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WO2005078752A1 - Dispositif de type microsysteme electromecanique a film mince piezoelectrique - Google Patents

Dispositif de type microsysteme electromecanique a film mince piezoelectrique Download PDF

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WO2005078752A1
WO2005078752A1 PCT/EP2005/000430 EP2005000430W WO2005078752A1 WO 2005078752 A1 WO2005078752 A1 WO 2005078752A1 EP 2005000430 W EP2005000430 W EP 2005000430W WO 2005078752 A1 WO2005078752 A1 WO 2005078752A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
piezoelectric
resonator
film
type
thin film
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/EP2005/000430
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English (en)
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WO2005078752A8 (fr
Inventor
Marc-Alexandre Dubois
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CSEM Centre Suisse dElectronique et de Microtechnique SA Recherche et Développement
Original Assignee
CSEM Centre Suisse dElectronique et de Microtechnique SA Recherche et Développement
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Publication of WO2005078752A1 publication Critical patent/WO2005078752A1/fr
Publication of WO2005078752A8 publication Critical patent/WO2005078752A8/fr
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
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    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
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    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H2201/00—Contacts
    • H01H2201/02—Piezo element

Definitions

  • the present invention relates generally to devices of the piezoelectric thin film electromechanical microsystem (MEMS) type.
  • MEMS piezoelectric thin film electromechanical microsystem
  • Document EP-A-0963000 shows a 'disengageable' resonator device obtained by a hybrid structure comprising a single beam of piezoelectric material usable on the one hand as an integral part of an acoustic wave resonator and on the other hand as the element mobile deformable by electrostatic effect of a micromechanical switch with electrostatic control mounted in series on the resonator.
  • Document US 2003/0205948-A1 shows an FBAR type acoustic wave resonator associated with a variable capacity for adjusting the resonant frequency of the resonator.
  • the variable capacity of adjustment of the FBAR resonator 42 consisting of a piezoelectric layer disposed between the two electrodes is adjusted by the adequate dimensioning of the active surface of the electrodes forming the reinforcement of the capacity without recourse to the piezoelectric effect.
  • the resonator's adjustment capacity does not include a piezoelectric layer, the adjustment being carried out by varying the spacing of the armatures of the capacity under the action of electrostatic forces.
  • the object of the invention is to propose a device of the electromechanical microsystem type with piezoelectric actuation capable of significantly reducing, or even eliminating, the difficulties of incorporating such a device and the associated parasitic effects.
  • the invention provides a device of the electromechanical microsystem type (or MEMS device) with piezoelectric actuation comprising at least one piezoelectric thin film characterized in that the thin film comprises at least one first portion of piezoelectric nature, participating in the actuation of said electromechanical microsystem and at least a second portion of piezoelectric nature integrated in an acoustic wave resonator.
  • the use of the same layer of piezoelectric film for the resonator and for the MEMS component integrating the first portion of the thin film, for example an RF switch makes it possible to place the resonators (or filters) and the switches very close to the each other, considerably reducing the overall size of the assembly and, ultimately, relatively easily integrating this assembly into more complex electronic circuits, according to techniques already used for resonators and thin film acoustic wave filters. .
  • the device according to the invention comprises a switching sub-assembly with piezoelectric actuation, in whole or in part of a monomorphic or multimorphic structure.
  • the switching sub-assembly comprises at least one deformable element of the beam and / or bridge type. and / or membrane and integrating all or part of said first portion of the piezoelectric thin film.
  • the switching subassembly is of the electrical contact and / or capacitive coupling / decoupling type (for example an RF switch of the deformable piezoelectric bridge type controlling the distance between armatures of a capacity disposed between two RF lines, in particular to connect the two RF lines or to divert a line carrying an RF signal to earth).
  • RF switch of the deformable piezoelectric bridge type controlling the distance between armatures of a capacity disposed between two RF lines, in particular to connect the two RF lines or to divert a line carrying an RF signal to earth.
  • the device according to the invention comprises at least one variable capacity with piezoelectric actuation, in whole or in part of a monomorphic or multimorphic structure.
  • the variable capacity is of the type actuated by a deformable beam or membrane integrating all or part of said first portion of the piezoelectric thin film.
  • Such a capacity can be easily integrated in various electronic microcircuits, in particular in oscillators.
  • the devices according to the invention find their applications directly in integrated electronic circuits, in particular CMOS circuits, in particular for acoustic or other sensor and / or transducer systems or for transmission systems, RF or microwave transmission or reception.
  • the devices according to the invention can in particular be used with profit in compact reconfigurable filter assemblies and duplexers.
  • the second portion of piezoelectric nature is integrated into a volume acoustic wave resonator.
  • the resonator is of the piezoelectric thin film type mounted flat on the substrate, preferably on a SMR ("Solidly Mounted Resonator") substrate with an acoustic mirror or of the FBAR ("Film Bulk Acoustic Resonator”) membrane type, in particular a resonator. piezoelectric for active RF circuits between 1 and 10 GHz.
  • FIG. 1 represents a schematic sectional view of 'A device according to the invention of the electromechanical microsystem (MEMS) type, comprising at least one thin piezoelectric film and integrating an RF switch and a volume acoustic wave resonator.
  • MEMS electromechanical microsystem
  • switch used in this presentation must be understood in its broadest sense, in particular as switching means in general, relays, switches, etc. even for the term “membrane” which covers any deformable thin layer of variable contour whatever its type of mounting, for example in a nonlimiting manner, mounting in beam embedded at one end, in bridge or with peripheral support.
  • the device according to the invention illustrated in FIG. 1 comprises a piezoelectric resonator with volume acoustic waves (BAW resonator), more particularly, a piezoelectric thin film resonator 10 of SMR type, mounted on a solid silicon substrate 12 (in species, intended to be used in particular in the field of RF telephony between 2 and 3 GHz) and associated with an RF-MEMS switch 14 with piezoelectric actuation.
  • BAW resonator piezoelectric resonator with volume acoustic waves
  • a piezoelectric thin film resonator 10 of SMR type mounted on a solid silicon substrate 12 (in species, intended to be used in particular in the field of RF telephony between 2 and 3 GHz) and associated with an RF-MEMS switch 14 with piezoelectric actuation.
  • the resonator 10 comprises a portion 16 of a thin piezoelectric film 18, for example made of aluminum nitride (AIN), disposed between two flat conductive metal electrodes 20 and 22, for example, of platinum.
  • the external electrode 20 defines the surface limits of the active volume of the resonator while the corresponding electrode 22 belongs to a metal layer 24 of larger surface extending towards the switch 14 and deposited on the upper planar face 26 of the substrate 12.
  • the AIN piezoelectric material is deposited in a thin film in a single operation by reactive spraying so as to be able to exploit the piezoelectric component of first magnitude d 33 of the layer 16, according to which the material is subjected to alternative efforts of longitudinal extension / compression.
  • the total thickness of the piezoelectric layer coated with its two electrodes corresponds to a half wavelength of the acoustic waves of the mechanical resonance frequency of the resonator, a wavelength which depends on the nature of the piezoelectric material. , more particularly, of the speed of propagation of these acoustic waves in the piezoelectric thin film.
  • a mechanical resonance frequency of the order of 2 GHz is obtained with an AIN film thickness of 1.6 ⁇ m and platinum electrodes of 0.1 ⁇ m thickness.
  • the upper part of the silicon substrate 12 includes an acoustic reflector 28 (analogous to a Bragg mirror) formed by a stack of so-called quarter-wave layers 30 of two materials with very different elastic properties (for example, layers of AIN or SiO 2 ) , the thickness of the layers 30 and 32 and their numbers depending on the desired degree of insulation but also on the ratio of the respective acoustic impedances of the materials used for these layers.
  • the switch 14 is mainly constituted by a deformable bi-layer beam (or membrane) 34 embedded at one end (or on one side) consisting of a second portion 36 of the layer of the piezoelectric film 18 and of a layer of insulating material 38 (chosen for example from SiO 2 , ZrO 2 and Si 3 N 4 ) with mechanical properties which are substantially different from the piezoelectric material AIN, the two layers 36, 38 being intimately bonded or welded to each other.
  • the device of actuation or actuator of the switch is produced by two control electrodes 40 and 42 made of metal (for example platinum) deposited facing each other on each face of the bi-layer beam 34 near the embedded end 35 thereof this.
  • the switching part (in this case of the ohmic type) is produced by two fixed metal contacts 46, 48 mounted spaced directly on the upper layer of the Bragg mirror, which also serves as an insulator (these fixed contacts being in the species obtained from the metal layer 24 in which the electrode 22 of the resonator is formed) and a movable metal contact 50 mounted on the insulating layer 38 of the beam 34 near the free end 37 of the latter ci to take advantage of the maximum deflection and so as to overlap the spacing 47 between the fixed contacts 46, 48.
  • the beam 34 extends parallel to the substrate 12 at a short distance from the metal layer 24 to leave a race from the movable contact 50 to the fixed contacts 46, 48 of one to 5 microns, the corresponding space 52 between the beam 34 and the metal layer 24 being vented.
  • the switch is activated by a DC voltage source DC (not shown) of a few tens of volts at most suitably connected to the electrodes 40 and 42 (in this case, ten volts is sufficient for the beam 34 comprising a piezo layer 36 of 1.6 ⁇ m AIN).
  • This voltage develops by reverse piezoelectric effect a piezoelectric extension or expansion constraint of this layer 36 perpendicular to its thickness without affecting, at least substantially, the insulating layer 38.
  • the beam 34 has tendency to close towards the insulating layer 38, itself weakly or not expanded, and to bend towards the substrate 12 until bringing the movable contact 50 in abutment on the two fixed contacts 46-48 and thus closing the switch or switch 14.
  • the closing state of the switch is ensured by maintaining the DC voltage between the electrodes 40-42 of the piezo layer 36.
  • this locking can be achieved by a device forming a capacitor with parallel metal armatures separated by a layer of dielectric material and suitably connected to a DC voltage source (which can be the DC voltage source), the first metal reinforcement being placed on the insulating layer 38 between the electrode 42 and the contact 50 and the second metal reinforcement being produced by a small surface of the metal layer 24 suitably insulated (by elimination of this same layer around its periphery) and covered with the layer of dielectric material.
