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WO2007039959A1 - 配線基板及びそれを備えた表示装置 - Google Patents

配線基板及びそれを備えた表示装置 Download PDF

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WO2007039959A1
WO2007039959A1 PCT/JP2006/311800 JP2006311800W WO2007039959A1 WO 2007039959 A1 WO2007039959 A1 WO 2007039959A1 JP 2006311800 W JP2006311800 W JP 2006311800W WO 2007039959 A1 WO2007039959 A1 WO 2007039959A1
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WO
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wiring board
terminal portion
wiring
insulating member
integrated circuit
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PCT/JP2006/311800
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English (en)
French (fr)
Inventor
Kenichi Yamashita
Tetsuya Aita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of WO2007039959A1 publication Critical patent/WO2007039959A1/ja
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    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452—Solder masks

Definitions

  • the present invention relates to a wiring board and a display device including the wiring board.
  • an integrated circuit chip hereinafter sometimes referred to as an “IC chip”
  • ACF anisotropic conductive film
  • ACP flip chip mounting method using an anisotropic conductive paste
  • Patent Document 1 JP-A-9 244047
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a wiring board in which generation of leakage current is suppressed.
  • Patent Document 1 discloses a liquid crystal display device in which a passivation film (wall) is provided between wirings on a substrate (see FIG. 1 of Patent Document 1).
  • This passivation film is provided for the purpose of preventing the conductive particles from flowing out between the bump electrode and the terminal in the thermocompression bonding process of the anisotropic conductive film, and suppresses the generation of leakage current. It was not provided for this purpose.
  • the wirings on the substrate are isolated by the passivation film, the outflow of the conductive particles can be suppressed and at the same time, the short circuit between the wirings can be suppressed to some extent.
  • the space between adjacent bump electrodes is filled with an anisotropic conductive layer, and the adjacent bump electrodes are not separated by the passivation film. Therefore, in the liquid crystal display device described in Patent Document 1, the adjacent bump electrodes may be short-circuited by the conductive fine particles, and the leakage current cannot be sufficiently suppressed.
  • a wiring board includes a substrate body, an integrated circuit chip, an anisotropic conductive layer, and an insulating member.
  • the substrate body is provided with a plurality of wirings extending in parallel with each other. Each of the plurality of wirings has a terminal portion.
  • the integrated circuit chip has a plurality of bump electrodes. Each bump electrode is provided corresponding to the terminal portion (at a corresponding portion) so as to face the terminal portion.
  • the anisotropic conductive layer is provided between the substrate body and the integrated circuit chip. In the anisotropic conductive layer, conductive fine particles are dispersed and mixed in the insulating resin, and the terminal portion and the plurality of bump electrodes are electrically connected by the conductive fine particles.
  • the insulating member is provided to isolate the terminal portion from the wiring and bump electrode adjacent to the terminal portion, and to isolate the bump electrode facing the terminal portion from the bump electrode and wiring adjacent to the bump electrode. .
  • the wiring board according to the present invention it is possible to effectively prevent the terminal portion and the wiring and bump electrode adjacent to the terminal portion from being short-circuited by the conductive fine particles.
  • the bump electrode and the bump electrode and wiring adjacent to the bump electrode are effectively suppressed from being short-circuited by the conductive fine particles. Therefore, according to the present invention, generation of leakage current can be effectively suppressed.
  • “isolating the terminal portion from the wiring and the bump electrode adjacent to the terminal portion” specifically means that there is a gap between the terminal portion and the wiring and the bump electrode adjacent to the terminal portion. This means that the conductive fine particles are isolated to such an extent that they are not short-circuited, and the present invention is not limited to spatially and completely separating the wiring adjacent to the terminal portion and the bump electrode.
  • “isolating the bump electrode from the bump electrode and the wiring adjacent to the bump electrode” specifically means that the conductive fine particles are provided between the bump electrode and the wiring and the bump electrode adjacent to the bump electrode. This means that the bump electrodes are isolated to the extent that they are not short-circuited, and the present invention is not limited to spatially and completely isolating the wiring adjacent to the bump electrodes and the bump electrodes.
  • the insulating member is provided on the terminal body and the terminal part on the board body.
  • the distance between the tip of the insulating member and the integrated circuit chip may be less than or equal to the particle size of the conductive fine particles.
  • the insulating member has a substantially trapezoidal shape in which the insulating member becomes narrower from the substrate body toward the integrated circuit chip from the viewpoint of effectively suppressing the conductive fine particles from being interposed between the insulating member and the integrated circuit chip. It is preferable.
  • the top surface of the insulating member is preferably narrow. More preferably, the width of the top surface of the insulating member is equal to or smaller than the particle size of the conductive fine particles.
  • the particle diameter of the conductive fine particles is the average particle diameter of the conductive fine particles.
  • the particle size of the conductive fine particles can be measured with a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device (LA-300) manufactured by Horiba.
  • the insulating member is provided between adjacent bump electrodes on the integrated circuit chip, and the distance from the tip of the insulating member to the substrate body is a conductive fine particle. It may be less than the particle size.
  • the conductive fine particles are interposed between the insulating member and the substrate body by setting the distance from the tip of the insulating member to the substrate main body to be equal to or smaller than the particle size of the conductive fine particles. Can be suppressed. For this reason, it is possible to effectively suppress a short circuit between adjacent bump electrodes separated by the insulating member and a short circuit between the bump electrode and a terminal portion facing the bump electrode adjacent to the bump electrode.
  • the insulating member has a substantially trapezoidal cross section that becomes narrower toward the integrated circuit chip force substrate body. That is preferred.
  • the top surface of the insulating substrate is preferably narrow. More preferably, the width of the top surface of the insulating member is equal to or smaller than the particle size of the conductive fine particles.
  • the insulating member is in contact with both the substrate body and the integrated circuit chip.
  • the substrate body may be made of resin.
  • the terminal portion is wider than the portion other than the terminal portion of the wiring, and the terminal portion is arranged linearly in the width direction of the terminal portion, and the insulating members are adjacent to each other. It is provided only between the terminals.
  • the terminal portion is wider than the portion other than the terminal portion of the wiring, and the terminal portion is arranged in a straight line in the width direction of the terminal portion, between the terminal portions formed relatively wide
  • the gap width is narrower than the gap width between the portion other than the terminal portion of the wiring and the portion adjacent to the terminal portion or the portion other than the terminal portion. For this reason, leakage current is particularly likely to occur between the P-contact terminals.
  • an insulating member is provided between the terminal portions that contact P. Therefore, a short circuit between adjacent terminal portions can be effectively suppressed, and the occurrence of leakage current can be effectively suppressed.
  • the terminal portion is wider than the portion other than the terminal portion of the wiring, and the terminal portions are arranged in a staggered manner along the width direction of the terminal portion, and the insulating member is It may be provided only between the terminal portion and the wiring adjacent to the terminal portion.
  • the terminal portion is wider than the portion other than the terminal portion of the wiring, and the terminal portions are arranged in a staggered manner along the width direction of the terminal portion, the space between the terminal portion and the wiring adjacent to the terminal portion is Leakage current is likely to occur in the meantime, with a relatively narrow gap width.
  • the insulating member is provided between the relatively narrow terminal portion and the wiring adjacent to the terminal portion. For this reason, generation
  • the anisotropic conductive layer may be formed by a wet method.
  • a wet method an anisotropic conductive layer can be formed easily and inexpensively.
  • the "wet method” is a layer formation method performed using an ink containing a material for forming a layer (here, insulating resin and conductive fine particles). , Spin coating method, doctor blade method, discharge coating method, spray coating method, ink jet method, letterpress printing method Intaglio printing method, screen printing method, micro gravure coating method and the like.
  • the side surface and the top surface of the insulating member have at least liquid repellency. That is, it is preferable that the side surface and the top surface of the insulating member have a property of repelling ink used in the wet method.
  • Examples of a method of imparting liquid repellency (property to repel ink for forming a layer) to the side surface and top surface of the insulating member include a method of forming the insulating member with a material having liquid repellency, a plasma treatment on the insulating member, etc. A method of imparting liquid repellency by performing the liquid repellency treatment.
  • the wiring board according to the present invention may further include a support member provided between the integrated circuit chip and the substrate body so as to be in contact with both the integrated circuit chip and the substrate body.
  • the integrated circuit chip is mounted in the following procedure. First, the substrate body with ACF, ACP, etc. is placed on the crimping stage. An integrated circuit chip is placed at a predetermined position on the substrate body, and the integrated circuit chip is mounted on the substrate body by heating and pressing the integrated circuit chip with a heated crimping tool.
  • the crimping tool and the crimping stage are completely parallel in the heating and pressing step.
  • the support member can level the integrated circuit chip. It is preferable that it is formed so that it can be supported. Specifically, the support member may be provided between at least a part of the peripheral portion of the integrated circuit chip and the substrate body. The supporting member may be provided in a wall shape so as to go around the integrated circuit chip in a belt shape. Further, the support member may be provided between each of the four corners of the integrated circuit chip and the substrate body.
  • the support member preferably has an insulating property.
  • An anisotropic conductive layer containing conductive fine particles is provided between the integrated circuit chip and the substrate body. For this reason, there is a possibility that the bump electrode, the terminal portion, and the like are electrically connected via the support member and the conductive fine particles.
  • the support member is insulative, the generation of a leakage current that does not cause a short circuit of the terminal portion, the bump electrode, or the like via the support member is effectively suppressed.
  • a first display device includes a wiring board, a first electrode, a display medium layer, and a second electrode.
  • the wiring board includes a board body, an integrated circuit chip, an anisotropic conductive layer, and an insulating member.
  • the substrate body is provided with a plurality of wirings extending in parallel to each other. Each of the plurality of wirings has a terminal portion.
  • the integrated circuit chip has a plurality of bump electrodes. The plurality of bump electrodes are provided corresponding to the terminal portions so as to face the terminal portions.
  • the anisotropic conductive layer is provided between the substrate body and the integrated circuit chip.
  • the anisotropic conductive layer is formed by dispersing and mixing conductive fine particles electrically connecting the terminal portion and the plurality of bump electrodes in the insulating resin.
  • the insulating member is provided to isolate the terminal portion from the wiring and bump electrode adjacent to the terminal portion, and to isolate the bump electrode facing the terminal portion from the bump electrode and wiring adjacent to the bump electrode.
  • the display medium layer is provided on the first electrode.
  • the second electrode is provided on the display medium layer.
  • the “display medium layer” refers to a layer in which light transmittance or light reflectance is modulated by a potential difference between electrodes facing each other, or a current flowing between electrodes facing each other. Refers to a layer that emits light by itself.
  • the display medium layer include a liquid crystal layer, an organic or organic electoluminescence layer, a light emitting gas layer, an electrophoretic layer, and an electochromic layer.
  • a second display device includes a first wiring substrate, a second wiring substrate on which the first wiring substrate is mounted, a display medium layer, and a second electrode.
  • the first wiring substrate has a substrate body, an integrated circuit chip, an anisotropic conductive layer, and an insulating member.
  • the substrate body is provided with a plurality of wirings extending in parallel with each other. Each of the plurality of wirings has a terminal portion.
  • the integrated circuit chip has a plurality of bump electrodes. The plurality of bump electrodes are provided corresponding to the terminal portions so as to face the terminal portions.
  • the anisotropic conductive layer is provided between the substrate body and the integrated circuit chip.
  • the anisotropic conductive layer is formed by dispersing and mixing conductive fine particles electrically connecting the terminal portion and the plurality of bump electrodes in the insulating resin.
  • the insulating member is provided so as to isolate the terminal portion from the wiring and bump electrode adjacent to the terminal portion, and to isolate the bump electrode facing the terminal portion from the bump electrode and wiring adjacent to the bump electrode.
