０００ｍｍ２／ｓが更に好ましい。上記範囲であれば、均一性の高い塗布膜を得ることが容易になる。１,０００ｍｍ２／s以上であれば、例えば再配線用絶縁膜として必要とされる膜厚で塗布することが容易であり、１２,０００ｍｍ２／s以下であれば、塗布面状に優れた塗膜が得られる。
＜樹脂組成物の含有物質についての制限＞
　本発明の樹脂組成物の含水率は、２．０質量％未満であることが好ましく、１．５質量％未満であることがより好ましく、１．０質量％未満であることが更に好ましい。２．０％未満であれば、樹脂組成物の保存安定性が向上する。
　水分の含有量を維持する方法としては、保管条件における湿度の調整、保管時の収容容器の空隙率低減などが挙げられる。
　本発明の樹脂組成物の金属含有量は、絶縁性の観点から、５質量ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｍｉｌｌｉｏｎ）未満が好ましく、１質量ｐｐｍ未満がより好ましく、０．５質量ｐｐｍ未満が更に好ましい。金属としては、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、鉄、銅、クロム、ニッケルなどが挙げられるが、有機化合物と金属との錯体として含まれる金属は除く。金属を複数含む場合は、これらの金属の合計が上記範囲であることが好ましい。
　また、本発明の樹脂組成物に意図せずに含まれる金属不純物を低減する方法としては、本発明の樹脂組成物を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、本発明の樹脂組成物を構成する原料に対してフィルターろ過を行う、装置内をポリテトラフルオロエチレン等でライニングしてコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。
　本発明の樹脂組成物は、半導体材料としての用途を考慮すると、ハロゲン原子の含有量が、配線腐食性の観点から、５００質量ｐｐｍ未満が好ましく、３００質量ｐｐｍ未満がより好ましく、２００質量ｐｐｍ未満が更に好ましい。中でも、ハロゲンイオンの状態で存在するものは、５質量ｐｐｍ未満が好ましく、１質量ｐｐｍ未満がより好ましく、０．５質量ｐｐｍ未満が更に好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子及び臭素原子が挙げられる。塩素原子及び臭素原子、又は塩素イオン及び臭素イオンの合計がそれぞれ上記範囲であることが好ましい。
　ハロゲン原子の含有量を調節する方法としては、イオン交換処理などが好ましく挙げられる。
　本発明の樹脂組成物の収容容器としては従来公知の収容容器を用いることができる。収容容器としては、原材料や本発明の樹脂組成物中への不純物混入を抑制することを目的に、容器内壁を６種６層の樹脂で構成された多層ボトルや、６種の樹脂を７層構造にしたボトルを使用することも好ましい。このような容器としては例えば特開２０１５－１２３３５１号公報に記載の容器が挙げられる。
＜樹脂組成物の硬化物＞
　本発明の樹脂組成物を硬化することにより、樹脂組成物の硬化物を得ることができる。
　本発明の硬化物は、樹脂組成物を硬化してなる硬化物である。
　樹脂組成物の硬化は加熱によるものであることが好ましく、加熱温度が１２０℃～４００℃がより好ましく、１４０℃～３８０℃が更に好ましく、１７０℃～３５０℃が特に好ましい。樹脂組成物の硬化物の形態は、特に限定されず、フィルム状、棒状、球状、ペレット状など、用途に合わせて選択することができる。本発明において、硬化物は、フィルム状であることが好ましい。樹脂組成物のパターン加工によって、壁面への保護膜の形成、導通のためのビアホール形成、インピーダンスや静電容量あるいは内部応力の調整、放熱機能付与など、用途にあわせて、硬化物の形状を選択することもできる。硬化物（硬化物からなる膜）の膜厚は、０．５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
　本発明の樹脂組成物を硬化した際の収縮率は、５０％以下が好ましく、４５％以下がより好ましく、４０％以下が更に好ましい。ここで、収縮率は、樹脂組成物の硬化前後の体積変化の百分率を指し、下記の式より算出することができる。
　収縮率［％］＝１００－（硬化後の体積÷硬化前の体積）×１００
＜樹脂組成物の硬化物の特性＞
　本発明の樹脂組成物の硬化物のイミド化反応率は、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、９０％以上が更に好ましい。７０％以上であれば、機械特性に優れた硬化物となる場合がある。
　本発明の樹脂組成物の硬化物の破断伸びは、３０％以上が好ましく、４０％以上がより好ましく、５０％以上が更に好ましい。
　本発明の樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１８０℃以上であることが好ましく、２１０℃以上であることがより好ましく、２３０℃以上であることがさらに好ましい。
＜樹脂組成物の調製＞
　本発明の樹脂組成物は、上記各成分を混合して調製することができる。混合方法は特に限定はなく、従来公知の方法で行うことができる。
　混合方法としては、撹拌羽による混合、ボールミルによる混合、タンクを回転させる混合などが挙げられる。
　混合中の温度は１０～３０℃が好ましく、１５～２５℃がより好ましい。
　本発明の樹脂組成物中のゴミや微粒子等の異物を除去する目的で、フィルターを用いたろ過を行うことが好ましい。フィルターとしては、例えば、国際公開第２０２３／１９００６４号の段落０２８７に記載のフィルターを用いることができる。この記載は、本明細書に組み込まれる。
（硬化物の製造方法）
　本発明の硬化物の製造方法は、樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程を含むことが好ましい。
　硬化物の製造方法は、上記膜形成工程、膜形成工程により形成された膜を選択的に露光する露光工程、及び、露光工程により露光された膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含むことがより好ましい。
　硬化物の製造方法は、上記膜形成工程、上記露光工程、上記現像工程、並びに、現像工程により得られたパターンを加熱する加熱工程及び現像工程により得られたパターンを露光する現像後露光工程の少なくとも一方を含むことが特に好ましい。
　また、硬化物の製造方法は、上記膜形成工程、及び、上記膜を加熱する工程を含むことも好ましい。
　以下、各工程の詳細について説明する。
＜膜形成工程＞
　本発明の樹脂組成物は、基材上に適用して膜を形成する膜形成工程に用いることができる。
　本発明の硬化物の製造方法は、樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程を含むことが好ましい。
〔基材〕
　基材の種類は、用途に応じて適宜定めることができ、特に限定されない。基材としては、例えば、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの半導体作製基材、石英、ガラス、光学フィルム、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属基材（例えば、金属から形成された基材、及び、金属層が例えばめっきや蒸着等により形成された基材のいずれであってもよい）、紙、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ基材、モールド基材、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電極板などが挙げられる。基材は、特に、半導体作製基材が好ましく、シリコン基材、Ｃｕ基材およびモールド基材がより好ましい。
　これらの基材にはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等による密着層や酸化層などの層が表面に設けられていてもよい。