  • a DC voltage source which can be the DC voltage source
  • the structure, proposed for the device according to the invention with a common piezoelectric layer does not in any way alter the proper functioning of each of its two major components, namely the resonator, on the one hand (here the resonator 12), and the MEMS component used, on the other hand (here the switch 14), the acoustic waves hardly extending beyond the active piezoelectric surface of the resonator (here the edges of the electrode 20 of the resonator 12) . It is thus possible to place the two components, resonator and switch, very close to each other and to obtain a high compactness of the assembly.
  • the same piezoelectric layer can be used to integrate a plurality of resonators and a plurality of switches (or other MEMS components).
  • the configuration and the dimensioning of the switch 14 are carried out after the thickness of the piezoelectric film layer 18 has been determined, once the piezo material used and the mechanical resonance frequency of the resonator 14 have been chosen.
  • we can then choose or determine the other parameters of the beam in particular the nature and dimensions of the insulating layer 38, the length of the beam 34, the surface of the control electrodes, the DC voltage, the stroke mobile contact 50, etc.).
  • the devices according to the invention are compatible with the technologies commonly encountered in the electronics of integrated circuits, in particular, CMOS circuits. It is also possible, still within the framework of the invention, to use other thin film resonator structures, for example surface acoustic wave resonators (SAW resonators) using thin films or other BAW resonators in particular.
  • SAW resonators surface acoustic wave resonators
  • resonators with a so-called FBAR structure with acoustic insulation of the piezoelectric vibrating layer with air either by the vibrating suspension bridge technique over a substrate with an interposed vacuum obtained by elimination of a sacrificial layer, either by the vibrating membrane technique stretched over a cavity made in a silicon substrate.
  • the switch 14 can be replaced by another component.
  • MEMS for example by a line switch RF with capacitive coupling / decoupling or by a variable capacity with piezoelectric actuation, in particular, of the type with armatures displaceable relative to each other using a device of actuation integrating all or part of a portion of the common piezoelectric thin film with the resonator, or even by a microphone or a sensor with a deformable membrane.
  • a sacrificial layer SiO 2 , amorphous silicon, polysilicon, resin or other

Landscapes

  • Micromachines (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

Dispositif de type microsystème électromécanique (MEMS) ô film mince piézoélectrique 18 comportant un commutateur RF-MEMS 14 et un résonateur RF ô film mince piézoélectrique 10 ô ondes acoustiques de volume monté sur un substrat 12 pourvu d'un miroir acoustique 28. le résonateur comporte une portion 16 du film mince disposée entre les deux électrodes métalliques 20 et 24. Le commutateur 14 comporte une poutre bi-couche présentant une couche d'isolant 38 associée ô une autre portion 36 du film piézoélectrique 18 et portant un contact métalliques mobile 50 destiné ô venir en appui sur des contacts métalliques fixes 46, 48 par déformation de la poutre sous l'action d'une tension sur les électrodes de commande 40, 42.

Description

DISPOSITIF DE TYPE MICROSYSTEME ELECTROMECANIQUE A FILM MINCE PIEZOELECTRIQUE La présente invention concerne d'une façon générale des dispositifs de type microsystème électromécanique (MEMS) à film mince piézoélectrique.
L'introduction des films minces piézoélectriques dans la technologie MEMS est assez récente. En particulier, le brevet US 6,504,118 B2 décrit un relais bidirectionnel à verrouillage électrostatique associé à un actionnement thermique ou piézoélectrique et la demande de brevet US 2003/0179535 A1 décrit un condensateur à capacité variable par ajustement de la distance entre armatures à l'aide d'une pluralité d'actionneurs piézoélectriques. De plus, l'article de S.J. Gross et al. Intitulé 'Lead-zirconate-titanate-based piezoelectric micromachined switch' (Commutateur micro-usiné piézoélectrique à PZT), Appl. Phys. Lett., Vol. 83, N°1 , pages 174-176 (7 July 2003) décrit un commutateur unimorphe à poutre déformable comportant un film mince de 0,23 μm de PZT piézoélectrique activé par des électrodes interdigitées (IDT). L'incorporation dans des circuits et/ou agencements électroniques complexes de ces dispositifs connus réalisés individuellement de façon autonome pose un certain nombre de difficultés, tant au niveau de leur incorporation physique proprement dite et de la réalisation des interconnexions électriques métalliques (avec parfois la nécessité de soudures externes) qu'au niveau des pertes électriques et autres effets parasites engendrés par ces connexions électriques, notamment de type résistif, inductif ou capacitif.
Le document EP-A-0963000 montre un dispositif résonateur 'débrayable' obtenu par une structure hybride comportant une unique poutre en matériau piézoélectrique utilisable d'une part comme partie intégrale d'un résonateur à ondes acoustiques et d'autre part comme l'élément mobile déformable par effet électrostatique d'un commutateur micromécanique à commande électrostatique monté en série sur le résonateur.