  • the second wiring board has a plurality of second wirings and a first electrode.
  • the plurality of second wirings are electrically connected to the plurality of first wirings.
  • the first electrode is electrically connected to the plurality of second wirings.
  • the display medium layer is provided on the first electrode.
  • the second electrode is provided on the display medium layer.
  • the second display device it is possible to effectively prevent the terminal portion and the wiring and bump electrode adjacent to the terminal portion from being short-circuited by the conductive fine particles.
  • FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device 1 according to a first embodiment. 2] It is a cross-sectional view of the portion cut out along the cut line II II in FIG.
  • FIG. 3 An enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a portion cut out along a cutting line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is an enlarged plan view of the vicinity of a driving IC chip 50 of a liquid crystal display device according to a second embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the portion cut out along the cutting line VI_VI in FIG.
  • FIG. 7 An enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to Modification 1.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the portion cut out along the cut line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 9 is an enlarged sectional view of the vicinity of a driving IC chip 50 of a liquid crystal display device according to Embodiment 3.
  • FIG. 10 A schematic cross-sectional view showing a mounting process when the insulating member 70 is not provided.
  • 11 A schematic cross-sectional view illustrating a mounting process in the third embodiment.
  • FIG. 12 is an enlarged sectional view of the vicinity of a driving IC chip 50 of a liquid crystal display device according to Embodiment 4.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a portion cut out along the cutting line XIV-XIV in FIG.
  • FIG. 15 An enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a portion cut out along the cutting line XVI—XVI in FIG.
  • FIG. 17 is an enlarged plan view of the vicinity of a driving IC chip 50 of a liquid crystal display device according to Embodiment 6.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of a portion cut out along the cutting line XVIII-XVm in FIG. FIG. 19] An enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to Modification 2.
  • FIG. 20 is an enlarged plan view of the vicinity of a driving IC chip 50 of a liquid crystal display device according to Modification 3.
  • FIG. 21 An enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to Modification 4.
  • FIG. 22 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of a driving IC chip 50 of a liquid crystal display device according to Modification 5.
  • FIG. 1 is a plan view of the liquid crystal display device 1 according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion cut out along a cut line II II in FIG.
  • the liquid crystal display device 1 includes an active matrix substrate 10, a counter substrate 20 disposed so as to face the active matrix substrate 10, and an active matrix substrate 10 and a counter substrate 20.
  • a liquid crystal layer 40 as a display medium layer, an active matrix substrate 10, and a counter substrate 20 are provided between them, and a seal member 30 that seals the liquid crystal layer 40 is provided.
  • the active matrix substrate 10 includes a first substrate body 11 made of resin (plastic) or glass, and a first polarizing plate 12 provided on the opposite side of the liquid crystal layer 40 of the first substrate body 11. .
  • the active matrix substrate 10 is provided with a plurality of gate lines extending in parallel with each other and a plurality of source lines extending in parallel with each other at an angle in the direction in which the gate lines extend (typically at right angles).
  • electrode lines such as gate lines and source lines are collectively referred to as “wiring” 14).
  • a switching element such as a TFT element, which is electrically connected to both the gate line and the source line, is provided in the vicinity of each intersection of the gate line and the source line.
  • a plurality of pixel electrodes 13 arranged in a predetermined arrangement are provided on the surface of the active matrix substrate 10 on the liquid crystal layer 40 side.
  • Each pixel electrode 13 is electrically connected to a switching element (not shown) and is driven by the switching element.
  • the counter substrate 20 includes a second substrate body 22, a second polarizing plate 23 provided on the opposite side of the second substrate body 22 from the liquid crystal layer 40, and the liquid crystal layer 40 side of the second substrate body 22. And an upper common electrode 21 provided on the surface. A voltage is applied to the liquid crystal layer 40 by the upper common electrode 21 and the plurality of pixel electrodes 13 provided on the active matrix substrate 10, and the liquid crystal display device 1 is driven and controlled.
  • the active matrix substrate 10 and the counter substrate 20 are rectangular, and the active matrix substrate 10 is larger than the counter substrate 20.
  • the counter substrate 20 is provided so as to cover the liquid crystal layer 40 on the active matrix substrate 10, and a plurality of driving integrations are provided on the peripheral portion (exposed portion) of the active matrix substrate 10 not covered by the counter substrate 20.
  • a circuit chip (hereinafter sometimes referred to as a “driving IC chip”) 50 is mounted on a bare chip.
  • FIG. 3 is an enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a portion cut out along the cutting line IV-IV in FIG.
  • the driving IC chip 50 as an integrated circuit chip is provided with a plurality of bump electrodes 51 as input / output terminals.
  • the bump electrodes 51 are linearly arranged in a line along the long side direction of the driving IC chip 50 (the width direction of the terminal portion 14a).
  • the bump electrode 51 also has a function as a bump electrode for bonding.
  • the bump electrode 51 is formed on the periphery of the active matrix substrate 10 through an anisotropic conductive layer 60 in which conductive fine particles 61 are dispersed and mixed in an insulating resin. It is electrically connected to the terminal portion 14a of the routed wiring 14.
  • the terminal portion 14a is isolated from the wiring 14 and the bump electrode 51 adjacent to the terminal portion 14a, and the bump electrode 51 facing the terminal portion 14a is provided.
  • An insulating insulating member (insulating wall) 70 that is isolated from the bump electrode 51 adjacent to the bump electrode 51 and the wiring 14 is provided. Specifically, the insulating member 70 is provided between the adjacent terminal portions 14 a on the active matrix substrate 10.
  • the conductive fine particles 61 included in the anisotropic conductive layer 60 cause the adjacent wiring 14, the adjacent bump electrode 51, or the wiring 14 and the bump electrode 51 to May short-circuit and leak current may occur.
  • the anisotropic conductive layer 60 containing the conductive fine particles 61 in a high concentration is used to reliably connect the terminal portion 14a and the bump electrode 51, or when the arrangement interval of the bump electrodes 51 is narrow.
  • the conductive members such as the wiring 14 and the bump electrode 51 are particularly easily short-circuited.
  • the insulating member 70 is provided between the adjacent terminal portions 14a. Therefore, it is possible to effectively suppress the occurrence of leakage current due to the short-circuit between the adjacent wiring 14, the adjacent bump electrode 51, or the wiring 14 and the bump electrode 51.
  • the insulating member 70 may be provided along the wiring 14 along the entire portion of the wiring 14 in contact with the anisotropic conductive layer 60.
  • the terminal portion 14a is formed wider than the portion other than the terminal portion 14a of the wiring 14, the space between the terminal portions 14a that contact P is relatively narrow between the wirings 14 other than the terminal portion 14a, and The portion of the wiring 14 other than the terminal portion 14a and the terminal portion 14a is relatively wide. Therefore, as shown in FIG. 3, it is effective to provide an insulating member 70 in a portion where the terminal portions 14a are adjacent to each other from the viewpoint of effectively suppressing the generation of leakage current.
  • the insulating member 70 is preferably formed in a substantially trapezoidal cross section.
  • the width of the top surface of the insulating member 70 is preferably narrow. More preferably, the width of the top surface of the insulating member 70 is equal to or smaller than the particle size (specifically, the average particle size) of the conductive fine particles 61.
  • the top surface of the insulating member 70 is in contact with the driving IC chip 50.
  • the top surface of the insulating member 70 is not necessarily in contact with the driving IC chip 50.
  • a gap may exist between the insulating member 70 and the driving IC chip 50. Even in that case, the generation of leakage current can be suppressed as compared with the case where the insulating member 70 is not provided.
  • the gap width between the insulating member 70 and the driving IC chip 50 is preferably not more than the particle size of the conductive fine particles 61 (specifically, for example, the average particle size: about 3 to 5 / m). By doing so, it is possible to effectively suppress the conductive fine particles 61 from being interposed between the insulating member 70, the driving IC chip 50, and the driving IC chip 50.
  • various wirings 14 such as gate lines and source lines, TFTs, pixel electrodes 13 and the like are formed on the first substrate body 11.
  • the insulating member 70 is formed.
  • the insulating member 70 is formed by forming a resin insulating film using a wet method such as a screen printing method, and the insulating film is formed by photolithography. It can be formed by patterning using a patterning technique such as a masking technique.
  • the height of the insulating member 70 can be determined in consideration of the cell gap of the liquid crystal layer 40, the height of the bump electrode 51, the terminal portion 14a, and the flatness of the conductive fine particles 61.
  • the height of the insulating member 70 is H
  • the cell gap of the liquid crystal layer 40 is hi
  • the height of the bump electrode 51 is h2
  • the height of the terminal portion 14a is h3
  • the particle size of the conductive fine particles 61 is r
  • the height of the insulating member 70 is expressed by, for example, the following formula 1.
  • examples of the material of the insulating member 70 include acrylic resin, novolac resin, polyimide resin, and epoxy resin.
  • the peripheral edge portion of the active matrix substrate 10 and the peripheral edge portion of the counter substrate 20 are bonded together by the seal member 30 to form a space (empty cell) into which liquid crystal is injected.
  • a liquid crystal layer 40 is formed by injecting liquid crystal into the space (empty cell) (for example, vacuum injection).
  • the driving IC chip 50 is mounted. Specifically, first, the anisotropic conductive layer 60 is formed on the peripheral portion of the active matrix substrate 10 where the driving IC chip 50 is mounted by a wet method such as an ink jet method. Then, a driving IC chip 50 is arranged thereon and alignment is performed. In this state, the active matrix substrate 10 is placed on a flat pressure bonding stage, and the driving IC chip 50 is mounted by heating and pressing the driving IC chip 50 using a heated crimping tool, and the liquid crystal display device 1 To complete.
  • a wet method such as an ink jet method.
  • the surface of the insulating member 70 is previously provided with liquid repellency (property of repelling ink for forming the anisotropic conductive layer 60). It is preferable to give it. By doing so, the short circuit between the wirings 14, the bump electrodes 51, or the wiring 14 and the bump electrodes 51 can be effectively suppressed, and the occurrence of leakage current can be effectively suppressed.
  • a method of imparting liquid repellency to the surface of the insulating member 70 for example, a method of forming the insulating member 70 from a liquid repellent material containing fluorine, and forming the insulating member 70. And a method of imparting liquid repellency by performing liquid repellency treatment such as plasma treatment on the surface.
  • FIG. 5 is an enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a portion cut out along a cutting line VI_VI in FIG.
  • the liquid crystal display device according to the second embodiment has the same configuration as the liquid crystal display device 1 according to the first embodiment except for the arrangement configuration of the insulating member 70, the terminal portion 14a, and the bump electrode 51. .
  • the arrangement configuration of the insulating member 70, the terminal portion 14a, and the bump electrode 51 according to the second embodiment will be described in detail with reference to FIGS.
  • FIGS. 1 and 2 are referred to in common with the first embodiment.
  • constituent elements having substantially the same functions are described with reference numerals common to the first embodiment, and description thereof is omitted.
  • the terminal portions 14a and the bump electrodes 51 are arranged in a staggered manner along the long side direction of the rectangular driving IC chip 50 (the width direction of the terminal portions 14a). It has been done. In this way, the wide terminal portion 14a can be arranged IJ with a fine pitch that is efficient.
  • the insulating member 70 is provided between the terminal portion 14a and the wiring 14 adjacent to the terminal portion 14a. Since the terminal portion 14a is wider than the portion of the wiring 14 other than the terminal portion 14a, the gap width between the terminal portion 14a and the wiring 14 adjacent to the terminal portion 14a is relatively narrow. For this reason, for example, when the insulating member 70 is not provided, a leak current is likely to occur between them. However, in the second embodiment, the insulating member 70 is provided in a portion where the gap width between the wirings is relatively narrow. Therefore, the generation of leak current can be effectively suppressed.