　基材の形状は特に限定されず、円形状であってもよく、矩形状であってもよい。
　基材のサイズは、円形状であれば、例えば直径が１００～４５０ｍｍが好ましく、２００～４５０ｍｍがより好ましい。矩形状であれば、例えば短辺の長さが１００～１０００ｍｍが好ましく、２００～７００ｍｍがより好ましい。
　基材としては、例えば板状、好ましくはパネル状の基材（基板）が用いられる。
　樹脂層（例えば、硬化物からなる層）の表面や金属層の表面に樹脂組成物を適用して膜を形成する場合は、樹脂層や金属層が基材となる。
　樹脂組成物を基材上に適用する手段としては、塗布が好ましい。
　適用する手段としては、具体的には、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スプレーコート法、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法などが挙げられる。膜の厚さの均一性の観点から、スピンコート法、スリットコート法、スプレーコート法、又は、インクジェット法が好ましく、膜の厚さの均一性の観点および生産性の観点からスピンコート法およびスリットコート法がより好ましい。適用する手段に応じて樹脂組成物の固形分濃度や塗布条件を調整することで、所望の厚さの膜を得ることができる。また、基材の形状によっても塗布方法を適宜選択でき、ウエハ等の円形基材であればスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が好ましく、矩形基材であればスリットコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が好ましい。スピンコート法の場合は、例えば、５００～３，５００ｒｐｍの回転数で、１０秒～３分程度適用することができる。
　また、あらかじめ仮支持体上に上記付与方法によって付与して形成した塗膜を、基材上に転写する方法を適用することもできる。
　転写方法に関しては特開２００６－０２３６９６号公報の段落００２３、００３６～００５１や、特開２００６－０４７５９２号公報の段落００９６～０１０８に記載の作製方法を好適に用いることができる。
　また、基材の端部において余分な膜の除去を行なう工程を行なってもよい。このような工程の例には、エッジビードリンス（ＥＢＲ）、バックリンスなどが挙げられる。
　樹脂組成物を基材に塗布する前に基材に種々の溶剤を塗布し、基材の濡れ性を向上させた後に樹脂組成物を塗布するプリウェット工程を採用しても良い。
＜乾燥工程＞
　上記膜は、膜形成工程（層形成工程）の後に、溶剤を除去するため、形成された膜（層）を乾燥する工程(乾燥工程)に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、膜形成工程により形成された膜を乾燥する乾燥工程を含んでもよい。
　上記乾燥工程は膜形成工程の後、露光工程の前に行われることが好ましい。
　乾燥工程における膜の乾燥温度は５０～１５０℃が好ましく、７０℃～１３０℃がより好ましく、９０℃～１１０℃が更に好ましい。また、減圧により乾燥を行っても良い。乾燥時間としては、３０秒～２０分が例示され、１分～１０分が好ましく、２分～７分がより好ましい。
＜露光工程＞
　上記膜は、膜を選択的に露光する露光工程に供されてもよい。
　硬化物の製造方法は、膜形成工程により形成された膜を選択的に露光する露光工程を含んでもよい。
　選択的に露光するとは、膜の一部を露光することを意味している。また、選択的に露光することにより、膜には露光された領域（露光部）と露光されていない領域（非露光部）が形成される。
　露光量は、本発明の樹脂組成物を硬化できる限り特に限定されないが、例えば、波長３６５ｎｍでの露光エネルギー換算で５０～１０，０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、２００～８，０００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。
　露光波長は、１９０～１，０００ｎｍの範囲で適宜定めることができ、２４０～５５０ｎｍが好ましい。
　露光波長は、光源との関係でいうと、（１）半導体レーザー（波長　８３０ｎｍ、５３２ｎｍ、４８８ｎｍ、４０５ｎｍ、３７５ｎｍ、３５５ｎｍ　ｅｔｃ．）、（２）メタルハライドランプ、（３）高圧水銀灯、ｇ線（波長　４３６ｎｍ）、ｈ線（波長　４０５ｎｍ）、ｉ線（波長　３６５ｎｍ）、ブロード（ｇ，ｈ，ｉ線の３波長）、（４）エキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー（波長　２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長　１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（波長　１５７ｎｍ）、（５）極紫外線；ＥＵＶ（波長　１３．６ｎｍ）、（６）電子線、（７）ＹＡＧレーザーの第二高調波５３２ｎｍ、第三高調波３５５ｎｍ等が挙げられる。本発明の樹脂組成物については、特に高圧水銀灯による露光が好ましく、露光感度の観点で、ｉ線による露光がより好ましい。
　露光の方式は特に限定されず、本発明の樹脂組成物からなる膜の少なくとも一部が露光される方式であればよいが、フォトマスクを使用した露光、レーザーダイレクトイメージング法による露光等が挙げられる。
＜露光後加熱工程＞
　上記膜は、露光後に加熱する工程（露光後加熱工程）に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、露光工程により露光された膜を加熱する露光後加熱工程を含んでもよい。
　露光後加熱工程は、露光工程後、現像工程前に行うことができる。
　露光後加熱工程における加熱温度は、５０℃～１４０℃が好ましく、６０℃～１２０℃がより好ましい。
　露光後加熱工程における加熱時間は、３０秒間～３００分間が好ましく、１分間～１０分間がより好ましい。
　露光後加熱工程における昇温速度は、加熱開始時の温度から最高加熱温度まで１～１２℃／分が好ましく、２～１０℃／分がより好ましく、３～１０℃／分が更に好ましい。
　また、昇温速度は加熱途中で適宜変更してもよい。
　露光後加熱工程における加熱手段としては、特に限定されず、公知のホットプレート、オーブン、赤外線ヒーター等を用いることができる。
　また、加熱に際し、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを流す等により、低酸素濃度の雰囲気下で行うことも好ましい。
＜現像工程＞
　露光後の上記膜は、現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、露光工程により露光された膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含んでもよい。
　現像を行うことにより、膜の露光部及び非露光部のうち一方が除去され、パターンが形成される。
　ここで、膜の非露光部が現像工程により除去される現像をネガ型現像といい、膜の露光部が現像工程により除去される現像をポジ型現像という。
〔現像液〕
　現像工程において用いられる現像液としては、アルカリ水溶液、又は、有機溶剤を含む現像液が挙げられる。
　現像液がアルカリ水溶液である場合、アルカリ水溶液が含みうる塩基性化合物としては、無機アルカリ類、第一級アミン類、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩が挙げられ、例えば、国際公開第２０２３／１９００６４号の段落０３００に記載の塩基性化合物を用いることができ、より好ましくはＴＭＡＨである。現像液における塩基性化合物の含有量は、現像液全質量中０．０１～１０質量％が好ましく、０．１～５質量％がより好ましく、０．３～３質量％が更に好ましい。国際公開第２０２３／１９００６４号の段落０３００の記載は、本明細書に組み込まれる。
