CN100392811C - 粘接膜及使用该粘接膜的金属制膜方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及防止半导体晶片在金属制膜时的金属非制膜面的损伤，还能够减少晶片表面污染的粘接膜。通过用在至少层叠1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜，保护金属非制膜面，可以省却使用溶剂的清洗工序，进而还可以减少金属非制膜面的污染性，提高生产率和作业性。

Description

粘接膜及使用该粘接膜的金属制膜方法

技术领域

本发明涉及对半导体晶片电路非形成面的金属制膜用粘接膜，更详细地涉及在金属制膜时能够抑制金属非制膜面的损伤和对晶片的污染的粘接膜以及使用该粘接膜的金属制膜方法。根据本发明，可以省却金属非制膜面的清洗工序等，实现工序的合理化，提高生产率。

背景技术

作为在半导体制造工艺中的高温处理工序的一种，可以举出在磨削半导体晶片的电路非形成面(以下叫做半导体晶片背面)以后，在该面制膜金属膜的工艺。

以往采用的是，将粘贴有表面保护粘接膜的半导体晶片磨削成300μm左右的厚度后，剥离表面保护用粘接膜，在半导体晶片背面制膜金属膜的方法。但是，如今随着装置的小型化和高功能化，半导体晶片制造工艺的技术革新也在发展，逐渐转向对应于极薄芯片化的半导体晶片的制造工艺。在这种状况下，正在活跃地开发用于支撑极薄半导体晶片的半导体晶片表面保护材料。例如，在特开2001-77304号公报中，作为支撑材料揭示了浸透并固化耐热性树脂而形成的树脂复合无机基板。但是，这种支撑材料需要投资用于接合基板和半导体晶片的设备，并且接合方法为需要高温条件的热压接法，并且由于使用水蒸气等在高温剥离支撑材料，因此存在半导体晶片表面的元件破损的问题。

另一方面，作为防止金属非制膜面的损伤或污染的方法，已知涂布抗蚀剂等部件的方法。但是，这种方法需要在金属制膜后用溶剂等去除金属非制膜面的抗蚀剂的工序，因此，从作业的烦杂性和环境问题方面来看，对生产带来较大的障碍。另外，近年来进行金属制膜的被粘体的形状也多种多样，金属非制膜面表面变得复杂，有时进行溶剂清洗后抗蚀剂仍残留在金属非制膜面上。另外，当被粘体自身较薄，抗蚀剂等未能均匀地涂布时，存在金属制膜时被粘体损伤或破损的问题，因此，强烈地期待代替其而能够简便地保护金属非制膜面的部件。

发明内容

本发明的目的为提供一种在半导体制造工艺的对半导体晶片的电路非形成面进行金属制膜的工序中，能够抑制金属非制膜面的损伤和污染，并且能够使金属制膜工序更加合理的粘接膜以及使用该粘接膜的金属制膜方法。

本发明人等进行深入研究的结果，发现使用至少层叠1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜的基材膜的粘接膜，非常适合于金属制膜时的金属非制膜面的保护，以至完成了本发明。

即，本发明为如下的发明。

发明一是半导体晶片电路非形成面的金属制膜方法，其特征为，通过把在至少具有1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜，粘贴到半导体晶片电路形成面(金属非制膜面)，而进行金属制膜。

考虑到在金属制膜工艺中减少从粘接膜的外漏气体，优选方案为，基材膜具有金属膜层或金属氧化膜层，并且具有至少1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜。

进而，考虑到在金属制膜工艺中缩短达到初期(空白)真空度的时间，优选方案为，基材膜具有至少1层气体透过度小于等于1.0cc/m²·day·atm，并且吸水率小于等于1.0重量％的膜。

进而，考虑到赋予用于防止半导体晶片破损的支持性和缓冲性，优选方案为，所述基材膜进一步具有1层选自乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯及聚乙烯中的膜。

从粘接膜剥离后，抑制半导体晶片上的残糊量方面考虑，优选方案为，所述粘接剂层为在150℃的储藏弹性模量大于等于1×10⁵Pa的粘接剂层。

发明二是，在至少具有1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的，对半导体晶片电路非形成面的金属制膜用粘接膜。

考虑到在金属制膜工艺中减少从粘接膜的外漏气体，以及缩短达到初期(空白)真空度的时间，优选方案为，基材膜具有至少1层气体透过度小于等于1.0cc/m²·day·atm，并且吸水率小于等于1.0重量％的膜。通过使用本发明的粘接膜，可以抑制金属制膜时的金属非制膜面的损伤，提高生产率。另外，由于可以抑制金属非制膜面的污染，所以能够省却用溶剂等清洗的工序，作业性也得以提高。

具体实施方式

下面，详细地说明本发明。

首先，说明半导体晶片电路非形成面的金属制膜时的金属非制膜面的保护方法。

首先，经粘接剂层将本发明的粘接膜粘贴到半导体晶片的金属非制膜面。接着，把粘贴有粘接膜的被粘体设置到金属制膜装置上，在未粘贴有粘接膜的面制膜金属膜。然后，剥离粘接膜，得到进行了金属制膜的被粘体。被粘体接着进行适宜的加工。

对金属制膜的条件，根据金属膜种类(金、镍、钛等)或制膜方法(金属蒸镀法、金属溅射法)。但一般是在温度50～200℃、压力10^-3～10^-7Pa的条件下进行。

将粘接膜粘贴到半导体晶片上时，可以手工进行，但也可以用安装了滚筒状粘接膜的粘贴装置自动粘贴。剥离了粘接膜后的金属非制膜面，根据需要也可以进行水洗等湿式清洗，或者等离子体清洗等干式清洗。湿式清洗的情况，也可以并用超声波清洗。这些清洗可以根据金属非制膜面的污染状况适宜地选择实施。

接着，说明本发明的粘接膜。

本发明的粘接膜是，在制作基材膜后，在其单面形成粘接剂层而制造的。从防止粘接剂层污染的方面考虑，优选在粘接剂层上粘贴了剥离膜的粘接膜，经通过剥离掉剥离膜而露出的粘接剂层的表面，粘贴到被粘体上。在层叠剥离膜时，为了防止粘接剂层的污染，在剥离膜的单面涂布粘接剂涂布液，并干燥，形成粘接剂层，然后将得到的粘接剂层转印到基材膜的单面，来制造的方法是优选的。

用于本发明的粘接膜的基材膜，是层叠了至少1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜的基材膜。考虑到在金属制膜工艺中缩短达到初期真空度的时间，气体透过度优选小于等于1.0cc/m²·day·atm，吸水率优选小于等于1.0重量％，更优选小于等于0.1重量％。具有至少1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜层时，发挥能够减少从粘接膜的外漏气体的效果，金属膜形成面的状态良好，其结果半导体晶片安装后的电气特性良好，因此是优选的。关于外漏气体的产生，考虑的是粘贴有粘接膜的半导体晶片的粘贴端部的粘接膜的侧面、以及基材膜的主面。通过限制基材膜的气体透过度，可以遮挡后者的来自基材膜主面的外漏气体，因此具有较大的减少外漏气体的效果。另外，根据该效果，在金属制膜工艺中可以缩短达到初期真空度的时间，还能使作业性提高。另外，在金属制膜工艺中可以防止发生外漏气体而引起的在未达到真空度状态下的制膜，并且还可以防止在金属制膜工艺中发生外漏气体而引起的制膜不良情况。作为能够满足这些物性的膜，可以举出具有金属膜层或金属氧化膜层的膜或者液晶聚合物膜等。另外，对于这些膜也可以使用与选自乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯及聚乙烯的膜层叠的基材膜。只是，此时考虑到金属制膜工序的加温真空条件，优选的膜构成为，气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜层位于基材膜的最外层，而不是粘接剂层侧。

作为金属膜，代表性的可以举出铝等金属的蒸镀膜，作为金属氧化膜可以举出硅、钛、铝等金属的氧化膜。

作为形成金属氧化膜层的方法，可以举出在例如聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯等的膜上涂布或蒸镀硅、钛或铝等的氧化物而形成的方法。金属层和金属氧化膜层的厚度优选为1～50nm，更优选为1～30nm。

膜的厚度优选为10～200μm左右。另外，与选自乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯及聚乙烯的膜层叠的复合基材膜的厚度优选为50～300μm左右。

作为金属蒸镀膜，可以举出东セロ(株)制造的蒸镀加工膜等，作为金属氧化膜蒸镀膜可以举出三菱树脂(株)制造的商品名テツクバリア等。作为液晶聚合物膜可以举出(株)クラレ制造的商品名ベクスタ一以及日本ゴアテツク(株)制造的商品名BIAC(R)等，作为聚酯可以举出帝人デユポンフイルム制造的商品名テオネツクス和テナロン等。

构成本发明的粘接膜的粘接剂层的粘接剂，优选在金属制膜时的加温条件下也能够起到粘接剂的功能，优选使用丙烯酸系粘接剂、硅系粘接剂。其厚度优选为3～100μm。优选在剥离粘接膜时不会污染金属非制膜面的粘接剂。

尤其优选粘接剂根据具有反应性官能团的交联剂或过氧化物、放射线等高密度交联，以避免在金属制膜工艺中通过暴露于高温而导致粘接力变得过大，并且避免金属非制膜面的污染增加。粘接剂层在150℃的储藏弹性模量优选大于等于1×10⁵Pa，更优选大于等于1×10⁶Pa。进而，在200℃的储藏弹性模量优选大于等于1×10⁵Pa，更优选大于等于1×10⁶Pa。

在下面举例说明将丙烯酸系粘接剂用作为粘接剂层的方法，但并不限于此。

对于乳液聚合(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(A)、具有能够与交联剂反应的官能团的单体单元(B)及双官能性单体单元(C)而得到的共聚物，添加在一个分子中具有两个或两个以上的用于提高凝集力而调节粘接力的官能团的交联剂，使用如上述得到的溶液或乳液来形成粘接剂层。用溶液形成时，采用盐析等手段从在乳液聚合得到的乳液中分离丙烯酸系粘接剂，并再溶解到溶剂等中而制成溶液。丙烯酸系树脂当分子量大时，多数情况是对溶剂的溶解性低而不溶解，因此从成本的角度考虑优选直接以乳液形态使用。

作为构成单体单元(A)的单体(A)，可以举出具有碳原子数1～12左右的烷基的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯(以下，将这些统称为(甲基)丙烯酸烷基酯)。优选具有碳原子数1～8左右的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。具体讲，可以举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯。这些可以单独使用，也可以混合使用两种或两种以上。单体(A)的使用量通常优选为，在作为粘接剂原料的全部单体的总量中占10～98.9重量％的范围。进一步优选85～95重量％。通过使单体(A)的使用量处于上述范围，可以得到含有(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(A)10～98.9重量％、优选85～95重量％的聚合物。

作为构成具有能够与交联剂反应的官能团的单体单元(B)的单体(B)，可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、柠康酸、富马酸、马来酸、衣康酸单烷基酯、中康酸单烷基酯、柠康酸单烷基酯、富马酸单烷基酯、马来酸单烷基酯、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、叔丁基氨基乙基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等。优选丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等。可以将其中的一种与上述主要单体(A)共聚，也可以共聚两种或两种以上。具有能够与交联剂反应的官能团的单体(B)的使用量，通常优选在作为粘接剂原料的全部单体的总量中占1～40重量％。更优选为1～10重量％。这样，可以得到具有与单体组成几乎相等组成的构成单元(B)的聚合物。

粘接剂优选在150～200℃的温度范围具有大于等于1×10⁵Pa的储藏弹性模量，优选通过共聚双官能单体(C)，改善交联方式，维持凝集力。作为双官能单体(C)，可以举出甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、二乙烯基苯、甲基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯、或两末端二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯并且结构为丙二醇型的化合物(日本油脂(株)制，商品名：PDP-200、同PDP-400、同ADP-200、同ADP-400)、四亚甲基二醇型化合物(日本油脂(株)制，商品名：ADT-250、同ADT-850)及它们的混合型化合物(日本油脂(株)制，商品名：ADET-1800、同ADPT-4000)等。

乳液共聚双官能单体(C)时，单体(C)优选在全部单体中含有0.1～30重量％。更优选为0.1～5重量％。这样，可以得到具有与单体组成几乎相等组成的构成单元(C)的聚合物。

构成上述粘接剂的主单体(A)及具有能够与交联剂反应的官能团的共聚单体(B)以外，也可以共聚具有表面活性剂性质的特定共聚单体(以下叫做聚合性表面活性剂)。聚合性表面活性剂，与主单体和共聚单体进行共聚，在乳液聚合时起到乳化剂的作用。使用聚合性表面活性剂乳液聚合的丙烯酸系粘接剂，不会产生由表面活性剂引起的晶片表面的污染，因此是优选的。使用聚合性表面活性剂时，即使发生了由粘接剂引起的稍微的污染，也能够通过水洗金属非制膜面来容易地去除污染。

作为聚合性表面活性剂，可以举出例如在壬基酚聚氧乙烯醚的苯环中导入聚合性1-丙烯基的化合物(第一工业制药(株)制，商品名アクアロンRN-10、同RN-20、同RN-30、同RN-50等)，在壬基酚聚氧乙烯醚的硫酸酯铵盐的苯环中导入聚合性1-丙烯基的化合物(第一工业制药(株)制，商品名アクアロンHS-10、同HS-20等)，以及在分子内具有聚合性双键的硫代琥珀酸二酯系化合物(花王(株)制，商品名：ラテムルS-120A、同S-180A等)等。进而，也可以根据需要共聚醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等具有聚合性双键的单体。

作为丙烯酸系粘接剂的聚合方法，可以举出自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等。考虑到粘接剂的制造成本、单体的官能团的影响以及半导体晶片表面的离子污染的影响等，优选为自由基聚合。作为在自由基聚合中使用的自由基聚合引发剂，可以举出过氧化苯甲酰、过氧化乙酰、过氧化异丁酰、过氧化辛酰、二叔丁基过氧化物、二叔戊基过氧化物等有机过氧化物，过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等无机过氧化物，2，2’-偶氮二异丁腈、2，2’-偶氮二-2-甲基丁腈、4，4’-偶氮二-4-氰基戊酸等偶氮化合物。

根据乳液聚合法聚合时，在这些自由基聚合引发剂中，优选过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等水溶性的无机过氧化物，4，4’-偶氮二-4-氰基戊酸等在分子内具有羧基的偶氮化合物，尤其优选4，4’-偶氮二-4-氰基戊酸等在分子内具有羧基的偶氮化合物。

进而，作为调节粘接力和剥离性，以使粘接剂层在金属制膜时的温度条件下也具有充分的粘接剂功能的方法，可以举出交联粒子本体，而维持乳液粒子的凝集力的方法。

通过添加在1个分子中具有两个或两个以上交联性官能团的交联剂，可以与丙烯酸系粘接剂具有的官能团进行反应而调节粘接力和凝集力。作为交联剂，可以举出山梨糖醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、二甘油聚缩水甘油醚、甘油聚缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、间苯二酚二缩水书油醚等环氧系化合物，四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三加成物、聚异氰酸酯等异氰酸酯系化合物，三羟甲基丙烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、N，N’-二苯基甲烷-4，4’-双(1-氮丙啶羧酰胺)、N，N’-六亚甲基-1，6-双(1-氮丙啶羧酰胺)、N，N’-甲苯-2，4-双(1-氮丙啶羧酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等氮丙啶系化合物，N，N，N’，N’-四缩水甘油-间二甲苯二胺、1，3-双(N，N’-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷的四官能性环氧系化合物以及六甲氧基羟甲基三聚氰胺等三聚氰胺系化合物。这些可以单独使用，也可以并用两种或两种以上。

交联剂通常在交联剂中的官能团数不多于丙烯酸系粘接剂中的官能团数的范围内使用。但是，如果在交联反应中产生新的官能团的情况或者交联反应慢的情况等，也可以根据需要过剩地使用。相对于100重量份丙烯酸系粘接剂，交联剂的优选含量为0.1～15重量份。当含量少时，粘接剂层的凝集力会变得不充分，在150～200℃的弹性模量将小于1×10⁵Pa而耐热特性欠缺。其结果容易产生由粘接剂层引起的残糊现象。另外，还存在粘接力过于高，用自动剥离机从金属非制膜面剥离粘接膜时会发生剥离故障，而使被粘体破损的情况。另一方面，如果交联剂的含量多，粘接剂层与金属非制膜面的密合力将变弱，在金属制膜过程中粘接膜发生剥离，污染金属非制膜面。

除了上述共聚了特定双官能单体的丙烯酸系粘接剂、交联剂以外，用于本发明的粘接剂涂布液中可以在不影响本发明目的的范围内适当地含有用于调节粘接特性的松香系、萜烯树脂系等粘接性赋予剂、各种表面活性剂等。另外，当涂布液为乳液时，也可以在不影响本发明目的的范围内适当地添加二乙二醇单烷基醚等造膜助剂。用作为造膜助剂的二乙二醇单烷基醚及其衍生物如果大量残留在粘接剂层中，在清洗时将无法去除金属非制膜面的污染，因此优选使用易挥发性的造膜助剂，以降低在粘接剂层中的残留量。

作为在基材膜或剥离膜的单表面涂布粘接剂涂布液的方法，可以使用以往公知的涂布方法，例如可以使用辊涂法、逆辊涂法、凹版辊涂法、棒涂法、点涂法、挤压涂法等。对于所涂布粘接剂的干燥条件没有特别限制，但通常优选在80～200℃的温度范围干燥10秒～10分钟。进一步优选在80～170℃的温度范围干燥15秒～5分钟。为了充分地促进交联剂与粘接剂的交联反应，在粘接剂涂布液干燥后，也可以进一步将粘接膜在40～80℃加热5～300小时左右。

实施例

下面，举出实施例进一步详细地说明本发明。其中，实施例中表示的各种物性值是按照下述方法测定的。

1.储藏弹性模量(Pa)

将粘接膜的粘接剂层部分层叠至厚度1mm，制作粘弹性测定用样品。将样品切断成直径8mm的圆形，使用动态粘弹性测定装置(レオメトリツクス社制，型号：RMS-800)，在150℃和200℃测定储藏弹性模量。测定频率为1Hz，应变为0.1～3％。

2.污染性评价

在镜面硅片(直径：5英寸，厚度：725μm)表面，将试样用粘接膜经其粘接剂层粘贴到镜面硅片的整个表面，对晶片的背面按照3.的条件制膜金属膜。然后，剥离粘接膜(日东精机(株)制，型号：HR8500II)，使用激光对焦显微镜(KEYENCE制，型号：VF-7510、VF-7500、VP-ED100)，以250放大倍数观察晶片表面。评价基准如下。○：没有残糊，×：有残糊。

3.金属制膜评价

在金属制膜装置上安置带有粘接膜的晶片，进行排气。当腔内达到10^-5Pa时，分别开始Ti、Ni和Au的制膜。当真空到达时间大于等于30分钟时，不实施金属制膜，而评价金属制膜为×。另外，如果在30分钟以内到达真空，并且能够良好的制膜任何金属膜时，评价金属制膜为○。

4.气体透过度

在20℃、65％湿度、1大气压的环境下放置样品膜24小时后，按照JIS K7126测定。

5.吸水率

在23℃的纯水中浸渍样品24小时，用其后的增重量与浸渍前的重量比来表示。

另外，金属氧化膜层的形成是按照下述的方法进行。

在氧气存在下，将硅、钛及铝真空蒸镀到基材膜上，形成氧化膜。氧化膜的厚度制膜成为10nm。

实施例1

在形成有铝的氧化膜层10nm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，气体透过度4.8cc/m²·day·atm，吸水率0.05重量％)的未形成氧化膜层的侧，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜1。

粘接剂层使用相对于100重量份的与交联剂形成交联点的官能团单体(丙烯酸)5.0重量％、控制粒子内凝集力的双官能团单体(ADET-1800)5.0重量％、丙烯酸酯(甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯)90重量％的乳液共聚物，混合5.0重量份交联剂(聚甘油聚缩水甘油醚)的粘接剂。

在镜面硅片上粘贴粘接膜1，分别实施Ti、Ni及Au的金属制膜。各金属制膜是在压力小于等于10^-5Pa、腔内温度120～150℃的条件下进行。Ni制膜是在稍微高的温度进行。制膜后，剥离粘接膜1，评价镜面硅片的污染性。将结果示于表1。

实施例2

在层叠了形成有铝的氧化膜层10nm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，气体透过度4.8cc/m²·day·atm，吸水率0.05重量％)的未形成氧化膜层的面与乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的膜(厚度120μm)的基材膜上，将在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)形成于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层侧，制作粘接膜2。

粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表1。

实施例3

制作层叠了形成有铝的氧化膜层10nm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，气体透过度4.8cc/m²·day·atm，吸水率0.05重量％)的未形成氧化膜层的面与聚乙烯膜(厚度50μm)的层叠膜，在聚乙烯膜侧形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜3。

粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表1。

实施例4

在形成有钛的氧化膜层10nm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，气体透过度4.65cc/m²·day·atm，吸水率0.05重量％)的基材膜的未形成氧化膜层的面，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜4。

粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表1。

实施例5

在形成有硅的氧化膜层10nm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，气体透过度0.80cc/m²·day·atm，吸水率0.05重量％)的基材膜的未形成氧化膜层的面，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜5。

粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表1。

实施例6

在液晶聚合物膜(注册商标：ベクスタ一，クラレ株式会社制，厚度50μm，气体透过度0.30cc/m²·day·atm，吸水率0.04重量％)上，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜6。

粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表1。

实施例7

在层叠了液晶聚合物膜(注册商标：ベクスタ一，クラレ株式会社制，厚度50μm，气体透过度0.30cc/m²·day·atm，吸水率0.04重量％)和乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜(厚度120μm)的基材膜的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜面，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜7。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表1。

实施例8

在按照液晶聚合物膜(注册商标：ベクスタ一，クラレ株式会社制，厚度50μm，气体透过度0.30cc/m²·day·atm，吸水率0.04重量％)、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜(厚度120μm)的顺序层叠的基材膜的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜面，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜8。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1进行同样的评价。将得到的结果示于表1。

实施例9

在按照液晶聚合物膜(注册商标：ベクスタ一，クラレ株式会社制，厚度50μm，气体透过度0.30cc/m²·day·atm，吸水率0.04重量％)、聚萘二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜(厚度120μm)的顺序层叠的基材膜的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜面，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜9。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。与实施例1进行同样的评价。将得到的结果示于表1。

实施例10

在层叠了液晶聚合物膜(注册商标：ベクスタ一，クラレ株式会社制，厚度50μm，气体透过度0.30cc/m²·day·atm，吸水率0.04重量％)和聚乙烯膜(厚度50μm)的基材膜上，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜10。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1进行同样的评价。将得到的结果示于表1。

实施例11

在液晶聚合物膜(注册商标：ベクスタ一，クラレ株式会社制，厚度100μm，气体透过度0.95cc/m²·day·atm，吸水率0.04重量％)上，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜11。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1进行同样的评价。将得到的结果示于表1。

实施例12

在液晶聚合物膜(注册商标：ベクスタ一，クラレ株式会社制，厚度50μm，气体透过度0.35cc/m²·day·atm，吸水率0.95重量％)上，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜12。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。

与实施例1进行同样的评价。将得到的结果示于表1。

比较例1

在未形成氧化膜层的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，气体透过度50cc/m²·day·atm，吸水率0.05重量％)上，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜13。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表2。

比较例2

制作在形成有铝的氧化膜层10nm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，气体透过度5.3cc/m²·day·atm，吸水率0.05重量％)的未形成氧化膜层的面，具有在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)的粘接膜14。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表2。

