WO2015025852A1 - 研磨ヘッド及び研磨処理装置 - Google Patents
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Definitions
- the relative speed and pressing force between the surface of the substrate (hereinafter referred to as “surface to be polished”) and the polishing pad are subjected to the entire surface of the surface to be polished. If it is not uniform, uneven polishing, insufficient polishing or overpolishing will occur. In addition, since the polishing pad has low elasticity, the pressing force applied to the vicinity of the outer peripheral edge of the substrate may be non-uniform, resulting in a roll-off state in which only the vicinity of the outer peripheral edge is overpolished.
- Patent Document 2 the semiconductor wafer disclosed in Patent Document 2 must be polished in a specific polishing apparatus.
- the polishing conditions that change depending on the operation status of the polishing processing apparatus, and even the same type of polishing processing apparatus may have a unique “fake”, so there remains a problem that it is necessary to deal with these. .
- (A), (b) is a figure for demonstrating distribution of the pressing force by the grinding
- substrate edge part changes with the difference in the mounting state of an elastic film.
- polishing processing apparatus The figure which shows an example of a structure of the polishing head which concerns on 2nd Embodiment.
- the polishing pad 12 is disk-shaped, and its radius is larger than the diameter of the surface to be polished of the substrate W. In this mechanism, the rotational speed and direction of the polishing pad 12 and the polishing head 13 are changed to adjust the relative polishing speed in the surface of the substrate W.
- the polishing pad 12 itself has elasticity, and a commercially available material such as a non-woven fabric or a urethane foam can be used.
- FIG. 3 is a schematic longitudinal sectional view of the polishing head 13.
- the polishing head 13 roughly includes a holding mechanism, a pressing mechanism, and a torque transmission mechanism.
- the lid 131 includes an annularly formed lid portion, a portion formed in a ring shape so that the respective center axes coincide with each other in the vicinity of the center on the upper bottom surface side of the lid portion, and the outer periphery on the lower bottom surface side. It is formed including a part formed in a ring shape so that the central axes coincide. A portion formed in a ring shape on the upper bottom surface side is connected to a drive mechanism (not shown). Further, an arm AM having a drive pin D1 is disposed at a portion formed in a ring shape on the lower bottom surface side.
- the elastic body 137 is a low-elasticity body formed of a low-elasticity / low-repulsive material such as polyurethane rubber or silicon rubber, for example, and is a sponge formed in a columnar shape using these materials.
- the pressing force of the first pressing body and the pressing force of the second pressing body are applied to the substrate W through the elastic body 137.
- only uniform shape pressure could be applied to the substrate W. That is, by adopting a configuration in which a pressing force is applied to the substrate W through the elastic body 137, each of the lower bottom surface of the first pressure disk 134 and the lower bottom surface of the second pressure disk 135 can be formed in an arbitrary shape. it can.
- the outer peripheral end of the surface to be polished is in sliding contact with the polishing pad 12 on the outer peripheral side from the vertically lower side of the outer peripheral end of the pressing surface. Therefore, the pressing force is diffused and propagated in the substrate W, and the stress applied to the surface to be polished is substantially uniform from the center portion to the start end of the chamfer portion (diffuse propagation of Hertz stress). Thereby, roll-off can be prevented.
- the first pressure disk 134 receives the pressing force generated by the first airbag 132 and presses the elastic body 137. Further, the second pressure disk 135 receives the pressing force generated by the second airbag 133 and presses the elastic body 137.
- a pressing force having a pressing force distribution corresponding to the shape of the lower bottom surface of the first pressure disk 134 and the shape of the lower bottom surface of the second pressure disk 135 is applied from the elastic film 138 to the substrate W through the elastic body 137. Will be.
- FIG. 5A shows a configuration example of a general polishing head that does not depend on the polishing head 13 of the present embodiment
- FIG. 5B shows the distribution of the pressing force applied to the substrate W in this case. It explains using.
- FIG. 7 is a diagram for explaining the distribution of the pressing force by the polishing head 13 according to the present embodiment.
- FIG. 7A is a schematic diagram showing the distribution of the pressing force P that prevents the surface to be polished of the substrate W from becoming a ⁇ shape.
- the pressing force P represents the strength of the pressing force by the length of the arrow line. For example, if the length of the arrow line is relatively long, a relatively strong pressing force is applied.
