CN111145938A - 导电性薄膜及触摸面板 - Google Patents
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Abstract
提供能够抑制光学调整层的光学特性的降低、并且抑制金属层的剥离的导电性薄膜及触摸面板。导电性薄膜(1)在上侧依次具备透明基材(2)、光学调整层(4)、透明导电层(5)及金属层(6),光学调整层(4)含有SiO2颗粒、ZrO2颗粒及树脂,在从光学调整层(4)的上表面到下侧10nm为止的范围中,将Si及Zr的合计元素存在比例设为100%时的Si元素存在比例为20%以上,将光学调整层(4)在上下方向均等地划分为3个层时,具有最高Si元素存在比例的层的Si元素存在比例与具有最低Si元素存在比例的层的Si元素存在比例的差为15%以下。
Description
技术领域
本发明涉及导电性薄膜及具备其的触摸面板。
背景技术
一直以来,已知图像显示装置具备在透明基材上配置有铟锡复合氧化物(ITO)层等透明导电层的透明导电性薄膜作为触摸面板用薄膜。近年来,对于这样的透明导电性薄膜,为了在触摸输入区域的外缘部形成引绕布线而实现窄边框化,提出了在ITO层的上表面进而配置有铜层的导电性薄膜(例如,参照专利文献1)。
这样的导电性薄膜例如通过利用溅射法在透明基材的一个面依次形成透明导电层及铜层并卷取成卷状来制造。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-161282号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,若在透明导电层上形成金属层并卷取成卷状,则金属层的应变变强。其结果,会产生金属层与透明导电层一起从透明基材剥离这样的不良情况。因此,要求透明导电层与透明基材的密合性的改良。
另一方面,以规定的布线图案形成透明导电层的情况下,为了使布线图案不被辨识,导电性薄膜通常在透明导电层与透明基材之间配置有光学调整层。
由此,研究对光学调整层赋予高的密合功能从而提高透明导电层与透明基材的密合性。具体而言,研究在光学调整层中配混SiO2颗粒。
但是,若在光学调整层中配混SiO2颗粒,则会产生光学调整层的光学特性降低的不良情况。具体而言,例如,发生如下的不良情况:期望的光学调整层的反射光谱大幅变化、在光学调整层产生色调等。
本发明提供能够抑制光学调整层的光学特性的降低、并且抑制金属层的剥离的导电性薄膜及触摸面板。
用于解决问题的方案
本发明[1]包括导电性薄膜,其在厚度方向的一个方向上依次具备透明基材、光学调整层、透明导电层及金属层,前述光学调整层含有SiO2颗粒、ZrO2颗粒及树脂成分,在从前述光学调整层的厚度方向一个面到厚度方向另一侧10nm为止的范围中,将Si及Zr的合计元素存在比例设为100%时的Si元素存在比例为20%以上,将前述光学调整层在厚度方向上均等地划分为3个层时,具有最高Si元素存在比例的层的Si元素存在比例与具有最低Si元素存在比例的层的Si元素存在比例的差为15%以下。
本发明[2]包含[1]所述的导电性薄膜,其中,前述光学调整层的厚度为30nm以上且150nm以下。
本发明[3]包含[1]或[2]所述的导电性薄膜,其还具备配置于前述透明基材与前述光学调整层之间的硬涂层。
本发明[4]包含触摸面板,其具备[1]~[3]中任一项所述的导电性薄膜。
发明的效果
根据本发明的导电性薄膜及触摸面板,在厚度方向的一个方向上依次具备透明基材、光学调整层、透明导电层及金属层,从光学调整层的厚度方向一个面到厚度方向另一侧10nm为止的范围中,将Si及Zr的合计元素存在比例设为100%时的Si元素存在比例为20%以上。因此,透明导电层与光学调整层的密合性提高,能够抑制金属层的剥离。
另外,将光学调整层在厚度方向上均等地划分为3个层时,具有最高Si元素存在比例的层的Si元素存在比例与具有最低Si元素存在比例的层的Si元素存在比例的差为15%以下。因此,能抑制由配混SiO2颗粒引起的光学调整层的反射光谱的变化,其结果,能够抑制光学特性的降低。
附图说明
图1示出本发明的导电性薄膜的一实施方式的侧截面图。
图2示出由图1所示的导电性薄膜形成的图案化导电性薄膜的侧截面图。
图3示出本发明的导电性薄膜的另一实施方式(不具备硬涂层的方式)的侧截面图。
图4示出本发明的图案化导电性薄膜的另一实施方式(不具备硬涂层的方式)的侧截面图。
图5示出实施例1的导电性薄膜中的光学调整层的TEM截面图中进行了元素映射(Element mapping)时的图像。
图6示出比较例2的导电性薄膜中的光学调整层的TEM截面图中进行了元素映射时的图像。
图7示出比较例3的导电性薄膜中的光学调整层的TEM截面图中进行了元素映射时的图像。
附图标记说明
1 导电性薄膜
2 透明基材
3 硬涂层
4 光学调整层
5 透明导电层
6 金属层
具体实施方式
边参照图边对本发明的实施方式进行说明。图1中,纸面上下方向为上下方向(厚度方向),纸面上侧为上侧(厚度方向一侧),纸面下侧为下侧(厚度方向另一侧)。另外,纸面左右方向及深度方向为与上下方向正交的面方向。具体而言,以各图的方向箭头为基准。
