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WO2016088382A1 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

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WO2016088382A1
WO2016088382A1 PCT/JP2015/006015 JP2015006015W WO2016088382A1 WO 2016088382 A1 WO2016088382 A1 WO 2016088382A1 JP 2015006015 W JP2015006015 W JP 2015006015W WO 2016088382 A1 WO2016088382 A1 WO 2016088382A1
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WO
WIPO (PCT)
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organic
layer
sealing
plastic substrate
display device
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2015/006015
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English (en)
French (fr)
Inventor
石田　守
津田　和彦
純史 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US15/533,155 priority Critical patent/US10181580B2/en
Publication of WO2016088382A1 publication Critical patent/WO2016088382A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US16/209,171 priority patent/US10497901B2/en
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL display device including an organic electroluminescence element (organic electroluminescence element: hereinafter referred to as “organic EL element”).
  • organic electroluminescence element hereinafter referred to as “organic EL element”.
  • liquid crystal display devices have been actively used as flat panel displays in a wide variety of fields.
  • the contrast and color change greatly depending on the viewing angle, and a light source such as a backlight is required the power consumption is low. It is still a big problem that electric power is not easy and that there is a limit to thinning and weight reduction.
  • the liquid crystal display device still has a big problem regarding flexibility.
  • a self-luminous organic EL display device using an organic EL element is expected as a display device replacing the liquid crystal display device.
  • an organic molecule constituting the organic EL layer emits light by passing a current through an organic EL layer sandwiched between an anode and a cathode.
  • the organic EL display device using this organic EL element is a self-luminous type, it is excellent in terms of thinning, lightening, and low power consumption, and also has a wide viewing angle. Has attracted a great deal of attention as a candidate for flat panel display.
  • organic EL display devices using plastic substrates, which have great advantages over glass substrates in terms of flexibility, impact resistance, and light weight, are attracting a great deal of attention. This has the potential to create a new organic EL display device that was not possible with this display.
  • a technique for providing a sealing film for preventing ingress of gas such as moisture is disclosed. More specifically, for example, in a functional film provided with a plastic substrate (film substrate) having flexibility (flexibility) and an inorganic film (SiO X thin film) provided on the plastic substrate, the plastic substrate When depositing an inorganic film on top, the deposition rate is set to 3 to 10 liters / sec, and 0.4 to 0.6% compressive residual strain (stress of 280 to 430 MPa) is applied to the inorganic film to form an inorganic film. A method of forming a film is disclosed. And it is described that the compressive residual stress of an inorganic film can be increased by such a method, so that an inorganic film with improved fracture strain can be produced (for example, see Patent Document 1).
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and prevents the occurrence of cracks in the sealing film, improves the adhesion between the plastic substrate and the sealing film, and reduces the deterioration of the organic EL element.
  • An object of the present invention is to provide an organic EL display device that can be prevented.
  • a first organic EL display device of the present invention includes a plastic substrate having flexibility, an organic EL element provided on the plastic substrate, and an organic EL element on the plastic substrate.
  • An organic EL display device including a sealing film provided so as to cover the first sealing layer provided on the surface of the plastic substrate and the surface of the first sealing layer And a second sealing layer provided on the surface of the stress relaxation layer, and the compressive stress of the first sealing layer is smaller than the compressive stress of the second sealing layer. It is characterized by that.
  • the compressive stress of the first sealing layer is smaller than the compressive stress of the second sealing layer, the adhesion of the first sealing layer to the plastic substrate during bending of the organic EL display device is improved. And the sealing film can be prevented from peeling off from the plastic substrate. As a result, barrier performance against moisture can be ensured and deterioration of the organic EL element can be prevented.
  • the compressive stress of the second sealing layer provided in the outermost layer of the sealing film is larger than the compressive stress of the first sealing layer, it is possible to prevent the occurrence of cracks in the second sealing layer during bending. It becomes possible. Therefore, in the second sealing layer, barrier performance against moisture can be secured, and deterioration of the organic EL element can be prevented.
  • the second organic EL display device of the present invention is provided with a plastic substrate having flexibility, an organic EL element provided on the plastic substrate, and a plastic substrate so as to cover the organic EL element.
  • An organic EL display device including a sealing film, wherein the sealing film is configured by alternately laminating a plurality of sealing layers and a plurality of stress relaxation layers. The compressive stress of the sealing layer provided on the surface of the plastic substrate is smaller than the compressive stress of the other sealing layers.
  • the plastic substrate at the time of bending of the organic EL display device since the compressive stress of the sealing layer provided on the surface of the plastic substrate is smaller than the compressive stress of the sealing layer provided on the outermost layer, the plastic substrate at the time of bending of the organic EL display device The adhesion of the sealing layer provided on the surface of the plastic substrate can be improved, and the sealing film can be prevented from peeling from the plastic substrate. As a result, barrier performance against moisture can be ensured and deterioration of the organic EL element can be prevented.
  • the compressive stress of the sealing layer provided on the outermost layer of the sealing film is larger than the compressive stress of the sealing layer provided on the surface of the plastic substrate, it is provided on the outermost layer of the sealing film when bent. It is possible to prevent the occurrence of cracks in the sealing layer. Therefore, in the sealing layer provided in the outermost layer of the sealing film, barrier performance against moisture can be ensured, and deterioration of the organic EL element can be prevented.
  • the present invention it is possible to ensure the barrier performance against moisture in the sealing layer and prevent deterioration of the organic EL element.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. It is sectional drawing for demonstrating the organic EL layer which comprises the organic EL element with which the organic EL display apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention is provided. It is sectional drawing for demonstrating the structure of the sealing film with which the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention is provided. It is a figure for demonstrating the compressive stress in the sealing film with which the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention is provided. It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL display device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 constitutes an organic EL element included in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. It is sectional drawing for demonstrating an organic electroluminescent layer.
  • the organic EL display device 1 includes a plastic substrate 10 that is an element substrate, and an organic EL element 4 formed on the plastic substrate 10.
  • the plastic substrate 10 is a film-like substrate formed of an insulating resin material.
  • the resin material forming the plastic substrate 10 include polyimide resin and acrylic resin.
  • An organic material such as a resin can be used.
  • the organic EL display device 1 has a display area 15 in which organic EL elements 4 are arranged.
  • the organic EL elements 4 are arranged in a matrix on the surface on the plastic substrate 10 side.
  • a display area 15R that emits red light, a display area 15G that emits green light, and a display area 15B that emits blue light are arranged according to a predetermined pattern.
  • the organic EL element 4 includes a plurality of first electrodes 13 (anodes) arranged in a predetermined arrangement (for example, in a matrix) on a plastic substrate 10, and a plurality of first electrodes 13.
  • the organic EL layer 17 formed on each of the above and the second electrode 14 formed on the organic EL layer 17 are provided.
  • the organic EL element 4 includes an edge cover 18 provided so as to cover a peripheral portion of the first electrode 13 and a region where the first electrode 13 is not provided.
  • the edge cover 18 is provided between the pixel regions 15R, 15G, and 15B and functions as a partition for partitioning the pixel regions 15R, 15G, and 15B.
  • the organic EL display device 1 includes a TFT 11 provided on a plastic substrate 10 and electrically connected to each of a plurality of first electrodes 13 arranged in a predetermined arrangement, and a plastic.
  • An interlayer insulating film 21 formed on the substrate 10 and covering the TFT 11 is provided.
  • the first electrode 13 has a function of injecting holes into the organic EL layer 17.
  • the first electrode 13 is more preferably formed of a material having a large work function. This is because the hole injection efficiency into the organic EL layer 17 can be improved by forming the first electrode 13 with a material having a large work function. Further, as shown in FIG. 1, the first electrode 13 is formed on the interlayer insulating film 21.
  • the constituent material of the first electrode 13 silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), calcium (Ca), Titanium (Ti), Yttrium (Y), Sodium (Na), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Ytterbium (Yb), Lithium fluoride (LiF) ) And the like.
  • An alloy such as (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) may be used.
  • tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), or conductive oxides such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) may be used.
  • the first electrode 13 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of the material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the interlayer insulating film 21 is formed on the plastic substrate 10 and has a function of flattening the formation film surface of the TFT 11.
  • the interlayer insulating film 21 makes it possible to form the first electrode 13 and the organic EL layer 17 formed on the interlayer insulating film 21 flatly. That is, it is intended to suppress unevenness of the light emission by the organic EL layer 17 due to the lower step and unevenness of the organic EL display device 1 affecting the surface shape of the first electrode 13.
  • the interlayer insulating film 21 is made of an organic resin material such as an acrylic resin that is highly transparent and inexpensive.
  • the first electrode 13 is electrically connected to the TFT 11 via a contact hole 23 formed in the interlayer insulating film 21.