　現像液が有機溶剤を含む場合、有機溶剤としては、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０３８７に記載の化合物を用いることができる。この内容は本明細書に組み込まれる。また、アルコール類として、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、オクタノール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、メチルイソブチルカルビノール、トリエチレングリコール等、アミド類として、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－エチルピロリドン、ジメチルホルムアミド等も好適に挙げられる。
　現像液が有機溶剤を含む場合、有機溶剤は１種又は、２種以上を混合して使用することができる。本発明では特にシクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、及び、シクロヘキサノンよりなる群から選ばれた少なくとも１種を含む現像液が好ましく、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン及びジメチルスルホキシドよりなる群から選ばれた少なくとも１種を含む現像液がより好ましく、シクロペンタノンを含む現像液が特に好ましい。
　現像液が有機溶剤を含む場合、現像液の全質量に対する有機溶剤の含有量は、５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましい。また、上記含有量は、１００質量％であってもよい。
　現像液は、他の成分を更に含んでもよい。
　他の成分としては、例えば、公知の界面活性剤や公知の消泡剤等が挙げられる。
〔現像液の供給方法〕
　現像液の供給方法は、所望のパターンを形成できれば特に制限は無く、膜が形成された基材を現像液に浸漬する方法、基材上に形成された膜にノズルを用いて現像液を供給するパドル現像、または、現像液を連続供給する方法がある。ノズルの種類は特に制限は無く、ストレートノズル、シャワーノズル、スプレーノズル等が挙げられる。
　現像液の浸透性、非画像部の除去性、製造上の効率の観点から、現像液をストレートノズルで供給する方法、又はスプレーノズルにて連続供給する方法が好ましく、画像部への現像液の浸透性の観点からは、スプレーノズルで供給する方法がより好ましい。
　また、現像液をストレートノズルにて連続供給後、基材をスピンし現像液を基材上から除去し、スピン乾燥後に再度ストレートノズルにて連続供給後、基材をスピンし現像液を基材上から除去する工程を採用してもよく、この工程を複数回繰り返しても良い。
　現像工程における現像液の供給方法としては、現像液が連続的に基材に供給され続ける工程、基材上で現像液が略静止状態で保たれる工程、基材上で現像液を超音波等で振動させる工程及びそれらを組み合わせた工程などが挙げられる。
　現像時間としては、１０秒～１０分間が好ましく、２０秒～５分間がより好ましい。現像時の現像液の温度は、特に定めるものではないが、１０～４５℃が好ましく、１８℃～３０℃がより好ましい。
　現像工程において、現像液を用いた処理の後、更に、リンス液によるパターンの洗浄（リンス）を行ってもよい。また、パターン上に接する現像液が乾燥しきらないうちにリンス液を供給するなどの方法を採用しても良い。
〔リンス液〕
　現像液がアルカリ水溶液である場合、リンス液としては、例えば水を用いることができる。現像液が有機溶剤を含む現像液である場合、リンス液としては、例えば、現像液に含まれる溶剤とは異なる溶剤（例えば、水、現像液に含まれる有機溶剤とは異なる有機溶剤）を用いることができる。
　リンス液が有機溶剤を含む場合の有機溶剤としては、上述の現像液が有機溶剤を含む場合において例示した有機溶剤と同様の有機溶剤が挙げられる。
　リンス液に含まれる有機溶剤は、現像液に含まれる有機溶剤とは異なる有機溶剤であることが好ましく、現像液に含まれる有機溶剤よりも、パターンの溶解度が小さい有機溶剤がより好ましい。
　リンス液が有機溶剤を含む場合、有機溶剤は１種又は、２種以上を混合して使用することができる。有機溶剤は、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチルピロリドン、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥが好ましく、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥがより好ましく、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥＡがさらに好ましい。
　リンス液が有機溶剤を含む場合、リンス液の全質量に対し、有機溶剤は５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましい。また、リンス液の全質量に対し、有機溶剤は１００質量％であってもよい。
　リンス液は、他の成分を更に含んでもよい。
　他の成分としては、例えば、公知の界面活性剤や公知の消泡剤等が挙げられる。
〔リンス液の供給方法〕
　リンス液の供給方法は、所望のパターンを形成できれば特に制限は無く、基材をリンス液に浸漬する方法、基材に液盛りによりリンス液を供給する方法、基材にリンス液をシャワーで供給する方法、基材上にストレートノズル等の手段によりリンス液を連続供給する方法がある。
　リンス液の浸透性、非画像部の除去性、製造上の効率の観点から、リンス液をシャワーノズル、ストレートノズル、スプレーノズルなどで供給する方法があり、スプレーノズルにて連続供給する方法が好ましく、画像部へのリンス液の浸透性の観点からは、スプレーノズルで供給する方法がより好ましい。ノズルの種類は特に制限は無く、ストレートノズル、シャワーノズル、スプレーノズル等が挙げられる。
　すなわち、リンス工程は、リンス液を上記露光後の膜に対してストレートノズルにより供給、又は、連続供給する工程であることが好ましく、リンス液をスプレーノズルにより供給する工程であることがより好ましい。
　リンス工程におけるリンス液の供給方法としては、リンス液が連続的に基材に供給され続ける工程、基材上でリンス液が略静止状態で保たれる工程、基材上でリンス液を超音波等で振動させる工程及びそれらを組み合わせた工程などが採用可能である。
　リンス時間としては、１０秒～１０分間が好ましく、２０秒～５分間がより好ましい。リンス時のリンス液の温度は、特に定めるものではないが、１０～４５℃が好ましく、１８～３０℃がより好ましい。
＜加熱工程＞
　現像工程により得られたパターン（リンス工程を行う場合は、リンス後のパターン）は、上記現像により得られたパターンを加熱する加熱工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程により得られたパターンを加熱する加熱工程を含んでもよい。
　また、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程を行わずに他の方法で得られたパターン、又は、膜形成工程により得られた膜を加熱する加熱工程を含んでもよい。
　加熱工程において、ポリイミド等の樹脂は環化してポリイミド等の樹脂となる。
　また、特定樹脂、又は特定樹脂以外の架橋剤における未反応の架橋性基の架橋なども進行する。
　加熱工程における加熱温度（最高加熱温度）としては、５０～４５０℃が好ましく、１５０～３５０℃がより好ましく、１５０～２５０℃が更に好ましく、１６０～２５０℃が一層好ましく、１６０～２３０℃が特に好ましい。
　その他、加熱工程は、例えば国際公開第２０２３／１９００６４号の段落０３２６～０３３２に記載の方法により行うことができる。この記載は本願明細書に組み込まれる。