<第1实施方式>
1.导电性薄膜
作为本发明的导电性薄膜的第1实施方式的导电性薄膜1例如如图1所示,呈沿面方向延伸且具有规定厚度的薄膜形状(包含片形状)。薄膜形状被定义为具有平坦的上表面(厚度方向一个面)及平坦的下表面(厚度方向另一面)的薄板形状(以下,同样)。
导电性薄膜1例如为图像显示装置所具备的触摸面板用基材等的一个部件,即不是图像显示装置。即,导电性薄膜1为用于制作图像显示装置等的部件,不含LCD模块等图像显示元件且包含后述的透明基材2、硬涂层3、光学调整层4、透明导电层5和金属层6,是以部件单独流通、产生上可利用的器件。
具体而言,如图1所示,导电性薄膜1朝上方向(厚度方向的一个方向)依次具备:透明基材2、硬涂层3、光学调整层4、透明导电层5、和金属层6。更具体而言,导电性薄膜1具备:透明基材2、配置于透明基材2的上表面的硬涂层3、配置于硬涂层3的上表面的光学调整层4、配置于光学调整层4的上表面的透明导电层5、和配置于透明导电层5的上表面的金属层6。导电性薄膜1优选包含透明基材2、硬涂层3、光学调整层4、透明导电层5、和金属层6。
以下对各层进行详细叙述。
2.透明基材
透明基材2为确保导电性薄膜1的机械强度的基材。透明基材2与硬涂层3及光学调整层4一起支撑透明导电层5及金属层6。
透明基材2例如为具有透明性的高分子薄膜。作为高分子薄膜的材料,可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物(COP)等烯烃树脂、例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂等。高分子薄膜可以单独使用或组合使用2种以上。
从透明性、耐热性、机械强度等观点出发,优选可列举出聚酯树脂、烯烃树脂,更优选可列举出PET、COP。
对于透明基材2的厚度,从机械强度、耐擦伤性、将导电性薄膜1制成触摸面板用薄膜时的打点特性等观点出发,例如为2μm以上,优选为20μm以上,另外,例如为300μm以下,优选为150μm以下。
透明基材2的厚度例如可以使用膜厚计(数字千分表,digital dial gauge)来测定。
需要说明的是,根据需要,可以在透明基材2的上表面和/或下表面设置有易粘接层、粘接剂层、隔离物等。
3.硬涂层
硬涂层3为在将多个导电性薄膜1层叠时等用于使导电性薄膜1的表面(即,金属层6的上表面)不易产生擦伤的擦伤保护层。另外,也可以作为用于对导电性薄膜1赋予抗粘连性的抗粘连层。
硬涂层3具有薄膜形状,例如,以与透明基材2的上表面接触的方式配置于透明基材2的上表面整面。更具体而言,硬涂层3以与透明基材2的上表面及光学调整层4的下表面接触的方式配置于透明基材2与光学调整层4之间。
硬涂层3例如由硬涂组合物形成。硬涂组合物含有树脂成分,优选由树脂成分形成。
作为树脂成分,例如可列举出固化性树脂、热塑性树脂(例如,聚烯烃树脂)等,优选可列举出固化性树脂。
作为固化性树脂,可列举出例如通过活性能量射线(具体而言,紫外线、电子束等)的照射发生固化的活性能量射线固化性树脂、例如通过加热发生固化的热固化性树脂等,优选可列举出活性能量射线固化性树脂。
活性能量射线固化性树脂例如可列举出分子中含有具有聚合性碳-碳双键的官能团的聚合物。作为这样的官能团,例如可列举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基(甲基丙烯酰基和/或丙烯酰基)等。
作为活性能量射线固化性树脂,具体而言,例如可列举出氨基甲酸酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外线固化性树脂。
另外,作为除活性能量射线固化性树脂以外的固化性树脂,例如,可列举出氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷系聚合物、有机硅烷缩合物等。
这些树脂成分可以单独使用或组合使用2种以上。
树脂成分中可以含有聚合引发剂等树脂添加剂。
作为聚合引发剂,例如可列举出光聚合引发剂、热聚合引发剂等自由基聚合引发剂。这些聚合引发剂可以单独使用或组合使用2种以上。
作为光聚合引发剂,例如,可列举出苯偶姻醚化合物、苯乙酮化合物、α-酮醇化合物、芳香族磺酰氯化合物、光活性肟化合物、苯偶姻化合物、苯偶酰化合物、二苯甲酮化合物、噻吨酮化合物、α-氨基酮化合物等。
作为热聚合引发剂,例如,可列举出有机过氧化物、偶氮化合物等。
硬涂组合物可以含有颗粒。
作为颗粒,可列举出无机颗粒、有机颗粒等。作为无机颗粒,可列举出例如二氧化硅(SiO2)颗粒、例如包含氧化锆(ZrO2)、钛氧化物、锌氧化物、锡氧化物等的金属氧化物颗粒、例如碳酸钙等碳酸盐颗粒等。作为有机颗粒,可列举出例如交联丙烯酸类树脂颗粒等。颗粒可以单独使用或组合使用2种以上。
硬涂组合物可以进而含有流平剂、触变剂、抗静电剂等公知的添加剂。
硬涂层3的厚度例如为0.5μm以上,优选为1μm以上,另外,例如为10μm以下,优选为3μm以下,更优选为2μm以下。硬涂层3的厚度例如可以使用膜厚计(数字千分表)来测定。
