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WO2012063343A1 - 粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープ - Google Patents

粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープ Download PDF

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WO2012063343A1
WO2012063343A1 PCT/JP2010/070072 JP2010070072W WO2012063343A1 WO 2012063343 A1 WO2012063343 A1 WO 2012063343A1 JP 2010070072 W JP2010070072 W JP 2010070072W WO 2012063343 A1 WO2012063343 A1 WO 2012063343A1
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WO
WIPO (PCT)
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adhesive layer
film
pressure
adhesive film
adhesive
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2010/070072
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English (en)
French (fr)
Inventor
真沙美 青山
石渡 伸一
泰正 盛島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to CN2010800698742A priority patent/CN103189459A/zh
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • H10W72/013
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    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H10W72/073
    • H10W72/30
    • H10W72/325
    • H10W72/351
    • H10W72/354

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive film and a semiconductor wafer processing tape used to manufacture a semiconductor device by cutting a semiconductor wafer into semiconductor chips.
  • the semiconductor wafer processing tape is cut (diced) into chips using a dicing blade, the semiconductor wafer processing tape is expanded, A step of picking up the cut chip together with the adhesive layer from the pressure-sensitive adhesive layer, and a step of mounting the chip on a substrate or the like via the adhesive layer attached to the chip are performed.
  • the adhesive layer becomes soft by absorbing moisture in the air during transportation or storage, and the machinability may be reduced.
  • whisker-like cutting waste is generated at the time of dicing, and these cutting wastes are diced together with the cutting waste of the base film or the adhesive layer and fused between adjacent chips.
  • a pickup error double die
  • an object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive film and a semiconductor wafer processing tape capable of reducing the softening of the adhesive layer by absorbing moisture in the air and suppressing the occurrence of pickup errors. It is in.
  • the pressure-sensitive adhesive film of the present invention is a pressure-sensitive adhesive film comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer provided on the base film, and has a moisture permeability of 10.0 g / m 2 / day. It is characterized by the following.
  • the semiconductor wafer processing tape of the present invention has a pressure-sensitive adhesive film comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer provided on the base film, and an adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer. It is a tape for wafer processing,
  • the moisture permeability of the said adhesive film is 10.0 g / m ⁇ 2 > / day or less, It is characterized by the above-mentioned.
  • the water absorption rate of the adhesive film and the adhesive layer is 2.0% by volume or less.
  • the pressure-sensitive adhesive film and semiconductor wafer processing tape of the present invention reduce the softening of the adhesive layer by absorbing moisture in the air when the adhesive layer is bonded to the pressure-sensitive adhesive film and transported and stored. The occurrence of pick-up mistakes can be suppressed.
  • FIG. 1 It is sectional drawing which shows an example of the tape for semiconductor wafer processing of this invention.
  • A is sectional drawing which shows the state by which the semiconductor wafer W and the ring frame were bonded together on the semiconductor wafer processing tape
  • (b) is sectional drawing which shows the semiconductor wafer processing tape and semiconductor wafer after dicing
  • (C) is a sectional view showing a semiconductor wafer processing tape and a semiconductor wafer after expansion.
  • the semiconductor wafer processing tape 15 has an adhesive film 14 in which an adhesive layer 12 is laminated on a base film 11. It is a dicing die bonding film in which an adhesive layer 13 is laminated.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the adhesive layer 13 may be cut (pre-cut) into a predetermined shape in advance according to the use process and the apparatus.
  • the adhesive layer 13 pre-cut according to the wafer W see FIG. 2A
  • the adhesive layer 13 is present at the portion where the wafer W is bonded, and the ring frame 20 for dicing (FIG. 2).
  • the semiconductor wafer processing tape 15 of the present invention includes a form in which the wafer is cut and laminated for each wafer, and a form in which a plurality of long sheets formed by winding the wafer are wound into a roll. Below, the base film 11, the adhesive layer 12, and the adhesive layer 13 are each demonstrated in detail.
  • Base film Although it does not specifically limit as a material which comprises a base film, It is preferable to be selected from polyolefin and polyvinyl chloride.
  • polystyrene resin examples include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid.
  • polystyrene resin examples include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid.
  • ⁇ -olefins examples include homopolymers or copolymers of ⁇ -olefins such as methyl copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, and ionomers, or mixtures thereof.
  • the substrate film is preferably radiation transmissive.
  • the thickness of the base film is preferably 50 to 300 ⁇ m from the viewpoint of ensuring strength and chip pick-up properties.
  • the base film may be a single layer or may be composed of a plurality of layers.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be produced by applying a pressure-sensitive adhesive on the base film.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as it has a property that the adhesive layer and the semiconductor wafer do not peel off during expansion, and a property that makes it easy to peel off the adhesive layer during pick-up. .
  • the pressure-sensitive adhesive layer is preferably radiation-curable.
  • chlorinated polypropylene resins acrylic resins, polyester resins, polyurethane resins, epoxy resins, addition reaction type organopolysiloxane resins, silicon acrylate resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene- Radiation polymerization of ethyl acrylate copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, various elastomers such as polyisoprene, styrene / butadiene copolymer and hydrogenated products, and mixtures thereof It is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately mixing an adhesive compound. Various surfactants and surface smoothing agents may be added.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 1 to 30 ⁇ m.
  • the polymerizable compound is, for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation, or a photopolymerizable carbon-carbon double bond group as a substituent.
  • acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, silicon acrylate, etc., acrylic acid, copolymers of various acrylic esters, and the like are applicable.
  • Urethane acrylate oligomers include polyester compounds or polyether compounds such as polyol compounds and polyisocyanate compounds (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene).
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a mixture of two or more selected from the above resins.
  • the above-mentioned pressure-sensitive adhesive materials have a molecular structure with as many nonpolar groups as possible, such as a trifluoromethyl group, a dimethylsilyl group, and a long-chain alkyl group, with a surface free energy of 40 mJ / m 2 or less. It is desirable to include.
  • the resin for the pressure-sensitive adhesive layer contains, as appropriate, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a photopolymerization initiator, a curing agent, etc. in addition to the radiation polymerizable compound that cures the pressure-sensitive adhesive layer by irradiating the base film with radiation.
  • An adhesive can also be prepared.
  • photopolymerization initiator for example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl Propane or the like can be used.
  • the blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 30 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic copolymer.
  • the gel fraction is desirably high and is usually 60% or more, preferably 70% or more.
  • the moisture permeability of the adhesive film is 10.0 g / m 2 / day or less.
  • the semiconductor wafer processing tape is cut and laminated for each wafer, or a long sheet is used.
  • whiskers-like cutting waste during dicing is reduced, and these cutting wastes are diced together with the cutting waste of the base film and the adhesive layer and fused between adjacent chips, and pickup errors are caused during pickup.
  • production can be suppressed.
  • a polymer having a low moisture permeability such as polyethylene, polypropylene, polyethylene naphthalate may be used as the polymer used for the base film.
  • the water vapor transmission rate of an adhesive film can also be reduced by enlarging the thickness of a base film.
  • the thickness of the adhesive layer is preferably increased.
  • the moisture permeability can be lowered by increasing the crosslink density of the pressure-sensitive adhesive layer. In order to reduce the crosslinking density, the amount of the curing agent is increased, or a polymer having many hydroxyl groups may be used in the pressure-sensitive adhesive layer.
  • ⁇ Adhesive layer> When the chip is picked up after the semiconductor wafer is bonded and cut, the adhesive layer is peeled off from the adhesive layer and attached to the chip, and the chip is attached to the package substrate or lead frame. It functions as a bonding film when it is fixed to.
  • the adhesive layer is a film in which an adhesive is formed in advance.
  • the acrylic copolymer and the epoxy resin are included, and the acrylic copolymer has a Tg of 10 ° C. or higher.
  • the adhesive layer is not particularly limited, but is usually preferably about 5 to 100 ⁇ m.
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it cures and exhibits an adhesive action, but an epoxy resin having two or more functional groups, preferably having a molecular weight of less than 5000, more preferably less than 3000 can be used. Further, an epoxy resin having a molecular weight of preferably 500 or more, more preferably 800 or more can be used.
  • bisphenol A type epoxy resin bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy Resin, diglycidyl etherified product of biphenol, diglycidyl etherified product of naphthalenediol, diglycidyl etherified product of phenol, diglycidyl etherified product of alcohol, and alkyl-substituted products, halides, hydrogenated products, etc. And a novolak-type epoxy resin.
  • a polyfunctional epoxy resin and a heterocyclic ring-containing epoxy resin can also be applied. These can be used alone or in combination of two or more.
  • components other than the epoxy resin may be included as impurities within a range that does not impair the characteristics.
  • an epoxy group-containing acrylic copolymer for example, an epoxy group-containing acrylic copolymer can be used.
  • the epoxy group-containing acrylic copolymer contains 0.5 to 6% by weight of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate having an epoxy group. In order to obtain a high adhesive strength, 0.5% by weight or more is preferable, and gelation can be suppressed if it is 6% by weight or less.
  • the amount of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate used as the functional group monomer is a copolymer ratio of 0.5 to 6% by weight. That is, in the present invention, the epoxy group-containing acrylic copolymer refers to a copolymer obtained by using glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a raw material in an amount of 0.5 to 6% by weight based on the obtained copolymer. .
  • the remainder can be a mixture of an alkyl acrylate having 1 to 8 carbon atoms such as methyl acrylate or methyl methacrylate, an alkyl methacrylate, and styrene or acrylonitrile.
  • ethyl (meth) acrylate and / or butyl (meth) acrylate are particularly preferable.
  • the mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the Tg of the copolymer.
  • limiting in particular in a polymerization method For example, pearl polymerization, solution polymerization, etc. are mentioned, A copolymer is obtained by these methods.
  • the weight average molecular weight of the epoxy group-containing acrylic copolymer is 100,000 or more, and if it is in this range, the adhesiveness and heat resistance are high, preferably 300,000 to 3,000,000, and 500,000 to 2,000,000. Is more preferable.
  • a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value using the calibration curve by a standard polystyrene by the gel permeation chromatography method (GPC).
  • the inorganic filler there are no particular restrictions on the inorganic filler.
  • examples thereof include boron, crystalline silica, and amorphous silica. These may be used alone or in combination of two or more.
  • aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable.
  • Silica is preferable from the viewpoint of balance of properties.
  • the average particle size of the filler is preferably 0.002 to 2 ⁇ m, more preferably 0.008 to 0.5 ⁇ m, and still more preferably 0.01 to 0.05 ⁇ m. If the average particle size of the filler is less than 0.002 ⁇ m, the wettability to the adherend tends to decrease, and the adhesion tends to decrease. If the average particle size exceeds 2 ⁇ m, the reinforcing effect due to the addition of the filler decreases and the heat resistance decreases. Tend to.