＜現像後露光工程＞
　現像工程により得られたパターン（リンス工程を行う場合は、リンス後のパターン）は、上記加熱工程に代えて、又は、上記加熱工程に加えて、現像工程後のパターンを露光する現像後露光工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程により得られたパターンを露光する現像後露光工程を含んでもよい。本発明の硬化物の製造方法は、加熱工程及び現像後露光工程を含んでもよいし、加熱工程及び現像後露光工程の一方のみを含んでもよい。
　現像後露光工程においては、例えば、光塩基発生剤の感光によってポリイミド前駆体等の環化が進行する反応などを促進することができる。
　現像後露光工程においては、現像工程において得られたパターンの少なくとも一部が露光されればよいが、上記パターンの全部が露光されることが好ましい。
　現像後露光工程における露光量は、感光性化合物が感度を有する波長における露光エネルギー換算で、５０～２０，０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、１００～１５，０００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。
　現像後露光工程は、例えば、上述の露光工程における光源を用いて行うことができ、ブロードバンド光を用いることが好ましい。
＜金属層形成工程＞
　現像工程により得られたパターン（加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方に供されたものが好ましい）は、パターン上に金属層を形成する金属層形成工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程により得られたパターン（加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方に供されたものが好ましい）上に金属層を形成する金属層形成工程を含むことが好ましい。
　金属層としては、特に限定なく、既存の金属種を使用することができ、銅、アルミニウム、ニッケル、バナジウム、チタン、クロム、コバルト、金、タングステン、錫、銀及びこれらの金属を含む合金が例示され、銅及びアルミニウムがより好ましく、銅が更に好ましい。
　金属層の形成方法は、特に限定なく、既存の方法を適用することができる。例えば、特開２００７－１５７８７９号公報、特表２００１－５２１２８８号公報、特開２００４－２１４５０１号公報、特開２００４－１０１８５０号公報、米国特許第７８８８１８１Ｂ２、米国特許第９１７７９２６Ｂ２に記載された方法を使用することができる。例えば、フォトリソグラフィ、ＰＶＤ（物理蒸着法）、ＣＶＤ（化学気相成長法）、リフトオフ、電解めっき、無電解めっき、エッチング、印刷、及びこれらを組み合わせた方法などが考えられる。より具体的には、スパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチングを組み合わせたパターニング方法、フォトリソグラフィと電解めっきを組み合わせたパターニング方法が挙げられる。めっきの好ましい態様としては、硫酸銅やシアン化銅めっき液を用いた電解めっきが挙げられる。
　金属層の厚さとしては、最も厚肉の部分で、０．０１～５０μｍが好ましく、１～１０μｍがより好ましい。
＜用途＞
　本発明の硬化物の製造方法、又は、硬化物の適用可能な分野としては、電子デバイスの絶縁膜、再配線層用層間絶縁膜、ストレスバッファ膜などが挙げられる。そのほか、封止フィルム、基板材料（フレキシブルプリント基板のベースフィルムやカバーレイ、層間絶縁膜）、又は上記のような実装用途の絶縁膜をエッチングでパターン形成することなどが挙げられる。これらの用途については、例えば、サイエンス＆テクノロジー（株）「ポリイミドの高機能化と応用技術」２００８年４月、柿本雅明／監修、ＣＭＣテクニカルライブラリー「ポリイミド材料の基礎と開発」２０１１年１１月発行、日本ポリイミド・芳香族系高分子研究会／編「最新ポリイミド　基礎と応用」エヌ・ティー・エス，２０１０年８月等を参照することができる。
　本発明の硬化物の製造方法、又は、本発明の硬化物は、オフセット版面又はスクリーン版面などの版面の製造、成形部品のエッチングへの使用、エレクトロニクス、特に、マイクロエレクトロニクスにおける保護ラッカー及び誘電層の製造などにも用いることもできる。
（積層体、及び、積層体の製造方法）
　本発明の積層体とは、本発明の硬化物からなる層を複数層有する構造体をいう。
　積層体は、硬化物からなる層を２層以上含む積層体であり、３層以上積層した積層体としてもよい。
　上記積層体に含まれる２層以上の上記硬化物からなる層のうち、少なくとも１つが本発明の硬化物からなる層であり、硬化物の収縮、又は、上記収縮に伴う硬化物の変形等を抑制する観点からは、上記積層体に含まれる全ての硬化物からなる層が本発明の硬化物からなる層であることも好ましい。
　すなわち、本発明の積層体の製造方法は、本発明の硬化物の製造方法を含むことが好ましく、本発明の硬化物の製造方法を複数回繰り返すことを含むことがより好ましい。
　本発明の積層体は、硬化物からなる層を２層以上含み、上記硬化物からなる層同士のいずれかの間に金属層を含む態様が好ましい。上記金属層は、上記金属層形成工程により形成されることが好ましい。
　すなわち、本発明の積層体の製造方法は、複数回行われる硬化物の製造方法の間に、硬化物からなる層上に金属層を形成する金属層形成工程を更に含むことが好ましい。金属層形成工程の好ましい態様は上述の通りである。
　上記積層体としては、例えば、第一の硬化物からなる層、金属層、第二の硬化物からなる層の３つの層がこの順に積層された層構造を少なくとも含む積層体が好ましいものとして挙げられる。
　上記第一の硬化物からなる層及び上記第二の硬化物からなる層は、いずれも本発明の硬化物からなる層であることが好ましい。上記第一の硬化物からなる層の形成に用いられる本発明の樹脂組成物と、上記第二の硬化物からなる層の形成に用いられる本発明の樹脂組成物とは、組成が同一の組成物であってもよいし、組成が異なる組成物であってもよい。本発明の積層体における金属層は、再配線層などの金属配線として好ましく用いられる。
＜積層工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、積層工程を含むことが好ましい。
　積層工程とは、パターン（樹脂層）又は金属層の表面に、再度、（ａ）膜形成工程（層形成工程）、（ｂ）露光工程、（ｃ）現像工程、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方を、この順に行うことを含む一連の工程である。ただし、（ａ）膜形成工程および（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方を繰り返す態様であってもよい。また、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方の後には（ｅ）金属層形成工程を含んでもよい。積層工程には、更に、上記乾燥工程等を適宜含んでいてもよいことは言うまでもない。
　積層工程後、更に積層工程を行う場合には、上記露光工程後、上記加熱工程の後、又は、上記金属層形成工程後に、更に、表面活性化処理工程を行ってもよい。表面活性化処理としては、プラズマ処理が例示される。表面活性化処理の詳細については後述する。
　上記積層工程は、２～２０回行うことが好ましく、２～９回行うことがより好ましい。
　例えば、樹脂層／金属層／樹脂層／金属層／樹脂層／金属層のように、樹脂層を２層以上２０層以下とする構成が好ましく、２層以上９層以下とする構成が更に好ましい。
