TWI903125B - 保護片及電子器件封裝的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種保護片，其用於電路基板，所述保護片具有第一面及與第一面為相反面的第二面，所述保護片中，第一面的利用探針黏性試驗所得的黏著力為0.15 N/cm²以下，且由下述式1求出的指數X為0.5～2.0，以1.0重量%～9.8重量%的含量包含填料。[式1]X=F_total/T_total（F_total；於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的保護片於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的平均值（μm），T_total；保護片的總厚度（μm））

Description

保護片及電子器件封裝的製造方法

本發明是有關於一種保護片及電子器件封裝的製造方法。

已知有於搭載有積體電路（integrated circuit，IC）晶片的基板上形成絕緣層，保護晶片免受電磁波的影響的方法（例如，專利文獻1）。[專利文獻1]美國專利7,445,968公報

於本發明的第一形態中，提供一種保護片，用於電路基板，所述保護片具有第一面及與第一面為相反面的第二面，所述保護片中，第一面的利用探針黏性試驗所得的黏著力為0.15 N/cm²以下，且由下述式1求出的指數X為0.5～2.0，所述保護片以1.0重量%～9.8重量%的含量包含填料。[式1]X=F_total/T_total（F_total；於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的保護片於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的平均值（μm），T_total；保護片的總厚度（μm））

所述保護片的拉伸斷裂強度可為10 N/mm²～70 N/mm²。

所述保護片可包括第一保護層及第二保護層。第一保護層可為所述保護片的所述第一面側的最表層。進而，第二保護層於所述保護片中可為所述第二面側的最表層。

於所述任一保護片中，所述第二保護層的由下述式2求出的指數Y可為0.5～1.5。[式2]Y=F₂/T₂（F₂；於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的第二保護層於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的平均值（μm），T₂；第二保護層的厚度（μm））

於所述任一保護片中，第一保護層的由下述式3求出的指數Z可為2.0～15.0。[式3]Z=F₁/T₁（F₁；於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的第一保護層於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的平均值（μm），T₁；第一保護層的厚度（μm））

於所述任一保護片中，第二保護層的玻璃轉移溫度可為60℃以下。

於所述任一保護片中，第一保護層的膜厚可為5 μm～150 μm，第二保護層的膜厚可為10 μm～200 μm。

於所述任一保護片中，可於第一保護層與所述第二保護層之間包括第三保護層。進而，第三保護層的由下述式4求出的指數W可為1.0～3.0。[式4]W=F₃/T₃（F₃；於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的第三保護層於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的平均值（μm），T₃；第三保護層的厚度（μm））

於所述任一保護片中，第三保護層的膜厚可為20 μm～200 μm。

於所述任一保護片中，第一保護層、第二保護層及第三保護層可包含聚胺基甲酸酯系樹脂、硬化劑。

於所述任一保護片中，保護片可包含填料，保護片的所述第二面側的填料的質量濃度可較所述第一面側大。

另外，於第二形態中，提供一種電子器件封裝，包括：電路基板，於表面設置有導電電路；電子器件，配置於電路基板上；以及保護層，設置於電路基板及電子器件上，電子器件於電路基板的主表面的觀察或自主表面的側面的觀察中具有五邊形以上的多邊形。

於所述電子器件封裝中，電子器件可於側面具有凹部。

於所述電子器件封裝的任一者中，電子器件於主表面的觀察中可具有五邊形以上的多邊形形狀。

另外，於第三形態中，提供一種電子器件封裝，包括：電路基板，於表面設置有導電電路；電子器件，配置於電路基板上；以及保護層，設置於電路基板及電子器件上，保護層至少部分地包覆將電子器件與電路基板電性連接的連接構件。

於所述電子器件封裝中，連接構件可為配置於電子器件的下表面的凸塊。

於所述電子器件封裝的任一者中，連接構件可為搭載所述電子器件的引線框架。

另外，於第四形態中，提供一種電子器件封裝，包括：電路基板，於表面設置有導電電路；電子器件，配置於電路基板上；以及保護層，設置於電路基板及電子器件上，電子器件具有積層陶瓷電容器（Multi-layer Ceramic Capacitors，MLCC）。

於所述電子器件封裝中，保護層可包含至少兩層。

於所述電子器件封裝的任一者中，保護層可為熱硬化性樹脂的硬化物。

於所述電子器件封裝的任一者中，可於保護層上形成導電層。

於第五形態中，提供一種電子器件封裝的製造方法，包括如下步驟：於在表面設置有導電電路的基板上安裝有電子器件的安裝基板，以第一面朝向電子器件側的方式配置所述任一保護片，於安裝基板上形成由保護片形成的保護層。

於所述製造方法中，形成保護層的步驟可包括在配置所述保護片後將其熱壓於所述安裝基板。

於所述製造方法中，可更包括在保護層上形成導電層的步驟。

再者，所述發明的概要並未列舉本發明的必要特徵的全部。另外，該些特徵群的次組合（subcombination）亦可成為發明。

以下，通過發明的實施方式對本發明進行說明，但以下的實施方式並不限定申請專利範圍所涉及的發明。另外，實施方式中所說明的特徵的組合未必全部為發明的解決手段所必需的。

圖1表示本實施方式的電子器件封裝100的一例。電子器件封裝100是安裝有IC晶片等電子器件的封裝，具有良好的電磁波屏蔽性與散熱性。電子器件封裝100包括電路基板10、電子器件20及電子器件22（以下，亦簡稱為「電子器件20等」）、連接構件24、保護層30、以及導電層40。

電路基板10於表面設置有導電電路（未圖示），搭載電子器件20等。電路基板10可為印刷配線基板或安裝模組基板等。導電電路可為由銅等導電金屬或包含導電金屬的材料形成的電路。電路基板10可為剛性基板或可撓性基板。

視需要可對電路基板10進行加工。例如，可於電路基板10上設置印字、標記、及切割槽等。

電子器件20等配置於電路基板10上，發揮各種功能。電子器件20等例如可為記憶體晶片、電源晶片、音源晶片或中央處理單元（central processing unit，CPU）晶片等積體電路、電晶體或二極體等主動元件、或積層陶瓷電容器（MLCC）等電容器、熱阻器、電感器或電阻等被動元件。特別是MLCC於側面具有外部電極，就防止與其他導電體的接觸或漏電的觀點而言，絕緣保護的必要性特別高。藉由後述的本實施方式的保護片，可利用保護層30充分地對MLCC的零件整體進行絕緣保護。

電子器件20等可為立方體或長方體形狀。電子器件20等可為更複雜的形狀，於電路基板的主表面（圖1中的XY平面）的觀察中可具有五邊形以上的多邊形。

例如，電子器件20等中，自主表面觀察到的平面形狀可為六邊形、八邊形或其他多邊形。作為一例，電子器件22可為平面形狀為八邊形的電感器。另外，電子器件20等在自主表面的側面（圖1中的XZ平面或YZ平面等）的觀察中可具有五邊形以上的多邊形。例如，電子器件20等可為於側面具有凹部或凸部的立方體或長方體形狀，電子器件22可為於側面設置有用於形成線圈的凹部的電感器。

電子器件20等可於電路基板10上配置單個或多個。例如，電子器件20等可於電路基板10上形成在n×m個陣列上（n及m是2以上的整數）。

電子器件20等的厚度理想的是2000 μm以下。這是因為，若超過2000 μm，則於形成保護層30及導電層40時，有可能會因與電路基板10的階差而發生斷掉。另外，電子器件20彼此的間隔理想的是50 μm以上。這是因為，若間隔未滿50 μm，則有可能無法充分形成保護層30及導電層40。

連接構件24將電子器件20等與電路基板10電性連接。連接構件24可包含配置於電子器件20等的下表面的焊料球等凸塊、搭載電子器件20等的引線框架、及接合線中的一個以上。於圖1的例子中，作為將電子器件20與電路基板10連接的連接構件24，可使用凸塊。

保護層30設置於電路基板10及電子器件20等上，保護電路基板10及電子器件20等免受電磁波、衝擊等的影響。另外，保護層30亦具有自導電層40對電路基板10及電子器件20等進行絕緣保護的作用。保護層30可覆蓋電子器件20等與電路基板10中未設置電子器件20等的區域的整體或一部分上。保護層30可僅覆蓋電路基板10中設置有導電電路的區域，亦可不覆蓋無導電電路的部分。

即使於如所述般電子器件20等具有多邊形等複雜的形狀的情況下，保護層30亦充分地包覆電子器件20等。例如，即使如圖1所示般電子器件22於側面具有凹部的情況下，保護層30亦進入凹部的一部分或整體而保護電子器件22。另外，即使電子器件20等為多邊形般保護層30的膜厚容易變薄的角的數量多的形狀，本實施方式的保護層30亦可以充分的膜厚覆蓋角部分。

保護層30可至少部分地包覆連接構件24。例如，於圖1中，保護層30包覆作為凸塊的連接構件24的側面。即使於連接構件24包含引線框架或接合線的情況下，保護層30亦可包覆該些的至少一部分。