  • the average particle diameter means an average value obtained from the particle diameters of 100 fillers measured by TEM, SEM or the like.
  • the semiconductor wafer processing tape preferably has a water absorption rate of 2.0% by volume or less in combination with the pressure-sensitive adhesive film and the adhesive layer.
  • the semiconductor chip is pushed up from the lower side of the wafer processing tape by a pin and the push-up force or push-up height is increased.
  • the semiconductor chip tends to be thin, and if the semiconductor chip is thin and the push-up force is increased, the chip is damaged.
  • the adhesive layer softens and adheres with the pressure-sensitive adhesive layer during cutting, or moisture absorbed by the pressure-sensitive adhesive film Since it can transfer to an adhesive bond layer and it can reduce that both adhere, the peelability between an adhesive layer and an adhesive bond layer becomes good. For this reason, since it is not necessary to increase the push-up force by the pin, even when the semiconductor chip is thin, it can be picked up satisfactorily.
  • a polymer having a low water absorption rate such as polypropylene or polyethylene, may be used as the polymer used for the base film.
  • a water absorption can also be reduced by making the thickness of a base film small.
  • the pressure-sensitive adhesive layer reduces the water absorption rate by reducing the number of functional groups such as hydroxy, amino, sulfo, and carboxyl, amide bonds, and ether bonds, and increasing the amount of methyl and aryl groups introduced. Can be made.
  • a water absorption can also be reduced by using a polymer with low water absorption, such as an acryl, for an adhesive bond layer.
  • a water absorption rate can also be reduced by using a thing with low molecular weight. Furthermore, the water absorption can also be lowered by reducing the amount of the inorganic filler contained in the adhesive layer.
  • the wafer processing tape 15 is sucked and supported from the surface of the base film 11 by the suction stage 22, and the semiconductor wafer W is mechanically cut using a blade (not shown) and divided into a plurality of semiconductor chips C (FIG. 2). (B)).
  • the adhesive layer 13, the pressure-sensitive adhesive layer 12, and a part of the base film 11 are also appropriately diced.
  • the moisture permeability of the pressure-sensitive adhesive film is 10.0 g / m 2 / day or less, water vapor in the air hardly permeates from the outside to the inside during transportation and storage of the semiconductor wafer processing tape, and the adhesive layer Since the softening of is reduced, the generation of beard-like cutting waste is reduced.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 is cured by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 12 with radiation from the lower surface of the base film 11. Since the adhesive force of the cured adhesive layer 12 is reduced, the adhesive layer 13 on the adhesive layer 12 can be peeled off.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is composed of a plurality of layers, it is not necessary to cure the entire pressure-sensitive adhesive layer in order to peel the adhesive layer 13 from the pressure-sensitive adhesive layer 12, and at least the pressure-sensitive adhesive layer portion corresponding to the wafer is formed. It may be cured.
  • the semiconductor wafer processing tape 15 holding the plurality of divided semiconductor chips C is placed on the stage 21 of the expanding apparatus. Then, as shown in FIG. 2C, the hollow cylindrical push-up member 23 is raised from the lower surface side of the semiconductor wafer processing tape 15, and the adhesive film 14 is stretched in the radial direction and the circumferential direction of the ring frame 20. .
  • the pick-up process which picks up the chip
  • the dicing process since the generation of the beard-like cutting debris of the adhesive layer 13 is reduced, these cutting debris is fused between adjacent chips together with the cutting debris of the base film 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the pickup is performed. The occurrence of mistakes can be suppressed. Further, when the water absorption rate of the pressure-sensitive adhesive film 14 and the adhesive layer 13 is 2.0% by volume or less, the adhesive layer 12 and the adhesive layer 13 are easily peeled off. Even when the thickness of C is thin, it is picked up well.
  • a semiconductor device is manufactured by bonding a semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or the like by an adhesive layer picked up together with the chip C in a pickup process.
  • the adhesive layer when the adhesive layer is bonded to the adhesive film and transported / stored, the adhesive layer can be prevented from being softened by absorbing moisture in the air, and the occurrence of pickup errors can be suppressed. it can.
  • Adhesive film 1 Low-density polyethylene (Novatech LL (manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., trade name)) previously dried at 50 ° C. was melted for 48 hours, and a base film was formed into a long film having a thickness of 100 ⁇ m using an extruder. .
  • Adhesive film 2 An adhesive film 2 was obtained in the same manner as the adhesive film 1 except that high-density polyethylene (Novatech HD (manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., trade name)) was used instead of the low-density polyethylene.
  • Adhesive film 3 An adhesive film 3 was obtained in the same manner as the adhesive film 2 except that the film thickness of the base film was set to 70 ⁇ m.
  • Adhesive film 4 An adhesive film 4 was obtained in the same manner as the adhesive film 1 except that the film thickness of the base film was set to 70 ⁇ m.
  • Adhesive film 5 An adhesive film 5 was obtained in the same manner as the adhesive film 1 except that EVA (Novatech EVA (manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., trade name)) was used instead of the low density polyethylene.
  • Adhesive film 6 An adhesive film 6 was obtained in the same manner as the adhesive film 1 except that polypropylene (Novatec PP (trade name, manufactured by Nippon Polypro Co., Ltd.)) was used instead of the low density polyethylene.
  • Adhesive film 7 An adhesive film 7 was obtained in the same manner as the adhesive film 1 except that polyamide (nylon MXD6 (trade name, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.)) was used instead of the low density polyethylene.
  • Adhesive film 1 15 parts by weight of a cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 197, molecular weight 1200, softening point 70 ° C.) as an epoxy resin, 70 parts by weight of an acrylic resin (mass average molecular weight: 800,000, glass transition temperature ⁇ 17 ° C.), phenol as a curing agent 15 parts by weight of a novolak resin (hydroxyl equivalent 104, softening point 80 ° C.) and 1 part of 2-phenylimidazole (Curazole 2PZ (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.)) as an accelerator are stirred in an organic solvent to form an adhesive varnish. Obtained.
  • a cresol novolac type epoxy resin epoxy equivalent 197, molecular weight 1200, softening point 70 ° C.
  • an acrylic resin mass average molecular weight: 800,000, glass transition temperature ⁇ 17 ° C.
  • phenol as a curing agent
  • phenol hydroxyl
  • the obtained adhesive varnish was applied onto a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 ⁇ m and dried by heating at 120 ° C. for 10 minutes to produce an adhesive film 1.
  • PET polyethylene terephthalate
  • Adhesive film 2 5 parts by weight of a cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 197, molecular weight 1200, softening point 70 ° C.) as an epoxy resin, 0.5 part by mass of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane as an silane coupling agent, an average particle size of 1.
  • Adhesive film 3 Synthesized from 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and pyromellitic anhydride instead of acrylic resin It was produced in the same manner as the adhesive film 2 except that a polyimide resin having a mass average molecular weight of 50,000 was used.
  • Adhesive film 4 Synthesized from 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and pyromellitic anhydride instead of acrylic resin It was produced in the same manner as the adhesive film 1 except that a polyimide resin having a mass average molecular weight of 50,000 was used.
  • the dicing die-bonding film was bonded to a wafer having a thickness of 100 ⁇ m and 75 ⁇ m by heating at 70 ° C. for 10 seconds, and then diced to 10 ⁇ 10 mm.
  • the adhesive layer was irradiated with ultraviolet rays of 200 mJ / cm 2 with an air-cooled high-pressure mercury lamp, and then a pick-up test for 250 chips in the center of the wafer using a die bonder device (CPS-100FM (trade name, manufactured by NEC Machinery Co., Ltd.)). Went. If the chip with the adhesive layer peeled off from the adhesive layer was picked up without an adjacent chip attached, the pickup was considered successful, and if the pickup success rate was 99% or more, it was judged as good. When it was less than 99%, it was judged as bad and represented by x. These results are shown in Table 2.
  • the pressure-sensitive adhesive films 1, 6 to 7 and the adhesive films 1 to 4 were cut into circles having a diameter of 370 mm and 320 mm, respectively, and the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film and the adhesive layer of the adhesive film were bonded together. Finally, the PET film of the adhesive film was peeled from the adhesive layer to obtain dicing die bonding films (Examples 4 to 7 and Comparative Examples 3 to 4) having combinations shown in Table 3.
  • the adhesive films 1 and 6 to 7 were subjected to a moisture permeability test in the same manner as in the first example, and it was confirmed that the moisture permeability of all the adhesive films was 10.0 g / m 2 / day or less.
  • ⁇ Pickup test> The dicing die bonding films according to Examples 1, 4 to 6 and Comparative Examples 3 to 4 were subjected to a pickup test in the same manner as in the first example. However, the thickness of the wafer was 100 ⁇ m and 50 ⁇ m. If the picked-up chip holds the adhesive film peeled off from the adhesive layer, the pick-up is considered successful, and if the pick-up success rate is 99% or more, it is judged as good and is indicated by ⁇ , and less than 99% In the case of, it was determined to be defective and indicated by x. These results are shown in Table 4.
  • Base film 12 Adhesive layer 13: Adhesive layer 14: Adhesive film 15: Semiconductor wafer processing tape 20: Ring frame 21: Stage 22: Adsorption stage 23: Push-up member

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

 接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化することを低減し、ピックアップミスの発生を抑制することができる粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープを提供する。本発明の粘着フィルムは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムであって、透湿度が10.0g/m2/day以下である。また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、粘着フィルムの透湿度が10.0g/m2/day以下である。

Description

粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープ
 本発明は、半導体ウエハを半導体チップに切断し、半導体装置を製造するために使用する粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープに関する。
 半導体装置の製造工程に使用される半導体ウエハ加工用テープとして、粘着フィルム(ダイシングテープ)に、接着剤層(ダイボンディングフィルム)が積層された構造を有する半導体ウエハ加工用テープが提案され(例えば、特許文献1参照)、既に実用化されている。
 半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに半導体ウエハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをダイシングブレードを用いてチップ単位に切断(ダイシング)する工程、半導体ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、さらに切断されたチップを接着剤層とともに粘着剤層からピックアップする工程、チップに付着した接着剤層を介してチップを基板等に実装する工程が実施される。
特開平02-32181号公報
 しかしながら、上記特許文献1に記載の半導体ウエハ加工用テープでは、輸送中や保管中に接着剤層が空気中の水分を吸収して軟らかくなり、切削性が低下する場合があった。
 このような場合には、ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑が発生し、これらの切削屑が基材フィルムや粘着剤層の切削屑とともにダイシングされ隣接するチップ間で融着して、ピックアップ時に、ピックアップしようとするチップに隣接するチップが付随してピックアップされてしまうピックアップミス(ダブルダイ)が発生するという問題があった。
 そこで、本発明の目的は、接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化することを低減し、ピックアップミスの発生を抑制することができる粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープを提供することにある。
 上記課題を解決するため、本発明の粘着フィルムは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムであって、透湿度が10.0g/m2/day以下であることを特徴とする。
 また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、前記粘着フィルムの透湿度が10.0g/m2/day以下であることを特徴とする。
 また、前記半導体ウエハ加工用テープにおいて、前記粘着フィルムと前記接着剤層とを合わせた吸水率が2.0体積%以下であることが好ましい。
 本発明の粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープは、粘着フィルムに接着剤層が接合されて輸送・保管された場合に、接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化することを低減し、ピックアップミスの発生を抑制することができる。
本発明の半導体ウエハ加工用テープの一例を示す断面図である。 (a)は、半導体ウエハ加工用テープに、半導体ウエハWとリングフレームが貼り合わされた状態を示す断面図であり、(b)は、ダイシング後の半導体ウエハ加工用テープと半導体ウエハを示す断面図であり、(c)は、エキスパンド後の半導体ウエハ加工用テープと半導体ウエハを示す断面図である。
 以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
 本実施の形態に係る半導体ウエハ加工用テープ15は、図1に示すように、基材フィルム11の上に、粘着剤層12が積層された粘着フィルム14を有し、粘着剤層12の上に接着剤層13が積層されたダイシング・ダイボンディングフィルムである。なお、粘着剤層12及び接着剤層13は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断(プリカット)されていてもよい。ウエハW(図2(a)参照)に応じてプリカットされた接着剤層13を積層した場合、ウエハWが貼り合わされる部分には接着剤層13があり、ダイシング用のリングフレーム20(図2(a)参照)が貼り合わされる部分には接着剤層13がなく粘着剤層12のみが存在することになる。一般に、接着剤層13は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤層13を使用することで、リングフレーム20は粘着剤層12に貼り合わすことができ、使用後のリングフレーム20への糊残りを生じにくいという効果が得られる。また、本発明の半導体ウエハ加工用テープ15は、ウエハ1枚分ごとに切断され積層された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態とを含む。以下に、基材フィルム11、粘着剤層12、及び接着剤層13についてそれぞれ詳細に説明する。
<基材フィルム>
 基材フィルムを構成する材料としては、特に限定されないが、ポリオレフィン及びポリ塩化ビニルから選択されることが好ましい。
 上記ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン-プロピレン共重合体、ポリブテン-1、ポリ-4-メチルペンテン-1、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸エチル共重合体、エチレン-アクリル酸メチル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα-オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
 後述する粘着剤層として放射線照射により硬化し、粘着力が低下するタイプを用いる場合には、基材フィルムは、放射線透過性であることが好ましい。基材フィルムの厚さは、強度およびチップのピックアップ性確保の観点から、50~300μmであることが好ましい。また、基材フィルムは、単層であっても、複数層で構成されていてもよい。
<粘着剤層>
 粘着剤層は、基材フィルム上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤層としては特に制限はなく、エキスパンドの際に接着剤層及び半導体ウエハが剥離したりしない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであればよい。ピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましい。
 例えば、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹脂、シリコンアクリレート樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸エチル共重合体、エチレン-アクリル酸メチル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、ポリイソプレンやスチレン・ブタジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマー等やその混合物に、放射線重合性化合物を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を加えてもよい。粘着剤層の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、1~30μmが好ましい。
 重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素-炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物や、光重合性炭素-炭素二重結合基を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリル酸エステル類の共重合体等が適用可能である。
 また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4-トリレンジイソシアナート、2,6-トリレンジイソシアナート、1,3-キシリレンジイソシアナート、1,4-キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4-ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート(例えば、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。
 なお、粘着剤層には、上記の樹脂から選ばれる2種以上が混合されたものでもよい。また、以上に挙げた粘着剤の材料は、表面自由エネルギーを40mJ/m2以下とするうえで、トリフルオロメチル基、ジメチルシリル基、長鎖アルキル基等の無極性基をなるべく多く分子構造中に含むことが望ましい。
 なお、粘着剤層の樹脂には、放射線を基材フィルムに照射して粘着剤層を硬化させる放射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することもできる。
 光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体100質量部に対して0.01~30質量部が好ましく、1~10重量部がより好ましい。
 なお、粘着剤中に低分子成分が存在していると、基材フィルム製造後に長期保管している間に、低分子成分が粘着剤層表面に移行し粘接着特性を損なう恐れがあるため、ゲル分率が高いことが望ましく、通常60%以上、好ましくは70%以上である。ここで、ゲル分率とは、以下のように算出されるものをいう。粘着剤層約0.05gを秤取し、キシレン50mlに120℃で24時間浸漬した後、200メッシュのステンレス製金網で濾過し、金網上の不溶解分を110℃にて120分間乾燥する。次に、乾燥した不溶解分の質量を秤量し、下記に示す式1にてゲル分率を算出する。
ゲル分率(%)=(不溶解分の質量/秤取した粘着剤層の質量)×100(式1)
 粘着フィルムの透湿度は、10.0g/m2/day以下である。このように、粘着フィルムの透湿度を10.0g/m2/day以下とすることにより、半導体ウエハ加工用テープが、ウエハ1枚分ごとに切断され積層された状態、あるいは長尺のシートをロール状に巻き取った状態で輸送・保管される最中に、空気中の水蒸気が外側から内側へ透過しにくくなるため、接着剤層に到達する水分量が減少し、接着剤層の軟化が低減される。このため、ダイシング時のヒゲ状の切削屑の発生が低減され、これらの切削屑が基材フィルムや粘着剤層の切削屑とともにダイシングされ隣接するチップ間で融着して、ピックアップ時にピックアップミスが発生するのを抑制することができる。
 粘着フィルムの透湿度を低下させるには、基材フィルムに用いるポリマーとして、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンナフタレート等透湿度の低いポリマーを使用するとよい。また、基材フィルムの厚みを大きくすることにより、粘着フィルムの透湿度を低下させることもできる。さらに、粘着フィルムの透湿度を低下させるには、粘着剤層の厚さを厚くするとよい。また、粘着剤層の架橋密度を上げることにより透湿度を低下させることもできる。架橋密度を下げるためには、硬化剤量を増加、または粘着剤層に水酸基の多いポリマーを使用すればよい。
<接着剤層>
 接着剤層は、半導体ウエハが貼り合わされ切断された後、チップをピックアップする際に、切断された接着剤層が粘着剤層から剥離してチップに付着しており、チップをパッケージ基板やリードフレームに固定する際のボンディングフィルムとして機能するものである。
 接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができるが、接着剤層13の分断性をよくするためには、アクリル系共重合体、エポキシ樹脂を含み、アクリル系共重合体のTgが10℃以上であることが好ましい。さらには、無機フィラーを50%以上含有することが好ましい。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常5~100μm程度が好ましい。
 エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を呈するものであれば特に制限はないが、二官能基以上で、好ましくは分子量が5000未満、より好ましくは3000未満のエポキシ樹脂が使用できる。また、好ましくは分子量が500以上、より好ましくは800以上のエポキシ樹脂が使用できる。
 例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
 アクリル系共重合体としては、例えば、エポキシ基含有アクリル共重合体を用いることができる。エポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを0.5~6重量%含む。高い接着力を得るためには、0.5重量%以上が好ましく、6重量%以下であればゲル化を抑制できる。
 官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は0.5~6重量%の共重合体比である。つまり、本発明においてエポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し0.5~6重量%となる量用いて得られた共重合体をいう。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数1~8のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル(メタ)アクリレート及び/又はブチル(メタ)アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のTgを考慮して調整することが好ましい。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は10万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、30万~300万であることが好ましく、50万~200万であることがより好ましい。300万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体素子を貼付ける支持部材に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。
 なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
 無機フィラーとしては特に制限が無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられる。これらは、1種又は2種以上を併用することもできる。熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。特性のバランスの観点ではシリカが好ましい。
 フィラーの平均粒径は、0.002~2μmであることが好ましく、0.008~0.5μmであることがより好ましく、0.01~0.05μmであることがさらに好ましい。フィラーの平均粒径が0.002μm未満であると被着体へのぬれ性が低下し、接着性が低下する傾向があり、2μmを超えるとフィラー添加による補強効果が小さくなり、耐熱性が低下する傾向がある。ここで、平均粒径とは、TEM、SEM等により測定したフィラー100個の粒径から求められる平均値をいう。
