TW201417376A - 有機電致發光元件之製造方法及基板清洗裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種在形成於基板1上的電極層2之上堆積有機層13，以製造有機電致發光元件的方法。其中包含藉由滲入有清洗液的編織物3來擦拭並清洗電極層2之表面的步驟，以及在清洗後之電極層2上堆積有機層13的步驟。本發明係關於一種使帶狀的編織物3接觸基板10以擦拭基板10之表面的基板清洗裝置11。其中包含：滾軸4，一邊將編織物3按壓於基板10上一邊移動；捲筒5，將編織物3供給至滾軸4。在滾軸4與編織物3接觸的面上，具有高按壓部40，用以局部地提高編織物3對於基板10的按壓力。

Description

有機電致發光元件之製造方法及基板清洗裝置

本發明係關於一種有機電致發光元件之製造方法。另外，本發明係關於一種適用於有機電致發光元件之製造的基板清洗裝置。

在有機電致發光元件(以下亦稱為「有機EL元件」)的製造中，廣泛地進行在ITO層等電極層的表面上，堆積包含發光層之有機層的技術。以往，具有在電極層的表面上存在異物的情況，此時以水清洗電極層的表面，或以編織物擦拭並清洗的這種技術為眾所皆知。

例如，專利文獻1中，揭示一種以水清洗ITO層之方法的一例。專利文獻1中，以溫水去除存在於基板表面之ITO層的異物。

另外，專利文獻2中，揭示一種以帶狀的編織物擦拭異物的裝置。此裝置中，以編織物清洗基板的表面。

【先行技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2009-295461號公報

【專利文獻2】日本特開2005-081171號公報

然而，具有在水洗後的電極層表面上，依然殘留有異物的情況。另外，上述專利文獻2的裝置中，因為編織物對於基板的按壓力較弱，故具有無法以編織物充分擦去基板表面之異物的情況。

例如，具有在重疊有機光阻等光阻材料並進行預期之處理後，於有機光阻材料被去除後的電極層表面上殘留有機物殘渣的情況。這樣的有機物殘渣難以從上述的清洗中去除。另外，亦考慮到在有機EL元件的製造步驟中，混入異物而附著於電極層表面上的情況。若有機物殘渣等異物殘存於電極層的表面上，則可能會引起以其為原因的暗點與短路缺陷等的元件不良。

本發明係鑑於上述之情事所完成者，其目的在於抑制異物殘留於電極層表面上，以製造抑制元件不良而可靠性高的有機電致發光元件。

本發明之有機電致發光元件之製造方法，係在形成於基板上的電極層上堆積有機層以製造有機電致發光元件的方法，其特徵為包含：藉由滲入有清洗液的編織物擦拭並清洗該電極層表面的步驟；以及在清洗後之該電極層上堆積該有機層的步驟。

上述有機電致發光元件之製造方法中，該編織物可供給給乾淨的部位，以使擦拭部保持潔淨。

上述有機電致發光元件之製造方法中，宜進行多次藉由該編織物的擦 拭。

上述有機電致發光元件之製造方法中，使用鹼性溶液與酸性溶液作為該清洗液來清洗該電極層的步驟，宜具有：藉由該滲入有該鹼性溶液的該編織物來擦拭並清洗該電極層表面的步驟；以及藉由滲入有該酸性溶液的該編織物來擦拭並清洗該電極層表面的步驟。

上述有機電致發光元件之製造方法中，該清洗液宜包含有機胺類。

上述有機電致發光元件之製造方法中，宜包含在以該編織物擦拭後，更以中性溶液清洗的步驟。

上述有機電致發光元件之製造方法中，宜在加熱狀態下，進行藉由該編織物的擦拭。

本發明之基板清洗裝置，係使帶狀的編織物接觸基板，以擦拭該基板表面的基板清洗裝置，其特徵為包含：滾軸，一邊將該編織物按壓於該基板上一邊移動；以及捲筒，將該編織物供給至該滾軸；該滾軸與該編織物接觸的面具有高按壓部，用以局部地提高該編織物對於該基板的按壓力。

上述基板清洗裝置中，具備對該編織物供給清洗液的清洗液供給部，該清洗液供給部，宜對從該捲筒供給至該滾軸的該編織物吐出該清洗液。

上述基板清洗裝置中，宜以複數之凸部構成該高按壓部。

上述基板清洗裝置中，該複數之凸部，宜相對於該滾軸的旋轉方向交錯配置。

上述基板清洗裝置中，該高按壓部，宜分別配置於該滾軸的兩端部。

上述基板清洗裝置中，該高按壓部，與該滾軸的其他部分相比，宜以彈性係數(Coefficient Of Elasticity)較大的材料構成。

上述基板清洗裝置中，該滾軸，其外側形成具有相對於和自身旋轉軸垂直之方向平行或是形成楔型的溝部，該溝部的形狀，宜與該基板中不須擦拭的圖案對應。

上述基板清洗裝置中，該滾軸與該編織物接觸的部分，宜具有橫移抑制構造，以抑制該編織物橫移(strike slip)。

上述基板清洗裝置中，該橫移抑制構造，宜藉由將該滾軸的表面粗糙化而形成。

上述基板清洗裝置中，該橫移抑制構造，宜以下述方式形成：將在周向上延伸的複數峰與谷沿著旋轉軸方向交互配置的峰谷構造，設於該滾軸的表面上。

上述基板清洗裝置中，宜具備紫外線光源，用以對該基板局部地照射紫外線，該紫外線光源與該滾軸一起相對該基板移動，該滾軸使該編織物接觸該基板上藉由來自該紫外線光源的紫外線所照射之區域。

上述基板清洗裝置中，該紫外線光源宜對該編織物的整個寬度照射紫外線。

上述基板清洗裝置中，該紫外線光源，宜具有照射紫外線的LED。

根據本發明之有機電致發光元件之製造方法，因為可有效地去除電極層表面的異物，故可製造抑制元件不良而可靠性高的有機電致發光元件。

根據本發明的基板清洗裝置，因為可有效去除基板表面的異物，故基板的清洗效果優良。結果，可製造抑制元件不良而可靠性高的有機電致發光元件。

1‧‧‧基板

2‧‧‧電極層

2a‧‧‧外緣部

3、3A、3B‧‧‧編織物

3a‧‧‧擦拭部

3b‧‧‧潔淨部分

4、4A、4B‧‧‧滾軸

4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g‧‧‧滾軸

5‧‧‧捲筒

5A‧‧‧供給捲筒

5B‧‧‧回收捲筒

6‧‧‧液體供給部

6A‧‧‧清洗液供給部

6B‧‧‧中性溶液供給部

7‧‧‧紫外線光源

8‧‧‧支持體

10‧‧‧附有電極的基板

11‧‧‧基板清洗裝置

12‧‧‧第1電極

13‧‧‧有機層

14‧‧‧第2電極

15‧‧‧輔助電極

16‧‧‧絶緣體

17‧‧‧樹脂圖案

18‧‧‧區域

20‧‧‧擦拭圖案

22‧‧‧緣部

31‧‧‧堆積材料

40‧‧‧高按壓部

41‧‧‧凸部

42‧‧‧溝部

43‧‧‧支持棒

44‧‧‧溝部

45‧‧‧上邊

46‧‧‧下邊

50、50A、50B‧‧‧編織物送出機構

51‧‧‧橫移抑制構造

52‧‧‧峰谷構造

52a‧‧‧峰

52b‧‧‧谷

61‧‧‧吐出口

62‧‧‧配管

71‧‧‧紫外線燈

72‧‧‧框體

73‧‧‧縫隙

74‧‧‧LED

P‧‧‧異物

【圖1】係顯示有機電致發光元件之製造方法中的清洗步驟的一例的概略剖面圖。

【圖2】係顯示電極基板之一例，(a)係顯示俯視圖，(b)係顯示前視剖面圖。

【圖3】(a)及(b)係說明以編織物擦拭清洗之一例的俯視圖。

【圖4】係顯示清洗步驟之一例的概略剖面圖。

【圖5】(a)及(b)係說明以編織物擦拭清洗之一例的俯視圖。

【圖6】係顯示有機電致發光元件的層構造之一例的剖面圖。

【圖7】係顯示基板清洗裝置之一例，以基板清洗裝置清洗基板表面之態樣的剖面圖。

【圖8】係顯示基板清洗裝置中所使用之滾軸的一例，(a)係顯示立體圖，(b)係顯示側視圖，(c)為剖面圖。

【圖9】係顯示為了形成有機電致發光元件而在基板上形成的樹脂圖案的頂面圖(俯視圖)。

【圖10】係顯示基板清洗裝置之一例，以基板清洗裝置清洗基板表面之態樣的剖面圖。

【圖11】係顯示基板清洗裝置所使用之滾軸的一例，(a)係顯示側視圖，(b)係顯示縱剖面圖，(c)為(a)的I-I線剖面圖。

【圖12】(a)係顯示基板清洗裝置所使用的滾軸之一例的側視圖，(b)係顯示使用(a)所示的滾軸擦拭基板表面之情況的擦拭圖案的俯視圖。

【圖13】(a)係顯示基板清洗裝置所使用的滾軸之一例的側視圖，(b)係顯示使用(a)所示的滾軸擦拭基板表面的情況之擦拭圖案的俯視圖。

【圖14】係顯示基板清洗裝置所使用的滾軸之一例的立體圖。

【圖15】(a)係顯示基板清洗裝置所使用的滾軸之一例的立體圖，(b)係 顯示使用(a)所示之滾軸來擦拭基板表面之情況的擦拭圖案的俯視圖。

【圖16】(a)係顯示基板清洗裝置所使用的滾軸之一例的側視圖，(b)係顯示從(a)的I方向觀察滾軸的圖，(c)為從(a)的II方向觀察滾軸的圖，(d)係顯示使用(a)所示之滾軸來擦拭基板表面之情況的擦拭圖案的俯視圖。

【圖17】係顯示基板清洗裝置之一例，以基板清洗裝置清洗基板表面之態樣的剖面圖。

【圖18】係顯示藉由擦拭堆積材料而使堆積材料圖案化之態樣的俯視圖，(a)係顯示擦拭前的態樣，(b)係顯示擦拭後的態樣。

【圖19】係顯示基板清洗裝置之一例，將基板清洗裝置用於擦拭塗佈於基板表面上之堆積材料的情況的剖面圖。

【圖20】係顯示基板清洗裝置之一例，將基板清洗裝置用於擦拭塗佈於基板表面上之堆積材料的情況的剖面圖。

【圖21】係顯示基板清洗裝置之一例，藉由基板清洗裝置來清洗基板表面之態樣的剖面圖。

【圖22】係顯示構成基板清洗裝置的編織物、滾軸及紫外線光源之一例的立體圖。

【圖23】係顯示基板清洗裝置之一例，並表示藉由基板清洗裝置來清洗基板表面之態樣的剖面圖。

【圖24】係顯示基板清洗裝置之一例，並表示藉由基板清洗裝置來清洗基板表面之態樣的剖面圖。

【圖25】係顯示基板清洗裝置之一例，並表示藉由基板清洗裝置來清洗基板表面之態樣的剖面圖。

【圖26】係顯示構成基板清洗裝置之編織物、滾軸及紫外線光源之一例的立體圖。

【圖27】係顯示基板清洗裝置所使用之滾軸的一例，(a)係顯示立體圖，(b)係顯示擴大剖面圖。

【圖28】係顯使基板清洗裝置所使用之滾軸的一例，(a)係顯示立體圖，(b)係顯示擴大剖面圖，(c)為側視圖。

本發明之有機電致發光元件(有機EL元件)之製造方法，係關於一種在形成於基板1上的電極層2之上，堆積有機層13，以製造有機EL元件的方法。有機EL元件之製造方法中，包含藉由滲入有清洗液的編織物3來擦拭並清洗電極層2表面清洗的步驟，以及在清洗後的電極層2上堆積有機層13的步驟。

