WO2016075983A1 - Au-Sn-Ag系はんだ合金とはんだ材料並びにこのはんだ合金又ははんだ材料を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a high-temperature Pb-free solder alloy having excellent reflow wettability and solderability.
- the present invention relates to a solder alloy and a solder material mainly composed of Au, and an electronic component sealed using the solder alloy or the solder material.
- solder materials used for the purpose of joining electronic components to the board.
- Lead has been used as a main component in solder materials for a long time, but it has already been a regulated substance under the Rohs Directive. For this reason, development of solder materials that do not contain lead (Pb) (hereinafter referred to as lead-free solder materials or lead-free solder materials) has been actively conducted.
- Solder materials used when joining electronic components to a substrate are roughly classified into high temperature (about 260 to 400 ° C.) and medium and low temperature (about 140 to 230 ° C.) depending on the use limit temperature.
- high-temperature and medium-low temperature products a medium-low-temperature solder material is mainly composed of Sn and a lead-free solder material has been put into practical use.
- Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-77366 shown in Patent Document 1 includes Sn as a main component, Ag of 1.0 to 4.0% by weight, and Cu of 2.0.
- a lead-free solder alloy composition containing no more than wt%, Ni no more than 1.0 wt% and P no more than 0.2 wt% is described.
- Patent Document 2 discloses an airtight terminal using a Bi—Ag alloy film containing 30 to 80% by mass of Bi as a solder material.
- Au—Sn alloys, Au—Ge alloys and the like are already used in quartz devices, SAW filters, MEMS, and the like as Au-based high-temperature Pb-free solder materials.
- Au-based high-temperature Pb-free solder material in practical use includes Au-20 mass% Sn (meaning composed of 80 mass% Au and 20 mass% Sn, and so on). This is the composition of the eutectic point and its melting point is 280 ° C.
- Au-12.5 mass% Ge which has been put into practical use, has a composition of eutectic points and a melting point of 356 ° C.
- Au-Sn alloy and Au-Ge alloy are properly used depending on the melting point.
- a mounting component using a high-temperature solder material must have a heat resistance of 260 ° C. as a minimum.
- Au—Sn alloys having a melting point of 280 ° C. are mainly used for mounting parts that require heat resistance of about 260 ° C.
- an Au—Ge alloy is used.
- Au-Sn alloys are used for encapsulating quartz devices that require particularly high reliability due to their melting point characteristics and good reflow wettability.
- Au-based alloys are very hard compared to Pb-based solder alloys and Sn-based solder alloys, and it is very difficult to process them into sheet shapes. Therefore, productivity and yield are poor, causing cost increase.
- the raw material cost is much higher than that of Pb or Sn solder materials. Therefore, a cheaper product is demanded. Therefore, in order to make this Au—Sn alloy inexpensive and easy to use, for example, an Au-based solder material shown in the following Patent Document 3 has been developed.
- Patent Document 3 has a composition ratio (Au (wt%), Ag (wt%), Sn (wt%)) as a ternary composition diagram of Au, Ag, and Sn.
- a brazing material characterized in that it is in a region surrounded by. This is intended to provide a brazing material and a piezoelectric device which are relatively low melting point, easy to handle, excellent in strength and adhesion, and inexpensive.
- the Au—Sn solder material and Au—Ge solder material that have been put into practical use are used for soldering in places that require particularly high reliability, such as crystal devices, SAW filters, and MEMS. However, it is hard to say that it is widely used.
- Au-based solder alloys are very hard and difficult to process. Therefore, for example, when rolling into a sheet shape, it takes time, or a roll made of a special material that is difficult to wrinkle must be used.
- cracks and burrs are likely to occur due to the hard and brittle nature of Au-based solder alloys during press molding. Therefore, the yield is remarkably low compared with other solder materials, and the cost becomes very high.
- Patent Document 3 shows a composition ratio (Au (wt%), Ag (wt%), Sn (wt%)) in a ternary composition diagram of Au, Ag, and Sn.
- Point A1 (41.8, 7.6, 50.5), Point A2 (62.6, 3.4, 34.0), Point A3 (75.7, 3.2, 21.1), Point A4 (53.6, 22.1, 24.3), Point A5 (30.3, 33.2, 36.6) It is set as the composition in the area
- Patent Document 3 since the brazing material is melted at a stretch with the powerful power of the laser, the wettability is good for any composition having a melting point of 236 to 498 ° C. However, the solid phase lines and liquid phase lines of Examples 1 to 10 are often largely separated. However, the wettability described in Table 2 of Patent Document 3 is data indicating sealing properties, and is data different from general wettability. Therefore, the reflow wettability is unknown.
- the heating rate is about 2 ° C./second, and the melting rate is slower than laser melting. Therefore, if the solid phase line and the liquid phase line are separated from each other by 40 ° C. or more, the melting method is not constant and the separation occurs, which may cause a problem in reflow wettability.
- the present invention has been made in view of such circumstances, and the object of the present invention is excellent in reflow wettability that can be sufficiently used even during reflow bonding of a quartz device, a SAW filter, a MEMS, and the like.
- the object is to provide a high-temperature Au—Ag—Sn solder alloy excellent in reliability at a low cost.
- the Au—Sn—Ag solder alloy according to the present invention is composed of Sn, Ag, Au and elements inevitably included in the production, and has a solidus line of 280 to 400 ° C. and It is characterized by the composition adjusted so that the solidus and liquidus are within 40 ° C.
- Sn is contained 21.1% by mass or more and less than 31.0% by mass
- Ag is contained 0.1% by mass or more and 12.5% by mass or less, and the remainder is inevitable in production. Except for Au.
- Sn is contained in an amount of 21.1% by mass or more and less than 31.0% by mass
- Ag is contained in an amount of 0.1% by mass or more and 8.0% by mass or less, and the remainder is inevitably included in the production. Except for Au.
- Sn is contained 21.1% by mass or more and less than 27.5% by mass
- Ag is contained by 3.0% by mass or more and 8.0% by mass or less, and the remainder is inevitable in production. Except for Au.
- the surface roughness after rolling is preferably 1 ⁇ m or less.
- the cooling rate during casting is preferably 3 ° C./second or more.
- the solder material of the present invention is characterized by being processed into a frame shape, a sheet shape, or a ribbon shape using the Au—Ag—Sn based solder alloy.
- the electronic component of the present invention is characterized in that it is sealed using the above Au—Ag—Sn solder alloy or the above solder material.
- the electronic component mounting apparatus of the present invention is characterized in that an electronic component sealed using the above Au—Ag—Sn solder alloy or the above solder material is mounted.
- solder material used in a place requiring extremely high reliability such as a crystal device, a SAW filter, and a MEMS at a lower cost than a conventional Au-based solder material.
- solder alloy of the present invention is excellent in workability, a high-temperature lead-free solder material can be manufactured with high productivity, and further cost reduction can be realized.
- an Au-based solder material having sufficient reflow wettability, excellent solder processability, and high reliability can be provided. Therefore, the industrial contribution is extremely high.
- the present inventor has excellent reflow wettability and solder processability by maintaining not only the composition of the additive element but also the temperature range of the melting point due to the solidus and liquidus in an appropriate range.
- the present inventors have found that an Au-based solder alloy can be obtained and have reached the present invention.
- the Au—Sn—Ag solder alloy of the present invention is composed of Sn, Ag, Au and elements inevitably included in production, and has a solidus of 280 to 400 ° C. and a solidus and liquidus of 40. It is a composition adjusted so that it may become within degrees Centigrade. With such a configuration and composition, sufficient reflow wettability can be maintained, and excellent solder processability can also be obtained.
- the composition is made of Au except for the elements whose balance is inevitably included in the production.
- the cost of the Au-type solder alloy which is very expensive can be reduced.