  • the organic EL layer 17 is formed on the surface of each first electrode 13 partitioned in a matrix. As shown in FIG. 2, the organic EL layer 17 is formed on the surface of the hole injection layer 40, the hole transport layer 41 formed on the surface of the hole injection layer 40, and the hole transport layer 41. A light emitting layer 42 that emits one of red light, green light, and blue light, an electron transport layer 43 formed on the surface of the light emitting layer 42, and an electron injection formed on the surface of the electron transport layer 43 Layer 44.
  • the organic EL layer 17 is configured by sequentially stacking the hole injection layer 40, the hole transport layer 41, the light emitting layer 42, the electron transport layer 43, and the electron injection layer 44.
  • the organic EL layer 17 may be formed with an area smaller than the lower first electrode 13 or may be formed so as to cover the first electrode 13 with a larger area.
  • the hole injection layer 40 is also called an anode buffer layer, in order to bring the energy levels of the first electrode 13 and the organic EL layer 17 close to each other and improve the hole injection efficiency from the first electrode 13 to the organic EL layer 17. Used.
  • Materials for forming the hole injection layer 40 include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, phenylenediamine derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives. Etc. can be used.
  • the hole transport layer 41 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 13 to the organic EL layer 17.
  • Examples of the material for forming the hole transport layer 41 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, Polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, hydrogenated amorphous silicon carbide Zinc sulfide, zinc selenide or the like can be used.
  • the light-emitting layer 42 is a region where holes and electrons are injected from each of both electrodes and a hole and an electron are recombined when a voltage is applied by the first electrode 13 and the second electrode 14.
  • the light emitting layer 42 is formed of a material having high luminous efficiency.
  • a metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenylethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative.
  • the electron transport layer 43 has a role of efficiently moving electrons to the light emitting layer.
  • Examples of the material for forming the electron transport layer 43 include oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, fluorenone derivatives, silole derivatives, as organic compounds. Metal oxinoid compounds and the like can be used.
  • the electron injection layer 44 is used to bring the energy levels of the second electrode 14 and the organic EL layer 17 close to each other and improve the efficiency with which electrons are injected from the second electrode 14 to the organic EL layer 17.
  • the drive voltage of the element 4 can be lowered.
  • the electron injection layer is also called a cathode buffer layer.
  • Examples of the material for forming the electron injection layer 44 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride (BaF 2 ), and the like.
  • Inorganic alkali compounds such as Al 2 O 3 and SrO can be used.
  • the second electrode 14 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 17. More preferably, the second electrode 14 is made of a material having a small work function. This is because the efficiency of electron injection into the organic EL layer 17 can be improved by forming the second electrode 14 with a material having a small work function. Further, as shown in FIG. 1, the second electrode 14 is formed on the organic EL layer 17.
  • silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), calcium (Ca), Titanium (Ti), Yttrium (Y), Sodium (Na), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Ytterbium (Yb), Lithium fluoride (LiF) ) Etc. can be used.
  • the second electrode 14 includes magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ), It is formed of an alloy such as lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al). Also good. Furthermore, the second electrode 14 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), or indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The second electrode 14 can also be formed by laminating a plurality of layers made of these materials.
  • Materials having a low work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / Examples include potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al). It is done.
  • the edge cover 18 has a function of preventing the first electrode 13 and the second electrode 14 from being short-circuited. Therefore, it is preferable that the edge cover 18 is provided so as to surround the entire periphery of the first electrode 13.
  • Examples of the material constituting the edge cover 18 include silicon nitride (SiNx (x is a positive number)) such as silicon oxide (SiO 2 ), trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ), and silicon oxynitride (SiNO). Can be mentioned.
  • silicon nitride SiNx (x is a positive number)
  • SiO 2 silicon oxide
  • Si 3 N 4 trisilicon tetranitride
  • SiNO silicon oxynitride
  • the organic EL display device 1 includes a sealing film 2 as shown in FIG.
  • the sealing film 2 is for protecting the organic EL element 4 from moisture.
  • the sealing film 2 is provided on the plastic substrate 10 so as to cover the organic EL element 4.
  • the sealing film 2 is provided on the surface of the plastic substrate 10, and the first sealing layer 25 in contact with the plastic substrate 10, and the first sealing
  • the layer 25 is formed of a laminated film including a stress relaxation layer 26 provided on the surface of the layer 25 and a second sealing layer 27 provided on the surface of the stress relaxation layer 26.
  • the compressive stress of the first sealing layer 25 is smaller than the compressive stress of the second sealing layer 27 (that is, the compressive stress of the second sealing layer 27 is lower than that of the first sealing layer 25). It is configured to be greater than the compressive stress.
  • compressive stress refers to the force generated to maintain the balance inside the object when the object is compressed from the outside.
  • a thin film stress measuring device manufactured by Toago Technology Co., Ltd.
  • the second sealing layer 27 is provided on the stress relaxation layer 26, the compressive stress of the second sealing layer 27 is relaxed when the organic EL display device 1 is bent. Therefore, even when the compressive stress Y of the second sealing layer 27 is larger than the compressive stress X of the first sealing layer 25, the cracks of the second sealing layer 27 do not occur at the time of bending. Occurrence can be prevented.
  • the difference between the compressive stress and the compressive stress of the second sealing layer 27 is configured to be 50 MPa or more and 300 MPa or less.
  • the material for forming the first sealing layer 25 and the second sealing layer 27 is not particularly limited, and silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), trisilicon tetranitride (Si 3 N). 4 ) and other inorganic materials such as silicon nitride (SiNx (x is a positive number)) and silicon carbonitride (SiCN).
  • examples of the material for forming the stress relaxation layer 26 include organic materials such as polysiloxane, silicon oxide silicon carbide (SiOC), acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide.
  • the thickness of the sealing film 2 is preferably 1 to 100 ⁇ m.
  • 5 to 8 are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.
  • a plurality of TFTs 11 for driving the organic EL element 4 are formed at predetermined intervals on a plastic substrate 10 having a substrate size of 320 ⁇ 400 mm and a thickness of 0.7 mm.
  • a photosensitive acrylic resin is applied to the plastic substrate 10 on which the TFT 11 is formed by a spin coat method. Then, by using an exposure mask having a predetermined exposure pattern, exposure is performed with a predetermined exposure amount (for example, 360 mJ / cm 2 ), and development is performed using an alkali developer, for example, a thickness of 2 ⁇ m. An interlayer insulating film 21 is formed. After development, baking is performed as a post-bake under predetermined conditions (for example, at a temperature of 220 ° C. for 60 minutes).
  • a contact hole 23 (for example, a diameter of 5 ⁇ m) for electrically connecting the first electrode 13 and the TFT 11 is formed in the interlayer insulating film 21.
  • an ITO film is formed by a sputtering method, exposed and developed by photolithography, and patterned by using an etching method, whereby a plurality of first films are formed on the interlayer insulating film 21.
  • the electrode 13 is formed.
  • the film thickness of the first electrode 13 is, for example, about 100 nm.
  • baking is performed as a post-bake under predetermined conditions (for example, at a temperature of 220 ° C. for 120 minutes).
  • the first electrode 13 is electrically connected to the TFT 11 through a contact hole 23 formed in the interlayer insulating film 21.
  • a silicon oxide film is formed on the peripheral portion of the first electrode 13 by a sputtering method, exposed and developed by photolithography, and patterned by using an etching method.
  • An edge cover 18 is formed so as to surround the entire periphery of one electrode 13. At this time, the edge cover 18 is formed to have a thickness of about 150 nm, for example.
  • the organic EL layer 17 including the light emitting layer 42 is formed on the first electrode 13, and then the second electrode 14 is formed on the organic EL layer 17.
  • the organic EL layer 17 and the second electrode 14 are formed by a vapor deposition method using a metal mask.
  • the plastic substrate 10 provided with the first electrode 13 shown in FIG. 7 is placed in the chamber of the vapor deposition apparatus.
  • the inside of the chamber of the vapor deposition apparatus is maintained at a vacuum degree of 1 ⁇ 10 ⁇ 5 to 1 ⁇ 10 ⁇ 4 (Pa) by a vacuum pump.
  • the plastic substrate 10 provided with the first electrode 13 is installed in a state where two sides are fixed by a pair of substrate receivers attached in the chamber.
  • the vapor deposition materials of the hole injection layer 40, the hole transport layer 41, the light emitting layer 42, the electron transport layer 43, and the electron injection layer 44 are sequentially evaporated from the deposition source, so that the hole injection layer 40, the hole By laminating the transport layer 41, the light emitting layer 42, the electron transport layer 43, and the electron injection layer 44, the organic EL layer 17 is formed in the pixel region as shown in FIG.
