WO2026009780A1 - エポキシ樹脂組成物、硬化物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

モールド後のウエハに反りが発生しにくいエポキシ樹脂組成物を提供する。また、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物、上記硬化物を備える半導体装置、上記半導体装置の製造方法を提供する。　エポキシ樹脂（Ａ）、　分子内にポリテトラメチレンエーテル構造を有する化合物（Ｂ）、　無機充填材（Ｃ）、及び　硬化剤（Ｅ）を含む、エポキシ樹脂組成物。

Description

エポキシ樹脂組成物、硬化物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

　本発明はエポキシ樹脂組成物に関する。また、硬化物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。

　半導体装置を構成する集積回路等の半導体素子の多くは、封止材により封止された形態で使用されている。半導体素子を封止する方法は複数存在し、その一つとして圧縮成形法が知られている。圧縮成形法は金型に液状又は顆粒状の樹脂からなる封止材を入れ、必要に応じて加熱溶融し、圧縮して成形する方法であり、比較的大型の成形品の製造に適する。近年、圧縮成形法が半導体素子の封止に採用される機会が増加している。これは、ウエハレベルチップサイズパッケージ技術の普及が進んでいることなどに起因する。この技術は、ウエハの段階で封止材（コンプレッションモールド材）を用いたコンプレッション成形（圧縮成形）を行い、これを硬化することで多数の半導体素子を一度に封止し、その後に個片化するというものである。

　圧縮成形法による半導体素子の封止に用いられる従来の硬化性樹脂組成物は、固形（例えば顆粒状）の組成物が一般的であった。一方で、近年では新たな圧縮成形技術の開発に伴って、液状の硬化性樹脂組成物が用いられることも多くなっている。このような液状の硬化性樹脂組成物は、液状コンプレッションモールド（ＬＣＭ、Liquid Compression molding）材と呼ばれる。ＬＣＭ材は、電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、接着性等の諸特性のバランスの観点から、液状のエポキシ樹脂組成物が用いられている。

　半導体素子を個片化した後に封止する方法と比較すると、ウエハレベルチップサイズパッケージは生産性が高いものの、モールド後（封止後）のウエハが反りやすいという問題がある。ウエハに反りが発生すると、その後の搬送、研削、及び個片化等の工程において、ウエハの固定が十分でない等の悪影響があり、その結果、半導体装置の信頼性の低下につながることがある。

　このような問題を解決するため、種々の封止材が検討されている。例えば、特許文献１では、液状ビスフェノール型エポキシ樹脂、シリコーンゴム微粒子、シリコーン変性エポキシ樹脂、芳香族アミン硬化剤、無機充填剤、及び有機溶剤を含有した封止用液状エポキシ樹脂組成物が開示されている。また、特許文献２では、液状エポキシ樹脂、芳香族アミン硬化剤、固形シリコーン重合体のコアと有機重合体のシェルからなるコアシェルシリコーン重合体の微粒子、無機充填剤、及び有機溶剤を含有した封止用液状エポキシ樹脂組成物が開示されている。

特開２００７－０２３２７２号公報 特開２００８－１５０５５５号公報

　しかしながら、これらのエポキシ樹脂組成物をＬＣＭ材として使用した場合であっても、モールド後（封止後）のウエハに反りが発生するという問題があった。

　したがって、本発明の目的はモールド後のウエハに反りが発生しにくいエポキシ樹脂組成物を提供することにある。また、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物、上記硬化物を備える半導体装置、上記半導体装置の製造方法を提供することにある。以下、「モールド後のウエハの反り」を単に「反り」と称することがある。

　本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、特定の構成を有する組成物を用いることでその課題を解決できることを見出した。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。

　すなわち、本発明では、
　エポキシ樹脂（Ａ）、
　分子内にポリテトラメチレンエーテル構造を有する化合物（Ｂ）、
　無機充填材（Ｃ）、及び
　硬化剤（Ｅ）を含む、エポキシ樹脂組成物を提供する。

　化合物（Ｂ）は、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、及び（メタ）アクリロイル基からなる群より選択される少なくとも一つの置換基を有することが好ましい。

　化合物（Ｂ）における置換基は、水酸基及びエポキシ基からなる群より選択される少なくとも一つであることが好ましい。

　化合物（Ｂ）は、分子内にカーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）を含むことが好ましい。

　化合物（Ｂ）は、下記式（１）
［式中、ｎ_１は０以上の整数である。ｎ_２は２以上の整数である。Ｘ^１は同一又は異なって、カーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）、エーテル基（－Ｏ－）、エステル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－）、又はアミド基（－ＮＨ－（Ｃ＝Ｏ）－又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＮＨ－）である。Ｒ^１及びＲ^２は同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。Ｙ^１及びＹ^２は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
で示される化合物であることが好ましい。

　化合物（Ｂ）は、下記式（２）
［式中、ｎ_１１は１以上の整数である。ｎ_２１は０以上の整数である。ｎ_３１は２以上の整数である。Ｘ^２は同一又は異なって、エーテル基（－Ｏ－）、エステル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－）、又はアミド基（－ＮＨ－（Ｃ＝Ｏ）－又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＮＨ－）である。Ｒ^１１、Ｒ^２１、及びＲ^３１は同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。Ｙ^１１及びＹ^２１は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
で示される化合物であることが好ましい。

　化合物（Ｂ）は、下記式（３）
［式中、ｎ_１２は１以上の整数である。ｎ_２２は２以上の整数である。Ｒ^１２及びＲ^２２は、同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。Ｙ^１２及びＹ^２２は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
で示される化合物であることが好ましい。

　化合物（Ｂ）は、下記式（４）
［式中、ｎ_１３は２以上の整数である。Ｙ^１３及びＹ^２３は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
で示される化合物であることが好ましい。

　化合物（Ｂ）の分子量（分子量分布がある場合には数平均分子量）は、２００～６０００であることが好ましい。

　エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する化合物（Ｂ）の含有量は、０．１～１５質量％であることが好ましい。

　エポキシ樹脂組成物の硬化物のＴｇは、１００℃以上であることが好ましい。

　上記エポキシ樹脂組成物は、液状コンプレッションモールド材であることが好ましい。

　本発明では、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物についても提供する。

　本発明では、上記硬化物を備える半導体装置についても提供する。

　本発明では、
　支持体と、
　上記支持体上に搭載された半導体素子と、
　上記半導体素子を封止する上記硬化物と、
　を備える半導体装置についても提供する。

　本発明では、
　支持体と、上記支持体上に搭載された半導体素子とを備える積層体上に、上記エポキシ樹脂組成物を供給する工程と、
　上記支持体と上記半導体素子とのギャップに上記エポキシ樹脂組成物を充填して成形体を形成し、上記成形体を硬化して上記半導体素子を封止し、封止体を得る工程と、
　を含む半導体装置の製造方法についても提供する。

　上記半導体装置の製造方法は、さらに、上記封止体を研磨する工程を含むことが好ましい。

　本発明のエポキシ樹脂組成物は反りが発生しにくい。したがって、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物を備える半導体装置は高い信頼性を発揮する。

本発明の半導体装置の製造方法における、一の実施形態を説明する図である。 本発明の半導体装置の製造方法における、他の実施形態を説明する図である。 実施例１におけるマイクロボイドを説明する図である。 実施例３におけるマイクロボイドを説明する図である。

＜エポキシ樹脂組成物＞
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、分子内にポリテトラメチレンエーテル構造を有する化合物（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）、及び硬化剤（Ｅ）を含む。以下、分子内にポリテトラメチレンエーテル構造を有する化合物（Ｂ）を「化合物（Ｂ）」と称することがある。

・エポキシ樹脂（Ａ）
　上記エポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂（Ａ）を含むことにより、高い電気絶縁性を備える硬化物を形成することができる。エポキシ樹脂（Ａ）が有するエポキシ基の個数は１以上であれば特に限定されないが、２以上であること（すなわち、多官能タイプのエポキシ樹脂であること）が好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）は１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

　エポキシ樹脂（Ａ）は、常温（２５℃）で液状であってもよいし、固体状であってもよいが、エポキシ樹脂組成物の粘度の観点からは液状であることが好ましい。固体状のエポキシ樹脂であっても、液状のエポキシ樹脂と併用することにより、混合物として液状を示す場合は好ましく用いることができる。

　エポキシ樹脂（Ａ）は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、オキサゾリドン環含有エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルメタン型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂、及びシリコーン変性エポキシ樹脂等が挙げられる。この中でも、反りの低減の観点からは、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。

