JP6288111B2 - 弾性波フィルタデバイス - Google Patents

Description

本発明は、送受信に用いられる弾性波フィルタデバイスに関する。

従来の弾性波フィルタデバイスとして、例えば、特許文献１に記載の共用器がある。この共用器は、第１の基板に形成された送信用圧電フィルタと、第２の基板に形成された受信用圧電フィルタとを備える。第１の基板および第２の基板は、送信用圧電フィルタと受信用圧電フィルタとが対向するように配置されている。第１の基板と第２の基板との間隔部分は外周パッドで気密封止されている。この共用器では、送信用圧電フィルタ側を下面にして共用器をマザー基板に実装することより、放熱効果を高めている。

特開２００７−６７６１７号公報

一般に、受信フィルタは送信波の回り込みを抑えるため、特に送信波帯域においては高いレベルの減衰特性が必要とされる。特許文献１に記載の共用器では、受信用圧電フィルタをマザー基板から離れた側に配置して、共用器をマザー基板に実装する。このため、受信用圧電フィルタとマザー基板のグランドラインとの間の配線長が長くなる。この結果、受信用圧電フィルタとグランドラインとの間に浮遊インダクタンスが生じたり配線抵抗が増加したりする。その結果、受信フィルタの減衰特性が劣化してしまう。

本発明の目的は、受信信号の通過周波数帯域周辺の信号を十分に除去することで、良好なアイソレーション特性を実現できる弾性波フィルタデバイスを提供することにある。

（１）本発明の弾性波フィルタデバイスは、送信用フィルタチップ、受信用フィルタチップ、実装用端子およびカバー層を備える。送信用フィルタチップは、第１の圧電基板、および、第１の圧電基板の主面に設けられる第１の機能電極を有する。受信用フィルタチップは、第２の圧電基板、および、第２の圧電基板の主面に設けられる第２の機能電極を有する。カバー層は、第１の機能電極上に空間が確保されるように第１の機能電極を覆う。カバー層の上部に受信用フィルタチップが配置される。カバー層は、第２の機能電極上に空間が確保されるように第２の機能電極を覆っている。実装用端子は、受信用フィルタチップに対して送信用フィルタチップ側と反対側に配置される。送信用フィルタチップよりも受信用フィルタチップの方が実装面側に配置される。

この構成では、受信用フィルタチップとグランドラインとの間の配線長が短くなる。このため、受信用フィルタチップとグランドラインとの間に生じる浮遊インダクタンスや配線抵抗を小さくできる。この結果、受信信号の通過周波数帯域周辺の信号を十分に除去し、受信周波数帯域周辺の信号レベルを低くすることができる。従って、良好なアイソレーション特性を実現することができる。

（２）積層方向から見て、受信用フィルタチップの面積は送信用フィルタチップの面積に比べて小さいことが好ましい。

この構成では、送信用フィルタチップの耐電力性を確保しつつ、受信用フィルタチップに用いる圧電基板量を低減することができる。

（３）本発明の弾性波フィルタデバイスは次のような引出配線を備えることが好ましい。引出配線は、受信用フィルタチップの外側に配線され、積層方向から見て送信用フィルタチップの内側に配線され、第１の機能電極に接続される。

この構成では、弾性波フィルタデバイスを小型化することができる。

（４）本発明の弾性波フィルタデバイスは次のように構成されることが好ましい。送信用フィルタチップは、複数の送信帯域に対応する送信用フィルタを有する。受信用フィルタチップは、複数の受信帯域に対応する受信用フィルタを有する。

この構成では、弾性波フィルタデバイスの集積度を高めることができる。また、送信用フィルタチップと受信用フィルタチップとの寸法差が大きくなるので、引出配線を配線できる空間が大きくなる。このため、引出配線のレイアウトの自由度を高くすることができ、延いては、弾性波フィルタデバイスのフィルタ特性を向上させることができる。