  • the first electrode 13, the organic EL layer 17, the second electrode 14, and the edge cover are formed on the plastic substrate 10 by forming the second electrode 14 on the organic EL layer 17.
  • the organic EL element 4 provided with 18 is formed.
  • a crucible charged with each evaporation material can be used as the evaporation source.
  • the crucible is installed in the lower part of the chamber, and the crucible is equipped with a heater, and the crucible is heated by the heater.
  • the various vapor deposition materials charged in the crucible become evaporated molecules and jump out upward in the chamber.
  • m-MTDATA is common to all RGB pixels.
  • a hole injection layer 40 made of (4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine) is formed with a film thickness of, for example, 25 nm through a mask.
  • a hole transport layer 41 made of ⁇ -NPD (4,4-bis (N-1-naphthyl-N-phenylamino) biphenyl) is provided on the hole injection layer 40 in common to all the RGB pixels.
  • the film is formed with a film thickness of 30 nm through the mask.
  • red light emitting layer 42 As the red light emitting layer 42, 30 weight of 2,6-bis ((4′-methoxydiphenylamino) styryl) -1,5-dicyanonaphthalene (BSN) is added to di (2-naphthyl) anthracene (ADN). % Mixed material is formed with a film thickness of, for example, 30 nm on the hole transport layer 41 formed in the pixel region through a mask.
  • BSN 2,6-bis ((4′-methoxydiphenylamino) styryl) -1,5-dicyanonaphthalene
  • ADN di (2-naphthyl) anthracene
  • a mixture of 5% by weight of coumarin 6 in ADN is formed on the hole transport layer 41 formed in the pixel region through a mask with a film thickness of, for example, 30 nm. .
  • DPAVBi 4,4′-bis (2- ⁇ 4- (N, N-diphenylamino) phenyl ⁇ vinyl) biphenyl
  • 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq 3) is formed as an electron transport layer 43 with a thickness of, for example, 20 nm through a mask in common for all the RGB pixels.
  • lithium fluoride (LiF) is formed as an electron injection layer 44 on the electron transport layer 43 with a film thickness of, for example, 0.3 nm through a mask.
  • the second electrode 14 made of aluminum (Al) is formed as the second electrode 14 with a film thickness of, for example, 10 nm by a vacuum deposition method.
  • the sealing film 2 is formed on the plastic substrate 10 so as to cover the organic EL element 4. More specifically, first, an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) or aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is applied to a plasma CVD method, a vacuum evaporation method, a sputtering method, an atomic layer deposition method (ALD method), or the like. Thus, the first sealing layer 25 is formed by laminating on the surfaces of the plastic substrate 10 and the organic EL element 4.
  • an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) or aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is applied to a plasma CVD method, a vacuum evaporation method, a sputtering method, an atomic layer deposition method (ALD method), or the like.
  • ALD method atomic layer deposition method
  • the stress relaxation layer 26 is formed by laminating an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide on the surface of the first sealing layer 25 by a vacuum deposition method or the like.
  • an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) or aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is applied to a plasma CVD method, a vacuum deposition method, a sputtering method, an atomic layer, or the like.
  • the second sealing layer 27 is formed by laminating on the surface of the stress relaxation layer 26 by a deposition method (ALD method) or the like, and the first sealing layer 25, the stress relaxation layer 26, and the second sealing layer are formed.
  • the sealing film 2 constituted by 27 is formed.
  • the organic EL display device of this embodiment can be manufactured.
  • the sealing film 2 includes a first sealing layer 25 provided on the surface of the plastic substrate 10 and a stress relaxation layer 26 provided on the surface of the first sealing layer 25. And a second sealing layer 27 provided on the surface of the stress relaxation layer 26.
  • the compressive stress of the first sealing layer 25 is set smaller than the compressive stress of the second sealing layer 27. Accordingly, since the compressive stress of the first sealing layer 25 provided on the surface of the plastic substrate 10 is small, the adhesion of the first sealing layer 25 to the plastic substrate 10 is improved when the organic EL display device 1 is bent. It becomes possible to make it. As a result, it is possible to prevent the sealing film 2 from being peeled from the plastic substrate 10 when the organic EL display device 1 is bent. Therefore, the barrier performance against moisture is ensured and the organic EL element 4 is prevented from being deteriorated. be able to.
  • the second sealing layer 27 Since the compressive stress Y of the second sealing layer 27 provided in the outermost layer of the sealing film 2 is larger than the compressive stress X of the first sealing layer 25, the second sealing layer 27 is bent when bent. It is possible to prevent cracks from occurring. Therefore, in the second sealing layer 27, barrier performance against moisture can be secured, and deterioration of the organic EL element 4 can be prevented.
  • the second sealing layer 27 is provided on the stress relaxation layer 26, the compressive stress of the second sealing layer 27 is relaxed when the organic EL display device 1 is bent. Therefore, even when the compressive stress Y of the second sealing layer 27 is larger than the compressive stress X of the first sealing layer 25, the second sealing layer 27 is peeled off when the organic EL display device 1 is bent. It is possible to prevent the occurrence of cracks without occurring.
  • the difference between the compressive stress of the first sealing layer 25 and the compressive stress of the second sealing layer 27 is configured to be 50 MPa or more and 300 MPa or less. Therefore, it is possible to ensure the flexibility of the second sealing layer 27 while maintaining the adhesion of the first sealing layer 25 to the plastic substrate 10.
  • the first sealing layer 25 is formed by a plasma CVD method. Therefore, the adhesion of the first sealing layer 25 to the plastic substrate 10 can be further improved.
  • the second sealing layer 27 is formed by plasma CVD. Accordingly, it is possible to further prevent the occurrence of cracks in the second sealing layer 27 when the organic EL display device 1 is bent.
  • the stress relaxation layer 26 is formed by the plasma CVD method. Accordingly, it is possible to further prevent the second sealing layer 27 from peeling when the organic EL display device 1 is bent.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the structure of the sealing film according to the second embodiment of the present invention.
  • the overall configuration of the organic EL display device is the same as that of the first embodiment described above, and thus detailed description thereof is omitted here.
  • the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the sealing film 2 includes a third sealing layer 28, and a plurality of sealing layers (that is, the first sealing layer 25, Second sealing layer 27, third sealing layer 28 and a plurality of stress relaxation layers 26 are alternately stacked (in FIG. 9, three layers of sealing layers and two layers of stress relaxation layers 26 are alternately stacked. ) And is configured.
  • the barrier performance against moisture in the sealing film 2 can be further improved.
  • the third sealing layer 28 is made of silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or trisilicon tetranitride (Si). 3 N 4 ) and other inorganic materials such as silicon nitride (SiNx (x is a positive number)) and silicon carbonitride (SiCN).
  • the third sealing layer 28 is made of an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) or aluminum oxide (Al 2 O 3 ), like the first sealing layer 25 and the second sealing layer 27 described above. It is formed by laminating on the surface of the stress relaxation layer 26 by plasma CVD method, vacuum deposition method, sputtering method, atomic layer deposition method (ALD method) or the like.
  • SiO 2 silicon oxide
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • the compressive stress of the sealing layer (that is, the first sealing layer 25) provided on the surface of the plastic substrate 10 among the plurality of sealing layers is high.
  • the compressive stress of the other sealing layers (that is, the second sealing layer 27 and the third sealing layer 28) in the sealing film 2 is set to be smaller.
  • the sealing film 2 is formed by alternately laminating a plurality of sealing layers and a plurality of stress relaxation layers. Accordingly, the barrier performance against moisture in the sealing film 2 can be further improved, and therefore the deterioration of the organic EL element 4 can be reliably prevented.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining the structure of the sealing film according to the third embodiment of the present invention. Note that the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the organic EL display device 40 includes a plastic substrate 20 that is a sealing substrate facing the plastic substrate 10, and an organic EL element formed on the plastic substrate 10. 4 is provided between the plastic substrate 10 and the plastic substrate 20.
  • the organic EL display device 40 includes a sealing material 5 that is provided between the plastic substrate 10 and the plastic substrate 20 and bonds the plastic substrate 10 and the plastic substrate 20 so as to seal the organic EL element 4. Yes.
  • the sealing material 5 is formed in a frame shape so as to go around the organic EL element 4, and the plastic substrate 10 and the plastic substrate 20 are bonded to each other via the sealing material 5.
  • the plastic substrate 20 is a film-like substrate (flexibility) formed of an insulating resin material.
  • the resin material that forms the plastic substrate 20 include polyimide resin and acrylic resin.
  • An organic material such as a resin can be used.
  • the plastic substrate 20 includes a color filter 41 including a plurality of colored layers colored in red, green, or blue and a black matrix provided adjacent to each colored layer.
  • the organic EL display device 40 has a display area 15 surrounded by the sealing material 5.