　上記各層はそれぞれ、組成、形状、膜厚等が同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　本発明では特に、金属層を設けた後、更に、上記金属層を覆うように、上記本発明の樹脂組成物の硬化物（樹脂層）を形成する態様が好ましい。具体的には、（ａ）膜形成工程、（ｂ）露光工程、（ｃ）現像工程、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方、（ｅ）金属層形成工程、の順序で繰り返す態様、又は、（ａ）膜形成工程、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方、（ｅ）金属層形成工程の順序で繰り返す態様が挙げられる。本発明の樹脂組成物層（樹脂層）を積層する積層工程と、金属層形成工程を交互に行うことにより、本発明の樹脂組成物層（樹脂層）と金属層を交互に積層することができる。
（表面活性化処理工程）
　本発明の積層体の製造方法は、上記金属層および樹脂組成物層の少なくとも一部を表面活性化処理する、表面活性化処理工程を含むことが好ましい。
　表面活性化処理工程は、通常、金属層形成工程の後に行うが、上記現像工程の後（好ましくは、加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方の後）、樹脂組成物層に表面活性化処理工程を行ってから、金属層形成工程を行ってもよい。
　表面活性化処理は、金属層の少なくとも一部のみに行ってもよいし、露光後の樹脂組成物層の少なくとも一部のみに行ってもよいし、金属層および露光後の樹脂組成物層の両方について、それぞれ、少なくとも一部に行ってもよい。表面活性化処理は、金属層の少なくとも一部について行うことが好ましく、金属層のうち、表面に樹脂組成物層を形成する領域の一部または全部に表面活性化処理を行うことがより好ましい。このように、金属層の表面に表面活性化処理を行うことにより、その表面に設けられる樹脂組成物層（膜）との密着性を向上させることができる。
　表面活性化処理は、露光後の樹脂組成物層（樹脂層）の一部または全部についても行うことが好ましい。このように、樹脂組成物層の表面に表面活性化処理を行うことにより、表面活性化処理した表面に設けられる金属層や樹脂層との密着性を向上させることができる。特にネガ型現像を行う場合など、樹脂組成物層が硬化されている場合には、表面処理によるダメージを受けにくく、密着性が向上しやすい。
　表面活性化処理は、例えば、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０４１５に記載の方法により実施することができる。この内容は本明細書に組み込まれる。
（半導体デバイス及びその製造方法）
　本発明は、本発明の硬化物、又は、積層体を含む半導体デバイスも開示する。
　また、本発明は、本発明の硬化物の製造方法、又は、積層体の製造方法を含む半導体デバイスの製造方法も開示する。
　本発明の樹脂組成物を再配線層用層間絶縁膜の形成に用いた半導体デバイスの具体例としては、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０２１３～０２１８の記載及び図１の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
（ポリイミド前駆体の合成方法）
　本発明のポリイミド前駆体の合成方法は、式（Ａ－１）で表される繰返し単位、及び、式（Ａ－２）で表される繰返し単位の少なくとも一方を含み、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を合成する方法であって、カルボン酸二無水物又はこれに由来する化合物と、ジアミンとをアミド化してポリアミドを得ること、上記ポリアミドの溶液に、上記ポリアミドの貧溶媒を追加して得られる沈殿物１を回収すること、並びに、上記沈殿物１を再溶解した溶液を上記ポリアミドの貧溶媒に追加して得られる沈殿物２を上記ポリイミド前駆体として回収すること、を含む。
　式（Ａ－１）中、Ｘ１は４価の連結基を表し、Ｙ１は下記式（Ｙ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造を含む構造であり、Ａ１はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数を表し、Ｌ１はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
　式（Ｙ－１）中、ＲＹ１はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であり、ｍおよびｎはそれぞれ独立に、０～４の整数である。
　式（Ａ－２）中、Ｘ２は４価の連結基を表し、Ｙ２は２価の連結基であり、Ｘ２及びＹ２のうち少なくとも一方は下記式（ＸＹ－１）で表される構造からそれぞれ４つ又は２つの水素原子を除いた構造であり、Ａ２はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、Ｌ２はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
　本発明のポリイミド前駆体の合成方法の好ましい態様は、上述の特性樹脂の製造方法の好ましい態様と同様である。
　本発明のポリイミド前駆体の合成方法により得られるポリイミド前駆体の好ましい態様、並びに、本発明のポリイミド前駆体の合成方法における式（Ａ－１）及び式（Ａ－２）の好ましい態様は、それぞれ、上述の特定樹脂の好ましい態様、及び、上述の特定樹脂における式（Ａ－１）及び式（Ａ－２）の好ましい態様と同様である。
　以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。「部」、「％」は特に述べない限り、質量基準である。
＜特定樹脂の製造方法＞
〔合成例Ｐ－１：樹脂Ｐ－１の合成〕
　０．０６８ｇのヒドロキノン、３０．０ｇのピロメリット酸（ＰＭＤＡ）をセパラブルフラスコに入れ、３６．０ｇの２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）と１２４．３ｇのγ-ブチロラクトンを入れて室温（２５℃）下で撹拌し、撹拌しながら２２．４ｇのピリジンを加えて、１６時間撹拌することで反応混合物を得た。
　氷冷下に冷却し、５６．７ｇのジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）を５５．９ｇのγ-ブチロラクトンに溶解した溶液を撹拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いて２６．４ｇのｍ－トリジンを１０８．７ｇのＮＭＰに溶解した溶液を撹拌しながら６０分かけて滴下した。更に室温で２時間撹拌した後、６．５ｇのエチルアルコールと０．２４３ｇの２，２，６，６－テトラメチルピペリジン　１－オキシル（ＴＥＭＰＯ）を加え、その後１時間撹拌し、次に、１２４．３ｇのγ－ブチロラクトンを加えた。反応液を終夜で冷蔵保管した後に、室温まで昇温し、反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除くことで反応液を得た。
　得られた反応液を６４０．０ｇのエチルアルコールに加えて粗ポリマーから成る沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーをデカンテーションにより回収し、３３０．１ｇのテトラヒドロフランに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を６９３０ｇの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、４５℃真空乾燥して粉末状の樹脂を５２．９ｇ得た。３０．０ｇの該乾燥後粉末を１９７．１ｇのテトラヒドロフランに溶解させた。得られた溶液に２１３．３ｇのエチルアルコールを滴下してポリマー沈殿物を生成し、エチルアルコール滴下終了後に続けて３０分間撹拌した。生成したポリマーをデカンテーションにより回収し、１２３．９ｇのテトラヒドロフランに溶解してポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶液を２３１３．３ｇの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、４５℃真空乾燥して粉末状の樹脂を２３．８ｇ得た。