 半導体ウエハ加工用テープは、粘着剤層と接着剤層との間の剥離性を良くする観点から、粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が2.0体積%以下とすることが好ましい。従来、ピックアップ時に、粘着剤層と接着剤層との間の剥離をしやすくするために、ウエハ加工用テープの下側からピンによって半導体チップを突き上げ力や突き上げ高さを大きくすることが行われているが、近年、半導体チップが薄くなる傾向にあり、半導体チップが薄い場合に、突き上げ力を大きくすると、チップが破損してしまうという問題もあった。粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が2.0体積%以下であると、接着剤層が軟化して、切削の際に粘着剤層と共に癒着したり、粘着フィルムが吸収した水分が接着剤層へと移行して、両者が癒着するのを低減することができるので、粘着剤層と接着剤層との間の剥離性が良くなる。このため、ピンによる突き上げ力を大きくする必要がないため、半導体チップが薄い場合であっても、良好にピックアップすることができる。
 粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率を低下させるためには、基材フィルムに用いるポリマーとして、ポリプロピレン、ポリエチレン等吸水率の低いポリマーを使用するとよい。また、基材フィルムの厚みを小さくすることにより、吸水率を低下させることもできる。また、粘着剤層は、ヒドロキシ基、アミノ基、スルホ基、カルボキシル基などの官能基やアミド結合、エーテル結合部分を少なくし、メチル基やアリール基の導入量を増やすことで、吸水率を低下させることができる。また、接着剤層に、アクリル等吸水率の低いポリマーを用いることにより、吸水率を低下させることもできる。また、接着剤層に用いるエポキシやフェノール等について、分子量の低いものを用いることにより、吸水率を低下させることもできる。さらには、接着剤層に含まれる無機フィラーの量を低減する
ことによっても、吸水率を低下させることもできる。
 次に、図1に示す本発明の半導体ウエハ加工用テープ15を使用して、接着剤層付き半導体チップを製造する方法について、図2を参照しながら説明する。
(貼合工程)
 まず、図2(a)に示すように、半導体ウエハ加工用テープ15の接着剤層13に半導体ウエハWの裏面を貼り合わせるとともに、粘着剤層12の所定位置にリングフレーム20を貼り合わせる。
(ダイシング工程)
 吸着ステージ22により、ウエハ加工用テープ15を基材フィルム11面側から吸着支持し、図示しないブレードを用いて、半導体ウエハWを機械的に切断し、複数の半導体チップCに分割する(図2(b))。なお、このとき、接着剤層13や粘着剤層12、基材フィルム11の一部も適宜ダイシングされる。このとき、粘着フィルムの透湿度を10.0g/m2/day以下であるため、半導体ウエハ加工用テープの輸送・保管中に、空気中の水蒸気が外側から内側へ透過しにくく、接着剤層の軟化が低減されているため、ヒゲ状の切削屑の発生が低減される。
(照射工程)
 そして、放射線を基材フィルム11の下面から粘着剤層12に照射して粘着剤層12を硬化させる。硬化させた粘着剤層12は粘着力が低下するため、粘着剤層12上の接着剤層13を剥離させることが可能となる。なお、粘着剤層を複数の層で構成する場合、接着剤層13を粘着剤層12から剥離するために、粘着剤層全体を硬化させる必要はなく、少なくともウエハに対応する粘着剤層部分を硬化させてもよい。
(エキスパンド工程)
 照射工程の後、分割された複数の半導体チップCを保持する半導体ウエハ加工用テープ15をエキスパンド装置のステージ21上に載置する。そして、図2(c)に示すように、中空円柱形状の突き上げ部材23を、半導体ウエハ加工用テープ15の下面側から上昇させ、上記粘着フィルム14をリングフレーム20の径方向及び周方向に引き伸ばす。
(ピックアップ工程)
 エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルム14をエキスパンドした状態のままで、チップCをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルム14の下側からチップCをピン(図示しない)によって突き上げるとともに、粘着フィルム14の上面側から吸着冶具(図示しない)でチップCを吸着することで、個片化されたチップCを接着剤層13とともにピックアップする。ダイシング工程において接着剤層13のヒゲ状の切削屑の発生が低減されるため、これらの切削屑が基材フィルム11や粘着剤層12の切削屑とともに隣接するチップ間で融着して、ピックアップミスが発生するのを抑制することができる。さらに、粘着フィルム14と接着剤層13とを合わせた吸水率が2.0体積%以下である場合は、粘着剤層12と接着剤層13との間の剥離がし易くなるため、半導体チップCの厚みが薄い場合であっても、良好にピックアップされる。
(ダイボンディング工程)
 そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程でチップCとともにピックアップされた接着剤層により、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。
 以上より、粘着フィルムに接着剤層が接合されて輸送・保管された場合に、接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化することを低減し、ピックアップミスの発生を抑制することができる。
 次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(粘着フィルムの調製)
(粘着フィルム1)
 50℃で48時間、あらかじめ乾燥した低密度ポリエチレン(ノバテックLL(日本ポリエチレン株式会社製、商品名))を溶融し、押出し機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に基材フィルムを成形した。溶媒のトルエン400g中に、n-ブチルアクリレート128g、2-エチルヘキシルアクリレート307g、メチルメタアクリレート67g、メタクリル酸1.5g、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつポリマー溶液を得た。次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素-炭素二重結合および官能基を有する化合物として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した2-ヒドロキシエチルメタクリレート2.5g、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、放射線硬化性炭素-炭素二重結合を有する化合物(A)の溶液を得た。続いて、化合物(A)溶液中の化合物(A)100質量部に対してポリイソシアネート(コロネートL(日本ポリウレタン社製、商品名))1質量部を加え、光重合開始剤(イルガキュアー184(日本チバガイギー社製、商品名))0.5質量部、溶媒として酢酸エチル150質量部を化合物(A)溶液に加えて混合して、放射線硬化性の粘着剤組成物を調製した。成形した基材フィルム上に、前記粘着剤組成物を乾燥後の膜厚が10μmとなるように塗工し、110℃で10分間乾燥して粘着フィルム1を得た。
(粘着フィルム2)
 低密度ポリエチレンに代えて高密度ポリエチレン(ノバテックHD(日本ポリエチレン株式会社製、商品名))を使用した他は、粘着フィルム1と同様にして粘着フィルム2を得た。
(粘着フィルム3)
 基材フィルムの膜厚を70μmとした他は、粘着フィルム2と同様にして粘着フィルム3を得た。
(粘着フィルム4)
 基材フィルムの膜厚を70μmとした他は、粘着フィルム1と同様にして粘着フィルム4を得た。
(粘着フィルム5)
 低密度ポリエチレンに代えてEVA(ノバテックEVA(日本ポリエチレン株式会社製、商品名))を使用した他は、粘着フィルム1と同様にして粘着フィルム5を得た。
(粘着フィルム6)
 低密度ポリエチレンに代えてポリプロピレン(ノバテックPP(日本ポリプロ株式会社製、商品名))を使用した他は、粘着フィルム1と同様にして粘着フィルム6を得た。
(粘着フィルム7)
 低密度ポリエチレンに代えてポリアミド(ナイロンMXD6(三菱ガス化学株式会社製、商品名))を使用した他は、粘着フィルム1と同様にして粘着フィルム7を得た。
(接着フィルムの調整)
(接着フィルム1)
 エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)15重量部、アクリル樹脂(質量平均分子量:80万、ガラス転移温度-17℃)70重量部、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(水酸基当量104、軟化点80℃)15重量部、促進剤として2-フェニルイミダゾール(キュアゾール2PZ(四国化成株式会社製、商品名))1部を有機溶剤中で攪拌し接着剤ワニスを得た。得られた接着剤ワニスを、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に塗布し、120℃で10分間加熱乾燥して接着フィルム1を作製した。
(接着フィルム2)
 エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)5重量部、シランカップリング剤として3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.5質量部、平均粒径1.0μmのシリカフィラー50質量部、アクリル樹脂(質量平均分子量:80万、ガラス転移温度-17℃)40質量部、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(水酸基当量104、軟化点80℃)5重量部、促進剤として2-フェニルイミダゾール(キュアゾール2PZ(四国化成株式会社製、商品名))1部を有機溶剤中で攪拌し接着剤ワニスを得た。得られた接着剤ワニスを、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に塗布し、120℃で10分間加熱乾燥して接着フィルム2を作製した。
(接着フィルム3)
 アクリル樹脂の代わりに2,2´-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、3,3´,4,4´-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び無水ピロメリット酸より合成された質量平均分子量5万のポリイミド樹脂を使用した他は、接着フィルム2と同様に作製した。
(接着フィルム4)
 アクリル樹脂の代わりに2,2´-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、3,3´,4,4´-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び無水ピロメリット酸より合成された質量平均分子量5万のポリイミド樹脂を使用した他は、接着フィルム1と同様に作製した。
(第1実施例)
 粘着フィルム1~5及び接着フィルム1を、それぞれ直径370mm、320mmの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのPETフィルムを接着剤層から剥離し、表1の組合せのダイシング・ダイボンディングフィルム(実施例1~3、比較例1~2)を得た。
<透湿度>
 粘着フィルム1~5について、JIS K7129-C(ガスクロマトグラフ法による水蒸気透過度測定)に基づいて透湿度を測定した。測定条件は温度25±0.5℃、相対湿度差90±2%とした。その結果を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
<ピックアップ性試験>
 上記実施例1~3、比較例1~2に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを300枚ずつ重ね、72時間、温度25度、湿度70%RHの雰囲気中に放置した後、それぞれ上から10枚目のダイシングダイボンドフィルムを、厚み100μm及び75μmのウエハに70℃で10秒間加熱し貼合した後、10×10mmにダイシングした。その後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯により200mJ/cm2照射した後、ウエハ中央部のチップ250個について、ダイボンダー装置(CPS-100FM(NECマシナリー株式会社製、商品名))によるピックアップ試験を行った。粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されたチップが、隣接するチップが付随することなくピックアップされた場合をピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率が99%以上であれば良として判定して○印で表し、99%未満の場合は不良と判定して×印で表した。これらの結果を表2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 比較例1~2では、粘着フィルムの透湿度が10.0g/m2/dayを越えているため、空気中の水蒸気が外側から内側へ透過して接着剤層が吸水することにより軟化し、ダイシング時にヒゲ状の切削屑が発生して、ダブルダイによるピックアップミスが多発した。これに対して、実施例1~3では、粘着フィルムの透湿度が10.0g/m2/day以下であり、空気中の水蒸気が透過しにくく、接着剤層の軟化が低減されているため、ダイシング時のヒゲ状の切削屑の発生が低減され、ピックアップミスが十分に減少した。
(第2実施例)
粘着フィルム1,6~7及び接着フィルム1~4を、それぞれ直径370mm、320mmの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのPETフィルムを接着剤層から剥離し、表3の組合せのダイシング・ダイボンディングフィルム(実施例4~7、比較例3~4)を得た。粘着フィルム1,6~7について、第1実施例と同様に透湿度試験を行い、全ての粘着フィルムについて透湿度が10.0g/m2/day以下であることを確認した。
<吸水率>
 上記実施例4~7、比較例3~4に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを、50mm×50mmの大きさに切り出してサンプルとした。このサンプルを50℃のオーブンで24時間乾燥させたものを、デシケーターで室温まで冷却し重量を測定した。その後、23±1.0℃の蒸留水中にサンプルを24時間浸漬し、取り出してカールフィッシャー水分計により吸水率を算出した。その結果を表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
<ピックアップ性試験>
 実施例1,4~6、比較例3~4に係るダイシング・ダイボンディングフィルムについて、上述の第1実施例と同様にピックアップ試験を行った。ただし、ウエハの厚みは100μm及び50μmとした。ピックアップされたチップに粘着剤層から剥離した接着フィルムが保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率が99%以上であれば良として判定して○印で表し、99%未満の場合は不良と判定して×印で表した。これらの結果を表4に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 比較例3~4は、粘着フィルムの透湿度が10.0g/m2/day以下であるため、厚みが100μmのウエハについては、良好にピックアップできたが、粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が2.0体積%を越えているため、粘着剤層と接着剤層との間の剥離性が悪く、厚みが50μmのウエハについてはピックアップミスが多発した。これに対して、実施例4~7では、粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が2.0体積%以下であり、粘着剤層と接着剤層との間の剥離性が良いため、厚みが50μmと薄いウエハについてもピックアップミスが十分に減少した。
11:基材フィルム
12:粘着剤層
13:接着剤層
14:粘着フィルム
15:半導体ウエハ加工用テープ
20:リングフレーム
21:ステージ
22:吸着ステージ
23:突き上げ部材

Claims (3)

  1.  基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムであって、透湿度が10.0g/m2/day以下であることを特徴とする粘着フィルム。
  2.  基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、前記粘着フィルムの透湿度が10.0g/m2/day以下であることを特徴とする半導体ウエハ加工用テープ。
  3.  前記粘着フィルムと前記接着剤層とを合わせた吸水率が2.0体積%以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体ウエハ加工用テープ。
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