- the distribution of the pressing force P shown in FIG. A pressing force P having a different strength is applied according to the above.
- the shape of the contact surface of the first pressure disk 134 that contacts the elastic body 137 is formed in a convex shape with a portion in the vicinity of the center thereof facing the elastic body 137 side. .
- the elastic body 137 is pressed strongly in the vicinity of the central portion of the first pressure disk 134, resulting in a relatively strong pressing force, and a relatively weak pressing force in the vicinity of the outer periphery.
- the pressing force P3 applied to the back side of the surface to be polished of the substrate W has a distribution as shown in FIG.
- the shape of the contact surface of the second pressure disk 135 in contact with the elastic body 137 is formed in a concave shape as shown in FIG.
- FIG. 9B shows a mounted state of the elastic film 138 in the polishing head 13 of the present embodiment.
- the elastic film 138 shown in FIG. 9B is fitted on the outer peripheral surface of the top ring 136, and only the portion of the outer peripheral surface of the top ring 136 in contact with the elastic film 138 is bonded.
- the elastic film is lifted upward from the outer peripheral side end of the bottom surface of the polishing head.
- the distance between the material mechanical fixed end and the end of the substrate W is defined as a clearance L2.
- the adhesion surface between the top ring 136a and the elastic film 138 shown in FIG. 10 (a1) is the outer peripheral surface portion and the lower bottom surface portion.
- the cross-sectional shape of the substrate W when the polishing process is performed is a cross-sectional shape A shown in FIG. 10A2, and it can be seen that the vicinity of the center is affected by “buckling torsion”. . Further, it can be seen from the cross-sectional shape A that the polished surface is asymmetrical.
- the top ring 136b shown in FIG. 10 (b1) has an inner peripheral side of its lower bottom surface not in contact with the elastic film 138 so that the area of the adhesive surface with the elastic film 138 is smaller than that of the top ring 136a. Is formed.
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Abstract
研磨ヘッド(13)の押圧機構は、弾性体(137)と接する接面の中心付近の部位がこの弾性体(137)側に凸型形状に形成された第1圧力円板(134)と第1エアバック(132)とを含んで構成される第1の押圧体と、この第1圧力円板(134)をその内周側に配備する筒形状に形成され、且つ、弾性体(137)と接する接面の外縁付近の部位がこの弾性体(137)側に凹型形状に形成された第2圧力円板(135)と第2エアバック(133)とを含んで構成される第2の押圧体を含む。第1エアバック(132)及び第2エアバック(133)それぞれに圧力流体を封入し、基板(W)の背面方向に向けて圧力流体の量に応じて発生した第1の押圧体及び第2の押圧体の押圧力は、それぞれ弾性体(137)を通じて基板(W)の背面側に付与される。
Description
本発明は、半導体ウェーハ又はガラス基板などの基板を研磨して平坦化するための研磨ヘッド及び研磨処理装置に関する。
近年、半導体デバイスの製造工程においては、基板の高集積化に伴い、基板表面の平坦化技術がますます重要になっている。この平坦化技術のうち、最も重要な技術は、化学的機械的研磨(CMP(Chemical Mechanical Polishing))である。この化学的機械的研磨は、研磨処理装置(ポリッシング装置とも呼ばれる)を用いて、シリカ(SiO2)等の砥粒を含んだ研磨液を研磨パッド等の研磨面上に供給しつつ、基板を研磨面に摺接させて研磨処理を行うものである。
このような研磨処理装置では、基板の研磨処理の対象となる面(以下、「被研磨面」という)と研磨パッドとの間の相対的な速度及び押圧力が被研磨面の全面に亘って均一でないと、研磨ムラ、研磨不足あるいは過研磨が生じてしまう。また、上記研磨パッドは低弾性を有するため、基板の外周端近傍に与えられる押圧力が不均一となり、外周端近傍のみが過研磨されるロールオフ状態となる場合がある。
なお、基板の保持面をゴム等の低弾性材からなる弾性膜(メンブレンとも呼ばれる)で形成し、弾性膜の裏面に空気圧等の流体圧を加え、基板に与える押圧力を全面に亘って均一化しようとすることも行われている。
なお、基板の保持面をゴム等の低弾性材からなる弾性膜(メンブレンとも呼ばれる)で形成し、弾性膜の裏面に空気圧等の流体圧を加え、基板に与える押圧力を全面に亘って均一化しようとすることも行われている。
基板表面の平坦度合の評価指標(フラットネス評価指標)として、GBIR(Global Backsurface-referenced Ideal plane/Range)、SFQR(Site Frontsurface referenced least sQuares/Range)などがある。GBIRは、裏面基準のグローバルフラットネス指標であり、周縁部を除いて画定される全ウェーハ表面に関する平坦性の評価に使用される。GBIRは、半導体ウェーハの裏面を基準面とした場合、この基準面に対する半導体ウェーハの表面の最大、最小の厚さ偏差の幅と定義される。SFQRは、表面基準のサイトフラットネス指標であり、各サイト毎に評価される。SFQRは、半導体ウェーハ表面上に任意の寸法(例えば26[mm]×8[mm])のセルを決め、このセル表面について最小2乗法により求めた面を基準面としたときの、この基準面からの正および負の偏差の範囲と定義される。また、SFQRmaxの値は所与のウェーハ上の各サイト中のSFQRの最大値を表す。これらのフラットネス評価指標で表される平坦度合の高い研磨処理が行える研磨処理装置が求められる。
基板の研磨量を均一にするという観点からは、特許文献1に開示されたウェーハ研磨装置がある。このウェーハ研磨装置では、ウェーハの外周部がウェーハ厚さ方向へ弾性変形可能な状態でウェーハを保持しつつ研磨を行う。そのため、ウェーハの外周部において研磨パッドとの当接圧力が相対的に高くなると、その当接圧力に応じてウェーハ外周部が研磨パッドから逃れる方向へ弾性変形し、ウェーハ外周部の過研磨を緩和する、というものである。
また、特許文献2に開示された半導体ウェーハは、複数のフラットネス評価指標を同時に満たすために、予め研磨ムラ、研磨不足あるいは過研磨が生じることを前提に、これを見越した形状に半導体ウェーハを形成する、というものである。
しかしながら、特許文献1に開示されたウェーハ研磨装置では、弾性変形によりウェーハ外周部の過研磨が緩和されるが、それ以外のウェーハの研磨部位については従来の研磨処理と同じである。そのため、被研磨面での特定部分におけるGBIR、SFQRの向上が図れない、という課題が残る。
また、特許文献2に開示された半導体ウェーハでは、特定の研磨処理装置において研磨処理を行わなければならない。また、研磨処理装置の稼働状況によって変化する研磨条件、同一種類の研磨処理装置であっても固有の「くせ」を持っている場合もあるため、これらに対処する必要がある、という問題が残る。
本発明は、基板の被研磨面の研磨ムラ、研磨不足あるいは過研磨を防止することができる研磨処理装置及びその構成装置を提供することを、主たる課題とする。また、基板の被研磨面の全面に亘って所望の押圧力を与えることにより、基板表面のGBIR、SFQRの向上を図ることができる研磨処理装置及びその構成装置を提供する。
上記課題を解決する本発明の研磨ヘッドは、水平に回転する研磨面を有する研磨処理装置に設けられる研磨ヘッドであって、研磨処理の対象となる基板を、その被研磨面が前記研磨面に摺接するように保持する保持機構と、この保持機構に保持された基板を前記被研磨面の背面側から前記研磨面の方向に押圧する押圧機構とを備えており、前記押圧機構は、圧力流体が封入されることにより前記基板の背面方向に向けて当該圧力流体の量に応じた押圧力が生じるように形成された押圧体と、この押圧体に接して配備された弾性体と、当該押圧体に前記圧力流体を供給する流体供給機構とを含み、前記押圧体は、筒状の第1の押圧体と、この第1の押圧体を囲むように配備される環状の第2の押圧体とを含んで構成され、前記第1の押圧体は、前記弾性体と接する接面の中心付近の部位が当該弾性体側に突出した形状に形成されており、前記第2の押圧体は、前記弾性体と接する接面のうち外周側の部位が当該弾性体側に突出した形状に形成されており、前記第1の押圧体及び前記第2の押圧体それぞれ個別に前記圧力流体が封入されることにより生じた前記押圧力が、それぞれ前記弾性体を通じて前記保持機構に保持された前記基板の背面側に付与されるように構成されていることを特徴とする。