圖1係顯示藉由滲入有清洗液的編織物3來擦拭並清洗電極層2表面的步驟的一例。

有機EL元件之一態樣，係基板1的表面上，包含成為第1電極12的電極層2、由電洞輸送層、有機發光層及電子輸送層等所構成的有機層13、以及由金屬等導電材料所形成的第2電極14。

圖6係顯示有機EL元件之層構造的一例。有機EL元件，係藉由在基板1上，依序堆積第1電極12、含有發光層的有機層13、及與第1電極12成對的第2電極14所構成。在使光從基板1側透射出來的情況中，可以透光性基板構成基板1，且以透光性電極構成第1電極12。第1電極12，係由電極層2構成。電極層2，係由ITO層、IZO層、AZO層等透明導電材料的層所構成。在以第1電極12構成陽極的情況中，係以第2電極14構成陰極。另一方面，在以第1電極12構成陰極的情況中，則以第2電極14構成陽極。本實施態樣中，宜採用以第1電極12構成陽極，並以第2電極14構成陰極的態樣。第2電極14，係由金屬等導電材料所形成。在使光從基板1透射出來的情況，第2電極14亦可為光反射性電極。此時可以具有光反射性的金屬構成第2電極14。有機層13，除了發光層，亦可藉由包含電洞輸送層、電子輸送層等的堆積構造所構成。又，以下雖說明在基板1的表面上直接形成電極層2的態樣，亦可在基板1與電極層2之間，設置其他的層。作為設於基板1與電極層2之間的層，可為用於提高透光性的樹脂層等。

這樣的有機EL元件的製造中，在形成於基板1上的電極層2(第1電極12)之上堆積有機層13，以製造有機EL元件。有機EL元件的製造中，可使用預先將電極層2堆積於基板1上的附有電極的基板10。此時，基板1成為支持基板。支持基板係指支持堆積物的基材。以下，亦將附有電極的基板10稱為電極基板10或是僅稱為基板10。

圖2係形成有電極層2之基板1的一例，係用以形成有機EL元件之電極基板10的一例。圖2(a)係顯示俯視圖(從基板表面上的垂直方向所觀察的圖)，圖2(b)係顯示剖面圖。該電極基板10，係在以玻璃基板所構成的基板1的表面上，面狀地形成透明導電薄膜之電極層2者。使用這種電極基板10，可使有機EL元件的發光面變大，而可用於面狀的照明裝置。

基板1雖宜如同該態樣使用玻璃基板，但並不僅限於此，亦可使用樹脂基板等。另外，基板1亦可具有可撓性。雖未限定基板1的厚度，但從元件特性的觀點來看，可使用例如，300~2000μm左右者。

宜使用ITO層作為電極層2。ITO層，係藉由氧化銦錫(摻雜錫的氧化銦)所形成的透明導電薄膜。雖未限定電極層2的膜厚，但從元件特性的觀點來看，可使用例如，膜厚為0.1~0.5μm左右者。電極層2，可以濺鍍法、真空蒸鍍法、有機金屬成長法、噴塗法、塗佈法等形成於基板1的表面上，但成膜方法並不限定於此。

本態樣中，電極層2之外緣部2a的表面上，輔助電極15形成於電極層2的整個外緣部分。電極層2一般若為表面阻抗較大的面狀者，則施電性容易變得不均勻，藉由在外緣形成表面阻抗更小的輔助電極15，可使電極層2表面的電氣施加性接近均勻。另外，設於電極層2之外緣部2a的輔助電極15，藉由橫跨基板1與電極層2的絶緣體16而覆蓋其外面。藉由該絶緣體16保護輔助電極15，可抑制元件特性的劣化。另外，在輔助電極15之上形成有機層13的情況中，藉由以絶緣體16覆蓋輔助電極15，可抑制電流不會局部且過剩地在輔助電極15的部分流動，而得到安定的發光。 又，亦可不設置輔助電極15及絶緣體16。

作為輔助電極15，可使用電阻較小的金屬或合金等。例如，作為輔助電極15，可藉由MAM(Mo/Al/Mo的3層金屬層)，或APC(AgPdCu的合金層)等構成，但並不限定於該等材料。

另外，作為絶緣體16，可使用有機材料、特別是絶緣性的有機樹脂等絶緣材料。例如，作為絶緣體16的材料，可使用酚醛樹脂或丙烯酸樹脂等，但不限定於該等材料。

輔助電極15，係藉由圖案化而形成者。亦即，例如在電極層2的整個表面上，形成構成輔助電極15之材料的薄膜後，以蝕刻等去除電極層2之外緣部2a以外的中央區域的輔助電極材料，藉此形成輔助電極15。

另外，絶緣體16，係藉由圖案化而形成者。例如，以包含輔助電極15的電極層2整體的方式，形成絶緣材料層，接著在形成絶緣體16的部分硬化後，去除電極層2之外緣部2a以外的中央區域所殘存之未硬化的絶緣材料，藉此形成絶緣體16。藉由圖案化的絶緣體16的形成，可藉由例如微影步驟來進行。又，輔助電極15及絶緣體16，亦可方格狀地設置於電極層2的中央部分。此情況中，提高電極層2的通電性，而使面內的電流密度更加均勻化，可在面內得到更均勻的發光。

如此，在形成有輔助電極15與絶緣體16的電極層2之中，具有產生有機物或是無機物的異物P的情形。特別是，若藉由微影步驟的有機光阻圖案化形成絶緣體16，具有在電極層2的表面上產生有機光阻殘渣等異物P的情形。另外，若藉由金屬材料的圖案化形成輔助電極15，具有在電極層2的表面上產生無機物等異物P的情況。有機EL元件的製造中，係在成為電極(例如陽極)的電極層2的表面上，形成電洞注入層(HIL：Hole Injection Layer)等的有機層13，而若異物P殘留於電極層2的表面上，則會成為元件不良的原因。

於是，在有機EL元件的製造時，如圖1所示，藉由滲入有清洗液的編織物3擦拭並清洗電極層2的表面，之後堆積有機層13。藉由以編織物3擦拭電極層2表面，可施加因為機械作用而產生的物理力，進而去除異物P。另外，因為清洗液滲入編織物3，故可以清洗液藉由化學作用來去除異物P。如此，可藉由滲入有清洗液的編織物3，以機械作用與化學作用的相乘效果，大幅提升清洗效果。另外，藉由以編織物3進行清洗，可進行部分清洗，與將清洗液噴灑於整個面上的情況相比，較難以造成損傷。

圖1係顯示以編織物3所進行之清洗步驟的一例。編織物3中，清洗液至少滲入擦拭部3a。擦拭部3a，係在擦拭時與電極層2接觸的編織物3的一部分。

以編織物3所進行的擦拭，可以下述方式進行：從電極基板10中電極層2露出部分的一側到另一側，在一個方向上擦拭電極層2的表面。圖1中以箭號表示擦拭方向。另外，圖2(a)中，以横向的虛線箭號表示擦拭方向。以下，在如圖2(a)所視之以俯視觀察電極基板10的情況中，將圖示的横向作為電極基板10的横向，並將圖示的縱向作為電極基板10的縱向，以說明擦拭方向。擦拭時，編織物3之擦拭部3a，可以與電極層2的整個表面接觸的方式改變擦拭位置以進行擦拭。圖2(a)中，改變縱向的擦拭位置(編織物3的中央位置)，以縱向並列的複數虛線箭號表示横向的擦拭態樣。

在編織物3的擦拭中，宜避免擦去絶緣體16。亦即，宜僅擦拭電極層2的露出區域。絶緣體16係以有機材料所構成，故容易被清洗液等所侵蝕。因此，較宜避免使絶緣體16與清洗液接觸。然而，在以編織物3進行擦拭時，完全避免編織物3與絶緣體16(特別是與電極層2的邊界區域)接觸，在操作上是有困難的，雖亦可具有使編織物3與絶緣體16接觸的情況，但在該情況中，宜避免將因為擦拭而產生的物理力施加於絶緣體16。在藉由編織物3所進行的清洗中，可進行部分的擦拭，另外，力量的調整亦容易。

作為編織物3，可使用布材。布材，可為織布亦可為不織布。從擦拭性能的觀點來看，宜使用織布或是不織布。作為編織物3，雖可使用例如：玻璃布、以聚酯‧聚醯胺系樹脂形成的高密度超極細纖維(例如SAVINA WIPING編織物)等，但不限於此。

作為清洗液，宜使用鹼性溶液、酸性溶液、中性清洗劑等。其中，在使用鹼性溶液的情況中，因為鹼的作用而可輕易得到較強的清洗力。另外，在使用酸性溶液的情況中，因為酸的作用，而可輕易得到較強的清洗力。另外，使用中性清洗劑的情況中，可一方面抑制對其他材料造成損傷，一邊進行清洗。

作為用於清洗的鹼性溶液，可使用鹼性的水溶液。作為溶劑，亦可使用水與水性有機溶劑的混合溶劑。作為鹼，可使用有機鹼與無機鹼。可舉例如，有機胺類與無機氫氧化物等，具體而言，雖可使用TMAH(四甲基氫氧化銨)、KOH(氫氧化鉀)等，但並不僅限於此。作為鹼性的清洗液，特別宜為包含有機胺類的溶液。該情況中，可提升化學的清洗效果。

鹼性溶液的pH值宜為9~14。因為使pH值在該範圍內，可一方面抑制對絶緣體16等的影響，一方面提高清洗效果。從此觀點來看，pH值較宜為11~12。

作為用於清洗的酸性溶液，可使用酸性的水溶液。作為溶劑，亦可使用水與水性有機溶劑的混合溶劑。作為酸，雖可使用例如，硝酸、硫酸等，但並不僅限於此。藉由以酸性溶液清洗，可以物理及化學清洗去除有機物，及金屬等的無機物，藉此可提高清洗效果。

酸性溶液的pH值，宜為0~5。藉由使pH值在該範圍內，可一方面抑制對絶緣體16等的影響，一方面提高清洗效果。從此觀點來看，pH值宜為1~3。

在擦拭時，亦可對電極基板10在垂直方向上施加按壓的力量(垂直壓住電極層2表面的力)。藉由施加按壓的力量，可施加物理力以進行擦拭，而能夠提高清洗效果。該按壓的力量，從提高清洗效果的觀點來看，宜為100kPa以上，較宜為500kPa以上。另外，該按壓的力量，從避免電極層2破損的觀點來看，宜為700kPa以下。