- better wettability can be obtained by setting the surface roughness Ra after rolling to 1 ⁇ m or less.
- the cooling rate at the time of casting the solder alloy to 3 ° C./second or more, better reflow wettability can be obtained.
- Au is a main component of the solder alloy of the present invention and is an essential element. Since Au hardly oxidizes, it is most suitable in terms of characteristics as a soldering material for sealing and a joining soldering material for electronic parts that require high reliability. For this reason, Au-based solder materials are frequently used for sealing quartz devices and SAW filters.
- the solder alloy of the present invention is also based on Au, and provides a solder material belonging to a technical field that requires such high reliability.
- Au is a very expensive metal, it is often avoided from the viewpoint of cost, and is rarely used for electronic components that require a general level of reliability.
- the reflow wettability and the solder preform processability are equal to or higher than those of the Au-20 mass% Sn solder alloy, and the Au content is reduced to reduce the cost. It has been lowered.
- Sn is an essential element in the solder alloy of the present invention.
- Content of Sn is 21.1 mass% or more and less than 31.0 mass%. The reason for this is that when the Sn content is 21.0% by mass or less in the composition to which Ag is added, the primary crystal Au 5 Sn 1 intermetallic compound (hereinafter referred to as ⁇ phase) increases rapidly and the liquidus line rapidly increases. To rise. As a result, the difference between the liquidus line and the solidus line becomes too large to cause melting and separation, resulting in poor reflow wettability. Furthermore, since the primary crystal grains of the ⁇ phase are increased, the workability is greatly reduced. In addition, the Au content cannot be reduced, and the cost reduction effect cannot be obtained.
- the solidus line becomes 353 ° C. or less, the soldering temperature is lowered, and the influence of oxidation can be reduced. Since it can also solder on conditions with good reflow wettability, it is still more preferable.
- ⁇ Ag> Ag is an essential element in the solder alloy of the present invention.
- the melting point of the alloy 260 ° C. or higher is an essential condition in view of the heat resistance required for mounting parts using a high-temperature solder material.
- the upper limit of the reflow temperature considering the workability of the apparatus is 400 ° C.
- the melting point is required to be within 280 to 400 ° C.
- the solidus line and the liquidus line is within 40 ° C., the reflow wettability is maintained without melting during reflow. For these reasons, it is necessary that the composition has a melting point within 280-400 ° C. and a solidus line and liquidus line within 40 ° C.
- the alloy structure by adding Ag, a part of Au in the ⁇ phase is replaced with Ag, and becomes (Au (1-x) Ag x ) 5 Sn 1 intermetallic compound.
- the ratio x of Ag replaced with Au by addition of Ag is 0 to 2/3, and the Ag content is 0.1 mass% or more and 12.5 mass% or less.
- the ratio of the constituent AuSn intermetallic compound and (Au (1-x) Ag x ) 5 Sn 1 intermetallic compound is controlled, the melting point is within 280 to 400 ° C., and the solidus and liquidus lines are It is important to make the composition within 40 ° C.
- the content of Ag that can maintain reflow wettability without resolving during reflow and that can improve workability by addition of Ag is 0.1% by mass or more and 12.5% by mass or less. . If it is less than 0.1% by mass, the performance improvement effect is hardly seen, and the cost reduction effect is hardly obtained. On the other hand, if it exceeds 12.5% by mass, an Ag 3 Sn 1 intermetallic compound is generated and becomes orthorhombic, so that it becomes brittle, and workability becomes extremely poor, so that rolling becomes difficult. Furthermore, due to the generation of this Ag 3 Sn 1 intermetallic compound, the difference between the solid phase line and the liquid phase line becomes too large, and the reflow wettability and workability deteriorate.
- the solidus line becomes 350 ° C. or less, the soldering temperature is lowered, and the influence of oxidation can be reduced. Since it can also solder on conditions with good reflow wettability, it is still more preferable.
- the solidus line becomes 350 ° C. or less, and the soldering temperature is lowered to cause the influence of oxidation. This is even more preferable because it can be reduced and soldering can be performed under conditions where the reflow wettability is better, and the effect of cost reduction by reducing the Au usage rate is sufficiently exhibited.
- the Ag content is 3% or less, the Au saving rate is small, and a sufficient effect for cost saving, which is the initial purpose, cannot be obtained. Therefore, a content of 3% or more is more preferable.
- the solder alloy of the present invention contains Au as a main component and Sn and Ag as essential additive elements.
- inevitable impurities such as Cu and Ni can be contained within a range that does not affect the properties of the solder alloy of the present invention.
- the total amount is desirably less than 100 ppm in consideration of the influence on the solidus line, wettability, and bonding reliability.
- the production method of the Au-based solder alloy of the present invention is not particularly limited, and can be produced by a conventionally known method using each of the components described above.
- a fine material having a shot shape or a piece processed product diameter of 5 mm or less, particularly 3 mm or less is used.
- Use of a fine material is preferable because it makes it easy to form crystal grains of less than 50 ⁇ m in the resulting solder alloy, thereby improving workability.
- This raw material is put into a melting furnace, and in an atmosphere of nitrogen or an inert gas to suppress oxidation of the raw material, it is heated and melted at 400 to 600 ° C., preferably 450 to 500 ° C.
- a cylindrical graphite mold having an inner diameter of 30 mm or less and a thickness of about 10 mm can be used.
- the stirring time varies depending on the apparatus and the amount of raw materials, but is preferably 1 to 5 minutes.
- a material having good thermal conductivity for example, a chill metal made of Cu is adhered to the outside of the mold.
- the cooling metal having a hollow structure made of a cooling metal is brought into close contact with the outside of the mold, and the cooling rate is 3 ° C./second or more up to about 280 ° C., depending on the composition.
- the lamellar structure which is a eutectic part can be refined
- the cross-sectional area of the ingot formed by continuous casting is reduced because the cooling rate can be improved.
- a die having an inner diameter of 30 mm or less and cover the die with a water cooling jacket and cool at a cooling rate of 50 ° C./second or more in order to cool and solidify the molten metal in a short time.
- the Au—Sn—Ag solder alloy of the present invention thus obtained has a solidus of 280 to 400 ° C. and a difference between the solidus and liquidus of 40 ° C. With this characteristic, stable reflow wettability can be obtained without causing melting or the like during bonding to the substrate in a reflow furnace, and good solder bonding inside the electronic component can be achieved.
- the solidus is measured using a differential scanning calorimeter (DSC) and is preferably 280 ° C. or higher and 400 ° C. or lower. Furthermore, if the melting point is 350 ° C. or lower, the soldering temperature can be lowered to reduce the influence of oxidation and the like, and the reflow workability is improved. A solidus having a solidus below 280 ° C. is not preferable because sufficient heat resistance cannot be obtained. For compositions where the solidus exceeds 400 ° C, the reflow temperature must also exceed 400 ° C. Exceeding 400 ° C. is not preferable because the effect of oxidation or the like due to residual oxygen becomes remarkable and wettability becomes extremely poor.
- DSC differential scanning calorimeter
- the solidus is 350 ° C. or lower because the effect of oxidation by residual oxygen is hardly observed.
- the liquidus is confirmed by measurement with a differential scanning calorimeter (DSC) and a melting test, and the difference between the solidus and the liquidus needs to be within 40 ° C, and is within 20 ° C. It is more preferable.
- the difference between the solidus line and the liquidus line exceeds 40 ° C., there may be a portion that is solidified for a while even after melting starts. If it does so, wettability will become non-uniform
- the difference between the solid phase line and the liquidus line is within 20 ° C., since the melting start time can be made almost simultaneously, and a more uniform and good melting shape can be obtained.
- the surface roughness Ra after rolling is preferably 1.0 ⁇ m or less because wettability is improved.