  • the organic EL elements 4 are formed in a matrix on the surface of the plastic substrate 10 facing the plastic substrate 20.
  • the display area 15R that emits red light, the display area 15G that emits green light, and the display area 15B that emits blue light are arranged according to a predetermined pattern.
  • the organic EL display device 40 includes a filler 3 having a getter function (function of adsorbing oxygen and moisture). As shown in FIG. 10, the filler 3 is provided on the sealing film 2 so as to cover the sealing film 2.
  • the material forming the filler 3 examples include an epoxy resin (thermosetting one-part epoxy resin) and a silicon resin. From the viewpoint of improving the moisture adsorption function, the filler 3 contains alkaline earth metal oxides such as calcium oxide (CaO) and barium oxide (BaO), and desiccants such as silica gel and zeolite. Has been.
  • alkaline earth metal oxides such as calcium oxide (CaO) and barium oxide (BaO)
  • desiccants such as silica gel and zeolite. Has been.
  • the sealing material 5 for bonding the plastic substrates 10 and 20 is for fixing the plastic substrates 10 and 20.
  • Examples of the material forming the sealing material 5 include ultraviolet curable resins such as epoxy resins and acrylic resins, and thermosetting resins.
  • the organic EL display device 40 has a frame region (sealing material forming region) 16 in which the sealing material 5 is disposed around the display region 15.
  • the frame region 16 is provided in a frame shape so as to seal the organic EL element 4, and the plastic substrate 10 and the plastic substrate 20 are bonded to each other.
  • the color filter 41 is formed on the plastic substrate 20 having a substrate size of 320 ⁇ 400 mm and a thickness of 0.7 mm.
  • a positive photosensitive resin in which, for example, black pigments such as carbon fine particles are dispersed is applied to the entire plastic substrate 20 by spin coating. Thereafter, the coated photosensitive resin is exposed through a photomask and then patterned by development and heating to form a black matrix on the plastic substrate 20 with a thickness of, for example, 2.5 ⁇ m.
  • an acrylic photosensitive resin colored in red, green, or blue is applied onto the substrate on which the black matrix is formed, and the applied photosensitive resin is exposed through a photomask. Then, patterning is performed by developing to form a colored layer (for example, red layer R) of a selected color with a thickness of 2.5 ⁇ m, for example. Further, the same process is repeated for the other two colors to form the other two colored layers (for example, the green layer G and the blue layer B) with a thickness of, for example, 2.5 ⁇ m. A color filter 41 having a red layer R, a green layer G and a blue layer B) is formed.
  • the above-described material such as an epoxy resin is applied by a dispenser, a mask printing method, a screen printing method or the like to form the sealing material 5 in a frame shape.
  • the seal material 5 is mixed with a spacer (not shown) for regulating the distance between the plastic substrate 10 and the plastic substrate 20.
  • This spacer is made of, for example, SiO 2 (silicon oxide).
  • the above-described material for forming the filler 3 is applied to the inside of the sealing material 5 formed on the plastic substrate 20 while being separated from the sealing material 5 by a dispenser, a mask printing method, a dropping injection method, or the like.
  • a dispenser a mask printing method, a dropping injection method, or the like.
  • a sealing material is formed on the plastic substrate 10 (see FIG. 1) on which the organic EL element 4 and the sealing film 2 are formed so that the organic EL element 4 and the material forming the filler 3 overlap in a vacuum atmosphere.
  • the surface of the sealing material 5 formed on the plastic substrate 20 is placed on the surface of the plastic substrate 10 in the frame region 16.
  • the vacuum airtight state inside the sealing material 5 is maintained, and the plastic substrate 20 is moved toward the plastic substrate 10 in a vacuum atmosphere to perform pressure treatment.
  • a predetermined condition for example, a pressure of 100 Pa or less
  • the plastic substrate 20 is moved toward the plastic substrate 10 in a vacuum atmosphere to perform pressure treatment.
  • the material for the filler 3 formed on the surface of the plastic substrate 20 is uniformly diffused inside the sealing material 5 by pressurization and sealed.
  • a filler 3 is formed on the stop film 2 so as to cover the sealing film 2.
  • the resin forming the sealing material 5 is cured by irradiating ultraviolet rays from the plastic substrate 20 side, and the organic material shown in FIG.
  • the EL display device 40 is manufactured.
  • the sealing material 5 provided so as to seal the organic EL element 4 and the filler 3 provided so as to cover the sealing film 2 are provided. Therefore, the sealing material 5 and the filler 3 can block moisture and oxygen penetrating into the sealing film 2 from the outside, so that the deterioration of the organic EL element can be surely prevented. .
  • the sealing film 2 is formed by alternately stacking three sealing layers and two stress relaxation layers.
  • the number of sealing layers and stress relaxation layers is the same. There is no particular limitation, and for example, 10 sealing layers and 9 stress relaxation layers may be alternately stacked.
