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WO2015166723A1 - 透明導電性フィルム - Google Patents

透明導電性フィルム Download PDF

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WO2015166723A1
WO2015166723A1 PCT/JP2015/057212 JP2015057212W WO2015166723A1 WO 2015166723 A1 WO2015166723 A1 WO 2015166723A1 JP 2015057212 W JP2015057212 W JP 2015057212W WO 2015166723 A1 WO2015166723 A1 WO 2015166723A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
transparent conductive
optical adjustment
adjustment layer
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/057212
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
梨恵 川上
大貴 加藤
和明 佐々
広宣 待永
司 宮崎
恵梨 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to US14/905,997 priority Critical patent/US10002687B2/en
Priority to CN201580001267.5A priority patent/CN105452520B/zh
Priority to KR1020157035284A priority patent/KR20160146492A/ko
Priority to JP2015556294A priority patent/JP6207633B2/ja
Publication of WO2015166723A1 publication Critical patent/WO2015166723A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
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    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Definitions

  • the present invention relates to a transparent conductive film, and more particularly to a transparent conductive film used for a touch panel film or the like.
  • an image display device includes a film for a touch panel on which a transparent wiring layer made of indium tin composite oxide (ITO) or the like is formed.
  • a touch panel film is generally manufactured by patterning an ITO layer into a wiring pattern in a transparent conductive film in which an ITO layer or the like is laminated on a transparent substrate (see, for example, Patent Document 1).
  • Patent Document 1 has a transparent base material, a high refractive index layer, a low refractive index layer, and a transparent wiring layer, and each of the low refractive index layer and the transparent wiring layer has an uneven surface and is transparent.
  • a transparent conductive laminate having a haze of 0.8 to 2.0% in both a region where a wiring layer is formed and a region where a wiring layer is not formed is disclosed. In this transparent conductive laminate, the transparent wiring layer is formed so as not to stand out.
  • Patent Document 1 the resistance of the ITO layer cannot be reduced.
  • An object of the present invention is to provide a transparent conductive film excellent in specific resistance.
  • the transparent conductive film of the present invention is disposed on one side in the thickness direction of the transparent base material, the transparent base material, on the one side in the thickness direction of the first optical adjustment layer and the first optical adjustment layer made of a resin layer.
  • the inorganic layer is disposed so as to be in contact with the first optical adjustment layer, and the transparent conductive layer is disposed on one side in the thickness direction of the inorganic layer, and the thickness of the inorganic layer is 10 nm or less.
  • the surface roughness of one surface in the thickness direction of the transparent conductive layer is 1.40 nm or less.
  • the first optical adjustment layer has a thickness of less than 200 nm.
  • the first optical adjustment layer does not substantially contain particles.
  • the surface roughness of the surface on one side in the thickness direction of the inorganic layer is 0.20 nm or more and 0.70 nm or less.
  • the transparent conductive film of this invention is arrange
  • the refractive index of the first optical adjustment layer is lower than the refractive index of the second optical adjustment layer.
  • the transparent conductive layer has a thickness of 25 nm or more and 40 nm or less.
  • the specific resistance of the transparent conductive layer is 1.1 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or more and 2.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the transparent conductive film of the present invention comprises a transparent substrate, a first optical adjustment layer, an inorganic layer having a thickness of 10 nm or less, and a transparent conductive layer, and the surface of one surface in the thickness direction of the transparent conductive layer. Since the roughness is 1.40 nm or less, the specific resistance of the transparent conductive layer is reduced and the specific resistance is excellent.
  • FIG. 1 shows a side sectional view of one embodiment of the transparent conductive film of the present invention.
  • FIG. 2 shows a side sectional view of another embodiment of the transparent conductive film of the present invention (embodiment not including the second optical adjustment layer).
  • the vertical direction of the paper is the vertical direction (thickness direction, first direction)
  • the upper side of the paper is the upper side (one side in the thickness direction, the first direction)
  • the lower side of the paper is the lower side (thickness direction). The other side, the other side in the first direction).
  • the transparent conductive film 1 has a film shape (including a sheet shape) having a predetermined thickness, extends in a predetermined direction (surface direction) orthogonal to the thickness direction, and has a flat upper surface and a flat lower surface.
  • the transparent conductive film 1 is, for example, a component such as a base material for a touch panel provided in the image display device, that is, not an image display device. That is, the transparent conductive film 1 is a component for producing an image display device and the like, does not include an image display element such as an LCD module, and includes a transparent base material 2, a second optical adjustment layer 3, and a first optical device, which will be described later.
  • the device comprises an adjustment layer 4, an inorganic layer 5, and a transparent conductive layer 6.
  • the transparent conductive film 1 includes a transparent substrate 2, a second optical adjustment layer 3, a first optical adjustment layer 4, an inorganic layer 5, and a transparent conductive layer 6.
  • a transparent substrate 2 a transparent substrate 2
  • a second optical adjustment layer 3 a first optical adjustment layer 4
  • an inorganic layer 5 a transparent conductive layer 6.
  • the transparent substrate 2 is, for example, a polymer film having transparency.
  • polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate,
  • PET polyethylene terephthalate
  • acrylic resins such as polymethacrylate
  • the olefin resin such as cycloolefin polymer include polycarbonate resin, polyether sulfone resin, polyarylate resin, melamine resin, polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, polystyrene resin, and norbornene resin.
  • These polymer films can be used alone or in combination of two or more. From the viewpoints of transparency, heat resistance, mechanical properties, and the like, a polyester resin is preferable.
  • the thickness of the transparent substrate 2 is, for example, 2 ⁇ m or more, preferably 20 ⁇ m or more, for example, 200 ⁇ m or less, from the viewpoint of mechanical strength, scratch resistance, hitting characteristics when used as a touch panel substrate, and the like. Preferably, it is 150 ⁇ m or less.
  • the 2nd optical adjustment layer 3 is arrange
  • the second optical adjustment layer 3 is a resin layer formed from the second resin composition.
  • the second resin composition contains, for example, a resin.
  • the second resin composition preferably contains a resin and particles, and more preferably consists of a resin and particles.
  • the resin is not particularly limited, and examples thereof include a curable resin and a thermoplastic resin (for example, a polyolefin resin), and preferably a curable resin.
  • the curable resin examples include an active energy ray-curable resin that is cured by irradiation with active energy rays (specifically, ultraviolet rays, electron beams, etc.), for example, a thermosetting resin that is cured by heating, and the like.
  • active energy ray curable resin is used.
  • Examples of the active energy ray-curable resin include a polymer having a functional group having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule.
  • Examples of such a functional group include a vinyl group and a (meth) acryloyl group (methacryloyl group and / or acryloyl group).
  • the active energy ray curable resin examples include a functional group-containing (meth) acrylic resin (acrylic resin and / or methacrylic resin).
  • These resins can be used alone or in combination of two or more.
  • the content ratio of the resin is, for example, 10% by mass or more, preferably 50% by mass or more, and, for example, 95% by mass or less, preferably 90% by mass or less with respect to the second resin composition. .
  • Examples of the particles include inorganic particles and organic particles.
  • Examples of the inorganic particles include silica particles, for example, metal oxide particles made of zirconium oxide, titanium oxide, and the like, for example, carbonate particles such as calcium carbonate.
  • Examples of the organic particles include crosslinked acrylic resin particles.
  • the particles are preferably inorganic particles, more preferably metal oxide particles, and still more preferably zirconium oxide particles (ZnO 2 ).
  • the average particle diameter of the particles is, for example, 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and for example, 500 nm or less, preferably 100 nm or less.
  • the average particle diameter of the particles can be measured by a Coulter counting method using a Coulter Multisizer manufactured by Beckman Coulter.
  • the refractive index of the second optical adjustment layer 3 is, for example, 1.50 or more, preferably 1.60 or more, and, for example, 1.80 or less, preferably 1.75 or less.
  • the refractive index is measured by an Abbe refractometer.
  • the thickness of the second optical adjustment layer 3 is, for example, 30 nm or more, preferably 50 nm or more, and, for example, 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, from the viewpoint of visual recognition of the wiring pattern and low resistance.
  • the thickness of the second optical adjustment layer 3 is measured by, for example, cross-sectional observation with a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the first optical adjustment layer 4 is disposed on the upper surface of the second optical adjustment layer 3, for example. Specifically, the lower surface of the first optical adjustment layer 4 is in contact with the upper surface of the second optical adjustment layer 3.
  • the first optical adjustment layer 4 is a resin layer formed from the first resin composition.
  • the first resin composition contains a resin, preferably substantially made of resin, and more preferably made of resin.
  • the resin is selected from, for example, the resins exemplified in the second resin composition.
  • the resin is preferably a thermosetting resin.
  • thermosetting resin is not particularly limited, and examples thereof include silicone resin, epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, and unsaturated polyester resin.
  • silicone resin epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, and unsaturated polyester resin.
  • an epoxy resin and a melamine resin are mentioned, More preferably, an epoxy resin is mentioned.
  • epoxy resin examples include thermosetting epoxy resins, and specifically, for example, bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, and bisphenol S type, for example, phenol novolac type, cresol novolac.