- Ra of 0.7 ⁇ m or less is more preferable because wettability is further improved.
- the surface roughness Ra is measured by measuring the surface roughness Ra of each sample processed into a sheet shape with a laser microscope with a surface roughness meter (LEXT OLS4000), and calculating the arithmetic average roughness Ra. This arithmetic average roughness Ra is referred to Japanese Industrial Standard JIS B0601 (1994).
- the Au-based solder alloy of the present invention is used for electronic component bonding and sealing methods, and an electronic component mounting board can be easily manufactured.
- a Ni substrate (film thickness: 3.0 ⁇ m) Cu substrate (plate thickness: 0) was used to produce the joined body shown in FIG. .3 mm) 1 was set on the heater and then heated for 25 seconds.
- the solder material 2 of Samples 1 to 34 was placed on the Cu substrate 1 and heated for 25 seconds, and then the 3 mm SQ chip 3 was placed on the solder material 2 and joined to produce the joined body shown in FIG. .
- the Cu substrate was cooled in a cooling zone in a nitrogen atmosphere and taken out into the atmosphere.
- solder alloy spread from the 3 mm SQ chip and the fillet was formed as “excellent”.
- the fillet refers to a hem-spread shape that is formed by wetting and spreading the bonded solder alloy onto the chip side surface or Cu substrate.
- the bonding reliability meets the standard, but considering the use in a harsh environment, a test that does not show a defect in 300 cycles can be tested for 500 cycles. Implemented, and confirmed higher bonding reliability.
- the solder mother alloys of the samples 4 to 15 show good characteristics in each evaluation item.
- the workability is good
- no cracks are generated even when processed into a sheet
- the solder processability is excellent even when compared with the samples 27 to 34 as comparative examples.
- the reflow wettability of Samples 4 to 15 was “excellent”, and good results were obtained in the heat cycle test, which is an evaluation related to reliability, and no defect appeared even after 500 cycles.
- Samples 9 to 10 all passed the evaluation, but compared with Samples 4 to 8 and 11 to 15, the amount of Ag added was small and the amount of Sn increased from 20.0% in the conventional composition was also small. Therefore, the reduction amount of Au is 5% or less, and the cost reduction effect is small.
- sample 2 is almost a ternary eutectic and sample 1 is close to it, so the temperature difference between the solid and liquid phases is as small as 20 ° C., and sample 3 and sample 17 also have a temperature difference between about 21 and 20 Despite being as small as 22 ° C., the reflow wettability is “good” because the solidus is 350 ° C. or higher and the reflow temperature rises and the effects of oxidation and the like appear. .
- the samples 18, 20, 22, and 24 were within the specified composition range for both Ag and Sn, and the temperature difference of the solid-liquid phase was within 40 ° C., so that the workability of the solder alloy was good.
- the samples 19, 21, 23, and 25 were within the specified composition range for both Ag and Sn, and the temperature difference between the solid and liquid phases was within 40 ° C., and the solder alloy was excellent in workability. However, these were samples in which the cooling rate at the time of casting was slow, the crystal grain size was not controlled, the lamellar structure was coarse, the reflow wettability was lowered, and “good”. In the heat cycle test, no defect occurred after 300 cycles, but cracks were observed after 500 cycles, and the test was defective.
- the sample of the sample 26 is a sample having the same composition as the sample 16 in which a lack of fillet formation has been confirmed in part after melting and a faster cooling rate during casting.
- the crystal grain size generated in the primary crystal became finer, so that it became easier to melt, and the reflow wettability was improved to be “excellent”.
- Samples 27 to 30 are within the specified composition range of both the Ag and Sn elements of the present invention, but the temperature difference between the solid and liquid phases exceeds 40 ° C., so that reflow wettability and solder alloy workability Both failed.
- Ag is 5.0% by mass and Sn is 21.1% by mass.
- Sn is 21.1% by mass.
- Sn is 21.1% by mass, the amount of (Au, Ag) 5 Sn 1 increases and the liquidus rises, so that the temperature difference between the solid and liquid phases exceeds 40 ° C.
- the solder material of the present invention is not only a good result in each of the above characteristics, but also has a small Au content as a whole, and is the most common eutectic point composition in Au-Sn solder alloys. It can be seen that the Au content can be sufficiently reduced as compared with Au-20 mass% Sn, and the cost can be reduced.
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Abstract
Sn,Ag,Au及び製造上不可避に含まれる元素から構成され、固相線が280~400℃以内で且つ固相線と液相線が40℃以内となるように調整された組成であることを特徴とするAu-Sn-Ag系はんだ合金により、水晶デバイス、SAWフィルターやMEMS等のリフロー接合時においても十分に使用できるリフロー濡れ性に優れる高温用Au-Ag-Sn系はんだ合金であって、特に低コストであり、はんだ加工性、リフロー濡れ性、そして信頼性に優れたはんだ合金を提供する。
Description
本発明はリフロー濡れ性・はんだ加工性に優れた高温用のPbフリーはんだ合金に関する。そして本発明は、Auを主成分としたはんだ合金とはんだ材料、及び該はんだ合金やはんだ材料を用いて封止した電子部品に関する。
近年、環境に有害な化学物質に対する規制がますます厳しくなってきている。この規制は電子部品などを基板に接合する目的で使用されるはんだ材料に対しても例外ではない。はんだ材料には古くから鉛が主成分として使われ続けてきたが、すでにRohs指令などで規制対象物質になっている。このため、鉛(Pb)を含まないはんだ材料(以降、鉛フリーはんだ材料または無鉛はんだ材料と称する。)の開発が盛んに行われている。
電子部品を基板に接合する際に使用するはんだ材料は、その使用限界温度によって高温用(約260~400℃)と中低温用(約140~230℃)に大別される。高温用と中低温用のうち、中低温用はんだ材料に関してはSnを主成分とするもので鉛フリーはんだ材料が実用化されている。
例えば、中低温用の鉛フリーはんだ材料としては、特許文献1として示す特開平11-77366号公報にはSnを主成分とし、Agを1.0~4.0重量%、Cuを2.0重量%以下、Niを1.0重量%以下、Pを0.2重量%以下含有する無鉛はんだ合金組成が記載されている。
一方、高温用のPbフリーはんだ材料に関しても、さまざまな機関で開発が行われている。例えば、特許文献2として示す特開2002-160089号公報には、Biを30~80質量%含んだBi-Ag合金膜をはんだ材料として用いる気密端子が開示されている。
また、Au系の高温Pbフリーはんだ材料としてAu-Sn合金やAu-Ge合金などが、すでに水晶デバイス、SAWフィルター、MEMS等で使用されている。
実用化されているAu系の高温Pbフリーはんだ材料としては、Au-20質量%Sn(80質量%のAuと20質量%のSnから構成されることを意味する。以下同様。)がある。これは共晶点の組成であり、その融点は280℃である。
また、同様に実用化されているAu-12.5質量%Geは共晶点の組成であり、その融点は356℃である。
実用化されているAu系の高温Pbフリーはんだ材料としては、Au-20質量%Sn(80質量%のAuと20質量%のSnから構成されることを意味する。以下同様。)がある。これは共晶点の組成であり、その融点は280℃である。
また、同様に実用化されているAu-12.5質量%Geは共晶点の組成であり、その融点は356℃である。
Au-Sn合金とAu-Ge合金は、融点の違いにより使い分けられている。高温はんだ材料を用いる実装部品は260℃の耐熱性が最低限必要である。そこで、260℃程度の耐熱性が求められる実装部品に対しては融点が280℃のAu-Sn合金が主に用いられている。また、280℃より高い耐熱性が求められる場合にはAu-Ge合金が用いられている。
Au-Sn合金は融点特性と良好なリフロー濡れ性により、特に高信頼性が要求される水晶デバイス封止用として用いられている。しかし、Au系合金はPb系はんだ合金やSn系はんだ合金と比較して非常に硬く、シート形状などに加工することが非常に難しい。従って、生産性や収率が悪く、コストアップの原因になっている。その上、Au系合金の場合、原材料費がPbやSnのはんだ材料と比較して桁違いに高い。そのため、より安価な製品が求められている。そこで、このAu―Sn合金を安価でさらに使いやすくするために、例えば次の特許文献3として示すAu系はんだ材料が開発されている。
特許文献3として示す日本国特開2008-155221号公報には、組成比(Au(wt%),Ag(wt%),Sn(wt%))が、 Au、Ag、Snの三元組成図において、
点A1(41.8, 7.6,50.5)、
点A2(62.6, 3.4,34.0)、
点A3(75.7, 3.2,21.1)、
点A4(53.6,22.1,24.3)、
点A5(30.3,33.2,36.6)
に囲まれる領域にあることを特徴とするろう材、が示されている。
これは、比較的低融点で扱いやすく、強度、接着性に優れ、かつ安価であるろう材、及び圧電デバイスを提供することを目的としている。
点A1(41.8, 7.6,50.5)、
点A2(62.6, 3.4,34.0)、
点A3(75.7, 3.2,21.1)、
点A4(53.6,22.1,24.3)、
点A5(30.3,33.2,36.6)
に囲まれる領域にあることを特徴とするろう材、が示されている。
これは、比較的低融点で扱いやすく、強度、接着性に優れ、かつ安価であるろう材、及び圧電デバイスを提供することを目的としている。
高温用のPbフリーはんだ材料に関しては、上記、引用文献以外にもさまざまな機関で開発されてはいるが、未だ低コストで汎用性のあるはんだ材料は見つかっていない。すなわち、一般的に電子部品や基板には熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などの比較的耐熱温度の低い材料が多用されている。そのため、高温用とは言っても作業温度を400℃未満、望ましくは370℃以下にする必要がある。しかしながら、例えば特許文献2に開示されているBi-Ag合金をろう材として用いる場合は、液相線が400~700℃と高い。よって、接合時の作業温度も400~700℃以上にする必要があり、接合される電子部品や基板の耐熱温度を超えてしまう場合が多く、適用できる電子部品や基板は非常に限られている。
実用化されているAu-Sn系はんだ材料やAu-Ge系はんだ材料は、水晶デバイス、SAWフィルター、そしてMEMSなどの特に高い信頼性を必要とする箇所のはんだ付けに使用されている。しかし、広く一般的に使用されているとは言い難い。加えて、Au系はんだ合金は非常に硬く、加工しづらい。そのため、例えば、シート形状に圧延加工する際に時間がかかったり、ロールに疵のつきづらい特殊な材質のものを用いたりしなければならない。また、プレス成形時にもAu系はんだ合金の硬くて脆い性質のため、クラックやバリが発生し易い。したがって、他のはんだ材料に比較して収率が格段に低く、非常にコストが高くなってしまう。ワイヤ形状に加工する場合にもその硬さが問題となり、非常に圧力の高い押出機を使用しても十分な押出速度が得られず、Pb系はんだ材料の数100分の1程度の生産性しか得られない。
また、特許文献3は組成比(Au(wt%),Ag(wt%),Sn(wt%))を
Au、Ag、Snの三元組成図において、
点A1(41.8, 7.6,50.5)、
点A2(62.6, 3.4,34.0)、
点A3(75.7, 3.2,21.1)、
点A4(53.6,22.1,24.3)、
点A5(30.3,33.2,36.6)
に囲まれる領域にある組成とする。
これは、比較的低融点で扱いやすく、強度、接着性に優れ、かつ安価であるろう材、及び圧電デバイスを提供することを目的としている。
Au、Ag、Snの三元組成図において、
点A1(41.8, 7.6,50.5)、
点A2(62.6, 3.4,34.0)、
点A3(75.7, 3.2,21.1)、
点A4(53.6,22.1,24.3)、
点A5(30.3,33.2,36.6)
に囲まれる領域にある組成とする。
これは、比較的低融点で扱いやすく、強度、接着性に優れ、かつ安価であるろう材、及び圧電デバイスを提供することを目的としている。
特許文献3では、ろう材をレーザーの強力なパワーで一気に溶融して用いるため、236~498℃間の融点を持つ組成についてはいずれも濡れ性は良好となっている。しかし、実施例1~10の固相線と液相線は大きく離れている場合が多い。但し、特許文献3の表2に記載されている濡れ性は封止性を示しているデータであり、一般的な濡れ広がり性とは異なるデータである。したがって、リフロー濡れ性については不明である。
一方、一般的に使用されているリフロー炉を用いたはんだ付けでは2℃/秒程度の加熱速度であり、レーザー溶融と比較し溶融速度は遅くなる。そのため、固相線と液相線が40℃以上離れていると溶け方が一定でなく溶け分かれが起こり、リフロー濡れ性に問題が発生してしまう事がある。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、水晶デバイス、SAWフィルターやMEMS等のリフロー接合時においても十分に使用できるリフロー濡れ性に優れ、且つ加工性や信頼性にも優れた高温用Au-Ag-Sn系はんだ合金を低コストで提供することである。
そこで、上記目的を達成するために本発明によるAu-Sn-Ag系はんだ合金は、Sn,Ag,Au及び製造上不可避に含まれる元素から構成され、固相線が280~400℃以内で且つ固相線と液相線が40℃以内となるように調整された組成であることを特徴としている。
また、本発明においてはSnを21.1質量%以上31.0質量%未満含有し、Agを0.1質量%以上12.5質量%以下含有し、残部が製造上不可避に含まれる元素を除きAuからなることが好ましい。
また、本発明においてはSnを21.1質量%以上31.0質量%未満含有し、Agを0.1質量%以上8.0質量%以下含有し、残部が製造上不可避に含まれる元素を除きAuからなることが好ましい。
また、本発明においてはSnを21.1質量%以上27.5質量%未満含有し、Agを3.0質量%以上8.0質量%以下含有し、残部が製造上不可避に含まれる元素を除きAuからなることが好ましい。
また、本発明においては圧延加工後の表面粗さが1μm以下であることが好ましい。
また、本発明においては鋳造時の冷却速度が3℃/秒以上であることが好ましい。
一方、本発明のはんだ材料は上記のAu-Ag-Sn系はんだ合金を用いて枠状,シート状又はリボン状に加工したことを特徴としている。
また、本発明の電子部品は上記のAu-Ag-Sn系はんだ合金又は上記のはんだ材料を用いて封止されていることを特徴としている。
また、本発明の電子部品搭載装置は上記のAu-Ag-Sn系はんだ合金又は上記のはんだ材料を用いて封止された電子部品が搭載されていることを特徴としている。
本発明によれば、水晶デバイス、SAWフィルター、MEMSなどの非常に高い信頼性を要求される箇所に使われるはんだ材料を従来のAu系はんだ材料よりも安価に提供できる。さらに、本発明のはんだ合金は加工性にも優れるため、高温鉛フリーのはんだ材料を生産性よく製造でき、より一層の低コスト化を実現できる。その結果、十分なリフロー濡れ性、優れたはんだ加工性、高い信頼性を有するAu系はんだ材料を提供できる。したがって、工業的な貢献度は極めて高い。
本発明者は鋭意研究を重ねた結果、添加元素の組成だけでなく、固相線と液相線による融点の温度範囲を適切な範囲に維持することにより、リフロー濡れ性とはんだ加工性に優れたAu系はんだ合金が得られることを見出し、本発明に至った。
以下、本発明のAu-Sn-Ag系はんだ合金について詳しく説明する。本発明のAu-Sn-Ag系はんだ合金は、Sn,Ag,Au及び製造上不可避に含まれる元素から構成され、固相線が280~400℃以内で且つ固相線と液相線が40℃以内となるように調整された組成である。この様な構成と組成により、十分なリフロー濡れ性を保つことができ、優れたはんだ加工性も得る事ができる。
また上記固相線と液相線の温度範囲を満足させるために、Snを21.1質量%以上31.0質量%未満含有し、Agを0.1質量%以上12.5質量%以下含有し、残部が製造上不可避に含まれる元素を除きAuからなる組成とする。このような組成とすることにより、非常に高コストであるAu系はんだ合金のコストを下げる事ができる。
さらに圧延加工後の表面粗さRaを1μm以下とすることでより良好な濡れ性を得ることができる。
また、はんだ合金鋳造時の冷却速度を3℃/秒以上にすることによってさらに良好なリフロー濡れ性を得る事ができる。
以下、本発明のはんだ合金に必須の元素等について、さらに詳しく説明する。
さらに圧延加工後の表面粗さRaを1μm以下とすることでより良好な濡れ性を得ることができる。
また、はんだ合金鋳造時の冷却速度を3℃/秒以上にすることによってさらに良好なリフロー濡れ性を得る事ができる。
以下、本発明のはんだ合金に必須の元素等について、さらに詳しく説明する。
<Au>
Auは本発明のはんだ合金の主成分であり、必須の元素である。Auはほぼ酸化しないため、封止用はんだ材料や高い信頼性が要求される電子部品等の接合はんだ材料として、特性面においては最も適している。このため、水晶デバイスやSAWフィルターの封止用としてAu系はんだ材料が多用されている。本発明のはんだ合金もAuを基本とし、このような高信頼性を要求される技術分野に属するはんだ材料を提供する。ただし、Auは非常に高価な金属であるため、コスト面から敬遠されることが多く、一般的なレベルの信頼性を要求される電子部品にはほとんど使用されていない。本発明のはんだ合金は、Au-Sn-Ag合金とすることにより、リフロー濡れ性とはんだプリフォーム加工性をAu-20質量%Snはんだ合金と同等以上とし、かつAu含有量を減らしてコストを下げたものである。
Auは本発明のはんだ合金の主成分であり、必須の元素である。Auはほぼ酸化しないため、封止用はんだ材料や高い信頼性が要求される電子部品等の接合はんだ材料として、特性面においては最も適している。このため、水晶デバイスやSAWフィルターの封止用としてAu系はんだ材料が多用されている。本発明のはんだ合金もAuを基本とし、このような高信頼性を要求される技術分野に属するはんだ材料を提供する。ただし、Auは非常に高価な金属であるため、コスト面から敬遠されることが多く、一般的なレベルの信頼性を要求される電子部品にはほとんど使用されていない。本発明のはんだ合金は、Au-Sn-Ag合金とすることにより、リフロー濡れ性とはんだプリフォーム加工性をAu-20質量%Snはんだ合金と同等以上とし、かつAu含有量を減らしてコストを下げたものである。
<Sn>
Snは本発明のはんだ合金において必須の元素である。Snの含有量は21.1質量%以上31.0質量%未満である。その理由としては、Agを添加した組成において、Snが21.0質量%以下であると、初晶のAu5Sn1金属間化合物(以下ζ相)が急激に増え、液相線が急激に上昇する。これにより、液相線と固相線の差が大きくなりすぎて溶け分かれを生じるため、リフロー濡れ性が悪くなってしまう。更に、ζ相の初晶粒が大きくなるため加工性も大幅に低下してしまう。加えて、Au含有量を減らすことができず、コストダウンの効果も得られない。一方、Snの含有量が31.0質量%以上になると、Au1Sn2金属間化合物(以下ε相)が発生し斜方晶であるために脆くなり、加工性が極端に悪くなるため圧延加工が困難となる。さらに、初晶としてAg3Sn1金属間化合物等も発生し、液相線と固相線の差も大きくなり、リフロー濡れ性が悪くなってしまう。これらの特性悪化により、Au系はんだ材料の特徴である良好な濡れ性が得られず、高い接合信頼性を得ることが難しくなってしまうため好ましくない。
Snは本発明のはんだ合金において必須の元素である。Snの含有量は21.1質量%以上31.0質量%未満である。その理由としては、Agを添加した組成において、Snが21.0質量%以下であると、初晶のAu5Sn1金属間化合物(以下ζ相)が急激に増え、液相線が急激に上昇する。これにより、液相線と固相線の差が大きくなりすぎて溶け分かれを生じるため、リフロー濡れ性が悪くなってしまう。更に、ζ相の初晶粒が大きくなるため加工性も大幅に低下してしまう。加えて、Au含有量を減らすことができず、コストダウンの効果も得られない。一方、Snの含有量が31.0質量%以上になると、Au1Sn2金属間化合物(以下ε相)が発生し斜方晶であるために脆くなり、加工性が極端に悪くなるため圧延加工が困難となる。さらに、初晶としてAg3Sn1金属間化合物等も発生し、液相線と固相線の差も大きくなり、リフロー濡れ性が悪くなってしまう。これらの特性悪化により、Au系はんだ材料の特徴である良好な濡れ性が得られず、高い接合信頼性を得ることが難しくなってしまうため好ましくない。
Sn含有量が21.1質量%以上27.5質量%以下でAg添加量が本発明の範囲内であれば固相線が353℃以下となり、はんだ付け温度が下がり酸化影響等を少なくでき、リフロー濡れ性が良い条件ではんだ付けをすることもできるため、一層好ましい。
<Ag>
Agは本発明のはんだ合金において必須の元素である。合金の融点としては、高温はんだ材料を用いる実装部品に求められる耐熱性から260℃以上が必須条件である。また、装置作業性も考慮したリフロー温度上限が400℃である事から、融点を280~400℃以内にすることが求められている。さらに固相線と液相線を40℃以内とすることで、リフロー時の溶け分かれが起こらずリフロー濡れ性が保たれる。これらのことから、融点が280~400℃以内かつ固相線と液相線が40℃以内の組成とする必要がある。
Agは本発明のはんだ合金において必須の元素である。合金の融点としては、高温はんだ材料を用いる実装部品に求められる耐熱性から260℃以上が必須条件である。また、装置作業性も考慮したリフロー温度上限が400℃である事から、融点を280~400℃以内にすることが求められている。さらに固相線と液相線を40℃以内とすることで、リフロー時の溶け分かれが起こらずリフロー濡れ性が保たれる。これらのことから、融点が280~400℃以内かつ固相線と液相線が40℃以内の組成とする必要がある。
合金組織は、Agを添加することでζ相のAuの一部がAgに置換され、(Au(1-x)Agx)5Sn1金属間化合物となる。具体的には、Ag添加によりAuと置換されたAgの比率xを0~2/3とし、Agの含有量は0.1質量%以上12.5質量%以下とする。さらに、構成物であるAuSn金属間化合物と(Au(1-x)Agx)5Sn1金属間化合物の割合を制御し、融点が280~400℃以内でかつ固相線と液相線が40℃以内の組成にすることが重要になる。
このように、リフロー時の溶け分かれが起こらずリフロー濡れ性が保たれ、さらにAg添加により加工性も向上させることができるAgの含有量は0.1質量%以上12.5質量%以下である。0.1質量%未満では性能向上効果がほとんどみられず、コスト低減効果もほとんど無い。一方、12.5質量%を超えると、Ag3Sn1金属間化合物が発生し斜方晶であるために脆くなり、加工性が極端に悪くなるため圧延加工が困難となる。さらに、このAg3Sn1金属間化合物の発生により、固相線と液相線の差が大きくなりすぎ、リフロー濡れ性や加工性が悪化してしまう。
Ag含有量が0.1質量%以上8.0質量%以下でSn添加量が本発明の範囲内であれば固相線が350℃以下となり、はんだ付け温度が下がり酸化影響等を少なくでき、リフロー濡れ性が良い条件ではんだ付けをすることもできるため、一層好ましい。
さらにAg含有量が3.0質量%以上8.0質量%以下でSn添加量が本発明の範囲内であれば、固相線が350℃以下となり、はんだ付け温度を下げて酸化影響等が少なくなりリフロー濡れ性がより良い条件ではんだ付けをすることができ、かつAu使用率の低減による低コスト化の効果が十分に発揮されるため、より一層好ましい。
Ag含有量が3%以下は、省Au率が少なく当初の目的である省コスト化に十分な効果が得られないため、3%以上の含有がより好ましい。
Ag含有量が3%以下は、省Au率が少なく当初の目的である省コスト化に十分な効果が得られないため、3%以上の含有がより好ましい。
<不純物>
本発明のはんだ合金は、Auを主成分とし、かつSn及びAgを必須添加元素とする。はんだ合金中には、Cu、Niなどの不可避不純物を、本発明のはんだ合金の性質に影響を及ぼすことのない範囲で含むことができる。
不可避不純物を含む場合、固相線や濡れ性、接合信頼性への影響を考慮して、総計が100ppm未満であることが望ましい。
本発明のはんだ合金は、Auを主成分とし、かつSn及びAgを必須添加元素とする。はんだ合金中には、Cu、Niなどの不可避不純物を、本発明のはんだ合金の性質に影響を及ぼすことのない範囲で含むことができる。
不可避不純物を含む場合、固相線や濡れ性、接合信頼性への影響を考慮して、総計が100ppm未満であることが望ましい。
<Au-Sn-Ag系はんだ合金の製造>
本発明のAu基はんだ合金の製造方法は、特に限定されず、上記した各成分を用いて、従来公知の方法により製造することができる。
本発明のAu基はんだ合金の製造方法は、特に限定されず、上記した各成分を用いて、従来公知の方法により製造することができる。
原料としては、ショット形状または個片加工品の直径が5mm以下、特に3mm以下の微細なものを用いる。微細なものを用いると、得られるはんだ合金内に50μm未満の結晶粒を形成しやすくすることができ、それにより加工性が向上するので好ましい。
この原料を溶解炉に入れ、原料の酸化を抑制するために窒素や不活性ガス雰囲気とし、400~600℃、好ましくは450~500℃で加熱溶融させる。このとき、例えば、内径が30mm以下で肉厚が10mm程度の円筒状の黒鉛製鋳型を使用することができる。金属が溶融しはじめたらよく攪拌し、局所的な組成のばらつきが起きないように十分に攪拌を続ける。攪拌時間は、装置や原料の量などによっても異なるが、1~5分間とすることが好ましい。
その後、この鋳型の外側に熱伝導性の良い材料、例えばCuからなる冷やし金を密着させる。望ましくは、冷やし金を中空構造として冷却水を通水した冷やし金を鋳型の外側に密着させ、組成にもよるが280℃程度まで3℃/秒以上の冷却速度とする。このような冷却速度にすることで、共晶部であるラメラ組織を5μm以下に微細化でき、濡れ性が向上するので好ましい。
さらに、20℃/秒以上の冷却速度で速やかに冷却固化させると、濡れ性がさらに向上するのでより好ましい。これは、共晶のラメラ組織以外のほとんどの析出物の結晶粒径が20μm未満となるはんだ合金の鋳塊を確実に安定して作製することができるためである。
さらに、20℃/秒以上の冷却速度で速やかに冷却固化させると、濡れ性がさらに向上するのでより好ましい。これは、共晶のラメラ組織以外のほとんどの析出物の結晶粒径が20μm未満となるはんだ合金の鋳塊を確実に安定して作製することができるためである。
また、生産性を考慮して連続鋳造法を用いる場合には、連続鋳造してできる鋳塊の断面積が小さくなる形状とすることで冷却速度を向上させることができるので好ましい。例えば、内径が30mm以下のダイスを用い、且つ溶湯を短時間で冷却固化させるために、ダイスを水冷ジャケットで覆って50℃/秒以上の冷却速度で冷却することが好ましい。
こうして得られる本発明のAu-Sn-Ag系はんだ合金は、固相線が280~400℃以内で且つ固相線と液相線の差が40℃以内である。この特性により、リフロー炉での基板への接合時に溶け分かれ等が起きずに、安定したリフロー濡れ性が得られ電子部品内部の良好なはんだ接合が達成できる。
固相線は、示差走査熱量測定装置(DSC)を用いて測定され、280℃以上400℃以下が好ましい。さらに、融点が350℃以下であればはんだ付け温度を下げて酸化影響等を少なくでき、リフロー作業性が良くなるため、280℃以上350℃以下がより好ましい。
固相線が280℃未満のものは、十分な耐熱性が得られないため、好ましくない。固相線が400℃を超える組成では、リフロー温度も400℃を超える温度にする必要がある。400℃を超えると、残留酸素による酸化等の影響が顕著になり濡れ性が極端に悪くなるため、好ましくない。さらにリフロー温度が高くなると、作業性も他と比べ悪化してしまうため、好ましくない。固相線が350℃以下だと、残留酸素による酸化の影響がほとんど見られないのでより好ましい。
固相線が280℃未満のものは、十分な耐熱性が得られないため、好ましくない。固相線が400℃を超える組成では、リフロー温度も400℃を超える温度にする必要がある。400℃を超えると、残留酸素による酸化等の影響が顕著になり濡れ性が極端に悪くなるため、好ましくない。さらにリフロー温度が高くなると、作業性も他と比べ悪化してしまうため、好ましくない。固相線が350℃以下だと、残留酸素による酸化の影響がほとんど見られないのでより好ましい。
また、液相線は、示差走査熱量測定装置(DSC)による測定及び溶融試験を用いて確認され、固相線と液相線の差が40℃以内とする必要があり、20℃以内とすることがより好ましい。
固相線と液相線の差が40℃を超えると、溶融が開始してもしばらくの間固化している部分が存在する場合がある。そうすると、濡れ性が均一でなくなり溶融形状が歪な形状で溶けるようになり、接合面や接合範囲に異常が出るような状態となってくるので好ましくない。固相線と液相線の差が20℃以内だと、溶融開始の時間をほぼ同時にすることが出来るため、より均一で良好な溶融形状にすることが出来るのでより好ましい。
固相線と液相線の差が40℃を超えると、溶融が開始してもしばらくの間固化している部分が存在する場合がある。そうすると、濡れ性が均一でなくなり溶融形状が歪な形状で溶けるようになり、接合面や接合範囲に異常が出るような状態となってくるので好ましくない。固相線と液相線の差が20℃以内だと、溶融開始の時間をほぼ同時にすることが出来るため、より均一で良好な溶融形状にすることが出来るのでより好ましい。
本発明のAu-Sn-Ag系はんだ合金は、圧延加工後の表面粗さRaが、1.0μm以下であると濡れ性が向上するため好ましい。Raが0.7μm以下であると濡れ性がさらに向上するためより好ましい。表面粗さRaの測定は、シート状に加工した各試料の表面粗さRaを表面粗さ計付きレーザー顕微鏡(LEXT OLS4000)により測定し、算術平均粗さRaを算出する。この算術平均粗さRaは日本工業規格JIS B0601(1994)が参照される。
なお本発明のAu基はんだ合金は、電子部品のボンディングや封止方法に使用され、電子部品実装基板を容易に製造することができる。
なお本発明のAu基はんだ合金は、電子部品のボンディングや封止方法に使用され、電子部品実装基板を容易に製造することができる。
本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
前述の製造方法に従って冷却速度を制御しながら製造を行い、具体的な鋳型としては圧延用に厚さ3mm×幅40mm×長さ150mmの板状の合金が得られるものを使用し、試料1のはんだ母合金を作製した。また、原料の混合比率を変えた以外は試料1と同様にして試料2~34のはんだ母合金を作製した。次に、上記試料1~34の各はんだ母合金について、温間圧延機を用いてシート状に加工した。
以下、作製した試料の測定方法と評価方法について説明する。
以下、作製した試料の測定方法と評価方法について説明する。
1.試料の測定方法
各測定方法を下記に記載し、結果を下記の表1に示す。
(1)組成分析
ICP発光分光分析器(SHIMAZU S-8100)を用いて組成分析を行った。
(2)固相線と液相線
示差走査熱量測定装置(DSC)および溶融試験を用いて測定した。
(3)表面粗さ測定
シート状に加工した各試料の表面粗さを表面粗さ計付きレーザー顕微鏡(LEXT OLS4000)にて測定し、平均粗さRaを算出した。