比较例3

在层叠了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，气体透过度50cc/m²·day·atm，吸水率0.05重量％)与乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜(厚度120μm，气体透过度40cc/m²·day·atm)的基材膜的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层侧，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜15。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表2。

比较例4

层叠聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，气体透过度50cc/m²·day·atm，吸水率0.05重量％)与聚乙烯膜(厚度50μm，气体透过度6.0cc/m²·day·atm)，在聚乙烯侧形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜16。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。与实施例1同样地实施金属制膜。将得到的结果示于表2。

比较例5

在聚酰亚胺膜(厚度50μm，气体透过度490cc/m²·day·atm，吸水率2.0重量％)上，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜17。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。进行与实施例1同样的实验。将得到的结果示于表2。

比较例6

在聚苯硫醚膜(厚度50μm，气体透过度250cc/m²·day·atm，吸水率0.1重量％)上，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜18。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。进行与实施例1同样的实验。将得到的结果示于表2。

比较例7

在聚丙烯膜(厚度50μm，气体透过度2000cc/m²·day·atm，吸水率0.8重量％)上，形成在150℃的储藏弹性模量为5.5×10⁵Pa的粘接剂层(20μm)，制作粘接膜19。粘接剂层使用与实施例1相同的粘接剂。进行与实施例1同样的实验。将得到的结果示于表2。

表1

接下页

表1，接上页

表2

接下页

表2，接上页

	比较例5	比较例6	比较例7
				金属氧化膜的金属	-	-	-
基材膜构成	聚酰亚胺	聚苯硫醚	聚丙烯
				基材膜的气体透过度[cc/m<sup>2</sup>·day·atm]	490	250	2000
基材膜的吸水率[％]	2.0	0.1	0.8
				粘接剂弹性模量[Pa]	5.5×10<sup>5</sup>Pa	5.5×10<sup>5</sup>Pa	5.5×10<sup>5</sup>Pa
金属制膜评价	×	×	×
				污染性评价	-	-	-

产业上的利用可能性

本发明涉及防止半导体晶片在金属制膜时的金属非制膜面的损伤，还能够减少晶片表面污染的粘接膜，通过用本发明的粘接膜保护金属非制膜面，在半导体制造工序中可以省却使用溶剂的清洗工序，进而还可以减少金属非制膜面的污染性，因此生产率和作业性得以提高，从产业上来讲是有用的发明。

Claims (9)

1.半导体晶片电路非形成面的金属制膜方法，其特征为，通过把在至少具有1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜，粘贴到半导体晶片电路形成面即金属非制膜面，而进行金属制膜。

2.权利要求1所述的半导体晶片电路非形成面的金属制膜方法，其特征为，基材膜具有金属膜层或金属氧化膜层，并且具有至少1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜。

3.权利要求1所述的半导体晶片电路非形成面的金属制膜方法，其特征为，基材膜具有至少1层气体透过度小于等于1.0cc/m²·day·atm，并且吸水率小于等于1.0重量％的膜。

4.权利要求1～3中的任一项所述的半导体晶片电路非形成面的金属制膜方法，其特征为，所述基材膜进一步具有1层乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜。

5.权利要求1～3中的任一项所述的半导体晶片电路非形成面的金属制膜方法，其特征为，所述基材膜进一步具有1层聚酯膜。

6.权利要求1～3中的任一项所述的半导体晶片电路非形成面的金属制膜方法，其特征为，所述基材膜进一步具有1层聚乙烯膜。

7.权利要求1～3中的任一项所述的半导体晶片电路非形成面的金属制膜方法，其特征为，所述粘接剂层为在150℃的储藏弹性模量大于等于1×10⁵Pa的粘接剂层。

8.半导体晶片电路非形成面的金属制膜用粘接膜，其特征为，在至少具有1层气体透过度小于等于5.0cc/m²·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层。

9.半导体晶片电路非形成面的金属制膜用粘接膜，其特征为，在至少具有1层气体透过度小于等于1.0cc/m²·day·atm，并且吸水率小于等于1.0重量％的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层。