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WO2015098793A1 - 電子部品モジュール - Google Patents

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WO2015098793A1
WO2015098793A1 PCT/JP2014/083826 JP2014083826W WO2015098793A1 WO 2015098793 A1 WO2015098793 A1 WO 2015098793A1 JP 2014083826 W JP2014083826 W JP 2014083826W WO 2015098793 A1 WO2015098793 A1 WO 2015098793A1
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WO
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electronic component
wiring
wave filter
layer
component module
Prior art date
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PCT/JP2014/083826
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English (en)
French (fr)
Inventor
岩本敬
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP2015554857A priority patent/JP6311724B2/ja
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    • H03H2009/0019—Surface acoustic wave multichip

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component module corresponding to a plurality of frequency bands.
  • a front-end module described in Patent Document 1 as a front-end electronic component module built in a wireless communication device such as a portable terminal.
  • a diplexer, a low-pass filter, and the like are configured as chip parts, and the chip parts are mounted on a resin multilayer substrate.
  • active elements constituting the switch are mounted on the resin multilayer substrate, and passive elements constituting the switch are laminated on the inner layer of the resin multilayer substrate.
  • An object of the present invention is to provide an electronic component module that can be miniaturized.
  • An electronic component module of the present invention includes an elastic wave filter and a mounting electronic component.
  • the acoustic wave filter has a piezoelectric substrate and a functional electrode formed on the upper surface of the piezoelectric substrate.
  • the mountable electronic component is mounted on the piezoelectric substrate so as to form a space in which the functional electrode is disposed.
  • the electronic component module can be downsized.
  • the electronic component module of the present invention preferably has the following configuration.
  • the elastic wave filter has a cover layer.
  • the cover layer is formed so as to face the upper surface of the piezoelectric substrate with a space and cover the functional electrode.
  • the mountable electronic component is mounted on the upper surface of the cover layer.
  • the electronic component module of the present invention preferably has the following configuration.
  • the cover layer has flexibility.
  • the acoustic wave filter has a wiring layer formed on the upper surface of the cover layer.
  • the mounted electronic component is connected to the wiring layer.
  • the wiring layer is used not only for electrical connection but also for reinforcing the cover layer. For this reason, since it becomes difficult for a cover layer to bend, a mounting type electronic component can be mounted on the upper surface of a cover layer, without crushing the space of the upper part of a functional electrode.
  • the wiring layer can be patterned with high precision using a photolithography method. For this reason, the mounting type electronic component can be mounted at a high density, so that the electronic component module can be further downsized.
  • connection portion between the mounted electronic component and the wiring layer is less likely to be destroyed, and high connection reliability can be ensured.
  • the cover layer is preferably made of a resin film material.
  • the electronic component module of the present invention preferably has the following configuration.
  • the electronic component module of the present invention includes a signal extraction wiring.
  • the signal extraction wiring is formed on the upper portion of the piezoelectric substrate and extends upward.
  • the mounting area of the mounting type electronic component is smaller than the area of the upper surface of the piezoelectric substrate.
  • the signal extraction wiring is wired outside the mounted electronic component, and is wired inside the piezoelectric substrate when viewed from a direction perpendicular to the top surface of the piezoelectric substrate.
  • the electronic component module can be further downsized.
  • the electronic component module of the present invention preferably includes a plurality of acoustic wave filters having different pass bands, and the mounted electronic component preferably includes a high-frequency switch.
  • This configuration shows a specific configuration of the electronic component module.
  • the plurality of acoustic wave filters having different passbands include a plurality of chips.
  • This configuration shows a specific configuration of the electronic component module.
  • At least one of the plurality of chips is preferably a chip having a function other than the acoustic wave filter such as a semiconductor device.
  • This configuration shows a specific configuration of the electronic component module.
  • the mounting type electronic component includes a second acoustic wave filter, with the acoustic wave filter as the first acoustic wave filter.
  • the electronic component module can cope with a frequency band that the first acoustic wave filter cannot handle.
  • the electronic component module of the present invention preferably has the following configuration.
  • the electronic component module of the present invention includes a plurality of high-frequency filters made of acoustic wave filters or mounted electronic components.
  • the mounted electronic component includes a high frequency switch.
  • the high frequency switch and the high frequency filter are connected through a wiring layer.
  • the electronic component module of the present invention preferably has the following configuration.
  • the high frequency switch has a plurality of terminals and a common terminal connected to one of the terminals.
  • the common terminal is connected to the antenna, and the terminal is connected to the high frequency filter through the wiring layer.
  • This configuration shows a specific configuration of the electronic component module.
  • the mounted electronic component preferably includes a multilayer substrate on which at least one of a capacitor and an inductor is formed.
  • This configuration can increase the degree of integration of electronic component modules.
  • the electronic component module can be miniaturized.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a mounted front end circuit component according to a first embodiment.
  • 1 is a circuit diagram of a first example of a front end circuit component according to the first embodiment;
  • FIG. FIG. 3 is a circuit diagram of a second example of the front-end circuit component according to the first embodiment.
  • It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the front end circuit component which concerns on 1st Embodiment.
  • the front-end circuit component 10 is connected between the antenna and the transmission / reception device, and demultiplexes the transmission / reception signal according to the used frequency band.
  • the front-end circuit component 10 is used in, for example, a wireless communication device that operates in multiband and multimode.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the front-end circuit component 10.
  • the front-end circuit component 10 includes a base body elastic wave filter 11, an RF (Radio ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ Frequency) switch 32, an elastic wave filter 33, and a chip inductor 34.
  • the RF switch 32 corresponds to the high frequency switch of the present invention.
  • the elastic wave filter 33 corresponds to the second elastic wave filter of the present invention.
  • the base body elastic wave filter 11 and the elastic wave filter 33 are surface acoustic wave filters, but may be boundary acoustic wave filters, elastic bulk wave filters, plate wave filters, or the like.
  • the RF switch 32, the elastic wave filter 33, and the chip inductor 34 are examples of the mounted electronic component 31.
  • the mounted electronic component 31 may be, for example, a chip inductor, a chip capacitor, an LC filter, or the like.
  • the mountable electronic component 31 may be a multilayer substrate such as an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) substrate or a printed circuit board on which a capacitance component and an inductor component are patterned. Thereby, the degree of integration of the front-end circuit components 10 can be increased as compared with the case where a chip inductor or a chip capacitor is mounted.
