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CN108000348B - 划痕检测方法 - Google Patents

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CN108000348B
CN108000348B CN201710983932.6A CN201710983932A CN108000348B CN 108000348 B CN108000348 B CN 108000348B CN 201710983932 A CN201710983932 A CN 201710983932A CN 108000348 B CN108000348 B CN 108000348B
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Abstract

提供划痕检测方法，对分割线和划痕进行区别而适当地对划痕进行检测。本发明的划痕检测方法具有如下的工序：加工槽形成工序，在晶片(W)的正面形成分割槽(V)；磨削工序，从背面对晶片进行磨削而使加工槽露出；拍摄工序，对磨削后的晶片的被磨削面进行拍摄；编辑工序，对晶片的拍摄图像进行坐标转换而编辑成带状图像；去除工序，将相当于分割线的线从带状图像中去除；以及判断工序，根据去除后的带状图像，对有无划痕进行判断。

Description

划痕检测方法
技术领域
本发明涉及对形成于磨削后的晶片的正面上的划痕进行检测的划痕检测方法。
背景技术
当利用磨削装置对晶片进行横向进给磨削时，在晶片的被磨削面上形成作为磨削痕的锯痕。锯痕从晶片的中心朝向外周呈放射状形成。锯痕中，特别是有时在加工中从磨削磨具脱落的磨粒与晶片的被磨削面接触而产生作为擦伤的所谓的划痕。该划痕对形成于晶片的器件造成影响，因此在磨削结束时需要确认有无划痕。
因此，提出了在磨削加工后对晶片的划痕进行检测的磨削装置(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中，对加工后的晶片的被磨削面照射光束，根据其反射光的光量来判断有无划痕。
专利文献1：日本特开2009-95903号公报
然而，在磨削加工之前沿着分割预定线对晶片进行半切割的DBG(Dicing BeforeGrinding，先切割再研磨)工艺中，通过实施磨削加工而将晶片分割成各个芯片。因此，在磨削后的晶片的被磨削面上除了上述的划痕之外，分割线也会露出。
在该情况下，当利用专利文献1的磨削装置实施划痕检测时，除了划痕之外，分割线也被检测到。因此，设想无法对划痕和分割线进行区别而无法适当地对划痕进行检测。
发明内容
本发明是鉴于该点而完成的，其目的之一在于提供一种划痕检测方法，能够对分割线和划痕进行区别而适当地对划痕进行检测。
本发明的一个方式的划痕检测方法，在对由分割预定线划分而在正面上形成有器件的晶片从正面侧沿着分割预定线形成未完全切断的深度的分割槽然后利用磨削磨具对背面进行磨削而使分割槽在背面侧露出从而对晶片进行分割的晶片的分割中，利用拍摄单元对利用磨削磨具进行了磨削的晶片的背面的被磨削面进行拍摄而对有无划痕进行检测，其中，拍摄单元具有：线传感器，其在晶片的半径方向上延伸，对被磨削面进行拍摄；以及发光体，其与线传感器平行地延伸，照亮被磨削面，划痕检测方法具有如下的工序：拍摄工序，针对拍摄单元在晶片的半径内与径向平行地定位延伸方向，使对晶片进行保持的保持工作台以晶片的中心为轴进行旋转，从而拍摄单元将被磨削面拍摄成环状而获取拍摄图像，拍摄图像是因发光体的光在分割槽和划痕处发生了散射的散射光而得到的；去除工序，从通过拍摄工序拍摄的拍摄图像中将相当于分割槽的格子状的直线去除；以及判断工序，当在去除工序后的图像中存在规定的宽度以上的圆弧或直线状的线时，判断为产生了划痕。
