TWI910965B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示面板包括基板、多個發光元件、多個接墊以及封裝層。基板設有顯示區與接墊區。多個發光元件設置在基板的顯示區內。多個接墊設置在基板的接墊區內。封裝層覆蓋多個發光元件，且未覆蓋多個接墊。封裝層具有鄰近接墊區的翹曲部。翹曲部與基板的基板表面之間設有間隙。間隙沿著基板表面的法線方向具有間隙高度，且間隙高度隨著接近多個接墊而增加。一種顯示面板的製造方法也被提出。

Description

顯示面板及其製造方法

本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別是有關於一種設有封裝層的顯示面板及其製造方法。

為了提高對環境的耐受性，自發光型顯示面板上的發光元件通常都會覆蓋有封裝層以阻絕環境中水氣與氧氣的入侵。然而，製程中所形成的封裝層容易覆蓋到緊鄰顯示區設置的接墊區，使得位於接墊區內用來進行電性測試的接墊或用於接合電路板的接墊都無法正常執行其預定的功能。

本發明提供一種顯示面板，其在後段製程中的接合良率或電性測試良率都較佳。

本發明提供一種顯示面板的製造方法，可顯著改善顯示面板的接墊在封裝製程後的可使用率。

本發明的顯示面板，包括基板、多個發光元件、多個接墊以及封裝層。基板設有顯示區與接墊區。多個發光元件設置在基板的顯示區內。多個接墊設置在基板的接墊區內。封裝層覆蓋多個發光元件，且未覆蓋多個接墊。封裝層具有鄰近接墊區的翹曲部。翹曲部與基板的基板表面之間設有間隙。間隙沿著基板表面的法線方向具有間隙高度，且間隙高度隨著接近多個接墊而增加。

本發明的顯示面板的製造方法，包括提供基板、於基板上形成圖案化犧牲層、於基板上形成封裝層以覆蓋多個發光元件與圖案化犧牲層、對封裝層進行雷射切割步驟，使封裝層具有重疊圖案化犧牲層的兩個斷開處以及移除圖案化犧牲層以顯露出多個接墊。多個發光元件設置在基板的顯示區內。多個接墊設置在基板的接墊區內。圖案化犧牲層覆蓋多個接墊，且未覆蓋多個發光元件。

基於上述，在本發明的一實施例的顯示面板的製造方法中，形成封裝層之前會先以圖案化犧牲層覆蓋接墊區內的多個接墊。封裝層形成之後利用雷射切割封裝層位於圖案化犧牲層上的部分並形成兩個斷開處，以利圖案化犧牲層的移除。圖案化犧牲層移除之後可顯露出多個接墊，且接墊區內較不會殘留有其他功能膜層，如此可提升顯示面板在後段製程中的接合良率或電性測試良率。由於圖案化犧牲層是在封裝層形成之後才移除，封裝層鄰近接墊區的部分在圖案化犧牲層移除後會形成翹曲部，且翹曲部與基板之間形成有間隙。

本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件的「下」側的元件將被定向在其它元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「上面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或（and/or）公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1是依照本發明的一實施例的顯示面板的剖視示意圖。圖2A至圖2E是圖1的顯示面板的製造流程的剖視示意圖。請參照圖1，顯示面板10包括基板100、多個接墊110與多個發光元件120。多個接墊110設置在基板100的接墊區PDA內。多個發光元件120設置在基板100的顯示區DA內。在本實施例中，基板100例如是玻璃基板，且其上設有畫素電路層（未繪示），但不以此為限。在其他實施例中，基板100可以是本發明所屬技術領域中常見的電路板。

在本實施例中，接墊110可用於接合柔性電路板200，例如覆晶薄膜（Chip On Film，COF），並且被封裝體180所包覆，但不以此為限。為了在顯示面板10的後段製程中進行電性測試（cell test），顯示面板10的接墊區PDA內還可設置適於讓測試機台的探針（pin）抵靠的接墊（未繪示）。

進一步地，顯示面板10還包括封裝層140，覆蓋顯示區DA的多個發光元件120。先說明的是，為了讓接墊區PDA內的接墊能正常執行其預定的功能，例如接墊110與柔性電路板200的電性接合（或接墊與測試機台的電性接觸），封裝層140並未覆蓋接墊區PDA內的接墊110。在本實施例中，封裝層140在顯示區DA內的厚度140t1的變異量小於或等於2 μm，即封裝層140在顯示區DA內具有均勻的厚度分布。前述的厚度140t1例如是封裝層140沿著基板表面100sf的法線方向（例如方向Z）的厚度。以下若未特別提及，則膜層的厚度都是以相同的方向來界定，便不再贅述界定厚度的方向。