　樹脂Ｐ－１の分子量を以下のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定により測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は４４，０００、分散度は１．８であった。
　高速ＧＰＣ装置ＨＬＣ－８４２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、ガードカラムとして、ＴＳＫ ｇｕｒｄｃｏｌｕｍｎ　Ｓｕｐｅｒ　ＡＷ－Ｈ（４．６ｍｍ×３５ｍｍ）、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＡＷＭ－Ｈ（４．６ｍｍ×１５０ｍｍ）２本を直列に連結してＧＰＣ測定を行った。溶離液としては、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）を用いた。標品としてはポリスチレンＰＳ－１、ＡＭＲ社製を用いた。
　以下の樹脂について、特段の記載がない限り、重量平均分子量及び分散度は上記樹脂Ｐ－１と同様の方法により測定されたものである。
　１Ｈ－ＮＭＲにより、樹脂Ｐ－１の構造は、下記式（Ｐ－１）で表される構造であることを確認した。下記構造中、括弧の添え字は各繰返し単位のモル比を表す。
〔合成例Ｐ－２～Ｐ－２１：樹脂Ｐ－２～Ｐ－２１の合成〕
　合成例Ｐ－１と同様の方法により、樹脂Ｐ－２～Ｐ－２１を合成した。
　樹脂Ｐ－２～Ｐ－８、Ｐ－２１の重量平均分子量（Ｍｗ）は４４，０００であった。
　樹脂Ｐ－６及びＰ－９については、使用するジアミンの量を調整する等の方法により、重量平均分子量（Ｍｗ）が下記表に記載の値である樹脂を合成した。
　１Ｈ－ＮＭＲにより、樹脂Ｐ－２～Ｐ－２１の構造は、下記式（Ｐ－２）～（Ｐ－２１）で表される構造であることを確認した。下記構造中、括弧の添え字は各繰返し単位のモル比を表す。
〔合成例Ｐ－１Ｂ、Ｐ－７Ｂ～Ｐ－１０Ｂ：樹脂Ｐ－１Ｂ、Ｐ－７Ｂ～Ｐ－１０Ｂの合成〕
　合成例Ｐ－１における、「氷冷下に冷却し、５６．７ｇのジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）を５５．９ｇのγ-ブチロラクトンに溶解した溶液を撹拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いて２６．４ｇのｍ－トリジンを１０８．７ｇのＮＭＰに溶解した溶液を撹拌しながら６０分かけて滴下した。」という操作を、「反応混合物を－５℃に冷却し、温度を－５～－３℃に保ちながら、３４．４ｇの塩化チオニルと１１９．９ｇのジグリムの混合溶液を６０分かけて滴下し、更に６０分撹拌した。ここに２６．３ｇのｍ－トリジンと１８６．９ｇのＮＭＰの混合溶液を３０分かけて滴下した。」と変更した方法と同様の方法で、Ｐ－７Ｂ～Ｐ－１０Ｂを合成した。
　Ｐ－１Ｂの重量平均分子量（Ｍｗ）は３３，０００、分散度は１．８、Ｐ－７Ｂ～Ｐ－１０Ｂの重量平均分子量（Ｍｗ）は４４，０００、分散度は１．８であった。
　１Ｈ－ＮＭＲにより、樹脂Ｐ－１Ｂ、Ｐ－７Ｂ～Ｐ－１０Ｂの構造は、上述の式（Ｐ－１）、（Ｐ－７）～（Ｐ－１０）で表される構造であることを確認した。
〔合成例ＰＣ－２：樹脂ＰＣ－２の合成〕
　ピロメリット酸二無水物３３．０２ｇをセパラブルフラスコに入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）３９．７０ｇとγ－ブチロラクトン１３６．８７ｇを入れて室温（２５℃）下で撹拌し、撹拌しながらピリジン２４．６６ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した撹拌した。
　次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）６２．４８ｇをγ－ブチロラクトン６１．５９ｇに溶解した溶液を撹拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いてベンジジン２５．２４ｇをＮＭＰ　１０７．８０ｇに溶解したものを撹拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間撹拌した後、エチルアルコール７．１７ｇを加えて１時間撹拌し、次に、γ-ブチロラクトン１３６．８７ｇを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
　得られた反応液を７１７．０９ｇのエチルアルコールに加えて粗ポリマーから成る沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン４０４．４０ｇに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を８４８９．５２ｇの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状の樹脂ＰＣ－２を６４．６ｇ得た。
　１Ｈ－ＮＭＲにより、樹脂ＰＣ－２の構造は、下記式（ＰＣ－２）で表される構造であることを確認した。樹脂ＰＣ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）は４０，０００、分散度は２．２であった。
〔合成例ＰＣ－１、ＰＣ－３：樹脂ＰＣ－１、ＰＣ－３～ＰＣ－４の合成〕
　合成例ＰＣ－２と同様の方法により、樹脂ＰＣ－１、ＰＣ－３～ＰＣ－４を合成した。
　樹脂ＰＣ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）は４０，０００、分散度は２．４であった。
　樹脂ＰＣ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）は４３，０００、分散度は２．２であった。
　樹脂ＰＣ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）は４０，０００、分散度は１．８であった。
　１Ｈ－ＮＭＲにより、樹脂ＰＣ－１、ＰＣ－３の構造は、下記式（ＰＣ－１）、式（ＰＣ－３）で表される構造であることを確認した。
〔合成例ＰＣ－５：樹脂ＰＣ－５の合成〕
　合成例Ｐ－１において、ｍ－トリジンを１２．３ｇに変更した以外は、合成例Ｐ－１と同様の用法により、樹脂ＰＣ－５を合成した。
　樹脂ＰＣ－５の構造は上述の樹脂Ｐ－１と同様の繰返し単位を有する構造であった。
　樹脂ＰＣ－５の重量平均分子量（Ｍｗ）は４５００、分散度は１．４であった。
＜実施例及び比較例＞
　各実施例において、それぞれ、下記表に記載の成分を混合し、各樹脂組成物を得た。また、比較例において、下記表に記載の成分を混合し、比較用組成物を得た。
　具体的には、溶剤以外の表に記載の各成分の含有量（配合量）は、表の各欄の「質量部」の欄に記載の量（質量部）とした。
　溶剤の含有量（配合量）は、組成物の固形分濃度が表中の「固形分濃度」の値（質量％）となるようにし、溶剤の全質量に対する各溶剤の含有量の比率（質量比）は、表中の「比率」の欄に記載の比率となるようにした。
　得られた樹脂組成物及び比較用組成物を、細孔の幅が０．８μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを用いて加圧ろ過した。
　また、表中、「－」の記載は該当する成分を組成物が含有していないことを示している。
　表に記載した各成分の詳細は下記の通りである。
〔樹脂〕