  • LTCC Low Temperature Co-fired Ceramic
  • the base elastic wave filter 11 includes a piezoelectric substrate 12, an IDT (Interdigital Transducer) electrode 13, a first wiring layer 14, a support layer 15, a cover layer 16, a lead wiring 18 and a second wiring layer 19.
  • the IDT electrode corresponds to the functional electrode of the present invention.
  • the second wiring layer 19 corresponds to the “wiring layer” of the present invention.
  • the IDT electrode 13, the first wiring layer 14, the support layer 15 and the cover layer 16 are laminated on the upper surface of the piezoelectric substrate 12 in this order.
  • the IDT electrode 13 is patterned so that a resonator having a plurality of pass bands is formed.
  • the first wiring layer 14 is connected to the IDT electrode 13.
  • a SiO 2 protective film (not shown) is formed on the surface (upper surface) of the IDT electrode 13 and the wiring layer 14 so that the portion in contact with the lead wiring 18 is exposed.
  • the support layer 15 is formed so as to surround the IDT electrode 13.
  • the cover layer 16 is formed so as to cover the upper part of the IDT electrode 13. Thereby, a sealing space (IDT space) 17 is formed above the IDT electrode 13.
  • IDT space IDT space
  • the support layer 15 and the cover layer 16 are formed separately, you may form integrally.
  • Vias are formed in the support layer 15 and the cover layer 16, and lead wires 18 are formed in the vias.
  • the lead wiring 18 is connected to the first wiring layer 14.
  • a second wiring layer 19 is formed on the upper surface of the cover layer 16.
  • the second wiring layer 19 is connected to the lead wiring 18.
  • the second wiring layer 19 includes wiring and mounting pads.
  • a SiO 2 protective film (not shown) is formed on the surface of the second wiring layer 19 so as to expose a portion corresponding to the mounting pad and a portion in contact with the lead wiring 21.
  • the base body elastic wave filter 11 includes a plurality of elastic wave filters having different pass bands, and can correspond to a plurality of frequency bands.
  • Each elastic wave filter included in the base body elastic wave filter 11 corresponds to an “elastic wave filter” of the present invention.
  • the RF switch 32, the elastic wave filter 33, and the chip inductor 34 are mounted on the mounting pads of the second wiring layer 19.
  • the acoustic wave filter 33 includes a piezoelectric substrate 331 and an IDT electrode 332 formed on the main surface 331S of the piezoelectric substrate 331.
  • the elastic wave filter 33 is mounted on the mounting pad of the second wiring layer 19 so that the main surface 331 ⁇ / b> S of the piezoelectric substrate 331 faces the upper surface of the cover layer 16.
  • the mounting area of the mounting type electronic component 31 is smaller than the area of the upper surface of the piezoelectric substrate 12.
  • the base body acoustic wave filter 11 and the mountable electronic component 31 are connected only by the lead wiring 18 and the second wiring layer 19.
  • a columnar lead wiring 21 is formed on the upper surface of the second wiring layer 19.
  • the lead wire 21 corresponds to the signal lead wire of the present invention.
  • the lead wiring 21 is connected to the second wiring layer 19.
  • the lead-out wiring 21 is wired so as to pass outside the mounting type electronic component 31.
  • the lead wiring 21 is wired inside the piezoelectric substrate 12 when viewed from the stacking direction.
  • the front-end circuit component 10 can be downsized as compared with the case where the lead-out wiring 21 is wired outside the piezoelectric substrate 12 when viewed from the stacking direction.
  • a resin layer 22 is formed so as to cover the mountable electronic component 31, the second wiring layer 19, and the lead-out wiring 21.
  • the resin layer 22 is formed so as to surround the IDT electrode 332 of the acoustic wave filter 33. Thereby, a sealed space is formed between the lower surface of the elastic wave filter 33 and the upper surface of the cover layer 16. The upper end portion of the lead wiring 21 is exposed from the resin layer 22.
  • the offset wiring 23 is formed on the upper surface of the resin layer 22.
  • the offset wiring 23 is connected to the upper end portion of the lead wiring 21.
  • a protective layer 24 is formed on the upper surface of the resin layer 22 so that the offset wiring 23 is exposed.
  • a mounting terminal 25 is formed on the upper surface of the offset wiring 23. The protective layer 24 can prevent the solder of the mounting terminals 25 from spreading.
  • the piezoelectric substrate 12 is made of a LiTaO 3 substrate or the like.
  • the IDT electrode 13 and the first wiring layer 14 are made of a metal material such as Al, Cu, Pt, Au, W, Ta, Mo, or an alloy containing these as a main component. Moreover, a laminated structure may be sufficient.
  • the support layer 15 and the resin layer 22 are made of a resin material such as polyimide or epoxy resin.
  • the cover layer 16 is made of a resin film material such as a polyimide film having flexibility.
  • the lead wirings 18 and 21, the second wiring layer 19, and the offset wiring 23 are made of a metal film such as an Au / Ni / Cu film. As described above, the mounting terminal 25 is made of solder.
  • the cover layer 16 is for forming the sealing space 17 and is made of a thin resin film. For this reason, when it is going to mount the mounting type electronic component 31 on the upper surface of the cover layer 16, the cover layer 16 may bend and the sealing space 17 may be crushed.
  • the cover layer 16 since the second wiring layer 19 is formed on the upper surface of the cover layer 16, the cover layer 16 is difficult to bend. That is, the second wiring layer 19 is used not only for electrical connection but also for reinforcing the cover layer 16. For this reason, the mountable electronic component 31 can be mounted on the upper surface of the cover layer 16 without crushing the sealing space 17. According to such a configuration, it is possible to reduce the size as compared with a configuration in which mounting electronic components such as an RF switch and an acoustic wave filter are laid flat on a circuit board such as an LTCC board or a printed board.
  • the wiring layer formed on the circuit board is patterned using screen printing.
  • the second wiring layer 19 is patterned by using a photolithography method as will be described later. For this reason, it is possible to pattern the second wiring layer 19 with finer and higher precision than the wiring layer formed on the circuit board. As a result, it is possible to increase the degree of wiring integration and to mount the mounted electronic components at a high density as compared with the configuration in which the mounted electronic components are laid flat on the circuit board, thereby further reducing the size.
  • the mountable electronic component 31 is mounted on the upper surface of the cover layer 16. For this reason, it is not necessary to separately provide an interposer or a printed circuit board as a rewiring layer for the base elastic body filter 11 or the mountable electronic component 31, so that a reduction in height and cost can be achieved.
