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TWI856163B - 複數之裝置晶片之製造方法 - Google Patents

複數之裝置晶片之製造方法 Download PDF

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TWI856163B
TWI856163B TW109128399A TW109128399A TWI856163B TW I856163 B TWI856163 B TW I856163B TW 109128399 A TW109128399 A TW 109128399A TW 109128399 A TW109128399 A TW 109128399A TW I856163 B TWI856163 B TW I856163B
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wafer
hole
laser beam
back side
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TW109128399A
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TW202109640A (zh
Inventor
松岡祐哉
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在研磨被加工物加以薄化分割被加工物之時，防止裝置晶片之角部之缺損。 做為解決手段，提供具備將具有吸收於該被加工物之波長的第1之雷射光束，向被加工物之表面側照射，將較相當各裝置晶片之完工厚度之深度更深之孔，形成於該複數之分割預定線交叉之交叉部的孔形成步驟、和將被加工物之表面側以保護構件加以被覆之表面保護步驟、和將具有透過被加工物之波長之第2之雷射光束之聚光點，定位於被加工物之內部之狀態下，沿各分割預定線自被加工物之背面側照射該第2之雷射光束，將強度較低之領域，形成於被加工物之內部之內部加工步驟、和被加工物在成為完成厚度之前，研磨被加工物之背面側之同時，將被加工物，分割成複數之裝置晶片的背面側研磨步驟的製造複數之裝置晶片之方法。

Description

複數之裝置晶片之製造方法
本發明係有關沿複數之分割預定線分割被加工物製造複數之裝置晶片之方法。
製造IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等之具有機能元件之裝置晶片之工程中，首先，於矽等之半導體所形成之大致圓盤狀之被加工物之表面側，將複數之分割預定線設定成格子狀。接著，在以複數之分割預定線分割之各領域，形成IC、LSI等之機能元件之後，將被加工物沿各分割預定線加以分割。
為了將被加工物沿各分割預定線加以分割，例如，首先，使沿著各分割預定線，在被加工物之內部，形成減低機械性強度之領域的改質層(例如，參照專利文獻1)。為了形成改質層，使用雷射加工裝置。
雷射加工裝置係具有用以保持被加工物之夾盤。於夾盤之上方，設置可照射具有透過被加工物之波長之脈衝狀之雷射光束之雷射光束照射單元。
將自雷射光束照射單元照射之雷射光束之聚光點，定位於被加工物之內部之狀態下，經由將夾盤向特定之方向移動，於被加工物之內部，則沿分割預定線形成改質層。
於雷射加工後，使用研削裝置研磨被加工物之背面側。由此，被加工物係被薄化之同時受到外力，以改質層為破裂起點，沿各分割預定線加以分割。如此，被加工物係經由研磨時之外力，分割成複數之裝置晶片。 [先前技術文獻] [專利文件]