  • the stress relaxation layer 26 may be covered with the second sealing film 27 as shown in FIG. With such a configuration, it becomes possible to further improve the barrier performance against moisture in the sealing film 2, so that the deterioration of the organic EL element 4 can be more reliably prevented.
  • the outermost layer (that is, the third sealing layer 28) of the sealing film 2 relieves stress.
  • the layer 26 may be covered.
  • the organic EL layer 17 has a five-layer laminated structure of the hole injection layer 40, the hole transport layer 41, the light emitting layer 42, the electron transport layer 43, and the electron injection layer 44.
  • a three-layer structure of a hole injection layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer may be used.
  • the laminated structure includes a first electrode 13 that is a cathode from below, an electron injection layer 44, an electron transport layer 43, a light emitting layer 42, a hole transport layer 41, a hole injection layer 40, and a second electrode that is an anode. It becomes the electrode 14.
  • the materials used for the first electrode 13 and the second electrode 14 are also replaced.
  • the present invention is suitable for an organic EL display device including an organic EL element.

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Abstract

　有機ＥＬ表示装置１は、可撓性を有するプラスチック基板１０と、プラスチック基板１０上に設けられた有機ＥＬ素子４と、プラスチック基板１０上に、有機ＥＬ素子４を覆うように設けられた封止膜２とを備える。封止膜２が、プラスチック基板１０の表面上に設けられた第１封止層２５と、第１封止層２５の表面上に設けられた応力緩和層２６と、応力緩和層２６の表面上に設けられた第２封止層２７とに構成され、第１封止層２５の圧縮応力が第２封止層２７の圧縮応力よりも小さいことを特徴とする。

Description

有機ＥＬ表示装置
　本発明は、有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：以下、「有機ＥＬ素子」と記載する）を備えた有機ＥＬ表示装置に関する。
　近年、液晶表示装置は、多種多様な分野でフラットパネルディスプレイとして盛んに用いられているが、視野角によりコントラストや色味が大きく変化したり、バックライトなどの光源を必要とするために低消費電力化が容易ではないこと、及び薄型化や軽量化に限界があること等が依然として大きな課題である。また、液晶表示装置はフレキシブル化に関しても依然として大きな課題がある。
　そこで、近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が期待されている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極とに挟まれた有機ＥＬ層に電流を流すことで、有機ＥＬ層を構成する有機分子が発光するものである。そして、この有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、自発光型であることから薄型化や軽量化、低消費電力化の点で優れており、また広視野角であるため、次世代のフラットパネルディスプレイの候補として大きな注目を集めている。
　また、有機ＥＬ表示装置において、フレキシブル性、耐衝撃性、及び軽量性の点でガラス基板に比べて大きなメリットのあるプラスチック基板を用いた有機ＥＬ表示装置が非常に注目を集めており、ガラス基板のディスプレイでは不可能であった新たな有機ＥＬ表示装置が創出される可能性を秘めている。
　ここで、有機ＥＬ素子は、一般に、一定期間駆動すると、発光輝度や発光の均一性等の発光特性が初期の場合に比し著しく低下してしまう。このような発光特性の劣化の原因としては、有機ＥＬ素子の内部に進入した外気からの水分に起因する有機層の劣化や、水分に起因する有機層と電極との間の剥離等が挙げられる。
　そこで、水分等のガスの進入を防止するための封止膜が設ける技術が開示されている。より具体的には、例えば、可撓性（フレキシブル性）を有するプラスチック基板（フィルム基板）と、プラスチック基板上に設けられた無機膜（ＳｉＯＸ薄膜）とを備えた機能性フィルムにおいて、プラスチック基板上に無機膜を蒸着させる際に、蒸着速度を３～１０Å／ｓｅｃに設定し、無機膜に０．４～０．６％の圧縮残留ひずみ（応力にして２８０～４３０ＭＰａ）を与えて、無機膜を形成する方法が開示されている。そして、このような方法により、無機膜の圧縮残留応力を増加させることができるため、破壊ひずみが向上した無機膜を製造することができると記載されている（例えば、特許文献１参照）。
特許４１９６４４０号公報
　しかし、上記特許文献１に記載の方法では、ＳｉＯＸ薄膜の破壊ひずみを圧縮残留ひずみ分だけ大きくすると、ＳｉＯＸ薄膜とプラスチック基板との密着性が低下するため、プラスチック基板からＳｉＯＸ薄膜が剥離してしまい、結果として、水分に対するバリア性能が低下するという問題があった。
　また、上述のＳｉＯＸ薄膜は薄くて硬いため、フレキシブル性を有する有機ＥＬ表示装置を屈曲させる際に、ＳｉＯＸ薄膜にクラックが生じる場合がある。その結果、外気からの水分の進入をＳｉＯＸ薄膜によって確実に遮断することができなくなり、有機ＥＬ素子の劣化を防止することができなくなるという問題があった。
　そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、封止膜におけるクラックの発生を防止するとともに、プラスチック基板と封止膜との密着性を向上させ、有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の第１の有機ＥＬ表示装置は、可撓性を有するプラスチック基板と、プラスチック基板上に設けられた有機ＥＬ素子と、プラスチック基板上に、有機ＥＬ素子を覆うように設けられた封止膜とを備えた有機ＥＬ表示装置であって、封止膜が、プラスチック基板の表面上に設けられた第１封止層と、第１封止層の表面上に設けられた応力緩和層と、応力緩和層の表面上に設けられた第２封止層とに構成され、第１封止層の圧縮応力が前記第２封止層の圧縮応力よりも小さいことを特徴とする。
　同構成によれば、第１封止層の圧縮応力が前記第２封止層の圧縮応力よりも小さいため、有機ＥＬ表示装置の屈曲時における、プラスチック基板に対する第１封止層の密着性が向上し、プラスチック基板から封止膜が剥離することを防止することができる。その結果、水分に対するバリア性能を確保して、有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
　また、封止膜の最外層に設けられた第２封止層の圧縮応力が第１封止層の圧縮応力よりも大きいため、屈曲時に第２封止層におけるクラックの発生を防止することが可能になる。従って、第２封止層において、水分に対するバリア性能を確保して、有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
　また、本発明の第２の有機ＥＬ表示装置は、可撓性を有するプラスチック基板と、プラスチック基板上に設けられた有機ＥＬ素子と、プラスチック基板上に、有機ＥＬ素子を覆うように設けられた封止膜とを備えた有機ＥＬ表示装置であって、封止膜が、複数の封止層と複数の応力緩和層とが交互に積層されて構成されており、複数の封止層のうち、プラスチック基板の表面上に設けられた封止層の圧縮応力が、他の封止層の圧縮応力よりも小さいことを特徴とする。
　同構成によれば、プラスチック基板の表面上に設けられた封止層の圧縮応力が最外層に設けられた封止層の圧縮応力よりも小さいため、有機ＥＬ表示装置の屈曲時における、プラスチック基板に対する、プラスチック基板の表面上に設けられた封止層の密着性が向上し、プラスチック基板から封止膜が剥離することを防止することができる。その結果、水分に対するバリア性能を確保して、有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
　また、封止膜の最外層に設けられた封止層の圧縮応力がプラスチック基板の表面上に設けられた封止層の圧縮応力よりも大きいため、屈曲時に封止膜の最外層に設けられた封止層におけるクラックの発生を防止することが可能になる。従って、封止膜の最外層に設けられた封止層において、水分に対するバリア性能を確保して、有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
　本発明によれば、封止層において、水分に対するバリア性能を確保して、有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置が備える封止膜の構造を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置が備える封止膜における圧縮応力を説明するための図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置が備える封止膜の構造を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。 本発明の変形例に係る有機ＥＬ表示装置が備える封止膜の構造を説明するための断面図である。 本発明の変形例に係る有機ＥＬ表示装置が備える封止膜の構造を説明するための断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
　（第１の実施形態）
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図であり、図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層を説明するための断面図である。
　図１に示す様に、有機ＥＬ表示装置１は、素子基板であるプラスチック基板１０と、プラスチック基板１０上に形成された有機ＥＬ素子４とを備えている。
　プラスチック基板１０は、絶縁性を有する樹脂材料により形成されたフィルム状の可撓性（フレキシビリティー）を有する基板であり、このプラスチック基板１０を形成する樹脂材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。
　また、図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子４が配列された表示領域１５を有する。この表示領域１５には、プラスチック基板１０側の面において、有機ＥＬ素子４がマトリックス状に配置されて形成されている。そして、この表示領域１５は、赤色光を発する表示領域１５Ｒと、緑色光を発する表示領域１５Ｇと、青色光を発する表示領域１５Ｂが、所定のパターンに従って配列されている。