編織物3中，宜使擦拭部3a保持乾淨以供給乾淨的部位。藉由以乾淨的編織物3進行擦拭，可抑制對電極層2的表面給予機械損傷的情形，另外，因為可藉由連續供給之不含雜質的清洗液進行清洗，而可提升清洗效果。連續地供給編織物3的潔淨部位，雖如後所述，可舉例如，使用帶狀的編織物3，使其作為供給乾淨部分之滾軸機構的方法，但並不僅限於此。

以編織物3所進行的擦拭，宜以固定速度使編織物3朝向單一方向移動。藉由以固定速度朝向單一方向進行擦拭，可抑制對電極層2的表面上給予損傷。擦拭速度雖可為例如，50~200mm/sec左右，但並不限於此。

圖3係顯示以編織物3進行清洗步驟的一例的圖。以編織物3所進行的擦拭，宜進行複數次。圖3中顯示進行複數次以編織物3進行擦拭的清洗步驟。

圖3(a)中顯示在横向的單一方向(例如從左至右)上擦拭電極層2的表面，之後在相反方向(例如從右至左)上擦拭電極層2表面的步驟。作為擦拭操作，可依序在縱向的位置上移動，以進行在既定的縱向位置上於横向上來回以擦拭的操作。或是，亦可依序在縱向位置上移動，以進行在横向上的單一方向(例如從左至右)之擦拭操作，然後再依序於縱向位置上移動，以進行在横向上的反方向(例如從右至左)之擦拭操作。又，在增加來回操作的次數，並使擦拭電極層2整體之操作為1循環時，亦可進行該循環多次，以使擦拭次數為二次以上、三次以上或是四次以上來進行擦拭。

圖3(b)中顯示在單一方向(例如横方向)上擦拭電極層2的表面，之後，在相對已擦拭的方向垂直的方向(例如縱向)上，擦拭電極層2表面的步驟。作為擦拭操作，例如，依序在縱向的位置上移動，以進行在既定縱向位置上於横向上的擦拭操作，然後，依序在橫向的位置上移動，以進行在既定横方向位置上於縱向上的擦拭操作。該情況中，亦可來回操作擦拭操作，在將擦拭電極層2整體的操作作為1循環時，進行複數次該循環，使擦拭次數為二次以上、三次以上或是四次以上來進行擦拭。

電極層2的清洗中，在以滲入有清洗液之編織物3進行擦拭後，宜以中性溶液進行清洗。作為中性溶液，可使用pH值在中性區域(例如pH6~8)的水溶液。藉由以中性溶液進行清洗，可防止在來自清洗液的殘渣等殘留於電極層2的狀態下形成有機層13，可抑制元件不良。作為中性溶液，可使用例如，蒸留水與離子交換水、純水等的精製水。另外，亦可使用含有醇等揮發性有機溶劑作為中性溶液。

藉由中性溶液的清洗，可藉由滲入有中性溶液的編織物3來擦拭電極層2的表面。作為擦拭方法，可使用與以滲入有清洗液的編織物3之擦拭相同的方法。又，藉由中性溶液的清洗，並不限定於此，例如，亦可以噴灑的方式將中性溶液噴附於電極層2表面上之後，再以乾燥的編織物3來擦拭。

電極層2的清洗中，使用鹼性溶液與酸性溶液作為清洗液來清洗電極層2的步驟，宜具有藉由鹼性溶液的清洗步驟，及藉由酸性溶液的清洗步驟。藉此，因為可藉由鹼與酸兩方面的作用來進行清洗，而能夠提高清洗效果。藉由鹼性溶液的清洗步驟，係藉由滲入有該鹼性溶液的編織物3來擦拭電極層2表面以進行清洗的步驟。藉由酸性溶液的清洗步驟，係藉由滲入有酸性溶液的編織物3來擦拭電極層2表面以進行清洗的步驟。先進行鹼性溶液之清洗或酸性溶液之清洗皆可，例如，可在鹼性溶液之清洗後進行酸性溶液之清洗，或是亦可在酸性溶液之清洗後進行鹼性溶液之清洗。

以滲入有酸性溶液的編織物3的擦拭方法，與以滲入有該鹼性溶液的編織物3的擦拭方法，可使用相同的方法。該等方法，可使用上述所說明之藉由滲入有清洗液的編織物3的擦拭方法。另外，亦可使用後述藉由基板清洗裝置11的方法。

將酸性溶液與鹼性溶液作為清洗液使用的情況中，亦可在以各編織物3擦拭之後，再以中性溶液清洗。藉由以中性溶液清洗，可防止在來自清洗液的殘渣殘留在電極層2的狀態下，形成有機層13，而能夠抑制元件不良。

鹼性溶液、酸性溶液及中性溶液的清洗，宜以適當順序進行。例如，亦可在藉由鹼性溶液的清洗後，以酸性溶液清洗，最後再以中性溶液清洗。另外，亦可在藉由鹼性溶液之清洗後，以中性溶液清洗，接著藉由酸性溶液清洗，最後再以中性溶液清洗。另外，亦可再藉由酸性溶液清洗後，以鹼性溶液清洗，最後再以中性溶液清洗。或是，亦可在藉由酸性溶液的清洗後，以中性溶液清洗，接著以鹼性溶液清洗，最後再以中性溶液清洗。如此，最後宜藉由中性溶液清洗。藉此，可去除酸或鹼的殘渣。又，在形成有機層13時，宜以乾燥等方法，將中性溶液等液體從電極層2的表面去除。若殘留有液體，則可能成為元件不良的原因。

藉由編織物3的擦拭，宜在加熱的狀態下進行。藉此，可提高清洗效果。加熱狀態下的擦拭，亦可例如，使用加熱的清洗液來進行。或是，亦可在將基板1加熱的狀態下進行清洗。當然，亦可雙方面進行基板1之加熱與清洗液之加熱。

上述所說明之電極層2的擦拭清洗，宜在基板清洗裝置11中進行。藉此，可有效地進行電極層2的清洗。

圖4係顯示基板清洗裝置11之一例。圖4中顯示，藉由基板清洗裝置 11來清洗電極基板10之電極層2的態樣。

基板清洗裝置11，不僅進行電極層2之清洗，亦可進行基板1本身的清洗。例如，電極基板10(附有電極的基板10)中，藉由清洗電極基板10的整個表面，在清洗電極層2的同時，亦可清洗基板1的表面中未設有電極層2的部分。如圖2所示，因為基板1的外緣部分未形成電極層2及絶緣體16，而形成基板1露出的部分，故可清洗該基板1的外緣部。更進一步，例如，可藉由基板清洗裝置11，清洗形成電極層2之前的基板1(支持基板)的表面。藉由清洗形成電極層2之前的基板1，可良好地堆積形成電極層2。

基板清洗裝置11，係使帶狀的編織物3與基板1接觸，以擦拭基板1表面的裝置。基板清洗裝置11，具備一邊將編織物3按壓於基板1上一邊移動的滾軸4。基板清洗裝置11，係作為擦拭裝置而構成。

基板清洗裝置11，具備複數編織物送出機構50，以送出捲成滾軸狀的長尺編織物3。圖示的態樣中，編織物送出機構50為第一編織物送出機構50A及第二編織物送出機構50B兩者。第一編織物送出機構50A，配置於電極基板10之搬送方向的上游側，第二編織物送出機構50B配置於電極基板10之搬送方向的下游側。第一編織物送出機構50A，具有作為滾軸4的擦拭滾軸4A。第二編織物送出機構50B，具有作為滾軸4的擦拭滾軸4B。

基板清洗裝置11，在第一編織物送出機構50A中，具備用於清洗液的長尺編織物3A。編織物3A，如圖中的箭號R1所示，從捲出滾軸(後述的供給捲筒5A)等送出，並從上方延伸至下方。之後，編織物3A，沿著擦拭滾軸4A的外側反轉，更進一步從下方延伸至上方，而被捲入滾軸(後述的回收捲筒5B)等捲入。

編織物3A到達擦拭滾軸4A之位置的上游側，設有作為液體供給部6 的清洗液供給部6A。清洗液供給部6A，係由儲存清洗液的液體儲存部、將液體儲存部之清洗液供給至編織物3A表面上的噴嘴等構件所構成。藉由在清洗液供給部6A，將清洗液供給至編織物3A，編織物3A在擦拭部3a的位置，形成含有清洗液之潤濕的編織物3。

擦拭滾軸4A，宜為可上下移動之態樣。此情況中，藉由使擦拭滾軸4A在絶緣體16的位置往上方移動，可防止與絶緣體16的接觸，而抑制對絶緣體16造成損傷的情況。另外，在擦拭電極層2時，使擦拭滾軸4A往下方移動，只要能給予電極基板10將按壓的力量，則可藉由物理力來提高擦拭性能。另外，在擦拭滾軸4A上下移動時，編織物3宜為非鬆弛狀態。不使編織物3鬆弛的機構，係藉由暫時改變捲出滾軸與捲入滾軸之滾軸速度，並在捲出滾軸、捲入滾軸與擦拭滾軸4A之間設置中間滾軸所構成。又，對於電極基板10之按壓力量並非為必要，例如，亦可不施加壓力地使擦拭滾軸4A在上下方向的位置固定地維持於擦拭部3a的表面與電極層2的表面接觸的位置。

基板清洗裝置11，在第二編織物送出機構50B中，具備中性溶液用的長尺編織物3B。編織物3B，如圖中的箭號R2所示，從捲出滾軸(後述的供給捲筒5A)等送出，並從上方延伸至下方。之後，沿著擦拭滾軸4B的外側反轉，更進一步從下方延伸至上方，藉由捲入滾軸(後述的回收捲筒5B)等捲入。

編織物3B到達擦拭滾軸4B之位置的上游側，設有作為液體供給部6的中性溶液供給部6B。中性溶液供給部6B，係由儲存中性溶液的液體儲存部、將液體儲存部之中性溶液供給至編織物3B表面上的噴嘴所構成。在中性溶液供給部6B中，藉由將中性溶液供給至編織物3B，編織物3B在擦拭部3a的位置，成為含中性溶液的潤濕編織物3B。

擦拭滾軸4B，宜可上下移動。此情況中，藉由使擦拭滾軸4B在絶緣體16的位置往上方移動，可抑制損傷絶緣體16的情況。另外，在擦拭電 極層2時，使擦拭滾軸4B往下方移動，以將按壓的力量給予電極基板10的情況中，可藉由物理力提高擦拭性能。另外，在使擦拭滾軸4B上下移動時，編織物3B宜為非鬆弛狀態。使編織物3B不鬆弛的機構，可與編織物3A的情況相同。又，對於電極基板10之按壓力量並非為必要，例如，亦可不施加壓力地使擦拭滾軸4B在上下方向的位置固定地維持於擦拭部3a的表面與電極層2的表面接觸的位置。

該裝置中，編織物3中，從捲出滾軸(供給捲筒5A)等供給作為潔淨之編織物3的潔淨部分3b，可使擦拭部3a持續保持於潔淨狀態。如此，藉由以乾淨的編織物3進行擦拭，可抑制對電極層2的表面上給予機械損傷的情況，另外，因為可以連續供給之不含雜質的清洗液或是以中性溶液進行清洗，故可提升清洗效果。

清洗液用的編織物3A與中性溶液用的編織物3B係平行配置。亦即，擦拭滾軸4A與擦拭滾軸4B係平行配置。藉由使各滾軸4平行配置，可在同一方向上連續地擦拭。

藉由基板清洗裝置11的清洗中，首先將電極基板10等，設置於或是搬送至開始擦拭形成有電極層2之基板1位置。例如，上述的電極基板10中，可將編織物3配置於與絶緣體16之邊界部分的電極層2上面的位置，作為擦拭開始位置。此時，亦可在擦拭之前搬送電極基板10的情況中，將電極基板10搬送至前述的開始位置時，使滾軸4往下方移動而開始進行擦拭。在擦拭開始位置，編織物3的擦拭部3a與電極層2的表面接觸，而開始進行擦拭。

接著，將電極基板10搬送至與編織物3的寬度方向垂直的方向(搬送方向)。在圖4中以箭號X1表示搬送方向。此時，擦拭方向與搬送方向為相反方向(箭號X2)。藉由該搬送，編織物3對於電極基板10相對移動，編織物3可擦拭電極層2一邊的露出端部至另一邊的露出端部。在編織物3的擦拭部3a到達絶緣體16的邊界時，為了避免擦拭絶緣體16，宜使滾軸4 往上方移動。

電極基板10的搬送速度，從抑制電極層2的損傷與提升擦拭性能的觀點來看，宜為10~200mm/sec，較宜為150~200mm/sec。該裝置中，電極基板10的搬送速度成為編織物3的擦拭速度。

擦拭清洗中，較佳的態樣，係藉由編織物送出機構50，連續送出編織物3，以對擦拭部3a供給乾淨的編織物3。擦拭部3a中的編織物3的送出方向，宜為與電極基板10之搬送方向相反的方向。藉此，可輕易地從編織物3對電極層2表面的異物P施加物理力，而可有效率地去除異物P。以編織物送出機構50送出編織物3的速度，從抑制電極層2的損傷與提升擦拭性能的觀點來看，宜為1~50mm/sec，較宜為10~20mm/sec。

編織物3B配置於搬送方向的下游側，可藉由中性溶液的編織物3B，來擦拭經由滲入有清洗液的編織物3A擦拭過的電極層2表面。藉此，可抑制清洗液殘留於電極層2。藉由編織物3A及編織物3B的擦拭機構，可為相同的機構。

編織物3A的寬度與編織物3B的寬度宜相同。另外，編織物3A及編織物3B的送出速度，可與搬送速度相同，亦可不同。此處，編織物3的寬度，與電極層2的露出表面的一邊相同或比其更小。在比露出表面的一邊更小的情況中，使電極基板10在寬度方向上錯開位置，藉由多次搬送並擦拭清洗，可擦拭清洗電極層2的整個露出表面(參照圖2(a))。另外，在編織物3的寬度與電極層2的露出表面的一邊相同的情況中，因為擦拭一次就可擦拭清洗電極層2的表面，故可提高清洗效率。

藉由編織物3的擦拭中，編織物3A及編織物3B的任一方或是兩方的擦拭，亦可在加熱狀態下進行。例如，若在清洗液供給部6A中設置加熱手段，則可將加熱的清洗液供給至編織物3A，而能夠在加熱狀態下擦拭電極層2表面。另外，若在中性溶液供給部6B設置加熱手段，則可將加熱的中性溶液供給至編織物3B，而可在加熱狀態下擦拭電極層2表面。或是，不 將加熱手段設於溶液的供給部中，或是，亦可在溶液的供給部設置加熱手段的同時，設置加熱基板1的手段。作為加熱基板1的手段，可在配置基板1的搬送裝置中設置加熱機構。另外，亦可藉由提高周遭之溫度來進行加熱。

使用圖4之裝置的情況，例如圖5(a)所示，在單一方向(横向)上搬送電極基板10，並在擦拭清洗之後，在俯視下將電極基板10旋轉90度，而可在與該單一方向垂直的方向(縱向)上搬送而進行擦拭清洗。藉此，如圖5(b)所示，可在與已擦拭的方向垂直的方向(縱向)上進行擦拭清洗。該情況，如圖3(b)所示，可在不同方向進行多次擦拭清洗，以提高清洗效果。

另外，在俯視之下將電極基板10旋轉180度後搬送並進行擦拭清洗，則可進行如圖3(a)之來回的擦拭清洗。

又，上述的裝置中，雖顯示搬送電極基板10而使其移動的態樣，但亦可固定電極基板10，使擦拭滾軸4A、4B在與電極基板10的表面平行的方向上移動以進行擦拭。此情況中，擦拭部3a中的編織物3之送出方向，宜為與擦拭方向(箭號X2)相同方向。另外，雖顯示具備二個編織物送出機構50的基板清洗裝置11的態樣，但並不限定於此，亦可更具備送出滲入有與第一編織物送出機構50A之清洗液不同清洗液之編織物3的編織物送出機構50。例如，使吐出清洗液的編織物送出機構50為複數，使一清洗液為鹼性溶液，其他清洗液為酸性溶液，可提高清洗效果。此情況中，附加的編織物送出機構50，可為與上述之機構相同的構成。

如上所述，在經過清洗的電極層2(第1電極12)的表面上，堆積並形成有機層13、第2電極14，藉此形成圖6所示的堆積構造，而可製造有機EL元件。有機層13，係由電洞輸送層(正子輸送層)、發光層、電子輸送層等所構成。有機層13中，相應於需求，亦可設置電洞注入層(正子注入層)、電子注入層、中間層等。又，直接與電極層2接觸的層，亦可不為有機層13，而可在堆積有其他導電材料層等的表面上，堆積有機層13。

電洞輸送層與電洞注入層，可藉由與所謂的電子接受(electron acceptability)性材料反應而產生陽離子、雙陽離子等氧化狀態的材料來形成。具體而言，可舉例如：N,N’-雙(3-甲基苯基)-(1,1’-聯苯)-4,4’二胺(TPD)或4,4’-雙〔N-(萘基)-N-苯基-胺基〕聯苯(α-NPD)等的芳香族二胺化合物、茋衍生物、吡唑啉衍生物、聚芳烷、4,4’,4”-三(N-(3-甲基苯基)N-苯基胺基)三苯胺(m-MTDATA)、及聚乙烯咔唑等的高分子材料，但並不限定於此等材料。

發光層(有機發光層)，可使用習知作為有機EL元件用的發光層形成材料的任意材料。可舉例如以下述化合物為起始者，但不限定於該等化合物：蒽、萘、芘、稠四苯(Tetracene)、蔻(Coronene)、苝(perylene)、酞苝(phthaloperylene)、萘苝(Naphthaloperylene)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素(coumarin)、二唑、雙苯并噁唑啉、雙苯乙烯系化合物、環戊二烯、喹啉金屬錯合物、三(8-羥基喹啉酸)鋁錯合物、三(4-甲基-8-喹啉酸)鋁錯合物、三(5-苯基-8-喹啉酸)鋁錯合物、胺基喹啉金屬錯合物、苯并喹啉金屬錯合物、三(對聯三苯-4-基)胺、1-芳-2,5-二(2-噻吩)吡咯衍生物、哌喃、喹吖啶酮、紅螢烯(rubrene)、二苯乙烯苯衍生物、二苯乙烯伸芳基衍生物、二苯乙烯胺衍生物及各種螢光色素等的材料系列及其衍生物。另外，宜將從該等化合物中所選擇出來的發光材料適當堆積或是混合以使用。此外，不僅是產生代表該化合物之螢光發光的化合物，亦適合用於顯示從自旋多重度而產生之發光的材料系列，例如產生燐光發光的燐光發光材料，以及分子內的一部份具有以該等材料所形成之部位的化合物。

另外，電子輸送層，具有輸送電子的能力，在具有電子注入效果的同時，可抑制電洞往電子輸送層的移動，可藉由成薄能力優良的化合物形成。具體而言，可舉例如：茀、二苯基鄰二氮菲、浴銅靈(bathocuproin)、蒽醌二甲烷、聯苯醌、唑、二唑、三唑、咪唑、蒽醌二甲烷、4,4’-N,N’-二咔唑聯苯(CBP)等及該等之化合物、金屬錯合物化合物或是含氮五員環衍生物，但並不限定於該等化合物。另外，亦可使用高分子有機發光元件所 使用的高分子材料。

構成有機層13的各層，可藉由蒸鍍、轉印等乾式製程成膜，亦可藉由旋轉塗佈、噴灑塗佈、模具塗佈法、凹版印刷等濕式製程成膜。

另外，第2電極14，雖可藉由適當的導電性材料形成，但在形成陰極的情況，宜使用功函數較小的金屬、合金、導電性化合物及該等的混合物所構成的電極材料，功函數為5eV以下者為較佳。作為這樣的電極材料，可舉例如：鹼金屬、鹼金屬的鹵化物、鹼金屬的氧化物、鹼土金屬等，及該等金屬與其他金屬的合金等。具體而言，可舉例如：鈉、鈉-鉀合金、鋰、鎂、鎂-銀混合物、鎂-銦混合物、鋁-鋰合金、Al/LiF混合物等，但並不限定於此。另外，亦可使用鋁、Al/Al₂O₃混合物等。更進一步，可將鹼金屬的氧化物、鹼金屬的鹵化物，或是金屬氧化物作為基底使用，更進一步亦可為將金屬等的導電材料堆積1層以上的複數層狀構成。例如，可藉由真空蒸鍍法或濺鍍法等方法，將上述的電極材料成膜，以製作第2電極14。

因為這樣所得到的有機EL元件，係去除了電極層2表面的異物P而製作而成，故可抑制暗點的發生與短路缺陷的發生，進而能防止元件不良。

以下，就基板清洗裝置11的更佳態樣進行說明。

圖7及圖8，係顯示基板清洗裝置11的一例。

基板清洗裝置11，係使帶狀的編織物3與基板10接觸，來擦拭基板10表面的裝置。基板清洗裝置11，具備一邊將編織物3按壓於基板10上一邊移動的滾軸4，及將編織物3供給至滾軸4的捲筒5。滾軸4，與編織物3接觸的面上，具有局部提高編織物3對基板10之按壓力的高按壓部40。

圖7係顯示使用基板清洗裝置11清洗基板10的態樣，圖8係顯示基 板清洗裝置11中所使用的滾軸4的一例。基板清洗裝置11，亦可清洗基板10(附有電極的基板10)，亦可清洗基板1(支持基板)。以下主要說明清洗附有電極的基板10的情況。

圖7的基板清洗裝置11，係使帶狀的編織物3與用以製造有機EL元件的附有電極的基板10接觸，以藉由編織物3擦拭附有電極的基板10表面的裝置。藉由進行該清洗，來洗淨電極層2。