[專利文件1]日本特開2006-12902號公報
[發明欲解決之課題]
但是，使用研削裝置研磨被加工物之背面側時，2個分割預定線交叉之交叉部則由於裝置晶片之角部彼此之相互磨擦，易於產生缺損。又，產生於角部之缺損在裝置晶片受到外力之時，有可能會進展到形成機能元件之領域。
本發明係有鑑於相關之問題點，在研磨被加工物加以薄化分割被加工物之時，防止裝置晶片之角部之缺損為目的。 [為解決課題之手段]
根據本發明之一形態，係提供具備將在經由在於表面側設定成格子狀之複數之分割預定線所分割之複數之各領域所形成裝置之被加工物，沿各分割預定線，分割成各個裝置晶片，由該被加工物製造複數之裝置晶片之方法中，將具有吸收於該被加工物之波長的第1之雷射光束，自該被加工物之外部向該表面側照射，將較相當各裝置晶片之完工厚度之深度更深之孔，形成於該複數之分割預定線交叉之交叉部的孔形成步驟、和將被加工物之該表面側以保護構件加以被覆之表面保護步驟、和將具有透過該被加工物之波長之第2之雷射光束之聚光點，定位於較相當該完工厚度之深度更位於被加工物之背面側之該被加工物之內部之狀態下，沿各分割預定線自該背面側照射該第2之雷射光束，將相較於未照射該第2之雷射光束之領域強度為低之領域，形成於被加工物之內部之內部加工步驟、和該被加工物在成為該完成厚度之前，研磨該被加工物之該背面側之同時，將該被加工物，分割成複數之裝置晶片的背面側研磨步驟的製造複數之裝置晶片之方法。
該孔形成步驟中，做為該孔，可形成從該表面未貫通到該背面之非貫通孔。
又，該孔形成步驟中，做為該孔，可形成從該表面貫通到該背面之貫通孔。 [發明效果]
有關於本發明之一形態之複數之裝置晶片之製造方法中，以孔形成步驟將相當於較完工厚度之深度為深之孔，形成於交叉部之故，在背面側研磨步驟可防止裝置晶片之角部彼此之相互摩擦。因此，可防止角部之缺損之產生。更且，可防止產生於角部之缺損，進展到形成機能元件之領域。
[為實施發明之形態]
參照添附圖面，對於有關本發明之一形態之實施形態加以說明。首先，於第1實施形態中，對於加工之對象之晶圓(被加工物)11加以說明。圖1係晶圓11之斜視圖。
晶圓11係例如使用矽等之材料，形成呈圓盤狀，各具有略圓形之表面11a及背面11b。晶圓11之表面11a側係經由設定成相互交叉之格子狀之複數之分割預定線(線條)13，分割成複數之領域。
於經由複數之分割預定線13所分割之各領域之表面11a側，形成IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等形成之裝置15。
然而，晶圓11之材質、形狀、構造、大小等並無限制。例如，晶圓11係可以矽以外之半導體(GaAs、InP、GaN、SiC等)、藍寶石、玻璃等之材料加以形成。又，裝置15之種類、數量、形狀、構造、大小、配置等並無限制。
晶圓11之背面11b側中，貼附有較晶圓11之直徑為大之圓形之樹脂膠帶(未圖示)。樹脂膠帶係例如具有基材層及黏著層(糊層)之層積構造，此黏著層係貼附於背面11b側。
基材層係例如以聚烯烴(PO)加以形成。於基材層之一面之一部分或整體，形成於黏著層。黏著層係例如紫外線硬化型之樹脂，以橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧(silicone)系等之樹脂加以形成。
惟，樹脂膠帶係非限定於基材層及黏著層之層積構造。例如，樹脂膠帶可僅有基材層。此時，晶圓11之背面11b側中，經由熱壓著基材層，於晶圓11貼附樹脂膠帶。
樹脂膠帶之外周部中，貼附有較晶圓11之直徑為大之開口之金屬製之環狀框。如此，藉由樹脂膠帶，形成晶圓11被環狀框所支持之晶圓單元(未圖示)。
經由形成晶圓單元，可使搬送墊(未圖示)不接觸晶圓11，接觸環狀框之狀態下，搬送晶圓11。惟，使用非接觸吸引保持晶圓11之白努利式之搬送墊(未圖示)，搬送晶圓11之時，可不形成晶圓單元。即，於晶圓11可不貼附樹脂膠帶。
接著，對於有關第1實施形態之複數之裝置晶片23之製造方法加以說明。第1實施形態中，經由將晶圓11沿分割預定線13加以分割，製造各別具備裝置15之複數之裝置晶片23(參照圖6)。然而，圖7係複數之裝置晶片23之製造方法之流程圖。
本實施形態中，首先，於複數之分割預定線13交叉之交叉部，形成從表面11a未貫通到背面11b之非貫通孔(孔形成步驟(S10))。圖2(A)係顯示孔形成步驟(S10)之圖。
為了形成非貫通孔17，例如使用第1之雷射加工裝置。第1之雷射加工裝置係具備吸引晶圓11之背面11b側加以保持之第1之夾盤(未圖示)。
第1之夾盤係例如具有圓盤狀之多孔質板(未圖示)。多孔質板之下面側係藉由形成於第1之夾盤之內部的流路(未圖示)，連接於噴射器等之吸引源(未圖示)。使吸引源動作時，於多孔質板之上面(保持面)會產生負壓。
於第1之夾盤之下方，設有水平移動機構(未圖示)。水平移動機構係使第1之夾盤，沿加工輸送方向(X軸方向)及分級輸送方向(Y軸方向)加以移動。
於第1之夾盤之上方，設置第1之雷射光束照射單元10。第1之雷射光束照射單元10係具有產生脈衝狀之雷射光束之第1之雷射振盪器(未圖示)。
第1之雷射振盪器係例如包含適於雷射振盪之Nd：YAG、Nd：YVO4 等之雷射媒質。第1之雷射振盪器中，藉由特定之光學系統，連接第1之聚光器(未圖示)。
第1之聚光器係將自第1之雷射振盪器射出之雷射光束，聚光於第1之聚光器之下方之特定位置。從第1之聚光器向下方照射之第1之雷射光束L1 係具有被晶圓11吸收之波長(例如355nm、532nm或1064nm)。
又，第1之雷射光束L1 係調整成例如平均輸出0.5W以上50W以下，重覆頻率為1kHz以上200kHz以下及聚光點之點徑為5μm以上200μm以下。
然而，使用第1之雷射加工裝置加工晶圓11之前，使用水溶性樹脂塗佈洗淨裝置(未圖示)，於晶圓11之表面11a側塗佈水溶性樹脂。水溶性樹脂塗佈洗淨裝置係具備吸引晶圓11之背面11b側加以保持之清洗盤(未圖示)。
於清洗盤之下方，設有使清洗盤旋轉之馬達等之旋轉驅動源。又，於清洗盤之上方，設有噴射水溶性樹脂之樹脂用噴嘴(未圖示)。水溶性樹脂係例如PVA(聚乙烯醇)、PEG(聚乙二醇)、PEO(聚氧化乙烯)等。
又，於樹脂用噴嘴之附近，在晶圓11之表面11a側，設置噴射純水等之洗淨液之洗淨用噴嘴(未圖示)。洗淨用噴嘴中，連接有驅動源(未圖示)。驅動源係將洗淨用噴嘴在清洗盤之表面上，圓弧狀地往復移動。
孔形成步驟(S10)中，首先，以水溶性樹脂塗佈洗淨裝置之清洗盤，在吸引晶圓11之背面11b側加以保持之狀態下，將清洗盤例如旋轉2000rpm。
然後，於旋轉之晶圓11之表面11a側，定位樹脂用噴嘴之後，從樹脂用噴嘴噴射水溶性樹脂時，水溶性樹脂係藉由離心力擴展到表面11a側整體。如此，於表面11a側整體，旋塗水溶性樹脂。
之後，從水溶性樹脂塗佈洗淨裝置至第1之雷射加工裝置，搬送晶圓單元。本實施形態中，不接觸晶圓11而接觸環狀框之狀態下，搬送晶圓11。然而，於晶圓11未貼附樹脂膠帶之時，水溶性樹脂乾燥後，使用白努利式之搬送墊，將晶圓11搬送至第1之雷射加工裝置。
