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WO2010064376A1 - 半導体装置製造用フィルムロール - Google Patents

半導体装置製造用フィルムロール Download PDF

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WO2010064376A1
WO2010064376A1 PCT/JP2009/006311 JP2009006311W WO2010064376A1 WO 2010064376 A1 WO2010064376 A1 WO 2010064376A1 JP 2009006311 W JP2009006311 W JP 2009006311W WO 2010064376 A1 WO2010064376 A1 WO 2010064376A1
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WO
WIPO (PCT)
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film
semiconductor device
adhesive layer
manufacturing
resin
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2009/006311
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English (en)
French (fr)
Inventor
三隅　貞仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Priority to US13/131,699 priority patent/US20120104134A1/en
Priority to CN200980147958.0A priority patent/CN102227482B/zh
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    • C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
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    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
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    • H10W90/756—
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Definitions

  • the present invention relates to a film roll for manufacturing a semiconductor device in which a film for manufacturing a semiconductor device such as a dicing die bond film used in a method for manufacturing a semiconductor device is wound into a roll.
  • the semiconductor wafer on which the circuit pattern is formed is diced into semiconductor chips after adjusting the thickness by backside polishing as necessary (dicing step).
  • the semiconductor chip is fixed to an adherend such as a lead frame with an adhesive (die attach process), and then transferred to a bonding process.
  • die attach process an adhesive is applied to a lead frame or a semiconductor chip.
  • a dicing die-bonding film has been proposed in which a semiconductor wafer is bonded and held in a dicing process, and an adhesive layer for chip fixation necessary for a mounting process is also provided (see, for example, Patent Document 1).
  • the dicing die-bonding film described in Patent Document 1 is one in which a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer are sequentially laminated on a supporting base material, and the adhesive layer is provided in a peelable manner. That is, after the semiconductor wafer is diced while being held by the adhesive layer, the support base is stretched and the semiconductor chip is peeled off together with the adhesive layer, and this is individually collected and the lead frame or the like is passed through the adhesive layer. It is made to adhere to the adherend.
  • the adhesive layer of this type of dicing die-bonding film has a good holding power for the semiconductor wafer and supports the dicing semiconductor chip integrally with the adhesive layer so that dicing is not impossible and dimensional errors do not occur. Good peelability that can be peeled off is desired. However, it is not easy to balance both these characteristics.
  • the thickness of the semiconductor chip has been reduced from the conventional 200 ⁇ m to 100 ⁇ m or less.
  • the use of an adhesive layer in which a thermoplastic resin and a thermosetting resin are used in combination is increasing from the viewpoint of chip protection (for example, Patent Document 2 and (See Patent Document 3).
  • the dicing die-bonding film provided with such an adhesive layer is stored in the state of a roll wound around a winding core before use.
  • the dicing die bond film is wound by adhering the winding start edge of the dicing die bond film to be wound to the winding core and rotating the winding core in the winding direction.
  • the winding tension is weak, the adhesive sheet is distorted and wrinkles are generated, and the winding end face is disturbed. Therefore, in order to wind the dicing die-bonding film so that the winding end faces are aligned, the film is wound while applying a predetermined tension or more.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to reduce the occurrence of winding marks on a film for manufacturing a semiconductor device such as a dicing die-bonding film wound up in a roll shape.
  • An object of the present invention is to provide a film roll for manufacturing a semiconductor device having excellent adhesion and adhesiveness.
  • the inventors of the present application examined a film roll for manufacturing a semiconductor device in order to solve the conventional problems. As a result, it has been found that by controlling the diameter of the winding core for winding the film for manufacturing a semiconductor device to a predetermined size, it is possible to wind the film in a roll shape without causing winding marks.
  • the present invention has been completed.
  • the film roll for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a film roll for manufacturing a semiconductor device in which the film for manufacturing a semiconductor device is wound around a cylindrical winding core in order to solve the above-described problems.
  • the diameter of the winding core is in the range of 7.5 cm to 15.5 cm.
  • the winding of the film for manufacturing a semiconductor device (hereinafter sometimes referred to as “film”) onto the winding core is not less than a predetermined amount in order to prevent the film from being distorted to cause wrinkles or disturb the winding end surface. While applying tension to the film. In the film wound around the winding core in such a state, stress concentrates toward the center. In the present invention, the stress concentration is reduced by setting the diameter of the winding core to 7.5 cm or more and reducing the pressure applied per unit area by increasing the contact area to the film to be wound.
  • the film roll is stored in a state of being wound on the winding core for a long period of time, for example, it is possible to prevent the generation of winding marks on the film wound on the edge portion of the film.
  • the reason why the diameter of the winding core is set to 15.5 cm or less is to prevent the diameter of the film roll for manufacturing a semiconductor device from becoming too large and deteriorating the handleability.
  • the film for manufacturing a semiconductor device may be a film having a structure in which an adhesive layer, an adhesive layer, and a separator are sequentially laminated on a base material.
  • the film for manufacturing a semiconductor device may be a film having a structure in which an adhesive layer, an adhesive layer, and a separator are sequentially laminated on a base material.
  • the Shore A hardness in the thickness direction of the adhesive layer is preferably 10 to 60, and the thickness is preferably 1 to 500 ⁇ m.
  • the film for manufacturing a semiconductor device is wound on a winding core in a state where a winding tension within a range of 20 to 100 N / m is applied.
  • the diameter of the film roll for manufacturing a semiconductor device is preferably in the range of 8 to 30 cm.
  • the diameter of the film roll is preferably in the range of 8 to 30 cm.
  • the adhesive layer preferably contains a thermoplastic resin and an inorganic filler.
  • the adhesive layer preferably contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin.
  • the thermoplastic resin is preferably an acrylic resin.
  • thermosetting resin is preferably at least one of an epoxy resin and a phenol resin. Since the acrylic resin has few ionic impurities and high heat resistance, the reliability of the semiconductor element can be ensured.
  • the present invention has the following effects by the means described above. That is, according to this invention, the contact area with respect to the film of a winding core is enlarged by setting the diameter of the winding core which winds up the film for semiconductor device manufacture to 7.5 cm or more. Thereby, the pressure applied per unit area can be reduced and the stress concentration can be relaxed, so that it is possible to prevent the film from being wound even after long-term storage. As a result, for example, even when a semiconductor wafer is mounted on the film of the present invention, it is possible to prevent the semiconductor wafer from being stepped due to film winding marks. Moreover, it is excellent also in the adhesiveness of the film with respect to a semiconductor wafer, a semiconductor chip, etc., and can show favorable adhesiveness.
  • FIG. 1 It is a perspective view which shows the film roll for semiconductor device manufacture which concerns on one Embodiment of this invention. It is a cross-sectional schematic diagram which shows the laminated structure of the film for semiconductor device manufacture (dicing die-bonding film) which concerns on the said embodiment. It is a cross-sectional schematic diagram which shows the laminated structure of the other film for semiconductor device manufacture (dicing die-bonding film) which concerns on the said embodiment. It is explanatory drawing showing a mode that a semiconductor wafer is mounted on the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention. It is a perspective view showing a mode that the said semiconductor wafer is diced. FIG.