特別注意的是，封裝層140具有鄰近接墊區PDA的翹曲部140wp。翹曲部140wp與基板100的基板表面100sf之間設有間隙G。間隙G沿著基板表面100sf的法線方向（例如方向Z）具有間隙高度Hg，且間隙高度Hg隨著接近接墊區PDA而增加。更具體地說，封裝層140在鄰近接墊區PDA的側緣部分（即翹曲部140wp）會從顯示區DA往接墊區PDA的方向（例如方向X）逐漸遠離基板表面100sf。在本實施例中，翹曲部140wp的分布範圍可界定為基板100的翹曲區WA。較佳地，間隙G的間隙高度Hg的最大值對封裝層140在顯示區DA的厚度140t1的比值大於1.1。翹曲部140wp沿著顯示區DA與接墊區PDA的排列方向（例如方向X）的寬度W可大於或等於0.1 mm且小於或等於3 mm。

在本實施例中，基板100在顯示區DA與接墊區PDA之間還可設有緩衝區BFA。更具體地，緩衝區BFA是位在翹曲區WA與顯示區DA之間。在本實施例中，封裝層140在緩衝區BFA內的厚度140t2隨著遠離顯示區DA而改變，且厚度140t2與厚度140t1的絕對差值大於4 μm。舉例來說，封裝層140在部分緩衝區BFA內的厚度可大於其在顯示區DA內的厚度140t1，而在另一部分緩衝區BFA內的厚度可小於其在顯示區DA內的厚度140t1。亦即，封裝層140在緩衝區BFA內具有不均勻的厚度分布。

以下將針對顯示面板10的製造方法進行示範性地說明。

請參照圖2A，首先，提供基板100S。在本實施例中，基板100S設有顯示區DA、接墊區PDA與虛設區DMA。顯示區DA設有多個發光元件120。接墊區PDA設有多個接墊110。虛設區DMA位在接墊區PDA背對顯示區DA的一側。舉例來說，虛設區DMA內可設有用於製程中的測試或檢測電路，但不以此為限。先說明的是，基板100S的接墊區PDA與虛設區DMA的交界處可定義出後續製程中的切割線CL。

接著，於基板100S上形成圖案化犧牲層130，如圖2B所示。圖案化犧牲層130是形成在接墊區PDA與部分的虛設區DMA。更具體地，圖案化犧牲層130覆蓋接墊區PDA內的多個接墊110，且未覆蓋顯示區DA內的多個發光元件120。圖案化犧牲層130的材料例如包括可剝膠。舉例來說，可使用螺桿閥（未繪示）沿著方向Y在接墊區PDA內塗佈可剝膠來形成本實施例的圖案化犧牲層130，但不以此為限。在本實施例中，圖案化犧牲層130可具有平坦部分130fp以及連接平坦部分130fp的兩個斜坡部分130sp。一個斜坡部分130sp位於平坦部分130fp與顯示區DA之間，而另一個斜坡部分130sp位於虛設區DMA內。

需說明的是，圖案化犧牲層130中相對於基板100S的斜率小於或等於0.2的部分可界定為前述的平坦部分130fp，而大於0.2的另一部分則界定為前述的斜坡部分130sp。較佳地，斜坡部分130sp沿著顯示區DA與接墊區PDA的排列方向（例如方向X）的寬度Wsp可小於800 μm。據此，可增加圖案化犧牲層130在基板100S上的配置彈性，例如：盡可能靠近顯示區DA塗佈又不至於覆蓋到顯示區DA。

先說明的是，為了避免在後續製程中，移除圖案化犧牲層130時發生斷裂殘留的問題，圖案化犧牲層130的厚度130t較佳地可大於或等於50 μm且小於或等於300 μm。

請參照圖2C，在圖案化犧牲層130形成之後，於基板100S上形成封裝層140以覆蓋多個發光元件120與圖案化犧牲層130。舉例來說，在本實施例中，封裝層140可先形成在軟性基材145上，再以貼膜的方式將封裝層140貼附至基板100S上，其中軟性基材145的材料例如是聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET），但不以此為限。在其他實施例中，封裝層140可以塗佈的方式形成在基板100S上。封裝層140的厚度140t例如可小於或等於50 μm。

較佳地，圖案化犧牲層130的厚度130t對封裝層140的厚度140t的比值可大於或等於1.5且小於或等於20。據此，可增加圖案化犧牲層130在後續製程中的移除成功率。

