TWI831871B

TWI831871B - 晶圓加工方法

Info

Publication number: TWI831871B
Application number: TW108142426A
Authority: TW
Inventors: 陸昕; 札克博瓦斯; 艾瑞克艾森堡
Original assignee: 日商迪思科股份有限公司
Priority date: 2018-11-27
Filing date: 2019-11-22
Publication date: 2024-02-11
Also published as: TW202020963A; US11094523B2; JP2020088187A; US20200168451A1; CN111223760B; JP7460322B2; CN111223760A; DE102019218374B4; DE102019218374A1

Abstract

[課題] 在將外周具有倒角部的晶圓進行加工之情形中，不增加去除晶圓外周部的步驟地防止晶圓的損壞。[解決手段] 一種外周具有倒角部Wd的晶圓W的加工方法，包含：在從晶圓外周緣至預定距離內側的位置，沿著外周緣照射對晶圓W具有穿透性之波長的雷射束，形成深度為從晶圓正面Wa至完工厚度L1的環狀改質區域M之步驟；將對晶圓W具有穿透性之波長的雷射束照射至晶圓外周部，在晶圓外周部放射狀地形成多個深度為從晶圓正面Wa至完工厚度L1的改質區域N之步驟；以及將晶圓背面Wb進行研削並薄化至完工厚度L1之步驟。

Description

晶圓加工方法

本發明係關於外周具有倒角部之晶圓加工方法。

在將晶圓的背面進行研削並薄化之際，會在晶圓的外周的倒角部形成所謂的銳邊，而有在銳邊產生崩缺而晶圓損傷之虞。為了防止此情況，目前廣泛採用在研削前以切割刀片去除倒角部之所謂的修邊(例如，參照專利文獻1)。

但是，相較於通常切割所使用之例如寬度20μm左右的切割刀片，修邊係使用寬度1mm左右的厚刀片，且非直線狀而是環狀地切割晶圓，因此切割負荷較通常切割更大，容易在晶圓的外周緣所形成之切割槽的邊緣產生被稱為崩裂(chipping)的崩缺或裂痕。而且，若裂痕到達元件則會損傷元件，因此成為問題。另一方面，若為了抑制崩裂或裂痕而以低速進行修邊，則生產性會變差。

於是，目前有人提出一種方法，其將雷射束照射至晶圓，將晶圓分割成內周部與外周部，並在去除外周部後研削晶圓(例如，參照專利文獻2)。

[習知技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2000-173961號公報

[專利文獻2]日本特開2006-108532號公報

但是，上述方法中，因增加去除晶圓的外周部之步驟，故有所謂生產性降低的問題。

因此，本發明之目的係提供一種晶圓加工方法，其在將外周具有倒角部之晶圓進行加工之際，可不增加去除晶圓的外周部之步驟地防止晶圓的損壞。

根據本發明，提供一種晶圓加工方法，其係外周具有倒角部之晶圓加工方法，具備：環狀改質區域形成步驟，其在從晶圓的外周緣至預定距離內側的位置，沿著該外周緣照射對晶圓具有穿透性之波長的雷射束，形成深度至少為從晶圓的正面至完工厚度的環狀改質區域；外周部改質區域形成步驟，其將對晶圓具有穿透性之波長的雷射束照射至晶圓的外周部，在晶圓的該外周部空開間隔並沿著晶圓的徑向放射狀地形成多個深度至少為從晶圓的正面至完工厚度之改質區域；以及背面研削步驟，其在實施該環狀改質區域形成步驟與該外周部改質區域形成步驟後，將晶圓的背面進行研削並薄化至該完工厚度，該背面研削步驟中，以該環狀改質區域與多個該改質區域為起點，一邊從晶圓去除晶圓的該外周部一邊進行研削。