各測定方法を下記に記載し、結果を下記の表1に示す。
(1)組成分析
ICP発光分光分析器(SHIMAZU S-8100)を用いて組成分析を行った。
(2)固相線と液相線
示差走査熱量測定装置(DSC)および溶融試験を用いて測定した。
(3)表面粗さ測定
シート状に加工した各試料の表面粗さを表面粗さ計付きレーザー顕微鏡(LEXT OLS4000)にて測定し、平均粗さRaを算出した。
2.試料の評価方法
各評価方法を下記に記載し、結果を下記の表2に示す。
(1)はんだ合金の加工性
試料1~34の各はんだ母合金について、温間圧延機を用いてシート状に加工してクラック等の発生率で加工性の評価とした。
圧延条件はすべての試料において同じであり、圧延回数は5回、圧延速度は15~30cm/秒、ロール温度は250℃とし、5回の圧延で50.0±2.5μmまで圧延した。圧延後の各試料において、シート10mあたり、クラックや割れが発生しなかった場合を「良」、クラックや割れが1個以上発生した場合を「不良」として、加工性の評価とした。
各評価方法を下記に記載し、結果を下記の表2に示す。
(1)はんだ合金の加工性
試料1~34の各はんだ母合金について、温間圧延機を用いてシート状に加工してクラック等の発生率で加工性の評価とした。
圧延条件はすべての試料において同じであり、圧延回数は5回、圧延速度は15~30cm/秒、ロール温度は250℃とし、5回の圧延で50.0±2.5μmまで圧延した。圧延後の各試料において、シート10mあたり、クラックや割れが発生しなかった場合を「良」、クラックや割れが1個以上発生した場合を「不良」として、加工性の評価とした。
(2)リフロー濡れ性
3mm角で厚さ50μmに打ち抜いたはんだ材料を用いて基板との接合試験を下記記載のリフロー炉で行って濡れ性の評価をした。
リフロー濡れ性試験機(装置名:雰囲気制御式濡れ性試験機)で、まずヒーター部の周囲4箇所から窒素を流し(窒素流量:各12L/分)、ヒーター設定温度を380℃にして加熱した。
3mm角で厚さ50μmに打ち抜いたはんだ材料を用いて基板との接合試験を下記記載のリフロー炉で行って濡れ性の評価をした。
リフロー濡れ性試験機(装置名:雰囲気制御式濡れ性試験機)で、まずヒーター部の周囲4箇所から窒素を流し(窒素流量:各12L/分)、ヒーター設定温度を380℃にして加熱した。
窒素が試験機内に十分に充填され、ヒーター温度が設定値で安定した後、図1に示す接合体を作製するために、Niメッキ(膜厚:3.0μm)したCu基板(板厚:0.3mm)1をヒーター部にセッティング後、25秒加熱した。次に、試料1~34のはんだ材料2をCu基板1の上に載せ、25秒加熱した後、3mmSQチップ3をはんだ材料2の上に載せて接合し、図1に示す接合体を作製した。接合後はCu基板を窒素雰囲気中の冷却ゾーンで冷却し、大気中に取り出した。
接合性を確認するため、10個のサンプルで試験を行い、3mmSQチップよりはんだ合金が広がりフィレットが形成されている場合を「優」、3mmSQチップにはんだ合金が広がっているがフィレットが一部のみ形成されている場合を「良」、3mmSQチップにはんだ合金が広がっているが四辺ともフィレットが形成されていない場合を「可」、はんだ広がりが悪くチップサイズより収縮しているものが1個以上発生した場合を「不良」として、リフロー濡れ性の評価とした。
なおフィレットとは、接合したはんだ合金がチップ側面やCu基板上に濡れ広がることにより形成される、裾広がりの形状の事をいう。
なおフィレットとは、接合したはんだ合金がチップ側面やCu基板上に濡れ広がることにより形成される、裾広がりの形状の事をいう。
(3)接合信頼性
本接合体を用いて、まず260℃で10秒のはんだ耐熱試験を3回行った後、-55℃/125℃の温度サイクル試験を300サイクル実施した。その後に断面研磨により接合部の観察を行った。
信頼性評価として、チップおよび接合部に割れの発生がない場合を「良」とし、割れが発生した場合を「不良」と評価した。
本接合体を用いて、まず260℃で10秒のはんだ耐熱試験を3回行った後、-55℃/125℃の温度サイクル試験を300サイクル実施した。その後に断面研磨により接合部の観察を行った。
信頼性評価として、チップおよび接合部に割れの発生がない場合を「良」とし、割れが発生した場合を「不良」と評価した。
上記評価で不良が見られなければ、接合信頼性は基準を満たしているが、より過酷な環境での使用も考慮し、300サイクルで不良の見られなかった試料に関しては、500サイクルの試験も実施し、より高い接合信頼性の確認を行った。
上記表2から分かるように、本発明の要件を満たしている試料1~26のうち特に試料4~15のはんだ母合金は、各評価項目において良好な特性を示している。つまり、加工性は良好であり、シートに加工してもクラック等の発生はなく、比較例である試料27~34と比較してもはんだ加工性が優れることが分かる。試料4~15のリフロー濡れ性は「優」であり、そして、信頼性に関する評価であるヒートサイクル試験においても良好な結果が得られており、500サイクル経過後も不良が現れなかった。なお、試料9~10は評価にはすべて合格しているが、試料4~8、11~15と比較すると、Agの添加量が少なく、Snの従来組成20.0%からの増加量も少ないため、Auの削減量が5%以下となり、コストダウンの効果は少ない。
試料1~3、16~17のAgが8.1%以上且つSnが26.4%以上であるサンプルでは、試料4~15と比較してリフロー濡れ性がやや低下しており、一部にフィレット形成不足が確認され、リフロー濡れ性は「良」となった。ヒートサイクル試験では300サイクル経過後は不良の発生はなかったが、500サイクル経過後はフィレット不足部分からクラック発生がみられ、不良となった。フィレット形成不足により、熱応力が分散されず、応力がかかりクラックになったと考えられる。なお、試料2はほぼ3元共晶の状態で試料1もそこに近いため固液相の温度差は20℃以内と小さく、また試料3と試料17も固液相の温度差は約21~22℃と小さいにもかかわらず、これらのリフロー濡れ性が「良」となるのは、固相線が350℃以上であるため、リフロー温度が上昇し酸化などの影響が出てくるためである。
試料18,20,22,24のサンプルは、AgとSn共に指定組成範囲内で、固液相の温度差が40℃以内であり、はんだ合金の加工性は良好であった。しかし、これらは加工時の圧延面の表面粗さが1.0μmを超えた1.1μmの粗いサンプルであり、リフロー濡れ性が低下しチップサイズまではんだ合金は広がったが、フィレットがほとんど形成されず「可」となった。ヒートサイクル試験では300サイクル経過後は不良の発生はなかったが、500サイクル経過後はクラック発生がみられ、不良となった。
試料19,21,23,25のサンプルは、AgとSn共に指定組成範囲内で、固液相の温度差が40℃以内であり、はんだ合金の加工性は良好であった。しかし、これらは鋳造時の冷却速度を遅くしたサンプルで結晶粒サイズが制御されておらずラメラ組織が粗大になっており、リフロー濡れ性が低下し「可」となった。ヒートサイクル試験は300サイクル経過後では不良の発生はなかったが、500サイクル経過後はクラック発生がみられ、不良となった。
試料26のサンプルは、溶融後に一部でフィレット形成不足が確認された試料16と同じ組成で鋳造時の冷却速度をより速くしたサンプルである。同一組成である試料16や25と比較して初晶で発生した結晶粒サイズが微細になったことにより溶融しやすくなり、リフロー濡れ性が向上し「優」となった。ヒートサイクル試験では300サイクル経過後は不良の発生はなく、500サイクル経過後も不良が現れなかった。冷却速度を上げる事により初晶成分の結晶粒サイズが微細化され、溶融時のバラツキが解消されたためと考えられる。
一方、本発明の要件を満たしていない比較例の試料27~34のはんだ合金は、全ての特性において不良となった。
試料27~30のサンプルは、本発明のAgおよびSnの両元素の指定組成範囲に入っているが、固液相の温度差が40℃を超えており、リフロー濡れ性・はんだ合金の加工性とも不良が発生した。なお、試料27はAgが5.0質量%でありSnが21.1質量%である。Agが5.0質量%の場合にはSnが22.8質量%のときに固液相の温度差が最小となる。Snが21.1質量%の場合では(Au,Ag)5Sn1の量が多くなり、液相線が上昇するため固液相の温度差が40℃を超えてしまうこととなる。試料28の場合も同様に(Au,Ag)5Sn1の量が多くなり、液相線が上昇するため固液相の温度差が40℃を超えてしまうこととなる。一方、試料29,30の場合はSnが多い割にAgが少ないため、Au1Sn1の量が多くなり、液相線が上昇するため固液相の温度差が40℃を超えてしまうこととなる。
試料31~34のサンプルは、AgまたはSnが指定組成範囲から外れており、固液相の温度差が40℃を超えており、リフロー濡れ性・はんだ合金の加工性とも不良が発生した。
なお、本発明のはんだ材料は上記の各特性において良好な結果であるだけに留まらず、Au含有量も全体的に少なく、Au-Sn系はんだ合金において最も一般的な共晶点の組成であるAu-20質量%SnよりもAu含有量を十分少なくすることが可能であり、低コスト化できることが分かる。
1 Niメッキ付きCu基板
2 はんだ材料
3 SQチップ
2 はんだ材料
3 SQチップ
Claims (9)
- Sn,Ag,Au及び製造上不可避に含まれる元素から構成され、固相線が280~400℃以内で且つ固相線と液相線が40℃以内となるように調整された組成であることを特徴とするAu-Sn-Ag系はんだ合金。