根据该结构，一边使线传感器对晶片的半径部分进行拍摄一边使保持工作台旋转，从而能够获取晶片的被磨削面的拍摄图像。拍摄中，利用发光体照亮晶片的半径部分，因此能够根据拍摄图像的明暗识别划痕和相当于分割槽的格子状的直线(分割线)。特别是，通过将拍摄图像编辑成带状图像，能够以具有规则性的直线表示划痕。另一方面，在带状图像上，分割线以与划痕不同的线(例如曲线)表示。因此，能够对划痕和分割线进行区别。并且，根据去除了分割线的带状图像，对有无划痕进行判定，从而能够适当地对划痕进行检测。
另外，在本发明的一个方式的上述划痕检测方法中，发光体的明亮度被调节为拍摄单元拍摄不到因磨削磨具而形成于晶片上的磨削痕的明亮度。
根据本发明，能够对分割线和划痕进行区别而适当地对划痕进行检测。
附图说明
图1是示出本实施方式的加工槽形成工序的一例的示意图。
图2的(A)和(B)是示出本实施方式的磨削工序的一例的示意图。
图3的(A)～(D)是示出本实施方式的拍摄工序的一例的示意图。
图4是示出本实施方式的编辑工序的一例的示意图。
图5是示出本实施方式的去除工序的一例的示意图。
图6是示出本实施方式的判断工序的一例的示意图。
标号说明
20：保持工作台；21a：保持面；23：工作台旋转单元；30：磨削单元；31：主轴；32：磨削磨轮；33：安装座；34：磨削磨具；40：划痕检测单元；41：拍摄单元；42：判断单元；43：线传感器；44：发光体；45：编辑部；46：判断部；W：晶片；V：分割槽(分割线)；L：分割线；LA：曲线；S：划痕；SA、SB：直线(划痕)；D：宽度。
具体实施方式
以往，当利用磨削装置对晶片进行横向进给磨削时，有时在晶片的被磨削面上形成包含划痕在内的磨削痕(锯痕)。作为划痕的例子，可以举出从晶片的中心朝向外周规则地形成的圆弧状的图案(磨削痕)。除此之外，还有时在加工中从磨削磨具脱落的磨粒与晶片的被磨削面接触而产生作为擦伤的划痕。该划痕对形成于晶片的器件造成影响，因此不太希望形成划痕。
例如考虑向晶片的上表面提供大量的磨削水而实施磨削加工，从而将脱落的磨粒从晶片的被磨削面排除而使划痕不易形成。但是，若增加磨削水的提供量，则造成不经济，并且大量的磨削水成为主要原因而减弱磨削磨具与晶片接触的力、即会减弱磨粒的咬合。其结果是，磨削效率有可能劣化。
这样，通过增多磨削水确实能够抑制划痕的产生，但难以兼顾磨削效率。因此，在磨削结束时需要确认有无划痕。因此，以往提出了一种磨削装置，其具有划痕检测单元，该划痕检测单元对加工后的晶片的被磨削面照射光束，根据其反射光的光量对有无划痕进行判断。
另外，作为晶片的加工方法之一，有被称为DBG(Dicing Before Grinding，先切割再研磨)工艺的方法。在DBG工艺中，从晶片的正面侧沿着分割预定线进行半切割，在晶片上形成相当于器件的完工厚度的深度的分割槽。然后，从晶片的背面侧进行磨削，使分割槽从该背面露出而使分割槽在厚度方向上贯通而将晶片分割成各个器件。
当利用上述的划痕检测单元对利用这样的DBG工艺进行了磨削的晶片实施划痕检测时，除了划痕之外，分割线(分割槽)也被检测到。即，会将分割线误识别为划痕。这样，在以往的划痕检测单元中，有可能无法对划痕和分割线进行区别而无法适当地对划痕进行检测。
因此，本发明人构思在DBG工艺中对分割线和划痕进行区别而适当地对划痕进行检测。
以下，参照图1至图6对本实施方式的划痕检测方法进行说明。图1是本实施方式的加工槽形成工序的一例的示意图。图2是示出本实施方式的磨削工序的一例的示意图。图2的(A)示出磨削前的状态，图2的(B)示出磨削中的状态。图3是示出本实施方式的拍摄工序的一例的示意图。图3的(A)是从规定的方向观察保持工作台的侧视图，图3的(B)是以图3的(A)的箭头A的方向观察保持工作台的侧视图。图3的(C)是磨削后的晶片的上表面图，图3的(D)是拍摄图像。图4是示出本实施方式的编辑工序的一例的示意图。图5是示出本实施方式的去除工序的一例的示意图。图6是示出本实施方式的判断工序的一例的示意图。另外，以下的各工序可以在分别独立的加工装置中实施，也可以在单一的加工装置中实施所有的工序。