  • Type novolac type epoxy resin for example, triglycidyl isocyanurate type, nitrogen-containing ring type epoxy resin such as hydantoin type, for example, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, glycidyl ether type epoxy resin, dicyclo type epoxy resin, Examples thereof include ester type epoxy resins, modified products thereof, and hydrogenated products.
  • the epoxy resin can be prepared as an epoxy resin composition by blending a curing agent for a thermosetting resin or the like with the epoxy resin and the curing agent.
  • the curing agent is not particularly limited, for example, as an epoxy resin curing agent, amine curing agent, amide curing agent, acid anhydride curing agent, dihydrazide curing agent, urea curing agent, imidazole curing agent, Examples include imidazoline-based curing agents.
  • the blending ratio of the curing agent is, for example, 0.5 parts by mass or more, preferably 1.0 parts by mass or more, and for example, 10 parts by mass or less, preferably 9 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin. It is below mass parts.
  • the first resin composition (and thus the first optical adjustment layer 4) preferably does not substantially contain particles. Thereby, since the upper surface of the 1st optical adjustment layer 4 can be smoothed, the inorganic substance layer 5 and the transparent conductive layer 6 can be smoothed further, and the specific resistance of the transparent conductive layer 6 can further be reduced.
  • Examples of the particles include the same particles as those described above for the second resin composition.
  • the phrase “substantially not containing particles” means that the content ratio of the particles is, for example, less than 1% by mass with respect to the total solid content of the first resin composition. It means less than 5% by mass, more preferably less than 0.1% by mass, and still more preferably 0% by mass.
  • the refractive index of the first optical adjustment layer 4 is different from the refractive index of the second optical adjustment layer 3.
  • the difference between the refractive index of the first optical adjustment layer 4 and the refractive index of the second optical adjustment layer 3 is, for example, 0.10 or more and 0.60 or less.
  • the refractive index of the first optical adjustment layer 4 is lower than the refractive index of the second optical adjustment layer 3. That is, preferably, the second optical adjustment layer 3 is a high refractive index layer, and the first optical adjustment layer 4 is a low refractive index layer having a refractive index lower than that of the high refractive index layer.
  • the transparent conductive layer 6 of the transparent conductive film 1 is patterned to form a wiring pattern, a difference in reflectance and hue generated between the wiring pattern and a portion other than the wiring pattern is reduced, and the wiring pattern is visually recognized. Can be suppressed.
  • the refractive index of the first optical adjustment layer 4 is, for example, less than 1.60, preferably 1.55 or less, and for example, 1.20 or more, preferably 1.30 or more. is there.
  • the surface roughness of the upper surface of the first optical adjustment layer 4 is, for example, 1.5 nm or less, preferably 1.0 nm or less, and, for example, 0.1 nm or more.
  • the thickness of the first optical adjustment layer 4 is, for example, less than 200 nm, preferably 100 nm or less, more preferably 50 nm or less, and for example, 5 nm or more, preferably 10 nm or more.
  • the thickness of the first optical adjustment layer 4 is measured by, for example, cross-sectional observation with a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the ratio of the thickness of the first optical adjustment layer 4 to the thickness of the second optical adjustment layer 3 is, for example, 0.01 from the viewpoint of suppressing visual recognition of the wiring pattern. It is above, Preferably it is 0.05 or more, for example, 1.50 or less, Preferably, it is 1.00 or less.
  • the inorganic layer 5 is disposed on the upper surface of the first optical adjustment layer 4. Specifically, the lower surface of the inorganic layer 5 is in contact with the upper surface of the first optical adjustment layer 4.
  • the inorganic substance constituting the inorganic layer 5 for example, NaF, Na 3 AlF 6, LiF, an alkali metal fluoride such as MgF 2, for example, CaF 2, BaF 2 alkaline earth metal fluoride, such as, Examples thereof include rare earth fluorides such as LaF 3 and CeF, and oxides such as SiO 2 and Al 2 O 3 .
  • An inorganic substance can be used alone or in combination of two or more.
  • an oxide is preferable, and SiO 2 is more preferable.
  • the thickness of the inorganic layer 5 is 10 nm or less.
  • the thickness is preferably 4 nm or less, more preferably 3 nm or less, and for example, 1 nm or more, preferably 2 nm or more.
  • the inorganic layer 5 having a thickness in the above range in close contact with the upper surface of the first optical adjustment layer 4 By disposing the inorganic layer 5 having a thickness in the above range in close contact with the upper surface of the first optical adjustment layer 4, the surface roughness of the upper surface of the inorganic layer 5 is reduced, and the transparent layer disposed on the upper surface of the inorganic layer 5 is disposed.
  • the lower surface and the upper surface of the conductive layer 6 can be smoothed. As a result, the specific resistance of the transparent conductive layer 6 can be reduced.
  • the inorganic material constituting the inorganic layer 5 is first arranged (formed) so as to fill the concave and convex recesses (gap) of the first optical adjustment layer 4. For this reason, in the very thin inorganic substance layer 5, it is guessed that it originates in arrange
  • the inorganic layer 5 is continuously formed so as to have a thickness exceeding the above upper limit, the inorganic material eventually begins to be formed such that its upper surface conforms to the shape (unevenness) of the upper surface of the first optical adjustment layer 4, and as a result. It is presumed that the top surface of the inorganic layer 5 starts to become uneven.
  • the thickness of the inorganic layer 5 is measured by, for example, cross-sectional observation with a transmission electron microscope (TEM). *
  • the ratio of the thickness of the inorganic layer 5 to the thickness of the optical adjustment layer (second optical adjustment layer 3 and first optical adjustment layer 4) (inorganic layer 5 / optical adjustment layer) is from the viewpoint of suppressing visual recognition of the wiring pattern and low resistance.
  • it is 0.001 or more, preferably 0.005 or more, and is, for example, 0.30 or less, preferably 0.25 or less.
  • the ratio of the thickness of the inorganic layer 5 to the thickness of the first optical adjustment layer 4 is, for example, 0.02 or more from the viewpoint of visual recognition of the wiring pattern and low resistance. , Preferably 0.05 or more, and for example, 2.00 or less, preferably 1.00 or less.
  • the surface roughness of the upper surface of the inorganic layer 5 is, for example, 0.70 nm or less, preferably 0.60 nm or less, more preferably 0.50 nm or less, and, for example, 0.20 nm or more.
  • the transparent conductive layer 6 can be further smoothed and the specific resistance of the transparent conductive layer 6 can be reduced.
  • the surface roughness of the inorganic layer 5 is set to be equal to or higher than the above lower limit, cracks in the transparent conductive layer 6 that occur during heating or humidification heat treatment can be suppressed.
  • the surface roughness is measured by an atomic force microscope.
  • the transparent conductive layer 6 is disposed on the upper surface of the inorganic layer 5. Specifically, the lower surface of the transparent conductive layer 6 is in contact with the upper surface of the inorganic layer 5.
  • the material of the transparent conductive layer 6 is, for example, at least one selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W. And metal oxides containing these metals. If necessary, the metal oxide may be further doped with a metal atom shown in the above group.
  • the material of the transparent conductive layer 6 is preferably indium tin composite oxide (ITO), antimony tin composite oxide (ATO), and more preferably ITO.
  • the content of tin oxide (SnO2) is, for example, 0.5% by mass or more, preferably 3% by mass with respect to the total amount of tin oxide and indium oxide (In2O3). %, For example, 15% by mass or less, preferably 13% by mass or less.
  • ITO in this specification may be a composite oxide containing at least indium (In) and tin (Sn), and may contain additional components other than these.
  • additional component include metal elements other than In and Sn. Specifically, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe , Pb, Ni, Nb, Cr, Ga and the like.
  • the thickness of the transparent conductive layer 6 is, for example, 15 nm or more, preferably 20 nm or more, more preferably 25 nm or more, and, for example, 50 nm or less, preferably 40 nm or less, more preferably 35 nm or less.
  • the transparent conductive layer 6 such as an ITO layer can be crystallized more uniformly during the heat treatment.
  • the thickness of the transparent conductive layer 6 is set to be equal to or less than the above upper limit, an increase in specific resistance due to an increase in surface roughness on the upper surface of the transparent conductive layer 6 can be suppressed, and a transparent conductive layer such as an ITO layer at room temperature. 6 natural crystallization can be suppressed.
  • the thickness of the transparent conductive layer 6 is calculated, for example, by measuring the X-ray reflectivity with a powder X-ray diffractometer.
  • the ratio of the thickness of the transparent conductive layer 6 to the thickness of the inorganic layer 5 (transparent conductive layer 6 / inorganic layer 5) is, for example, 2.0 or more from the viewpoint of suppressing visual recognition of the wiring pattern and low resistance, For example, it is 30 or less, preferably 10 or less, more preferably 9 or less.
  • the transparent conductive layer 6 may be crystalline or amorphous, or may be a mixture of crystalline and amorphous.
  • the transparent conductive layer 6 is preferably made of a crystalline material, more specifically, a crystalline ITO layer. Thereby, the transparency of the transparent conductive layer 6 can be improved and the specific resistance of the transparent conductive layer 6 can be further reduced.
  • the surface roughness of the upper surface of the transparent conductive layer 6 is 1.40 nm or less. Preferably, it is 0.90 nm or less, More preferably, it is 0.70 nm or less, More preferably, it is less than 0.40 nm.