較佳為，本發明之晶圓加工方法在實施前述背面研削步驟後，更具備將前述背面進行研磨的研磨步驟。

根據本發明之晶圓加工方法，在研削中，晶圓的外周部係從晶圓的內周部藉由環狀改質區域而被分割成環狀，因此可防止晶圓中形成有元件之內周部因晶圓的邊緣所產生之崩缺或裂痕而損壞。再者，經分割的外周部藉由放射狀地延伸之多個外周部改質區域而被細小地分割，因此能在研削中去除。

實施背面研削步驟後，藉由更具備將背面進行研磨之研磨步驟，而可提高晶圓的抗彎強度。

W:晶圓

Wa:晶圓的正面

Wa1:元件區域

Wa2:外周剩餘區域

D:元件

S:分割預定線

Wb:晶圓的背面

Wd:倒角部

T:保護膠膜

1:雷射加工裝置

10:保持台

10a:保持面

11:雷射束照射單元

111:聚光器

111a:聚光透鏡

119:雷射振盪器

14:對準手段

140:攝影機

M:環狀改質區域

M1:改質層

C:裂痕

N:外周部所形成之放射狀的改質區域

7:研削裝置

75:卡盤台

75a:保持面

71:研削手段

710:旋轉軸

713:安裝件

714:研削輪

8:研磨裝置

85:卡盤台

85a:保持面

80:研磨手段

800:主軸

801:安裝件

802:研磨墊

T2:載體晶圓

圖1係表示晶圓的一例之剖面圖。

圖2係表示環狀改質區域形成步驟之剖面圖。

圖3係將晶圓所形成之環狀的改質區域放大表示之剖面圖。

圖4係表示外周部改質區域形成步驟之剖面圖。

圖5係將放射狀地形成於晶圓的外周部之改質區域放大表示之剖面圖。

圖6係表示在外周部全周中放射狀地形成改質區域的晶圓之俯視圖。

圖7係表示正在開始研削晶圓的背面的狀態之剖面圖。

圖8係表示在背面研削步驟中，以環狀改質區域與多個改質區域為起點，一邊從晶圓去除晶圓的外周部一邊進行研削的狀態之剖面圖。

圖9係表示正在研磨晶圓的背面的狀態之剖面圖。

圖10係表示正在研削晶圓的背面的狀態之剖面圖，該晶圓形成有環狀改質區域與多個改質區域且在正面接著有載體晶圓。

圖11係表示正在研磨晶圓的背面的狀態之剖面圖，該晶圓形成有環狀改質區域與多個改質區域且在正面接著有載體晶圓。

以下針對本發明實施方式之晶圓加工方法之各步驟進行說明。

(1)環狀改質區域形成步驟

圖1所表示之晶圓W，例如為將矽作為母材之外形為圓形的半導體晶圓，其正面Wa設置有元件區域Wa1與圍繞元件區域Wa1的外周剩餘區域Wa2。元件區域Wa1被垂直交叉的多條分割預定線S劃分成格子狀，在被劃分成格子狀的各區域中分別形成有IC等元件D。圖1中朝向下方之晶圓W的背面Wb在後續成為被研削的被研削面。晶圓W的外周緣施有倒角加工，形成剖面為略圓弧狀的倒角部Wd。此外，晶圓W亦可由矽以外的砷化鎵、藍寶石、氮化鎵或碳化矽等所構成。

環狀改質區域形成步驟中，在從為晶圓W的外周緣之倒角部Wd至預定距離內側的位置，沿著外周緣照射對晶圓W具有穿透性之波長的雷射束，形成深度至少為從晶圓W的正面Wa至完工厚度之環狀改質區域。具體而言，晶圓W被搬送至例如圖2所表示之雷射加工裝置1。雷射加工裝置1至少具備吸引保持晶圓W之保持台10、與能夠照射對保持台10所保持之晶圓W具有穿透性之波長的雷射束之雷射束照射單元11。此外，晶圓W在被搬送至雷射加工裝置1前，其正面Wa黏貼有保護膠膜T而使元件D成為被保護的狀態。

保持台10能繞著Z軸方向的軸心旋轉，且同時能藉由未圖示的移動手段而在作為加工進給方向之X軸方向及作為分度進給方向之Y軸方向進行往復移動。保持台10例如其外形為圓形狀，具備由多孔構件而成且保持晶圓W 之平坦的保持面10a。而且，藉由與保持面10a連通之未圖示的吸引源所產生之吸引力被傳導至保持面10a，保持台10可在保持面10a上吸引保持晶圓W。

雷射束照射單元11係使由YAG等雷射振盪器119所射出之雷射束LB透過傳送光學系統而射入聚光器111內部的聚光透鏡111a，藉此可將雷射束聚光並照射至保持台10所保持之晶圓W。雷射束LB的聚光點P的高度位置能藉由未圖示之聚光點位置調整手段而在Z軸方向進行調整。

雷射加工裝置1具備辨識晶圓W的外周緣的座標位置及晶圓W的中心的座標位置之對準手段14。對準手段14具備未圖示之光源與攝影機140，該攝影機140係由捕捉來自晶圓W的反射光之光學系統、及將光學系統所成像之目標影像進行光電轉換並輸出影像資訊之攝像元件等所構成。

如圖2所表示，將正面Wa所黏貼之保護膠膜T朝向下側，在保持台10的保持面10a上載置晶圓W，藉由保持台10吸引保持晶圓W。保持台10的旋轉中心與晶圓W的中心略一致。

未圖示之移動手段係使保持台10移動至對準手段14的下方，實施邊緣對準。亦即，保持台10會旋轉，以攝影機140拍攝保持台10所保持之晶圓W的外周緣的多處。然後，從攝像影像例如藉由檢測外周緣上分開的三點座標，並基於該三點座標進行幾何學的演算處理，而求取保持台10上所吸引保持之晶圓W的正確中心座標。

然後，將晶圓W的該中心座標的資訊及預先辨識之晶圓W的尺寸的資訊作為基礎，在水平方向移動保持台10，以位於外周剩餘區域Wa2、且從晶圓W的外周緣至預定距離內側之預定位置Y1位於聚光器111的正下方之方式，將保持台10定位在預定位置。

接著，將藉由聚光透鏡111a而聚光之雷射束的聚光點位置定位在晶圓W的內部的預定高度位置，亦即例如定位在圖2所表示之高度位置Z2的稍微上方之高度位置，該高度位置Z2的深度到達晶圓W的完工厚度L1。完工厚度L1係從元件D的上表面的高度位置Z1至高度位置Z2為止的厚度。然後，將由雷射振盪器119所射出之對晶圓W具有穿透性之波長的脈衝雷射束聚光並照射至保持台10所保持之晶圓W的內部。此外，雷射束的輸出係設定成例如從晶圓W所形成之改質層向上下產生裂痕的條件。

若將由雷射振盪器119所射出之雷射束聚光並照射至晶圓W的內部，則在晶圓W中，圖3所表示之改質層M1係以從聚光點位置朝向上下方向延伸之方式形成。並且，藉由以從改質層M1產生裂痕C之方式設定雷射束的輸出，而會從改質層M1同時向上下方向形成細微的裂痕C。亦即，會在晶圓W形成包含改質層M1與裂痕C的改質區域M。在圖3所表示之例子中，所形成之改質區域M的裂痕C，其下端會到達晶圓W的正面Wa。

藉由一邊沿著晶圓W的外周緣照射雷射束一邊使圖2所表示之保持台10以預定旋轉速度繞著Z軸方向的軸心360度旋轉，而在晶圓W形成深度至少為從晶圓W的正面Wa至完工厚度L1，亦即至高度位置Z2之環狀改質區域M。此外，如本實施方式般，不在晶圓W的完工厚度L1中的區域形成改質層M1，且僅使裂痕C到達晶圓W的正面Wa，藉此可藉由後續的研削而將改質層M1不殘留在晶圓W地去除，故較佳。