　液状のエポキシ樹脂の具体例としては、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製の「ＹＤＦ－８１７０」、「ＹＤＦ８７０ＧＳ」（いずれもビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＤＦ－８１２５」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ＺＸ－１６５８」、「ＺＸ－１６５８ＧＳ」（いずれも液状１，４－グリシジルシクロヘキサン）；ＤＩＣ株式会社製の「ＨＰ－４０３２」、「ＨＰ－４０３２Ｄ」、「ＨＰ－４０３２ＳＳ」（いずれもナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル株式会社製の「ｊＥＲ８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（いずれもビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０６」、「ｊＥＲ８０７」（いずれもビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ６３０」、「ｊＥＲ６３０ＬＳＤ」、（いずれもアミノフェノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ７４００Ｎ」（脂肪族エポキシ樹脂／ポリテトラメチレングリコールのジグリシジルエーテル）；新日鉄住金化学株式会社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス株式会社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、「ＥＸ－１７１」（ラウリルアルコール（ＥＯ）_１５グリシジルエーテル）；ＡＤＥＫＡ株式会社製の「アデカレジンＥＰ４００５」（ポリプロピレングリコール構造を含むビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ＥＰ－３９５０Ｌ」（アミノフェノール型エポキシ樹脂）、「ＥＰ３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；旭化成株式会社製の「ＡＥＲ９０００」（ＰＯ変性ビスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＡＥＲ４００１」、「ＡＥＲ４００４」、「ＡＥＲ４１５２」（いずれもオキサゾリドン環含有エポキシ樹脂）；ダウ・ケミカル株式会社製の「ＤＥＲ８５２」、「ＤＥＲ８５８」（いずれもオキサゾリドン環含有エポキシ樹脂）、日本化薬株式会社製の「ＦＡＥ－２５００」、「ＥＰＰＮ－５０１ＨＹ」（いずれもトリスフェノールメタン型エポキシ樹脂）、及び株式会社ダイセル製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（脂環式エポキシ樹脂）が挙げられる。

　固体状のエポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ株式会社製の「ＨＰ－４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（いずれもナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」、「ＨＰ－７２００Ｌ」、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＨＰ－７２００ＨＨＨ」（いずれもジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ８５０ＣＲＰ」、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（いずれもナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬株式会社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂）、「ＮＣ－７０００－Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ－３０００－Ｈ」、「ＮＣ－３０００」、「ＮＣ－３０００－Ｌ」、「ＮＣ－３１００」（いずれもビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル株式会社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（いずれもビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル株式会社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」；三菱ケミカル株式会社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５７Ｓ７０」（ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）が挙げられる。

　エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ当量は特に限定されないが、例えば、２０～１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、より好ましくは４０～６００ｇ／ｅｑ、さらに好ましくは５０～４００ｇ／ｅｑである。

　上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対するエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は特に限定されないが、例えば、１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは４質量％以上である。また、例えば、３０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対するエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、例えば、１～３０質量％であることが好ましく、より好ましくは２～２５質量％、さらに好ましくは３～２０質量％、さらに好ましくは４～１５質量％、特に好ましくは４～１０質量％である。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量が上記範囲内にあることにより、電気絶縁性の高い硬化物が得られる傾向がある。

・化合物（Ｂ）
　化合物（Ｂ）は、分子内にポリテトラメチレンエーテル構造を有する化合物である。ポリテトラメチレンエーテル構造は「－（ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ）ｎ－（ｎは２以上の整数）」で示される構造である。化合物（Ｂ）は上記構造（骨格）を有することにより、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物の柔軟性が向上し、弾性率が低下するため、反りが低減される。特に、ポリプロピレン骨格やポリエチレン骨格を有する化合物と比較しても、優れた柔軟性を有する。化合物（Ｂ）は公知の反り低減用材料（例えば、シリコーン樹脂やコアシェルゴム粒子等）と比較すると、（１）高い反り低減効果を備えるだけでなく、（２）組成物の粘度が上昇しにくいという点で優れている。また、硬化物の熱膨張率が低減される傾向がある。

　化合物（Ｂ）は、モールド後のマイクロボイドの発生を低減する観点からは、分子内にカーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）を含むことが好ましい。化合物（Ｂ）は、反りのさらなる低減の観点からは、分子内にカーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）を含まないことが好ましい。また、化合物（Ｂ）は、反りを低減させる観点からは、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、及び（メタ）アクリロイル基からなる群より選択される少なくとも一つの置換基を有することが好ましく、水酸基及びエポキシ基からなる群より選択される少なくとも一つの置換基を有することがより好ましい。

　また、化合物（Ｂ）は、カーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）及びエーテル基（－Ｏ－）以外に、分子内にエステル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－）やアミド基（－ＮＨ－（Ｃ＝Ｏ）－又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＮＨ－）を含んでいてもよい。化合物（Ｂ）は２以上の炭化水素基がこれらの基により連結した構造を有し、且つ上記炭化水素基の水素の一部又は全部が、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基に置換された化合物であることが好ましい。上記炭化水素基の炭素数は特に限定されないが、例えば、１～１０が好ましく、より好ましくは２～８、さらに好ましくは３～６、特に好ましくは４又は５である。化合物（Ｂ）に含まれる炭化水素基が２以上である場合、炭化水素基はそれぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。ただし、化合物（Ｂ）から、エポキシ樹脂（Ａ）に相当する化合物は除かれる。化合物（Ｂ）は１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

　化合物（Ｂ）としては、例えば、下記式（１）で示される化合物が挙げられる。

　式（１）中、ｎ_１は０以上の整数であり、好ましくは１～８０、より好ましくは２～６０、さらに好ましくは４～５０である。ｎ_２は２以上の整数であり、好ましくは３～８０、より好ましくは４～６０、さらに好ましくは５～５０である。ｎ_１及びｎ_２の和は２以上の整数であり、好ましくは３～１２０、より好ましくは４～８０、さらに好ましくは４～６０である。Ｘ^１は同一又は異なって、カーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）、エーテル基（－Ｏ－）、エステル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－）、又はアミド基（－ＮＨ－（Ｃ＝Ｏ）－又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＮＨ－）である。Ｘ^１は、モールド後のマイクロボイドの発生を低減する観点からは、少なくとも一つがカーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）であることが好ましい。一方で、反りのさらなる低減の観点からは、カーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）を含まないことが好ましい。Ｒ^１及びＲ^２は同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。上記アルキレン基の炭素数は、２～８であることが好ましく、より好ましくは３～６であり、さらに好ましくは４又は５、特に好ましくは４である。上記アルキレン基としては、例えば、－（ＣＨ_２）_２－、－（ＣＨ_２）_３－、－（ＣＨ_２）_４－、－（ＣＨ_２）_５－、－（ＣＨ_２）_６－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｃ（ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－が挙げられる。Ｙ^１及びＹ^２は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。

　分子内にカーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）を含む化合物（Ｂ）としては、例えば、下記式（２）で示される化合物が挙げられる。

　式（２）中、ｎ_１１は１以上の整数であり、好ましくは１～４０、より好ましくは２～２０、さらに好ましくは２～１０である。ｎ_２１は０以上の整数であり、好ましくは１～３０、より好ましくは２～２０、さらに好ましくは３～１０である。ｎ_３１は２以上の整数であり、好ましくは３～８０、より好ましくは４～６０、さらに好ましくは５～５０である。ｎ_１１、ｎ_２１、及びｎ_３１の和は３以上の整数であり、好ましくは３～１２０であり、より好ましくは４～８０であり、さらに好ましくは４～６０である。Ｘ^２は同一又は異なって、エーテル基（－Ｏ－）、エステル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－）、又はアミド基（－ＮＨ－（Ｃ＝Ｏ）－又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＮＨ－）である。Ｒ^１１、Ｒ^２１、及びＲ^３１は同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。上記アルキレン基の炭素数は、２～８であることが好ましく、より好ましくは３～６であり、さらに好ましくは４又は５、特に好ましくは４である。上記アルキレン基としては、例えば、－（ＣＨ_２）_２－、－（ＣＨ_２）_３－、－（ＣＨ_２）_４－、－（ＣＨ_２）_５－、－（ＣＨ_２）_６－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｃ（ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－が挙げられる。Ｙ^１１及びＹ^２１は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。

　化合物（Ｂ）は、下記式（３）で示される化合物であることがマイクロボイドの発生の低減の観点から特に好ましい。

　式（３）中、ｎ_１２は１以上の整数であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～１０、さらに好ましくは２～８である。ｎ_２２は２以上の整数であり、好ましくは３～８０、より好ましくは４～６０、さらに好ましくは５～５０である。Ｒ^１２及びＲ^２２は同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。上記アルキレン基の炭素数は、２～８であることが好ましく、より好ましくは３～６であり、さらに好ましくは４又は５、特に好ましくは４である。上記アルキレン基としては、例えば、－（ＣＨ_２）_２－、－（ＣＨ_２）_３－、－（ＣＨ_２）_４－、－（ＣＨ_２）_５－、－（ＣＨ_２）_６－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｃ（ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－が挙げられる。Ｙ^１２及びＹ^２２は、同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。

　化合物（Ｂ）は、下記式（４）で示される化合物であることが反りのさらなる低減の観点から好ましい。

　式（４）中、ｎ_１３は２以上の整数であり、好ましくは３～８０、より好ましくは４～６０、さらに好ましくは５～４０である。Ｙ^１３及びＹ^２３は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。

　化合物（Ｂ）の分子量（分子量分布がある場合には数平均分子量）は、例えば、２００～６０００、好ましくは５００～５７００、より好ましくは１０００～５４００、特に好ましくは１４００～５２００である。化合物（Ｂ）の重量平均分子量は、例えば、５００～１６０００、好ましくは１０００～１４０００、より好ましくは２０００～１３０００、特に好ましくは３０００～１２０００である。化合物（Ｂ）の数平均分子量及び重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ分析におけるポリスチレン換算により測定される値である。

　化合物（Ｂ）は、例えば、「ポリカーボネートジオール」、「ポリエーテルジオール」などとして市販されている化合物のうち、化合物（Ｂ）に該当するものを用いることができる。例えば、旭化成株式会社製のデュラノールシリーズ、三菱ケミカル株式会社製のＰＥＰＣＤシリーズ（ＰＥＰＣＤ　ＮＴ１００２、ＰＥＰＣＤ　ＮＴ２００２、ＰＥＰＣＤ　ＮＴ２００６等）やＢＥＮＥＢｉＯＬシリーズ、宇部興産株式会社製のＥＴＥＲＮＡＣＯＬＬシリーズ（１，６－ヘキサンジオールと１，５－ペンタンジオール及び炭酸ジメチルとから製造されたポリカーボネートジオールであるＰＨ－３００、１，６－ヘキサンジオールと炭酸ジメチルとから製造されたポリカーボネートジオールであるＵＨ－１００やＵＨ－３００、１，６－ヘキサンジオールとカプロラクトン及び炭酸ジメチルとから製造されたポリカーボネートジオールであるＵＨＣ５０－１００やＵＨＣ５０－３００等）、株式会社クラレ製のクラレポリオール等のポリカーボネートジオールが挙げられる。また、ＡＧＣ株式会社のエクセノール、ＤＩＣ株式会社のポリライトシリーズ、ＡＤＥＫＡ株式会社製のアデカポリエーテル等のポリエーテルジオールが挙げられる。

　上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する化合物（Ｂ）の含有量は特に限定されないが、例えば、０．１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．８質量％以上、特に好ましくは１質量％以上である。また、例えば、１５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１２質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは８質量％以下、特に好ましくは６質量％以下である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する化合物（Ｂ）の含有量は、例えば、０．１～１５質量％であることが好ましく、より好ましくは０．３～１２質量％、さらに好ましくは０．５～１０質量％、さらに好ましくは０．８～８質量％、特に好ましくは１～６質量％である。

　上記エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する化合物（Ｂ）の含有量は特に限定されないが、例えば、１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上、特に好ましくは２０質量％以上である。また、例えば、１００質量％以下であることが好ましく、より好ましくは８０質量％以下、さらに好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５０質量％以下、特に好ましくは４０質量％以下である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する化合物（Ｂ）の含有量は、例えば、１～１００質量％であることが好ましく、より好ましくは５～８０質量％、さらに好ましくは１０～６０質量％、さらに好ましくは２０～５０質量％、特に好ましくは２０～４０質量％である。化合物（Ｂ）の含有量が上記範囲内にあることにより、モールド後のウエハに反りが発生しにくい傾向がある。

・無機充填材（Ｃ）
　無機充填材（Ｃ）は特に限定されないが、（１）エポキシ樹脂組成物の硬化反応に起因する体積収縮（硬化収縮）を抑制する特性を有するもの、（２）硬化物の加熱による体積変化（熱収縮）を抑制する特性を持つもの、すなわち、添加により硬化物の線膨張係数を下げる効果を有するもの、又は（３）これらの双方の特性を有するものであることが好ましい。

　無機充填材（Ｃ）としては、例えば、シリカ（二酸化ケイ素）、炭化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ（酸化アルミニウム）、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、炭酸バリウム、酸化チタン、硫酸石灰、チタン酸カリウム、炭酸マグネシウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、及びこれらの表面が処理された無機粒子が挙げられる。この中でも、充填量を高くできる観点からシリカが好ましい。また、高熱伝導の観点からアルミナが好ましい。無機充填材（Ｃ）は１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

　無機充填材（Ｃ）は、エポキシ樹脂組成物の粘性を適切な範囲とする観点からエポキシ基、（メタ）アクリロイル基、又はアミノ基（特にフェニルアミノ基）等の官能基を有するカップリング剤により表面処理がなされたものであることが好ましい。上記カップリング剤としては、例えば、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２－（３、４－エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。無機充填材（Ｃ）に対する表面処理には上記カップリング剤の１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

　無機充填材（Ｃ）の形状は特に限定されないが、例えば、球状（真球状、略真球状等）、多面体状、棒状（円柱状、角柱状等）、平板状、りん片状、不定形状が挙げられる。この中でも、高い充填量を達成できる観点からは球状が好ましい。

　無機充填材（Ｃ）の平均粒径は特に制限されないが、例えば、１ｎｍ～１５μｍが好ましく、より好ましくは０．１～１０μｍが好ましく、さらに好ましくは０．２～５μｍ、さらに好ましくは０．３～３μｍ、さらに好ましくは０．４～２μｍである。無機充填材（Ｃ）の平均粒径が上記範囲内にあることによって、粒径が大きすぎないことから、狭いギャップであってもエポキシ樹脂組成物の充填性が高い傾向がある。特に上記エポキシ樹脂組成物を液状コンプレッションモールド材として使用する際、ギャップ幅が最大で４０μｍ程度となることがあるため、無機充填材（Ｃ）の平均粒径は１ｎｍ～５μｍが好ましく、より好ましくは０．１～３μｍ、さらに好ましくは０．２～２μｍである。なお、エポキシ樹脂組成物の粘度を調整する目的で平均粒径が異なる２種以上のフィラーを併用してもよい。本明細書において、無機充填材（Ｃ）の平均粒径の測定方法は特に限定されないが、例えば、レーザー回析・散乱法粒度分布測定装置（製品名：ＬＳ １３ ３２０、ベックマン・コールター株式会社製)を用いて測定することができる。

　上記エポキシ樹脂組成物が無機充填材（Ｃ）としてシリカを含む場合、平均粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である第１のシリカと、平均粒径が０．１～５．０μｍである第２のシリカを併用することが好ましい。上記第１のシリカの平均粒径は、好ましくは２０～８０ｎｍであり、より好ましくは３０～６０ｎｍである。また、上記第２のシリカの平均粒径は、好ましくは０．２～３．０μｍであり、より好ましくは０．３～２．０μｍである。上記エポキシ樹脂組成物が無機充填材（Ｃ）としてアルミナを含む場合、その平均粒径は０．１～５．０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．２～３．０μｍ、さらに好ましくは０．３～２．０μｍである。

　上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する無機充填材（Ｃ）の含有量は特に限定されないが、例えば、５０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは７５質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。また、例えば、９６質量％以下であることが好ましく、より好ましくは９３質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下、特に好ましくは８８質量％以下である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する無機充填材（Ｃ）の含有量は、例えば、５０～９６質量％であることが好ましく、より好ましくは６０～９３質量％、さらに好ましくは７０～９０質量％、さらに好ましくは７５～８８質量％、特に好ましくは８０～８８質量％である。無機充填材（Ｃ）の含有量が上記範囲内にあることにより、エポキシ樹脂組成物のギャップへの充填性や作業性が向上するとともに、モールド後のウエハに反りが発生しにくい傾向がある。

　上記エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する無機充填材（Ｃ）の含有量は特に限定されないが、例えば、２００質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４００質量％以上、さらに好ましくは５００質量％以上である。また、例えば、２５００質量％以下であることが好ましく、より好ましくは２０００質量％以下、さらに好ましくは１５００質量％以下である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する無機充填材（Ｃ）の含有量は、例えば、２００～２５００質量％であることが好ましく、より好ましくは４００～２０００質量％、さらに好ましくは５００～１５００質量％である。無機充填材（Ｃ）の含有量が上記範囲内にあることにより、エポキシ樹脂組成物のギャップへの充填性や作業性が向上するとともに、モールド後のウエハに反りが発生しにくい傾向がある。

・硬化促進剤（Ｄ）
　上記エポキシ樹脂組成物は硬化促進剤（Ｄ）を含んでいてもよい。硬化促進剤（Ｄ）は、エポキシ樹脂の硬化を促進する特性を有する。硬化促進剤としては特に限定されないが、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、第三級アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール系硬化促進剤が信頼性の観点から好ましい。硬化促進剤（Ｄ）は１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

　イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、及び２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン等のイミダゾール化合物が挙げられる。市販品としては、四国化成工業株式会社製の２－エチル－４－メチルイミダゾール（製品名「２Ｅ４ＭＺ」）、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（製品名「２Ｐ４ＭＺ」）、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール（製品名「２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ」）、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン（製品名「２ＭＺＡ－ＰＷ」）、「２ＭＺ－ＯＫ」、「２ＭＡ－ＯＫ」、及び「２ＰＨＺ」等が挙げられる。また、マイクロカプセル型イミダゾールやエポキシアダクト型イミダゾールと呼ばれるカプセル化イミダゾールを用いてもよい。市販品としては、「ＨＸ３９４１ＨＰ」、「ＨＸＡ３９４２ＨＰ」、「ＨＸＡ３９２２ＨＰ」、「ＨＸＡ３７９２」、「ＨＸ３７４８」、「ＨＸ３７２１」、「ＨＸ３７２２」、「ＨＸ３０８８」、「ＨＸ３７４１」、「ＨＸ３７４２」、「ＨＸ３６１３」（いずれも旭化成株式会社製）等、「ＰＮ－２３Ｊ」、「ＰＮ－４０Ｊ」、「ＰＮ－５０」（味の素ファインテクノ株式会社製）、「ＦＸＲ－１１２１」（株式会社Ｔ＆Ｋ　ＴＯＫＡ製）等が挙げられる。

　第三級アミン系硬化促進剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミン、２－（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ'－ジメチルピペラジン、トリエチレンジアミン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン、及びこれらの塩が挙げられる。上記塩としては、例えば、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセンのギ酸塩、オクチル酸塩、ｐ－トルエンスルホン酸塩、ｏ－フタル酸塩、フェノール塩、又はフェノールノボラック樹脂塩や、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノネンのギ酸塩、オクチル酸塩、ｐ－トルエンスルホン酸塩、ｏ－フタル酸塩、フェノール塩、又はフェノールノボラック樹脂塩が挙げられる。

　リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ－ｐ－トリルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、１，２－ビス－（ジフェニルホスフィノ）エタン等のリン化合物が挙げられる。

　上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する硬化促進剤（Ｄ）の含有量は特に限定されないが、例えば、０．０１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．０２質量％以上、さらに好ましくは０．０４質量％以上、さらに好ましくは０．０６質量％以上、特に好ましくは０．０８質量％以上である。また、例えば、５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、例えば、０．０１～５質量％であることが好ましく、より好ましくは０．０２～３質量％、さらに好ましくは０．０４～２質量％、さらに好ましくは０．０６～１質量％、特に好ましくは０．０８～１質量％である。硬化促進剤（Ｄ）の含有量が上記範囲内にあることにより、硬化性が向上しモールド成形が良好となる傾向がある。

　上記エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する硬化促進剤（Ｄ）の含有量は特に限定されないが、例えば、０．１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．４質量％以上、さらに好ましくは０．６質量％以上、特に好ましくは０．８質量％以上である。また、例えば、３０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、例えば、０．１～３０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．２～２０質量％、さらに好ましくは０．４～１０質量％、さらに好ましくは０．６～５質量％、特に好ましくは０．８～３質量％である。硬化促進剤（Ｄ）の含有量が上記範囲内にあることにより、硬化性が向上しモールド成形が良好となる傾向がある。

・硬化剤（Ｅ）
　硬化剤（Ｅ）は、エポキシ樹脂の重合を開始、進行、又は促進させるものであれば特に限定されないが、例えば、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、及びフェノール系硬化剤が挙げられ、その中でも酸無水物系硬化剤又はフェノール系硬化剤が好ましい。硬化剤（Ｅ）は１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

　上記アミン系硬化剤としては、例えば、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチルジフェニルメタン、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルチオトルエンジアミン、メチレンジアニリン、ｍ－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、及び３，３’－ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族アミンが挙げられる。上記酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルテトラヒドロフタル酸無水物等のアルキル化テトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、フタル酸無水物、ドデセニル無水コハク酸、及びメチルナド酸無水物が挙げられる。上記フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトール修飾フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン修飾フェノール樹脂、及びｐ－キシレン修飾フェノール樹脂が挙げられる。

　硬化剤（Ｅ）の当量（官能基一個当たりの分子量）は特に限定されないが、例えば、１０～６００ｇ／ｅｑであることが好ましく、より好ましくは３０～３００ｇ／ｅｑ、さらに好ましくは５０～１５０ｇ／ｅｑである。

　上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する硬化剤（Ｅ）の含有量は特に限定されないが、例えば、１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは４質量％以上、特に好ましくは５質量％以上である。また、例えば、２０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１６質量％以下、さらに好ましくは１３質量％以下、特に好ましくは１２質量％以下である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する硬化剤（Ｅ）の含有量は、例えば、１～２０質量％であることが好ましく、より好ましくは２～１６質量％、さらに好ましくは３～１３質量％、さらに好ましくは４～１２質量％、特に好ましくは５～１２質量％である。硬化剤（Ｅ）の含有量が上記範囲内にあることにより、硬化性が向上しモールド成形が良好となる傾向がある。また、モールド後のウエハに反りが発生しにくい傾向がある。

　上記エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する硬化剤（Ｅ）の含有量は特に限定されないが、例えば、３０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは５０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、特に好ましくは１００質量％以上である。また、例えば、４００質量％以下であることが好ましく、より好ましくは３００質量％以下、さらに好ましくは２５０質量％以下、特に好ましくは２００質量％以下である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する硬化剤（Ｅ）の含有量は、例えば、３０～４００質量％であることが好ましく、より好ましくは５０～３００質量％、さらに好ましくは８０～２５０質量％、特に好ましくは１００～２００質量％である。硬化剤（Ｅ）の含有量が上記範囲内にあることにより、硬化性が向上しモールド成形が良好となる傾向がある。また、モールド後のウエハに反りが発生しにくい傾向がある。

　エポキシ樹脂（Ａ）に対する硬化剤（Ｅ）の含有量は特に限定されないが、例えば、当量比で０．５～１．５が好ましく、０．７～１．３がさらに好ましい。

・その他の成分（Ｆ）
　上記エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、化合物（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）、硬化促進剤（Ｄ）、及び硬化剤（Ｅ）以外の成分（以下、「その他の成分（Ｆ）」と称する）を含んでいてもよい。その他の成分（Ｆ）としては、例えば、エポキシ樹脂（Ａ）以外の硬化性化合物、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、及びポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂、カップリング剤、エラストマー、界面活性剤、イオントラップ剤、レベリング剤、酸化防止剤、消泡剤、難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、反応性希釈剤、溶剤等が挙げられる。その他の成分（Ｆ）は１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

　上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対するその他の成分（Ｆ）の含有量は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、例えば、１０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは５質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。また、例えば、０．０１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％以上である。

　上記エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する溶剤の含有量は、例えば、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下、０．１質量％以下、又は０．０１質量％以下である。また、例えば、０．００１質量％以上である。溶剤はエポキシ樹脂組成物に含まれていてもよいが、硬化時において溶剤の揮発に起因する意図しないボイドが発生し得るという観点からは、実質的に含まれないことが望ましい。

（エポキシ樹脂組成物の物性及び製造方法）
　上記エポキシ樹脂組成物の２５℃における粘度は特に限定されないが、例えば、１～２０００Ｐａ・ｓが好ましく、より好ましくは５～１５００Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは１０～１０００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは５０～５００Ｐａ・ｓである。粘度が上記範囲内にあることにより、エポキシ樹脂組成物のギャップへの充填性や作業性が向上するとともに、モールド後のウエハの反りが低減される傾向がある。なお、上記粘度は、例えば、後述の実施例にて説明した方法により測定することができる。

　上記エポキシ樹脂組成物は公知慣用の方法により調製することができる。例えば、エポキシ樹脂（Ａ）、化合物（Ｂ）、及び無機充填材（Ｃ）、並びに、必要に応じて硬化促進剤（Ｄ）、硬化剤（Ｅ）、及びその他の成分（Ｆ）からなる群より選択される少なくとも一つを、同時に又は別々に適切な混合機に導入して、必要に応じて加熱することで溶融しつつ撹拌・混合することにより、上記エポキシ樹脂組成物を得ることができる。エポキシ樹脂（Ａ）が固形の場合は、加熱により液状化又は流動化して混合することが好ましい。エポキシ樹脂組成物中に無機充填材（Ｃ）を均一に分散させることが困難な場合、エポキシ樹脂（Ａ）及び無機充填材（Ｃ）を加熱混合して、エポキシ樹脂（Ａ）中に無機充填材（Ｃ）を均一に分散させた後、必要に応じて冷却し、さらに硬化剤（Ｅ）等の成分を混合することで、上記エポキシ樹脂組成物を調製してもよい。

　上記混合機は特に限定されないが、撹拌装置及び加熱装置を備えるロールミル、ライカイ機、ヘンシェルミキサー、タンブラー、自公転ミル、プラネタリーミキサー等が挙げられる。各成分の混合比は、エポキシ樹脂組成物中の各成分の含有割合に応じて適宜設定される。

　上記エポキシ樹脂組成物は、半導体装置における半導体素子、配線、はんだ（はんだバンプ）等の支持体上に搭載された材料を封止するための材料（半導体封止用エポキシ樹脂組成物）として好ましく使用できる。上記エポキシ樹脂組成物を半導体封止用エポキシ樹脂組成物として使用することにより、信頼性の高い封止体を製造することができる。また、上記エポキシ樹脂組成物は、フリップチップ型の半導体装置における支持体上に搭載された半導体素子等を封止するための材料（フリップチップ型半導体封止用エポキシ樹脂組成物）として好ましく使用できる。具体的に説明すると、半導体素子等と支持体とのギャップに上記エポキシ樹脂組成物を充填させて硬化することにより、上記ギャップに存在するバンプを封止しつつ、封止体として半導体素子と支持体とを互いに固定することで耐サーマルサイクル性を向上させることができる。

　上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、常温（２５℃）で液状であってもよいし、固体状であってもよい。また、上記エポキシ樹脂組成物は、例えば、キャピラリーアンダーフィル、液状モールドアンダーフィル、セカンダリーアンダーフィル、先供給型アンダーフィル等のアンダーフィル、グラブトップ材、液状コンプレッションモールド材として用いられる。この中でも、上記エポキシ樹脂組成物が液状コンプレッションモールド材として用いられる場合、モールド後のウエハに反りが発生しにくいという特性が十分に発揮される点で好ましい。また、狭いギャップ（例えば、ギャップ幅が４０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下）においてもエポキシ樹脂組成物の充填性が高いという点で好ましい。言い換えると、上記エポキシ樹脂組成物は、上記狭いギャップに対して使用される液状コンプレッションモールド材として用いられることが好ましい。また、上記エポキシ樹脂組成物は、上述の半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての用途に限定されず、例えば、電子部品を構成する部品同士を固定、接合、又は保護するための接着剤等として用いることができる。なお、本明細書において、液状コンプレッションモールド材は、半導体素子等の材料と支持体とに供給し、上記材料と支持体とのギャップに充填させて硬化することで、支持体上に搭載された上記材料と上記ギャップとを封止するためのコンプレッションモールド材であってもよいし、ギャップへの充填を目的とせず、半導体素子等の材料の外周部を封止することを目的とするコンプレッションモールド材（オーバーモールド用途やグラブトップ用途）であってもよい。

＜硬化物＞
　上記エポキシ樹脂組成物を硬化することにより硬化物が形成される。その硬化方法は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂組成物に加熱処理を施すことにより行われる。加熱処理の温度は特に限定されないが、例えば、６０～２００℃が好ましく、８０～１８０℃がより好ましい。加熱処理の時間は特に限定されないが、例えば、０．１～５時間が好ましく、０．５～３時間がより好ましい。

　上記エポキシ樹脂組成物を１５０℃で６０分、硬化させて得られる硬化物のガラス転移温度Ｔｇは特に限定されないが、例えば、１００℃以上であることが好ましく、より好ましくは１０５℃以上、さらに好ましくは１０８℃以上、特に好ましくは１１１℃以上である。また、特に限定されないが、例えば、２００℃以下であることが好ましく、より好ましくは１８０℃以下である。すなわち、上記硬化物のガラス転移温度Ｔｇは、例えば、１００～２００℃であることが好ましく、より好ましくは１０５～１８０℃、さらに好ましくは１０８～１８０℃、特に好ましくは１１１～１８０℃である。ガラス転移温度が上記範囲内にあることにより、高温時における変形が発生しにくいという点で耐熱性が高く、得られる硬化物の接着信頼性に優れる傾向がある。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、後述の実施例に記載された方法により測定することができる。具体的には、上記ガラス転移温度はＤＭＡ（動的粘弾性測定）により測定されたものである。

　下記に示す条件（１）で上記エポキシ樹脂組成物を硬化させた硬化物は、下記（２）の条件を満たすことが好ましい。
（１）モールド温度：１２０～１５０℃、モールド時間：３００～９００秒、硬化温度：１５０℃、硬化時間：６０分
（２）上記硬化物の断面を走査型電子顕微鏡（倍率：２００００倍）により、縦横４．０×５．６μｍの領域を観察した際に、上記領域内に存在する円相当直径０．０５μｍ以上のボイドが１個以下である

　上記（２）に係るボイドは０個であることが好ましい。ボイドの数は、例えば、後述の実施例に記載された方法により測定することができる。

＜半導体装置及びその製造方法＞
　本発明の半導体装置は、支持体と、上記支持体上に搭載された半導体素子と、上記半導体素子を封止する上記エポキシ樹脂組成物の硬化物とを備える。上記半導体装置は、フリップチップ型の半導体装置であることが好ましい。フリップチップ型の半導体装置は、バンプ電極を介して支持体上の電極部と半導体素子とが接続された構造を備える。また、上記半導体装置は、上記半導体素子と上記支持体とのギャップが、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物（封止体）により封止されている。上記ギャップの幅は特に限定されないが、例えば、４０μｍ以下であり、好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。

　本発明の半導体装置の製造方法は、
　支持体と、上記支持体上に搭載された半導体素子とを備える積層体上に、上記エポキシ樹脂組成物を供給する工程（以下、「組成物供給工程」と称する）と、
　上記支持体と上記半導体素子とのギャップに上記エポキシ樹脂組成物を充填して成形体を形成し、上記成形体を硬化して上記半導体素子を封止し、封止体を得る工程（以下、「成形・封止工程」と称する）と、
　を含むことを特徴とする。

　本発明の半導体装置の製造方法は、さらに、上記封止体を研磨する工程（以下、「研削工程」と称する）を含んでいてもよい。また、後述の積層体準備工程及び個片化工程からなる群より選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。

（積層体準備工程）
　積層体準備工程は、支持体上に半導体素子を搭載することで、支持体と、上記支持体上に搭載された半導体素子とを備える積層体を準備する工程である。上記積層体において、上記支持体及び上記半導体素子は、はんだを介して接続されていてもよいし、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）等の接着フィルムや接着シート等を用いて接続されていてもよい。上記支持体は特に限定されないが、例えば、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、サファイヤウエハ、化合物半導体ウエハ（リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウム）、ガラスエポキシ基板、有機基板（ＦＲ４基板）等が挙げられる。上記支持体の平面視における形状は特に限定されないが、例えば、円形状又は矩形状である。

（組成物供給工程）
　組成物供給工程は、支持体と、上記支持体上に搭載された半導体素子とを備える積層体上に、上記エポキシ樹脂組成物を供給する工程である。

　本工程は、成形・封止工程において成形体の形成に用いられる金型を上記積層体に装着する工程を含んでいてもよい。すなわち、上記組成物供給工程は、支持体と、上記支持体上に搭載された半導体素子とを備える積層体上に、エポキシ樹脂組成物を供給した後、金型を上記積層体に装着する工程であってもよい。

　また、本工程は、成形・封止工程において成形体の形成に用いられる金型に、エポキシ樹脂組成物を供給した後、支持体と、上記支持体上に搭載された半導体素子とを備える積層体を上記金型に装着する工程であってもよい。この様な工程とすることにより、支持体と、上記支持体上に搭載された半導体素子とを備える積層体上に、上記エポキシ樹脂組成物を供給することができる。

（成形・封止工程）
　成形・封止工程は、上記支持体と上記半導体素子とのギャップに上記エポキシ樹脂組成物を充填して成形体を形成し、上記成形体を硬化して上記半導体素子を封止し、封止体を得る工程である。本工程は、上記支持体と上記半導体素子とのギャップに上記エポキシ樹脂組成物を充填して成形体を形成する工程（成形工程）と、成形工程により得られた上記成形体を硬化して上記半導体素子を封止し、封止体を得る工程（封止工程）の、２つの工程を含むものであってもよい。上記ギャップの幅は特に限定されないが、例えば、４０μｍ以下であり、好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。

　成形体の形成方法は特に限定されないが、例えば、積層体に装着した金型を、積層体（支持体）の方向に押し込んでいき、また、必要に応じて金型の内部を減圧することで上記支持体と上記半導体素子とのギャップに上記エポキシ樹脂組成物を充填し、上記積層体とエポキシ樹脂組成物を含む圧縮成形体を形成する方法が挙げられる。なお、本工程では、金型を、積層体（支持体）の方向に押し込む代わりに、積層体（支持体）を、金型の方向に押し込んでもよいし、金型と積層体（支持体）とを互いに狭みこむ態様を採用してもよい。