  • the cover layer 16 is made of a resin film material having flexibility. For this reason, even if the front-end circuit component 10 is subjected to thermal stress, the thermal stress is not concentrated on the connection portion between the mountable electronic component 31 and the second wiring layer 19. As a result, the connection portion between the mountable electronic component 31 and the second wiring layer 19 is not easily broken, and high connection reliability can be ensured.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the mounted front-end circuit component 10.
  • the module substrate 35 is formed by laminating a base material layer on which a conductor pattern is formed.
  • the module substrate 35 is formed with a capacitance component and an inductor component.
  • a mounting pad is formed on the upper surface of the module substrate 35, and mounting terminals are formed on the lower surface of the module substrate 35.
  • the front end circuit component 10 is mounted on a mounting pad of the module substrate 35.
  • a resin layer 36 is formed so as to cover the front end circuit component 10.
  • the degree of wiring integration can be increased.
  • the entire module can be downsized.
  • the mountable electronic component 31 may include a multilayer substrate on which the capacitance component and the inductor component are patterned. Thereby, the module substrate 35 and the resin layer 36 can be omitted.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of the front-end circuit component 10.
  • the front-end circuit component 10 includes an RF switch 41, a duplexer 42, and an external terminal 43.
  • the RF switch 41 has a plurality of terminals and a common terminal connected to one of the terminals under the control of the switch control unit 47.
  • the common terminal of the RF switch 41 is connected to the antenna 46.
  • the terminal of the RF switch 41 is connected to a reception control unit 48 and a transmission control unit 49 via a duplexer 42.
  • the RF switch 41 is realized by an RF switch 32 which is a mountable electronic component 31 (see FIG. 1).
  • the duplexer 42 is realized by the base body elastic wave filter 11 and the elastic wave filter 33.
  • the external terminal 43 is realized by the mounting terminal 25.
  • the wiring between the RF switch 41 and the duplexer 42 is realized only by the lead wiring 18 and the second wiring layer 19.
  • the RF switch 41 and the duplexer 42 are connected only by wiring inside the front-end circuit component 10. For this reason, since the line length between the RF switch 41 and the duplexer 42 can be shortened compared with the structure which mounts a mounting type electronic component on a circuit board, a favorable device characteristic can be acquired. Further, the number of external terminals 43 of the front-end circuit component 10 can be reduced as compared with the case where the RF switch 41 and the duplexer 42 are connected using wiring outside the front-end circuit component 10. A part of the wiring between the RF switch 41 and the duplexer 42 may be realized by wiring outside the front end circuit component 10. Even in this case, the effect is somewhat reduced, but the same effect can be obtained.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of the front end circuit component 50.
  • the front end circuit component 50 is a second example of the front end circuit component according to the first embodiment.
  • the front end circuit component 50 includes switches 51 and 52 in addition to the configuration of the front end circuit component 10.
  • the RF switches 51 and 52 correspond to the high frequency switch of the present invention.
  • the switches 51 and 52 have a plurality of terminals and a common terminal connected to one of the terminals under the control of the switch control unit 47.
  • the terminal of the switch 51 is connected to the receiving side terminal of the duplexer 42.
  • a common terminal of the switch 51 is connected to the reception control unit 48.
  • the terminal of the switch 52 is connected to the transmission side terminal of the duplexer 42.
  • a common terminal of the switch 52 is connected to the transmission control unit 49.
  • Other configurations of the front-end circuit component 50 are the same as those of the front-end circuit component 10.
  • the reception side terminals of the duplexer 42 are bundled by the switch 51, and the transmission side terminals of the duplexer 42 are bundled by the switch 52.
  • the number of the external terminals 43 can be reduced. Even if the frequency band mounted on the front-end circuit component 50 increases, the number of external terminals 43 does not increase.
  • FIG. 5 to 8 are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing the front-end circuit component 10.
  • the IDT electrode 13 is formed on the upper surface of the piezoelectric wafer 121 by a photolithography method or the like so that a resonator pattern having a plurality of pass bands is formed.
  • the film thickness of the IDT electrode 13 is changed according to each pass band.
  • the first wiring layer 14 is formed by laminating a plurality of metal films on the upper surface of the piezoelectric wafer 121.
  • the first wiring layer 14 is connected to the IDT electrode 13.
  • the first wiring layer 14 is formed by a photolithography method or the like.
  • a SiO 2 protective film (not shown) is formed on the surfaces of the IDT electrode 13 and the first wiring layer 14 by sputtering or the like.
  • an opening is formed in the SiO 2 protective film by dry etching so that the first wiring layer 14 and the lead wiring 18 (see FIG. 6B) can be connected.
  • a photosensitive resin is applied to the upper surface of the piezoelectric wafer 121 by spin coating. Then, the photosensitive resin is patterned by photolithography so that the IDT electrode 13 is exposed and an opening is formed at a position corresponding to the lead wiring 18. Thereby, the support layer 15 is formed.
  • a photosensitive resin sheet is bonded to the upper surface of the support layer 15 by a roll laminating method or the like. Then, the photosensitive resin sheet is patterned by a photolithography method so that the opening is formed at a position corresponding to the opening of the support layer 15. Thereby, the cover layer 16 and the via 26 are formed, and the sealing space 17 is formed above the IDT electrode 13.
  • the lead wiring 18 is formed in the via 26 and the second wiring layer 19 is formed on the upper surface of the cover layer 16 by electrolytic plating.
  • the lead wiring 18 is connected to the first wiring layer 14 and the second wiring layer 19.
  • the lead wiring 18 and the second wiring layer 19 are formed as follows. First, a plated power feeding film made of a Cu / Ti film is formed by sputtering. Next, a resist having openings in the portions where the lead wiring 18 and the second wiring layer 19 are formed is formed by photolithography. Next, an Au / Ni / Cu film is formed by electrolytic plating. Next, the resist is removed, and the power feeding film is removed by etching. Thereby, the lead wiring 18 and the second wiring layer 19 are formed.
  • a SiO 2 protective film (not shown) is formed on the surface of the second wiring layer 19 by sputtering or the like. Then, an opening is formed in the SiO 2 protective film by dry etching so that the portion corresponding to the mounting pad and the portion in contact with the lead wiring 21 (see FIG. 6B) on the upper surface of the second wiring layer 19 are exposed. Form.
  • a plurality of structures of the base elastic wave filter 11 are formed on the piezoelectric wafer 121. Note that it is preferable to lay out the IDT electrode 13, the first wiring layer 14, and the like so that the mounting type electronic component 31 (see FIG. 6C) is efficiently mounted.
  • a columnar lead wiring (Cu post) 21 is formed on the upper surface of the second wiring layer 19.