4.光学调整层
光学调整层4是为了抑制透明导电层5的布线图案的辨识并且确保导电性薄膜1优异的透明性而对导电性薄膜1的折射率进行调整的层。另外,光学调整层4也为用于提高导电性薄膜1的金属层6侧(特别是透明导电层5)与透明基材2侧(特别是硬涂层3)的密合性而抑制导电性薄膜1内部的层间剥离的密合层。
光学调整层4具有薄膜形状,例如以与硬涂层3的上表面接触的方式配置于硬涂层3的上表面整面。更具体而言,光学调整层4以与硬涂层3的上表面及透明导电层5的下表面接触的方式配置于硬涂层3与透明导电层5之间。
光学调整层4由光学调整组合物形成。光学调整组合物含有无机颗粒成分及树脂成分,优选由无机颗粒成分及树脂成分形成。即,光学调整层4为含有无机颗粒成分的树脂层,优选为由无机颗粒成分及树脂成分形成的树脂层。
作为树脂成分,例如可列举出与硬涂组合物中使用的树脂成分相同的树脂成分。优选可列举出固化性树脂,更优选可列举出活性能量射线固化性树脂。
树脂成分的含有比例相对于光学调整组合物例如为34.0质量%以上,优选为40.0质量%以上,另外,例如为60.0质量%以下,优选为50.0质量%以下,更优选为45.0质量%以下。
无机颗粒成分含有SiO2(二氧化硅)颗粒及ZrO2(氧化锆)颗粒,优选由SiO2颗粒及ZrO2颗粒形成。
SiO2颗粒及ZrO2颗粒优选均进行了表面处理。由此,能够更可靠地使SiO2颗粒及ZrO2颗粒均匀地分散于光学调整层4中。
作为SiO2颗粒的表面处理中使用的表面处理剂,例如,可列举出硅烷系偶联剂、锆系偶联剂、钛系偶联剂、磷系偶联剂、及它们的组合等。
本发明中,SiO2颗粒的表面处理以在光学调整层4中均匀地分散的方式来设计。由此,能够抑制光学调整层4中的SiO2颗粒的不均匀存在从而抑制光学调整层4的色调的产生。
作为ZrO2颗粒的表面处理中使用的表面处理剂,例如,可列举出硅烷系偶联剂、锆系偶联剂、钛系偶联剂、磷系偶联剂、及它们的组合等。
无机颗粒成分中的SiO2颗粒的含有比例例如为1.0质量%以上,优选为5.0质量%以上,更优选为10.0质量%以上,另外,例如为50.0质量%以下,优选为40.0质量%以下,更优选为30.0质量%以下。SiO2颗粒的含有比例为上述范围内时,密合性优异。
无机颗粒成分中的ZrO2颗粒的含有比例例如为50.0质量%以上,优选为60.0质量%以上,更优选为70.0质量%以上,另外,例如为99.0质量%以下,优选为95.0质量%以下,更优选为90.0质量%以下。ZrO2颗粒的含有比例为上述范围内时,能够提高光学调整层4的折射率,能够抑制透明导电层5的布线图案的辨识。
SiO2颗粒的平均粒径例如为1nm以上,优选为5nm以上,另外,例如为100nm以下,优选为50nm以下。
ZrO2颗粒的平均粒径例如为10nm以上,优选为20nm以上,另外,例如为100nm以下,优选为50nm以下。
颗粒的平均粒径表示基于体积基准的粒度分布的平均粒径(D50),例如可以利用光衍射/散射法对使颗粒分散于水中而成的溶液进行测定。
无机颗粒成分的含有比例相对于光学调整组合物(进而,光学调整层4)例如为40.0质量%以上,优选为50.0质量%以上,更优选为55.0质量%以上,另外,例如为66.0质量%以下,优选为60.0质量%以下。无机颗粒成分的含有比例为上述上限以下时,密合性优异。另外,无机颗粒成分的含有比例为上述下限以上时,能够进一步抑制透明导电层5的布线图案的辨识。
在从光学调整层4的上表面(厚度方向的一个面)4a到下侧(厚度方向另一侧)10nm为止的范围中,即,在从光学调整层4的上表面到深度10nm为止的范围中,Si元素存在比例为20%以上,优选为30%以上,另外,例如为50%以下,优选为40%以下,更优选为35%以下。
Si元素存在比例为上述下限以上时,能够提高透明导电层5与光学调整层4的密合性,进而能够抑制金属层6的剥离。
另外,将光学调整层4在厚度方向上均等地划分为3个层。即,将光学调整层4在剖面图中在上下方向上均等地分割为上层、中间层及下层。此时,具有最高Si元素存在比例的层(最大Si层)的Si元素存在比例与具有最低Si元素存在比例的层(最小Si层)的Si元素存在比例的差为15%以下,优选为10%以下,更优选为5%以下。
上述差为上述上限以下时,在光学调整层4中,能够使SiO2颗粒在厚度方向上均匀地配置,能够抑制由SiO2颗粒不均匀存在引起的反射光谱的变化。其结果,能够抑制光学调整层4的色调的产生。
Si元素存在比例为将Si及Zr的合计元素存在比例设为100%时的Si元素存在比例(Si/Si+Zr)。即,Si元素存在比例为将Si的元素存在量及Zr的元素存在量的合计设为100时的Si元素存在量的比例,通过(Si元素存在量/(Si元素存在量+Zr元素存在量)×100)来算出。
Si及Zr的元素存在量(或元素存在比例)如下来求出:使用能量色散型X射线分析系统,实施元素分析,对各元素(Si、Zr)进行映射,算出其映射的面积。
光学调整层4的折射率例如为1.60以上,优选为1.62以上,另外,例如为1.70以下,优选为1.68以下。光学调整层4的折射率为上述范围内时,能够抑制透明导电层5的布线图案的辨识。