  • the surface roughness of the transparent conductive layer 6 exceeds the above upper limit, the irregularities on the upper surface of the transparent conductive layer 6 increase, and the specific resistance of the transparent conductive layer 6 increases.
  • a hard coat layer an anti-blocking layer, an easy-adhesion layer, an adhesive layer, a separator, and the like may be provided on the lower surface (surface on the other side in the thickness direction) of the transparent substrate 2 as necessary.
  • the transparent conductive film 1 for example, the second optical adjustment layer 3, the first optical adjustment layer 4, the inorganic layer 5, and the transparent conductive layer 6 are provided in this order on the transparent substrate 2. Details will be described below.
  • a known or commercially available transparent substrate 2 is prepared.
  • the transparent substrate 2 and the second optical adjustment layer 3 for example, sputtering, corona discharge, flame, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, chemical conversion are performed on the surface of the transparent substrate 2 as necessary. Etching treatment such as oxidation and undercoating treatment can be performed. Moreover, the transparent base material 2 can be dust-removed and cleaned by solvent cleaning, ultrasonic cleaning, or the like.
  • the second optical adjustment layer 3 is formed on the upper surface of the transparent substrate 2 by wet-coating the second resin composition on the transparent substrate 2.
  • a second diluted solution obtained by diluting the second resin composition with a solvent is prepared, and then the second diluted solution is applied to the upper surface of the transparent substrate 2 and the second diluted solution is dried.
  • an organic solvent for example, an organic solvent, an aqueous solvent (specifically water) etc. are mentioned, Preferably an organic solvent is mentioned.
  • the organic solvent include alcohol compounds such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol; ketone compounds such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone (MIBK); ester compounds such as ethyl acetate and butyl acetate; And aromatic compounds such as xylene.
  • a ketone compound is used. Solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the solid content concentration in the diluent is, for example, 0.5% by mass or more and 5.0% by mass or less.
  • Examples of the coating method include a fountain coating method, a die coating method, a spin coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a roll coating method, and a bar coating method.
  • the drying temperature is, for example, 60 ° C. or higher, preferably 80 ° C. or higher, for example, 250 ° C. or lower, preferably 200 ° C. or lower.
  • the drying time is, for example, 1.0 minute or more, preferably 2.0 minutes or more, for example, 1.0 hour or less, preferably 0.5 hour or less.
  • the second resin composition is formed into a film on the upper surface of the transparent substrate 2 by the application and drying described above.
  • the active energy ray curable resin is cured by irradiating the active energy ray after drying the second diluted solution.
  • thermosetting resin when a thermosetting resin is contained as the resin of the second resin composition, the thermosetting resin can be thermoset together with the drying of the solvent by this drying step.
  • the first optical adjustment layer 4 is formed on the upper surface of the second optical adjustment layer 3 by, for example, wet coating the first resin composition on the second optical adjustment layer 3.
  • a first dilution is prepared by diluting the first resin composition with a solvent, and then the first dilution is applied to the upper surface of the second optical adjustment layer 3 and the first dilution is dried. To do.
  • Examples of the solvent, the dilution method, the coating method, and the drying method are the same as the solvent, the coating method, and the like exemplified in the second dilution liquid of the second resin composition.
  • thermosetting resin when a thermosetting resin is contained as the resin of the first resin composition, the thermosetting resin can be thermoset together with the drying of the solvent by this drying step.
  • the active energy ray-curable resin when the resin of the first resin composition contains an active energy ray-curable resin, the active energy ray-curable resin can be cured by irradiating the active energy ray after drying the first diluted solution. it can.
  • the inorganic layer 5 is formed on the upper surface of the first optical adjustment layer 4 by a dry method.
  • Examples of the dry method include a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method.
  • a sputtering method is used.
  • a magnetron sputtering method can be mentioned.
  • examples of the target material include the above-described inorganic materials constituting the inorganic material layer 5, and Si is preferable.
  • Examples of the sputtering gas include an inert gas such as Ar.
  • the inorganic layer 5 contains an oxide
  • a reactive gas such as oxygen gas can be used in combination as necessary.
  • the flow rate ratio of the reactive gas is not particularly limited, but is, for example, 0.1 flow rate% or more and 40 flow rate% or less with respect to the total flow rate ratio of the sputtering gas and the reactive gas.
  • the discharge atmospheric pressure at the time of sputtering is, for example, 1 Pa or less, preferably 0.1 Pa or more and 0.7 Pa or less, from the viewpoints of suppressing a decrease in sputtering rate, discharge stability, and the like.
  • the power source used for the sputtering method may be, for example, either a DC power source or an RF power source, or a combination thereof.
  • the strength of the horizontal magnetic field on the surface of the target material is, for example, 20 mT or more, preferably 50 mT or more, and more preferably 70 mT or more, from the viewpoints of film formation speed, suppression of inert gas (Ar atoms, etc.) incorporation into the inorganic layer, and the like. It is.
  • degassing treatment may be performed before the formation of the inorganic layer 5. Thereby, the impurity gas emitted from the transparent substrate 2 such as a polymer film can be removed.
  • the transparent substrate 2 on which the second optical adjustment layer 3 and the first optical adjustment layer 4 are formed is left under vacuum.
  • the pressure in vacuum is, for example, 1 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less.
  • the transparent conductive layer 6 is formed on the top surface of the inorganic layer 5.
  • the formation of the transparent conductive layer 6 includes the dry method described above, and preferably includes a sputtering method. In the formation of the transparent conductive layer 6, a magnetron sputtering method is particularly preferable.
  • examples of the target material include the above-described metal oxides constituting the transparent conductive layer 6, and preferably ITO.
  • the tin oxide concentration of ITO is, for example, 0.5% by mass or more, preferably 3% by mass or more, and, for example, 15% by mass or less, preferably from the viewpoint of durability and crystallization of the ITO layer. 13 mass% or less.
  • the sputtering gas examples include an inert gas such as Ar.
  • reactive gas such as oxygen gas, can be used together as needed.
  • the flow rate ratio of the reactive gas is not particularly limited, but is, for example, 0.1 flow% or more and 5 flow% or less with respect to the total flow ratio of the sputtering gas and the reactive gas.
  • the discharge atmospheric pressure at the time of sputtering is, for example, 1 Pa or less, preferably 0.1 Pa or more and 0.7 Pa or less, from the viewpoints of suppressing a decrease in sputtering rate, discharge stability, and the like.
  • the power source used for the sputtering method may be, for example, either a DC power source or an RF power source, or a combination thereof.
  • the strength of the horizontal magnetic field on the surface of the target material is, for example, 20 mT or more, preferably 50 mT or more, and more preferably 70 mT from the viewpoints of film formation speed, suppression of incorporation of an inert gas (such as Ar atoms) into the transparent conductive layer, and the like. That's it.
  • an inert gas such as Ar atoms
  • the transparent conductive film 1 is heated in the atmosphere.
  • the heat treatment can be performed using, for example, an infrared heater or an oven.
  • the heating temperature is, for example, 100 ° C. or higher, preferably 120 ° C. or higher, and for example, 200 ° C. or lower, preferably 160 ° C. or lower.
  • the heating time is appropriately determined according to the heating temperature, and is, for example, 10 minutes or more, preferably 30 minutes or more, and for example, 5 hours or less, preferably 3 hours or less.
  • the transparent conductive film 1 provided with the crystallized transparent conductive layer 6 is obtained.
  • the specific resistance of the transparent conductive layer 6 in the transparent conductive film 1 thus obtained is, for example, 1.1 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or more, preferably 1.2 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or more.
  • the specific resistance is calculated from the measured surface resistance and the thickness of the transparent conductive layer 6 by measuring the surface resistance of the transparent conductive layer 6 by the four-terminal method.
  • the total thickness of the transparent conductive film 1 is, for example, 2 ⁇ m or more, preferably 20 ⁇ m or more, and for example, 200 ⁇ m or less, preferably 150 ⁇ m or less.
  • the transparent conductive layer 6 may be formed in a wiring pattern such as a stripe shape by known etching before or after the crystal conversion treatment.
  • the second optical adjustment layer 3, the first optical adjustment layer 4, the inorganic layer 5, and the upper surface of the transparent base material 2 are conveyed on the upper surface of the transparent base material 2 while being conveyed in a roll-to-roll manner.
  • the transparent conductive layer 6 may be formed in order, or a part or all of these layers may be formed by a batch method.
  • this transparent conductive film 1 is equipped with the transparent base material 2, the 2nd optical adjustment layer 3, the 1st optical adjustment layer 4, the inorganic substance layer 5, and the transparent conductive layer 6 in this order. Therefore, it is possible to suppress the impurity gas generated from the transparent substrate 2 (for example, generated during crystal conversion) from reaching and entering the transparent conductive layer 6.
  • the thickness of the inorganic layer 5 is 10 nm or less, the unevenness generated in the first optical adjustment layer 4 is smoothed, and the surface roughness of the upper surface of the inorganic layer 5 and the lower surface of the transparent conductive layer 6 is reduced. Yes.
  • the surface roughness of the upper surface of the transparent conductive layer 6 is 1.40 nm or less.
  • this transparent conductive film 1 the specific resistance of the transparent conductive layer 6 is reduced. Therefore, according to the transparent conductive film 1, even when the transparent conductive film 1 is enlarged or thinned, it can have good conductive characteristics. It is possible to suppress deterioration of various functions such as.
  • the transparent conductive film 1 can be used for various applications, but is particularly preferably used for a touch panel substrate.
  • Examples of the touch panel format include various systems such as an optical system, an ultrasonic system, a capacitive system, and a resistive film system, and the touch panel is particularly preferably used for a capacitive touch panel.
  • the transparent conductive film 1 includes a transparent substrate 2, a second optical adjustment layer 3, a first optical adjustment layer 4, an inorganic layer 5, and a transparent conductive layer 6.
  • the transparent conductive film 1 can also be composed of a transparent substrate 2, a first optical adjustment layer 4, an inorganic layer 5, and a transparent conductive layer 6.
  • the transparent base material 2 the first optical adjustment layer 4 disposed on the transparent base material 2, and the inorganic layer disposed on the first optical adjustment layer 4. 5 and the transparent conductive layer 6 disposed on the inorganic layer 5, and the second optical adjustment layer 3 is not provided.
  • the first optical adjustment layer 4 is in contact with the upper surface of the second optical adjustment layer 3, but the present invention is not limited to this.
  • the first optical adjustment layer 4 may not be brought into contact with the upper surface of the second optical adjustment layer 3, and other layers may be interposed therebetween.
  • the second optical adjustment layer 3 is brought into contact with the upper surface of the transparent substrate 2, but the present invention is not limited to this.
  • the second optical adjustment layer 3 may not be brought into contact with the upper surface of the transparent substrate 2 and another layer may be interposed therebetween.
  • the transparent conductive film 1 of FIG. 1 is preferable.
  • Example 1 Transparent substrate
  • a polyethylene terephthalate (PET) film manufactured by Mitsubishi Plastics, trade name “Diafoil”, thickness 50 ⁇ m was used.
  • Second optical adjustment layer An ultraviolet curable resin composition (second resin composition) composed of an ultraviolet curable acrylic resin and zirconium oxide (ZnO 2 ) particles (average particle size 20 nm) is methylated so that the solid content concentration is 5% by mass. Diluted with isobutyl ketone (MIBK) to prepare a second diluted solution of the ultraviolet curable resin composition. Subsequently, the 2nd dilution liquid was apply
  • MIBK isobutyl ketone
  • thermosetting resin composition composed of 100 parts by mass of a thermosetting epoxy resin and 1 part by mass of a curing agent for thermosetting resin (curing agent for epoxy resin) has a solid content concentration of 0.00.
  • the thermosetting resin composition was diluted with methyl isobutyl ketone (MIBK) so that it might become 8 mass%, and the 1st dilution liquid of the thermosetting resin composition was prepared. Subsequently, the 1st dilution liquid was apply
  • MIBK methyl isobutyl ketone
  • an optical adjustment layer-formed PET film including a first optical adjustment layer, a second optical adjustment layer, and a PET film was obtained.
  • the optical adjustment layer-formed PET film obtained above was mounted on a vacuum sputtering apparatus, and wound up while closely contacting and running on a heated film-forming roll.
  • the vacuum degree of the atmosphere was set to 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa by an exhaust system equipped with a cryocoil and a turbo molecular pump while the film was running.
  • an SiO 2 layer was formed as an inorganic layer on the top surface of the first optical adjustment layer of the degassed optical adjustment layer-formed PET film by DC magnetron sputtering.
  • Si was used as a target material, a reduced pressure atmosphere (0.2 Pa) into which Ar and O 2 (O 2 flow rate ratio 30%) were introduced, and the horizontal magnetic field was adjusted to 100 mT.
  • the formed SiO 2 layer had a thickness of 1 nm.
  • ITO layer While maintaining the vacuum, indium tin composite oxidation is performed on the upper surface of the SiO 2 layer of the film (SiO 2 layer / first optical adjustment layer / second optical adjustment layer / PET film) obtained by DC magnetron sputtering.
  • An object (ITO) layer was formed.
  • ITO having a tin oxide concentration of 10% by mass is used as a target material, a reduced pressure atmosphere (0.4 Pa) into which Ar and O 2 (O 2 flow rate ratio 0.5%) are introduced, and a horizontal magnetic field is set to 100 mT. Adjusted.
  • the formed ITO layer was amorphous and had a thickness of 26 nm.
  • the film on which the amorphous ITO layer obtained above was formed was taken out from the sputtering apparatus and heat-treated in an oven at 150 ° C. for 120 minutes. This produced the transparent conductive film of Example 1 in which the crystalline ITO layer (thickness 26 nm) was formed as the transparent conductive layer (see FIG. 1).
  • Example 2 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the inorganic layer (SiO 2 layer) was 2 nm.
  • Example 3 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the inorganic layer (SiO 2 layer) was 3 nm.
  • Example 4 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the inorganic layer (SiO 2 layer) was 4 nm.
  • Example 5 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the inorganic layer (SiO 2 layer) was 6 nm.
  • Example 6 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the inorganic layer (SiO 2 layer) was 9 nm.
  • Example 7 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 3 except that the second optical adjustment layer was not formed.
  • Example 8 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 7 except that the thickness of the first optical adjustment layer was 100 nm.
  • Comparative Example 1 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the inorganic layer was not formed.
  • Comparative Examples 2-4 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the inorganic layer was 11 nm, 15 nm, and 20 nm, respectively.
  • Comparative Example 5 A transparent conductive film was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the first optical adjustment layer was formed as described below.
  • Hollow nanosilica particle-containing acrylate resin (average particle diameter of silica 45 nm, silica content 80% by mass) and methyl isobutyl ketone (MIBK) are mixed, and a particle-containing resin mixed solution having a solid content concentration of 1.5% by mass Was prepared.
  • the particle-containing resin mixture was subjected to ultrasonic dispersion for 5 minutes to uniformly disperse each component.
  • This dispersed particle-containing resin mixed solution on the upper surface of the second optical adjustment layer using a bar coater, drying in an oven at 80 ° C. for 1 minute, and then irradiating with UV (integrated light amount 300 mJ), A first optical adjustment layer (thickness 25 nm, particle-containing optical adjustment layer) was formed.
  • Comparative Example 6 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 3 except that the first optical adjustment layer was the first optical adjustment layer (thickness 25 nm, particle-containing optical adjustment layer) described in Comparative Example 5.
  • Comparative Example 7 Example 3 except that an Nb 2 O 5 layer having a thickness of 20 nm was formed as the second optical adjustment layer and an Al 2 O 3 layer having a thickness of 25 nm was formed as the first optical adjustment layer by DC magnetron sputtering. A transparent conductive film was produced in the same manner.
  • the measurement light (wavelength: 589.3 nm) was measured on the measurement surface under the condition of 25.0 ° C. using an Abbe refractometer manufactured by Atago Co., Ltd. ) Was made incident, and the measurement was carried out by the prescribed measurement method shown on the refractometer. The results are shown in Table 1.
  • the thickness of the transparent conductive layer is measured by the X-ray reflectivity method, and the X-ray reflectivity is measured with a powder X-ray diffractometer (Rigaku Corporation, “RINT-2000”) under the following measurement conditions. Measurement was performed and the obtained measurement data was calculated by analyzing with analysis software (“GXRR3” manufactured by Rigaku Corporation).
  • the analysis conditions are as follows. A two-layer model of a PET film and an ITO layer with a density of 7.1 g / cm 3 is adopted, and the least square fitting is performed with the thickness and surface roughness of the ITO layer as variables, and transparent. The thickness of the conductive layer was analyzed. The results are shown in Table 1.
  • the surface resistance ( ⁇ / ⁇ ) of the transparent conductive layer was measured by a four-terminal method according to JIS K 7194 (1994).
  • the specific resistance of the transparent conductive layer was calculated from the surface resistance obtained by this measurement and the thickness of the transparent conductive layer calculated above. The results are shown in Table 1.
  • the transparent conductive film of the present invention can be used for various industrial products, and is suitably used for, for example, a film for a touch panel incorporated in an image display device.