  • FIG. 3A is an explanatory view showing an expanded state of the dicing die-bonding film affixed to the semiconductor wafer
  • FIG. 3B is a diagram showing the bonding of the semiconductor chip and the dicing ring to the dicing die-bonding film. It is a top view which shows a mode. It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example which mounted the semiconductor chip through the adhesive bond layer in the said dicing die-bonding film.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing a film roll for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a laminated structure of a dicing die-bonding film as a film for manufacturing a semiconductor device.
  • a film roll 1 according to the present embodiment is obtained by winding a dicing die-bonding film 3 around a cylindrical winding core 2 in a roll shape.
  • the dicing die bond film 3 is wound by adhering the winding start edge of the dicing die bond film 3 to be wound to the winding core 2 and rotating the winding core 2 in the winding direction.
  • the dicing die bond film 3 is applied with a winding tension in the range of 20 to 100 N / m, preferably 25 to 90 N / m, more preferably 30 to 80 N / m.
  • the diameter r of the winding core 2 is preferably in the range of 7.5 to 15.5 cm, and more preferably in the range of 7.5 to 12.5 cm.
  • the diameter r is preferably in the range of 7.5 to 15.5 cm, and more preferably in the range of 7.5 to 12.5 cm.
  • the core 2 needs to have a shape in which the dicing die-bonding film 3 is wound into a roll shape. Specifically, for example, a cylindrical shape is preferable. A polygonal columnar core is not preferable because stress concentration occurs at the corners of the core and winding marks are generated on the dicing die-bonding film.
  • the constituent material of the winding core 2 is not specifically limited, For example, things, such as metal and plastics, can be used.
  • the diameter R of the film roll 1 is preferably within a range of 8 to 30 cm, and more preferably within a range of 8 to 25 cm. By setting the diameter R to 8 cm or more, it is possible to further alleviate the stress concentration that increases toward the center. On the other hand, by setting the diameter R to 30 cm or less, the winding amount of the dicing die-bonding film 3 is excessively increased, thereby preventing an excessive pressure from being applied.
  • the dicing die-bonding film 3 has a structure in which an adhesive layer 12, an adhesive layer 13, and a separator are sequentially laminated on a base material 11.
  • the adhesive layer 13 is laminated only on the bonding area of the semiconductor wafer.
  • the dicing die-bonding film 3 is wound around the winding core 2 in a state where the surface of the substrate 11 and the separator surface are in contact with each other.
  • a dicing die-bonding film 3 ′ having a structure in which an adhesive layer 13 ′ is laminated on the entire surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is used. Also good.
  • the base material 11 has ultraviolet transparency and becomes a strength matrix of the dicing die-bonding films 3 and 3 '.
  • polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polyester such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfide, aramid (Paper), glass, glass cloth, flu
  • a material of the base material 11 a polymer such as a cross-linked body of the resin can be mentioned.
  • the plastic film may be used unstretched or may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. According to the resin sheet to which heat shrinkability is imparted by stretching treatment or the like, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the adhesive layers 13 and 13 ′ is reduced by thermally shrinking the base material 11 after dicing. The chip can be easily collected.
  • the surface of the substrate 11 is chemically treated by conventional surface treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric impact exposure, ionizing radiation treatment, etc. in order to improve adhesion and retention with adjacent layers.
  • a physical treatment or a coating treatment with a primer for example, an adhesive substance described later can be performed.
  • the base material 11 can be used by appropriately selecting the same type or different types, and a blend of several types can be used as necessary.
  • the base material 11 is provided with a vapor-deposited layer of a conductive material having a thickness of about 30 to 500 mm made of metal, alloy, oxide thereof, etc. on the base material 11 in order to impart antistatic ability. be able to.
  • the substrate 11 may be a single layer or two or more types.
  • the thickness of the substrate 11 is not particularly limited and can be appropriately set, but is generally about 5 to 200 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 includes an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive.
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive can easily reduce its adhesive strength by increasing the degree of crosslinking by irradiation with ultraviolet light, and only the portion 12a corresponding to the semiconductor wafer attachment portion of the pressure-sensitive adhesive layer 12 shown in FIG. By irradiating with ultraviolet rays, it is possible to provide a difference in adhesive strength with other portions 12b.
  • the portion 12a can be cured and the adhesive strength can be reduced. it can. Since the adhesive layer 13 is affixed to the portion 12a that has been cured and has reduced adhesive strength, the interface between the portion 12a and the adhesive layer 13 of the adhesive layer 12 has a property of being easily peeled off during pickup. On the other hand, the part which is not irradiated with ultraviolet rays has sufficient adhesive force, and forms the part 12b.
  • the portion 12b can fix the dicing ring.
  • the dicing ring for example, one made of metal such as stainless steel or one made of resin can be used.
  • the portion 12b formed of the uncured ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive sticks to the adhesive layer 13 ′ and is diced. The holding power at the time can be secured.
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive can support the adhesive layer 13 ′ for fixing the semiconductor chip to an adherend such as a substrate with a good balance of adhesion and peeling.
  • the ultraviolet curable adhesive those having an ultraviolet curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation.
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive include an additive-type ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive in which an ultraviolet curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive. Can be illustrated.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer from the viewpoint of cleanability with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol of an electronic component that does not like contamination of a semiconductor wafer or glass. Is preferred.
  • acrylic polymer examples include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl esters, eicosyl esters, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon atoms, such as
  • the acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. You may go out.
  • Such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrene Contains sulfonic acid groups such as phonic acid, allyl sulf
  • a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary.
  • a multifunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is
  • the acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization.
  • the polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like.
  • the content of the low molecular weight substance is preferably small.
  • the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3 million.
  • an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer.
  • the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine crosslinking agent, and reacting them.
  • a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine crosslinking agent, and reacting them.
  • the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to add about 5 parts by weight or less, more preferably 0.1 to 5 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the base polymer.
  • additives such as conventionally well-known various tackifier and anti-aging agent, other than the said component as needed to an adhesive.
  • UV curable monomer component to be blended examples include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and penta.
  • examples include erythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like.
  • Examples of the ultraviolet curable oligomer component include urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene oligomers, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30000 are suitable.
  • the blending amount of the ultraviolet curable monomer component and oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. In general, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.
  • the UV-curable adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain or at the main chain end as a base polymer.
  • Intrinsic ultraviolet curable pressure sensitive adhesives using Intrinsic UV curable pressure-sensitive adhesive does not need to contain an oligomer component or the like, which is a low molecular weight component, or does not contain much, so that the oligomer component or the like does not move through the pressure-sensitive adhesive over time and is stable. It is preferable because an adhesive layer having a layer structure can be formed.
  • the base polymer having a carbon-carbon double bond those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation.
  • those having an acrylic polymer as a basic skeleton are preferable.
  • the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.
  • the method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted.
  • the carbon-carbon double bond can be easily introduced into the polymer side chain for easy molecular design.
  • a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into an ultraviolet curable carbon-carbon double bond.
  • combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups, and the like.
  • a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction.
  • the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the combination of these functional groups generates an acrylic polymer having the carbon-carbon double bond.
  • it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group.
  • examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate, and the like.
  • the acrylic polymer a copolymer obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like is used.
  • the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the ultraviolet curable monomer does not deteriorate the characteristics.
  • Components and oligomer components can also be blended.
  • the UV-curable oligomer component and the like are usually in the range of 30 parts by weight, preferably 0 to 10 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the base polymer.
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like.