  • FIG. 7 is a plan view showing the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to the first modification.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a portion cut out along the cut line VIII-VIII in FIG.
  • the P-contact insulating member 70 is connected so as to straddle the wiring 14. May be formed. According to this configuration, electrode leakage between the terminal portion 14a and the wiring 14 adjacent to the terminal portion can be more effectively suppressed.
  • FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to the third embodiment.
  • the liquid crystal display device according to the third embodiment has the same configuration as the liquid crystal display device according to the second embodiment except for the arrangement configuration of the insulating member 70.
  • the arrangement configuration of the insulating member 70 according to the third embodiment will be described in detail with reference to FIG.
  • FIGS. 1, 2, and 5 are referred to in common with the second embodiment.
  • components having substantially the same functions are described with reference numerals common to the second embodiment, and description thereof is omitted.
  • the insulating member 70 is the active matrix substrate 10 and the driving IC chip.
  • the driving IC chip 50 can be satisfactorily mounted. That is, poor connection between the bump electrode 51 and the terminal portion 14a can be effectively suppressed.
  • the driving IC chip 50 is mounted by heating and pressing using a crimping stage and a crimping tool.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a mounting process when the insulating member 70 is not provided, for example.
  • FIG. 10A is a schematic cross-sectional view showing a state before pressurization.
  • Fig. 10 (B) is a schematic cross-sectional view showing the state when mounting is completed.
  • the crimping stage 8 and the crimping tool 9 are completely parallel. However, it is difficult to adjust the crimping stage 8 and the crimping tool 9 completely in parallel, and the crimping stage 8 and the crimping tool 9 are usually inclined to some extent as shown in FIG.
  • a deviation occurs in the pressure applied to each terminal portion 14a.
  • the active matrix substrate 10 and the driving IC chip 50 are relatively close to each other (the left side in FIG. 10)
  • excessive pressure is applied to the active matrix substrate 10 and the driving IC chip.
  • sufficient pressure is not applied to electrically connect the terminal portion 14a and the bump electrode 51.
  • the terminal part 14a and the bump electrode 51 need to be pressed to such an extent that the conductive fine particles 61 are flattened (deformed) to some extent.
  • a pressure sufficient to deform the conductive fine particles 61 is not applied to the right side portion.
  • the driving IC chip is easily provided. 50 can be suitably implemented. The reason will be described in detail below.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a mounting process in the third embodiment. Specifically, FIG. 11 (A) is a schematic cross-sectional view showing a state before pressurization. FIG. 11 (B) is a schematic cross-sectional view showing a state during pressurization. FIG. 11C is a schematic cross-sectional view showing the state when the mounting is completed.
  • the insulating member formed higher than the terminal portion 14a. 70 plays the role of a column, and the parallelism between the crimping stage 8 and the crimping tool 9 is corrected to some extent. Therefore, it is possible to suppress an excessive pressure from being applied to some of the terminal portions 14a, and it is possible to effectively suppress that the terminal portions 14a and the bump electrodes 51 are not electrically connected. . Therefore, according to the third embodiment, the driving IC chip 50 can be easily and suitably mounted.
  • the first substrate body 11 is a resin (plastic) substrate, a thin plate, or a glass substrate
  • the first substrate body 11 may be warped or deformed in the mounting process. For this reason, there is a risk of occurrence of a location where electrical connection cannot be achieved.
  • the insulating members 70 functioning as pillars are provided at various locations between the terminal portions 14a, warping and deformation of the first substrate body 11 are effectively suppressed.
  • FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment.
  • the liquid crystal display device according to the fourth embodiment has the same configuration as the liquid crystal display device according to the second embodiment except for the arrangement configuration of the insulating member 70.
  • an arrangement configuration of the insulating member 70 according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG.
  • FIGS. 1, 2, and 5 are referred to in common with the second embodiment.
  • components having substantially the same function are described with reference numerals common to the second embodiment, and description thereof is omitted.
  • the fourth embodiment it is provided between adjacent bump electrodes 51 on the driving IC chip 50.
  • the distance from the tip of the insulating member 70 to the active matrix substrate 10 is less than the particle size (average particle size) of the conductive fine particles 61.
  • the insulating member 70 has a substantially trapezoidal cross section that becomes narrower from the driving IC chip 50 toward the active matrix substrate 10. More preferably, the width of the top surface of the insulating member 70 is equal to or smaller than the particle size (average particle size) of the conductive fine particles 61. By doing so, the generation of leakage current can be more effectively suppressed.
  • FIG. 13 is a plan view of the liquid crystal display device 2 according to the fifth embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a portion cut out along the cutting line XIV-XIV in FIG.
  • the liquid crystal display device 2 includes an active matrix substrate 10, a counter substrate 20 disposed so as to face the active matrix substrate 10, and an active matrix substrate 10 and a counter substrate 20.
  • the liquid crystal layer 40 as a display medium layer, the active matrix substrate 10 and the counter substrate 20 provided between them, and the seal member 30 for sealing the liquid crystal layer 40 and the active matrix substrate 10 are mounted.
  • Flexible printed circuit board 80 (hereinafter sometimes referred to as “FPC board 80”).
  • the active matrix substrate 10 includes a first substrate body 11 made of resin (plastic) or glass. And a first polarizing plate 12 provided on the opposite side of the first substrate body 11 from the liquid crystal layer 40.
  • the active matrix substrate 10 is provided with a plurality of gate lines extending in parallel with each other and a plurality of source lines extending in parallel with each other at an angle in the direction in which the gate lines extend (typically at right angles). You're being.
  • a switching element such as a TFT element that is electrically connected to both the gate line and the source line is provided in the vicinity of each intersection of the gate line and the source line.
  • a plurality of pixel electrodes 13 arranged in a predetermined arrangement are provided on the surface of the active matrix substrate 10 on the liquid crystal layer 40 side.
  • Each pixel electrode 13 is electrically connected to a switching element (not shown) and is driven by the switching element.
  • the counter substrate 20 includes a second substrate body 22, a second polarizing plate 23 provided on the side opposite to the liquid crystal layer 40 of the second substrate body 22, and the liquid crystal layer 40 side of the second substrate body 22. And an upper common electrode 21 provided on the surface. A voltage is applied to the liquid crystal layer 40 by the upper common electrode 21 and the plurality of pixel electrodes 13 provided on the active matrix substrate 10, and the liquid crystal display device 2 is driven and controlled.
  • the active matrix substrate 10 is formed larger than the counter substrate 20, and the peripheral portion of the active matrix substrate 10 that is not covered by the counter substrate 20 is Wirings 14 such as gate lines and source lines are routed.
  • An FPC board 80 is mounted on the peripheral portion where the wiring 14 is routed.
  • a printed wiring 81 is provided on the FPC board 80, and the printed wiring 81 is electrically connected to the wiring 14 through the anisotropic conductive layer 60.
  • the printed wiring 81 is provided with a terminal part 81a, and the driving IC chip 50 is mounted so that the terminal part 81a is electrically connected to the bump electrode 51 of the driving IC chip 50.
  • FIG. 15 is an enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a portion cut out along the cutting line XVI—XVI in FIG.
  • the driving IC chip 50 is provided with a plurality of bump electrodes 51 as input / output terminals.
  • the bump electrodes 51 are arranged in a staggered manner along the long side direction of the driving IC chip 50 (the width direction of the terminal portion 81a).
  • the bump electrode 51 also has a function as a bump electrode for bonding, and conductive fine particles in the insulating resin 6 It is electrically connected to the terminal portion 81 a of the printed wiring 81 through an anisotropic conductive layer 60 in which 1 is dispersed and mixed.
  • the terminal portion 81a and the printed wiring 81 and the bump electrode 51 adjacent to the terminal portion 81a are isolated from and opposed to the terminal portion 81a.
  • An insulating insulating member (insulating wall) 70 for separating the bump electrode 51 from the bump electrode 51 adjacent to the bump electrode 51 and the printed wiring 81 is provided. Specifically, the insulating member 70 is provided between adjacent terminal portions 81 a on the FPC board 80.
  • the adjacent printed wiring 81, the adjacent bump electrode 51, or the printed wiring 81 and the bump electrode 51 are caused by the conductive fine particles 61 included in the anisotropic conductive layer 60. May short-circuit and leak current may occur.
  • the anisotropic conductive layer 60 containing the conductive fine particles 61 in a high concentration is used in order to securely connect the terminal portion 81a and the bump electrode 51, or when the arrangement interval of the bump electrodes 51 is small.
  • short-circuiting is particularly easy.
  • the adjacent printed wiring 81, the adjacent bump electrode 51, or the printed wiring 81 can be connected. It is possible to effectively suppress the occurrence of leakage current due to a short circuit with the bump electrode 51.
  • the terminal portions 81a and the bump electrodes 51 are arranged in a staggered manner along the long side direction (the width direction of the terminal portions 81a) of the rectangular driving IC chip 50. Has been. By doing so, the force S can be arranged to arrange the wide terminal portions 81a at a fine pitch that is efficient.
  • the insulating member 70 is provided between the terminal portion 81a and the printed wiring 81 adjacent to the terminal portion 81a. Since the terminal portion 81a is wider than the portion other than the terminal portion 81a of the printed wiring 81, the gap width between the terminal portion 81a and the printed wiring 81 adjacent to the terminal portion 81a is relatively narrow. . For this reason, for example, when the insulating member 70 is not provided, a leak current is likely to occur between them. However, the insulating member 70 is provided in a portion where the gap width between the wirings is relatively narrow. Therefore, the generation of leakage current can be effectively suppressed. As shown in FIG.
  • the top surface of the insulating member 70 is in contact with the driving IC chip 50 from the viewpoint of effectively suppressing the generation of leakage current.
  • the top surface of the insulating member 70 is not necessarily in contact with the driving IC chip 50.
  • the gap width between the insulating member 70 and the driving IC chip 50 is preferably equal to or smaller than the particle size of the conductive fine particles 61 (specifically, the average particle size, for example, about 3 to 5 ⁇ m). By doing so, it is possible to effectively suppress the conductive fine particles 61 from being interposed between the insulating member 70 and the driving IC chip 50.
  • the width of the top surface of the insulating member 70 is preferably narrow. More preferably, the width of the top surface of the insulating member 70 is equal to or smaller than the particle diameter (specifically, the average particle diameter) of the conductive fine particles 61.
  • FIG. 17 is an enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of a portion cut out along the cut line XVIII-XVIII in FIG.
  • the liquid crystal display device according to the sixth embodiment has the same configuration as the liquid crystal display device according to the third embodiment, except that the liquid crystal display device further includes a support member 90.
  • the arrangement configuration of the support members 90 in the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. 17 and 18.
  • FIG. in the description of the sixth embodiment FIGS. 1 and 2 are referred to in common with the third embodiment.
  • components having substantially the same functions are described with reference numerals common to the third embodiment, and description thereof is omitted.
  • a support member 90 having a substantially trapezoidal cross section is provided so as to contact both the driving IC chip 50 and the active matrix substrate 10.
  • the support member 90 is formed in a wall shape, and is provided in a belt shape so as to circulate around the driving IC chip 50.
  • the crimping stage used for mounting the driving IC chip 50 and the crimping tool have a certain degree of inclination.
  • the driving IC chip is used.
  • the inclination of the crimping stage and the crimping tool is corrected to some extent by the support member 90 provided around the loop 50. For this reason, the deviation of the pressure applied to each terminal portion 14a can be reduced, and the force S for reliably connecting the terminal portion 14a and the bump electrode 51 can be achieved.