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Abstract

　透明導電性フィルム１は、透明基材２と、透明基材２の厚み方向一方側に配置され、樹脂層からなる第１光学調整層４と、第１光学調整層４の厚み方向一方側に、第１光学調整層４と接触するように、配置される無機物層５と、無機物層５の厚み方向一方側に配置される透明導電層６とを備える。無機物層５の厚みが、１０ｎｍ以下であり、透明導電層６の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、１．４０ｎｍ以下である。

Description

透明導電性フィルム
　本発明は、透明導電性フィルム、詳しくは、タッチパネル用フィルムなどに用いられる透明導電性フィルムに関する。
　従来から、画像表示装置は、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）などからなる透明配線層が形成されたタッチパネル用フィルムを備えることが知られている。タッチパネル用フィルムは、一般的に、ＩＴＯ層などを透明基材に積層した透明導電性フィルムにおいて、ＩＴＯ層を配線パターンにパターニングすることにより製造される（例えば、特許文献１参照。）。
　特許文献１には、透明基材、高屈折率層、低屈折率層および透明配線層を有し、低屈折率層および透明配線層は、それぞれの表面が凹凸面を構成しており、透明配線層が形成されている領域と形成されていない領域との双方において、ヘーズが０．８～２．０％である透明導電積層体が開示されている。この透明導電積層体では、透明配線層が目立たないように形成されている。
特開２０１３－１０７２１４号公報
　近年、画像表示装置の大型化および薄膜化の要求に伴い、透明導電性フィルムの大型化および薄膜化の要求も高まっている。しかるに、透明導電性フィルムのＩＴＯ層を大型化や薄膜化すると、ＩＴＯ層全体または一部の電気抵抗が増加し、その結果、タッチパネルの感度などの諸機能が低下するという不具合が生じる。したがって、ＩＴＯ層の比抵抗の低減（低抵抗化）が求められている。
　しかしながら、特許文献１では、ＩＴＯ層の低抵抗化を図ることができない。
　本発明の目的は、比抵抗に優れる透明導電性フィルムを提供することにある。
　本発明の透明導電性フィルムは、透明基材と、前記透明基材の厚み方向一方側に配置され、樹脂層からなる第１光学調整層と、前記第１光学調整層の厚み方向一方側に、前記第１光学調整層と接触するように、配置される無機物層と、前記無機物層の厚み方向一方側に配置される透明導電層とを備え、前記無機物層の厚みが、１０ｎｍ以下であり、前記透明導電層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、１．４０ｎｍ以下であることを特徴としている。
　また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記第１光学調整層の厚みが、２００ｎｍ未満であることが好適である。
　また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記第１光学調整層は、粒子を実質的に含有していないことが好適である。
　また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記無機物層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、０．２０ｎｍ以上０．７０ｎｍ以下であることが好適である。
　また、本発明の透明導電性フィルムは、前記透明基材の厚み方向一方側かつ前記第１光学調整層の厚み方向他方側に配置され、前記第１光学調整層の屈折率と異なる第２光学調整層をさらに備えることが好適である。
　また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記第１光学調整層の屈折率が、前記第２光学調整層の屈折率よりも低いことが好適である。
　また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記透明導電層の厚みが、２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好適である。
　また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記透明導電層の比抵抗が、１．１×１０－４Ω・ｃｍ以上２．５×１０－４Ω・ｃｍ以下であることが好適である。
　本発明の透明導電性フィルムでは、透明基材と、第１光学調整層と、厚みが１０ｎｍ以下である無機物層と、透明導電層とを備え、透明導電層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが１．４０ｎｍ以下であるため、透明導電層の比抵抗が低減しており、比抵抗に優れる。
図１は、本発明の透明導電性フィルムの一実施形態の側断面図を示す。 図２は、本発明の透明導電性フィルムの他の実施形態（第２光学調整層を備えない実施形態）の側断面図を示す。
　図１において、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向、第１方向）であって、紙面上側が、上側（厚み方向一方側、第１方向一方側）、紙面下側が、下側（厚み方向他方側、第１方向他方側）である。
　透明導電性フィルム１は、所定の厚みを有するフィルム形状（シート形状を含む）をなし、厚み方向と直交する所定方向（面方向）に延び、平坦な上面および平坦な下面を有する。透明導電性フィルム１は、例えば、画像表示装置に備えられるタッチパネル用基材などの一部品であり、つまり、画像表示装置ではない。すなわち、透明導電性フィルム１は、画像表示装置などを作製するための部品であり、ＬＣＤモジュールなどの画像表示素子を含まず、後述する透明基材２と第２光学調整層３と第１光学調整層４と無機物層５と透明導電層６とからなり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
　具体的には、図１に示すように、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、第２光学調整層３と、第１光学調整層４と、無機物層５と、透明導電層６とを備える。
　透明基材２は、例えば、透明性を有する高分子フィルムである。高分子フィルムの材料としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、例えば、ポリメタクリレートなどの（メタ）アクリル樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマーなどのオレフィン樹脂、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ノルボルネン樹脂などが挙げられる。これら高分子フィルムは、単独使用または２種以上併用することができる。透明性、耐熱性、機械特性などの観点から、好ましくは、ポリエステル樹脂が挙げられる。
　透明基材２の厚みは、機械的強度、耐擦傷性、タッチパネル用基材とした際の打点特性などの観点から、例えば、２μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。
　第２光学調整層３は、例えば、透明基材２の上面（厚み方向一方側の表面）に配置されている。具体的には、第２光学調整層３の下面が、透明基材２の上面に接触している。
　第２光学調整層３は、第２樹脂組成物から形成される樹脂層である。
　第２樹脂組成物は、例えば、樹脂を含有する。第２樹脂組成物は、好ましくは、樹脂と、粒子とを含有し、さらに好ましくは、樹脂と粒子とからなる。
　樹脂としては特に限定されないが、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂（例えば、ポリオレフィン樹脂）などが挙げられ、好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。
　硬化性樹脂としては、例えば、活性エネルギー線（具体的には、紫外線、電子線など）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂などが挙げられ、好ましくは、活性エネルギー線硬化性樹脂が挙げられる。
　活性エネルギー線硬化性樹脂は、例えば、分子中に重合性炭素－炭素二重結合を有する官能基を有するポリマーが挙げられる。そのような官能基としては、例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基（メタクリロイル基および／またはアクリロイル基）などが挙げられる。
　活性エネルギー線硬化性樹脂としては、例えば、官能基含有（メタ）アクリル樹脂（アクリル樹脂および／またはメタクリル樹脂）などが挙げられる。
　これら樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。
　樹脂の含有割合は、第２樹脂組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９５質量％以下、好ましくは、９０質量％以下である。
　粒子としては、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。無機粒子としては、例えば、シリカ粒子、例えば、酸化ジルコニウム、酸化チタンなどからなる金属酸化物粒子、例えば、炭酸カルシウムなどの炭酸塩粒子などが挙げられる。有機粒子としては、例えば、架橋アクリル樹脂粒子などが挙げられる。
　粒子としては、好ましくは、無機粒子、より好ましくは、金属酸化物粒子、さらに好ましくは、酸化ジルコニウム粒子（ＺｎＯ２）が挙げられる。
　粒子の平均粒子径は、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、２０ｎｍ以上であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、１００ｎｍ以下である。
　本発明において、粒子の平均粒子径は、ベックマン・コールター社製のコールターマルチサイザーを用いて、コールターカウント法にて測定することができる。
　第２光学調整層３の屈折率は、例えば、１．５０以上であり、好ましくは、１．６０以上であり、また、例えば、１．８０以下、好ましくは、１．７５以下である。
　本発明において、屈折率は、アッベ屈折率計により測定される。
　第２光学調整層３の厚みは、配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、例えば、３０ｎｍ以上、好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下である。
　第２光学調整層３の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察により測定される。
　第１光学調整層４は、例えば、第２光学調整層３の上面に配置されている。具体的には、第１光学調整層４の下面が、第２光学調整層３の上面に接触している。
　第１光学調整層４は、第１樹脂組成物から形成される樹脂層である。
　第１樹脂組成物は、樹脂を含有し、好ましくは、実質的に樹脂からなり、より好ましくは、樹脂からなる。
　樹脂としては、例えば、第２樹脂組成物で例示した樹脂から選択される。樹脂として、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
　熱硬化性樹脂としては特に限定されないが、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、エポキシ樹脂、メラミン樹脂が挙げられ、より好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。