然後，以第1之夾盤，吸引晶圓11之背面11b側加以保持。接著，使用第1之雷射光束照射單元10，從晶圓11之外部向晶圓11之表面11a側之交叉部，照射第1之雷射光束L1 。
經由將第1之雷射光束L1 聚光於表面側11a，將晶圓11之表面11a側之交叉部加以燒蝕加工。由此，將具有裝置晶片23之較相當於完工厚度深度A為深之深度B之圓柱狀之非貫通孔17，形成於交叉部。
形成非貫通孔17之時，利用水平移動機構，使第1之夾盤以1mm/秒成為螺旋狀地加以移動。例如，將第1之雷射光束L1 之聚光點，從交叉部之外周至交叉部之中央，成為螺旋狀地加以移動。
於所有交叉部形成非貫通孔17之後，從第1之雷射加工裝置至水溶性樹脂塗佈洗淨裝置，搬送晶圓單元。然而，於晶圓11未貼附樹脂膠帶之時，使用白努利式之搬送墊，將晶圓11搬送至水溶性樹脂塗佈洗淨裝置。然後，以清洗盤吸引晶圓11之背面11b側加以保持之狀態下，將清洗盤例如旋轉2000rpm。
接著，於旋轉之晶圓11之表面11a側，定位洗淨用噴嘴。經由使驅動源動作、使洗淨用噴嘴在晶圓11之表面11a上邊呈圓弧狀地往復移動、邊從洗淨用噴嘴噴射洗淨液。由此，伴隨燒蝕所產生之灰塵，水溶性樹脂則從表面11a側加以除去。
圖2(B)係孔形成步驟(S10)後之晶圓11之表面11a側之整體圖，圖2(C)係孔形成步驟(S10)後之晶圓11之表面11a側之部分放大圖。圖2(B)及圖2(C)中，將形成於分割預定線13之交叉部之非貫通孔17，以黑圓圈加以顯示。
孔形成步驟(S10)之後，在貼附於背面11b側之樹脂膠帶，使用紫外線硬化型之黏著層時，於背面11b側，照射紫外線硬化黏著層。由此，黏著力會下降之故，可易於從背面11b側剝離樹脂膠帶。
接著，將具有較晶圓11之直徑為大之直徑，以樹脂形成之保護膠帶(保護構件)19，貼附於晶圓11之表面11a側。保護膠帶19係例如具有基材層及黏著層(糊層)之層積構造，此黏著層係貼附於表面11a側。
基材層係例如以聚烯烴(PO)加以形成。於基材層之一面之一部分或整體，形成於黏著層。黏著層係例如紫外線硬化型之樹脂，以橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧(silicone)系等之樹脂加以形成。
惟，保護膠帶19係非限定於基材層及黏著層之層積構造。例如，保護膠帶19可僅有基材層。此時，晶圓11之表面11a側中，經由熱壓著基材層，於晶圓11貼附保護膠帶19。
於表面11a側，貼附保護膠帶19之後，使保護膠帶19與晶圓11成為略相同直徑，將保護膠帶19切成圓形。由此，於表面11a側，以保護膠帶19加以被覆(表面保護步驟(S20))。之後，將貼附於背面11b側之樹脂膠帶，從晶圓11加以除去。
表面保護步驟(S20)之後，使沿著分割預定線13，於晶圓11之內部，形成強度為低之領域(即，改質層)(內部加工步驟(即，改質層形成步驟)(S30))。圖3(A)係顯示內部加工步驟(S30)之圖。
為了在內部加工步驟(S30)形成改質層21，例如使用第2之雷射加工裝置。第2之雷射加工裝置係具備吸引晶圓11之背面11b側加以保持之第2之夾盤(未圖示)。
第2之夾盤係例如具有圓盤狀之多孔質板(未圖示)。多孔質板之下面側係藉由形成於第2之夾盤之內部的流路(未圖示)，連接於噴射器等之吸引源(未圖示)。使吸引源動作時，於多孔質板之上面(保持面)會產生負壓。
於第2之夾盤之下方，設有水平移動機構(未圖示)。水平移動機構係使第2之夾盤，沿加工輸送方向(X軸方向)及分級輸送方向(Y軸方向)加以移動。又，於水平移動機構之下方，設有為了將第2之夾盤以特定之旋轉軸為中心自旋之旋轉驅動源(未圖示)。