  • the insulating member 70 provided between each terminal portion 14a is provided with the active matrix substrate 10 and the driving IC chip 50. It is preferable that both are in contact. In this case, the support member 90 and the insulating member 70 are preferably the same height. In addition, according to this configuration, as described in the third embodiment, it is possible to appropriately solve the pressure deviation caused by warping or deformation of the active matrix substrate 10.
  • the support member 90 is preferably insulative.
  • the conductive fine particles 61 dispersed in the anisotropic conductive layer 60 and the support member 90 are interposed between the terminal portions 14a and between the terminal portions 14a and the bump electrodes 51. May cause short circuit and leakage current.
  • a force S can be prevented to prevent a short circuit through the support member 90, and the generation of leakage current can be effectively suppressed.
  • the support member 90 is provided so as to protrude from the peripheral edge of the driving IC chip 50 in consideration of the alignment margin.
  • the support member 90 may be formed of the same material as the insulating member 70. Also, the support member 90 may be formed of the same material as the insulating member 70. Also, the support member 90
  • the manufacturing process of the liquid crystal display device can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced.
  • FIG. 19 is an enlarged plan view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to the second modification.
  • support members 90 may be provided in a prismatic shape between the four corners of the driving IC chip 50 and the active matrix substrate 10. According to this configuration, the support member 90 can be disposed so as not to overlap the wiring 14, and unnecessary pressure is prevented from being applied to the wiring 14. That power S.
  • FIG. 20 is a schematic plan view in which a portion near the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to the third modification is enlarged.
  • the insulating member 70, the bump electrode 51, and the wiring 14 are not drawn.
  • the support member 90 may be provided between at least a part of the peripheral portion of the driving IC chip 50 and the active matrix substrate 10. According to this configuration, it is possible to suppress the support member 90 from obstructing the flow of the insulating resin when the anisotropic conductive layer 60 is formed.
  • FIG. 21 is an enlarged schematic plan view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to Modification 4.
  • the insulating member 70, the bump electrode 51, and the wiring 14 are drawn.
  • the prismatic support member 90 may be provided in the central portion of the driving IC chip 50 that is not provided with the bump electrode 51 and does not conflict with the wiring 14.
  • the pressure deviation due to the warp or deformation of the active matrix substrate 10 can be preferably eliminated.
  • a support member 90 is further provided between at least a part of the peripheral portion of the driving IC chip 50 and the active matrix substrate 10. Moyore. According to this configuration, the pressure deviation caused by the inclination between the crimping stage and the crimping tool can be preferably eliminated, and the pressure deviation caused by the warp or deformation of the active matrix substrate 10 can be suitably eliminated. .
  • FIG. 22 is an enlarged sectional view of the vicinity of the driving IC chip 50 of the liquid crystal display device according to the fifth modification.
  • an insulating layer 100 covering the wiring 14 may be provided in which an opening 100a exposing the terminal portion 14a is provided on the surface of the peripheral portion of the active matrix substrate 10. . According to this configuration, a short circuit between the wirings 14 can be extremely effectively suppressed. [0119] (Other variations)
  • the power described by taking the active matrix type liquid crystal display device as an example is not limited to this.
  • passive matrix type liquid crystal display devices segment type liquid crystal display devices, and various types of organic electroluminescence display devices, inorganic electroluminescence display devices, plasma display devices, field emission display devices, etc. It may be.
  • the flexible printed circuit board mounted on the display device has been described using the liquid crystal display device as an example, but the present invention is not limited to this.
  • it may be a flexible printed circuit board mounted on a circuit board of an electronic device such as a communication device, an acoustic device, a computer device, an information processing device.
  • the generation of leakage current can be effectively suppressed, so that the cellular phone, PDA, television, electronic book, monitor, electronic poster, watch Useful for electronic shelf labels, emergency information, etc.

Landscapes

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Abstract

　アクティブマトリクス基板（１０）は、第１基板本体（１１）と、第１基板本体（１１）に異方性導電層（６０）でもって実装された駆動用ＩＣチップ（５０）と、絶縁部材（７０）とを備えている。絶縁部材（７０）は、端子部（１４ａ）をその端子部（１４ａ）に隣接する配線（１４）及びバンプ電極（５１）から隔離すると共に、端子部（１４ａ）に対向するバンプ電極（５１）をそのバンプ電極（５１）に隣接するバンプ電極（５１）及び配線（１４）から隔離するように設けられている。

Description

明 細 書
配線基板及びそれを備えた表示装置
技術分野
[0001] 本発明は配線基板及びそれを備えた表示装置に関する。
背景技術
[0002] 近年、配線基板への集積回路チップ (以下、「ICチップ」とすることがある。）の実装 方法として、例えば異方導電性フィルム（以下、「ACF」とすることがある。）や異方性 導電性ペースト（以下、「ACP」とすることがある。）を使用したフリップチップ実装方法 が広く使用されている (例えば、特許文献 1等)。
特許文献 1 :特開平 9 244047号公報
発明の開示
[0003] 一解決課題一
し力 ながら、 ACFや ACPを用いて ICチップをフリップチップ実装する場合、 P 接 する端子やバンプ電極が ACF等に含まれる導電性微粒子によって短絡してしまレ、、 リーク電流が発生する虞がある。特に、バンプ電極間の間隔が狭いファインピッチな I Cチップを実装する場合は隣接する端子やバンプ電極が短絡しやすくなる。また、端 子とバンプ電極とを確実に電気的に接続させるため、導電性微粒子の濃度を高くし た場合も同様に、隣接する端子やバンプ電極が短絡しやすくなる。
[0004] 本発明は係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、リーク電流 の発生が抑制された配線基板を提供することにある。
[0005] 尚、特許文献 1には、基板上の配線間にパッシベーシヨン膜 (壁）が設けられた液晶 表示装置が開示されている（特許文献 1の図 1参照）。このパッシベーシヨン膜は、異 方性導電膜の加熱圧着工程において、バンプ電極と端子との間から導電性粒子が 流出することを抑制することを目的として設けられており、リーク電流の発生を抑制す るために設けられたものではない。特許文献 1に記載された液晶表示装置では、基 板上の配線同士がパッシベーシヨン膜によって隔離されているため、導電性粒子の 流出を抑制すると同時に、配線間の短絡もある程度抑制することができる。しかしな がら、隣接するバンプ電極間には、異方性導電層により満たされており、隣接するバ ンプ電極はパッシベーシヨン膜により隔離されていない。従って、特許文献 1に記載 された液晶表示装置では、隣接するバンプ電極が導電性微粒子によって短絡する 虞があり、十分にリーク電流を抑制することができない。