　エポキシ樹脂としては、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂などが挙げられ、具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型などのビスフェノール型エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型などのノボラック型エポキシ樹脂、例えば、トリグリシジルイソシアヌレート型、ヒダントイン型などの含窒素環型エポキシ樹脂、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロ型エポキシ樹脂、エステル型エポキシ樹脂、これらの変性物または水素添加物などが挙げられる。
　また、エポキシ樹脂には、熱硬化型樹脂用などの硬化剤を配合して、エポキシ樹脂および硬化剤をエポキシ樹脂組成物として調製することができる。
　硬化剤としては特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂用硬化剤として、アミン系硬化剤、アミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ジヒドラジド系硬化剤、尿素系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、イミダゾリン系硬化剤などが挙げられる。
　硬化剤の配合割合は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、例えば、０．５質量部以上、好ましくは、１．０質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、９質量部以下である。
　第１樹脂組成物（ひいては、第１光学調整層４）は、好ましくは、粒子を実質的に含有していない。これにより、第１光学調整層４の上面を平滑にできるため、無機物層５および透明導電層６をより一層平滑にでき、透明導電層６の比抵抗をさらに低減することができる。
　粒子としては、第２樹脂組成物で上述した粒子と同一のものが挙げられる。
　第１樹脂組成物において、粒子を実質的に含有していないとは、第１樹脂組成物の全固形分に対して、粒子の含有割合が、例えば、１質量％未満、好ましくは、０．５質量％未満、より好ましくは、０．１質量％未満、さらに好ましくは、０質量％であることを意味する。
　第１光学調整層４の屈折率は、第２光学調整層３の屈折率と異なっている。第１光学調整層４の屈折率と、第２光学調整層３の屈折率との差は、例えば、０．１０以上０．６０以下である。
　好ましくは、第１光学調整層４の屈折率は、第２光学調整層３の屈折率よりも低い。すなわち、好ましくは、第２光学調整層３を高屈折率層とし、第１光学調整層４を、高屈折率層の屈折率よりも低い屈折率を備える低屈折率層とする。これにより、透明導電性フィルム１の透明導電層６をパターニングして配線パターンを形成した際に、配線パターンと配線パターン以外の部分とに生じる反射率差や色相差を低減し、配線パターンの視認を抑制することができる。
　第１光学調整層４の屈折率は、具体的には、例えば、１．６０未満、好ましくは、１．５５以下であり、また、例えば、１．２０以上、好ましくは、１．３０以上である。
　第１光学調整層４の上面の表面粗さは、例えば、１．５ｎｍ以下、好ましくは、１．０ｎｍ以下であり、また、例えば、０．１ｎｍ以上である。
　第１光学調整層４の厚みは、例えば、２００ｎｍ未満、好ましくは、１００ｎｍ以下、より好ましくは、５０ｎｍ以下であり、また、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上である。第１光学調整層４の厚みを上記下限以下とすることにより、第１光学調整層４の上面を平滑にするとともに、第１光学調整層４内部から放出されて透明導電層６に侵入するガスの放出量を低減できる。これにより、透明導電層６の比抵抗をより確実に低減することができる。
　第１光学調整層４の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察により測定される。
　第２光学調整層３の厚みに対する第１光学調整層４の厚みの比（第１光学調整層４／第２光学調整層３）は、配線パターンの視認抑制の観点から、例えば、０．０１以上であり、好ましくは、０．０５以上であり、また、例えば、１．５０以下、好ましくは、１．００以下である。
　無機物層５は、第１光学調整層４の上面に配置されている。具体的には、無機物層５の下面が、第１光学調整層４の上面に接触している。
　無機物層５を構成する無機物としては特に限定されないが、例えば、ＮａＦ、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＬｉＦ、ＭｇＦ２などのフッ化アルカリ金属、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２などのフッ化アルカリ土類金属、例えば、ＬａＦ３、ＣｅＦなどのフッ化希土類、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物などが挙げられる。無機物は、単独使用または２種以上併用することができる。
　配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、好ましくは、酸化物が挙げられ、より好ましくは、ＳｉＯ２が挙げられる。
　無機物層５の厚みは、１０ｎｍ以下である。好ましくは、４ｎｍ以下、より好ましくは、３ｎｍ以下であり、また、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、２ｎｍ以上である。
　厚みが上記範囲である無機物層５を第１光学調整層４の上面に密着して配置することにより、無機物層５の上面の表面粗さを低減し、無機物層５の上面に配置される透明導電層６の下面および上面を平滑にすることができる。その結果、透明導電層６の比抵抗を低減することができる。
　これは、無機物層５を第１光学調整層４に形成する場合、無機物層５を構成する無機物は、まず第１光学調整層４の凹凸の凹部（隙間）を埋めるように配置（形成）されるため、ごく薄い無機物層５では、その上面では平滑となる（表面粗さが小さくなる）ように、無機物が配置されることに起因するものと推察される。一方、上記上限を上回る厚みとなるように無機物層５を形成し続けると、無機物は、やがて、その上面が第１光学調整層４上面の形（凹凸）に沿うように形成され始め、その結果、無機物層５の上面にも凹凸が生じ始めるものと推察される。
　無機物層５の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察により測定される。　
　光学調整層（第２光学調整層３および第１光学調整層４）の厚みに対する無機物層５の厚みの比（無機物層５／光学調整層）は、配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、例えば、０．００１以上であり、好ましくは、０．００５以上であり、また、例えば、０．３０以下、好ましくは、０．２５以下である。
　第１光学調整層４の厚みに対する無機物層５の厚みの比（無機物層５／第１光学調整層４）は、配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、例えば、０．０２以上であり、好ましくは、０．０５以上であり、また、例えば、２．００以下、好ましくは、１．００以下である。
　無機物層５の上面の表面粗さは、例えば、０．７０ｎｍ以下、好ましくは、０．６０ｎｍ以下、より好ましくは、０．５０ｎｍ以下であり、また、例えば、０．２０ｎｍ以上である。無機物層５の上面の表面粗さを上記上限以下とすることにより、透明導電層６をより一層平滑にでき、透明導電層６の比抵抗を低減することができる。一方、無機物層５の表面粗さを上記下限以上とすることにより、加熱または加湿加熱処理時に発生する透明導電層６のクラックを抑制することができる。
　本発明において、表面粗さは、原子間力顕微鏡により測定される。
　透明導電層６は、無機物層５の上面に配置される。具体的には、透明導電層６の下面が、無機物層５の上面に接触している。
　透明導電層６の材料としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属酸化物が挙げられる。金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子をドープしていてもよい。
　透明導電層６の材料は、好ましくは、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）などが挙げられ、より好ましくは、ＩＴＯが挙げられる。
　透明導電層６の材料としてＩＴＯを用いる場合、酸化スズ（ＳｎＯ２）含有量は、酸化スズおよび酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）の合計量に対して、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、１５質量％以下、好ましくは、１３質量％以下である。酸化スズの含有量を上記下限以上とすることにより、ＩＴＯ層の耐久性をより一層良好にすることができる。酸化スズの含有量を上記上限以下とすることにより、ＩＴＯ層の結晶転化を容易にし、透明性や比抵抗の安定性を向上させることができる。
　本明細書中における「ＩＴＯ」とは、少なくともインジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）とを含む複合酸化物であればよく、これら以外の追加成分を含んでもよい。追加成分としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ以外の金属元素が挙げられ、具体的には、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｇａなどが挙げられる。
　透明導電層６の厚みは、例えば、１５ｎｍ以上、好ましくは、２０ｎｍ以上、より好ましくは、２５ｎｍ以上であり、また、例えば、５０ｎｍ以下、好ましくは、４０ｎｍ以下、より好ましくは、３５ｎｍ以下である。透明導電層６の厚みを上記下限以上とすることにより、加熱処理する際にＩＴＯ層などの透明導電層６をより均一に結晶転化することができる。一方、透明導電層６の厚みを上記上限以下とすることにより、透明導電層６上面の表面粗さ上昇による比抵抗の増大を抑えることができ、また、室温でのＩＴＯ層などの透明導電層６の自然結晶化を抑制することができる。
　透明導電層６の厚みは、例えば、粉末Ｘ線回折装置にてＸ線反射率を測定することにより算出される。
　無機物層５の厚みに対する透明導電層６の厚みの比（透明導電層６／無機物層５）は、配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、例えば、２．０以上であり、好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、３０以下、好ましくは、１０以下、より好ましくは、９以下である。
　透明導電層６は、結晶質および非晶質のいずれであってもよく、また、結晶質および非晶質の混合体であってもよい。透明導電層６は、好ましくは、結晶質からなり、より具体的には、結晶質ＩＴＯ層である。これにより、透明導電層６の透明性を向上させ、また、透明導電層６の比抵抗をより一層低減させることができる。
　透明導電層６の上面の表面粗さは、１．４０ｎｍ以下である。好ましくは、０．９０ｎｍ以下、より好ましくは、０．７０ｎｍ以下、さらに好ましくは、０．４０ｎｍ未満である。透明導電層６の表面粗さが上記上限を上回ると、透明導電層６の上面の凹凸が大きくなるため、透明導電層６の比抵抗が増大する。
　なお、透明基材２の下面（厚み方向他方側の表面）には、必要に応じて、ハードコート層、ブロッキング防止層、易接着層、接着剤層、セパレータなどが設けられていてもよい。
　次いで、透明導電性フィルム１を製造する方法を説明する。
　透明導電性フィルム１を製造するには、例えば、透明基材２の上に、第２光学調整層３、第１光学調整層４、無機物層５および透明導電層６を順に設ける。以下、詳述する。
