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WO2012053302A1 - Ｅｕｖリソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物 - Google Patents

Ｅｕｖリソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物 Download PDF

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WO2012053302A1
WO2012053302A1 PCT/JP2011/071139 JP2011071139W WO2012053302A1 WO 2012053302 A1 WO2012053302 A1 WO 2012053302A1 JP 2011071139 W JP2011071139 W JP 2011071139W WO 2012053302 A1 WO2012053302 A1 WO 2012053302A1
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WO
WIPO (PCT)
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group
formula
euv
upper layer
layer film
Prior art date
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PCT/JP2011/071139
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English (en)
French (fr)
Inventor
坂本　力丸
邦慶 何
貴文 遠藤
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Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to KR1020137008604A priority patent/KR101915138B1/ko
Priority to JP2012539643A priority patent/JP6004179B2/ja
Priority to CN201180050223.3A priority patent/CN103168274B/zh
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    • C08F212/22—Oxygen
    • C08F212/24—Phenols or alcohols

Definitions

  • the present invention reduces an adverse effect exerted by EUV used in a device manufacturing process using EUV lithography and is effective for obtaining a good resist pattern, and a resist upper layer composition for EUV lithography, and the resist upper layer for EUV lithography
  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor using a film composition.
  • a thin film of a photoresist composition is formed on a substrate to be processed such as a silicon wafer, and irradiated with actinic rays such as ultraviolet rays through a mask pattern on which a semiconductor device pattern is drawn, and developed.
  • actinic rays such as ultraviolet rays
  • This is a processing method for etching a substrate to be processed such as a silicon wafer using the obtained photoresist pattern as a protective film.
  • actinic rays used have also been shortened in wavelength from KrF excimer laser (248 nm) to ArF excimer laser (193 nm).
  • an antireflection film (Bottom Anti-Reflective) is used as a resist underlayer film that plays a role of preventing reflection between the photoresist and the substrate to be processed.
  • Coating BARC
  • inorganic antireflection films such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, ⁇ -silicon, and organic antireflection films made of a light-absorbing substance and a polymer compound are known. ing.
  • the former requires equipment such as a vacuum deposition apparatus, a CVD apparatus, and a sputtering apparatus for film formation, whereas the latter is advantageous in that no special equipment is required, and many studies have been made.
  • a substrate coated with an EUV resist is irradiated with EUV light, developed, and a resist pattern is formed.
  • beryllium, boron, carbon, silicon, zirconium, niobium is formed on the upper layer of the EUV resist in order to protect the EUV resist from contaminants and to block unwanted radiation such as UV light and DUV (deep ultraviolet) light.
  • a method including a polymer including a group including at least one selected from the group consisting of molybdenum Patent Document 1 and Patent Document 2.
  • JP 2004-348133 A Japanese Patent Laid-Open No. 2008-198788
  • an upper layer film of the EUV resist without intermixing with the EUV resist, exposure light which is not preferable for EUV exposure, for example, UV light or DUV light is blocked and only the EUV light is selectively transmitted.
  • a composition for forming an upper layer film of an EUV resist for use in an EUV lithography process that can be developed with a developer.
  • the present invention relates, as a first aspect, to a composition for forming an EUV resist upper layer film used in an EUV lithography process, which contains a resin containing a naphthalene ring in the main chain or side chain and a solvent.
  • the composition for forming an EUV resist upper layer film according to the first aspect which comprises a group, a carboxyl group, a sulfo group, or a monovalent organic group containing at least one of these groups.
  • the EUV resist according to the first aspect or the second aspect wherein the resin includes a unit structure represented by the formula (1) or a unit structure represented by the formula (1) and the formula (2).
  • the present invention relates to an upper layer film-forming composition.
  • R 1 and R 3 each independently represent a hydroxy group, a carboxyl group, a sulfo group or a monovalent organic group containing at least one of these groups;
  • R 2 and R 4 Each independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a benzyl group, a phenyl group, a halogen atom, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a nitro group, or a cyano group.
  • Ar 1 represents a benzene ring or an anthracene ring
  • n1 and n2 each represents an integer of 0 to 6
  • n3 and n4 Each represents 0 to the maximum integer that can be substituted with a benzene ring or an anthracene ring, provided that (n1) or (n1 + n3) is at least 1.
  • the resin is represented by the unit structure represented by the formula (3), the unit structure represented by the formula (3) and the formula (4), or the formula (3) and the formula (5).
  • T represents a single bond, or an ether group, an ester group, a carbonyl group, an amide group, or a divalent organic group containing at least one of these groups.
  • R 7 , R 10 , R 12 And R 13 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group
  • R 5 , R 8 and R 11 each independently represent at least one of a hydroxy group, a carboxyl group, a sulfo group or a group thereof.
  • R 6 and R 9 each independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a benzyl group, a phenyl group, a halogen atom, Represents an atom, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a nitro group, a cyano group, an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, or a combination of two or more thereof, and n5 and n6 each represents an integer of 0 to 7 N8 And n9 each represents an integer of 0 to 5, provided that (n5), (n5 + n8), (n5 + n11), or (n5 + n8 + n11) is at least 1.
  • the present invention relates to the composition for forming an EUV resist upper layer film according to any one of the first to fourth aspects, wherein the solvent is an alcohol solvent.
  • the present invention relates to the composition for forming an EUV resist upper layer film according to any one of the first to fifth aspects, further comprising an acid compound.
  • the present invention relates to the EUV resist upper layer film forming composition according to the sixth aspect, wherein the acid compound is a sulfonic acid compound or a sulfonic acid ester compound.
  • the present invention relates to the EUV resist upper layer film-forming composition according to the sixth aspect, wherein the acid compound is an iodonium salt-based acid generator or a sulfonium salt-based acid generator.
  • a step of forming an EUV resist film on the substrate Applying the EUV resist upper layer film-forming composition according to any one of claims 1 to 8 on the resist film and baking to form an EUV resist upper layer film, Exposing the semiconductor substrate coated with the resist upper layer film and the resist film; A step of developing after exposure to remove the resist upper layer film and the resist film;
  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device including:
  • the present invention relates to the method for manufacturing a semiconductor device according to the ninth aspect, in which exposure is performed with EUV (wavelength: 13.5 nm) light.
  • an upper layer film of the EUV resist it is possible to block out-of-BAND radiation that is not preferable for EUV exposure, for example, UV light or DUV light, without intermixing with the EUV resist.
  • an EUV resist upper layer film-forming composition that can selectively transmit only EUV light and can form an EUV resist upper layer film that can be developed with a developer after exposure.
  • the composition for forming an EUV resist upper layer film of the present invention can provide a resist upper layer film that can absorb DUV light of 200 to 240 nm, which is considered to be the most undesirable among the out-of-band light radiation contained in EUV exposure light.
  • the resolution of the EUV resist can be improved.
  • composition for forming an upper layer film of the EUV resist of the present invention when applied to the manufacture of a semiconductor device, no intermixing occurs with the EUV resist formed in the lower layer, and after the EUV exposure, the composition is developed together with the EUV resist. It can be removed by liquid.
  • FIG. 1 shows resist upper layer films formed using the resist upper layer film forming compositions (solutions) obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 at wavelengths of 200 nm to 240 nm using a spectrophotometer, respectively. It is a figure which shows the graph which measured the transmittance
  • the present invention is directed to a composition suitable for an EUV resist upper layer film used in an EUV lithography process.
  • a substrate coated with an EUV resist is irradiated with EUV light to be exposed.
  • the EUV light may contain about 5% of light having a wavelength of 300 nm or less (that is, UV light or DUV light) in addition to the EUV light.
  • light having a wavelength of about 190 to 300 nm, 190 to 250 nm, particularly about 200 to 240 nm leads to a decrease in sensitivity of the EUV resist and a deterioration of the pattern shape.
  • the present inventors selected a polymer containing a naphthalene ring that selectively and efficiently absorbs DUV light near 200 to 240 nm as the polymer used for the EUV resist upper layer film.
  • the EUV resist upper layer film-forming composition having high solubility in a system solvent has been completed.
  • the EUV resist upper layer film formed from the composition of the present invention has a hydrophilic group composed of a hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfo group, and an organic group containing these groups in the polymer as the material, thereby developing a developer. Since it can be dissolved in (for example, an alkaline developer), it can be dissolved and removed by the developer together with the EUV resist during development after exposure.
  • an alkaline developer for example, an alkaline developer
  • the present invention is an EUV resist upper layer film forming composition used in an EUV lithography process containing a resin containing a naphthalene ring in the main chain or side chain.
  • the EUV resist upper layer film-forming composition contains a resin containing a naphthalene ring and a solvent, and may further contain a crosslinking agent, a crosslinking catalyst, and a surfactant.
  • the solid content of the composition for forming an upper layer film of the EUV resist of the present invention is 0.1 to 50% by mass, preferably 0.5 to 30% by mass.
  • the solid content is obtained by removing the solvent component from the composition for forming an upper layer film of the EUV resist.
  • the content of the resin in the composition for forming an EUV resist upper layer film is 20% by mass or more in the solid content, for example, 20 to 100% by mass, or 30 to 100% by mass, or 50 to 90% by mass, or 60 to 80% by mass. %.
  • the resin may contain a hydroxy group, a carboxyl group, a sulfo group, or a monovalent organic group containing at least one of these groups as a hydrophilic group.
  • the resin is a resin including the structural unit represented by the formula (1), or both the structural unit represented by the formula (1) and the unit structure represented by the formula (2). It can be set as resin to contain.
  • R 1 and R 3 are each independently a hydroxy group, a carboxyl group, a sulfo group, or a monovalent organic group containing at least one of these groups.
  • R 2 and R 4 each independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a benzyl group, a phenyl group, a halogen atom, or a carbon atom having 1 to 10 carbon atoms. It represents an alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, or a combination of two or more thereof.
  • Ar 1 represents a benzene ring or an anthracene ring.
  • n1 and n2 each represent an integer of 0 to 6
  • n3 and n4 each represent 0 to the largest integer that can be substituted with a benzene ring or an anthracene ring (benzene ring: 4, anthracene ring: 8).
  • (n1) or (n1 + n3) is at least 1.
  • at least 1 can be 1, 2, 3, or 4.
  • R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 may be the same group or different groups.
  • the resin includes a resin including a structural unit represented by the formula (3), a resin including two structural units of a structural unit represented by the formula (3) and a structural unit represented by the formula (4).
  • a resin containing two structural units of a structural unit represented by formula (3) and a structural unit represented by formula (5), a structural unit represented by formula (3) and represented by formula (4) A resin containing three structural units of a structural unit represented by formula (5), a structural unit represented by formula (3), a structural unit represented by formula (5), and formula (6)
  • R 7 , R 10 , R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group
  • R 5 , R 8 and R 11 are each independently A hydroxy group, a carboxyl group, a sulfo group or a monovalent organic group containing at least one of these groups, wherein R 6 and R 9 are each independently a group having 1 to 10 carbon atoms.
  • n5 and n6 each represent an integer of 0 to 7
  • n8 and n9 each represent an integer of 0 to 5.
  • (n5), (n5 + n8), (n5 + n11), or (n5 + n8 + n11) represents at least 1.
  • at least 1 can be 1, 2, 3, or 4.
  • R 5 , R 6 , R 7 , and R 8 may be the same group or different groups.
  • T represents a single bond or an ether group (—O—), an ester group (— (CO) O—), a carbonyl group (— (CO) —), an amide group (— (CO) — (NH) —). Or a divalent organic group containing at least one of these groups.
  • the divalent organic group in T is a divalent organic group derived from an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a phenyl group, or the like exemplified below.
  • the monovalent organic group in R 1 and R 3 is, for example, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, or a phenyl group exemplified below, a hydroxy group, a carboxyl group, A sulfo group or a monovalent organic group containing at least one of these groups is contained.
  • the monovalent organic group in R 5 , R 8 and R 11 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, or a phenyl group, as exemplified below. A group, a sulfo group, or a monovalent organic group containing at least one of these groups.
  • alkyl group having 1 to 10 carbon atoms examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t- Butyl, cyclobutyl, 1-methyl-cyclopropyl, 2-methyl-cyclopropyl, n-pentyl, 1-methyl-n-butyl, 2-methyl-n-butyl, 3-methyl-n -Butyl group, 1,1-dimethyl-n-propyl group, 1,2-dimethyl-n-propyl group, 2,2-dimethyl-n-propyl group, 1-ethyl-n-propyl group, cyclopentyl group, 1 -Methyl-cyclobutyl group, 2-methyl-cyclobutyl group, 3-methyl-cyclobutyl group, 1,2-dimethyl-cyclopropyl group, 2,3
  • alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms examples include ethenyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, 1-methyl-1-ethenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, 1-ethylethenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, 1-pentenyl group, 2-pentenyl group 3-pentenyl group, 4-pentenyl group, 1-n-propylethenyl group, 1-methyl-1-butenyl group, 1-methyl-2-butenyl group, 1-methyl-3-butenyl group, 2-ethyl -2-propenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2-methyl-3-butenyl group, 3-methyl-1-butenyl group, 3-methyl-2-butenyl group 3-methyl-3methyl
  • alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms examples include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, s-butoxy group, t-butoxy group, n -Pentyloxy group, 1-methyl-n-butoxy group, 2-methyl-n-butoxy group, 3-methyl-n-butoxy group, 1,1-dimethyl-n-propoxy group, 1,2-dimethyl-n -Propoxy group, 2,2-dimethyl-n-propoxy group, 1-ethyl-n-propoxy group, n-hexyloxy group, 1-methyl-n-pentyloxy group, 2-methyl-n-pentyloxy group, 3-methyl-n-pentyloxy group, 4-methyl-n-pentyloxy group, 1,1-dimethyl-n-butoxy group, 1,2-dimethyl-n-butoxy group, 1,3-dimethyl-n- The Xyl
  • alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms examples include an ethylthio group, a butylthio group, a hexylthio group, and an octylthio group.
  • halogen atom examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • the weight average molecular weight of the resin used in the composition for forming an EUV resist upper layer film of the present invention is 500 to 1,000,000, preferably 700 to 500,000, more preferably 1000 to 300,000, and still more preferably 1, 000 to 100,000.
  • Examples of the resin include resins containing unit structures described in the following formulas (7-1) to (7-5) (resins having a naphthalene ring in the main chain), or formulas (8-1) to A resin containing a unit structure described in formula (8-7) (a resin containing a naphthalene ring in the side chain) can be used.
  • an alcohol solvent can be preferably used as the solvent contained in the composition for forming an EUV resist upper layer film of the present invention.
  • these alcohol solvents include 1-butanol, 2-butanol, isobutyl alcohol, tert-butyl alcohol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3-pentanol, tert-amyl alcohol, neopentyl alcohol, 2- Methyl-1-butanol, 3-methyl-1-butanol, 3-methyl-3-pentanol, cyclopentanol, 1-hexanol, 2-hexanol, 3-hexanol, 2,3-dimethyl-2-butanol, 3 , 3-dimethyl-1-butanol, 3,3-dimethyl-2-butanol, 2-diethyl-1-butanol, 2-methyl-1-pentanol, 2-methyl-2-pentanol, 2-methyl-3 -Pentanol, 3-methyl-1-pentan
  • the solvent is ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether Acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, Methyl 3-methoxypropionate, 3-methoxy Ethyl propionate, ethyl 3-e
  • the EUV resist upper layer film-forming composition of the present invention can further contain an acid compound in order to make the acidity of the resist present in the lower layer coincide in the lithography process.
  • an acid compound for example, a sulfonic acid compound or a sulfonic acid ester compound can be suitably used.
  • sulfonic acid or sulfonic acid ester compound examples include acidic compounds such as p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonic acid, sulfosalicylic acid, and / or benzoin tosylate, 2-nitrobenzyl.
  • acidic compounds such as p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonic acid, sulfosalicylic acid, and / or benzoin tosylate, 2-nitrobenzyl.
  • thermal acid generators such as tosylate, and salicylic acid, citric acid, benzoic acid, hydroxybenzoic acid, 2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone and the like can also be used.
  • an acid generator that generates an acid by EUV irradiation may be added as an acid compound in order to match the acidity with the resist present in the lower layer in the lithography process.
  • Preferred acid generators include, for example, onium salt acid generators such as bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate (eg, iodonium salt acid generator, sulfonium salt type).
  • Acid generators such as phenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, and sulfonic acid generators such as benzoin tosylate and N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate. It is done.
  • the compounding amount of these acid compounds is 0.02 to 10% by mass, preferably 0.04 to 5% by mass, per 100% by mass of the total solid content of the composition for forming an upper layer film of the EUV resist of the present invention.
  • the rheology modifier is added mainly for the purpose of improving the fluidity of the resist upper layer film-forming composition.
  • Specific examples include phthalic acid derivatives such as dimethyl phthalate, diethyl phthalate, diisobutyl phthalate, dihexyl phthalate, and butyl isodecyl phthalate; Mention may be made of maleic acid derivatives such as normal butyl maleate, diethyl maleate and dinonyl maleate, oleic acid derivatives such as methyl oleate, butyl oleate and tetrahydrofurfuryl oleate, or stearic acid derivatives such as normal butyl stearate and glyceryl stearate. it can.
  • These rheology modifiers are usually blended at a ratio of less than 30% by mass with respect to 100% by mass of the total composition of the EUV resist upper layer film forming composition.
  • a surfactant can be blended in order to further improve the coating property against surface unevenness without occurrence of pinholes and setups.
  • the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether, polyoxyethylene nonylphenol ether.
  • Polyoxyethylene alkyl allyl ethers Polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate, etc.
  • Sorbitan fatty acid esters polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sol
  • Nonionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as tan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate; EFTOP EF301, EF303, EF352 (manufactured by Tochem Products Co., Ltd.
  • the compounding amount of these surfactants is usually 0.2% by mass or less, preferably 0.1% by mass or less, per 100% by mass of the total composition of the resist upper layer film-forming composition of the present invention.
  • These surfactants may be added alone or in combination of two or more.
  • Chemically amplified resist comprising a binder having a group that decomposes with an acid generator and an acid to change the alkali dissolution rate, a low molecular weight compound that decomposes with an alkali-soluble binder, an acid generator and an acid to change the alkali dissolution rate of the resist
  • a chemically amplified resist comprising: a binder having a group that decomposes with an acid generator and an acid to change the alkali dissolution rate; and a chemically amplified resist comprising a low-molecular compound that decomposes with an acid to change the alkali dissolution rate of the resist,
  • a non-chemically amplified resist composed of a binder having a group that is decomposed by EUV light to change the alkali dissolution rate
  • a non-chemically amplified resist composed of a binder having a group that is decomposed by EUV light to change the alkali dissolution rate and a non-chemically ampl
  • sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia Inorganic alkalis such as water, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, dimethylethanolamine, Alcohol aqueous solutions such as alcohol amines such as ethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and choline, cyclic amines such as pyrrole and piperidine, and the like can be used.
  • primary amines such as ethylamine and n-propylamine
  • secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine
  • tertiary amines such as triethyl
  • an appropriate amount of an alcohol such as isopropyl alcohol or a nonionic surfactant may be added to the alkaline aqueous solution.
  • an alcohol such as isopropyl alcohol or a nonionic surfactant
  • preferred developers are quaternary ammonium salts, more preferably tetramethylammonium hydroxide and choline.
  • a step of forming an EUV resist film with or without an EUV resist underlayer film on a substrate having a film to be processed for forming a transfer pattern, an EUV resist upper layer film forming composition on the resist film The semiconductor layer is coated and baked to form an EUV resist upper layer film, to expose the semiconductor substrate coated with the resist upper layer film and the resist film, and to develop after exposure to remove the resist upper layer film and the resist film.
  • a device can be manufactured, and a method of manufacturing a semiconductor device including such steps is also an object of the present invention.
  • the exposure is performed with EUV (wavelength 13.5 nm) light.
  • the semiconductor device to which the composition for forming an EUV resist upper layer film of the present invention is applied has a structure in which a processing target film, a resist film, and a resist upper layer film are transferred in sequence on a substrate during the manufacturing process. It can take.
  • the resist upper layer film formed from the composition for forming an EUV resist upper layer film of the present invention can reduce adverse effects exerted by the base substrate and EUV, and forms a good resist pattern with a straight shape after exposure to EUV light. As a result, a sufficient margin for EUV irradiation can be obtained.
  • the resist upper layer film formed from the composition for forming an EUV resist upper layer film of the present invention can have a large wet etching rate equivalent to that of the resist film formed in the lower layer, and therefore is processed by the wet etching process.
  • the resist pattern can be easily transferred to the underlying film (processing target film to which the pattern is transferred).
  • This resin corresponds to a resin containing the structural unit described in the above formula (7-2). (Weight average molecular weight is 3,200.) 1 g was dissolved in 99 g of 4-methyl-2-pentanol to obtain an EUV resist upper layer film forming composition (solution).
  • This resin corresponds to a resin containing the structural unit described in the above formula (7-2). (Weight average molecular weight is 2,800.) 1 g was dissolved in 99 g of 4-methyl-2-pentanol to obtain an EUV resist upper layer film forming composition (solution).
  • Example 3 Vinyl naphthalene-containing resin (2-vinyl naphthalene: hydroxystyrene: methacrylic acid was radical polymerized at a mass ratio of 50:20:30. This resin contains a structural unit represented by the above formula (8-4). (The weight average molecular weight is 5,800.) 1 g was dissolved in 99 g of 4-methyl-2-pentanol to obtain an EUV resist upper layer film forming composition (solution).
  • Comparative Example 1 1 g of polyhydroxystyrene resin (commercial product, weight average molecular weight: 8,000) was dissolved in 99 g of 4-methyl-2-pentanol to obtain an EUV resist upper layer film forming composition (solution).
  • the resist upper layer film-forming composition (solution) prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 of the present invention was applied onto the resist film using a spinner, and then on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute. It heated, the resist upper layer film was formed, and the film thickness measurement was performed (film thickness B: sum of the film thickness of a resist and a resist upper layer film).
  • a commercially available developer product name: NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
  • NMD-3 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
  • the film was baked at 100 ° C. for 60 seconds to measure the film thickness (film thickness C).
  • Table 1 When the film thickness A is equal to the film thickness C, it can be said that there is no intermixing with the resist.
  • the transmittance at a wavelength of 13.5 nm was calculated by simulation from the relationship between the elemental composition ratio and the film density. And the transmittance
  • the transmittance at 13.5 nm in each of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 was 88 (%).
  • Examples 1 to 3 show the results that EUV light transmission is good and DUV light blocking properties are excellent, while Comparative Example 1 has a DUV light blocking property. The result was inferior. More specifically, as shown in FIG. 1, the films formed using the resist upper layer film forming compositions of Examples 1 to 3 have a light transmittance of less than 40% at wavelengths of 220 nm to 240 nm. In the films formed using the resist upper layer film-forming compositions of Example 1 and Example 2, the light transmittance is less than 40% over a wavelength range of 200 nm to 240 nm, and the light blocking property of DUV light is particularly high. The result that it was favorable was obtained.
  • EUV resist used in an EUV lithography process that does not intermix with the EUV resist and selectively transmits only EUV by blocking unwanted exposure light such as UV and DUV, and can be developed with a developer after exposure. It is a composition for forming an upper layer film.

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Abstract

【課題】ＥＵＶレジストとインターミキシングすることなく、ＥＵＶ露光に際して好ましくない露光光、例えばＵＶ光やＤＵＶ光を遮断してＥＵＶ光のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なＥＵＶリソグラフィープロセスに用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を提供する。【解決手段】主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含むＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物であって、樹脂が親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含む、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。

Description

ＥＵＶリソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物
　本発明は、ＥＵＶリソグラフィーを用いたデバイス作製工程に用いられるＥＵＶによって及ぼされる悪影響を低減し、良好なレジストパターンを得るのに有効なＥＵＶリソグラフィー用レジスト上層膜組成物、並びに該ＥＵＶリソグラフィー用レジスト上層膜組成物を用いる半導体の製造方法に関するものである。
　従来から半導体デバイスの製造において、フォトリソグラフィー技術を用いた微細加工が行われている。前記微細加工はシリコンウェハー等の被加工基板上にフォトレジスト組成物の薄膜を形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射し、現像し、得られたフォトレジストパターンを保護膜としてシリコンウェハー等の被加工基板をエッチング処理する加工法である。近年、半導体デバイスの高集積度化が進み、使用される活性光線もＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）へと短波長化されていった。これに伴い活性光線の基板からの乱反射や定在波の影響が大きな問題となり、フォトレジストと被加工基板の間に反射を防止する役目を担うレジスト下層膜として、反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ　Ａｎｔｉ－Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　Ｃｏａｔｉｎｇ、ＢＡＲＣ）を設ける方法が広く採用されるようになってきた。
　このような反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α－シリコン等の無機反射防止膜や、吸光性物質と高分子化合物とからなる有機反射防止膜が知られている。前者は膜形成に真空蒸着装置、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置等の設備を必要とするのに対し、後者は特別の設備を必要としない点で有利とされ数多くの検討が行われている。
　近年、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）を用いたフォトリソグラフィー技術の後を担う次世代のフォトリソグラフィー技術として、水を介して露光するＡｒＦ液浸リソグラフィー技術が盛んに検討されている。しかし、光を用いるフォトリソグラフィー技術は限界を迎えつつあり、ＡｒＦ液浸リソグラフィー技術以降の新しいリソグラフィー技術として、ＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ、極端紫外）光を用いるＥＵＶリソグラフィー技術が注目されている。
　ＥＵＶリソグラフィーを用いたデバイス作製工程では、ＥＵＶレジストを被覆した基板にＥＵＶ光を照射して露光し、現像し、レジストパターンを形成する。このとき、ＥＵＶレジストを汚染物質からの保護や、好ましくない放射線、例えばＵＶ光やＤＵＶ（深紫外）光を遮断するために、ＥＵＶレジストの上層に、ベリリウム、硼素、炭素、珪素、ジルコニウム、ニオブ及びモリブデンからなる群から選択される一つ以上を包含するグループを含むポリマーを含む方法が開示されている（特許文献１、特許文献２）。
特開２００４－３４８１３３号公報 特開２００８－１９８７８８号公報
　本発明はＥＵＶレジストの上層膜として、ＥＵＶレジストとインターミキシングすることなく、ＥＵＶ露光に際して好ましくない露光光、例えばＵＶ光やＤＵＶ光を遮断してＥＵＶ光のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なＥＵＶリソグラフィープロセスに用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を提供する。
　本発明は、第１観点として、主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含む、ＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する
　第２観点として、樹脂が親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである、第１観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
　第３観点として、樹脂が式（１）で表される単位構造、又は、式（１）及び式（２）で表される単位構造を含む、第１観点又は第２観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （上記式中、Ｒ1及びＲ3は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１～１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。Ａｒ1はベンゼン環又はアントラセン環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ０乃至６の整数を表し、ｎ３及びｎ４はそれぞれ０乃至ベンゼン環又はアントラセン環に置換し得る最大の整数である。但し、（ｎ１）、又は（ｎ１＋ｎ３）は少なくとも１である。）
　第４観点として、樹脂が式（３）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（５）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）及び式（５）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（５）及び式（６）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）及び式（５）及び式（６）で表される単位構造を含む、第１観点又は第２観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式中、Ｔは単結合、又はエーテル基、エステル基、カルボニル基、アミド基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基を表す。Ｒ7、Ｒ10、Ｒ12及びＲ13は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ5、Ｒ8及びＲ11は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ6及びＲ9は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１～１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。ｎ５及びｎ６はそれぞれ０乃至７の整数を表し、ｎ８及びｎ９はそれぞれ０乃至５の整数を表す。但し、（ｎ５）、（ｎ５＋ｎ８）、（ｎ５＋ｎ１１）、又は（ｎ５＋ｎ８＋ｎ１１）は少なくとも１である。）
　第５観点として、溶剤がアルコール系溶剤である、第１観点乃至第４観点のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
　第６観点として、更に酸化合物を含む、第１観点乃至第５観点のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
　第７観点として、酸化合物がスルホン酸化合物又はスルホン酸エステル化合物である、第６観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
　第８観点として、酸化合物がヨードニウム塩系酸発生剤又はスルホニウム塩系酸発生剤である、第６観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
　第９観点として、基板上にＥＵＶレジスト膜を形成する工程、
該レジスト膜上に請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を塗布し焼成してＥＵＶレジスト上層膜を形成する工程、
該レジスト上層膜とレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、
露光後に現像し該レジスト上層膜とレジスト膜を除去する工程、
を含む半導体装置の製造方法に関する。
　第１０観点として、露光がＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）光により行われる、第９観点に記載の半導体装置の製造方法に関する。
　本発明により、ＥＵＶレジストの上層膜として、ＥＵＶレジストとインターミキシングすることなく、ＥＵＶ露光に際して好ましくない露光光、例えばＵＶ光やＤＵＶ光などの帯域外光放射（ｏｕｔ－ｏｆ－ＢＡＮＤ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ）を遮断してＥＵＶ光のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なＥＵＶレジスト上層膜を形成可能なＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を提供することができる。
　特に本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、ＥＵＶ露光光に含まれる帯域外光放射のなかでも、最も望ましくないとされる２００～２４０ｎｍのＤＵＶ光を吸収できるレジスト上層膜を提供でき、これにより、ＥＵＶレジストの解像性の向上を行うことができる。
　また本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、該組成物を半導体装置の製造に適用する際、下層に形成されるＥＵＶレジストとインターミキシングが起きず、またＥＵＶ露光後には、ＥＵＶレジストと共に現像液によって除去可能である。
図１は、実施例１～実施例３及び比較例１で得られたレジスト上層膜形成組成物（溶液）を用いて形成したレジスト上層膜を、それぞれ分光光度計を用いて波長２００ｎｍ～２４０nｍにおける透過率を測定したグラフを示す図である。
　本発明はＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜に好適な組成物を対象とする。
　前述したように、ＥＵＶリソグラフィーを用いたデバイス作製工程では、ＥＵＶレジストを被覆した基板にＥＵＶ光を照射して露光させる。ここでＥＵＶレジストの露光に際し、ＥＵＶ光はＥＵＶ光以外に３００ｎｍ以下の波長の光（すなわちＵＶ光やＤＵＶ光）を５％程度含み得る。そして、例えば１９０～３００ｎｍ、１９０～２５０ｎｍ、特に２００～２４０ｎｍ付近の波長光はＥＵＶレジストの感度低下やパターン形状の劣化につながる。特に線幅が２２ｎｍ以下になると、このＵＶ光やＤＵＶ光といった帯域外光放射（ｏｕｔ－ｏｆ－ＢＡＮＤ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ）の影響が出始め、ＥＵＶレジストの解像性に悪影響を与える。こうした２００～２４０ｎｍ付近の望ましくない波長光を除去するために、リソグラフィーシステムにフィルターを設置する方法もあるが工程上複雑になるという課題がある。
　一方、ＥＵＶレジストの上層にＥＵＶレジスト上層膜を被覆する際に、ＥＵＶレジスト膜とＥＵＶレジスト上層膜とのインターミキシング（層の混合）を防止するために、ＥＵＶレジスト上層膜形成時に用いる溶剤として、ＥＵＶレジストの溶剤を避けて、例えばアルコール系溶剤を用いることがあり、ＥＵＶレジスト上層膜材料にはアルコール系溶剤への高い溶解性も求められる。
　こうした事情を鑑み、本発明者らは、ＥＵＶレジスト上層膜に用いられるポリマーとして、２００～２４０ｎｍ付近のＤＵＶ光を選択的に効率よく吸収するナフタレン環を含むポリマーを選択し、また、該ポリマーにおいて、アルコール溶剤への溶解性を高めるためヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基やこれらの基を含む有機基からなる親水性基を含めるものとすることにより、帯域外光放射の影響を抑制し且つアルコール系溶剤に対して高い溶解性を有するＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を完成させるに至った。
　しかも本発明の組成物より形成されるＥＵＶレジスト上層膜は、その材料であるポリマーにヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基やこれらの基を含む有機基からなる親水性基を有することで、現像液（例えば、アルカリ性現像液）に溶解可能であるため、露光後の現像時にＥＵＶレジストと共に現像液による溶解除去が可能である。
　以下、本発明を詳細に説明する。
　本発明は主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂を含むＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物である。
　上記ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、ナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含有し、更に架橋剤、架橋触媒、界面活性剤を含むことができる。
　本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物の固形分は、０．１～５０質量％であり、好ましくは０．５～３０質量％である。固形分とはＥＵＶレジスト上層膜形成組成物から溶剤成分を取り除いたものである。
　上記樹脂のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物における含有量は、固形分中で２０質量％以上、例えば２０～１００質量％、又は３０～１００質量％、又は５０～９０質量％、又は６０～８０質量％である。
　上記樹脂は親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むことができる。
　上記樹脂は、前記式（１）で表される構造単位を含む樹脂であるか、又は、前記式（１）で表される構造単位と前記式（２）で表される単位構造の双方を含む樹脂とすることができる。
　前記式（１）、式（２）においてＲ1及びＲ3は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１～１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。
　Ａｒ1はベンゼン環又はアントラセン環を表す。
　ｎ１及びｎ２はそれぞれ０乃至６の整数を表し、ｎ３及びｎ４はそれぞれ０乃至ベンゼン環又はアントラセン環に置換し得る最大の整数（ベンゼン環：４、アントラセン環：８）を表す。但し（ｎ１）又は（ｎ１＋ｎ３）は少なくとも１である。少なくとも１とは例えば、１、２、３、又は４とすることができる。
　なお、ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４が２以上の整数を表す場合、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同一の基であってもよいし、異なる基であってもよい。
　あるいは上記樹脂は、前記式（３）で表される構造単位を含む樹脂、式（３）で表される構造単位と式（４）で表される構造単位の二種の構造単位を含む樹脂、式（３）で表される構造単位と式（５）で表される構造単位の二種の構造単位を含む樹脂、式（３）で表される構造単位と式（４）で表される構造単位と式（５）で表される構造単位の三種の構造単位を含む樹脂、式（３）で表される構造単位と式（５）で表される構造単位と式（６）で表される構造単位の三種の構造単位を含む樹脂、又は式（３）で表される構造単位と式（４）で表される構造単位と式（５）で表される構造単位と式（６）で表される構造単位の四種の単位構造を含む樹脂とすることができる。
　上記式（３）乃至式（６）中、Ｒ7、Ｒ10、Ｒ12及びＲ13は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ5、Ｒ8及びＲ11は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ6及びＲ9は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１～１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。
　ｎ５及びｎ６はそれぞれ０乃至７の整数を表し、ｎ８及びｎ９はそれぞれ０乃至５の整数を表す。但し、（ｎ５）、（ｎ５＋ｎ８）、（ｎ５＋ｎ１１）、又は（ｎ５＋ｎ８＋ｎ１１）は少なくとも１を表す。少なくとも１とは例えば、１、２、３、又は４とすることができる。
　なお、ｎ５、ｎ６、ｎ７、ｎ８が２以上の整数を表す場合、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8はそれぞれ同一の基であってもよいし、異なる基であってもよい。
　Ｔは単結合、又はエーテル基（－Ｏ－）、エステル基（－（ＣＯ）Ｏ－）、カルボニル基（－（ＣＯ）－）、アミド基（－（ＣＯ）－（ＮＨ）－）を表すか、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基を表す。
　Ｔにおける二価の有機基とは、下記に例示される炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基、フェニル基等から誘導される二価の有機基において、上記エーテル基、エステル基、カルボニル基、アミド基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基である。
　Ｒ1及びＲ3における一価の有機基とは、下記に例示される炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基、フェニル基等において、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである。
　Ｒ5、Ｒ8及びＲ11における一価の有機基とは、下記に例示される炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基、フェニル基において、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである。
　上記炭素原子数１～１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロブチル基、１－メチル－シクロプロピル基、２－メチル－シクロプロピル基、ｎ－ペンチル基、１－メチル－ｎ－ブチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、３－メチル－ｎ－ブチル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピル基、１，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、２，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－ｎ－プロピル基、シクロペンチル基、１－メチル－シクロブチル基、２－メチル－シクロブチル基、３－メチル－シクロブチル基、１，２－ジメチル－シクロプロピル基、２，３－ジメチル－シクロプロピル基、１－エチル－シクロプロピル基、２－エチル－シクロプロピル基、ｎ－ヘキシル基、１－メチル－ｎ－ペンチル基、２－メチル－ｎ－ペンチル基、３－メチル－ｎ－ペンチル基、４－メチル－ｎ－ペンチル基、１，１－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、３，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、１－エチル－ｎ－ブチル基、２－エチル－ｎ－ブチル基、１，１，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１，２，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－１－メチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－２－メチル－ｎ－プロピル基、シクロヘキシル基、１－メチル－シクロペンチル基、２－メチル－シクロペンチル基、３－メチル－シクロペンチル基、１－エチル－シクロブチル基、２－エチル－シクロブチル基、３－エチル－シクロブチル基、１，２－ジメチル－シクロブチル基、１，３－ジメチル－シクロブチル基、２，２－ジメチル－シクロブチル基、２，３－ジメチル－シクロブチル基、２，４－ジメチル－シクロブチル基、３，３－ジメチル－シクロブチル基、１－ｎ－プロピル－シクロプロピル基、２－ｎ－プロピル－シクロプロピル基、１－ｉ－プロピル－シクロプロピル基、２－ｉ－プロピル－シクロプロピル基、１，２，２－トリメチル－シクロプロピル基、１，２，３－トリメチル－シクロプロピル基、２，２，３－トリメチル－シクロプロピル基、１－エチル－２－メチル－シクロプロピル基、２－エチル－１－メチル－シクロプロピル基、２－エチル－２－メチル－シクロプロピル基及び２－エチル－３－メチル－シクロプロピル基等が挙げられる。
　上記炭素原子数２～１０のアルケニル基としては、エテニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、１－メチル－１－エテニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、２－メチル－１－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－エチルエテニル基、１－メチル－１－プロペニル基、１－メチル－２－プロペニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－ｎ－プロピルエテニル基、１－メチル－１－ブテニル基、１－メチル－２－ブテニル基、１－メチル－３－ブテニル基、２－エチル－２－プロペニル基、２－メチル－１－ブテニル基、２－メチル－２－ブテニル基、２－メチル－３－ブテニル基、３－メチル－１－ブテニル基、３－メチル－２－ブテニル基、３－メチル－３－ブテニル基、１，１－ジメチル－２－プロペニル基、１－ｉ－プロピルエテニル基、１，２－ジメチル－１－プロペニル基、１，２－ジメチル－２－プロペニル基、１－シクロペンテニル基、２－シクロペンテニル基、３－シクロペンテニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、４－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、１－メチル－１－ペンテニル基、１－メチル－２－ペンテニル基、１－メチル－３－ペンテニル基、１－メチル－４－ペンテニル基、１－ｎ－ブチルエテニル基、２－メチル－１－ペンテニル基、２－メチル－２－ペンテニル基、２－メチル－３－ペンテニル基、２－メチル－４－ペンテニル基、２－ｎ－プロピル－２－プロペニル基、３－メチル－１－ペンテニル基、３－メチル－２－ペンテニル基、３－メチル－３－ペンテニル基、３－メチル－４－ペンテニル基、３－エチル－３－ブテニル基、４－メチル－１－ペンテニル基、４－メチル－２－ペンテニル基、４－メチル－３－ペンテニル基、４－メチル－４－ペンテニル基、１，１－ジメチル－２－ブテニル基、１，１－ジメチル－３－ブテニル基、１，２－ジメチル－１－ブテニル基、１，２－ジメチル－２－ブテニル基、１，２－ジメチル－３－ブテニル基、１－メチル－２－エチル－２－プロペニル基、１－ｓ－ブチルエテニル基、１，３－ジメチル－１－ブテニル基、１，３－ジメチル－２－ブテニル基、１，３－ジメチル－３－ブテニル基、１－ｉ－ブチルエテニル基、２，２－ジメチル－３－ブテニル基、２，３－ジメチル－１－ブテニル基、２，３－ジメチル－２－ブテニル基、２，３－ジメチル－３－ブテニル基、２－ｉ－プロピル－２－プロペニル基、３，３－ジメチル－１－ブテニル基、１－エチル－１－ブテニル基、１－エチル－２－ブテニル基、１－エチル－３－ブテニル基、１－ｎ－プロピル－１－プロペニル基、１－ｎ－プロピル－２－プロペニル基、２－エチル－１－ブテニル基、２－エチル－２－ブテニル基、２－エチル－３－ブテニル基、１，１，２－トリメチル－２－プロペニル基、１－ｔ－ブチルエテニル基、１－メチル－１－エチル－２－プロペニル基、１－エチル－２－メチル－１－プロペニル基、１－エチル－２－メチル－２－プロペニル基、１－ｉ－プロピル－１－プロペニル基、１－ｉ－プロピル－２－プロペニル基、１－メチル－２－シクロペンテニル基、１－メチル－３－シクロペンテニル基、２－メチル－１－シクロペンテニル基、２－メチル－２－シクロペンテニル基、２－メチル－３－シクロペンテニル基、２－メチル－４－シクロペンテニル基、２－メチル－５－シクロペンテニル基、２－メチレン－シクロペンチル基、３－メチル－１－シクロペンテニル基、３－メチル－２－シクロペンテニル基、３－メチル－３－シクロペンテニル基、３－メチル－４－シクロペンテニル基、３－メチル－５－シクロペンテニル基、３－メチレン－シクロペンチル基、１－シクロヘキセニル基、２－シクロヘキセニル基及び３－シクロヘキセニル基等が挙げられる。
　上記炭素原子数１～１０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、１－メチル－ｎ－ブトキシ基、２－メチル－ｎ－ブトキシ基、３－メチル－ｎ－ブトキシ基、１，１－ジメチル－ｎ－プロポキシ基、１，２－ジメチル－ｎ－プロポキシ基、２，２－ジメチル－ｎ－プロポキシ基、１－エチル－ｎ－プロポキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、１－メチル－ｎ－ペンチルオキシ基、２－メチル－ｎ－ペンチルオキシ基、３－メチル－ｎ－ペンチルオキシ基、４－メチル－ｎ－ペンチルオキシ基、１，１－ジメチル－ｎ－ブトキシ基、１，２－ジメチル－ｎ－ブトキシ基、１，３－ジメチル－ｎ－ブトキシ基、２，２－ジメチル－ｎ－ブトキシ基、２，３－ジメチル－ｎ－ブトキシ基、３，３－ジメチル－ｎ－ブトキシ基、１－エチル－ｎ－ブトキシ基、２－エチル－ｎ－ブトキシ基、１，１，２－トリメチル－ｎ－プロポキシ基、１，２，２－トリメチル－ｎ－プロポキシ基、１－エチル－１－メチル－ｎ－プロポキシ基、及び１－エチル－２－メチル－ｎ－プロポキシ基等が挙げられる。
　上記炭素原子数１～１０のアルキルチオ基としては、エチルチオ基、ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基等が挙げられる。
　上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。
　本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に用いられる上記樹脂の重量平均分子量は５００～１，０００，０００、好ましくは７００～５００，０００、更に好ましくは１０００～３００，０００、更に好ましくは１，０００～１００，０００である。
　上記樹脂は、例えば以下に例示する式（７－１）～式（７－５）に記載する単位構造を含む樹脂（主鎖にナフタレン環を含む樹脂）、或いは、式（８－１）～式（８－７）に記載する単位構造を含む樹脂（側鎖にナフタレン環を含む樹脂）を用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に含まれる上記溶剤としては、アルコール系溶剤を好ましく用いることができる。これらアルコール系溶剤としては例えば、１－ブタノール、２－ブタノール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、３－ペンタノール、ｔｅｒｔ－アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、２－メチル－１－ブタノール、３－メチル－１－ブタノール、３－メチル－３－ペンタノール、シクロペンタノール、１－ヘキサノール、２－ヘキサノール、３－ヘキサノール、２，３－ジメチル－２－ブタノール、３，３－ジメチル－１－ブタノール、３，３－ジメチル－２－ブタノール、２－ジエチル－１－ブタノール、２－メチル－１－ペンタノール、２－メチル－２－ペンタノール、２－メチル－３－ペンタノール、３－メチル－１－ペンタノール、３－メチル－２－ペンタノール、３－メチル－３－ペンタノール、４－メチル－１－ペンタノール、４－メチル－２－ペンタノール、４－メチル－３－ペンタノール、及びシクロヘキサノールが挙げられる。これらアルコール系溶剤を単独で又は混合物として用いることができる。
　また、上記アルコール系溶剤と共に以下のその他の溶剤を併用することができる。その溶剤は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２－ヒドロキシ－３－メチルブタン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、又は２種以上の組合せで使用される。
　これらその他の溶剤は、前記アルコール系溶剤に対して０．０１～１０．００質量％の割合で含有させることができる。
　本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、リソグラフィー工程で下層に存在するレジストとの酸性度を一致させる為に、更に酸化合物を含有させることができる。
　酸化合物としては、例えばスルホン酸化合物又はスルホン酸エステル化合物を好適に使用可能である。
　前記スルホン酸又はスルホン酸エステル化合物としては、例えば、ｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムｐ－トルエンスルホン酸、スルホサリチル酸などの酸性化合物、及び／又は、ベンゾイントシラート、２－ニトロベンジルトシラート等の熱酸発生剤を挙げることができ、また、サリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、２，４，４，６－テトラブロモシクロヘキサジエノン等も使用することができる。
　また本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、リソグラフィー工程で下層に存在するレジストとの酸性度を一致させる為に、酸化合物として、ＥＵＶ照射により酸を発生する酸発生剤を添加することができる。
　好ましい酸発生剤としては、例えば、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩系酸発生剤類（例えばヨードニウム塩系酸発生剤、スルホニウム塩系酸発生剤）、フェニル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン等のハロゲン含有化合物系酸発生剤類、ベンゾイントシレート、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等のスルホン酸系酸発生剤類等が挙げられる。
　これら酸化合物の配合量は、本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物の全固形分１００質量％当たり、０．０２～１０質量％、好ましくは０．０４～５質量％である。
　本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物には、上記以外に必要に応じて更なるレオロジー調整剤、接着補助剤、界面活性剤などを添加することができる。
　レオロジー調整剤は、主にレジスト上層膜形成組成物の流動性を向上させるための目的で添加される。具体例としては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体、又はノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体を挙げることができる。
　これらのレオロジー調整剤は、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物の全組成物１００質量％に対して通常３０質量％未満の割合で配合される。
　本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物には、ピンホールやストレーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤；エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ（現：三菱マテリアル電子化成（株））製、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３（ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳー３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤；オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。
　これらの界面活性剤の配合量は、本発明のレジスト上層膜形成組成物の全組成物１００質量％当たり通常０．２質量％以下、好ましくは０．１質量％以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また２種以上の組合せで添加することもできる。
　本発明におけるＥＵＶレジスト上層膜の下層に塗布されるＥＵＶレジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用できる。酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーからなる化学増幅型レジスト、アルカリ可溶性バインダーと酸発生剤と酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を変化させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーと酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を変化させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、ＥＵＶ光によって分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーからなる非化学増幅型レジスト、ＥＵＶ光によって切断されアルカリ溶解速度を変化させる部位を有するバインダーからなる非化学増幅型レジストなどがある。
　本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を使用して形成したレジスト上層膜を有するポジ型レジストの現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、現像液として、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。
　本発明では、転写パターンを形成する加工対象膜を有する基板上に、ＥＵＶレジスト下層膜を用いるか又は用いずに、ＥＵＶレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜上にＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を塗布し焼成してＥＵＶレジスト上層膜を形成する工程、該レジスト上層膜とレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に現像し該レジスト上層膜とレジスト膜を除去する工程によって半導体装置を製造することができ、こうした工程を含む半導体装置の製造方法も本発明の対象である。
　なお上記露光はＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）光により行われる。
　本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を適用する半導体装置は、その製造工程中に、基板上に、パターンを転写する加工対象膜と、レジスト膜と、レジスト上層膜が順に形成された構成をとり得る。本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物より形成されるレジスト上層膜は、下地基板やＥＵＶによって及ぼされる悪影響を低減することができ、ＥＵＶ光の露光後にはストレート形状の良好なレジストパターンを形成し得、充分なＥＵＶ照射量に対するマージンを得ることができる。また、本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物より形成されるレジスト上層膜は、その下層に形成されるレジスト膜と同等の大きなウエットエッチング速度を有し得、このため、ウエットエッチング工程によって加工対象である下地膜（パターンを転写する加工対象膜）に容易にレジストパターンを転写することができる。
実施例１
　ナフトールノボラック樹脂（１－ナフトール：フェノール＝５０：５０のモル比でホルムアルデヒドと反応しノボラック樹脂を合成した。この樹脂は、前述の式（７－２）に記載される構造単位を含む樹脂に相当する。重量平均分子量は３，２００である。）１ｇを４－メチル－２－ペンタノール９９ｇに溶解させ、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物（溶液）を得た。
実施例２
　ナフトールノボラック樹脂（１－ナフトール：フェノール＝７０：３０のモル比でホルムアルデヒドと反応しノボラック樹脂を合成した。この樹脂は、前述の式（７－２）に記載される構造単位を含む樹脂に相当する。重量平均分子量は２，８００である。）１ｇを４－メチル－２－ペンタノール９９ｇに溶解させ、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物（溶液）を得た。
実施例３
　ビニルナフタレン含有樹脂（２－ビニルナフタレン：ヒドロキシスチレン：メタクリル酸＝５０：２０：３０の質量比でラジカル重合した。この樹脂は、前述の式（８－４）に記載される構造単位を含む樹脂に相当する。重量平均分子量は５，８００である。）１ｇを４－メチル－２－ペンタノール９９ｇに溶解させ、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物（溶液）を得た。
比較例１
　ポリヒドロキシスチレン樹脂（市販品。重量平均分子量は８，０００）１ｇを４－メチル－２－ペンタノール９９ｇに溶解させ、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物（溶液）を得た。
〔レジストとのインターミキシング試験〕
　ＥＵＶレジスト溶液（メタクリル系レジスト）をスピナーを用いて塗布した。ホットプレート上で、１００℃で１分間加熱することによりレジスト膜を形成し、膜厚測定を行なった（膜厚Ａ：レジスト膜厚）。
　本発明の実施例１乃至実施例３、比較例１で調製されたレジスト上層膜形成組成物（溶液）を、スピナーを用いてレジスト膜上に塗布し、ホットプレート上で、１００℃で１分間加熱し、レジスト上層膜を形成し、膜厚測定を行なった（膜厚Ｂ：レジストとレジスト上層膜の膜厚の和）。
　そのレジスト上層膜上に市販の現像液（東京応化工業（株）製、製品名：ＮＭＤ－３）を液盛りして６０秒放置し、３，０００ｒｐｍで回転させながら、３０秒間純水でリンスを行った。リンス後、１００℃で６０秒間ベークし、膜厚測定を行なった（膜厚Ｃ）。得られた結果を表１に示す。
　膜厚Ａが膜厚Ｃに等しい場合、レジストとインターミキシングがないと言える。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　表１に示すように、実施例１乃至実施例３及び比較例１のいずれにおいても、膜厚Ａと膜厚Ｃの数値が等しく、これらＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を用いて形成された膜はレジストとのインターミキシングをおこさないものであるとする結果が得られた。
〔光学パラメーター試験〕
　本発明の実施例１乃至実施例３で調製されたレジスト上層膜形成組成物（溶液）、及び比較例１で示したレジスト上層膜形成組成物（溶液）を、それぞれスピナーを用いて石英基板上に塗布した。ホットプレート上で、１００℃で１分間加熱し、レジスト上層膜（膜厚０．０３μｍ）を形成した。そして、これら４種類のレジスト上層膜を、分光光度計を用い、波長１９０ｎｍ～２４０ｎｍでの透過率を測定した。測定結果を図１に示す。
　ＤＵＶ光の遮光性に関しては、２００ｎｍ～２４０ｎｍの波長域において、透過率の最大値が６０％以上を不良、６０％未満を良好と評価した。得られた結果を表２に示す。
　また、ＥＵＶ光（１３．５ｎｍ）の透過性につき、波長１３．５ｎｍでの透過率を元素組成比と膜密度の関係からシミュレーションにより計算した。そして、波長１３．５ｎｍにおいて８０％以上の透過率を良好と評価し、８０％未満を不良と評価した。得られた結果を表２に示す。なお実施例１乃至実施例３、比較例１での１３．５ｎｍの透過率はいずれも８８（％）であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　表２に示すように、実施例１乃至実施例３はＥＵＶ光の透過性が良好であり且つＤＵＶ光の遮光性に優れるとする結果を示し、一方、比較例１はＤＵＶ光の遮光性に劣るとする結果を得た。
　さらに詳細には、図１に示すように、実施例１乃至実施例３のレジスト上層膜形成組成物を用いて形成された膜は波長２２０ｎｍ～２４０ｎｍの光の透過率が４０％を下回り、特に実施例１及び実施例２のレジスト上層膜形成組成物を用いて形成された膜にいたっては、波長２００ｎｍ～２４０ｎｍに渡って光の透過率が４０％を下回り、ＤＵＶ光の遮光性が特に良好であるとする結果が得られた。
　ＥＵＶレジストとインターミキシングすることなく、ＥＵＶ露光に際して好ましくない露光光、例えばＵＶやＤＵＶを遮断してＥＵＶのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なＥＵＶリソグラフィープロセスに用いるＥＵＶレジスト上層膜を形成するための組成物である。

Claims (10)

  1. 主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含む、ＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
  2. 樹脂が親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである、請求項１に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