また、本発明の研磨処理装置は、円形又は略円形の研磨面を有する研磨テーブルと、研磨処理対象となる基板を保持して該基板の円形の被研磨面を前記研磨面に摺接させる研磨ヘッドと、前記研磨ヘッド及び前記研磨テーブルの少なくとも一方を水平に回転させる駆動機構とを有し、 前記研磨テーブルは、前記研磨面の半径が前記基板の被研磨面の直径よりも大きく構成されており、前記研磨ヘッドは、前記基板を、その被研磨面が前記研磨面に摺接するように保持する保持機構と、圧力流体が封入されることにより前記基板の背面方向に向けて当該圧力流体の量に応じた押圧力が生じるように形成された押圧体と、この押圧体と接して配備された弾性体と、当該押圧体に圧力流体を供給する流体供給機構とを含み、前記押圧体は、筒状の第1の押圧体と、この第1の押圧体を囲むように配備される環状の第2の押圧体とを含んで構成され、当該第1の押圧体は、前記弾性体と接する接面の中心付近の部位が当該弾性体側に突出した形状に形成されており、当該第2の押圧体は、前記弾性体と接する接面のうち外周側の部位が当該弾性体側に突出した形状に形成されており、当該第1の押圧体及び当該第2の押圧体それぞれ個別に圧力流体が封入されることにより生じた押圧力が、それぞれ当該弾性体を通じて前記保持機構に保持された基板の背面側に付与されるように構成された押圧機構と、を有することを特徴とする。
本発明の研磨ヘッドによれば、研磨処理装置において、弾性体を通じて基板の被研磨面の全面に亘って所望の押圧力を不連続部の無い状態で与えることができる。そのため、押圧力の過不足によって生じる研磨ムラ、研磨不足、過研磨などが防止されるという格別の効果を奏することができる。したがって、基板表面のGBIR、SFQRの更なる向上を図ることができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態例を説明する。
ここで、本発明者らは子細に検討した結果、一般的な研磨処理装置による研磨処理では、(1)基板の表面(被研磨面)プロファイルが、後述するω(オメガ)形状に形成される傾向がある事、(2)トップリングでのメンブレンの回転座屈による研磨擾乱が発現する事を見出した。本発明者らは、このω形状と形状擾乱が、GBIR、SFQRの評価結果を悪化させる要因であることを見出し、同時にそれらの要因発現を解明した。被研磨面がω形状であるとは、被研磨面の中心部付近と外周付近の部位が、他の部位と比較して突出している様な形状となっていることをいう。なお、基板外周部が突出した状態を、基板外周部の「立ち上がり」と称する場合がある。
本発明者らは、また、研磨処理の際の基板自身の円板内座屈(面内座屈)現象が要因となりω形状に形成されることも見出した。詳細については後述するが、研磨処理の際に研磨パッドに押圧されて回転している基板は、リテーナリングにより外方への飛び出しが規制される。そのため、基板には面内力が面方向(基板の回転軸に対し垂直方向)に作用し、リテーナリングとの反力で面内座屈が発生することがわかった。以下、これらの知見に基づき、GBIR、SFQRの向上を図ることができる研磨処理装置について説明する。
ここで、本発明者らは子細に検討した結果、一般的な研磨処理装置による研磨処理では、(1)基板の表面(被研磨面)プロファイルが、後述するω(オメガ)形状に形成される傾向がある事、(2)トップリングでのメンブレンの回転座屈による研磨擾乱が発現する事を見出した。本発明者らは、このω形状と形状擾乱が、GBIR、SFQRの評価結果を悪化させる要因であることを見出し、同時にそれらの要因発現を解明した。被研磨面がω形状であるとは、被研磨面の中心部付近と外周付近の部位が、他の部位と比較して突出している様な形状となっていることをいう。なお、基板外周部が突出した状態を、基板外周部の「立ち上がり」と称する場合がある。
本発明者らは、また、研磨処理の際の基板自身の円板内座屈(面内座屈)現象が要因となりω形状に形成されることも見出した。詳細については後述するが、研磨処理の際に研磨パッドに押圧されて回転している基板は、リテーナリングにより外方への飛び出しが規制される。そのため、基板には面内力が面方向(基板の回転軸に対し垂直方向)に作用し、リテーナリングとの反力で面内座屈が発生することがわかった。以下、これらの知見に基づき、GBIR、SFQRの向上を図ることができる研磨処理装置について説明する。
本実施形態の研磨処理装置は、半導体ウェーハやガラス基板のような基板を研磨処理対象となる基板とする。本明細書では、この基板の一方の表面を円形又は略円形の被研磨面とする。
研磨処理装置は、研磨部材となる研磨パッドが接着され、この研磨パッドを水平に回転させるための研磨テーブルと、基板の被研磨面を研磨パッドに対向させて摺接させるための研磨ヘッドとを有している。
基板は、研磨ヘッドにより研磨パッドに押圧される。そして、研磨パッドに研磨液(スラリー)を供給しながら研磨テーブルと研磨ヘッドの少なくとも一方を回転させることにより、被研磨面の研磨処理を行う。以下、この研磨処理装置の実施の形態例を説明する。
研磨処理装置は、研磨部材となる研磨パッドが接着され、この研磨パッドを水平に回転させるための研磨テーブルと、基板の被研磨面を研磨パッドに対向させて摺接させるための研磨ヘッドとを有している。
基板は、研磨ヘッドにより研磨パッドに押圧される。そして、研磨パッドに研磨液(スラリー)を供給しながら研磨テーブルと研磨ヘッドの少なくとも一方を回転させることにより、被研磨面の研磨処理を行う。以下、この研磨処理装置の実施の形態例を説明する。
[第1実施形態]
図1は、研磨処理装置1の概略構成図である。図1に示す研磨処理装置1は、研磨テーブル11の表面部に研磨パッド12が接着されており、基板Wを保持してその被研磨面を研磨パッド12に押圧する研磨ヘッド13の他、研磨液を研磨パッド12に向けて供給するためのノズルN、研磨テーブル11及び研磨ヘッド13をそれぞれ水平に回転させるためのモータ(図示省略)と、ノズルNと接続されている研磨液供給機構(図示省略)と、モータを含む各駆動部を制御するためのコンピュータとを含む制御部20とを備えている。
図1は、研磨処理装置1の概略構成図である。図1に示す研磨処理装置1は、研磨テーブル11の表面部に研磨パッド12が接着されており、基板Wを保持してその被研磨面を研磨パッド12に押圧する研磨ヘッド13の他、研磨液を研磨パッド12に向けて供給するためのノズルN、研磨テーブル11及び研磨ヘッド13をそれぞれ水平に回転させるためのモータ(図示省略)と、ノズルNと接続されている研磨液供給機構(図示省略)と、モータを含む各駆動部を制御するためのコンピュータとを含む制御部20とを備えている。
研磨パッド12は円盤状のものであり、その半径は、基板Wの被研磨面の直径よりも大きいものである。この機構において研磨パッド12と研磨ヘッド13回転数及び回転方向を変化させ、基板W面内の相対研磨速度を調整できる機構となっている。
研磨パッド12は、それ自体で弾性を持つものであり、不織布からなるものや、発泡ウレタン製のものなど、市場で入手できる素材を用いることができる。
研磨パッド12は、それ自体で弾性を持つものであり、不織布からなるものや、発泡ウレタン製のものなど、市場で入手できる素材を用いることができる。
研磨ヘッド13は、基板Wを、その被研磨面が研磨パッド12に摺接するように保持する保持機構と、保持された基板Wをその被研磨面の背面側から研磨パッド12の方向に押圧する押圧機構とを主として備えている。これらの機構の詳細については後述する。
制御部20は、ノズルNの位置決め、ノズルNからの研磨液の供給開始又は停止制御、ノズルNから噴出供給される研磨液の単位時間当たりの供給量制御、モータの始動開始や始動停止制御等を主として行う。制御部20により制御されたモータの回転力は、図示しない駆動部を介して研磨テーブル11に伝達される。これにより研磨テーブル11が水平に回転し、あるいは回転を停止する。
研磨ヘッド13にも、図示しない駆動部(例えば自在継手)を介してモータの回転力が伝達される。これにより研磨ヘッド13が水平に回転し、あるいは回転を停止する。
研磨ヘッド13にも、図示しない駆動部(例えば自在継手)を介してモータの回転力が伝達される。これにより研磨ヘッド13が水平に回転し、あるいは回転を停止する。
研磨テーブル11の回転方向と研磨ヘッド13の回転方向は同方向であることが一般的ある。これは、逆方向とすると不均一研磨となるおそれがあるためである。同じ方向でありながら、回転速度の調整により、研磨精度を高めることができる。
なお、単一のモータの回転力を、それぞれ異なるギア比のギアを介して研磨テーブル11及び研磨ヘッド13に伝達するようにしても良く、それぞれ個別のモータを通じて回転力を伝達するようにしても良い。両者は任意に設計することができる。この制御部20による制御手順については、後述する。
なお、単一のモータの回転力を、それぞれ異なるギア比のギアを介して研磨テーブル11及び研磨ヘッド13に伝達するようにしても良く、それぞれ個別のモータを通じて回転力を伝達するようにしても良い。両者は任意に設計することができる。この制御部20による制御手順については、後述する。
研磨液は、制御部20の制御により研磨テーブル12の回転速度が所定値に達した状態で、ノズルNから所定時間、研磨パッド12に向けて供給される。
<研磨ヘッド>
次に、研磨処理装置1が備える研磨ヘッド13の構成について、詳しく説明する。図2は、研磨ヘッド13の構成の一例を示す図である。
図2に示す研磨ヘッド13は、エアパイプAP、蓋体131、第1エアバッグ132、リング形状の第2エアバッグ133、第1圧力円板134、リング形状の第2圧力円板135、トップリング136、弾性体137、弾性膜138、テンプレートバックフィルム139(以下、バックフィルム139と示す)、テンプレートリテーナリング140(以下、リテーナリング140と示す)を含んで構成される。
次に、研磨処理装置1が備える研磨ヘッド13の構成について、詳しく説明する。図2は、研磨ヘッド13の構成の一例を示す図である。
図2に示す研磨ヘッド13は、エアパイプAP、蓋体131、第1エアバッグ132、リング形状の第2エアバッグ133、第1圧力円板134、リング形状の第2圧力円板135、トップリング136、弾性体137、弾性膜138、テンプレートバックフィルム139(以下、バックフィルム139と示す)、テンプレートリテーナリング140(以下、リテーナリング140と示す)を含んで構成される。
蓋体131には、その下底面の外周端付近に4つのアームAMがそれぞれ等間隔に配設される。このアームAMには、蓋体131の下底面に接した端部とは反対側の端部付近にドライブピンD1が配備される。
第1圧力円板134には、その径方向の両側面上に一対のドライブピンD2がそれぞれ配備される。なお、第1エアバッグ132と第1圧力円板134を組み合わせたものが、第1の押圧体である。
第2圧力円板135には、その径方向の両側面上に一対のドライブピンD3がそれぞれ配備される。また、第2圧力円板135には、その上底面側と内面側に開口部を有するドライブピン溝G2が設けられている。ドライブピン溝G2は、第2圧力円板135の上底面側からドライブピンD2が挿抜自在なサイズで形成される。なお、第2エアバッグ133と第2圧力円板135を組み合わせたものが、第2の押圧体である。
第1圧力円板134には、その径方向の両側面上に一対のドライブピンD2がそれぞれ配備される。なお、第1エアバッグ132と第1圧力円板134を組み合わせたものが、第1の押圧体である。
第2圧力円板135には、その径方向の両側面上に一対のドライブピンD3がそれぞれ配備される。また、第2圧力円板135には、その上底面側と内面側に開口部を有するドライブピン溝G2が設けられている。ドライブピン溝G2は、第2圧力円板135の上底面側からドライブピンD2が挿抜自在なサイズで形成される。なお、第2エアバッグ133と第2圧力円板135を組み合わせたものが、第2の押圧体である。
トップリング136には、その上底面側と内面側に開口部を有するドライブピン溝G1が設けられている。ドライブピン溝G1は、トップリング136の上底面側からドライブピンD1を備えたアームAMが挿抜自在なサイズで形成される。トップリング136には、また、その上底面側と内面側に開口部を有するドライブピン溝G3が設けられている。ドライブピン溝G3は、トップリング136の上底面側からドライブピンD3が挿抜自在なサイズで形成される。