　この有機ＥＬ素子４は、図１に示すように、プラスチック基板１０上に所定配列で（例えば、マトリクス状に）配設された複数の第１電極１３（陽極）と、複数の第１電極１３の各々の上に形成された有機ＥＬ層１７と、有機ＥＬ層１７上に形成された第２電極１４とを備えている。
　また、有機ＥＬ素子４は、第１電極１３の周縁部や第１電極１３が設けられていない領域を覆うように設けられたエッジカバー１８を備えている。このエッジカバー１８は、各画素領域１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの間に設けられるとともに、各画素領域１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを区画するための隔壁として機能する。
　また、有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、プラスチック基板１０上に設けられ、所定配列で配設された複数の第１電極１３の各々に電気的に接続されたＴＦＴ１１と、プラスチック基板１０上に形成され、ＴＦＴ１１を覆う層間絶縁膜２１とを備えている。
　第１電極１３は、有機ＥＬ層１７にホール（正孔）を注入する機能を有する。第１電極１３は、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。仕事関数の大きな材料により第１電極１３を形成することにより、有機ＥＬ層１７への正孔注入効率を向上させることができるからである。また、図１に示すように、第１電極１３は、層間絶縁膜２１上に形成されている。
　第１電極１３の構成材料としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物等であってもよい。
　また、第１電極１３は、上記材料からなる層を複数積層して形成してもよい。仕事関数の大きな材料としては、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　層間絶縁膜２１は、プラスチック基板１０上に形成されており、ＴＦＴ１１の形成膜面を平坦にする機能を有する。そして、この層間絶縁膜２１によって、層間絶縁膜２１の上部に形成される第１電極１３や有機ＥＬ層１７等を平坦に形成することができる。即ち、有機ＥＬ表示装置１の下層側段差や凹凸が第１電極１３の表面形状に影響して、有機ＥＬ層１７による発光が不均一になることを抑制するためのものである。この層間絶縁膜２１は、透明性が高く、安価であるアクリル樹脂等の有機樹脂材料で構成されている。
　また、図１に示すように、第１電極１３は、層間絶縁膜２１に形成されたコンタクトホール２３を介して、ＴＦＴ１１に電気的に接続されている。
　有機ＥＬ層１７は、マトリクス状に区画された各第１電極１３の表面上に形成されている。この有機ＥＬ層１７は、図２に示すように、正孔注入層４０と、正孔注入層４０の表面上に形成された正孔輸送層４１と、正孔輸送層４１の表面上に形成され、赤色光、緑色光、および青色光のいずれかを発する発光層４２と、発光層４２の表面上に形成された電子輸送層４３と、電子輸送層４３の表面上に形成された電子注入層４４とを備えている。そして、これらの正孔注入層４０、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３、および電子注入層４４が順次積層されることにより、有機ＥＬ層１７が構成されている。なお、有機ＥＬ層１７は、下方の第１電極１３より小さい面積で形成されていてもよく、大きい面積で第１電極１３を覆うように形成されていてもよい。
　正孔注入層４０は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１３と有機ＥＬ層１７とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１３から有機ＥＬ層１７への正孔注入効率を改善するために用いられる。
　正孔注入層４０を形成する材料としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体などを用いることができる。
　正孔輸送層４１は、第１電極１３から有機ＥＬ層１７への正孔の輸送効率を向上させる機能を有する。正孔輸送層４１を形成する材料としては、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、又は、セレン化亜鉛等を用いることができる。
　発光層４２は、第１電極１３、及び第２電極１４による電圧印加の際に、両電極の各々から正孔および電子が注入されるとともに、正孔と電子が再結合する領域である。この発光層４２は、発光効率が高い材料により形成され、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、又は、ポリシラン等を用いることができる。
　電子輸送層４３は、電子を発光層まで効率良く移動させる役割をもつ。電子輸送層４３を形成する材料としては、例えば、有機化合物としてオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等を用いることができる。
　電子注入層４４は、第２電極１４と有機ＥＬ層１７とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１４から有機ＥＬ層１７へ電子が注入される効率を向上させるために用いられ、これにより有機ＥＬ素子４の駆動電圧を下げることが可能となる。なお、電子注入層は、陰極バッファ層とも呼ばれる。電子注入層４４を形成する材料としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）,フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）,フッ化バリウム（ＢａＦ２）等の無機アルカリ化合物、Ａｌ２Ｏ３、ＳｒＯを用いることができる。
　第２電極１４は、有機ＥＬ層１７に電子を注入する機能を有する。第２電極１４は、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。仕事関数の小さな材料により第２電極１４を形成することにより、有機ＥＬ層１７への電子注入効率を向上させることができるからである。また、図１に示すように、第２電極１４は、有機ＥＬ層１７上に形成されている。
　第２電極１４の構成材料としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等を用いることができる。また、第２電極１４は、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。さらに、第２電極１４は、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。第２電極１４は、これらの材料からなる層を複数積層して形成することもできる。
　仕事関数が小さい材料としては、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　エッジカバー１８は、第１電極１３と第２電極１４とが短絡することを防止する機能を有する。そのため、エッジカバー１８は、第１電極１３の周縁部を全て囲うように設けられていることが好ましい。
　エッジカバー１８を構成する材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等が挙げられる。
　また、有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、封止膜２を備えている。この封止膜２は、有機ＥＬ素子４を水分から保護するためのものである。この封止膜２は、図１に示すように、プラスチック基板１０上に、有機ＥＬ素子４を覆うように設けられている。
　ここで、本実施形態においては、図３に示すように、封止膜２が、プラスチック基板１０の表面上に設けられ、プラスチック基板１０と接触する第１封止層２５と、第１封止層２５の表面上に設けられた応力緩和層２６と、応力緩和層２６の表面上に設けられた第２封止層２７とに構成された積層膜により形成されている。
　そして、本実施形態においては、第１封止層２５の圧縮応力が第２封止層２７の圧縮応力よりも小さく（即ち、第２封止層２７の圧縮応力が第１封止層２５の圧縮応力よりも大きく）なるように構成されている。
　なお、ここで言う「圧縮応力」とは、物体を外部から圧縮した際に、物体の内部で釣り合いを保つために生ずる力のこと言い、例えば、薄膜応力測定装置（東朋テクノロジー（株）製、商品名：ＦＬＸシリーズ）を使用して測定することができる。
　このような構成により、例えば、図４に示すように、有機ＥＬ表示装置１を所定の方向に屈曲させた場合、有機ＥＬ表示装置１に圧縮応力Ａが作用するが、プラスチック基板１０の表面上に設けられた第１封止層２５の圧縮応力Ｘが小さいため、屈曲時における、プラスチック基板１０に対する第１封止層２５の密着性を向上させることが可能になる。従って、屈曲時に、プラスチック基板１０から封止膜２が剥離することを防止することができるため、水分に対するバリア性能を確保して、有機ＥＬ素子４の劣化を防止することができる。
　また、図４に示すように、有機ＥＬ表示装置１を所定の方向に屈曲させた場合、有機ＥＬ表示装置１に引っ張り応力Ｂが作用するが、封止膜２の最外層に設けられた第２封止層２７の圧縮応力Ｙが第１封止層２５の圧縮応力Ｘよりも大きいため、屈曲時に、第２封止膜２７の屈曲性を確保することができ、第２封止層２７におけるクラックの発生を防止することが可能になる。従って、第２封止層２７において、水分に対するバリア性能を確保して、有機ＥＬ素子４の劣化を防止することができる。
　また、本実施形においては、応力緩和層２６上に第２封止層２７が設けられているため、有機ＥＬ表示装置１の屈曲時に、第２封止層２７の圧縮応力が緩和される。従って、第２封止層２７の圧縮応力Ｙが第１封止層２５の圧縮応力Ｘよりも大きい場合であっても、屈曲時に、第２封止層２７の剥離を生じることなく、クラックの発生を防止することが可能になる。
　また、本実施形態においては、プラスチック基板１０に対する第１封止層２５の密着性を保ちながら、第２封止層２７の屈曲性を確実に確保するとの観点から、第１封止層２５の圧縮応力と第２封止層２７の圧縮応力との差が、５０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下となるように構成されている。
　第１封止層２５、及び第２封止層２７を形成する材料としては、特に限定されず、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、及び炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料が挙げられる。
　また、応力緩和層２６を形成する材料としては、ポリシロキサン、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、及びポリアミド等の有機材料が挙げられる。
　また、有機ＥＬ素子４の耐久性を十分に確保するとの観点から、封止膜２の厚みは、１～１００μｍであることが好ましい。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について説明する。図５～図８は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
　まず、図５に示すように、基板サイズが３２０×４００ｍｍで、厚さが０．７ｍｍのプラスチック基板１０上に、有機ＥＬ素子４を駆動するためのＴＦＴ１１を所定の間隔で複数個形成する。
　次いで、図６に示すように、感光性アクリル樹脂を、ＴＦＴ１１が形成されたプラスチック基板１０上にスピンコート法により塗布する。そして、所定の露光パターンを有する露光マスクを使用して、所定の露光量（例えば、３６０ｍＪ／ｃｍ２）により露光を行い、アルカリ現像液を用いて現像を行うことにより、例えば、厚みが２μｍの層間絶縁膜２１を形成する。なお、現像後、ポストベークとして、所定の条件下（例えば、２２０℃の温度で６０分間）において焼成を行う。
　なお、この際、層間絶縁膜２１には、第１電極１３とＴＦＴ１１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２３（例えば、径が５μｍ）が形成される。
