TWI872483B

TWI872483B - 顯示面板、包含其之拼接顯示裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI872483B
Application number: TW112109993A
Authority: TW
Inventors: 許意悅; 陳冠勳; 王勝進
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2023-03-17
Filing date: 2023-03-17
Publication date: 2025-02-11
Also published as: TW202439955A; KR102821051B1; CN116598330A; US20240313181A1; KR20240140838A

Abstract

一種顯示面板，具有相鄰的顯示區及外引腳接線區，且包括：電路基板、多個發光元件、封裝層以及密封層。電路基板具有相對的上表面及下表面、以及連接上表面與下表面的第一側面，且第一側面從顯示區延伸至外引腳接線區。多個發光元件設置於顯示區，且位於電路基板上。封裝層設置於顯示區，且位於電路基板上及多個發光元件之間，其中封裝層的第一端面與電路基板的第一側面齊邊。密封層覆蓋電路基板的第一側面及封裝層的第一端面。此外，還提出一種包含上述顯示面板的拼接顯示裝置以及上述顯示面板的製造方法。

Description

顯示面板、包含其之拼接顯示裝置及其製造方法

本發明是有關於一種光電裝置及其製造方法，且特別是有關於一種顯示面板、包含其之拼接顯示裝置及其製造方法。

微型發光二極體（Micro-LED）顯示裝置具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。由於微型發光二極體的尺寸極小，目前製作微型發光二極體顯示裝置的方法是採用巨量轉移（Mass Transfer）技術，亦即利用微機電陣列技術進行微型發光二極體晶粒取放，以將大量的微型發光二極體晶粒一次搬運到電路基板上。

然而，由於巨量轉移技術的良率仍有待提升，目前的一種作法是先製造小尺寸的顯示面板，再將顯示面板拼接成大尺寸的顯示裝置。為了實現無縫拼接的結構，顯示面板的整個顯示面皆為有效區，因此封裝層必須具有相當高的厚度均勻性，這對於封裝製程來說相當嚴苛。再者，封裝結構為多層的設計，在經過高溫高濕的可靠度測試之後，時常出現層間剝離（peeling）的狀況，甚至還可能會影響電路的連接，導致可靠度不佳。

本發明提供一種顯示面板，具有提高的可靠度。

本發明提供一種拼接顯示裝置，具有提高的可靠度。

本發明提供一種顯示面板的製造方法，能夠提高封裝層的厚度均勻性。

本發明的一個實施例提出一種顯示面板，具有相鄰的顯示區及外引腳接線區，且包括：電路基板、多個發光元件、封裝層以及密封層。電路基板具有相對的上表面及下表面、以及連接上表面與下表面的第一側面，且第一側面從顯示區延伸至外引腳接線區。多個發光元件設置於顯示區，且位於電路基板上。封裝層設置於顯示區，且位於電路基板上及多個發光元件之間，其中封裝層的第一端面與電路基板的第一側面齊邊。密封層覆蓋電路基板的第一側面及封裝層的第一端面。

在本發明的一實施例中，上述的封裝層的高度小於或等於發光元件的高度。

在本發明的一實施例中，上述的封裝層的厚度為5μm至10μm，且封裝層的OD值大於或等於3，密封層的OD值大於或等於2。

在本發明的一實施例中，上述的封裝層的高度大於發光元件的高度。

在本發明的一實施例中，上述的封裝層的透光率大於或等於80%，且密封層的透光率大於或等於80%。

在本發明的一實施例中，上述的密封層從第一側面的位於顯示區的部分延伸至第一側面的位於外引腳接線區的部分。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板還包括晶片接合薄膜，設置於外引腳接線區，且電連接電路基板。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板還包括保護膠，位於外引腳接線區，且覆蓋晶片接合薄膜。

在本發明的一實施例中，上述的保護膠的材料不同於封裝層的材料。

在本發明的一實施例中，上述的保護膠覆蓋電路基板的位於外引腳接線區的第二側面，且第二側面鄰接第一側面。

在本發明的一實施例中，上述的封裝層的第二端面位於多個發光元件與第二側面之間。

在本發明的一實施例中，上述的晶片接合薄膜位於第二端面與第二側面之間。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板還包括光學層，設置於顯示區，且位於多個發光元件及封裝層上。