　成形体の形成方法としては、例えば、モールド装置を用いて、必要に応じて加熱により低粘度化させたエポキシ樹脂組成物を減圧し、上記エポキシ樹脂組成物にて積層体を封止することが挙げられる。前記形成方法により、成形体を得ることができる。

　上記成形体を硬化して上記半導体素子を封止する際、エポキシ樹脂組成物の硬化は加熱により実施してもよい。硬化温度は特に限定されないが、例えば、１１０～２００℃であることが好ましく、より好ましくは１２０～１５０℃である。硬化時間は特に限定されないが、例えば、３０分～７時間が好ましく、より好ましくは１～６時間、さらに好ましくは１～４時間、特に好ましくは１～２時間である。

（研削工程）
　研削工程は、成形・封止工程により得られた封止体を研磨する工程であり、より詳しくは、封止体の平坦化や薄型化を行うために、封止体の半導体素子側の表面を研削加工し、必要に応じて半導体素子の一部を露出させる工程である。研削処理の方法としては特に限定されず、市販されている研削用砥石や研削装置を使用することができる。

（個片化工程）
　個片化工程は、成形・封止工程により得られた封止体や、研削工程により研削された封止体を個片化する工程である。個片化工程は、上記金型から封止体を取り外した後に封止体を個片化する工程であってもよい。個片化工程では、上記支持体上に搭載され且つエポキシ樹脂組成物の硬化物により封止された複数の半導体素子の間隙を、ダイシングブレードやレーザー等の手段を用いて切断し、半導体装置を得る。個片化する方法としては特に限定されず、市販されている個片化装置を使用することができる。

　以下、図１及び図２を用いて半導体装置の製造方法の実施形態を説明するが、本発明はこれに限定されない。

　図１は、本発明の半導体装置の製造方法における一の実施形態を示す。以下、図１に沿って本実施形態について説明する。
　一方の面にはんだバンプ２を備える半導体素子１を支持体３上に搭載し、半導体素子１、はんだバンプ２、及び支持体３をこの順で含む積層体４を準備する（積層体準備工程、（ａ））。積層体４の半導体素子１上に、シリンジ６を用いてエポキシ樹脂組成物５を供給した後、金型７を装着する（組成物供給工程、（ｂ）及び（ｃ））。本工程において、金型７の積層体４に配向する面にはリリースフィルムが備えられていてもよい。上記リリースフィルムは金型７とエポキシ樹脂組成物５とが接触しないように配置されるものであり、また、後述の（ｆ）工程において金型７から封止体９の取り外しを容易にさせるためのものでもある。なお、リリースフィルムは図示していない。次いで、装着した金型７を、支持体３の方向に押し込んでいき、また、必要に応じて金型７内を減圧し、積層体４とエポキシ樹脂組成物５を含む圧縮成形体８を形成する（成形工程、（ｄ））。なお、本工程では、金型７を、支持体３の方向に押し込む代わりに、支持体３を、金型７の方向に押し込んでもよいし、金型７と支持体３とを互いに狭める態様を採用してもよい。本工程において、支持体３と半導体素子１とのギャップにエポキシ樹脂組成物５が充填され、圧縮成形体８となる。圧縮成形体８を熱硬化して半導体素子１を封止することで、封止体９を形成する（封止工程、（ｅ））。金型７を取り外した後、上記半導体素子１を含む封止体９を個片化する（個片化工程、（ｆ）及び（ｇ））。

　図２は、本発明の半導体装置の製造方法における他の実施形態を示す。以下、図２に沿って本実施形態について説明する。
　一方の面にはんだバンプ１２を備える半導体素子１１を支持体１３上に搭載し、半導体素子１１、はんだバンプ１２、及び支持体１３をこの順で含む積層体１４を準備する（積層体準備工程、（ａ））。金型１７に、シリンジ１６を用いてエポキシ樹脂組成物１５を供給した後、上記積層体１４を金型に装着する（組成物供給工程、（ｂ）及び（ｃ））。本工程において、金型１７におけるエポキシ樹脂組成物１５の供給面にはリリースフィルムが備えられていてもよい。すなわち、本工程では、（１）リリースフィルムが備えられた金型１７の面に対して、エポキシ樹脂組成物１５を供給してもよいし、（２）リリースフィルム上にエポキシ樹脂組成物１５を供給した後、当該リリースフィルムを金型１７に配置してもよい。上記リリースフィルムは金型１７とエポキシ樹脂組成物１５とが接触しないように配置されるものであり、また、後述の（ｆ）工程において金型１７から封止体１９の取り外しを容易にさせるためのものでもある。なお、リリースフィルムは図示していない。次いで、金型１７内を減圧し、積層体１４とエポキシ樹脂組成物１５を含む圧縮成形体１８を形成する（成形工程、（ｄ））。本工程において、支持体１３と半導体素子１１とのギャップにエポキシ樹脂組成物１５が充填され、圧縮成形体１８となる。圧縮成形体１８を熱硬化して半導体素子１１を封止することで、封止体１９を形成する（封止工程、（ｅ））。金型１７を取り外した後、上記半導体素子を含む封止体１９を個片化する（個片化工程、（ｆ）及び（ｇ））。

　以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明は実施例により限定されるものではない。

　表１に示す配合割合となるように、エポキシ樹脂（Ａ）等の成分を混合することで、実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を調製した。なお、表１中の各成分に関する数値は質量部を示す。

　表１中の各成分について以下に説明する。
・エポキシ樹脂（Ａ）
　ＨＰ４０３２Ｄ（製品名）：ナフタレン型液状エポキシ樹脂、エポキシ当量１４４ｇ／ｅｑ、ＤＩＣ株式会社製
　ＹＸ７４００Ｎ（製品名）：脂肪族エポキシ樹脂、エポキシ当量４４０ｇ／ｅｑ、２５℃で液状、三菱ケミカル株式会社製
・化合物（Ｂ）
（カーボネート化合物（Ｂ１））
　ＮＴ２００６／製品名はＰＥＰＣＤ　ＮＴ２００６、テトラメチレングリコール構造をアルキレングリコール構造として有するポリカーボネートジオール化合物、２５℃で液状（透明）、数平均分子量２０００、ガラス転移温度－８４℃、三菱ケミカル株式会社製
　ＮＴ２００２／製品名はＰＥＰＣＤ　ＮＴ２００２、テトラメチレングリコール構造をアルキレングリコール構造として有するポリカーボネートジオール化合物、２５℃で液状（透明）、数平均分子量２０００、ガラス転移温度－７１℃、三菱ケミカル株式会社製
（エーテル化合物（Ｂ２））
　ＰＴＭＧ２０００（製品名）／ポリテトラメチレンエーテルグリコール、数平均分子量２０００、三菱ケミカル株式会社製
　ＰＴＭＧ３０００（製品名）／ポリテトラメチレンエーテルグリコール、数平均分子量３０００、三菱ケミカル株式会社製
・無機充填材（Ｃ）
　ＳＥ６０５Ｈ－ＳＭＧ：シリカフィラー、平均粒径１．８μｍ、最大粒径５．０μｍ、株式会社アドマテックス製
　ＹＡ０５０Ｃ－ＳＭ１：シリカフィラー、平均粒径５０ｎｍ、株式会社アドマテックス製
・硬化促進剤（Ｄ）
　２ＭＡＯＫ（製品名）：２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成工業株式会社製
・硬化剤（Ｅ）
　ＨＮ－２２００（製品名）：３－メチル－１，２，３，６－テトラヒドロ無水フタル酸又は４－メチル－１，２，３，６－テトラヒドロ無水フタル酸、当量８２ｇ／ｅｑ、株式会社レゾナック製

（評価１：粘度の評価）
　実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物の調製直後の２５℃における粘度（Ｐａ・ｓ）について、ブルックフィールド社製のＨＢ－ＤＶ型粘度計（型番：ＨＢ－ＤＶ１、スピンドルＳＣ４－１４）を用い、上記エポキシ樹脂組成物を液温２５℃として、１０ｒｐｍで１分間回転させたときの粘度を測定した。結果を表１の「２５℃粘度（Ｐａ・ｓ）」に記載する。