・Ｐ－１～Ｐ－２１、Ｐ－１Ｂ、Ｐ－７Ｂ～Ｐ－１０Ｂ、ＣＰ－１～ＣＰ－５：上記合成例により得られた樹脂Ｐ－１～Ｐ－２１、Ｐ－１Ｂ、Ｐ－７Ｂ～Ｐ－１０Ｂ、ＣＰ－１～ＣＰ－５
　Ｐ－１～Ｐ－２１、Ｐ－１Ｂ、Ｐ－７Ｂ～Ｐ－１０Ｂは特定樹脂に該当する樹脂である。
〔重合性化合物〕
・Ｍ－１～Ｍ－３：下記構造の化合物、下記構造中、括弧の添え字は繰返し数を表す。
・ＤＰＨＡ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
〔重合開始剤〕
・Ｉ－１～Ｉ－７：下記構造の化合物
〔塩基発生剤〕
・Ｆ－１～Ｆ－５：下記構造の化合物
〔重合禁止剤〕
・Ｂ－１～Ｂ－１０：下記構造の化合物（ただし、Ｂ－５はマイグレーション抑制剤としても働く化合物である）
・Ｅ－９：後述するＥ－９
〔シランカップリング剤（金属接着性改良剤）〕
・Ｃ－１～Ｃ－４：下記構造の化合物。
〔マイグレーション抑制剤〕
・Ｄ－１～Ｄ－５：下記構造の化合物
・Ｂ－５：上述の式Ｂ－５で表される化合物
〔添加剤〕
・Ｅ－１～Ｅ－１４：下記構造の化合物
・Ｆ－５５４：メガファックＦ－５５４（ＤＩＣ（株）製）
・ＢＹＫ－３３３：ＢＹＫ－３３３（ＢＹＫ社製）
・Ｅ－７：２，２’，３，３’－テトラヒドロ－３，３，３’，３’－テトラメチル－１，１’－スピロビ（１Ｈ－インデン）－５，５’，６，６’，７，７’ヘキサノールと１，２－ナフトキノン－（２）－ジアゾ－５－スルホン酸とのエステル
・Ｅ－８：下記合成品
＜添加剤：ジアゾナフトキノン化合物Ｅ－８の合成＞
　フラスコに４，４’－（１－（２－（４ヒドロキシフェニル）－２－プロピル）フェニル）エチリデン）ビスフェノール（本州化学工業（株）製：Ｔｒｉｓ－ＰＡ）を２９．７２ｇ（７０ミリモル）添加した。続いて、アセトン３００ｇに１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸クロライドを４６．９３ｇ（１７４．９ミリモル）、トリエチルアミン１７．９ｇを撹拌溶解し、滴下ロートを用いてフラスコに３０分かけて滴下し、内温３０℃で３０分撹拌した。続いて、塩酸を滴下して、更に３０分撹拌した。続いて、ビーカーに純水１６４０ｇと塩酸３０ｇの溶解液を準備し、これに、反応液中の塩酸塩をろ過したろ液を滴下し、析出物をろ過、水洗し、４０℃で５０時間真空乾燥し、ジアゾナフトキノン化合物Ｅ－８を得た。
〔溶剤〕
・ＮＭＰ：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
・ＥＬ：乳酸エチル
・ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
・ＧＢＬ：γ－ブチロラクトン
・γ－バレロラクトン
・ＭＤＭＰＡ：ＫＪＣＭＰＡ－１００（ＫＪケミカルズ（株）製）
・ｔｏｌｕｅｎｅ：トルエン
・ＣＰ：シクロペンタノン
・ＣＨ：シクロヘキサノン
＜評価＞
〔破断伸びの評価〕
　各実施例及び比較例において調製し樹脂組成物又は比較用組成物を、それぞれ、銅基板上にスピンコート法により層状に適用して、樹脂組成物層又は比較用組成物層を形成した。得られた樹脂組成物層又は比較用組成物層を形成した銅基板をホットプレート上で、１００℃で５分間乾燥し、銅基板上に膜厚２０μmであって、均一な厚さの樹脂組成物層又は比較用組成物層とした。露光条件の欄に「Ｍ」と記載された例においては、銅基板上の樹脂組成物層又は比較用組成物層を、幅３ｍｍ、長さ３０ｍｍの長方形状の領域となるように露光部が形成されたマスクを使用し、光源としてステッパーを用いて、５００ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーで、表の「露光波長（ｎｍ）」の欄に記載の露光波長（ｎｍ）の光により露光した。
　露光条件の欄に「Ｄ」と記載された例においては、光源として、ダイレクト露光装置（アドテック　ＤＥ－６ＵＨ　ＩＩＩ）を用いて、フォトマスクは使用せず、幅３ｍｍ、長さ３０ｍｍの長方形状の領域にレーザーダイレクトイメージング露光を行った。
　その後、シクロペンタノンで６０秒間現像して、ＰＧＭＥＡでリンスして樹脂層を得た。
　「キュア温度」の欄に数値が記載された例においては、ホットプレートを使用して、上記露光後の樹脂組成物層を、窒素雰囲気下で、１０℃／分の昇温速度で昇温し、表の「キュア温度（℃）」の欄に記載の温度に達した後、上記温度を表の「キュア時間（ｍｉｎ）」の時間において維持し、硬化物を得た。
　「キュア温度（℃）」の欄に「ＩＲ」と記載された例においては、赤外線ランプ加熱装置（アドバンス理工社製、ＲＴＰ－６）を用いて、各実施例において得られた樹脂膜を、窒素雰囲気下で、１０℃／分の昇温速度で昇温し、２３０℃に達した後、上記温度を表の「キュア時間（ｍｉｎ）」の時間において維持し、硬化物を得た。
　硬化後の樹脂組成物層（硬化物）を４．９質量％フッ化水素酸水溶液に浸漬し、シリコンウエハから硬化物を剥離した。剥離した硬化物（試料幅３ｍｍ、試料長３０ｍｍの試験片）の長手方向の伸び率を、引張り試験機（テンシロン）を用いて、クロスヘッドスピード３００ｍｍ／分、２５℃、６５％ＲＨ（相対湿度）の環境下にて、ＪＩＳ　Ｋ　６２５１：２０１７に準拠して測定した。測定は各５回ずつ実施し、５回の測定における試験片が破断した時の伸び率（破断伸び率）の算術平均値を指標値として用いた。
　評価は下記評価基準に従って行い、評価結果は表の「破断伸び」の欄に記載した。指標値が大きいほど、硬化物は膜強度に優れるといえる。
－評価基準－
Ａ：上記指標値が６５％以上であった。
Ｂ：上記指標値が６０％以上６５％未満であった。
Ｃ：上記指標値が５５％以上６０％未満であった。
Ｄ：上記指標値が５５％未満であった。
〔ガラス転移温度の評価〕
　上記「破断伸びの評価」において作成した試験片のＴｇをDMA850(TA Instruments)にて測定した。
　具体的には、下記（１）～（２）の順で上記硬化物の温度条件を変化させ、ガラス転移温度を測定した。
（１）２５℃から３５０℃まで５℃／分の速度で昇温した。
（２）３５０℃から２５℃まで冷却した。
　得られたＴｇについて下記評価基準に従って評価を行った。
－評価基準－
Ａ：ガラス転移温度が２３０℃以上であった。
Ｂ：ガラス転移温度が１８０℃以上２３０℃未満であった。
Ｃ：ガラス転移温度が１８０℃未満であった。
　以上の結果から、本発明の樹脂組成物によれば、破断伸びが大きい硬化物が得られることが分かる。
　比較例１に係る比較用組成物は、特定樹脂を含有しない。このような比較用組成物から形成される硬化物は破断伸びが小さいことが分かる。
＜実施例２０１＞
　実施例１において使用した樹脂組成物を、表面に銅薄層が形成された樹脂基材の銅薄層の表面にスピンコート法により層状に適用して、１００℃で５分間乾燥し、膜厚２０μｍの感光膜を形成した後、ステッパー（（株）ニコン製、ＮＳＲ１５０５　ｉ６）を用いて露光した。露光はマスク（パターンが１：１ラインアンドスペースであり、線幅が１０μｍであるバイナリマスク）を介して、波長３６５ｎｍで行った。上記露光後、シクロペンタノンで２分間現像し、ＰＧＭＥＡで３０秒間リンスし、層のパターンを得た。
　次いで、窒素雰囲気下で、１０℃／分の昇温速度で昇温し、２３０℃に達した後、２３０℃で１８０分間維持して再配線層用層間絶縁膜を形成した。この再配線層用層間絶縁膜は、絶縁性に優れていた。
　また、この再配線層用層間絶縁膜を使用して半導体デバイスを製造したところ、問題なく動作することを確認した。

Claims (19)

  1. 　下記式（Ａ－１）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を含む
    　樹脂組成物。
    　式（Ａ－１）中、Ｘ１は４価の連結基を表し、Ｙ１は下記式（Ｙ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造を含む構造であり、Ａ１はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数を表し、Ｌ１はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