Le document US 2003/0205948-A1 montre un résonateur à ondes acoustiques de type FBAR associé à une capacité variable d'ajustement de la fréquence de résonance du résonateur. Selon un premier mode de réalisation particulier illustré à la figure 4, la capacité variable d'ajustement du résonateur FBAR 42 constituée d'une couche piézoélectrique disposée entre les deux électrodes est ajustée par le dimensionnemeπt adéquat de la surface active des électrodes formant les armatures de la capacité sans recours à l'effet piézoélectrique. Selon un second mode réalisation illustré à la figure 10, la capacité d'ajustement du résonateur ne comporte pas de couche piézoélectrique, l'ajustement étant réalisé par variation de l'espacement des armatures de la capacité sous l'action de forces électrostatiques.
L'invention a pour but de proposer un dispositif de type microsystème électromécanique à actionnement piézoélectrique susceptible de réduire sensiblement, voire supprimer, les difficultés d'incorporation d'un tel dispositif et les effets parasites associés.
A cette fin, l'invention propose un dispositif de type microsystème électromécanique (ou dispositif MEMS) à actionnement piézoélectrique comportant au moins un film mince piézoélectrique caractérisé en ce que le film mince comporte au moins une première portion à caractère piézoélectrique, participant à l'actionnement dudit microsystème électromécanique et au moins une seconde portion à caractère piézoélectrique intégrée dans un résonateur à ondes acoustiques.
Ainsi donc, l'utilisation de la même couche de film piézoélectrique pour le résonateur et pour le composant MEMS intégrant la première portion du film mince, par exemple un commutateur RF, permet de placer les résonateurs (ou filtres) et les commutateurs très près les uns des autres, de réduire considérablement l'encombrement de l'ensemble et, au final, d'intégrer relativement facilement cet ensemble dans des circuits électroniques plus complexes, selon des techniques déjà utilisées pour les résonateurs et les filtres à ondes acoustiques à film mince.
Cette compacité a également pour conséquence une réduction des longueurs des interconnexions métalliques, voire l'élimination de certaines soudures externes. Il s'ensuit une réduction sensible des pertes électriques et des effets de capacités ou de selfs parasites, qui rendent possible l'utilisation des dispositifs selon l'invention dans les circuits RF de très haute fréquence (entre 1 et 10 GHz), notamment pour la nouvelle génération de téléphonie mobile UMTS.
Selon un premier mode de réalisation, le dispositif selon l'invention comporte un sous-ensemble de commutation à actionnement piézoélectrique, en tout ou partie de structure monomorphe ou multimorphe. Avantageusement, le sous-ensemble de commutation comporte au moins un élément déformable de type poutre et/ou pont et/ou membrane et intégrant tout ou partie de ladite première portion du film mince piézoélectrique. Sans sortir du cadre l'invention, le sous-ensemble de commutation est du type à contact électrique et/ou à couplage/découplage capacitif (par exemple un commutateur RF du type à pont piézo-électrique déformable commandant la distance entre armatures d'une capacité disposée entre deux lignes RF, notamment pour connecter les deux lignes RF ou mettre en dérivation vers la terre une ligne porteuse d'un signal RF).
Selon un second mode de réalisation, le dispositif selon l'invention comporte au moins une capacité variable à actionnement piézoélectrique, en tout ou partie de structure monomorphe ou multimorphe. Avantageusement, la capacité variable est du type à actionnement par poutre ou membrane déformable intégrant tout ou partie de ladite première portion du film mince piézoélectrique. Une telle capacité peut être facilement intégrée dans divers microcircuits électroniques, notamment dans des oscillateurs.
D'une façon générale, les dispositifs selon l'invention trouvent leurs applications directement dans les circuits électroniques intégrés, notamment les circuits CMOS, en particulier pour des systèmes de capteur et/ou transducteur acoustique ou autre ou pour des systèmes d'émission, de transmission ou réception radiofréquence RF ou micro-ondes. Les dispositifs selon l'invention peuvent notamment être utilisés avec profit dans des ensembles de filtres reconfigurables compacts et des duplexeurs. Selon une première variante du premier mode de réalisation, la seconde portion à caractère piézoélectrique est intégrée dans un résonateur à ondes acoustiques de volume. Avantageusement le résonateur est du type à film mince piézoélectrique monté à plat sur substrat, de préférence sur un substrat SMR ("Solidly Mounted Resonator") à miroir acoustique ou du type à membrane FBAR ("Film Bulk Acoustic Resonator"), notamment un résonateur piézoélectrique pour circuits RF actifs entre 1 et 10 GHz.
Parmi les matériaux piézoélectriques utilisés pour le film mince on peut citer les composés suivants : AIN, PZT, BaTiO3, KNbO3, PbNbO3, PbZrO3 et ZnO, le nitrure d'aluminium (AIN), avec ses propriétés piézoélectriques et élastiques de hautes performances, s'avérant tout à fait intéressant pour la réalisation d'un film mince utilisable dans le cadre de la présente l'invention. De préférence, le film piézoélectrique est déposé par pulvérisation inerte ou réactive en une seule opération. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, présentée uniquement à titre d'exemple non limitatif en référence au dessin ci-joint dans lequel: la figure 1 représente une vue schématique en coupe d'un dispositif selon l'invention de type microsystème électromécanique (MEMS), comportant au moins un film mince piézoélectrique et intégrant un commutateur RF et un résonateur à ondes acoustiques de volume.
Il est à noter, au préalable, que le terme 'commutateur' utilisé dans le présent exposé doit être compris dans son sens le plus large, notamment en tant que moyens de commutation en général, relais, interrupteurs, etc.. Il en est de même pour le terme 'membrane' qui recouvre toute couche mince déformable de contour variable quel que soit son type de montage, par exemple de façon non limitative, montage en poutre encastrée à une extrémité, en pont ou avec maintien périphérique.
Le dispositif selon l'invention illustré à la figure 1 , comporte un résonateur piézoélectrique à ondes acoustiques de volume (résonateur BAW), plus particulièrement, un résonateur piézoélectrique à film mince 10 de type SMR, monté sur un substrat solide en silicium 12 (en l'espèce, destiné à être utilisé notamment dans le domaine de la téléphonie RF entre 2 et 3 GHz) et associé à un commutateur RF-MEMS 14 à actionnement piézoélectrique.
Le résonateur 10 comprend une portion 16 d'un film mince piézoélectrique 18, par exemple en nitrure d'aluminium (AIN), disposée entre deux électrodes métalliques conductrices planes 20 et 22, par exemple, en platine. Comme illustré sur la figure 1 , l'électrode externe 20 définit les limites en surface du volume actif du résonateur tandis que l'électrode 22 correspondante appartient à une couche de métal 24 de plus grande surface s'étendant vers le commutateur 14 et déposée sur la face plane supérieure 26 du substrat 12. Le matériau piézoélectrique AIN est déposé en film mince en une seule opération par pulvérisation réactive de façon à pouvoir exploiter la composante piézoélectrique de première grandeur d33 de la couche 16, selon laquelle le matériau est soumis à des efforts alternatifs d'extension/compression longitudinale générant des ondes acoustiques se propageant parallèlement au champ électrique généré entre les électrodes 20 et 22, lorsque ces dernières sont respectivement connectées aux deux bornes d'une source de tension alternative RF (non représentée). Dans le cas présent, les lignes de champ électrique et les efforts d'extension/compression longitudinale sont perpendiculaires à la face supérieure du substrat 12.
Dans ces conditions, l'épaisseur totale de la couche piézoélectrique revêtue de ses deux électrodes correspond à une demi-longueur d'onde des ondes acoustiques de la fréquence de résonance mécanique du résonateur, longueur d'onde qui dépend de la nature du matériau piézoélectrique, plus particulièrement, de la vitesse de propagation de ces ondes acoustiques dans le film mince piézoélectrique. A titre d'exemple non limitatif, une fréquence de résonance mécanique de l'ordre de 2 GHz est obtenue avec une épaisseur de film AIN de 1 ,6 μm et des électrodes en platine de 0,1 μm d'épaisseur.
Pour éviter les pertes acoustiques dans le substrat 12 de façon à augmenter le facteur de qualité Q du résonateur et éliminer les réflexions et/ou vibrations parasites indésirables et les risques d'interférence qui en résulteraient avec les ondes d'origine, la partie supérieure du substrat silicium 12 comporte un réflecteur acoustique 28 (analogue à un miroir de Bragg) formé d'un empilement de couches dites quart d'onde 30 de deux matériaux à propriétés élastiques très différentes (par exemple, des couches de AIN ou de SiO2), l'épaisseur des couches 30 et 32 et leurs nombres dépendant du degré d'isolation désiré mais également du rapport des impédances acoustiques respectives des matériaux utilisés pour ces couches.
Le commutateur 14 est principalement constitué par une poutre (ou membrane) bi-couche 34 déformable encastrée à une extrémité (ou sur un côté) constituée d'une seconde portion 36 de la couche du film piézoélectrique 18 et d'une couche de matériau isolant 38 (choisi par exemple parmi SiO2, ZrO2 et Si3N4) de propriétés mécaniques sensiblement différentes du matériau piézoélectrique AIN, les deux couches 36, 38 étant intimement liées ou soudées l'une à l'autre. Le dispositif d'actionnement ou actionneur du commutateur est réalisé par deux électrodes de commande 40 et 42 en métal (par exemple platine) déposées en vis à vis sur chaque face de la poutre bi-couche 34 à proximité de l'extrémité encastrée 35 de celle-ci. Enfin la partie commutation (en l'espèce de type ohmique) est réalisée par deux contacts en métal fixes 46, 48 montés de façon espacée directement sur la couche supérieure du miroir de Bragg, qui sert également d'isolant (ces contacts fixes étant en l'espèce obtenus à partir de la couche métallique 24 dans laquelle est formée l'électrode 22 du résonateur) et un contact métal mobile 50 monté sur la couche d'isolant 38 de la poutre 34 près de l'extrémité libre 37 de celle-ci pour profiter du maximum de déflexion et de façon à chevaucher l'espacement 47 entre les contacts fixes 46, 48.
Comme illustrée sur la figure 1 qui montre le commutateur 14 au repos (correspondant à une tension nulle aux bornes des électrodes 40-42), la poutre 34 s'étend parallèlement au substrat 12 à faible distance de la couche métallique 24 pour laisser une course du contact mobile 50 vers les contacts fixes 46, 48 d'un à 5 microns, l'espace correspondant 52 entre la poutre 34 et la couche métallique 24 étant mis à l'air libre. Le commutateur est activé par une source de tension continue DC (non représentée) de quelques dizaines de volts au maximum convenablement connectée aux électrodes 40 et 42 (en l'espèce, une dizaine de volts suffit pour la poutre 34 comportant une couche piézo 36 de 1 ,6 μm de AIN). Cette tension développe par effet piézoélectrique inverse une contrainte d'extension ou dilatation piézo de cette couche 36 perpendiculairement à son épaisseur sans affecter, du moins sensiblement, la couche d'isolant 38. Par le jeu de la dilatation différentielle résultante, la poutre 34 a tendance à se refermer vers la couche d'isolant 38, elle- même faiblement ou non dilatée, et à fléchir vers le substrat 12 jusqu'à amener le contact mobile 50 en appui sur les deux contacts fixes 46-48 et ainsi fermer le commutateur ou interrupteur 14.
Dans le commutateur 14 ici décrit, l'état de fermeture du commutateur est assuré par le maintien de la tension DC entre les électrodes 40-42 de la couche piézo 36. Toutefois, il est possible, sans sortir du cadre de l'invention, d'ajouter un verrouillage électrostatique de la position de fermeture du commutateur, qui permet de réduire très sensiblement l'énergie électrique nécessaire à cette opération, la tension DC aux bornes des électrodes 40-42 étant alors réduite ou annulée. Dans la pratique, ce verrouillage (non représenté) peut être réalisé par un dispositif formant condensateur à armatures en métal parallèles séparées par une couche de matériau diélectrique et convenablement reliées à une source de tension continue (qui peut être la source de tension DC), la première armature métal étant disposée sur la couche isolante 38 entre l'électrode 42 et le contact 50 et la seconde armature métal étant réalisée par une petite surface de la couche de métal 24 convenablement isolée (par élimination de cette même couche à son pourtour) et recouverte de la couche de matériau diélectrique.
Il est à noter que la structure, proposée pour le dispositif selon l'invention à couche piézoélectrique commune, n'altère en rien le fonctionnement propre de chacun de ses deux composants majeurs, à savoir le résonateur, d'une part (ici le résonateur 12), et le composant MEMS utilisé, d'autre part (ici le commutateur 14), les ondes acoustiques ne débordant quasiment pas au-delà de la surface piézoélectrique active du résonateur (ici des bords de l'électrode 20 du résonateur 12). Il est ainsi possible de placer les deux composants, résonateur et commutateur, très proches l'un de l'autre et d'obtenir une grande compacité de l'ensemble. Bien entendu, la même couche piézoélectrique peut être utilisée pour intégrer une pluralité de résonateurs et une pluralité de commutateurs (ou d'autres composants MEMS).
D'un point de vue pratique, la configuration et le dimensionnement du commutateur 14 sont réalisés après la détermination de l'épaisseur de la couche de film piézoélectrique 18, une fois choisis le matériau piézo utilisé et la fréquence de résonance mécanique du résonateur 14. Par modélisation, on peut alors choisir ou déterminer les autres paramètres de la poutre (notamment la nature et les dimensions de la couche d'isolant 38, la longueur de la poutre 34, la surface des électrodes de contrôle, la tension DC, la course du contact mobile 50, etc.).
Bien évidemment, il est possible, sans sortir du cadre de l'invention, d'apporter des modifications dans le dessin même du dispositif selon l'invention décrit en référence à la figure 1 , par exemple, de séparer les portions 16 et 36 de la couche piézoélectrique au dépôt ou après dépôt, de séparer le contact fixe 46 de la couche métal superficielle 24 ou de modifier ou éliminer le miroir acoustique 28 du substrat au droit du commutateur 14, etc. On notera que l'exigence de qualité requise pour la fabrication du résonateur 10, en particulier pour une utilisation RF, notamment au niveau de l'épaisseur des couches déposées et/ou de l'homogénéité du dépôt du film mince piézoélectrique, se répercute également sur toutes les opérations de fabrication du commutateur 14, améliorant en conséquence les performances de ce dernier. De plus, les dispositifs selon l'invention sont compatibles avec les technologies couramment rencontrées dans l'électronique de circuits intégrés, notamment, les circuits CMOS. II est également possible, toujours dans le cadre de l'invention, d'utiliser d'autres structures de résonateur à film mince par exemple des résonateurs à ondes acoustiques de surface (résonateurs SAW) utilisant des films minces ou d'autres résonateurs BAW notamment des résonateurs à structure dite FBAR avec isolation acoustique de la couche vibrante piézoélectrique par de l'air, soit par la technique du pont suspendu vibrant au-dessus d'un substrat avec vide d'air interposé obtenu par élimination d'une couche sacrificielle, soit par la technique de la membrane vibrante tendue au-dessus d'une cavité réalisée dans un substrat en silicium. De même, le commutateur 14 peut être remplacé par un autre composant
MEMS, par exemple par un commutateur de ligne RF à couplage/découplage capacitif ou par une capacité variable à actionnement piézoélectrique, notamment, du type à armatures déplaçables l'une par rapport à l'autre à l'aide d'un dispositif d'actionnement intégrant tout ou partie d'une portion du film mince piézoélectrique commun avec le résonateur, ou encore par un microphone ou un capteur à membrane déformable.
Pour terminer, un exemple, toujours donné à titre non limitatif, de procédé de fabrication du dispositif selon l'invention décrit en référence à la figure 1 associant le résonateur 10 et le commutateur 14 est présenté ci-après.
Après la réalisation du miroir acoustique 28 sur le substrat silicium 12 on procède aux opérations suivantes :
- dépôt de la couche métallique 24 en platine suivi d'une structuration par photolithogravure, notamment pour la formation des contacts fixes 46, 48 et de l'espacement 47, - dépôt, notamment au-dessus des contacts 46 et 48, d'une couche sacrificielle (SiO2, silicium amorphe, polysilicium, résine ou autre) avec configuration de la couche sacrificielle pour délimiter l'espace de débattement 52 du commutateur 14 sous la future poutre 34, - dépôt sur la couche sacrificielle de la couche métal formant le contact mobile 50 et de la couche métal formant l'électrode 42 de l'actionneur (en une étape si les métaux utilisés sont identiques ou en deux étapes si les métaux utilisés sont différents),
- dépôt et structuration de la couche d'isolant 38 (SiO2, ZrO2 et Si3N ) formant la base de la poutre 34 jusqu'à venir en contact avec la couche métal 24,
- dépôt, par pulvérisation réactive, une méthode de type CVD (Chemical Vapour Déposition) ou une autre méthode, d'une couche de nitrure d'aluminium (AIN) et structuration de cette couche de film mince piézoélectrique 18 pour partie au- dessus de la couche 24 (section résonateur 10) et pour partie au-dessus de la couche d'isolant 38 (section commutateur 14),
- dépôt et structuration de l'électrode métal 20 du résonateur et de l'électrode de commande 40 du commutateur (en une ou deux étapes si nécessaire), et
- élimination de la couche sacrificielle par tout procédé connu approprié au matériau de celle-ci, par exemple, par gravure sèche (plasma) ou attaque humide à l'acide fluorhydrique HF (pour SiO2).

Claims

REVENDICATIONS:
1. Dispositif de type microsystème électromécanique à actionnement piézoélectrique comportant au moins un film mince piézoélectrique (18) caractérisé en ce que le film mince comporte au moins une première portion (36) à caractère piézoélectrique participant à l'actionnement dudit microsystème électromécanique et au moins une seconde portion (16) à caractère piézoélectrique intégrée dans un résonateur à ondes acoustiques (10).
2. Dispositif selon la revendication 1 , caractérisé en ce qu'il comporte un sous- ensemble de commutation (14) à actionnement piézoélectrique en tout ou partie de structure monomorphe ou multimorphe.
3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit sous-ensemble de commutation (14) comporte au moins un élément déformable de type poutre
(34) et/ou pont et/ou membrane et intégrant tout ou partie de ladite première portion (36) du film mince piézoélectrique.
4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le sous-ensemble de commutation (14) est du type à contact électrique (46, 48, 50) et/ou à couplage/découplage capacitif.
5. Dispositif selon la revendication 1 , caractérisé en ce qu'il comporte au moins une capacité variable à actionnement piézoélectrique en tout ou partie de structure monomorphe ou multimorphe.
6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la dite capacité variable est du type à actionnement par poutre ou membrane déformable intégrant tout ou partie de ladite première portion du film mince piézoélectrique.
7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la dite capacité variable est du type à armatures déplaçables l'une par rapport à l'autre à l'aide d'un dispositif d'actionnement intégrant tout ou partie de ladite première portion*du film mince piézoélectrique.
8. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est utilisé dans un système d'émission, de transmission ou réception radiofréquence RF ou micro-ondes. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il est utilisé dans un système de capteur et/ou transducteur acoustique ou autre.
10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que ladite seconde portion (16) à caractère piézoélectrique est intégrée dans un résonateur (10) à ondes acoustiques de volume.
11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit résonateur à ondes acoustiques de volume est du type à film piézoélectrique mince monté à plat sur substrat (12), de préférence sur un substrat SMR (12) à miroir acoustique (28).
12. Dispositif selon l'une des revendications 10 et 11 dans lequel l'épaisseur du film mince (18) revêtu de ses électrodes est sensiblement égale ou équivalente à une demi-longueur d'onde des ondes acoustiques de la fréquence de résonance mécanique du résonateur.
13. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 12 dans lequel le film mince piézoélectrique (18) comporte au moins une couche de matériau piézoélectrique choisi parmi le groupe des AIN, PZT, BaTiO3, KNbO3, PbNbO3, PbZrO3 et ZnO. 14. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 13 dans lequel le film mince piézoélectrique (18) est déposé par pulvérisation réactive ou par CVD en une seule opération.
15. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il intègre un micro-commutateur (14) à actionneur piézoélectrique configuré de façon à utiliser le film mince choisi pour le résonateur (10).
16. Dispositif selon l'une des revendications précédentes comportant au moins un résonateur piézoélectrique (10) pour circuits RF actifs entre 1 et 10 GHz.
7. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'itilisé en association avec un microcircuit notamment de type CMOS.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7343655B2 (en) * 2002-10-21 2008-03-18 Hrl Laboratories, Llc Manufacturing methods of micro electromechanical switch
US7400488B2 (en) 2002-10-21 2008-07-15 Hrl Laboratories, Llc Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters
WO2009043370A1 (fr) * 2007-10-01 2009-04-09 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Dispositif de commutation commandé en tension
US7656071B2 (en) 2002-10-21 2010-02-02 Hrl Laboratories, Llc Piezoelectric actuator for tunable electronic components
US7656252B2 (en) * 2005-11-17 2010-02-02 Seiko Epson Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) resonator and manufacturing method thereof
US9252733B2 (en) 2012-01-03 2016-02-02 International Business Machines Corporation Switchable filters and design structures
CN114222230A (zh) * 2021-11-30 2022-03-22 瑞声声学科技(深圳)有限公司 一种麦克风芯片及麦克风
CN115051680A (zh) * 2021-03-08 2022-09-13 诺思(天津)微系统有限责任公司 具有单晶和多晶体声波谐振器的滤波器及电子设备

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1726048B1 (fr) * 2003-12-22 2008-09-10 Nxp B.V. Composant electronique
CN111934635B (zh) * 2020-06-30 2024-03-01 上海科技大学 微机电无线信号唤醒接收器及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0963000A2 (fr) * 1998-06-02 1999-12-08 Nokia Mobile Phones Ltd. Structures de résonateurs
US20030179535A1 (en) * 2002-03-25 2003-09-25 Fujitsu Media Devices Limited And Fujitsu Limited Tunable capacitor and method of fabricating the same
US20030205948A1 (en) * 2002-05-03 2003-11-06 Asia Pacific Microsystems, Inc. Film bulk acoustic device with integrated tunable and trimmable device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0963000A2 (fr) * 1998-06-02 1999-12-08 Nokia Mobile Phones Ltd. Structures de résonateurs
US20030179535A1 (en) * 2002-03-25 2003-09-25 Fujitsu Media Devices Limited And Fujitsu Limited Tunable capacitor and method of fabricating the same
US20030205948A1 (en) * 2002-05-03 2003-11-06 Asia Pacific Microsystems, Inc. Film bulk acoustic device with integrated tunable and trimmable device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AIGNER R ED - INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS: "High performance RF-filters, suitable for above IC integration: film bulk-acoustic-resonators (FBAR) on silicon", PROCEEDINGS OF THE IEEE 2003 CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE. (CICC 2003). SAN JOSE, CA, SEPT. 21 - 24, 2003, IEEE CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE.CICC, NEW YORK, NY : IEEE, US, vol. CONF. 25, 21 September 2003 (2003-09-21), pages 141 - 146, XP010671193, ISBN: 0-7803-7842-3 *
GROSS S J ET AL: "LEAD-ZIRCONATE-TITANATE-BASED PIEZOELECTRIC MICROMACHINED SWITCH", APPLIED PHYSICS LETTERS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, vol. 83, no. 1, 7 July 2003 (2003-07-07), pages 174 - 176, XP001177839, ISSN: 0003-6951 *

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7992271B2 (en) 2002-10-21 2011-08-09 Hrl Laboratories, Llc Process of manufacturing a piezoelectric actuator for tunable electronic components on a carrier substrate
US7400488B2 (en) 2002-10-21 2008-07-15 Hrl Laboratories, Llc Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters
US7343655B2 (en) * 2002-10-21 2008-03-18 Hrl Laboratories, Llc Manufacturing methods of micro electromechanical switch
US7656071B2 (en) 2002-10-21 2010-02-02 Hrl Laboratories, Llc Piezoelectric actuator for tunable electronic components
US8018302B2 (en) 2005-11-17 2011-09-13 Seiko Epson Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) resonator and manufacturing method thereof
US7656252B2 (en) * 2005-11-17 2010-02-02 Seiko Epson Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) resonator and manufacturing method thereof
US8063721B2 (en) 2005-11-17 2011-11-22 Seiko Epson Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) resonator and manufacturing method thereof
US8198957B2 (en) 2005-11-17 2012-06-12 Seiko Epson Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) resonator and manufacturing method thereof
CN101917175B (zh) * 2005-11-17 2012-07-04 精工爱普生株式会社 Mems振子及其制造方法
WO2009043370A1 (fr) * 2007-10-01 2009-04-09 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Dispositif de commutation commandé en tension
US9252733B2 (en) 2012-01-03 2016-02-02 International Business Machines Corporation Switchable filters and design structures
DE102012223979B4 (de) * 2012-01-03 2016-03-31 International Business Machines Corporation Schaltbare Filter und zugehöriges Herstellungsverfahren
US9935600B2 (en) 2012-01-03 2018-04-03 International Business Machines Corporation Switchable filters and design structures
CN115051680A (zh) * 2021-03-08 2022-09-13 诺思(天津)微系统有限责任公司 具有单晶和多晶体声波谐振器的滤波器及电子设备
CN114222230A (zh) * 2021-11-30 2022-03-22 瑞声声学科技(深圳)有限公司 一种麦克风芯片及麦克风

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