本实施方式的划痕检测方法通过如下的工序实施：加工槽形成工序，在晶片的正面上形成加工槽(分割槽)(参照图1)；磨削工序，从背面对晶片进行磨削，使加工槽露出(参照图2)；拍摄工序，对磨削后的晶片的被磨削面(背面)进行拍摄(参照图3)；编辑工序，对晶片的拍摄图像进行坐标转换而编辑成带状图像(参照图4)；去除工序，将相当于分割槽的线从带状图像中去除(参照图5)；以及判断工序，根据去除后的带状图像，对有无划痕进行判断(参照图6)。
如图1所示，晶片W在背面侧粘贴有保护带T1(例如划片带)，该背面侧隔着保护带T1而吸引保持于切削装置(未图示)的保持工作台10上。晶片W形成为大致圆板状，由形成于正面的格子状(例如X方向和Y方向)的分割预定线(未图示)划分为多个区域。在各区域中形成有未图示的器件。另外，晶片W可以是在硅、砷化镓等半导体基板上形成有IC、LSI等器件的半导体晶片，也可以是在陶瓷、玻璃、蓝宝石系的无机材料基板上形成有LED等光器件的光器件晶片。保持工作台10构成为能够利用未图示的旋转单元以铅垂方向的中心轴为中心进行旋转，并且能够利用切削进给单元11在水平方向上移动(切削进给)。
在加工槽形成工序中，利用切削刀具12沿着分割预定线对晶片W的正面进行半切割。即，在晶片W的正面上沿着分割预定线形成未完全切断的深度的分割槽V。
具体而言，晶片W在器件面朝上的状态下被吸引保持于保持工作台10，切削刀具12在晶片W的外周附近沿着分割预定线定位于规定的高度。此时，对于切削刀具12的高度，将切削刀具12的下端部定位于未将晶片W在厚度方向上完全切断的高度。
然后，相对于进行高速旋转的切削刀具12，保持工作台10在水平方向上相对地进行切削进给。由此，晶片W的正面被沿着分割预定线切入，形成相当于器件的完工厚度的深度的分割槽V。当完成一条线的切削加工时，切削刀具12在旋转轴方向上进行分度进给，沿着相邻的分割预定线再次形成分割槽V。
这样，在沿着晶片W的一个方向的所有分割预定线形成分割槽V之后，保持工作台10旋转90度。然后，保持工作台10再次相对于切削刀具12进行切削进给，由此沿着与之前进行了切削的分割槽V垂直的其他分割预定线形成新的分割槽V。如上所述，在晶片W的正面上形成格子状的分割槽V。
当加工槽形成工序结束时，将粘贴在晶片W的背面侧的保护带T1剥离，这次在晶片W的正面侧(分割槽V侧)粘贴新的保护带T2(例如背磨带(参照图2))。另外，保护带T1的剥离以及保护带T2的粘贴可以利用操作者的手工作业实施，也可以利用规定的剥离(或粘贴)装置(未图示)实施。
接着，实施磨削工序。如图2所示，在磨削工序中，利用磨削单元30对晶片W的背面侧进行横向进给磨削，使之前形成的分割槽V在背面侧露出，从而将晶片W分割成各个芯片。
具体而言，如图2的(A)所示，晶片W从切削装置搬送至磨削装置(未图示)，在粘贴有保护带T2的正面侧朝下的状态下载置于保持工作台20上。保持工作台20由将圆板状的多孔板21安装于作为主体的框体22的多孔卡盘构成。在多孔板21的上表面上形成有对晶片W进行吸引保持的保持面21a。
保持面21a具有倾斜面，该倾斜面是以保持工作台20的旋转中心(保持面21a的中心)作为顶点且外周稍低地倾斜而成的。当晶片W被吸引保持于呈圆锥状倾斜的保持面21a时，晶片W沿着保持面21a的形状变形为缓倾斜的圆锥状。
另外，保持工作台20构成为与工作台旋转单元23连结，能够利用工作台旋转单元23的驱动以晶片W的中心为轴进行旋转。另外，保持工作台10构成为能够利用未图示的倾斜调整单元对其倾斜进行调整。
磨削单元30构成为利用主轴31使磨削磨轮32绕中心轴旋转。在主轴31的轴端(下端)借助安装座33安装有磨削磨轮32。在磨削磨轮32的下表面侧，多个磨削磨具34呈圆环状隔开间隔地配置。磨削磨具34例如是利用陶瓷结合剂将规定的磨粒直径的金刚石磨粒结合而构成的。另外，磨削磨具34不限于此，也可以利用金属结合剂或树脂结合剂等结合剂对金刚石磨粒进行固定而形成。另外，磨削单元30构成为能够利用磨削进给单元35在铅垂方向上升降。