折射率例如可以利用阿贝折射率计在波长589nm的条件下测定。
光学调整层4的厚度例如为10nm以上,优选为30nm以上,另外,例如为300nm以下,优选为150nm以下。光学调整层4的厚度为上述范围内时,能够进一步抑制透明导电层5的布线图案的辨识。
光学调整层4的厚度例如可以通过使用透射型电子显微镜对导电性薄膜1的截面进行观察来测定。
5.透明导电层
透明导电层5为用于在后面的工序中形成布线图案(后述的图案化透明导电层5A)、例如形成触摸面板的触摸输入区域中的布线图案(例如电极布线)的透明的导电层。
透明导电层5具有薄膜形状,例如,以与光学调整层4的上表面接触的方式配置于光学调整层4的上表面整面。更具体而言,透明导电层5以与光学调整层4的上表面及金属层6的下表面接触的方式配置于光学调整层4与金属层6之间。
作为透明导电层5的材料,例如可列举出包含选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W组成的组中的至少1种金属的金属氧化物。金属氧化物根据需要可以进而掺杂有上述组所示的金属原子。
透明导电层5的材料可列举出例如铟锡复合氧化物(ITO)等含铟的氧化物、例如锑锡复合氧化物(ATO)等含锑的氧化物等,优选含铟的氧化物、更优选可列举出ITO。
作为透明导电层5的材料使用ITO的情况下,锡氧化物(SnO2)含量相对于锡氧化物及铟氧化物(In2O3)的合计量例如为0.5质量%以上,优选为3质量%以上,另外,例如为15质量%以下,优选为13质量%以下。锡氧化物的含量为上述下限以上时,能够使ITO层的耐久性更良好。锡氧化物的含量为上述上限以下时,能够使ITO层的结晶转化容易,能够提高透明性、电阻率的稳定性。
本说明书中的“ITO”只要为至少包含铟(In)和锡(Sn)的复合氧化物即可,可以包含除它们以外的追加成分。作为追加成分,例如,可列举出除In、Sn以外的金属元素,具体而言,可列举出Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。
透明导电层5的厚度例如为10nm以上,优选为20nm以上,另外,例如为50nm以下,优选为30nm以下。
透明导电层5的厚度例如可以使用透射型电子显微镜对导电性薄膜1的截面进行观察来测定。
透明导电层5可以为结晶质及非晶质中的任意者,另外,也可以为结晶质及非晶质的混合体。透明导电层5优选由结晶质形成,更具体而言,为结晶质ITO层。由此,能够提高透明导电层5的透明性,另外,能够进一步降低透明导电层5的表面电阻值。
透明导电层5为结晶质例如可以如下来判断:透明导电层5为ITO层的情况下,在20℃的盐酸(浓度5质量%)中浸渍15分钟后,进行水洗·干燥,测定15mm左右之间的端子间电阻。本说明书中,在盐酸(20℃、浓度:5质量%)中的浸渍·水洗·干燥后,15mm间的端子间电阻为10kΩ以下的情况下,判断ITO层为结晶质。
透明导电层5(特别是结晶质ITO层)的表面电阻值例如不足100Ω/□,优选为80Ω/□以下,另外,例如为10Ω/□以上。表面电阻值例如可以依据JIS K7194(1994年)通过4端子法来测定。
6.金属层
金属层6为用于在后面的工序中形成为布线图案(后述的图案化金属层6A)、例如形成触摸面板的触摸输入区域的外侧(外周)的外缘部(外周缘部)的布线图案(例如引绕布线)的导电性的金属层。
金属层6为导电性薄膜1的最上层,具有薄膜形状,以与透明导电层5的上表面接触的方式配置于透明导电层5的上表面整面。
作为金属层6的材料,例如可列举出铜、镍、铬、铁、钛、或它们的合金等金属。从导电性等观点出发,优选可列举出铜。
需要说明的是,金属层6为铜等容易发生氧化的材料的情况下,其金属层6的表面可以被氧化。具体而言,金属层6为铜层的情况下,金属层6可以为在表面的一部分或全部具备铜氧化物的铜层。
金属层6的厚度例如为100nm以上,优选为150nm以上,另外,例如为400nm以下,优选为300nm以下。金属层6的厚度为上述下限以上时,能够降低金属层6的表面电阻值,导电性优异。因此,与触摸面板的大型化相对应,能够形成宽度更窄且长条的布线图案(边框部的引绕布线)。另外,金属层6的厚度为上述上限以下时,能够实现边框部的薄膜化。
金属层6的厚度例如可以通过使用透射型电子显微镜对导电性薄膜1的截面进行观察来测定。
7.导电性薄膜的制造方法
为了制造导电性薄膜1,例如,在辊对辊工序中,在透明基材2的一个面依次设置硬涂层3、光学调整层4、透明导电层5及金属层6。具体而言,一边将在长度方向上较长的透明基材2由送出辊送出并向输送方向下游侧输送,一边在透明基材2的上表面设置硬涂层3,接着,在硬涂层3的上表面设置光学调整层4,接着,在光学调整层4的上表面设置透明导电层5,接着,在透明导电层5的上表面设置金属层6,用卷取辊卷取导电性薄膜1。
以下详细进行叙述。
首先,准备卷绕于送出辊的长条的透明基材2,以卷绕于卷取辊的方式输送透明基材2。