[0006] 本発明に係る配線基板は、基板本体と、集積回路チップと、異方性導電層と、絶縁 部材とを備えている。基板本体には、相互に並行に延びる複数の配線が設けられて いる。複数の配線のそれぞれは端子部を有する。集積回路チップは複数のバンプ電 極を有する。各バンプ電極は、端子部と対向するように、端子部に対応して（対応す る部位に)設けられている。異方性導電層は基板本体と集積回路チップとの間に設 けられてレ、る。異方性導電層は導電性微粒子が絶縁性樹脂中に分散混入されてな り、その導電性微粒子により端子部と複数のバンプ電極とが電気的に接続されてい る。絶縁部材は端子部をその端子部に隣接する配線及びバンプ電極から隔離すると 共に、端子部に対向するバンプ電極をそのバンプ電極に隣接するバンプ電極及び 配線から隔離するように設けられてレ、る。
[0007] このため、本発明に係る配線基板では、端子部とその端子部に隣接する配線及び バンプ電極とが導電性微粒子により短絡されることが効果的に抑制される。且つ、バ ンプ電極と、そのバンプ電極に隣接するバンプ電極及び配線とが導電性微粒子によ り短絡されることが効果的に抑制される。従って、本発明によればリーク電流の発生 を効果的に抑制することができる。
[0008] 本発明において、「端子部をその端子部に隣接する配線及びバンプ電極から隔離 する」とは、詳細には、端子部と、その端子部に隣接する配線及びバンプ電極との間 が導電性微粒子によって短絡されない程度に隔離することを意味し、端子部と隣接 する配線及びバンプ電極とを空間的に完全に隔離することに限定されない。同様に 、「バンプ電極をそのバンプ電極に隣接するバンプ電極及び配線から隔離する」とは 、詳細には、バンプ電極と、そのバンプ電極に隣接する配線及びバンプ電極との間 が導電性微粒子によって短絡されない程度に隔離することを意味し、バンプ電極と 隣接する配線及びバンプ電極とを空間的に完全に隔離することに限定されない。
[0009] 本発明に係る配線基板では、絶縁部材は、基板本体上の，端子部とその端子部に 隣接する配線との間に設けられており、且つ絶縁部材の先端から集積回路チップま での距離が導電性微粒子の粒径以下であってもよい。
[0010] 絶縁部材の先端から集積回路チップまでの距離が導電性微粒子の粒径以下とす ることにより、絶縁部材と集積回路チップとの間に導電性微粒子が介在することを抑 制すること力 sできる。このため、絶縁部材により隔離された端子部とその端子部に隣 接する配線及びその配線に対向するバンプ電極との短絡を効果的に抑制することが できる。さらに、効果的に絶縁部材と集積回路チップとの間に導電性微粒子が介在 することを抑制する観点から、絶縁部材が基板本体から集積回路チップに向けて幅 狭となる断面略台形状であることが好ましい。言い換えれば、絶縁部材の頂面が幅 狭であることが好ましい。さらに好ましくは、絶縁部材の頂面の幅が導電性微粒子の 粒径以下である。
[0011] 尚、導電性微粒子の粒径とは、詳細には導電性微粒子の平均粒径をレ、う。導電性 微粒子の粒径は、堀場製作所製、レーザ回折/散乱式粒子径分布測定装置 (LA— 300)により測定することができる。
[0012] また、本発明に係る配線基板では、絶縁部材は、集積回路チップ上の，隣接する バンプ電極の間に設けられており、且つ絶縁部材の先端から基板本体までの距離が 導電性微粒子の粒径以下であってもよレヽ。
[0013] この場合も上述の場合と同様に、絶縁部材の先端から基板本体までの距離を導電 性微粒子の粒径以下とすることにより、絶縁部材と基板本体との間に導電性微粒子 が介在することを抑制することができる。このため、絶縁部材により隔離された隣接す るバンプ電極の短絡、及びバンプ電極とそのバンプ電極に隣接するバンプ電極に対 向する端子部との短絡を効果的に抑制することができる。さらに、効果的に絶縁部材 と集積回路チップとの間に導電性微粒子が介在することを抑制する観点から、絶縁 部材は集積回路チップ力 基板本体に向けて幅狭となる断面略台形状であることが 好ましレ、。言い換えれば絶縁基板の頂面が幅狭であることが好ましい。さらに好ましく は、絶縁部材の頂面の幅が導電性微粒子の粒径以下である。
[0014] 本発明に係る配線基板では、絶縁部材が基板本体及び集積回路チップの双方に 接触していることが好ましい。 [0015] この構成によれば、絶縁部材により隣接する端子部、隣接するバンプ電極、さらに は、端子部とその端子部に隣接する端子部に対向するバンプ電極とをさらに効果的 に隔離できるため、より効果的にリーク電流を抑制することができる。
[0016] 本発明に係る配線基板では、基板本体が樹脂製であってもよい。
[0017] 本発明に係る配線基板では、端子部が配線の端子部以外の部分よりも幅広であり 、且つ端子部は端子部の幅方向に直線状に配列されており、絶縁部材は隣接する 端子部の間にのみ設けられてレ、てもよレ、。
[0018] 端子部が配線の端子部以外の部分よりも幅広で、且つ端子部が端子部の幅方向 に直線状に配列されてレ、る場合、比較的幅広に形成された端子部間の間隙幅が、 配線の端子部以外の部分と端子部又は端子部以外の部分が隣接する部分との間隙 幅と比較して狭くなる。このため、 P 接する端子部の間でリーク電流が特に発生しや すくなる。し力、しながら、この構成では、 P 接する端子部の間に絶縁部材が設けられ ている。従って、隣接する端子部の短絡を効果的に抑制することができ、リーク電流 の発生を効果的に抑制することができる。
[0019] 本発明に係る配線基板では、端子部は配線の端子部以外の部分よりも幅広であり 、且つ端子部が端子部の幅方向に沿って千鳥状に配列されており、絶縁部材が端 子部とその端子部に隣接する配線との間にのみ設けられていてもよい。端子部は配 線の端子部以外の部分よりも幅広で、且つ端子部は端子部の幅方向に沿って千鳥 状に配列されている場合、端子部とその端子部に隣接する配線との間の間隙幅が比 較的狭ぐその間でリーク電流が発生しやすレ、。し力しながら、この構成では、比較的 狭い端子部とその端子部に隣接する配線との間に絶縁部材が設けられている。この ため、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。
[0020] 本発明に係る配線基板では、異方性導電層が湿式法により形成されるものであつ てもよレ、。湿式法を用いることにより、容易且つ安価に異方性導電層を形成すること ができる。
[0021] 尚、「湿式法」とは、層を形成するための材料 (ここでは、絶縁性樹脂及び導電性微 粒子）を含有するインクを用いて行う層形成法であり、具体例としては、スピンコート法 、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法、インクジェット法、凸版印刷法 、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等が挙げられる。
[0022] 異方性導電層を湿式法により形成する場合、絶縁部材の側面及び頂面が少なくと も撥液性を有することが好ましい。すなわち、絶縁部材の側面及び頂面が湿式法に 用いられるインクをはじく性質を有することが好ましい。絶縁部材の側面及び頂面に 撥液性 (層形成用のインクをはじく性質）を付与する方法としては、例えば、撥液性を 有する材料により絶縁部材を形成する方法、絶縁部材にプラズマ処理等の撥液処理 をすることにより撥液性を付与する方法が挙げられる。
[0023] 本発明に係る配線基板は、集積回路チップと基板本体との間に、集積回路チップ 及び基板本体の双方に接するように設けられた支持部材をさらに備えていてもよい。
[0024] 一般的に、集積回路チップの実装は以下の手順で行われる。まず、 ACFや ACP 等が設けられた基板本体を圧着ステージ上に設置する。基板本体上の所定の位置 に集積回路チップを配置し、集積回路チップを加熱した圧着ツールにより加熱加圧 することにより集積回路チップを基板本体上に実装する。
[0025] 集積回路チップを好適に実装するためには、加熱加圧工程において、圧着ツール と圧着ステージとが完全に平行であることが好ましい。し力 ながら、現在の技術では 圧着ツールと圧着ステージとを完全に平行にすることは困難であり、通常、圧着ツー ルと圧着ステージとはある程度傾いている。
[0026] 圧着ツールと圧着ステージとが傾いている場合、各端子部とバンプ電極との間に付 与される圧力に偏差が生じる。すなわち、過剰な圧力が付与される箇所や、端子部と バンプ電極とを接合するために十分な大きさの圧力が付与されない箇所が生じる。 従って、過剰な圧力により端子部やバンプ電極が損傷、断線してしまう箇所や、端子 部とバンプ電極との導通が確実に図れない箇所が発生する虞がある。
[0027] しかしながら、集積回路チップ及び基板本体の双方に接するように設けられた支持 部材をさらに備えた本構成では、圧着ツールと圧着ステージとの傾きに起因する付 与圧力の偏差を減少させることができ、過剰な圧力が付与される箇所や不十分な圧 力しか付与されない箇所を減少させることができる。従って、集積回路チップを高い 電気接続の信頼性で実装することができる。
[0028] より高い電気接続の信頼性を実現する観点から、支持部材は集積回路チップを均 等に支持できるように形成されていることが好ましい。具体的には、支持部材は集積 回路チップの周縁部分の少なくとも一部と基板本体との間に設けられていてもよい。 支持部材は帯状でもって集積回路チップを周回するように壁状に設けられていても よい。また、支持部材は集積回路チップの四隅のそれぞれと基板本体との間に設け られていてもよい。
[0029] 尚、支持部材は絶縁性を有するものであることが好ましい。集積回路チップと基板 本体との間には導電性微粒子を含む異方性導電層が設けられている。このため、バ ンプ電極や端子部等が支持部材及び導電性微粒子を介して電気的に接続されてし まう虞がある。し力、しながら、支持部材が絶縁性を有するものである場合には、支持 部材を介して端子部やバンプ電極等が短絡することもなぐリーク電流の発生が効果 的に抑制される。
[0030] 本発明に係る第 1の表示装置は、配線基板と、第 1電極と、表示媒体層と、第 2電極 とを備えている。配線基板は、基板本体と、集積回路チップと、異方性導電層と、絶 縁部材とを有する。基板本体には相互に並行に延びる複数の配線が設けられている 。複数の配線のそれぞれは端子部を有する。集積回路チップは複数のバンプ電極を 有する。複数のバンプ電極は端子部と対向するように、端子部に対応して設けられて いる。異方性導電層は基板本体と集積回路チップとの間に設けられている。異方性 導電層は端子部と複数のバンプ電極とを電気的に接続する導電性微粒子が絶縁性 樹脂中に分散混入されてなる。絶縁部材は端子部を端子部に隣接する配線及びバ ンプ電極から隔離すると共に、端子部に対向するバンプ電極をバンプ電極に隣接す るバンプ電極及び配線から隔離するように設けられている。表示媒体層は第 1電極の 上に設けられている。第 2電極は表示媒体層の上に設けられている。
[0031] 本発明に係る第 1の表示装置では、端子部とその端子部に隣接する配線及びバン プ電極とが導電性微粒子により短絡されることが効果的に抑制される。且つ、バンプ 電極と、そのバンプ電極に舞接するバンプ電極及び配線とが導電性微粒子により短 絡されることが効果的に抑制される。従って、本発明によればリーク電流の発生を効 果的に抑制することができる。その結果、電気的信頼性の高い表示装置を実現する こと力 sできる。 [0032] 尚、本明細書において、「表示媒体層」とは、互いに対向する電極間の電位差によ り光透過率又は光反射率が変調される層、若しくは互いに対向する電極間を流れる 電流により自発光する層をいう。表示媒体層の具体例としては、例えば、液晶層、無 機または有機エレクト口ルミネッセンス層、発光ガス層、電気泳動層、エレクト口クロミツ ク層等が挙げられる。
[0033] 本発明に係る第 2の表示装置は、第 1配線基板と、第 1配線基板が実装された第 2 配線基板と、表示媒体層と、第 2電極とを備えている。第 1配線基板は、基板本体と、 集積回路チップと、異方性導電層と、絶縁部材とを有する。基板本体には相互に並 行に延びる複数の配線が設けられている。複数の配線のそれぞれは端子部を有す る。集積回路チップは複数のバンプ電極を有する。複数のバンプ電極は端子部と対 向するように、端子部に対応して設けられている。異方性導電層は基板本体と集積 回路チップとの間に設けられている。異方性導電層は端子部と複数のバンプ電極と を電気的に接続する導電性微粒子が絶縁性樹脂中に分散混入されてなる。絶縁部 材は端子部を端子部に隣接する配線及びバンプ電極から隔離すると共に、端子部 に対向するバンプ電極をバンプ電極に隣接するバンプ電極及び配線から隔離する ように設けられている。
[0034] 第 2配線基板は複数の第 2配線と第 1電極とを有する。複数の第 2配線は複数の第 1配線に電気的に接続されている。第 1電極は複数の第 2配線に電気的に接続され ている。表示媒体層は第 1電極の上に設けられている。第 2電極は表示媒体層の上 に設けられている。
[0035] 本発明に係る第 2の表示装置では、端子部とその端子部に隣接する配線及びバン プ電極とが導電性微粒子により短絡されることが効果的に抑制される。且つ、バンプ 電極と、そのバンプ電極に舞接するバンプ電極及び配線とが導電性微粒子により短 絡されることが効果的に抑制される。従って、本発明によればリーク電流の発生を効 果的に抑制することができる。その結果、電気的信頼性の高い表示装置を実現する こと力 Sできる。
図面の簡単な説明
[0036] [図 1]実施形態 1に係る液晶表示装置 1の平面図である。 園 2]図 1中の切り出し線 II IIで切り出された部分の断面図である。