  • the process of forming the lead wiring 21 is the same as the process of forming the lead wiring 18 and the second wiring layer 19 except that a thick film type resist is used.
  • the mounting terminals (solder terminals) of the mounting type electronic component 31 are temporarily fixed to the mounting pads of the second wiring layer 19 by thermocompression bonding. Then, the mounting terminals of the mounting electronic component 31 are joined to the mounting pads of the second wiring layer 19 by reflow heating at a temperature of 250 ° C. in a reducing atmosphere. As a result, the RF switch 32, the elastic wave filter 33, and the chip inductor 34 are mounted on the mounting pads of the second wiring layer 19.
  • a resin layer 22 is formed so as to cover the mountable electronic component 31, the second wiring layer 19, and the lead-out wiring 21. At this time, the resin is controlled so that the resin does not flow between the lower surface of the elastic wave filter 33 and the cover layer 16.
  • the upper end portion of the lead-out wiring 21 is exposed on the upper surface of the resin layer 22 by polishing the resin layer 22 from above. Then, similarly to the step of forming the lead wiring 18 and the second wiring layer 19, the offset wiring 23 is formed on the upper surface of the resin layer 22 by electrolytic plating. The offset wiring 23 is connected to the upper end portion of the lead wiring 21.
  • a photosensitive epoxy material is applied to the upper surface of the resin layer 22 by spin coating. Then, the photosensitive epoxy material is patterned by photolithography so that the offset wiring 23 is exposed.
  • a solder paste is printed on the offset wiring 23 using a metal mask, and reflow heating and flux cleaning are performed to form the mounting terminals 25.
  • the mounting terminal 25 is connected to the offset wiring 23.
  • the front end circuit component 10 shown in FIG. 1 is completed by dicing the piezoelectric wafer 121 along the one-dot chain line.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the front end circuit component 60.
  • the front-end circuit component 60 includes a base body acoustic wave filter 61 instead of the base body acoustic wave filter 11 according to the first embodiment.
  • the base body acoustic wave filter 61 includes an IDT electrode 13, a first wiring layer 14, a piezoelectric substrate 62, a substrate 63, a support layer 65, a cover layer 66, solder 68, and second wiring layers 19 and 69.
  • a plurality of piezoelectric substrates 62 are provided on the upper surface of the substrate 63.
  • the IDT electrode 13 and the first wiring layer 14 are formed on the upper surface of each piezoelectric substrate 62.
  • the first wiring layer 14 is connected to the IDT electrode 13.
  • a SiO 2 protective film (not shown) is formed on the surfaces of the IDT electrode 13 and the wiring layer 14 so that the portion that contacts the solder 68 is exposed.
  • the support layer 65 is formed so as to surround each piezoelectric substrate 62, and extends from the upper surface of the piezoelectric substrate 62.
  • the cover layer 66 is formed so as to cover the upper part of the IDT electrode 13. As a result, a sealing space 17 is formed above the IDT electrode 13.
  • a second wiring layer 19 is formed on the upper surface of the cover layer 66, and a second wiring layer 69 is formed on the lower surface of the cover layer 66.
  • a via 64 is formed in the cover layer 66. By the wiring formed in the via 64, the second wiring layer 19 on the upper surface of the cover layer 66 is connected to the second wiring layer 69 on the lower surface of the cover layer 66.