其后,根据需要,从透明基材2与硬涂层3的密合性的观点出发,可以对透明基材2的表面实施例如溅射、电晕放电、火焰、紫外线照射、电子束照射、化学转化、氧化等蚀刻处理、底涂处理。另外,可以通过溶剂清洗、超声波清洗等对透明基材2进行除尘、洁净化。
接着,在透明基材2的上表面设置硬涂层3。例如,在透明基材2的上表面湿式涂覆硬涂组合物,由此在透明基材2的上表面形成硬涂层3。
具体而言,例如,制备将硬涂组合物用溶剂稀释而成的硬涂组合物涂布液,接着,将该涂布液涂布于透明基材2的上表面,进行干燥。
作为溶剂,例如,可列举出有机溶剂、水系溶剂(具体而言为水)等,优选可列举出有机溶剂。作为有机溶剂,可列举出例如甲醇、乙醇、异丙醇等醇化合物、例如丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等酮化合物、例如乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯化合物、丙二醇单甲醚等醚化合物、例如甲苯、二甲苯等芳香族化合物等。这些溶剂可以单独使用或组合使用2种以上。优选可列举出酯化合物、醚化合物。
涂布液中的固体成分浓度例如为1质量%以上,优选为10质量%以上,另外,例如为30质量%以下,优选为20质量%以下。
作为涂布方法,可以根据涂布液及透明基材2来适宜选择。例如,可列举出浸渍涂布法、气刀涂布法、帘式涂布法、辊涂法、线棒涂布法、凹版涂布法、喷墨法等。
干燥温度例如为50℃以上,优选为60℃以上,例如为200℃以下,优选为150℃以下。
干燥时间例如为0.5分钟以上,优选为1分钟以上,例如为60分钟以下,优选为20分钟以下。
其后,在硬涂组合物含有活性能量射线固化性树脂的情况下,在涂布液的干燥后,照射活性能量射线,由此使活性能量射线固化性树脂固化。
需要说明的是,硬涂组合物含有热固化性树脂的情况下,通过该干燥工序,能够在溶剂的干燥的同时使热固化性树脂热固化。
接着,在硬涂层3的上表面设置光学调整层4。例如,在硬涂层3的上表面湿式涂覆光学调整组合物,由此在硬涂层3的上表面形成光学调整层4。
具体而言,例如,根据需要制备将光学调整组合物用溶剂稀释而成的光学调整组合物涂布液,接着,将该涂布液涂布于硬涂层3的上表面,进行干燥。
光学调整组合物的制备、涂布、干燥等条件可列举出与硬涂组合物中例示出的制备、涂布、干燥等条件相同者。
其后,在光学调整组合物含有活性能量射线固化性树脂的情况下,在涂布液的干燥后,照射活性能量射线,由此使活性能量射线固化性树脂固化。
另外,光学调整组合物含有热固化性树脂的情况下,通过该干燥工序,能够在溶剂的干燥的同时使热固化性树脂热固化。
特别是本发明中,作为光学调整组合物,使用如下的光学调整组合物:将光学调整层在厚度方向上均等地划分为3个层时,具有最高Si元素存在比例的层的Si元素存在比例与具有最低Si元素存在比例的层的Si元素存在比例的差为15%以下。这样的光学调整组合物从含有SiO2颗粒、ZrO2颗粒及树脂成分的公知或市售的光学用功能性涂布材料中适宜选择使用即可。作为这样的光学用功能性涂布材料,具体而言,例如,可列举出荒川化学株式会社制的“RA026”、“RA043”等。
接着,在光学调整层4的上表面设置透明导电层5。例如,通过干式方法在光学调整层4的上表面形成透明导电层5。
作为干式方法,例如可列举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等。优选可列举出溅射法。通过该方法,能够形成为薄膜且厚度均匀的透明导电层5。
对于溅射法,在真空腔室内将靶及被粘物(层叠有光学调整层4及硬涂层3的透明基材2)相对配置,供给气体,并且由电源施加电压,由此将气体离子加速并照射到靶上,使靶材料从靶表面弹出,使该靶材料层叠于被粘物表面。
作为溅射法,例如,可列举出二极溅射法、ECR(电子回旋共振)溅射法、磁控溅射法、离子束溅射法等。优选可列举出磁控溅射法。
采用溅射法的情况下,作为靶材料,可列举出构成透明导电层5的上述金属氧化物等,优选可列举出ITO。对于ITO的锡氧化物浓度,从ITO层的耐久性、结晶化等观点出发,例如为0.5质量%以上,优选为3质量%以上,另外,例如为15质量%以下,优选为13质量%以下。
作为气体,例如,可列举出Ar等非活性气体。另外,根据需要,可以组合使用氧气等反应性气体。组合使用反应性气体的情况下,反应性气体的流量(sccm)没有特别限定,相对于溅射气体及反应性气体的合计流量,例如为0.1流量%以上且5流量%以下。
对于溅射时的气压,从抑制溅射速率的降低、放电稳定性等观点出发,例如为1Pa以下,优选为0.1Pa以上且0.7Pa以下。
电源例如可以为DC电源、AC电源、MF电源及RF电源中的任意者,另外可以为它们的组合。
接着,在透明导电层5的上表面设置金属层6。例如,通过干式方法在透明导电层5的上表面形成金属层6。
作为干式方法,可列举出与以上在透明导电层5的形成中叙述的方法同样的方法,优选可列举出溅射法。通过该方法,能够形成即使为厚膜也具有均匀的厚度的金属层6。
金属层6的溅射法的条件也可列举出与透明导电层5的形成中例示的条件相同者。
需要说明的是,作为靶材料,可列举出构成金属层6的上述金属等,优选可列举出铜。