在本發明的一實施例中，上述的光學層的第一邊面延伸超出封裝層的第一端面，且密封層實體接觸封裝層及光學層。

在本發明的一實施例中，上述的光學層的第一邊面上的切割痕連續延伸至密封層的切割面。

在本發明的一實施例中，上述的封裝層的上表面與密封層的上表面齊平。

在本發明的一實施例中，上述的光學層的第一邊面與封裝層的第一端面齊邊，且密封層還覆蓋光學層的第一邊面。

本發明的另一個實施例提出一種拼接顯示裝置，包括：兩個上述的顯示面板。

在本發明的一實施例中，兩個上述的顯示面板的第一側面相對。

在本發明的一實施例中，上述的密封層位於兩個上述的顯示面板之間。

本發明的又一個實施例提出一種顯示面板的製造方法，包括：提供電路基板；設置多個發光元件於電路基板上；形成封裝層於電路基板及多個發光元件上；對電路基板及封裝層進行切割，以露出電路基板的第一側面及封裝層的第一端面；以及形成密封層於電路基板的第一側面及封裝層的第一端面上。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法還包括在「形成封裝層於電路基板及多個發光元件上」之後對封裝層進行平坦化製程。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法還包括在「對電路基板及封裝層進行切割」之後形成光學層於封裝層及多個發光元件上。

在本發明的一實施例中，上述的密封層還形成於光學層的下表面。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法還包括在「形成密封層」之後對光學層及密封層進行切割，以露出光學層的第一邊面及密封層的切割面。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法還包括在「對電路基板及封裝層進行切割」之前形成光學層於封裝層及多個發光元件上，且在「對電路基板及封裝層進行切割」的步驟中還對光學層進行切割，以露出光學層的第一邊面。

在本發明的一實施例中，上述的密封層還形成於光學層的第一邊面上。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反地，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的第一「元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」或表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

圖1A至圖1Ia為本發明一實施例的顯示面板10的製造方法的步驟流程的剖面示意圖。首先，請參照圖1A，提供電路基板110。在一些實施例中，電路基板110包括顯示面板10需要的元件或線路，例如驅動元件、開關元件、儲存電容、電源線、驅動訊號線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線等等。在一些實施例中，電路基板110包括開關元件陣列。在一些實施例中，電路基板110包括用以使電路基板110與外部電連接的多個接墊PD。在一些實施例中，多個接墊PD設置於電路基板110的上表面110T上。

接著，請參照圖1B，設置多個發光元件120於電路基板110上。在一些實施例中，可以藉由巨量轉移製程先將形成於生長基板（例如藍寶石基板）上的多個發光元件120轉置於暫時載板（圖未示）上，且發光元件120可以藉由例如黏著材料固定於暫時載板上。之後，可以使用例如取放接合（pick-up bonding）或直接壓合（direct bonding）的方式將暫時載板上的多個發光元件120分別放置於電路基板110上。發光元件120可以電連接電路基板110。在一些實施例中，發光元件120可以通過電路基板110上的接墊PD電連接電路基板110。在一些實施例中，電路基板110具有顯示區AA、周邊區NA及外引腳接線區LA，且發光元件120僅設置於顯示區AA，發光元件120不設置於周邊區NA及外引腳接線區LA。在一些實施例中，接墊PD位於顯示區AA及外引腳接線區LA。在一些實施例中，周邊區NA及外引腳接線區LA圍繞顯示區AA。在一些實施例中，周邊區NA鄰接電路基板110的第一側S1、第三側S3及第四側S4，且外引腳接線區LA鄰接電路基板110的第二側S2。

接著，請參照圖1C，形成初始封裝層130’於電路基板110及多個發光元件120上。初始封裝層130’可以完全覆蓋多個發光元件120。在一些實施例中，初始封裝層130’完全覆蓋電路基板110的顯示區AA，且初始封裝層130’還覆蓋周邊區NA的鄰接顯示區AA的部分。如此一來，初始封裝層130’由於灘流而厚度較薄的邊緣部分EP可以位於周邊區NA，使得初始封裝層130’的位於顯示區AA的主體部分CP能夠具有提高的厚度均勻性。在一些實施例中，初始封裝層130’未延伸至外引腳接線區LA。在一些實施例中，初始封裝層130’還延伸至外引腳接線區LA的鄰接顯示區AA的區域。在一些實施例中，初始封裝層130’的材料可以包括有機材料，例如環氧樹脂，但本揭露不限於此。

接著，請參照圖1D，對初始封裝層130’進行平坦化製程，以露出發光元件120，且形成封裝層130。在一些實施例中，可以藉由電漿蝕刻（Plasma etching）的方式對初始封裝層130’進行平坦化。在一些實施例中，封裝層130包括抗反射材料，且封裝層130的高度小於或等於發光元件120的高度，以露出發光元件120的出光面。在一些實施例中，封裝層130包括透明封裝材料，且封裝層130的高度大於發光元件120的高度，使得封裝層130完全包覆發光元件120。

接著，請參照圖1E，可以對電路基板110及封裝層130進行切割，以移除電路基板110的周邊區NA及位於周邊區NA上的部分封裝層130。在上述切割之後，可以露出電路基板110的切割面及封裝層130的切割面。舉例而言，電路基板110的切割面包括第一側面111、第三側面113及第四側面114，其中第一側面111及第三側面113從顯示區AA延伸至外引腳接線區LA，第四側面114位於顯示區AA。封裝層130的切割面可以包括第一端面131、第三端面133及第四端面134，其中第一端面131及第三端面133從顯示區AA延伸至外引腳接線區LA，且第四端面134位於顯示區AA。另外，電路基板110的位於第二側S2的第二側面112位於外引腳接線區LA，且第二側面112連接電路基板110的第一側面111與第三側面113。在一些實施例中，可以使用刀輪或紅外光（IR）雷射對電路基板110進行切割。在一些實施例中，可以使用紫外光（UV）雷射或IR雷射對封裝層130進行切割。

接著，請參照圖1F，形成光學層140於封裝層130及多個發光元件120上。在一些實施例中，光學層140延伸超出電路基板110及封裝層130的切割面。舉例而言，光學層140延伸超出電路基板110的第一側面111、第三側面113及第四側面114以及封裝層130的第一端面131、第三端面133及第四端面134，但光學層140不延伸超出電路基板110的第二側面112。在一些實施例中，光學層140部分重疊電路基板110的外引腳接線區LA。在一些實施例中，光學層140不重疊電路基板110的外引腳接線區LA。

接著，請參照圖1G，形成密封層150於電路基板110及封裝層130的切割面。舉例而言，形成密封層150於電路基板110的第一側面111、第三側面113及第四側面114以及封裝層130的第一端面131、第三端面133及第四端面134上。在一些實施例中，密封層150還形成於光學層140的面對封裝層130的下表面。在一些實施例中，可以使用噴灑（spraying）或塗佈（coating）的方式來形成密封層150。

接著，請參照圖1H，對光學層140及密封層150進行切割，以露出光學層140的第一邊面141、第三邊面143及第四邊面144以及密封層150的切割面151、153、154。在一些實施例中，可以在單一切割步驟中對光學層140及密封層150進行切割，使得切割步驟所形成的切割痕從光學層140的第一邊面141連續延伸至密封層150的切割面151、從光學層140的第三邊面143連續延伸至密封層150的切割面153、且從光學層140的第四邊面144連續延伸至密封層150的切割面154。在一些實施例中，可以使用例如UV雷射對光學層140及密封層150進行切割。接著，請參照圖1Ia，設置於晶片接合薄膜CF於外引腳接線區LA。在一些實施例中，晶片接合薄膜CF電連接接墊PD。

圖1Ia是依照本發明一實施例的顯示面板10的立體示意圖。圖1Ib是沿圖1Ia的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。圖1Ic是沿圖1Ia的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。