　まず、公知または市販の透明基材２を用意する。
　その後、必要に応じて、透明基材２および第２光学調整層３の密着性の観点から、透明基材２の表面に、例えば、スパッタリング、コロナ放電、火炎、紫外線照射、電子線照射、化成、酸化などのエッチング処理や下塗り処理を実施することができる。また、溶剤洗浄、超音波洗浄などにより透明基材２を除塵、清浄化することができる。
　次いで、透明基材２に第２樹脂組成物を湿式塗工することにより、透明基材２の上面に第２光学調整層３を形成する。
　具体的には、第２樹脂組成物を溶媒で希釈した第２希釈液を調製し、続いて、第２希釈液を透明基材２の上面に塗布して、第２希釈液を乾燥する。
　溶媒としては特に限定されないが、例えば、有機溶媒、水系溶媒（具体的には、水）などが挙げられ、好ましくは、有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール化合物、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）などのケトン化合物、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル化合物、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族化合物などが挙げられる。好ましくは、ケトン化合物が挙げられる。溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。
　希釈液における固形分濃度は、例えば、０．５質量％以上５．０質量％以下である。
　塗布方法としては、例えば、ファンテンコート法、ダイコート法、スピンコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、バーコート法などが挙げられる。
　乾燥温度としては、例えば、６０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、例えば、２５０℃以下、好ましくは、２００℃以下である。
　乾燥時間としては、例えば、１．０分以上、好ましくは、２．０分以上であり、例えば、１．０時間以下、好ましくは、０．５時間以下である。
　上記した塗布および乾燥により、透明基材２の上面に、第２樹脂組成物をフィルム状に形成する。
　その後、第２樹脂組成物の樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂を含有する場合は、第２希釈液の乾燥後に、活性エネルギー線を照射することにより、活性エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。
　なお、第２樹脂組成物の樹脂として、熱硬化性樹脂を含有する場合は、この乾燥工程により、溶媒の乾燥とともに、熱硬化性樹脂を熱硬化することができる。
　次いで、第２光学調整層３に第１樹脂組成物を例えば湿式塗工することにより、第２光学調整層３の上面に第１光学調整層４を形成する。
　具体的には、第１樹脂組成物を溶媒で希釈した第１希釈液を調製し、続いて、第１希釈液を第２光学調整層３の上面に塗布して、第１希釈液を乾燥する。
　溶媒、希釈方法、塗布方法および乾燥方法としては、第２樹脂組成物の第２希釈液で例示した溶媒、塗布方法などと同一のものが挙げられる。
　なお、第１樹脂組成物の樹脂として、熱硬化性樹脂を含有する場合は、この乾燥工程により、溶媒の乾燥とともに、熱硬化性樹脂を熱硬化することができる。
　一方、第１樹脂組成物の樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂を含有する場合は、第１希釈液の乾燥後に、活性エネルギー線を照射することにより、活性エネルギー線硬化性樹脂を硬化することができる。
　次いで、第１光学調整層４の上面に、無機物層５を乾式方法により形成する。
　乾式方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。具体的には、マグネトロンスパッタリング法が挙げられる。この方法により無機物層５を形成することにより、高密度の無機物層５を形成できる。そのため、高分子フィルムなどの透明基材２から放出される水、有機ガスなどの不純物ガスが透明導電層６に侵入することを抑制でき、透明導電層６の比抵抗を低減することができる。
　スパッタリング法を採用する場合、ターゲット材としては、無機物層５を構成する上述の無機物が挙げられ、好ましくは、Ｓｉが挙げられる。
　スパッタガスとしては、例えば、Ａｒなどの不活性ガスが挙げられる。
　また、無機物層５が酸化物を含有する場合は、必要に応じて、酸素ガスなどの反応性ガスを併用することができる。反応性ガスを併用する場合において、反応性ガスの流量比は特に限定しないが、スパッタガスおよび反応性ガスの合計流量比に対して、例えば、０．１流量％以上４０流量％以下である。
　スパッタ時の放電気圧は、スパッタリングレートの低下抑制、放電安定性などの観点から、例えば、１Ｐａ以下であり、好ましくは、０．１Ｐａ以上０．７Ｐａ以下である。
　スパッタリング法に用いる電源は、例えば、ＤＣ電源およびＲＦ電源のいずれであってもよく、また、これらの組み合わせであってもよい。
　ターゲット材表面の水平磁場の強度は、成膜速度、無機物層に対する不活性ガス（Ａｒ原子など）の取り込み抑制などの観点から、例えば、２０ｍＴ以上、好ましくは、５０ｍＴ以上、さらに好ましくは、７０ｍＴ以上である。
　なお、無機物層５の形成前に、脱ガス処理を実施してもよい。これにより、高分子フィルムなどの透明基材２から放出される不純物ガスを除去することができる。
　脱ガス処理としては、例えば、真空下に、第２光学調整層３および第１光学調整層４が形成された透明基材２を放置する。真空時の圧力としては、例えば、１×１０－１Ｐａ以下、好ましくは、１×１０－３Ｐａ以下である。
　次いで、無機物層５の上面に、透明導電層６を形成する。
　透明導電層６の形成としては、上述した乾式方法が挙げられ、好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。透明導電層６の形成では、特に好ましくは、マグネトロンスパッタリング法が挙げられる。
　スパッタリング法を採用する場合、ターゲット材としては、透明導電層６を構成する上述の金属酸化物が挙げられ、好ましくは、ＩＴＯが挙げられる。ＩＴＯの酸化スズ濃度は、ＩＴＯ層の耐久性、結晶化などの観点から、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、１５質量％以下、好ましくは、１３質量％以下である。
　スパッタガスとしては、例えば、Ａｒなどの不活性ガスが挙げられる。また、必要に応じて、酸素ガスなどの反応性ガスを併用することができる。反応性ガスを併用する場合において、反応性ガスの流量比は特に限定しないが、スパッタガスおよび反応性ガスの合計流量比に対して、例えば、０．１流量％以上５流量％以下である。
　スパッタ時の放電気圧は、スパッタリングレートの低下抑制、放電安定性などの観点から、例えば、１Ｐａ以下であり、好ましくは、０．１Ｐａ以上０．７Ｐａ以下である。
　スパッタリング法に用いる電源は、例えば、ＤＣ電源およびＲＦ電源のいずれであってもよく、また、これらの組み合わせであってもよい。
　ターゲット材表面の水平磁場の強度は、成膜速度、透明導電層に対する不活性ガス（Ａｒ原子など）の取り込み抑制などの観点から、例えば、２０ｍＴ以上、好ましくは、５０ｍＴ以上、さらに好ましくは、７０ｍＴ以上である。
　これにより、透明導電性フィルム１が得られる。
　次いで、必要に応じて、透明導電性フィルム１の透明導電層６に対して、結晶転化処理を実施する。
　具体的には、透明導電性フィルム１に大気下で加熱処理を実施する。
　加熱処理は、例えば、赤外線ヒーター、オーブンなどを用いて実施することができる。
　加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１６０℃以下である。加熱温度を上記範囲内とすることにより、透明基材２の熱損傷および透明基材２から発生する不純物を抑制しつつ、結晶転化を確実にすることができる。
　加熱時間は、加熱温度に応じて適宜決定されるが、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、５時間以下、好ましくは、３時間以下である。
　これにより、結晶化された透明導電層６を備える透明導電性フィルム１が得られる。
　このようにして得られる透明導電性フィルム１おける透明導電層６の比抵抗は、例えば、１．１×１０－４Ω・ｃｍ以上、好ましくは、１．２×１０－４Ω・ｃｍ以上であり、また、例えば、２．５×１０－４Ω・ｃｍ以下、好ましくは、２．０×１０－４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは、１．８×１０－４Ω・ｃｍ以下である。
　比抵抗は、透明導電層６の表面抵抗を四端子法により測定し、その測定した表面抵抗および透明導電層６の厚みから算出される。
　透明導電性フィルム１の総厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。
　なお、必要に応じて、結晶転化処理の前または後に、公知のエッチングによって透明導電層６をストライプ状などの配線パターンに形成してもよい。
　また、上記製造方法では、ロールトゥロール方式にて、透明基材２を搬送させながら、その透明基材２の上面に、第２光学調整層３、第１光学調整層４、無機物層５および透明導電層６を順に形成してもよく、また、これらの層の一部または全部をバッチ方式にて形成してもよい。
　そして、この透明導電性フィルム１は、透明基材２、第２光学調整層３と、第１光学調整層４と、無機物層５と、透明導電層６とをこの順で備えている。そのため、透明基材２から発生される不純物ガス（例えば、結晶転化時に発生）を透明導電層６に到達・侵入することを抑制できる。
　また、無機物層５の厚みが１０ｎｍ以下であるため、第１光学調整層４に生じている凹凸を平滑にして、無機物層５の上面ひいては透明導電層６の下面の表面粗さを低減している。
　さらには、透明導電層６の上面の表面粗さが、１．４０ｎｍ以下である。
　これらにより、この透明導電性フィルム１では、透明導電層６の比抵抗が低減されている。よって、この透明導電性フィルム１によれば、大型化や薄膜化した場合でもあっても、良好な導電特性を備えることができるため、大型や薄型タッチパネル用基材として用いても、タッチパネルの感度などの諸機能の低下を抑制することができる。
　この透明導電性フィルム１は、種々の用途に用いることができるが、特にタッチパネル用基材に好適に用いられる。タッチパネルの形式としては、光学方式、超音波方式、静電容量方式、抵抗膜方式などの各種方式が挙げられ、特に静電容量方式のタッチパネルに好適に用いられる。
　（変形例）
　図１の実施形態では、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、第２光学調整層３と、第１光学調整層４と、無機物層５と、透明導電層６とを備えているが、例えば、図２に示すように、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、第１光学調整層４と、無機物層５と、透明導電層６とから構成することもできる。
　すなわち、図２の透明導電性フィルム１では、透明基材２と、透明基材２の上に配置される第１光学調整層４と、第１光学調整層４の上に配置される無機物層５と、無機物層５の上に配置される透明導電層６とを備えており、第２光学調整層３を備えていない。
　また、図１の実施形態において、第１光学調整層４を第２光学調整層３の上面に接触させているが、これに限定されない。例えば、図示しないが、第１光学調整層４を第２光学調整層３の上面に接触させず、それらの間に他の層を介在させることもできる。
　また、図１の実施形態において、第２光学調整層３を透明基材２の上面に接触させているが、これに限定されない。例えば、図示しないが、第２光学調整層３を透明基材２の上面に接触させず、それらの間に他の層を介在させることもできる。