    　式（Ｙ－１）中、ＲＹ１はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であり、ｍおよびｎはそれぞれ独立に、０～４の整数である。
  2. 　下記式（Ａ－２）で表される繰返し単位を含み、重量平均分子量が５，０００以上であり、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を含む
    　樹脂組成物。
    　式（Ａ－２）中、Ｘ２は４価の連結基を表し、Ｙ２は２価の連結基であり、Ｘ２及びＹ２のうち少なくとも一方は下記式（ＸＹ－１）で表される構造からそれぞれ４つ又は２つの水素原子を除いた構造であり、Ａ２はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、Ｌ２はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
  3. 　前記ポリイミド前駆体の重量平均分子量が２０，０００～５０，０００であり、且つ、分散度が２．０以下である、請求項１または２に記載の樹脂組成物。
  4. 　前記ポリイミド前駆体の重量平均分子量が２０，０００～５０，０００であり、且つ、分散度が１．７以下である、請求項１または２に記載の樹脂組成物。
  5. 　前記ポリイミド前駆体が、下記繰返し単位１－１を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
    　繰返し単位１－１：式（Ａ－１）で表される繰返し単位であって、Ｘ１が下記式（２ａ）～式（２ｅ）で表される構造のいずれかであるか、又は、下記式（２ｆ）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
    　式（２ａ）～（２ｅ）中、＊１～＊４はそれぞれ、式（Ａ－１）中のカルボニル基との結合部位を表す。
    　式（２ｃ）中、Ｌ１及びＬ２は２価の連結基である。
    　式（２ｆ）中、ｎ１は０以上の整数である。
  6. 　前記ポリイミド前駆体が、下記繰返し単位１－２を含む、請求項１又は５に記載の樹脂組成物。
    　繰返し単位１－２：式（Ａ－１）で表される繰返し単位であって、Ｘ１が下記式（Ｖ－１）～（Ｖ－３）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
    　式（Ｖ－２）～（Ｖ－３）中、ＲＸ１、ＲＸ２はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基である。
  7. 　前記ポリイミド前駆体が、下記繰返し単位２－１を含む、請求項２に記載の樹脂組成物。
    　繰返し単位２－１：式（Ａ－２）で表される繰返し単位であって、Ｘ２が下記式（２ａ）～式（２ｅ）で表される構造のいずれかであるか、又は下記式（２ｆ）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
    　式（２ａ）～（２ｅ）中、＊１～＊４はそれぞれ、式（Ａ－２）中のカルボニル基との結合部位を表す。
    　式（２ｃ）中、Ｌ１及びＬ２は２価の連結基である。
    　式（２ｆ）中、ｎ１は０以上の整数である。
  8. 　前記ポリイミド前駆体が、下記繰返し単位２－２を含む、請求項２又は７に記載の樹脂組成物。
    　繰返し単位２－２：式（Ａ－２）で表される繰返し単位であって、Ｘ２が下記式（Ｖ－１）～（Ｖ－３）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む繰返し単位
    　式（Ｖ－２）中、ＲＸ１はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を有してもよいアルキル基である。
    　式（Ｖ－３）中、ＲＸ２及びＲＸ３はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲＸ２とＲＸ３は結合して環構造を形成してもよい。
  9. 　塩基発生剤を更に含む、請求項１、２、５又は７に記載の樹脂組成物。
  10. 　再配線層用層間絶縁膜の形成に用いられる、請求項１、２、５又は７に記載の樹脂組成物。
  11. 　請求項１、２、５又は７に記載の樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
  12. 　請求項１１に記載の硬化物からなる層を２層以上含み、上記硬化物からなる層同士のいずれかの間に金属層を含む積層体。
  13. 　請求項１、２、５又は７に記載の樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程を含む、硬化物の製造方法。
  14. 　上記膜を選択的に露光する露光工程及び上記膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含む、請求項１３に記載の硬化物の製造方法。
  15. 　上記膜を５０～４５０℃で加熱する加熱工程を含む、請求項１４に記載の硬化物の製造方法。
  16. 　請求項１３に記載の硬化物の製造方法を含む、積層体の製造方法。
  17. 　請求項１３に記載の硬化物の製造方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
  18. 　請求項１１に記載の硬化物を含む、半導体デバイス。
  19. 　式（Ａ－１）で表される繰返し単位、及び、式（Ａ－２）で表される繰返し単位の少なくとも一方を含み、且つ、重量平均分子量／数平均分子量で表される分散度が２．０以下であるポリイミド前駆体を合成する方法であって、
    　カルボン酸二無水物又はこれに由来する化合物と、ジアミンとをアミド化してポリアミドを得ること、
    　前記ポリアミドの溶液に、前記ポリアミドの貧溶媒を追加して得られる沈殿物１を回収すること、並びに、
    　前記沈殿物１を再溶解した溶液を前記ポリアミドの貧溶媒に追加して得られる沈殿物２を前記ポリイミド前駆体として回収すること、を含む
    　ポリイミド前駆体の合成方法。
    　式（Ａ－１）中、Ｘ１は４価の連結基を表し、Ｙ１は下記式（Ｙ－１）で表される構造から２つの水素原子を除いた構造を含む構造であり、Ａ１はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数を表し、Ｌ１はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ１はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
    　式（Ｙ－１）中、ＲＹ１はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であり、ｍおよびｎはそれぞれ独立に、０～４の整数である。
    　式（Ａ－２）中、Ｘ２は４価の連結基を表し、Ｙ２は２価の連結基であり、Ｘ２及びＹ２のうち少なくとも一方は下記式（ＸＹ－１）で表される構造からそれぞれ４つ又は２つの水素原子を除いた構造であり、Ａ２はそれぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲＮ－であり、ＲＮは水素原子又は有機基であり、ｎはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、Ｌ２はそれぞれ独立に、ｎ＋１価の連結基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、置換されていてもよいアルキル基を表す。
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