对晶片W的正面侧进行了吸引保持的保持工作台20定位于磨削单元30的下方。此时，保持工作台20的旋转轴定位在相对于磨削磨具34的旋转轴偏心的位置。进而，保持工作台20利用倾斜调整单元对旋转轴的倾斜进行调整，以使磨削磨具34的磨削面34a与保持面21a平行。
并且，在保持工作台20旋转的同时，磨削单元30一边利用主轴31使磨削磨轮32(磨削磨具34)旋转一边利用磨削进给单元35朝向保持面21a下降(磨削进给)。磨削磨具34的磨削面34a呈圆弧状与从晶片W的中心至外周的半径部分接触。
这样，磨削单元30的磨削磨具34通过晶片W的中心并在该晶片W的中心与外周之间的半径区域对晶片W的圆弧的被磨削部分进行磨削。一边使磨削磨具34与晶片W旋转接触一边慢慢地向Z轴方向进行磨削进给，从而晶片W在厚度方向上被磨削而薄化。
如图2的(B)所示，当晶片W被薄化至期望的厚度、即器件的完工厚度时，分割槽V从晶片W的背面侧露出，磨削加工结束。由此，沿着分割预定线的分割槽V在晶片W的厚度方向上贯通，晶片W被分割成各个器件(芯片)。另外，各器件利用保护带T2进行固定，因此整体上为维持了晶片W的圆形状的状态。另外，由于分割槽V已经贯通，因而将形成于晶片W上的格子状的直线称为“分割线”。另外，“分割线”也可以被称为切口。
接着，实施拍摄工序。如图3所示，在拍摄工序中，利用拍摄单元41对晶片W的背面(被磨削面)进行拍摄。这里，说明对形成于晶片W的被磨削面上的划痕进行检测的划痕检测单元40的结构。在本实施方式中，对划痕检测单元40设置于磨削装置的情况进行说明，但不限于该结构。划痕检测单元40也可以设置于独立的装置。
如图3的(A)和(B)所示，划痕检测单元40具有：拍摄单元41，其对晶片W的被磨削面进行拍摄；以及判断单元42，其根据拍摄单元41所拍摄的拍摄图像，对有无划痕进行判断。拍摄单元41包含：线传感器43，其从上方对晶片W的被磨削面进行拍摄；以及发光体44，其沿着该线传感器43配设。
线传感器43例如由图像传感器构成。线传感器43在晶片W的半径方向上延伸，具有比该半径部分短的长度。线传感器43能够对相当于晶片W的半径的一部分的区域进行拍摄。发光体44以与线传感器43相同的方向(平行)、相同的长度延伸，向晶片W的被磨削面照射光。具体而言，发光体44照亮晶片W的被磨削面，以使线传感器43的拍摄范围变得明亮。
判断单元42组装至对磨削装置的动作进行集中控制的控制装置，判断单元42具有：编辑部45，其对拍摄图像进行编辑；以及判断部46，其根据编辑后的拍摄图像，对有无划痕进行判断。
在拍摄工序中，磨削加工后的晶片W在吸引保持于保持工作台20的状态下定位于拍摄单元41的下方。进而，保持工作台20利用倾斜调整单元对旋转轴的倾斜进行调整，以使拍摄单元41(线传感器43)的延伸方向与晶片W的被磨削面(保持面21a)平行。
如图3的(A)和(B)所示，线传感器43的拍摄区域相当于线传感器43正下方的晶片W的半径的一部分。发光体44向线传感器43的拍摄区域照射光。一边使拍摄单元41利用线传感器43对发光体44的光所照射的晶片W的半径的一部分进行拍摄，一边使保持工作台20上的晶片W旋转一圈，从而对晶片W的被磨削面进行拍摄。另外，从发光体44照射的光具有在晶片W的正面发生反射的波长，不使用对晶片W具有透过性的波长的光。
如图3的(C)所示，在磨削后的晶片W的被磨削面上形成格子状的分割线L以及无数从晶片W的中心朝向外周的规则的圆弧状的划痕S。当对晶片W的被磨削面进行拍摄时，如图3的(D)所示，能够获取环状的拍摄图像。
在图3的(D)所示的拍摄图像中，由于发光体44的光在分割线L(分割槽)和划痕S处发生散射的散射光而产生明暗。具体而言，由于形成于晶片W的微细的凹凸，拍摄光的反射光减弱(散射)，因此能够根据明暗的对比度来识别划痕S和分割线L。