圖9係顯示在附有電極的基板10上形成有機層13之方法的一例。該方法中，在附有電極的基板10上形成有機層13時，首先，藉由樹脂圖案17(以點狀表示)，在附有電極的基板10上的區域劃分出期望的形狀。之後，在以樹脂圖案17劃分出來的區域18中，塗佈形成有機層13或是其一部份的液狀材料。藉由這樣的步驟，使有機層13的材料按照區域18的劃分而塗布於其上，可得到期望形狀的有機層13。樹脂圖案17可具有堤防的功能。此時，若區域18附著有機物等的異物P，則會造成有機層13的膜厚不均勻，而具有引起有機層13與附有電極的基板10之接合不良的情況。於是，藉由基板清洗裝置11，來清洗附有電極的基板10的表面。

又，圖9中的樹脂圖案17，亦可置換為輔助電極15及絶緣體16。具有輔助電極15及絶緣體16之附有電極之基板10的態樣，顯示於圖2。此情況下亦可進行電極層2的清洗。

圖7所示的基板清洗裝置11具備：滾軸4，其一邊將編織物3按壓於附有電極的基板10上一邊移動；供給捲筒5A，將編織物3供給至滾軸4；回收捲筒5B，從滾軸4捲取編織物3以將其回收。另外，基板清洗裝置11，更具備：支持體8，以可使該捲筒5旋轉的方式，支持上述捲筒5(供給捲筒5A及回收捲筒5B)；驅動部(圖中未顯示)，可使支持體8相對附有電極的基板10進行3維移動。滾軸4，在與編織物3接觸的面上，具有複數的高按壓部40，可局部提高編織物3對基板10的按壓力。

附有電極的基板10，具有由透光性的玻璃所構成的基板1，及堆積於基板1上的電極層2。電極層2，宜以透明電極構成。電極層2上，設有樹脂圖案17，具有既定厚度，並在電極層2上的區域劃分出期望的形狀。將形成有機EL元件的有機層13或是有機層13之一部分的液狀堆積材料31塗佈於以樹脂圖案17劃分出來的區域18。有機層13包含發光層。堆積材料31亦可包含發光材料，亦可為不包含發光材料之層(例如電洞輸送層等)的材料。藉由設置樹脂圖案17，將堆積材料31依照區域18的劃分塗佈，而可得到期望形狀的有機層13。

編織物3，可為藉由適當布材所構成者。例如，編織物3，可藉由使用細纖維的不織布與織物，或是聚酯等的化學纖維來構成。當然，編織物3亦可由該等以外的材料所構成。編織物3的寬度宜為定值。

滾軸4上的編織物3，在擦拭附有電極的基板10表面時或是擦拭前後，藉由供給捲筒5A及回收捲筒5B互相連動旋轉，以置換乾淨的編織物3。例如，在擦拭中使捲筒5旋轉時，可一邊將乾淨的編織物3供給至滾軸4，一邊進行擦拭。此情況中，可提高清洗效果。或是例如，亦可在擦拭時使捲筒5停止，在擦拭後使捲筒5旋轉，以送出既定量的編織物3，以將乾淨的編織物3配置在與附有電極的基板10的接觸部分，然後進行接下來的擦拭。該方法，因為可在一次的擦拭動作中，以編織物3的相同部分擦拭，故可有效利用編織物3。

滾軸4形成略圓柱狀。滾軸4，可為圓柱軸與編織物3的寬度方向一致並按壓於編織物3者。滾軸4，較佳的態樣，係透過阻尼構件安裝於支持體8上(透過為了使按壓於本身附有電極的基板10的力量為定值的阻尼構件等，來進行安裝)。滾軸4，係滑動性及耐藥品性優良的材料，可藉由例如，不銹鋼或聚縮醛(POM)等的硬質橡膠構成。

此處，滾軸4的旋轉方向(圖7的弧形箭號)，可為沿著擦拭方向(圖7的白色箭號)的方向，亦可為與沿著擦拭方向的方向相反的方向。滾軸4的 旋轉方向沿著擦拭方向，係指在將滾軸4視為圓柱的情況中，滾軸4轉動前進的方向，與因為擦拭而使基板清洗裝置11相對附有電極的基板10移動而前進的方向相同。在圖7的例中，滾軸4的旋轉方向，成為沿著擦拭方向的方向。該情況中，若在擦拭時使捲筒5旋轉，在觀察相對位置關係的情況中，因為可一邊將編織物3與基板10往相同方向輸送，一邊以編織物3進行擦拭，故可抑制編織物3在基板10的表面上施加太多的摩擦力。圖7的例中，在編織物3與基板10的接觸部分的編織物3的送出方向，與基板清洗裝置11的擦拭方向，係相反方向。在滾軸4的旋轉與擦拭距離的關係中，藉由滾軸4的旋轉而送出的編織物3的長度，亦可與擦拭的距離相同。該情況下，可說是滾軸4的旋轉與擦拭同步。當然，滾軸4的旋轉亦可不與擦拭同步。此外，圖4的基板清洗裝置11中，滾軸4的旋轉方向，與沿著擦拭方向的方向反向，本態樣中，編織物3的送出方向相反。圖4的例中，編織物3與基板10的接觸部分之編織物3的送出方向，與基板清洗裝置11的擦拭方向，係為相同方向。在圖4的情況中，若在擦拭時送出編織物3，則可藉由編織物3而施予摩擦力，故可提高清洗效果。

如圖8(a)至(c)所示，滾軸4具有高按壓部40。高按壓部40，宜以複數的凸部41構成。藉此，因為可輕易提高按壓力，故可提高清洗效果。圖8中，滾軸4的高按壓部40，係藉由沿著滾軸4的圓柱軸方向延伸的複數帶狀凸部41所構成。圖8(a)中，以T1表示圓柱軸方向。圖8的滾軸4中，雖設置8個以凸部41所構成的高按壓部40，但並未限定高按壓部40的數量。亦可為例如2個、4個、6個、12個等。形成帶狀的高按壓部40，宜沿著滾軸4的圓周等間隔地設置。圖8中，高按壓部40，係沿著滾軸4的圓周，以互相隔著45度的角度的方式設置。

滾軸4，雖並未特別限定其尺寸，但可使沿著其圓柱軸的長度L1為1~10cm，並使其直徑L2為0.1~3cm的大小。另外，高按壓部40的高度H，可為0.1~10mm。具體而言，例如，可使該長度L1約略為4cm，使直徑L2約略為1cm。另外，例如，高按壓部40的高度H，可約略為1mm。

基板清洗裝置11，亦可為具有驅動部者。驅動部，可驅動支持滾軸4及編織物3的支持體8來進行擦拭動作。驅動部，根據設有樹脂圖案17之附有電極的基板10的3維CAD資料等，宜以避免滾軸4及編織物3接觸樹脂圖案17的方式，控制支持體8的移動。

說明藉由圖7的基板清洗裝置11的擦拭動作。基板清洗裝置11，一邊使滾軸4旋轉，一邊使附有電極的基板10朝向圖中的白色箭號的方向移動。此時，滾軸4的高按壓部40，將編織物3強壓於附有電極的基板10。強壓於附有電極的基板10的編織物3，可效率良好的擦拭附著於附有電極的基板10上的異物P。基板清洗裝置11，以避免使滾軸4及編織物3與樹脂圖案17接觸的方式移動，來清洗附有電極的基板10的區域18整體。當然，亦可在基板清洗裝置11固定的狀態下，使附有電極的基板10在與白色箭號相反的方向上移動，藉此使基板清洗裝置11與附有電極的基板10相對移動。簡而言之，支持體8所支持的編織物3與附有電極的基板10，只要其位置關係在横向(擦拭方向)上相對地移動，即可進行擦拭。

根據本實施態樣的基板清洗裝置11，因為在滾軸4與編織物3接觸的面上設有高按壓部40，故增強編織物3對於附有電極之基板10的按壓力，而可效率良好地藉由編織物3去除附有電極的基板10表面的異物P。藉由設置這樣的高按壓部40，而不需要進行為了提升基板清洗裝置11整體之按壓力的大幅度的改造，可以簡單的構成得到高清洗效果。另外，以避免與附有電極的基板10上的樹脂圖案17接觸的方式控制滾軸4及編織物3。因此，可抑制給予樹脂圖案17損傷的情況。

此外，圖7中雖顯示具有一個滾軸4之基板清洗裝置11的態樣，但基板清洗裝置11亦可具有複數滾軸4。具有複數滾軸4的態樣，可使用該如圖4所示的態樣。亦即，圖4的基板清洗裝置11中，亦可適用具有如圖8所示之具有高按壓部40的滾軸4。藉此，可提高清洗效果。

圖10係基板清洗裝置11的一例。圖10的基板清洗裝置11，係在圖7 的裝置中，設置液體供給部6，此點與圖7的裝置相異。此外與圖7之裝置的構成相同。

本態樣的基板清洗裝置11，具備清洗液供給部6A，對編織物3供給清洗液。清洗液供給部6A，具有下述功能：對從捲筒5供給至滾軸4的編織物3吐出清洗液。清洗液供給部6A，對位於滾軸4與供給捲筒5A之間的編織物3吐出清洗液。藉由設置清洗液供給部6A，使編織物3含有清洗液，可效率良好地從附有電極的基板10上去除異物P。另外，藉由使用清洗液，可抑制因為編織物3的擦拭動作而給予附有電極的基板10損傷的情況。

圖10的基板清洗裝置11中，設有將編織物3含浸至清洗液或是將清洗液噴灑至編織物3的液體供給部6A。圖10中以虛線箭號表示清洗液的流動。藉由清洗液，可有效率地進行附有電極的基板10的清洗，並且可在清洗過程中，避免造成附有電極的基板10之損傷。清洗液可為例如：從水、醇、酸、鹼等溶液中所選擇的洗劑。較佳的態樣，係使用上述電極層2的清洗中所說明的清洗液來作為清洗液。

本態樣的基板清洗裝置11中，液體供給部6係由清洗液供給部6A所構成。清洗液供給部6A，具有：配管62，成為清洗液的流路；吐出口61，設於配管62的端部，朝向編織物3吐出清洗液。清洗液供給部6A，亦可具有：儲存槽，儲存清洗液；泵，將清洗液從該儲存槽取出以導入配管62內。宜以支持體8支持清洗液供給部6A。此時，宜以支持體8支持配管62。吐出口61，宜與從供給捲筒5A供給至滾軸4的編織物3鄰接配置。吐出口61中，亦可設置對編織物3滴下清洗液的滴下噴嘴，或是對編織物3噴灑清洗液的噴霧噴嘴。清洗液的滴下或是噴灑，宜與因為供給捲筒5A及回收捲筒5B的旋轉所導致的滾軸4上之編織物3的更換連動進行。

根據本態樣的基板清洗裝置11，因為藉由包含清洗液的編織物3來清洗附有電極的基板10，可更有效且不傷及附有電極的基板10地清洗附有電 極的基板10。另外，藉由以支持體8支持配管62，可在一體化的狀態下將清洗液供給部6A設於裝置中，而因為使基板清洗裝置11縮小化，而可構成易於操作的大小。

