JP2008198788A - レジストパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶ露光におけるパターン光と異なる波長の光の影響を低減することができ、パターン転写精度の向上をはかる。
【解決手段】マスク上に形成されたパターンを、ＥＵＶ露光装置を用いて基板上のレジスト膜に転写するレジストパターン形成方法であって、基板１００上にレジスト膜１０１を形成する工程と、レジスト膜１０１上に、ＥＵＶ露光装置内のパターン光と異なる波長の光で、且つレジスト膜１０１を感光させる光に対する透過率が、ＥＵＶ露光装置のパターン露光光に対する透過率よりも低い補助膜１０２を形成する工程と、ＥＵＶ露光装置を用いてマスクからのＥＵＶ光をレジスト膜１０１に照射するパターン露光工程と、レジスト膜１０１のパターン露光後に補助膜１０２を除去する工程と、補助膜１０２の除去後にレジスト膜１０１に対して現像液を用いて現像する工程とを含む。
【選択図】 図２

Description

本発明は、基板上のレジスト膜にマスクパターンを転写するレジストパターン形成方法に係わり、特にＥＵＶ露光装置を用いたレジストパターン形成方法に関する。

ＤＵＶ（Deep Ultra Violet）光までの光リソグラフィーにおいては、パターン露光光と同じ波長であるフレア光が問題視され、ポイント・スプレッド・ファンクション（Point Spread Function）などに基づくマスクパターンの補正手段も見出されてきた。

しかし、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）リソグラフィーにおいては、露光装置の光学系を構成する反射ミラーの表面トポロジーや位相差によって生じるパターン露光光（パターン光）であるＥＵＶ光と同波長のフレア光（ＥＵＶ露光装置は初期の量産装置であっても数％乃至十数％のフレアが残留すると見込まれている。）に加えて、パターン光であるＥＵＶ光と異なる波長の光が基板上に照射されることがある。

ＥＵＶ露光装置ではプラズマ光源から発する連続光から、パターン光となるＥＵＶ光に対して反射率が極大を示す複数枚の反射ミラーを用いて分光を行う。しかし、前記反射ミラーでは前記ＥＵＶ光の露光波長（典型的には１３．５ｎｍ）と異なる波長の光についてもある程度の反射特性を示すため、ＥＵＶ光と異なる波長の意図しない光（Out of Band光：ＯｏＢ光）が基板上に照射される場合がある（例えば、非特許文献１参照）。非特許文献１では、ＯｏＢ光がＥＵＶ露光において用いられることが想定されているレジスト膜を感光させることが報告されている。前記プラズマ光のスペクトル分布においてＥＵＶ光強度はＤＵＶ光よりも強度が弱く、ＥＵＶ光とＤＵＶ光の相対感度がほぼ同等となることから、ＤＵＶ波長のＯｏＢ光の強度が十分に強い場合には、ＥＵＶ光による結像特性に影響を与えることが想定される。なお、ＤＵＶリソグラフィーにおいては、数％、場合によっては数分の１％のフレア光によるパターン寸法変化を問題とする場合ある。

また、ＥＵＶ光の有するエネルギーが高いことから、光路上に位置する反射ミラーや反射型マスクの構成物質が励起されて、種々のルミネッセンスを発することが想定される。また、前記パターン光と同波長であるフレア光や、前記ルミネッセンスによる二次励起光によって、ＥＵＶ露光装置を構成する部材等が励起されて、ルミネッセンスを発する可能性がある。このようなルミネッセンスは、励起源からほぼ等方的に発せられる。また、特に金属などの連続体が励起される場合には、ルミネッセンスも特性線ではなく、連続光である場合もある（例えば、特許文献１参照。）。以下、ＯｏＢ光とルミネッセンスをあわせて、ＯｏＢ光と本願では記載する。

上述のように、ＥＵＶリソグラフィーでは、通常の光リソグラフィーと異なり、パターン光と異なる波長の光（ＯｏＢ光）もレジスト膜に照射される恐れがある。
特許第３８３６２６号 F. Goodwin, et al., "Baselining the performance of a ＥＵＶL full field scanner through rigorous modeling", 2006 ＥＵＶL Symposium, IET05, 2006

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、ＥＵＶ露光におけるパターン光と異なる波長の光の影響を低減することができ、パターン転写精度の向上をはかり得るレジストパターン形成方法を提供することにある。