園 3]駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平面図である。
[図 4]図 3中の切り出し線 IV— IVで切り出された部分の断面図である。
[図 5]実施形態 2に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平 面図である。
[図 6]図 5中の切り出し線 VI_ VIで切り出された部分の断面図である。
園 7]変形例 1に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平面 図である。
[図 8]図 7中の切り出し線 VIII— VIIIで切り出された部分の断面図である。
[図 9]実施形態 3に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した断 面図である。
園 10]絶縁部材 70が設けられていない場合の実装工程を表す模式断面図である。 園 11]実施形態 3における実装工程を表す模式断面図である。
[図 12]実施形態 4に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した断 面図である。
園 13]実施形態 5に係る液晶表示装置 2の平面図である。
[図 14]図 13中の切り出し線 XIV— XIVで切り出された部分の断面図である。
園 15]駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平面図である。
[図 16]図 15中の切り出し線 XVI— XVIで切り出された部分の断面図である。
[図 17]実施形態 6に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平 面図である。
[図 18]図 17中の切り出し線 XVIII—XVmで切り出された部分の断面図である。 園 19]変形例 2に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平面 図である。
[図 20]変形例 3に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平面 図である。
園 21]変形例 4に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平面 図である。 [図 22]変形例 5に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した断面 図である。
発明を実施するための最良の形態
[0037] 以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
[0038] (実施形態 1)
図 1は本実施形態 1に係る液晶表示装置 1の平面図である。
[0039] 図 2は図 1中の切り出し線 II IIで切り出された部分の断面図である。
[0040] 本実施形態 1に係る液晶表示装置 1は、アクティブマトリクス基板 10と、アクティブマ トリタス基板 10に対向するように配置された対向基板 20と、アクティブマトリクス基板 1 0と対向基板 20との間に設けられた、表示媒体層としての液晶層 40と、アクティブマ トリタス基板 10と対向基板 20とを接着すると共に、液晶層 40を封止するシール部材 30とを有する。
[0041] アクティブマトリクス基板 10は、樹脂（プラスチック)製やガラス製の第 1基板本体 11 と、第 1基板本体 11の液晶層 40とは反対側に設けられた第 1偏光板 12とを有する。 アクティブマトリクス基板 10には、相互に並行に延びる複数のゲートラインと、ゲートラ インの延びる方向に角度を成して (典型的には、直角に）相互に並行に延びる複数 のソースラインとが設けられている（本明細書においては、ゲートラインやソースライン といった電極ラインを総称して「配線」 14とする。）。ゲートラインとソースラインの各交 差部近傍には、ゲートライン及びソースラインの双方に電気的に接続された， TFT素 子等のスイッチング素子（図示せず）が設けられている。一方、アクティブマトリクス基 板 10の液晶層 40側表面には、所定配列で (典型的にはマトリクス配列で）配列され た複数の画素電極 13が設けられている。各画素電極 13はスイッチング素子（図示せ ず）に電気的に接続されており、そのスイッチング素子により駆動される。
[0042] 対向基板 20は、第 2基板本体 22と、第 2基板本体 22の液晶層 40とは反対側に設 けられた第 2偏光板 23と、第 2基板本体 22の液晶層 40側表面に設けられた上部共 通電極 21とを有する。この上部共通電極 21と、アクティブマトリクス基板 10に設けら れた複数の画素電極 13により液晶層 40に電圧が印加され、液晶表示装置 1が駆動 制御される。 [0043] 本実施形態 1では、アクティブマトリクス基板 10及び対向基板 20は矩形状であり、 アクティブマトリクス基板 10は対向基板 20よりも大きい。対向基板 20はアクティブマト リクス基板 10上の液晶層 40を覆うように設けられており、対向基板 20に覆われてい ないアクティブマトリクス基板 10の周縁部分 (露出部分）には、複数の駆動用集積回 路チップ (以下、「駆動用 ICチップ」とすることがある。） 50がベアチップ実装されてい る。
[0044] 図 3は駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平面図である。
[0045] 図 4は図 3中の切り出し線 IV - IVで切り出された部分の断面図である。
[0046] 図 3及び図 4に示すように、集積回路チップとしての駆動用 ICチップ 50には入出力 端子としての複数のバンプ電極 51が設けられている。バンプ電極 51は駆動用 ICチ ップ 50の長辺方向（端子部 14aの幅方向）に沿って一列に直線状に配列されている 。バンプ電極 51はボンディング用バンプ電極としての機能を兼ね備えており、絶縁性 樹脂中に導電性微粒子 61が分散混入されてなる異方性導電層 60を介して、ァクテ イブマトリクス基板 10の周縁部分に引き回された配線 14の端子部 14aに電気的に接 続されている。
[0047] 本実施形態 1に係る液晶表示装置 1では、端子部 14aをその端子部 14aに隣接す る配線 14及びバンプ電極 51から隔離すると共に、その端子部 14aに対向するバン プ電極 51を、そのバンプ電極 51に隣接するバンプ電極 51及び配線 14から隔離す る絶縁性の絶縁部材（絶縁壁） 70が設けられている。具体的には、絶縁部材 70はァ クティブマトリクス基板 10上の隣接する端子部 14aの間に設けられている。
[0048] 例えば、絶縁部材 70が設けられていない場合、異方性導電層 60に含まれる導電 性微粒子 61により、隣接する配線 14、隣接するバンプ電極 51、又は配線 14とバン プ電極 51とが短絡し、リーク電流が発生する虞がある。特に、端子部 14aとバンプ電 極 51とを確実に電気的に接続するために導電性微粒子 61が高濃度に含まれる異 方性導電層 60を用いる場合や、バンプ電極 51の配列間隔が狭いファインピッチな 駆動用 ICチップ 50を用いる場合等は、配線 14やバンプ電極 51等の導電部材同士 が特に短絡しやすくなる。
[0049] し力 ながら、本実施形態 1のように、隣接する端子部 14aの間に絶縁部材 70を設 けることにより、隣接する配線 14、隣接するバンプ電極 51、又は配線 14とバンプ電 極 51との短絡に起因してリーク電流が発生することを効果的に抑制することができる
[0050] 絶縁部材 70は配線 14に沿って、異方性導電層 60と接する配線 14の部分全体に 沿って設けられていてもよい。尚、端子部 14aは配線 14の端子部 14a以外の部分よ りも幅広に形成されているため、 P 接する端子部 14aの間が比較的狭ぐ端子部 14a 以外の配線 14同士の間、及び配線 14の端子部 14a以外の部分と端子部 14aとの間 は比較的広い。従って、図 3に示すように、リーク電流の発生を効果的に抑制する観 点から、端子部 14a同士が隣接する部分に絶縁部材 70を設けることが効果的である
[0051] 図 4に示すように、絶縁部材 70は断面略台形状に形成されていることが好ましい。
リーク電流の発生を効果的に抑制する観点から、絶縁部材 70の頂面の幅は狭い方 が好ましい。より好ましくは絶縁部材 70の頂面の幅が導電性微粒子 61の粒径 (詳細 には、平均粒径）以下である。
[0052] また、リーク電流の発生を効果的に抑制する観点からは、絶縁部材 70の頂面が駆 動用 ICチップ 50に接していることが好ましい。し力 ながら、絶縁部材 70の頂面は必 ずしも駆動用 ICチップ 50に接している必要はなレ、。図 4に示すように、絶縁部材 70と 駆動用 ICチップ 50との間に間隙が存在していてもよい。その場合であっても、絶縁 部材 70を設けない場合と比較して、リーク電流の発生を抑制することができる。絶縁 部材 70と駆動用 ICチップ 50との間の間隙幅は導電性微粒子 61の粒径 (詳細には、 例えば、平均粒径： 3〜5 / m程度）以下であることが好ましい。そうすることによって、 絶縁部材 70と駆動用 ICチップ 50と駆動用 ICチップ 50との間に導電性微粒子 61が 介在することを効果的に抑制することができる。
[0053] 次に、本実施形態 1に係る液晶表示装置 1の製造工程、その中でも特に、絶縁部 材 70の製造工程及び駆動用 ICチップ 50の実装工程について詳細に説明する。
[0054] まず、第 1基板本体 11上に、ゲートライン、ソースライン等の各種配線 14、 TFT、画 素電極 13等を形成する。その後、絶縁部材 70を形成する。絶縁部材 70はスクリーン 印刷法等の湿式法を用いて樹脂製の絶縁膜を形成し、その絶縁膜をフォトリソグラフ ィー技術等のパターニング技術を用いてパターニングすることにより形成することがで きる。
[0055] 絶縁部材 70の高さは、液晶層 40のセルギャップ、バンプ電極 51、端子部 14aの高 さ、導電性微粒子 61の扁平率を考慮した上で決定することができる。例えば、絶縁 部材 70の高さを Hとし、液晶層 40のセルギャップを hi、バンプ電極 51の高さを h2、 端子部 14aの高さを h3、導電性微粒子 61の粒径を r、扁平率を Aとすると、絶縁部材 70の高さは、例えば、下記式 1に表される。
[0056] hl -r=h2 +h3 +r X (1 -A) -r≤H≤h2 +h3 +r X (1—A) =hl · · · (式 1) 具体的には、例えば、 3 x m〜25 z m (例えば、 10 μ m)とすることができる。
[0057] 尚、絶縁部材 70の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、ポリイミド 樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
[0058] 次に、アクティブマトリクス基板 10の周縁部分と対向基板 20の周縁部分とをシール 部材 30により貼り合わせ、内部に液晶を注入する空間（空セル)を形成する。その後 、その空間（空セル）に液晶を注入 (例えば、真空注入)することにより液晶層 40を形 成する。
[0059] 次に、駆動用 ICチップ 50を実装する。具体的には、まず、アクティブマトリクス基板 10の、駆動用 ICチップ 50が実装される周縁部分に、例えばインクジェット法等の湿 式法により異方性導電層 60を形成する。そして、その上に駆動用 ICチップ 50を配置 し、ァライメントを行う。その状態でアクティブマトリクス基板 10を平坦な圧着ステージ 上に配置し、さらに加熱した圧着ツールを用いて駆動用 ICチップ 50を加熱押圧する ことにより駆動用 ICチップ 50を実装して、液晶表示装置 1を完成させる。
[0060] このように、湿式法により異方性導電層 60を形成する場合、予め絶縁部材 70の表 面に撥液性（異方性導電層 60を形成するためのインクをはじく性質）を付与しておく ことが好ましレ、。そうすることによって、配線 14同士、バンプ電極 51同士、又は配線 1 4とバンプ電極 51との短絡を効果的に抑制できるので、リーク電流の発生を効果的 に抑制することができる。
[0061] 尚、絶縁部材 70の表面に撥液性を付与する方法としては、例えば、フッ素を含有 する撥液性を有する材料により絶縁部材 70を形成する方法、絶縁部材 70を形成し た後に、表面にプラズマ処理等の撥液処理を施すことにより撥液性を付与する方法 等が挙げられる。
[0062] (実施形態 2)
図 5は本実施形態 2に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大し た平面図である。
[0063] 図 6は図 5中の切り出し線 VI _ VIで切り出された部分の断面図である。
[0064] 本実施形態 2に係る液晶表示装置は、絶縁部材 70、端子部 14a、及びバンプ電極 51の配置構成を除いては上記実施形態 1に係る液晶表示装置 1と同様の構成を有 する。ここでは、図 5及び図 6を参照しながら、本実施形態 2に係る絶縁部材 70、端子 部 14a、及びバンプ電極 51の配置構成について詳細に説明する。尚、本実施形態 2 の説明において、図 1及び図 2は実施形態 1と共通に参照する。また、実質的に同じ 機能を有する構成要素を実施形態 1と共通の参照符号で説明し、説明を省略する。
[0065] 図 5に示すように、本実施形態 2では、端子部 14a及びバンプ電極 51は矩形の駆 動用 ICチップ 50の長辺方向（端子部 14aの幅方向）に沿って千鳥状に配列されてい る。このようにすることによって、幅広の端子部 14aを、効率よぐファインピッチに配 歹 IJさせることができる。