なお、ドライブピンD1、D2、D3は、例えばボールベアリング、ローラベアリングなどの軸受けを含んで構成される。
なお、ドライブピンD1、D2、D3は、例えばボールベアリング、ローラベアリングなどの軸受けを含んで構成される。
エアパイプAPは、図示しない流体供給機構に連接されている。エアパイプAPの一方は、軟性材で構成された第1エアバッグ132へ向けて圧力流体(例えば圧縮空気)を供給し、あるいは、供給した圧力流体を第1圧力室から回収するための流体通路となる。他の一方のエアパイプAPは、軟性材で構成された第2エアバッグへ向けて圧力流体を供給し、あるいは、供給した圧力流体を第2圧力室から回収するための流体通路となる。各エアバッグそれぞれに個別に圧力流体が封入されて膨張することにより、封入された圧力流体の量に応じて基板Wを押圧するための加工圧力を発生する。
なお、圧力流体の供給又は供給した圧力流体の回収は、制御部20の制御により行われる。以下、図3を参照しながら、各構成について詳細に説明する。
なお、圧力流体の供給又は供給した圧力流体の回収は、制御部20の制御により行われる。以下、図3を参照しながら、各構成について詳細に説明する。
図3は、研磨ヘッド13の概略縦断面図である。研磨ヘッド13は、大別して、保持機構と押圧機構及びトルク伝達機構とを有する。
[保持機構]
保持機構は、研磨テーブル11及び研磨ヘッド13の回転力により付勢された基板Wの外周方向への飛び出しを規制するためのものであり、基板Wの被研磨面を研磨パッド12に対向(当接)させ、摺接した状態で、この基板Wの中心軸と自身の回転軸とが一致するように保持する。
具体的には、基板Wの外端部と接触する把持面と、研磨面と接触する位置決め面とを有するリテーナリング140と、基板Wの被研磨面の背面に接するバックフィルム139(図3において不図示)とを含んで構成される。
リテーナリング140は、基板Wの外周を取り囲むように、弾性膜138の外底面に位置し、基板Wの外周端を面接触で保持する。バックフィルム139は、リテーナリング140に張設されるフィルム状の薄膜であり、例えばリテーナリング140単体の場合と比較したときに、研磨時のリンキング保持及び終了後に弾性膜138から基板Wの解除を容易にすると同時に基板リンギング面へのキズ防止の役割をしている。
保持機構は、研磨テーブル11及び研磨ヘッド13の回転力により付勢された基板Wの外周方向への飛び出しを規制するためのものであり、基板Wの被研磨面を研磨パッド12に対向(当接)させ、摺接した状態で、この基板Wの中心軸と自身の回転軸とが一致するように保持する。
具体的には、基板Wの外端部と接触する把持面と、研磨面と接触する位置決め面とを有するリテーナリング140と、基板Wの被研磨面の背面に接するバックフィルム139(図3において不図示)とを含んで構成される。
リテーナリング140は、基板Wの外周を取り囲むように、弾性膜138の外底面に位置し、基板Wの外周端を面接触で保持する。バックフィルム139は、リテーナリング140に張設されるフィルム状の薄膜であり、例えばリテーナリング140単体の場合と比較したときに、研磨時のリンキング保持及び終了後に弾性膜138から基板Wの解除を容易にすると同時に基板リンギング面へのキズ防止の役割をしている。
[押圧機構]
押圧機構は、図示しない駆動機構と連結される蓋体131、第1エアバッグ132、第2エアバッグ133、第1圧力円板134、第2圧力円板135、トップリング136、弾性体137、弾性膜138とを含んで構成される。また、蓋体131、トップリング136、弾性体137により形成された内部空間には、第1エアバッグ132、第2エアバッグ133、第1圧力円板134、第2圧力円板135、弾性体137がそれぞれ所定の位置に配備される。
押圧機構は、図示しない駆動機構と連結される蓋体131、第1エアバッグ132、第2エアバッグ133、第1圧力円板134、第2圧力円板135、トップリング136、弾性体137、弾性膜138とを含んで構成される。また、蓋体131、トップリング136、弾性体137により形成された内部空間には、第1エアバッグ132、第2エアバッグ133、第1圧力円板134、第2圧力円板135、弾性体137がそれぞれ所定の位置に配備される。
蓋体131は、環状に形成された蓋部、この蓋部の上底面側の中心付近でそれぞれの中心軸が一致するようにリング状に形成された部位、下底面側の外周付近でそれぞれの中心軸が一致するようにリング状に形成された部位を含んで形成される。上底面側でリング状に形成された部位は、図示しない駆動機構と連結される。また、下底面側でリング状に形成された部位には、ドライブピンD1を備えたアームAMが配設される。
第1圧力円板134は、その下底面の中心付近の部位が弾性体137側に向かって突出した断面コマ状に形成された筒状体である。第1圧力円板134に配備されたドライブピンD2は、図3に示すように、それぞれが第2圧力円板135に設けられたドライブピン溝G2に挿入される。このようにして、第1圧力円板134と第2圧力円板135は昇降可能に連結される。また、ドライブピン溝G2にドライブピンD2が挿入された状態の第1圧力円板134は、第1エアバッグ132に封入された圧力流体の量に応じて滑らかに上昇あるいは下降する。
なお、第1圧力円板134の下底面は、被研磨面の表面プロファイルに応じた押圧力が弾性体137を通じて基板Wに付与されるような形状に形成することができる。例えば、図3に示すような断面コマ状に形成する他に、半球状に形成したりすることもできる。
なお、第1圧力円板134の下底面は、被研磨面の表面プロファイルに応じた押圧力が弾性体137を通じて基板Wに付与されるような形状に形成することができる。例えば、図3に示すような断面コマ状に形成する他に、半球状に形成したりすることもできる。
第2圧力円板135は、その下底面の外周付近の部位が弾性体137側に向かって突出した断面逆凹状に形成された環状体である。第2圧力円板135に配備されたドライブピンD3は、図3に示すように、それぞれがトップリング136に設けられたドライブピン溝G3に挿入される。このようにして、第2圧力円板135とトップリング136は昇降可能に連結される。また、ドライブピン溝G3にドライブピンD3が挿入された状態の第2圧力円板135は、第2エアバッグ133に封入された圧力流体の量に応じて滑らかに上昇あるいは下降する。
なお、第2圧力円板135の下底面は、被研磨面の表面プロファイルに応じた押圧力が弾性体137を通じて基板Wに付与されるような形状に形成することができる。例えば、図3に示した様な凹状円錐断面に形成する他に、凹状半球状に形成したりすることもできる。
なお、第2圧力円板135の下底面は、被研磨面の表面プロファイルに応じた押圧力が弾性体137を通じて基板Wに付与されるような形状に形成することができる。例えば、図3に示した様な凹状円錐断面に形成する他に、凹状半球状に形成したりすることもできる。
トップリング136は、蓋体131の外周サイズと同じ外周サイズでリング状に形成される。ドライブピンD1を備えたアームAMは、図3に示すように、それぞれがトップリング136に設けられたドライブピン溝G1に挿入される。このようにして、蓋体131とトップリング136は昇降自在に連結される。
弾性体137は、例えばポリウレタンゴム、シリコンゴム等の低弾性・低反発性の素材によって形成された低弾性体であり、例えばこれらの素材により円柱状に形成されたスポンジである。第1の押圧体の押圧力及び第2の押圧体の押圧力は、弾性体137を通じて基板Wに付与される。例えば、弾性体137を介さない従来法では基板Wに均等形状圧しか付与できなかった。
つまり、弾性体137を通じて基板Wに押圧力を付与する構成にすることにより、第1圧力円板134の下底面及び第2圧力円板135の下底面それぞれを、任意の形状に形成することができる。これにより、被研磨面の表面プロファイルに応じた押圧力分布の押圧力を基板Wに付与することができる。
なお、弾性体137の下底面(弾性膜138の内底面と接触する面)は、ロールオフを防止するために基板Wの外周端よりも小さいサイズで形成される。以下、この点について詳細に説明する。
つまり、弾性体137を通じて基板Wに押圧力を付与する構成にすることにより、第1圧力円板134の下底面及び第2圧力円板135の下底面それぞれを、任意の形状に形成することができる。これにより、被研磨面の表面プロファイルに応じた押圧力分布の押圧力を基板Wに付与することができる。
なお、弾性体137の下底面(弾性膜138の内底面と接触する面)は、ロールオフを防止するために基板Wの外周端よりも小さいサイズで形成される。以下、この点について詳細に説明する。
[ロールオフ]
基板Wの外周端には、通常、チャンファーと呼ばれる緩衝部が形成される。チャンファー部は、外方からの衝撃を受けたときに欠損して衝撃を吸収することで、基板W全体が破損してしまうことを防止するという効用がある。しかし、一方で、チャンファー部の始端が角部となり、そこから外周端に向かって研磨パッド12との非接触部となる。そのため、押圧力を基板Wに向けてほぼ均一に付与しているにもかかわらず、チャンファー部に近づくほど被研磨面に加わる応力がヘルツ応力理論により高くなり、チャンファー部の始端でそれが最大となる。この応力の変化により過研磨が生じ、ロールオフが発生してしまう。
基板Wの外周端には、通常、チャンファーと呼ばれる緩衝部が形成される。チャンファー部は、外方からの衝撃を受けたときに欠損して衝撃を吸収することで、基板W全体が破損してしまうことを防止するという効用がある。しかし、一方で、チャンファー部の始端が角部となり、そこから外周端に向かって研磨パッド12との非接触部となる。そのため、押圧力を基板Wに向けてほぼ均一に付与しているにもかかわらず、チャンファー部に近づくほど被研磨面に加わる応力がヘルツ応力理論により高くなり、チャンファー部の始端でそれが最大となる。この応力の変化により過研磨が生じ、ロールオフが発生してしまう。
そこで、弾性体137の下底面のサイズを、図3に示すように、基板Wのチャンファー部よりも内周側にその外周端が位置するようなサイズで形成している。つまり、基板Wを押圧する弾性膜138の部位(以下、押圧面と呼ぶ)のサイズは、基板Wの被研磨面の直径よりも、基板Wの外周端からチャンファー部を経て内周側に所定サイズだけ小さいサイズとなる。この所定サイズをウェーハオーバーハング(OH:Over Hung)という。
基板Wに向けて付与される押圧力は、弾性膜138の押圧面を介することで、基板Wの外周端からOHだけ内周側に至る部位までは加わらない。しかし、押圧面の外周端の鉛直下方よりも外周側において、被研磨面の外周端が研磨パッド12と摺接している。そのため、押圧力は、基板W内で拡散して伝播し、被研磨面にかかる応力は、中央部からチャンファー部の始端に至るまでほぼ均一となる(ヘルツ応力の拡散伝播)。これにより、ロールオフを防止することができる。
基板Wに向けて付与される押圧力は、弾性膜138の押圧面を介することで、基板Wの外周端からOHだけ内周側に至る部位までは加わらない。しかし、押圧面の外周端の鉛直下方よりも外周側において、被研磨面の外周端が研磨パッド12と摺接している。そのため、押圧力は、基板W内で拡散して伝播し、被研磨面にかかる応力は、中央部からチャンファー部の始端に至るまでほぼ均一となる(ヘルツ応力の拡散伝播)。これにより、ロールオフを防止することができる。
図3の説明に戻り、弾性膜138は、トップリング136の外周面に嵌装できる内径サイズで筒状(鍋型)に形成された弾性筒状体である。弾性膜138は、また、エチレンプロピレンゴム(EPDM)、ポリウレタンゴム、シリコンゴム等の強度及び耐久性に優れたゴム材によって形成される。なお、弾性膜138は、メンブレンとも呼ばれる。
弾性膜138の内側には、それぞれの中心軸が一致するように弾性体137が配備される。また、弾性膜138は、その内周面がトップリング136の外周面と密接されており、これにより当該トップリング136に保持される。
弾性膜138の内側には、それぞれの中心軸が一致するように弾性体137が配備される。また、弾性膜138は、その内周面がトップリング136の外周面と密接されており、これにより当該トップリング136に保持される。
この様に、研磨ヘッド13の押圧機構では、第1圧力円板134が第1エアバッグ132で発生した押圧力を受けて、弾性体137を押圧する。また、第2圧力円板135が第2エアバッグ133で発生した押圧力を受けて、弾性体137を押圧する。そして、第1圧力円板134の下底面の形状、第2圧力円板135の下底面の形状それぞれに応じた押圧力分布の押圧力が、弾性体137を通じて弾性膜138から基板Wに付与されることになる。
[トルク伝達機構]
また、研磨処理時には、図示しない駆動機構からの回転力を受けて、押圧力が付与されている状態の基板Wを回転させように回転力(トルク)が伝達される。例えば、回転力が蓋体131からトップリング136へ、さらにトップリング136から弾性膜138へと伝達される一系統のみで基板Wを回転させる場合、弾性膜138の押圧面に座屈ねじれが生じて、その結果「しわ」が発生することがある。この押圧面に生じた「しわ」の影響で基板Wに付与される押圧力が不均一となり、被研磨面の研磨平坦度を悪化させてしまう。この点について、図4を用いて説明する。
また、研磨処理時には、図示しない駆動機構からの回転力を受けて、押圧力が付与されている状態の基板Wを回転させように回転力(トルク)が伝達される。例えば、回転力が蓋体131からトップリング136へ、さらにトップリング136から弾性膜138へと伝達される一系統のみで基板Wを回転させる場合、弾性膜138の押圧面に座屈ねじれが生じて、その結果「しわ」が発生することがある。この押圧面に生じた「しわ」の影響で基板Wに付与される押圧力が不均一となり、被研磨面の研磨平坦度を悪化させてしまう。この点について、図4を用いて説明する。
図4(a)は、前述した一系統のみで基板Wを回転させて研磨処理を行った後の弾性膜である。図4(a)に示すように、弾性膜138の押圧面に座屈ねじれが生じており、その結果「しわ」が発生している様子が見て取れる。図4(a)中に示すTbm(Turbine blade mark)が、弾性膜138の押圧面に生じた「しわ」である。図4(b)は、弾性膜138の押圧面に生じた座屈ねじれを解析した結果を模式的に表した図である。図4(a)、(b)から見て取れるように、一系統のみで基板Wを回転させる場合、弾性膜138の押圧面に座屈ねじれが生じてしまう場合がある。
これに対して、研磨ヘッド13のトルク伝達機構では、蓋体131に伝わった回転力は、トップリング136から弾性膜138と伝わる第1の伝達系統の他に、ドライブピン溝G3に挿入されたドライブピンD3を介して第2圧力円板135に伝わり、さらに、ドライブピン溝G2に挿入されたドライブピンD2を介して第1圧力円板134に伝わる第2の伝達系統を有する。第2の伝達系統からの回転力は、第1圧力円板134及び第2圧力円板135それぞれが弾性体137を押圧しているため、弾性体137に回転力が伝わり、さらに弾性体137と弾性膜138間の摩擦係数により弾性膜138に伝えられる。つまり、トップリング136、第1圧力円板134、第2圧力円板135、弾性膜138それぞれは、蓋体131の回転に随動する。
基板Wを回転させるための回転力は、第1の伝達系統と第2の伝達系統それぞれから回転力が付与された弾性膜138との摩擦力で生じる。そのため、押圧面部ではねじれの影響が抑止され、この押圧面に「しわ」が生じてしまうことを防止することができる。
基板Wを回転させるための回転力は、第1の伝達系統と第2の伝達系統それぞれから回転力が付与された弾性膜138との摩擦力で生じる。そのため、押圧面部ではねじれの影響が抑止され、この押圧面に「しわ」が生じてしまうことを防止することができる。
次に、基板Wに付与される押圧力について説明する。基板Wを研磨処理する際には、制御部20が、第1エアバッグ132と第2エアバッグ133のそれぞれに、所定量の圧力流体が供給されるように制御する。
ここで、本実施形態の研磨ヘッド13によらない一般的な研磨ヘッドの構成例を図5(a)に示し、この場合に基板Wに付与される押圧力の分布について図5(b)を用いて説明する。
ここで、本実施形態の研磨ヘッド13によらない一般的な研磨ヘッドの構成例を図5(a)に示し、この場合に基板Wに付与される押圧力の分布について図5(b)を用いて説明する。
図5(a)に示す研磨ヘッドは、この研磨ヘッドと弾性膜とにより形成された内部空間に向けて圧力流体であるエアーを流入させて、基板Wに対して圧力流体の量に応じた押圧力を付与するというものである。この研磨ヘッドでは、図5(b)に示すように、基板Wに対して原理的には均等に押圧力Pが付与されることになる。
また、図5(b)に示すように、研磨処理の際には、研磨パッド(研磨テーブル)からの回転力V1と、研磨ヘッドの自転駆動回転力V2とが、基板Wと弾性膜に作用する。その結果、(1)弾性膜にV2による「座屈ねじれ」と、(2)V1によるウェーハの座屈現象でω(オメガ)形状が生じてしまう。この(1)、(2)の影響を受けて、押圧面内の押圧力が不均一になることがある。そのため、基板Wの被研磨面がω(オメガ)形状、及び、ねじれ擾乱形状に形成されてしまう。以下、この点について詳細に説明する。
また、図5(b)に示すように、研磨処理の際には、研磨パッド(研磨テーブル)からの回転力V1と、研磨ヘッドの自転駆動回転力V2とが、基板Wと弾性膜に作用する。その結果、(1)弾性膜にV2による「座屈ねじれ」と、(2)V1によるウェーハの座屈現象でω(オメガ)形状が生じてしまう。この(1)、(2)の影響を受けて、押圧面内の押圧力が不均一になることがある。そのため、基板Wの被研磨面がω(オメガ)形状、及び、ねじれ擾乱形状に形成されてしまう。以下、この点について詳細に説明する。
図6は、一般的な研磨ヘッドを用いた研磨処理では、基板Wの被研磨面がω形状に形成されることの説明図である。
研磨処理時の基板Wは、研磨テーブル11の回転力(V1)による付勢を受けても、リテーナリングにより外周方向へ向けの飛び出しが規制される。飛び出しの規制を受けた基板Wには、被研磨面の面積:Aと押圧力:Pとウェーハと研磨パッド間の摩擦係数:μの関係に基づく面内力:F=A・P・μが作用する。そのため、図6(a)に示すように、押圧力Pが付与されている基板Wには、研磨パッドの側に向かう「座屈撓み」が生じる。その結果、基板Wの撓みが生じた被研磨面の部位(凸部位)は、他の被研磨面の部位と比較して研磨される量が多くなる。
研磨処理時の基板Wは、研磨テーブル11の回転力(V1)による付勢を受けても、リテーナリングにより外周方向へ向けの飛び出しが規制される。飛び出しの規制を受けた基板Wには、被研磨面の面積:Aと押圧力:Pとウェーハと研磨パッド間の摩擦係数:μの関係に基づく面内力:F=A・P・μが作用する。そのため、図6(a)に示すように、押圧力Pが付与されている基板Wには、研磨パッドの側に向かう「座屈撓み」が生じる。その結果、基板Wの撓みが生じた被研磨面の部位(凸部位)は、他の被研磨面の部位と比較して研磨される量が多くなる。
図6(b)は、図6(a)に示す状態において基板Wが研磨処理された場合の瞬時の状態を模式的に示している。図正面から見て右側の被研磨面が、凹面状に研磨(過研磨)されている様子が見て取れる。しかし、実際の研磨処理においては基板Wが回転しているため、図6(c)に示すように、最終的には基板Wの被研磨面はω形状に形成されてしまうことになる。なお、図6(c)では、基板Wの被研磨面が下向きであるため、研磨処理後の被研磨面は逆ω形状となっている。このようにして、従来一般の研磨ヘッドによる研磨処理では、基板Wの被研磨面の背面側に付与される押圧力P、研磨テーブルの回転力、リテーナリングでの反力作用により、その被研磨面がω形状に形成される傾向にある。
図7は、本実施形態に係る研磨ヘッド13による押圧力の分布を説明するための図である。
図7(a)は、基板Wの被研磨面がω形状となることを防止する押圧力Pの分布を示した模式図である。なお、押圧力Pは、押圧力の強さを矢印線の長さで表しており、例えば矢印線の長さが相対的に長ければ、相対的に強い押圧力が付与されるとする。
図5(b)に示すに押圧力Pのフラットな分布とは異なり、図7(a)に示す押圧力Pの折れ線状に示された分布では、基板Wの被研磨面の背面側の部位に応じて強さの異なる押圧力Pが付与される。図7(a)に示すような押圧力Pが基板Wの被研磨面の背面側に付与されることで、図中点線で示したω形状の被研磨面における凸凹部位がそれぞれ相殺される。その結果、図7(a)中実線で示した理想的な被研磨面の形状に近づくことになる。本実施形態の研磨ヘッド13では、基板Wの被研磨面の背面側に付与する押圧力Pが、図7(a)に示す分布状態となるように制御される。
図7(a)は、基板Wの被研磨面がω形状となることを防止する押圧力Pの分布を示した模式図である。なお、押圧力Pは、押圧力の強さを矢印線の長さで表しており、例えば矢印線の長さが相対的に長ければ、相対的に強い押圧力が付与されるとする。
図5(b)に示すに押圧力Pのフラットな分布とは異なり、図7(a)に示す押圧力Pの折れ線状に示された分布では、基板Wの被研磨面の背面側の部位に応じて強さの異なる押圧力Pが付与される。図7(a)に示すような押圧力Pが基板Wの被研磨面の背面側に付与されることで、図中点線で示したω形状の被研磨面における凸凹部位がそれぞれ相殺される。その結果、図7(a)中実線で示した理想的な被研磨面の形状に近づくことになる。本実施形態の研磨ヘッド13では、基板Wの被研磨面の背面側に付与する押圧力Pが、図7(a)に示す分布状態となるように制御される。
図7(b)は、研磨ヘッド13における押圧力の分布を示している。第1エアバッグ132に封入された圧力流体により生じた押圧力P1は、第1圧力円板134に伝達し、この第1圧力円板134から弾性体137を通じて基板Wの被研磨面の背面側に押圧力P3として付される。また、第2エアバッグ133に封入された圧力流体により生じた押圧力P2は、第2圧力円板135に伝達し、この第2圧力円板135から弾性体137を通じて基板Wの被研磨面の背面側に押圧力P3として付与される。なお、押圧力P3は、押圧力の強さを矢印線の長さで表しており、例えば矢印線の長さが相対的に長ければ、相対的に強い押圧力が付与されるとする。
弾性体137と接する第1圧力円板134の接面の形状は、図7(b)に示すように、その中心部付近の部位が弾性体137側に向けて凸型形状に形成されている。そのため、第1圧力円板134の中心部付近では、弾性体137を強く押すため相対的に強い押圧力になり、外周付近では相対的に弱い押圧力になる。その結果、基板Wの被研磨面の背面側に付与される押圧力P3は、図7(b)に示すような分布になる。
また、弾性体137と接する第2圧力円板135の接面の形状は、図7(b)に示すように、凹面形状に形成されている。そのため、第2圧力円板135の外周端付近では、弾性体137を強く押すため相対的に強い押圧力になり、内周端付近では相対的に弱い押圧力になる。その結果、基板Wの被研磨面の背面側に付与される押圧力P3は、図7(b)に示すような連続的な分布となる。つまり、被研磨面の表面プロファイルに応じた押圧力を、連続的な分布状態において基板Wに付与することにより、被研磨面のω形状化が抑止される。
また、弾性体137と接する第2圧力円板135の接面の形状は、図7(b)に示すように、凹面形状に形成されている。そのため、第2圧力円板135の外周端付近では、弾性体137を強く押すため相対的に強い押圧力になり、内周端付近では相対的に弱い押圧力になる。その結果、基板Wの被研磨面の背面側に付与される押圧力P3は、図7(b)に示すような連続的な分布となる。つまり、被研磨面の表面プロファイルに応じた押圧力を、連続的な分布状態において基板Wに付与することにより、被研磨面のω形状化が抑止される。