　次いで、図７に示すように、スパッタ法によりＩＴＯ膜を形成し、フォトリソグラフィにより露光、現像を行い、エッチング法を使用してパターンニングを行うことにより、層間絶縁膜２１上に複数の第１電極１３を形成する。この際、第１電極１３の膜厚は、例えば、１００ｎｍ程度に形成する。なお、現像後、ポストベークとして、所定の条件下（例えば、２２０℃の温度で１２０分間）において焼成を行う。また、第１電極１３は層間絶縁膜２１に形成されたコンタクトホール２３を介して、ＴＦＴ１１に電気的に接続される。
　次いで、図７に示すように、第１電極１３の周縁部にスパッタ法により酸化シリコン膜を形成し、フォトリソグラフィにより露光、現像を行い、エッチング法を使用してパターンニングを行うことにより、第１電極１３の周縁部を全て囲うようにエッジカバー１８を形成する。この際、エッジカバー１８の厚みは、例えば、１５０ｎｍ程度に形成する。
　次に、第１電極１３上に、発光層４２を含む有機ＥＬ層１７を形成し、その後、有機ＥＬ層１７上に第２電極１４を形成する。これらの有機ＥＬ層１７、及び第２電極１４の形成は、金属製のマスクを使用して、蒸着法により行われる。
　より具体的には、まず、図７に示す、第１電極１３を備えたプラスチック基板１０を蒸着装置のチャンバー内に設置する。なお、蒸着装置のチャンバー内は、真空ポンプにより、１×１０－５～１×１０－４（Ｐａ）の真空度に保たれている。また、第１電極１３を備えたプラスチック基板１０は、チャンバー内に取り付けられた１対の基板受けによって２辺を固定した状態で設置する。
　そして、蒸着源から、正孔注入層４０、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３、および電子注入層４４の各蒸着材料を順次蒸発させて、正孔注入層４０、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３、および電子注入層４４を積層することにより、図７に示すように、画素領域に有機ＥＬ層１７を形成する。
　次いで、図７に示すように、有機ＥＬ層１７上に、第２電極１４を形成することにより、プラスチック基板１０上に、第１電極１３、有機ＥＬ層１７、第２電極１４、及びエッジカバー１８を備えた有機ＥＬ素子４を形成する。
　なお、蒸発源としては、例えば、各蒸発材料が仕込まれた坩堝を使用することができる。坩堝は、チャンバー内の下部に設置されるとともに、坩堝にはヒーターが備え付けられており、このヒーターにより、坩堝は加熱される。
　そして、ヒーターによる加熱により、坩堝の内部温度が各種蒸着材料の蒸発温度に到達することで、坩堝内に仕込まれた各種蒸着材料が蒸発分子となってチャンバー内の上方向へ飛び出す。
　また、有機ＥＬ層１７、及び第２電極１４の形成方法の具体例としては、まず、プラスチック基板１０上にパターニングされた第１電極１３上に、ＲＧＢ全ての画素に共通して、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine）からなる正孔注入層４０を、マスクを介して、例えば、２５ｎｍの膜厚で形成する。
　続いて、正孔注入層４０上に、ＲＧＢ全ての画素に共通して、α－ＮＰＤ（4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl）からなる正孔輸送層４１を、マスクを介して、例えば、３０ｎｍの膜厚で形成する。
　次に、赤色の発光層４２として、ジ(2-ナフチル)アントラセン（ＡＤＮ）に2,6-ビス（(4’-メトキシジフェニルアミノ)スチリル）-1,5-ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものを、マスクを介して、画素領域に形成された正孔輸送層４１上に、例えば、３０ｎｍの膜厚で形成する。
　次いで、緑色の発光層４２として、ＡＤＮにクマリン６を５重量％混合したものを、マスクを介して、画素領域に形成された正孔輸送層４１上に、例えば、３０ｎｍの膜厚で形成する。
　次いで、青色の発光層４２として、ＡＤＮに4,4’-ビス（2-{4-(N,N-ジフェニルアミノ)フェニル}ビニル）ビフェニル(ＤＰＡＶＢｉ)を２．５重量％混合したものを、マスクを介して、画素領域に形成された正孔輸送層４１上に、例えば、３０ｎｍの膜厚で形成する。
　次いで、各発光層４２上に、ＲＧＢ全ての画素に共通して、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム(Ａｌｑ３)を電子輸送層４３として、マスクを介して、例えば、２０ｎｍの膜厚で形成する。
　次いで、電子輸送層４３上に、フッ化リチウム(ＬｉＦ)を電子注入層４４として、マスクを介して、例えば、０．３ｎｍの膜厚で形成する。
　そして、真空蒸着法により、第２電極１４として、アルミニウム（Ａｌ）からなる第２電極１４を、例えば、１０ｎｍの膜厚で形成する。
　次いで、図８に示すように、プラスチック基板１０上に、有機ＥＬ素子４を覆うように封止膜２を形成する。より具体的には、まず、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の無機材料を、プラズマＣＶＤ法や、真空蒸着法、スパッタ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により、プラスチック基板１０及び有機ＥＬ素子４の表面上に積層することにより、第１封止層２５を形成する。
　次に、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、及びポリアミド等の有機材料を、真空蒸着法等により、第１封止層２５の表面上に積層することにより、応力緩和層２６を形成する。
　次に、上述の第１封止層２５と同様に、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の無機材料を、プラズマＣＶＤ法や、真空蒸着法、スパッタ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により、応力緩和層２６の表面上に積層することにより、第２封止層２７を形成し、第１封止層２５、応力緩和層２６、及び第２封止層２７により構成された封止膜２が形成される。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
　以上に説明した本実施形態においては、以下の効果を得ることができる。
　（１）本実施形態においては、封止膜２が、プラスチック基板１０の表面上に設けられた第１封止層２５と、第１封止層２５の表面上に設けられた応力緩和層２６と、応力緩和層２６の表面上に設けられた第２封止層２７とに構成されている。そして、第１封止層２５の圧縮応力が第２封止層２７の圧縮応力よりも小さく設定されている。従って、プラスチック基板１０の表面上に設けられた第１封止層２５の圧縮応力が小さいため、有機ＥＬ表示装置１の屈曲時における、プラスチック基板１０に対する第１封止層２５の密着性を向上させることが可能になる。その結果、有機ＥＬ表示装置１の屈曲時に、プラスチック基板１０から封止膜２が剥離することを防止することができるため、水分に対するバリア性能を確保して、有機ＥＬ素子４の劣化を防止することができる。
　（２）また、封止膜２の最外層に設けられた第２封止層２７の圧縮応力Ｙが第１封止層２５の圧縮応力Ｘよりも大きいため、屈曲時に第２封止層２７におけるクラックの発生を防止することが可能になる。従って、第２封止層２７において、水分に対するバリア性能を確保して、有機ＥＬ素子４の劣化を防止することができる。
　（３）更に、応力緩和層２６上に第２封止層２７が設けられているため、有機ＥＬ表示装置１の屈曲時に、第２封止層２７の圧縮応力が緩和される。従って、第２封止層２７の圧縮応力Ｙが第１封止層２５の圧縮応力Ｘよりも大きい場合であっても、有機ＥＬ表示装置１の屈曲時に、第２封止層２７の剥離を生じることなく、クラックの発生を防止することが可能になる。
　（４）本実施形態においては、第１封止層２５の圧縮応力と第２封止層２７の圧縮応力との差が、５０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下となるように構成されている。従って、プラスチック基板１０に対する第１封止層２５の密着性を保ちながら、第２封止層２７の屈曲性を確実に確保することが可能になる。
　（５）本実施形態においては、第１封止層２５をプラズマＣＶＤ法により形成する構成としている。従って、プラスチック基板１０に対する第１封止層２５の密着性をより一層向上させることができる。
　（６）本実施形態においては、第２封止層２７をプラズマＣＶＤ法により形成する構成としている。従って、有機ＥＬ表示装置１の屈曲時に、第２封止層２７におけるクラックの発生をより一層防止することが可能になる。
　（７）本実施形態においては、応力緩和層２６をプラズマＣＶＤ法により形成する構成としている。従って、有機ＥＬ表示装置１の屈曲時に、第２封止層２７の剥離をより一層防止することが可能になる。
　（第２の実施形態）
　次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図９は、本発明の第２の実施形態に係る封止膜の構造を説明するための断面図である。なお、有機ＥＬ表示装置の全体構成は、上述の第１の実施形態の場合と同じであるため、ここでは詳しい説明を省略する。また、上記第１の実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、図９に示すように、封止膜２が、第３封止層２８を備えており、複数の封止層（即ち、第１封止層２５、第２封止層２７、第３封止層２８と複数の応力緩和層２６とが交互に積層（図９においては、３層の封止層と２層の応力緩和層２６とが交互に積層）されて構成されている点に特徴がある。
　このような構成により、本実施形態においては、封止膜２における水分に対するバリア性能をより一層向上させることが可能になる。
　第３封止層２８は、上述の第１封止層２５、及び第２封止層２７と同様に、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、及び炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により形成されている。
　また、第３封止層２８は、上述の第１封止層２５、及び第２封止層２７と同様に、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の無機材料を、プラズマＣＶＤ法や、真空蒸着法、スパッタ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により、応力緩和層２６の表面上に積層することにより形成される。
　そして、上述の第１の実施形態の場合と同様に、複数の封止層のうち、プラスチック基板１０の表面上に設けられた封止層（即ち、第１封止層２５）の圧縮応力が、封止膜２における他の封止層（即ち、第２封止層２７、及び第３封止層２８）の圧縮応力よりも小さく設定されている。
　以上に説明した本実施形態によれば、上述の（１）～（７）の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
　（８）本実施形態においては、複数の封止層と複数の応力緩和層とを交互に積層することにより封止膜２を形成する構成としている。従って、封止膜２における水分に対するバリア性能をより一層向上させることが可能になるため、有機ＥＬ素子４の劣化を確実に防止することができる。
　（第３の実施形態）
　次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図１０は、本発明の第３の実施形態に係る封止膜の構造を説明するための断面図である。なお、上記第１の実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
　本実施形態においては、図１０に示すように、有機ＥＬ表示装置４０は、プラスチック基板１０に対向する封止基板であるプラスチック基板２０を備えており、プラスチック基板１０上に形成された有機ＥＬ素子４は、プラスチック基板１０とプラスチック基板２０の間に設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置４０は、プラスチック基板１０とプラスチック基板２０との間に設けられ、有機ＥＬ素子４を封止するようにプラスチック基板１０とプラスチック基板２０とを貼り合わせるシール材５を備えている。