請同時參照圖1Ia至圖1Ic，顯示面板10可以具有相鄰的顯示區AA及外引腳接線區LA，且包括：電路基板110、多個發光元件120、封裝層130以及密封層150。多個發光元件120可以設置於電路基板110上，且發光元件120設置於顯示區AA。在一些實施例中，電路基板110具有相對的上表面110T及下表面110B以及相鄰的第一側面111及第二側面112，且第一側面111連接上表面110T與下表面110B，第二側面112也連接上表面110T與下表面110B。多個發光元件120可以設置於電路基板110的上表面110T。

在一些實施例中，封裝層130設置於顯示區AA，且封裝層130位於電路基板110的上表面110T上及多個發光元件120之間。在一些實施例中，封裝層130僅設置於顯示區AA。在一些實施例中，封裝層130還延伸至外引腳接線區LA。在一些實施例中，封裝層130的第一端面131與電路基板110的第一側面111大致上齊邊。在一些實施例中，顯示面板10為不透明顯示面板，且封裝層130包括抗反射材料，例如黑色吸光材料。在一些實施例中，封裝層130的上表面130T的水平高度低於或等於發光元件120的上表面120T的水平高度。換句話說，封裝層130至少露出發光元件120的出光面。在一些實施例中，當封裝層130的厚度T3約為5μm至10μm時，封裝層130的光密度（optical density，OD）或遮黑度的值大於或等於3。

在一些實施例中，密封層150覆蓋電路基板110的第一側面111及封裝層130的第一端面131。在一些實施例中，密封層150從電路基板110的第一側面111連續延伸至封裝層130的第一端面131。如此一來，密封層150能夠密封封裝層130與電路基板110之間的界面IF，藉以避免界面IF因高溫高濕環境而發生剝離，藉以提高顯示面板10的可靠度。在一些實施例中，密封層150的厚度T5約為150μm至500μm。在一些實施例中，當密封層150的厚度約為150μm至500μm時，密封層150的光密度值大於或等於2。

請同時參照圖1Ia及圖1Ic，在一些實施例中，顯示面板10還包括位於外引腳接線區LA的接墊PD。在一些實施例中，顯示面板10還包括晶片接合薄膜CF，且晶片接合薄膜CF電連接接墊PD。在一些實施例中，晶片接合薄膜CF的引腳通過導電膠AF（例如，異方性導電膠）電連接接墊PD。在一些實施例中，顯示面板10還包括保護膠PG，保護膠PG位於外引腳接線區LA，且保護膠PG覆蓋晶片接合薄膜CF。在一些實施例中，保護膠PG的材料不同於封裝層130的材料。在一些實施例中，保護膠PG還延伸至電路基板110的第二側面112。

在一些實施例中，封裝層130的第二端面132位於發光元件120與電路基板110的第二側面112之間。在一些實施例中，封裝層130的第二端面132位於外引腳接線區LA。在一些實施例中，封裝層130的第二端面132與電路基板110的第二側面112之間具有間距SP。在一些實施例中，接墊PD設置於封裝層130的第二端面132與電路基板110的第二側面112之間。

請同時參照圖1Ia及圖1Ib，在一些實施例中，顯示面板10還包括光學層140，光學層140設置於顯示區AA，且位於多個發光元件120及封裝層130上。在一些實施例中，光學層140的第一邊面141延伸超出封裝層130的第一端面131，且光學層140還位於密封層150上。換句話說，密封層150可以實體接觸封裝層130的第一端面131及光學層140的下表面140B。在一些實施例中，封裝層130的上表面130T與密封層150的上表面150T齊平。在一些實施例中，光學層140的第一邊面141上的切割痕連續延伸至密封層150的切割面151。在一些實施例中，光學層140包括多個膜層。在一些實施例中，光學層140的厚度T4約為100μm至150μm。在一些實施例中，顯示面板10還包括位於發光元件120及封裝層130與光學層140之間的黏著層（圖未示），例如壓克力膠層。

以下，使用圖2至圖6繼續說明本發明的其他實施例，並且，沿用圖1A至圖1Ic的實施例的元件標號與相關內容，其中，採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1A至圖1Ic的實施例，在以下的說明中不再贅述。

圖2是依照本發明一實施例的顯示面板20的剖面示意圖。顯示面板20包括：電路基板110、多個發光元件120、封裝層230、光學層140以及密封層250。

與如圖1Ia至圖1Ic所示的顯示面板10相比，圖2所示的顯示面板20的不同之處在於：顯示面板20為透明顯示面板，且顯示面板20的封裝層230可以包括透明封裝膠材。在一些實施例中，封裝層230的上表面230T的水平高度高於發光元件120的上表面120T的水平高度。換句話說，封裝層230可以完全包覆發光元件120。在一些實施例中，封裝層230的透光率大於或等於80%。在一些實施例中，封裝層230的厚度約為10μm至50μm。在一些實施例中，密封層250包括透明密封膠材。在一些實施例中，密封層250的透光率大於或等於80%。另外，密封層250可以覆蓋封裝層230的第一端面231以及電路基板110的第一側面111。

圖3A至圖3Da為本發明一實施例的顯示面板30的製造方法的步驟流程的剖面示意圖。圖3A至圖3Da的步驟流程可以接續於圖1A至圖1D的步驟流程之後進行。

請參照圖3A，在形成封裝層130於電路基板110上及發光元件120之間之後，可以形成光學層140於封裝層130及多個發光元件120上。在一些實施例中，光學層140至少完全覆蓋發光元件120。在一些實施例中，光學層140完全覆蓋封裝層130。

接著，請參照圖3B，對光學層140、封裝層130及電路基板110進行切割之後，留下設置發光元件120的顯示區AA及設置接墊PD的外引腳接線區LA，且露出光學層140、封裝層130及電路基板110的切割面。舉例而言，上述切割之後露出光學層140的第一邊面141、第三邊面143及第四邊面144、封裝層130的第一端面131、第三端面133及第四端面134、以及電路基板110的第一側面111、第三側面113及第四側面114。在一些實施例中，可以使用雷射對光學層140、封裝層130及電路基板110進行切割。在一些實施例中，可以使用UV雷射切割光學層140及封裝層130，且使用IR雷射切割電路基板110。

接著，請參照圖3B至圖3C，形成密封層350於光學層140、封裝層130及電路基板110的切割面。舉例而言，可以形成密封層350於光學層140的第一邊面141、第三邊面143及第四邊面144、封裝層130的第一端面131、第三端面133及第四端面134、以及電路基板110的第一側面111、第三側面113及第四側面114上。接著，請參照圖3Da，設置於晶片接合薄膜CF於外引腳接線區LA，且使晶片接合薄膜CF電連接接墊PD，即可完成顯示面板30。

圖3Da是依照本發明一實施例的顯示面板30的立體示意圖。圖3Db是沿圖3Da的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。請同時參照圖3Da及圖3Db，顯示面板30包括：電路基板110、多個發光元件120、封裝層130、光學層140以及密封層350。

與如圖1Ia至圖1Ic所示的顯示面板10相比，圖3Da至圖3Db所示的顯示面板30的不同之處在於：光學層140的第一邊面141與封裝層130的第一端面131齊邊，且密封層350覆蓋光學層140的第一邊面141、封裝層130的第一端面131以及電路基板110的第一側面111。如此一來，密封層350能夠防止光學層140與封裝層130之間的界面OF以及封裝層130與電路基板110之間的界面IF發生剝離的狀況，進而提高顯示面板30的可靠度。

圖4是依照本發明一實施例的顯示面板40的剖面示意圖。顯示面板40包括：電路基板110、多個發光元件120、封裝層230、光學層140以及密封層450。

與圖3Da至圖3Db所示的顯示面板30相比，圖4所示的顯示面板40的不同之處在於：顯示面板40為透明顯示面板，且顯示面板40的封裝層230包括透明封裝材料。在一些實施例中，封裝層230的上表面230T的水平高度高於發光元件120的上表面120T的水平高度。換句話說，封裝層230可以完全包覆發光元件120。在一些實施例中，封裝層230的透光率大於或等於80%。在一些實施例中，封裝層230的厚度約為10μm至50μm。密封層450可以覆蓋光學層140的第一邊面141、封裝層230的第一端面231以及電路基板110的第一側面111。在一些實施例中，密封層450包括透明密封材料。在一些實施例中，密封層450的透光率大於或等於80%。

圖5A是依照本發明一實施例的拼接顯示裝置100的立體示意圖。圖5B是沿圖5A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。圖5C是沿圖5A的剖面線E-E’所作的剖面示意圖。請參照圖5A，拼接顯示裝置100包括：兩個上述的顯示面板10。

請參照圖5B，在一些實施例中，左側的顯示面板10的電路基板110的第一側面111面對右側的顯示面板10的電路基板110的第一側面111。在一些實施例中，兩個顯示面板10的密封層150位於兩個顯示面板10之間。在一些實施例中，兩個顯示面板10的光學層140的第一邊面141之間實質上實體接觸，使得兩個顯示面板10的光學層140之間能夠實現無縫拼接。

請參照圖5A及圖5C，在一些實施例中，密封層150還從第一側面111的位於顯示區AA的部分延伸至第一側面111的位於外引腳接線區LA的部分，且在外引腳接線區LA，密封層150被夾置於兩個電路基板110之間。在一些實施例中，拼接顯示裝置100包括：兩個上述的顯示面板20。

圖6是依照本發明一實施例的拼接顯示裝置200的剖面示意圖。與如圖5A至圖5C所示的拼接顯示裝置100相比，圖6所示的拼接顯示裝置200的不同之處主要在於：拼接顯示裝置200包括兩個上述的顯示面板30。

在一些實施例中，左側的顯示面板30的電路基板110的第一側面111鄰接右側的顯示面板30的電路基板110的第一側面111。在一些實施例中，兩個顯示面板30的密封層350夾於兩個顯示面板30的光學層140、封裝層130以及電路基板110之間，使得兩個顯示面板30之間能夠實現無縫拼接。密封層350的寬度W3並無特殊限制，只要能夠使其兩側的發光元件120之間的間距大致上等於各顯示面板30內的兩相鄰發光元件120之間的間距即可。在一些實施例中，密封層350的寬度W3約為30μm至100μm。在一些實施例中，拼接顯示裝置200包括兩個上述的顯示面板40。

綜上所述，本發明的顯示面板藉由密封層密封封裝層與電路基板之間的界面，能夠避免上述界面因例如高溫高濕環境而發生剝離，進而提高顯示面板的可靠度。另外，本發明的顯示面板的製造方法藉由將初始封裝層施加於顯示區及周邊區之後再進行切割，能夠提高顯示區的封裝層的厚度均勻性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10,20,30,40:顯示面板 100,200:拼接顯示裝置 110:電路基板 111:第一側面 112:第二側面 113:第三側面 114:第四側面 110B,140B:下表面 110T,120T,130T,150T,230T:上表面 120:發光元件 130,230:封裝層 130’:初始封裝層 131,231:第一端面 132:第二端面 133:第三端面 134:第四端面 140:光學層 141:第一邊面 143:第三邊面 144:第四邊面 150,250,350,450:密封層 151,153,154:切割面 AA:顯示區 A-A’,B-B’,C-C’,D-D’,E-E’:剖面線 AF:導電膠 CF:晶片接合薄膜 CP:主體部分 EP:邊緣部分 IF,OF:界面 LA:外引腳接線區 PG:保護膠 NA:周邊區 PD:接墊 S1:第一側 S2:第二側 S3:第三側 S4:第四側 SP:間距 T3,T4,T5:厚度 W3:寬度

圖1A至圖1Ia為本發明一實施例的顯示面板10的製造方法的步驟流程的剖面示意圖。圖1Ib是沿圖1Ia的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。圖1Ic是沿圖1Ia的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。圖2是依照本發明一實施例的顯示面板20的剖面示意圖。圖3A至圖3Da為本發明一實施例的顯示面板30的製造方法的步驟流程的剖面示意圖。圖3Db是沿圖3Da的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。圖4是依照本發明一實施例的顯示面板40的剖面示意圖。圖5A是依照本發明一實施例的拼接顯示裝置100的立體示意圖。圖5B是沿圖5A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。圖5C是沿圖5A的剖面線E-E’所作的剖面示意圖。圖6是依照本發明一實施例的拼接顯示裝置200的剖面示意圖。

10:顯示面板

110:電路基板

111:第一側面

110B,140B:下表面

110T,120T,130T,150T:上表面

120:發光元件

130:封裝層

131:第一端面

140:光學層

141:第一邊面

150:密封層

151:切割面

IF:界面

T3,T4,T5:厚度

Claims

一種顯示面板，具有相鄰的顯示區及外引腳接線區，且包括：電路基板，具有相對的上表面及下表面、以及連接所述上表面與所述下表面的第一側面，且所述第一側面從所述顯示區延伸至所述外引腳接線區；多個發光元件，設置於所述顯示區，且位於所述電路基板上；封裝層，設置於所述顯示區，且位於所述電路基板上及所述多個發光元件之間，其中所述封裝層的第一端面與所述電路基板的所述第一側面齊邊；光學層，位於所述多個發光元件及所述封裝層上；密封層，覆蓋所述電路基板的所述第一側面及所述封裝層的所述第一端面；晶片接合薄膜，設置於所述外引腳接線區，且電連接所述電路基板；以及保護膠，位於所述外引腳接線區，且覆蓋所述晶片接合薄膜及所述封裝層的上表面，其中所述封裝層包括位於所述多個發光元件與所述晶片接合薄膜之間的邊緣部分，且所述保護膠實體接觸所述邊緣部分及所述光學層的邊面。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述封裝層的高度小於或等於所述發光元件的高度。
如請求項2所述的顯示面板，其中所述封裝層的厚度為5μm至10μm，且所述封裝層的光密度值大於或等於3，所述密封層的光密度值大於或等於2。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述封裝層的高度大於所述發光元件的高度。
如請求項4所述的顯示面板，其中所述封裝層的透光率大於或等於80%，且所述密封層的透光率大於或等於80%。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述密封層從所述第一側面的位於所述顯示區的部分延伸至所述第一側面的位於所述外引腳接線區的部分。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述保護膠的材料不同於所述封裝層的材料。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述保護膠覆蓋所述電路基板的位於所述外引腳接線區的第二側面，且所述第二側面鄰接所述第一側面。
如請求項8所述的顯示面板，其中所述封裝層的第二端面位於所述多個發光元件與所述第二側面之間。
如請求項9所述的顯示面板，其中所述晶片接合薄膜位於所述第二端面與所述第二側面之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述光學層僅設置於所述顯示區。
如請求項11所述的顯示面板，其中所述光學層的第一邊面延伸超出所述封裝層的所述第一端面，且所述密封層實體接觸所述封裝層及所述光學層。
如請求項12所述的顯示面板，其中所述光學層的第一邊面上的切割痕連續延伸至所述密封層的切割面。
如請求項12所述的顯示面板，其中所述封裝層的上表面與所述密封層的上表面齊平。
如請求項11所述的顯示面板，其中所述光學層的第一邊面與所述封裝層的所述第一端面齊邊，且所述密封層還覆蓋所述光學層的所述第一邊面。
一種拼接顯示裝置，包括：兩個如請求項1所述的顯示面板。
如請求項16所述的拼接顯示裝置，其中所述兩個顯示面板的所述第一側面相對。
如請求項16所述的拼接顯示裝置，其中所述密封層位於所述兩個顯示面板之間。
一種顯示面板的製造方法，包括：提供電路基板，所述電路基板具有相鄰的顯示區及外引腳接線區；設置多個發光元件於所述電路基板的所述顯示區上；形成封裝層於所述電路基板及所述多個發光元件上；形成光學層於所述封裝層及所述多個發光元件上；對所述光學層、所述電路基板及所述封裝層進行切割，以露出所述光學層的第一邊面、所述電路基板的第一側面及所述封裝層的第一端面；形成密封層於所述電路基板的所述第一側面及所述封裝層的所述第一端面上；設置於晶片接合薄膜於所述電路基板的所述外引腳接線區上；以及形成保護膠於所述晶片接合薄膜上，其中所述封裝層包括位於所述多個發光元件與所述晶片接合薄膜之間的邊緣部分，且所述保護膠實體接觸所述邊緣部分及所述光學層的所述第一邊面。
如請求項19所述的顯示面板的製造方法，其中所述密封層還形成於所述光學層的所述第一邊面上。