  • the first wiring layer 14 is connected to the second wiring layer 69 on the lower surface of the cover layer 66 by solder 68.
  • Other configurations are the same as the configurations according to the first embodiment.
  • the base body elastic wave filter 61 includes a plurality of chips. Further, the piezoelectric substrates 62 of the plurality of chips of the base body elastic wave filter 61 may be made of different materials or different cut angles. Further, all of the plurality of chips do not have to be filter chips, and a chip such as a semiconductor device having another function such as an RF switch may be partially mounted. In these cases, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
  • the wiring layer is formed on the upper surface and the lower surface of the cover layer, but the present invention is not limited to this.
  • a wiring layer may be formed inside the cover layer.

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Abstract

　フロントエンド回路部品（１０）はベース体弾性波フィルタ（１１）および実装型電子部品（３１）を備える。ベース体弾性波フィルタ（１１）は、圧電基板（１２）、および、圧電基板（１２）の上面に形成されるＩＤＴ電極（１３）を有する。実装型電子部品（３１）は、ＩＤＴ電極（１３）が内部に配置される封止空間（１７）が形成されるように、圧電基板（１２）の上部に実装される。

Description

電子部品モジュール
　本発明は、複数の周波数バンドに対応する電子部品モジュールに関する。
　携帯端末などの無線通信装置に内蔵されているフロントエンドの電子部品モジュールとして、例えば、特許文献１に記載のフロントエンドモジュールがある。このフロントエンドモジュールでは、ダイプレクサ、ローパスフィルタ等がチップ部品として構成され、このチップ部品が樹脂多層基板に搭載されている。また、スイッチを構成する能動素子が樹脂多層基板に搭載され、スイッチを構成する受動素子が樹脂多層基板の内層に積層されている。
特開２００３－２４９８６８号公報
　特許文献１に記載のフロントエンドモジュールでは、チップ部品等が樹脂多層基板の表面に平置きで実装されている。このため、フロントエンドモジュールのサイズが大きくなるおそれがある。
　本発明の目的は、小型化が可能な電子部品モジュールを提供することにある。
（１）本発明の電子部品モジュールは弾性波フィルタおよび実装型電子部品を備える。弾性波フィルタは、圧電基板、および、圧電基板の上面に形成される機能電極を有する。実装型電子部品は、機能電極が内部に配置される空間が形成されるように、圧電基板の上部に実装される。
　この構成では、実装型電子部品が弾性波フィルタの上部に実装されるので、電子部品モジュールの小型化が可能となる。
（２）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。弾性波フィルタはカバー層を有する。カバー層は、圧電基板の上面に対して間隔を空けて対向し、機能電極を覆うように形成されている。実装型電子部品はカバー層の上面に実装される。
　この構成では、再配線層としてインターポーザやプリント基板を別途設ける必要がないので、電子部品モジュールの低背化および低コスト化が可能となる。
（３）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。カバー層はフレキシブル性を有する。弾性波フィルタは、カバー層の上面に形成される配線層を有する。実装型電子部品は配線層に接続される。
　この構成では、電気的な接続のためだけでなく、カバー層の補強のために配線層が用いられている。このため、カバー層が撓みにくくなるので、機能電極の上部の空間を潰すことなく、カバー層の上面に実装型電子部品を実装することができる。
　また、フォトリソグラフィ法を用いて、配線層を微細かつ高精度でパターニングすることができる。このため、実装型電子部品を高密度で実装することができるので、さらに電子部品モジュールの小型化が可能となる。
　また、電子部品モジュールが熱応力を受けても、実装型電子部品と配線層との接続部分に熱応力が集中しない。このため、実装型電子部品と配線層との接続部分が破壊されにくくなるので、高い接続信頼性を確保することができる。
（４）カバー層は樹脂フィルム材からなることが好ましい。
　この構成では、カバー層の具体的な部材を示している。
（５）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。本発明の電子部品モジュールは信号取出配線を備える。信号取出配線は、圧電基板の上部に形成され、上方に延伸する。実装型電子部品の実装面積は圧電基板の上面の面積に比べて狭い。信号取出配線は、実装型電子部品の外側に配線され、圧電基板の上面に垂直な方向から見て圧電基板の内側に配線される。
　この構成では、さらに電子部品モジュールの小型化が可能となる。
（６）本発明の電子部品モジュールは、通過帯域が異なる複数の弾性波フィルタを備え、実装型電子部品は高周波スイッチを含むことが好ましい。
　この構成では、電子部品モジュールの具体的な構成を示している。
（７）通過帯域が異なる複数の弾性波フィルタは、複数のチップからなることが好ましい。
　この構成では、電子部品モジュールの具体的な構成を示している。
（８）複数のチップのうちの少なくとも一つは、半導体装置などの弾性波フィルタ以外の機能を有するチップであることが好ましい。
　この構成では、電子部品モジュールの具体的な構成を示している。
（９）弾性波フィルタを第１弾性波フィルタとして、実装型電子部品は第２弾性波フィルタを含むことが好ましい。
　この構成では、電子部品モジュールは、第１弾性波フィルタが対応できない周波数バンドにも対応することが可能となる。
（１０）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。本発明の電子部品モジュールは、弾性波フィルタまたは実装型電子部品からなる複数の高周波フィルタを備える。実装型電子部品は高周波スイッチを含む。高周波スイッチと高周波フィルタとは配線層を介して接続される。
　この構成では、高周波スイッチと高周波フィルタとの間の線路長を短くすることができるので、良好なデバイス特性を得ることができる。また、電子部品モジュールの外部端子の数を削減することができる。
（１１）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。高周波スイッチは、複数の端子と、前記端子のいずれかに接続される共通端子とを有する。共通端子はアンテナに接続され、前記端子は配線層を介して高周波フィルタに接続される。
　この構成では、電子部品モジュールの具体的な構成を示している。
（１２）実装型電子部品は、キャパシタまたはインダクタの少なくとも一方が形成された積層基板を含むことが好ましい。
　この構成では、電子部品モジュールの集積度を高めることができる。
　本発明によれば、電子部品モジュールの小型化が可能となる。