本発明によれば、受信信号の通過周波数帯域周辺の信号を十分に除去することで、良好なアイソレーション特性を実現することができる。

第１の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの断面図である。 第１の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの実装方法を示す断面図である。 第１の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第１の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第１の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第１の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第１の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第１の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第２の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの断面図である。 第２の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第２の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第２の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第２の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの製造方法を示す断面図である。 第３の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの断面図である。 他の実施形態に係る弾性波フィルタデバイスの断面図である。

《第１の実施形態》
本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタデバイス１０について説明する。弾性波フィルタデバイス１０は、例えば、デュプレクサとして用いられる。図１は弾性波フィルタデバイス１０の断面図である。弾性波フィルタデバイス１０は、送信用フィルタチップ（送信用弾性波素子）１１および受信用フィルタチップ（受信用弾性波素子）２１を備える。

送信用フィルタチップ１１は、圧電基板１２、機能電極としてのＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１３、配線層１４、支持層１５、カバー層１６および引出配線（信号取出配線）１８を有する。圧電基板１２は本発明の第１の圧電基板に相当する。ＩＤＴ電極１３は本発明の第１の機能電極に相当する。

ＩＤＴ電極１３、配線層１４、支持層１５およびカバー層１６は、圧電基板１２の上面にこの順で積層されている。配線層１４はＩＤＴ電極１３に接続されている。ＩＤＴ電極１３および配線層１４の表面（上面）には、引出配線１８に当接する箇所が露出するように、ＳｉＯ_２等を材料とする保護絶縁膜（図示せず）が形成されている。支持層１５は、ＩＤＴ電極１３を囲むように形成されている。カバー層１６は、ＩＤＴ電極１３の上部を被覆するように形成されている。これにより、ＩＤＴ電極１３の上部に封止空間１７が形成されている。支持層１５およびカバー層１６にはビアが形成され、このビアに引出配線１８が形成されている。引出配線１８はカバー層１６の上面まで延伸している。引出配線１８は配線層１４に接続されている。

受信用フィルタチップ２１は、圧電基板２２、ＩＤＴ電極２３、配線層２４、支持層２５、カバー層２６および引出配線２８を有する。圧電基板２２は本発明の第２の圧電基板に相当する。ＩＤＴ電極２３は本発明の第２の機能電極に相当する。

ＩＤＴ電極２３、配線層２４、支持層２５およびカバー層２６は、圧電基板２２の上面にこの順で積層されている。配線層２４はＩＤＴ電極２３に接続されている。ＩＤＴ電極２３および配線層２４の表面には、引出配線２８に当接する箇所が露出するように、ＳｉＯ_２等を材料とする保護絶縁膜（図示せず）が形成されている。支持層２５は、ＩＤＴ電極２３を囲むように形成されている。カバー層２６は、ＩＤＴ電極２３の上部を被覆するように形成されている。これにより、ＩＤＴ電極２３の上部に封止空間２７が形成されている。支持層２５およびカバー層２６にはビアが形成され、このビアに引出配線２８が形成されている。引出配線２８はカバー層２６の上面まで延伸している。引出配線２８は配線層２４に接続されている。受信用フィルタチップ２１の圧電基板２２における主面（上面）の面積は、送信用フィルタチップ１１の圧電基板１２における主面の面積に比べて小さくなっている。

なお、支持層１５およびカバー層１６は、別々に形成されているが、一体的に形成されてもよい。支持層２５およびカバー層２６についても同様である。

受信用フィルタチップ２１は、送信用フィルタチップ１１のカバー層１６の上面に接着フィルム３１により固定されている。接着フィルム３１の放熱性は送信用フィルタチップ１１のカバー層１６の放熱性に比べて高くなっている。これにより、送信用フィルタチップ１１に生じた熱が接着フィルム３１から逃げるため、送信用フィルタチップ１１の放熱性を高めることができる。なお、送信用フィルタチップ１１の引出配線１８が接着フィルム３１に接触していることが好ましい。これにより、送信用フィルタチップ１１に生じた熱が接着フィルム３１に効率的に伝わるため、送信用フィルタチップ１１の放熱性をさらに高めることができる。

送信用フィルタチップ１１および受信用フィルタチップ２１の上面を被覆するように、樹脂層３２が形成されている。樹脂層３２は、引出配線３３，３４の配置場所の確保、封止空間１７，２７の密閉性の確保、ならびに、送信用フィルタチップ１１および受信用フィルタチップ２１の保護のために設けられている。樹脂層３２にビアが形成され、このビアに引出配線３３，３４が形成されている。引出配線３３，３４は樹脂層３２の上面まで延伸している。引出配線３３は送信用フィルタチップ１１の引出配線１８に接続され、引出配線３４は受信用フィルタチップ２１の引出配線２８に接続されている。このように、引出配線１８，２８，３３，３４は、積層方向から見て、送信用フィルタチップ１１の内側に配線されている。送信用フィルタチップ１１のＩＤＴ電極１３に接続された引出配線１８，３３は、受信用フィルタチップ２１の外側を通るように配線されている。引出配線１８，３３は本発明の「引出配線」に相当する。

引出配線１８，２８，３３，３４を被覆するように、樹脂層３２の上面およびビアに保護レジスト３５が形成されている。保護レジスト３５には、引出配線３３，３４の一部が露出するように、開口部が形成されている。この開口部から突出するように、実装用端子３６が形成されている。実装用端子３６は引出配線３３，３４に接続されている。このように、実装用端子３６は受信用フィルタチップ２１に対して送信用フィルタチップ１１側と反対側に配置されている。実装用端子３６はグランドに接続されるグランド端子を含む。

圧電基板１２，２２はＬｉＴａＯ_３基板等からなる。ＩＤＴ電極１３，２３および配線層１４，２４は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ、または、これらを主成分とする合金等の金属材料からなる。また積層構造であってもよい。支持層１５，２５、カバー層１６，２６および樹脂層３２はポリイミド等の樹脂材料からなる。引出配線１８，２８，３３，３４はＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ膜等の金属膜からなる。実装用端子３６は半田を材料とする。

送信電力は受信電力に比べて大きいので、送信用フィルタチップには受信用フィルタチップに比べて高い耐電力性が必要となる。したがって、電力を分散させるために、送信用フィルタチップの機能部面積を受信用フィルタチップの機能部面積に比べて大きくする必要がある。ここで、フィルタチップ（弾性波素子）の圧電基板の主面のうち弾性波フィルタとして機能する部分の面積を機能部面積と称している。

第１の実施形態では、上述のように、送信用フィルタチップ１１の寸法を受信用フィルタチップ２１の寸法に比べて大きくしている。これにより、送信用フィルタチップ１１の耐電力性を確保することができる。同時に、受信用フィルタチップ２１の寸法を送信用フィルタチップ１１の寸法に揃える場合に比べて、受信用フィルタチップ２１に用いる圧電基板量を低減することができる。言い換えると、１枚の圧電ウエハ上に多くの受信用フィルタチップ２１を作製することができる。

また、上述のように、引出配線１８，２８，３３，３４は、積層方向から見て、送信用フィルタチップ１１の内側に配線されている。このため、積層方向から見て、引出配線１８，２８，３３，３４が送信用フィルタチップ１１の外側に配線される場合に比べて、弾性波フィルタデバイス１０を小型化することができる。

また、上述のように、送信用フィルタチップ１１のＩＤＴ電極１３に接続された引出配線１８，３３は、受信用フィルタチップ２１の外側を通るように配線されている。すなわち、引出配線１８，３３を配線するために、受信用フィルタチップ２１にビアを形成する必要がない。このため、受信用フィルタチップ２１の圧電基板２２の材料として、ビアを形成することが難しい難加工材料や、ビア形成で割れが懸念される脆性材料を用いることができる。

なお、送信用フィルタチップ１１は、複数の送信帯域に対応する送信用フィルタを有することが好ましい。受信用フィルタチップ２１は、複数の受信帯域に対応する受信用フィルタを有することが好ましい。これにより、弾性波フィルタデバイス１０の集積度を高めることができる。また、送信用フィルタチップ１１と受信用フィルタチップ２１との寸法差が大きくなるので、引出配線１８，２８，３３，３４を配線できる空間が大きくなる。このため、引出配線１８，２８，３３，３４のレイアウトの自由度を高くすることができ、延いては、弾性波フィルタデバイス１０のフィルタ特性を向上させることができる。

図２は、弾性波フィルタデバイス１０の実装方法を示す断面図である。弾性波フィルタデバイス１０は、受信用フィルタチップ２１側がモジュール基板４１の実装面４１Ｓに向くように実装されている。実装用端子３６は、モジュール基板４１の実装面４１Ｓに形成された実装パッド４２に当接し、電気的に接続されている。実装用端子３６に含まれるグランド端子は、実装パッド４２を介してグランドラインに接続されている。

第１の実施形態では、上述のように、実装用端子３６は、受信用フィルタチップ２１に対して送信用フィルタチップ１１側と反対側に配置されている。実装用端子３６は、モジュール基板４１の実装面４１Ｓに形成された実装パッド４２に当接し、電気的に接続されている。すなわち、弾性波フィルタデバイス１０は、受信用フィルタチップ２１側がモジュール基板４１の実装面４１Ｓに向くように実装されている。

この構成および実装方法により、受信用フィルタチップ２１とモジュール基板４１のグランドラインとの間の配線長は短くなる。このため、受信用フィルタチップ２１とグランドラインとの間に生じた浮遊インダクタンスや配線抵抗を小さく保つことができる。すなわち、受信用フィルタチップ２１はグランドに近くなる。この結果、受信信号の通過周波数帯域周辺の信号を十分に除去し（逃し）、受信周波数帯域周辺の信号レベルを低くすることができる。従って、第１の実施形態では、良好なアイソレーション特性を実現することができる。

また、上述のように、受信用フィルタチップ２１の主面のうちＩＤＴ電極２３が形成された主面（素子面と称する）は、実装用端子３６側を向いている。このため、受信用フィルタチップ２１の素子面が送信用フィルタチップ１１側を向いている場合に比べて、受信用フィルタチップ２１とモジュール基板４１のグランドラインとの間の配線長は短くなる。この結果、第１の実施形態では、受信用フィルタチップ２１の素子面が送信用フィルタチップ１１側を向いている場合に比べて、良好なアイソレーション特性を実現することができる。

本実施形態においては、機能電極としてＩＤＴ電極を用いており、これに該当するものとして、弾性表面波、弾性境界波、板波などを利用するフィルタが例示されるが、機能電極としては、ＩＤＴ電極の構造に限定されるものではない。圧電基板の振動を利用するための機能電極であれば、バルク波を利用する構造などを用いることもできる。

図３〜図８は、弾性波フィルタデバイス１０の製造方法を示す断面図である。まず、図３（Ａ）に示すように、圧電ウエハ１２１の上面にＩＤＴ電極１３を形成する。次に、図３（Ｂ）に示すように、圧電ウエハ１２１の上面に複数の金属膜を積層することにより、配線層１４を形成する。配線層１４はＩＤＴ電極１３に接続される。ＩＤＴ電極１３および配線層１４はフォトリソグラフィ法等により形成される。次に、スパッタリング等によりＩＤＴ電極１３および配線層１４の表面に保護絶縁膜（図示せず）を形成する。そして、配線層１４と引出配線１８（図４（Ｂ）参照）とを接続することができるように、ドライエッチングにより保護絶縁膜に開口部を形成する。

次に、図３（Ｃ）に示すように、スピンコート法により圧電ウエハ１２１の上面に感光性樹脂を塗布する。そして、ＩＤＴ電極１３が露出するように、かつ、引出配線１８に対応する箇所に開口部が形成されるように、フォトリソグラフィ法により感光性樹脂をパターニングする。これにより、支持層１５が形成される。