於第2之夾盤之上方，設置第2之雷射光束照射單元12。第2之雷射光束照射單元12係具有產生脈衝狀之雷射光束之第2之雷射振盪器(未圖示)。
第2之雷射振盪器係例如包含適於雷射振盪之Nd：YVO4 等之雷射媒質。第2之雷射振盪器中，藉由特定之光學系統，連接第2之聚光器(未圖示)。
第2之聚光器係將自第2之雷射振盪器射出之雷射光束，聚光於特定位置。從第2之聚光器照射之第2之雷射光束L2 係具有透過晶圓11之波長(例如1342nm)。第2之雷射光束L2 係調整成例如平均輸出0.8W以上3.2W以下及重覆頻率為60kHz以上140kHz以下。
內部加工步驟(S30)中，首先，使背面11側露出，在保持面保持晶圓11之表面11a側。接著，從背面11b側至晶圓11，照射第2之雷射光束L2 。
然後，將第2之雷射光束L2 之聚光點，於分割預定線13之一端，且於晶圓11之內部中較深度B更定位於背面11b側之狀態下，使水平移動機構動作，將第2之夾盤移動於X軸方向。
例如以300mm/秒以上1400mm/秒以下之特定之加工輸送速度，經由將第2之夾盤，向X軸方向移動，使聚光點從分割預定線13之一端，移動至另一端。
在聚光點附近產生多光子吸收，形成相較未照射第2之雷射光束L2 之領域強度為低(即，脆弱)之領域之故，沿著聚光點之移動路徑，形成相較強度為低之領域(即，改質層21)。
本實施形態中，經由改變聚光點之深度位置，沿著1個分割預定線13，形成3個改質層21。惟，沿著1個分割預定線13所形成之改質層21之數係非限定於3個，可為2個，亦可為4個以上。
沿著1個分割預定線13形成3個改質層21之後，將第2之雷射光束照射單元12沿Y軸方向，僅就特定長度分級輸送，將第2之雷射光束L2 之照射位置定位於其他之分割預定線13。
接著，沿著其他分割預定線13，移動第2之雷射光束L2 之聚光點，與1個之分割預定線13相同地，形成在晶圓11之內部深度位置不同之3個之改質層21。沿著與X軸方向略平行之所有分割預定線13，於晶圓11內部形成3個改質層21之後，90°旋轉第2之夾盤。
然後，同樣地，沿著各分割預定線13，將第2之雷射光束L2 之聚光點沿X軸方向移動，使沿著各分割預定線13，於晶圓11之內部形成3個改質層21。如此，使沿著所有分割預定線13，於晶圓11內部形成改質層21。
圖3(B)係內部加工步驟(S30)後之晶圓11之表面11a側之整體圖，圖3(C)係內部加工孔步驟(S30)後之晶圓11之表面11a側之部分放大圖。圖3(B)及圖3(C)中，將改質層21以虛線加以顯示。
然而，做為晶圓11使用單結晶之矽晶圓之時，晶圓11係具有劈開性，以特定角度加以劈開。圖4係說明晶圓11之劈開角度之晶圓11之一部分剖面側面圖。
通常，做為晶圓11之表面11a，採用矽晶圓之(100)面。因此，非貫通孔17之底部與表面11a平行之時，構成非貫通孔17之底部之面亦成為(100)面。相對於此，矽晶圓之劈開面係例如(111)面。
圖4所示之例中，非貫通孔17之底面為直徑C之圓，複數之改質層21係通過非貫通孔17之底面之中心之正下方而形成。通過位於複數之改質層21中最表面11a側之改質層21a之表面11a側之端部21b(111)面與(100)面所成角度θ係以arccos((3)-1/2 )表之，約為54.7度。
從端部21b至非貫通孔17之底面之距離D係以D＝(C/2)・tanθ表示之故，例如直徑C為30μm之時，距離D為約21μm。(111)面方向之劈開係以端部21b為起點產生之故，經由使端部21b在較自非貫通孔17之底面約21μm深度更位於表面11a側，形成複數之改質層21，可防止從端部21b進展之龜裂到達至表面11a。