又，圖10的基板清洗裝置11中，當然亦可設置複數滾軸4。以下的實施態樣(基板清洗裝置11的變形例)中，亦同樣可設有複數滾軸4。

圖11係顯示基板清洗裝置11所使用之滾軸4的一例(滾軸4a)。該滾軸4a，可使用於上述說明的任一基板清洗裝置11。圖11(a)中，以T2表示滾軸4a的旋轉方向。

滾軸4中，以複數的凸部41構成高按壓部40的情況中，宜將該複數之凸部41相對於滾軸4的旋轉方向交錯配置。藉此，可有效提高按壓力，進而可提升清洗力。

圖11所示的滾軸4a中，構成高按壓部40的複數之凸部41，分別大致形成立方體形狀，且相對滾軸4的旋轉方向交錯配置。藉此，可得到與上述基板清洗裝置11相同的效果，可將擦拭留下的清洗後的殘渣減少，並進行均勻地清洗。圖11的滾軸4a中，與圓柱軸方向平行的方向並列的複數之凸部41的列，係以與相鄰列中之凸部41的位置錯開的方式設置在滾軸4的圓周上，藉此形成高按壓部40。又，凸部41的形狀，可為直方體形狀，亦可為角柱狀，或當然亦可為圓柱狀。另外，亦可為錐台狀。

圖12(a)係顯示基板清洗裝置11所使用之滾軸4的一例(滾軸4b)。該滾軸4b，可用於上述所說明之任一基板清洗裝置11。亦即，可應用於具有清洗液供給部6A的裝置。另外，亦可適用於在擦拭方向上具有複數滾軸4的裝置。

滾軸4的高按壓部40，宜分別配置於滾軸4的兩端部。藉此，可提高在擦拭圖案20之邊界部分的擦拭性能，而提高清洗效果。圖12(a)的滾軸 4b中，高按壓部40形成於兩端部。

圖12(a)的滾軸4b，形成其兩端部的厚度稍微比中央部的厚度更厚的形狀，而該兩端部具有作為高按壓部40的功能。從高按壓部40到中央部，形成平緩傾斜的形狀。滾軸4，可形成例如，兩端部的厚度在0.01至0.5mm的範圍內比中央部的厚度更厚的形狀。圖12(a)中，以D表示滾軸4的兩端部與中央部之厚度差。又，滾軸4的兩端部與中央部的厚度差，並不限定於此，亦可根據編織物3的厚度及種類進行適當調整。

圖12(a)的滾軸4，藉由形成上述形狀，可在其中央部，以既定的按壓力，將編織物3按壓於附有電極的基板10，且在其兩端部，以比施於中央部更強的力量，將編織物3按壓於附有電極的基板10。

圖12(b)係顯示以圖12(a)的滾軸4b進行擦拭的態樣。在具有滾軸4b的基板清洗裝置11中，以擦拭圖案20的圖案擦拭基板10。擦拭圖案20以外的部分，成為無法擦拭的區域21。圖12(b)中，以點狀表示無法擦拭的區域21。另外，以箭號表示擦拭方向。如圖12(b)所示，使用滾軸4b擦拭附有電極的基板10的情況中，因為高按壓部40配置於滾軸4的兩端部，故到擦拭圖案20的緣部22為止，可充分地進行擦拭。

圖13(a)係顯示滾軸4的另一例(滾軸4x)。該滾軸4x，其兩端部與中央部之間厚度並無差異，不具有高按壓部40。因此，如圖13(b)所示，使用滾軸4x擦拭的情況中，滾軸4x的兩端部中編織物3對於附有電極的基板10的按壓力有變弱得傾向，故具有在緣部22產生擦拭後之殘留(以深色點狀表示)的情況。

因此，圖12(a)所示的滾軸4b，其擦拭性能比圖13(a)所示的滾軸4x更高。如此，若使用圖12(a)的滾軸4b，因為可充分擦拭到擦拭圖案20的緣部22，故可提升清洗效果。

此外，將滾軸4的高按壓部40分別配置於滾軸4之兩端部的態樣，如圖8及圖11的態樣，亦可以複數的凸部41構成高按壓部40。該情況中，只要將複數之凸部41中的一部分配置於滾軸4的兩端部即可。藉此，可提高兩端部的擦拭性能。

圖14係基板清洗裝置11中所使用之滾軸4的一例(滾軸4c)。該滾軸4c，可使用於上述說明的任一基板清洗裝置11。亦即，可應用於具有清洗液供給部6A的裝置。另外，亦可將滾軸4應用於具有複數擦拭方向的裝置。

圖14的滾軸4c，其兩端部分別具有高按壓部40(以點狀表示)。該等各高按壓部40，與滾軸4c的其他部分相比，係以彈性係數較大的材料構成。因此，高按壓部40比其他部分更硬。高按壓部40，可由例如不銹鋼構成，而滾軸4c的其他部分，可由例如，硬質橡膠構成。又，構成高按壓部40及滾軸4c的其他部分之材料的彈性係數，可根據編織物3的厚度與種類適當調整。

如此，滾軸4中，高按壓部40，與滾軸4的其他部分相比，宜以彈性係數較大的材料構成。藉此，可輕易地提高按壓力，而可提升擦拭性能。

圖14的滾軸4c中，滾軸4c的中央部分並未凹陷，在圓柱軸方向上垂直的剖面中，在兩端部之圓的大小與中央部之圓的大小略為相同。藉由如此構成的滾軸4c，不需要加工成為如圖12(a)之滾軸4b這樣複雜且微妙的形狀，就可給予滾軸4b相同的效果。亦即，滾軸4c中，因為中央部分柔軟而兩端部分較硬，在按壓時，中央部分容易些許凹陷，而可以接近圖12(a)之滾軸4b的形狀進行擦拭。當然，如圖12(a)所示，除了使滾軸4的兩端部的厚度大於中央部的厚度，亦可更使兩端部的彈性係數大於其以外的部分。又，圖例中，滾軸4c雖係由高按壓部40及其以外的部分的2個部分所構成，但為了防止層間材料的彈性係數急據變化，亦可以3個以上的部分構成。

此外，與滾軸4的其他部分相比，滾軸4的高按壓部40以彈性係數較大的材料構成的態樣，亦可為如圖8及圖11的態樣，藉由複數之凸部41構成高按壓部40的情況。該情況中，可以彈性係數比凸部41以外的部分更大的材料，構成複數之凸部41。如此，複數的凸部41比其以外的部分更硬。藉此，可提高按壓力。

圖15(a)係顯示基板清洗裝置11所使用之滾軸4的一例(滾軸4d)。該滾軸4d，可用於上述說明的任一基板清洗裝置11。亦即，可適用於具有清洗液供給部6A的裝置。另外，亦可適用於在擦拭方向具有複數滾軸4的裝置。

如圖15(a)所示，滾軸4d，係在2個上述的滾軸4c之間設置溝部42，並藉由圓柱狀的支持棒43互相連結者。溝部42，係相對於和滾軸4d的旋轉軸Ax垂直的方向平行地形成。

如圖15(b)所示，使用滾軸4d擦拭附有電極的基板10的情況中，可同時形成2個矩形的擦拭圖案20。因此，可提高擦拭性能。擦拭圖案20的形狀，係對應滾軸4c的形狀。非擦拭區域21的形狀，係對應溝部42的形狀。

根據圖15(a)的滾軸4d，因為可同時得到複數的擦拭圖案20，故與逐一形成擦拭圖案20的情況相比，可效率良好地進行擦拭。又，圖例中，滾軸4d雖係具有2個滾軸4c者，但亦可為具有3個以上之滾軸4c者，亦可為具有種類相互不同之複數滾軸4者。複數設置滾軸4的情況中，可以在旋轉軸方向上並排的方式配置滾軸4。此時，隔著間隔配置相鄰的滾軸4，亦可設置溝部42。又，旋轉軸方向與圓柱軸方向相同。

如此，滾軸4之外側，宜具有與相對於和自身旋轉軸垂直之方向平行地形成的溝部42。藉此，可配合欲進行擦拭的圖案進行擦拭，而可效率良 好地進行擦拭。另外，溝部42的形狀，宜與不進行擦拭的基板10的圖案(非擦拭區域21)對應。藉此，可以期望的圖案進行擦拭。

圖16(a)至(c)為用於基板清洗裝置11的滾軸4的一例(滾軸4e)。該滾軸4，亦可使用於上述說明的任一基板清洗裝置11。亦即，可適用於具有清洗液供給部6A的裝置。另外，亦可適用於在擦拭方向上具有複數滾軸4的裝置。

如圖16(a)至(c)所示，滾軸4e，係在2個滾軸4f之間，設置溝部44，並藉由支持棒43相互連結者。溝部44，相對於和滾軸4e之旋轉軸Ax垂直的方向形成楔型。2個滾軸4f，在側視(參照圖16(a))，分別形成具有上邊45及下邊46(底邊)的倒立梯形，並以相同的週期互相固定於支持棒43。

滾軸4f中，高按壓部40設於其兩端部。該高按壓部40，亦可以彈性係數較大的材料形成。

圖16(b)係顯示從圖16(a)的I方向觀察滾軸4e、4f的圖，圖16(c)係從圖16(a)的II方向觀察滾軸4e、4f的圖。因此，若圖16(a)所示的滾軸4f旋轉，則可變化擦拭寬度。

圖16(d)係顯示使用圖16(a)所示之滾軸4e、4f來擦拭基板表面之情況的擦拭圖案20的俯視圖。如圖16(d)所示，若將滾軸4e從相當於上邊45的部分至相當於下邊46的部分旋轉180度，可同時得到2個倒立梯形的擦拭圖案20。如此，可調整滾軸4e的形狀及滾軸4e在附有電極的基板10上的旋轉角度，而可得到具有期望形狀的擦拭圖案20。

如此，滾軸4，其外側宜具有相對於和自身旋轉軸垂直之方向形成楔型的溝部44。藉此，可配合欲進行擦拭的圖案來進行擦拭，而能夠效率良好地進行擦拭。另外，溝部44的形狀，宜與不擦拭基板10的圖案(非擦拭區域21)對應。藉此，可以期望的圖案進行擦拭。

又，在使用圖16(a)的滾軸4e時，在使用固定寬度之編織物3的情況中，為了得到期望的擦拭圖案20，故宜按照滾軸4f的形狀，將編織物3按壓於附有電極的基板10。作為編織物3，可使用與滾軸4f的最大寬度相同或是比其略寬者。另外，圖16(a)的滾軸4e中，作為編織物3，亦可配合滾軸4f的形狀，使用形狀為複數梯形之上底與下底交互連續並排的編織物3。此情況中，編織物3可為波狀的編織物3。

圖17係基板清洗裝置11的一例。該圖中顯示使用具有可作為滾軸4更換的滾軸4g之基板清洗裝置11來進行清洗的態樣。該滾軸4，可使用於上述說明的任一基板清洗裝置11。

圖17的基板清洗裝置11，具備可更換的滾軸4g。滾軸4g的大小及形狀，可對應基板清洗裝置11的使用目的適當選擇。基板清洗裝置11，例如，具備將圖8所示的滾軸4小型化的滾軸4g。藉由使用這種較小型的滾軸4，與使用較大型的滾軸4的情況相比，可擦拭清洗至更接近樹脂圖案17的位置。若將藉由小型滾軸4來擦拭清洗接近樹脂圖案17之位置，及藉由大型滾軸4來擦拭清洗區域18的中央區域組合，則可效率良好地清洗區域18。此時，藉由更換滾軸4，可使用相同的基板清洗裝置11效率良好地進行清洗。先進行藉由小型滾軸4的清洗或是藉由大型滾軸4的清洗皆可，例如，可在藉由小型滾軸4之清洗後進行藉由大型滾軸4的清洗，或是，亦可在藉由大型滾軸4的清洗後，進行藉由小型滾軸4的清洗。

根據圖17的基板清洗裝置11，因為可更換滾軸4g，故可對應基板清洗裝置11的使用目的適當更換滾軸4g，進而提升操作性能。

上述的基板清洗裝置11，亦可使用在擦拭去除堆積材料31的情況中。該情況中，可有效地去除堆積材料31。堆積材料31，係在有機EL元件的製造過程中，堆積於基板1上的材料。

圖18係擦拭堆積材料31的一例，圖18(a)係顯示擦拭前的附有電極的基板10，圖18(b)係顯示擦拭後的附有電極的基板10。堆積材料31亦可以擦拭的方式去除。堆積材料31，可為具有發光材料者，亦可為不具有發光材料者。堆積材料31，宜為形成構成有機層13的全部或是一部分之膜層的材料。另外，堆積材料31亦可為上述的樹脂圖案17的材料。另外，堆積材料31亦可為上述的絶緣體16的材料。藉由擦拭堆積材料31，來去除堆積材料31，而可將堆積材料31圖案化。在擦拭去除中，例如，如圖18(a)所示，在附有電極的基板10上塗佈堆積材料31(以點狀表示)之後，以編織物3擦拭圖18(b)所示之堆積材料31中不需要的部分。藉此，可將堆積材料31圖案化，而可形成期望之圖案的堆積材料31的膜層。此外，在使用圖18之擦拭方法將有機層13(或是其一部份)圖案化的情況中，亦可在不設置如圖9所示之樹脂圖案17的情況下，進行圖案化。

圖19係將基板清洗裝置11用於擦拭去除堆積材料31的一例。基板清洗裝置11，可稱為擦拭去除裝置。該圖中，雖顯示了圖7的基板清洗裝置11，但基板清洗裝置11及滾軸4當然亦可為其他態樣。

如圖19所示，基板清洗裝置11，藉由編織物3以期望的圖案來擦拭塗布於附有電極的基板10的表面上的堆積材料31，可將堆積材料31圖案化。基板清洗裝置11，亦可更包含：刮刀，從擦拭堆積材料31後的編織物3上刮除堆積材料31；及回收槽，回收以該刮刀所刮除的堆積材料31。

在使用基板清洗裝置11來擦拭去除堆積材料31的情況中，宜使用從圖12(a)、圖14、圖15(a)，及圖16(a)的滾軸4中所選擇的任一者。該等滾軸4，因為在兩端部具有高按壓部40，故可抑制堆積材料31在擦拭後殘留於邊緣部22。

圖12(a)的滾軸4b中，如圖12(b)所示，在使用滾軸4b來擦拭附有電極的基板10上的堆積材料31(以點狀表示)的情況(以箭號表示擦拭方向)中，可充分地擦拭堆積材料31至擦拭圖案20的邊緣部22為止。因此，可提升 堆積材料31的圖案化精度。

圖14的滾軸4c中，不需要如圖12(a)的滾軸4b之複雜且微妙的形狀加工，亦可具有和滾軸4b相同的效果，而可以良好的圖案精度來擦拭堆積材料31。

圖15(a)的滾軸4d中，具備複數滾軸4。因此，因為可同時得到複數擦拭圖案20，與逐一形成擦拭圖案20的情況相比，可縮短圖案化所需的時間。

圖16(a)的滾軸4f中，從相當於上邊45的部分至相當於下邊46的部分旋轉180度，可同時得到2個倒立梯形的擦拭圖案20。因此，可輕易得到具有期望形狀的擦拭圖案20，而可擦拭並去除堆積材料31。另外，在具有複數滾軸4f的滾軸4e中，因為可同時以複數擦拭圖案20去除堆積材料31，故可效率良好地進行堆積材料31的圖案化。

如圖15及圖16所示，滾軸4，其外側宜具有相對於和自身旋轉軸垂直的方向平行的溝部42或是形成楔型的溝部44。藉此，可配合堆積材料31的圖案形狀，效率良好地進行擦拭。另外，溝部42的形狀，宜與形成於基板10上的圖案(堆積材料31的圖案)對應。藉此，可以期望的圖案進行擦拭，而有效率地進行堆積材料31的圖案形成。

圖20顯示將基板清洗裝置11作為擦拭去除裝置使用之情況的一例。該基板清洗裝置11，係與如圖17所示的基板清洗裝置11相同的構成，而滾軸4係作為可更換的滾軸4所構成。

圖20的基板清洗裝置11，具備可更換的滾軸4g，滾軸4g的大小及形狀可對應基板清洗裝置11的使用目的適當選擇。如圖20所示，基板清洗裝置11，具備例如，將圖7之基板清洗裝置11的滾軸4小型化的滾軸4g。藉由使用這種小型滾軸4g，可進行更細微的堆積材料31的圖案化。

此外，再藉由基板清洗裝置11來進行擦拭去除的情況中，亦可設置清洗液供給部6A。藉此，因為可藉由清洗液的作用來擦拭堆積材料31，故可提高擦拭性能。另外，亦可在擦拭方向上具有複數滾軸4。

圖21係顯示基板清洗裝置11之一例，係顯示使用基板清洗裝置11來清洗基板10之態樣的一例。

基板清洗裝置11，宜具備紫外線光源7，對基板10局部照射紫外線。紫外線光源7，宜與滾軸4一起相對基板10移動。滾軸4，宜使編織物3接觸基板10上經來自紫外線光源7的紫外線照射的區域U。如此，藉由紫外線照射，可使異物P對於附有電極的基板10的附著性變弱，之後可以編織物3擦拭而去除異物P。因此，可有效地去除異物P，提高清洗效果。

紫外線光源7被支持於支持體8。紫外線光源7，與滾軸4鄰接配置，朝向附有電極的基板10上的區域U照射紫外線(圖1中以虛線箭號表示光路)。該紫外線照射後，滾軸4可使編織物3接觸區域U。

紫外線光源7，宜將紫外線照射於編織物3的整個寬度上。藉此，可減弱存在於以編織物3所擦拭之區域的異物P對於附有電極的基板10的附著性，而可效率良好地進行擦拭清洗。當然，紫外線光源7亦可不將紫外線照射於編織物3的整個寬度，而是將紫外線作為點光源來進行照射。此情況中，可局部地提高清洗效果。

圖22係顯示圖21的基板清洗裝置11的滾軸4附近的態樣。如圖21及圖22所示，紫外線光源7，具有：紫外線燈71，將紫外線照射至編織物3的整個寬度；框體72，收納紫外線燈71。紫外線燈71，係由線狀的水銀燈或準分子UV燈等所構成。框體72，具有在附有與電極的基板10相對的面上，沿著編織物3的寬度方向延伸的細長的縫隙73。從紫外線燈71射出的紫外線，通過縫隙73局部地照射到附有電極的基板10的區域U。又， 亦可在紫外線燈71的周圍設置反射板，以反射來自紫外線燈71的紫外線，而使更多的紫外線從縫隙73射出。

基板清洗裝置11，亦可具有控制支持體8之移動的驅動部。驅動部，例如，可根據設有樹脂圖案17之附有電極的基板10的3維CAD資料等，控制支持體8。例如，驅動部，宜以將來自紫外線光源7的紫外線照射至樹脂圖案17的方式，來進行移動支持體8的控制。另外，驅動部，宜以不使滾軸4接觸樹脂圖案17的方式，來控制支持體8的移動。另外，亦可控制紫外線光源7的開啟及關閉，在樹脂圖案17成為被紫外線照射的位置時，關閉紫外線的照射。

如圖22的滾軸4所示，滾軸4中，亦可在其兩端部形成以彈性係數較大的材料所形成的高按壓部40。當然，高按壓部40的態樣並不限定於此。另外，基板清洗裝置11，亦可為在不具有高按壓部40的情況下，具有紫外線光源7的構成。例如，在圖21及圖22的態樣中，亦可從滾軸4移除高按壓部40。或是，亦可在圖4的基板清洗裝置11中設置紫外線光源7。該等情況中，亦可藉由紫外線的作用來提高清洗效果。

以下說明圖21的基板清洗裝置11的動作。基板清洗裝置11，在附有電極的基板10上，以來自紫外線光源7的紫外線對區域U進行局部照射，藉此減弱存在區域U內的異物P對於附有電極的基板10的附著性之後，以編織物3擦拭區域U。基板清洗裝置11，一方面避免來自紫外線光源7的紫外線照射樹脂圖案17，一方面重複該動作以移動至附有電極的基板10上，藉此清洗區域18整體。當然，基板清洗裝置11與附有電極的基板10亦可以横向錯開的方式相對移動，可使基板清洗裝置11本身在擦拭方向上移動，亦可在基板清洗裝置11固定的狀態下，使附有電極的基板10在横向(與擦拭方向相反的方向)上移動。

根據圖21的基板清洗裝置11，對附有電極的基板10上的區域U照射來自紫外線光源7的紫外線，藉此減弱區域U內的異物P對於附有電極的 基板10的附著性之後，以編織物3擦拭區域U來去除異物P。此時，來自紫外線光源7的紫外線僅照射區域U而不照射樹脂圖案17。因此，並不會對於樹脂圖案17有所影響，而可效率良好地去除附著於附有電極的基板10上的異物P。另外，因為紫外線光源7對於編織物3的整個寬度照射紫外線，故可減弱存在於以編織物3所擦拭之區域的異物P對於附有電極的基板10的附著性。又，圖21中，當然亦可在擦拭方向上設置複數滾軸4。

圖23係表示基板清洗裝置11的一例。圖23的基板清洗裝置11，係在圖21的基板清洗裝置11中，更設置對編織物3吐出清洗液的清洗液供給部6A。以虛線箭號表示清洗液的流動。清洗液，可為含浸於編織物3或是噴撒於編織物3者。清洗液供給部6A被支持體8所支持。清洗液供給部6A設於紫外線光源7。配管62被支持體8所支持。清洗液，可有效地進行附有電極的基板10的清洗，另外，係用於避免在清洗過程中損及附有電極的基板10。清洗液，可為例如從水、醇、鹼及酸等所選擇的洗劑液。另外，作為清洗液，亦可使用如上述說明的清洗液。清洗液供給部6A的構成，與圖10的態樣相同。

根據圖23之基板清洗裝置11，除了擦拭作用，可藉由紫外線與清洗液的作用，更有效地去除異物P，而可提高清洗效果地清洗附有電極的基板10。另外，藉由以支持體8支持配管62，可在使裝置一體化的狀態下設置清洗液供給部6A，而藉由基板清洗裝置11小型化，可構成易於操作的大小。又，圖23中，當然亦可在擦拭方向上設置複數滾軸4。

圖24係顯示基板清洗裝置11的一例。圖24的基板清洗裝置11，係將具有以複數之凸部41所構成的高按壓部40的滾軸4應用於圖21之裝置者。

圖25係顯示基板清洗裝置11的一例。圖25的基板清洗裝置11，係將具有以複數之凸部41所構成之高按壓部40的滾軸4應用於圖23之裝置者。

如圖24及圖25所示，在具有紫外線光源7的基板清洗裝置11中，滾軸4可適當採用上述說明的各態樣。此時，滾軸4，亦可為在其表面上具有凸部41的形狀，藉由設置這樣的凸部41，可增大給予基板10之滾軸4的壓力，而提高清洗效果。藉由使用具有高按壓部40的滾軸4，可提高清洗效果與擦拭性能。又，圖24及圖25中，當然亦可在擦拭方向設置複數滾軸4。

圖26係顯示基板清洗裝置11的一例，該圖中顯示滾軸4的附近。

紫外線光源7，具有照射紫外線的LED74為較佳之一態樣。藉此可將裝置小型化。

圖26的基板清洗裝置11中，紫外線光源7的構成與上述的基板清洗裝置11不同，作為紫外線燈71的替代，具有照射紫外線的UV-LED74。圖例中，以各光軸朝向縫隙73的方式配置3個UV-LED74。又，亦可更設置透鏡，以對從各UV-LED74射出的紫外線進行配光控制，而成為相對UV-LED74的光軸平行的光。根據此態樣，因為使用比紫外線燈71小型的UV-LED74，可將紫外線光源7小型化，而可將裝置縮小。

此處，上述基板清洗裝置11中所使用的滾軸4之中，滾軸4與編織物3的密合性低的情況下，編織物3可能在旋轉軸方向(圓柱軸方向)上從滾軸4偏離。編織物3在旋轉軸方向上偏離係定義為横向偏離。若發生横向偏離，則編織物3的一部未與滾軸4接觸，具有滾軸4的表面露出的可能性。另外，亦有編織物3從滾軸4脫落而產生脫線的情況。於是，滾軸4中，與編織物3接觸的部分，宜具有横向偏離抑制構造51，以抑制編織物3横向偏離。藉由設置横向偏離抑制構造51，可抑制編織物3的横向偏離，而確實地進行擦拭。

圖27係顯示滾軸4的一例，(a)係使編織物3接觸滾軸4之態樣的立體 圖，(b)係將滾軸4的表面部分放大的剖面圖。圖27顯示設有横向偏離抑制構造51的滾軸4。

藉由將滾軸4的表面粗糙化來形成横向偏離抑制構造51，係較佳的一個態樣。圖27的滾軸4中，按壓編織物3的滾軸4的外側表面被粗糙化。圖27(a)中，粗糙化的部分以點狀表示。該滾軸4，可為具有高按壓部40者。例如，可如圖14、圖15等，以在兩端部具有高按壓部40的滾軸4，來構成滾軸4。若滾軸4的表面粗糙化，可使編織物3與滾軸4的摩擦力增大，而抑制編織物3相對滾軸4發生横向偏離(在圓柱軸方向上偏離)。設於滾軸4表面上的粗糙化程度，宜為例如，表面粗糙度Ra形成10μm以上。藉此，可更有效地抑制横向偏離。表面粗糙度Ra的上限並未特別限定，但可為例如，Ra在1000μm以下。

圖28係顯示滾軸4的一例，(a)係編織物3與滾軸4接觸之態樣的立體圖，(b)係將滾軸4的表面部分放大的剖面圖，(c)為滾軸4的側視圖。圖28中，顯示設有横向偏離抑制構造51的滾軸4。橫移抑制構造51，係由峰谷構造52所形成。又，為了輕易瞭解表面的峰谷構造52，在圖28(a)~(c)的各圖中變更峰谷的數量，但其亦可為與峰谷構造52相同。

橫移抑制構造51，係將在周向上延伸的複數峰52a與谷52b沿著旋轉軸方向交互配置的峰谷構造52設於滾軸4的表面上所形成，此為較佳之一態樣。圖28中，在按壓編織物3的滾軸4的外側表面上，設有峰谷構造52。該滾軸4，亦可具有高按壓部40。例如，可如圖14、圖15等，以兩端部具有高按壓部40的滾軸4來構成滾軸4。若滾軸4的表面上設有峰谷構造52，則可藉由複數的峰52a將編織物3拉至滾軸4，而可抑制編織物3相對於滾軸4的橫移(在圓柱軸方向上的偏離)。峰谷構造52的高度(從谷底至峰頂，在與滾軸4表面垂直的方向上的距離)，宜小於編織物3的厚度。峰谷構造52的高度可為例如，0.03~0.3mm。峰谷構造52中的峰52a及谷52b，宜在圓柱軸方向上，以固定間隔排列。例如，峰谷構造52的間隔，可為0.05~1mm。峰谷構造52中，宜在編織物3的寬度內具有三個以上的峰52a。藉此，可進一步抑制橫移。

又，橫移抑制構造51，亦可以峰谷構造52及粗糙化兩者構成。例如，亦可在形成有峰谷構造52的滾軸4表面更使其粗糙化，藉此形成橫移抑制構造51。

此外，圖27及圖28中，雖顯示未以複數之凸部41構成高按壓部40的態樣，但亦可在具有以複數之凸部41所構成之高按壓部40的滾軸4中，設置上述的橫移抑制構造51。此情況中，可更有效地抑制編織物3的橫移，而提高清洗效果。在具有以複數之凸部41所構成的高按壓部40的情況中，宜在凸部41的表面上，設置橫移抑制構造51。例如，藉由使凸部41的表面粗糙化，可設置橫移抑制構造51。或是例如，藉由在凸部41的表面上設置峰谷構造52，可設置橫移抑制構造51。當然，在以高按壓部40構成複數之凸部41的情況中，橫移抑制構造51亦可設於滾軸4的整個表面。藉由設於滾軸4的整個表面，在凸部41以外的部分與編織物3接觸的情況中，亦可抑制横向偏離的情況，故更能夠抑制橫移。

【實施例】

(擦拭清洗步驟)

使用圖4所示的基板清洗裝置11，來進行圖2所示的電極基板10之清洗。

(基板清洗裝置11)

搬送速度(擦拭速度)為200mm/sec。

對基板表面的按壓力為500kPa。

使用SAVINA WIPING編織物作為編織物3。

編織物3的輸出速度為15mm/sec。

使用有機胺系鹼水溶液(pH12，「Semico Clean 56」，Furuchi化學股份有 限公司製)作為清洗液。

使用純水作為中性溶液。

(電極基板10)

使用在玻璃基板(700μm，210×180mm)的表面上，形成面狀的ITO薄膜(0.15μm)，ITO薄膜的外側邊緣設有輔助電極15與絶緣體16的電極基板10。

(實施例1)

藉由基板清洗裝置11來清洗電極基板10的ITO薄膜。

之後，形成電洞注入層，並依序形成包含發光層的其他有機層13、第2電極14，以製作有機EL元件。

(比較例1)

不進行電極基板10的擦拭清洗，而以與實施例1相同的材料及方法，製作有機EL元件。

(結果)

以顯微鏡觀察擦拭清洗前後的電極基板10的表面時，擦拭清洗之前的ITO薄膜表面上，可觀察到有機光阻材料所造成的異物P，相對於此，擦拭清洗之後的ITO薄膜表面上，並未觀察到這樣的異物P。

比較有機EL元件的性能，在比較例1的有機EL元件觀察到暗點，並產生短路缺陷。相對於此，實施例1的有機EL元件，並未產生暗點及短路缺陷。

1‧‧‧基板

2‧‧‧電極層

2a‧‧‧外緣部

3‧‧‧編織物

3a‧‧‧擦拭部

10‧‧‧附有電極的基板

15‧‧‧輔助電極

16‧‧‧絶緣體

P‧‧‧異物

Claims (20)

1. 一種有機電致發光元件之製造方法，係在形成於基板上的電極層上堆積有機層，以製造有機電致發光元件，其特徵為包含：藉由滲入有清洗液的編織物來擦拭並清洗該電極層表面的步驟；及在清洗後的該電極層上堆積該有機層的步驟。
2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件之製造方法，其中，該編織物可供給潔淨的部位，以使擦拭部保持潔淨。
3. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件之製造方法，其中，進行多次藉由該編織物的擦拭。
4. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件之製造方法，其中，使用鹼性溶液與酸性溶液作為該清洗液；清洗該電極層的步驟包含：藉由滲入有該鹼性溶液的該編織物來擦拭清洗該電極層表面的步驟；以及藉由滲入有該酸性溶液的該編織物來擦拭清洗該電極層表面的步驟。
5. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件之製造方法，其中，該清洗液包含有機胺類。
6. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件之製造方法，其中更包含：在藉由該編織物進行擦拭之後，以中性溶液清洗的步驟。
7. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件之製造方法，其中，藉由該編織物的擦拭係在加熱狀態下進行。
8. 一種基板清洗裝置，使帶狀的編織物接觸於基板上而擦拭該基板表面，其特徵為包含：滾軸，一邊將該編織物按壓於該基板上一邊移動；及捲筒，將該編織物供給至該滾軸；該滾軸，在與該編織物接觸的面上，具有局部提高該編織物對該基板之按壓力的高按壓部。
9. 如申請專利範圍第8項之基板清洗裝置，其中更包含：清洗液供給部，將清洗液供給至該編織物； 該清洗液供給部，將該清洗液吐出至從該捲筒供給至該滾軸的該編織物。
10. 如申請專利範圍第8項之基板清洗裝置，其中，該高按壓部係由複數之凸部所構成。
11. 如申請專利範圍第10項之基板清洗裝置，其中，該複數之凸部係相對於該滾軸的旋轉方向交錯配置。
12. 如申請專利範圍第8項之基板清洗裝置，其中，該高按壓部分別配置於該滾軸的兩端部。
13. 如申請專利範圍第8項之基板清洗裝置，其中，該高按壓部係由彈性係數較該滾軸的其他部分為大的材料所構成。
14. 如申請專利範圍第8項之基板清洗裝置，其中，於該滾軸的外側具有溝部，該溝部相對於和該滾軸自身之旋轉軸垂直之方向平行或是形成楔型；該溝部的形狀，係與基板中不進行擦拭的圖案對應。
15. 如申請專利範圍第8項之基板清洗裝置，其中，該滾軸在與該編織物接觸的部分具有橫移抑制構造，以抑制該編織物之橫移。
16. 如申請專利範圍第15項之基板清洗裝置，其中，該橫移抑制構造，係藉由使該滾軸的表面粗糙化所形成。
17. 如申請專利範圍第15項之基板清洗裝置，其中，該橫移抑制構造，係藉由於該滾軸的表面上設置峰谷構造而形成，該峰谷構造係將在周向上延伸的複數峰與谷沿著旋轉軸方向交互配置。
18. 如申請專利範圍第8項之基板清洗裝置，其中更包含：紫外線光源，對該基板局部照射紫外線；該紫外線光源，與該滾軸一起相對於該基板移動；該滾軸，使該編織物與該基板上之由來自該紫外線光源的紫外線所照射之區域相接觸。
19. 如申請專利範圍第18項之基板清洗裝置，其中，該紫外線光源，對該編織物的整個寬度照射紫外線。
20. 如申請專利範圍第18項之基板清洗裝置，其中， 該紫外線光源，具有照射紫外線的LED。