[0066] 本実施形態 2では、端子部 14aとその端子部 14aに隣接する配線 14との間に絶縁 部材 70が設けられている。端子部 14aは配線 14の端子部 14a以外の部分よりも幅 広であるため、端子部 14aとその端子部 14aに隣接する配線 14との間の間隙幅が比 較的狭くなる。このため、例えば絶縁部材 70が設けられていない場合、その間でリー ク電流が発生しやすくなる。し力しながら、本実施形態 2においては、その配線間の 間隙幅が比較的狭くなる部分に絶縁部材 70が設けられている。従って、効果的にリ ーク電流の発生を抑制することができる。
[0067] (変形例 1：実施形態 2の変形例）
図 7は変形例 1に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を表す平面図 である。
[0068] 図 8は、図 7中の切り出し線 VIII— VIIIで切り出された部分の断面図である。
[0069] 図 7及び図 8に示すように、 P 接する絶縁部材 70を、配線 14を跨ぐように連結させ て形成してもよい。この構成によれば、端子部 14aとその端子部に隣接する配線 14と の間の電極リークをより効果的に抑制することができる。
[0070] (実施形態 3)
図 9は本実施形態 3に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大し た断面図である。
[0071] 本実施形態 3に係る液晶表示装置は絶縁部材 70の配置構成を除いては上記実施 形態 2に係る液晶表示装置と同様の構成を有する。ここでは、図 9を参照しながら、本 実施形態 3に係る絶縁部材 70の配置構成について詳細に説明する。尚、本実施形 態 3の説明において、図 1、図 2、及び図 5は上記実施形態 2と共通に参照する。また 、実質的に同じ機能を有する構成要素を実施形態 2と共通の参照符号で説明し、説 明を省略する。
[0072] 本実施形態 3では、絶縁部材 70がアクティブマトリクス基板 10及び駆動用 ICチップ
50の双方に接触するように形成されている。この構成によれば、絶縁部材 70と駆動 用 ICチップ 50との間に導電性微粒子 61が介在することが特に効果的に抑制される ため、リーク電流の発生をさらに効果的に抑制することが可能となる。
[0073] また、それと共に、駆動用 ICチップ 50を良好に実装することができる。すなわち、バ ンプ電極 51と端子部 14aとの接続不良等を効果的に抑制することができる。
[0074] 上記実施形態 1において述べたように、駆動用 ICチップ 50は圧着ステージと圧着 ツールを用いて加熱加圧することにより実装される。
[0075] 図 10は例えば絶縁部材 70が設けられていない場合の実装工程を表す模式断面 図である。詳細には、図 10 (A)は、加圧前の状態を表す模式断面図である。図 10 ( B)は実装完了時の状態を表す模式断面図である。
[0076] 本来、圧着ステージ 8と圧着ツール 9とは完全に平行であることが好ましい。しかし ながら、圧着ステージ 8と圧着ツール 9とを完全に平行に調整することは困難であり、 通常、図 10 (A)に示すように、圧着ステージ 8と圧着ツール 9とはある程度傾いてい る。この状態で加圧した場合、各端子部 14aに付与される圧力に偏差が生じる。ァク ティブマトリクス基板 10と駆動用 ICチップ 50とが比較的近い部分（図 10において左 側部分）に過剰な圧力が付加されるものの、アクティブマトリクス基板 10と駆動用 IC チップ 50とが比較的遠い部分（図 10において右側部分）では端子部 14aとバンプ電 極 51とを電気的に接続するために十分な圧力が付加されない。すなわち、端子部 1 4aとバンプ電極 51との導通を図るためには、端子部 14aとバンプ電極 51とにより導 電性微粒子 61がある程度扁平 (変形）する程度に押圧される必要があるところ、図 1 0において右側部分では導電性微粒子 61が変形するだけの圧力が付与されない。
[0077] このため、図 10 (B)に示すように、過剰な圧力が加わる、図 10において左側部分 では、端子部 14a、バンプ電極 51の変形や断線等が発生する虞がある。且つ、十分 な圧力が加わらなレ、、図 10において右側部分では端子部 14aとバンプ電極 51とが 好適に電気的に接続されない虞があり、実装が好適に行われない虞がある。
[0078] それに対して、本実施形態 3に係る液晶表示装置ではアクティブマトリクス基板 10 及び駆動用 ICチップ 50の双方に接触する絶縁部材 70が設けられているために、容 易に駆動用 ICチップ 50を好適に実装することが可能である。以下、その理由につい て詳細に説明する。
[0079] 図 11は本実施形態 3における実装工程を表す模式断面図である。詳細には、図 1 1 (A)は、加圧前の状態を表す模式断面図である。図 11 (B)は加圧中の状態を表す 模式断面図である。図 11 (C)は実装完了時の状態を表す模式断面図である。
[0080] 本実施形態 3の場合、圧着ステージ 8と圧着ツール 9とがある程度傾いている場合 であっても、図 11 (B)に示すように、端子部 14aよりも高く形成された絶縁部材 70が 支柱的な役割を果たし、圧着ステージ 8と圧着ツール 9との平行度がある程度補正さ れる。このため、一部の端子部 14aに過剰な圧力が加わることを抑制することができ ると共に、端子部 14aとバンプ電極 51とが電気的に接続されないことを効果的に抑 制することができる。従って、本実施形態 3によれば容易に駆動用 ICチップ 50を好適 に実装することが可能となる。
[0081] また、例えば、第 1基板本体 11が樹脂（プラスチック）基板や、薄レ、ガラス基板であ る場合、実装工程において第 1基板本体 11に反りや変形が発生する虞があり、それ が原因で電気的接続が図れない箇所が発生する虞がある。し力、しながら、本実施形 態 3では端子部 14a間の各所に支柱的な役割を果たす絶縁部材 70が設けられてい るため、第 1基板本体 11の反りや変形が効果的に抑制される。 [0082] (実施形態 4)
図 12は本実施形態 4に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大し た断面図である。
[0083] 本実施形態 4に係る液晶表示装置は絶縁部材 70の配置構成を除いては上記実施 形態 2に係る液晶表示装置と同様の構成を有する。ここでは、図 12を参照しながら、 本実施形態 4に係る絶縁部材 70の配置構成について説明する。尚、本実施形態 4 の説明において、図 1、図 2、及び図 5は上記実施形態 2と共通に参照する。また、実 質的に同じ機能を有する構成要素を実施形態 2と共通の参照符号で説明し、説明を 省略する。
[0084] 本実施形態 4では、駆動用 ICチップ 50上の隣接するバンプ電極 51の間に設けら れている。絶縁部材 70の先端からアクティブマトリクス基板 10までの距離は導電性 微粒子 61の粒径（平均粒径）以下である。この場合もアクティブマトリクス基板 10上 に絶縁部材 70を設ける場合と同様に、隣接するバンプ電極 51間、配線 14間、及び バンプ電極 51と配線 14との間の電極リークを効果的に抑制することができる。図 12 に示すように、絶縁部材 70は駆動用 ICチップ 50からアクティブマトリクス基板 10に向 けて幅狭となる断面略台形状であることが好ましい。さらに好ましくは、絶縁部材 70 の頂面の幅が導電性微粒子 61の粒径（平均粒径）以下である。そうすることによって 、リーク電流の発生をより効果的に抑制することができる。
[0085] (実施形態 5)
図 13は本実施形態 5に係る液晶表示装置 2の平面図である。
[0086] 図 14は図 13中の切り出し線 XIV - XIVで切り出された部分の断面図である。
[0087] 本実施形態 5に係る液晶表示装置 2は、アクティブマトリクス基板 10と、アクティブマ トリタス基板 10に対向するように配置された対向基板 20と、アクティブマトリクス基板 1 0と対向基板 20との間に設けられた、表示媒体層としての液晶層 40と、アクティブマ トリタス基板 10と対向基板 20とを接着すると共に、液晶層 40を封止するシール部材 30と、アクティブマトリクス基板 10に実装されたフレキシブルプリント回路基板 80 (以 下、「FPC基板 80」とすることがある。）を有する。
[0088] アクティブマトリクス基板 10は、樹脂（プラスチック)製やガラス製の第 1基板本体 11 と、第 1基板本体 11の液晶層 40とは反対側に設けられた第 1偏光板 12とを有する。 アクティブマトリクス基板 10には、相互に並行に延びる複数のゲートラインと、ゲートラ インの延びる方向に角度を成して (典型的には、直角に）相互に並行に延びる複数 のソースラインとが設けられてレ、る。ゲートラインとソースラインの各交差部近傍には、 ゲートライン及びソースラインの双方に電気的に接続された、 TFT素子等のスィッチ ング素子（図示せず）が設けられている。一方、アクティブマトリクス基板 10の液晶層 40側表面には、所定配列で (典型的にはマトリクス配列で)配列された複数の画素電 極 13が設けられている。各画素電極 13はスィッチング素子（図示せず）に電気的に 接続されており、そのスイッチング素子により駆動される。
[0089] 対向基板 20は、第 2基板本体 22と、第 2基板本体 22の液晶層 40とは反対側に設 けられた第 2偏光板 23と、第 2基板本体 22の液晶層 40側表面に設けられた上部共 通電極 21とを有する。この上部共通電極 21と、アクティブマトリクス基板 10に設けら れた複数の画素電極 13により液晶層 40に電圧が印加され、液晶表示装置 2が駆動 制御される。
[0090] 本実施形態 5に係る液晶表示装置 2では、アクティブマトリクス基板 10は対向基板 2 0よりも大きく形成されており、対向基板 20に覆われていないアクティブマトリクス基板 10の周縁部分には、ゲートラインやソースライン等の配線 14が引き回されている。そ の配線 14が引き回された周縁部分に FPC基板 80が実装されている。具体的には、 図 14に示すように、 FPC基板 80にはプリント配線 81が設けられており、そのプリント 配線 81が異方性導電層 60を介して配線 14と電気的に接続されている。プリント配線 81には端子部 81aが設けられており、端子部 81aが駆動用 ICチップ 50のバンプ電 極 51に電気的に接続されるように駆動用 ICチップ 50が実装されている。
[0091] 図 15は駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平面図である。
[0092] 図 16は図 15中の切り出し線 XVI— XVIで切り出された部分の断面図である。
[0093] 図 15及び図 16に示すように、駆動用 ICチップ 50には入出力端子としての複数の バンプ電極 51が設けられている。バンプ電極 51は駆動用 ICチップ 50の長辺方向（ 端子部 81aの幅方向）に沿って千鳥状に配列されている。バンプ電極 51はボンディ ング用バンプ電極としての機能を兼ね備えており、絶縁性樹脂中に導電性微粒子 6 1が分散混入されてなる異方性導電層 60を介して、プリント配線 81の端子部 81 aに 電気的に接続されている。
[0094] 本実施形態 5に係る液晶表示装置 2では、端子部 81 aとその端子部 81 aに隣接す るプリント配線 81及びバンプ電極 51から隔離すると共に、その端子部 81 aに対向す るバンプ電極 51を、そのバンプ電極 51に隣接するバンプ電極 51及びプリント配線 8 1から隔離する絶縁性の絶縁部材 (絶縁壁） 70が設けられている。具体的には、絶縁 部材 70は FPC基板 80上の隣接する端子部 81 aの間に設けられている。
[0095] 例えば、絶縁部材 70が設けられていない場合、異方性導電層 60に含まれる導電 性微粒子 61により、隣接するプリント配線 81、隣接するバンプ電極 51、又はプリント 配線 81とバンプ電極 51とが短絡し、リーク電流が発生する虞がある。特に、端子部 8 1 aとバンプ電極 51とを確実に電気的に接続するために導電性微粒子 61が高濃度 に含まれる異方性導電層 60を用いる場合や、バンプ電極 51の配列間隔が狭いファ インピッチな駆動用 ICチップ 50を用いる場合等は、特に短絡しやすくなる。
[0096] し力 ながら、本実施形態 5のように、隣接する端子部 81 aの間に絶縁部材 70を設 けることにより、隣接するプリント配線 81、隣接するバンプ電極 51、又はプリント配線 81とバンプ電極 51との短絡に起因してリーク電流が発生することを効果的に抑制す ること力 Sできる。
[0097] 上述のように、本実施形態 5では、端子部 81 a及びバンプ電極 51は矩形の駆動用 I Cチップ 50の長辺方向（端子部 81 aの幅方向）に沿って千鳥状に配列されている。こ のようにすることによって、幅広の端子部 81 aを、効率よぐファインピッチに配列させ ること力 Sできる。