環狀改質區域形成步驟不受限於本實施方式。例如，在圖2所表示之晶圓W的完工厚度L1為厚之情形中，將雷射束的聚光點位置定位在較高度位置Z2更下方的高度位置(更靠近正面Wa側的高度位置)。然後，每次一邊沿著晶圓W的外周緣照射雷射束一邊將保持台10以預定旋轉速度繞著Z軸方向的軸心360度旋轉時，一邊在晶圓W的厚度方向(Z軸方向)使聚光點位置在上側或下側交錯預定間隔一邊對晶圓W照射多路徑的雷射束。然後，形成由第一段的改質層M1與裂痕C而成之環狀的改質區域M、第二段之環狀的改質區域M、第三段之環狀的改質區域M、及第四段之環狀的改質區域M。

其結果，藉由由改質層M1與裂痕C而成之四段的環狀的改質區域M，而在晶圓W形成深度至少為從晶圓W的正面Wa至完工厚度L1，亦即至高度位置Z2之環狀改質區域M。在此情形中，環狀改質區域M之各段的裂痕C相連接。並且，改質層M1亦可露出至晶圓W的正面Wa。此外，亦可以降低雷射束的輸出而不會從改質層M1向上下產生裂痕C之方式設定加工條件，且不是將各段的裂痕C相連接而是將各段的改質層M1本身在晶圓W的厚度方向相連接而形成環狀改質區域M，但將各段的裂痕C相連接的話，可利用少路徑的雷射束照射而形成深度至少為從晶圓W的正面Wa至完工厚度L1，亦即至高度位置Z2之環狀改質區域M，故有效率。

此外，在圓環狀的改質區域M的形成中，不是每次使保持台10繞著Z軸方向的軸心360度旋轉時一邊在厚度方向(Z軸方向)將聚光點位置在上側或下側交錯預定間隔一邊照射多路徑的雷射束，而是藉由分光器等使由圖2所表示之雷射振盪器119所射出之雷射束分歧而成為多個光路的雷射束，並將多個光路的雷射束的各聚光點定位在晶圓W的厚度方向的不同位置。而且，亦可藉由使保持台10以預定旋轉速度繞著Z軸方向的軸心360度旋轉一次，而在多個聚光點同時改質晶圓W的內部，形成深度至少為從晶圓W的正面Wa至完工厚度L1，亦即至高度位置Z2之環狀改質區域M。

作為環狀改質區域形成步驟的進一步其他例，例如，在圖2所表示之聚光透鏡111a的上方或下方進一步配設另外的透鏡，或將聚光透鏡111a設為例如具有球面像差的聚光透鏡，藉此能以在晶圓W的厚度方向延伸脈衝雷射束的聚光點之方式進行定位。然後，以在晶圓W的厚度方向使聚光點延伸成線狀的狀態，從雷射振盪器119射出對晶圓W具有穿透性之波長的脈衝雷射束，將此脈衝雷射束聚光並照射至晶圓W的內部。

此外，只要可以在光軸方向產生像差的狀態將雷射束照射至晶圓W即可，因此，亦可從雷射振盪器119射出具有預定的發散角(spread angle)之脈衝雷射束，並以聚光透鏡111a進行聚光。

藉由雷射束的上述照射，晶圓W的內部形成在晶圓W的厚度方向(Z軸方向)伸長之細孔或未圖示之裂痕、與圍繞細孔或裂痕且在晶圓W的厚度方向伸長之非晶質區域。亦即，在晶圓W形成由細孔或裂痕與非晶質區域所組成之所謂的潛盾通道。

而且，亦可藉由一邊沿著晶圓W的外周緣照射雷射束一邊使保持台10以預定旋轉速度繞著Z軸方向的軸心360度旋轉，而形成深度至少為從晶圓W的正面Wa至完工厚度L1，亦即至高度位置Z2之環狀的潛盾通道。