　本発明では、配線パターンの視認抑制などの観点から、好ましくは、図１の透明導電性フィルム１が挙げられる。
　以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
　　実施例１
　（透明基材）
　透明基材として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱樹脂社製、商品名「ダイアホイル」、厚み５０μｍ）を用いた。
　（第２光学調整層の形成）
　紫外線硬化型アクリル樹脂と、酸化ジルコニウム（ＺｎＯ２）粒子（平均粒径２０ｎｍ）とからなる紫外線硬化型樹脂組成物（第２樹脂組成物）を、固形分濃度が５質量％になるようにメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で希釈して、紫外線硬化型樹脂組成物の第２希釈液を調製した。次いで、第２希釈液を、ＰＥＴフィルムの上面に塗布し、乾燥させて、紫外線硬化型樹脂組成物をフィルム状に形成した。次いで、紫外線硬化型樹脂組成物に紫外線を照射して硬化させた。これにより、厚み２００ｎｍの第２光学調整層をＰＥＴフィルムの上面に形成した。
　（第１光学調整層の形成）
　熱硬化型エポキシ樹脂１００質量部と熱硬化型樹脂用硬化剤（エポキシ樹脂用硬化剤）１質量部とからなる熱硬化性樹脂組成物（第1樹脂組成物）を、固形分濃度が０．８質量％となるように、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で熱硬化性樹脂組成物を希釈して、熱硬化性樹脂組成物の第１希釈液を調製した。次いで、第１希釈液を第１光学調整層の上面に塗布し、１９５℃で１分間、加熱乾燥および硬化させた。これにより、厚み２５ｎｍの第１光学調整層を第２光学調整層の上面に形成した。
　これにより、第１光学調整層と第２光学調整層とＰＥＴフィルムとを備える光学調整層形成ＰＥＴフィルムを得た。
　（脱ガス処理）
　上記で得られた光学調整層形成ＰＥＴフィルムを真空スパッタ装置へ装着し、加熱した成膜ロールに密着および走行させながら巻き取った。フィルムを走行させながら、クライオコイルとターボ分子ポンプとを備えた排気システムにより、雰囲気の真空度を１×１０－４Ｐａとした。
　（無機物層の形成）
　真空を維持したまま、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、脱ガス処理した光学調整層形成ＰＥＴフィルムの第１光学調整層の上面に、無機物層としてＳｉＯ２層を形成した。スパッタリング法では、Ｓｉをターゲット材として用い、ＡｒおよびＯ２（Ｏ２流量比３０％）を導入した減圧雰囲気（０．２Ｐａ）に設定し、水平磁場を１００ｍＴに調整した。形成されたＳｉＯ２層は、厚みが１ｎｍであった。
　（ＩＴＯ層の形成）
　真空を維持したまま、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、上記で得られたフィルム（ＳｉＯ２層／第１光学調整層／第２光学調整層／ＰＥＴフィルム）のＳｉＯ２層の上面に、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）層を形成した。スパッタリング法では、酸化スズ濃度１０質量％のＩＴＯをターゲット材として用い、ＡｒおよびＯ２（Ｏ２流量比０．５％）を導入した減圧雰囲気（０．４Ｐａ）に設定し、水平磁場を１００ｍＴに調整した。形成されたＩＴＯ層は、非晶質であり、厚みが２６ｎｍであった。
　（結晶転化処理）
　次いで、上記で得られた非晶質ＩＴＯ層が形成されたフィルムを、スパッタ装置内から取り出して、１５０℃のオーブン内で１２０分加熱処理した。これにより、透明導電層として結晶質ＩＴＯ層（厚み２６ｎｍ）が形成された実施例１の透明導電性フィルムを製造した（図１参照）。
　　実施例２
　無機物層（ＳｉＯ２層）の厚みを２ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　実施例３
　無機物層（ＳｉＯ２層）の厚みを３ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　実施例４
　無機物層（ＳｉＯ２層）の厚みを４ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　実施例５
　無機物層（ＳｉＯ２層）の厚みを６ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　実施例６
　無機物層（ＳｉＯ２層）の厚みを９ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　実施例７
　第２光学調整層を形成しなかった以外は、実施例３と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　実施例８
　第１光学調整層の厚みを１００ｎｍとした以外は、実施例７と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　比較例１
　無機物層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　比較例２～４
　無機物層の厚みを、それぞれ、１１ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　比較例５
　第１光学調整層を以下に記載するように形成した以外は、比較例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。
　中空ナノシリカ粒子含有アクリレート樹脂（シリカの平均粒子径４５ｎｍ、シリカ含有量８０質量％）とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）とを混合して、固形分濃度が１．５質量％である粒子含有樹脂混合液を調製した。この粒子含有樹脂混合液に対して５分間超音波分散を実施し、各成分を均一に分散させた。この分散させた粒子含有樹脂混合液を、第２光学調整層の上面にバーコーターを用いて塗工し、８０℃のオーブンで１分間乾燥した後、ＵＶ照射（積算光量３００ｍＪ）することにより、第１光学調整層（厚み２５ｎｍ、粒子含有光学調整層）を形成した。
　　比較例６
　第１光学調整層を、上記比較例５に記載の第１光学調整層（厚み２５ｎｍ、粒子含有光学調整層）とした以外は、実施例３と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　　比較例７
　ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、第２光学調整層として、厚み２０ｎｍのＮｂ２Ｏ５層を形成し、第１光学調整層として、厚み２５ｎｍのＡｌ２Ｏ３層を形成した以外は、実施例３と同様にして透明導電性フィルムを製造した。
　（無機物層、第１光学調整層および第２光学調整層の厚さ）
　透明導電性フィルムの断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により測定することにより、無機物層、第１光学調整層および第２光学調整層の厚さを測定した。
　（第１光学調整層および第２光学調整層の屈折率）
　第１光学調整層および第２光学調整層を形成した後に、それぞれ、アタゴ社製のアッベ屈折率計を用い、２５．０℃の条件下、測定面に対して測定光（波長：５８９．３ｎｍ）を入射させるようにして、屈折計に示される規定の測定方法により測定を実施した。結果を表１に示す。
　（透明導電層の厚みの測定）
　透明導電層（ＩＴＯ層）の厚みは、Ｘ線反射率法を測定原理とし、以下の測定条件にて粉末Ｘ線回折装置（リガク社製、「ＲＩＮＴ－２０００」）にてＸ線反射率を測定し、取得した測定データを解析ソフト（リガク社製、「ＧＸＲＲ３」）で解析することで算出した。解析条件は以下の条件とし、ＰＥＴフィルムと密度７．１ｇ／ｃｍ３のＩＴＯ層との２層モデルを採用し、ＩＴＯ層の厚みと表面粗さを変数として、最小自乗フィッティングを実施し、透明導電層の厚みを解析した。結果を表１に示す。
　［測定条件］
光源：　Ｃｕ－Ｋα線（波長：１，５４１８Å）、４０ｋＶ、４０ｍＡ
光学系：　平行ビーム光学系
発散スリット：　０．０５ｍｍ
受光スリット：　０．０５ｍｍ
単色化・平行化：　多層ゲーベルミラー使用
測定モード：　θ／２θスキャンモード
測定範囲（２θ）：　０．３～２．０°
　［解析条件］
解析手法：　最小自乗フィッティング
解析範囲（２θ）：　２θ＝０．３～２．０°
　（表面粗さの測定）
　第１光学調整層、透明導電層および無機物層の表面粗さ（ｎｍ）は、原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、「Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ　３１００」、以下ＡＦＭとする。）を用い、常温下でＴａｐｐｉｎｇ　ＡＦＭモードにおける形状像を１μｍ平方で測定した。そのとき得られた形状像から装置付属のソフトのオフラインモードで自動計算される面内の算術平均粗さＲａを求めた。結果を表１に示す。
　（比抵抗の測定）
　透明導電層の表面抵抗（Ω／□）を、ＪＩＳ　Ｋ　７１９４（１９９４年）に準じて四端子法により測定した。この測定により得られた表面抵抗、および、上記で算出した透明導電層の厚みから、透明導電層の比抵抗を算出した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記特許請求の範囲に含まれる。
　本発明の透明導電性フィルムは、各種産業製品に用いることができ、例えば、画像表示装置に組み込まれるタッチパネル用フィルムなどに好適に用いられる。
１　透明導電性フィルム
２　透明基材
３　第２光学調整層
４　第１光学調整層
５  無機物層
６　透明導電層

Claims (8)

  1. 　透明基材と、
    　前記透明基材の厚み方向一方側に配置され、樹脂層からなる第１光学調整層と、
    　前記第１光学調整層の厚み方向一方側に、前記第１光学調整層と接触するように、配置される無機物層と、
    　前記無機物層の厚み方向一方側に配置される透明導電層と
    を備え、
    　前記無機物層の厚みが、１０ｎｍ以下であり、
    　前記透明導電層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、１．４０ｎｍ以下であることを特徴とする、透明導電性フィルム。
  2. 　前記第１光学調整層の厚みが、２００ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
  3. 　前記第１光学調整層は、粒子を実質的に含有していないことを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
  4. 　前記無機物層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、０．２０ｎｍ以上０．７０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
  5. 　前記透明基材の厚み方向一方側かつ前記第１光学調整層の厚み方向他方側に配置され、前記第１光学調整層の屈折率と異なる第２光学調整層をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
  6. 　前記第１光学調整層の屈折率が、前記第２光学調整層の屈折率よりも低いことを特徴とする、請求項５に記載の透明導電性フィルム。
  7. 　前記透明導電層の厚みが、２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
  8. 　前記透明導電層の比抵抗が、１．１×１０－４Ω・ｃｍ以上２．５×１０－４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
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