図8は、ドライブピンD1を介した蓋体131とトップリング136の接続についての説明図である。
図8(a)は、蓋体131とトップリング136の連結箇所が、図3に示す連結箇所と比べて高い位置の場合を模式的に示している。研磨パッド面から高さHの位置をトルク伝達箇所とした場合、トップリング136には、トップリング外周底面端部を支点、研磨テーブルからの回転反力授与と研磨ヘッドの自転回転を駆動するドライブピンD1の位置を作用点として、研磨テーブルにモーメントMの力が働く。その他、研磨面(摺面)で発生する振動現象(スティックスリップ現象)による影響も受ける。そのため、相対的に高い位置で蓋体131とトップリング136とが連結されている場合には、このトップリング136の研磨テーブル中心側の端部が、図8(b)に示すように浮き上がる現象が生じる。そのため、図8(c)に示すように、基板Wの端部には押圧力が付与されず、当該端部付近の研磨平面度を高めることができなくなる。
この浮き上がり現象の発生を回避するために、本実施形態の研磨ヘッド13では、図3に示すように、ドライブピンD1を介した蓋体131とトップリング136との連結位置Hが低い位置となるように構成されている。図8(a)に示す研磨ヘッドと比較して、相対的に低い位置を連結位置とする本実施形態の研磨ヘッド13では、浮き上がり現象の発生が抑止される。そのため、基板Wの端部の研磨平面度を高めることができる。
図8(a)は、蓋体131とトップリング136の連結箇所が、図3に示す連結箇所と比べて高い位置の場合を模式的に示している。研磨パッド面から高さHの位置をトルク伝達箇所とした場合、トップリング136には、トップリング外周底面端部を支点、研磨テーブルからの回転反力授与と研磨ヘッドの自転回転を駆動するドライブピンD1の位置を作用点として、研磨テーブルにモーメントMの力が働く。その他、研磨面(摺面)で発生する振動現象(スティックスリップ現象)による影響も受ける。そのため、相対的に高い位置で蓋体131とトップリング136とが連結されている場合には、このトップリング136の研磨テーブル中心側の端部が、図8(b)に示すように浮き上がる現象が生じる。そのため、図8(c)に示すように、基板Wの端部には押圧力が付与されず、当該端部付近の研磨平面度を高めることができなくなる。
この浮き上がり現象の発生を回避するために、本実施形態の研磨ヘッド13では、図3に示すように、ドライブピンD1を介した蓋体131とトップリング136との連結位置Hが低い位置となるように構成されている。図8(a)に示す研磨ヘッドと比較して、相対的に低い位置を連結位置とする本実施形態の研磨ヘッド13では、浮き上がり現象の発生が抑止される。そのため、基板Wの端部の研磨平面度を高めることができる。
図9は、基板Wの端部の研磨平面度が、弾性膜の装着固定状態の違いにより変化することを説明するための図である。
図9(a)は、本実施形態の研磨ヘッド13によらない一般的な研磨ヘッドに装着された弾性膜を模式的に示した図である。図9(a)に示す弾性膜は、研磨ヘッドトップリングの外周面に嵌装されている。接着面はトップリング外周面の部位と下底面の部位である。例えば、研磨ヘッドに前述した「浮き上がり」現象が発生した場合、研磨ヘッドの下底面の外周端部を起点に弾性膜が上方向に持ち上げられる。この場合、基板Wの端部と弾性膜での材料力学的固定端の最短距離をクリアランスL1とする。
図9(b)は、本実施形態の研磨ヘッド13における弾性膜138の装着状態を示している。図9(b)に示す弾性膜138は、トップリング136の外周面に嵌装されており、弾性膜138が接触しているトップリング136の外周面の部位のみが接着される。この状態で、トップリング136に前述した「浮き上がり」現象が発生した場合、研磨ヘッドの下底面の外周側端部を起点に弾性膜が上方向に持ち上げられる。この場合の材料力学的固定端と、基板Wの端部との間の距離をクリアランスL2とする。
図9(a)は、本実施形態の研磨ヘッド13によらない一般的な研磨ヘッドに装着された弾性膜を模式的に示した図である。図9(a)に示す弾性膜は、研磨ヘッドトップリングの外周面に嵌装されている。接着面はトップリング外周面の部位と下底面の部位である。例えば、研磨ヘッドに前述した「浮き上がり」現象が発生した場合、研磨ヘッドの下底面の外周端部を起点に弾性膜が上方向に持ち上げられる。この場合、基板Wの端部と弾性膜での材料力学的固定端の最短距離をクリアランスL1とする。
図9(b)は、本実施形態の研磨ヘッド13における弾性膜138の装着状態を示している。図9(b)に示す弾性膜138は、トップリング136の外周面に嵌装されており、弾性膜138が接触しているトップリング136の外周面の部位のみが接着される。この状態で、トップリング136に前述した「浮き上がり」現象が発生した場合、研磨ヘッドの下底面の外周側端部を起点に弾性膜が上方向に持ち上げられる。この場合の材料力学的固定端と、基板Wの端部との間の距離をクリアランスL2とする。
例えば、同じ高さの「浮き上がり」現象が発生した場合には、図9(a)に示すクリアランスL1の状態と、図9(b)示すクリアランスL2の状態とを比較したときに、起点から基板Wの端部までの距離が長い方が、材料力学的な理論により、基板Wの端部への押圧力の変化が少なくて済む。つまり、図9(b)に示す本実施形態の研磨ヘッド13の構成を採用することにより、仮にトップリング136に「浮き上がり」現象が発生した場合であっても、基板Wの端部の研磨平面度の低下を軽減することができる。換言すれば、本実施形態の研磨ヘッド13は、基板Wの端部への荷重伝達効率の変化を小さくすることができると言える。以下、図10及び図11を用いて、トップリング136に対する弾性膜138の固定方法(装着固定状態)の違いによる基盤端部の平面度への影響度合いを検証した結果について説明する。
図10(a1)、(b1)、(c1)は、それぞれ接着面の形状が異なるトップリングと、形状の異なるリテーナリングとの組み合わせを示す図である。図10(a2)、(b2)、(c2)は、それぞれの組み合わせにおいて研磨処理を行った場合の、基盤Wの断面形状(A、B、C)と基盤W端部の勾配(A、B、C)の測定結果を示す図である。
なお、基板Wは、直径300[mm]であり、形状の縦軸寸法は 100[nm/div]である。また、図10に示す各組み合わせで行う研磨処理においては、前述した第1の伝達系統のみで基盤Wに回転力が伝達されるものとする。
なお、基板Wは、直径300[mm]であり、形状の縦軸寸法は 100[nm/div]である。また、図10に示す各組み合わせで行う研磨処理においては、前述した第1の伝達系統のみで基盤Wに回転力が伝達されるものとする。
図10(a1)に示すトップリング136aと弾性膜138との接着面は、その外周面の部位と下底面の部位である。この条件のもと、研磨処理を行った場合の基盤Wの断面形状は、図10(a2)に示す断面形状Aとなり、その中心付近は「座屈ねじれ」の影響を受けていることが見て取れる。また、断面形状Aから、研磨面が左右非対称であることが見て取れる。
図10(b1)に示すトップリング136bは、トップリング136aと比較して、弾性膜138との接着面の面積が小さくなるように、その下底面の内周側が当該弾性膜138と接しないように形成されている。この条件のもと、研磨処理を行った場合の基盤Wの断面形状は、図10(b2)に示す断面形状Bとなり、この場合においても、その中心付近は「座屈ねじれ」の影響を受けていることが見て取れる。また、断面形状Bから、研磨面が左右非対称であることが見て取れる。
図10(c1)に示すリテーナリング140cは、リテーナリング140と比較して、研磨パッド12と接触する面積が小さくなるように、その下底面の外周側が当該研磨パッドと接触しないように形成されている。この条件のもと、研磨処理を行った場合の基盤Wの断面形状は、図10(c2)に示す断面形状Bとなり、この場合においても、その中心付近は「座屈ねじれ」の影響を受けていることが見て取れる。また、断面形状Cから、研磨面が左右非対称であることが見て取れる。
図10(b1)に示すトップリング136bは、トップリング136aと比較して、弾性膜138との接着面の面積が小さくなるように、その下底面の内周側が当該弾性膜138と接しないように形成されている。この条件のもと、研磨処理を行った場合の基盤Wの断面形状は、図10(b2)に示す断面形状Bとなり、この場合においても、その中心付近は「座屈ねじれ」の影響を受けていることが見て取れる。また、断面形状Bから、研磨面が左右非対称であることが見て取れる。
図10(c1)に示すリテーナリング140cは、リテーナリング140と比較して、研磨パッド12と接触する面積が小さくなるように、その下底面の外周側が当該研磨パッドと接触しないように形成されている。この条件のもと、研磨処理を行った場合の基盤Wの断面形状は、図10(c2)に示す断面形状Bとなり、この場合においても、その中心付近は「座屈ねじれ」の影響を受けていることが見て取れる。また、断面形状Cから、研磨面が左右非対称であることが見て取れる。
図11(d1)は、本実施形態に係るトップリング136と、リテーナリング140との組み合わせを示す図である。図11(d2)は、この組み合わせにおいて研磨処理を行った場合の、基盤Wの断面形状Dと基盤W端部の勾配Dの測定結果を示す図である。図11(e)は、図10に示す各組み合わせにおける勾配(A、B、C)と、図11に示す勾配Dのそれぞれを比較するための図である。
なお、図11に示す各組み合わせで行う研磨処理においては、前述した第1の伝達系統及び第2の伝達系統で基盤Wに回転力が伝達されるものとする。
なお、図11に示す各組み合わせで行う研磨処理においては、前述した第1の伝達系統及び第2の伝達系統で基盤Wに回転力が伝達されるものとする。
図11(d1)に示すトップリング136と弾性膜138との装着固定状態は、当該トップリング136の外周面の部位と弾性膜138の内周面の部位とが接着される。この条件のもと、研磨処理を行った場合の基盤Wの断面形状が、図11(d2)に示す断面形状Dであり、その中心付近は「座屈ねじれ」の影響を受けておらず、左右の対称性が良好であることが見て取れる。
また、図11(e)に示すように、勾配Aから勾配Dまでの傾斜角度を比較すると、本実施形態に係る研磨ヘッド13のトップリング136に対する弾性膜138の装着固定状態(図11(d1))では、基板外周部の「立ち上がり」が効果的に抑止されていることが見て取れる。
また、図11(e)に示すように、勾配Aから勾配Dまでの傾斜角度を比較すると、本実施形態に係る研磨ヘッド13のトップリング136に対する弾性膜138の装着固定状態(図11(d1))では、基板外周部の「立ち上がり」が効果的に抑止されていることが見て取れる。
<研磨処理のための制御手順>
次に、本実施形態の研磨処理装置1による研磨処理手順について説明する。図12は、研磨処理方法を実行する際の制御部20による主要な制御手順の説明図である。
制御部20は、研磨処理装置1のオペレータによる開始指示の入力受付を契機に制御を開始する(ステップS100)。所定の初期処理後、図示しない基板搬送手段により基板Wを搬入させて、研磨ヘッド13の保持機構に基板Wを保持させる(ステップS101)。
制御部20は、エアパイプAPから第1エアバッグ132及び第2エアバッグ133の各々に所定量の圧力流体が供給されるように流体供給機構に指示を出し、基板Wや研磨パッド12に向けて押圧力を与える(ステップS102)。
次に、本実施形態の研磨処理装置1による研磨処理手順について説明する。図12は、研磨処理方法を実行する際の制御部20による主要な制御手順の説明図である。
制御部20は、研磨処理装置1のオペレータによる開始指示の入力受付を契機に制御を開始する(ステップS100)。所定の初期処理後、図示しない基板搬送手段により基板Wを搬入させて、研磨ヘッド13の保持機構に基板Wを保持させる(ステップS101)。