[0098] 本実施形態 5では、端子部 81 aとその端子部 81 aに隣接するプリント配線 81との間 に絶縁部材 70が設けられている。端子部 81 aはプリント配線 81の端子部 81 a以外の 部分よりも幅広であるため、端子部 81 aとその端子部 81 aに隣接するプリント配線 81 との間の間隙幅が比較的狭くなる。このため、例えば絶縁部材 70が設けられてレ、な い場合、その間でリーク電流が発生しやすくなる。しかしながら、その配線間の間隙 幅が比較的狭くなる部分に絶縁部材 70が設けられている。従って、効果的にリーク 電流の発生を抑制することができる。 [0099] 図 16に示すように、リーク電流の発生を効果的に抑制する観点からは、絶縁部材 7 0の頂面が駆動用 ICチップ 50に接していることが好ましい。し力 ながら、絶縁部材 7 0の頂面は必ずしも駆動用 ICチップ 50に接している必要はなレ、。絶縁部材 70と駆動 用 ICチップ 50との間に間隙が存在していてもよレ、。その場合であっても、絶縁部材 7 0を設けない場合と比較して、リーク電流の発生を抑制することができる。絶縁部材 7 0と駆動用 ICチップ 50との間の間隙幅は導電性微粒子 61の粒径 (詳細には、平均 粒径、例えば、 3〜5 x m程度）以下であることが好ましい。そうすることによって、絶 縁部材 70と駆動用 ICチップ 50との間に導電性微粒子 61が介在することを効果的に 抑制することができる。
[0100] また、リーク電流の発生を効果的に抑制する観点から、絶縁部材 70の頂面の幅は 狭い方が好ましい。より好ましくは絶縁部材 70の頂面の幅が導電性微粒子 61の粒 径 (詳細には、平均粒径）以下である。
[0101] (実施形態 6)
図 17は本実施形態 6に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大し た平面図である。
[0102] 図 18は図 17中の切り出し線 XVIII— XVIIIで切り出された部分の断面図である。
[0103] 本実施形態 6に係る液晶表示装置は、支持部材 90をさらに有する点を除いて、上 記実施形態 3に係る液晶表示装置と同様の構成を有する。ここでは、図 17及び図 18 を参照しながら、本実施形態 6における支持部材 90の配置構成について説明する。 尚、本実施形態 6の説明において、図 1及び図 2は上記実施形態 3と共通に参照す る。また、実質的に同じ機能を有する構成要素を実施形態 3と共通の参照符号で説 明し、説明を省略する。
[0104] 本実施形態 6に係る液晶表示装置では、駆動用 ICチップ 50及びアクティブマトリク ス基板 10の双方に接するように断面略台形状の支持部材 90が設けられている。詳 細には、支持部材 90は壁状に形成されており、帯状でもって駆動用 ICチップ 50を 周回するように設けられてレ、る。
[0105] 上述のように、駆動用 ICチップ 50を実装するために用いる圧着ステージと圧着ッ 一ルとはある程度の傾きを有する。し力 ながら、本実施形態 6では、駆動用 ICチッ プ 50の周回に設けられた支持部材 90により、図 11に示す場合と同様に、圧着ステ ージと圧着ツールとの傾きがある程度補正される。このため、各端子部 14aに付加さ れる圧力の偏差を低減することができ、確実に端子部 14aとバンプ電極 51とを電気 的に接続させること力 Sできる。
[0106] 各端子部 14aに付加される圧力の偏差をより効果的に低減する観点から、各端子 部 14aの間に設けられた絶縁部材 70がアクティブマトリクス基板 10及び駆動用 ICチ ップ 50の双方に接していることが好ましい。この場合、支持部材 90と絶縁部材 70と は同じ高さであることが好ましい。また、この構成によれば、実施形態 3において説明 したように、アクティブマトリクス基板 10の反りや変形に起因する圧力偏差も好適に解 f肖すること力 Sできる。
[0107] 支持部材 90は絶縁性であることが好ましい。支持部材 90が導電性である場合、異 方性導電層 60に分散混入している導電性微粒子 61と支持部材 90とを介して端子 部 14a間や端子部 14aとバンプ電極 51との間等が短絡し、リーク電流が発生する虞 力 Sある。支持部材 90を絶縁性にすることにより、支持部材 90を介した短絡を防止す ること力 Sでき、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。
[0108] 尚、本実施形態 6では、ァライメントマージンを考慮して、支持部材 90は駆動用 IC チップ 50の周縁からはみ出すように設けられている。このようにすることによって、例 えば、支持部材 90に対する駆動用 ICチップ 50の実装位置がずれた場合であっても 、支持部材 90を駆動用 ICチップ 50の周縁に確実に当接させることができる。
[0109] 尚、支持部材 90は、絶縁部材 70と同一材料により形成してもよい。また、支持部材
90を絶縁部材 70と同時に形成してもよい。そうすることによって、液晶表示装置の製 造工程を減らすことができ、製造コストを低減させることが可能となる。
[0110] (変形例 2：実施形態 6の変形例）
図 19は変形例 2に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した平 面図である。
[0111] 図 19に示すように、支持部材 90を駆動用 ICチップ 50の四隅とアクティブマトリクス 基板 10との間に角柱状に設けてもよい。この構成によれば、支持部材 90を配線 14と 重畳しないように配置することができ、配線 14に不要な圧力が加わることを抑制する こと力 Sできる。
[0112] (変形例 3：実施形態 6の変形例）
図 20は変形例 3に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した概 略平面図である。尚、説明の便宜上、図 20では、絶縁部材 70、バンプ電極 51、及 び配線 14は描画していない。
[0113] 図 20に示すように、支持部材 90を駆動用 ICチップ 50の周縁部分の少なくとも一部 とアクティブマトリクス基板 10との間に設けてもよい。この構成によれば、異方性導電 層 60の形成時に支持部材 90が絶縁性樹脂の流れを阻害することを抑制することが できる。
[0114] (変形例 4 :実施形態 6の変形例）
図 21は変形例 4に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した概 略平面図である。尚、説明の便宜上、図 21では、絶縁部材 70、バンプ電極 51、及 び配線 14は描画してレ、なレ、。
[0115] 図 21に示すように、角柱状の支持部材 90をバンプ電極 51が設けられておらず、且 つ配線 14と抵触しない駆動用 ICチップ 50の中央部分に設けてもよい。アクティブマ トリタス基板 10の反りや変形に起因する圧力偏差も好適に解消することができる。
[0116] また、この場合、図 17、図 19、及び図 20に示すように、駆動用 ICチップ 50の周縁 部分の少なくとも一部とアクティブマトリクス基板 10との間にさらに支持部材 90を設け てもよレ、。この構成によれば、圧着ステージと圧着ツールとの傾きに起因する圧力偏 差を好適に解消でき、且つ、アクティブマトリクス基板 10の反りや変形に起因する圧 力偏差も好適に解消することができる。
[0117] (変形例 5：実施形態 1の変形例）
図 22は変形例 5に係る液晶表示装置の駆動用 ICチップ 50近傍部分を拡大した断 面図である。
[0118] 図 22に示すように、アクティブマトリクス基板 10の周縁部分の表面に端子部 14aを 露出させる開口 100aが設けられた、配線 14を被覆する絶縁層 100が設けられてい てもよレ、。この構成によれば、配線 14間の短絡を極めて効果的に抑制することができ る。 [0119] (その他の変形例）
実施形態 1〜6及びそれらの変形例では、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置 を例に挙げて説明した力 本発明はこれに限定されるものではなレ、。例えば、パッシ ブマトリクス方式の液晶表示装置、セグメント方式の液晶表示装置、さらには、それら 各種方式の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置、無機エレクト口ルミネッセンス表 示装置、プラズマ表示装置、フィールドェミッション表示装置等であってもよい。
[0120] 実施形態 5では、液晶表示装置を例に表示装置に実装されるフレキシブルプリント 基板について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、通信 装置、音響装置、電算装置、情報処理装置等、電子機器装置の回路基板に実装さ れるフレキシブルプリント基板であってもよい。
産業上の利用可能性
[0121] 以上説明したように、本発明に係る配線基板によればリーク電流の発生を効果的に 抑制することができるため、携帯電話、 PDA,テレビ、電子ブック、モニター、電子ポ スター、時計、電子棚札、非常案内等に有用である。

Claims

請求の範囲
[1] それぞれ端子部を有し、相互に並行に延びる複数の配線が設けられた基板本体と 上記端子部と対向するように、該端子部に対応して設けられた複数のバンプ電極を 有する集積回路チップと、
上記基板本体と上記集積回路チップとの間に設けられ、上記端子部と上記複数の バンプ電極とを電気的に接続する導電性微粒子が絶縁性樹脂中に分散混入されて なる異方性導電層と、
上記端子部を該端子部に隣接する配線及びバンプ電極から隔離すると共に、該端 子部に対向するバンプ電極を該バンプ電極に隣接するバンプ電極及び配線から隔 離する絶縁性の絶縁部材と、
を備えた配線基板。
[2] 請求項 1に記載された配線基板において、
上記絶縁部材は、上記基板本体上の，上記端子部と該端子部に隣接する配線と の間に設けられており、且つ該絶縁部材の先端から上記集積回路チップまでの距離 が上記導電性微粒子の粒径以下である配線基板。
[3] 請求項 1に記載された配線基板において、
上記絶縁部材は、上記集積回路チップ上の， 舞接する上記バンプ電極の間に設け られており、且つ該絶縁部材の先端から上記基板本体までの距離が上記導電性微 粒子の粒径以下である配線基板。
[4] 請求項 2に記載された配線基板において、
上記絶縁部材は上記基板本体から上記集積回路チップに向けて幅狭となる断面 略台形状である配線基板。
[5] 請求項 3に記載された配線基板において、
上記絶縁部材は上記集積回路チップから上記基板本体に向けて幅狭となる断面 略台形状である配線基板。
[6] 請求項 4又は 5に記載された配線基板において、
上記絶縁部材の頂面の幅は上記導電性微粒子の粒径以下である配線基板。 請求項 2又は 3に記載された配線基板において、
上記絶縁部材は上記基板本体及び上記集積回路チップの双方に接触している配 線基板。
請求項 1に記載された配線基板において、
上記基板本体は樹脂製である配線基板。
請求項 1に記載された配線基板において、
上記端子部は、上記配線の該端子部以外の部分よりも幅広であり、且つ該端子部 の幅方向に直線状に配列されており、
上記絶縁部材は隣接する上記端子部の間にのみ設けられてレ、る配線基板。 請求項 1に記載された配線基板において、
上記端子部は、上記配線の該端子部以外の部分よりも幅広であり、且つ該端子部 の幅方向に沿って千鳥状に配列されており、
上記絶縁部材は上記端子部と該端子部に隣接する配線との間にのみ設けられて いる配線基板。
請求項 1に記載された配線基板において、
上記異方性導電層は湿式法により形成されてなるものである配線基板。
請求項 11に記載された配線基板にぉレ、て、
上記絶縁部材の側面及び頂面は撥液性を有する配線基板。
請求項 1に記載された配線基板において、
上記集積回路チップと上記基板本体との間に、該集積回路チップ及び該基板本体 の双方に接するように設けられた支持部材をさらに備えた配線基板。
請求項 13に記載された配線基板にぉレ、て、
上記支持部材は絶縁性を有する配線基板。
請求項 13に記載された配線基板にぉレ、て、
上記支持部材は上記集積回路チップの周縁部分の少なくとも一部と上記基板本体 との間に設けられてレ、る配線基板。
請求項 13に記載された配線基板にぉレ、て、
上記支持部材は帯状でもって上記集積回路チップを周回するように壁状に設けら れている配線基板。
[17] 請求項 13に記載された配線基板において、
上記支持部材は上記集積回路チップの四隅のそれぞれと上記基板本体との間に 設けられている配線基板。
[18] それぞれ端子部を有し、相互に並行に延びる複数の配線が設けられた基板本体と 、上記端子部と対向するように、該端子部に対応して設けられた複数のバンプ電極を 有する集積回路チップと、上記基板本体と上記集積回路チップとの間に設けられ、 上記端子部と上記複数のバンプ電極とを電気的に接続する導電性微粒子が絶縁性 樹脂中に分散混入されてなる異方性導電層と、上記端子部を該端子部に隣接する 配線及びバンプ電極から隔離すると共に、該端子部に対向するバンプ電極を該バン プ電極に隣接するバンプ電極及び配線から隔離する絶縁性の絶縁部材とを有する 配線基板と、
上記配線基板上に設けられた第 1電極と、
上記第 1電極の上に設けられた表示媒体層と、
上記表示媒体層の上に設けられた第 2電極と、
を備えた表示装置。
[19] それぞれ端子部を有し、相互に並行に延びる複数の配線が設けられた基板本体と 、上記端子部と対向するように、該端子部に対応して設けられた複数のバンプ電極を 有する集積回路チップと、上記基板本体と上記集積回路チップとの間に設けられ、 上記端子部と上記複数のバンプ電極とを電気的に接続する導電性微粒子が絶縁性 樹脂中に分散混入されてなる異方性導電層と、上記端子部を該端子部に隣接する 配線及びバンプ電極から隔離すると共に、該端子部に対向するバンプ電極を該バン プ電極に隣接するバンプ電極及び配線から隔離する絶縁性の絶縁部材とを有する 第 1配線基板と、
上記複数の第 1配線に電気的に接続された複数の第 2配線と、該複数の第 2配線 に電気的に接続された第 1電極とを有する，上記第 1配線基板が実装された第 2配 線基板と、
上記第 1電極の上に設けられた表示媒体層と、 上記表示媒体層の上に設けられた第 2電極と、 を備えた表示装置。
請求項 18又は 19に記載された表示装置において、 上記表示媒体層は液晶層である表示装置。
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