本発明の一態様は、マスク上に形成されたパターンを、ＥＵＶ露光装置を用いて基板上のレジストに転写するレジストパターン形成方法であって、前記基板上に前記レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜上に、前記ＥＵＶ露光装置内で発生する前記パターン光よりも長波長且つ前記レジスト膜を感光させる光に対する透過率が、前記ＥＵＶ露光装置の前記パターン光に対する透過率よりも低い補助膜を形成する工程と、前記ＥＵＶ露光装置を用いて前記マスクからのＥＵＶ光を前記レジスト膜に照射するパターン露光工程と、前記レジスト膜のパターン露光後に、前記補助膜を除去する工程と、前記補助膜の除去後に、前記レジスト膜に対して所定の現像液を用いて現像する工程と、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、パターン露光光であるＥＵＶ光に対する透過率がＥＵＶ光と異なる波長を有しレジスト膜を感光させるＯｏＢ光に対する透過率よりも高い補助膜をレジスト膜上に形成することにより、ＥＵＶ露光におけるＯｏＢ光の影響を低減することができ、パターン転写精度の向上をはかることができる。

以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。

図１は、本発明の一実施形態に使用したＥＵＶ露光装置を示す概略構成図であり、一例として、ステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露光装置を示している。

この露光装置は、ＥＵＶ光を発する光源部１０、光源部１０から発せられたＥＵＶ光を伝搬する照明光学系２０、及び照明光学系２０で伝搬された光が照射されるマスク（反射型レチクル）３０、マスク３０を保持するマスクステージ３１を備える。さらに、マスク３０で反射された光を伝搬する投影光学系４０、及び投影光学系４０で伝搬された光で露光されるレジスト膜が塗布されたウエハ５０、ウエハ５０を保持するウエハステージ５１を備える。

光源部１０には、光源１１，集光レンズ１２，楕円鏡１４，及び放物面鏡１５が設けられている。光源１１は、赤外域から可視域の波長のレーザー光を発する。例えば、半導体レーザー励起によるイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）レーザーやＣＯ２レーザー、エキシマレーザ等が光源１１から発せられる。光源１１に隣接して集光レンズ１２が配置される。集光レンズ１２は光源１１から発せされたレーザー光を焦点１３に集光する。焦点１３にはキセノン（Ｘｅ）ガスが供給されている。Ｘｅガスはレーザー光で照射されることにより高温になる。そして、Ｘｅがプラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際に波長が１２ｎｍ〜１４ｎｍの軟Ｘ線領域のＥＵＶ光が放出される。放出されたＥＵＶ光は楕円鏡１４で集光され、放物面鏡１５で反射される。

放物面鏡１５で反射されたＥＵＶ光が伝搬される照明光学系２０は、反射鏡２１，２２、コンデンサミラー２３、及び光路折り曲げ鏡２４を備える。ＥＵＶ光は反射鏡２１，２２で反射され、さらにコンデンサミラー２３で反射集光される。コンデンサミラー２３で反射集光されたＥＵＶ光は光路折り曲げ鏡２４で反射され、マスクステージ３１に静電吸着力で固定されたマスク３０に到達する。

マスク３０の下方には投影光学系４０が配置されている。投影光学系４０の下方には、ウエハ５０を保持するウエハステージ５１が配置されている。投影光学系４０は、コンデンサミラー４１、光路折り曲げ鏡４２，４３、コンデンサミラー４４、光路折り曲げ鏡４５、及びコンデンサミラー４６を備える。マスク３０で反射されたＥＵＶ光は、コンデンサミラー４１で反射集光され、光路折り曲げ鏡４２，４３で反射される。さらにＥＵＶ光はコンデンサミラー４４で反射集光され、光路折り曲げ鏡４５で反射される。光路折り曲げ鏡４５で反射されたＥＵＶ光はコンデンサミラー４６で集光反射され、ウエハ５０の表面に塗布されたレジスト膜上で焦点を結ぶ。投影光学系４０の倍率は、例えば１／４である。ＥＵＶ光は空気に吸収されるため、照明光学系２０及び投影光学系４０等の環境は真空に保たれるのが好ましい。

このような構成において、照明光学系２０によりＥＵＶ光がマスク３０に照射され、その反射光が投影光学系４０によりウエハ５０上に照射されるため、マスク３０のパターンは投影光学系４０により縮小されてウエハ５０上に転写される。このとき、マスクステージ３１とウエハステージ５１はそれぞれ投影光学系４０の縮小比に従い同期走査される。

露光装置はステップ・アンド・スキャンを繰り返して露光を行い、ウエハ５０の全面に露光が完了すると、次のウエハへと移る。さらに、全てのウエハへの露光が終了すると、マスク３０を交換し、再び同様の手順で露光を繰り返す。ウエハ５０は、そのＺ方向（投影光学系の光軸方向）の位置合わせのため、高さ位置検出センサ（Ｚセンサ）にてその表面位置を計測され、この計測情報に応じて高さ位置が制御される。

次に、上記装置を用いた本実施形態のレジストパターン形成方法について、比較例を参照して説明する。

（比較例）
実施形態を説明する前に参考例として、一般的なＥＵＶ光を用いたレジストパターン形成方法について説明する。

まず、半導体ウエハなどの基板上にレジスト膜を形成する。典型的な方法は、回転塗布法による塗布工程実施後、必要に応じて所定条件の加熱工程（ＰＡＢ工程：Post Apply Bake 工程）を実施する。

基板上に形成されたレジスト膜に対して、ＥＵＶ露光装置によるパターン露光工程を行う。ＥＵＶ露光装置は、前記図１に示すように従来の光リソグラフィーとは異なり、光学系は反射型ミラーによって形成され、さらにフォトマスクも反射型マスクで形成される。

レジスト膜が化学増幅型などである場合には、必要に応じて、パターン露光を実施したレジスト膜に対して所定条件における加熱工程（ＰＥＢ工程：Post Exposure Bake 工程）を実施する。

パターン露光工程、或いはさらにＰＥＢ工程によって潜像が形成されたレジスト膜に対して、所定条件による現像工程を実施し、必要に応じて現像液のリンス工程を行う。現像液の典型例は２．３８％のＴＭＡＨであり、リンス液の典型例は純水である。現像液、リンス液は界面活性剤を含むものであっても良い。また、一部のレジスト膜においては、現像を有機溶剤において実施する場合もある。

ＥＵＶ露光装置内で発生するフレア光やＯｏＢ光は、ＥＵＶ露光に用いるレジスト膜を感光するため、パターン転写精度の低下を招く要因となる。フレア光については、光リソグラフィーの知見と同様にして、Point Spread Function によるモデル化、マスク補正が可能と推定される。

一方、ＯｏＢ光に対しては、発生するＯｏＢ光の全波長、或いは所定の波長区間の集合に対してレジストパターンの感光特性を把握し、光リソグラフィーと同様に補正する手法を見出せる可能性はある。しかし、想定される感光波長の取得の作業量に加えて、ＯｏＢ光の影響を事前に定量化する必要があり、更にショット内におけるＯｏＢ光の影響が同一の分布であることが補正の前提となる。このため、補正は極めて難しいと考えられる。

（実施形態）
次に、比較例に記載した方法に対する対策となる本実施形態について説明する。

本実施形態では、まず図２（ａ）に示すように、先に説明した比較例と同様に、回転塗布法などによって基板１００上にレジスト膜１０１を形成し、必要に応じて所定条件の加熱工程（ＰＡＢ工程：Post Apply Bake 工程）を実施する。基板１００は、半導体ウエハそのものであっても良いし、半導体ウエハ上に各種の膜が形成され、最上面に被加工膜が形成されたものであっても良い。レジスト膜１０１としては、従来のＵＶ、ＤＵＶ、またＥＢリソグラフィーにおいて使用されてきた各種のレジスト膜を使用することは可能である。しかし、ＥＵＶリソグラフィーにおけるレジストにおいては、ＯＵＴＧＡＳ、ＬＷＲ、感度、解像性の複合的な観点において、従来のレジストでは性能が不足する可能性があるため、種々の改良を施したレジストを用いてもよい。例えば、発明段階におけるＥＵＶレジストの市販品として、（ＲＯＨＭ＆ＨＡＡＳ社製ＭＥＴ−２Ｄ）が挙げられる。また、多核フェノール型レジスト、スターバースト型レジストなどの非高分子型或いは分子レジストの利用することも考えられる。これらのレジストにおいては、レジスト材料の大きさを小さくすることで、ＬＷＲ、解像性の改善を目的としている。一方で、従来の高分子或いはオリゴマーを主成分とするレジストに、露光部で発生する酸によって乖離する前記高分子或いはオリゴマーの置換基の変更による改良を施したもの、または、これらレジストの基本構造の改良とは別に、光酸発生剤の改良により感度、酸の拡散長を縮小させたものを利用することも可能性として考えられる。また、従来の化学増幅型レジストにおいて、レジスト主成分であるポリマー或いはオリゴマーに対して添加物としていた光酸発生剤を、前記レジスト主成分と結合させた構造のレジストを利用することも可能性として考えうる。また、レジスト膜１０１の膜厚は１５０ｎｍが望ましい。

次いで、図２（ｂ）に示すように、レジスト膜１０１上にＯｏＢ光による影響を軽減するための補助膜１０２を形成する。この補助膜１０２は、ＥＵＶ光に対する透過率がＯｏＢ光、例えばＤＵＶ光に対する透過率よりも高いものである。逆に言えば、ＯｏＢ光に対する吸収率がＥＵＶ光に対する吸収率よりも高いものである。また、補助膜１０２の膜厚は、フォーカス方向に対する像の劣化を少なくするには、レジスト膜１０１よりも薄くするのが望ましい。

比較例でも説明したように、ＥＵＶ露光において問題視されるＥＵＶ光よりも波長の長いＯｏＢ光は、大別すると赤外光、可視光、ＵＶ光、ＤＵＶ光に分けられる。一般に、化学増幅型、非化学増幅型を問わず、ＥＵＶ露光用として使用されるレジスト膜の感光波長は、ＵＶ光よりも短い光である。従って、パターン露光光である波長λｐの単位透過率Ｔｐ、ＵＶ光よりも短いＯｏＢ光波長λｉの単位透過率Ｔｉにおいて、Ｔｐ＞Ｔｉである補助膜がレジスト膜上に存在する場合には、ＯｏＢ光のレジスト膜への影響を低下させることが可能となる。

次いで、前記図１に示したＥＵＶ露光装置を用いて、反射型マスクのパターンをレジスト膜１０１に転写する。このとき、露光装置からのパターン光は補助膜１０２を通してレジスト膜１０１に照射されることになる。このため、補助膜１０２によりＥＵＶ光も減衰されるが、それ以上にＯｏＢ光が大きく減衰されることになる。なお、レジスト膜１０１が化学増幅型などである場合には、必要に応じて、パターンが転写されたレジスト膜１０１に対して所定条件における加熱工程（ＰＥＢ工程：Post Exposure Bake 工程）を実施する。

次いで、補助膜１０２を除去した後に、レジスト膜１０１に対して、所定条件による現像工程を実施し、図２（ｃ）に示すようにレジスト膜１０１にパターンを形成する。即ち、マスクのパターンに対応するレジストパターンを形成する。ここで、必要に応じて現像液のリンス工程を行う。現像液の典型例は２．３８％のＴＭＡＨであり、リンス液の典型例は純水である。現像液及びリンス液は、界面活性剤を含むものであっても良い。また、一部のレジスト膜においては、現像を有機溶剤によって実施する場合もある。

このような方法であれば、比較例のように補助膜１０２の存在しない状態でＥＵＶ露光した場合と比べると、ＯｏＢ光の影響を軽減することができ、最終的に得られるレジストパターンの寸法精度が向上する。

ＤＵＶ光等を用いた光リソグラフィーによるパターン露光においては、レジスト膜上に形成される補助膜として、ＴＡＲＣ（Top Anti-reflection Coating）、主に化学増幅型レジストの初期に提案された主に塩基等の化学種に対する保護膜（Cover material）、液浸露光において液浸液（Liquid Immersion Fluid）に対する保護膜（Immersion Top Coating Film）などが挙げられる。このような、レジスト膜上の補助膜の基本的な特性として、パターン光に対してほぼ透明であることが知られている。

しかし、ＥＵＶリソグラフィーである本実施形態においてレジスト膜１０１上に形成される補助膜１０２は、パターン露光波長λｐであるＥＵＶ光を一定程度吸収することが必須となる。これは、軟Ｘ線領域であるＥＵＶ光の吸収は、物質中の元素密度と膜厚によって決定されるためである。分子結合構造によって吸収が決定されるＤＵＶ光から可視光とは、この点が大きく異なる。また、本実施形態の方法では、補助膜１０２によるＥＵＶ光の吸収を受けるために、露光装置側でＥＵＶ光の照射量を増大させる必要がある。

本実施形態の効果を有効に得るための補助膜１０２の材料について説明する。本実施形態に用いる補助膜１０２において、ＤＵＶ光からＵＶ光を吸収させる手段として、最も簡便であると考えられるのは、補助膜１０２中に芳香環及びその誘導体を含む方法である。芳香族及びその誘導体を含む手法としては、補助膜１０２を形成する主物質が芳香族を構成要因として含む方法と、添加物として含む方法がある。さらには、その両者を併用しても良い。また、芳香族は官能基によってある程度の吸収波長の変動を起こすことから、複数の異なる構造の芳香族を含んでも良い。

また、ＯｏＢ光が波長１９３ｎｍ付近に強い強度を示す場合には、補助膜１０２に芳香族或いは炭素の二重結合を含むことが有効と考えられる。これ以外にも、ＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ₂ などのＤＵＶ露光用レジスト材料の開発において検討されてきた、吸収を有する構造を参考することができる。例えば、波長２４８nm付近の光を減衰させる上では、I線レジスト組成物として広く用いられてきたノボラックが有効な例である。また、波長１９３ｎｍ付近の光については、ＫｒＦレジストとして用いられてきたポリヒドロキシスチレン誘導体が有効な例である。また、これらの混合物を用いることが可能となる。このような構造体に対して、適切な官能基を付加することでレジストの現像液、或いは剥離液に対する溶解性を付与することが可能である。また、適切な電子供与基、或いは電位付与基を付加することで、吸収波長が遷移する。

一方で、補助膜１０２は、基板上に形成されたレジスト膜１０１上に形成し、ＥＵＶ光によるパターン露光実施によって形成されたレジスト膜１０１の潜像を現像する工程との間に除去する必要がある。このため、レジスト膜１０１上に形成するにおいてレジスト膜１０１のパターン形成性能を劣化させないこと、及び潜像形成及び現像特性を劣化させないことが必要である。

この評価として簡便な方法は、補助膜１０２の塗布溶剤をレジスト膜１０１上に滴下し、その前後のレジスト膜厚の変化を調べる方法がある。或いは、レジスト膜１０１上に補助膜１０２を形成した場合と形成しない場合における、補助膜１０２の除去（詳細は、後述）後のレジスト膜厚の変化を調べる方法がある。これらの方法では、レジスト膜１０１に対する露光が行われない状態（未露光状態）のみならず、レジスト膜１０１に実際のパターニングに必要な露光量を照射する工程、更にはレジスト膜１０１に対する現像工程を含めた比較によって検討することがさらに望ましい。

また、レジスト解像性に影響を与えないという特性を確保するため、補助膜１０２を回転塗布などの薬液塗布方法で形成する場合の補助膜１０２の塗布溶液としては、レジスト膜自体は勿論のこと、レジスト膜１０１の主構成要素である樹脂に加えてレジスト膜１０１中の酸発生剤や塩基物質などの添加物を溶解しない溶液であることが望ましい。そのような特性を有する溶液としては、水に加えて、液浸保護膜の溶剤が考えられる。液浸保護膜に使用される溶剤としては、一般的には炭素数が３〜１０程度のアルコール類、ケトン類が考えられる。或いは、ハロゲン化炭化水素溶剤も候補としては考えうるが、大気雰囲気中への放出に注意を払う必要がある。

補助膜１０２の塗布溶液へのレジスト組成物の影響を調べるにおいては、液浸リソグラフィーにおいて溶出分析として知られる方法と同様に、レジスト膜１０１上に対象となる薬液、この場合には補助膜１０２の塗布溶液を所定条件下で供給した後に、レジスト膜１０１上の薬液を回収し、組成分析を実施すれば良い。また、より簡便な方法は、レジスト膜１０１上に補助膜１０２を形成した場合と形成しない場合のレジストパターン形状を確認すれば良い。より詳細には、パターン露光の照射露光量と必要に応じてはフォーカス設定量を変動させた露光を行い、その形状、露光量に対する形状変化率を比較すれば良い。

補助膜１０２の形成方法は、回転塗布法以外にも、分子線エピタキシー法などの真空装置による方法であっても良い。

レジスト膜１０１中に潜像を形成した後であって現像の前に補助膜１０２を除去する方法としては、レジスト現像液とは別の溶液或いは気相による除去方法が考えられる。しかし、補助膜１０２の除去とレジスト膜１０１の現像を連続的に行えるようにするため、レジスト膜１０１の現像液により補助膜１０２を除去する方が望ましい。

レジスト膜１０１の現像液とは異なる補助膜１０２除去溶液としては、補助膜１０２が有機樹脂である場合には、レジスト膜１０１を溶解させない溶剤の使用が考えられる。また、補助膜１０２が有機物から成る場合には、オゾン水や酸化性の酸を含む溶液などの酸化性溶液であっても良い。補助膜１０２がレジスト現像液に溶解する補助膜１０２構成物質としては、レジスト膜１０１とほぼ同一のベース樹脂構造であって、所定現像液に溶解する樹脂を主成分とすることが考えられる、典型的には、ＰＨＳ構造、（メタ）アクリル構造、シロキセスオキサン構造などが考えられる。

このように本実施形態によれば、ＥＵＶ露光装置によるパターン露光を行う際に、レジスト膜１０１上に、ＥＵＶ光に対する透過率が、ＥＵＶ光よりも波長が長く、レジスト膜を感光させるＯｏＢ光に対する透過率よりも高い補助膜１０２を形成し、この状態でＥＵＶ露光を行うことにより、ＥＵＶ光によって二次的に生じるＤＵＶ光によるレジスト解像性の劣化を防止することができ、プロセスマージンの向上をはかることができる。即ち、ＥＵＶ露光におけるＯｏＢ光の影響を低減することができ、パターン転写精度の向上をはかることができる。しかも、レジスト１０１膜上に補助膜１０２を形成するだけの簡易なプロセスによって実現することができる利点もある。

（変形例）
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。ＥＵＶ露光装置は前記図１に示す構成に何ら限定されるものではなく、マスクのパターン情報を含むＥＵＶ光を基板上に照射できるものであればよい。例えば、マスクは必ずしも反射型に限らず透過型であっても良い。さらに、光学系の構成も適宜変更可能である。

また、補助膜はノボラック、ポリヒドロキシスチレン、或いはこれらの混合物に限るものではなく、ＥＵＶ露光装置内で発生したＯｏＢ光で、且つレジスト膜を感光させる光に対する透過率が、ＥＵＶ露光装置のパターン露光光に対する透過率よりも低いものであればよい。従って、ポリビニルアルコール誘導体や（アルキル）アクリル酸誘導体などの種々の樹脂に、前記ノボラックやポリヒドロキシスチレンの混合物、或いは他の芳香族誘導体樹脂や芳香族誘導体を含有する樹脂膜などを用いることも可能である。また、芳香族などの有機物に限らず、製造する半導体素子特性に影響を与えない範囲においてはＴｉＯ₂ などの遷移金属酸化物を含有する樹脂であっても良い。

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。

本発明の一実施形態に使用したＥＵＶ露光装置を示す概略構成図。 本発明の一実施形態に係わるレジストパターン形成工程を示す断面図。

符号の説明

１０…光源部
１１…レーザー光源
１２…集光レンズ
１３…焦点
１４…楕円鏡
１５…放物面鏡
２０…照明光学系
２１，２２…反射鏡
２３，４１，４４，４６…コンデンサミラー
２４，４２，４３，４５…光路折り曲げ鏡
３０…マスク（反射型レチクル）
３１…マスクステージ
４０…投影光学系
５０…ウエハ（基板）
５１…ウエハステージ
１００…半導体ウエハ（基板）
１０１…レジスト膜
１０２…補助膜

Claims (5)

1. マスク上に形成されたパターンを、ＥＵＶ露光装置を用いて所定のＥＵＶ波長のパターン光によって基板上のレジスト膜に転写するレジストパターン形成方法であって、
   前記基板上に前記レジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜上に、前記ＥＵＶ露光装置内で発生する前記パターン光よりも長波長且つ前記レジスト膜を感光させる光に対する透過率が前記ＥＵＶ露光装置の前記パターン光に対する透過率よりも低い補助膜を形成する工程と、
   前記ＥＵＶ露光装置を用いて前記マスクからのＥＵＶ光を前記レジスト膜に照射するパターン露光工程と、
   前記レジスト膜のパターン露光後に、前記補助膜を除去する工程と、
   前記補助膜を除去した後に、前記レジスト膜に対して所定の現像液を用いて現像する工程と、
   を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
2. 前記ＥＵＶ露光装置内で発生するパターン光よりも長波長の光は、ＵＶ光よりも波長が短いことを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法。
3. 前記補助膜は、前記レジスト膜の現像液により溶解することを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法。
4. 前記補助膜は、組成中に芳香族を有することを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法。
5. 前記補助膜は薬液を塗布することによって形成されるものであり、前記補助膜の塗布薬液の溶媒は前記レジスト膜を溶解しないことを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法。

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