制御部20は、エアパイプAPから第1エアバッグ132及び第2エアバッグ133の各々に所定量の圧力流体が供給されるように流体供給機構に指示を出し、基板Wや研磨パッド12に向けて押圧力を与える(ステップS102)。
制御部20は、また、図示しないセンサ部を通じて基板Wに適切な押圧力が与えられているかを確認する。押圧力が適切であることを確認した場合は(ステップS103:Yes)、研磨テーブル11、並びに、研磨ヘッド13の回転を開始するように、図示しないモータへ指示を出す(ステップS104)。これにより、研磨テーブル11と研磨ヘッド13が、水平に回転を開始する。
研磨テーブル11と研磨ヘッド13の回転開始を指示した後、制御部20は、ノズルNの位置決めを指示するとともに、研磨液供給機構に対して研磨液の供給を開始させるように指示を出す(ステップS105)。これにより、研磨液がノズルNから研磨パッド12の研磨面に向けて供給される。
研磨液の供給開始指示後、規定の研磨時間が経過したことを図示しないタイマによって検知すると(ステップS106:Yes)、制御部20は、研磨液供給機構に対して研磨液の供給停止を指示する(ステップS107)。
研磨液の供給開始指示後、規定の研磨時間が経過したことを図示しないタイマによって検知すると(ステップS106:Yes)、制御部20は、研磨液供給機構に対して研磨液の供給停止を指示する(ステップS107)。
その後、制御部20は、研磨テーブル11と研磨ヘッド13の回転を止めるように、モータへ停止指示を出す(ステップS108)とともに、供給した圧力流体を回収するように圧力流体供給機構に指示を出す(ステップS109)。そして、図示しない基板搬送手段により基板Wを搬出させる。これにより、研磨処理を完了させる。
このように、本実施形態に係る研磨処理装置1では、第1圧力円板134の下底面の形状、第2圧力円板135の下底面の形状それぞれに応じた押圧力が、弾性体137を通じて弾性膜138から基板Wに付与することができる。これにより、基板Wの被研磨面の全面に亘って所望の押圧力(P3)を不連続部の無い状態で与えることができる。そのため、従来の均圧型パターンでは不可能であった、基板Wの被研磨面のω形状形成を防止できると共に、基板表面のGBIR、SFQRの向上を図ることができる。
また、弾性体137を通じて基板Wに押圧力を付与する構成にすることにより、第1圧力円板134の下底面及び第2圧力円板135の下底面それぞれを、任意の形状に形成することができる。そのため、被研磨面の表面プロファイルに応じた分布で押圧力を基板Wに付与することができる。これにより、基板Wの被研磨面がω形状に形成されてしまうことを防止すると共に、基板表面のGBIR、SFQRの向上を図ることができる。
なお、本圧力円板は2枚構成(第1圧力円板134及び第2圧力円板135)とした場合の例を説明したが、基板の目的とする平面精度にとっては、多数枚構成も可能である。
なお、本圧力円板は2枚構成(第1圧力円板134及び第2圧力円板135)とした場合の例を説明したが、基板の目的とする平面精度にとっては、多数枚構成も可能である。
また、基板Wを回転させるための回転力は、第1の伝達系統と第2の伝達系統それぞれから付与されるため、押圧面におけるねじれ擾乱の発生が抑止される。そのため、押圧面内の押圧力が過不足になることを防止することができる。
また、弾性体137の下底面が基板Wの外周端よりも小さいサイズで形成されていることにより、弾性膜138の押圧面は、基板Wの外周端より内周側において当該基板Wを押圧することになる。これにより、基板Wの外周端近傍における被研磨面の「ダレ」、つまり、過研磨(ロールオフ)が生じてしまうことを防止することができる。そのため、基板表面のGBIR、SFQRの向上を図ることができる。
また、研磨処理装置1では、ドライブピンD1を介した蓋体131とトップリング136との連結位置が低い位置となるように構成されている。これにより、研磨ヘッド13の浮き上がりの発生が抑止されるため、基板Wの端部の研磨精度を高めることができる。そのため、基板表面のGBIR、SFQRの向上を図ることができる。
[第2実施形態]
本実施形態では、弾性膜の側面がジャバラ(蛇腹)構造である場合の例について説明する。なお、第1実施形態において説明した研磨処理装置1、研磨ヘッド13と同じ部分については、同一の符号を付すと共に、その説明を省略する。
本実施形態では、弾性膜の側面がジャバラ(蛇腹)構造である場合の例について説明する。なお、第1実施形態において説明した研磨処理装置1、研磨ヘッド13と同じ部分については、同一の符号を付すと共に、その説明を省略する。
図13(a)は、本実施形態に係る研磨ヘッドの構成の一例を示す図である。第1実施形態の研磨ヘッド13との違いは、その側面が蛇腹状に構成された弾性膜238である点と、バックフィルム139とリテーナリング140とが分離しているという点である。
図13(a)に示すバックフィルム139は、リテーナリング140とは独立して弾性膜238の外底面に接着される。また、図13(a)に示すように、弾性膜238は、ジャバラ構造の側面の一端がリテーナリング140に接続される。このように接続された弾性膜238の押圧面は、受け付けた押圧力に応じてジャバラ部位が伸縮することにより、水平に上昇あるいは下降することができる。
図13(a)に示すバックフィルム139は、リテーナリング140とは独立して弾性膜238の外底面に接着される。また、図13(a)に示すように、弾性膜238は、ジャバラ構造の側面の一端がリテーナリング140に接続される。このように接続された弾性膜238の押圧面は、受け付けた押圧力に応じてジャバラ部位が伸縮することにより、水平に上昇あるいは下降することができる。
図13(b)は、第1実施形態の押圧機構における弾性膜138とリテーナリング140の接続状態を示す模式図である。この状態で弾性膜138の内底面に押圧力Pを均一に付与した場合、図中点線で示すなだらかな曲線状に、リテーナリング140との接続箇所に近い位置の研磨圧力は相対的に低く、弾性膜138の中心部付近の研磨圧力は相対的に高くなる。つまり、基盤Wの背面側に伝播される研磨圧力は、弾性膜138の部位毎に伝達ロスが生じていることになる。
図13(c)は、本実施形態に係る弾性膜238の内底面に押圧力Pを均一に付与した場合の模式図である。弾性膜238の内底面に押圧力Pを均一に付与した場合、図中点線で示すように、当該弾性膜238のジャバラ構造によりその押圧面が水平に下降し、押圧力Pが基盤Wの背面側に付与される。つまり、ジャバラ構造を採用することにより、弾性膜238の内底面に付与された押圧力をロスなく基盤Wの背面に付与することができる。また、さらに、図8において説明した「浮き上がり現象」が生じた場合でも、材料力学的観点より、基盤Wへの研磨圧力がロスなく伝播されることになる。
このように、本実施形態に係る研磨処理装置1では、弾性膜238のジャバラ部位が伸縮することにより、その押圧面は水平に上昇あるいは下降する。これにより、基盤Wへの研磨圧力をロスなく効率的に伝播させることが可能になる。
また、弾性体137を介して被研磨面の表面プロファイルに応じた連続的な分布で押圧力をロスなく基盤Wの背面側に付与すると共に、前述した第1の伝達系統と第2の伝達系統からなるトルク機構により、より一層、座屈ねじれの発生が抑止される。そのため、基板Wの被研磨面がω形状に形成されてしまうことを防止すると共に、基板表面のGBIR、SFQRの向上を図ることができる。
また、弾性体137を介して被研磨面の表面プロファイルに応じた連続的な分布で押圧力をロスなく基盤Wの背面側に付与すると共に、前述した第1の伝達系統と第2の伝達系統からなるトルク機構により、より一層、座屈ねじれの発生が抑止される。そのため、基板Wの被研磨面がω形状に形成されてしまうことを防止すると共に、基板表面のGBIR、SFQRの向上を図ることができる。
上記説明した実施形態は、本発明をより具体的に説明するためのものであり、本発明の範囲が、これらの例に限定されるものではない。
1・・・研磨処理装置、11・・・研磨テーブル、12・・・研磨パッド、13・・・研磨ヘッド、131・・・蓋体、132・・・第1エアバッグ、133・・・第2エアバッグ、134・・・第1圧力円板、135・・・第2圧力円板、136、136a、136b・・・トップリング、137・・・弾性体、138、238・・・弾性膜、139・・・テンプレートバックフィルム、140、140c・・・テンプレートリテーナリング140、AM・・・アーム、AP・・・エアパイプ、D1、D2、D3・・・ドライブピン、G1、G2、G3・・・ドライブピン溝、W・・・基板、N・・・ノズル。
Claims (9)
- 水平に回転する研磨面を有する研磨処理装置に設けられる研磨ヘッドであって、
研磨処理の対象となる基板を、その被研磨面が前記研磨面に摺接するように保持する保持機構と、
この保持機構に保持された基板を前記被研磨面の背面側から前記研磨面の方向に押圧する押圧機構とを備えており、
前記押圧機構は、圧力流体が封入されることにより前記基板の背面方向に向けて当該圧力流体の量に応じた押圧力が生じるように形成された押圧体と、この押圧体に接して配備された弾性体と、当該押圧体に前記圧力流体を供給する流体供給機構とを含み、
前記押圧体は、筒状の第1の押圧体と、この第1の押圧体を囲むように配備される環状の第2の押圧体とを含んで構成され、
前記第1の押圧体は、前記弾性体と接する接面の中心付近の部位が当該弾性体側に突出した形状に形成されており、前記第2の押圧体は、前記弾性体と接する接面のうち外周側の部位が当該弾性体側に突出した形状に形成されており、
前記第1の押圧体及び前記第2の押圧体それぞれ個別に前記圧力流体が封入されることにより生じた前記押圧力が、それぞれ前記弾性体を通じて前記保持機構に保持された前記基板の背面側に付与されるように構成されている、
研磨ヘッド。 - 前記保持機構を水平に回転させる駆動機構をさらに有しており、
前記第2の押圧体は、前記保持機構に随動するように連結されており、
前記第1の押圧体は、前記第2の押圧体に随動するように連結されており、
前記第1の押圧体及び前記第2の押圧体は、それぞれ連結先と昇降自在に連結することにより、それぞれ前記基板の背面側へ付与する押圧力が水平に回転する前、及び水平に回転中において変動するように構成されていることを特徴とする、
請求項1に記載の研磨ヘッド。 - 前記押圧機構は、さらに、その内底面が前記弾性体に接触し、且つ、その外底面が前記基板の背面側に接する弾性筒状体と、
前記弾性筒状体の内周面と前記弾性体の外周面との間に配備され、当該弾性筒状体を保持するトップリングとを含んでおり、
前記トップリングは、前記保持機構に随動するように連結されていることを特徴とする、
請求項1又は2に記載の研磨ヘッド。 - 前記保持機構は、前記弾性筒状体の前記基板からの浮き上がりを抑止する位置で前記トップリングと連結することを特徴とする、
請求項3に記載の研磨ヘッド。 - 前記トップリングは、その外周面が前記弾性筒状体の内周面と密接することにより当該弾性筒状体を保持し、これにより、当該弾性筒状体が前記トップリングと随動することを特徴とする、
請求項3又は4に記載の研磨ヘッド。 - 前記押圧体は、前記圧力流体が封入されることにより膨張して当該圧力流体の量に応じた押圧力を発生するエアバッグを含んで構成されていることを特徴とする、
請求項1乃至5いずれか一項に記載の研磨ヘッド。 - 前記弾性体は、前記被研磨面の背面側から前記押圧力を付与する面のサイズが、当該被研磨面のサイズよりも小さいサイズであることを特徴とする、
請求項1乃至6いずれか一項に記載の研磨ヘッド。 - 前記弾性筒状体は、その側面が蛇腹状に形成されており、当該蛇腹状に形成された側面の一端が前記トップリングに保持されており、
前記トップリングに保持された前記側面の一端を支点として蛇腹状に形成された側面が伸縮することにより、前記基盤の背面と接する前記弾性筒状体の外底面が前記押圧力に応じて水平に上昇あるいは下降するように構成されていることを特徴とする、