(2)外周部改質區域形成步驟

例如圖3、圖4所表示之在晶圓W形成環狀改質區域M後，將對晶圓W具有穿透性之波長的雷射束照射至晶圓W的外周部，而在晶圓W的外周部放射狀地形成多個深度至少為從晶圓W的正面Wa至完工厚度L1之改質區域。此外，外周部改質區域形成步驟亦可在實施環狀改質區域形成步驟前進行。

外周部改質區域形成步驟中，首先，如圖4所表示，將藉由聚光透鏡111a而聚光之雷射束的聚光點位置定位在例如晶圓W的完工厚度L1內之預定的高度位置。然後，從雷射振盪器119射出對晶圓W具有穿透性之波長的脈衝雷射束，將雷射束聚光並照射至晶圓W。並且，在-X方向以預定的加工進給速度搬送晶圓W，從晶圓W的外周緣朝向環狀改質區域M照射雷射束，藉此形成深度為從晶圓W的正面Wa至完工厚度L1，亦即至高度位置Z2之改質區域N。改質區域N可為具備未圖示之裂痕與改質層者，亦可為僅由改質層而成者，亦可為潛盾通道。

例如，在圖5所表示之晶圓W的完工厚度L1為70μm之情形中，改質區域N在Z軸方向中之長度成為與完工厚度L1相同的長度70μm。另一方面，環狀改質區域M在Z軸方向中之長度，較佳為完工厚度L1(70μm)再加上20μm的90μm。

例如，如圖5所表示，若改質區域N為從晶圓W的外周緣到達環狀改質區域M之預定位置為止且晶圓W在作為前往方向之-X方向行進，則隨著停止雷射束的照射，保持台10僅以預定角度(例如，數度)繞著Z軸方向的軸心旋轉。此外，改質區域N亦可從晶圓W的外周緣不到達環狀改質區域M，而停在環狀改質區域M前方。

接著，將圖4所表示之晶圓W往作為復歸方向之+X方向進行加工進給，藉由雷射束照射，從環狀改質區域M到達晶圓W的外周緣為止地形成改質區域N。藉由一邊使保持台10以預定角度旋轉一邊依序進行同樣的雷射束照射，如圖6所表示，在晶圓W的外周部的大約全周空開間隔並沿著晶圓W的徑向放射狀地形成多個深度至少為從晶圓W的正面Wa至完工厚度L1之改質區域N。

此外，對於同一路線，在前往方向復歸方向一邊將聚光點位置在上側或下側交錯預定間隔一邊對晶圓W照射多路徑的雷射束，而形成多段的改質區域，藉此亦可形成圖4所表示之深度為從晶圓W的正面Wa至完工厚度L1，亦即至高度位置Z2之改質區域N。

(3)背面研削步驟

在實施環狀改質區域形成步驟與外周部改質區域形成步驟後，將晶圓W的背面Wb進行研削並薄化至完工厚度L1。亦即，已形成環狀改質區域M及改質區域N的晶圓W被搬送至圖7所表示之研削裝置7的卡盤台75，將背面Wb朝向上側，被吸引保持在卡盤台75的保持面75a上。

圖7所表示之研削裝置7中，將晶圓W進行研削的研削手段71具備軸方向為Z軸方向之旋轉軸710、連接於旋轉軸710的下端之圓板狀的安裝件713、以及能裝卸地連接於安裝件713的下表面之研削輪714。研削輪714具備輪基台714b、環狀地配設於輪基台714b的底面之略長方體形狀的多個研削磨石714a。

首先，卡盤台75往+Y方向移動，研削磨石714a的旋轉中心相對於晶圓W的旋轉中心在水平方向僅錯開預定距離，以研削磨石714a的旋轉軌跡通過晶圓W的旋轉中心之方式，定位卡盤台75。接著，伴隨著旋轉軸710旋轉，研削輪714繞著Z軸方向的軸心旋轉。並且，研削手段71被搬送往-Z方向，研削磨石714a與晶圓W的背面Wb抵接，藉此進行研削加工。在研削中，伴隨著卡盤台75旋轉，晶圓W亦旋轉，因此研削磨石714a進行晶圓W的背面Wb之全面的研削加工。並且，對於研削磨石714a與晶圓W的背面Wb之接觸處供給研削水，進行由研削水所致之接觸處的冷卻及研削屑的清洗去除。