　このシール材５は、有機ＥＬ素子４を周回するように枠状に形成されており、プラスチック基板１０とプラスチック基板２０は、このシール材５を介して相互に貼り合わされている。
　プラスチック基板２０は、絶縁性を有する樹脂材料により形成されたフィルム状の可撓性（フレキシビリティー）を有する基板であり、このプラスチック基板２０を形成する樹脂材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。
　また、プラスチック基板２０は、赤色、緑色又は青色に着色された複数の着色層と各着色層に隣接して設けられたブラックマトリクスとからなるカラーフィルタ４１を備える。
　また、図１０に示すように、有機ＥＬ表示装置４０は、シール材５により囲まれた表示領域１５を有する。この表示領域１５には、プラスチック基板２０と対向するプラスチック基板１０側の面において、有機ＥＬ素子４がマトリックス状に配置されて形成されている。なお、この表示領域１５には、上述のごとく、赤色光を発する表示領域１５Ｒと、緑色光を発する表示領域１５Ｇと、青色光を発する表示領域１５Ｂが、所定のパターンに従って配列されている。
　また、有機ＥＬ表示装置４０は、図１０に示すように、ゲッター機能（酸素や水分を吸着させる機能）を有する充填材３を備えている。この充填材３は、図１０に示すように、封止膜２上に、当該封止膜２を覆うように設けられている。
　この充填材３を形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂（熱硬化型一液性エポキシ樹脂）やシリコン樹脂等が挙げられる。また、水分の吸着機能を向上させるとの観点から、充填材３には、酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等のアルカリ土類金属酸化物や、シリカゲル、ゼオライト等の乾燥剤が含有されている。
　プラスチック基板１０，２０を接着するシール材５は、プラスチック基板１０，２０を固定するためのものである。このシール材５を形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。
　また、有機ＥＬ表示装置４０は、図１０に示すように、表示領域１５の周囲において、シール材５が配置される額縁領域（シール材形成領域）１６が規定されており、このシール材５は、図１０に示すように、額縁領域１６において、有機ＥＬ素子４を封止するように枠状に設けられ、プラスチック基板１０とプラスチック基板２０とを貼り合わせる構成となっている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置４０を製造する際には、まず、基板サイズが３２０×４００ｍｍで、厚さが０．７ｍｍのプラスチック基板２０上にカラーフィルタ４１を形成する。
　より具体的には、プラスチック基板２０の基板全体に、スピンコート法により、例えば、カーボン微粒子などの黒色顔料が分散されたポジ型の感光性樹脂を塗布する。その後、塗布された感光性樹脂を、フォトマスクを介して露光した後に、現像及び加熱することによりパターニングして、プラスチック基板２０上にブラックマトリクスを、例えば、厚さ２．５μｍで形成する。
　次いで、ブラックマトリクスが形成された基板上に、例えば、赤、緑又は青に着色されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂を、フォトマスクを介して露光した後に、現像することによりパターニングして、選択した色の着色層（例えば、赤色層Ｒ）を、例えば、厚さ２．５μｍで形成する。さらに、他の２色についても同様な工程を繰り返して、他の２色の着色層（例えば、緑色層Ｇ及び青色層Ｂ）を、例えば、厚さ２．５μｍで形成して、着色層（赤色層Ｒ、緑色層Ｇ及び青色層Ｂ）を備えたカラーフィルタ４１を形成する。
　次いで、カラーフィルタ４１が形成されたプラスチック基板２０上に、上述したエポキシ樹脂等の材料を、ディスペンサやマスク印刷法、スクリーン印刷法等により塗布して、シール材５を枠状に形成する。
　なお、シール材５には、プラスチック基板１０とプラスチック基板２０との間隔を規制するためのスペーサ（不図示）が混入されている。このスペーサは、例えば、ＳｉＯ２（酸化シリコン）により形成されている。
　次いで、プラスチック基板２０に形成されたシール材５の内側に、充填材３を形成する上述の材料を、ディスペンサやマスク印刷法、滴下注入法等により、シール材５から離間させて塗布する。なお、塗布型の材料の代わりに、シート状の材料を使用する構成としてもよい。
　次いで、真空雰囲気で、有機ＥＬ素子４と充填材３を形成する材料とが重なり合うように、有機ＥＬ素子４と封止膜２が形成されたプラスチック基板１０（図１参照）上に、シール材５が形成されたプラスチック基板２０を重ね合わせて、額縁領域１６におけるプラスチック基板１０の表面上に、プラスチック基板２０に形成されたシール材５の表面を載置させる。
　次いで、所定の条件下（例えば、１００Ｐａ以下の圧力）において、シール材５の内側における真空気密状態を保持し、真空雰囲気で、プラスチック基板２０をプラスチック基板１０側に向けて移動させて加圧処理を行うことにより、シール材５を介して、プラスチック基板１０とプラスチック基板２０とを貼り合わせ、プラスチック基板１０とプラスチック基板２０とが貼り合わされた貼合体を形成する。
　なお、プラスチック基板１０とプラスチック基板２０とを貼り合わせる際に、加圧により、プラスチック基板２０の表面に形成された充填材３用の材料が、シール材５の内側において、均一に拡散し、封止膜２上に、当該封止膜２を覆うように充填材３が形成される。
　次いで、真空状態を大気圧までパージした（即ち、大気圧状態に戻した）後、プラスチック基板２０側から紫外線を照射して、シール材５を形成する樹脂を硬化させて、図１０に示す有機ＥＬ表示装置４０が製造される。
　以上に説明した本実施形態によれば、上述の（１）～（７）の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
　（９）本実施形態においては、有機ＥＬ素子４を封止するように設けられたシール材５と、封止膜２を覆うように設けられた充填材３とを設ける構成としている。従って、シール材５と充填材３により、外部から封止膜２に浸透してくる水分や酸素を遮断することが可能になるため、有機ＥＬ素子の劣化を確実に防止することが可能になる。
　なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。
　第２の実施形態においては、３層の封止層と２層の応力緩和層を交互に積層することにより、封止膜２を形成する構成としたが、封止層と応力緩和層の数は特に限定されず、例えば、１０層の封止層と９層の応力緩和層を交互に積層する構成としてもよい。
　また、上記第２の実施形態において、第３の実施形態と同様に、プラスチック基板１０に対向して設けられた他のプラスチック基板と、プラスチック基板１０と他のプラスチック基板との間に設けられ、有機ＥＬ素子４を封止するようにプラスチック基板１０と他のプラスチック基板とを貼り合わせるシール材と、封止膜２上に、封止膜２を覆うように設けられた充填材とを設ける構成としてもよい。この場合も、上述の第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　また、上述の第１の実施形態において、図１１に示すように、第２封止膜２７により応力緩和層２６を覆う構成としてもよい。このような構成により、封止膜２における水分に対するバリア性能をより一層向上させることが可能になるため、有機ＥＬ素子４の劣化をより一層確実に防止することができる。
　なお、上述の第２及び第３の実施形態において説明した封止膜２においても、図１２に示すように、封止膜２の最外層（即ち、第３封止層２８）により、応力緩和層２６を覆う構成としてもよい。
　また、上記実施形態においては、有機ＥＬ層１７を、正孔注入層４０、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３、及び電子注入層４４の５層積層構造としたが、当該５層積層構造に限られず、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層構造であってもよい。
　また、積層構造を反転させ、第１電極１３を陰極、第２電極１４を陽極とすることもできる。この場合、積層構造としては、下方より陰極である第１電極１３、電子注入層４４、電子輸送層４３、発光層４２、正孔輸送層４１、正孔注入層４０、及び陽極である第２電極１４となる。また、この場合、第１電極１３および第２電極１４に用いられる材料も入れ替わることになる。
　以上説明したように、本発明は、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置に適している。
　１　　有機ＥＬ表示装置
　２　　封止膜
　３　　充填材
　４　　有機ＥＬ素子
　５　　シール材
　１０　　プラスチック基板
　１７　　有機ＥＬ層
　２０　　プラスチック基板（他のプラスチック基板）
　２５　　第１封止層
　２６　　応力緩和層
　２７　　第２封止層
　２８　　第３封止層
　４０　　有機ＥＬ表示装置

Claims (8)

  1. 　可撓性を有するプラスチック基板と、
    　前記プラスチック基板上に設けられた有機ＥＬ素子と、
    　前記プラスチック基板上に、前記有機ＥＬ素子を覆うように設けられた封止膜と
    を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
    　前記封止膜が、前記プラスチック基板の表面上に設けられた第１封止層と、該第１封止層の表面上に設けられた応力緩和層と、該応力緩和層の表面上に設けられた第２封止層とにより構成され、
    　前記第１封止層の圧縮応力が前記第２封止層の圧縮応力よりも小さい
    　ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  2. 　前記第１封止層の圧縮応力と前記第２封止層の圧縮応力との差が、５０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  3. 　前記第２封止層が、前記応力緩和層を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
  4. 　前記第１封止層がプラズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  5. 　前記第２封止層がプラズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. 　前記応力緩和層がプラズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  7. 　可撓性を有するプラスチック基板と、
    　前記プラスチック基板上に設けられた有機ＥＬ素子と、
    　前記プラスチック基板上に、前記有機ＥＬ素子を覆うように設けられた封止膜と
    を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
    　前記封止膜が、複数の封止層と複数の応力緩和層とが交互に積層されて構成されており、
    　前記複数の封止層のうち、前記プラスチック基板の表面上に設けられた封止層の圧縮応力が、他の封止層の圧縮応力よりも小さいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  8. 　前記プラスチック基板に対向して設けられた他のプラスチック基板と、
    　前記プラスチック基板と前記他のプラスチック基板との間に設けられ、前記有機ＥＬ素子を封止するように前記プラスチック基板と前記他のプラスチック基板とを貼り合わせるシール材と、
    　前記封止膜上に、該封止膜を覆うように設けられた充填材と
    　を更に備えることを特徴とする請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
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