WO2007058147A1

WO2007058147A1 - プリント配線基板、その製造方法およびその使用方法

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Publication number: WO2007058147A1
Application number: PCT/JP2006/322580
Authority: WO
Inventors: Tatsuo Kataoka; Hirokazu Kawamura
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Kinzoku Co Ltd
Priority date: 2005-11-15
Filing date: 2006-11-13
Publication date: 2007-05-24
Anticipated expiration: 2008-05-15
Also published as: JP2007165816A; TW200806121A; KR20080069250A; US20090044971A1

Abstract

　本発明のプリント配線基板は、絶縁基材と該絶縁基材の表面に形成された多数の配線とを有するプリント配線基板であって、該配線回路が、該絶縁基材の表面に形成された導電性下地層と、該下地層の上面に形成されたCuノジュール層と、該Cuノジュール層の上面に形成されたかぶせメッキ層と、該かぶせメッキ層の上面に形成された第1金属メッキ層とを有しており、該配線回路の上面に、Cuノジュール層の上面の凹凸に起因した凹凸面が形成されていることを特徴とし、感光性樹脂から形成されたパターンの側壁面を規制しながらCuノジュール層などの上記の金属層を析出させることにより製造で可能である。　本発明のプリント配線基板は、配線回路の側面部に延びるノジュールは形成されていないので隣接する配線回路間で短絡が生じにくく、また配線回路の上面にジュールに起因した凹凸が形成され、接着剤だけで異方性導電接着が可能である。

Description

プリント配線基板、その製造方法およびその使用方法

技術分野

[0001] 本発明は、 Cuノジュール層を有するプリント配線基板、その製造方法およびこのプリント配線基板の用途に関する。

背景技術

[0002] 絶縁フィルム、接着剤層および導電性金属箔から形成された配線パターンが形成された 3層構造の TABテープあるいは絶縁フィルム上に直接導電性金属箔カなる配線パターンが形成された 2層構造の COFテープなどのプリント配線板の出力側ァゥターリードおよび入力側アウターリードは、図 4に示されるように、それぞれ液晶パネルあるいはリジッドプリント配線板の回路部と異方性導電フィルム（ACF; Anisotoropic Conductive Film)で電気的に接続される。図 4において、付け番 10はポリイミドフィルムのような絶縁基材であり、付け番 50は LCDであり、付け番 40は異方性導電接着フィルムであり、付け番 41は導電性粒子であり、付け番 42は接着剤である。絶縁基材 10の表面に形成された配線パターン 43は、導電性粒子 41によって LCDと電気的に接続しており、 LCD50と絶縁基材 10とは接着剤 42により接着固定されている。

[0003] 近年、液晶画面の高精細化に伴ってドライバー ICチップの金バンプのファインピッチ化が進むに従い COFなどの IC実装用プリント配線板においてもインナーリードピッチを 20 μ m以下に細線ィ匕された回路を形成することが必要になりつつある。

[0004] 従来は、このように細線ィ匕されたプリント配線板を形成するためには使用する導電性金属箔を薄くする必要があると考えられていた。例えば 10 m以下の線幅、配線間隔を 10 m以下の回路をエッチングにより形成しょうとする場合には、導体となる導電性金属箔 (例；電解銅箔)の厚さを線幅以下 (例えば 5 μ m以下）にしなヽと所望の細線ィ匕された線幅 (例えば線幅を 6 m以上）にすることができないという問題がある。また、線幅が細いとインナーリードボンディングにおけるスズメツキダレによる銅食われによるさらなる Cu細りやパターン傾きが発生する可能性がある。

[0005] し力しながら、 Cu箔などの導電性金属箔の厚さを 5 μ m以下にすると異方性導電フイルム (ACF)による接続の信頼性が著しく低下する。これは Cu箔のような導電性金属箔の厚さあるいはピッチに対して、異方性導電接着剤中に含有される導電性粒子のサイズが大きいことおよびバインダーとなる接着剤シート厚さが厚いことに起因する機械的制約があるためであると推察されている。

[0006] ところが、最近では、セミアディティブ（Semi-Additive)法による超ファインピッチ配線パターンの形成技術が進歩し、この技術によって Cuなどの導体厚さが 8 mと厚くても 20 mピッチ幅以下の配線パターンを形成することが可能になっている。このような細線ィ匕された配線パターンを有するプリント配線基板も ACFにより接続する必要がある。ここで使用される ACFには導電性粒子として直径が数/ z mの粒子が配合されており、この導電性粒子を異なる上下二枚のプリント配線基板の間に多数個介在させて、上下二枚の配線によって挟持された異方性導電粒子を介して異なる二枚の上下配線基板間の導通を確立しているのである。このような異方性導電粒子による電気的接続は、例えば 85°C X 85%RHのような高温高湿条件で配線パターン間に直流電圧を長時間印加し続けると、線間絶縁抵抗が劣化する傾向があり、特にファインピッチの配線パターンにおいてはその傾向が大きくなる。

[0007] こうした実情から配線基板間の電気的接続を確立する方法として、異方性導電接着以外の新たな方法の開発が切望されている。

[0008] 上記のような異方性導電接着剤を用いずに配線パターン間の電気的接続を確立する方法として、特許文献 1 (特許第 2660934号公報）には、エッチングにより配線パターンが形成されたプリント配線基板のリード部分に、電気メツキにより Cuノジュール（榭枝状 Cu結晶）を形成し、このノジュールを介して電子部品あるいは LCDパネルのリードと配線板回路のリードとを電気的に接続すると共にシート状接着剤を用いてボンダ一で加熱圧着して電子部品と配線パターンとを電気的に接続する方法が開示されている。

[0009] この方法によれば配線パターン表面に形成された多数のノジュールによって電気的な接続を確立するために安定した電気的接続状態を形成することができるが、このような Cuノジュール (榭枝状 Cu結晶）を形成するためには、銅箔をエッチングして配線パターンを形成した後、 Cuノジュールを形成するために配線を介してメツキ電力を供給する必要があり、さらに、このエッチング法により形成した配線パターンのリード部分などに Cuノジュールを形成する必要がある力このようにして配線パターンのリード部分に Cuノジュールを形成すると、 Cuノジュールの成長方向などは制御することができず、電気的接続に寄与する配線パターンの上面だけでなぐ配線パターンの側面からも外側に向かって Cuノジュールが成長してしまう。

[0010] 昨今のプリント配線基板には非常に密に配線パターンが形成されており、上記のような Cuノジュールを形成するための電力を供給する配線を敷設する余裕がなくなりつつあり、さらにこのような Cuノジュールを形成するための電流を供給する配線を別途設けることによりプリント配線基板の設計の自由度が著しく低くなるという問題がある。また、上記のような Cuノジュールはリード部分に形成されるが、電気的接続の確立に寄与する Cuノジュールは配線パターンの上面に形成される Cuノジュールだけであり、配線パターンの側面力成長したノジュールは、配線パターンがファインピッチ化して、る昨今のプリント配線板にぉ、ては、隣接する配線パターン間でノジユールが接触して短絡の原因ともなりかねない。また、この短絡を防止するために Cuノジュールの高さを低くすると、電気的接続の信頼性が低下する。

[0011] 上記のような理由力もプリント配線板の電気的接続に Cuノジュールは積極的には利用されておらず、依然として異方性導電着剤が使用されている。

特許文献 1：特許第 2660934号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0012] 本発明は、配線回路の側面の断面が傾斜していない矩形に近い形状、あるいは配線パターンの断面が上部よりも広く形成される傾向があり、非常に細線ィ匕された配線回路を高い密度で形成することができるプリント配線基板およびその製造方法を提供することを目的としている。

[0013] 本発明は、例えば導電性接着の際の電気的接続手段として利用することが可能な凸部を配線回路の表面に有し、この凸部を利用して接着剤成分だけで導電接着が可能なプリント配線基板およびその製造方法を提供することを目的として！ヽる。

[0014] さらに本発明は、配線回路を形成する層として Cuノジュール層が形成されており、この Cuノジュール層に起因する凹凸面を配線回路の上面に有するが、側面部は絶縁基板に対して略垂直に立ち上がり、し力もこの配線回路の Cuノジュール層が形成され表面には Cuノジュール層を覆うように第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層）が形成されている配線回路を有するプリント配線基板およびその製造方法を提供することを目的としている。

[0015] また、本発明は上記のような配線回路の上面に凹凸を有するプリント配線基板の使用方法を提供することを目的としている。

課題を解決するための手段

[0016] 本発明のプリント配線基板は、絶縁基材と該絶縁基材の表面に形成された多数の配線回路とを有するプリント配線基板であって、該配線回路が、該絶縁基材の表面に形成された導電性下地層と、該下地層の上面に形成された Cuノジュール層と、該 Cuノジュール層の上面に形成されたかぶせメツキ層と、該かぶせメツキ層の上面に形成された第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層）とを有しており、該配線回路の上面に、 Cuノジュール層の上面の凹凸に起因した凹凸面が形成されていることを特徴としている。本発明のプリント配線基板において、上記下地層は、 Ni— Cr合金力もなる導電性金属薄層とスパッタリング銅層とからなることが好ましぐまた、上記導電性下地層の上面にセミアディティブ銅層を有することが好ま、。

[0017] 本発明のプリント配線基板の製造方法は、絶縁基材の表面にメツキ電流を供給する導電性の下地層を形成し、該下地層の表面に感光性榭脂層を形成して該感光性榭脂層に配線回路を形成するためのパターンを露光 ·現像して感光性榭脂層に凹部を形成し、該凹部の内部に Cuノジュール層を形成すると共に該 Cuノジュール層の少なくとも表面にかぶせメツキ層を形成し、さらに Cuノジュール層の上面に形成されたかぶせメツキ層の上面に第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層）を形成して該 Cuノジュール層を被覆した後、感光性榭脂層を剥離し、次いで、感光性榭脂層を剥離したことにより露出した下地層を除去することを特徴としている。

[0018] すなわち、本発明のプリント配線基板の製造方法は、好適には、導電性金属薄層が積層された絶縁基材の導電性金属薄層の表面に感光性榭脂層を形成し、該感光性榭脂層を露光現像することにより所望のパターンを形成した後、該絶縁基板に形成されたパターン部分にセミアディティブ法によりセミアディティブ銅層を形成し、次

Vヽで該セミアディティブ銅層の上に Cuノジュールを形成し、該 Cuノジュールにかぶせメツキ層を形成して Cuノジュールを固着した後、該配線回路に第 1金属メツキ層を形成し、次いで感光性榭脂層を剥離して導電性金属薄層を露出させ、該導電性金属薄層の内、配線回路が形成されてヽなヽ部分の導電性金属薄層を溶解除去することを特徴としている。

[0019] 上記のようにして形成された配線回路には、さらに錫メツキなどにより第 2金属メツキ層を形成して配線回路を第 2金属メツキ層で覆うことが好ましい。

[0020] さらに、上記のようにして製造されたプリント配線基板を用いることにより導電性粒子を含有しない接着剤だけで異方性導電接着を行うことができる。すなわち、上記 Cuノジュール層に起因する凸部を表面に有する配線回路を有するプリント配線基板を、導電性粒子を含有しない接着剤を用いて接着することにより、凸部が電気的接合点として良好に作用して非常に信頼性の高い導電性接着を行うことができる。

[0021] このようにして形成された本発明のプリント配線基板は、配線回路の断面の上端部と下端部の幅が略同一であり、し力もこの配線回路は感光性榭脂の壁により横方向への成長が規制されることから絶縁基材に対して略垂直に形成される。さら〖ここの配線回路の線幅は、感光性榭脂を露光現像して形成された感光性榭脂の溝の幅と同一であるので、配線回路の線幅を感光性榭脂の露光現像限界まで細くすることができる。具体的には露光する光の波長まで細線ィ匕することができる。また、このようにして形成された配線回路の上端部は、 Cuノジュール層の表面状態と略同一の多数の凹凸が形成されており、この凸部を導電接着の際の電気的接続点として使用することができる。さらに、 Cuノジュールを形成する際に配線回路の側面は感光性榭脂からなる壁面で規制されるために Cuノジュールが配線回路の厚さ方向に成長し、配線回路の側面力横方向への成長は阻止される。さらにこの配線回路の Cuノジュール層の側壁に対して略垂直に且つ非常にシャープに立ち上がり、矩形の断面形状を有する。また Cuノジュールが横方向に成長しないので、 Cuノジュールによって短絡は形成されない。

発明の効果 [0022] 本発明のプリント配線基板の製造方法においては、下地層の表面に形成された感光性榭脂層を露光'現像して配線回路を形成する凹部を予め形成し、この凹部〖こ Cu ノジュール層などのメツキ層を積層してヽるので、 Cuノジュールが配線回路の厚さ方向に伸び、配線回路の横方向に対する Cuノジュールの成長は、感光性榭脂の壁面によりブロックされているので、隣接する配線回路間で短絡が生ずることがない。しかも、この配線回路を構成している Cuノジュール層の上面部は第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層）により覆われ、且つ形成された配線回路力配線回路の側面部が絶縁基板に対して垂直に形成された矩形あるいは略矩形の断面を有する。

[0023] し力もこのような矩形の配線回路では横方向にノジュールが成長することなく非常にシャープに立ち上がった形態を有しており、さらに細線ィヒが可能であるので、プリント配線基板表面に高い密度で配線回路を形成することができる。さらに、配線回路を構成する各メツキ層は電気メツキにより形成されるが、この電気メツキの際に必要な電力は絶縁基板の表面に積層された導電性金属薄層およびスパッタリング銅層を介して供給されるので、電気メツキの電力を供給するためだけの配線を絶縁基板の表面に形成する必要がなぐプリント配線基板の設計の自由度が高くなる。

[0024] また、本発明のプリント配線基板に形成されている配線回路の上面は、 Cuノジユール層を形成したことに起因する凹凸が形成されており、この配線回路にある凸部を利用することにより、導電性粒子を含有しない接着剤だけで導電接着を行うことができ、このようにして形成された接着部分に導電性粒子が含有されて!、な、ので、接着剤成分に流動性が発現するような過酷な環境にお!、ても、導電性接着の信頼性が低下することがない。

図面の簡単な説明

[0025] [図 1-1]図 1-1は、本発明のプリント配線基板の製造方法の各工程で製造される基板の断面の例を模式的に示す断面図である。

[図 1-2]図 1-2は、本発明のプリント配線基板の製造方法の各工程で製造される基板の断面の例を模式的に示す断面図である。

[図 2]図 2は、本発明のプリント配線基板の製造方法によって得られたプリント配線基板の一つの配線が LDC基板に接続された状態を模式的に示す断面図である。 [図 3]図 3は、配線回路の側面部を拡大して模式的に示す拡大断面図である。

[図 4]図 4は、従来のプリント配線基板を LCD基板に異方性導電接着剤を用いて接着した状態を示す断面図である。

符号の説明

1· · '最外層が金メッキ層（第 1金属メツキ層）である配線回路の断面を模式的に示した断面

2· · '最外層がスズメツキ層（第 2金属メツキ層）である配線回路の断面を模式的に示した断面

10···絶縁基材 (ポリイミドフィルム）

11···補強材

12···導電性金属薄層

13···下地層

14···銅スパッタリング層

15··，側壁

16···感光性榭脂層

17···凹部

18···フォトマスク

20…セミアディティブ銅層

21…側縁部

22···Οιノジュール層

24···かぶせメツキ層

26·· '第 1金属メツキ層（金メッキ層）

28 · · '第 2金属メツキ層（錫メツキ層）

0···異方性導電フィルム

1···導電性粒子

2·· '接着剤

5…接着剤

50·· -LCD 発明を実施するための最良の形態

[0027] 次の本発明のプリント配線基板およびその製造方法について図面を参照しながら具体的に説明する。

[0028] 図 1 1、図 1 2は、本発明のプリント配線基板を製造する方法の各工程における基板の断面の例を示す図である。

[0029] 図 1 (a)、 (b)に示すように、本発明のプリント配線基板の製造方法では、絶縁基材 10の少なくとも一方の表面に導電性金属薄層 12を形成する。ここで絶縁基材 10は、絶縁性榭脂からなる板、フィルム、シート、プリプレダなど、通常の絶縁基材として使用されているものであれば特に限定することなく使用することができる。ただし、本発明のプリント配線基板をリール toリール方式で連続的に製造するためには、この絶縁基材 10が可撓性を有していることが望ましぐまた、プリント配線基板を製造するェ程において、この絶縁基材 10は、酸性溶液あるいはアルカリ性溶液と接触することがあることから耐薬品性に優れていることが望ましぐさら〖こ、高温〖こ晒されることがあることから耐熱性に優れていることが望ましい。また、この絶縁基材 10を用いてメッキエ程により配線パターンを製造することから、水との接触により、変性あるいは変形しないものであることが望ましい。こうした観点から本発明で使用する絶縁基材 10としては、耐熱性の合成樹脂フィルムを使用することが好ましぐ特にポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフイルム、ポリエステル榭脂フィルム、フッ素榭脂フィルム、液晶榭脂フィルムなど、プリント配線基板の製造に通常使用されている榭脂フィルムを使用することが好ましぐこれらの中でも耐熱性、耐薬品性、耐水性などの特性に優れるポリイミドフィルムが特に好ましい。

[0030] また、本発明にお、て絶縁基材 10は上記のようなフィルム状である必要性はなぐ例えば繊維状物とエポキシ榭脂などの複合体力なる板状の絶縁基材であっても良い。

[0031] 本発明において絶縁基材 10としてフィルム状の絶縁基材を使用する場合には、絶縁フィルムの厚さは通常は5〜100 111、好ましくは 5〜70 /ζ πιの範囲内にある。この絶縁基材 10として用いられるおよそ 20 mに満たない厚さの榭脂フィルムは、単独で取り扱うのが困難であることが多ぐこのような絶縁基材 10を使用する場合には図 1 (a)に一点鎖線で示すように、裏面に補強用の補強材 11が配置されていてもよい。また、絶縁基板の厚さに拘りなく補強材 11で裏打ちした絶縁基板を用いることもできる。このような補強材 11は、配線回路を形成後剥離されることから、補強材 11の接着剤層の表面に剥離層が形成されていてもよぐこのような剥離層としてはシリコーン榭脂層などが形成されていても良い。このように剥離層として形成されたシリコーン榭脂層などは補強材 11を剥離すると、絶縁基材 10の裏面に転写されて残存することがあり、このようにしてシリコーン榭脂などカゝらなる離型層は、高い耐熱性を有することから、絶縁基材 10の裏面側に離型層が転写されることにより、ボンディングツールが汚染されるのを防止することができる。なお、図 1 (a)では補強材 11は一点鎖線で示されているが、図 1 (b)以降ではこの補強材 11の記載は省略する。

[0032] 本発明では上記のような絶縁基材 10には、必要によりスプロケットホール、デバイスホール、折り曲げ用スリット、位置決め孔など必要な貫通孔を形成することができる。これらの貫通孔はパンチング法、レーザー穿設法などによって形成することができる

[0033] 本発明では、絶縁基材 10の少なくとも一方の面に導電性金属薄層 12を形成する。

この導電性金属薄層 12は、この導電性金属薄層 12の表面に電気メツキにより金属層を積層する際の電極になる層であり、通常は、ニッケル、クロム、銅、鉄、ニッケル- クロム合金、 M-Zn、 Ni-Cr-Znなどの金属あるいはこれらの金属を含む合金で形成することができる。このような導電性金属薄層 12は、絶縁基材 10の表面に上記のような導電性金属が析出する方法であればその形成法に特に制限はないが、スパッタリングにより形成するのが有利である。スパッタリングにより導電性金属薄層 12を形成することにより、スパッタされる金属あるいは合金が絶縁基材 10の表面に喰い付き、絶縁基材 10とスパッタリングされた導電性金属薄層 12とが強固に接合する。従って、本発明のプリント配線基板を製造するに際しては絶縁基材 10と導電性金属薄層 12 との間に接着剤層を設ける必要はない。