这样,得到如图1所示那样具备透明基材2、硬涂层3、光学调整层4、透明导电层5、及金属层6的导电性薄膜1。
需要说明的是,根据需要,可以对导电性薄膜1的透明导电层5实施结晶转化处理。对于结晶转化处理,可以对得到的导电性薄膜1来实施,另外,也可以对层叠金属层6前的导电性薄膜1(中间层叠体、即透明基材2/硬涂层3/光学调整层4/透明导电层5的层叠体)实施。
具体而言,对导电性薄膜1或中间层叠体在大气下实施加热处理。
加热处理例如可以使用红外线加热器、烘箱等来实施。
加热温度例如为100℃以上,优选为120℃以上,另外,例如为200℃以下,优选为160℃以下。加热温度为上述范围内时,能够抑制透明基材2的热损伤及由透明基材2产生的杂质,并且能够可靠地进行结晶转化。
加热时间根据加热温度来适宜决定,例如为10分钟以上,优选为30分钟以上,另外,例如为5小时以下,优选为3小时以下。
由此,能够得到具备进行了结晶化的透明导电层5的导电性薄膜1。
需要说明的是,上述工序中,可以在每个层的形成时卷绕在卷取辊上。另外,也可以不卷绕而连续地实施直到硬涂层3、光学调整层4、透明导电层5及金属层6的形成为止,在金属层6的形成后卷绕在卷取辊上。
需要说明的是,根据需要,可以在结晶转化处理之前或之后用公知的蚀刻方法将透明导电层5和/或金属层6图案化为条纹状等布线图案。
对透明导电层5及金属层6进行蚀刻的情况下,可以同时对它们进行蚀刻,另外,也可以分别进行蚀刻,从能够使透明导电层5及金属层6分别可靠地形成各自的图案的观点出发,优选分别对它们进行蚀刻。
例如,首先,以在金属层6的俯视周端部(例如,与引绕布线相当的区域)形成期望的布线图案(例如,引绕布线)的方式,通过蚀刻将金属层6(特别是俯视中央部)去除。接着,通过蚀刻将从金属层6露出的透明导电层5(特别是俯视中央部)以形成期望的布线图案(例如,触摸输入区域中的布线图案)的方式去除。
由此,如图2所示,作为导电性薄膜1的一实施方式,得到具备透明基材2、硬涂层3、光学调整层4、图案化透明导电层5A、及图案化金属层6A的图案化导电性薄膜1A。
需要说明的是,图案化金属层6A形成俯视框形状的边框部,图案化透明导电层5A在图案化金属层6A内形成规定的布线图案。
8.触摸面板
导电性薄膜1例如被用于图像显示装置所具备的触摸面板用基材。作为触摸面板的形式,例如,可列举出静电电容方式、电阻膜方式等各种方式,特别适合用于静电电容方式的触摸面板。具体而言,例如,通过将图案化导电性薄膜1A配置在保护玻璃等保护基材上,从而用作触摸面板。
另外,导电性薄膜1例如也可以适宜用于电泳方式、扭转球方式、热·可改写方式、光学写入液晶方式、高分子分散型液晶方式、宾·主液晶方式、调色剂显示方式、变色方式、电场析出方式等的柔性显示元件。
9.作用效果
该导电性薄膜1朝向上侧依次具备透明基材2、光学调整层4、透明导电层5及金属层6。另外,光学调整层4含有SiO2颗粒、ZrO2颗粒及树脂成分。因此,能够抑制在使透明导电层5形成布线图案(例如,触摸面板的触摸输入区域中的图案;图案化透明导电层5A)时该布线图案的辨识。
另外,从光学调整层4的上表面4a到下侧10nm为止的范围中,将Si及Zr的合计元素存在比例设为100%时的Si元素存在比例为20%以上。
因此,透明导电层5(无机层)与光学调整层4(有机层)的界面的密合性提高。因此,能够抑制金属层6与光学调整层4一起从透明基材2剥离。
另外,将光学调整层4在厚度方向上均等地划分为3个层时,具有最高Si元素存在比例的层的Si元素存在比例与具有最低Si元素存在比例的层的Si元素存在比例的差为15%以下。因此,在光学调整层4中,SiO2颗粒在厚度方向均匀地存在,能够抑制由SiO2颗粒的不均匀存在引起的光学调整层4的光学特性的变化,具体而言能够抑制色调的产生。
需要说明的是,为了对光学调整层4赋予密合功能,本发明人等研究了在具有ZrO2颗粒的光学调整层4中配混SiO2颗粒,结果新发现了,由于ZrO2颗粒与SiO2颗粒的关系,SiO2颗粒在厚度方向不均匀存在,从而会对光学调整层4的光学特性产生影响。具体而言,发现,仅具有ZrO2颗粒作为无机颗粒的光学调整层4的反射光谱的峰位置因配混SiO2颗粒而发生大幅变化,从而对光学调整层4的色调产生影响。基于该见解,本发明人等着眼于光学调整层4内部的Si元素存在比例,通过采用上述构成,从而抑制光学调整层4的光学特性的降低、并且抑制金属层6的剥离。
<变形例>
图1所示的实施方式中,导电性薄膜1具备硬涂层3,例如,如图3所示,导电性薄膜1也可以不具备硬涂层3。
即,图3所示的导电性薄膜1包含透明基材2、光学调整层4、透明导电层5和金属层6。
另外,图2所示的实施方式中,图案化导电性薄膜1具备硬涂层3,但例如,如图4所示,导电性薄膜1也可以不具备硬涂层3。即,图4所示的导电性薄膜1包含透明基材2、光学调整层4、图案化透明导电层5A、和图案化金属层6A。
该实施方式中也发挥与图1及图2所示的实施方式同样的作用效果。从耐擦伤性的观点出发,优选可列举出图1及图3所示的实施方式。
