[go: up one dir, main page]

WO2014041794A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び、基板洗浄装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び、基板洗浄装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2014041794A1
WO2014041794A1 PCT/JP2013/005341 JP2013005341W WO2014041794A1 WO 2014041794 A1 WO2014041794 A1 WO 2014041794A1 JP 2013005341 W JP2013005341 W JP 2013005341W WO 2014041794 A1 WO2014041794 A1 WO 2014041794A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
roller
cloth
wiping
cleaning apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2013/005341
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
徹 馬場
成正 岩本
英喜 丸中
基晋 青木
真吾 寳角
和也 長谷川
哲夫 石田
和司 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012212119A external-priority patent/JP2015213847A/ja
Priority claimed from JP2012219432A external-priority patent/JP2015215941A/ja
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Publication of WO2014041794A1 publication Critical patent/WO2014041794A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing an organic electroluminescent device.
  • the present invention also relates to a substrate cleaning apparatus suitable for manufacturing an organic electroluminescent device.
  • organic electroluminescent elements (hereinafter also referred to as "organic EL elements"), it is widely practiced to laminate an organic layer including a light emitting layer on the surface of an electrode layer such as an ITO layer.
  • an electrode layer such as an ITO layer.
  • foreign matter may exist on the surface of the electrode layer, and it is known that the surface of the electrode layer is washed with water or wiped with a cloth.
  • Patent Document 1 discloses an example of a method of washing an ITO layer with water.
  • the foreign material which exists in the ITO layer of the substrate surface is removed by warm water.
  • organic residue may remain on the surface of the electrode layer from which the organic resist material is removed. Such organic residue is difficult to remove by the above washing.
  • a foreign material mixes and adheres to the surface of an electrode layer is also considered. If foreign matter such as organic residue remains on the surface of the electrode layer, there is a risk of causing a device defect such as a dark spot or a short failure due to the residue.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to manufacture a highly reliable organic electroluminescent device in which foreign matter is prevented from remaining on the surface of an electrode layer and device defects are suppressed. .
  • the method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the present invention is a method of manufacturing an organic electroluminescent device by laminating an organic layer on an electrode layer formed on a substrate, and the electrode layer is formed of a cloth impregnated with a cleaning liquid. It is characterized by including the process of wiping off the surface and washing, and the process of laminating the organic layer on the electrode layer after washing.
  • the cloth be supplied with a clean area to keep the wiping portion clean.
  • the wiping with the cloth is preferably performed a plurality of times.
  • an alkaline solution and an acidic solution are used as the cleaning solution, and the step of cleaning the electrode layer is a surface of the electrode layer by the cloth in which the alkaline solution is impregnated. And cleaning the surface of the electrode layer with the cloth impregnated with the acidic solution.
  • cleaning liquid contains organic amines.
  • a substrate cleaning apparatus is a substrate cleaning apparatus for wiping a surface of a substrate by bringing a tape-like cloth into contact with the substrate, wherein the roller moves while pressing the cloth against the substrate;
  • the substrate cleaning apparatus preferably includes a cleaning liquid supply unit that supplies a cleaning liquid to the cloth, and the cleaning liquid supply unit discharges the cleaning liquid to the cloth supplied from the reel to the roller.
  • the high pressing portion be constituted by a plurality of convex portions.
  • the plurality of convex portions are preferably arranged in a staggered manner with respect to the rotation direction of the roller.
  • the high pressing portions are preferably disposed at both ends of the roller.
  • the high pressing portion is preferably made of a material having a large elastic modulus as compared with the other portion of the roller.
  • the roller has a groove formed in the outer periphery thereof in parallel or in a tapered shape in a direction perpendicular to the rotation axis of the roller, and the shape of the groove is the substrate. It is preferable to correspond to the pattern which does not wipe off.
  • the roller preferably has a lateral deviation suppressing structure which suppresses lateral deviation of the cloth at a portion in contact with the cloth.
  • the anti-lateral slippage structure be formed by roughening the surface of the roller.
  • the lateral deviation suppressing structure is provided on the surface of the roller with a mountain-valley structure in which a plurality of peaks and valleys extending in the circumferential direction are alternately arranged along the rotation axis direction.
  • a mountain-valley structure in which a plurality of peaks and valleys extending in the circumferential direction are alternately arranged along the rotation axis direction.
  • it is formed by
  • the substrate cleaning apparatus includes an ultraviolet light source for locally irradiating the substrate with the ultraviolet light, the ultraviolet light source moves with the roller relative to the substrate, and the roller is disposed on the substrate. It is preferable to make the said cloth contact the area
  • the ultraviolet light source irradiates ultraviolet light over the entire width of the cloth.
  • the ultraviolet light source preferably includes an LED that emits ultraviolet light.
  • the substrate cleaning apparatus of the present invention foreign matter on the surface of the substrate can be effectively removed, so that the cleaning property of the substrate is excellent. As a result, it is possible to manufacture a highly reliable organic electroluminescent device in which device failure is suppressed.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the substrate cleaning apparatus and cleaning the substrate surface by the substrate cleaning apparatus.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the substrate cleaning apparatus and cleaning the substrate surface by the substrate cleaning apparatus.
  • cleaning apparatus is shown, (a) is a side view, (b) is a longitudinal cross-sectional view, (c) is an II line sectional view of (a).
  • (A) is a side view which shows an example of the roller used for a board
  • (b) is a top view which shows the wiping off pattern at the time of wiping off the substrate surface using the roller shown to (a).
  • (A) is a side view which shows an example of the roller used for a board
  • (b) is a top view which shows the wiping off pattern at the time of wiping off the substrate surface using the roller shown to (a). It is a perspective view showing an example of a roller used for a substrate cleaning device.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the substrate cleaning apparatus and cleaning the substrate surface by the substrate cleaning apparatus.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the substrate cleaning apparatus and cleaning the substrate surface by the substrate cleaning apparatus.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the substrate cleaning apparatus and cleaning the substrate surface by the substrate cleaning apparatus.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the substrate cleaning apparatus and cleaning the substrate surface by the substrate cleaning apparatus.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the substrate cleaning apparatus and cleaning the substrate surface by the substrate cleaning apparatus.
  • It is a perspective view showing an example of a cloth, a roller, and an ultraviolet light source which constitute a substrate cleaning device.
  • cleaning apparatus is shown, (a) is a perspective view, (b) is an expanded sectional view. An example of the roller used for a board
  • cleaning apparatus is shown, (a) is a perspective view, (b) is an expanded sectional view, (c) is a side view.
  • the method of manufacturing an organic electroluminescent device relates to a method of manufacturing an organic EL device by laminating the organic layer 13 on the electrode layer 2 formed on the substrate 1.
  • the method of manufacturing the organic EL element includes the steps of wiping and cleaning the surface of the electrode layer 2 with the cloth 3 impregnated with the cleaning solution, and laminating the organic layer 13 on the electrode layer 2 after cleaning.
  • FIG. 1 has shown an example of the process of wiping off and wash
  • One embodiment of the organic EL device includes an electrode layer 2 to be the first electrode 12, an organic layer 13 composed of a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer and the like on the surface of the substrate 1, and a metal And a second electrode 14 formed of a conductive material.
  • FIG. 6 shows an example of the layer configuration of the organic EL element.
  • the organic EL element is configured by sequentially laminating a first electrode 12, an organic layer 13 including a light emitting layer, and a second electrode 14 paired with the first electrode 12 on a substrate 1.
  • the substrate 1 is configured as a light transmissive substrate
  • the first electrode 12 is configured as a light transmissive electrode.
  • the first electrode 12 is constituted by the electrode layer 2.
  • the electrode layer 2 can be constituted by a layer of a transparent conductive material such as an ITO layer, an IZO layer, an AZO layer and the like. If the first electrode 12 is configured as an anode, the second electrode 14 is configured as a cathode.
  • the second electrode 14 is configured as an anode.
  • the first electrode 12 is configured by an anode and the second electrode 14 is configured by a cathode.
  • the second electrode 14 is formed of a conductive material such as metal.
  • the second electrode 14 may be a light reflective electrode.
  • the second electrode 14 can be made of metal having light reflectivity.
  • the organic layer 13 may be configured by a laminated structure including a hole transport layer, an electron transport layer, and the like in addition to the light emitting layer.
  • the electrode layer 2 was directly formed in the surface of the board
  • FIG. The layer provided between the substrate 1 and the electrode layer 2 may be a resin layer for enhancing light extraction.
  • the organic layer 13 is laminated on the electrode layer 2 (first electrode 12) formed on the substrate 1 to produce an organic EL element.
  • substrate 1 can be used.
  • the substrate 1 is a support substrate.
  • the support substrate means a substrate that supports the laminate.
  • the electrode-attached substrate 10 is also referred to as the electrode substrate 10 or simply the substrate 10.
  • FIG. 2 is an example of the board
  • FIG. 2 (a) is a plan view (as viewed from a direction perpendicular to the substrate surface), and
  • FIG. 2 (b) is a cross-sectional view.
  • an electrode layer 2 which is a transparent conductive film is formed planarly on the surface of a substrate 1 formed of a glass substrate. If such an electrode substrate 10 is used, the light emitting surface of the organic EL element can be made large, and it can be used for a planar lighting device.
  • the substrate 1 can preferably use a glass substrate like this form, it is not limited to this, and a resin substrate etc. may be used. Also, the substrate 1 may have flexibility. The thickness of the substrate 1 is not limited, but may be, for example, about 300 to 2000 ⁇ m from the viewpoint of device properties.
  • the ITO layer is a transparent conductive film formed of indium tin oxide (tin-doped indium oxide).
  • the film thickness of the electrode layer 2 is not limited, but from the viewpoint of device properties, for example, one having a thickness of about 0.1 to 0.5 ⁇ m can be used.
  • the electrode layer 2 may be formed on the surface of the substrate 1 by a sputtering method, a vacuum evaporation method, an organic metal growth method, a spray method, a coating method or the like, but the film forming method is not limited to this.
  • the auxiliary electrode 15 is formed on the surface of the outer peripheral portion 2 a of the electrode layer 2 along the outer periphery of the electrode layer 2.
  • the electrode layer 2 usually has a large surface resistance and tends to be nonuniform in electrical conductivity if it is planar, but the auxiliary electrode 15 having a smaller surface resistance is formed on the outer peripheral edge, so that in the plane of the electrode layer 2 Can be made close to uniform.
  • the outer surface of the auxiliary electrode 15 provided on the outer peripheral portion 2 a of the electrode layer 2 is covered with the insulator 16 straddling the substrate 1 and the electrode layer 2. The auxiliary electrode 15 is protected by the insulator 16 to suppress deterioration of the device performance.
  • the auxiliary electrode 15 is covered with the insulator 16 to suppress excessive local current flow in the portion of the auxiliary electrode 15.
  • stable light emission can be obtained.
  • the auxiliary electrode 15 and the insulator 16 may not be provided.
  • the auxiliary electrode 15 a metal, an alloy or the like having a small electric resistance can be used.
  • the auxiliary electrode 15 can be made of MAM (Mo / Al / Mo three-layer metal layer), APC (AgPdCu alloy layer) or the like, but is not limited thereto.
  • an insulating material such as an organic material, in particular, an insulating organic resin can be used.
  • an insulating organic resin for example, as a material of the insulator 16, although novolak resin, acrylic resin, etc. can be used, it is not limited to these.
  • the auxiliary electrode 15 can be formed by patterning. That is, for example, after the film of the material constituting the auxiliary electrode 15 is formed on the entire surface of the electrode layer 2, the auxiliary electrode material in the central region excluding the outer peripheral portion 2a of the electrode layer 2 is etched or the like It is formed by being removed.
  • the insulator 16 can be formed by patterning. For example, after the layer of the insulating material is formed to cover the entire electrode layer 2 including the auxiliary electrode 15 and then the portion where the insulator 16 is to be formed is cured, the insulator 16 has an outer peripheral portion of the electrode layer 2 It is formed by removing the uncured insulating material remaining in the central region except 2a.
  • the formation of the insulator 16 by patterning can be performed, for example, by a photolithography process.
  • the auxiliary electrode 15 and the insulator 16 may be provided in a grid shape at the central portion of the electrode layer 2. In that case, the conductivity of the electrode layer 2 can be enhanced to make the in-plane current density more uniform, and more uniform light emission can be obtained in the plane.
  • the foreign substance P of the organic substance or the inorganic substance may be generated.
  • the insulator 16 is formed by organic resist patterning in a photolithography process
  • foreign matter P such as an organic resist residue may be generated on the surface of the electrode layer 2.
  • the auxiliary electrode 15 is formed by patterning a metal material
  • foreign matter P such as an inorganic substance may be generated on the surface of the electrode layer 2.
  • an organic layer 13 such as a hole injection layer (HIL: Hole Injection Layer) is formed on the surface of an electrode layer 2 to be an electrode (for example, an anode). Remaining on the surface of layer 2 causes a device failure.
  • HIL Hole Injection Layer
  • the surface of the electrode layer 2 is wiped and cleaned by the cloth 3 soaked with the cleaning liquid, and then the organic layer 13 is laminated.
  • the surface of the electrode layer 2 is wiped and cleaned by the cloth 3 soaked with the cleaning liquid, and then the organic layer 13 is laminated.
  • the cleaning liquid is impregnated into the cloth 3, the foreign matter P can be removed by the chemical action with the cleaning liquid.
  • the cloth 3 impregnated with the cleaning liquid the synergetic effect of the mechanical action and the chemical action can greatly improve the cleaning properties.
  • partial cleaning can be performed, and damage can be less likely to be applied as compared with the case where the cleaning liquid is sprayed on the entire surface.
  • FIG. 1 shows an example of the cleaning process using the cloth 3.
  • the cleaning liquid is infiltrated into the cloth 3 at least into the wiping part 3a.
  • the wiping part 3a is a portion of the cloth 3 in contact with the electrode layer 2 at the time of wiping.
  • the wiping with the cloth 3 can be performed by wiping the surface of the electrode layer 2 in one direction from one side to the other side of the exposed portion of the electrode layer 2 in the electrode substrate 10.
  • the wiping direction is indicated by an arrow.
  • the wiping direction is indicated by a broken arrow in the lateral direction.
  • the horizontal direction in the drawing is the horizontal direction of the electrode substrate 10
  • the vertical direction in the drawing is the vertical direction of the electrode substrate 10 It explains as a direction.
  • the wiping position can be changed and the wiping can be performed such that the wiping portion 3 a of the cloth 3 contacts the entire surface of the electrode layer 2.
  • FIG. 2 (a) a state in which the wiping position in the longitudinal direction (the center position of the cloth 3) is changed and the wiping is performed in the lateral direction is indicated by a plurality of dashed arrows arranged in parallel in the longitudinal direction.
  • the insulator 16 is made of an organic material and is easily corroded by a cleaning solution or the like. Therefore, it is more preferable that the cleaning liquid does not contact the insulator 16.
  • the cleaning liquid does not contact the insulator 16.
  • the physical force by wiping is not applied to the insulator 16. With the cloth 3 cleaning, partial wiping is possible, and adjustment of force is easy.
  • a cloth material can be used as the cloth 3.
  • the cloth material may be woven or non-woven.
  • a woven or non-woven fabric can be preferably used from the viewpoint of wiping properties.
  • the cloth 3 for example, a glass cloth, a high density ultrafine fiber (for example, Zavina wiping cloth) formed of a polyester / polyamide resin, or the like can be used, but it is not limited thereto.
  • an alkaline solution an acidic solution, a neutral detergent and the like are preferably used.
  • an alkaline solution strong cleaning power can be easily obtained by the action of the alkali.
  • an acidic solution strong detergency can be easily obtained by the action of an acid.
  • a neutral detergent washing can be performed while suppressing damage to other materials.
  • An alkaline aqueous solution can be used as an alkaline solution used for washing.
  • a mixed solvent of water and an aqueous organic solvent may be used as the solvent.
  • organic alkali or inorganic alkali can be used.
  • organic amines, inorganic hydroxides and the like can be mentioned, and specifically, TMAH (tetramethyl ammonium hydroxide), KOH (potassium hydroxide), etc. can be used, however, I can not.
  • Particularly preferred as the alkaline cleaning solution is a solution containing organic amines. In this case, chemical cleaning properties can be improved.
  • the pH of the alkaline solution is preferably 9-14. By setting the pH to this range, the washability can be enhanced while suppressing the influence on the insulator 16 and the like. From that point of view, the pH is more preferably 11 to 12.
  • An acidic aqueous solution can be used as an acidic solution used for washing.
  • a mixed solvent of water and an aqueous organic solvent may be used as the solvent.
  • the acid for example, nitric acid, sulfuric acid and the like can be used, but it is not limited thereto.
  • the pH of the acidic solution is preferably 0-5. By setting the pH to this range, the washability can be enhanced while suppressing the influence on the insulator 16 and the like. From that point of view, the pH is more preferably 1 to 3.
  • a pressing force (a force for pressing the surface of the electrode layer 2 vertically) may be applied in a direction perpendicular to the electrode substrate 10.
  • the pressing force is preferably 100 kPa or more, and more preferably 500 kPa or more, from the viewpoint of enhancing the cleaning property.
  • this pressing force is preferably 700 kPa or less from the viewpoint of preventing the electrode layer 2 from being damaged.
  • the cloth 3 is supplied with a clean area so that the wiping part 3a is kept clean.
  • a clean cloth 3 mechanical damage to the surface of the electrode layer 2 can be suppressed, and since it can be cleaned with a cleaning solution containing no impurities continuously supplied, The washability can be improved.
  • the wiping with the cloth 3 is preferably performed so as to move the cloth 3 at a constant speed toward one direction. It is possible to suppress the surface of the electrode layer 2 from being damaged by wiping the wiping in one direction at a constant speed.
  • the wiping speed may be, for example, about 50 to 200 mm / sec, but is not limited thereto.
  • FIG. 3 is a view showing an example of the cleaning process using the cloth 3. It is preferable to wipe the cloth 3 a plurality of times. In FIG. 3, the washing
  • FIG. 3A shows a process of wiping the surface of the electrode layer 2 in one lateral direction (eg, left to right) and then wiping the surface of the electrode layer 2 in the reverse direction (eg, right to left).
  • the wiping operation can be performed by reciprocating the wiping operation in the horizontal direction at a predetermined vertical position by sequentially moving the position in the vertical direction.
  • the wiping operation in the reverse direction for example, right to left
  • the position may be moved in order.
  • the number of cycles of wiping may be two or more, three or more, or four times by increasing the number of reciprocation operations or setting the number of cycles to a plurality of cycles when the operation in which the entire electrode layer 2 is wiped is one cycle. You may wipe off as mentioned above.
  • FIG. 3B the process of wiping the surface of the electrode layer 2 in one direction (for example, the horizontal direction) and then wiping the surface of the electrode layer 2 in the direction (for example, the vertical direction) perpendicular to the direction already wiped It is shown.
  • the wiping operation for example, the wiping operation in the lateral direction at a predetermined longitudinal position is performed by sequentially moving the longitudinal position, and then the wiping operation in the longitudinal direction at a predetermined lateral position is The position of the direction can be moved in order.
  • the wiping operation is a reciprocating operation, or the operation in which the entire electrode layer 2 is wiped out is one cycle
  • the number of cycles is multiple and the number of wipings is two or more, three or more,
  • wiping may be performed four or more times.
  • a neutral solution In the washing of the electrode layer 2, it is preferable to wash with a neutral solution after wiping with the cloth 3 soaked with the washing solution.
  • a neutral solution an aqueous solution having a neutral pH range (eg, pH 6 to 8) can be used. By washing with a neutral solution, it is possible to prevent the formation of the organic layer 13 with the residue or the like derived from the washing solution remaining in the electrode layer 2 and to suppress the device failure.
  • the neutral solution for example, purified water such as distilled water, ion exchange water, pure water or the like can be used.
  • the neutral solution one containing a volatile organic solvent such as alcohol may be used.
  • the washing with the neutral solution can be performed by wiping the surface of the electrode layer 2 with the cloth 3 soaked with the neutral solution.
  • the wiping method the same method as the wiping with the cloth 3 impregnated with the cleaning solution can be adopted.
  • the cleaning with the neutral solution is not limited to this, and for example, after the neutral solution is sprayed on the surface of the electrode layer 2 with a spray or the like, it may be wiped off with a dry cloth 3.
  • the step of washing the electrode layer 2 using an alkaline solution and an acidic solution as the washing solution has a washing step with an alkaline solution and a washing step with an acidic solution.
  • the cleaning step using an alkaline solution is a step of wiping and cleaning the surface of the electrode layer 2 with the cloth 3 impregnated with the alkaline solution.
  • the washing step with the acidic solution is a step of wiping and washing the surface of the electrode layer 2 with the cloth 3 impregnated with the acidic solution.
  • the order of alkaline solution washing and acidic solution washing may be earlier, for example, washing with alkaline solution may be followed by washing with acidic solution, or washing with acidic solution It may be washed with an alkaline solution later.
  • the same method can be used as the wiping method by the cloth 3 in which the acidic solution is impregnated and the wiping method by the cloth 3 in which the alkaline solution is impregnated.
  • the wiping method by the cloth 3 in which the cleaning liquid explained above is impregnated can be adopted.
  • cleaning apparatus 11 is also employable.
  • the washing of the alkaline solution, the acidic solution and the neutral solution can be performed in an appropriate order. For example, after washing with an alkaline solution, it may be washed with an acidic solution and finally with a neutral solution. Alternatively, after washing with an alkaline solution, washing may be performed with a neutral solution, then with an acid solution, and finally with a neutral solution. Alternatively, after washing with an acid solution, washing may be carried out with an alkali solution and finally with a neutral solution. Alternatively, after washing with an acidic solution, it may be washed with a neutral solution, then with an alkaline solution, and finally with a neutral solution. Thus, it is preferable to wash with a neutral solution at the end. Thereby, acid and alkali residues can be removed. In addition, when forming the organic layer 13, it is preferable that liquids, such as a neutral liquid, are removed from the surface of the electrode layer 2 by drying etc. FIG. Remaining liquid may cause device failure.
  • the wiping with the cloth 3 is more preferably performed in a heated state. Thereby, the washability can be enhanced.
  • the wiping in the heated state may be performed, for example, by heating and using the cleaning solution.
  • the substrate 1 may be cleaned in a heated state. Of course, both heating of the substrate 1 and heating of the cleaning liquid may be performed.
  • the wiping cleaning of the electrode layer 2 described above is preferably performed by the substrate cleaning apparatus 11. Thereby, the electrode layer 2 can be effectively cleaned.
  • FIG. 4 shows an example of the substrate cleaning apparatus 11.
  • FIG. 4 a state in which the electrode layer 2 of the electrode substrate 10 is cleaned by the substrate cleaning apparatus 11 is shown.
  • the substrate cleaning apparatus 11 can clean not only the electrode layer 2 but also the substrate 1 itself.
  • the entire surface of the electrode substrate 10 is cleaned to clean the portion of the surface of the substrate 1 on which the electrode layer 2 is not provided simultaneously with the cleaning of the electrode layer 2. can do.
  • the outer peripheral portion of the substrate 1 can be cleaned.
  • the surface of the substrate 1 (supporting substrate) before forming the electrode layer 2 can also be cleaned by the substrate cleaning apparatus 11. By washing the substrate 1 before the electrode layer 2 is formed, the electrode layer 2 can be laminated well.
  • the substrate cleaning apparatus 11 is an apparatus for wiping the surface of the substrate 1 by bringing a tape-like cloth 3 into contact with the substrate 1.
  • the substrate cleaning apparatus 11 includes a roller 4 that moves while pressing the cloth 3 onto the substrate 1.
  • the substrate cleaning device 11 is configured as a wiping device.
  • the substrate cleaning apparatus 11 includes a plurality of cloth delivery mechanisms 50 for delivering the long cloth 3 wound in a roll shape.
  • the cross delivery mechanism 50 is one of a first cross delivery mechanism 50A and a second cross delivery mechanism 50B.
  • the first cross delivery mechanism 50A is disposed on the upstream side of the transport direction of the electrode substrate 10, and the second cross delivery mechanism 50B is disposed on the downstream side of the transport direction of the electrode substrate 10.
  • the first cross delivery mechanism 50A has a wiping roller 4A as the roller 4.
  • the second cloth delivery mechanism 50 B has a wiping roller 4 B as the roller 4.
  • the substrate cleaning apparatus 11 includes the long cloth 3A for the cleaning liquid in the first cloth delivery mechanism 50A.
  • the cloth 3A is fed from a unwinding roller (supply reel 5A described later) or the like and extends downward from above as indicated by an arrow R1 in the drawing. Thereafter, the cloth 3A reverses along the outer periphery of the wiping roller 4A, further extends upward from below, and is wound up by a winding roller (a collection reel 5B described later) or the like.
  • a cleaning liquid supply unit 6A as a liquid supply unit 6 is provided on the upstream side of the position where the cloth 3A reaches the wiping roller 4A.
  • the cleaning liquid supply unit 6A is configured of a liquid reservoir that stores the cleaning liquid, a nozzle that supplies the cleaning liquid in the liquid reservoir to the surface of the cloth 3A, and the like. By supplying the cleaning liquid to the cloth 3A by the cleaning liquid supply part 6A, the cloth 3A becomes the wet cloth 3 containing the cleaning liquid at the position of the wiping part 3a.
  • the wiping roller 4A is capable of moving up and down. In that case, by moving the wiping roller 4A upward at the position of the insulator 16, the contact with the insulator 16 can be prevented, and damage to the insulator 16 can be suppressed. Moreover, when wiping off the electrode layer 2, if the wiping roller 4A can be moved downward and pressing force can be applied to the electrode substrate 10, the wiping performance can be enhanced by a physical force. Moreover, when the wiping roller 4A moves up and down, it is preferable that the cloth 3 does not slacken.
  • the mechanism in which the cloth 3 does not slacken can be configured by temporarily changing the roll speeds of the unwinding roller and the winding roller, or by providing an intermediate roller between the unwinding roller or winding roller and the wiping roller 4A.
  • the pressing force on the electrode substrate 10 is not necessarily required.
  • the pressing force is high at a position where the vertical position of the wiping roller 4A contacts the surface of the wiping portion 3a with the surface of the electrode layer 2 It may be maintained constant.
  • the substrate cleaning apparatus 11 includes a long cloth 3B for neutral solution in the second cloth delivery mechanism 50B.
  • the cloth 3B is fed from a unwinding roller (supply reel 5A described later) or the like and extends downward from above as indicated by an arrow R2 in the drawing. Thereafter, it is reversed along the outer periphery of the wiping roller 4B, further extends upward from the lower side, and is wound by a winding roller (collection reel 5B described later) or the like.
  • a neutral solution supply unit 6B is provided as the liquid supply unit 6.
  • the neutral solution supply unit 6B is configured of a liquid reservoir for storing the neutral solution, a nozzle for supplying the neutral solution in the liquid reservoir to the surface of the cloth 3B, and the like.
  • the wiping roller 4B is capable of moving up and down. In that case, the wiping roller 4B is moved upward at the position of the insulator 16, so that the insulator 16 can be prevented from being damaged. Moreover, when wiping off the electrode layer 2, when the wiping roller 4B is moved downward and pressing force is given to the electrode substrate 10, wiping off property can be improved by physical force. Moreover, when the wiping roller 4B moves up and down, it is preferable that the cloth 3B does not slacken. The mechanism by which the cloth 3B does not slack can be the same as that of the cloth 3A.
  • the pressing force on the electrode substrate 10 is not necessarily required. For example, the pressing force is high at a position where the vertical position of the wiping roller 4B contacts the surface of the wiping portion 3a with the surface of the electrode layer 2 It may be maintained constant.
  • the cloth 3 is supplied with the clean portion 3b as the clean cloth 3 from the unwinding roller (supply reel 5A) or the like so that the wiping portion 3a is always kept clean.
  • wiping off with the clean cloth 3 can suppress mechanical damage to the surface of the electrode layer 2, and can be continuously supplied with a cleaning liquid or a neutral solution containing no impurities. Since the cleaning can be performed by the
  • the cloth 3A for the cleaning liquid and the cloth 3B for the neutral solution are disposed in parallel. That is, the wiping roller 4A and the wiping roller 4B are disposed in parallel.
  • the parallel arrangement of the respective rollers 4 enables continuous wiping in the same direction.
  • the substrate 1 such as the electrode substrate 10 on which the electrode layer 2 is formed is placed or transported to the wiping start position.
  • the position where the cloth 3 is disposed on the upper surface of the electrode layer 2 at the boundary portion with the insulator 16 can be set as the wiping start position.
  • the roller 4 may move downward and the wiping may be started.
  • the wiping start position the wiping part 3a of the cloth 3 comes in contact with the surface of the electrode layer 2, and the wiping is started.
  • the electrode substrate 10 is transported in a direction (transport direction) perpendicular to the width direction of the cloth 3.
  • the transport direction is indicated by the arrow X1 in FIG.
  • the wiping direction is opposite to the transport direction (arrow X2).
  • the cloth 3 can be moved relative to the electrode substrate 10, and the cloth 3 can wipe off from one exposed end of the electrode layer 2 to the other exposed end.
  • the roller 4 is preferably moved upward so as not to wipe the insulator 16.
  • the transportation speed of the electrode substrate 10 is preferably 10 to 200 mm / sec, and more preferably 150 to 200 mm / sec, from the viewpoint of suppressing damage to the electrode layer 2 and improving wiping performance.
  • the transport speed of the electrode substrate 10 is the wiping speed of the cloth 3.
  • the cloth 3 is continuously fed by the cloth feeding mechanism 50 and the clean cloth 3 is supplied to the wiping portion 3a.
  • the delivery direction of the cloth 3 in the wiping part 3a is preferably one direction opposite to the transport direction of the electrode substrate 10. Thereby, physical force can be easily applied from the cloth 3 to the foreign matter P on the surface of the electrode layer 2, and the foreign matter P can be efficiently removed.
  • the delivery speed of the cloth 3 by the cloth delivery mechanism 50 is preferably 1 to 50 mm / sec, and more preferably 10 to 20 mm / sec, from the viewpoint of suppressing damage to the electrode layer 2 and improving wiping performance.
  • the cloth 3B is disposed on the downstream side in the transport direction, and the surface of the electrode layer 2 wiped off by the cloth 3A soaked with the cleaning liquid can be wiped with the cloth 3B of the neutral solution. Thus, the cleaning liquid can be prevented from remaining in the electrode layer 2.
  • the wiping mechanism by the cloth 3A and the cloth 3B can be the same.
  • the width of the cloth 3A and the width of the cloth 3B be approximately the same. Further, the delivery speeds of the cloth 3A and the cloth 3B may be the same as or different from the transport speed.
  • the width of the cross 3 is formed to be equal to or smaller than one side of the exposed surface of the electrode layer 2. If the electrode substrate 10 is smaller than one side of the exposed surface, the entire exposed surface of the electrode layer 2 can be wiped off and cleaned by transporting the electrode substrate 10 in the width direction and carrying out wiping and cleaning several times. (See FIG. 2 (a)). In addition, when the width of the cloth 3 is the same as one side of the exposed surface of the electrode layer 2, the surface of the electrode layer 2 can be wiped and cleaned with a single wiping operation, so that the cleaning efficiency can be enhanced.
  • wiping of either or both of the cloth 3A and the cloth 3B may be performed in a heated state.
  • the cleaning liquid supply unit 6A is provided with a heating means
  • the heated cleaning liquid can be supplied to the cloth 3A, and the surface of the electrode layer 2 can be wiped off in a heated state.
  • the neutral solution supply unit 6B is provided with a heating means
  • the heated neutral solution can be supplied to the cloth 3B, and the surface of the electrode layer 2 can be wiped off in a heated state.
  • a means for heating the substrate 1 may be provided.
  • a heating mechanism can be provided in the transfer device for disposing the substrate 1. Also, heating may be performed by raising the temperature of the atmosphere.
  • the electrode substrate 10 is 90 degrees in plan view It can be rotated and transported in a direction (longitudinal direction) perpendicular to the one direction to be wiped and cleaned.
  • FIG. 5B it can wipe off and wash
  • wiping can be performed a plurality of times in different directions, and the washability is enhanced.
  • wiping and cleaning can be performed by reciprocation as illustrated in FIG. 3A.
  • the electrode substrate 10 is conveyed and moved, but the electrode substrate 10 is fixed, and the wiping rollers 4A and 4B move in a direction parallel to the surface of the electrode substrate 10 and wipe it You may In that case, it is one aspect that it is preferable that the sending direction of the cloth 3 in the wiping part 3a becomes the same direction as the wiping direction (arrow X2).
  • the form of the substrate cleaning apparatus 11 provided with the two cloth delivery mechanisms 50 is shown, the present invention is not limited to this, and the cloth 3 in which the cleaning fluid different from the cleaning fluid of the first cloth delivery mechanism 50A is impregnated is It may further include a cross delivery mechanism 50 for delivering.
  • the washability can be enhanced by providing a plurality of cloth delivery mechanisms 50 for discharging the washing solution, making one washing solution an alkaline solution, and making the other washing solution an acidic solution.
  • the added cross delivery mechanism 50 can be configured similar to that described above.
  • the organic layer 13 is configured of a hole transport layer (hole transport layer), a light emitting layer, an electron transport layer, and the like.
  • the organic layer 13 may be provided with a hole injection layer (hole injection layer), an electron injection layer, an intermediate layer, and the like, as necessary.
  • the layer in direct contact with the electrode layer 2 may not be the organic layer 13, and the organic layer 13 may be stacked on the surface on which another conductive material layer or the like is stacked.
  • the hole transport layer and the hole injection layer can be formed of a material that reacts with a so-called electron accepting material to generate an oxidation state such as a cation or a dication.
  • a so-called electron accepting material such as a cation or a dication.
  • any material known as a light emitting layer forming material for an organic EL element can be used.
  • a light emitting material selected from among these compounds appropriately in lamination or mixture.
  • a light emitting material selected from among these compounds appropriately in lamination or mixture.
  • compounds that produce fluorescence emission represented by the above compounds but also material systems that emit light from spin multiplets, such as phosphorescent materials that produce phosphorescence emission, and a site made of them in a part of the molecule Compounds can also be suitably used.
  • the electron transport layer has an ability to transport electrons, has an electron injection effect, suppresses the transfer of holes to the electron transport layer, and can be formed of a compound having an excellent thin film formation ability.
  • Polymeric materials used in polymeric organic light emitting devices can also be used.
  • Each layer constituting the organic layer 13 may be deposited by a dry process such as evaporation or transfer, or may be deposited by a wet process such as spin coating, spray coating, die coating, gravure printing, or the like.
  • the second electrode 14 can be formed of an appropriate conductive material, but in the case of a cathode, an electrode material composed of a metal, an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof having a small work function may be used.
  • the work function is 5 eV or less.
  • an electrode material for example, an alkali metal, a halide of an alkali metal, an oxide of an alkali metal, an alkaline earth metal and the like, and an alloy of these with another metal can be used.
  • sodium, sodium-potassium alloy, lithium, magnesium, magnesium-silver mixture, magnesium-indium mixture, aluminum-lithium alloy, Al / LiF mixture, etc. can be mentioned, but it is not limited thereto Absent.
  • a multilayer structure may be made by using an alkali metal oxide, an alkali metal halide, or a metal oxide as a base and further laminating one or more conductive materials such as metal.
  • the second electrode 14 can be produced, for example, by forming the above-mentioned electrode material into a thin film by a method such as a vacuum evaporation method or a sputtering method.
  • the organic EL element thus obtained is manufactured by removing the foreign matter P on the surface of the electrode layer 2, generation of dark spots and short defects can be suppressed, and device defects can be prevented. It is possible to
  • the substrate cleaning apparatus 11 is an apparatus for wiping the surface of the substrate 10 by bringing the tape-like cloth 3 into contact with the substrate 10.
  • the substrate cleaning apparatus 11 includes a roller 4 that moves while pressing the cross 3 onto the substrate 10 and a reel 5 that supplies the cross 3 to the roller 4.
  • the roller 4 has a high pressing portion 40 on the surface in contact with the cloth 3 to locally increase the pressing pressure of the cloth 3 against the substrate 10.
  • FIG. 7 shows how the substrate cleaning apparatus 11 cleans the substrate 10
  • FIG. 8 shows an example of the roller 4 used in the substrate cleaning apparatus 11.
  • the substrate cleaning apparatus 11 can clean the substrate 10 (substrate with electrode 10) or can clean the substrate 1 (supporting substrate).
  • the case of cleaning the electrode-mounted substrate 10 will be mainly described.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 7 is to contact the tape-like cloth 3 on the electrode-coated substrate 10 for manufacturing the organic EL element, and wipe the surface of the electrode-coated substrate 10 with the cloth 3 for cleaning. .
  • the electrode layer 2 is cleaned by this cleaning.
  • FIG. 9 shows an example of a method of forming the organic layer 13 on the electrode-attached substrate 10.
  • the region on the electrode-attached substrate 10 is segmented into a desired shape by the resin pattern 17 (shown by dots).
  • a liquid material which forms the organic layer 13 or a part thereof is applied to the area 18 divided by the resin pattern 17.
  • the material of the organic layer 13 is applied as the sections of the region 18 to obtain the organic layer 13 having a desired shape.
  • the resin pattern 17 can function as a dam.
  • the film thickness of the organic layer 13 may be nonuniform, which may cause a bonding failure between the organic layer 13 and the electrode-attached substrate 10. Therefore, the surface of the electrode-attached substrate 10 is cleaned by the substrate cleaning apparatus 11.
  • the resin pattern 17 in FIG. 9 may be replaced with the auxiliary electrode 15 and the insulator 16.
  • An embodiment of an electroded substrate 10 having an auxiliary electrode 15 and an insulator 16 is shown in FIG. Also in that case, the electrode layer 2 can be cleaned.
  • the roller 4 moving while pressing the cloth 3 onto the electrode-attached substrate 10, the supply reel 5 A for supplying the cloth 3 to the roller 4, and the cloth 3 from the roller 4 And a recovery reel 5B for recovery. Further, the substrate cleaning apparatus 11 allows the support 8 rotatably supporting the reel 5 (the supply reel 5A and the recovery reel 5B), and the support 8 to be three-dimensionally movable with respect to the electrode-attached substrate 10. And a drive unit (not shown).
  • the roller 4 has, on the surface in contact with the cloth 3, a plurality of high pressing parts 40 that locally increase the pressure of the cloth 3 against the substrate 10.
  • the electrode-mounted substrate 10 has a substrate 1 made of light transmitting glass and an electrode layer 2 laminated on the substrate 1.
  • the electrode layer 2 is preferably configured as a transparent electrode.
  • On the electrode layer 2 is provided a resin pattern 17 which has a predetermined thickness and divides the region on the electrode layer 2 into a desired shape.
  • a liquid laminate material 31 which forms a part of the organic layer 13 or the organic layer 13 of the organic EL element is applied.
  • the organic layer 13 includes a light emitting layer.
  • the laminated material 31 may contain a light emitting material, or may be a material of a layer not containing the light emitting material (for example, a hole transport layer or the like).
  • the cloth 3 may be made of an appropriate cloth material.
  • the cloth 3 is made of non-woven fabric or woven fabric using microfiber, or chemical fiber such as polyester.
  • the cloth 3 may be made of materials other than these.
  • the width of the cloth 3 is constant.
  • the cloth 3 on the roller 4 is replaced with the clean cloth 3 as the supply reel 5A and the recovery reel 5B rotate in conjunction with each other during or before and after wiping the surface of the electrode-attached substrate 10.
  • wiping can be performed while supplying the clean cloth 3 to the roller 4.
  • the washability can be enhanced.
  • the reel 5 is stopped, and after wiping off, the reel 5 is rotated to feed the cloth 3 by a predetermined amount, and the clean cloth 3 is disposed at the contact portion with the electroded substrate 10. May be wiped out.
  • This method can effectively use the cloth 3 because the same portion of the cloth 3 can be wiped in a single wiping operation.
  • the roller 4 is formed in a substantially cylindrical shape.
  • the roller 4 may be pressed against the cross 3 in such a manner that its cylindrical axis and the width direction of the cross 3 coincide with each other.
  • the roller 4 is preferably attached to the support 8 via a damper member or the like for making the pressing force on the electrode-attached substrate 10 constant.
  • the roller 4 is made of a material excellent in slidability and chemical resistance, for example, hard rubber such as stainless steel or polyacetal (POM).
  • the rotational direction of the roller 4 may be a direction along the wiping direction (the white arrow in FIG. 7), or in a direction opposite to the direction along the wiping direction It may be. If the direction of rotation of the roller 4 follows the wiping direction, the direction in which the roller 4 rolls when the roller 4 is viewed as a cylinder, and the direction in which the substrate cleaning device 11 moves relative to the electroded substrate 10 by wiping Means the same. In the example of FIG. 7, the rotation direction of the roller 4 is a direction along the wiping direction. In this case, when the reel 5 is rotated during wiping, the cloth 3 can be wiped with the cloth 3 while being sent in the same direction as the substrate 10 when the relative positional relationship is seen.
  • the delivery direction of the cloth 3 at the contact portion between the cloth 3 and the substrate 10 and the wiping direction of the substrate cleaning apparatus 11 are opposite to each other.
  • the length of the cloth 3 delivered by the rotation of the roller 4 and the wiping distance may be the same.
  • the rotation of the roller 4 and the wiping are synchronized.
  • the rotation of the roller 4 and the wiping may not be synchronized.
  • the delivery direction of the cloth 3 at the contact portion between the cloth 3 and the substrate 10 and the wiping direction of the substrate cleaning apparatus 11 are the same.
  • the cloth 3 when the cloth 3 is fed during wiping, the cloth 3 can apply a frictional force, so that the washability can be enhanced.
  • the roller 4 has a high pressing portion 40.
  • the high pressing portion 40 is one aspect that is preferably configured by a plurality of convex portions 41.
  • the high pressing portion 40 of the roller 4 is constituted by a plurality of band-like convex portions 41 extending along the cylindrical axis direction of the roller 4.
  • the cylindrical axis direction is indicated by T1.
  • eight high pressing portions 40 configured by the convex portions 41 are provided, but the number of high pressing portions 40 is not limited to this. For example, two, four, six, twelve, etc. may be used.
  • the band-shaped high pressing portions 40 be provided along the circumference of the roller 4 at equal intervals.
  • the high pressing portions 40 are provided at an angle of 45 degrees along the circumference of the roller 4.
  • the size of the roller 4 is not particularly limited, but the length L1 along the cylindrical axis may be 1 to 10 cm, and the diameter L2 may be 0.1 to 3 cm. Further, the height H of the high pressing portion 40 can be set to 0.1 to 10 mm. Specifically, for example, the length L1 can be approximately 4 cm, and the diameter L2 can be approximately 1 cm. Also, for example, the height H of the high pressing portion 40 can be approximately 1 mm.
  • the substrate cleaning apparatus 11 may have a drive unit.
  • the driving unit drives the support 4 supporting the roller 4 and the cloth 3 to enable the wiping operation.
  • the driving unit preferably controls the movement of the support 8 so that the roller 4 and the cloth 3 do not contact the resin pattern 17 based on three-dimensional CAD data of the electrode-mounted substrate 10 provided with the resin pattern 17 or the like. .
  • the wiping operation by the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 7 will be described.
  • the substrate cleaning apparatus 11 moves on the electrode-attached substrate 10 in the direction of the white arrow in the drawing while rotating the roller 4.
  • the high pressing portion 40 of the roller 4 strongly presses the cloth 3 against the electrode-attached substrate 10.
  • the cloth 3 pressed strongly against the electrode-mounted substrate 10 efficiently wipes off the foreign matter P attached on the electrode-attached substrate 10.
  • the substrate cleaning apparatus 11 moves so that the roller 4 and the cloth 3 do not contact the resin pattern 17 and cleans the entire area 18 of the electrode-attached substrate 10.
  • the substrate cleaning device 11 is moved relative to the electrode-attached substrate 10 by moving the electrode-attached substrate 10 in the direction opposite to the white arrow.
  • wiping can be performed if the positional relationship between the cross 3 supported by the support 8 and the electrode-attached substrate 10 is relatively shifted in the lateral direction (the wiping direction).
  • the high pressing portion 40 is provided on the surface of the roller 4 in contact with the cross 3, the pressing pressure of the cross 3 against the electrode-attached substrate 10 is enhanced.
  • the foreign matter P on the surface of the electrode-attached substrate 10 can be wiped off efficiently by the cloth 3.
  • the roller 4 and the cloth 3 are controlled so as not to contact the resin pattern 17 on the electrode-attached substrate 10. Therefore, damage to the resin pattern 17 can be suppressed.
  • the substrate cleaning apparatus 11 may have a plurality of rollers 4.
  • the form which has multiple rollers 4 is illustrated by FIG. 4, and the form is applicable. That is, the roller 4 having the high pressing portion 40 shown in FIG. 8 may be applied to the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 4. Thereby, the washability can be enhanced.
  • FIG. 10 is an example of the substrate cleaning apparatus 11.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 10 differs from the apparatus of FIG. 7 in that the apparatus of FIG. 7 is provided with the liquid supply unit 6. Other than that, it has the same configuration as the device of FIG.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of the present embodiment includes a cleaning liquid supply unit 6A that supplies a cleaning liquid to the cloth 3.
  • the cleaning liquid supply unit 6A has a function of discharging the cleaning liquid to the cloth 3 supplied from the reel 5 to the roller 4.
  • the cleaning liquid supply unit 6A discharges the cleaning liquid to the cloth 3 located between the roller 4 and the supply reel 5A.
  • a liquid supply unit 6A for impregnating or spraying the cleaning liquid on the cloth 3 is provided in the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 10.
  • the flow of the cleaning solution is indicated by a broken arrow.
  • the cleaning liquid can effectively clean the electrode-attached substrate 10 and can prevent the electrode-attached substrate 10 from being damaged in the cleaning process.
  • the cleaning solution may be, for example, a detergent solution selected from water, alcohol, acid, alkali and the like.
  • the cleaning liquid described in the above-described cleaning of the electrode layer 2 is used.
  • the liquid supply unit 6 is configured as a cleaning solution supply unit 6A.
  • the cleaning liquid supply unit 6A includes a pipe 62 serving as a flow path for the cleaning liquid, and a discharge port 61 provided at an end of the pipe 62 and discharging the cleaning liquid toward the cloth 3.
  • the cleaning liquid supply unit 6A may have a tank for storing the cleaning liquid, and a pump for drawing the cleaning liquid from the tank and introducing it into the pipe 62.
  • the cleaning solution supply unit 6A is preferably supported by the support 8.
  • the pipe 62 is preferably supported by the support 8.
  • the discharge port 61 is preferably disposed adjacent to the cloth 3 supplied to the roller 4 from the supply reel 5A.
  • the discharge port 61 may be provided with a dropping nozzle for dropping the cleaning liquid onto the cloth 3 or a spray nozzle for spraying the cleaning liquid onto the cloth 3. Dropping or spraying of the cleaning liquid is preferably performed in conjunction with the replacement of the cloth 3 on the roller 4 by the rotation of the supply reel 5A and the recovery reel 5B.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of the present embodiment since the electrode-attached substrate 10 is cleaned by the cloth 3 containing the cleaning liquid, the electrode-attached substrate 10 can be cleaned more effectively without damaging the electrode-attached substrate 10. it can.
  • the cleaning liquid supply unit 6A is provided in a state of being integrated with the apparatus by supporting the pipe 62 by the support 8, the substrate cleaning apparatus 11 should be configured in a compact size with good management. Can.
  • rollers 4 may be provided in the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 10. Also in the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 10, it is needless to say that a plurality of rollers 4 may be provided. Also in the following embodiment (the modification of substrate cleaning device 11), it is the same that multiple rollers 4 may be provided.
  • FIG. 11 shows an example (roller 4 a) of the roller 4 used for the substrate cleaning apparatus 11.
  • the roller 4a can be used for any of the substrate cleaning devices 11 described above.
  • the rotational direction of the roller 4a is indicated by T2.
  • the high pressing portion 40 is configured by a plurality of convex portions 41
  • the plurality of convex portions 41 be arranged in a zigzag shape with respect to the rotation direction of the roller 4 It is. Thereby, the pressing pressure can be effectively increased, and the cleaning power can be improved.
  • the plurality of convex portions 41 constituting the high pressing portion 40 are each formed in a substantially cubic shape, and are arranged in a zigzag shape in the rotation direction of the roller 4. By doing this, it is possible to obtain the same effect as that of the substrate cleaning device 11 described above, to reduce the residue after the cleaning due to the wiping residue and to perform uniform cleaning.
  • the rows of the plurality of convex portions 41 aligned in the direction parallel to the cylindrical axis direction are provided on the circumference of the roller 4 by shifting the positions of the convex portions 41 in adjacent rows.
  • the pressing portion 40 is formed.
  • the shape of the convex portion 41 may be a rectangular parallelepiped shape, a prismatic shape, or a cylindrical shape. Moreover, it may be in a frustum shape.
  • FIG. 12A shows an example (roller 4 b) of the roller 4 used for the substrate cleaning apparatus 11.
  • the roller 4 b can be used for any of the substrate cleaning devices 11 described above. That is, the present invention is applicable to an apparatus having the cleaning liquid supply unit 6A. The present invention is also applicable to an apparatus having a plurality of rollers 4 in the wiping direction.
  • the high pressing portions 40 of the roller 4 are one aspect preferably arranged at both ends of the roller 4. Thereby, the wiping property at the boundary of the wiping pattern 20 can be improved, and the cleaning property can be improved.
  • the high pressing portions 40 are formed at both ends.
  • the roller 4 b in FIG. 12A has a shape in which the thickness of both ends thereof is slightly larger than the thickness of the central part, and the both ends function as the high pressing portion 40.
  • the high pressing portion 40 to the central portion have a shape having a gentle slope.
  • the roller 4 can have, for example, a shape in which the thickness of both ends is thicker than the thickness of the central portion in the range of 0.01 to 0.5 mm.
  • the thickness difference between the both ends and the center of the roller 4 is indicated by D.
  • the difference in thickness between the end portions and the center portion of the roller 4 is not limited to this, and may be appropriately adjusted depending on the thickness and the type of the cloth 3.
  • the roller 4 shown in FIG. 12 (a) has the above-described shape, and while pressing the cloth 3 against the electrode-attached substrate 10 at a predetermined pressing pressure at the central portion thereof, The cloth 3 can be strongly pressed against the electroded substrate 10.
  • FIG.12 (b) has shown a mode that it wiped off with the roller 4b of Fig.12 (a).
  • the substrate 10 is wiped with the wiping pattern 20.
  • the portion other than the wiping pattern 20 is a non-wipe region 21.
  • the non-wipe area 21 is indicated by dots.
  • the wiping direction is shown by the arrow.
  • the high pressing portions 40 are disposed at both ends of the roller 4, so the edge of the wiping pattern 20 Can wipe up to 22 well.
  • FIG. 13A shows another example of the roller 4 (roller 4x).
  • the roller 4x has no difference in thickness between its both ends and the center, and does not have the high pressing portion 40. Therefore, as shown in FIG. 13B, when wiping with the roller 4x, the pressing of the cloth 3 against the electrode-attached substrate 10 tends to weaken at both ends of the roller 4x. There may be wiping residue (indicated by dark dots).
  • the roller 4b shown in FIG. 12 (a) has a higher wiping property than the roller 4x shown in FIG. 13 (a).
  • the edge 22 of the wiping pattern 20 can be wiped sufficiently, so that the cleaning property can be improved.
  • FIG. 14 shows an example (roller 4 c) of the roller 4 used for the substrate cleaning apparatus 11.
  • the roller 4c can be used for any of the substrate cleaning devices 11 described above. That is, the present invention is applicable to an apparatus having the cleaning liquid supply unit 6A. The present invention is also applicable to an apparatus having a plurality of rollers 4 in the wiping direction.
  • the roller 4c of FIG. 14 has high pressing portions 40 (shown by dots) at both ends thereof.
  • Each of the high pressing portions 40 is made of a material having a large elastic modulus as compared with the other portion of the roller 4c. Therefore, the high pressing portion 40 is harder than the other portions.
  • the high pressing portion 40 is made of, for example, stainless steel, and the other portion of the roller 4c is made of, for example, hard rubber.
  • the elastic modulus of the material which comprises the high pressing part 40 and the other part of the roller 4c is suitably adjusted with the thickness and the kind of cloth 3.
  • the high pressing portion 40 is a preferable aspect in which the high pressing portion 40 is made of a material having a large elastic modulus as compared with other portions of the roller 4. Thereby, the pressing pressure can be easily increased, and the wiping performance can be improved.
  • the central portion of the roller 4 c is not recessed, and the size of the circle at both ends and the size of the circle at the central portion are substantially the same in the cross section perpendicular to the cylindrical axis direction.
  • the elastic modulus of both ends may be made larger than that of other parts.
  • the roller 4c is composed of two parts of the high pressing part 40 and the other parts, but even if it is composed of three or more parts in order to prevent a rapid change in the elastic modulus of the material between layers. Good.
  • abutting part 40 of the roller 4 with a material with a large elasticity modulus compared with the other part of the roller 4 is high pushing by several convex parts 41 like the form of FIG.8 and FIG.11 Even in the case of configuring the contact portion 40, this is possible.
  • the plurality of convex portions 41 can be made of a material having a larger elastic modulus than the portion other than the convex portions 41. Then, the plurality of convex portions 41 become harder than the other portions. Thereby, the pressing force can be increased.
  • FIG. 15A shows an example (roller 4 d) of the roller 4 used for the substrate cleaning apparatus 11.
  • the roller 4 d can be used for any of the substrate cleaning devices 11 described above. That is, the present invention is applicable to an apparatus having the cleaning liquid supply unit 6A. The present invention is also applicable to an apparatus having a plurality of rollers 4 in the wiping direction.
  • the roller 4d is formed by connecting two of the rollers 4c described above with a groove 42 between them and connecting them together by a cylindrical support rod 43.
  • the groove portion 42 is formed in parallel with the direction orthogonal to the rotation axis Ax of the roller 4 d.
  • the shape of the wiping pattern 20 corresponds to the shape of the roller 4c.
  • the shape of the non-wipe region 21 corresponds to the shape of the groove 42.
  • the roller 4d of FIG. 15A since a plurality of wiping patterns 20 can be obtained simultaneously, wiping can be efficiently performed as compared with the case where the wiping patterns 20 are formed one by one.
  • the roller 4d has two rollers 4c, but may have three or more rollers 4c, or have a plurality of rollers 4 different in kind from each other. It may be taken.
  • the rollers 4 can be arranged side by side in the rotation axis direction.
  • the grooves 42 may be provided by arranging the adjacent rollers 4 at an interval.
  • the rotational axis direction and the cylindrical axis direction are the same.
  • the roller 4 preferably has a groove 42 formed in the outer periphery thereof in parallel to the direction orthogonal to the rotation axis of the roller 4.
  • corresponds to the pattern (area
  • FIG. 16 (a) to 16 (c) show an example (roller 4e) of the roller 4 used for the substrate cleaning apparatus 11.
  • FIG. This roller 4 can be used for any of the substrate cleaning devices 11 described above. That is, the present invention is applicable to an apparatus having the cleaning liquid supply unit 6A. The present invention is also applicable to an apparatus having a plurality of rollers 4 in the wiping direction.
  • the roller 4e is formed by connecting two rollers 4f to each other by a support rod 43 with a groove 44 provided therebetween.
  • the groove portion 44 is tapered in a direction perpendicular to the rotation axis Ax of the roller 4e.
  • the two rollers 4f have an inverted trapezoidal shape having an upper side 45 and a lower side 46 (bottom side) in a side view (see FIG. 16A), and are fixed to the support rod 43 in the same cycle.
  • the roller 4 f is provided with high pressing portions 40 at both ends.
  • the high pressing portion 40 may be formed of a material having a large elastic modulus.
  • FIG. 16 (b) is a view of the rollers 4e and 4f from the I direction of FIG. 16 (a)
  • FIG. 16 (c) is a view of the rollers 4e and 4f from the II direction of FIG. 16 (a) FIG. Therefore, when the roller 4f shown in FIG. 16 (a) is rotated, the wiping width can be changed.
  • FIG. 16D is a plan view showing a wiping pattern 20 when the substrate surface is wiped using the rollers 4e and 4f shown in FIG. 16A.
  • FIG. 16D when the roller 4e is rotated 180 degrees from the portion corresponding to the upper side 45 to the portion corresponding to the lower side 46, two inverted trapezoidal wiping patterns 20 are obtained simultaneously.
  • the wiping pattern 20 having a desired shape can be obtained.
  • the roller 4 preferably has a groove 44 formed in the outer periphery thereof in a tapered shape with respect to the direction orthogonal to the rotation axis of the roller 4.
  • corresponds to the pattern (the area
  • the cloth 3 is attached to the electrode-attached substrate in accordance with the shape of the roller 4f in order to obtain the desired wiping pattern 20. It is preferable to press against ten.
  • a cloth having a width equal to or slightly larger than the maximum width of the roller 4f can be used.
  • the cloth 3 may be a cloth 3 having a shape in which a plurality of trapezoids are alternately and continuously arranged with the upper side and the lower piece according to the shape of the roller 4f. In this case, the cloth 3 may be a wavy cloth 3.
  • FIG. 17 is an example of the substrate cleaning apparatus 11.
  • cleaning is performed using a substrate cleaning apparatus 11 having a roller 4g which can be replaced as the roller 4.
  • This roller 4 can be used for any of the substrate cleaning devices 11 described above.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 17 is provided with a replaceable roller 4g.
  • the size and shape of the roller 4 g can be appropriately selected according to the purpose of use of the substrate cleaning apparatus 11.
  • the substrate cleaning apparatus 11 includes, for example, a roller 4g obtained by miniaturizing the roller 4 shown in FIG. By using such a small roller 4, wiping can be performed to a position closer to the resin pattern 17 as compared with the case where a large roller 4 is used.
  • the area 18 can be efficiently cleaned by combining the cleaning in which the position close to the resin pattern 17 is wiped by the small roller 4 and the cleaning in which the central area of the area 18 is wiped by the large roller 4. At that time, by replacing the roller 4, it is possible to efficiently perform the cleaning using the same substrate cleaning apparatus 11.
  • Either the cleaning by the small roller 4 or the cleaning by the large roller 4 may be performed first, for example, the cleaning by the large roller 4 can be performed after the cleaning by the small roller 4, or After the cleaning with the large-sized roller 4, the cleaning with the small-sized roller 4 can also be performed.
  • the roller 4 g since the roller 4 g is replaceable, the operability can be improved by appropriately replacing the roller 4 g according to the purpose of use of the substrate cleaning apparatus 11.
  • the above-described substrate cleaning apparatus 11 can also be used for wiping and removing the laminated material 31.
  • the laminated material 31 can be effectively removed.
  • the laminated material 31 is a material to be laminated on the substrate 1 in the production of the organic EL element.
  • FIG. 18 shows an example of wiping of the laminated material 31.
  • FIG. 18 (a) shows the electroded substrate 10 before wiping
  • FIG. 18 (b) shows the electroded substrate 10 after wiping.
  • the laminated material 31 may be wiped off and removed.
  • the laminated material 31 may have a light emitting material or may not have a light emitting material.
  • the laminated material 31 is a preferable embodiment as a material forming a layer constituting all or part of the organic layer 13.
  • the laminated material 31 may be the material of the resin pattern 17 described above.
  • the laminated material 31 may be the material of the insulator 16 described above.
  • FIG. 19 shows an example in which the substrate cleaning apparatus 11 is used to wipe off the laminated material 31.
  • the substrate cleaning apparatus 11 can be said to be a wiping removal apparatus.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 7 is illustrated in this figure, the substrate cleaning apparatus 11 and the roller 4 may of course have other forms.
  • the substrate cleaning apparatus 11 can pattern the laminated material 31 by wiping the laminated material 31 applied on the surface of the electrode-attached substrate 10 with the cloth 3 in a desired pattern.
  • the substrate cleaning apparatus 11 may further include a squeegee scraping off the laminated material 31 from the cloth 3 after wiping off the laminated material 31, and a recovery tank for recovering the laminated material 31 scraped off by the squeegee. .
  • roller 4c of FIG. 14 the same effect as the roller 4b can be provided without requiring complicated and delicate shape processing as the roller 4b of FIG. 12A, and the laminated material 31 is wiped with high pattern accuracy. be able to.
  • the roller 4 d of FIG. 15A includes a plurality of rollers 4. Therefore, since the several wiping pattern 20 can be obtained simultaneously, compared with the case where the wiping pattern 20 is formed one by one, the time which patterning requires can be shortened.
  • the roller 4 has a groove 42 formed parallel to the direction perpendicular to the rotation axis of the roller 4 or a groove 44 formed in a tapered shape on the outer periphery thereof. Is a preferred embodiment.
  • the shape of the groove 42 corresponds to the pattern (pattern of the laminated material 31) formed on the substrate 10. Thereby, wiping can be performed in a desired pattern, and the pattern formation of the laminated material 31 can be efficiently performed.
  • FIG. 20 shows an example in which the substrate cleaning apparatus 11 is used as a wiping and removing apparatus.
  • the substrate cleaning device 11 has the same configuration as the substrate cleaning device 11 shown in FIG. 17, and the roller 4 is configured as a replaceable roller 4.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 20 includes a replaceable roller 4g, and the size and shape of the roller 4g can be appropriately selected according to the purpose of use of the substrate cleaning apparatus 11.
  • the substrate cleaning apparatus 11 includes, for example, a roller 4g obtained by miniaturizing the roller 4 of the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. By using such a small roller 4g, it is possible to perform patterning of a finer laminated material 31.
  • the cleaning solution supply unit 6A may be provided.
  • the laminated material 31 can be wiped off by the action of the cleaning liquid, the wiping performance can be enhanced.
  • a plurality of rollers 4 may be provided in the wiping direction.
  • FIG. 21 shows an example of the substrate cleaning apparatus 11, and shows an example of cleaning the substrate 10 using the substrate cleaning apparatus 11. As shown in FIG. 21
  • the substrate cleaning apparatus 11 is an aspect preferably including an ultraviolet light source 7 for locally irradiating the substrate 10 with ultraviolet light.
  • the ultraviolet light source 7 moves relative to the substrate 10 together with the roller 4.
  • the roller 4 preferably brings the cloth 3 into contact with the area U irradiated with the ultraviolet light from the ultraviolet light source 7 on the substrate 10.
  • the adhesion of the foreign matter P to the electrode-attached substrate 10 can be weakened by irradiating the ultraviolet light, and then the foreign matter P can be removed by wiping with the cloth 3. Therefore, the foreign matter P can be effectively removed, and the washability can be enhanced.
  • the ultraviolet light source 7 is supported by the support 8.
  • the ultraviolet light source 7 is disposed adjacent to the roller 4 and irradiates the region U on the electrode-mounted substrate 10 with ultraviolet light (the optical path is indicated by a broken arrow in FIG. 1). After the ultraviolet irradiation, the roller 4 can bring the cloth 3 into contact with the area U.
  • the ultraviolet light source 7 preferably irradiates ultraviolet light over the entire width of the cloth 3.
  • the adhesion of the foreign matter P present in the area to be wiped off by the cloth 3 to the electrode-attached substrate 10 can be weakened collectively, and the wiping can be performed efficiently.
  • the ultraviolet light source 7 may not irradiate the ultraviolet light over the entire width of the cloth 3 and may irradiate the ultraviolet light as a spot light. In that case, the cleaning effect can be enhanced spotwise.
  • FIG. 22 shows the vicinity of the roller 4 of the substrate cleaning apparatus 11 of FIG.
  • the ultraviolet light source 7 has an ultraviolet lamp 71 that emits ultraviolet light across the entire width of the cloth 3 and a housing 72 that houses the ultraviolet lamp 71.
  • the ultraviolet lamp 71 is configured of a linear mercury lamp, an excimer UV lamp, or the like.
  • the housing 72 has an elongated slit 73 extending along the width direction of the cloth 3 on the side facing the electrode-mounted substrate 10.
  • the ultraviolet light emitted from the ultraviolet lamp 71 is locally irradiated to the area U of the electrode-mounted substrate 10 through the slit 73.
  • a reflective plate for reflecting the ultraviolet light from the ultraviolet lamp 71 may be provided around the ultraviolet lamp 71 so that more ultraviolet light may be emitted from the slit 73.
  • the substrate cleaning apparatus 11 may have a drive unit that controls the movement of the support 8.
  • the drive unit can control the support 8 based on, for example, three-dimensional CAD data of the electrode-mounted substrate 10 on which the resin pattern 17 is provided.
  • the drive unit preferably performs control to move the support 8 so that the resin pattern 17 is not irradiated with the ultraviolet light from the ultraviolet light source 7.
  • a drive part controls the movement of the support body 8 so that the roller 4 may not contact the resin pattern 17.
  • the ultraviolet light source 7 may be controlled to be turned on and off to be turned off when the resin pattern 17 is at a position where the ultraviolet light is irradiated.
  • the roller 4 may be provided with high pressing portions 40 formed of a material having a large elastic modulus at both ends thereof.
  • the substrate cleaning apparatus 11 can also be configured to have the ultraviolet light source 7 in a device that does not have the high pressing portion 40.
  • the high pressing portion 40 may be lost from the roller 4.
  • the ultraviolet light source 7 may be provided in the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. Also in those cases, the cleaning property can be enhanced by the action of ultraviolet light.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 21 The operation of the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 21 will be described.
  • the substrate cleaning apparatus 11 locally adheres the region U to the ultraviolet light from the ultraviolet light source 7 on the electrode-mounted substrate 10 so that the adhesion of the foreign matter P present in the region U to the electrode-attached substrate 10 can be reduced.
  • the substrate cleaning device 11 cleans the entire area 18 by repeating this operation and moving on the electrode-mounted substrate 10 while preventing the resin pattern 17 from being irradiated with ultraviolet light from the ultraviolet light source 7.
  • the substrate cleaning device 11 and the electrode-attached substrate 10 may be moved relative to each other so that the substrate cleaning device 11 may move in the wiping direction, or the substrate cleaning device 11 is fixed.
  • the substrate with electrode 10 may be moved in the lateral direction (the direction opposite to the wiping direction) as it is.
  • the ultraviolet light from the ultraviolet light source 7 is irradiated to the region U on the electrode-mounted substrate 10, whereby the adhesion of the foreign substance P in the region U to the electrode-attached substrate 10 Is weakened, the area U is wiped with the cloth 3 to remove the foreign matter P.
  • the ultraviolet light from the ultraviolet light source 7 is irradiated only to the region U and is not irradiated to the resin pattern 17. Therefore, the foreign matter P attached to the electrode-mounted substrate 10 can be efficiently removed without affecting the resin pattern 17.
  • the ultraviolet light source 7 irradiates the ultraviolet light over the entire width of the cloth 3, the adhesion of the foreign matter P present in the area wiped off by the cloth 3 to the electrode-attached substrate 10 can be collectively reduced.
  • a plurality of rollers 4 may be provided in the wiping direction.
  • FIG. 23 shows an example of the substrate cleaning apparatus 11.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 23 further includes a cleaning liquid supply unit 6A for discharging the cleaning liquid onto the cloth 3 in the substrate cleaning apparatus 11 of FIG.
  • the flow of the cleaning fluid is indicated by the dashed arrow.
  • the cleaning solution may be impregnated or sprayed into the cloth 3.
  • the cleaning solution supply unit 6A is supported by a support 8.
  • the cleaning liquid supply unit 6A is provided in the ultraviolet light source 7.
  • the pipe 62 is supported by the support 8.
  • the cleaning solution is used to effectively clean the electroded substrate 10 and to prevent the electroded substrate 10 from being damaged during the cleaning process.
  • the cleaning solution may be, for example, a detergent solution selected from water, alcohol, alkali, acid and the like. Further, as the cleaning solution, the cleaning solution described above may be used.
  • the configuration of the cleaning liquid supply unit 6A may be the same as that of the embodiment shown in FIG.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 23 in addition to the wiping action, the foreign matter P can be more effectively removed by the action of the ultraviolet light and the cleaning liquid, and the electrode-attached substrate 10 can be cleaned with high cleaning performance. .
  • the cleaning liquid supply unit 6A is provided in a state of being integrated with the apparatus by supporting the pipe 62 by the support 8, the substrate cleaning apparatus 11 should be configured in a compact size with good management. Can.
  • a plurality of rollers 4 may be provided in the wiping direction.
  • FIG. 24 shows an example of the substrate cleaning apparatus 11.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 24 applies the roller 4 having the high pressing portion 40 constituted by a plurality of convex portions 41 to the apparatus of FIG.
  • FIG. 25 shows an example of the substrate cleaning apparatus 11.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 25 applies the roller 4 having the high pressing portion 40 constituted by a plurality of convex portions 41 to the apparatus of FIG.
  • the roller 4 in each form described above can be appropriately adopted.
  • the roller 4 may be formed to have a convex portion 41 on the surface thereof.
  • the pressure of the roller 4 applied to the substrate 10 is increased to enhance the cleaning effect.
  • the roller 4 having the high pressing portion 40 By using the roller 4 having the high pressing portion 40, the cleaning property and the wiping property can be enhanced.
  • a plurality of rollers 4 may be provided in the wiping direction.
  • FIG. 26 shows an example of the substrate cleaning apparatus 11, and the vicinity of the roller 4 is shown in this figure.
  • the ultraviolet light source 7 is an aspect that preferably includes the LED 74 that emits ultraviolet light. Thereby, the device can be miniaturized.
  • the substrate cleaning apparatus 11 of FIG. 26 is different from the above-described substrate cleaning apparatus 11 in the configuration of the ultraviolet light source 7 and has a UV-LED 74 that emits ultraviolet light instead of the ultraviolet lamp 71.
  • a UV-LED 74 that emits ultraviolet light instead of the ultraviolet lamp 71.
  • three UV-LEDs 74 are arranged such that their optical axes are directed to the slit 73.
  • a lens may be further provided for controlling the light distribution of the ultraviolet light emitted from each of the UV-LEDs 74 to be light parallel to the optical axis of the UV-LEDs 74.
  • the ultraviolet light source 7 can be miniaturized, so that the apparatus can be made compact.
  • the cloth 3 may be displaced from the roller 4 in the rotational axis direction (the cylindrical axis direction). Deviation of the cross 3 in the rotational axis direction is defined as lateral deviation.
  • the roller 4 have a lateral deviation suppressing structure 51 in a portion in contact with the cloth 3 to suppress lateral deviation of the cloth 3.
  • FIG. 27 shows an example of the roller 4, (a) is a perspective view of a state in which the cloth 3 is in contact with the roller 4, and (b) is an enlarged sectional view of a surface portion of the roller 4.
  • the roller 4 provided with the lateral deviation suppressing structure 51 is shown.
  • the lateral deviation curbing structure 51 is an aspect that is preferably formed by roughening the surface of the roller 4.
  • the outer peripheral surface of the roller 4 pressing the cloth 3 is roughened.
  • the roughened portion is indicated by dots.
  • the roller 4 may have a high pressing portion 40.
  • the roller 4 can be configured by the roller 4 having the high pressing portions 40 at both ends as shown in FIGS.
  • the frictional force between the cloth 3 and the roller 4 can be increased, and the lateral displacement of the cloth 3 with respect to the roller 4 (displacement in the column axis direction) can be suppressed.
  • the surface roughness Ra of the surface of the roller 4 is preferably, for example, 10 ⁇ m or more. Thereby, lateral deviation can be suppressed high. There is no particular upper limit to the surface roughness Ra, but Ra may be, for example, 1000 ⁇ m or less.
  • FIG. 28 shows an example of the roller 4, (a) is a perspective view of a state in which the cloth 3 is in contact with the roller 4, (b) is an enlarged sectional view of a surface portion of the roller 4, (c) is the roller 4 Side view of FIG.
  • the roller 4 provided with the side slip prevention structure 51 is shown.
  • the anti-slip structure 51 is formed by a peak-and-valley structure 52.
  • the number of valleys is changed and illustrated so that the valley structure 52 on the surface can be easily understood, but the valley structure 52 may be the same. .
  • the anti-slip structure 51 is formed by providing a mountain-valley structure 52 in which a plurality of peaks 52 a and valleys 52 b extending in the circumferential direction are alternately arranged along the rotation axis direction on the surface of the roller 4. Is a preferred embodiment.
  • a peak-and-valley structure 52 is provided on the outer peripheral surface of the roller 4 pressing the cross 3.
  • the roller 4 may have a high pressing portion 40.
  • the roller 4 can be configured by the roller 4 having the high pressing portions 40 at both ends as shown in FIGS.
  • the cross 3 can be hooked to the roller 4 by a plurality of peaks 52a, and the cross 3 is prevented from being laterally displaced with respect to the roller 4 (displacement in the column axis direction) can do.
  • the height of the mountain-valley structure 52 (the distance in the vertical direction from the surface of the roller 4 from the valley bottom to the mountain top) be smaller than the thickness of the cross 3.
  • the height of the mountain-valley structure 52 can be, for example, 0.03 to 0.3 mm.
  • the peaks 52a and the valleys 52b in the mountain-valley structure 52 are preferably arranged at a constant pitch in the axial direction of the cylinder.
  • the pitch of the ridge and valley structure 52 can be 0.05 to 1 mm.
  • the anti-slip structure 51 may be configured by both the peak-and-valley structure 52 and the surface roughening.
  • the surface deviation suppression structure 51 may be formed by further roughening the surface of the roller 4 on which the mountain-valley structure 52 is formed.
  • the high pressing part 40 shows the form which is not comprised by the several convex part 41 in FIG.27 and FIG.28
  • the roller 4 which has the high pressing part 40 comprised by the several convex part 41 In the above, the above-mentioned lateral deviation suppressing structure 51 can be provided. Also in this case, the lateral displacement of the cloth 3 can be suppressed to a high degree, and the washability can be enhanced.
  • the high pressing portion 40 configured by the plurality of convex portions 41 it is preferable to provide the lateral deviation suppressing structure 51 on the surface of the convex portion 41. For example, by roughening the surface of the convex portion 41, the lateral deviation suppressing structure 51 can be provided.
  • the anti-lateral deviation structure 51 can be provided.
  • the lateral deviation suppressing structure 51 may be provided on the entire surface of the roller 4. By providing the entire surface of the roller 4, lateral deviation can be suppressed even when a portion other than the convex portion 41 contacts the cloth 3, so lateral deviation can be suppressed high.
  • the electrode substrate 10 as shown in FIG. 2 was cleaned using a substrate cleaning apparatus 11 as shown in FIG.
  • the conveying speed was 200 mm / sec.
  • the pressure on the substrate surface was 500 kPa.
  • organic amine type alkaline aqueous solution pH 12, "Semico clean 56" full Uchi Chemical Co., Ltd. product
  • ITO film (0.15 ⁇ m) is formed in a planar shape on the surface of a glass substrate (700 ⁇ m, 210 ⁇ 180 mm), and an electrode substrate 10 provided with an auxiliary electrode 15 and an insulator 16 on the outer peripheral edge of the ITO film. used.
  • Example 1 The ITO film of the electrode substrate 10 was cleaned by the substrate cleaning apparatus 11.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

　本発明は、基板１上に形成された電極層２に有機層１３を積層して有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法に関する。洗浄液が染み込んだクロス３により電極層２の表面を拭き取って洗浄する工程と、洗浄後の電極層２に有機層１３を積層する工程と、を含む。本発明は、基板１０上にテープ状のクロス３を接触させて基板１０の表面を拭き取る基板洗浄装置１１に関する。クロス３を基板１０上に押し当てながら移動するローラ４と、クロス３をローラ４に供給するリール５と、を備える。ローラ４は、クロス３と接触する面に、クロス３の基板１０への押し当て圧を局所的に高める高押し当て部４０を有する。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び、基板洗浄装置
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。また、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に適した基板洗浄装置に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」ともいう）の製造においては、ＩＴＯ層などの電極層の表面に、発光層を含む有機層を積層することが広く行われている。従来、電極層の表面に異物が存在する場合があり、その際、電極層の表面を水などで洗浄したり、クロスで拭いて洗浄したりすることが知られている。
　例えば、特許文献１には、ＩＴＯ層を水で洗浄する方法の一例が開示されている。特許文献１では、基板表面のＩＴＯ層に存在する異物が、温水により除去されている。
　また、特許文献２では、異物をテープ状のクロスで拭き取る装置が開示されている。この装置では、基板の表面がクロスで洗浄されている。
特開２００９－２９５４６１号公報 特開２００５－０８１１７１号公報
　しかしながら、水洗後の電極層の表面には依然として異物が残存している場合がある。また、上記の特許文献２の装置では、基板に対するクロスの押し当て圧が弱いので、基板表面の異物をクロスにより十分に拭き取れないことがある。
　例えば、有機レジスト等のレジスト材料を重ね、所望の処理を行った後、有機レジスト材料が取り除かれたような電極層の表面には、有機物残渣が残る場合がある。このような有機物残渣は上記の洗浄では除去しにくい。また、有機ＥＬ素子の製造工程において、異物が混入して電極層の表面に付着する場合も考えられる。有機物残渣などの異物が電極層の表面に残存していると、それを原因とするダークスポットやショート不良などのデバイス不良を引き起こすおそれがある。
　本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、電極層表面に異物が残ることを抑制し、デバイス不良が抑制された信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することを目的とする。
　本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、基板上に形成された電極層に有機層を積層して有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法であって、洗浄液が染み込んだクロスにより前記電極層の表面を拭き取って洗浄する工程と、洗浄後の前記電極層に前記有機層を積層する工程と、を含むことを特徴とするものである。
　上記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記クロスは、清浄な部位が供給されて拭き取り部が清浄に保たれていることが好ましい。
　上記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記クロスでの拭き取りを複数回行うことが好ましい。
　上記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記洗浄液として、アルカリ溶液と酸性溶液とを使用し、前記電極層を洗浄する工程が、前記アルカリ溶液が染み込んだ前記クロスにより前記電極層の表面を拭き取って洗浄する工程と、前記酸性溶液が染み込んだ前記クロスにより前記電極層の表面を拭き取って洗浄する工程と、を有することが好ましい。
　上記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記洗浄液が、有機アミン類を含むことが好ましい。
　上記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記クロスでの拭き取り後に、中性液で洗浄する工程を含むことが好ましい。
　上記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記クロスでの拭き取りを加温した状態で行うことが好ましい。
　本発明に係る基板洗浄装置は、基板上にテープ状のクロスを接触させて前記基板の表面を拭き取る基板洗浄装置であって、前記クロスを前記基板上に押し当てながら移動するローラと、前記クロスを前記ローラに供給するリールと、を備え、前記ローラは、前記クロスと接触する面に、前記クロスの前記基板への押し当て圧を局所的に高める高押し当て部を有することを特徴とするものである。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記クロスに洗浄液を供給する洗浄液供給部を備え、前記洗浄液供給部は、前記リールから前記ローラに供給される前記クロスに前記洗浄液を吐出することが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記高押し当て部は、複数の凸部により構成されていることが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記複数の凸部は、前記ローラの回転方向に対して千鳥状に配置されていることが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記高押し当て部は、前記ローラの両端部にそれぞれ配置されていることが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記高押し当て部は、前記ローラの他の部分に比べて弾性率の大きい材料により構成されていることが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記ローラは、その外周に自身の回転軸と直交する方向に対して平行に又はテーパ状に形成された溝部を有し、前記溝部の形状は、前記基板を拭き取らないパターンに対応していることが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記ローラは、前記クロスと接触する部分に、前記クロスが横ずれするのを抑制する横ずれ抑制構造を有することが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記横ずれ抑制構造は、前記ローラの表面が粗面化されることにより形成されていることが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記横ずれ抑制構造は、周方向に延伸する複数の山と谷とが交互に回転軸方向に沿って配置された山谷構造が、前記ローラの表面に設けられることにより形成されていることが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記基板に対して局所的に紫外線を照射する紫外線光源を備え、前記紫外線光源は、前記ローラと共に前記基板に対して移動し、前記ローラは、前記基板上において前記紫外線光源からの紫外線が照射された領域に前記クロスを接触させることが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記紫外線光源は、前記クロスの全幅に亘って紫外線を照射することが好ましい。
　上記基板洗浄装置にあっては、前記紫外線光源は、紫外線を照射するＬＥＤを有することが好ましい。
　本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、電極層の表面の異物を効果的に除去することができるので、デバイス不良が抑制された信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することができる。
　本発明の基板洗浄装置によれば、基板表面の異物を効果的に除去することができるので、基板の洗浄性に優れる。その結果、デバイス不良が抑制された信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法における洗浄工程の一例を示す概略断面図である。 電極基板の一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面視の断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、クロスによる拭き取り洗浄の一例を説明する平面図である。 洗浄工程の一例を示す概略断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、クロスによる拭き取り洗浄の一例を説明する平面図である。 有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成の一例を示す断面図である。 基板洗浄装置の一例を示し、基板洗浄装置により基板表面を洗浄する様子を表す断面図である。 基板洗浄装置に用いるローラの一例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は断面図である。 有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するために基板上に形成された樹脂パターンを示す上面図（平面図）である。 基板洗浄装置の一例を示し、基板洗浄装置により基板表面を洗浄する様子を表す断面図である。 基板洗浄装置に用いるローラの一例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＩ－Ｉ線断面図である。 （ａ）は基板洗浄装置に用いるローラの一例を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）に示したローラを用いて基板表面を拭き取った場合の拭き取りパターンを示す平面図である。 （ａ）は基板洗浄装置に用いるローラの一例を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）に示したローラを用いて基板表面を拭き取った場合の拭き取りパターンを示す平面図である。 基板洗浄装置に用いるローラの一例を示す斜視図である。 （ａ）は基板洗浄装置に用いるローラの一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示したローラを用いて基板表面を拭き取った場合の拭き取りパターンを示す平面図である。 （ａ）は基板洗浄装置に用いるローラの一例を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ方向からローラを見た図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ方向からローラを見た図、（ｄ）は（ａ）に示したローラを用いて基板表面を拭き取った場合の拭き取りパターンを示す平面図である。 基板洗浄装置の一例を示し、基板洗浄装置により基板表面を洗浄する様子を表す断面図である。 積層材料を拭き取ることで積層材料をパターニングする様子を示す平面図であり、（ａ）は拭き取り前、（ｂ）は拭き取り後を示す。 基板洗浄装置の一例を示し、基板洗浄装置を基板表面に塗布された積層材料の拭き取りに用いた場合の断面図である。 基板洗浄装置の一例を示し、基板洗浄装置を基板表面に塗布された積層材料の拭き取りに用いた場合の断面図である。 基板洗浄装置の一例を示し、基板洗浄装置により基板表面を洗浄する様子を表す断面図である。 基板洗浄装置を構成するクロス、ローラ及び紫外線光源の一例を示す斜視図である。 基板洗浄装置の一例を示し、基板洗浄装置により基板表面を洗浄する様子を表す断面図である。 基板洗浄装置の一例を示し、基板洗浄装置により基板表面を洗浄する様子を表す断面図である。 基板洗浄装置の一例を示し、基板洗浄装置により基板表面を洗浄する様子を表す断面図である。 基板洗浄装置を構成するクロス、ローラ及び紫外線光源の一例を示す斜視図である。 基板洗浄装置に用いられるローラの一例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は拡大断面図である。 基板洗浄装置に用いられるローラの一例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は拡大断面図、（ｃ）は側面図である。
　本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の製造方法は、基板１上に形成された電極層２に有機層１３を積層して有機ＥＬ素子を製造する方法に関する。有機ＥＬ素子の製造方法では、洗浄液が染み込んだクロス３により電極層２の表面を拭き取って洗浄する工程と、洗浄後の電極層２に有機層１３を積層する工程とを含む。
　図１は、洗浄液が染み込んだクロス３により電極層２の表面を拭き取って洗浄する工程の一例を示している。
　有機ＥＬ素子の一態様は、基板１の表面に、第１電極１２となる電極層２と、正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層などによって構成される有機層１３と、金属などの導電材料によって形成される第２電極１４と、を含むものである。
　図６は、有機ＥＬ素子の層構成の一例を示している。有機ＥＬ素子は、基板１上に、第１電極１２、発光層を含む有機層１３、及び、第１電極１２と対となる第２電極１４が順に積層されて構成される。基板１側から光を取り出す場合、基板１は光透過性基板として構成され、第１電極１２は光透過性電極として構成される。第１電極１２は、電極層２によって構成される。電極層２は、ＩＴＯ層、ＩＺＯ層、ＡＺＯ層などの透明導電材料の層により構成され得る。第１電極１２が陽極として構成される場合、第２電極１４は、陰極として構成される。一方、第１電極１２が陰極として構成される場合、第２電極１４は、陽極として構成される。本実施形態では、第１電極１２が陽極で構成され、第２電極１４が陰極で構成される態様を好ましく採用できる。第２電極１４は、金属などの導電材料によって形成される。基板１側から光を取り出す場合、第２電極１４は、光反射性電極であってよい。このとき、第２電極１４は、光反射性を有する金属で構成することができる。有機層１３は、発光層に加えて、正孔輸送層、電子輸送層などを含む積層構造により構成されるものであってよい。なお、以下では、基板１の表面に直接、電極層２が形成された形態を説明するが、基板１と電極層２との間に他の層が設けられたものであってもよい。基板１と電極層２との間に設けられる層としては、光取り出し性を高めるための樹脂層などがあり得る。
　このような有機ＥＬ素子の製造においては、基板１上に形成された電極層２（第１電極１２）に有機層１３を積層して有機ＥＬ素子を製造する。有機ＥＬ素子の製造では、基板１上に予め電極層２が積層された電極付き基板１０を用いることができる。このとき、基板１は支持基板となる。支持基板とは、積層物を支持する基材を意味する。以下、電極付き基板１０を電極基板１０又は単に基板１０ともいう。
　図２は、電極層２が形成された基板１の一例であり、有機ＥＬ素子を形成するための電極基板１０の一例である。図２（ａ）は平面図（基板表面に垂直な方向から見た図）、図２（ｂ）は断面図を示している。この電極基板１０は、ガラス基板により構成される基板１の表面に、透明導電膜である電極層２が面状に形成されたものである。このような電極基板１０を用いれば、有機ＥＬ素子の発光面を大きくとることができ、面状の照明装置に利用可能である。
　基板１は、この形態のようにガラス基板を好ましく用いることができるが、これに限られることはなく、樹脂基板などを用いてもよい。また、基板１は、可撓性を有していてもよい。基板１の厚みは、限定されるものではないが、デバイス性の観点から、例えば、３００～２０００μｍ程度のものを用いることができる。
　電極層２としては、ＩＴＯ層が好ましく用いられる。ＩＴＯ層は、酸化インジウムスズ（スズドープ酸化インジウム）によって形成される透明導電膜である。電極層２の膜厚は、限定されるものではないが、デバイス性の観点から、例えば、０．１～０．５μｍ程度のものを用いることができる。電極層２は、基板１の表面に、スパッタ法、真空蒸着法、有機金属成長法、スプレー法、塗布法などによって形成され得るが、成膜方法はこれに限定されるものではない。
　本形態では、電極層２の外周部２ａの表面には、補助電極１５が電極層２の外周に亘って形成されている。電極層２は通常表面抵抗が大きく面状のものでは電気印加性が不均一になりやすいが、表面抵抗がより小さい補助電極１５が外周縁に形成されることにより、電極層２の面内での電気印加性を均一に近づけることができる。また、電極層２の外周部２ａに設けられた補助電極１５は、基板１と電極層２とに跨った絶縁体１６によってその外面が被覆されている。この絶縁体１６により補助電極１５が保護されて、デバイス性の劣化が抑制される。また、補助電極１５の上に有機層１３が形成される場合には、絶縁体１６で補助電極１５を被覆することにより、補助電極１５の部分で過剰に局所的に電流が流れることを抑制して、安定な発光を得ることができる。なお、補助電極１５及び絶縁体１６は、設けられていなくてもよい。
　補助電極１５としては、電気抵抗の小さい金属や合金などを用いることができる。例えば、補助電極１５としては、ＭＡＭ（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層金属層）や、ＡＰＣ（ＡｇＰｄＣｕの合金層）などによって構成することができるが、これらに限定されるものではない。
　また、絶縁体１６としては、有機材料、特に絶縁性の有機樹脂などの絶縁材料を用いることができる。例えば、絶縁体１６の材料としては、ノボラック樹脂や、アクリル樹脂などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。
　補助電極１５は、パターニングによって形成され得るものである。すなわち、補助電極１５は、例えば、電極層２の表面全体に補助電極１５を構成する材料の膜が形成された後、電極層２の外周部２ａを除く中央領域の補助電極材料がエッチングなどで除去されることにより形成される。
　また、絶縁体１６は、パターニングによって形成され得るものである。絶縁体１６は、例えば、補助電極１５を含む電極層２全体を被覆するように絶縁材料の層が形成され、次いで絶縁体１６が形成される部分が硬化された後、電極層２の外周部２ａを除く中央領域に残存する未硬化の絶縁材料が除去されることにより形成される。パターニングによる絶縁体１６の形成は、例えば、フォトリソ工程によって行うことができる。なお、補助電極１５及び絶縁体１６は、電極層２の中央部分にグリッド状に設けられてもよい。その場合、電極層２の通電性を高めて面内の電流密度をより均一化し、面内でより均一な発光を得ることができる。
　このように、補助電極１５や絶縁体１６が形成された電極層２においては、有機物又は無機物の異物Ｐが発生することがある。特に、絶縁体１６がフォトリソ工程の有機レジストパターニングによって形成されると、電極層２の表面に有機レジスト残渣などの異物Ｐが発生することがある。また、補助電極１５が金属材料のパターニングによって形成されると、電極層２の表面に無機物などの異物Ｐが発生することがある。有機ＥＬ素子の製造においては、電極（例えば陽極）となる電極層２の表面に、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ）などの有機層１３を形成するものであるが、異物Ｐが電極層２の表面に残っていると、デバイス不良の原因となる。
　そこで、有機ＥＬ素子の製造にあたって、図１に示すように、洗浄液が染み込んだクロス３により電極層２の表面を拭き取って洗浄し、その後、有機層１３を積層するようにする。電極層２の表面をクロス３で拭き取ることにより、機械的な作用による物理的な力が加わって異物Ｐを除去することができる。また、クロス３には洗浄液が染み込まれているので、洗浄液で異物Ｐを化学的な作用によって除去することができる。このように、洗浄液が染み込んだクロス３により、機械的作用と化学的作用との相乗効果で洗浄性を大幅に向上することができる。また、クロス３で洗浄することにより、部分洗浄することができ、全面に洗浄液を吹き付けたりする場合に比べてダメージを与えにくくすることができる。
　図１は、クロス３による洗浄工程の一例を示している。クロス３には少なくとも拭き取り部３ａに洗浄液が染み込んでいる。拭き取り部３ａとは、拭き取り時に電極層２と接触するクロス３の部分である。
　クロス３による拭き取りは、電極基板１０における電極層２の露出部分の一側部から他側部に亘って電極層２の表面を一方向に拭き取ることにより行うことができる。図１では、拭き取り方向を矢印で示している。また、図２（ａ）では、拭き取り方向を横方向の破線矢印で示している。以下では、拭き取り方向を、図２（ａ）のように平面視で電極基板１０を見た場合に、図示の横方向を電極基板１０の横方向とし、図示の縦方向を電極基板１０の縦方向として説明する。拭き取りの際には、クロス３の拭き取り部３ａが電極層２の表面全体に接触するように、拭き取り位置を変化させて拭き取るようにすることができる。図２（ａ）では、縦方向の拭き取り位置（クロス３の中央位置）を変化させて横方向に拭き取る様子を、縦方向に並列する複数の破線矢印で示している。
　クロス３の拭き取りにおいては、絶縁体１６を拭き取らないようにすることが好ましい。すなわち、電極層２の露出領域のみを拭き取り洗浄することが好ましい。絶縁体１６は、有機材料で構成されており、洗浄液などによって侵食されやすいからである。したがって、絶縁体１６に洗浄液が接触しないことがより好ましいものである。ただし、クロス３による拭き取り時に、クロス３を絶縁体１６（特に電極層２との境界領域）に完全に接触しないようにすることは操作的に難しいため、クロス３と絶縁体１６が接触する場合があってもよいが、その場合、拭き取りによる物理的な力が絶縁体１６に付加されないようにすることが好ましい。クロス３による洗浄では、部分的な拭き取りが可能であり、また力の調整が容易である。
　クロス３としては、布材を使用することができる。布材は、織布でも不織布でもよい。拭き取り性の観点からは織布又は不織布を好ましく用いることができる。クロス３としては、例えば、ガラスクロス、ポリエステル・ポリアミド系樹脂により形成された高密度超極細繊維（例えばザヴィーナワイピングクロス）、などを使用することができるが、これに限られない。
　洗浄液としては、アルカリ溶液、酸性溶液、中性洗浄剤などが好ましく用いられる。このうち、アルカリ溶液を用いた場合、アルカリの作用により強い洗浄力を容易に得ることができる。また、酸性溶液を用いた場合、酸の作用により強い洗浄力を容易に得ることができる。また、中性洗浄剤を用いた場合、他の材料を傷つけることを抑制しながら洗浄を行うことができる。
　洗浄に使用するアルカリ溶液としては、アルカリ性の水溶液を用いることができる。溶媒として、水と水性有機溶剤との混合溶媒を用いてもよい。アルカリとしては、有機アルカリや無機アルカリを使用することができる。例えば、有機アミン類や無機水酸化物などを挙げることができ、具体的には、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、などを使用することができるが、これに限られない。アルカリ性の洗浄液として特に好ましいのは、有機アミン類を含む溶液である。この場合、化学的洗浄性を向上させることができる。
　アルカリ溶液のｐＨは、９～１４であることが好ましい。ｐＨがこの範囲になることにより、絶縁体１６などへの影響を抑えながら洗浄性を高めることができる。その観点から、ｐＨは、１１～１２であることがより好ましい。
　洗浄に使用する酸性溶液としては、酸性の水溶液を用いることができる。溶媒として、水と水性有機溶剤との混合溶媒を用いてもよい。酸としては、例えば、硝酸、硫酸などを使用することができるが、これに限られない。酸性溶液で洗浄することにより、有機物や、金属などの無機物を物理的及び化学的に洗浄して除去することが可能になり、洗浄性を高めることができる。
　酸性溶液のｐＨは、０～５であることが好ましい。ｐＨがこの範囲になることにより、絶縁体１６などへの影響を抑えながら洗浄性を高めることができる。その観点から、ｐＨは、１～３であることがより好ましい。
　拭き取りの際においては、電極基板１０に対して垂直な方向に押圧力（電極層２表面を垂直に押す力）をかけてもよい。押圧力をかけることにより、物理的な力を加えて拭き取りを行うことができ、洗浄性を高めることができる。この押圧力は、洗浄性を高める観点から、１００ｋＰａ以上であることが好ましく、５００ｋＰａ以上であることがより好ましい。また、この押圧力は、電極層２を破損しないようにする観点から、７００ｋＰａ以下であることが好ましい。
　クロス３は、清浄な部位が供給されて拭き取り部３ａが清浄に保たれるようにすることが好ましい。清浄なクロス３により拭き取ることにより、電極層２の表面に機械的なダメージを与えることを抑制することができ、また、連続的に供給される不純物を含まない洗浄液で洗浄することができるため、洗浄性を向上させることができる。連続的にクロス３の清浄な部位を供給するには、例えば、後述のように、テープ状のクロス３を用い、清浄な部分が供給されるロール機構にする方法が挙げられるが、これに限られるものではない。
　クロス３での拭き取りは、一方向に向って一定速度でクロス３を移動するようにすることが好ましい。拭き取りを一方向に向って一定速度で拭き取ることによって電極層２の表面にダメージを与えることを抑制することができる。拭き取り速度は、例えば、５０～２００ｍｍ／ｓｅｃ程度にすることができるが、これに限定されるものではない。
　図３は、クロス３による洗浄工程の一例を示した図である。クロス３での拭き取りは、複数回行うことが好ましい。図３では、クロス３による拭き取りが複数回行われる洗浄工程が示されている。
　図３（ａ）では、横方向の一方向（例えば左から右）に電極層２の表面を拭き取り、その後、逆方向（例えば右から左）に電極層２の表面を拭き取る工程が示されている。拭き取り操作としては、所定の縦位置で横方向に往復して拭き取る操作を、縦方向の位置を順に移動して行うことができる。あるいは、横方向の一方向（例えば左から右）に拭き取る操作を、縦方向の位置を順に移動して行った後、横方向の逆方向（例えば右から左）に拭き取る操作を、縦方向の位置を順に移動して行ってもよい。なお、往復操作を増加させたり、電極層２全体が拭き取られる操作を１サイクルとしたときにそのサイクル数を複数回にしたりして、拭き取り回数を二回以上、三回以上、又は四回以上にして、拭き取りを行ってもよい。
　図３（ｂ）では、一の方向（例えば横方向）に電極層２の表面を拭き取り、その後、すでに拭き取った方向に対して垂直な方向（例えば縦方向）に電極層２の表面を拭き取る工程が示されている。拭き取り操作としては、例えば、所定の縦方向の位置で横方向に拭き取る操作を、縦方向の位置を順に移動して行った後、所定の横方向の位置で、縦方向に拭き取る操作を、横方向の位置を順に移動して行うようにすることができる。この場合も、拭き取り操作を往復操作にしたり、電極層２全体が拭き取られる操作を１サイクルとしたときにそのサイクル数を複数回にしたりして、拭き取り回数を二回以上、三回以上、又は四回以上にして、拭き取りを行ってもよい。
　電極層２の洗浄においては、洗浄液が染み込んだクロス３での拭き取り後に、中性液で洗浄することが好ましい。中性液としては、ｐＨが中性領域（例えばｐＨ６～８）の水溶液を用いることができる。中性液で洗浄することにより、洗浄液由来の残渣等が電極層２に残ったまま有機層１３を形成することを防止することができ、デバイス不良を抑制することができる。中性液としては、例えば、蒸留水やイオン交換水、純水などの精製水を使用することができる。また、中性液として、アルコールなどの揮発性有機溶媒が含まれるものを用いてもよい。
　中性液による洗浄は、中性液が染み込んだクロス３により電極層２の表面を拭き取ることにより行うことができる。拭き取り方法としては、洗浄液が染み込んだクロス３による拭き取りと同じ方法を採用することができる。なお、中性液による洗浄は、これに限定されるものではなく、例えば、中性液を電極層２表面にスプレーなどで吹付けた後、乾いたクロス３により拭き取るようにしてもよい。
　電極層２の洗浄においては、洗浄液として、アルカリ溶液と酸性溶液とを使用し、電極層２を洗浄する工程が、アルカリ溶液による洗浄工程と、酸性溶液による洗浄工程とを有することがより好ましい。それにより、アルカリと酸との両方の作用によって洗浄することができるので、洗浄力を高めることができる。アルカリ溶液による洗浄工程は、アルカリ溶液が染み込んだクロス３により電極層２の表面を拭き取って洗浄する工程である。酸性溶液による洗浄工程は、酸性溶液が染み込んだクロス３により電極層２の表面を拭き取って洗浄する工程である。アルカリ溶液の洗浄と酸性溶液の洗浄との順序はどちらが先であってもよく、例えば、アルカリ溶液での洗浄の後に酸性溶液での洗浄を行ってもよいし、あるいは、酸性溶液での洗浄の後にアルカリ溶液での洗浄を行ってもよい。
　酸性溶液が染み込んだクロス３による拭き取り方法と、アルカリ溶液が染み込んだクロス３による拭き取り方法とは、同じ方法を用いることができる。これらは、上記で説明した洗浄液が染み込んだクロス３による拭き取り方法を採用することができる。また、後述の基板洗浄装置１１による方法を採用することもできる。
　洗浄液として酸性溶液とアルカリ溶液とを使用する場合、それぞれのクロス３での拭き取り後に、中性液で洗浄してもよい。中性液で洗浄することにより、洗浄液由来の残渣が電極層２に残ったまま有機層１３を形成することを防止することができ、デバイス不良を抑制することができる。
　アルカリ溶液、酸性溶液、及び、中性液の洗浄は適宜の順序で行うことができる。例えば、アルカリ溶液での洗浄後、酸性溶液で洗浄し、最後に中性液で洗浄してもよい。また、アルカリ溶液での洗浄後、中性液で洗浄し、次に酸性溶液で洗浄し、最後に中性液で洗浄するようにしてもよい。また、酸性溶液で洗浄後、アルカリ溶液で洗浄し、最後に中性液で洗浄してもよい。あるいは、酸性溶液での洗浄後、中性液で洗浄し、次にアルカリ溶液で洗浄し、最後に中性液で洗浄してもよい。このように最後に中性液で洗浄することが好ましい。それにより、酸やアルカリの残渣を取り除くことができる。なお、有機層１３を形成する際には、中性液などの液体が乾燥などにより電極層２の表面から除去されていることが好ましい。液体が残存しているとデバイス不良の原因となるおそれがある。
　クロス３での拭き取りは加温した状態で行うことがより好ましい。それにより、洗浄性を高めることができる。加温した状態での拭き取りは、例えば、洗浄液を加温して使用することにより行ってもよい。あるいは、基板１を加温した状態で洗浄するようにしてもよい。もちろん、基板１の加温と洗浄液の加温とを両方行ってもよい。
　上記で説明した電極層２の拭き取り洗浄は、基板洗浄装置１１で行うことが好ましい。それにより、効果的に電極層２の洗浄を行うことができる。
　図４は、基板洗浄装置１１の一例を示している。図４では、基板洗浄装置１１により電極基板１０の電極層２を洗浄する様子が示されている。
　基板洗浄装置１１は、電極層２の洗浄を行うだけでなく、基板１自体の洗浄も行うことができる。例えば、電極基板１０（電極付き基板１０）においては、電極基板１０の表面全体を洗浄することにより、電極層２の洗浄と同時に、電極層２が設けられていない基板１の表面の部分も洗浄することができる。図２に示すように、基板１の外周部には電極層２及び絶縁体１６が形成されずに基板１が露出した部分が形成され得るため、この基板１の外周部を洗浄することができるのである。さらには、例えば、電極層２を形成する前の基板１（支持基板）の表面を基板洗浄装置１１によって洗浄することもできる。電極層２を形成する前の基板１を洗浄することにより、電極層２を良好に積層形成することができる。
　基板洗浄装置１１は、基板１上にテープ状のクロス３を接触させて基板１の表面を拭き取る装置である。基板洗浄装置１１は、クロス３を基板１上に押し当てながら移動するローラ４を備えている。基板洗浄装置１１は、拭き取り装置として構成される。
　基板洗浄装置１１は、ロール状に巻かれた長尺のクロス３が送り出されるクロス送出機構５０を複数備えている。図示の形態ではクロス送出機構５０は、第一のクロス送出機構５０Ａ及び第二のクロス送出機構５０Ｂの二つである。第一のクロス送出機構５０Ａは電極基板１０の搬送方向の上流側に配置され、第二のクロス送出機構５０Ｂは電極基板１０の搬送方向の下流側に配置されている。第一のクロス送出機構５０Ａは、ローラ４として拭き取りローラ４Ａを有している。第二のクロス送出機構５０Ｂは、ローラ４として拭き取りローラ４Ｂを有している。
　基板洗浄装置１１は、第一のクロス送出機構５０Ａに、洗浄液用の長尺のクロス３Ａを備えている。クロス３Ａは、図中の矢印Ｒ１で示すように、巻き出しローラ（後述の供給リール５Ａ）などから送り出されて上方から下方に延伸する。その後、クロス３Ａは、拭き取りローラ４Ａの外周に沿って反転し、さらに下方から上方に延伸して巻き入れローラ（後述の回収リール５Ｂ）などによって巻き入れられる。
　クロス３Ａが拭き取りローラ４Ａに到達する位置の上流側には、液体供給部６として洗浄液供給部６Ａが設けられている。洗浄液供給部６Ａは、洗浄液を溜める液溜部、液溜部の洗浄液をクロス３Ａの表面に供給するノズル、などによって構成されている。洗浄液供給部６Ａで洗浄液をクロス３Ａに供給することにより、クロス３Ａは拭き取り部３ａの位置において、洗浄液を含んだ湿性のクロス３となる。
　拭き取りローラ４Ａは、上下動可能であることが好ましい。その場合、絶縁体１６の位置において拭き取りローラ４Ａが上方に移動することにより、絶縁体１６との接触を防ぎ絶縁体１６を傷つけることを抑制することができる。また、電極層２を拭き取る際に、拭き取りローラ４Ａを下方に移動させて押圧力を電極基板１０に与えることができれば、物理的な力により拭き取り性を高めることができる。また、拭き取りローラ４Ａが上下動する際には、クロス３が弛まないことが好ましい。クロス３が弛まない機構は、巻き出しローラと巻き入れローラのロール速度を一時的に変えたり、巻き出しローラや巻き入れローラと拭き取りローラ４Ａとの間に中間ローラを設けたりすることにより構成できる。なお、電極基板１０に対する押圧力は必ずしも要するものではなく、例えば、拭き取りローラ４Ａの上下方向の位置が、拭き取り部３ａの表面と電極層２の表面とが接触する位置で、押圧力がかからずに一定に維持されるものであってもよい。
　基板洗浄装置１１は、第二のクロス送出機構５０Ｂに、中性液用の長尺のクロス３Ｂを備えている。クロス３Ｂは、図中の矢印Ｒ２で示すように、巻き出しローラ（後述の供給リール５Ａ）などから送り出されて上方から下方に延伸する。その後、拭き取りローラ４Ｂの外周に沿って反転し、さらに下方から上方に延伸して巻き入れローラ（後述の回収リール５Ｂ）などによって巻き入れられる。
　クロス３Ｂが拭き取りローラ４Ｂに到達する位置の上流側には、液体供給部６として中性液供給部６Ｂが設けられている。中性液供給部６Ｂは、中性液を溜める液溜部、液溜部の中性液をクロス３Ｂの表面に供給するノズル、などによって構成されている。中性液供給部６Ｂで中性液をクロス３Ｂに供給することにより、クロス３Ｂは拭き取り部３ａの位置において、中性液を含んだ湿性のクロス３Ｂとなる。
　拭き取りローラ４Ｂは、上下動可能であることが好ましい。その場合、絶縁体１６の位置において拭き取りローラ４Ｂが上方に移動することにより、絶縁体１６を傷つけることを抑制することができる。また、電極層２を拭き取る際に、拭き取りローラ４Ｂを下方に移動させて押圧力を電極基板１０に与えた場合には、物理的な力により拭き取り性を高めることができる。また、拭き取りローラ４Ｂが上下動する際には、クロス３Ｂが弛まないことが好ましい。クロス３Ｂが弛まない機構は、クロス３Ａの場合と同様にすることができる。なお、電極基板１０に対する押圧力は必ずしも要するものではなく、例えば、拭き取りローラ４Ｂの上下方向の位置が、拭き取り部３ａの表面と電極層２の表面とが接触する位置で、押圧力がかからずに一定に維持されるものであってもよい。
　この装置では、クロス３は、清浄なクロス３として清浄な部分３ｂが巻き出しローラ（供給リール５Ａ）などから供給されて、拭き取り部３ａが常に清浄に保たれている。このように、清浄なクロス３により拭き取ることにより、電極層２の表面に機械的なダメージを与えることを抑制することができ、また、連続的に供給される不純物を含まない洗浄液又は中性液で洗浄することができるため、洗浄性を向上させることができる。
　洗浄液用のクロス３Ａと、中性液用のクロス３Ｂとは、平行に配置されている。すなわち、拭き取りローラ４Ａと拭き取りローラ４Ｂとが平行に配置されている。各ローラ４が平行な配置となることにより、同一の方向に連続的に拭き取ることが可能となる。
　基板洗浄装置１１による洗浄においては、まず、電極基板１０など、電極層２が形成された基板１が拭き取り開始位置に設置又は搬送される。例えば、上記の電極基板１０では、クロス３が絶縁体１６との境界部分の電極層２上面に配置される位置を、拭き取り開始位置にすることができる。このとき、電極基板１０が拭き取り前から搬送される場合には、電極基板１０が前述の開始位置に搬送された時に、ローラ４が下方に移動して拭き取りが開始されてもよい。拭き取り開始位置においては、クロス３の拭き取り部３ａが電極層２の表面に接触して、拭き取りが開始される。
　そして、電極基板１０をクロス３の幅方向と垂直な方向（搬送方向）に搬送する。搬送方向は、図４においては矢印Ｘ１で示されている。このとき、拭き取り方向は搬送方向と逆方向（矢印Ｘ２）となる。この搬送により、クロス３は電極基板１０に対して相対的に移動し、クロス３は電極層２の一方の露出端部から他方の露出端部までを拭き取ることができる。クロス３の拭き取り部３ａが絶縁体１６の境界にまで達したときには、絶縁体１６を拭き取らないように、ローラ４が上方に移動されることが好ましい。
　電極基板１０の搬送速度は、電極層２のダメージ抑制と拭き取り性向上の観点から、１０～２００ｍｍ／ｓｅｃであることが好ましく、１５０～２００ｍｍ／ｓｅｃであることがより好ましい。この装置においては、電極基板１０の搬送速度が、クロス３の拭き取り速度となる。
　拭き取り洗浄中は、好ましくは、クロス送出機構５０によりクロス３が連続的に送り出され拭き取り部３ａに清浄なクロス３が供給される。拭き取り部３ａにおけるクロス３の送り出し方向は、電極基板１０の搬送方向と逆方向になることが好ましい一態様である。それにより、クロス３から電極層２表面の異物Ｐに対して物理的な力をかけやすくすることができ、異物Ｐを効率よく除去することができる。クロス送出機構５０によるクロス３の送り出し速度は、電極層２のダメージ抑制と拭き取り性向上の観点から、１～５０ｍｍ／ｓｅｃであることが好ましく、１０～２０ｍｍ／ｓｅｃであることがより好ましい。
　クロス３Ｂは搬送方向の下流側に配置されており、洗浄液が染み込んだクロス３Ａにより拭き取られた電極層２の表面を中性液のクロス３Ｂで拭き取ることができる。それにより、電極層２に洗浄液が残存することを抑制することができる。クロス３Ａ及びクロス３Ｂによる拭き取り機構は、同じものにすることができる。
　クロス３Ａの幅とクロス３Ｂの幅とは同程度であることが好ましい。また、クロス３Ａ及びクロス３Ｂの送り出し速度は、搬送速度と同じであってもよいし、異なっていてもよい。ここで、クロス３の幅は電極層２の露出表面の一辺と同じかそれより小さく形成されている。露出表面の一辺よりも小さい場合は、電極基板１０を幅方向に位置をずらして、複数回、搬送して拭き取り洗浄することにより、電極層２の露出表面全体を拭き取り洗浄することが可能になる（図２（ａ）参照）。また、クロス３の幅が電極層２の露出表面の一辺と同じである場合は、一回の拭き取りで電極層２の表面を拭き取り洗浄することができるため、洗浄効率を高めることができる。
　クロス３による拭き取りにあっては、クロス３Ａ及びクロス３Ｂのいずれか一方又は両方の拭き取りを、加温した状態で行ってもよい。例えば、洗浄液供給部６Ａに加温手段を設ければ、加温された洗浄液をクロス３Ａに供給することができ、加温状態で電極層２表面を拭き取ることができる。また、中性液供給部６Ｂに加温手段を設ければ、加温された中性液をクロス３Ｂに供給することができ、加温状態で電極層２表面を拭き取ることができる。あるいは、溶液の供給部に加温手段を設けることなく、又は、溶液の供給部に加温手段を設けるとともに、基板１を加温する手段を設けてもよい。基板１を加温する手段としては、基板１を配置する搬送装置に加温機構を設けることができる。また、加温は雰囲気の温度が高くなることによって行われてもよい。
　図４の装置を用いた場合、例えば、図５（ａ）に示すように、電極基板１０を一の方向（横方向）に搬送して拭き取り洗浄した後、電極基板１０を平面視で９０度回転させて、前記一の方向と垂直な方向（縦方向）に搬送して拭き取り洗浄することができる。これにより、図５（ｂ）に示すように、すでに拭き取った方向と垂直な方向（縦方向）に拭き取り洗浄を行うことができる。この場合、図３（ｂ）のように、異なる方向で複数回の拭き取り洗浄を行うことができ、洗浄性が高まる。
　また、電極基板１０を平面視で１８０度回転させて搬送して拭き取り洗浄すれば、図３（ａ）のような往復での拭き取り洗浄を行うことができる。
　なお、上記の装置では、電極基板１０が搬送されて移動する形態を示したが、電極基板１０を固定し、拭き取りローラ４Ａ、４Ｂが電極基板１０の表面と平行な方向に移動して拭き取るようにしてもよい。その場合、拭き取り部３ａにおけるクロス３の送り出し方向が、拭き取り方向（矢印Ｘ２）と同方向になることが好ましい一態様である。また、二つのクロス送出機構５０を備えた基板洗浄装置１１の形態を示したが、これに限定されるものではなく、第一のクロス送出機構５０Ａの洗浄液とは異なる洗浄液が染み込んだクロス３を送り出すクロス送出機構５０をさらに備えたものであってもよい。例えば、洗浄液が吐出されるクロス送出機構５０を複数にし、一の洗浄液をアルカリ溶液にし、他の洗浄液を酸性溶液にすれば、洗浄性を高めることができる。その場合、付加されるクロス送出機構５０は、上記のものと同様の構成にすることができる。
　以上のようにして洗浄された電極層２（第１電極１２）の表面に、有機層１３、第２電極１４を積層して形成することにより、図６に示すような積層構造を形成し、有機ＥＬ素子を製造することができる。有機層１３は、正孔輸送層（ホール輸送層）、発光層、電子輸送層、などによって構成される。有機層１３は、必要に応じて、正孔注入層（ホール注入層）、電子注入層、中間層、などが設けられてもよい。なお、電極層２に直接接する層は、有機層１３でなくてもよく、他の導電材料層などが積層された表面に有機層１３が積層されてもよい。
　正孔輸送層や正孔注入層は、いわゆる電子受容性材料と反応し、カチオン、ジカチオン等の酸化状態を生成する材料により形成することができる。具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－（１，１’－ビフェニル）－４，４’ジアミン（ＴＰＤ）や４，４’－ビス［Ｎ－（ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリールアルカン、４，４’，４”－トリス（Ｎ－（３‐メチルフェニル）Ｎ－フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、及びポリビニルカルバゾール等の高分子材料が挙げられるが、これに限定されるものではない。
　発光層（有機発光層）は、有機ＥＬ素子用の発光層形成材料として知られる任意の材料が使用可能である。例えばアントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル系化合物、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、トリス（４－メチル－８－キノリナート）アルミニウム錯体、トリス（５－フェニル－８－キノリナート）アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ－（ｐ－ターフェニル－４－イル）アミン、１－アリール－２，５－ジ（２－チエニル）ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルアミン誘導体及び各種蛍光色素等、の材料系およびその誘導体を始めとするものが挙げられるが、これらに限定するものではない。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を適宜積層又は混合して用いることも好ましい。また、前記化合物に代表される蛍光発光を生じる化合物のみならず、スピン多重項からの発光を示す材料系、例えば燐光発光を生じる燐光発光材料、およびそれらからなる部位を分子内の一部に有する化合物も好適に用いることができる。
　また、電子輸送層は、電子を輸送する能力を有し、電子注入効果を有するとともに正孔の電子輸送層への移動を抑制し、薄膜形成能力の優れた化合物により形成することができる。具体的には、例えば、フルオレン、バソフェナントロリン、バソクプロイン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、アントラキノジメタン、４，４’－Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等やそれらの化合物、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、ポリマー有機発光素子に使用されるポリマー材料も使用することができる。
　有機層１３を構成する各層は、蒸着、転写等乾式プロセスによって成膜しても良いし、スピンコート、スプレーコート、ダイコート、グラビア印刷等、湿式プロセスによって成膜されるものであってもよい。
　また、第２電極１４は、適宜の導電性材料により形成することができるが、陰極となる場合、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が５ｅＶ以下のものであることが好ましい。このような電極材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属等、およびこれらと他の金属との合金などを用いることができる。具体的には、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、リチウム、マグネシウム、マグネシウム－銀混合物、マグネシウム－インジウム混合物、アルミニウム－リチウム合金、Ａｌ／ＬｉＦ混合物などを挙げることができるが、これに限定されるものではない。また、アルミニウム、Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３混合物なども使用可能である。さらに、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、あるいは金属酸化物を下地として用い、さらに金属等の導電材料を１層以上積層した複層構成にしてもよい。第２電極１４は、例えば、上記の電極材料を真空蒸着法やスパッタリング法等の方法により、薄膜に形成することによって作製することができる。
　このようにして得られた有機ＥＬ素子は、電極層２表面の異物Ｐが除去されて作製されているので、ダークスポットの発生やショート不良の発生を抑えることができ、デバイス不良を防止することができるものである。
　以下、基板洗浄装置１１のさらに好ましい態様について説明する。
　図７及び図８は、基板洗浄装置１１の一例を示している。
　基板洗浄装置１１は、基板１０上にテープ状のクロス３を接触させて基板１０の表面を拭き取る装置である。基板洗浄装置１１は、クロス３を基板１０上に押し当てながら移動するローラ４と、クロス３をローラ４に供給するリール５とを備えている。ローラ４は、クロス３と接触する面に、クロス３の基板１０への押し当て圧を局所的に高める高押し当て部４０を有する。
　図７は、基板洗浄装置１１を用いて基板１０を洗浄する様子を示し、図８は基板洗浄装置１１に用いられるローラ４の一例を示している。基板洗浄装置１１は、基板１０（電極付き基板１０）を洗浄することもできるし、基板１（支持基板）を洗浄することもできる。以下では、電極付き基板１０を洗浄する場合を主に説明する。
　図７の基板洗浄装置１１は、有機ＥＬ素子を製造するための電極付き基板１０上にテープ状のクロス３を接触させて、クロス３により電極付き基板１０の表面を拭き取って洗浄するものである。この洗浄により、電極層２が洗浄される。
　図９は、電極付き基板１０上に有機層１３を形成する方法の一例を示している。この方法では、電極付き基板１０上に有機層１３を形成するにあたって、まず、電極付き基板１０上の領域を樹脂パターン１７（ドットで示す）によって所望の形状に区分化する。その後、樹脂パターン１７によって区分化された領域１８に、有機層１３又はその一部を形成する液状の材料を塗布する。このようにすることで、有機層１３の材料が領域１８の区分通りに塗布され、所望の形状の有機層１３が得られる。樹脂パターン１７はダムの機能を果たし得る。このとき、領域１８に有機物等の異物Ｐが付着していると、有機層１３の膜厚が不均一となって有機層１３と電極付き基板１０との接合不良が引き起こされることがある。そこで、基板洗浄装置１１により、電極付き基板１０の表面を洗浄する。
　なお、図９における樹脂パターン１７は、補助電極１５及び絶縁体１６に置き換えられてもよい。補助電極１５及び絶縁体１６を有する電極付き基板１０の態様は、図２に示される。その場合も、電極層２の洗浄を行うことができる。
　図７に示す基板洗浄装置１１は、クロス３を電極付き基板１０上に押し当てながら移動するローラ４と、クロス３をローラ４に供給する供給リール５Ａと、クロス３をローラ４から巻き取って回収する回収リール５Ｂと、を備える。また、基板洗浄装置１１は、上記リール５（供給リール５Ａ及び回収リール５Ｂ）を回転可能に支持する支持体８と、支持体８を電極付き基板１０に対して３次元的に移動可能とする駆動部（不図示）と、を備える。ローラ４は、クロス３と接触する面に、クロス３の基板１０への押し当て圧を局所的に高める複数の高押し当て部４０を有する。
　電極付き基板１０は、光透過性のガラスから成る基板１と、基板１上に積層された電極層２と、を有する。電極層２は好ましくは透明電極として構成される。電極層２上には、所定の厚みを有し電極層２上の領域を所望の形状に区分化する樹脂パターン１７が設けられている。樹脂パターン１７により区分化された領域１８には、有機ＥＬ素子の有機層１３又は有機層１３の一部を形成する液状の積層材料３１が塗布される。有機層１３は発光層を含む。積層材料３１は発光材料を含むものであってもよいし、発光材料を含まない層（例えば正孔輸送層など）の材料であってもよい。樹脂パターン１７を設けることで、積層材料３１が領域１８の区分通りに塗布され、所望の形状の有機層１３が得られる。
　クロス３は、適宜の布材により構成されるものであってよい。例えば、クロス３は、マイクロファイバーを用いた不織布や織物、又はポリエステル等の化学繊維により構成される。もちろん、クロス３は、これら以外の材料により構成されてもよい。クロス３の幅は一定であることが好ましい。
　ローラ４上のクロス３は、電極付き基板１０表面の拭き取り中又は拭き取り前後において、供給リール５Ａ及び回収リール５Ｂが互いに連動して回転することで清浄なクロス３に置き換えられる。例えば、拭き取り中にリール５を回転させたときには、清浄なクロス３をローラ４に供給しながら、拭き取りを行うことができる。この場合、洗浄性を高めることができる。あるいは、例えば、拭き取り中はリール５を停止しておき、拭き取り後にリール５を回転させて所定量クロス３を送り出し、清浄なクロス３を電極付き基板１０との接触部分に配置させ、その後、次の拭き取りを行うようにしてもよい。この方法は、一回の拭き取り動作において、クロス３の同じ部分で拭き取ることができるため、クロス３を有効に利用することができる。
　ローラ４は、略円柱形状に形成されている。ローラ４は、その円柱軸とクロス３の幅方向とが一致するようにしてクロス３に押し当てられるものであってよい。ローラ４は、好ましくは、自身の電極付き基板１０への押圧力を一定にするためのダンパー部材等を介して支持体８に取り付けられる。ローラ４は、摺動性及び耐薬品性に優れた材料、例えば、ステンレスやポリアセタール（ＰＯＭ）等の硬質ゴムにより構成される。
　ここで、ローラ４の回転方向（図７の円弧状矢印）は、拭き取り方向（図７の白抜き矢印）に沿った方向であってもよいし、拭き取り方向に沿った方向と逆の方向であってもよい。ローラ４の回転方向が拭き取り方向に沿うとは、ローラ４を円柱としてみた場合にローラ４が転がって進む方向と、拭き取りにより基板洗浄装置１１が電極付き基板１０に対して移動して進む方向とが同じであることを意味する。図７の例では、ローラ４の回転方向は、拭き取り方向に沿った方向となっている。この場合、拭き取り中にリール５を回転させると、相対的な位置関係を見た場合に、クロス３が基板１０と同じ方向に送られながらクロス３で拭き取ることができるので、クロス３によって基板１０の表面に摩擦がかかりすぎるのを抑制することができる。図７の例では、クロス３と基板１０との接触部分におけるクロス３の送り出し方向と、基板洗浄装置１１の拭き取り方向とは、逆方向となっている。ローラ４の回転と拭き取りの距離との関係においては、ローラ４の回転によって送り出されるクロス３の長さと、拭き取りの距離が同じであってもよい。この場合、ローラ４の回転と拭き取りが同期すると言える。もちろん、ローラ４の回転と拭き取りは同期していなくてもよい。ところで、図４の基板洗浄装置１１では、ローラ４の回転方向は、拭き取り方向に沿った方向とは逆の方向となっており、本形態とは、クロス３の送り出し方向が逆である。図４の例では、クロス３と基板１０との接触部分におけるクロス３の送り出し方向と、基板洗浄装置１１の拭き取り方向とは、同方向となっている。図４の場合、拭き取り中にクロス３を送り出すと、クロス３によって摩擦力を付与することができるため、洗浄性を高めることができる。
　図８（ａ）乃至（ｃ）に示すように、ローラ４は、高押し当て部４０を有している。高押し当て部４０は、複数の凸部４１により構成されていることが好ましい一態様である。それにより、押し当て圧を容易に高くすることができるため、洗浄性を高めることができる。図８では、ローラ４の高押し当て部４０は、ローラ４の円柱軸方向に沿って伸びる複数の帯状の凸部４１により構成されている。図８（ａ）では、円柱軸方向をＴ１で示している。図８のローラ４では、凸部４１で構成される高押し当て部４０は８つ設けられているが、高押し当て部４０の数はこれに限定されるものではない。例えば、２つ、４つ、６つ、１２つ、などであってもよい。帯状となった高押し当て部４０は、ローラ４の円周に沿って等間隔で設けられることが好ましい。図８では、高押し当て部４０は、ローラ４の円周に沿って互いに４５度ずつ角度を隔てて設けられている。
　ローラ４は、そのサイズは特に限定されるものではないが、その円柱軸に沿った長さＬ１を１～１０ｃｍ、その直径Ｌ２を０．１～３ｃｍの大きさにすることができる。また、高押し当て部４０の高さＨは、０．１～１０ｍｍにすることができる。具体的には、例えば、前記の長さＬ１を略４ｃｍ、直径Ｌ２を略１ｃｍにすることができる。また、例えば、高押し当て部４０の高さＨは、略１ｍｍにすることができる。
　基板洗浄装置１１は駆動部を有するものであってもよい。駆動部は、ローラ４及びクロス３を支持する支持体８を駆動させ、拭き取り動作を可能にするものである。駆動部は、樹脂パターン１７が設けられた電極付き基板１０の３次元ＣＡＤデータ等に基づいて、ローラ４及びクロス３が樹脂パターン１７に接触しないように支持体８の移動を制御することが好ましい。
　図７の基板洗浄装置１１による拭き取り動作を説明する。基板洗浄装置１１は、ローラ４を回転させながら、図中の白抜き矢印の方向に向かって電極付き基板１０上を移動する。このとき、ローラ４の高押し当て部４０は、クロス３を電極付き基板１０に対して強く押し当てる。電極付き基板１０に強く押し当てられたクロス３は、電極付き基板１０上に付着した異物Ｐを効率良く拭き取る。基板洗浄装置１１は、ローラ４及びクロス３が樹脂パターン１７に接触しないように移動して、電極付き基板１０の領域１８全体を洗浄する。もちろん、基板洗浄装置１１が固定した状態で、電極付き基板１０が白抜き矢印とは反対の方向に移動することにより、基板洗浄装置１１が電極付き基板１０に対して相対的に移動するようにしてもよい。要するに、支持体８に支持されたクロス３と電極付き基板１０とが、相対的に位置関係が横方向（拭き取り方向）にずれれば拭き取りを行うことができる。
　本実施形態の基板洗浄装置１１によれば、ローラ４のクロス３と接触する面に高押し当て部４０が設けられているので、電極付き基板１０へのクロス３の押し当て圧を増強して、電極付き基板１０表面の異物Ｐをクロス３により効率良く拭き取ることができる。このような高押し当て部４０を設けることで、基板洗浄装置１１全体の押し当て圧を向上するような大幅な改造を行うことなく、簡単な構成で高い洗浄効果を得ることができる。また、ローラ４及びクロス３が電極付き基板１０上の樹脂パターン１７に接触しないように制御されている。そのため、樹脂パターン１７にダメージを与えることを抑制することができる。
　ところで、図７では、ローラ４を一つ有する基板洗浄装置１１の形態が示されているが、基板洗浄装置１１は、ローラ４を複数有していてもよい。ローラ４を複数有する形態は、図４に例示されており、その形態を応用できる。すなわち、図４の基板洗浄装置１１に、図８に示される高押し当て部４０を有するローラ４を適用してもよい。それにより、洗浄性を高めることができる。
　図１０は、基板洗浄装置１１の一例である。図１０の基板洗浄装置１１は、図７の装置に、液体供給部６を設けた点で、図７の装置とは異なっている。それ以外は、図７の装置と同じ構成となっている。
　本形態の基板洗浄装置１１は、クロス３に洗浄液を供給する洗浄液供給部６Ａを備えている。洗浄液供給部６Ａは、リール５からローラ４に供給されるクロス３に洗浄液を吐出する機能を有する。洗浄液供給部６Ａは、ローラ４と供給リール５Ａとの間に位置するクロス３に対して洗浄液を吐出する。洗浄液供給部６Ａを設けることで、クロス３に洗浄液を含ませて、電極付き基板１０上から効率良く異物Ｐを除去することができる。また、洗浄液を使用することによって、クロス３による拭き取り動作によって電極付き基板１０に傷がつくのを抑制することができる。
　図１０の基板洗浄装置１１では、クロス３に洗浄液を含浸又は噴霧する液体供給部６Ａが設けられている。図１０では、洗浄液の流れが破線矢印で示されている。洗浄液により、電極付き基板１０の洗浄を効果的に行うことができるとともに、洗浄過程において電極付き基板１０に傷をつけないようにすることができる。洗浄液は、例えば、水、アルコール、酸、アルカリなどから選ばれる洗剤液であってよい。好ましくは、洗浄液は、上記の電極層２の洗浄において説明した洗浄液が用いられる。
　本形態の基板洗浄装置１１では、液体供給部６は、洗浄液供給部６Ａとして構成されている。洗浄液供給部６Ａは、洗浄液の流路となる配管６２と、配管６２の端部に設けられクロス３に向けて洗浄液を吐出する吐出口６１と、を有する。洗浄液供給部６Ａは、洗浄液を貯蔵するタンクと、このタンクから洗浄液を汲み上げて配管６２内に導入するポンプと、を有するものであってもよい。洗浄液供給部６Ａは支持体８によって支持されることが好ましい。その際、配管６２が支持体８によって支持されることが好ましい。吐出口６１は、供給リール５Ａからローラ４に供給されるクロス３に隣接して配置されていることが好ましい。吐出口６１には、洗浄液をクロス３に対して滴下する滴下ノズル、又は洗浄液をクロス３に対して噴霧する噴霧ノズルが設けられていてもよい。洗浄液の滴下又は噴霧は、供給リール５Ａ及び回収リール５Ｂの回転によるローラ４上のクロス３の交換に連動して行われることが好ましい。
　本形態の基板洗浄装置１１によれば、洗浄液を含んだクロス３により電極付き基板１０を洗浄するので、より効果的かつ電極付き基板１０に傷をつけることなく電極付き基板１０を洗浄することができる。また、配管６２が支持体８に支持されることにより、装置に一体化された状態で洗浄液供給部６Ａが設けられているので、基板洗浄装置１１をコンパクトで取り回しのよい大きさに構成することができる。
　なお、図１０の基板洗浄装置１１においても、ローラ４を複数設けるようにしても、もちろんよい。以下の実施形態（基板洗浄装置１１の変形例）においても、ローラ４を複数設けてもよいことは同様である。
　図１１は、基板洗浄装置１１に用いるローラ４の一例（ローラ４ａ）である。このローラ４ａは、上記で説明したいずれの基板洗浄装置１１にも使用可能である。図１１（ａ）では、ローラ４ａの回転方向をＴ２で示している。
　ローラ４においては、高押し当て部４０が複数の凸部４１により構成された場合、この複数の凸部４１は、ローラ４の回転方向に対して千鳥状に配置されていることが好ましい一態様である。それにより、押し当て圧を効果的に高めることができ、洗浄力を向上することができる。
　図１１に示すローラ４ａでは、高押し当て部４０を構成する複数の凸部４１が、それぞれ略立方体形状とされ、ローラ４の回転方向に対して千鳥状に配置されている。このようにすることで、上述した基板洗浄装置１１と同様の効果を得ると共に、拭き残しによる洗浄後の残渣を少なくして均一な洗浄を行うことができる。図１１のローラ４ａでは、円柱軸方向と平行な方向に並んだ複数の凸部４１の列が、隣り合う列における凸部４１の位置がずれてローラ４の円周に設けられることにより、高押し当て部４０が形成されている。なお、凸部４１の形状は、直方体形状であってもよく、角柱状であってもよく、あるいは、円柱状であってももちろんよい。また、錐台状であってもよい。
　図１２（ａ）は基板洗浄装置１１に用いるローラ４の一例（ローラ４ｂ）である。このローラ４ｂは、上記で説明したいずれの基板洗浄装置１１にも使用可能である。すなわち、洗浄液供給部６Ａを有する装置に適用可能である。また、ローラ４を拭き取り方向に複数有する装置にも適用可能である。
　ローラ４の高押し当て部４０は、ローラ４の両端部にそれぞれ配置されていることが好ましい一態様である。それにより、拭き取りパターン２０の境界部分での拭き取り性を高めることができ、洗浄性を向上することができる。図１２（ａ）のローラ４ｂでは、両端部に高押し当て部４０が形成されている。
　図１２（ａ）のローラ４ｂは、その両端部の厚みが中央部の厚みよりもやや厚くなった形状とされ、この両端部が高押し当て部４０として機能する。高押し当て部４０から中央部までは、なだらかな傾斜を有する形状となっている。ローラ４は、例えば、両端部の厚みが中央部の厚みよりも０．０１から０．５ｍｍまでの範囲で厚くなった形状とすることができる。図１２（ａ）では、ローラ４の両端部と中央部との厚み差をＤで示している。なお、ローラ４の両端部と中央部との厚み差は、これに限定されるものではなく、クロス３の厚みや種類によって適宜調整されるものであってよい。
　図１２（ａ）のローラ４は、上記のような形状とすることで、その中央部において所定の押し当て圧でクロス３を電極付き基板１０に押し当てつつ、その両端部において中央部よりも強くクロス３を電極付き基板１０に押し当てることができる。
　図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のローラ４ｂで拭き取った様子を示している。ローラ４ｂを有する基板洗浄装置１１では、拭き取りパターン２０のパターンで基板１０が拭き取られる。拭き取りパターン２０以外の部分は、拭き取らない領域２１となる。図１２（ｂ）では、拭き取らない領域２１はドットで示されている。また、拭き取り方向は矢印で示されている。図１２（ｂ）に示すように、ローラ４ｂを用いて電極付き基板１０を拭き取った場合には、ローラ４の両端部に高押し当て部４０が配置されているため、拭き取りパターン２０の縁部２２まで十分に拭き取ることができる。
　図１３（ａ）は、ローラ４の他の一例（ローラ４ｘ）である。このローラ４ｘは、その両端部と中央部との間で厚みに差がなく、高押し当て部４０を有していない。そのため、図１３（ｂ）に示すように、ローラ４ｘを用いて拭き取った場合には、ローラ４ｘの両端部においてクロス３の電極付き基板１０への押し当てが弱くなりがちで、縁部２２に拭き残り（濃いドットで示す）が生じる場合がある。
　したがって、図１２（ａ）に示すローラ４ｂは、図１３（ａ）に示すローラ４ｘよりも拭き取り性が高い。このように、図１２（ａ）のローラ４ｂを用いれば、拭き取りパターン２０の縁部２２まで十分に拭き取ることができるので、洗浄性を向上することができる。
　ところで、ローラ４の高押し当て部４０をローラ４の両端部にそれぞれ配置する態様は、図８及び図１１の形態のような、複数の凸部４１で高押し当て部４０を構成する場合も可能である。この場合、複数の凸部４１のうちの一部をローラ４の両端部に配置するようにすればよい。それにより、両端部分における拭き取り性を高めることができる。
　図１４は基板洗浄装置１１に用いるローラ４の一例（ローラ４ｃ）である。このローラ４ｃは、上記で説明したいずれの基板洗浄装置１１にも使用可能である。すなわち、洗浄液供給部６Ａを有する装置に適用可能である。また、ローラ４を拭き取り方向に複数有する装置にも適用可能である。
　図１４のローラ４ｃは、その両端部にそれぞれ高押し当て部４０（ドットで示す）を有する。これら高押し当て部４０の各々は、ローラ４ｃの他の部分に比べて弾性率が大きい材料により構成されている。そのため、高押し当て部４０は他の部分に比べて硬い。高押し当て部４０は、例えば、ステンレスにより構成され、ローラ４ｃの他の部分は、例えば、硬質ゴムにより構成される。なお、高押し当て部４０及びローラ４ｃの他の部分を構成する材料の弾性率は、クロス３の厚みや種類によって適宜調整される。
　このように、ローラ４においては、高押し当て部４０は、ローラ４の他の部分に比べて弾性率の大きい材料により構成されていることが好ましい一態様である。それにより、簡単に押し当て圧を高めることができ、拭き取り性を向上することができる。
　図１４のローラ４ｃでは、ローラ４ｃの中央部分は凹んでおらず、円柱軸方向に垂直な断面において、両端部での円の大きさと中央部での円の大きさは略同一である。このようにローラ４ｃを構成することで、図１２（ａ）のローラ４ｂのような複雑かつ微妙な形状加工を必要とせずに、ローラ４ｂと同様の効果を与えることができる。すなわち、ローラ４ｃでは、中央部分が柔らかく両端部が硬いため、押し当てた際には中央部分が若干凹みやすくなり、図１２（ａ）のローラ４ｂのような形状に近づいて拭き取りを行うことができる。もちろん、図１２（ａ）のようにローラ４の両端部の厚みを中央部の厚みよりも大きくした上で、さらに、両端部の弾性率をそれ以外の部分よりも大きくするようにしてもよい。なお、図例では、ローラ４ｃは、高押し当て部４０とそれ以外の部分との２部から成っているが、層間における材料の急激な弾性率変化を防ぐために３部以上から成っていてもよい。
　ところで、ローラ４の高押し当て部４０をローラ４の他の部分に比べて弾性率の大きい材料で構成する態様は、図８及び図１１の形態のような、複数の凸部４１で高押し当て部４０を構成する場合でも可能である。この場合、複数の凸部４１を凸部４１以外の部分よりも弾性率の大きい材料で構成することができる。すると、複数の凸部４１はそれ以外の部分よりも硬くなる。それにより、押し当て力を高めることができる。
　図１５（ａ）は基板洗浄装置１１に用いるローラ４の一例（ローラ４ｄ）である。このローラ４ｄは、上記で説明したいずれの基板洗浄装置１１にも使用可能である。すなわち、洗浄液供給部６Ａを有する装置に適用可能である。また、ローラ４を拭き取り方向に複数有する装置にも適用可能である。
　図１５（ａ）に示すように、ローラ４ｄは、上述したローラ４ｃを２つ、間に溝部４２を設けて円柱状の支持棒４３により互いに連結したものである。溝部４２は、ローラ４ｄの回転軸Ａｘと直交する方向に対して平行に形成されている。
　図１５（ｂ）に示すように、ローラ４ｄを用いて電極付き基板１０を拭き取った場合には、２つの矩形状の拭き取りパターン２０を同時に形成することができる。そのため、拭き取り性を高めることができる。拭き取りパターン２０の形状は、ローラ４ｃの形状に対応している。拭き取らない領域２１の形状は、溝部４２の形状に対応している。
　図１５（ａ）のローラ４ｄによれば、複数の拭き取りパターン２０を同時に得ることができるので、拭き取りパターン２０を一つずつ形成する場合に比べて、拭き取りを効率よく行うことができる。なお、図例では、ローラ４ｄは、２つのローラ４ｃを有するものとされているが、３つ以上のローラ４ｃを有するものとされてもよいし、互いに種類の異なる複数のローラ４を有するものとされてもよい。ローラ４を複数配設する場合、ローラ４を回転軸方向に並べて配置することができる。このとき、隣り合うローラ４を間隔を空けて配置して、溝部４２を設けるようにしてもよい。なお、回転軸方向と円柱軸方向とは同じである。
　このように、ローラ４は、その外周に自身の回転軸と直交する方向に対して平行に形成された溝部４２を有していることが好ましい一態様である。それにより、拭き取りを行いたいパターンに合わせて拭き取ることができるため、効率よく拭き取りを行うことができる。また、溝部４２の形状は、基板１０を拭き取らないパターン（拭き取らない領域２１）に対応していることが好ましい。それにより、所望のパターンで拭き取りを行うことができる。
　図１６（ａ）乃至（ｃ）は、基板洗浄装置１１に用いるローラ４の一例（ローラ４ｅ）である。このローラ４は、上記で説明したいずれの基板洗浄装置１１にも使用可能である。すなわち、洗浄液供給部６Ａを有する装置に適用可能である。また、ローラ４を拭き取り方向に複数有する装置にも適用可能である。
　図１６（ａ）乃至（ｃ）に示すように、ローラ４ｅは、２つのローラ４ｆを、間に溝部４４を設けて支持棒４３により互いに連結したものである。溝部４４は、ローラ４ｅの回転軸Ａｘと直交する方向に対してテーパ状に形成されている。２つのローラ４ｆは、側面視（図１６（ａ）参照）において、それぞれ上辺４５及び下辺４６（底辺）を有する逆台形状とされ、互いに同じ周期で支持棒４３に固定されている。
　ローラ４ｆは、その両端部に高押し当て部４０が設けられている。この高押し当て部４０は、弾性率の大きい材料で形成されるものであってよい。
　図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＩ方向からローラ４ｅ、４ｆを見た図であり、図１６（ｃ）は、図１６（ａ）のＩＩ方向からローラ４ｅ、４ｆを見た図である。そのため、図１６（ａ）に示すローラ４ｆが回転すると、拭き取り幅を変化させることができる。
　図１６（ｄ）は、図１６（ａ）に示したローラ４ｅ、４ｆを用いて基板表面を拭き取った場合の拭き取りパターン２０を示す平面図である。図１６（ｄ）に示すように、ローラ４ｅを上辺４５に相当する部分から下辺４６に相当する部分まで１８０度回転させると、２つの逆台形状の拭き取りパターン２０が同時に得られる。このように、ローラ４ｅの形状及びローラ４ｅの電極付き基板１０上における回転角度を調整することで、所望の形状を有する拭き取りパターン２０を得ることができる。
　このように、ローラ４は、その外周に自身の回転軸と直交する方向に対してテーパ状に形成された溝部４４を有していることが好ましい一態様である。それにより、拭き取りを行いたいパターンに合わせて拭き取ることができるため、効率よく拭き取りを行うことができる。また、溝部４４の形状は、基板１０を拭き取らないパターン（拭き取らない領域２１）に対応していることが好ましい。それにより、所望のパターンで拭き取りを行うことができる。
　なお、図１６（ａ）のローラ４ｅを使用するときは、一定の幅のクロス３を用いる場合には、所望の拭き取りパターン２０を得るために、ローラ４ｆの形状に従って、クロス３を電極付き基板１０に押し当てることが好ましい。クロス３としては、ローラ４ｆの最大幅と同じかそれよりもやや幅広のものを使用することができる。また、図１６（ａ）のローラ４ｅでは、クロス３として、ローラ４ｆの形状に合わせて、複数の台形が上辺と下片を交互にして連続して並ぶ形状のクロス３を用いてもよい。この場合、クロス３は波状のクロス３であってよい。
　図１７は、基板洗浄装置１１の一例である。この図では、ローラ４として交換可能なローラ４ｇを有する基板洗浄装置１１を用いて洗浄する様子を示している。このローラ４は、上記で説明したいずれの基板洗浄装置１１にも使用可能である。
　図１７の基板洗浄装置１１は、交換可能なローラ４ｇを備えている。ローラ４ｇの大きさ及び形状は、基板洗浄装置１１の使用目的に応じて適宜選択することができる。基板洗浄装置１１は、例えば、図８に示すローラ４を小型化したローラ４ｇを備える。このような小さなローラ４を用いることで、大きなローラ４を用いる場合に比べて、より樹脂パターン１７に近い位置まで拭き取り洗浄することができる。小型のローラ４により樹脂パターン１７に近い位置を拭き取る洗浄と、大型のローラ４により領域１８の中央領域を拭き取る洗浄とを組み合わせれば、効率良く領域１８を洗浄することができる。その際、ローラ４を交換することにより、同じ基板洗浄装置１１を用いて効率よく洗浄を行うことができる。小型のローラ４による洗浄と大型のローラ４による洗浄とはどちらを先に行ってもよく、例えば、小型のローラ４での洗浄の後に大型のローラ４での洗浄を行うこともできるし、あるいは、大型のローラ４での洗浄の後に小型のローラ４での洗浄を行うこともできる。
　図１７の基板洗浄装置１１によれば、ローラ４ｇが交換可能とされているので、基板洗浄装置１１の使用目的に応じてローラ４ｇを適宜に交換して操作性を向上することができる。
　上記の基板洗浄装置１１は、積層材料３１の拭き取り除去にも使用することができる。この場合、効果的に積層材料３１を除去することができる。積層材料３１とは、有機ＥＬ素子の製造にあたって、基板１上に積層される材料のことである。
　図１８は、積層材料３１の拭き取りの一例であり、図１８（ａ）は拭き取り前の電極付き基板１０、図１８（ｂ）は拭き取り後の電極付き基板１０を示している。積層材料３１は拭き取られて除去されるものであってよい。積層材料３１は、発光材料を有するものであってもよいし、発光材料を有さないものであってもよい。積層材料３１は、有機層１３の全部又は一部を構成する層を形成する材料であることが好ましい一態様である。また、積層材料３１は上記の樹脂パターン１７の材料であってもよい。また、積層材料３１は上記の絶縁体１６の材料であってもよい。積層材料３１の拭き取りにより、積層材料３１が除去され、積層材料３１がパターニングされる。拭き取り除去においては、例えば、図１８（ａ）に示すように、電極付き基板１０上に積層材料３１（ドットで示す）を塗布した後、図１８（ｂ）に示すように不要部分の積層材料３１をクロス３で拭き取る。これにより、積層材料３１をパターニングすることができ、所望のパターンの積層材料３１の層を形成することができる。ところで、図１８の拭き取り方法を利用して有機層１３（又はその一部）のパターニングを行う場合、図９に示される樹脂パターン１７を設けなくても、パターニングを行うことができる。
　図１９は、基板洗浄装置１１を積層材料３１の拭き取り除去に使用した一例である。基板洗浄装置１１は、拭き取り除去装置と言える。この図では、図７の基板洗浄装置１１が図示されているが、基板洗浄装置１１及びローラ４は他の形態であってももちろんよい。
　図１９に示すように、基板洗浄装置１１は、電極付き基板１０の表面に塗布された積層材料３１をクロス３により所望のパターンで拭き取ることで、積層材料３１をパターニングすることができる。基板洗浄装置１１は、積層材料３１を拭き取った後のクロス３から積層材料３１をかき取るスキージと、このスキージによりかき取られた積層材料３１を回収する回収タンクと、を更に備えていてもよい。
　基板洗浄装置１１を用いて積層材料３１の拭き取り除去を行う場合には、図１２（ａ）、図１４、図１５（ａ）、及び、図１６（ａ）のローラ４のいずれかから選ばれるものが好ましく用いられる。これらのローラ４は、両端部に高押し当て部４０を有するため、縁部２２での積層材料３１の拭き残りを抑制することができる。
　図１２（ａ）のローラ４ｂでは、図１２（ｂ）に示すように、ローラ４ｂを用いて電極付き基板１０上の積層材料３１（ドットで示す）を拭き取った場合には（拭き取り方向を矢印で示す）、拭き取りパターン２０の縁部２２まで十分に積層材料３１を拭き取ることができる。そのため、積層材料３１のパターニング精度を向上することができる。
　図１４のローラ４ｃでは、図１２（ａ）のローラ４ｂのような複雑かつ微妙な形状加工を必要とせずに、ローラ４ｂと同様の効果を与えることができ、パターン精度よく積層材料３１を拭き取ることができる。
　図１５（ａ）のローラ４ｄでは、ローラ４を複数備えている。そのため、複数の拭き取りパターン２０を同時に得ることができるので、拭き取りパターン２０を一つずつ形成する場合に比べて、パターニングに要する時間を短くすることができる。
　図１６（ａ）のローラ４ｆでは、上辺４５に相当する部分から下辺４６に相当する部分まで１８０度回転させると、２つの逆台形状の拭き取りパターン２０が同時に得ることができる。そのため、所望の形状を有する拭き取りパターン２０を容易に得て、積層材料３１の拭き取り除去を行うことができる。また、ローラ４ｆを複数有するローラ４ｅでは、同時に複数の拭き取りパターン２０で積層材料３１を除去することができるため、効率よく積層材料３１のパターニングを行うことができる。
　図１５及び図１６で示すように、ローラ４は、その外周に自身の回転軸と直交する方向に対して、平行に形成された溝部４２又はテーパ状に形成された溝部４４を有していることが好ましい一態様である。それにより、積層材料３１のパターン形状に合わせて、効率よく拭き取りを行うことができる。また、溝部４２の形状は、基板１０上に形成されるパターン（積層材料３１のパターン）に対応していることが好ましい。それにより、所望のパターンで拭き取りを行うことができ、積層材料３１のパターン形成を効率よく行うことができる。
　図２０は、基板洗浄装置１１を拭き取り除去装置として用いた場合の一例を示している。この基板洗浄装置１１は、図１７に示す基板洗浄装置１１と同じ構成となっており、ローラ４が交換可能なローラ４として構成されている。
　図２０の基板洗浄装置１１は、交換可能なローラ４ｇを備え、ローラ４ｇの大きさ及び形状を基板洗浄装置１１の使用目的に応じて適宜選択することができる。図２０に示すように、基板洗浄装置１１は、例えば、図７の基板洗浄装置１１のローラ４を小型化したローラ４ｇを備える。このような小さなローラ４ｇを用いることで、より微細な積層材料３１のパターニングを行うことができる。
　ところで、基板洗浄装置１１によって拭き取り除去を行う場合でも、洗浄液供給部６Ａを設けるようにしてもよい。それにより、洗浄液の作用で積層材料３１を拭き取ることができるため、拭き取り性を高めることができる。また、ローラ４を拭き取り方向に複数有していてもよい。
　図２１は、基板洗浄装置１１の一例を示しており、基板洗浄装置１１を用いて基板１０を洗浄する様子の一例を示している。
　基板洗浄装置１１は、基板１０に対して局所的に紫外線を照射する紫外線光源７を備えることが好ましい一態様である。紫外線光源７は、ローラ４と共に基板１０に対して移動することが好ましい。ローラ４は、基板１０上において紫外線光源７からの紫外線が照射された領域Ｕにクロス３を接触させることが好ましい。このように、紫外線を照射することにより、異物Ｐの電極付き基板１０への付着性が弱めることができ、その後、クロス３で拭き取って異物Ｐを除去することができる。そのため、異物Ｐを効果的に除去することができ、洗浄性を高めることができる。
　紫外線光源７は、支持体８に支持されている。紫外線光源７は、ローラ４に隣接して配置され、電極付き基板１０上の領域Ｕに向かって紫外線（図１において光路を破線矢印で示す）を照射する。この紫外線照射の後、ローラ４は、領域Ｕにクロス３を接触させることができる。
　紫外線光源７は、クロス３の全幅に亘って紫外線を照射することが好ましい。それにより、クロス３によって拭き取られる領域に存在する異物Ｐの電極付き基板１０への付着性をまとめて弱めることができ、効率よく拭き取り洗浄を行うことができる。もちろん、紫外線光源７は、クロス３の全幅に亘って紫外線を照射しなくてもよく、スポット光として紫外線を照射するものであってもよい。その場合、スポット的に洗浄効果を高めることができる。
　図２２は、図２１の基板洗浄装置１１のローラ４近傍の様子を示している。図２１及び図２２に示すように、紫外線光源７は、クロス３の全幅に亘って紫外線を照射する紫外線ランプ７１と、紫外線ランプ７１を収容する筐体７２と、を有する。紫外線ランプ７１は、線状の水銀灯やエキシマＵＶランプなどにより構成される。筐体７２は、電極付き基板１０と相対する面にクロス３の幅方向に沿って伸びる細長のスリット７３を有する。紫外線ランプ７１から出射された紫外線は、スリット７３を通って電極付き基板１０の領域Ｕに局所的に照射される。なお、紫外線ランプ７１の周囲に紫外線ランプ７１からの紫外線を反射する反射板を設け、より多くの紫外線がスリット７３から出射するようにしてもよい。
　基板洗浄装置１１は、支持体８の移動を制御する駆動部を有していてもよい。駆動部は、例えば、樹脂パターン１７が設けられた電極付き基板１０の３次元ＣＡＤデータ等に基づいて、支持体８を制御することができる。例えば、駆動部は、紫外線光源７からの紫外線が樹脂パターン１７に照射されないように、支持体８を移動する制御を行うことが好ましい。また、駆動部は、ローラ４が樹脂パターン１７に接触しないように支持体８の移動を制御することが好ましい。また、紫外線光源７は、オン及びオフが制御されて、樹脂パターン１７に紫外線が照射される位置になったときに、紫外線の照射がオフされるものであってもよい。
　図２２のローラ４で示すように、ローラ４には、その両端部に弾性率の大きい材料によって形成された高押し当て部４０が形成されていてもよい。もちろん、高押し当て部４０の態様はこれに限定されるものではない。また、基板洗浄装置１１は、高押し当て部４０を有さないようにしたものにおいて、紫外線光源７を有するように構成することも可能である。例えば、図２１及び図２２の形態において、ローラ４から高押し当て部４０を失くしてもよい。あるいは、図４の基板洗浄装置１１に紫外線光源７を設けるようにしてもよい。それらの場合も、紫外線の作用により、洗浄性を高めることができる。
　図２１の基板洗浄装置１１の動作を説明する。基板洗浄装置１１は、電極付き基板１０上において、紫外線光源７からの紫外線を領域Ｕに対して局所的に照射することで領域Ｕ内に存在する異物Ｐの電極付き基板１０への付着性を弱めた後、領域Ｕをクロス３で拭き取る。基板洗浄装置１１は、紫外線光源７からの紫外線が樹脂パターン１７に照射されないようにしながら、この動作を繰り返して電極付き基板１０上を移動することで領域１８全体を洗浄する。もちろん、基板洗浄装置１１と電極付き基板１０とは横にずれるように相対的に移動すればよく、基板洗浄装置１１自体が拭き取り方向に移動してもよいし、基板洗浄装置１１が固定した状態のまま電極付き基板１０が横方向（拭き取り方向とは反対の方向）に移動してもよい。
　図２１の基板洗浄装置１１によれば、紫外線光源７からの紫外線が電極付き基板１０上の領域Ｕに対して照射されることで、領域Ｕ内の異物Ｐの電極付き基板１０への付着性が弱められた後、領域Ｕをクロス３が拭き取って異物Ｐを除去する。このとき、紫外線光源７からの紫外線は領域Ｕにのみ照射されて樹脂パターン１７には照射されない。そのため、樹脂パターン１７には影響を与えることなく、電極付き基板１０に付着した異物Ｐを効率良く除去することができる。また、紫外線光源７がクロス３の全幅に亘って紫外線を照射するので、クロス３によって拭き取られる領域に存在する異物Ｐの電極付き基板１０への付着性をまとめて弱めることができる。なお、図２１においても、ローラ４を拭き取り方向に複数設けるようにしてももちろんよい。
　図２３は、基板洗浄装置１１の一例を示している。図２３の基板洗浄装置１１は、図２１の基板洗浄装置１１に、クロス３に洗浄液を吐出する洗浄液供給部６Ａを更に設けたものである。洗浄液の流れは破線矢印で示されている。洗浄液は、クロス３に含浸又は噴霧されるものであってよい。洗浄液供給部６Ａは支持体８によって支持されている。洗浄液供給部６Ａは紫外線光源７に設けられている。配管６２が支持体８に支持されている。洗浄液は、電極付き基板１０の洗浄を効果的に行い、また、洗浄過程において電極付き基板１０に傷をつけないために用いられる。洗浄液は、例えば、水、アルコール、アルカリ、酸などから選ばれる洗剤液であってよい。また、洗浄液として、上記で説明した洗浄液を使用してもよい。洗浄液供給部６Ａの構成は、図１０の形態と同様であってよい。
　図２３の基板洗浄装置１１によれば、拭き取り作用に加えて、紫外線と洗浄液との作用によって異物Ｐをより効果的に除去することができ、電極付き基板１０を洗浄性高く洗浄することができる。また、配管６２が支持体８に支持されることにより、装置に一体化された状態で洗浄液供給部６Ａが設けられているので、基板洗浄装置１１をコンパクトで取り回しのよい大きさに構成することができる。なお、図２３においても、ローラ４を拭き取り方向に複数設けるようにしてももちろんよい。
　図２４は、基板洗浄装置１１の一例を示している。図２４の基板洗浄装置１１は、複数の凸部４１によって構成された高押し当て部４０を有するローラ４を図２１の装置に適用したものである。
　図２５は、基板洗浄装置１１の一例を示している。図２５の基板洗浄装置１１は、複数の凸部４１によって構成された高押し当て部４０を有するローラ４を図２３の装置に適用したものである。
　図２４及び図２５に示すように、紫外線光源７を有する基板洗浄装置１１においても、ローラ４は、上記で説明した各形態のものを適宜採用することができる。このとき、ローラ４は、その表面に凸部４１を有する形状とされてもよく、このような凸部４１を設けることで、基板１０に与えるローラ４の圧力が増大して洗浄効果を高めることができる。高押し当て部４０を有するローラ４を用いることにより、洗浄性や拭き取り性を高めることができる。なお、図２４及び図２５においても、ローラ４を拭き取り方向に複数設けるようにしてももちろんよい。
　図２６は、基板洗浄装置１１の一例を示しており、この図では、ローラ４の近傍が示されている。
　紫外線光源７は、紫外線を照射するＬＥＤ７４を有することが好ましい一態様である。それにより、装置を小型化することができる。
　図２６の基板洗浄装置１１は、上記の基板洗浄装置１１とは紫外線光源７の構成が異なり、紫外線ランプ７１の代わりに紫外線を照射するＵＶ－ＬＥＤ７４を有する。図例では、３つのＵＶ－ＬＥＤ７４が、各々の光軸がスリット７３に向かうように配置されている。なお、各々のＵＶ－ＬＥＤ７４から出射された紫外線を配光制御してＵＶ－ＬＥＤ７４の光軸に対して平行な光とするレンズを更に設けてもよい。この形態によれば、紫外線ランプ７１に比べて小型のＵＶ－ＬＥＤ７４を用いているので、紫外線光源７を小型化することができるため、装置をコンパクトにすることができる。
　ここで、上記の基板洗浄装置１１に用いられるローラ４においては、ローラ４とクロス３との密着性が低い場合、クロス３がローラ４から回転軸方向（円柱軸方向）にずれるおそれがある。クロス３が回転軸方向にずれることは横ずれと定義される。横ずれが発生すると、クロス３の一部がローラ４に接触しなくなったり、ローラ４の表面が露出したりするおそれがある。また、クロス３がローラ４から外れて脱線が発生するおそれもある。そこで、ローラ４においては、クロス３と接触する部分に、クロス３が横ずれするのを抑制する横ずれ抑制構造５１を有することが好ましい。横ずれ抑制構造５１を設けることにより、クロス３の横ずれを抑制し、拭き取りを確実に行うことが可能になる。
　図２７は、ローラ４の一例を示し、（ａ）はローラ４にクロス３を接触させた様子の斜視図、（ｂ）はローラ４の表面部分を拡大した断面図である。図２７では、横ずれ抑制構造５１が設けられたローラ４が示されている。
　横ずれ抑制構造５１は、ローラ４の表面が粗面化されることにより形成されることが好ましい一態様である。図２７のローラ４では、クロス３を押し付けるローラ４の外周表面が粗面化されている。図２７（ａ）では、粗面化された部分は、ドットで示されている。このローラ４は、高押し当て部４０を有するものであってよい。例えば、図１４、図１５などのような、両端部に高押し当て部４０を有するローラ４でローラ４を構成することができる。ローラ４の表面が粗化されると、クロス３とローラ４との摩擦力を大きくすることができ、クロス３がローラ４に対して横ずれすること（円柱軸方向にずれること）を抑制することができる。ローラ４の表面に設けられる粗面化の程度は、例えば、表面粗さＲａが１０μｍ以上となるのが好ましい。それにより、横ずれを高く抑制することができる。表面粗さＲａの上限は特にないが、例えば、Ｒａは１０００μｍ以下であってよい。
　図２８は、ローラ４の一例を示し、（ａ）はローラ４にクロス３を接触させた様子の斜視図、（ｂ）はローラ４の表面部分を拡大した断面図、（ｃ）はローラ４の側面図である。図２８では、横ずれ抑制構造５１が設けられたローラ４が示されている。横ずれ抑制構造５１は山谷構造５２により形成されている。なお、図２８（ａ）～（ｃ）の各図においては、表面の山谷構造５２が分かりやすいように山谷の数を変更して図示しているが、山谷構造５２は同じものであってよい。
　横ずれ抑制構造５１は、周方向に延伸する複数の山５２ａと谷５２ｂとが交互に回転軸方向に沿って配置された山谷構造５２が、ローラ４の表面に設けられることにより形成されていることが好ましい一態様である。図２８では、クロス３を押し付けるローラ４の外周表面に山谷構造５２が設けられている。このローラ４は、高押し当て部４０を有するものであってよい。例えば、図１４、図１５などのような、両端部に高押し当て部４０を有するローラ４でローラ４を構成することができる。ローラ４の表面に山谷構造５２が設けられると、クロス３を複数の山５２ａでローラ４に引っかけることができ、クロス３がローラ４に対して横ずれすること（円柱軸方向にずれること）を抑制することができる。山谷構造５２の高さ（谷底から山上までのローラ４の表面と垂直方向の距離）は、クロス３の厚みよりも小さいことが好ましい。山谷構造５２の高さは、例えば、０．０３～０．３ｍｍにすることができる。山谷構造５２における山５２ａ及び谷５２ｂは円柱軸方向に一定のピッチで配列することが好ましい。例えば、山谷構造５２のピッチは、０．０５～１ｍｍにすることができる。山谷構造５２においては、山５２ａがクロス３の幅内に三個以上有することが好ましい。それにより、横ずれをさらに抑制することができる。
　なお、横ずれ抑制構造５１は、山谷構造５２及び粗面化の両方で構成されてもよい。例えば、山谷構造５２が形成されたローラ４の表面がさらに粗面化されることにより、横ずれ抑制構造５１が形成されてもよい。
　ところで、図２７及び図２８では、高押し当て部４０が複数の凸部４１によって構成されていない形態を示しているが、複数の凸部４１によって構成された高押し当て部４０を有するローラ４においても、上記の横ずれ抑制構造５１を設けることができる。その場合も、クロス３の横ずれを高く抑制することができ、洗浄性を高めることができる。複数の凸部４１によって構成された高押し当て部４０を有する場合、凸部４１の表面に、横ずれ抑制構造５１を設けることが好ましい。例えば、凸部４１の表面を粗面化することにより、横ずれ抑制構造５１を設けることができる。あるいは、例えば、凸部４１の表面に山谷構造５２を設けることにより、横ずれ抑制構造５１を設けることができる。もちろん、高押し当て部４０が複数の凸部４１で構成される場合でも、横ずれ抑制構造５１は、ローラ４の表面全体に設けられてもよい。ローラ４の表面全体に設けられることにより、凸部４１以外の部分がクロス３に接触する場合にも横にずれるのを抑制することができるため、横ずれを高く抑制することができる。
　（拭き取り洗浄工程）
　図４に示すような基板洗浄装置１１を用いて、図２に示すような電極基板１０の洗浄を行った。
　（基板洗浄装置１１）
　搬送速度（拭き取り速度）は、２００ｍｍ／ｓｅｃとした。
　基板表面に対する押圧力は、５００ｋＰａとした。
　クロス３としては、ザヴィーナワイピングクロスを使用した。クロス３の送り出し速度は、１５ｍｍ／ｓｅｃとした。
　洗浄液としては、有機アミン系アルカリ水溶液（ｐＨ１２、「セミコクリーン５６」フルウチ化学（株）製）を使用した。
　中性液としては、純水を使用した。
　（電極基板１０）
　ガラス基板（７００μｍ、２１０×１８０ｍｍ）の表面に、ＩＴＯ膜（０．１５μｍ）が面状に形成され、ＩＴＯ膜の外周縁に、補助電極１５と絶縁体１６とが設けられた電極基板１０を使用した。
　（実施例１）
　基板洗浄装置１１により電極基板１０のＩＴＯ膜を洗浄した。
　その後、正孔注入層を形成し、発光層を含むその他の有機層１３と、第２電極１４とを順に形成し、有機ＥＬ素子を作製した。
　（比較例１）
　電極基板１０の拭き取り洗浄を行わずに、実施例１と同様の材料及び方法にて、有機ＥＬ素子を作製した。
　（結果）
　拭き取り洗浄前後の電極基板１０の表面を顕微鏡にて観察したところ、拭き取り洗浄前のＩＴＯ膜の表面には有機レジスト材料を起因とする異物Ｐが見られたのに対し、拭き取り洗浄後のＩＴＯ膜の表面にはそのような異物Ｐがみられなかった。
　有機ＥＬ素子の性能を比較したところ、比較例１の有機ＥＬ素子はダークスポットが見られ、ショート不良が発生した。それに対し、実施例１の有機ＥＬ素子は、ダークスポット及びショート不良の発生がなかった。
　１　　　基板
　２　　　電極層
　３　　　クロス
　３ａ　　拭き取り部
　４　　　ローラ
　５　　　リール
　５Ａ　　供給リール
　５Ｂ　　回収リール
　６　　　液体供給部
　６Ａ　　洗浄液供給部
　６Ｂ　　中性液供給部
　７　　　紫外線光源
　８　　　支持体
　１０　　電極付き基板
　１１　　基板洗浄装置
　１２　　第１電極
　１３　　有機層
　１４　　第２電極
　１５　　補助電極
　１６　　絶縁体
　１７　　樹脂パターン
　２０　　拭き取りパターン
　３１　　積層材料
　４０　　高押し当て部
　４１　　凸部
　４２　　溝部
　４３　　支持棒
　４４　　溝部
　５０　　クロス送出機構
　５１　　横ずれ抑制構造
　５２　　山谷構造
　５２ａ　山
　５２ｂ　谷
　６１　　吐出口
　６２　　配管
　７１　　紫外線ランプ
　７２　　筐体
　７３　　スリット
　７４　　ＬＥＤ
　Ｐ　　　異物

Claims (20)

  1. 　基板上に形成された電極層に有機層を積層して有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法であって、
    　洗浄液が染み込んだクロスにより前記電極層の表面を拭き取って洗浄する工程と、
    　洗浄後の前記電極層に前記有機層を積層する工程と、を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  2. 　前記クロスは、清浄な部位が供給されて拭き取り部が清浄に保たれていることを特徴とする、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  3. 　前記クロスでの拭き取りを複数回行うことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  4. 　前記洗浄液として、アルカリ溶液と酸性溶液とを使用し、
    　前記電極層を洗浄する工程が、前記アルカリ溶液が染み込んだ前記クロスにより前記電極層の表面を拭き取って洗浄する工程と、前記酸性溶液が染み込んだ前記クロスにより前記電極層の表面を拭き取って洗浄する工程と、を有することを特徴とする、請求項１～３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  5. 　前記洗浄液が、有機アミン類を含むことを特徴とする、請求項１～４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  6. 　前記クロスでの拭き取り後に、中性液で洗浄する工程を含むことを特徴とする、請求項１～５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  7. 　前記クロスでの拭き取りを加温した状態で行うことを特徴とする、請求項１～６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  8. 　基板上にテープ状のクロスを接触させて前記基板の表面を拭き取る基板洗浄装置であって、
    　前記クロスを前記基板上に押し当てながら移動するローラと、前記クロスを前記ローラに供給するリールと、を備え、
    　前記ローラは、前記クロスと接触する面に、前記クロスの前記基板への押し当て圧を局所的に高める高押し当て部を有することを特徴とする、基板洗浄装置。
  9. 　前記クロスに洗浄液を供給する洗浄液供給部を備え、
    　前記洗浄液供給部は、前記リールから前記ローラに供給される前記クロスに前記洗浄液を吐出することを特徴とする、請求項８に記載の基板洗浄装置。
  10. 　前記高押し当て部は、複数の凸部により構成されていることを特徴とする、請求項８又は９に記載の基板洗浄装置。
  11. 　前記複数の凸部は、前記ローラの回転方向に対して千鳥状に配置されていることを特徴とする、請求項１０に記載の基板洗浄装置。
  12. 　前記高押し当て部は、前記ローラの両端部にそれぞれ配置されていることを特徴とする、請求項８～１１のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
  13. 　前記高押し当て部は、前記ローラの他の部分に比べて弾性率の大きい材料により構成されていることを特徴とする、請求項８～１２のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
  14. 　前記ローラは、その外周に自身の回転軸と直交する方向に対して平行に又はテーパ状に形成された溝部を有し、
    　前記溝部の形状は、前記基板を拭き取らないパターンに対応していることを特徴とする、請求項８～１３のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
  15. 　前記ローラは、前記クロスと接触する部分に、前記クロスが横ずれするのを抑制する横ずれ抑制構造を有することを特徴とする、請求項８～１４のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
  16. 　前記横ずれ抑制構造は、前記ローラの表面が粗面化されることにより形成されていることを特徴とする、請求項１５に記載の基板洗浄装置。
  17. 　前記横ずれ抑制構造は、周方向に延伸する複数の山と谷とが交互に回転軸方向に沿って配置された山谷構造が、前記ローラの表面に設けられることにより形成されていることを特徴とする、請求項１５又は１６に記載の基板洗浄装置。
  18. 　前記基板に対して局所的に紫外線を照射する紫外線光源を備え、
    　前記紫外線光源は、前記ローラと共に前記基板に対して移動し、
    　前記ローラは、前記基板上において前記紫外線光源からの紫外線が照射された領域に前記クロスを接触させることを特徴とする、請求項８～１７のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
  19. 　前記紫外線光源は、前記クロスの全幅に亘って紫外線を照射することを特徴とする、請求項１８に記載の基板洗浄装置。
  20. 　前記紫外線光源は、紫外線を照射するＬＥＤを有することを特徴とする、請求項１８又は１９に記載の基板洗浄装置。
PCT/JP2013/005341 2012-09-11 2013-09-10 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び、基板洗浄装置 Ceased WO2014041794A1 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-199902 2012-09-11
JP2012199902 2012-09-11
JP2012-212119 2012-09-26
JP2012212119A JP2015213847A (ja) 2012-09-26 2012-09-26 基板洗浄装置
JP2012219432A JP2015215941A (ja) 2012-10-01 2012-10-01 基板洗浄装置
JP2012-219432 2012-10-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014041794A1 true WO2014041794A1 (ja) 2014-03-20

Family

ID=50277936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/005341 Ceased WO2014041794A1 (ja) 2012-09-11 2013-09-10 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び、基板洗浄装置

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW201417376A (ja)
WO (1) WO2014041794A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018116629A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002289344A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2005123636A (ja) * 2004-11-01 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板用支持治具、並びに回路基板製造装置及び方法
JP2008140724A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子
JP2010002484A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2010021050A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法
JP2011096437A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Konica Minolta Holdings Inc 透明電極、有機ｅｌ素子及び有機電子デバイス
JP2011224438A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Panasonic Corp 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002289344A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2005123636A (ja) * 2004-11-01 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板用支持治具、並びに回路基板製造装置及び方法
JP2008140724A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子
JP2010002484A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2010021050A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法
JP2011096437A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Konica Minolta Holdings Inc 透明電極、有機ｅｌ素子及び有機電子デバイス
JP2011224438A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Panasonic Corp 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018116629A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器
JPWO2018116629A1 (ja) * 2016-12-21 2019-10-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
TW201417376A (zh) 2014-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5852434B2 (ja) 発光ユニット及びその作製方法
CN102610763B (zh) 有机el元件的制造方法和制造装置
US7674712B2 (en) Patterning method for light-emitting devices
JP2013504693A (ja) Ｏｌｅｄ基材上にパターン形成コーティングを形成するための装置および方法
US8062834B2 (en) Method for manufacturing transparent electrode pattern and method for manufacturing electro-optic device having the transparent electrode pattern
JP2011103194A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5125886B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
WO2011125442A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2010121207A (ja) 成膜用基板、成膜方法、及び発光装置の作製方法
JP5471162B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014041794A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び、基板洗浄装置
US20080261478A1 (en) Patterning method for light-emitting devices
KR20110138020A (ko) 전기광학장치 및 이의 제작 방법
US20070224812A1 (en) Pattern film forming method and pattern film forming apparatus
TWI356278B (en) A mask and method for manufacturing an organic el
US20030082984A1 (en) Method and apparatus for manufacturing flexible-type luminescent device
JPWO2010004888A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
TWI553939B (zh) 光電元件及其製造方法
KR101147082B1 (ko) 디스플레이장치의 제조방법
TW201332180A (zh) 有機ｅｌ元件之製造方法及製造裝置（二）
JP2015213847A (ja) 基板洗浄装置
JP6064619B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5771906B2 (ja) 印刷用凸版の製造方法
JP2011175909A (ja) 凸版印刷版
JP5895507B2 (ja) 光学素子ならびにそれを用いた発光素子および有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13837942

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13837942

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP