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CN103168274B - Euv光刻用抗蚀剂上层膜形成用组合物 - Google Patents

Euv光刻用抗蚀剂上层膜形成用组合物 Download PDF

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Abstract

本发明的课题是提供不与EUV抗蚀剂混合、在EUV曝光时遮挡不优选的曝光光例如UV光和/或DUV光并仅选择性地透射EUV光、而且曝光后能用显影液显影的在EUV光刻工艺中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法是，包含主链或侧链含有萘环的树脂和溶剂的在EUV光刻工序中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，树脂中作为亲水性基团包含：羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团。

Description

EUV光刻用抗蚀剂上层膜形成用组合物
技术领域
本发明涉及在使用EUV光刻的器件制作工序中使用的对降低由EUV造成的恶劣影响、获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂上层膜组合物、以及使用该EUV光刻用抗蚀剂上层膜组合物的半导体的制造方法。
背景技术
一直以来在半导体器件的制造中，进行使用光刻技术的微细加工。所述微细加工是在硅片等被加工基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在其上介由描绘有半导体器件的图案的掩模图案照射紫外线等活性光线，显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对硅片等被加工基板进行蚀刻处理的加工法。近年来，半导体器件的高集成化进步，所使用的活性光线也由KrF准分子激光(248nm)向ArF准分子激光(193nm)短波长化。伴随于此，活性光线从基板的漫反射、驻波的影响成为大问题，作为在光致抗蚀剂与被加工基板之间承担防反射的作用的抗蚀剂下层膜设置防反射膜(底层防反射涂层，BottomAnti-ReflectiveCoating，BARC)的方法被广泛采用。
作为这样的防反射膜，已知钛、二氧化钛、氮化钛、氧化铬、碳、α-硅等的无机防反射膜，以及包含吸光性物质和高分子化合物的有机防反射膜。前者在膜形成中需要真空蒸镀装置、CVD装置、溅射装置等设备，与此相对，后者在不需要特别的设备方面是有利的，因而进行了大量研究。
近年来，作为承担使用ArF准分子激光(193nm)的光刻技术的后继的新一代光刻技术，对介由水曝光的ArF液浸光刻技术的研究盛行起来。但是，随着使用光的光刻技术迎来极限，作为ArF液浸光刻技术以后的新的光刻技术，使用EUV(波长13.5nm、极紫外)光的EUV光刻技术受到关注。
在使用了EUV光刻的器件制作工序中，在被覆了EUV抗蚀剂的基板上照射EUV光进行曝光，显影，形成抗蚀剂图案。此时，为了从污染物质中保护EUV抗蚀剂、以及遮挡不优选的放射线、例如UV光、DUV(深紫外)光，公开了在EUV抗蚀剂的上层包含聚合物的方法，所述聚合物含有包含选自铍、硼、碳、硅、锆、铌和钼的一种以上的组(专利文献1、专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-348133号公报
专利文献2:日本特开2008-198788号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明提供在EUV光刻工艺中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，该组合物作为EUV抗蚀剂的上层膜，不与EUV抗蚀剂混合，在EUV曝光时遮挡不优选的曝光光例如UV光和/或DUV光并仅选择性地透射EUV光，并且曝光后可用显影液显影。
用于解决课题的方法
本发明作为第1观点，涉及在EUV光刻工序中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其包含树脂和溶剂，所述树脂在主链或侧链上包含萘环。
作为第2观点，涉及根据第1观点所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，树脂中作为亲水性基团包含：羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团。
作为第3观点，涉及根据第1观点或第2观点所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，树脂包含式(1)所示的结构单元，或者包含式(1)和式(2)所示的结构单元：
上述式中，R1和R3分别独立地表示羟基、羧基、磺基或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团，R2和R4分别独立地表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苄基、苯基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数1～10的烷硫基、或它们的2种以上的组合，Ar1表示苯环或蒽环，n1和n2分别表示0～6的整数，n3和n4分别表示0～苯环或蒽环上能取代的最大整数，其中(n1)或(n1＋n3)至少为1。
作为第4观点，涉及根据第1观点或第2观点所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，树脂包含式(3)所示的结构单元，或者包含式(3)和式(4)所示的结构单元，或者包含式(3)和式(5)所示的结构单元，或者包含式(3)、式(4)和式(5)所示的结构单元，或者包含式(3)、式(5)和式(6)所示的结构单元，或者包含式(3)、式(4)、式(5)和式(6)所示的结构单元：
式中，T表示单键，或者表示醚基、酯基、羰基、酰胺基、或包含这些基团中的至少一个基团的二价有机基团，R7、R10、R12和R13分别独立地表示氢原子或甲基，R5、R8和R11分别独立地表示羟基、羧基、磺基或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团，R6和R9分别独立地表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苄基、苯基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数1～10的烷硫基、或它们的2种以上的组合，n5和n6分别表示0～7的整数，n8和n9分别表示0～5的整数，其中，(n5)、(n5＋n8)、(n5＋n11)或(n5＋n8＋n11)至少为1。
作为第5观点，涉及根据第1观点～第4观点的任一项所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，溶剂是醇系溶剂。
作为第6观点，涉及根据第1观点～第5观点的任一项所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，进一步包含酸化合物。
作为第7观点，涉及根据第6观点所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，酸化合物是磺酸化合物或磺酸酯化合物。
作为第8观点，涉及根据第6观点所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，酸化合物是碘盐系产酸剂或锍盐系产酸剂。
作为第9观点，涉及半导体装置的制造方法，其包括以下工序：
在基板上形成EUV抗蚀剂膜的工序，
在该抗蚀剂膜上涂布权利要求1～8的任一项所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物并烘烤而形成EUV抗蚀剂上层膜的工序，
对被该抗蚀剂上层膜和抗蚀剂膜被覆的半导体基板进行曝光的工序，
曝光后显影而除去该抗蚀剂上层膜和抗蚀剂膜的工序。
作为第10观点，根据第9观点所述的半导体装置的制造方法，其中，曝光通过EUV(波长13.5nm)光来进行。
发明的效果
通过本发明，可以提供EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，该组合物作为EUV抗蚀剂的上层膜，不与EUV抗蚀剂混合，在EUV曝光时阻挡不优选的曝光光例如UV光和/或DUV光等带外辐射(out-of-BANDradiation)而仅选择性地透射EUV光，并且曝光后可以用显影液显影。
特别是本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物可以提供能够吸收即使在EUV曝光光所含的带外辐射中也被认为最不希望的200～240nm的DUV光的抗蚀剂上层膜，由此，可以提高EUV抗蚀剂的分辨力。
另外，本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，在将该组合物应用于半导体装置的制造时，不与在下层形成的EUV抗蚀剂发生混合，而且在EUV曝光后可以与EUV抗蚀剂一起用显影液除去。
附图说明
图1是显示将使用实施例1～实施例3和比较例1所得的抗蚀剂上层膜形成用组合物(溶液)形成的抗蚀剂上层膜，分别使用分光光度计来测定波长200nm～240nm的透射率而得的曲线图的图。
具体实施方式
本发明以适合在EUV光刻工序中使用的EUV抗蚀剂上层膜的组合物为对象。
如上所述，在使用EUV光刻的器件制作工序中，对被覆了EUV抗蚀剂的基板照射EUV光而使其曝光。这里在EUV抗蚀剂曝光时，EUV光可以包含5％左右的除EUV光以外的300nm以下的波长的光(即UV光和/或DUV光)。并且，例如190～300nm、190～250nm、特别是200～240nm附近的波长的光会造成EUV抗蚀剂的灵敏度降低和/或图案形状的劣化。特别是如果线宽为22nm以下，则该称为UV光和/或DUV光的带外辐射(out-of-BANDradiation)的影响开始出现，对EUV抗蚀剂的分辨力造成恶劣影响。为了除去这样的200～240nm附近的不希望的波长光，也有在光刻系统中设置滤波器的方法，但存在工序上复杂这样的课题。
另一方面，在EUV抗蚀剂的上层被覆EUV抗蚀剂上层膜时，为了防止EUV抗蚀剂膜与EUV抗蚀剂上层膜的混合(层的混合)，作为在形成EUV抗蚀剂上层膜时使用的溶剂，要避开EUV抗蚀剂的溶剂，例如有时使用醇系溶剂，因而对EUV抗蚀剂上层膜材料还要求对醇系溶剂的高溶解性。
鉴于这样的状况，本发明者们通过作为在EUV抗蚀剂上层膜中使用的聚合物，选择包含选择性地有效吸收200～240nm附近的DUV光的萘环的聚合物，并且使该聚合物中包含用于提高对醇溶剂的溶解性的由羟基、羧基、磺基和/或包含这些基团的有机基团形成的亲水性基团，从而完成了抑制带外辐射的影响并且对醇系溶剂具有高溶解性的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物。
并且，由本发明的组合物形成的EUV抗蚀剂上层膜，通过作为其材料的聚合物中具有由羟基、羧基、磺基或包含这些基团的有机基团形成的亲水性基团，从而可以在显影液(例如，碱性显影液)中溶解，因而在曝光后的显影时可以与EUV抗蚀剂一起用显影液溶解除去。
以下，详细说明本发明。
本发明是在EUV光刻工序中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，该组合物包含树脂，该树脂在主链或侧链上包含萘环。
上述EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物含有包含萘环的树脂和溶剂，进一步可以含有交联剂、交联催化剂、表面活性剂。
本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物的固体成分为0.1～50质量％，优选为0.5～30质量％。固体成分是指从EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物中除去溶剂成分后的成分。
上述树脂在EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物中的含量，在固体成分中为20质量％以上、例如20～100质量％、或30～100质量％、或50～90质量％、或60～80质量％。
上述树脂中作为亲水性基团可以包含：羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团。
上述树脂是包含所述式(1)所示的结构单元的树脂，或者可以是包含所述式(1)所示的结构单元和所述式(2)所示的结构单元两者的树脂。
在所述式(1)、式(2)中，R1和R3分别独立地表示羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团，R2和R4分别独立地表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苄基、苯基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数1～10的烷硫基、或它们的2种以上的组合。
Ar1表示苯环或蒽环。
n1和n2分别表示0～6的整数，n3和n4分别表示0～苯环或蒽环上能取代的最大整数(苯环：4、蒽环：8)。其中(n1)或(n1＋n3)至少为1。至少为1例如可以为1、2、3或4。
此外，在n1、n2、n3、n4表示2以上的整数的情况下，R1、R2、R3、R4分别可以是相同的基团，也可以是不同的基团。
或者上述树脂可以是包含所述式(3)所示的结构单元的树脂，包含式(3)所示的结构单元和式(4)所示的结构单元二种结构单元的树脂，包含式(3)所示的结构单元和式(5)所示的结构单元二种结构单元的树脂，包含式(3)所示的结构单元、式(4)所示的结构单元和式(5)所示的结构单元三种结构单元的树脂，包含式(3)所示的结构单元、式(5)所示的结构单元和式(6)所示的结构单元三种结构单元的树脂，或包含式(3)所示的结构单元、式(4)所示的结构单元、式(5)所示的结构单元和式(6)所示的结构单元四种结构单元的树脂。
上述式(3)～式(6)中，R7、R10、R12和R13分别独立地表示氢原子或甲基，R5、R8和R11分别独立地表示羟基、羧基、磺基或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团，R6和R9分别独立地表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苄基、苯基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数1～10的烷硫基、或它们的2种以上的组合。
n5和n6分别表示0～7的整数，n8和n9分别表示0～5的整数。其中，(n5)、(n5＋n8)、(n5＋n11)或(n5＋n8＋n11)至少为1。至少为1例如可以为1、2、3或4。
此外，在n5、n6、n7、n8表示2以上的整数的情况下，R5、R6、R7、R8分别可以是相同的基团，也可以是不同的基团。
T表示单键、或醚基(-O-)、酯基(-(CO)O-)、羰基(-(CO)-)、酰胺基(-(CO)-(NH)-)，或者表示包含这些基团中的至少一个基团的二价有机基团。
T中的二价有机基团是指，在由下述所例示的碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苯基等衍生的二价有机基团中，包含上述醚基、酯基、羰基、酰胺基中的至少一个基团的二价有机基团。
R1和R3中的一价有机基团是指，包含在下述所例示的碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苯基等中，含有羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团的一价有机基团。
R5、R8和R11中的一价有机基团，是指包含在下述所例示的碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苯基中，含有羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团的一价有机基团。
作为上述碳原子数1～10的烷基，可列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、1-甲基-环丙基、2-甲基-环丙基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2,2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、环戊基、1-甲基-环丁基、2-甲基-环丁基、3-甲基-环丁基、1,2-二甲基-环丙基、2,3-二甲基-环丙基、1-乙基-环丙基、2-乙基-环丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2,2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基、1-乙基-2-甲基-正丙基、环己基、1-甲基-环戊基、2-甲基-环戊基、3-甲基-环戊基、1-乙基-环丁基、2-乙基-环丁基、3-乙基-环丁基、1,2-二甲基-环丁基、1,3-二甲基-环丁基、2,2-二甲基-环丁基、2,3-二甲基-环丁基、2,4-二甲基-环丁基、3,3-二甲基-环丁基、1-正丙基-环丙基、2-正丙基-环丙基、1-异丙基-环丙基、2-异丙基-环丙基、1,2,2-三甲基-环丙基、1,2,3-三甲基-环丙基、2,2,3-三甲基-环丙基、1-乙基-2-甲基-环丙基、2-乙基-1-甲基-环丙基、2-乙基-2-甲基-环丙基和2-乙基-3-甲基-环丙基等。
作为上述碳原子数2～10的烯基，可列举乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1-异丙基乙烯基、1,2-二甲基-1-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、1-环戊烯基、2-环戊烯基、3-环戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基-1-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1,1-二甲基-2-丁烯基、1,1-二甲基-3-丁烯基、1,2-二甲基-1-丁烯基、1,2-二甲基-2-丁烯基、1,2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-仲丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二甲基-3-丁烯基、1-异丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2,3-二甲基-1-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-3-丁烯基、2-异丙基-2-丙烯基、3,3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-正丙基-1-丙烯基、1-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1,2-三甲基-2-丙烯基、1-叔丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-异丙基-1-丙烯基、1-异丙基-2-丙烯基、1-甲基-2-环戊烯基、1-甲基-3-环戊烯基、2-甲基-1-环戊烯基、2-甲基-2-环戊烯基、2-甲基-3-环戊烯基、2-甲基-4-环戊烯基、2-甲基-5-环戊烯基、2-亚甲基-环戊基、3-甲基-1-环戊烯基、3-甲基-2-环戊烯基、3-甲基-3-环戊烯基、3-甲基-4-环戊烯基、3-甲基-5-环戊烯基、3-亚甲基-环戊基、1-环己烯基、2-环己烯基和3-环己烯基等。
作为上述碳原子数1～10的烷氧基，可列举甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊基氧基、1-甲基-正丁氧基、2-甲基-正丁氧基、3-甲基-正丁氧基、1,1-二甲基-正丙氧基、1,2-二甲基-正丙氧基、2,2-二甲基-正丙氧基、1-乙基-正丙氧基、正己基氧基、1-甲基-正戊基氧基、2-甲基-正戊基氧基、3-甲基-正戊基氧基、4-甲基-正戊基氧基、1,1-二甲基-正丁氧基、1,2-二甲基-正丁氧基、1,3-二甲基-正丁氧基、2,2-二甲基-正丁氧基、2,3-二甲基-正丁氧基、3,3-二甲基-正丁氧基、1-乙基-正丁氧基、2-乙基-正丁氧基、1,1,2-三甲基-正丙氧基、1,2,2-三甲基-正丙氧基、1-乙基-1-甲基-正丙氧基、和1-乙基-2-甲基-正丙氧基等。
作为上述碳原子数1～10的烷硫基，可列举乙基硫基、丁基硫基、己基硫基、辛基硫基等。
作为上述卤原子，可列举氟原子、氯原子、溴原子、和碘原子。
在本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物中使用的上述树脂的重均分子量为500～1,000,000、优选为700～500,000、更优选为1000～300,000、进一步优选为1,000～100,000。
上述树脂可以使用例如包含以下所例示的式(7-1)～式(7-5)所记载的结构单元的树脂(主链包含萘环的树脂)、或者包含式(8-1)～式(8-7)所记载的结构单元的树脂(侧链包含萘环的树脂)。
作为本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物中所含的上述溶剂，可以优选使用醇系溶剂。作为这些醇系溶剂，可列举例如，1-丁醇、2-丁醇、异丁醇、叔丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、叔戊醇、新戊醇、2-甲基-1-丁醇、3-甲基-1-丁醇、3-甲基-3-戊醇、环戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、2,3-二甲基-2-丁醇、3,3-二甲基-1-丁醇、3,3-二甲基-2-丁醇、2-二乙基-1-丁醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-1-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-1-戊醇、4-甲基-2-戊醇、4-甲基-3-戊醇、和环己醇。这些醇系溶剂可以单独使用或作为混合物使用。
另外，可以与上述醇系溶剂一起合并使用以下的其他溶剂。该溶剂可以使用乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二甘醇单甲基醚、二甘醇单乙基醚、丙二醇、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单丙基醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲乙酮、环戊酮、环己酮、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羟基乙酸乙酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯等。这些有机溶剂可以单独使用或2种以上组合使用。
这些其他溶剂可以以相对于所述醇系溶剂为0.01～10.00质量％的比例含有。
本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，为了与光刻工序中在下层存在的抗蚀剂的酸性度一致，可以进一步含有酸化合物。
作为酸化合物，例如可以优选使用磺酸化合物或磺酸酯化合物。
作为所述磺酸或磺酸酯化合物，可列举例如，对甲苯磺酸、三氟甲磺酸、对甲苯磺酸吡啶、磺基水杨酸等酸性化合物、和/或苯偶姻甲苯磺酸酯、甲苯磺酸2-硝基苄酯等热产酸剂，另外，还可以使用水杨酸、柠檬酸、苯甲酸、羟基苯甲酸、2,4,4,6-四溴环己二烯酮等。
另外，本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，为了在光刻工序中与在下层存在的抗蚀剂的酸性度一致，可以作为酸化合物，添加通过EUV照射而产生酸的产酸剂。
作为优选的产酸剂，可列举例如，二(4-叔丁基苯基)三氟甲磺酸碘、三苯基三氟甲磺酸锍等盐系产酸剂类(例如碘盐系产酸剂、锍盐系产酸剂)、苯基-二(三氯甲基)-S-三嗪等含卤化合物系产酸剂类、苯偶姻甲苯磺酸酯、N-羟基琥珀酰亚胺三氟甲磺酸酯等磺酸系产酸剂类等。
这些酸化合物的配合量相对于本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物的总固体成分100质量％，为0.02～10质量％，优选为0.04～5质量％。
本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物中，除了上述以外，可以根据需要进一步添加流变调节剂、粘接助剂、表面活性剂等。
流变调节剂主要是为了提高抗蚀剂上层膜形成用组合物的流动性而添加。作为具体例，可列举邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二异丁酯、邻苯二甲酸二己酯、邻苯二甲酸丁基异癸基酯等邻苯二甲酸衍生物、己二酸二正丁酯、己二酸二异丁酯、己二酸二异辛酯、己二酸辛基癸基酯等己二酸衍生物、马来酸二正丁酯、马来酸二乙酯、马来酸二壬酯等马来酸衍生物、油酸甲酯、油酸丁酯、油酸四氢糠酯等油酸衍生物、或硬脂酸正丁酯、硬脂酸甘油酯等硬脂酸衍生物。
这些流变调节剂相对于EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物的全部组合物100质量％，通常以低于30质量％的比例配合。
为了不发生针孔、辉纹(ストレーション)等、进一步提高对表面不均匀的涂布性，本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物中可以配合表面活性剂。作为表面活性剂，可列举例如，聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯鲸蜡基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚类、聚氧乙烯辛基苯酚醚、聚氧乙烯壬基苯酚醚等聚氧乙烯烷基烯丙基醚类、聚氧乙烯/聚氧丙烯嵌段共聚物类、失水山梨糖醇单月桂酸酯、失水山梨糖醇单棕榈酸酯、失水山梨糖醇单硬脂酸酯、失水山梨糖醇单油酸酯、失水山梨糖醇三油酸酯、失水山梨糖醇三硬脂酸酯等失水山梨糖醇脂肪酸酯类、聚氧乙烯失水山梨糖醇单月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇单棕榈酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇单硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三硬脂酸酯等聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯类等非离子系表面活性剂；エフトップEF301、EF303、EF352((株)トーケムプロダクツ(现：三菱マテリアル电子化成(株))制、メガファックF171、F173(DIC(株)制)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)制)、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)制)等氟系表面活性剂；有机硅氧烷聚合物KP341(信越化学工业(株)制)等。
这些表面活性剂的配合量相对于本发明的抗蚀剂上层膜形成用组合物的全部组合物100质量％，通常为0.2质量％以下，优选为0.1质量％以下。这些表面活性剂可以单独添加，还可以2种以上的组合添加。
作为在本发明中的EUV抗蚀剂上层膜的下层涂布的EUV抗蚀剂，可以使用负型、正型的任一种。包括：由产酸剂和具有通过酸分解而改变碱溶解速度的基团的粘合剂组成的化学放大型抗蚀剂；由碱可溶性粘合剂、产酸剂和通过酸分解而改变抗蚀剂的碱溶解速度的低分子化合物组成的化学放大型抗蚀剂；由产酸剂、具有通过酸分解而改变碱溶解速度的基团的粘合剂和通过酸分解而改变抗蚀剂的碱溶解速度的低分子化合物组成化学放大型抗蚀剂；由具有通过EUV光分解而改变碱溶解速度的基团的粘合剂组成的非化学放大型抗蚀剂；由具有被EUV光切断而改变碱溶解速度的部位的粘合剂组成的非化学放大型抗蚀剂等。
作为具有使用本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物而形成的抗蚀剂上层膜的正型抗蚀剂的显影液，可以使用氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、偏硅酸钠、氨水等无机碱类、乙胺、正丙胺等伯胺类、二乙胺、二-正丁基胺等仲胺类、三乙胺、甲基二乙基胺等叔胺类、二甲基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺类、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、胆碱等季铵盐、吡咯、哌啶等环状胺类等的碱类的水溶液。进而，作为显影液，可以在上述碱类的水溶液中适量添加异丙醇等醇类、非离子系等的表面活性剂而使用。其中优选的显影液是季铵盐，进一步优选为四甲基氢氧化铵和胆碱。
在本发明中，可以通过以下工序来制造半导体装置：在具有形成转印图案的加工对象膜的基板上，以使用或不使用EUV抗蚀剂下层膜的状态，形成EUV抗蚀剂膜的工序；在该抗蚀剂膜上涂布EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，烘烤而形成EUV抗蚀剂上层膜的工序；对该抗蚀剂上层膜和被抗蚀剂膜被覆的半导体基板进行曝光的工序；曝光后显影，除去该抗蚀剂上层膜和抗蚀剂膜的工序。包括这样的工序的半导体装置的制造方法也是本发明的对象。
此外上述曝光通过EUV(波长13.5nm)光来进行。
应用本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物的半导体装置，在其制造工序中，可以采用在基板上依次形成有转印图案的加工对象膜、抗蚀剂膜和抗蚀剂上层膜的构成。由本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物形成的抗蚀剂上层膜可以降低由基底基板和/或EUV造成的恶劣影响，在EUV光的曝光后可以形成直线形状良好的抗蚀剂图案，从而可以获得对充分的EUV照射量的边缘。另外，由本发明的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物形成的抗蚀剂上层膜可以具有与在其下层形成的抗蚀剂膜同等大的湿蚀刻速度，因此，可以通过湿蚀刻工序而对作为加工对象的基底膜(转印图案的加工对象膜)容易地转印抗蚀剂图案。
实施例
实施例1
使萘酚酚醛清漆树脂(以1-萘酚:苯酚＝50:50的摩尔比与甲醛反应而合成酚醛清漆树脂。该树脂相当于包含上述式(7-2)所记载的结构单元的树脂。重均分子量为3,200。)1g溶解于4-甲基-2-戊醇99g中，得到EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物(溶液)。
实施例2
使萘酚酚醛清漆树脂(以1-萘酚:苯酚＝70:30的摩尔比与甲醛反应而合成酚醛清漆树脂。该树脂相当于包含上述式(7-2)所记载的结构单元的树脂。重均分子量为2,800。)1g溶解于4-甲基-2-戊醇99g中，得到EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物(溶液)。
实施例3
使含乙烯基萘的树脂(以2-乙烯基萘:羟基苯乙烯:甲基丙烯酸＝50:20:30的质量比进行自由基聚合。该树脂相当于包含上述式(8-4)所记载的结构单元的树脂。重均分子量为5,800。)1g溶解于4-甲基-2-戊醇99g中，得到EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物(溶液)。
比较例1
使聚羟基苯乙烯树脂(市售品。重均分子量为8,000)1g溶解于4-甲基-2-戊醇99g中，得到EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物(溶液)。
〔与抗蚀剂的混合试验〕
使用旋涂器涂布EUV抗蚀剂溶液(甲基丙烯酸系抗蚀剂)。在电热板上以100℃加热1分钟，从而形成抗蚀剂膜，进行膜厚测定(膜厚A：抗蚀剂膜厚)。
使用旋涂器将本发明的实施例1～实施例3、比较例1所调制的抗蚀剂上层膜形成用组合物(溶液)涂布在抗蚀剂膜上，在电热板上以100℃加热1分钟，形成抗蚀剂上层膜，进行膜厚测定(膜厚B：抗蚀剂与抗蚀剂上层膜的膜厚的和)。
在该抗蚀剂上层膜上浸置市售的显影液(东京应化工业(株)制、制品名：NMD-3)放置60秒，一边使其以3,000转/分钟旋转，一边用纯水淋洗30秒。淋洗后，在100℃烘烤60秒，进行膜厚测定(膜厚C)。所得的结果示于表1。
在膜厚A等于膜厚C的情况下，可以说与抗蚀剂无混合。
表1膜厚测定
如表1所示，得到了如下结果：在实施例1～实施例3和比较例1的任一者中，膜厚A与膜厚C的数值均相等，使用这些EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物而形成的膜不与抗蚀剂发生混合。
〔光学参数试验〕
分别使用旋涂器将本发明的实施例1～实施例3所调制的抗蚀剂上层膜形成用组合物(溶液)、和比较例1所示的抗蚀剂上层膜形成用组合物(溶液)涂布在石英基板上。在电热板上以100℃加热1分钟，形成抗蚀剂上层膜(膜厚0.03μm)。并且，对这4种抗蚀剂上层膜，使用分光光度计测定波长190nm～240nm的透射率。测定结果示于图1。
关于DUV光的遮光性，将在200nm～240nm的波长域中透射率的最大值为60％以上评价为不良，低于60％评价为良好。所得的结果示于表2。
另外，关于EUV光(13.5nm)的透射性，由元素组成比与膜密度的关系通过模拟来计算波长13.5nm的透射率。并且，在波长13.5nm下将80％以上的透射率评价为良好，将低于80％评价为不良。所得的结果示于表2。此外实施例1～实施例3、比较例1的13.5nm的透射率均为88(％)。
表2EUV透射性和DUV遮光性
如表2所示，实施例1～实施例3显示EUV光的透射性良好，且DUV光的遮光性优异的结果，另一方面，比较例1得到了DUV光的遮光性差的结果。
更详细地，如图1所示，得到了如下结果：使用实施例1～实施例3的抗蚀剂上层膜形成用组合物而形成的膜，波长220nm～240nm的光的透射率低于40％，特别是对于使用实施例1和实施例2的抗蚀剂上层膜形成用组合物而形成的膜，在波长200nm～240nm的范围光的透射率低于40％，DUV光的遮光性特别良好。
产业可利用性
是用于形成不与EUV抗蚀剂混合、且在EUV曝光时遮挡不优选的曝光光例如UV、DUV，仅选择性地透射EUV，另外，曝光后可以用显影液显影的在EUV光刻工艺中使用的EUV抗蚀剂上层膜的组合物。

Claims (8)

1.在EUV光刻工序中使用的、具有阻挡带外辐射的能力的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其包含树脂和溶剂，所述树脂在主链或侧链上包含萘环，
其中，树脂包含式(1)和式(2)所示的结构单元：
上述式中，R1和R3分别独立地表示羟基、羧基、磺基或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团，R2和R4分别独立地表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苄基、苯基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数1～10的烷硫基、或它们的2种以上的组合，Ar1表示苯环或蒽环，n1和n2分别表示0～6的整数，n3和n4分别表示0～苯环或蒽环上能取代的最大整数，其中(n1)或(n1+n3)至少为1，
或者，树脂包含式(3)和式(4)所示的结构单元，或者包含式(3)、式(4)和式(5)所示的结构单元，或者包含式(3)、式(5)和式(6)所示的结构单元，或者包含式(3)、式(4)、式(5)和式(6)所示的结构单元：
式中，T表示单键，或者表示醚基、酯基、羰基、酰胺基、或包含这些基团中的至少一个基团的二价有机基团，R7、R10、R12和R13分别独立地表示氢原子或甲基，R5、R8和R11分别独立地表示羟基、羧基、磺基或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团，R6和R9分别独立地表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苄基、苯基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数1～10的烷硫基、或它们的2种以上的组合，n5和n6分别表示0～7的整数，n8和n9分别表示0～5的整数，其中，(n5)、(n5+n8)、(n5+n11)或(n5+n8+n11)至少为1。
2.根据权利要求1所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，溶剂是醇系溶剂。
3.根据权利要求1或2所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，进一步包含酸化合物。
4.根据权利要求3所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，酸化合物是磺酸化合物或磺酸酯化合物。
5.根据权利要求1或2所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，进一步包含通过EUV照射而产生酸的产酸剂。
6.根据权利要求5所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，所述产酸剂是碘盐系产酸剂或锍盐系产酸剂。
7.半导体装置的制造方法，其包括以下工序：
在基板上形成EUV抗蚀剂膜的工序，
在该抗蚀剂膜上涂布权利要求1～6的任一项所述的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物并烘烤而形成EUV抗蚀剂上层膜的工序，
对被该抗蚀剂上层膜和抗蚀剂膜被覆的半导体基板进行曝光的工序，
曝光后显影而除去该抗蚀剂上层膜和抗蚀剂膜的工序。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，曝光通过波长13.5nm的EUV光来进行。
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TW (1) TWI586716B (zh)
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Families Citing this family (379)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2012168279A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Ｅｕｖ用レジスト組成物、ｅｕｖ用レジスト組成物の製造方法、およびレジストパターン形成方法
EP3848091A1 (en) 2011-03-07 2021-07-14 The Trustees of Columbia University in the City of New York Apparatus, method, and system for selectively effecting and/or killing bacteria
US20180169279A1 (en) 2011-03-07 2018-06-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Apparatus, method and system for selectively affecting and/or killing a virus
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP6230217B2 (ja) * 2011-09-06 2017-11-15 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法
KR101969595B1 (ko) * 2011-09-06 2019-04-16 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 형성 방법 및 보호막 형성용 조성물
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5846046B2 (ja) * 2011-12-06 2016-01-20 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9494864B2 (en) 2012-09-07 2016-11-15 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist overlayer film forming composition for lithography and method for manufacturing semiconductor device using the same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP5563051B2 (ja) 2012-12-13 2014-07-30 Ａｚエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
US9746768B2 (en) 2013-01-24 2017-08-29 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist overlayer film forming composition for lithography and method for producing semiconductor device using the same
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
JP6157160B2 (ja) * 2013-03-15 2017-07-05 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2014178542A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Fujifilm Corp パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP6271150B2 (ja) 2013-04-26 2018-01-31 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、組成物キット、及び電子デバイスの製造方法
JP6119983B2 (ja) * 2013-06-28 2017-04-26 日産化学工業株式会社 リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9804493B2 (en) 2013-11-22 2017-10-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same
JP6445760B2 (ja) * 2013-11-22 2018-12-26 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP6267532B2 (ja) 2014-02-14 2018-01-24 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
JP6519753B2 (ja) 2014-02-26 2019-05-29 日産化学株式会社 レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6529966B2 (ja) * 2014-05-21 2019-06-12 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
TWI712855B (zh) 2014-07-24 2020-12-11 日商日產化學工業股份有限公司 光阻上層膜形成組成物及使用此之半導體裝置之製造方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN107250914A (zh) * 2015-02-26 2017-10-13 富士胶片株式会社 上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法及电子器件的制造方法
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6522739B2 (ja) 2015-03-31 2019-05-29 富士フイルム株式会社 上層膜形成用組成物、パターン形成方法、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
CN110862497B (zh) * 2019-07-10 2022-07-29 厦门恒坤新材料科技股份有限公司 含萘侧基聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及图案形成方法
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
TWI838570B (zh) 2019-08-23 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TWI884193B (zh) 2020-04-24 2025-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
KR102916735B1 (ko) 2020-06-24 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114388427A (zh) 2020-10-06 2022-04-22 Asm Ip私人控股有限公司 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
KR102668700B1 (ko) * 2021-04-20 2024-05-23 엠에이치디 주식회사 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008015969A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Jsr Corporation Method of forming pattern, composition for forming upper-layer film, and composition for forming lower-layer film
JP2008046206A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP2008065304A (ja) * 2006-08-11 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
CN101467100A (zh) * 2006-06-15 2009-06-24 日产化学工业株式会社 含有具有环结构的高分子化合物的正型感光性树脂组合物
JP2009164441A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Panasonic Corp パターン形成方法
JP2010160283A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Fujifilm Corp リソグラフィ用基板被覆方法、及び該方法に用いられる感活性光線または感放射線性樹脂組成物

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002025374A2 (en) * 2000-09-19 2002-03-28 Shipley Company, L.L.C. Antireflective composition
SG115693A1 (en) 2003-05-21 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method for coating a substrate for euv lithography and substrate with photoresist layer
JP4563076B2 (ja) * 2004-05-26 2010-10-13 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物、該反射防止膜形成用組成物からなる反射防止膜、および該反射防止膜形成用組成物を用いたレジストパターン形成方法
CN101180580B (zh) * 2005-06-10 2011-08-10 日产化学工业株式会社 含有萘树脂衍生物的形成光刻用涂布型下层膜的组合物
US20070231713A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Bristol Robert L Anti-reflective coating for out-of-band illumination with lithography optical systems
JP2008198788A (ja) 2007-02-13 2008-08-28 Toshiba Corp レジストパターン形成方法
JP5067537B2 (ja) 2007-03-02 2012-11-07 日産化学工業株式会社 多核フェノールを含むレジスト下層膜形成組成物
JP4910829B2 (ja) * 2007-03-28 2012-04-04 Ｊｓｒ株式会社 上層反射防止膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法
JP4590431B2 (ja) * 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP4993139B2 (ja) * 2007-09-28 2012-08-08 信越化学工業株式会社 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101467100A (zh) * 2006-06-15 2009-06-24 日产化学工业株式会社 含有具有环结构的高分子化合物的正型感光性树脂组合物
WO2008015969A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Jsr Corporation Method of forming pattern, composition for forming upper-layer film, and composition for forming lower-layer film
JP2008046206A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP2008065304A (ja) * 2006-08-11 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP2009164441A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Panasonic Corp パターン形成方法
JP2010160283A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Fujifilm Corp リソグラフィ用基板被覆方法、及び該方法に用いられる感活性光線または感放射線性樹脂組成物

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