保護層30可為熱硬化性樹脂的硬化物等。保護層30可包含至少兩層。例如，保護層30可為兩層、三層或四層以上。為了將保護層30的膜厚保持於適當的範圍，保護層30較佳為三層。此種層可為源自後述的保護片的層結構而形成者。保護層30的層結構及材料等將於後面敘述。

保護層30的膜厚可根據場所而不同。例如，於電子器件20等的角部中，保護層30的膜厚可較電子器件20等的頂表面而言膜厚更薄。另外，例如於電子器件20等與電路基板10相接的角凹部中，保護層30的膜厚可較電子器件20等的頂表面而言更厚。

導電層40設置於保護層30上，保護電子器件20等免受外部電磁波的影響、及/或將自電子器件20等產生的熱釋放到外部。導電層40可為包含金屬的層。例如，導電層40可為由金屬本身形成的金屬薄膜、或者分散有導電填料的樹脂層。導電層40的材料等的詳細情況將於後面敘述。

於包含導電填料的熱硬化性樹脂的情況下，導電層40的厚度可為2 μm～500 μm，較佳為可為5 μm～100 μm。另一方面，於鍍敷或蒸鍍、濺鍍的情況下，可為0.01 μm～10 μm，較佳為可為0.1 μm～5 μm。若厚度過薄，則電磁波阻擋效果或散熱效果及機械強度有可能變得不充分，若過厚，則產生電子器件封裝100過於大型化而體積增大的問題。

導電層40中所使用的金屬薄膜及導電填料較佳為導電性及/或導熱性良好者，例如，可為體積電阻率為10^-3Ω·cm以下及/或導熱率為10 W/m·K以上者。

導電層40可與露出於電路基板10的側面或上表面的接地圖案及/或電子器件20的接地圖案連接。再者，電子器件封裝100亦可不具有導電層40。

如此，藉由本實施方式的電子器件封裝100，保護層30對具有複雜的形狀的電子器件20等、及連接構件24進行絕緣保護。另外，藉由電子器件封裝100，導電層40可保護電子器件20等免受電磁波的影響，同時可實現電子器件20等產生的熱的散熱。

再者，如以下所說明般，保護層30可由保護片38形成。藉由保護片38，不會於保護層30與電路基板10之間產生夾著空氣的空氣夾雜，可充分地包覆複雜的形狀的電子器件20等的周圍而進行絕緣保護。

圖2表示本實施方式的保護片38的一例。保護片38是電路基板用的片，用於形成圖1所示的保護層30。如圖示般，保護片38具有第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36。

保護片38具有第一面（圖1的下側）及與第一面為相反面的第二面（圖1的上側）。第一面側為與電路基板10及電子器件20等相接之側，第二面側為與導電層40相接之側。第一保護層32是保護片38的第一面側的最表層。第二保護層34是第二面側的最表層。第三保護層36設置於第一保護層32與第二保護層34之間。

保護片38的第一面的利用探針黏性試驗所得的黏著力為0.15 N/cm²以下，較佳為0.12 N/cm²以下，更佳為0.10 N/cm²以下。探針黏性試驗可藉由與第十八修正日本藥典 一般試驗法 6.製劑試驗法 6.12黏著力試驗法 3.4探針黏性試驗法相同的試驗法或依據此的試驗法進行。

藉由黏著力滿足所述範圍，於將保護片38配置於電路基板10時，可抑制保護片38的黏著性，防止保護片38的不希望的部分黏貼於電路基板10或潤濕擴展（所謂的覆液（puddling））。另外，若保護片38的黏性高，則於壓製時有時黏貼於電路基板10而阻礙空氣排出（所謂的空氣夾雜）。但是，藉由黏著力滿足所述範圍的保護片38，可順利地進行空氣排出。

保護片38的第二面的利用探針黏性試驗所得的黏著力可為0.01 N/cm²以上，較佳為可為0.05 N/cm²以上，更佳為可為0.10 N/cm²以上。另外，第一面與第二面的黏著力之差可為0.05 N/cm²～0.40 N/cm²，較佳為可為0.05 N/cm²～0.30 N/cm²，更佳為可為0.10 N/cm²～0.20 N/cm²。藉由黏著力滿足所述範圍，充分地確保與第二面接觸並積層於保護片上的緩衝材與第二面的密接性，從而可有效率地進行壓製。緩衝材可以於加熱壓製時對保護片施加適當的壓力為目的而積層於保護片上。

另外，保護片38的由下述式1求出的指數X可為0.5～2.0，較佳為0.6～1.7，更佳為0.7～1.5。[式1]X=F_total/T_total此處，F_total為於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的保護片38於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的平均值（μm）。T_total為保護片38的總厚度（μm），於圖2的保護片38的情況下，T_total與第一保護層32的厚度、第二保護層34及第三保護層36的厚度之和相等。於保護片38包含剝離層的情況下，總厚度不包含剝離層的厚度。

圖3表示本實施方式的流動長的一例。以兩張聚醯亞胺膜夾住保護片38，切取成0.5 cm×1.0 cm的長方形的基準形。於將其維持於180℃的狀態下以1 MPa按壓5分鐘。此時，保護片38的一部分軟化而自聚醯亞胺膜之間流動，因此針對各邊測定最流動的部分距聚醯亞胺膜的長度。

例如，如圖3所示，以自與壓製前的保護片38為相同形狀（基準形）的聚醯亞胺膜35的四邊伸出的方式產生流動。此處，於四邊的每一邊，沿著自聚醯亞胺膜35的各邊延伸成90度的直線測定距最流動的部分的邊的長度L1～長度L4。將以μm為單位表示四邊的流動長度L1～流動長度L4的平均值者作為流動長F_total（μm）。

於指數X包含於所述範圍內的情況下，於電路基板10及電子器件20等的周圍形成充分量的保護層30，從而可更可靠地對電子器件封裝100進行絕緣保護。另一方面，若指數X較所述範圍而言過大，則保護片38的熱壓接時的流動性過高，產生於保護層30的一部分（例如，電子器件20等的角部）厚度不足的問題。

若指數X較所述範圍而言更小，則保護片38的熱壓接時的流動性不足，電子器件20等無法被保護層30充分地絕緣保護，產生耐電壓性不足的風險。例如，有可能於電路基板10與電子器件20等相接的凹角部、連接構件24周邊、及/或具有複雜的形狀的電子器件20等的周圍（特別是凹部）無法充分地形成保護層30。

另外，保護片38的拉伸斷裂強度可為10 N/mm²～70 N/mm²，較佳為可為15 N/mm²～50 N/mm²，更佳為可為20 N/mm²～40 N/mm²。拉伸斷裂強度可依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）-C-2151：2019進行測定。例如，拉伸斷裂強度可藉由如下方式算出：使用拉伸試驗機於23℃且60%RH的環境下以一分鐘50 mm/分鐘的速度拉伸保護片38，並計算保護片38斷裂時的強度（拉伸載荷值/保護片38的剖面積）。

若拉伸斷裂強度過大，則保護片38的熱壓接時的流動性不足，產生電子器件20等無法被保護層30充分地絕緣保護的風險。若拉伸斷裂強度過小，則保護片38的熱壓接時的流動性過高，產生於保護層30的一部分（例如，電子器件20等的角部）厚度不足的問題。另一方面，於拉伸斷裂強度包含於所述範圍內的情況下，於電路基板10及電子器件20等的周圍形成充分量的保護層30，從而可更可靠地對電子器件封裝100進行絕緣保護。

保護片38的膜厚可為50 μm～500 μm，較佳為100 μm～250 μm。

第一保護層32主要具有向保護片38賦予流動性的作用。第一保護層32的由下述式2求出的指數Z可為2.0～15.0，較佳為可為4.0～12.0，更佳為可為5.0～10.0。[式2]Z=F₁/T₁此處，F₁為於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的第一保護層32於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的平均值（μm）。T₁為第一保護層32的厚度（μm）。F₁可藉由與F_total相同的方法進行測定。

如上所述，指數Z取較指數X而言更大的數值範圍。藉此，第一保護層32於保護片38的熱壓接時流動良好而可進入至具有複雜的形狀的電子器件20等的周圍（特別是凹部）、連接構件24、及/或電路基板10與電子器件20等的間隙等中。

若指數Z較所述範圍而言過大，則流動性變得過高，產生於保護層30的一部分（例如，電子器件20等的角部）厚度不足的問題。另一方面，若指數Z較所述範圍而言更小，則保護片38的熱壓接時的流動性不足，產生電子器件20等無法被保護層30充分地絕緣保護的風險。另一方面，於指數Z包含於所述範圍內的情況下，於電路基板10及電子器件20等的周圍形成充分量的保護層30，從而可更可靠地對電子器件封裝100進行絕緣保護。

第一保護層32的膜厚可為5 μm～150 μm，較佳為可為5 μm～50 μm，更佳為可為10 μm～30 μm。藉由第一保護層32的膜厚滿足所述範圍，可於抑制保護片38的黏著性的同時賦予適當的流動性。