在研削加工中，從研削磨石714a對晶圓W施加-Z方向的研削壓力。而且，如圖8所表示，若背面Wb被研削，則沿著環狀改質區域M產生相對於研削壓力的研削應力，以環狀改質區域M為起點，晶圓W被分割成圓形的內周部W1與圓環狀的外周部。然後，繼續進行研削，一邊去除環狀改質區域M的改質層M1一邊將晶圓W研削至成為完工厚度L1為止後，使研削手段71往+Z方向移動而使其離開晶圓W。

並且，在上述背面研削加工中，沿著晶圓W的外周部所放射狀地形成之多個改質區域N產生相對於研削壓力的研削應力，從晶圓W的圓形的內周部W1分離之圓環狀的外周部係以改質區域N為起點，被分割成圖8所表示之細小的邊角料W2(例如，俯視為略梯形狀的邊角料)。再者，因卡盤台75會旋轉，故藉由離心力而被從盤台75上去除。

如上述，本發明之晶圓加工方法中，在晶圓W的背面Wb研削前，在晶圓W形成環狀改質區域M與外周部之放射狀的改質區域N。然後，在研削中，因晶圓W的外周部從晶圓的內周部W1藉由環狀改質區域M而被分割成環狀，故可防止晶圓W中形成有元件D的內周部W1因晶圓W的邊緣所產生之崩缺或裂痕而損壞。再者，經分割的外周部藉由放射狀地延伸之多個外周部改質區域N而被細小地分割，因此能在研削中去除

(4)研磨步驟

例如，本實施方式中，在實施背面研削步驟後，將晶圓W的背面Wb進行研磨。亦即，晶圓W的內周部W1被搬送至圖9所表示之研磨裝置8的卡盤台85，將背面Wb朝向上側，被吸引保持在卡盤台85的保持面85a上。

研磨裝置8的研磨手段80係例如由軸方向為垂直方向(Z軸方向)之主軸800、固定於主軸800的下端之圓形板狀的安裝件801、以及能裝卸地安裝於安裝件801的下表面之圓形狀的研磨墊802所構成。研磨墊802係例如由毛氈等不織布而成，在中央部分貫通形成有使漿液通液的貫通孔，其下表面成為研磨晶圓W的研磨面。研磨墊802的直徑被設定為較晶圓W的直徑更大。

例如，主軸800的內部形成有在Z軸方向延伸的漿液流路，此漿液流路連通漿液供給手段。漿液從漿液流路的下端的開口朝向研磨墊802噴出至下方，到達研磨墊802的研磨面與晶圓W之接觸部位。研磨加工中所使用之漿液例如為包含SiO₂、Al₂O₃、CeO₂、SiC、ZiO₂、TiO等作為遊離磨粒的溶液。此外，研磨步驟中，可不是進行使用漿液之化學機械研磨法亦即所謂CMP(Chemical Mechanical Polishing)，而是進行不使用漿液的乾式研磨。

首先，卡盤台85往+Y方向移動，完成研磨墊802與卡盤台85所保持之晶圓W的對位。對位係以例如研磨墊802的研磨面覆蓋晶圓W的背面Wb全體之方式完成。

在進行研磨墊802與晶圓W的對位後，研磨墊802旋轉。並且，研磨手段80被搬送往-Z方向，如圖9所表示，旋轉的研磨墊802的研磨面與晶圓W抵接，藉此進行研磨加工。在研磨加工中，伴隨著卡盤台85旋轉，卡盤台85上所保持之晶圓W亦旋轉，因此研磨墊802進行晶圓W的背面Wb之全面的研磨加工。