特别是，在本实施方式中，在拍摄图像中包含分割线L，与之相应地拍摄图像的数据量有可能变大。因此，使拍摄单元41比晶片W的半径短而减小拍摄范围。由此，得到图3的(D)所示的环状的拍摄图像，与对晶片W整个面进行拍摄的情况相比，能够减少拍摄图像的数据量。其结果是，能够削减之后的工序中的判断单元42的处理负担。
另外，通过使拍摄单元41沿着晶片W的半径方向配置并使对晶片W进行保持的保持工作台20旋转一圈而对晶片W的被磨削面进行拍摄，能够使光对划痕的照射情况始终均匀。其结果是，能够在晶片W的中心不偏移的情况下获取适当的晶片W的拍摄图像。
接着，实施编辑工序。在编辑工序中，对拍摄工序中得到的拍摄图像进行坐标转换，编辑成图4所示的带状图像。具体而言，编辑部45(参照图3)以拍摄图像(参照图3的(D))的半径方向(从晶片中心至晶片外周)为纵轴、以拍摄图像的圆周方向(0°至360°)为横轴而实施坐标转换。如图4所示，通过坐标转换得到的编辑图像以沿圆周方向长的矩形图像(带状图像)表示。
例如图3的(D)所示的分割线L和划痕S在图4的带状图像中分别以曲线LA和直线SA表示。另外，图4的带状图像是将图3的(D)的半径方向和圆周方向的一部分抽出而示出。另外，在图4中，为了便于说明，以虚线表示相当于分割线的曲线LA。另外，在图4中，多个直线SA中的宽度比较宽的直线SB出现在带状图像上。
这样，在实际的拍摄图像中，划痕S以圆弧状的曲线表示，与此相对，在编辑后的带状图像中，划痕S以具有规则性的直线SA表示。由此，在之后的判断工序中，判断部46容易对有无划痕进行判定。另一方面，在图3的(D)的拍摄图像中，分割线L以格子状的直线表示，与此相对，在编辑后的带状图像中，分割线L以圆弧状的曲线LA表示。特别是，曲线LA以相对于直线SA交叉、或者与具有规则性的直线SA倾向不同的曲线(不具有规则性的曲线)表示。因此，容易对划痕S(直线SA)和分割线L(曲线LA)进行区别。
接着，实施去除工序。在去除工序中，将相当于分割槽的格子状的直线(分割线L)从拍摄工序中拍摄的拍摄图像中去除。具体而言，在编辑后的带状图像中，将与直线SA倾向不同的曲线LA去除。编辑部45在将拍摄图像编辑成带状图像之后，对划痕S和分割线L进行区别，将不具有规则性的曲线LA(分割线L)从带状图像中去除。在该情况下，直线SB以与具有规则性的直线SA相同的规则性的位置和方向形成，因此编辑部45不将该直线SB从带状图像中去除。这些结果是，得到图5所示的带状图像。
接着，实施判断工序。在判断工序中，根据去除工序中得到的带状图像，对有无划痕进行判断。例如当在去除工序后的带状图像上存在规定的宽度以上的圆弧或直线状的线时，判断部46(参照图3)判断为产生划痕。具体而言，当在图5所示的带状图像中具有规则性的直线的宽度大于预先设定的宽度时，判断部46判断为有划痕，当具有规则性的直线的宽度为预先设定的宽度以下时，判断部46判断为无划痕。另外，判断部46在带状图像中存在具有规则性的直线以外的线的情况下也判断为有划痕。
如图6所示，考虑在去除工序后的带状图像中显示出沿着具有规则性的直线SA较粗的直线SB的情况。判断部46根据带状图像对直线SB的宽度D进行检测，与预先设定的作为有无划痕的判断基准的直线宽度进行比较。其结果是，在直线SB的宽度较大的情况下，将该直线SB识别为划痕SB。即，判断部46判断为有划痕。另外，判断部46即使对直线SA的宽度进行检测，该宽度小于规定的直线宽度，也不会将直线SA识别为应该去除的划痕。
这样，在本实施方式中，即使在拍摄图像中显示出磨削痕那样具有规则性的划痕的情况下，也能够根据去除工序后的带状图像对比较大的划痕及无规则性的划痕进行检测。即，能够对可能对之后的工序或形成于晶片W的器件造成影响的划痕进行取舍选择并进行判断。
如以上说明那样，根据本实施方式，一边使线传感器43对晶片W的半径部分进行拍摄一边使保持工作台20旋转，从而能够获取晶片W的被磨削面的拍摄图像。拍摄中，利用发光体44照亮晶片W的半径部分，因此根据拍摄图像的明暗，能够对划痕S和相当于分割槽V的格子状的直线(分割线L)进行识别。特别是，通过将拍摄图像编辑成带状图像，能够将划痕S以具有规则性的直线SA表示。另一方面，分割线L在带状图像上以与划痕不同的线(例如曲线LA)表示。因此，能够对划痕S和分割线L进行区别。并且，通过根据去除了分割线L的带状图像对有无划痕进行判定，能够适当地对划痕进行检测。