第一保護層32的玻璃轉移溫度可為80℃以下，較佳為可為60℃以下，進而佳為可為50℃以下。第一保護層32的玻璃轉移溫度可為20℃以上，較佳為可為30℃以上，進而佳為可為35℃以上。

第二保護層34主要具有於確保保護層30的厚度的同時防止由來自所接觸的導電層40的金屬離子引起的離子遷移的作用。第二保護層34的由下述式3求出的指數Y可為0.5～1.5，較佳為0.6～1.4，更佳為0.7～1.2。[式3]Y=F₂/T₂此處，F₂為於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的第二保護層34於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的平均值（μm）。T₂為第二保護層34的厚度（μm）。F₂可藉由與F_total相同的方法進行測定。

如上所述，指數Y會達到所述範圍，於保護片38的熱壓接時，第二保護層34不會過於流動，牢固地殘存於電子器件20等的角部等保護層30的膜厚容易變薄的部分。藉此，可更可靠地對電子器件封裝100進行絕緣保護。另外，於導電層40形成於保護層30上的情況下，可充分地防止自導電層40的離子遷移。

若指數Y較所述範圍而言過大，則保護片38的熱壓接時的流動性過高，產生於保護層30的一部分（例如，電子器件20等的角部）厚度不足的問題。另一方面，若指數Y較所述範圍而言更小，則保護片38的熱壓接時的流動性不足，電子器件20等無法被保護層30充分地絕緣保護，或產生離子遷移的風險。

第二保護層34的膜厚可為10 μm～200 μm，較佳為可為30 μm～150 μm，更佳為可為50 μm～100 μm。藉由第二保護層34的膜厚滿足所述條件，可於維持電子器件20等的散熱性的同時確保保護層30整體的膜厚。

第二保護層34的膜厚可較第一保護層32而言更厚。於此情況下，可更可靠地消除於保護層30的一部分（例如，電子器件20等的角部）厚度不足的情況。另外，第一保護層32的膜厚可較第二保護層34而言更厚。於此情況下，可藉由保護層30更可靠地保護具有複雜的形狀的電子器件20等的周圍（特別是凹部）、連接構件24、及/或電路基板10與電子器件20等的間隙等。

第二保護層34的玻璃轉移溫度可為60℃以下，較佳為可為50℃以下，進而佳為可為40℃以下。第二保護層34的玻璃轉移溫度可為0℃以上，較佳為可為10℃以上，進而佳為可為20℃以上。另外，第二保護層34的玻璃轉移溫度可較第一保護層32的玻璃轉移溫度而言更低。藉此，充分地確保於加熱壓製時和第二保護層34接觸的緩衝材與第二保護層34的密接性，從而可有效率地進行壓製。

第三保護層36主要具有於具有一定的流動性的同時確保保護層30的厚度的作用。第三保護層36的由下述式4求出的指數W可為1.0～3.0，較佳為可為1.2～2.7，更佳為可為1.5～2.5。[式4]W=F₃/T₃此處，F₃為於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的第三保護層36於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的平均值（μm）。T₃為第三保護層36的厚度（μm）。F₃可藉由與F_total相同的方法進行測定。

如上所述，指數W取指數Y與指數Z之間的數值範圍。藉此，於保護片38的熱壓接時，第三保護層36具有第一保護層32與第二保護層34之間的流動性，具有補充第一保護層32與第二保護層34所進行的包覆的效果。

第三保護層36的膜厚可為20 μm～200 μm，較佳為可為30 μm～150 μm，更佳為可為40 μm～80 μm。藉由第三保護層36的膜厚滿足所述條件，可起到如下效果：藉由保護層30保護具有複雜的形狀的電子器件20等的周圍（特別是凹部）、連接構件24、及/或電路基板10與電子器件20等的間隙等的效果、以及牢固地殘存於保護層30的膜厚容易變薄的部分的效果。

再者，第三保護層36可包含多個層。例如，第三保護層36可藉由將兩張相同的樹脂膜層壓而構成。

第三保護層36的膜厚可較第一保護層32而言更厚。於此情況下，可更可靠地消除於保護層30的一部分（例如，電子器件20等的角部）厚度不足的情況。另外，第一保護層32的膜厚可較第三保護層36而言更厚。於此情況下，可藉由保護層30更可靠地保護具有複雜的形狀的電子器件20等的周圍（特別是凹部）、連接構件24、及/或電路基板10與電子器件20等的間隙等。

第三保護層36的玻璃轉移溫度可為60℃以下，較佳為可為50℃以下，進而佳為可為40℃以下。第三保護層36的玻璃轉移溫度可為0℃以上，較佳為可為10℃以上，進而佳為可為20℃以上。另外，第三保護層36的玻璃轉移溫度可較第一保護層32的玻璃轉移溫度而言更低。藉此，第三保護層36的衝擊吸收性提高，從而可提高保護層30整體的衝擊吸收力。

於高溫下，第二保護層34可具有較第一保護層32而言更硬的性質。例如，於120℃下，第二保護層34的楊氏模量可較第一保護層32的楊氏模量而言更高。例如，120℃下的第一保護層32的楊氏模量可為0.5～3，第二保護層34的楊氏模量可為3～7。第三保護層36的楊氏模量可處於第一保護層32與第二保護層34之間，例如於120℃下可為1.5～3.5。藉由第一保護層32～第三保護層36具有此種楊氏模量，於進行熱壓的高溫下，保護片38可發揮適當的流動性。

第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36可為熱硬化性樹脂。例如，第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36可包含熱硬化性樹脂及硬化劑。

作為熱硬化性樹脂，可使用於一分子中具有一個以上的藉由加熱產生交聯反應的官能基的聚合物。作為官能基，例如可使用羥基、酚性羥基、甲氧基甲基、羧基、胺基、環氧基、氧雜環丁基、噁唑啉基、噁嗪基、氮丙啶基、硫醇基、異氰酸酯基、嵌段化異氰酸酯基、嵌段化羧基、及矽醇基等中的一種或多種。

作為熱硬化性樹脂的一例，可使用聚胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、馬來酸系樹脂、聚丁二烯系樹脂、聚酯系樹脂、脲系樹脂、環氧系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂、苯氧基系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、酚系樹脂、甲酚系樹脂、三聚氰胺系樹脂、醇酸系樹脂、胺基系樹脂、聚乳酸系樹脂、噁唑啉系樹脂、苯並噁嗪系樹脂、矽酮系樹脂、及氟系樹脂等中的一種或多種。第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36中的兩個或三個可使用相同的或同系的樹脂作為熱硬化性樹脂。

作為硬化劑，可使用環氧系硬化劑、氮丙啶系硬化劑、酚系硬化劑、胺系硬化劑、異氰酸酯系硬化劑及金屬螯合物系硬化劑等中的一種或多種。再者，氮丙啶系硬化劑可為包含具有氮丙啶基的化合物的硬化劑，酚系硬化劑可為包含具有羥基直接鍵結於芳香族基（芳香環）的結構的化合物的硬化劑，胺系硬化劑可為包含具有胺基的化合物的硬化劑，異氰酸酯系硬化劑可為包含含有異氰酸酯基的化合物的硬化劑。金屬螯合物系硬化劑可為包含多牙配位體（螯合物配位體）與金屬離子配位而產生的錯合物的硬化劑。第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36中的兩個或三個可使用相同的或同系的硬化劑。

環氧系硬化劑可為環氧化合物。環氧化合物是於一分子中具有兩個以上的環氧基的化合物。作為環氧化合物的性狀，液狀及固形形狀均可。作為環氧化合物，例如可為縮水甘油醚型環氧化合物、縮水甘油胺型環氧化合物、縮水甘油酯型環氧化合物、環狀脂肪族（脂環型）環氧化合物等。

作為縮水甘油醚型環氧化合物，例如可為選自雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、雙酚S型環氧化合物、雙酚AD型環氧化合物、甲酚酚醛清漆型環氧化合物、苯酚酚醛清漆型環氧化合物、α-萘酚酚醛清漆型環氧化合物、雙酚A型酚醛清漆型環氧化合物、二環戊二烯型環氧化合物、四溴雙酚A型環氧化合物、溴化苯酚酚醛清漆型環氧化合物、三(縮水甘油氧基苯基)甲烷、四(縮水甘油氧基苯基)乙烷等中的一個或多個者。

作為縮水甘油胺型環氧化合物，例如可列舉：四縮水甘油基二胺基二苯基甲烷、三縮水甘油基對胺基苯酚、三縮水甘油基間胺基苯酚、四縮水甘油基間二甲苯二胺等。

作為縮水甘油酯型環氧化合物，例如可列舉：鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、六氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等。

作為環狀脂肪族（脂環型）環氧化合物，例如可列舉環氧環己基甲基-環氧環己烷羧酸酯、雙(環氧環己基)己二酸酯等。另外，亦可使用液狀的環氧化合物。

氮丙啶系硬化劑可為氮丙啶化合物。作為氮丙啶化合物，例如可為選自N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羰基化物)、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羰基化物)、雙異鄰苯二甲醯基-1-(2-甲基氮丙啶)、三-1-氮丙啶基氧化膦、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羰基化物)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三-2,4,6-(1-氮丙啶基)-1,3,5-三嗪、三羥甲基丙烷三[3-(1-氮丙啶基)丙酸酯]、三羥甲基丙烷三[3-(1-氮丙啶基)丁酸酯]、三羥甲基丙烷三[3-(1-(2-甲基)氮丙啶基)丙酸酯]、三羥甲基丙烷三[3-(1-氮丙啶基)-2-甲基丙酸酯]、2,2'-雙羥基甲基丁醇三[3-(1-氮丙啶基)丙酸酯]、季戊四醇四[3-(1-氮丙啶基)丙酸酯]、二苯基甲烷-4,4-雙-N,N'-伸乙基脲、1,6-六亞甲基雙-N,N'-伸乙基脲、2,4,6-(三伸乙基亞胺基)-均三嗪、雙[1-(2-乙基)氮丙啶基]苯-1,3-羧酸醯胺等中的一個或多個者。

酚系硬化劑可為酚化合物。例如，酚化合物可為於一分子中具有兩個以上的酚性羥基的酚樹脂，例如可選自雙酚A型酚樹脂、雙酚F型酚樹脂、苯酚芳烷基型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、三苯基甲烷型酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二甲苯型酚樹脂、聯苯型酚樹脂中的一個或多個。

胺系硬化劑可為胺化合物。胺化合物可為具有兩個以上的胺基的化合物，可為二聚二胺或其他多胺。

異氰酸酯系硬化劑可為異氰酸酯化合物。異氰酸酯化合物可為選自芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環式聚異氰酸酯中的一個或多個者。

作為芳香族聚異氰酸酯，例如可列舉：1,3-苯二異氰酸酯、1,4-苯二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯（甲苯二異氰酸酯（toluene diisocyanate，TDI））、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯（二苯基甲烷二異氰酸酯（methylene diphenyl diisocyanate，MDI））、2,4-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二異氰酸基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-二異氰酸基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-二異氰酸基二苯基甲烷、1,5-萘二異氰酸酯、4,4',4''-三苯基甲烷三異氰酸酯、間異氰酸基苯基磺醯基異氰酸酯、對異氰酸基苯基磺醯基異氰酸酯等。

作為脂肪族聚異氰酸酯，例如可列舉：伸乙基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯（hexamethylene diisocyanate，HDI）、十二亞甲基二異氰酸酯、1,6,11-十一烷三異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、2,6-二異氰酸基己酸甲酯、雙(2-異氰酸基乙基)富馬酸酯、雙(2-異氰酸基乙基)碳酸酯、2-異氰酸基乙基-2,6-二異氰酸基己酸酯等。

作為脂環式聚異氰酸酯，例如可列舉：異佛爾酮二異氰酸酯（isophorone diisocyanate，IPDI）、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯（H12-MDI）、伸環己基二異氰酸酯、甲基伸環己基二異氰酸酯（氫化TDI）、雙(2-異氰酸基乙基)-4-環己烯-1,2-二羧酸酯、2,5-降冰片烷二異氰酸酯、2,6-降冰片烷二異氰酸酯等。

另外，可列舉二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加成體、與水反應的縮二脲體、具有異氰脲酸酯環的三聚體。

作為嵌段化異氰酸酯化合物，只要為含所述異氰酸酯基的化合物中的異氰酸酯基被ε-己內醯胺或甲基乙基酮（methyl ethyl ketone，MEK）肟等保護的含嵌段化異氰酸酯基的化合物即可，並無特別限定。具體而言，可列舉藉由ε-己內醯胺、MEK肟、環己酮肟、吡唑、苯酚等對含所述異氰酸酯基的化合物的異氰酸酯基進行嵌段而成者等。特別是具有異氰脲酸酯環、經MEK肟或吡唑嵌段的六亞甲基二異氰酸酯三聚體於用於本實施方式的情況下，保存穩定性自不必說，對聚醯亞胺或銅等接合材的接著強度或焊料耐熱性優異，因此非常較佳。

金屬螯合物系硬化劑可選自鋁螯合物化合物、鈦螯合物化合物、鋯螯合物化合物中的一個或多個。中心金屬可選自鐵、鈷、銦等。

硬化劑相對於熱硬化性樹脂100重量份而可使用1重量份～50重量份、較佳為10重量份～40重量份、更佳為20重量份～30重量份。

藉由調整硬化劑的量，可調整第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36的流動性及黏性。例如，可為第二保護層34的硬化劑的含量最多，第三保護層36的硬化劑的含量次多，第一保護層32完全不包含硬化劑或以第三保護層36以下的量含有硬化劑。

第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36可更包含填料。填料較佳為絕緣性，例如，可選自無機填料、磷系填料、氮系填料、氟系填料及高分子填料。作為填料，可使用一種或多種。

作為無機填料，可列舉：二氧化矽、中空二氧化矽、多孔質二氧化矽、雲母、滑石、高嶺土、黏土、水滑石、矽灰石、硬矽鈣石、氮化矽、氮化硼、氮化鋁、磷酸氫鈣、磷酸鈣、玻璃片、水合玻璃、鈦酸鈣、海泡石、硫酸鎂、氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鋯、氫氧化鋇、氫氧化鈣、氧化鈦、氧化錫、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋅、氧化鉬、氧化銻、氧化鎳、碳酸鋅、碳酸鎂、碳酸鈣、碳酸鋇、硼酸鋅、硼酸鋁、無機離子補充劑（作為例子，東亞合成公司製造的IXE（註冊商標））。

作為磷系填料，可列舉：磷酸三聚氰胺、聚磷酸三聚氰胺、磷酸胍、聚磷酸胍、磷酸銨、聚磷酸銨、磷酸醯胺銨、聚磷酸醯胺銨、磷酸胺甲酸酯、聚磷酸胺甲酸酯等(聚)磷酸鹽系化合物、有機磷酸酯化合物、磷腈化合物、膦酸化合物、二乙基次膦酸鋁、甲基乙基次膦酸鋁、二苯基次膦酸鋁、乙基丁基次膦酸鋁、甲基丁基次膦酸鋁、聚乙烯次膦酸鋁等次膦酸化合物、氧化膦化合物、磷烷化合物、磷醯胺化合物等。

作為氮系填料，可列舉：苯並胍胺、三聚氰胺、蜜白胺、蜜勒胺、三聚二氰乙腈、三聚氰胺氰脲酸酯、氰脲酸化合物、異氰脲酸化合物、三唑系化合物、四唑化合物、重氮化合物、脲等氮系填料。

作為氟系填料，可列舉：聚四氟乙烯粉末或其改質物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚粉末、四氟乙烯-乙烯粉末、四氟乙烯-六氟丙烯粉末、四氟乙烯-偏二氟乙烯粉末、四氟乙烯-六氟丙烯-全氟烷基乙烯基醚粉末、聚氯三氟乙烯粉末、氯三氟乙烯-乙烯粉末、氯三氟乙烯-偏二氟乙烯粉末、聚偏二氟乙烯粉末、聚氟乙烯粉末等。

作為高分子填料，除了可列舉聚乙烯粉末、聚丙烯酸酯粉末、環氧樹脂粉末、聚醯胺粉末、聚醯亞胺粉末、聚胺基甲酸酯粉末、液晶聚合物珠、聚矽氧烷粉末等以外，亦可列舉使用矽酮、丙烯酸、苯乙烯丁二烯橡膠、丁二烯橡膠等的多層結構的核殼等。

填料的平均粒徑D₅₀可為0.01 μm～100 μm，較佳為可為0.02 μm～40 μm，更佳為可為0.05 μm～20 μm。

第二保護層34及第三保護層36可包含0.1重量%～30重量%、較佳為1重量%～25重量%、更佳為5重量%～20重量%的填料。藉由使填料為所述範圍，可將指數X、指數Y及/或指數Z（流動性）調整為接近適當的範圍。

第一保護層32可不包含填料、或者即使包含填料，亦可以較第二保護層34及第三保護層36而言更少的質量濃度包含填料。例如，於第一保護層32包含填料的情況下，相對於熱硬化性樹脂100重量份，可包含0.01重量份～1重量份，較佳為可包含0.01重量份～0.5重量份，更佳為可包含0.01重量份～0.1重量份。

作為一例，可為第二保護層34的填料的含量最多，第三保護層36的填料的含量次多，第一保護層32完全不包含填料或以第三保護層36以下的質量濃度包含填料。

其結果，雖然保護片38包含填料，但是保護片38的第二面側的填料的質量濃度較第一面側而言更大。藉此，可抑制第一保護層32（即第一面側）的黏性（黏著性），亦增大流動性。另外，藉由調整第一保護層32的填料量及/或硬化劑量，可將保護片38的第一面的利用探針黏性試驗所得的黏著力調整為規定值以下。另外，藉由調整填料量及/或硬化劑量，容易將流動性調整為第一保護層32、第三保護層36及第二保護層34的順序。

另外，作為另一例，可為第二保護層34及第三保護層36以同量包含填料，第一保護層32完全不包含填料或以第二保護層34及第三保護層36以下的質量濃度包含填料。代替該些，可為第三保護層36的填料的含量最多，第二保護層34的填料的含量次多，第一保護層32完全不包含填料或以第三保護層36以下的質量濃度包含填料。

於將保護片38整體設為100重量%的情況下，填料的含量可為0.1重量%～30.0重量%，較佳為可為1.0重量%～9.8重量%，更佳為可為3.5重量%～8.5重量%。若保護片38整體的填料量較該範圍而言更低，則流動性變得過高，若保護片38整體的填料量較該範圍而言更高，則於冷熱循環執行時保護層上產生裂紋，可能成為外觀不良的原因。於保護片38整體中，填料的含量只不過是追加的改良事項，而非必需事項。

第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36亦可更包含熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，較佳為例如自聚酯、丙烯酸系樹脂、聚醚、胺基甲酸酯系樹脂、苯乙烯彈性體、聚碳酸酯、丁二烯橡膠、聚醯胺、酯醯胺系樹脂、聚異戊二烯、及纖維素中選擇一種以上。於包含熱塑性樹脂的情況下，較佳為於第一保護層32、第二保護層34及/或第三保護層36的各層中設為5重量%～40重量%的含量。

第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36中可更包含添加劑。例如，作為添加劑，可使用著色劑（例如顏料、染料、或碳黑、碳奈米管、石墨烯、富勒烯等碳粉末）、阻燃劑、抗黏連劑、金屬鈍化劑、增稠劑、分散劑、矽烷偶合劑、防鏽劑、銅毒抑制劑（copper inhibitor）、還原劑、抗氧化劑、黏著賦予樹脂、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、及調平調整劑等中的一種或多種。

圖4表示本實施方式的保護片38的另一例。如圖4所示，保護片38可僅包含第一保護層32及第二保護層34，可不包含第三保護層36。於此情況下，第一保護層32及第二保護層34的結構及材料等可如所述中說明般。

作為另一例，第一保護層32、第二保護層34及第三保護層36中的一個或多個亦可設置多層。例如，保護片38亦可具有一個第一保護層32、一個第二保護層34、以及被該些夾持的多個第三保護層36。

保護片38亦可視需要包含其他層。例如，保護片38亦可更具有於貼附於電路基板10後剝離的剝離層等。於設置剝離層的情況下，可設置於第二保護層34的更靠上側（第一保護層32的相反側）處。

圖5表示本實施方式的電子器件封裝100的製造方法的流程的一例。電子器件封裝100可藉由執行S100～S300中的至少一部分來製造。為了便於說明，依序說明S100～S300，但該些處理亦可按照其他順序執行、及/或至少一部分亦可並行執行。

於S100中，製造用於形成保護層30的保護片38。保護片38可為於圖2～圖4中說明的保護片。

保護片38的製造方法並無特別限定，例如可列舉如下方法等：對將形成保護片38的各層（第一保護層32、第二保護層34、第三保護層36）的所述熱硬化性樹脂等材料溶解於溶媒等中而得的組成物依次進行塗佈、乾燥，形成積層結構、或將預先硬化或半硬化的該組成物層壓。作為塗佈方法，例如可列舉：凹版塗佈方式、吻合式塗佈方式、模塗方式、唇塗方式、缺角輪塗佈方式、刮板方式、輥塗方式、刮刀塗佈方式、噴霧塗佈方式、棒塗方式、旋轉塗佈方式、浸塗方式、或各種印刷方式等。

接下來，於S200中，於安裝基板12上形成由保護片38形成的保護層30。例如，首先準備安裝基板12。安裝基板12可為於表面設置有導電電路的電路基板10上安裝電子器件20等者。於安裝基板12，以第一保護層32（第一面側）朝向電子器件20等側的方式配置S100中製造的保護片38。

圖6表示圖5的流程中的S200的一例。如圖示般，可於以第一保護層32側與電子器件20等面對面的方式配置保護片38的基礎上，將保護片38黏貼於安裝基板12。

亦可於配置保護片38後將其熱壓於安裝基板12。藉由熱壓，可將保護片38的各保護層的未硬化或半硬化的熱硬化性樹脂硬化。此處，於熱硬化性樹脂完全硬化的情況下，保護片38成為保護層30。於保護片38具有剝離片的情況下，可於熱壓之後將剝離片自保護片38去除。

熱壓可於減壓下或真空下進行。藉此，可提高第一保護層32對安裝基板12的密接度。熱壓可於100℃～220℃、較佳為120℃～200℃、更佳為140℃～180℃下，以1分鐘～120分鐘、較佳為1分鐘～40分鐘、更佳為1分鐘～10分鐘且0.1 MPa～10 MPa、較佳為0.5 MPa～3 MPa、更佳為1 MPa～2 MPa的條件進行。於進行追加的加熱的情況下，可於與所述熱壓相同的溫度條件等下進行。

若進行熱壓，則構成保護片38的各層於完全硬化之前軟化，而流動至電路基板10與電子器件20等的角的凹部或凸塊等連接構件24的側面。特別是，流動性較其他層而言更高的第一保護層32充分地保護流動至該些部位而不易形成保護層30的部分。藉此，可防止連接構件24與其他導電體的接觸或漏電。

另一方面，流動性比較低的第二保護層34及第三保護層36即使藉由熱壓亦不會大幅移動，因此於電子器件20等整體上殘存一定量。藉此，可更可靠地消除於保護層30的一部分（例如，電子器件20等的角部）厚度不足的情況。

圖7表示形成有保護層30的安裝基板12的一例。如所說明般，藉由將保護片38硬化，形成保護層30，對安裝基板12的整個表面進行絕緣保護。

再者，於所述說明中，列舉使用不包含剝離片的保護片38的例子，但並不限於此。例如，可使用於第二保護層34側具有剝離片的保護片38進行熱壓，於熱壓後將剝離片剝離。

接下來，於S300中，於保護層30上形成導電層40。導電層40可形成於形成有保護層30的區域的一部分或整體。導電層40可藉由將金屬自含金屬片46轉印至安裝基板12來形成。

圖8表示含金屬片46的一例。含金屬片46於剝離片42上形成有金屬材料層44。

剝離片42可使用之後能夠剝離的膜狀的剝離基材或具有緩衝性的剝離樹脂。剝離片42可包括剝離基材及/或剝離樹脂的單層或多層。

剝離基材是對單面或兩面賦予了脫模性的膜狀的基材。剝離基材理想的是150℃下的拉伸斷裂應變未滿50%的片。作為剝離基材，例如可列舉選擇聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、硬質聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、尼龍、聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯基醇、乙烯-乙烯基醇共聚物、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚丁烯、軟質聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚胺基甲酸酯樹脂、乙烯乙酸乙烯基酯共聚物、聚乙酸乙烯基酯等塑膠片等、玻璃紙、道林紙、牛皮紙、塗料紙等紙類、各種不織布、合成紙、金屬箔、或者該些組合而成的複合膜中的一種或多種者。

剝離樹脂是具有對電子器件20等的形狀的追隨性、亦具有脫模性的樹脂。即，剝離樹脂是脫模性緩衝構件於熱壓等之後能夠剝離的樹脂。剝離樹脂理想的是150℃下的拉伸斷裂應變為50%以上。另外，剝離樹脂較佳為於熱壓時進行熔融。

作為剝離樹脂，例如可列舉選擇聚乙烯、聚丙烯、聚醚碸、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚甲基戊烯、聚對苯二甲酸丁二酯、環狀烯烴聚合物、及矽酮中的一種或多種者。就兼顧埋入性與剝離性的觀點而言，特佳為聚丙烯、聚甲基戊烯、聚對苯二甲酸丁二酯、矽酮。

金屬材料層44可由包含熱硬化性樹脂及導電填料的導電膏形成。例如，可藉由在剝離片42上塗佈導電膏及將溶劑加以乾燥來形成金屬材料層44。導電膏中的熱硬化性樹脂較佳為未硬化或半硬化狀態。作為塗佈方法，可列舉所述各保護層的組成物的塗佈方法或網版印刷等方法。

作為熱硬化性樹脂，可使用與第一保護層～第三保護層的形成中使用的樹脂相同的樹脂。

作為導電填料，可列舉：金屬粒子、碳粒子、導電性樹脂粒子等。導電填料可包含金屬粒子作為必需成分，除此以外亦可選擇一種或多種碳粒子等其他成分而包含。

作為金屬粒子，例如可列舉：金、鉑、銀、銅、鎳、鋁、鐵或該些的合金等，但就價格與導電性的方面而言，較佳為銅。另外，作為金屬粒子，可為包括包含金屬的核體、與包覆該核體且包含與核體不同的金屬的包覆層的粒子。作為核體及包覆層，可使用所述列舉的金屬。作為一例，可列舉具有包含銅的核體與包含銀的包覆層的銀塗佈銅粒子等。

作為碳粒子，例如可列舉選擇乙炔黑、科琴黑、爐黑、碳奈米管、碳奈米纖維、石墨、富勒烯、碳奈米壁、及石墨烯等中的一種或多種者。作為導電性樹脂粒子，例如可列舉選擇聚(3,4-乙烯二氧噻吩)、聚乙炔、及聚噻吩等中的一種或多種者。

導電填料的平均粒徑D₅₀較佳為1 μm～100 μm左右，更佳為3 μm～75 μm左右，進而佳為5 μm～50 μm左右。導電填料的平均粒徑可藉由雷射繞射法或散射法等來測定，例如假定與該填料粒子集合體的投影面積相等的圓時的直徑的平均值可作為平均粒徑來獲得。藉由將導電填料的平均粒徑設為所述範圍，可進一步提高之後形成的導電層40的電磁波屏蔽效果。另外，例如由於與熱硬化性樹脂混合時的流動性良好，因此導電層40的成形性提高。

導電填料的形狀可為球狀、針狀、鱗片狀、片狀、樹枝狀、葡萄粒狀、纖維狀、或板狀等任意形狀。金屬材料層44中的導電填料的含量並無特別限定，相對於熱硬化性樹脂100重量份，較佳為100重量份～1500重量份，更佳為100重量份～1000重量份。藉此，與導電性粒子的種類無關，可對導電層40賦予必要且充分的導電性，且可充分提高電磁波屏蔽效果。另外，就提高包含熱硬化性樹脂與導電填料的組成物的流動性、更容易形成金屬材料層44而言亦較佳。

金屬材料層44可更包含熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，可使用與能夠於第一保護層～第三保護層中使用的樹脂相同的樹脂。

金屬材料層44可包含其他添加劑。例如，作為添加劑，可使用交聯劑、著色劑、阻燃劑、填充劑、潤滑劑、抗黏連劑、金屬鈍化劑、增稠劑、分散劑、矽烷偶合劑、防鏽劑、銅毒抑制劑、還原劑、抗氧化劑、黏著賦予樹脂、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、及調平調整劑等中的一種或多種。

作為交聯劑，可列舉與熱硬化性樹脂的官能基發生交聯反應的化合物。例如，作為交聯劑，可使用酚系硬化劑、胺系硬化劑、異氰酸酯系硬化劑、環氧系硬化劑、氮丙啶系硬化劑、及金屬螯合物系硬化劑等中的一種或多種。

作為著色劑，例如可使用有機顏料、碳黑、群青、紅鐵氧化物、氧化鋅、氧化鈦、石墨、及染料等中的一種或多種。作為阻燃劑，例如可使用含鹵素阻燃劑、含磷阻燃劑、含氮阻燃劑、及無機阻燃劑等中的一種或多種。作為填充劑，例如可使用玻璃纖維、二氧化矽、滑石、及陶瓷等中的一種或多種。

作為潤滑劑，例如可使用脂肪酸酯、烴樹脂、石蠟、高級脂肪酸、脂肪酸醯胺、脂肪族醇、金屬皂、及改質矽酮等中的一種或多種。作為抗黏連劑，例如可使用碳酸鈣、二氧化矽、聚甲基矽倍半氧烷、及矽酸鋁鹽等中的一種或多種。

再者，金屬材料層44可為金屬箔。於此情況下，金屬箔可為藉由鍍敷等將與導電填料中例示的金屬相同的金屬形成在剝離片42上而成者。

圖9表示使用了含金屬片46的S300的一例。如圖示般，將含金屬片46的金屬材料層44側配置並貼附於保護層30。接下來，藉由對含金屬片46進行熱壓，使金屬材料層44的熱硬化性樹脂硬化，藉此形成導電層40。之後，去除剝離片42。藉此，製造如圖1所示的電子器件封裝100。

熱壓可於減壓下或真空下進行。藉此，可提高金屬材料層44對安裝基板12的密接度。熱壓可於100℃～220℃（較佳為120℃～180℃）下，以1分鐘～120分鐘（較佳為1分鐘～60分鐘）、0.1 MPa～10 MPa（較佳為0.5 MPa～3 MPa）的條件進行。

再者，於S300中，可不使用含金屬片46而藉由其他方法形成導電層40。例如，導電層40可藉由利用鍍敷、蒸鍍、或濺鍍（以下，亦稱為「鍍敷等」）堆積金屬來形成。作為用於鍍敷等的金屬，例如可列舉金、鉑、銀、銅、鎳、鋁、鐵或該些的合金。作為另一例，導電層40可將導電膏（例如，能夠於金屬材料層44中使用者）塗敷或噴霧塗佈於保護層30或（熱壓前的）第二保護層34上，將其硬化而形成。

於S300之後，視需要可進行將電子器件封裝100單片化的步驟。例如，可於與產品區域對應的位置將電子器件封裝100於X方向及Y方向上進行切割，獲得單獨的產品。另外，不執行S300，可使用不具有導電層40者作為電子器件封裝100。

如所述般，藉由本實施方式，利用S100～S300的製程，使用具有規定的結構、物性的保護片38，於安裝基板12上形成保護層30。藉此，於電子器件20等的角部等保護層30過度流動而膜厚容易變薄的部分或保護層30無法充分地流動的部分均可以充分的膜厚形成保護層30。另外，藉由本實施方式，亦可防止當貼合保護片38時第一面側接著於電路基板10等而覆液。

保護層30中可包含源自保護片38的層結構。例如，於保護片38為三層結構的情況下，保護層30的至少一部分可具有源自第一保護層32～第三保護層36各者的三層結構。特別是，於電路基板10與電子器件20等相接的角凹部中，保護層30的膜厚變厚，保護片38的層結構容易殘存。另一方面，於保護層30的膜厚變薄的電子器件20等的角部，亦可不殘存保護片38的層結構。

以下，藉由實施例對本實施方式的例子進行說明。

[實施例][第一保護層用組成物A1]製備具有以下的組成的第一保護層32用的組成物A1。聚胺基甲酸酯樹脂（酸價：5 mgKOH/g，重量平均分子量：54,000，Tg：-7℃，東洋化工（TOYO CHEM）製造） 100重量份環氧化合物（日鐵化學&材料（NIPPON STEEL Chemical & Material）公司製造 YDF-2005RD） 20重量份溶媒（甲基乙基酮） 20重量份

[第一保護層用組成物A2]除了追加6重量份的二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）以外，製備具有與組成物A1相同的組成的第一保護層32用的組成物A2。

[第一保護層用組成物A3]除了追加12重量份的二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）以外，製備具有與組成物A1相同的組成的第一保護層32用的組成物A3。

[第一保護層用組成物A4]除了追加15重量份的二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）以外，製備具有與組成物A1相同的組成的第一保護層32用的組成物A4。

[第一保護層用組成物A5]除了追加55重量份的二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）以外，製備具有與組成物A1相同的組成的第一保護層32用的組成物A5。

[第一保護層用組成物A6]除了追加1.5重量份的二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）以外，製備具有與組成物A1相同的組成的第一保護層32用的組成物A6。

[第一保護層用組成物A7]除了追加20重量份的二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）以外，製備具有與組成物A1相同的組成的第一保護層32用的組成物A7。

[第二保護層用組成物B1]製備具有以下組成的第二保護層34用的組成物B1。聚胺基甲酸酯樹脂（酸價：5 mgKOH/g，重量平均分子量：54,000，Tg：-7℃，東洋化工（TOYO CHEM）製造） 100重量份環氧化合物（日鐵化學&材料（NIPPON STEEL Chemical & Material）公司製造 YDF-2001） 20重量份二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm） 13.6重量份（以除去溶媒後的固體成分計為10重量%）溶媒（甲基乙基酮） 20重量份

[第二保護層用組成物B2]除了將二氧化矽變更為滑石（富士滑石公司製造 FH104 D₅₀；4.0 μm）24.4重量份以外，製備具有與組成物B1相同的組成的第二保護層34用的組成物B2。

[第二保護層用組成物B3]除了將二氧化矽的含量變更為35.0重量份以外，製備具有與組成物B1相同的組成的第二保護層34用的組成物B3。

[第二保護層用組成物B4]除了完全不追加二氧化矽以外，製備具有與組成物B1相同的組成的第二保護層34用的組成物B4。

[第二保護層用組成物B5]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為0.10重量份以外，製備具有與組成物B1相同的組成的第二保護層34用的組成物B5。

[第二保護層用組成物B6]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為0.15重量份以外，製備具有與組成物B1相同的組成的第二保護層34用的組成物B6。

[第二保護層用組成物B7]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為55重量份以外，製備具有與組成物B1相同的組成的第二保護層34用的組成物B7。

[第二保護層用組成物B8]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為20重量份以外，製備具有與組成物B1相同的組成的第二保護層34用的組成物B8。

[第二保護層用組成物B9]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為15重量份以外，製備具有與組成物B1相同的組成的第二保護層34用的組成物B9。

[第二保護層用組成物B10]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為1.5重量份以外，製備具有與組成物B1相同的組成的第二保護層34用的組成物B10。

[第三保護層用組成物C1]製備具有以下組成的第三保護層36用的組成物C1。聚胺基甲酸酯樹脂（酸價：5 mgKOH/g，重量平均分子量：54,000，Tg：-7℃，東洋化工（TOYO CHEM）製造） 100重量份環氧化合物（日鐵化學&材料（NIPPON STEEL Chemical & Material）公司製造 YDF-170） 20重量份二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm） 13.6重量份溶媒（甲基乙基酮） 20重量份[第三保護層用組成物C2]除了完全不追加二氧化矽以外，製備具有與組成物C1相同的組成的第三保護層36用的組成物C2。[第三保護層用組成物C3]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為1.5重量份以外，製備具有與組成物C1相同的組成的第三保護層36用的組成物C3。[第三保護層用組成物C4]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為20重量份以外，製備具有與組成物C1相同的組成的第三保護層36用的組成物C4。[第三保護層用組成物C5]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為15重量份以外，製備具有與組成物C1相同的組成的第三保護層36用的組成物C5。[第三保護層用組成物C6]除了將二氧化矽（阿德瑪科技（Admatechs）公司製造 SO-C6，D₅₀；2.0 μm）的含量變更為55重量份以外，製備具有與組成物C1相同的組成的第三保護層36用的組成物C6。

[單層A1的製造]將組成物A1塗佈於剝離片上。其後，於120℃下加熱5分鐘，進行乾燥及半硬化，形成膜厚15 μm的與第一保護層32對應的單層A1。

[單層B1的製造]將組成物B1塗佈於剝離片上。其後，於120℃下加熱5分鐘，進行乾燥及半硬化，形成膜厚45 μm的與第二保護層34對應的單層B1。

[單層C1的製造]將組成物C1塗佈於剝離片上。其後，於120℃下加熱5分鐘，進行乾燥及半硬化，形成膜厚60 μm的與第三保護層36對應的單層C1。

[保護片H1的製造]將組成物A1塗佈於剝離片上。其後，於120℃下加熱5分鐘，進行乾燥及半硬化，形成膜厚15 μm的第一保護層32。於第一保護層32上塗佈組成物C1。其後，於120℃下加熱5分鐘，進行乾燥及半硬化，形成膜厚60 μm的第三保護層36。其後，將組成物B1塗佈於第三保護層36上。其後，於120℃下加熱5分鐘，進行乾燥及半硬化，形成膜厚45 μm的第二保護層34。如此，形成包含第一保護層32、第三保護層36及第二保護層34的保護片H1。

[保護片H2的製造]除了使用組成物B2代替組成物B1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H2。

[保護片H3的製造]除了使用組成物B3代替組成物B1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H3。

[保護片H4的製造]除了使用組成物B4代替組成物B1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H4。

[保護片H5的製造]除了使用組成物B5代替組成物B1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H5。

[保護片H6的製造]除了使用組成物B6代替組成物B1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H6。

[保護片H7的製造]除了使用組成物A5代替組成物A1、使用組成物B7代替組成物B1、使用組成物C6代替組成物C1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H7。

[保護片H8的製造]除了使用組成物A2代替組成物A1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H8。

[保護片H9的製造]除了使用組成物A3代替組成物A1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H9。

[保護片H10的製造]除了使用組成物A4代替組成物A1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H10。

[保護片H11的製造]除了使用組成物B4代替組成物B1、使用組成物C2代替組成物C1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H11。

[保護片H12的製造]除了使用組成物A6代替組成物A1、使用組成物B10代替組成物B1、使用組成物C3代替組成物C1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H12。

[保護片H13的製造]除了使用組成物A7代替組成物A1、使用組成物B8代替組成物B1、使用組成物C4代替組成物C1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H13。

[保護片H14的製造]除了使用組成物A4代替組成物A1、使用組成物B9代替組成物B1、使用組成物C5代替組成物C1以外，藉由與保護片H1相同的方法製造保護片H14。

對單層A1～單層A7、單層B1～單層B10、單層C1～單層C6及保護片H1～保護片H14進行以下的試驗/評價。

[玻璃轉移溫度]對各層的玻璃轉移溫度進行測定，結果為單層A1：42℃單層B1：22℃單層C1：27℃。

[流動長度]於單層A1～單層C1及保護片H1～保護片H14各自的單面，在90℃的加熱條件下以2 m/分鐘的速度層壓聚醯亞胺膜（卡普頓（Capton）500H），衝壓成0.5 cm×1 cm的長方形。於層壓後將剝離片剝下，載置於聚醯亞胺膜（卡普頓（Capton）500H）。藉此，單層A1～單層C1及保護片H1～保護片H14分別成為被兩張聚醯亞胺膜夾入的形狀。

於由聚醯亞胺膜夾持的單層A1～單層C1及保護片H1～保護片H14，分別放置一張耐熱脫模膜（歐普蘭（opulent）CR1012MT4 150 μm，三井化學東賽璐（Mitsui Chemicals Tohcello）製造），利用橡膠硬度70度（以JIS K 6253 A，得樂（TECLOCK）橡膠/塑膠硬度計（硬度計（durometer））GS-719N進行測定）的矽酮橡膠將該些夾持，於180℃的加熱條件下，以1 MPa按壓5分鐘。算出熔融後自聚醯亞胺膜的各邊流動的部分中最流動的部分的長度，將四邊的平均值作為流動長（μm）進行測定。對單層A1～單層C1及保護片H1～保護片H14分別製成四張樣品，測定流動長（μm）的平均值。另外，基於測定的流動長度（μm）的平均值及膜厚（μm），算出指數X、指數Z、指數Y、指數W。

[冷熱循環]（試驗單片的製作）準備於包含玻璃環氧的基板上呈陣列狀搭載有5個×5個經模塑密封的電子零件（1000 μm×1000 μm）的基板。基板的厚度為0.3 mm，模塑密封厚、即自基板上表面至模塑密封材的頂面的高度（零件高度）H為0.7 mm。其後，沿著作為零件彼此的間隙的槽進行半切割，獲得試驗基板。半切割槽深度設為0.8 mm（基板20的切割槽深度為0.1 mm），半切割槽寬度設為200 μm。於8 MPa、170℃的條件下，將保護片H1～保護片H14熱壓接於所述試驗基板上5分鐘，用手將緩衝材剝離。其後，將所獲得的電子零件搭載基板沿著半切割槽進行全切割，藉此對各保護片獲得25個試驗單片。將所獲得的試驗單片投入至冷熱衝擊裝置（「TSE-11-A」，愛斯佩克（Espec）公司製造），於高溫曝露：125℃且15分鐘、低溫曝露：-50℃且15分鐘的曝露條件下實施1000次交替曝露。其後，取出試驗單片，觀察電子零件保護層的外觀，對破損的試驗單片數進行計數，按照以下的基準進行評價。對於各例，試驗個數分別設為10個。+++：破損的試驗單片數為0個。++：破損的試驗單片數為1個以上且2個以下。+：破損的試驗單片數為3個以上且5個以下。（實用水準）NG：破損的試驗單片數為6個以上。[表1A]

	單層A1	單層A2	單層A3	單層A4	單層A5	單層A6	單層A7
流動長度	113 μm	91 μm	84 μm	73 μm	28 μm	109 μm	69 μm
膜厚	15 μm	15 μm	15 μm	15 μm	15 μm	15 μm	15 μm
指數	Z=7.53	Z=6.07	Z=5.60	Z=4.87	Z=1.87	Z=7.27	Z=4.60

[表1B]

	單層B1	單層B2	單層B3	單層B4	單層B5	單層B6	單層B7	單層B8	單層B9	單層B10
流動長度	48 μm	60 μm	58 μm	111 μm	96 μm	88 μm	29 μm	61 μm	62 μm	105 μm
膜厚	60 μm	60 μm	60 μm	60 μm	60 μm	60 μm	60 μm	60 μm	60 μm	60 μm
指數	Y=0.80	Y=1.00	Y=0.97	Y=1.85	Y=1.60	Y=1.47	Y=0.48	Y=1.02	Y=1.03	Y=1.75

[表1C]

	單層C1	單層C2	單層C3	單層C4	單層C5	單層C6
流動長度	64 μm	142 μm	131 μm	81 μm	79 μm	40 μm
膜厚	45 μm	45 μm	45 μm	45 μm	45 μm	45 μm
指數	W=1.42	W=3.16	W=2.91	W=1.80	W=1.76	W=0.89

[表2A]

	保護片H1	保護片H2	保護片H3	保護片H4	保護片H5	保護片H6	保護片H7
流動長度	106 μm	79 μm	80 μm	123 μm	119 μm	120 μm	42 μm
膜厚	120 μm	120 μm	120 μm	120 μm	120 μm	120 μm	120 μm
指數	X=0.88	X=0.66	X=0.67	X=1.03	X=0.99	X=1.00	X=0.35
整體中的填料重量	7.00%	9.50%	11.90%	3.60%	3.70%	3.70%	31%
冷熱循環	+++	++	+	+++	+++	+++	+

[表2B]

	保護片H8	保護片H9	保護片H10	保護片H11	保護片H12	保護片H13	保護片H14
流動長度	90 μm	80 μm	85 μm	252 μm	231 μm	58 μm	63 μm
膜厚	120 μm	120 μm	120 μm	120 μm	120 μm	120 μm	120 μm
指數	X=0.75	X=0.67	X=0.71	X=2.10	X=1.93	X=0.48	X=0.35
整體中的填料重量	8.40%	9.80%	10.50%	0.00%	1.20%	14.30%	11.10%
冷熱循環	+++	++	+	+++	+++	+	+

[探針黏性試驗]使用保護片H1～保護片H10進行探針黏性試驗。按照第十七修正日本藥典 一般試驗法 6.製劑試驗法 6.12黏著力試驗法 3.4探針黏性試驗法將保護片H1～保護片H10切成2 cm見方以上進行試驗。另外，試驗是於配重環貼上片，於其上放置合計200 g的重物，藉此施加載荷來進行。試驗於N=4時進行，將其平均值作為結果。以下示出結果。[表3A]

單位N/cm2	保護片H1	保護片H2	保護片H3	保護片H4	保護片H5	保護片H6	保護片H7
第一面側	0.01	0.01	0	0.01	0.01	0.01	0
第二面側	0.09	0.14	0.26	0.01	0.03	0.05	0.28

[表3B]

單位N/cm2	保護片H8	保護片H9	保護片H10	保護片H11	保護片H12	保護片H13	保護片H14
第一面側	0.01	0.01	0	0.01	0.01	0.01	0.01
第二面側	0.09	0.09	0.09	0.09	0.09	0.09	0.09

如圖示般，示出了於第一保護層32側（第一面側）幾乎無黏性。另一方面，示出了於第二保護層34側（第二面側），根據填料（二氧化矽）的量而黏性提高。

[電子器件封裝的製造]準備搭載有藉由凸塊而與電路基板連接的IC晶片及八邊形的電感器的安裝基板，使第一保護層側與電路基板側相向，於180℃、1 MPa的條件下對保護片H1進行5分鐘熱壓接，製造具有保護層的電子器件封裝P1。藉由相同的方法由保護片H2～保護片H14製造電子器件封裝P2～電子器件封裝P14。關於電子器件封裝P1～電子器件封裝P14中的電子器件封裝P7、電子器件封裝P11及電子器件封裝P13以外的電子器件封裝（滿足指數X=0.5～2.0），確認到任一保護層均以15 μm以上的膜厚形成於凸塊的側面、電感器的側面、IC晶片的上角部的任一者，起到充分的絕緣保護功能。但是，於P11（指數X＞2.0）中，保護層的流動性過高而產生膜厚變薄的部分。另外，於P7及P13（指數X＜0.5）中，保護層的流動性過低而產生保護層無法遍佈的部分。另外，關於填料量為10重量份以上的H3、H7、H10、H13及H14的保護片，冷熱循環試驗的結果較其他保護片而言更差。

以上，使用實施方式對本發明進行了說明，但本發明的技術範圍並不限定於所述實施方式中記載的範圍。對於本領域技術人員而言明確能夠對所述實施方式施加各種變更或改良。根據申請專利範圍的記載明確，此種施加了變更或改良的實施方式亦可包含於本發明的技術範圍內。

申請專利範圍、說明書、及圖式中示出的方法中的動作、程序、步驟、及階段等各處理的執行順序並未特別明示為「於…以前」、「於…之前」等，另外，應留意只要不於之後的處理中使用之前的處理的結果所產生者，則可按照任意的順序來實現。關於申請專利範圍、說明書、及圖式中的動作流程，即便為了方便而使用「首先」、「接下來」等進行了說明，亦並不意味著必須依序來實施。

10:電路基板12:安裝基板20:電子器件（基板）22:電子器件24:連接構件30:保護層32:第一保護層34:第二保護層35:聚醯亞胺膜36:第三保護層38:保護片40:導電層42:剝離片44:金屬材料層46:含金屬片100:電子器件封裝L1～L4:長度（流動長度）S100、S200、S300:步驟

圖1表示本實施方式的電子器件封裝100的一例。圖2表示本實施方式的保護片38的一例。圖3表示本實施方式的流動長的一例。圖4表示本實施方式的保護片38的另一例。圖5表示本實施方式的電子器件封裝100的製造方法的流程的一例。圖6表示圖5的流程中的S200的一例。圖7表示形成有保護層30的安裝基板12的一例。圖8表示含金屬片46的一例。圖9表示使用含金屬片46的S300的一例。

10:電路基板20:電子器件22:電子器件24:連接構件30:保護層40:導電層100:電子器件封裝

Claims (17)

1. 一種保護片，其用於電路基板，所述保護片具有第一面及與所述第一面為相反面的第二面，所述保護片中，所述第一面的利用探針黏性試驗所得的黏著力為0.15 N/cm²以下，且由下述式1求出的指數X為0.75～1.93，所述保護片以1.0重量%～8.5重量%的含量包含填料，[式1]X=F_total/T_totalF_total；於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的保護片於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的以μm計的平均值，T_total；保護片的以μm計的總厚度。
2. 如請求項1所述的保護片，其中，拉伸斷裂強度為10 N/mm²～70 N/mm²。
3. 如請求項1所述的保護片，其中，所述保護片包括：第一保護層；以及第二保護層，所述第一保護層是所述保護片的所述第一面側的最表層，所述第二保護層於所述保護片中為所述第二面側的最表層。
4. 如請求項3所述的保護片，其中，所述第二保護層的由下述式2求出的指數Y為0.5～1.5，[式2]Y=F₂/T₂F₂；於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的第二保護層於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的以μm計的平均值，T₂；第二保護層的以μm計的厚度。
5. 如請求項3所述的保護片，其中，所述第一保護層的由下述式3求出的指數Z為2.0～15.0，[式3]Z=F₁/T₁F₁；於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的第一保護層於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的以μm計的平均值，T₁；第一保護層的以μm計的厚度。
6. 如請求項3所述的保護片，其中，所述第二保護層的玻璃轉移溫度為60℃以下。
7. 如請求項3所述的保護片，其中，所述第一保護層的膜厚為5 μm～150 μm，所述第二保護層的膜厚為10 μm～200 μm。
8. 如請求項3所述的保護片，其中，於所述第一保護層與所述第二保護層之間包括第三保護層。
9. 如請求項8所述的保護片，其中，所述第三保護層的由下述式4求出的指數W為1.0～3.0，[式4]W=F₃/T₃F₃；於將製成0.5 cm×1.0 cm的長方形的第三保護層於180℃、1 MPa下加熱按壓5分鐘時，於各邊最流動的部分的流動長的四邊的以μm計的平均值，T₃；第三保護層的以μm計的厚度。
10. 如請求項8所述的保護片，其中，所述第三保護層的膜厚為20 μm～200 μm。
11. 如請求項8所述的保護片，其中，所述第一保護層、所述第二保護層及所述第三保護層包含聚胺基甲酸酯系樹脂、硬化劑。
12. 如請求項1所述的保護片，其中，所述保護片包含填料，所述保護片的所述第二面側的填料的質量濃度較所述第一面側而言更大。
13. 如請求項1所述的保護片，其中，所述保護片包括：第一保護層；以及第二保護層，所述第一保護層的膜厚為10 μm～30 μm，並且是所述保護片的所述第一面側的最表層，所述第二保護層的膜厚為50 μm～100 μm，並且於所述保護片中為所述第二面側的最表層。
14. 如請求項1所述的保護片，其中，所述保護片包括：第一保護層；以及第二保護層，所述第一保護層的膜厚為10 μm～30 μm，玻璃轉移溫度為20℃～50℃，並且是所述保護片的所述第一面側的最表層，所述第二保護層的膜厚為50 μm～100 μm，玻璃轉移溫度為10℃～40℃，並且於所述保護片中為所述第二面側的最表層。
15. 一種電子器件封裝的製造方法，包括如下步驟：於在表面設置有導電電路的基板上安裝有電子器件的安裝基板，以所述第一面朝向所述電子器件側的方式配置如請求項1至請求項14中任一項所述的保護片，於所述安裝基板上形成由所述保護片形成的保護層。
16. 如請求項15所述的電子器件封裝的製造方法，其中，所述形成保護層的步驟包括在配置所述保護片後將其熱壓於所述安裝基板。
17. 如請求項15所述的電子器件封裝的製造方法，更包括在所述保護層上形成導電層的步驟。