在封裝層140形成後，對封裝層140進行雷射切割步驟，使封裝層140具有兩個斷開處140d，如圖2D所示。特別注意的是，封裝層140的這兩個斷開處140d沿著基板表面100sf的法線方向（例如方向Z）重疊於圖案化犧牲層130。更具體地，這兩個斷開處140d是重疊於圖案化犧牲層130的平坦部分130fp。另一方面，這兩個斷開處140d完全貫穿封裝層140。換句話說，封裝層140在圖案化犧牲層130上方且位於兩個斷開處140d之間的部分是與其他部分結構上分離。特別說明的是，若封裝層140在雷射切割製程中未被完全切割，則會增加封裝層140位於圖案化犧牲層130上方的部分在後續製程中無法被移除的風險。

在本實施例中，封裝層140的雷射切割製程還會同時在圖案化犧牲層130上形成兩個切割槽130g。也就是說，這兩個切割槽130g沿著方向Z分別重疊於封裝層140的兩個斷開處140d。較佳地，切割槽130g沿著方向Z的切割深度dc對圖案化犧牲層130的厚度130t的百分比值小於10%。據此，可避免基板100S上的驅動線路（未繪示）被雷射損傷。

應可理解的是，在本實施例中，封裝層140在背對基板100S的一側還設有軟性基材145。因此，在雷射切割製程中，軟性基材145在圖案化犧牲層130上方也會形成完全貫穿軟性基材145的兩個斷開處，且這兩個斷開處沿著方向Z分別重疊於封裝層140的兩個斷開處140d。

在雷射切割製程完成後，移除圖案化犧牲層130以顯露出多個接墊110，如圖2E所示。應注意的是，封裝層140沿著方向Z重疊於圖案化犧牲層130的斜坡部分130sp的部分在圖案化犧牲層130的移除過程中會被斜坡部分130sp往遠離基板100S的方向帶動而翹起。在圖案化犧牲層130移除後，封裝層140的所述部分形成翹曲部140wp。

為了提升圖案化犧牲層130的移除成功率，封裝層140的楊氏模量（Young’s modulus）要大於圖案化犧牲層130的楊氏模量。較佳地，封裝層140的楊氏模量對圖案化犧牲層130的楊氏模量的比值可小於15。

在移除圖案化犧牲層130後，進行基板100S的切割製程以移除基板100S位於虛設區DMA的部分，並形成如圖1所示的基板100。舉例來說，在切割過程中，刀具（未繪示）是沿著切割線CL（即接墊區PDA與虛設區DMA的交界處）進行切割，但不以此為限。接著，將柔性電路板200與基板100上的多個接墊110電性接合，並且以封裝體180包覆接墊110與部分的柔性電路板200。另一方面，圖2E中封裝層140上的軟性基材145可被移除。

至此，便完成圖1的顯示面板10的製作。

請參照圖1，經由上述方法製作而成的顯示面板10，其封裝層140具有鄰近接墊區PDA的翹曲部140wp。翹曲部140wp與基板100的基板表面100sf之間設有間隙G。間隙G沿著基板表面100sf的法線方向具有間隙高度Hg，且間隙高度Hg隨著接近多個接墊110而增加。

以下將列舉另一實施例以詳細說明本發明，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。

圖3是依照本發明的另一實施例的顯示面板的剖視示意圖。請參照圖3，相較於圖1的顯示面板10，本實施例的顯示面板10A還可進一步包括吸光層160，設置在基板100上的顯示區DA內，且位於多個發光元件120之間，其中封裝層140還覆蓋吸光層160。更具體地，吸光層160覆蓋在基板100的基板表面100sf上，且未覆蓋發光元件120的出光面120es。據此，可降低基板100對於環境光的反射率，進而提升顯示面板10A的顯示對比。

由於顯示面板10A除了吸光層160以外的製程步驟都相似於圖1的顯示面板10，詳細的說明請參見前述實施例的相關段落，於此便不再贅述。

綜上所述，在本發明的一實施例的顯示面板的製造方法中，形成封裝層之前會先以圖案化犧牲層覆蓋接墊區內的多個接墊。封裝層形成之後利用雷射切割封裝層位於圖案化犧牲層上的部分並形成兩個斷開處，以利圖案化犧牲層的移除。圖案化犧牲層移除之後可顯露出多個接墊，且接墊區內較不會殘留有其他功能膜層，如此可提升顯示面板在後段製程中的接合良率或電性測試良率。由於圖案化犧牲層是在封裝層形成之後才移除，封裝層鄰近接墊區的部分在圖案化犧牲層移除後會形成翹曲部，且翹曲部與基板之間形成有間隙。

10、10A:顯示面板 100、100S:基板 100sf:基板表面 110:接墊 120:發光元件 120es:出光面 130:圖案化犧牲層 130fp:平坦部分 130g:切割槽 130sp:斜坡部分 130t、140t、140t1、140t2:厚度 140:封裝層 140d:斷開處 140wp:翹曲部 145:軟性基材 160:吸光層 180:封裝體 200:柔性電路板 BFA:緩衝區 CL:切割線 DA:顯示區 dc:切割深度 DMA:虛設區 G:間隙 Hg:間隙高度 PDA:接墊區 W、Wsp:寬度 WA:翹曲區 X、Y、Z:方向

圖1是依照本發明的一實施例的顯示面板的剖視示意圖。 圖2A至圖2E是圖1的顯示面板的製造流程的剖視示意圖。 圖3是依照本發明的另一實施例的顯示面板的剖視示意圖。

10:顯示面板

100:基板

100sf:基板表面

110:接墊

120:發光元件

140:封裝層

140t1、140t2:厚度

140wp:翹曲部

180:封裝體

200:柔性電路板

BFA:緩衝區

DA:顯示區

G:間隙

Hg:間隙高度

PDA:接墊區

W:寬度

WA:翹曲區

X、Y、Z:方向

Claims (13)

1. 一種顯示面板，包括： 一基板，設有一顯示區與一接墊區； 多個發光元件，設置在該基板的該顯示區內； 多個接墊，設置在該基板的該接墊區內；以及 一封裝層，覆蓋該些發光元件，且未覆蓋該些接墊，該封裝層具有鄰近該接墊區的一翹曲部，其中該翹曲部與該基板的一基板表面之間設有一間隙，該間隙沿著該基板表面的法線方向具有一間隙高度，且該間隙高度隨著接近該些接墊而增加。
2. 如請求項1所述的顯示面板，其中該封裝層在該顯示區內具有一第一厚度，且該第一厚度在該顯示區內的變異量小於或等於2 μm。
3. 如請求項2所述的顯示面板，其中該基板在該顯示區與該接墊區之間還設有一緩衝區，該封裝層在該緩衝區內具有一第二厚度，該第二厚度隨著遠離該顯示區而改變，且該第一厚度與該第二厚度的絕對差值大於4 μm。
4. 如請求項2所述的顯示面板，其中該間隙高度的最大值對該第一厚度的比值大於1.1。
5. 如請求項1所述的顯示面板，其中該顯示區與該接墊區沿著一第一方向排列，且該翹曲部沿著該第一方向的寬度大於或等於0.1 mm且小於或等於3 mm。
6. 如請求項1所述的顯示面板，還包括： 一吸光層，設置在該基板的該顯示區內，且位於該些發光元件之間，其中該封裝層還覆蓋該吸光層。
7. 一種顯示面板的製造方法，包括： 提供一基板，該基板的一顯示區內設有多個發光元件，且該基板的一接墊區內設有多個接墊； 於該基板上形成一圖案化犧牲層，其中該圖案化犧牲層覆蓋該些接墊，且未覆蓋該些發光元件； 於該基板上形成一封裝層以覆蓋該些發光元件與該圖案化犧牲層； 對該封裝層進行一雷射切割步驟，使該封裝層具有重疊於該圖案化犧牲層的兩個斷開處；以及 移除該圖案化犧牲層以顯露出該些接墊，其中該封裝層鄰近該接墊區的一部分在該圖案化犧牲層移除後形成一翹曲部，且該翹曲部與該基板的一基板表面之間設有一間隙。
8. 如請求項7所述的顯示面板的製造方法，其中該封裝層的楊氏模量大於該圖案化犧牲層的楊氏模量。
9. 如請求項8所述的顯示面板的製造方法，其中該封裝層的楊氏模量對該圖案化犧牲層的楊氏模量的比值小於15。
10. 如請求項7所述的顯示面板的製造方法，其中該圖案化犧牲層與該封裝層沿著該基板的一基板表面的法線方向分別具有一第一厚度與一第二厚度，且該第一厚度對該第二厚度的比值大於或等於1.5且小於或等於20。
11. 如請求項7所述的顯示面板的製造方法，其中在該雷射切割步驟完成後，該圖案化犧牲層具有重疊於該封裝層的該兩個斷開處的兩個切割槽，該兩個切割槽各自沿著該基板的一基板表面的法線方向具有一切割深度，該圖案化犧牲層沿著該基板表面的該法線方向具有一厚度，且該切割深度對該厚度的百分比值小於10%。
12. 如請求項7所述的顯示面板的製造方法，其中該圖案化犧牲層具有相連接的一平坦部分與一斜坡部分，該斜坡部分位於該平坦部分與該顯示區之間，該平坦部分相對於該基板的斜率小於或等於0.2，該斜坡部分相對於該基板的斜率大於0.2，且該斜坡部分沿著該顯示區與該接墊區的一排列方向的寬度小於800 μm。
13. 如請求項12所述的顯示面板的製造方法，其中該封裝層的該兩個斷開處重疊於該圖案化犧牲層的該平坦部分。