另外，在本实施方式中，采用通过使保持工作台20旋转一圈而对晶片W的被磨削面进行拍摄的结构，但不限于该结构。例如也可以使拍摄单元41以晶片W的中心为轴进行旋转。
另外，在本实施方式中，采用拍摄单元41以相当于晶片W的半径的一部分的长度延伸的结构，但不限于该结构。拍摄单元41(线传感器43和发光体44)可以是相当于晶片W的半径部分的长度，也可以是晶片W的半径部分以上的长度。通过将拍摄单元41设为相当于晶片W的半径部分的长度，能够对晶片W整个面进行拍摄。
另外，在本实施方式中，可以利用各自独立的加工装置实施上述的各工序，也可以利用单一的加工装置实施所有的工序。例如还能够利用单一的磨削装置实施磨削工序至判断工序。由此，能够省去为了检测划痕或去除划痕而将晶片W搬送至其他装置的麻烦。
另外，在本实施方式中，可以通过对拍摄工序中的发光体44的明亮度进行调整来对拍摄图像中的磨削痕的映入情况进行调整。例如优选将发光体44的明亮度调节为拍摄不到磨削痕(不显示在拍摄图像)的明亮度。在具有规则性的圆弧状的划痕S与相邻的划痕S之间形成无数的磨削痕，若对这些所有的磨削痕进行拍摄，则不仅拍摄图像的数据量增大，而且有可能难以进行有无划痕的判断。
因此，通过对发光体44的明亮度进行调整而减少显示在拍摄图像上的磨削痕的数量，能够减少拍摄图像的数据量，并且容易进行有无划痕的判断。具体而言，通过使发光体44较暗(减少光量)，散射光的光量变小，因此能够在拍摄图像中减少磨削痕的数量、或不显示磨削痕。另一方面，当使发光体44较明亮(增加光量)时，散射光的光量变大，因此磨削痕容易出现在拍摄图像上。
另外，通过对拍摄工序中的发光体44的明亮度进行调整，不仅可以调整拍摄图像中的磨削痕的映入情况，而且可以调整拍摄单元41与晶片W之间的距离。
另外，对本实施方式和变形例进行了说明，但作为本发明的其他实施方式，也可以是对上述实施方式和变形例进行整体或部分地组合。
另外，本发明的实施方式并不限于上述的实施方式，可以在不脱离本发明的技术思想的主旨的范围内进行各种变更、置换、变形。另外，若通过技术进步或衍生的其他技术能够以其他方式实现本发明的技术思想，则也可以使用该方法来实施。因此，权利要求书涵盖了能够包含在本发明的技术思想的范围内的所有实施方式。
如以上说明那样，本发明具有能够对分割线和划痕进行区别而适当地对划痕进行检测的效果，尤其对应用于DBG工艺的划痕检测方法有用。

Claims (2)

1.一种划痕检测方法，在对由分割预定线划分而在正面上形成有器件的晶片从正面侧沿着该分割预定线形成未完全切断的深度的分割槽然后利用磨削磨具对背面进行磨削而使该分割槽在背面侧露出从而对晶片进行分割的晶片的分割中，利用拍摄单元对利用该磨削磨具进行了磨削的晶片的背面的被磨削面进行拍摄而对有无划痕进行检测，其中，
该拍摄单元具有：
线传感器，其在晶片的半径方向上延伸，对被磨削面进行拍摄；以及
发光体，其与该线传感器平行地延伸，照亮该被磨削面，
该划痕检测方法具有如下的工序：
拍摄工序，针对该拍摄单元在晶片的半径内与径向平行地定位延伸方向，使对晶片进行保持的保持工作台以该晶片的中心为轴进行旋转，从而该拍摄单元将该被磨削面拍摄成环状而获取拍摄图像，该拍摄图像是因该发光体的光在该分割槽和该划痕处发生了散射的散射光而得到的；
去除工序，从通过该拍摄工序拍摄的该拍摄图像中将对应于该分割槽的格子状的直线去除；以及
判断工序，当在该去除工序后的图像中存在规定的宽度以上的圆弧或直线状的线时，判断为产生了划痕。
2.根据权利要求1所述的划痕检测方法，其中，
该发光体的明亮度被调节为该拍摄单元拍摄不到因该磨削磨具而形成于晶片上的磨削痕的明亮度。
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