內部加工步驟(S30)之後，研磨晶圓11之背面11b側(背面側研磨步驟(S40))。圖5(A)係顯示背面側研磨步驟(S40)之圖。為了研磨背面11b側，使用研削裝置。
研削裝置係具備吸引晶圓11加以保持之第3之夾盤(未圖示)。第3之夾盤係例如具有圓盤狀之多孔質板(未圖示)。
多孔質板之下面側係藉由形成於第3之夾盤之內部的流路(未圖示)，連接於噴射器等之吸引源(未圖示)。使吸引源動作時，於多孔質板之上面(保持面)會產生負壓。
於第3之夾盤之下部，連結馬達等之旋轉驅動源(未圖示)。又，於第3之夾盤之上方，設置研削單元14。研削單元14係具有主軸殼體(未圖示)，此主軸殼體中，連結為了使研削單元14沿Z軸方向昇降之昇降機構(未圖示)。
主軸殼體中，主軸16一部分係以可旋轉之形態加以收容。於主軸殼體16之一端，連結為驅動主軸16之馬達。主軸16之另一端係從主軸殼體突出，此另一端中，固定圓盤狀之輪架18。
於輪架18之下面，裝設有與輪架18略同徑之研磨輪20。研磨輪20係具有以鋁或不銹鋼等之金屬材料所形成之環狀之輪基台22。
經由輪基台22之上面側固定於輪架18，輪基台22係裝設於主軸16。於輪基台22之下面側，設有複數之研磨磨石24。複數之研磨磨石24係於輪基台22之下面之周方向，在鄰接之研磨磨石24彼此間，設置間隙之形態下，排列成環狀。
各研磨磨石24係例如於金屬、陶瓷、樹脂等之結合材，混合鑽石cBN(cubic boron nitride)等之研磨粒加以形成。惟，對於結合材或研磨粒沒有限制，對應研磨磨石24之樣態可加以適切選擇。
於輪基台22之下面側，且於較複數之研磨磨石24更內周側，形成為了將純水等之研磨水供給至研磨磨石24之複數之開口(未圖示)。然而，於輪基台22之下面側，替代設置研磨水供給用之開口，於第3之夾盤之上方、設置研磨水供給噴嘴(未圖示)亦可。
背面側研磨步驟(S40)中，首先，藉由保護膠帶19，然後，將晶圓11之表面11a側在第3之夾盤之保持面加以吸引保持。然後，將第3之夾盤例如以10rpm，研磨輪20以3000rpm，各別向特定的方向旋轉下，以昇降機構將研磨輪20以特定的速度(例如0.6μm/s)向下方加工工輸送。
由此，於晶圓11之背面11b側，按壓研磨磨石24，直至晶圓11之背面11b側到特定完工厚度，研磨背面11b側。然而，於研磨時，例如以3.0L/min以上7.0L/min以下之特定流量，向研磨磨石24供給研削水。
於研磨時對晶圓11附予應力時，以改質層21做為分割起點，龜裂(末圖示)則向表面11a及背面11b進展。經由龜裂到達晶圓11之表面11a及背面11b，晶圓11係分割成複數之裝置晶片23(參照圖6)。
圖5(B)係背面側研磨步驟(S40)後之晶圓11之表面11a側之整體圖，圖5(C)係背面側研磨步驟(S40)後之晶圓11之表面11a側之部分放大圖。圖6係裝置晶片23之斜視圖。裝置晶片23係於該四隅，形成對應於非貫通孔17之側壁之一部分之凹部。
第1實施形態中，以孔形成步驟(S10)將具有較相當於較完工厚度之深度A為深之深度B之非貫通孔17，形成於交叉部之故，在背面側研磨步驟(S40)可防止裝置晶片23之角部彼此之相互摩擦。
因此，可防止裝置晶片23之角部之缺損之產生。更且，可防止產生於裝置晶片23之角部之缺損，進展到形成裝置15(機能元件)之領域。由此，例如，相較於未於晶圓11形成非貫通孔17之時，可使裝置晶片23之抗折強度變高。