（評価２：反りの測定）
　直径３００ｍｍ、厚み７７５μｍの円形のシリコンウエハ上に、厚み３００μｍ、１０ｍｍ角のチップを接着剤で固定し、基板を得た。モールド装置（アピックヤマダ株式会社製、ＷＣＭ－３００）を用い、上記基板に対して、実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を１００μｍの厚みで塗布した。エポキシ樹脂組成物を塗布した基板について、１２０℃、モールドキュア時間を６００秒、クランプ力を２５０ｋＮの条件でモールドし、続いて１５０℃１時間の条件で、ポストモールドキュア（ＰＭＣ：Ｐｏｓｔ Ｍｏｌｄ Ｃｕｒｅ）を行った。得られた封止体をＰＭＣ直後から１時間静置した後、シャドウモアレ装置（Ａｋｒｏｍｅｔｒｉｘ社製、ＡＸＰ ２．０－ＤＦＰ２）により２５℃における反り量を測定した。なお、硬化物面を上にして水平台に置いた状態において、最も高い位置を反り量とした。結果を表１の「ウエハの反り（μｍ）」に記載する。

（評価３：ガラス転移温度、Ｔｇ）
　動的粘弾性装置を用いて、実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物の硬化物の貯蔵弾性率（Ｅ’）と損失弾性率（Ｅ’’）を測定し、それらの比であるｔａｎδのピークの値をガラス転移温度（Ｔｇ）として測定した。上記測定は、日本工業規格ＪＩＳ　Ｃ６４８１に準じて測定した。まず、厚さ３ｍｍの離型剤付きガラス板の上に、硬化物の膜厚が２０００±１００μｍとなるようにスペーサー（耐熱テープを重ねたもの）を２か所に配置した。次に、スペーサー間にエポキシ樹脂組成物を塗布し、気泡を巻き込まないように、別の離型剤付きガラス板で挟み込み、１５０℃で６０分硬化させて硬化物を得た。この硬化物を、離型剤付きガラス板から剥がした後、切断機で所定寸法（１０ｍｍ×５０ｍｍ）に切断加工し、試験片を得た。この試験片を、動的熱機械測定装置（ＤＭＡ）（製品名：ＤＭＡ７１００、日立ハイテクサイエンス株式会社製）を用いて、－６０℃～２６０℃の範囲、周波数１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、両持ち曲げ法でガラス転移温度（Ｔｇ）を測定した。結果を表１の「Ｔｇ（℃）」に記載する。

（評価４：熱膨張率の測定、ＣＴＥ）
　実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を、１５０℃で１時間加熱硬化させて試験片を作成した。この試験片をブルカーＡＳＸ社のＴＭＡ４０００ＳＡシリーズを用いて熱機械分析（ＴＭＡ、Thermomechanical Analysis）法により、０～４０℃において熱膨張率を測定した。結果を表１の「ＣＴＥ（ｐｐｍ／℃）」に記載する。

（評価５：接着強度の測定）
　１０ｍｍ角のシリコンチップ上に、実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を底面の直径５ｍｍ、上面の直径３ｍｍ、高さ６ｍｍの円すい台形状になるように型を用いて接着させ、１５０℃で２時間加熱硬化させて試験片を作成した。この試験片の樹脂部分をボンドテスター（Ｄａｇｅ　４０００、ノードソン　アドバンスドテクノロジー株式会社製）によってはじき、せん断接着強度（ＭＰａ）を測定した。結果を表１の「接着強度（ＭＰａ）」に記載する。

（評価６：マイクロボイドの測定）
　実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物をシリコンウエハ上に塗布し、モールド温度：１２０～１５０℃、モールド時間：３００～９００秒、硬化温度：１５０℃、硬化時間：６０分で硬化させることで硬化物を得た。硬化物をシリコンウエハ付きのまま、０．５ｃｍ角に切断した後、島津サイエンス株式会社製のクロスセクションポリッシャ（型番ＩＢ３８０１０３－０００３）を用いて、加速電圧５ｋＶ、加工時間１８０ｍｉｎで断面を研磨した。研磨した断面をカールツァイス株式会社製の電解放出型走査電子顕微鏡ＦＥ－ＳＥＭを用い、倍率：２００００倍で縦横４．０×５．６μｍの領域を観察し、同領域内に存在する円相当直径０．０５μｍ以上のボイド数を数えた。結果を表１の「マイクロボイド（個）」に記載する。

　以下、本開示に係る発明のバリエーションを記載する。
［付記１］
　エポキシ樹脂（Ａ）、
　分子内にポリテトラメチレンエーテル構造を有する化合物（Ｂ）、
　無機充填材（Ｃ）、及び
　硬化剤（Ｅ）を含む、エポキシ樹脂組成物。
［付記２］
　エポキシ樹脂（Ａ）として、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びナフタレン型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含む、付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記３］
　エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対するエポキシ樹脂（Ａ）の含有量が、１質量％以上、２質量％以上、３質量％以上、若しくは４質量％以上；３０質量％以下、２５質量％以下、２０質量％以下、１５質量％以下、若しくは１０質量％以下；及び／又は、１～３０質量％、２～２５質量％、３～２０質量％、４～１５質量％、若しくは４～１０質量％である、付記１又は付記２に記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記４］
　化合物（Ｂ）が、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、及び（メタ）アクリロイル基からなる群より選択される少なくとも一つの置換基を有する、付記１～付記３のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記５］
　化合物（Ｂ）における置換基が、水酸基及びエポキシ基からなる群より選択される少なくとも一つである、付記４に記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記６］
　化合物（Ｂ）が、分子内にカーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）を含む、付記１～付記５のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記７］
　化合物（Ｂ）が、下記式（１）
［式中、ｎ_１は０以上の整数である。ｎ_２は２以上の整数である。Ｘ^１は同一又は異なって、カーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）、エーテル基（－Ｏ－）、エステル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－）、又はアミド基（－ＮＨ－（Ｃ＝Ｏ）－又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＮＨ－）である。Ｒ^１及びＲ^２は同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。Ｙ^１及びＹ^２は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
で示される化合物である、付記１～付記６のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記８］
　化合物（Ｂ）が、下記式（２）
［式中、ｎ_１１は１以上の整数である。ｎ_２１は０以上の整数である。ｎ_３１は２以上の整数である。Ｘ^２は同一又は異なって、エーテル基（－Ｏ－）、エステル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－）、又はアミド基（－ＮＨ－（Ｃ＝Ｏ）－又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＮＨ－）である。Ｒ^１１、Ｒ^２１、及びＲ^３１は同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。Ｙ^１１及びＹ^２１は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
で示される化合物である、付記１～付記７のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記９］
　化合物（Ｂ）が、下記式（３）
［式中、ｎ_１２は１以上の整数である。ｎ_２２は２以上の整数である。Ｒ^１２及びＲ^２２は、同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。Ｙ^１２及びＹ^２２は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
で示される化合物である、付記１～付記８のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１０］
　化合物（Ｂ）が、下記式（４）
［式中、ｎ_１３は２以上の整数である。Ｙ^１３及びＹ^２３は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
で示される化合物である、付記１～付記９のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１１］
　化合物（Ｂ）の分子量（分子量分布がある場合は数平均分子量）が、２００～６０００、５００～５７００、１０００～５４００、又は１４００～５２００である、付記１～付記１０のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１２］
　化合物（Ｂ）の重量平均分子量が、５００～１６０００、１０００～１４０００、２０００～１３０００、又は３０００～１２０００である、付記１～付記１１のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１３］
　エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する化合物（Ｂ）の含有量が、０．１質量％以上、０．３質量％以上、０．５質量％以上、０．８質量％以上、若しくは１質量％以上；１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、若しくは６質量％以下：及び／又は、０．１～１５質量％、０．３～１２質量％、０．５～１０質量％、０．８～８質量％、若しくは１～６質量％である、付記１～付記１２のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１４］
　エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する化合物（Ｂ）の含有量が、１質量％以上、５質量％以上、１０質量％以上、若しくは２０質量％以上；１００質量％以下、８０質量％以下、６０質量％以下、５０質量％以下、若しくは４０質量％以下；及び／又は、１～１００質量％、５～８０質量％、１０～６０質量％、２０～５０質量％、若しくは２０～４０質量％である、付記１～付記１３のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１５］
　無機充填材（Ｃ）として、シリカ（二酸化ケイ素）、炭化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ（酸化アルミニウム）、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、炭酸バリウム、酸化チタン、硫酸石灰、チタン酸カリウム、炭酸マグネシウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、及びこれらの表面が処理された無機粒子からなる群より選択される少なくとも一つを含む、付記１～付記１４のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１６］
　無機充填材（Ｃ）として、平均粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である第１のシリカと、平均粒径が０．１～５．０μｍである第２のシリカとを含む、付記１～付記１５のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１７］
　エポキシ樹脂組成物が無機充填材（Ｃ）としてアルミナを含み、その平均粒径が、０．１～５．０μｍ、０．２～３．０μｍ、又は０．３～２．０μｍである、付記１～付記１６のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１８］
　エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する無機充填材（Ｃ）の含有量が、５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、７５質量％以上、若しくは８０質量％以上；９６質量％以下、９３質量％以下、９０質量％以下、若しくは８８質量％以下；及び／又は、５０～９６質量％、６０～９３質量％、７０～９０質量％、７５～８８質量％、若しくは８０～８８質量％である、付記１～付記１７のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記１９］
　エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する無機充填材（Ｃ）の含有量が、２００質量％以上、４００質量％以上、若しくは５００質量％以上；２５００質量％以下、２０００質量％以下、若しくは１５００質量％以下；及び／又は、２００～２５００質量％、４００～２０００質量％、若しくは５００～１５００質量％である、付記１～付記１８のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２０］
　さらに、硬化促進剤（Ｄ）を含む、付記１～付記１９のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２１］
　さらに、硬化促進剤（Ｄ）として、イミダゾール系硬化促進剤、第三級アミン系硬化促進剤、及びリン系硬化促進剤からなる群より選択される少なくとも一つを含む、付記１～付記２０のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２２］
　エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する硬化促進剤（Ｄ）の含有量が、０．０１質量％以上、０．０２質量％以上、０．０４質量％以上、０．０６質量％以上、若しくは０．０８質量％以上；５質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、若しくは１質量％以下；及び／又は、０．０１～５質量％、０．０２～３質量％、０．０４～２質量％、０．０６～１質量％、若しくは０．０８～１質量％である、付記２０又は付記２１に記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２３］
　エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する硬化促進剤（Ｄ）の含有量が、０．１質量％以上、０．２質量％以上、０．４質量％以上、０．６質量％以上、若しくは０．８質量％以上；３０質量％以下、２０質量％以下、１０質量％以下、５質量％以下、若しくは３質量％以下；及び／又は、０．１～３０質量％、０．２～２０質量％、０．４～１０質量％、０．６～５質量％、若しくは０．８～３質量％である、付記２０～付記２２のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２４］
　硬化剤（Ｅ）として、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、及びフェノール系硬化剤からなる群より選択される少なくとも一つを含む、付記１～付記２３のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２５］
　エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する硬化剤（Ｅ）の含有量が、１質量％以上、２質量％以上、３質量％以上、４質量％以上、若しくは５質量％以上；２０質量％以下、１６質量％以下、１３質量％以下、若しくは１２質量％以下；及び／又は、１～２０質量％、２～１６質量％、３～１３質量％、４～１２質量％、若しくは５～１２質量％である、付記１～付記２４のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２６］
　エポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）（１００質量％）に対する硬化剤（Ｅ）の含有量が、３０質量％以上、５０質量％以上、８０質量％以上、若しくは１００質量％以上；４００質量％以下、３００質量％以下、２５０質量％以下、若しくは２００質量％以下；及び／又は、３０～４００質量％、５０～３００質量％、８０～２５０質量％、若しくは１００～２００質量％である、付記１～付記２５のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２７］
　エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する、エポキシ樹脂（Ａ）、化合物（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）、硬化促進剤（Ｄ）、及び硬化剤（Ｅ）以外の成分、すなわち、その他の成分（Ｆ）の含有量が、１０質量％以下、５質量％以下、３質量％以下、若しくは１質量％以下；及び／又は、０．０１質量％以上、若しくは０．１質量％以上である、付記１～付記２６のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２８］
　エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する溶剤の含有量が、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下、０．１質量％以下、若しくは０．０１質量％以下；及び／又は、０．００１質量％以上である、付記１～付記２７のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記２９］
　エポキシ樹脂組成物の２５℃における粘度が、１～２０００Ｐａ・ｓ、５～１５００Ｐａ・ｓ、１０～１０００Ｐａ・ｓ、又は５０～５００Ｐａ・ｓである、付記１～付記２８のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記３０］
　エポキシ樹脂組成物を１５０℃で６０分、硬化させて得られる硬化物のガラス転移温度Ｔｇが、１００℃以上、１０５℃以上、１０８℃以上、若しくは１１１℃以上；２００℃以下、１８０℃以下；及び／又は、１００～２００℃、１０５～１８０℃、１０８～１８０℃、若しくは１１１～１８０℃である、付記１～付記２９のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記３１］
　液状コンプレッションモールド材である、付記１～付記３０のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物。
［付記３２］
　付記１～付記３１のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物。
［付記３３］
　付記３２に記載の硬化物を備える半導体装置。
［付記３４］
　支持体と、
　前記支持体上に搭載された半導体素子と、
　前記半導体素子を封止する付記３２に記載の硬化物と、
　を備える半導体装置。
［付記３５］
　支持体と、前記支持体上に搭載された半導体素子とを備える積層体上に、付記１～付記３１のいずれか一つに記載のエポキシ樹脂組成物を供給する工程と、
　前記支持体と前記半導体素子とのギャップに前記エポキシ樹脂組成物を充填して成形体を形成し、前記成形体を硬化して前記半導体素子を封止し、封止体を得る工程と、
　を含む半導体装置の製造方法。
［付記３６］
　さらに、前記封止体を研磨する工程を含む、付記３５に記載の半導体装置の製造方法。