[0034] 本発明にお、て、導電性金属薄層 12は、ニッケル-クロム合金を用いて形成すること力 S好ましく、このようなニッケル-クロム合金を用いる場合、クロム含量を通常は 5〜5 0重量％、好ましくは 10〜30重量％の範囲内に設定する。このようなクロム含量の- ッケルークロム合金を用いて形成された下地層は、耐マイグレーション性に優れ、かつエッチング特性もよくシャープな配線回路を形成することができる。

[0035] 図 1 (a)には、絶縁基材 10が示されており、図 1 (b)には、この絶縁基材 10の一方の表面に導電性金属薄層 12が形成された状態が示されている。ここで、導電性金属薄層 12の平均厚さは通常は 10〜： L000A、好ましくは 50〜50Aの範囲内にある。この導電性金属薄層 12は、この導電性金属薄層 12に層を重ねる際の下地層 13となると共にメツキ電力を供給する層であり、他の層を積層する際のメツキ電力を供給できるだけの厚さを有していればよぐさらに上記のような厚さにすることにより配線回路を形成した後の除去が容易になる。

[0036] 上記のようにして導電性金属薄層 12を形成した後、図 1 (c)に示すように、この導電性金属薄層 12の表面に薄い銅層を形成することが好ましい。本発明ではこの薄銅層を、銅をスパッタリングすることにより形成した銅スパッタリング層 14とすることが好ま、。上記の導電性金属薄層 12と銅スパッタリング層 14とを併せて下地層 13となる（以下、本発明では下地層 13は、導電性金属薄層 12と銅スパッタリング層 14とを含むものとする。 ) oただし、この銅スパッタリング層 14は、スパッタリングに限らず、真空蒸着法、無電解メツキ層など種々の方法で形成することが可能である力スパッタリングにより形成された銅スパッタリング層 14は層間の接合力が良好で強度の高い銅金属回路を形成することができる。この銅スパッタリング層 14は、銅を主成分とする層である力この層の特性が損なわれない範囲内で銅以外の金属が含有されていても良い。この銅スパッタリング層の平均厚さは、通常は 0. 01〜5 111、好ましくは0. 1 〜3 mの範囲内にある。このような平均厚さで銅スパッタリング層 14を形成することにより、この銅スパッタリング層 14の表面に形成されるセミアディティブ法により形成される銅層との親和性が向上する。

[0037] 上記のようにして銅スパッタリング層 14を形成した後、そのまま次の工程に移行させることもできる力銅スパッタリング層 14の表面には酸ィ匕膜などが形成されていることがあるので、硫酸、塩酸などの強酸で銅スパッタリング層 14の表面を短時間酸洗した後、次の工程に移行させることが望ましい。

[0038] 本発明では、銅スパッタリング層 14を形成した後、図 1 (d)に示されるように、この銅スパッタリング層 14の表面の全面に液状感光性榭脂を塗布して感光性榭脂層 16を形成する。この感光性榭脂層 16を形成する榭脂は、光を照射した部分が硬化して現像液で溶解しな、タイプと、光を照射した部分が現像液で溶解するタイプとがあるが、本発明ではいずれのタイプの感光性榭脂を使用することもできる。またドライフィルム等のフィルム状感光性レジストをラミネートして使用してもよい。本発明では、薄い絶縁基板を使用してヽるので液状感光性榭脂で層 16を形成することが好まヽ。このような液体の感光性榭脂の粘度は、塗布温度において通常は 2〜50cps、好ましくは 5〜30cpsの範囲内にある。

[0039] ここで塗布される感光性榭脂は、形成しょうとする配線パターンの高さと略同一の厚さにすることが好ましぐ例えば、感光性榭脂の塗布厚は、 5〜20 m、好ましくは 2 〜15 /ζ πιであり、図 1 (g) (f)において製造しょうとしているスパッタリング銅層 20の厚さおよび Cuノジュール層 22の厚さの合計 5〜20 μ m、好ましくは 2〜 15 μ mと略同一である。図 1には、感光性榭脂の塗布厚は 9 mであり、セミアディティブ銅層 20の厚さ 2. 5 mと Cuノジュール層 22の厚さ 6. 5 mとの合計の厚さが 9 mである配線回路が形成されたプリント配線基板の断面の例が示されており、このプリント配線基板を製造する際の感光性榭脂の塗布厚は 9 μ mであり、両者が同一である態様が示されている。

[0040] 感光性榭脂の塗布方法に特に制限はなくロールコーター、スピンコーター、ドクタ一ブレードなどの公知の塗布装置を用いることができる。

[0041] 上記のようにして感光性榭脂を塗布して後、この感光性榭脂からなる感光性榭脂層 16を乾燥させるために通常は 80〜： LOO°Cに加熱された加熱炉に 1〜2分間保持して感光性榭脂を加熱固化させる。

[0042] こうして加熱炉で加熱固化された感光性榭脂層 16の表面に、図 1 (e)に示すように、所望のパターンが形成されたフォトマスク 18を配置してフォトマスク 18の上から光を照射して感光性榭脂層 16を感光させ、次いで現像することにより、配線回路を形成する部分の感光性榭脂が除去されて凹部 17が形成される。図 1 (f)に示すように、こうして形成された凹部 17の底部には、上記図 1の（c)で形成したスパッタリング銅層 1 4が露出している。すなわち、図 1 (f)には、露光した部分の感光性榭脂層 16がアルカリ現像液で溶出されて、この凹部 17の底部に銅スパッタリング層 14が露出した状態の基板が示されている。なお、感光性榭脂層 16の露光に際して、配線回路の電気抵抗値を調整するために、露光条件を変えて配線回路の幅を調整することもできる。

[0043] このようにして感光性榭脂層 16を露光現像することにより感光性榭脂が除去された部分に銅スパッタリング層 14を露出させた後、この基板を電気銅メツキ浴に移して導電性金属薄層 12を一方の電極としてメツキ浴に設けられた他方の電極との間にメッキ電圧を印加して、銅スパッタリング層 14の表面にセミアディティブ銅層 20を形成する。このようなセミアディティブ層 20を設けることにより形成される導電抵抗をより均一に保つことができる。

[0044] このセミアディティブ銅層 20を形成するために使用するメツキ液中における銅濃度は、通常は 10〜29gZリットル、好ましくは 13〜17gZリットルである。また、セミアディティブ銅層 20を形成する際の電流密度は、通常は l〜5AZdm².、好ましくは 1. 5 〜4A/dm².であり、メツキ液温度は通常は 18〜25°C、好ましくは 20〜25°Cの範囲内に設定される。

[0045] このようなメツキ条件で通常は 8〜12分間、好ましくは 9〜： L 1分間電気メツキを行うことにより、厚さ 2〜5 μ m、好ましくは 2. 5〜4. 5 μ mの厚さのセミアディティブ銅層 2 0を形成することができる。このようにして形成されるセミアディティブ銅層 20は、図 1 ( g)に示されるように、両側壁が感光性榭脂層 16の側壁 15で規制されているので、セミアディティブ銅層 20が横方向に広がることはな、。

[0046] 次いで、上記のようにして形成されたセミアディティブ銅層 20の表面に、図 1 (h)に示すように、 Cuノジュール層 22を形成する。 Cuノジュールは、通常よりも低い硫酸銅メツキ液に例えばアルファナフトキノンのようなノジュール形成用の添加剤を加えた銅メツキ液を用いて非常に高い電流密度で数秒間 Cuメツキを行うことにより形成することができる。このようにして形成された個々の Cuノジュールの高さは、 2〜10数/ z mであり、このような高さのノジュールが多数重なり合うように形成されて Cuノジュール層 2 2が形成される。こうして Cuノジュールを形成される個々の Cuノジュールの高さは、例えば配線回路が 100 mピッチ程度である場合には 10〜15 m、好ましくは 12〜1 4 μ m程度であり、また例えば配線回路が 50 μ mピッチ以下である場合には 6 μ m以下、好ましくは 2〜6 /z m、特に好ましくは 3〜5 /z m程度となるように、配線回路のピッチにあわせて Cuノジュール高さを調整する。 Cuノジュールは、電気メツキ条件を変えて析出銅が榭枝状に成長することにより形成される Cuの結晶構造であり、 Cuノジュール層 22は樹枝状に成長した多数の Cu結晶からなり、この Cuノジュール層 22には榭枝状 Cu結晶間に相当の空隙が形成される。

[0047] こうして形成される Cuノジュール層 22はその上端部が感光性榭脂層 16の上端部とほぼ一致する高さになるようにノジュールを成長させることにより形成される。

[0048] このように Cuノジュール層 22を形成するためのメツキ液中における銅濃度は、通常は 6〜： LOgZリットル、好ましくは 7〜9g/リットルである。また、 Cuノジュール層 22を形成する際の電流密度は、通常は 25〜150A/dm².、好ましくは 15〜： LOOA/dm². であり、メツキ液温度は通常は 18〜25°C、好ましくは 20〜23°Cの範囲内に設定される。また、このような Cuノジュールを形成しやすくするために上記のような銅濃度のメツキ液に例えばアルファナフトキノリンなどの Cuをノジュール状に形成するための添加剤を配合することが好まし、。

[0049] このようにして Cuノジュール層を形成するに際しては、通常は 1〜15秒間、好ましくは 2〜10秒間電気メツキを行うことにより、層の厚さが 3〜30 μ m、好ましくは 5〜20 μ mの Cuノジュール層 22を形成することができる。

[0050] このようにして形成されたノジュールは粘着テープを貼着して、この粘着テープを弓 I き剥がすと剥離してしまう程度の強度で付着して、るだけなので、この Cuノジュール層 22を固着するために、図 l (i)に示すように、かぶせメツキ層 24を形成する。かぶせメツキ層 24は、通常使用されている硫酸銅メツキ液を用いて通常は l〜5AZdm². 、好ましくは 2〜4AZdm².の電流密度で電気銅メツキを行うことにより形成することができる。図 l (i)に示すように、このようにかぶせメツキ層 24を形成することにより Cuノジユール層 22を固定することができ、粘着フィルムを貼着して引き剥がした程度ではメツキ層が剥離しなくなる。

[0051] このようなかぶせメツキ層 24を形成するメツキ液中における銅濃度は、通常は 10〜

20gZリットル、好ましくは 13〜17gZリットルである。また、かぶせメツキ 24を形成する際の電流密度は、通常は l〜5AZdm².、好ましくは 1. 5〜4AZdm².であり、メツキ液温度は通常は 18〜25°C、好ましくは 20〜23°Cの範囲内に設定される。

[0052] また、このかぶせメツキ層は、例えばスルファミン酸ニッケルなどを含有するニッケルメツキ浴などを用 V、ることにより、銅以外の金属で形成することもできる。

[0053] かぶせメツキの厚さは Cuノジュール層の高さが 12 m以上の場合にはノジュール高さの 1Z2以上、ノジュールの高さが 6 mを超え 12 mに満たない場合には、ノジユールの高さの 1Z3〜1Z4、ノジュール高さが 6 μ m以下の場合にはノジュール高さの 1Z6程度以下にすることが好ましい。図 l (i)には、 3〜5 m厚のかぶせメツキ層 24が形成された態様が示されている。図 1 (i)においては、本発明の方法により製造されるプリント配線基板の層構造を示すために、かぶせメツキ層 24の状態を簡略化して単一の厚さを有する層として表している力このかぶせメツキ層 24の下地となる Cuノジュール層 22の上部表面は多数の樹枝状の Cuノジュールが形成されていることから平坦な面ではなぐ図 2、図 3に付け番 22で示すように、多数の榭枝状の Cu 結晶（Cuノジュール）が突出して凹凸が形成された面であり、このような多数の Cuノジュール突起が形成された Cuノジュール層 22の表面にかぶせメツキを行うと、形成されるかぶせメツキ層 24は、図 2、図 3に付け番 24で示すように、 Cuノジュール層 22 の表面の凹凸状態に追随して、 Cuノジュール層 22の表面の凹凸状態を反映してそのかぶせメツキ層 24の表面も同等の表面状態になる。

[0054] かぶせメツキ層を形成するためには、上記のようなメツキ条件で通常は 3〜10分間、好ましくは 4〜8分間電気メツキを行うことにより、良好なかぶせメツキ層 24を形成することがでさる。

[0055] このようにしてかぶせメツキ 24を形成した段階では図 1 (i)に示すように、配線回路の側面は感光性榭脂層の側壁 15で規制されており、ノジュールはこの感光性榭脂層の側壁内に侵入することはないので、 Cuノジュールは専ら配線回路の上方に成長し、この Cuノジュールメツキ層 22の上面にかぶせメツキ層 24が形成される。

[0056] 感光性榭脂層 16の側壁 15によって幅が規制される Cuノジュールメツキ層 22の感光性榭脂層 16の当接面は感光性榭脂層 16の側壁 15によって規制されてはいるが、 Cuノジュール層 22の側壁に当接するように多数の Cuノジュールが形成されており、前述のようにこの Cuノジュール間には多数の空隙が形成されていることから、この空隙にかぶせメツキを形成するメツキ液が侵入して感光性榭脂層 16の側壁 15方向に榭枝状に成長した Cuノジュールの表面にもかぶせメツキ層 24が形成される。しかしながら Cuノジュール層 22は感光性榭脂層 16の側壁 15によって幅方向の成長が規制されており、幅方向にかぶせメツキ層を成長させるのに充分な間隙も存在しないこと力ら、 Cuノジュール層 22を形成する各ノジュールの表面に薄いかぶせメツキ層が形成されるにとどまる。なお、後述の第 1金属メツキ層として金メッキ層を厚く形成する場合には金メッキ層をかぶせメツキ層と同様に作用させることができるので、上記のかぶせメツキ層の形成を省略することができる。

[0057] 本発明ではこのようにして Cuノジュール層 22を形成し、さらにかぶせメツキ層 24を形成した後、感光性榭脂層 16を除去することなぐ第 1金属メツキ層を形成する。この第 1金属メツキ層を、例えば、金メッキ層、錫メツキ層、ニッケルメツキ層、銀メツキ層、パラジウムメツキ層、ハンダメツキ層および鉛フリーハンダメツキ層などの金属メツキ層、または、これらの金属メツキ層形成金属に他の金属が含有された金属合金メッキ層とすることができる。

[0058] 特に本発明では第 1金属メツキ層が金メッキ層であることが好ましい。

[0059] 第 1金属メツキ層が金メッキ層である場合、上記のようにして、かぶせメツキ層を形成した後、基板を金メッキ浴に浸漬して金メッキを行うとかぶせメツキ層の上面に金メッキ層が形成される。

[0060] 従来の銅箔をエッチングして配線基板を製造する方法では、銅箔の上面からエツチングが進むために、形成された配線の上端部の断面幅が下端部の断面幅よりも小さくなるのが一般的であり、この配線回路の上端部の断面幅 (A)と下端部の断面幅 (B )との差 (B— A)の 1Z2と、配線高さ（H)との比（すなわち E1H2HZ (B― A) })をエツチングフアクターとして表しており、このエッチングファクターが大きいほど、エッチング液の性能がょ、とされて、る。現在使用されて!、るエッチング液で上記のエッチングファクターが 5〜： LO以上になるような優れたエッチング液はなぐ配線回路の上端部はエッチング液との接触時間が長くなることから、上端部の断面幅は下端部の断面幅よりも狭くなつてしまう。

[0061] し力しながら、本発明のプリント配線基板の製造方法では、上記のような配線回路を導電性金属箔のエッチングによって形成して、な、ために、従来のプリント配線基板のようにエッチングファクターという概念が存在しない。すなわち、本発明では絶縁基材の表面に形成した導電性の金属層の全面に感光性榭脂を用いて感光性榭脂層 16を形成し、この感光性榭脂層を露光 *現像して配線回路を形成するための凹部 17を形成し、この凹部 17にセミアディティブ銅層 20、 Cuノジュール層 22を積層し、さらにかぶせメツキ層 24を積層した配線回路の表面を第 1金属メツキ層（好適には金メツキ層 26)で被覆した後に、感光性榭脂層 16を撤去して絶縁基材表面に露出した導電性の金属層を除去してそれぞれの配線回路を電気的に独立させているので、導電性金属箔を選択的なエッチングにより配線回路とするエッチング工程が存在しない。しカゝも形成される配線回路は、感光性榭脂層 16を露光 ·現像することによって形成された凹部 17の内部に金属を析出して配線回路としており、配線回路の断面の両側面は、感光性榭脂層 16の側壁によって絶縁基材 10の表面に対して垂直に規制されている。したがって、本発明のプリント配線基板の製造方法により形成される配線回路は、断面形状が矩形、略矩形あるいは逆台形に形成されている。

[0062] 本発明において、上記のような第 1金属メツキ層 26である金メッキ層は、単一の金メツキ処理により形成することもできる力この工程を二つに分けて、最初に金ストライクメツキにより金メッキ層を形成することが好ましい。金ストライクメツキによれば、金メッキされる素材を活性ィ匕すると同時に密着性の高い金メッキ層を形成することができる。し力も、この金ストライクメツキ処理により形成された金メッキ層は、この後の工程で形成されるメツキ層と非常に高い密着性を示す。

[0063] 上記のようにして例えば金ストライクメツキにより金メッキ層 26を形成するメツキ液中における金濃度は、通常は 0. 5〜4gZリットル、好ましくは 0. 8〜3gZリットルである。また、金ストライクメツキにより金メッキ層を形成する際の電流密度は、通常は 0. 1〜 7 A/dm².,好ましくは 0. 5〜6AZdm².であり、メツキ液温度は通常は 40〜60°C、好ましくは 45〜55°Cの範囲内に設定される。このようなメツキ条件で通常は 3〜30秒間、好ましくは 5〜20秒間電気メツキを行うことにより、良好な金ストライクメツキ層を形成することができる。このようにして金ストライクメツキを行うことにより形成される金メッキ層の厚さは、通常は 0. 001〜0. 2 m、好ましくは 0. 005〜0. 1 mである。 [0064] 本発明のプリント配線基板の製造方法では、上記のようにして金ストライクメツキにより金メッキ層を形成すればよいが、上記のようにして金ストライクメツキを行った後、さらに通常の金メッキを行い、金ストライクメツキ層の上に通常の金メッキ層を積層することもできる。この金ストライクメツキの後に行われる金メッキのメツキ液中における金濃度は、通常は 6〜12gZリットル、好ましくは 7〜10gZリットルである。また、上記のようにして金メッキ層を形成する際の電流密度は、通常は 0. 1〜： LAZdm²、好ましくは 0 . 2〜0. 6AZdm².であり、メツキ液温度は通常は 55〜75°C、好ましくは 60〜70°Cの範囲内に設定される。このようなメツキ条件で通常は 1〜3分間、好ましくは 1. 5〜2. 5分間電気メツキを行うことにより、第 1金属メツキ層として良好な金メッキ層を形成することができる。このようにして金メッキを行うことにより形成される金メッキ層などの第 1 金属メツキ層の厚さは、通常は 0. 1〜0. 、好ましくは 0. 3〜0. であり、前述の金ストライクメツキにより形成された金ストライクメツキ層と併せて配線回路上面における金メッキ層の厚さは通常は 0. 35〜0. 55 /z m、好ましくは 0. 4〜0. 5 mである。

[0065] 上記の説明は、第 1金属メツキ層 26が金メッキ層である場合について説明したが、本発明では第 1金属メツキ層 26を金以外の金属で形成することもできる。すなわち、本発明では、第 1金属メツキ層 26が、錫メツキ層、ニッケルメツキ層、銀メツキ層、パラジゥムメツキ層、ハンダメツキ層および鉛フリーハンダメツキ層などの金以外の金属を含有するメツキ層とすることもでき、さらにこれらの金属と他の金属とを含有する金属合金メッキ層とすることができる。

[0066] 上記のようにして第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層） 26を形成した基板の断面は、図 1 (j)に示すようになる。すなわち、絶縁基材 10の表面全面に導電性金属薄層 12および銅スパッタリング層 14がこの順序で積層されており、銅スパッタリング層 14 の表面には感光性榭脂層 16が形成されると共に、感光性榭脂層 16が積層されていない銅スパッタリング層 14の上にはセミアディティブ銅層 20が形成され、さらにこのセミアディティブ銅層 20の上には Cuノジュール層 22が形成されている。この Cuノジユール層は、上面部が、感光性榭脂層 16の上面部と略同一面になるような厚さを有している。さらに、 Cuノジュール層 20の上面および側面にはかぶせメツキ層 24が形成されており、さらにこのかぶせメツキ層 24の表面を覆うように第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層） 26が形成されている。感光性榭脂層 16の上面よりも上に形成されているかぶせメツキ層 24は、感光性榭脂層 16を露光 ·現像することにより形成される凹部 1 7の幅と同等である力、感光性榭脂層 16の側壁面による規制がないので、凹部 17の幅よりも若干幅広に形成されることがある。さらにこのかぶせメツキ層 24を覆うように形成される第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層） 26は、凹部 17の幅よりも若干幅広になる。

[0067] し力しながら、感光性榭脂層 16の側壁面で線幅が規制されるセミアディティブ銅層 20の幅は、凹部 17と同じ幅であり、さらにこのセミアディティブ銅層 20の上に積層される Cuノジュール層 22の幅は、 Cuノジュール層 22とこの Cuノジュール層 22の両側面のメツキ層を併せた合計幅が凹部 17と同じ幅になる。

[0068] 上記のようにして第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層） 26を形成した後、感光性榭脂層 16を除去する。この感光性榭脂層 16の除去には、アルカリ洗浄液、有機溶媒などを使用することができるが、アルカリ洗浄液を用いて感光性榭脂層 16を除去することが好ま Uヽ。アルカリ洗浄液は本発明のプリント配線基板を構成する素材に悪影響を及ぼさず、また有機溶媒の蒸散などによる環境汚染も生じなヽ。

[0069] 本発明においては、この上記のようにして感光性榭脂層 16を除去した後の基板の断面を図 l (k)に示す。

[0070] 図 1 (k)に示すように感光性榭脂層 16を除去すると、この感光性榭脂層 16を除去した部分にはスパッタリング銅層 14およびその下にある導電性金属薄層 12からなる下地層 13が露出する。この導電性金属薄層 12およびスパッタリング銅層 14からなる下地層 13は電気導電性を有して!/ヽるので、この導電性金属薄層 12およびスパッタリング銅層 14からなる下地層 13を除去しなければ形成した回路を独立した配線回路として使用することはできない。

[0071] こうして感光性榭脂層 16が除去された部分の表面には、スパッタリング銅層 14が露出する。

[0072] こうして露出したスパッタリング銅層 14を銅を溶解可能なエッチング液、特に形成された配線回路に悪影響を及ぼさないソフトエッチング液を用いて溶解除去することが好ま、。ここでスパッタリング銅層 14の除去に好適に使用できるソフトエッチング液としては、例えば 130〜200gZリットルの K S 0が溶解されたソフトエッチング液を用

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いることができる。このようなソフトエッチング液を用いて、 20〜40°Cの温度、好ましくは室温付近〔通常は 25°C ± 5°C付近〕で 10秒〜 5分間、好ましくは 30秒〜 3分間程度ソフトエッチング処理することによりスパッタリング銅層 14をほぼ完全に除去することがでさる。

[0073] こうしてスパッタリング銅層 14を溶解除去することにより、スパッタリング銅層 14の下にある導電性金属薄層 12が露出する。

[0074] この配線回路間の絶縁基材 10の表面に形成されている導電性金属薄層 12は、例えば Ni— Crから形成されており、このような導電性金属層 12を、鉱酸を含有する水溶液と接触させることにより除去することができる。特に本発明では、塩酸水溶液と、硫酸'塩酸混合水溶液とを繰返し使用することが好ましい。ここで使用する塩酸水溶液としては、塩酸濃度が 3〜20重量％、好ましくは 5〜 15重量％の塩酸水溶液を用いることができる。また、硫酸'塩酸昆混合水溶液としては、硫酸濃度が通常は 10〜 17重量％、好ましくは 12〜15重量％、塩酸濃度が通常は 10〜17重量％、好ましくは 12〜 15重量％である混合水溶液を用ヽることができる。導電性金属薄層 12を除去するために、上記のような塩酸水溶液を用いた処理と、硫酸 ·塩酸混合水溶液を用いた処理とを組み合わせて、それぞれ 1〜5回、好ましくは 2〜4回行うことにより、配線回路 1が形成されて、な、絶縁基板 10表面に露出した導電性金属薄層 12をほぼ完全に除去することができる。なお、上記の酸水溶液による処理は、一回の処理時間を 1〜30秒間、好ましくは 5〜30秒間に設定して行うことができる。このようにして処理することにより配線回路 1が形成されていない絶縁基板 10表面の導電性金属薄層 12はほぼ完全に除去することができる力配線回路 1には第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層）が形成されているために、上記のような酸水溶液との接触によってもほとんど影響を受けることない。

[0075] 上記のようにして導電性金属薄層 12を除去する処理を行った後、このプリント配線基板を水洗してそのまま使用することもできるが、導電性金属薄層 12は、前述のようにスパッタリングにより形成したことから、絶縁基板の表面に Niあるいは Crなど金属が残存していることがあり、このような残存金属を不働態化することが好ましい。この不働態化処理には、本発明ではアルカリ性に調整した過マンガン酸塩のような酸ィ匕性物質を含有する水溶液を用いることが好ましい。ここで使用する処理液としては、 Na MnOおよび Zまたは KMnOと、 NaOHおよび Zまたは KOHを含有する水溶液を用

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いることが好ましい。この処理液中における NaMnOおよび Zまたは KMnOの濃度は

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、通常は 40〜65gZリットノレ、好ましくは 45〜60gZリットノレであり、 NaOHおよび Zまたは KOHの濃度は、通常は 20〜60gZリットル、好ましくは 30〜50gZリットルである。このような酸化性水溶液を用いた処理条件は、通常は水溶液の温度を 20〜80 °Cに調整し、処理時間は 5〜 180秒間である。このようにして処理することにより、極微量の導電性金属が残留したとしてもこれらの残留金属によってプリント配線基板の特性が変動することがない。

[0076] 上記のようにして処理した後、シユウ酸のような還元性の有機酸を含有することにより、基板表面に残存することもあるマンガンを完全に除去することができる。このときに好適に使用されるシユウ酸水溶液中のシユウ酸 (シユウ酸二水物)濃度は、通常は 5 〜90gZリットル、好ましくは 20〜70gZリットルである。

[0077] こうしてシユウ酸水溶液で処理した後、水洗することにより図 1 (m)に示されるような層構成を有する配線回路が形成されたプリント配線基板を得ることができる。

[0078] 図 1 (m)に示すようにこうして形成された配線回路の表面は第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層）である。

[0079] 本発明では、上記のような金メッキ層のような第 1金属メツキ層が形成された配線回路の表面に、第 1金属メツキ層 26を形成する金属以外の金属により第 2金属メツキ層 28を形成することができる。

[0080] すなわち、プリント配線基板はその使用形態によって、表面層がスズメツキ層、あるいは、ハンダメツキ層、鉛フリーハンダメツキ層などの表面層を形成することが必要になる場合がある。例えば図 1 (n)には、第 1金属メツキ層である金メッキ層 26が形成された表面にさらに第 2金属メツキ層としてスズメツキ層 28が形成された配線回路 2を有するプリント配線基板が示されてヽる。

[0081] 例えば、このプリント配線基板に実装される電子部品の端子が金バンプである場合には、配線回路の表面をスズメツキ層とすることが好ましぐさらに、プリント配線基板の使用形態によっては、その表面にハンダメツキ層、鉛フリーハンダメツキ層、 -ッケルメツキ層など第 1金属メツキ層 26とは異なる金属力形成された第 2金属メツキ層とすることができる。このような第 2金属メツキ層 28は、第 1金属メツキ層を形成する金属とは異なる金属力も形成することができ、例えば、錫メツキ層、ニッケルメツキ層、銀メツキ層、ノラジウムメツキ層、ハンダメツキ層および鉛フリーハンダメツキ層などの金属メツキ層あるいは金属合金メッキ層とすることができる。また、第 1金属メツキ層 26が金メツキ層でない場合には、第 2金属メツキ層を金メッキ層とすることもできる。このような第 2金属メツキ層 28は、通常のメツキ法により形成することができ、例えば、上記のようなスズメツキ層は、無電解スズメツキ液を用いて無電解メツキをすることにより形成することができる。

[0082] なお、上記のようにして配線回路が形成されたプリント配線基板の表面に、接続端子となるリードが露出するようにソルダーレジスト層を形成することができる。このようにソルダーレジスト層を形成する場合には、第 2金属層として、例えばスズメツキ層を形成した後ソルダーレジスト層を形成することもできるし、メツキ層を形成する前にソルダ一レジスト層を形成し、ソルダーレジスト層から露出するリード部分にスズメツキ層を形成することちでさる。

[0083] なお、本発明のプリント配線基板を製造する際には、例えば第 1金属メツキ層を形成した後、あるいは第 2金属メツキ層を形成した後、例えば 100°C以上の温度でァ- ール処理を行うことができる。このようなァニール処理を行うことにより、金属メツキ層を形成する金属と、被メツキ層金属とが相互に拡散することがある。従って、実際に製造されたプリント配線基板に形成されている配線回路を構成する金属メツキ層の組成が、この層を形成する際に用いた金属と組成が異なることがある。例えば、銅層とスズ層とを積層した場合、アニーリング処理により、銅層中にはスズが拡散すると共にスズ層には銅が拡散した相互拡散層を形成することがある。このような金属の相互拡散が生ずることは知られており、本発明のプリント配線基板の配線回路を構成する各金属層には、上記のような相互拡散層が形成されている場合があるが、本発明のプリント配線基板には、形成されてヽる金属層に上記のように拡散層が形成されて！ヽてもよヽ。 [0084] このようにして形成されたプリント配線基板は通常のプリント配線基板と同様に使用することができるが、本発明の方法で製造したプリント配線基板の配線回路の表面には、図 2に示すように、 Cuノジュール層を形成したことに起因した凹凸が形成される。この凹凸を利用することにより、導電性粒子を含有する異方性導電接着剤を使用せずに、接着剤だけを用いて加圧方向に選択的に導電性を確立した導電接着を行うことがでさる。

[0085] 図 2は、 LCDの端子に本発明の方法で製造したプリント配線基板を接着したときの配線回路の断面の状態を示す断面図である。

[0086] 図 2に示されるように、スパッタリング銅層 20の上に Cuノジュール層 22を形成することにより、この Cuノジュール層 22の表面は、ノジュールによる凹凸が形成される。この Cuノジュール層 22の表面の凹凸は、その後に行われるかぶせメツキ、金メッキなどの第 1金属メツキ層を形成する工程、さらに無電解スズメツキなどの第 2金属メツキ層を形成する工程によっても損なわれることがない。このようにして形成された凸部 46を LCDの基板に対する接続点として使用する。

[0087] すなわち、本発明の方法で製造したプリント配線基板と LCDとの間に接着剤 45を介在させて上下方向から加熱圧着することにより、配線回路の表面に形成された金メツキ層 26の凸部 46が LCDの基板に圧接されてこの凸部 46の頂部によって LCDとプリント配線基板とが電気的に接続される。他方、加圧方向に対して横方向には接着剤 45が存在するだけなので、横方向の絶縁性は確保される。ここで使用される接着剤 45としては、従来カゝら異方性導電接着剤に使用されていたエポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリアミド系接着剤などの接着性成分を使用することができる。このように本発明の方法で製造されたプリント配線基板を用いることにより、配線回路の表面に形成された凸部 46を電気的な接続点として使用するので、異方性導電接着の際に導電性粒子をする必要がなぐ接着剤中には接着性の成分だけが含有されており、使用環境の変化などによりこの接着剤が流動したとしても、加圧方向の電気導電性および加圧方向に対する横方向の絶縁性が変動することがない。

[0088] 上記のように本発明の方法で製造されたプリント配線基板の表面には、 Cuノジユール層を形成したことによる凹凸が形成されており、この凹凸を利用して電子部品などと接続させることも可能である。

[0089] また、本発明の方法で製造されたプリント配線基板に形成される配線回路の側面部 21は、図 2および図 3に示すように、絶縁基板 10に対して垂直に形成されている。ただし、感光性榭脂層 16が形成されていた部分より上（図 2、図 3では感光性榭脂層 16の上端部位置を A— A線で示されている）に形成されるかぶせメツキ層 24および第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層） 26は、感光性榭脂層 16を露光'現像することにより形成される凹部 17の幅よりも若干広くなる傾向があるが、その幅の広がりは僅かである。

[0090] このように本発明の方法で製造されたプリント配線基板に形成される配線回路は、基板に対して略直角に形成されており、配線回路の上端部と下端部とが実質的に同一幅である。また、この配線回路 1は、上面に第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層）が形成され、横方向の Cuノジュールの成長は抑制されていることから、横方向の絶縁状態を阻害するものが存在せず、配線回路間の絶縁性は長期間安定な状態が保たれる。また、本発明の方法では、感光性榭脂層を予め感光 ·露光することにより、予め配線回路の形成位置を感光性榭脂層に形成しており、この配線回路の形成位置は、理論的に露光に使用される光の波長と同等にすることができる。さらに形成された配線回路の幅方向には絶縁性を阻害する要因がないので、非常に細線ィ匕された配線回路を高密度で形成することができる。

[0091] 〔実施例〕

次に本発明の実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではな、。

実施例 1

[0092] 厚さ 35 μ mのポリイミドフィルムの前処理側表面に Ni—Cr (20重量⁰ /₀)を 250Aの厚さでスパッタリングして基材金属層を形成した。さらにこの基材金属層の表面に銅を 0. 5 mの厚さでスパッタリングして銅スパッタリング層を形成した。次に厚さ 50 mのポリエチレンテレフタレート（PET)フィルムを補強フィルムとして貼り合わせた。こうして得られた基材テープを 35mmの幅にスリットして、サンプル作製用基材テープを得た。

[0093] この基材テープを硫酸で酸洗、し、続、てこの基材テープの銅スパッタリング層の表面にポジ型液体フォトレジスト（ロームアンドハース社製、ポリ型液体フォトレジスト F R200、粘度 18cps)を 9 μ mの厚さにロールコートで塗布してトンネル炉内で乾燥させた。

[0094] 次!、で 15mmの長さのラインがそれぞれ 16本並んだ 50 μ mピッチ、 70 μ mピッチおよび 100 μ mピッチ出力アウターリード試験パターンを描画したガラスフォトマスクを配置した露光装置 (ゥシォ電機 (株)製)を用いて、 360miZcm²で紫外線露光した

[0095] さらに、 7%KOH溶液で 80秒間現像して露光部分を溶解して各ピッチを有する 9 m厚のフォトレジストパターンを形成した。

[0096] こうして感光性榭脂によるパターンが形成された基材テープに硫酸銅メツキ添加剤

(ロームアンドハース社製、力バーグリーム ST-901)を添カ卩した銅メツキ液を用いて温度 25°C、電流密度 4AZdm²の条件で 3分間攪拌しながら高さ 2. 5 _iu mのCuメッキを行って Cuセミアディティブ層を形成した。

[0097] 続、て、温度 25°C、電流密度 50AZdm²の条件で 10秒間激しく攪拌しながら高さ 7

〜9 ^ πιの Cuのノジュールメツキ層を形成した。メツキ液中の CuSO · 5Η Οが 32g/リツ

4 2

トル（Cu=8gZリットル）で H SO力 OOgZリットルであり、さらにアルファナフトキノリ

2 4

ン（C H N)を 200ppm添カ卩した溶液を用いた。

3 9

[0098] さらに、硫酸銅メツキ添加剤（ロームアンドハース社製、力バーグリーム ST- 901)を添カロした銅メツキ液を用いて温度 25°C、電流密度 4AZdm²の条件、 4分間攪拌しながらかぶせメツキを行ってノジュールを固着した。

[0099] 続、て、ストライク用金メッキ液 (EEJA社製、ォ一口ボンド TN)を用いて、 50°C、電流密度 6AZdm²の条件で 15秒間メツキして金メッキ層を形成し、さらに金メッキ液 (EEJ A社製、テンペレックス # 8400)を用いて温度 65°C、電流密度 0. 5A/dm²の条件で 2分間金メッキを行って 0. 5 μ m厚さの金メッキ層を形成した。

[0100] こうして金メッキ層を形成した後、 10%NaOH水溶液を用いて、 40°Cで 30秒間処理することにより配線パターン形成に使用した感光性榭脂層を剥離して、この感光性榭脂層の下の Ni-Cr基材金属層および Cuスパッタリング層を露出させた。

[0101] こうして露出させた Cuスパッタリング層を、 150gZリットルの K S 0 (過硫酸カリウム

2 2 8

)を主成分とするソフトエッチング液を用いて常温で 1分間浸漬して除去し、さらに 9% の塩酸溶液を用いて温度 55°Cで 10秒間処理し、すすぎ洗いをせずに 55°Cの 13% 硫酸 + 13%塩酸混合溶液で 10秒間処理する工程を 3回繰り返して Ni-Cr層を溶解した。

[0102] 次いで、 40%NaMnO =

4 lOOmlZリットルと 25%の NaOH= 150mlZリットルとの混合溶液を用いて 65°Cで 30秒間処理して水洗し続、て 50gZリットルのシユウ酸 2水和物を用いて温度 40°C、 30秒間処理して基材テープ表面の二酸ィ匕マンガンを除去した後水洗した。

[0103] なお、無電解スズメツキ前の線幅 60 μ mの導体を Scanning Auger Microscopy(SAM )により Auを分析したところ、 Cuノジュール層の上面を覆うように金層が形成されていることが確認され、さらに側面上部にも極少量の金が検出された。

[0104] こうして前記工程を経て金メッキが施された基材テープに形成された配線パターンに、無電解スズメツキ液（ロームアンドハース社製、無電解メツキ液 LT-34)を用いて温度 70°C、メツキ時間 3分間の条件で厚さ 0. 5 μ mの無電解スズメツキ層を形成した。

[0105] 上記のようにして形成された 50 μ mピッチの配線パターン、 70 μ mの配線パターン、および、 100 mの配線パターン共にショートなどは発生しな力つた。また、得られた配線パターンの断面を観察したところ、配線パターンの上部の幅が底部の幅よりわずかに広い同一である矩形の断面を有して、た。

[0106] ノジュール付き 70 μ mピッチパターン（線幅 40 μ m、トータル厚さ 15 μ m)にェポキシ系シート状接着剤 (25 μ m厚）を 100°C X 3秒、圧力 2. 8kgZmm²の条件で仮圧着した後、 25OOA厚さのITO付きガラス板（26mm X 76mm X 0.7mm厚さ）と18O°C X 19 . 8秒、圧力 7. 5kgZmm²の条件で本圧着した。

[0107] 使用したツールは、 3mm幅 X 110mm長さのスーパーインバー社製の熱圧着装置は日本アビォ-タス (株)製のパルスヒートボンダ一 TC- 125を使用した。

[0108] このときの初期接続抵抗値を測定した結果 16本のライン全てにおいて 0. 09mm²の面積の接触抵抗値は 1 Ω以下であった。実施例 2

[0109] 実施例 1と同様に基材シートを 35mm幅にスリットした後、得られた基材テープを硫酸で酸洗し、続いて、 Cu面上にポジ型液体フォトレジスト（ロームアンドハース社製、 F R200)の粘度を 18cpsに調整してロールコーターを用いて 9 μ m厚さになるように塗布し、トンネル炉で乾燥させて感光性榭脂層を形成した。

[0110] この感光性榭脂層を、長さ 15mmのラインがそれぞれ 16本並んだ 50 μ mピッチ、 70 μ mピッチおよび 100 μ mピッチの出力アウターリード試験パターンを描画したガラスフォトマスクを用いた露光装置 (ゥシォ電機 (株)製）により 360mjZcm²で紫外線露光した。

[0111] さらに 7%KOH溶液で 80秒間現像して露光部分を溶解し、各ピッチを有する 9 μ m 厚のフォトレジストパターンを形成した。

[0112] 次に硫酸銅メツキ添加剤（ロームアンドノヽース社製、力バーグリーム ST— 901)を添カロした銅メツキ液を用いて 25°C、 4AZdm²の条件で 3分間攪拌しながらメツキして、銅スパッタリング層の表面に 2. 5 mの Cuメツキ回路を形成した。

[0113] 続いて、電流密度 50AZdm²の条件で 10秒間攪拌しながらメツキして、高さ 3. 5 μ mのノジュールを形成した。ここで使用したメツキ液は CuSO · 5Η Οを 32gZリットル、

4 2

硫酸を 100g/リットル、さらに、アルファナフトキノリン（C H N)を 200ppm添カ卩した溶

3 9

液である。

[0114] 上記のようにしてノジュールを形成した後、硫酸銅メツキ添加剤（ロームアンドノヽース社製、力バーグリーム ST-901)を添加した銅メツキ液を用いて温度 25°C、電流密度 4 AZdm²の条件で 4分間攪拌しながらかぶせメツキをしてノジュールを固着した。

[0115] 次いで、ストライク用金メッキ液 (EEJA社製、ォ一口ボンド TN)を用いて、温度 50°C、電流密度 6AZdm²の条件で 15秒間金メッキし、さらに別の金メッキ液 (EEJA社製、テンぺレックス # 8400)を用いて温度 65°C、電流密度 0. 5AZdm²の条件で 2分間メッキして 0. 5 μ mの金メッキ層を形成した。

[0116] その後、 10%NaOH溶液を用いて 40°Cで 30秒間処理してフォトレジスト層を剥離して、 150g/リットルの K S 0 (過硫酸カリウム）を主成分とするソフトエッチング液を用

2 2 8

いて常温で 1分間処理し銅スパッタリング層をエッチング除去して Ni-Cr層を露出させた。

[0117] 次いで、 55°Cの 9%塩酸溶液で 10秒間処理した後、水洗をせずに 55°Cの 13%硫酸 +13%塩酸混合溶液で 10秒間処理する工程を 3回繰り返して Ni-Cr層を溶解除去した。

[0118] さらに 40%NaMnO = lOOmlZリットルと 25%NaOH=150mlZリットルとの混合溶液

4

を用いて 65°Cで、 35秒間処理し水洗し、次いで 50gZリットルのシユウ酸 2水和物を用いて 40°Cで 30秒間処理し、二酸ィ匕マンガンを除去した後水洗した。

[0119] 上記のようにして金メッキ層を形成し、スズメツキを行わなヽ状態で、 50 μ mピッチ部（ノジュール高さ 9 μ m、総厚 16 μ m、線幅 30 μ m)について実施例 1と同様に熱圧着し、 0. 12mm²の接続面積における電気抵抗を測定した結果 1 Ω以下であった。実施例 3

[0120] 実施例 1と同様に基材シートを 35mm幅にスリットした後、得られた基材テープを硫酸で酸洗!、し、続、てこの基材テープの銅スパッタリング層の表面にポジ型液体フォトレジスト（ロームアンドハース社製、ポジ型液体フォトレジスト FR200、粘度 18cps)を 8 μ mの厚さにロールコート塗布してトンネル炉内で乾燥させた。

[0121] 次いで 15mmの長さのラインがそれぞれ 16本並んだ 20 μ mピッチ、 50 μ mピッチおよび 70 μ mピッチ出力アウターリード試験パターンを描画したガラスフォトマスクを配置した露光装置 (ゥシォ電機 (株)製)を用いて、 360mjZcm²で紫外線露光した。

[0122] さらに、 7%K0H溶液で 80秒間現像して露光部分を溶解して各ピッチを有する 8 m厚のフォトレジストパターンを形成した。

[0123] こうして感光性榭脂によるパターンが形成された基材シートに硫酸銅メツキ添加剤（ロームアンドノヽース社製、力バーグリーム ST-901)を添カ卩した銅メツキ液を用いて温度 25°C、電流密度 3AZdm²の条件で 5分間攪拌しながら高さ 3. 5 _iu mのCuメッキを行つて Cuセミアディティブ層を形成した。

[0124] 続ヽて、温度 25°C、電流密度 50AZdm²の条件で 3秒間激しく攪拌しながら高さ 7

/z mの Cuのノジュールメツキ層を形成した。メツキ液中の CuSO · 5Η 0は 32g/リットル

4 2

は lOOgZリットルであり、さらにアルファナフトキノリン（

C H N)を 200ppm添カ卩した溶液を用いた。 [0125] さらに、硫酸銅メツキ添加剤（ロームアンドハース社製、力バーグリーム ST- 901)を添カロした銅メツキ液を用いて温度 25°C、電流密度 3AZdm²の条件、 2分間攪拌しながらかぶせメツキを行ってノジュールを固着した。

[0126] その後、 10%NaOH溶液を用いて、常温で 15秒間処理することにより配線パターン形成に使用した感光性榭脂層を剥離して、この感光性榭脂層の下の Cuスパッタリング層およびその下の Ni-Cr基材金属層を露出させた。

[0127] こうして露出させた Cuスパッタリング層を、 150gZリットルの K S 0 (過硫酸カリウム

2 2 8

)を主成分とするソフトエッチング液を用いて 30°Cで 30秒間浸漬して除去し、さらに 9 %の塩酸溶液を用いて温度 55°Cで 10秒間処理し、すすぎ洗いをせずに 55°Cの 13 %硫酸 + 13%塩酸混合溶液で 10秒間処理する工程を 2回繰り返して Ni-Cr層を溶解した。なお、この工程で Cuも若干エッチングされてのジュール高さおよび導体幅が数ミクロンメートル減少した。

[0128] 次いで、 40%NaMnO =

4 lOOmlZリットルと 25%NaOH= 150mlZリットルとの混合溶液を用いて 65°Cで 30秒間処理して水洗し、続、て 50gZリットルのシユウ酸 2水和物の水溶液を用いて温度 40°C、 30秒間処理して基材テープ表面の二酸化マンガンを除去した後水洗した。

[0129] 最後に 10%硫酸水溶液を用いて 30°Cで 10秒間酸洗し、水洗した後、無電解スズメツキ液（LT-34、ロームアンドハース社製）を用いて 70°Cで 2. 5分間無電解スズメッキを行ヽ導体全体に厚さ 0. 5 μ m厚の無電解スズメツキ層を形成した。

[0130] 無電解スズメツキ層を 125°Cで 1時間ァニールした状態で 20 μ mピッチパターン（ノジュール高さ： 3 m、総厚： 6. 5 m、トップ線幅： 7 m)上にエポキシ系接着剤（厚さ： 25 m)を置き、 1. 5kg/mm²の圧力で 100°Cで 3秒間加圧してエポキシ系接着剤をパターンに仮圧着した後、厚さ 2500 Aの ITO付きガラス板（26mm X 76mm X O. 7 mm厚さ）と 180°C、 19. 8秒で 2. 5kg/mm²の圧力で本圧着した。

[0131] 使用したツールは、 3mm幅 X 110mm長さのスーパーインバー製で熱圧着装置は日本アビォ-タス (株)製のパルスヒートボンダ一 TC- 125を使用した。

[0132] このときの初期接続抵抗値を測定した結果 16本のライン全てにおいて、接続面積 0 . 04mm²における接触抵抗値は 1 Ω以下であった。〔比較例 1〕

実施例 1と同様に形成した 35mm幅の基材テープを硫酸水溶液で酸洗した後、 Cu 面のポジ型液体フォトレジスト（ロームアンドハース社製、 FR200、粘度 18cps)を 9 μ m 厚にロールコーター塗布し、トンネル炉で乾燥後、長さ 15mmのラインがそれぞれ 16 本並んだ 50 μ mピッチ、 70 μ mピッチ、 100 μ mピッチ出力アウターリード試験パターンを描画したガラスフォトマスクを用いて露光装置 (ゥシォ電機 (株)製）により 360nJ /cm²で紫外線露光した。

[0133] さら〖こ、 7%KOH溶液で 80秒間現像して露光部分を溶解し、各ピッチを有する 9 μ m厚のフォトレジストパターを形成した。

[0134] 次いで硫酸銅メツキ液（ロームアンドハース社製、力バーグリーム ST- 901を添加）を用いて温度 25°C、電流密度 4AZdm²の条件で 10分間メツキし、高さの Cuメツキ回路を形成した。このメツキ条件ではノジュールは形成されない。次いで、この Cuメッキ回路に実施例 1と同様に金メッキした。

[0135] ノジュールが無くスズメツキを行って!/、な!/、70 μ mピッチパターンにつ!/、て実施例と同じ方法で熱圧着した。このときの 0. 12mm²の接続面積における初期接続抵抗値を測定した結果、 16本のライン全てにおいて、接続抵抗値は 10 Ω以上であり、中には数メガ Ωレベルの接続部もあった。

[0136] すなわち、パターン上にノジュールが形成されていない場合には電気的接続は不可能であることがわかった。結果を表 1に示す。

[0137] [表 1]

ノジュールの熱圧着!^結果 (初期抵抗値)

註)接着には 25 μ m厚さエポキシ系接着シートを使用した。

接着条件： 180°C X 19.8秒 X 2kg/cm²で熱圧着（3mm幅ツール使用）

ITO付きガラス板 26mm X 76mm X 0. 7πιπと実施例、比較例で製造したサンプルを接着させた。産業上の利用可能性

[0138] 本発明のプリント配線基板は、絶縁基板の下地層の表面に形成された感光性榭脂層を露光 '現像して、予め配線回路の形成位置である凹部を形成し、この凹部にメッキ層を積層することにより配線回路を形成して製造されており、形成される配線回路が絶縁基板に対して垂直な矩形状の断面形状を有している。さらにこのプリント配線基板に形成されている配線回路の断面形状が矩形の配線回路は上端部の幅と下端部の幅が略同一であるか、上端部の幅がわずかに幅広であり、絶縁基板から非常にシャープに切れ上がった断面形態を有する。また、この配線回路を構成する Cuノジュール層におけるノジュールの成長方向は、配線回路の厚さ方向であり、 Cuノジユール層を形成する際に横方向は感光性榭脂からなるパターンの側壁によりブロックされているために、配線回路の横方向へはノジュールは成長しない。このために非常に細線化された配線回路を高ヽ密度で形成することができ、高ヽ密度で配線回路を形成したとしても、隣接する配線回路との間に短絡が生じない。

[0139] また、本発明のプリント配線基板の配線回路は感光性榭脂層を露光 ·現像して形成した凹部にスパッタリング銅層の上に Cuノジュール層が形成され、さらにその上にかぶせメツキ層、第 1金属メツキ層（好適には金メッキ層）が積層されており、こうして形成された導体の表面には Cuノジュール層を形成したことに起因して表面に多数の凹凸が形成されおり、この凹凸を利用して導電性粒子を使用せずに接着剤だけで導電性接着を行うことができる。

[0140] さらに、第 1金属メツキ層が Auメツキの場合、長時間の高温加熱後も配線回路の導体である Cuと Auメツキとの界面に相互拡散によるカーケンダール Voidが発生しないので、接続部の接触抵抗が増加しない。第 1金属メツキ層が Snメツキ層である場合には、カーケンダール Voidが生ずることがあり、 viodの発生という点から見れば、第 1金属メツキ層としては、金メッキ層の方がスズメツキ層よりも有利がある。また、第 1メツキ層として金メッキ層を形成ことにより、貯蔵安定性も向上する。

[0141] 他方、実装する電子部品に形成されているバンプ電極が金バンプである場合、この電子部品の金バンプとプリント配線基板とを電気的に接続させるためには、プリント配線基板側の端子からスズを供給して、金バンプの金と金スズ共晶物を形成することが好ましぐこのような場合には、第 2金属メツキ層として無電解スズメツキ層を形成することにより電子部品の実装を確実に行うことができる。

[0142] この第 2金属メツキ層は、配線回路の側面にある Cuノジュール層の側面を含めて配線回路全体を覆うように形成されるので、形成される耐腐食性が良くなる傾向がある

[0143] また、本発明のプリント配線基板においては、配線の引き回し長さに関係なぐ同一のプリント基板内に形成されている配線の電気抵抗値が中心となる値 ± 10の範囲内にあることが好ましぐこのような均一性の高いプリント配線基板を用いることにより、出力側アウターリードから導出される電気信号に配線回路の電気絶縁性の変動による、出力信号のバラツキが小さくなり、より精密な配線回路を形成することができる。

[0144] また、このような回路が形成された複数個並列に配置する場合には、個々のプリント配線基板の電気抵抗値の平均値を、より均一になるように製造することは勿論、配線の出力側インナーリードと、出力側アウターリードとの間の多数の配線の配線回路の平均値を近似させると共に、複数並列に配置されたプリント配線基板の最も外側に形成され、隣接する配線回路の電気抵抗の差をできるだけ小さくすることが望ま Uヽ

Claims

請求の範囲

[1] 絶縁基材と該絶縁基材の表面に形成された多数の配線回路とを有するプリント配線基板であって、該配線回路が、該絶縁基材の表面に形成された導電性下地層と、該下地層の上面に形成された Cuノジュール層と、該 Cuノジュール層の上面に形成されたかぶせメツキ層と、該かぶせメツキ層の上面に形成された第 1金属メツキ層とを有しており、該配線回路の上面に、 Cuノジュール層の上面の凹凸に起因した凹凸面が形成されて!/ヽることを特徴とするプリント配線基板。

[2] 上記下地層が、 Ni— Cr合金力もなる導電性金属薄層とスパッタリング銅層とからなることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[3] 上記導電性下地層の上面にセミアディティブ銅層を有することを特徴とする請求項第 1項又は第 2項記載のプリント配線基板。

[4] 上記第 1金属メツキ層が、金メッキ層、錫メツキ層、ニッケルメツキ層、銀メツキ層、パラジゥムメツキ層、ハンダメツキ層および鉛フリーハンダメツキ層よりなる群力選ばれる少なくとも一種類の金属メツキ層、または、これらのメツキ層形成金属に他の金属が含有された金属合金メッキ層であることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[5] 上記配線回路の上面および側面に、第 1金属メツキ層とは異なる金属力もなる第 2金属メツキ層が形成されていることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[6] 上記配線回路の断面が、矩形または略矩形に形成されていることを特徴とする請求項第 1項乃至第 5項の何れかの項記載のプリント配線基板。

[7] 上記 Cuノジュール層を構成する Cuノジュール力配線回路の厚さ方向に選択的に成長していることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[8] 絶縁基材の表面にメツキ電力を供給する導電性の下地層を形成し、該下地層の表面に感光性榭脂層を形成して該感光性榭脂層に配線回路を形成するためのパターンを露光 ·現像して感光性榭脂層に凹部を形成し、該凹部の内部に Cuノジュール層を形成すると共に該 Cuノジュール層の表面にかぶせメツキ層を形成し、さらに形成された Cuノジュール層上のかぶせメツキ層の少なくとも上面に第 1金属メツキ層を形成して該 Cuノジュール層上面を被覆した後、感光性榭脂層を剥離し、次いで、感光性榭脂層を剥離したことにより露出した下地層を除去することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。

[9] 絶縁基材の表面にメツキ電力を供給する導電性の下地層を形成し、該下地層の表面に感光性榭脂層を形成して該感光性榭脂層に配線回路を形成するためのパターンを露光 ·現像して感光性榭脂層に凹部を形成し、該凹部の内部に Cuノジュール層を形成すると共に該 Cuノジュール層の表面にかぶせメツキ層を形成し、さらに Cuノジユール層上に形成されたかぶせメツキ層の少なくとも上面に金メッキ層を形成して該 Cuノジュール層上面を被覆した後、感光性榭脂層を剥離し、次いで、感光性榭脂層を剥離したことにより露出した下地層を除去することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。

[10] 上記下地層が、 Ni— Cr合金力もなる導電性金属薄層とスパッタリング銅層とからなることを特徴とする請求項第 8項または第 9項記載のプリント配線基板の製造方法。

[11] 上記下地層の表面に感光性榭脂層を形成し、該感光性榭脂層を露光 '現像して配線回路を形成するための凹部を形成し、該凹部に露出する下地層表面に、セミアディティブ銅層を形成し、該セミアディティブ銅層の表面に Cuノジュール層を形成することを特徴と請求項第 8項または第 9項記載のプリント配線基板の製造方法。

[12] 上記 Cuノジュール層の表面に、該 Cuノジュール層の上面に形成される凹凸面が反映されるようにかぶせメツキ層、および、第 1金属メツキ層または金メッキ層を形成することを特徴とする請求項第 8項または第 9項記載のプリント配線基板の製造方法。

[13] 上記金メッキ処理を二段階に分けて行い、最初に金ストライクメツキを行うことを特徴とする請求項第 9項または第 12項記載のプリント配線基板の製造方法。

[14] 上記配線回路を形成した後、感光性榭脂層を剥離し、該感光性榭脂層の剥離によつて露出した下地層を強酸性の水溶液と接触させて除去することを特徴とする請求項第 8項または第 9項記載のプリント配線基板の製造方法。

[15] 上記下地層の一部を塩酸水溶液と接触させて除去し、さらに硫酸'塩酸混合水溶液で下地層の残部を除去することを特徴とする請求項第 8項または第 9項記載のプリント配線基板の製造方法。

[16] 上記のようにして下地層を溶解除去した後、過マンガン酸塩を含有するアルカリ水溶液で処理することを特徴とする請求項第 14項または第 15項記載のプリント配線基板の製造方法。

[17] 上記過マンガン酸塩を含有するアルカリ水溶液で処理したプリント配線基板を、シュゥ酸を含有する水溶液で処理することを特徴とする請求項第 16項記載のプリント配線基板の製造方法。

[18] 上記のようにして下地層を除去した後、金メッキ層または第 1金属メツキ層が形成されている配線回路の表面に第 2金属メツキ層として無電解スズメツキ層を形成することを特徴とする請求項第 8項乃至第 17項記載のプリント配線基板の製造方法。

[19] 上記請求項第 1項乃至第 7項の、ずれかの項記載のプリント配線基板を用いて、 Cu ノジュール層に起因する凸部を表面に有する配線回路を有するプリント配線基板を、導電性粒子を含有しな、接着剤を用いて接続端子が形成された基板に加圧下に接着して加圧方向に電気的接続を選択的に形成することを特徴とするプリント配線基板の異方導電性接着方法。