第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の模式的断面図である。 第１の実施形態に係る、実装されたフロントエンド回路部品を示す模式的断面図である。 第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の第１の実施例の回路図である。 第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の第２の実施例の回路図である。 第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の製造方法を示す模式的断面図である。 第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の製造方法を示す模式的断面図である。 第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の製造方法を示す模式的断面図である。 第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の製造方法を示す模式的断面図である。 第２の実施形態に係るフロントエンド回路部品の模式的断面図である。
《第１の実施形態》
　本発明の第１の実施形態に係る電子部品モジュールについて説明する。ここでは、電子部品モジュールとして、フロントエンド回路部品１０を用いて説明する。フロントエンド回路部品１０は、アンテナと送受信装置との間に接続され、使用周波数バンドに応じて送受信信号を分波する。フロントエンド回路部品１０は、例えば、マルチバンドおよびマルチモードで動作する無線通信機器に用いられる。
　図１はフロントエンド回路部品１０の模式的断面図である。フロントエンド回路部品１０は、ベース体弾性波フィルタ１１、ＲＦ（Radio Frequency）スイッチ３２、弾性波フィルタ３３およびチップインダクタ３４を備える。ＲＦスイッチ３２は本発明の高周波スイッチに相当する。弾性波フィルタ３３は本発明の第２弾性波フィルタに相当する。
　ベース体弾性波フィルタ１１および弾性波フィルタ３３は、弾性表面波フィルタであるが、弾性境界波フィルタ、弾性バルク波フィルタ、板波フィルタ等でもよい。ＲＦスイッチ３２、弾性波フィルタ３３およびチップインダクタ３４は実装型電子部品３１の一例である。実装型電子部品３１は、例えば、チップインダクタ、チップコンデンサ、ＬＣフィルタ等でもよい。
　実装型電子部品３１は、容量成分およびインダクタ成分がパターニングされた、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、プリント基板等の積層基板でもよい。これにより、チップインダクタやチップコンデンサを実装する場合に比べて、フロントエンド回路部品１０の集積度を高めることができる。
　ベース体弾性波フィルタ１１は、圧電基板１２、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１３、第１配線層１４、支持層１５、カバー層１６、引出配線１８および第２配線層１９を備える。ＩＤＴ電極は本発明の機能電極に相当する。第２配線層１９は本発明の「配線層」に相当する。ＩＤＴ電極１３、第１配線層１４、支持層１５およびカバー層１６は、圧電基板１２の上面にこの順で積層されている。ＩＤＴ電極１３は、複数の通過帯域を有する共振器が形成されるようにパターニングされている。第１配線層１４はＩＤＴ電極１３に接続されている。引出配線１８に当接する箇所が露出するように、ＩＤＴ電極１３および配線層１４の表面（上面）にＳｉＯ２保護膜（図示せず）が形成されている。
　支持層１５は、ＩＤＴ電極１３を囲むように形成されている。カバー層１６は、ＩＤＴ電極１３の上部を覆うように形成されている。これにより、ＩＤＴ電極１３の上部に封止空間（ＩＤＴ空間）１７が形成されている。なお、支持層１５およびカバー層１６は、別々に形成されているが、一体的に形成されてもよい。
　支持層１５およびカバー層１６にはビアが形成され、このビアに引出配線１８が形成されている。引出配線１８は第１配線層１４に接続されている。カバー層１６の上面には第２配線層１９が形成されている。第２配線層１９は引出配線１８に接続されている。なお、第２配線層１９は配線および実装パッドを含む。実装パッドに対応する箇所および引出配線２１に当接する箇所が露出するように、第２配線層１９の表面にＳｉＯ２保護膜（図示せず）が形成されている。
　このように、ベース体弾性波フィルタ１１は、通過帯域が異なる複数の弾性波フィルタを含み、複数の周波数バンドに対応することができる。ベース体弾性波フィルタ１１に含まれる各弾性波フィルタは、本発明の「弾性波フィルタ」に相当する。
　第２配線層１９の実装パッドに、ＲＦスイッチ３２、弾性波フィルタ３３およびチップインダクタ３４が実装されている。弾性波フィルタ３３は、圧電基板３３１、および、圧電基板３３１の主面３３１Ｓに形成されたＩＤＴ電極３３２を有する。弾性波フィルタ３３は、圧電基板３３１の主面３３１Ｓがカバー層１６の上面と対向するように、第２配線層１９の実装パッドに実装されている。弾性波フィルタ３３が実装されることにより、フロントエンド回路部品１０は、ベース体弾性波フィルタ１１が対応できない周波数バンドにも対応することが可能となる。実装型電子部品３１の実装面積は圧電基板１２の上面の面積に比べて狭い。ベース体弾性波フィルタ１１および実装型電子部品３１は引出配線１８および第２配線層１９のみで接続されている。
　第２配線層１９の上面に柱状の引出配線２１が形成されている。引出配線２１は本発明の信号取出配線に相当する。引出配線２１は第２配線層１９に接続されている。引出配線２１は、実装型電子部品３１の外側を通るように配線されている。引出配線２１は、積層方向から見て、圧電基板１２の内側に配線されている。これにより、積層方向から見て、引出配線２１が圧電基板１２の外側に配線される場合に比べて、フロントエンド回路部品１０の小型化が可能となる。
　実装型電子部品３１、第２配線層１９および引出配線２１を被覆するように、樹脂層２２が形成されている。また、樹脂層２２は、弾性波フィルタ３３のＩＤＴ電極３３２を囲むように形成されている。これにより、弾性波フィルタ３３の下面とカバー層１６の上面との間に封止空間が形成されている。引出配線２１の上端部は樹脂層２２から露出している。
　樹脂層２２の上面にオフセット配線２３が形成されている。オフセット配線２３は引出配線２１の上端部に接続されている。オフセット配線２３が露出するように、樹脂層２２の上面に保護層２４が形成されている。オフセット配線２３の上面には実装用端子２５が形成されている。保護層２４により実装用端子２５の半田が広がることを防止できる。
　圧電基板１２はＬｉＴａＯ３基板等からなる。ＩＤＴ電極１３および第１配線層１４は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、または、これらを主成分とする合金等の金属材料からなる。また積層構造であってもよい。支持層１５および樹脂層２２はポリイミド、エポキシ樹脂等の樹脂材料からなる。カバー層１６は、フレキシブル性を有する、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルム材からなる。引出配線１８，２１、第２配線層１９およびオフセット配線２３はＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ膜等の金属膜からなる。上述のように、実装用端子２５は半田を材料とする。
　カバー層１６は、封止空間１７を形成するためのものであり、薄い樹脂フィルムからなる。このため、カバー層１６の上面に実装型電子部品３１を実装しようとすると、カバー層１６が撓み、封止空間１７が潰れるおそれがある。しかしながら、第１の実施形態では、カバー層１６の上面に第２配線層１９が形成されていることで、カバー層１６が撓みにくくなっている。すなわち、電気的な接続のためだけでなく、カバー層１６の補強のために、第２配線層１９を用いている。このため、封止空間１７を潰すことなく、カバー層１６の上面に実装型電子部品３１を実装することができる。このような構成によれば、ＬＴＣＣ基板、プリント基板等の回路基板に、ＲＦスイッチ、弾性波フィルタ等の実装型電子部品を平置きする構成と比べて、小型化が可能となる。
　また、一般的に、回路基板に形成される配線層は、スクリーン印刷を用いてパターニングされる。これに対して、第２配線層１９は、後述のように、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングされる。このため、回路基板に形成される配線層に比べて、微細かつ高精度で第２配線層１９をパターニングすることができる。この結果、回路基板に実装型電子部品を平置きする構成に比べて、配線集積度を高めるとともに、実装型電子部品を高密度で実装することができるので、さらに小型化が可能となる。
　また、上述のように、実装型電子部品３１はカバー層１６の上面に実装されている。このため、ベース弾性体フィルタ１１や実装型電子部品３１の再配線層としてインターポーザやプリント基板を別途設ける必要がないので、低背化および低コスト化が可能となる。
　また、上述のように、カバー層１６はフレキシブル性を有する樹脂フィルム材からなる。このため、フロントエンド回路部品１０が熱応力を受けても、実装型電子部品３１と第２配線層１９との接続部分に熱応力が集中しない。この結果、実装型電子部品３１と第２配線層１９との接続部分が破壊されにくくなるので、高い接続信頼性を確保することができる。
　図２は、実装されたフロントエンド回路部品１０を示す模式的断面図である。モジュール基板３５は、導体パターンが形成された基材層を積層してなる。モジュール基板３５には容量成分およびインダクタ成分が形成されている。モジュール基板３５の上面には実装パッドが形成され、モジュール基板３５の下面には実装用端子が形成されている。モジュール基板３５の実装パッドにフロントエンド回路部品１０が実装されている。フロントエンド回路部品１０を被覆するように樹脂層３６が形成されている。
　上述のように、フロントエンド回路部品１０のカバー層１６上の第２配線層１９はモジュール基板３５の配線よりも高精度であるため、配線集積度を高めることができるので、モジュール基板３５も含めたモジュール全体の小型化が可能となる。
　また、上述のように、容量成分およびインダクタ成分がパターニングされた積層基板を実装型電子部品３１に含めてもよい。これにより、モジュール基板３５および樹脂層３６を省略することができる。
　図３はフロントエンド回路部品１０の回路図である。フロントエンド回路部品１０はＲＦスイッチ４１、デュプレクサ４２および外部端子４３を備える。ＲＦスイッチ４１は、複数の端子と、スイッチ制御部４７の制御により前記端子のいずれかに接続される共通端子とを有する。ＲＦスイッチ４１の共通端子はアンテナ４６に接続されている。ＲＦスイッチ４１の前記端子はデュプレクサ４２を介して受信制御部４８および送信制御部４９に接続されている。
　ＲＦスイッチ４１は、実装型電子部品３１（図１参照）であるＲＦスイッチ３２により実現されている。デュプレクサ４２はベース体弾性波フィルタ１１および弾性波フィルタ３３により実現されている。外部端子４３は実装用端子２５により実現されている。ＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２との間の配線は引出配線１８および第２配線層１９のみで実現されている。
　第１の実施形態では、上述のように、フロントエンド回路部品１０の内部の配線のみで、ＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２とが接続されている。このため、回路基板に実装型電子部品を平置きする構成に比べて、ＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２との間の線路長を短くすることができるので、良好なデバイス特性を得ることができる。また、フロントエンド回路部品１０の外部の配線を用いてＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２とを接続する場合に比べて、フロントエンド回路部品１０の外部端子４３の数を削減することができる。なお、ＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２との間の配線の一部がフロントエンド回路部品１０の外部の配線で実現されてもよい。この場合でも、効果が幾分小さくなるが、同様の効果を得ることができる。
　図４はフロントエンド回路部品５０の回路図である。フロントエンド回路部品５０は第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の第２の実施例である。フロントエンド回路部品５０は、フロントエンド回路部品１０の構成に加えて、スイッチ５１，５２を備える。ＲＦスイッチ５１，５２は本発明の高周波スイッチに相当する。
　スイッチ５１，５２は、複数の端子と、スイッチ制御部４７の制御により前記端子のいずれかに接続される共通端子とを有する。スイッチ５１の前記端子はデュプレクサ４２の受信側端子に接続されている。スイッチ５１の共通端子は受信制御部４８に接続されている。スイッチ５２の前記端子はデュプレクサ４２の送信側端子に接続されている。スイッチ５２の共通端子は送信制御部４９に接続されている。フロントエンド回路部品５０の他の構成はフロントエンド回路部品１０と同様である。
　フロントエンド回路部品５０では、デュプレクサ４２の受信側端子をスイッチ５１により束ね、デュプレクサ４２の送信側端子をスイッチ５２により束ねている。これにより、フロントエンド回路部品１０に比べて、外部端子４３の数を削減することができる。また、フロントエンド回路部品５０に搭載される周波数バンドが増えても、外部端子４３の数が増えずに済む。
　図５～図８は、フロントエンド回路部品１０の製造方法を示す模式的断面図である。まず、図５（Ａ）に示すように、複数の通過帯域を有する共振器パターンが形成されるように、フォトリソグラフィ法等により圧電ウエハ１２１の上面にＩＤＴ電極１３を形成する。この際、それぞれの通過帯域に応じてＩＤＴ電極１３の膜厚を変える。
　次に、図５（Ｂ）に示すように、圧電ウエハ１２１の上面に複数の金属膜を積層することにより、第１配線層１４を形成する。第１配線層１４はＩＤＴ電極１３に接続される。第１配線層１４はフォトリソグラフィ法等により形成される。次に、スパッタリング等によりＩＤＴ電極１３および第１配線層１４の表面にＳｉＯ２保護膜（図示せず）を形成する。そして、第１配線層１４と引出配線１８（図６（Ｂ）参照）とを接続することができるように、ドライエッチングによりＳｉＯ２保護膜に開口部を形成する。
　次に、図５（Ｃ）に示すように、スピンコート法により圧電ウエハ１２１の上面に感光性樹脂を塗布する。そして、ＩＤＴ電極１３が露出するように、かつ、引出配線１８に対応する箇所に開口部が形成されるように、フォトリソグラフィ法により感光性樹脂をパターニングする。これにより、支持層１５が形成される。
　次に、図５（Ｄ）に示すように、ロールラミネート法等により感光性樹脂シートを支持層１５の上面に貼り合わせる。そして、支持層１５の開口部に対応する箇所に開口部が形成されるように、フォトリソグラフィ法により感光性樹脂シートをパターニングする。これにより、カバー層１６およびビア２６が形成されるとともに、ＩＤＴ電極１３の上部に封止空間１７が形成される。
　次に、図６（Ａ）に示すように、電解メッキにより、ビア２６に引出配線１８を形成するとともに、カバー層１６の上面に第２配線層１９を形成する。引出配線１８は第１配線層１４および第２配線層１９に接続される。具体的には、次のように引出配線１８および第２配線層１９を形成する。まず、スパッタリングにより、Ｃｕ／Ｔｉ膜からなるメッキ給電膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により、引出配線１８および第２配線層１９を形成する部分が開口したレジストを形成する。次に、電解メッキによりＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ膜を形成する。次に、レジストを剥離し、エッチングにより給電膜を除去する。これにより、引出配線１８および第２配線層１９が形成される。
　次に、スパッタリング等により第２配線層１９の表面にＳｉＯ２保護膜（図示せず）を形成する。そして、第２配線層１９の上面のうち、実装パッドに対応する箇所および引出配線２１（図６（Ｂ）参照）に当接する箇所が露出するように、ドライエッチングによりＳｉＯ２保護膜に開口部を形成する。