在研磨加工中，藉由在旋轉的晶圓W的背面Wb與研磨墊802的研磨面之間供給漿液，由漿液所致之化學作用與由研磨墊802的旋轉所致之機械作用會相輔相成，而以從晶圓W的背面Wb去除加工變形之方式進行研磨，能提高晶圓W的抗彎強度。在將晶圓W研磨預定時間後，使研磨手段80往+Z方向移動而使其離開晶圓W。

本發明之晶圓加工方法不限於本實施方式，理所當然可在其技術思想的範圍內利用各種不同形態進行實施。並且，關於附件圖式所圖示之雷射加工裝置1、研削裝置7、及研磨裝置8的各構成，亦未受限於此，在可發揮本發明功效的範圍內能適當變更。

例如，對於已實施前述說明之環狀改質區域形成步驟與外周部改質區域形成步驟的圖10所表示之晶圓W，在實施背面研削步驟前，從其正面Wa剝離保護膠膜T，再者，利用接著劑T1將直徑與晶圓W略同的載體晶圓T2(支撐晶圓T2)與正面Wa接著。載體晶圓T2可使用例如由與晶圓W所能使用之材料同樣的材料所構成之晶圓。如此將晶圓W貼合至其他載體晶圓T2而形成貼合晶圓，並進行將該貼合晶圓一體化的處理加工，藉此可提升薄的晶圓W的操作性，並且防止加工時的晶圓W的翹曲或損壞。

此外，在實施環狀改質區域形成步驟與外周部改質區域形成步驟前，亦可使晶圓W的正面Wa與載體晶圓T2接著。並且，亦可藉由原子擴散接合法、表面活化常溫接合法、或伴隨晶圓W的加熱之接合法等，而不使用接著劑地將晶圓W的正面Wa與載體晶圓T2直接接合。並且，亦可使用由玻璃、藍寶石、或金屬板等而成之托板取代載體晶圓T2。

已接著載體晶圓T2的晶圓W被搬送至圖10所表示之研削裝置7的卡盤台75，將背面Wb朝向上側，被吸引保持在卡盤台75的保持面75a上。接著，以研削磨石714a的旋轉軌跡通過晶圓W的旋轉中心之方式，定位卡盤台75。研削手段71被搬送往-Z方向，旋轉的研削磨石714a與晶圓W的背面Wb抵接，藉此進行研削加工。在研削中，伴隨著卡盤台75旋轉，晶圓W亦旋轉，因此研削磨石714a進行晶圓W的背面Wb之全面的研削加工。

在研削加工中，從研削磨石714a對晶圓W施加-Z方向的研削壓力。然後，沿著環狀改質區域M產生相對於研削壓力的研削應力，以環狀改質區域M為起點，晶圓W被分割成圓形的內周部W1(參照圖11)與圓環狀的外周部。然後，一邊去除環狀改質區域M的改質層M1一邊研削晶圓W直到成為完工厚度L1。

並且，在上述背面研削加工中，沿著晶圓W的外周部所放射狀地形成之多個改質區域N產生相對於研削壓力的研削應力，晶圓W從圓形的內周部 W1分離之圓環狀的外周部係以改質區域N為起點，被分割成細小的邊角料並被去除。

接著，晶圓W的內周部W1被搬送至圖11所表示之研磨裝置8的卡盤台85，將背面Wb朝向上側，被吸引保持在卡盤台85的保持面85a上。晶圓W因藉由載體晶圓T2而被支撐，故防止在被薄化後的搬送時的彎曲裂開。

例如，以研磨墊802的研磨面覆蓋晶圓W的背面Wb全體之方式，在進行研磨墊802與晶圓W的對位後，研磨手段80被搬送往-Z方向，如圖11所表示，旋轉的研磨墊802的研磨面與晶圓W抵接，藉此進行研磨加工。研磨加工中，一邊將漿液供給至研磨墊802與晶圓W之接觸部位一邊旋轉的研磨墊802進行旋轉的晶圓W的背面Wb之全面的研磨加工。然後，在將晶圓W研磨預定時間後，使研磨手段80往+Z方向移動而使其離開晶圓W。