次に、図３（Ｄ）に示すように、ロールラミネート法等により感光性樹脂シートを支持層１５の上面に貼り合わせる。次に、図４（Ａ）に示すように、支持層１５の開口部に対応する箇所に開口部が形成されるように、フォトリソグラフィ法により感光性樹脂シートをパターニングする。これにより、カバー層１６およびビア４５が形成されるとともに、ＩＤＴ電極１３の上部に封止空間１７が形成される。

次に、図４（Ｂ）に示すように、電解メッキによりビア４５に引出配線１８を形成する。引出配線１８は、配線層１４に接続され、ビア４５の底面からカバー層１６の上面に延伸する。具体的には、次のように引出配線１８を形成する。まず、スパッタリングにより、Ｃｕ／Ｔｉ膜からなるメッキ給電膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により、引出配線１８を形成する部分が開口したレジストを形成する。次に、電解メッキによりＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ膜を形成する。次に、レジストを剥離し、エッチングにより給電膜を除去する。これにより、引出配線１８が形成される。

以上の工程により、圧電ウエハ１２１に送信用フィルタチップ１１（図１参照）の構造が複数形成される。次に、図４（Ｃ）に示すように、送信用フィルタチップ１１の場合と同様に、圧電ウエハ２２１に受信用フィルタチップ２１の構造を複数形成する。この際、上述のように、受信用フィルタチップ２１の寸法が送信用フィルタチップ１１の寸法に比べて小さくなるように、ＩＤＴ電極２３および配線層２４をレイアウトする。

次に、図５（Ａ）に示すように、圧電ウエハ２２１の下面に接着フィルム（ダイアタッチフィルム）３１を貼付する。接着フィルム３１の材料の弾性率はカバー層１６（図５（Ｃ）参照）の材料の弾性率に比べて低いことが好ましい。これにより、受信用フィルタチップ２１をカバー層１６の上面に固定する際、封止空間１７を潰さずに済む。

次に、図５（Ｂ）に示すように、一点鎖線に沿って圧電ウエハ２２１をダイシングすることにより、受信用フィルタチップ２１を得ることができる。次に、図５（Ｃ）に示すように、受信用フィルタチップ２１をカバー層１６の上面にダイボンドおよび硬化する。

次に、図６（Ａ）に示すように、これまでの工程で形成された構造に感光性樹脂を塗布する。そして、引出配線１８，２８の一部が露出するように、フォトリソグラフィ法により感光性樹脂をパターニングする。これにより、樹脂層３２およびビア４６が形成される。

次に、図６（Ｂ）に示すように、電解メッキによりビア４６に引出配線３３，３４を形成する。引出配線３３，３４はビア４６の底面から樹脂層３２の上面に延伸する。引出配線３３は引出配線１８に接続され、引出配線３４は引出配線２８に接続される。引出配線３３，３４を形成する具体的な工程は、上述の引出配線１８の場合と同様である。

次に、図７（Ａ）に示すように、引出配線１８，２８，３３，３４を被覆するように、樹脂層３２の上面およびビア４６に保護レジスト３５を形成する。そして、引出配線３３，３４の一部が露出するように、フォトリソグラフィ法により保護レジスト３５をパターニングすることで、開口部４７を形成する。

次に、図７（Ｂ）に示すように、メタルマスクを用いて半田ペーストを開口部４７に印刷し、リフロー加熱、フラックス洗浄を行うことにより、実装用端子３６を形成する。実装用端子３６は引出配線３３，３４に接続される。次に、図８に示すように、一点鎖線に沿って圧電ウエハ１２１をダイシングすることにより、図１に示した弾性波フィルタデバイス１０が完成する。

《第２の実施形態》
本発明の第２の実施形態に係る弾性波フィルタデバイス５０について説明する。図９は弾性波フィルタデバイス５０の断面図である。弾性波フィルタデバイス５０は送信用フィルタチップ１１および受信用フィルタチップ６１を備える。送信用フィルタチップ１１は第１の実施形態の場合と同様に構成されている。受信用フィルタチップ６１は、圧電基板２２、ＩＤＴ電極２３および配線層２４を有する。ＩＤＴ電極２３および配線層２４は圧電基板２２の主面２２Ｓに形成されている。配線層２４はＩＤＴ電極２３に接続されている。ＩＤＴ電極２３および配線層２４の表面には、Ｓｎ−Ａｇ半田６２に当接する箇所が露出するように、保護絶縁膜（図示せず）が形成されている。圧電基板２２の主面２２Ｓの面積は圧電基板１２の主面（上面）の面積に比べて小さくなっている。

送信用フィルタチップ１１のカバー層１６の上面には引出配線５２が形成されている。送信用フィルタチップ１１のカバー層１６の上部に受信用フィルタチップ６１が配置されている。受信用フィルタチップ６１の圧電基板２２の主面２２Ｓは送信用フィルタチップ１１のカバー層１６の上面と対向している。受信用フィルタチップ６１の配線層２４は半田６２により引出配線５２に接続されている。

送信用フィルタチップ１１のカバー層１６の上面に柱状の引出配線５３が形成されている。引出配線５３の厚さ（高さ）は、例えば、１００μｍ程度である。引出配線１８，５２は引出配線５３に接続されている。引出配線１８，５２，５３は、積層方向から見て、送信用フィルタチップ１１の内側に配線されている。引出配線１８，５３は、受信用フィルタチップ２１の外側を通るように配線されている。

引出配線１８，５２，５３を被覆し、受信用フィルタチップ６１のＩＤＴ電極２３を囲むように、樹脂層（封止樹脂）５４が形成されている。これにより、受信用フィルタチップ６１の圧電基板２２と送信用フィルタチップ１１のカバー層１６との間に、封止空間２７が形成されている。すなわち、ＩＤＴ電極２３上（圧電基板２２側とは反対側）に封止空間２７が確保されている。樹脂層５４の上面に実装用端子３６が形成されている。実装用端子３６は、樹脂層５４から露出した引出配線５３の上端部に接続されている。このように、実装用端子３６は受信用フィルタチップ６１に対して送信用フィルタチップ１１側と反対側に配置されている。

弾性波フィルタデバイス５０の他の構成は第１の実施形態に係る構成と同様である。

弾性波フィルタデバイス５０は、第１の実施形態の場合と同様に、受信用フィルタチップ６１側がモジュール基板の実装面に向くように実装される。実装用端子３６は、モジュール基板の実装面に形成された実装パッドに当接し、電気的に接続される。このため、受信用フィルタチップ６１とモジュール基板のグランドラインとの間の配線長は短くなるので、良好なアイソレーション特性を実現することができる。

また、上述のように、送信用フィルタチップ１１の寸法を受信用フィルタチップ６１の寸法に比べて大きくしている。このため、第１の実施形態と同様に、送信用フィルタチップ１１の耐電力性を確保しつつ、受信用フィルタチップ６１に用いる圧電基板量を低減することができる。

また、上述のように、引出配線１８，５２，５３は、積層方向から見て、送信用フィルタチップ１１の内側に配線されている。このため、第１の実施形態と同様に、弾性波フィルタデバイス１０を小型化することができる。

図１０〜図１３は、弾性波フィルタデバイス５０の製造方法を示す断面図である。まず、図１０（Ａ）に示すように、第１の実施形態と同様の工程で、圧電ウエハ１２１に送信用フィルタチップ１１（図９参照）の構造を複数形成する。なお、引出配線５２は電解メッキにより引出配線１８とともに形成される。次に、図１０（Ｂ）に示すように、カバー層１６の上面に柱状の引出配線（Ｃｕポスト）５３を形成する。引出配線５３を形成する工程は、引出配線１８を形成する工程と同様である。

次に、図１０（Ｃ）に示すように、第１の実施形態と同様の工程で、圧電ウエハ２２１の上面にＩＤＴ電極２３および配線層２４を形成し、ＩＤＴ電極２３および配線層２４の表面に保護絶縁膜（図示せず）を形成する。そして、半田メッキにより配線層２４の上面にＳｎ−Ａｇ半田６２を形成する。次に、図１１（Ａ）に示すように、一点鎖線に沿って圧電ウエハ２２１をダイシングすることにより、受信用フィルタチップ６１を得ることができる。

次に、図１１（Ｂ）に示すように、カバー層１６の上面に受信用フィルタチップ６１を実装する。配線層２４は半田６２を介して引出配線５２に接続される。次に、図１２（Ａ）に示すように、ＩＤＴ電極２３の周囲に樹脂層５４を形成する。これにより、圧電基板２２とカバー層１６との間に封止空間２７が形成される。次に、図１２（Ｂ）に示すように、上側から樹脂層５４および圧電基板２２を研磨することにより、引出配線５３の上端部を樹脂層５４の上面に露出させる。なお、下側から圧電ウエハ１２１を研磨してもよい。これにより、弾性波フィルタデバイス５０を低背化することができる。

次に、図１３に示すように、第１の実施形態と同様の工程で、樹脂層５４の上面に実装用端子３６を形成する。実装用端子３６は引出配線５３に接続される。そして、一点鎖線に沿って圧電ウエハ１２１をダイシングすることにより、図９に示した弾性波フィルタデバイス５０が完成する。

《第３の実施形態》
本発明の第３の実施形態に係る弾性波フィルタデバイス７０について説明する。図１４は弾性波フィルタデバイス７０の断面図である。弾性波フィルタデバイス７０は送信用フィルタチップ７１および受信用フィルタチップ８１を備える。

送信用フィルタチップ７１は、圧電基板１２、ＩＤＴ電極１３および配線層１４を有する。ＩＤＴ電極１３および配線層１４は圧電基板１２の上面に形成されている。配線層１４はＩＤＴ電極１３に接続されている。ＩＤＴ電極１３および配線層１４の表面には、引出配線７４に当接する箇所が露出するように、保護絶縁膜（図示せず）が形成されている。受信用フィルタチップ８１は第２の実施形態に係る受信用フィルタチップ６１と同様に形成されている。圧電基板２２の主面２２Ｓの面積は圧電基板１２の主面（上面）の面積に比べて小さくなっている。

送信用フィルタチップ７１のＩＤＴ電極１３を囲むように、送信用フィルタチップ７１の圧電基板１２の上面に樹脂層７２が形成されている。樹脂層７２の上面には引出配線７３が形成されている。樹脂層７２を積層方向（上下方向）に貫通するように引出配線７４が形成されている。引出配線７４は引出配線７３および送信用フィルタチップ７１の配線層１４に接続されている。

送信用フィルタチップ７１の上部に受信用フィルタチップ８１が配置されている。受信用フィルタチップ８１の圧電基板２２の主面２２Ｓは送信用フィルタチップ７１の圧電基板１２の上面に対向している。受信用フィルタチップ８１の配線層２４は半田８２により引出配線７３に接続されている。

樹脂層７２の上面に柱状の引出配線７５が形成されている。引出配線７５は引出配線７３に接続されている。引出配線７３〜７５は、積層方向から見て、送信用フィルタチップ１１の内側に配線されている。引出配線７３〜７５は、受信用フィルタチップ２１の外側を通るように配線されている。

受信用フィルタチップ８１および引出配線７３，７５を被覆するように、樹脂層（封止樹脂）７６が形成されている。樹脂層７６の上面に樹脂層（封止樹脂）７７が形成されている。これにより、送信用フィルタチップ７１の圧電基板１２の上面と受信用フィルタチップ８１の圧電基板２２の主面２２Ｓとの間に封止空間７８が形成されている。すなわち、ＩＤＴ電極１３上およびＩＤＴ電極２３上（圧電基板２２側とは反対側）に封止空間７８が確保されている。

樹脂層７７の上面に保護レジスト７９が形成されている。引出配線７５の上端部は保護レジスト７９から露出している。引出配線７５の上端部に実装用端子３６が形成されている。実装用端子３６は引出配線７５に接続されている。このように、実装用端子３６は受信用フィルタチップ６１に対して送信用フィルタチップ１１側と反対側に配置されている。

弾性波フィルタデバイス７０の他の構成は第１の実施形態に係る構成と同様である。弾性波フィルタデバイス７０は、第１の実施形態の場合と同様に、受信用フィルタチップ８１側がモジュール基板の実装面に向くように実装される。実装用端子３６は、モジュール基板の実装面に形成された実装パッドに当接し、電気的に接続される。

第３の実施形態では、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。

なお、第１から第３の実施形態において、弾性波フィルタデバイスは、複数の送信帯域に対応する送信用フィルタおよび／または複数の受信帯域に対応する受信用フィルタを有するように構成されていてもよい。一例として、図１５に、第２の実施形態に係る構造において、複数の帯域に対応したフィルタを有する構成を示す。第１および第３の実施形態においても同様の適用が可能である。

図１５に示した構成では、送信用フィルタチップ９１は２つの送信帯域に対応する送信用フィルタを有し、受信用フィルタチップ１０１は２つの受信帯域に対応する受信用フィルタを有している。送信用フィルタチップ９１のＩＤＴ電極１３Ａ，１３Ｂはそれぞれ所定の送信帯域に対応し、受信用フィルタチップ１０１のＩＤＴ電極２３Ａ，２３Ｂはそれぞれ所定の受信帯域に対応している。

１０，５０，７０…弾性波フィルタデバイス
１１，７１，９１…送信用フィルタチップ
１２…圧電基板（第１の圧電基板）
２２…圧電基板（第２の圧電基板）
１３…ＩＤＴ電極（第１の機能電極）
２３…ＩＤＴ電極（第２の機能電極）
１３Ａ，１３Ｂ，２３Ａ，２３Ｂ…ＩＤＴ電極
１４，２４…配線層
１５，２５…支持層
１６，２６…カバー層
１７，２７，７８…封止空間
１８，２８，３３，３４，５２，５３，７３，７４，７５…引出配線
２１，６１，８１，１０１…受信用フィルタチップ
３１…接着フィルム
３２，５４，７２，７６，７７…樹脂層
３５，７９…保護レジスト
３６…実装用端子
４１…モジュール基板
４２…実装パッド
４５，４６…ビア
４７…開口部
６２，８２…半田
１２１，２２１…圧電ウエハ

Claims (4)

1. 第１の圧電基板、および、前記第１の圧電基板の主面に設けられる第１の機能電極を有する、送信用フィルタチップと、
   第２の圧電基板、および、前記第２の圧電基板の主面に設けられる第２の機能電極を有する、受信用フィルタチップと、
   実装用端子と、
   前記第１の機能電極上に空間が確保されるように前記第１の機能電極を覆うカバー層と、
   を備え、
   前記カバー層の上部に前記受信用フィルタチップが配置され、
   前記カバー層は、前記第２の機能電極上に空間が確保されるように前記第２の機能電極を覆っており、
   前記実装用端子は、前記受信用フィルタチップに対して前記送信用フィルタチップ側と反対側に配置され、
   前記送信用フィルタチップよりも前記受信用フィルタチップの方が実装面側に配置される、弾性波フィルタデバイス。
2. 積層方向から見て、前記受信用フィルタチップの面積は前記送信用フィルタチップの面積に比べて小さい、請求項１に記載の弾性波フィルタデバイス。
3. 前記受信用フィルタチップの外側に配線され、積層方向から見て前記送信用フィルタチップの内側に配線され、前記第１の機能電極に接続される引出配線を備える、請求項２に記載の弾性波フィルタデバイス。
4. 前記送信用フィルタチップは、複数の送信帯域に対応する送信用フィルタを有し、
   前記受信用フィルタチップは、複数の受信帯域に対応する受信用フィルタを有する、請求項１ないし３のいずれかに記載の弾性波フィルタデバイス。

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