  • the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, ⁇ -hydroxy- ⁇ , ⁇ '-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio ⁇ -ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) Acetophenone compounds such as -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalenes
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive examples include photopolymerizable compounds such as addition polymerizable compounds having two or more unsaturated bonds and alkoxysilanes having an epoxy group disclosed in JP-A-60-196956. And a rubber-based pressure-sensitive adhesive and an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as a carbonyl compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt-based compound.
  • photopolymerizable compounds such as addition polymerizable compounds having two or more unsaturated bonds and alkoxysilanes having an epoxy group disclosed in JP-A-60-196956.
  • a rubber-based pressure-sensitive adhesive and an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as a carbonyl compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt-based compound.
  • Examples of the method for forming the portion 12a on the pressure-sensitive adhesive layer 12 include a method in which after the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed on the substrate 11, the portion 12a is partially irradiated with ultraviolet rays to be cured. .
  • the partial ultraviolet irradiation can be performed through a photomask in which a pattern corresponding to the portion 13b other than the semiconductor wafer pasting portion 13a is formed.
  • curing an ultraviolet-ray spotly are mentioned.
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 12 can be formed by transferring what is provided on the separator onto the substrate 11. Partial UV curing can also be performed on the UV curable pressure-sensitive adhesive layer 12 provided on the separator.
  • a part of the pressure-sensitive adhesive layer 12 may be irradiated with ultraviolet rays so that the adhesive strength of the portion 12a ⁇ the adhesive strength of the other portion 12b. That is, after the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed on the base material 11 using a material in which all or part of the part other than the part corresponding to the semiconductor wafer pasting part 13a is shielded from light. By irradiating with ultraviolet rays, the portion corresponding to the semiconductor wafer pasting portion 13a can be cured to form the portion 12a with reduced adhesive strength.
  • the light shielding material a material that can be a photomask on a support film can be produced by printing or vapor deposition. Thereby, the dicing die-bonding film 3 of this invention can be manufactured efficiently.
  • the method include a method of coating the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12 with a separator and a method of irradiating ultraviolet rays such as ultraviolet rays in a nitrogen gas atmosphere.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 ⁇ m, more preferably 2 to 30 ⁇ m from the viewpoint of preventing chipping of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding the adhesive layer 13. Particularly preferred is ⁇ 25 ⁇ m.
  • the adhesive layers 13 and 13 ' are layers having an adhesive function, and as a constituent material thereof, a thermoplastic resin and a thermosetting resin may be used in combination, or a thermoplastic resin may be used alone.
  • the Shore A hardness in the thickness direction of the adhesive layers 13 and 13 ' is preferably 10 to 60, more preferably 15 to 55, and particularly preferably 20 to 50.
  • the Shore A hardness is a value measured using a type A durometer under conditions of a thickness of 10 mm and a distance of 15 mm from the end of the test piece based on JIS K 6253.
  • thermoplastic resin examples include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polyptadiene resin, polycarbonate resin, heat Examples thereof include plastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluorine resins. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Of these thermoplastic resins, an acrylic resin that has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor element is particularly preferable.
  • the acrylic resin is not particularly limited, and includes one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid ester having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms.
  • Examples include polymers as components.
  • the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, a cyclohexyl group, and 2-ethylhexyl.
  • octyl group isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, or dodecyl group.
  • the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid.
  • Carboxyl group-containing monomers maleic anhydride or acid anhydride monomers such as itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-methacrylic acid 4- Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyl Hydroxyl group-containing monomers such as acrylate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers such as
  • thermosetting resin examples include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities that corrode semiconductor elements is preferable. Moreover, as a hardening
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type. , Biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, etc. Type or glycidylamine type epoxy resin is used. These can be used alone or in combination of two or more.
  • novolac type epoxy resins novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like.
  • the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin, for example, a novolac type phenol resin such as a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, a tert-butylphenol novolak resin, a nonylphenol novolak resin, Examples include resol-type phenolic resins and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. These can be used alone or in combination of two or more. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.
  • the compounding ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.
  • adhesive layers 13 and 13 'containing an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin are particularly preferable. Since these resins have few ionic impurities and high heat resistance, the reliability of the semiconductor element can be ensured.
  • the mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is 10 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic resin component.
  • the adhesive layers 13 and 13 ' are previously crosslinked to some extent, a polyfunctional compound that reacts with a functional group at the molecular chain end of the polymer is added as a crosslinking agent during production. You may let them. Thereby, the adhesive property under high temperature is improved and heat resistance is improved.
  • crosslinking agent conventionally known crosslinking agents can be used. Particularly preferred are polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate.
  • the addition amount of the crosslinking agent is usually preferably 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. When the amount of the cross-linking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive force is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.05 parts by weight, the cohesive force is insufficient, which is not preferable. Moreover, you may make it include other polyfunctional compounds, such as an epoxy resin, together with such a polyisocyanate compound as needed.
  • an inorganic filler can be appropriately blended in the adhesive layers 13 and 13 'according to the use.
  • the blending of the inorganic filler makes it possible to impart conductivity, improve thermal conductivity, adjust the elastic modulus, and the like.
  • the inorganic filler include silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina oxide, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride and other ceramics, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, bell
  • silica particularly a melting strength is preferably used.
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably in the range of 0.1 to 80 ⁇ m.
  • the blending amount of the inorganic filler is preferably set to 0 to 80 parts by weight and more preferably set to 0 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component.
  • another additive can be suitably mix
  • other additives include flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, and the like.
  • flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the silane coupling agent include ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. These compounds can be used alone or in combination of two or more.
  • the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the thickness of the adhesive layer 13 is not particularly limited, but is, for example, about 5 to 100 ⁇ m, preferably about 5 to 50 ⁇ m.
  • the dicing die-bonding films 3 and 3 ′ can have an antistatic ability. Thereby, it is possible to prevent the circuit from being broken due to the generation of static electricity during the bonding and peeling, and the charging of the workpiece (semiconductor wafer or the like) due to the static electricity.
  • the antistatic ability can be imparted by adding an antistatic agent or a conductive material to the base material 11, the pressure-sensitive adhesive layer 12 to the adhesive layer 13, a charge transfer complex to the base material 11, a conductive layer made of a metal film, or the like. It can be performed by an appropriate method such as attachment. As these methods, a method in which impurity ions that may change the quality of the semiconductor wafer are less likely to be generated is preferable.
  • a conductive substance (conductive filler) blended for the purpose of imparting conductivity and improving thermal conductivity spherical, needle-like, and flaky shapes such as silver, aluminum, gold, copper, nickel, and conductive alloys
  • spherical, needle-like, and flaky shapes such as silver, aluminum, gold, copper, nickel, and conductive alloys
  • metal powders, metal oxides such as alumina, amorphous carbon black, and graphite examples thereof include metal powders, metal oxides such as alumina, amorphous carbon black, and graphite.
  • the adhesive layers 13 and 13 ′ are non-conductive from the viewpoint of preventing electrical leakage.
  • the adhesive layers 13 and 13 'of the dicing die-bonding films 3 and 3' are protected by a separator.
  • the separator has a function as a protective material for protecting the adhesive layers 13 and 13 ′ until practical use. Further, the separator can be used as a support substrate when the adhesive layers 13 and 13 ′ are transferred to the pressure-sensitive adhesive layer 12. The separator is peeled off when the workpiece is stuck on the adhesive layers 13 and 13 'of the dicing die bond film.
  • a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent can be used.
  • the semiconductor wafer 21 is pressure-bonded onto the adhesive layer 13 in the dicing die-bonding film 3, and this is bonded and held (fixing step). This step is performed while pressing with a pressing means such as a pressure roll.
  • Dicing is a process of manufacturing the semiconductor chip 22 by cutting the semiconductor wafer 21 into a predetermined size and dividing it into pieces. Dicing is performed according to a conventional method from the circuit surface side of the semiconductor wafer 21, for example. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used. Further, since the semiconductor wafer 21 is bonded and fixed by the dicing die-bonding film 3, chip chipping and chip jump can be suppressed, and damage to the semiconductor wafer 21 can be suppressed. In the dicing, for example, the dicing blade 28 may be cut to the extent that it reaches the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • FIG. 6 is an explanatory view showing an expanded state of the dicing die bond film 3 attached to the semiconductor wafer 21, and FIG. 4B shows a plurality of semiconductor chips 22 and dicing rings 25 with the adhesive layer 13. It is a top view which shows a mode that it adhere
  • a dicing ring 25 is bonded and fixed to the pressure-sensitive adhesive layer 12 from a region where a plurality of semiconductor chips 22 are bonded and fixed to a predetermined region outside the formation region of each semiconductor chip 22.
  • the expansion is performed using a conventionally known expanding apparatus.
  • the expanding device includes a donut-shaped outer ring 26 that can push down the dicing die-bonding film 3 downwardly through the dicing ring 25, and an inner diameter that is smaller than the outer ring 26 and supports the dicing die-bonding film 3. And a ring 27.
  • Expanding is performed as follows. First, the outer ring 26 is positioned at a sufficient distance above the inner ring 27 so that the dicing die-bonding film 3 can be inserted. Next, the dicing die bond film 3 to which the semiconductor chip 22 and the dicing ring 25 are bonded and fixed is inserted between the outer ring 26 and the inner ring 27. At this time, the semiconductor chip 22 is set so that the region where the semiconductor chip 22 is bonded and fixed is positioned at the center of the inner ring 27. Thereafter, the outer ring 26 moves downward along the inner ring 27 and simultaneously pushes down the dicing ring 25.
  • the dicing die-bonding film 3 is stretched and expanded due to the height difference between the dicing ring and the inner ring.
  • the purpose of the expansion is to prevent the semiconductor chips 22 from coming into contact with each other and being damaged during pickup.
  • the semiconductor chip 22 is picked up in order to peel off the semiconductor chip 22 adhered and fixed to the dicing die bond film 3.
  • the pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, a method of pushing up each semiconductor chip 22 from the dicing die-bonding film 3 side with a needle and picking up the pushed semiconductor chip 22 with a pick-up device may be mentioned.
  • the picked-up semiconductor chip 22 is bonded and fixed to the adherend 23 via the adhesive layer 31 (die attach).
  • the adherend 23 is placed on a heat block. Since the adhesive layer 13 according to the present embodiment is one in which the occurrence of a step due to a winding mark is suppressed, the die attach can be performed while ensuring sufficient adhesion to the adherend 23. . As a result, the semiconductor chip 22 can be favorably bonded onto the adherend 23.
  • the conditions for die attach are not particularly limited, and can be set as necessary.
  • Examples of the adherend 23 include a lead frame, a TAB film, a substrate, and a separately manufactured semiconductor chip.
  • the adherend 23 may be, for example, a deformable adherend that can be easily deformed or a non-deformable adherend (such as a semiconductor wafer) that is difficult to deform.
  • a conventionally known substrate can be used as the substrate.
  • a metal lead frame such as a Cu lead frame or 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used.
  • the present invention is not limited to this, and includes a circuit board that can be used by mounting a semiconductor chip and electrically connecting to the semiconductor chip.
  • the adhesive layer 13 is a thermosetting type
  • the semiconductor chip 22 is bonded and fixed to the adherend 23 by heat curing, and the heat resistance strength is improved.
  • the semiconductor chip 22 bonded and fixed to the substrate or the like via the adhesive layer 31 can be subjected to a reflow process. Thereafter, wire bonding is performed to electrically connect the tip of the terminal portion (inner lead) of the substrate and an electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 22 with a bonding wire 29, and the semiconductor chip is further sealed with a sealing resin 30. Then, the sealing resin 30 is after-cured. Thereby, the semiconductor device according to the present embodiment is manufactured.
  • the manufacturing yield of the semiconductor device can be reduced by applying the dicing die-bonding film according to the present embodiment to the manufacture of the semiconductor device.
  • Example 1 3 parts by weight of a polyfunctional isocyanate-based crosslinking agent, 100 parts by weight of an acrylic ester polymer (mainly manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., Paraclone W-197CM), an epoxy resin (Japan) Epoxy Resin Co., Ltd., Epicoat 1004) 23 parts by weight, phenol resin (Mitsui Chemicals, Millex XLC-LL) 6 parts by weight, spherical silica (Admatex Co., Ltd., S0-25R) 60 parts by weight Was dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a solution of an adhesive composition having a concentration of 20% by weight.
  • an acrylic ester polymer mainly manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., Paraclone W-197CM
  • an epoxy resin Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Epicoat 1004
  • phenol resin Mitsubishi Chemicals, Millex XLC-LL
  • spherical silica Admatex Co.
  • the solution of this adhesive composition was applied on a release film (core material) made of a polyethylene terephthalate film (thickness 50 ⁇ m) subjected to silicone release treatment as a release liner, and dried at 120 ° C. for 3 minutes. As a result, an adhesive layer having a thickness of 25 ⁇ m was formed on the release treatment film.
  • a solution of an acrylic pressure-sensitive adhesive composition was applied on a substrate made of a polyolefin film having a thickness of 100 ⁇ m and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 7 ⁇ m, thereby producing a dicing film ( Nitto Denko Co., Ltd., MD-107G).
  • the acrylic adhesive solution was prepared as follows. That is, first, butyl acrylate, ethyl acrylate, 2-hydroxyacrylate, and acrylic acid were copolymerized at a weight ratio of 60/40/4/1 to obtain an acrylic polymer having a weight average molecular weight of 800,000. .
  • the adhesive layer on the release treatment film was cut into a circular shape having a diameter of 330 mm, and the circular adhesive layer was bonded onto the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing film.
  • the bonding conditions were a lamination temperature of 40 ° C. and a linear pressure of 3.0 kgf / cm. This produced the dicing die-bonding film which concerns on a present Example.
  • Example 2 is the same as Example 1 except that a core having a diameter of 6 inches (15.24 cm) was used instead of a core having a diameter of 3 inches (7.62 cm). Thus, a film roll according to this example was produced.
  • Example 3 In Example 3, 50 dicing die bond films were wound around a core having a diameter of 3 inches (7.62 cm), and the diameter of the film roll after winding was 11.3 cm. In the same manner as in Example 1, a film roll according to this example was produced.
  • Example 4 In Example 4, 400 dicing / die-bonding films were wound around a core having a diameter of 3 inches (7.62 cm), and the diameter of the film roll after winding was 19.0 cm. In the same manner as in Example 1, a film roll according to this example was produced.
  • Comparative Example 1 In Comparative Example 1, the same as Example 1 except that a core having a diameter of 2 inches (5.08 cm) was used instead of the core having a diameter of 3 inches (7.62 cm). Thus, a film roll according to this comparative example was produced.
  • Comparative Example 2 In Comparative Example 2, except that 450 dicing die bond films were wound around a core having a diameter of 3 inches (7.62 cm), and the diameter of the film roll after winding was 20.0 cm. In the same manner as in Example 1, a film roll according to this comparative example was produced.
  • Pasting device Nitto Seiki, MA-3000III Pasting speed: 10mm / sec Pasting pressure: 0.15 MPa Stage temperature at the time of pasting: 60 ° C
  • the Shore A hardness was measured using a type A durometer under conditions of a thickness of 10 mm and a distance of 15 mm from the end of the test piece, based on JIS K 6253.

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Abstract

　本発明に係る半導体装置製造用フィルムロールは、半導体装置製造用フィルムが円柱状の巻き芯にロール状に巻き取られた半導体装置製造用フィルムロールであって、前記巻き芯の直径が７．５ｃｍ～１５．５ｃｍの範囲内であることを特徴とする。

Description

半導体装置製造用フィルムロール
　本発明は、半導体装置の製造方法に使用されるダイシング・ダイボンドフィルム等の半導体装置製造用フィルムがロール状に巻き取られた半導体装置製造用フィルムロールに関する。
　回路パターンを形成した半導体ウェハは、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、半導体チップにダイシングされる（ダイシング工程）。次いで、前記半導体チップを接着剤にてリードフレーム等の被着体に固着（ダイアタッチ工程）した後、ボンディング工程に移される。前記ダイアタッチ工程に於いては、接着剤をリードフレームや半導体チップに塗布して行っていた。しかし、この方法では接着剤層の均一化が困難であり、また接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層され、当該接着剤層を剥離可能に設けてなるものである。即ち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレーム等の被着体に固着させるようにしたものである。
　この種のダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層には、ダイシング不能や寸法ミス等が生じないように、半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを接着剤層と一体に支持基材から剥離しうる良好な剥離性が望まれる。しかし、この両特性をバランスさせることは容易でない。
　一方、半導体装置の薄型化・小型化に伴い、半導体チップの厚さが従来の２００μｍのから、１００μｍ以下にまで薄層化している。１００μｍ以下の半導体チップを用いて半導体装置を製造する場合は、チップ保護の観点から熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を併用した接着剤層の使用が増加している（例えば、下記特許文献２及び特許文献３参照）。
　この様な接着剤層を備えたダイシング・ダイボンドフィルムは、その使用前に於いては巻き芯に巻き取られたロールの状態で保管されている。ダイシング・ダイボンドフィルムの巻き取りは、巻き取るべきダイシング・ダイボンドフィルムの巻き始めの端縁を巻き芯に接着し、その巻き芯を巻取方向に回転させることにより行われている。このとき、巻き取り張力が弱いと接着シートが歪んだりして皺が発生すると共に、巻き端面が乱れる。従って、ダイシング・ダイボンドフィルムを巻き端面が揃うように巻き取るために、所定以上の張力を加えながら巻き取りがなされている。
　しかし、巻き端面が揃うような強い張力で巻き取っていくとロールの中心方向に応力が集中する結果、例えば、その端縁部とその上に巻き付けられるダイシング・ダイボンドフィルムに巻き痕が生じる。この様なダイシング・ダイボンドフィルムに対し、厚さが１００μｍ以下の半導体ウェハをマウントすると、当該半導体ウェハにはフィルムの巻き痕に起因した段差が発生するという問題がある。また、半導体ウェハをダイシングして半導体チップとし、この半導体チップを、接着剤層を介して被着体にダイアタッチすると、巻き痕のある接着剤層では半導体チップや被着体に対し十分な密着にすることができず、このため十分な接着力を発揮することができなくなる。その結果、半導体チップが被着体から脱落するという問題がある。
特開昭６０－５７６４２号公報 特開２００２－２６１２３３号公報 特開２０００－１０４０４０号公報
　本発明は前記の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、ロール状に巻き取られたダイシング・ダイボンドフィルム等の半導体装置製造用フィルムに、巻き痕が発生するのを低減し、密着性及び接着性に優れた半導体装置製造用フィルムロールを提供することにある。
　本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置製造用フィルムロールについて検討した。その結果、半導体装置製造用フィルムを巻き取る巻き芯の直径を所定の大きさに制御することにより、当該フィルムに巻き痕を生じさせることなくロール状に巻き取ることが可能になることを見出して、本発明を完成させるに至った。
　即ち、本発明に係る半導体装置製造用フィルムロールは、前記の課題を解決する為に、半導体装置製造用フィルムが円柱状の巻き芯にロール状に巻き取られた半導体装置製造用フィルムロールであって、前記巻き芯の直径が７．５ｃｍ～１５．５ｃｍの範囲内であることを特徴とする。
　巻き芯への半導体装置製造用フィルム（以下、「フィルム」という場合がある。）の巻き取りは、当該フィルムが歪んで皺が発生したり、巻き端面が乱れるのを防止するため、所定以上の張力をフィルムに加えながら行う。この様な状態で巻き芯に巻き取りが行われたフィルムには、中心に向かうに従い応力が集中する。本発明は、巻き芯の直径を７．５ｃｍ以上に設定し、巻き取るフィルムに対する接触面積を大きくすることで単位面積当たりに加わる圧力を低減することにより、応力集中の緩和を図るものである。その結果、巻き芯に長期間巻き取られた状態でフィルムロールが保管されても、例えば、フィルムの端縁部の上に巻き付けられるフィルムに巻き痕が生じるのを防止することができる。尚、巻き芯の直径を１５．５ｃｍ以下にするのは、半導体装置製造用フィルムロールの直径が大きくなり過ぎて、取り扱い性が低下するのを防止するためである。
　前記の構成に於いて、前記半導体装置製造用フィルムは、基材上に粘着剤層、接着剤層及びセパレータが順次積層された構造を有するものを用いることができる。本発明であると、前記の様な積層構造を有するダイシング・ダイボンドフィルムにおいても、その粘着剤層や接着剤層等に巻き痕が発生するのを防止することができる。その結果、例えば、当該フィルムにマウントされる厚みの極めて薄い半導体ウェハに対し、前記巻き痕に起因した段差が発生するのを防止することができる。
　前記接着剤層の厚み方向に於けるショアＡ硬度が１０～６０であり、その厚さが１～５００μｍであることが好ましい。接着剤層のショアＡ硬度及び厚さを前記数値範囲内にすることにより、厚み方向に於ける巻き痕に起因した段差の発生を一層防止することが可能になる。
　前記構成に於いて、前記半導体装置製造用フィルムは、２０～１００Ｎ／ｍの範囲内の巻き取り張力が加えられた状態で巻き芯に巻き取られていることが好ましい。前記数値範囲内の巻き取り張力で巻き芯にフィルムを巻き取ることにより、シートが歪んで皺が発生するのを防止すると共に、巻き端面が乱れることなく巻き取りが可能になる。
　前記構成に於いて、半導体装置製造用フィルムロールの直径は８～３０ｃｍの範囲内であることが好ましい。フィルムロールの直径を８ｃｍ以上にすることにより、中心に向かうに従い集中する応力を一層緩和することができる。その一方、前記直径を３０ｃｍ以下にすることにより、フィルムの巻き取り量が多くなり過ぎて、過度な圧力が加わるのを防止することができる。
　また、前記接着剤層は熱可塑性樹脂及び無機充填剤を含むことが好ましい。
　前記接着剤層は熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。
　前記熱可塑性樹脂はアクリル樹脂であることが好ましい。
　前記熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂又はフェノール樹脂の少なくとも何れか一方であることが好ましい。アクリル樹脂はイオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。
　本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
　即ち、本発明によれば、半導体装置製造用フィルムを巻き取る巻き芯の直径を７．５ｃｍ以上に設定することにより、巻き芯のフィルムに対する接触面積を大きくする。これにより、単位面積当たりに加わる圧力を低減し、応力集中の緩和が図れるので、長期間の保管後に於いてもフィルムに巻き痕が発生するのを防止することができる。その結果、例えば、本発明のフィルムに半導体ウェハをマウントしても、当該半導体ウェハにはフィルムの巻き痕に起因した段差が発生するのを防止できる。また、半導体ウェハや半導体チップ等に対するフィルムの密着性にも優れ、良好な接着性を発揮させることができる。
本発明の実施の一形態に係る半導体装置製造用フィルムロールを示す斜視図である。 前記実施の形態に係る半導体装置製造用フィルム（ダイシング・ダイボンドフィルム）の積層構造を示す断面模式図である。 前記実施の形態に係る他の半導体装置製造用フィルム（ダイシング・ダイボンドフィルム）の積層構造を示す断面模式図である。 本発明の実施の一形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム上に、半導体ウェハをマウントする様子を表す説明図である。 前記半導体ウェハをダイシングする様子を表す斜視図である。 図３（ａ）は半導体ウェハに貼付された前記ダイシング・ダイボンドフィルムのエキスパンドの様子を示す説明図であり、図３（ｂ）は半導体チップ及びダイシングリングがダイシング・ダイボンドフィルムに接着固定されている様子を示す平面図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルムにおける接着剤層を介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。
　本実施の形態に係る半導体装置製造用フィルムロール（以下、「フィルムロール」という。）について、半導体装置製造用フィルムとしてダイシング・ダイボンドフィルムを例にして以下に説明する。図１は、本実施の形態に係る半導体装置製造用フィルムロールの概略を表す斜視図である。図２は、半導体装置製造用フィルムとしてのダイシング・ダイボンドフィルムの積層構造を表す断面模式図である。
　図１に示すように、本実施の形態に係るフィルムロール１は、円柱状の巻き芯２にダイシング・ダイボンドフィルム３がロール状に巻き取られたものである。ダイシング・ダイボンドフィルム３の巻き取りは、巻き取るべきダイシング・ダイボンドフィルム３の巻き始めの端縁を巻き芯２に接着し、その巻き芯２を巻取方向に回転させることにより行われている。この巻き取りの際、ダイシング・ダイボンドフィルム３には２０～１００Ｎ／ｍ、好ましくは２５～９０Ｎ／ｍ、より好ましくは３０～８０Ｎ／ｍの範囲内の巻き取り張力が加えられている。巻き取り張力を２０Ｎ／ｍ以上にすることにより、ダイシング・ダイボンドフィルム３に歪みに起因した皺や、巻き端面の乱れの発生を防止することができる。その一方、巻き取り張力を１００Ｎ／ｍ以下にすることにより、ダイシング・ダイボンドフィルム３に過度な張力が加わり伸長するのを防止することができる。
　前記巻き芯２の直径ｒは、７．５～１５．５ｃｍの範囲内が好ましく、７．５～１２．５ｃｍの範囲内がより好ましい。直径ｒを７．５ｃｍ以上にすることにより、巻き芯２のダイシング・ダイボンドフィルム３に対する接触面積を増大させ、単位面積当たりに加わる圧力を低減することができる。その結果、ダイシング・ダイボンドフィルム３に加わる応力集中の緩和が図れる。その一方、直径ｒを１５．５ｃｍ以下にすることにより、フィルムロールの直径が大きくなり過ぎて、取り扱い性が低下するのを防止することができる。
　前記巻き芯２はダイシング・ダイボンドフィルム３をロール状に巻き取る形状であることが必要であり、具体的には、例えば円柱状のもの等が好ましい。多角柱状の巻き芯であると、巻き芯の角部に於いて応力集中が生じ、ダイシング・ダイボンドフィルムに巻き痕が発生するので好ましくない。巻き芯２の構成材料は特に限定されず、例えば、金属製やプラスチック製等のものを使用することができる。
　また、フィルムロール１の直径Ｒは８～３０ｃｍの範囲内が好ましく、８～２５ｃｍの範囲内がより好ましい。直径Ｒを８ｃｍ以上にすることにより、中心に向かうに従い大きくなる応力集中を一層緩和することができる。その一方、直径Ｒを３０ｃｍ以下にすることにより、ダイシング・ダイボンドフィルム３の巻き取り量が多くなり過ぎ、これにより過度な圧力が加わるのを防止することができる。
　前記ダイシング・ダイボンドフィルム３は、基材１１上に粘着剤層１２、接着剤層１３及びセパレータが順次積層された構造を有する。前記接着剤層１３は半導体ウェハの貼り付け領域にのみ積層されている。また、巻き芯２に対するダイシング・ダイボンドフィルム３の巻き取りは、基材１１面とセパレータ面とが対向して接した状態でなされている。尚、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムとしては、図３に示す様に、接着剤層１３’が粘着剤層１２上の全面に積層された構造のダイシング・ダイボンドフィルム３’を用いてもよい。
　前記基材１１は紫外線透過性を有し、かつダイシング・ダイボンドフィルム３、３’の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
　また基材１１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１１を熱収縮させることにより粘着剤層１２と接着剤層１３、１３’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
　基材１１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
　前記基材１１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０～５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。
　基材１１の厚さは、特に制限されず適宜に設定できるが、一般的には５～２００μｍ程度である。
　前記粘着剤層１２は紫外線硬化型粘着剤を含み構成されている。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層１２の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分１２ａのみを紫外線照射することにより他の部分１２ｂとの粘着力の差を設けることができる。
　また、図３に示すダイシング・ダイボンドフィルム３’においても、半導体ウェハの貼り付け部分１３ａ’に対応する部分１２ａに紫外線照射をすることにより、当該部分１２ａを硬化させ、粘着力が低下させることができる。硬化し、粘着力の低下した前記部分１２ａに接着剤層１３が貼付けられる為、粘着剤層１２の前記部分１２ａと接着剤層１３との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分１２ｂを形成する。
　前述の通り、図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム３の粘着剤層１２に於いては、前記部分１２ｂがダイシングリングを固定することができる。ダイシングリングは、例えばステンレス製等の金属からなるものや樹脂製のものを使用できる。また、図３に示すダイシング・ダイボンドフィルム３’の粘着剤層１２に於いては、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分１２ｂは接着剤層１３’と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体に固着するための接着剤層１３’を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。
　前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素－炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。
　前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染を嫌う電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
　前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ－ブチルエステル、ｔ－ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２－エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１～３０、特に炭素数４～１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
　前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル、（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
　更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
　前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万～３００万程度である。
　また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１～５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
　配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００～３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５～５００重量部、好ましくは４０～１５０重量部程度である。
　また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素－炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
　前記炭素－炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素－炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
　前記アクリル系ポリマーへの炭素－炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素－炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素－炭素二重結合を有する化合物を、炭素－炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
　これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素－炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素－炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
　前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素－炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０～１０重量部の範囲である。
　前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２－ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１－フェノン－１，１―プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５～２０重量部程度である。
　また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０－１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
　前記粘着剤層１２に前記部分１２ａを形成する方法としては、基材１１に紫外線硬化型の粘着剤層１２を形成した後、前記部分１２ａに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分１３ａ以外の部分１３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層１２の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１１上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層１２に行うこともできる。
　ダイシング・ダイボンドフィルム３の粘着剤層１２に於いては、前記部分１２ａの粘着力＜その他の部分１２ｂの粘着力、となるように粘着剤層１２の一部を紫外線照射してもよい。即ち、基材１１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分１３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層１２を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分１３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分１２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム３を製造可能である。
　尚、紫外線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、紫外線硬化型の粘着剤層１２の表面から酸素（空気）を遮断するのが望ましい。その方法としては、例えば粘着剤層１２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の紫外線の照射を行う方法等が挙げられる。
　粘着剤層１２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着剤層１３の固定保持の両立性等の観点から１～５０μｍ程度が好ましく、２～３０μｍがより好ましく、５～２５μｍが特に好ましい。
　前記接着剤層１３、１３’は接着機能を有する層であり、その構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用してもよく、熱可塑性樹脂を単独で使用してもよい。
　前記接着剤層１３、１３’の厚み方向に於けるショアＡ硬度は１０～６０であることが好ましく、１５～５５であることがより好ましく、２０～５０であることが特に好ましい。尚、ショアＡ硬度は、ＪＩＳ　Ｋ　６２５３に基づき、厚さ１０ｍｍ、試験片の端からの距離１５ｍｍの条件下でタイプＡデュロメータを用いて測定した値である。
　前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリプタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
　前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４～１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
　また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル若しくは（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）－メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
　前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
　前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型，ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
　更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
　前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５～２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは０．８～１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
　尚、本実施の形態に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む接着剤層１３、１３’が特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が１０～２００重量部である。
　本実施の形態に係る接着剤層１３、１３’は、予めある程度架橋をさせておくために、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させてもよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図る。
　前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ－フェニレンジイソシアネート、１，５－ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５～７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
　また、接着剤層１３、１３’には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鈴、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリ力が好適に用いられる。また、無機充填剤の平均粒径は０．１～８０μｍの範囲内であることが好ましい。
　前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し０～８０重量部に設定することが好ましく、０～７０重量部に設定することがより好ましい。
　尚、接着剤層１３、１３’には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
　接着剤層１３の厚さは特に限定されないが、例えば、５～１００μｍ程度、好ましくは５～５０μｍ程度である。
　ダイシング・ダイボンドフィルム３、３’には、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによるワーク（半導体ウェハ等）の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材１１、粘着剤層１２乃至接着剤層１３へ帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、基材１１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。ただし、前記接着剤層１３、１３’は、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。
　前記ダイシング・ダイボンドフィルム３、３’の接着剤層１３、１３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい。セパレータは、実用に供するまで接着剤層１３、１３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層１２に接着剤層１３、１３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層１３、１３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
　次に、本実施の形態に係るフィルムロール１を用いた半導体装置の製造方法について説明する。先ず、前記フィルムロール１からダイシング・ダイボンドフィルム３を切断して取り出した後、セパレータを剥離する。
　次いで、図４に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム３に於ける接着剤層１３上に半導体ウェハ２１を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。
　続いて、図５に示すように、半導体ウェハ２１のダイシングを行う。ダイシングは半導体ウェハ２１を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ２２を作製する工程である。ダイシングは、例えば半導体ウェハ２１の回路面側から常法に従い行われる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハ２１は、ダイシング・ダイボンドフィルム３により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ２１の破損も抑制できる。尚、ダイシングは、例えばダイシングブレード２８が粘着剤層１２に到達する程度にまで切込みを行ってもよい。
　次に、図６に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム３のエキスパンドを行う（図６（ａ）及び６（ｂ）参照）。同図（ａ）は、半導体ウェハ２１に貼付されたダイシング・ダイボンドフィルム３のエキスパンドの様子を示す説明図であり、同図（ｂ）は複数の半導体チップ２２及びダイシングリング２５が接着剤層１３に接着固定されている様子を示す平面図である。接着剤層１３には、半導体ウェハ２１をダイシングしたことにより形成された複数の半導体チップ２２が接着固定されている。また、各半導体チップ２２の形成領域の外側には、複数の半導体チップ２２が接着固定されている領域から所定の領域を介してダイシングリング２５が、粘着剤層１２に接着固定されている。エキスパンドは、従来公知のエキスパンド装置を用いて行う。エキスパンド装置は、ダイシングリング２５を介してダイシング・ダイボンドフィルム３を下方に押し下げることが可能なドーナツ状の外リング２６と、該外リング２６よりも径が小さく、ダイシング・ダイボンドフィルム３を支持する内リング２７とを有している。
　エキスパンドは、次の通りにして行われる。先ず、外リング２６は、ダイシング・ダイボンドフィルム３が介挿可能な程度に、内リング２７の上方に十分な距離をおいて位置させる。次に、外リング２６と内リング２７との間に、半導体チップ２２及びダイシングリング２５が接着固定されたダイシング・ダイボンドフィルム３を介挿させる。このとき、半導体チップ２２が接着固定されている領域が、内リング２７の中央部に位置する様にセットする。その後、外リング２６が、内リング２７に沿って下方へ移動し、同時にダイシングリング２５を押し下げる。ダイシングリング２５が押し下げられることで、ダイシング・ダイボンドフィルム３はダイシングリングと内リングの高度差によって、引き伸ばされエキスパンドが行なわれる。エキスパンドの目的は、ピックアップの際に半導体チップ２２同士が接触して破損するのを防ぐことにある。
　続いて、ダイシング・ダイボンドフィルム３に接着固定された半導体チップ２２を剥離する為に、半導体チップ２２のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ２２をダイシング・ダイボンドフィルム３側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ２２をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
　ピックアップした半導体チップ２２は、接着剤層３１を介して被着体２３に接着固定する（ダイアタッチ）。被着体２３はヒートブロック上に載置されている。本実施の形態に係る接着剤層１３は巻き痕に起因した段差の発生が抑制されたものであるので、当該ダイアタッチは被着体２３に対し十分な密着性を確保して行うことができる。その結果、半導体チップ２２を被着体２３上に良好に接着することができる。ダイアタッチの条件としては特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。被着体２３としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体２３は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
　前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド－トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チップをマウントし、半導体チップと電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
　接着剤層１３が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体チップ２２を被着体２３に接着固定し、耐熱強度を向上させる。尚、接着剤層３１を介して半導体チップ２２が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。その後、基板の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ２２上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー２９で電気的に接続するワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂３０で封止し、当該封止樹脂３０をアフターキュアする。これにより、本実施の形態に係る半導体装置が作製される。
　以上の様に、本実施の形態に係るフィルムロールから取り出されたダイシング・ダイボンドフィルムに於いては、接着剤層１３に対し巻き痕に起因した段差が発生するのを抑制するので、半導体チップ２２を被着体２３から脱落させることなく良好に接着させることができる。その結果、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを半導体装置の製造に適用することにより、半導体装置の製造歩留まりの低減が可能になる。
　以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。
　（実施例１）
　アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ－１９７ＣＭ）１００重量部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤３重量部、エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、エピコート１００４）２３重量部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ－ＬＬ）６重量部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、Ｓ０－２５Ｒ）６０重量部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２０重量％の接着剤組成物の溶液を調製した。
　この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）からなる離型処理フィルム（コア材料）上に塗布し、１２０℃で３分間乾燥させた。これにより、離型処理フィルム上に厚さ２５μｍの接着剤層を形成した。
　次に、厚さが１００μｍのポリオレフィンフィルムからなる基材上に、アクリル系粘着剤組成物の溶液を塗布、乾燥して、厚さが７μｍの粘着剤層を形成してダイシングフィルムを作製した（日東電工（株）製、ＭＤ－１０７Ｇ）。
　尚、前記アクリル系粘着剤の溶液は、次の様にして調製した。即ち、先ずアクリル酸ブチルとアクリル酸エチルと２－ヒドロキシアクリレートとアクリル酸とを重量比６０／４０／４／１の割合で共重合させ、重量平均分子量が８００，０００のアクリル系ポリマーを得た。次に、このアクリル系ポリマー１００重量部に、架橋剤として多官能エポキシ系架橋剤を０．５重量部、光重合性化合物としてジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートを９０重量部、光重合開始剤としてα－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを５重量部配合し、これらを有機溶剤としてのトルエンに均一に溶解させた。これにより、前記アクリル系粘着剤の溶液を作成した。
　続いて、離型処理フィルム上の接着剤層を直径が３３０ｍｍの円形状に切り抜き、この円形状の接着剤層を前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に貼り合わせた。貼り合わせ条件は、ラミネート温度４０℃、線圧３．０ｋｇｆ／ｃｍとした。これにより、本実施例に係るダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
　更に、前記ダイシング・ダイボンドフィルム３００枚を、直径が３インチ（７．６２ｃｍ）の巻き芯に巻き取った。このときのダイシング・ダイボンドフィルムに加えた巻き取り張力は、２５Ｎ／ｍとした。また、巻き取り後のフィルムロールの直径は１８．０ｃｍであった。
　（実施例２）
　本実施例２に於いては、直径が３インチ（７．６２ｃｍ）の巻き芯に代えて、直径が６インチ（１５．２４ｃｍ）の巻き芯を用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るフィルムロールを作製した。
　（実施例３）
　本実施例３に於いては、５０枚のダイシング・ダイボンドフィルムを直径が３インチ（７．６２ｃｍ）の巻き芯に巻き取り、巻き取り後のフィルムロールの直径を１１．３ｃｍにしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るフィルムロールを作製した。
　（実施例４）
　本実施例４に於いては、４００枚のダイシング・ダイボンドフィルムを直径が３インチ（７．６２ｃｍ）の巻き芯に巻き取り、巻き取り後のフィルムロールの直径を１９．０ｃｍにしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るフィルムロールを作製した。
　（比較例１）
　本比較例１に於いては、直径が３インチ（７．６２ｃｍ）の巻き芯に代えて、直径が２インチ（５．０８ｃｍ）の巻き芯を用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るフィルムロールを作製した。
　（比較例２）
　本比較例２に於いては、４５０枚のダイシング・ダイボンドフィルムを直径が３インチ（７．６２ｃｍ）の巻き芯に巻き取り、巻き取り後のフィルムロールの直径を２０．０ｃｍにしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るフィルムロールを作製した。
　（巻き痕の確認）
　前記各実施例及び比較例で作製したフィルムロールを、それぞれ作製後１ヶ月間保管をした。保管条件は温度２５℃、相対湿度５０％Ｒｈとした。保管後、巻き芯から最も近いダイシング・ダイボンドフィルムを５枚取り出した。このダイシング・ダイボンドフィルムに対し、その接着剤層上にミラーウェハ（厚さ７６０μｍ）をマウントした。マウント条件は、下記の通りにした。
　［貼り合わせ条件］
　貼り付け装置：日東精機製、ＭＡ－３０００III
　貼り付け速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ
　貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
　貼り付け時のステージ温度：６０℃
　マウント後、ダイシング・ダイボンドフィルムの巻き痕に起因する段差が、ミラーウェハに発生しているか否かを確認した。結果を下記表１に示す。
　（ショアＡ硬度の測定）
　ショアＡ硬度の測定は、ＪＩＳ　Ｋ　６２５３に基づき、厚さ１０ｍｍ、試験片端からの距離１５ｍｍの条件下でタイプＡデュロメータを用いて行った。
　（結果）
　下記表１から明らかな通り、実施例１～４のダイシング・ダイボンドフィルムを用いてマウントしたミラーウェハに於いては、当該フィルムの巻き痕に起因した段差が全く見られず良好な外観であることが確認された。その一方、比較例１及び２のダイシング・ダイボンドフィルムに於いては、ミラーウェハに段差が発生していることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　　　　１　　半導体装置製造用フィルムロール
　　　　２　　巻き芯
　　　　３　　ダイシング・ダイボンドフィルム（半導体装置製造用フィルム）
　　　１１　　基材
　　　１２　　粘着剤層
　　　１３　　接着剤層
　　　２１　　半導体ウェハ
　　　２２　　半導体チップ
　　　２３　　被着体
　　　２５　　ダイシングリング
　　　２６　　外リング
　　　２７　　内リング
　　　２８　　ダイシングブレード
　　　３０　　封止樹脂
　　　２９　　ボンディングワイヤー
　　　３１　　接着剤層
 
 

Claims (10)

  1. 　半導体装置製造用フィルムが円柱状の巻き芯にロール状に巻き取られた半導体装置製造用フィルムロールであって、前記巻き芯の直径が７．５ｃｍ～１５．５ｃｍの範囲内である半導体装置製造用フィルムロール。
  2. 　前記半導体装置製造用フィルムは、基材上に粘着剤層、接着剤層及びセパレータが順次積層された構造を有する請求項１に記載の半導体装置製造用フィルムロール。
  3. 　前記接着剤層の厚み方向に於けるショアＡ硬度が１０～６０であり、その厚さが１～５００μｍである請求項２に記載の半導体装置製造用フィルムロール。
  4. 　前記半導体装置製造用フィルムは、２０～１００Ｎ／ｍの範囲内の巻き取り張力が加えられた状態で巻き芯に巻き取られている請求項１に記載の半導体装置製造用フィルムロール。
  5. 　直径が８～３０ｃｍの範囲内である請求項１に記載の半導体装置製造用フィルムロール。
  6. 　前記接着剤層は熱可塑性樹脂及び無機充填剤を含む請求項２に記載の半導体装置製造用フィルムロール。
  7. 　前記接着剤層は熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂を含む請求項２に記載の半導体装置製造用フィルムロール。
  8. 　前記熱可塑性樹脂はアクリル樹脂である請求項６に記載の半導体装置製造用フィルムロール。
  9. 　前記熱可塑性樹脂はアクリル樹脂である請求項７に記載の半導体装置製造用フィルムロール。
  10. 　前記熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂又はフェノール樹脂の少なくとも何れか一方である請求項７に記載の半導体装置製造用フィルムロール。
     
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