　１　　　　半導体素子
　２　　　　はんだバンプ
　３　　　　支持体
　４　　　　積層体
　５　　　　エポキシ樹脂組成物
　６　　　　シリンジ
　７　　　　金型
　８　　　　圧縮成形体
　９　　　　封止体
　１１　　　半導体素子
　１２　　　はんだバンプ
　１３　　　支持体
　１４　　　積層体
　１５　　　エポキシ樹脂組成物
　１６　　　シリンジ
　１７　　　金型
　１８　　　圧縮成形体
　１９　　　封止体

Claims (17)

1. 　エポキシ樹脂（Ａ）、
   　分子内にポリテトラメチレンエーテル構造を有する化合物（Ｂ）、
   　無機充填材（Ｃ）、及び
   　硬化剤（Ｅ）を含む、エポキシ樹脂組成物。
2. 　化合物（Ｂ）が、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、及び（メタ）アクリロイル基からなる群より選択される少なくとも一つの置換基を有する、請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
3. 　化合物（Ｂ）における置換基が、水酸基及びエポキシ基からなる群より選択される少なくとも一つである、請求項２に記載のエポキシ樹脂組成物。
4. 　化合物（Ｂ）が、分子内にカーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）を含む、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
5. 　化合物（Ｂ）が、下記式（１）
   ［式中、ｎ_１は０以上の整数である。ｎ_２は２以上の整数である。Ｘ^１は同一又は異なって、カーボネート基（－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－）、エーテル基（－Ｏ－）、エステル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－）、又はアミド基（－ＮＨ－（Ｃ＝Ｏ）－又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＮＨ－）である。Ｒ^１及びＲ^２は同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。Ｙ^１及びＹ^２は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
   で示される化合物である、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
6. 　化合物（Ｂ）が、下記式（２）
   ［式中、ｎ_１１は１以上の整数である。ｎ_２１は０以上の整数である。ｎ_３１は２以上の整数である。Ｘ^２は同一又は異なって、エーテル基（－Ｏ－）、エステル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－）、又はアミド基（－ＮＨ－（Ｃ＝Ｏ）－又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＮＨ－）である。Ｒ^１１、Ｒ^２１、及びＲ^３１は同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。Ｙ^１１及びＹ^２１は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
   で示される化合物である、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
7. 　化合物（Ｂ）が、下記式（３）
   ［式中、ｎ_１２は１以上の整数である。ｎ_２２は２以上の整数である。Ｒ^１２及びＲ^２２は、同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。Ｙ^１２及びＹ^２２は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
   で示される化合物である、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
8. 　化合物（Ｂ）が、下記式（４）
   ［式中、ｎ_１３は２以上の整数である。Ｙ^１３及びＹ^２３は同一又は異なって、水酸基、カルボキシ基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、ビニル基、アリル基、又は（メタ）アクリロイル基である。］
   で示される化合物である、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
9. 　化合物（Ｂ）の分子量（分子量分布がある場合は数平均分子量）が２００～６０００である、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
10. 　エポキシ樹脂組成物（１００質量％）に対する化合物（Ｂ）の含有量が０．１～１５質量％である、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
11. 　エポキシ樹脂組成物の硬化物のＴｇが１００℃以上である、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
12. 　液状コンプレッションモールド材である、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
13. 　請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物。
14. 　請求項１３に記載の硬化物を備える半導体装置。
15. 　支持体と、
    　前記支持体上に搭載された半導体素子と、
    　前記半導体素子を封止する請求項１３に記載の硬化物と、
    　を備える半導体装置。
16. 　支持体と、前記支持体上に搭載された半導体素子とを備える積層体上に、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物を供給する工程と、
    　前記支持体と前記半導体素子とのギャップに前記エポキシ樹脂組成物を充填して成形体を形成し、前記成形体を硬化して前記半導体素子を封止し、封止体を得る工程と、
    　を含む半導体装置の製造方法。
17. 　さらに、前記封止体を研磨する工程を含む、請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。