　以上の工程により、圧電ウエハ１２１にベース体弾性波フィルタ１１（図１参照）の構造が複数形成される。なお、実装型電子部品３１（図６（Ｃ）参照）を実装する際に効率良くなるように、ＩＤＴ電極１３、第１配線層１４等をレイアウトすることが好ましい。
　次に、図６（Ｂ）に示すように、第２配線層１９の上面に柱状の引出配線（Ｃｕポスト）２１を形成する。引出配線２１を形成する工程は、厚膜タイプのレジストを用いることを除いて、引出配線１８および第２配線層１９を形成する工程と同様である。
　次に、図６（Ｃ）に示すように、実装型電子部品３１の実装用端子（半田端子）を第２配線層１９の実装パッドに熱圧着して仮固定する。そして、還元雰囲気中において温度２５０℃でリフロー加熱することにより、実装型電子部品３１の実装用端子を第２配線層１９の実装パッドに接合する。これにより、第２配線層１９の実装パッドに、ＲＦスイッチ３２、弾性波フィルタ３３およびチップインダクタ３４が実装される。
　次に、図７（Ａ）に示すように、実装型電子部品３１、第２配線層１９および引出配線２１を被覆するように、樹脂層２２を形成する。この際、弾性波フィルタ３３の下面とカバー層１６との間に樹脂が流入しないように、樹脂を制御する。
　次に、図７（Ｂ）に示すように、上側から樹脂層２２を研磨することにより、引出配線２１の上端部を樹脂層２２の上面に露出させる。そして、引出配線１８および第２配線層１９を形成する工程と同様に、電解メッキにより樹脂層２２の上面にオフセット配線２３を形成する。オフセット配線２３は引出配線２１の上端部に接続される。
　次に、図８（Ａ）に示すように、スピンコート法により樹脂層２２の上面に感光性エポキシ系材料を塗布する。そして、オフセット配線２３が露出するように、フォトリソグラフィ法により感光性エポキシ系材料をパターニングする。
　次に、図８（Ｂ）に示すように、メタルマスクを用いて半田ペーストをオフセット配線２３に印刷し、リフロー加熱、フラックス洗浄を行うことにより、実装用端子２５を形成する。実装用端子２５はオフセット配線２３に接続される。そして、一点鎖線に沿って圧電ウエハ１２１をダイシングすることにより、図１に示したフロントエンド回路部品１０が完成する。
《第２の実施形態》
　本発明の第２の実施形態に係るフロントエンド回路部品６０について説明する。図９はフロントエンド回路部品６０の模式的断面図である。フロントエンド回路部品６０は、第１の実施形態に係るベース体弾性波フィルタ１１に代えて、ベース体弾性波フィルタ６１を備える。ベース体弾性波フィルタ６１は、ＩＤＴ電極１３、第１配線層１４、圧電基板６２、基板６３、支持層６５、カバー層６６、半田６８、第２配線層１９，６９を有する。
　基板６３の上面に複数の圧電基板６２が設けられている。ＩＤＴ電極１３および第１配線層１４はそれぞれの圧電基板６２の上面に形成されている。第１配線層１４はＩＤＴ電極１３に接続されている。半田６８に当接する箇所が露出するように、ＩＤＴ電極１３および配線層１４の表面にＳｉＯ２保護膜（図示せず）が形成されている。支持層６５は、それぞれの圧電基板６２を囲むように形成され、圧電基板６２の上面から延出している。カバー層６６は、ＩＤＴ電極１３の上部を覆うように形成されている。これにより、ＩＤＴ電極１３の上部に封止空間１７が形成されている。
　カバー層６６の上面には第２配線層１９が形成され、カバー層６６の下面には第２配線層６９が形成されている。カバー層６６にはビア６４が形成されている。ビア６４に形成された配線により、カバー層６６の上面の第２配線層１９はカバー層６６の下面の第２配線層６９に接続されている。第１配線層１４は、半田６８により、カバー層６６の下面の第２配線層６９に接続されている。その他の構成は、第１の実施形態に係る構成と同様である。
　すなわち、第２の実施形態では、ベース体弾性波フィルタ６１が複数のチップからなる。また、これらベース体弾性波フィルタ６１の複数のチップの圧電基板６２は、異なる材料や異なるカット角のものであってもよい。さらに、これら複数のチップは、すべてがフィルタチップである必要はなく、一部にＲＦスイッチなどの他の機能を有する半導体装置などのチップが混載されていてもよい。これらの場合においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　なお、上述の実施形態ではカバー層の上面および下面に配線層が形成されているが、本発明はこれに限定されない。本発明では、カバー層の内部に配線層が形成されてもよい。
１０，５０，６０…フロントエンド回路部品
１１，６１…ベース体弾性波フィルタ（弾性波フィルタ）
１２，６２，３３１…圧電基板
１３，３３２…ＩＤＴ電極
１４…第１配線層
１５，６５…支持層
１６，６６…カバー層
１７…封止空間
１８…引出配線
２１…引出配線（信号取出配線）
１９，６９…第２配線層（配線層）
２２…樹脂層
２３…オフセット配線
２４…保護層
２５…実装用端子
２６…ビア
３１…実装型電子部品
３２…ＲＦスイッチ（高周波スイッチ）
３３…弾性波フィルタ（第２弾性波フィルタ）
３４…チップインダクタ
３５…モジュール基板
３６…樹脂層
４１，５１，５２…ＲＦスイッチ（高周波スイッチ）
４２…デュプレクサ
４３…外部端子
４６…アンテナ
４７…スイッチ制御部
４８…受信制御部
４９…送信制御部
６３…基板
６４…ビア
６８…半田
１２１…圧電ウエハ

Claims (12)

  1. 　圧電基板、および、前記圧電基板の上面に形成される機能電極を有する、弾性波フィルタと、
    　前記機能電極が内部に配置される空間が形成されるように、前記圧電基板の上部に実装される実装型電子部品と、を備える、電子部品モジュール。
  2. 　前記弾性波フィルタはカバー層を有し、
    　前記カバー層は、前記圧電基板の上面に対して間隔を空けて対向し、前記機能電極を覆うように形成されており、
    　前記実装型電子部品は前記カバー層の上面に実装される、請求項１に記載の電子部品モジュール。
  3. 　前記カバー層はフレキシブル性を有し、
    　前記弾性波フィルタは、前記カバー層の上面に形成される配線層を有し、
    　前記実装型電子部品は前記配線層に接続される、請求項２に記載の電子部品モジュール。
  4. 　前記カバー層は樹脂フィルム材からなる、請求項２または３に記載の電子部品モジュール。
  5. 　前記圧電基板の上部に形成され、上方に延伸する信号取出配線を備え、
    　前記実装型電子部品の実装面積は前記圧電基板の上面の面積に比べて狭く、
    　前記信号取出配線は、前記実装型電子部品の外側に配線され、前記圧電基板の上面に垂直な方向から見て前記圧電基板の内側に配線される、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品モジュール。
  6. 　通過帯域が異なる複数の前記弾性波フィルタを備え、
    　前記実装型電子部品は高周波スイッチを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品モジュール。
  7. 　通過帯域が異なる複数の前記弾性波フィルタは、複数のチップからなる請求項６に記載の電子部品モジュール。
  8. 　前記複数のチップのうちの少なくとも一つは、半導体装置などの弾性波フィルタ以外の機能を有するチップである、請求項７に記載の電子部品モジュール。
  9. 　前記弾性波フィルタを第１弾性波フィルタとして、前記実装型電子部品は第２弾性波フィルタを含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の電子部品モジュール。
  10. 　前記弾性波フィルタまたは前記実装型電子部品からなる複数の高周波フィルタを備え、
    　前記実装型電子部品は高周波スイッチを含み、
    　前記高周波スイッチと前記高周波フィルタとは前記配線層を介して接続される、請求項３に記載の電子部品モジュール。
  11. 　前記高周波スイッチは、複数の端子と、前記端子のいずれかに接続される共通端子とを有し、
    　前記共通端子はアンテナに接続され、前記端子は前記配線層を介して前記高周波フィルタに接続される、請求項１０に記載の電子部品モジュール。
  12. 　前記実装型電子部品は、キャパシタまたはインダクタの少なくとも一方が形成された積層基板を含む、請求項１ないし１１のいずれかに電子部品モジュール。
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