WO2009078121A1 - Dispositif de support de substrat semi-conducteur et procédé de fabrication de celui-ci - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un dispositif de support de substrat semi-conducteur pour supporter un substrat semi-conducteur lors de la réalisation d'un traitement thermique sur le substrat semi-conducteur. Le dispositif de support de substrat semi-conducteur est composé d'au moins un matériau de base et d'un film mince formé sur la surface du matériau de base. Le matériau du film mince est différent de celui du matériau de base. Le film mince n'est pas formé au moins sur une partie dans laquelle le dispositif de support de substrat semi-conducteur est amené en contact avec le substrat semi-conducteur au moment de supporter le substrat semi-conducteur. Donc, le dispositif de support de substrat semi-conducteur supprime le transfert de la contamination de Fe à la tranche de silicium et la rugosification de la surface arrière de la tranche de silicium lors de la réalisation du traitement thermique dans lequel de l'argon ou analogue est utilisé. Un procédé de fabrication de ce dispositif de support de substrat semi-conducteur est également fourni.
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|---|---|---|---|---|
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