- Snを21.1質量%以上31.0質量%未満含有し、Agを0.1質量%以上12.5質量%以下含有し、残部が製造上不可避に含まれる元素を除きAuからなることを特徴とする請求項1に記載のAu-Sn-Ag系はんだ合金。
- Snを21.1質量%以上31.0質量%未満含有し、Agを0.1質量%以上8.0質量%以下含有し、残部が製造上不可避に含まれる元素を除きAuからなることを特徴とする請求項1に記載のAu-Sn-Ag系はんだ合金。
- Snを21.1質量%以上27.5質量%未満含有し、Agを3.0質量%以上8.0質量%以下含有し、残部が製造上不可避に含まれる元素を除きAuからなることを特徴とする請求項1に記載のAu-Sn-Ag系はんだ合金。
- 圧延加工後の表面粗さが1μm以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のAu-Ag-Sn系はんだ合金。
- 鋳造時の冷却速度が3℃/秒以上であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のAu-Ag-Sn系はんだ合金。
- 請求項1~6のいずれかに記載のAu-Ag-Sn系はんだ合金を用いて枠状,シート状又はリボン状に加工したことを特徴とするはんだ材料。
- 請求項1~6のいずれかに記載のAu-Ag-Sn系はんだ合金又は請求項7に記載のはんだ材料を用いて封止されていることを特徴とする電子部品。
- 請求項8に記載の電子部品が搭載されていることを特徴とする電子部品搭載装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP15858979.6A EP3219432B1 (en) | 2014-11-11 | 2015-08-27 | Au-sn-ag solder alloy and solder material, electronic component sealed using said solder alloy or solder material, and mounted-electronic component device |
| US15/525,811 US10589387B2 (en) | 2014-11-11 | 2015-08-27 | Au—Sn—Ag-based solder alloy and solder material, electronic component sealed with the same Au—Sn—Ag based solder alloy or solder material, and electronic component mounting device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-228793 | 2014-11-11 | ||
| JP2014228793A JP6413668B2 (ja) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | Au−Sn−Ag系はんだ合金とはんだ材料並びにこのはんだ合金又ははんだ材料を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2016075983A1 true WO2016075983A1 (ja) | 2016-05-19 |
Family
ID=55954078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2015/074211 Ceased WO2016075983A1 (ja) | 2014-11-11 | 2015-08-27 | Au-Sn-Ag系はんだ合金とはんだ材料並びにこのはんだ合金又ははんだ材料を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10589387B2 (ja) |
| EP (1) | EP3219432B1 (ja) |
| JP (1) | JP6413668B2 (ja) |
| WO (1) | WO2016075983A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113146098B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-03-22 | 中南大学 | 一种金锡系无铅焊料及其制备方法 |
| US11804445B2 (en) * | 2021-04-29 | 2023-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming chip package structure |
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| JP2008155221A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Seiko Epson Corp | ろう材、圧電デバイス、圧電デバイスの封止方法 |
| JP2009190055A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corp | ろう材、電子デバイス及び電子デバイスの封止方法 |
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| JP2014151329A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 封止材用Au基はんだ合金及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3202489A (en) * | 1959-12-01 | 1965-08-24 | Hughes Aircraft Co | Gold-aluminum alloy bond electrode attachment |
| US3158471A (en) * | 1962-11-29 | 1964-11-24 | Int Rectifier Corp | Gold alloy solder for semiconductor devices |
| JP2670098B2 (ja) * | 1988-08-09 | 1997-10-29 | 田中貴金属工業株式会社 | ろう付きリードフレーム |
| JP3296289B2 (ja) | 1997-07-16 | 2002-06-24 | 富士電機株式会社 | はんだ合金 |
| JP2002160089A (ja) | 2000-11-30 | 2002-06-04 | Nec Schott Components Corp | 気密端子およびその製造方法 |
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| JP5849421B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2016-01-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半田及び半田を用いた半導体装置並びに半田付け方法 |
-
2014
- 2014-11-11 JP JP2014228793A patent/JP6413668B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-27 EP EP15858979.6A patent/EP3219432B1/en active Active
- 2015-08-27 US US15/525,811 patent/US10589387B2/en active Active
- 2015-08-27 WO PCT/JP2015/074211 patent/WO2016075983A1/ja not_active Ceased
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014151329A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 封止材用Au基はんだ合金及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016087681A (ja) | 2016-05-23 |
| EP3219432A4 (en) | 2018-05-23 |
| JP6413668B2 (ja) | 2018-10-31 |
| EP3219432B1 (en) | 2019-07-03 |
| EP3219432A1 (en) | 2017-09-20 |
| US20180326543A1 (en) | 2018-11-15 |
| US10589387B2 (en) | 2020-03-17 |
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|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
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|
| NENP | Non-entry into the national phase |
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|
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