另外,图1及图2所示的实施方式中,透明基材2的下表面露出,但例如虽然未图示,但也可以在透明基材2的下表面进而具备硬涂层3、光学调整层4、透明导电层5及金属层6的全部或一部分。
该实施方式中也发挥与图1及图2所示的实施方式同样的作用效果。
[实施例]
以下示出实施例及比较例,更具体地对本发明进行说明。需要说明的是,本发明不受实施例及比较例的任何限定。以下的记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等具体的数值可以替换为上述的“具体实施方式”中记载的、与它们相对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等该记载的上限值(被定义为“以下”、“不足”的数值)或下限值(被定义为“以上”、“超过”的数值)。
(实施例1)
作为长条的透明基材,准备厚度55μm的环烯烃聚合物薄膜(COP薄膜、Nippon ZeonCorporation制、“ZEONOR ZF16”)。
将紫外线固化型丙烯酸类树脂(DIC株式会社制、“ELS888”)100质量份、光聚合引发剂(BASF公司制、“Irgacure184”)2质量份及乙酸乙酯160质量份混合,制备硬涂组合物涂布液。在COP薄膜的上表面涂布硬涂组合物涂布液,在80℃、1分钟的条件下干燥,照射紫外线。由此,在COP薄膜的上表面形成厚度2度的的硬涂层。
在光学调整组合物(荒川化学工业株式会社制、“RA026”)100质量份中混合丙二醇单甲醚700质量份,制备光学调整组合物涂布液。在硬涂层的上表面涂布光学调整组合物涂布液,在60℃、1分钟的条件下干燥,照射紫外线。由此,在硬涂层的上表面形成厚度80nm的光学调整层。
需要说明的是,光学调整组合物(荒川化学工业株式会社制、“RA026”)的固体成分为无机颗粒成分59.5质量%及树脂成分(丙烯酸系紫外线固化性树脂)40.5质量%。另外,无机颗粒成分的比例为SiO2颗粒(平均粒径10nm)14.25质量%及ZrO2颗粒(平均粒径25nm)85.75质量%。
接着,将COP薄膜/硬涂层/光学调整层的层叠体投入到卷取式溅射装置中,在光学调整层的上表面形成厚度为30nm的ITO层(非晶质)。具体而言,在导入有氩气98%及氧气2%的气压0.4Pa的真空气氛下使用由97质量%的铟氧化物及3质量%的锡氧化物的烧结体形成的ITO靶,对光学调整层实施溅射。
接着,将COP薄膜/硬涂层/光学调整层/ITO层(非晶质)的层叠体投入到卷取式溅射装置中,在ITO层的上表面形成厚度为200nm的铜层。具体而言,在导入有氩气的气压0.4Pa的真空气氛下、使用由无氧铜形成的Cu靶,对ITO层实施溅射。
由此,制作实施例1的导电性薄膜。
(实施例2)
光学调整层的形成中,作为光学调整组合物,使用荒川化学工业株式会社制的“RA043”,除此以外,与实施例1同样地操作,制作导电性薄膜。
需要说明的是,荒川化学工业株式会社制的“RA043”的固体成分为无机颗粒成分53.5质量%及树脂成分(丙烯酸系紫外线固化性树脂)46.5质量%。另外,无机颗粒成分的比例为SiO2颗粒(平均粒径10nm)26.63质量%及ZrO2颗粒(平均粒径25nm)73.37质量%。SiO2颗粒及ZrO2颗粒实施了与实施例1同样的表面处理。
(比较例1)
光学调整层的形成中,作为光学调整组合物,使用荒川化学工业株式会社制的“OPSTAR KZ6961”,除此以外,与实施例1同样地操作,制作导电性薄膜。
需要说明的是,荒川化学工业株式会社制的“OPSTAR KZ6961”的固体成分为无机颗粒成分59.5质量%及树脂成分(丙烯酸系紫外线固化性树脂)40.5质量%。另外,无机颗粒成分的比例为SiO2(平均粒径10nm)14.25质量%及ZrO2颗粒(平均粒径25nm)85.75质量%。
(比较例2)
光学调整层的形成中,作为光学调整组合物,使用TOYO INK CO.,LTD.制的“TYZ64-A03”,除此以外,与实施例1同样地操作,制作导电性薄膜。
(比较例3)
光学调整层的形成中,作为光学调整组合物,使用荒川化学工业株式会社制的“RA001”,除此以外,与实施例1同样地操作,制作导电性薄膜。
需要说明的是,荒川化学工业株式会社制的“RA001”的固体成分为无机颗粒成分53.5质量%及树脂成分(丙烯酸系紫外线固化性树脂)46.5质量%。另外,无机颗粒成分的比例为SiO2颗粒(平均粒径10nm)26.63质量%及ZrO2颗粒(平均粒径25nm)73.37质量%。
(比较例4)
光学调整层的形成中,作为光学调整组合物,使用荒川化学工业株式会社制的“OPSTAR KZ6956”,除此以外,以实施例1同样地操作,制作导电性薄膜。
需要说明的是,荒川化学工业株式会社制的“OPSTAR KZ6956”的固体成分为无机颗粒成分51.7质量%及树脂成分(丙烯酸系紫外线固化性树脂)48.3质量%。另外,无机颗粒成分的比例为ZrO2颗粒(平均粒径25nm)100质量%。
(各层的厚度)
对于厚度不足1.0μm的层,使用透射型电子显微镜(日立制作所株式会社制、“H-7650”)观察导电性薄膜的截面而测定。对于厚度为1.0μm以上的层,使用膜厚计(Peacock公司制数字千分表DG-205)进行测定。