  3. 樹脂が式（１）で表される単位構造、又は、式（１）及び式（２）で表される単位構造を含む、請求項１又は請求項２に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （上記式中、Ｒ1及びＲ3は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１～１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。Ａｒ1はベンゼン環又はアントラセン環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ０乃至６の整数を表し、ｎ３及びｎ４はそれぞれ０乃至ベンゼン環又はアントラセン環に置換し得る最大の整数である。但し、（ｎ１）、又は（ｎ１＋ｎ３）は少なくとも１である。）
  4. 樹脂が式（３）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（５）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）及び式（５）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（５）及び式（６）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）及び式（５）及び式（６）で表される単位構造を含む、請求項１又は請求項２に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式中、Ｔは単結合、又はエーテル基、エステル基、カルボニル基、アミド基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基を表す。Ｒ7、Ｒ10、Ｒ12及びＲ13は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ5、Ｒ8及びＲ11は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ6及びＲ9は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１～１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。ｎ５及びｎ６はそれぞれ０乃至７の整数を表し、ｎ８及びｎ９はそれぞれ０乃至５の整数を表す。但し、（ｎ５）、（ｎ５＋ｎ８）、（ｎ５＋ｎ１１）、又は（ｎ５＋ｎ８＋ｎ１１）は少なくとも１である。）
  5. 溶剤がアルコール系溶剤である、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
  6. 更に酸化合物を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
  7. 酸化合物がスルホン酸化合物又はスルホン酸エステル化合物である、請求項６に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
  8. 酸化合物がヨードニウム塩系酸発生剤又はスルホニウム塩系酸発生剤である、請求項６に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
  9. 基板上にＥＵＶレジスト膜を形成する工程、
    該レジスト膜上に請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を塗布し焼成してＥＵＶレジスト上層膜を形成する工程、
    該レジスト上層膜とレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、
    露光後に現像し該レジスト上層膜とレジスト膜を除去する工程、
    を含む半導体装置の製造方法。
  10. 露光がＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）光により行われる、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012168279A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Ｅｕｖ用レジスト組成物、ｅｕｖ用レジスト組成物の製造方法、およびレジストパターン形成方法
US20130059252A1 (en) * 2011-09-06 2013-03-07 Jsr Corporation Method for forming resist pattern and composition for forming protective film
US20130143163A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist-protective film-forming composition and patterning process
WO2014092149A1 (ja) 2012-12-13 2014-06-19 Ａｚエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
WO2014141807A1 (ja) * 2013-03-15 2014-09-18 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
WO2014142296A1 (ja) * 2013-03-15 2014-09-18 Ａｚエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
WO2014175081A1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-30 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP2015011169A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 日産化学工業株式会社 リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
KR20150052861A (ko) 2012-09-07 2015-05-14 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 리소그래피용 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법
JP2015102627A (ja) * 2013-11-22 2015-06-04 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
KR20150112960A (ko) 2013-01-24 2015-10-07 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 리소그래피용 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법
WO2016013598A1 (ja) * 2014-07-24 2016-01-28 日産化学工業株式会社 レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2016105171A (ja) * 2011-09-06 2016-06-09 Jsr株式会社 保護膜形成用組成物
KR20160126970A (ko) 2014-02-26 2016-11-02 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법
JPWO2016136596A1 (ja) * 2015-02-26 2017-07-06 富士フイルム株式会社 上層膜形成用組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
US9804493B2 (en) 2013-11-22 2017-10-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same

Families Citing this family (362)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20180169279A1 (en) 2011-03-07 2018-06-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Apparatus, method and system for selectively affecting and/or killing a virus
EP3848092A1 (en) 2011-03-07 2021-07-14 The Trustees of Columbia University in the City of New York Apparatus, method, and system for selectively effecting and/or killing bacteria
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
JP6267532B2 (ja) 2014-02-14 2018-01-24 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6529966B2 (ja) * 2014-05-21 2019-06-12 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN107407887B (zh) * 2015-03-31 2021-06-08 富士胶片株式会社 上层膜形成用组合物、图案形成方法、抗蚀剂图案及电子器件的制造方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP7674105B2 (ja) 2018-06-27 2025-05-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
CN117187781B (zh) 2019-07-03 2024-10-25 Asmip私人控股有限公司 用于基板处理装置的温度控制组件及其使用方法
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN110862497B (zh) * 2019-07-10 2022-07-29 厦门恒坤新材料科技股份有限公司 含萘侧基聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及图案形成方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
CN112442674A (zh) 2019-09-03 2021-03-05 Asm Ip私人控股有限公司 用于沉积硫族化物膜的方法和设备以及包括膜的结构
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7703317B2 (ja) 2019-12-17 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TWI884193B (zh) 2020-04-24 2025-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh) 2020-06-16 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼之矽鍺層的方法
CN113838794B (zh) 2020-06-24 2024-09-27 Asmip私人控股有限公司 用于形成设置有硅的层的方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
TWI900627B (zh) 2020-08-11 2025-10-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積碳化鋁鈦膜結構於基板上之方法、閘極電極、及半導體沉積設備
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
KR102668700B1 (ko) * 2021-04-20 2024-05-23 엠에이치디 주식회사 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008015969A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Jsr Corporation Method of forming pattern, composition for forming upper-layer film, and composition for forming lower-layer film
JP2008046206A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP2008065304A (ja) * 2006-08-11 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP2009164441A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Panasonic Corp パターン形成方法
JP2010160283A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Fujifilm Corp リソグラフィ用基板被覆方法、及び該方法に用いられる感活性光線または感放射線性樹脂組成物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60128818T2 (de) * 2000-09-19 2008-02-07 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Antireflexionszusammensetzung
SG115693A1 (en) 2003-05-21 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method for coating a substrate for euv lithography and substrate with photoresist layer
JP4563076B2 (ja) * 2004-05-26 2010-10-13 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物、該反射防止膜形成用組成物からなる反射防止膜、および該反射防止膜形成用組成物を用いたレジストパターン形成方法
US7816067B2 (en) * 2005-06-10 2010-10-19 Nissan Chemical Industries, Ltd. Coating-type underlayer coating forming composition for lithography containing naphthalene resin derivative
US20070231713A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Bristol Robert L Anti-reflective coating for out-of-band illumination with lithography optical systems
JP5163899B2 (ja) 2006-06-15 2013-03-13 日産化学工業株式会社 環構造を持つ高分子化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物
JP2008198788A (ja) 2007-02-13 2008-08-28 Toshiba Corp レジストパターン形成方法
JP5067537B2 (ja) 2007-03-02 2012-11-07 日産化学工業株式会社 多核フェノールを含むレジスト下層膜形成組成物
JP4910829B2 (ja) * 2007-03-28 2012-04-04 Ｊｓｒ株式会社 上層反射防止膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法
JP4590431B2 (ja) * 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP4993139B2 (ja) * 2007-09-28 2012-08-08 信越化学工業株式会社 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008015969A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Jsr Corporation Method of forming pattern, composition for forming upper-layer film, and composition for forming lower-layer film
JP2008046206A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP2008065304A (ja) * 2006-08-11 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP2009164441A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Panasonic Corp パターン形成方法
JP2010160283A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Fujifilm Corp リソグラフィ用基板被覆方法、及び該方法に用いられる感活性光線または感放射線性樹脂組成物

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012168279A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Ｅｕｖ用レジスト組成物、ｅｕｖ用レジスト組成物の製造方法、およびレジストパターン形成方法
US20130059252A1 (en) * 2011-09-06 2013-03-07 Jsr Corporation Method for forming resist pattern and composition for forming protective film
JP2013228663A (ja) * 2011-09-06 2013-11-07 Jsr Corp レジストパターン形成方法及び保護膜形成用組成物
US9052600B2 (en) * 2011-09-06 2015-06-09 Jsr Corporation Method for forming resist pattern and composition for forming protective film
JP2016105171A (ja) * 2011-09-06 2016-06-09 Jsr株式会社 保護膜形成用組成物
US20130143163A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist-protective film-forming composition and patterning process
JP2013140319A (ja) * 2011-12-06 2013-07-18 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
US9029075B2 (en) * 2011-12-06 2015-05-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist-protective film-forming composition and patterning process
US9494864B2 (en) 2012-09-07 2016-11-15 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist overlayer film forming composition for lithography and method for manufacturing semiconductor device using the same
KR20150052861A (ko) 2012-09-07 2015-05-14 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 리소그래피용 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법
KR101936566B1 (ko) 2012-12-13 2019-01-10 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. 상층막 형성용 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법
US9810988B2 (en) 2012-12-13 2017-11-07 AZ Electronic Material (Luxembourg) S.ár.l. Composition for forming overlay film, and resist pattern formation method employing the same
CN104919370A (zh) * 2012-12-13 2015-09-16 Az电子材料（卢森堡）有限公司 上层膜形成用组合物以及使用其的抗蚀图案形成方法
CN104919370B (zh) * 2012-12-13 2019-07-19 Az电子材料（卢森堡）有限公司 上层膜形成用组合物以及使用其的抗蚀图案形成方法
JP2014119497A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Az Electronic Materials Mfg Co Ltd 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
WO2014092149A1 (ja) 2012-12-13 2014-06-19 Ａｚエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
US9746768B2 (en) 2013-01-24 2017-08-29 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist overlayer film forming composition for lithography and method for producing semiconductor device using the same
KR20150112960A (ko) 2013-01-24 2015-10-07 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 리소그래피용 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법
JP2014178573A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Az Electronic Materials Mfg Co Ltd 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
US9915870B2 (en) 2013-03-15 2018-03-13 Fujifilm Corporation Pattern forming method, composition kit and resist film, and method for producing electronic device using them, and electronic device
CN105190441A (zh) * 2013-03-15 2015-12-23 Az电子材料（卢森堡）有限公司 上层膜形成用组合物以及使用了其的抗蚀图案形成方法
CN105190441B (zh) * 2013-03-15 2019-09-06 Az电子材料（卢森堡）有限公司 上层膜形成用组合物以及使用了其的抗蚀图案形成方法
WO2014141807A1 (ja) * 2013-03-15 2014-09-18 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
US9482952B2 (en) 2013-03-15 2016-11-01 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same
WO2014142296A1 (ja) * 2013-03-15 2014-09-18 Ａｚエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2014178542A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Fujifilm Corp パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
WO2014175081A1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-30 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP2014215541A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
US10031419B2 (en) 2013-04-26 2018-07-24 Fujifilm Corporation Pattern forming method, composition kit and resist film, manufacturing method of electronic device using these, and electronic device
JP2015011169A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 日産化学工業株式会社 リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US9804493B2 (en) 2013-11-22 2017-10-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same
JP2015102627A (ja) * 2013-11-22 2015-06-04 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
US9977331B2 (en) 2014-02-26 2018-05-22 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist overlayer film forming composition and method for producing semiconductor device including the same
KR20160126970A (ko) 2014-02-26 2016-11-02 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법
KR20170035883A (ko) 2014-07-24 2017-03-31 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체 장치의 제조방법
US10042258B2 (en) 2014-07-24 2018-08-07 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming a resist upper-layer film and method for producing a semiconductor device using the composition
WO2016013598A1 (ja) * 2014-07-24 2016-01-28 日産化学工業株式会社 レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JPWO2016136596A1 (ja) * 2015-02-26 2017-07-06 富士フイルム株式会社 上層膜形成用組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

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JP6004179B2 (ja) 2016-10-05
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