請求項3乃至7いずれか一項に記載の研磨ヘッド。 - 円形又は略円形の研磨面を有する研磨テーブルと、研磨処理対象となる基板を保持して該基板の円形の被研磨面を前記研磨面に摺接させる研磨ヘッドと、前記研磨ヘッド及び前記研磨テーブルの少なくとも一方を水平に回転させる駆動機構とを有し、
前記研磨テーブルは、
前記研磨面の半径が前記基板の被研磨面の直径よりも大きく構成されており、
前記研磨ヘッドは、
前記基板を、その被研磨面が前記研磨面に摺接するように保持する保持機構と、
圧力流体が封入されることにより前記基板の背面方向に向けて当該圧力流体の量に応じた押圧力が生じるように形成された押圧体と、この押圧体と接して配備された弾性体と、当該押圧体に圧力流体を供給する流体供給機構とを含み、
前記押圧体は、筒状の第1の押圧体と、この第1の押圧体を囲むように配備される環状の第2の押圧体とを含んで構成され、当該第1の押圧体は、前記弾性体と接する接面の中心付近の部位が当該弾性体側に突出した形状に形成されており、当該第2の押圧体は、前記弾性体と接する接面のうち外周側の部位が当該弾性体側に突出した形状に形成されており、当該第1の押圧体及び当該第2の押圧体それぞれ個別に圧力流体が封入されることにより生じた押圧力が、それぞれ当該弾性体を通じて前記保持機構に保持された基板の背面側に付与されるように構成された押圧機構と、を有することを特徴とする、
研磨処理装置。
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| CN114378714A (zh) * | 2020-10-19 | 2022-04-22 | 中国科学院微电子研究所 | 一种研磨盘及抛光设备 |
| US11986923B2 (en) * | 2020-11-10 | 2024-05-21 | Applied Materials, Inc. | Polishing head with local wafer pressure |
| JP2022096295A (ja) * | 2020-12-17 | 2022-06-29 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドおよび基板処理装置 |
| CN117532495A (zh) * | 2023-12-22 | 2024-02-09 | 北京晶亦精微科技股份有限公司 | 一种化学机械抛光装置 |
| CN119223873B (zh) * | 2024-11-29 | 2025-03-04 | 四川国泰高新管廊产业投资有限公司 | 一种混凝土智能检测检验系统、设备及方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1142550A (ja) * | 1997-05-28 | 1999-02-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | リテーナリング付きウェーハ研磨装置 |
| JP2000117624A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-25 | Speedfam-Ipec Co Ltd | バッキングシートおよびそれを使用した研磨装置 |
| JP2001212754A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-08-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置の研磨ヘッドの構造 |
| JP2002239894A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| JP2004311506A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置及びその研磨ヘッド並びにウエーハ研磨方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5564965A (en) * | 1993-12-14 | 1996-10-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing member and wafer polishing apparatus |
| US5643053A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
| US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
| JP2914166B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
| US5423558A (en) * | 1994-03-24 | 1995-06-13 | Ipec/Westech Systems, Inc. | Semiconductor wafer carrier and method |
| JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
| US5795215A (en) * | 1995-06-09 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for using a retaining ring to control the edge effect |
| US6024630A (en) * | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
| USRE38854E1 (en) * | 1996-02-27 | 2005-10-25 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
| US6227955B1 (en) * | 1999-04-20 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Carrier heads, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
| US6494774B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with pressure transfer mechanism |
| DE60024559T2 (de) * | 1999-10-15 | 2006-08-24 | Ebara Corp. | Verfahren und Gerät zum Polieren eines Werkstückes |
| JP2001345297A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法及び研磨装置 |
| US7101273B2 (en) * | 2000-07-25 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with gimbal mechanism |
| EP1177859B1 (en) * | 2000-07-31 | 2009-04-15 | Ebara Corporation | Substrate holding apparatus and substrate polishing apparatus |
| US6652362B2 (en) * | 2000-11-23 | 2003-11-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for polishing a semiconductor wafer and method therefor |
| US6769973B2 (en) * | 2001-05-31 | 2004-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same |
| US6835125B1 (en) * | 2001-12-27 | 2004-12-28 | Applied Materials Inc. | Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing |
| JP4448297B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2010-04-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置及び基板研磨方法 |
| US7074114B2 (en) * | 2003-01-16 | 2006-07-11 | Micron Technology, Inc. | Carrier assemblies, polishing machines including carrier assemblies, and methods for polishing micro-device workpieces |
| US6821192B1 (en) * | 2003-09-19 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring for use in chemical mechanical polishing |
| JP2007307623A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Elpida Memory Inc | 研磨装置 |
| JP5807580B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2015-11-10 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
-
2013
- 2013-08-22 JP JP2013172166A patent/JP5538601B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-08-19 WO PCT/JP2014/071671 patent/WO2015025852A1/ja not_active Ceased
- 2014-08-19 US US14/912,551 patent/US20160193712A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1142550A (ja) * | 1997-05-28 | 1999-02-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | リテーナリング付きウェーハ研磨装置 |
| JP2000117624A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-25 | Speedfam-Ipec Co Ltd | バッキングシートおよびそれを使用した研磨装置 |
| JP2001212754A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-08-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置の研磨ヘッドの構造 |
| JP2002239894A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| JP2004311506A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置及びその研磨ヘッド並びにウエーハ研磨方法 |
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