(光学调整层的折射率)
使用阿贝折射率计(ATAGO CO.,LTD.制),测定光学调整层的波长589nm的折射率。将结果示于表1。
(光学调整层的元素分析)
用切片机(“UC7”、Leica micromaterials公司制)由各实施例及各比较例中得到的导电性薄膜制作呈超薄切片的试样。对于该试样的光学调整层部分,使用能量色散型X射线分析系统(“NORAN System7”、Thermo FisherScientific公司制)实施Si及Zr的元素分析。其后,用搭载于上述X射线分析系统的软件实施元素映射,算出Si的元素存在比例。
此时,使光学调整层内的Si元素着色为绿色、使Zr元素着色为红色,将绿色的面积及红色的面积分别作为Si元素存在量及Zr元素存在量。然后,将Si元素存在量及Zr元素存在量的合计设为100,算出Si元素存在量的比例。即,通过式“Si元素存在量/(Si元素存在量及Zr元素存在量)×100”算出Si元素存在比例。
对于Si元素存在比例,将各光学调整层在上下方向上均等地分割为上层、中间层及下层的3部分,对于3层分别进行计算。
另外,对从光学调整层的上表面到深度10nm为止的范围,也同样地算出Si元素存在比例。
将它们的结果示于表1。另外,将对实施例1、比较例2及比较例3的光学调整层的TEM截面图进行元素映射时的图像示于图5~图7。
(密合性;铜层的非剥离性)
对各实施例及各比较例中得到的导电性薄膜的铜层的表面,以形成100个1mm见方的棋盘格(10行×10列)的方式用切割刀切成棋盘格状。接着,重复2次如下工序:在切出切缝的铜层表面贴附粘合带(积水化学工业株式会社制、“Cellotape(注册商标)No.252”)后进行剥离。目视观察此时的铜层的表面,如下地评价密合性。将结果示于表1。
5:完全未看到铜层的剥离(剥离面积不足1%)。
4:在棋盘格的切缝周边观察到缺损的程度(剥离面积为1%以上且不足10%)。
3:铜层的剥离面积为10%以上且不足40%。
2:铜层的剥离面积为40%以上且不足60%。
1:铜层的剥离面积为60%以上且不足80%。
0:铜层的剥离面积为80%以上。
(光学调整层的光学特性:峰反射率的变化)
各实施例及各比较例中,准备形成铜层及ITO层前的薄膜(COP薄膜/硬涂层/光学调整层的层叠体)。用分光光度计(“U4100”、HitachiHigh-Technologies Corporation制)取得各薄膜的波长200nm~800nm的反射光谱。将各实施例及各比较例的反射光谱以各反射光谱的底部位置一致的方式重合。接着,算出比较例4的反射光谱(ZrO2颗粒100质量%的光谱)的最大峰位置的反射率和各实施例及各比较例的反射光谱的最大峰位置的反射率。
将这些最大峰反射率的差不足1.0%的情况评价为〇,将1.0%以上且不足5.0%的情况评价为△,将为5.0%以上的情况评价为×。将结果示于表1。
需要说明的是,反射光谱的最大峰反射率的差越大,与以往的光学调整层(作为无机颗粒含有100质量%的ZrO2颗粒)所具有的光学特性越不同,因此越产生色调(青色、黄色的呈色)。因此,要求优选不足1.0%。
(布线图案的辨识抑制)
将各实施例及各比较例中得到的导电性薄膜切成10cm×10cm,在该导电性薄膜的金属层上配置规定图案的干膜抗蚀剂,仅将金属层蚀刻后,去除抗蚀剂。由此,仅在周端缘将与边框的引绕布线相当的金属层图案化。
接着,在导电性薄膜的除边框以外的俯视中央的ITO层配置规定图案的干膜抗蚀剂,仅将ITO层蚀刻后,去除抗蚀剂。由此,在俯视中央将与布线图案相当的ITO层图案化(参照图2)。
在LED光源下从倾斜45度方向目视观察所得的图案化导电性薄膜的布线图案。
将未确认到布线图案的情况评价为○,将稍微确认到布线图案的情况评价为△,将明确确认到布线图案的情况评价为×。将结果示于表1。
[表1]
Claims (4)
1.一种导电性薄膜,其特征在于,在厚度方向的一个方向上依次具备透明基材、光学调整层、透明导电层及金属层,
所述光学调整层含有SiO2颗粒、ZrO2颗粒及树脂成分,
在从所述光学调整层的厚度方向一个面到厚度方向另一侧10nm为止的范围中,将Si及Zr的合计元素存在比例设为100%时的Si元素存在比例为20%以上,
将所述光学调整层在厚度方向上均等地划分为3个层时,具有最高Si元素存在比例的层的Si元素存在比例与具有最低Si元素存在比例的层的Si元素存在比例之差为15%以下。
2.根据权利要求1所述的导电性薄膜,其特征在于,所述光学调整层的厚度为30nm以上且150nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜,其特征在于,还具备配置在所述透明基材与所述光学调整层之间的硬涂层。
4.一种触摸面板,其特征在于,具备权利要求1~3中任一项所述的导电性薄膜。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200512 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |