JP2017037918A

JP2017037918A - 研磨ヘッド、研磨ヘッドを有するｃｍｐ研磨装置およびそれを用いた半導体集積回路の製造方法

Info

Publication number: JP2017037918A
Application number: JP2015157218A
Authority: JP
Inventors: 山本　祐広; Sukehiro Yamamoto; 祐広山本
Original assignee: Ablic Inc
Current assignee: Ablic Inc
Priority date: 2015-08-07
Filing date: 2015-08-07
Publication date: 2017-02-16
Also published as: TWI706830B; CN106425833B; KR20170017783A; US10118273B2; CN106425833A; TW201707855A; US20170036318A1

Abstract

【課題】研磨均一性が向上するＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドを提供する。【解決手段】研磨パッド上のウェハと、ウェハの裏面に当接し、ウェハの表面を研磨パッドに押し付けるエアーバッグと、エアーバッグと前記ウェハとを囲うトップリングとを備える研磨ヘッドにおいて、ウェハの中心部に当接するエアーバッグの膜厚よりもウェハの外周部に当接するエアーバッグの膜厚を厚くする。【選択図】図１

Description

本発明は、ウェハ面内を均一に平坦化するためのＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドの構造と、それを有するＣＭＰ研磨装置およびそれも用いた半導体集積回路の製造方法に関する。

近年、半導体集積回路（以下、ＬＳＩという）の高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishingの略、以下ＣＭＰともいう）法もその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に、多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線形成において頻繁に利用される技術である。ＣＭＰ研磨装置の基本的な構造は、研磨パッドの貼り付けられた回転定盤、ウェハ保持ヘッド、スラリー供給ノズルがあり、さらにパッドの再生装置（コンディショナー）が備えられている。研磨パッド側は、必ずしも回転定盤ではなく、ヘッドに対して複数のケースもあり、逆に、一つのパッドに対して複数のヘッドを有するものもある。またＣＭＰ研磨装置を制御するパラメーターとしては、研磨方式のほかに、研磨荷重、定盤の回転速度、ヘッドの回転速度、スラリーの選択・供給方法、コンディショニングの条件・頻度などがあり、図１３のように、ウェハを固定させるヘッド部にエアーバッグを加圧する方式がある（例えば、特許文献１参照）。

特開２００５-２６８５６６号公報

しかしながら、特許文献１に示されたエアーバッグを用いた加圧によるウェハを固定するヘッド構造では以下に示す不具合を有していた。すなわち、加圧されたエアーバッグの圧力が、エアーバッグの外周部で局所的に高圧になり、その部分に接するウェハ領域は、他の領域に比べて研磨パッドへ強く押さえつけられてしまい、他のウェハ領域より、被研磨絶縁材料が多く削られてしまう。ウェハの一部の領域の被研磨絶縁材料が削れすぎることにより、ウェハ面内の研磨均一性がばらついてしまい、その結果、ウェハ面内の絶縁材料の膜厚ばらつきが生じる。膜厚ばらつきの発生したウェハ領域は電気特性にばらつきが生じ、場合によっては電気特性上の異常が発生する。

図１４にその模式図を示す。図１４に示すように、従来技術においては、ウェハを押さえるために圧縮エアーが導入されて、エアーバッグの外周部に局所的にエアーの高圧力６がかかり、中心部より圧力が高くかかる。高圧力部に上から押さえられたウェハ１は、高加圧領域Ｘとなる圧力の強い領域の絶縁膜の研磨レートが増大し、上から押さえつける圧力の小さい中心部よりも多く削れ、高加圧領域Ｘでは絶縁膜材料の平坦化後のウェハ１における面内均一性が悪化してしまっていた。
本発明は、上記不具合に鑑みなされたもので、研磨均一性が向上するＣＭＰ研磨装置を提供することをその課題としている。

上記課題を解決するために、本発明では以下の手段を用いる。すなわち、ＣＭＰ研磨装置のヘッドのエアーバッグは以下の特徴を有するものとする。
１．ウェハの外周部に当接する袋体の厚みを、ウェハの中心部に当接する袋体の厚みより厚くする。
２．エアーバッグを分割する。
３．エアーバッグをホース状にする。
上記の手段を単独あるいは組み合わせて用いることで、均一に加圧し、ウェハ全面を均一に押さえつけることが可能な研磨ヘッドを有するＣＭＰ研磨装置とした。

上記手段を用いることにより、ウェハを押さえつけるエアーバッグは均一に加圧され、ウェハ全面を均一に押さえつけることが出来、ウェハの絶縁材料のウェハ面内膜厚ばらつきが低減された半導体集積回路の製造方法を提供できる。

本発明の第１の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドの模式断面図である。本発明の第２の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第３の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第４の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第５の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第６の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第７の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第８の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第９の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第１０の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第１１の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドにおけるエアーバッグの模式平面図と断面図である。本発明の第１２の実施例を示すＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッド構造の模式断面図である。従来のＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドの模式平面図と模式断面図である。従来のＣＭＰ研磨装置で研磨したあとのウェハ面内残膜ばらつきを示す模式図である。本発明の実施例により製造される半導体集積回路を示す平面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面に基づいてそれぞれの実施例を説明する。
図１は、本発明の第１の実施例を示す模式断面図であり、特に研磨ヘッド部分の断面構造を模式的に示したＣＭＰ研磨装置を表している。前述したように、図１４に示す従来技術においては、ウェハを押さえるために圧縮エアーが導入されると、エアーバッグの形状等の影響により外周部に局所的に高圧力６がかかり、中心部より圧力が高くかかることになる。高圧力部に上から押さえられたウェハ１は圧力の強い高加圧領域Ｘの絶縁膜の研磨レートが増大し、上から押さえつける圧力の小さい中心部よりも多く削れてしまう。その結果、絶縁膜材料の平坦化後のウェハ１面内均一性が悪化してしまっていた。

図１のＣＭＰ研磨装置においては、表面を下に向けて研磨パッド５の上に載置されたウェハ１の裏面上に、エアーバッグ１０１が配置され、圧縮エアーがエアーバッグ１０１に送り込まれることで、ウェハ１を上から押さえつけ、ウェハ１の表面を研磨パッド５に押し付けるように固定する構造になっている。ウェハ１とエアーバッグ１０１を側面から囲むようにリテナーリング３が配置され、それらを囲むようにトップリング２が配置されている。ウェハ１の下には研磨パッド５が配置され、ウェハ１を含むトップリング２が研磨パッド５上を回転しながら、ウェハ１の表面の絶縁材料を研磨して平坦化している。

ここで、エアーバッグ１０１においてはエアーバッグの構成素材を中心部から外側に向かうほどにエアーバッグ１０１を構成している袋体の膜厚を厚くする構造とする。このとき厚みを持たせる範囲は、ＣＭＰ研磨装置の構成や、ウェハ１の形状により、ウェハ全体の研磨レートを確認し、研磨レートの早くなる領域から、エアーバッグ１０１の外側の向かって最適な厚みをもたせるように設計するとよい。このとき従来技術で得られた高圧力で押さえつけられて研磨レートの高くなった領域幅の実測値を用いると良い。厚みをもった箇所はウェハ１への圧力が、従来の厚みのときに比べて分散される。

従来の厚みの際にはエアーバッグの外周部に局所的に高圧力がかかり、研磨レートが増大し、絶縁材料が削れ過ぎる問題があったが、エアーバッグ１０１の厚みを外側に向かうにつれ最適な厚みにすることでエアーバッグ１０１の外側にだけ局所的にかかっていた高圧力が分散され、ウェハ１を押さえつけるエアーバッグ１０１の圧力が中心部と外周部で均一になり、結果として絶縁膜材料がウェハ１の全面で均一に高品質に形成される利点がある。

以上説明したように本発明の第１の実施例は、エアーバッグ１０１の厚みを外側に向かって最適な厚みにすることでエアー圧力が均一に分散され、ウェハ１を均一に押さえることができる特徴を有している。

次に、図２は、本発明の第２の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。まず、図１４に示すように、従来技術においては、局所的にエアーの高圧力がかかる領域の絶縁膜材料の研磨レートが増大し平坦化の均一性が悪化する領域が把握できている。さらにエアーバッグの圧力が外側に向かって高くなる要因としては、エアーバッグが１つの部材で構成されている点、ヘッドが回転するため遠心力が働く点などがあげられる。

このため、図２の実施例においては、エアーバッグを２つの袋体に分けている。円形のインナーエアーバッグ２０１とインナーエアーバッグを囲うように配置されたドーナツ形状のアウターエアーバッグ２０２である。先に述べたように、従来技術で外側のエアー高圧力領域により研磨レートの増大する領域が判っているので、この領域の幅をカバーする程度にアウターエアーバッグの幅を設定するとよい。インナーエアーバッグ２０１とアウターエアーバッグ２０２は個々に圧力制御が可能である。以上説明したように第２の実施例は、エアーバッグを個々に圧力制御可能な２つで構成し、ウェハ１の中心部にかかるエアーバッグからの押さえつける圧力と外周部にかかるエアーバッグからの押さえつける圧力を均一に分散させてウェハを均一に押さえることができる特徴を有している。

次に、図３は、本発明の第３の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。第２の実施例で説明したように、インナーエアーバッグ３０１の周囲にアウターエアーバッグ３０２を配置しているが、アウターエアーバッグ３０２の形状を少円形にしている。アウターエアーバッグ３０２の形状を少円形にすることで、第２の実施例のドーナツ形状より、より均一にエアー圧力がかかり、その結果均一にウェハ１を押さえつける利点がある。以上説明したように第３の実施例は、エアーバッグを２種の円形で構成しウェハ１の中心部にかかるエアーバッグからの押さえつける圧力と外周部にかかるエアーバッグからの押さえつける圧力を第２の実施例よりより均一に圧力を分散させてウェハを均一に押さえることができる特徴を有している。ここで内側の大きな円形のエアーバッグと外側の小さなエアーバッグは個々に圧力制御が可能である。

次に、図４は、本発明の第４の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。第３の実施例で説明したインナーエアーバッグ３０１の周囲にアウターエアーバッグ３０２の配置に比べ、１つで構成されていたインナーエアーバッグ３０１を全て、アウターエアーバッグ３０２と同じ大きさで配置した、小型エアーバッグ４０１で構成されている構造とする。第３の実施例に比べて、全て小型エアーバッグ４０１で構成しているため、大きいエアーバッグに比べて、エアー圧力が均一にかかる利点があるここで各々のエアーバッグは個々に圧力制御が可能である。

以上説明したように第４の実施例は、エアーバッグを全て小型エアーバッグ４０１で構成することで、大きいエアーバッグより、よりエアー圧力が均一にかかり、結果ウェハ１を押さえつける圧力がウェハ１全面をより均一化して押さえることができる特徴を有している。

次に、図５は、本発明の第５の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。従来技術図１３または、第１の実施例で説明したように、１つの大きなエアーバッグで構成されると、エアー圧力が局所的に分散されてしまい、ウェハを押さえつける圧力が不均一になる不具合があった。そこで、図５のようにエアーバッグの形状をホース状にし、渦巻き状に配するようにする、ホース状エアーバッグ渦巻き型５０１。渦巻きの向きは左でも右でも最適な方を選択して良い。エアーバッグがホース状に小さくなることで、エアー圧力が均一にかかる利点がある。以上説明したように第５の実施例は、エアーバッグをホース状エアーバッグ渦巻き型５０１で構成することで、従来技術図１３または実施例１より均一にエアーがかかり、結果ウェハ１を押さえつける圧力がウェハ１全面をより均一化して押さえることができる特徴を有している。また、本実施例において、ウェハ中心部に当接するホース状エアーバッグの太さよりもウェハ外周部に当接するホース状エアーバッグの太さを細くすることでウェハを押さえつける圧力をさらに均一にすることができる。

次に、図６は、本発明の第６の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。実施例１と実施例２の両方の特徴を有しており、インナーエアーバッグ６０１は円形で構成され、インナーエアーバッグ６０１を囲うように、ドーナツ型のアウターエアーバッグ６０２が配置されている。アウターエアーバッグ６０２は構成する素材を厚くしている。ＣＭＰ研磨装置のヘッドは回転するため円周力により外側に配置されたエアーバッグは、中心部のエアーバッグより圧力がかかる。エアーバッグの素材を中心部のものより厚くすることで、エアー圧力が均一にかかり、ウェハ１を均一に押さえつける利点がある。以上説明したように第６の実施例は、素材を厚くしたアウターエアーバッグ６０２で構成することで、実施例２より均一にエアーがかかり、結果ウェハ１を押さえつける圧力がウェハ１全面をより均一化して押さえることができる特徴を有している。

次に、図７は、本発明の第７の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。実施例１と実施例３の両方の特徴を有しており、円形のインナーエアーバッグ７０１を囲うように小さい円形のアウターエアーバッグ７０２が配置されている。アウターエアーバッグ７０２は構成する素材を厚くしている。ＣＭＰ研磨装置のヘッドは回転するため円周力により外側に配置されたエアーバッグは、中心部のエアーバッグより圧力がかかる。エアーバッグの素材を中心部のものより厚くすることで、エアー圧力が均一にかかり、ウェハ１を均一に押さえつける利点がある。以上説明したように第６の実施例は、素材を厚くしたアウターエアーバッグ７０２で構成することで、実施例３より均一にエアーがかかり、結果ウェハ１を押さえつける圧力がウェハ１全面をより均一化して押さえることができる特徴を有している。

次に、図８は、本発明の第８の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。実施例１と実施例４の両方の特徴を有しており、小型エアーバッグ８０１が配置されている。最外周に配置されている小型エアーバッグ厚い８０２は構成する素材を厚くしている。ＣＭＰ研磨装置のヘッドは回転するため円周力により外側に配置されたエアーバッグは、中心部のエアーバッグより圧力がかかる。エアーバッグの素材を中心部のものより厚くすることで、エアー圧力が均一にかかり、ウェハ１を均一に押さえつける利点がある。以上説明したように第６の実施例は、素材を厚くしたアウターエアーバッグ８０２で構成することで、実施例４より均一にエアーがかかり、結果ウェハ１を押さえつける圧力がウェハ１全面をより均一化して押さえることができる特徴を有している。

次に、図９は、本発明の第９の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。実施例２と実施例５の両方の特徴を有しており、円形のインナーエアーバッグ９０１を囲うように、ホース状エアーバッグ渦巻き型９０２が配置されている。ホース状エアーバッグ渦巻き型９０２の渦巻きは右でも左でも最適な方を選べばよい。従来技術１３で説明したように１つで構成されるエアーバッグだとエアーバッグの中心部より外周部でのエアー圧力が高くなり、高圧力でウェハ１を押さえつけることで、外周部の研磨レートが増大し、絶縁膜が削れすぎてしまい、平坦化の均一性が悪化する問題があったが、従来技術で得られる外周部の研磨レートが増大する領域を、ホース状エアーバッグ渦巻き型９０２で形成し、エアーバッグを２つで構成することで、中心部の圧力と外周部の圧力が均一になり、ウェハ１を押さえつける圧力がウェハ１全面で均一になる利点がある。以上説明したように第９の実施例は、円形のインナーエアーバッグ９０１を囲うように、ホース状エアーバッグ渦巻き型９０２が配置されるように構成することで、実施例２より均一にエアーがかかり、結果ウェハ１を押さえつける圧力がウェハ１全面をより均一化して押さえることができる特徴を有している。

次に、図１０は、本発明の第１０の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。実施例３と実施例５の両方の特徴を有しており、円形でホース状のインナーホース状エアーバッグ渦巻き型１００１を囲うように、小型のアウターホース状エアーバッグ渦巻き型１１０２で形成されている。インナーホース状エアーバッグ渦巻き型１００１とアウターホース状エアーバッグ渦巻き型１１０２の渦巻きは右でも左でも最適な方を選べばよい。従来技術１３で説明したように１つで構成されるエアーバッグだとエアーバッグの中心部より外周部でのエアー圧力が高くなり、高圧力でウェハ１を押さえつけることで、外周部の研磨レートが増大し、絶縁膜が削れすぎてしまい、平坦化の均一性が悪化する問題があったが、従来技術の実証値から得られる外周部の研磨レートが増大する領域を、インナーホース状エアーバッグ渦巻き型１００１とアウターホース状エアーバッグ渦巻き型１１０２のホース状の渦巻き型エアーバッグで形成することで、中心部と外周部のエアー圧力の均一性が実施例５より向上する利点がある。以上説明したように第１０の実施例は、円形でホース状のインナーホース状エアーバッグ渦巻き型１００１を囲うように、小型のアウターホース状エアーバッグ渦巻き型１１０２で形成することで実施例３より均一に中心部と外周部にエアーがかかり、結果ウェハ１を押さえつける圧力がウェハ１全面をより均一化して押さえることができる特徴を有している。

次に、図１１は、本発明の第１１の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグのみを簡易的に示している。実施例４と実施例５の両方の特徴を有しており、小型ホース状エアーバッグ渦巻き型１１０１で形成されている。渦巻きは右でも左でも最適な方を選べばよい。実施例４で説明したように１つで構成されるエアーバッグだとエアーバッグの中心部より外周部でのエアー圧力が高くなり、高圧力でウェハ１を押さえつけることで、外週部の研磨レートが増大し、絶縁膜が削れすぎてしまい、平坦化の均一性が悪化する問題があったが、従来技術の実証値から得られる外周部の研磨レートが増大する領域と中心部を、小型ホース状エアーバッグ渦巻き型１１０１で形成することで、中心部と外周部のエアー圧力の均一性が実施例４より向上する利点がある。以上説明したように第１１の実施例は、小型ホース状エアーバッグ渦巻き型１１０１で形成することで実施例４より均一に中心部と外周部にエアーがかかり、結果ウェハ１を押さえつける圧力がウェハ１全面をより均一化して押さえることができる特徴を有している。

次に、図１２は、本発明の第１２の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のヘッド部分の構造を簡易的に示している。実施例１の特徴に、ウェハ１とエアーバッグ１０１の間に、衝撃吸収（ゲル状）シート１２０１を有している。

ウェハ１とエアーバッグ１０１の間に挟まれた、衝撃吸収（ゲル状）シート１２０１は、エアーバッグ１０１からの局所的な圧力発生した場合でも圧力を緩和分散し、押さえつける圧力を均一にウェハ１へ伝えることが出来る利点がある。以上説明したように第１２の実施例は、ウェハ１とエアーバッグ１０１の間に挟まれた、衝撃吸収（ゲル）シート１２０１がエアーバッグからの圧力を緩和分散することで、ウェハ１を均一に押さえつける圧力を伝えることができる特徴を有している。

また、図示は省略するが第２〜１１の実施例にも、ウェハ１の上に衝撃吸収（ゲル状）シート１２０１を設けることで、実施例１２と同様の効果を得ることが期待できる。また、本実施例はエアーバッグで記述説明しているが、エアーバッグを耐水耐圧性のものに置き換えることで、エアーガスによる圧力印加方式から、液体による圧力印加方式への活用も十分に期待できる。

図１５は、これまで示した実施例により製造される半導体集積回路８を示す平面図である。半導体集積回路８はウェハ１の表面に周囲をわずかに残して２次元的に複数配置されている。半導体集積回路８の製造工程において、ＣＭＰ研磨装置は半導体集積回路８の表面を化学的機械的に研磨することで平坦化し、次に形成される金属膜あるいは絶縁膜が平坦な面に配置されるようしている。半導体集積回路８の構造によっては、ＣＭＰ研磨装置はその製造工程において、何度も使用されることがあり、ウェハ全面における平坦度に関しては良いことが求められるのは当然である。

１ウェハ
２トップリング
３リテナーリング
４エアーバッグ
５研磨パッド
６、Ｘ局所的な高加圧箇所
７局所的な高加圧箇所によるウェハの品質異常領域
８半導体集積回路
１０１エアーバッグ
２０１インナーエアーバッグ
２０２アウターエアーバッグ
３０１インナーエアーバッグ
３０２アウターエアーバッグ
４０１小型エアーバッグ
５０１ホース状エアーバッグ渦巻き型
６０１インナーエアーバッグ
６０２アウターエアーバッグ
７０１インナーエアーバッグ
７０２アウターエアーバッグ
８０１小型エアーバッグ
８０２小型エアーバッグ厚い
９０１インナーエアーバッグ
９０２ホース状エアーバッグ渦巻き型
１００１インナーホース状エアーバッグ渦巻き型
１００２アウターホース状エアーバッグ渦巻き型
１１０１小型ホース状エアーバッグ渦巻き型
１２０１衝撃吸収（ゲル状）シート

Claims

ＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドであって、
研磨パッドと、
前記研磨パッドの表面に載置されたウェハの裏面に当接し、前記ウェハの表面を前記研磨パッドに押し付けるエアーバッグと、
前記エアーバッグおよび前記ウェハとを囲うトップリングと、
を備え、
前記ウェハの中心部に当接する前記エアーバッグの第１膜厚よりも前記ウェハの外周部に当接する前記エアーバッグの第２膜厚が厚いことを特徴とする研磨ヘッド。
ＣＭＰ研磨装置の研磨ヘッドであって、
研磨パッドと、
前記研磨パッドの表面に載置されたウェハの裏面に当接し、前記ウェハの表面を前記研磨パッドに押し付ける第１エアーバッグおよび第２エアーバッグと、
前記エアーバッグおよび前記ウェハとを囲うトップリングと、
を備え、
前記ウェハの中心部に当接する第１エアーバッグと、前記ウェハの外周部に当接する第２エアーバッグとは異なる袋体であることを特徴とする研磨ヘッド。
前記ウェハの中心部に当接する第１エアーバッグの第１膜厚よりも前記ウェハの外周部に当接する第２エアーバッグの第２膜厚が厚いことを特徴とする請求項２記載の研磨ヘッド。
平面視的に、前記第１エアーバッグは円形のエアーバッグで、前記第２エアーバッグは前記円形のエアーバッグの周囲に設けられたドーナツ形状のエアーバッグであることを特徴とする請求項２または３記載の研磨ヘッド。
平面視的に、前記第１エアーバッグは円形のエアーバッグで、前記第２エアーバッグは前記第１エアーバッグの周囲に設けられ、前記円形のエアーバッグよりも小さい複数の円形のエアーバッグの集合体であることを特徴とする請求項２または３記載の研磨ヘッド。
平面視的に、前記第１エアーバッグは複数の円形のエアーバッグの集合体で、前記第２エアーバッグは前記第１エアーバッグの周囲に設けられた複数の円形のエアーバッグの集合体であることを特徴とする請求項２または３記載の研磨ヘッド。
平面視的に、前記第１エアーバッグは円形のエアーバッグであり、前記第２エアーバッグは前記円形のエアーバッグの周囲に設けられた渦巻きホース形状のエアーバッグであることを特徴とする請求項２記載の研磨ヘッド。
平面視的に、前記第１エアーバッグは第１の渦巻きホース形状のエアーバッグであり、前記第２エアーバッグは前記第１の渦巻きホース形状のエアーバッグの周囲に設けられ、前記第１の渦巻きホース形状のエアーバッグよりも小さい複数の第２の渦巻きホース形状のエアーバッグの集合体であることを特徴とする請求項２記載の研磨ヘッド。
平面視的に、前記第１エアーバッグは複数の渦巻きホース形状のエアーバッグの集合体で、前記第２エアーバッグは前記第１エアーバッグの周囲に設けられた複数の渦巻きホース形状のエアーバッグ集合体であることを特徴とする請求項２記載の研磨ヘッド。
前記ウェハと前記エアーバッグとの間に衝撃吸収シートを設けたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の研磨ヘッド。
請求項１乃至１０のいずれか１項記載の研磨ヘッドを有するＣＭＰ研磨装置。
請求項１１記載のＣＭＰ研磨装置を用いてウェハ表面を平坦化する工程を有する半導体集積回路の製造方法。