如上所述，本實施形態之孔形成步驟(S10)中，使用第1之雷射光束照射單元10，經由雷射燒蝕，形成非貫通孔17。相較於此，使用高價之光罩等之蝕刻程序中，對應於形成於晶圓11之圖案種類，需要光罩。因此，本實施形態中，相較於蝕刻程序，有可柔軟變更非貫通孔17之位置，形狀等之設計的優點。
更且，本實施形態中，形成非貫通孔17之故，例如相較於形成貫通孔之時，會有可縮短孔形成步驟(S10)所需的時間之優點。接著，對於形成貫通孔之第2實施形態加以說明。
第2實施形態之孔形成步驟(S10)中，代替非貫通孔17，形成從晶圓11之表面11a貫通到背面11b之貫通孔。相關之部分與第1實施形態不同。其他之部分，與第1實施形態相同。
圖8係有關第2實施形態之孔形成步驟(S10)之圖。然而，圖8中，顯示將貼附於表面11a側，構成晶圓單元之樹脂膠帶27。
有關第2實施形態之孔形成步驟(S10)中，首先亦，於表面11a側整體，旋塗水溶性樹脂。接著，使用第1之雷射光束照射單元10，向表面11a側之交叉部，照射第1之雷射光束L1 ，於交叉部形成貫通孔25。
形成貫通孔25之時，利用水平移動機構，使第1之夾盤成為螺旋狀地加以移動。此時，例如以較第1實施形態之加工輸送速度為慢之加工輸送速度，移動第1之夾盤時，可於晶圓11形成貫通孔25。然而，使加工輸送速度與第1實施形態成為相同之前提下，可使第1之雷射光束L1 之平均輸出較第1實施形態為高。
於所有交叉部形成貫通孔25之後，將晶圓單元輸送至水溶性樹脂塗佈洗淨裝置，洗淨晶圓11。如此，於各交叉部形成有形成貫通孔25之晶圓11。
接著，對於第3實施形態加以說明。圖9係有關第3實施形態之製造方法之流程圖。第3實施形態中，於表面保護步驟(S20)及內部加工步驟(S30)之後，進行孔形成步驟(S35)。
更具體而言，於內部加工步驟(S30)之後，於背面11b側，貼附較晶圓11之直徑為大之圓形之樹脂膠帶(未圖示)，於樹脂膠帶之外周部，貼附環狀框。之後，在表面保護步驟(S20)，剝離貼附於表面11a側之保護膠帶19(背面保護步驟(S33))。
背面保護步驟(S33)之後，與第1實施形態之孔形成步驟(S10)相同地，進行孔形成步驟(S35)。由此，於分割預定線13之各交叉部，形成非貫通孔17。
然後，在孔形成步驟(S35)之後，將表面11a側再以保護膠帶19被覆，剝離貼附於背面11b側之樹脂膠帶(追加之表面保護步驟(S37))。
追加之表面保護步驟(S37)之後，與第1實施形態同樣地，進行背面側研磨步驟(S40)，將晶圓11研磨至完工厚度。第3實施形態中，亦以背面側研磨步驟(S40)，防止裝置晶片23之角部彼此之相互摩擦之故，可防止裝置晶片23之角部之缺損的產生。
接著，對於第4實施形態加以說明。第4實施形態中，於第3實施形態之孔形成步驟(S35)，與第2實施形態同樣地，非形成非貫通孔17，而形成貫通孔25。相關之部分與第3實施形態不同。其他之部分，與第3實施形態相同。
第4實施形態中，亦以背面側研磨步驟(S40)，防止裝置晶片23之角部彼此之相互摩擦之故，可防止裝置晶片23之角部之缺損的產生。其他，有關上述實施形態之構造，方法等，在不脫離本發明之目的範圍之下，可適切變更實施。
11:晶圓 11a:表面 11b:背面 13:分割預定線 15:裝置 17:非貫通孔 19:保護膠帶(保護部材) 21,21a:改質層 21b:端部 23:裝置晶片 25:貫通孔 27:樹脂膠帶 10:第1之雷射光束照射單元 12:第2之雷射光束照射單元 14:研削單元 16:主軸 18:輪架 20:研磨輪 22:輪基台 24:研磨磨石 A:深度 B:深度 C:直徑 D:距離 L1:第1之雷射光束 L2:第2之雷射光束
[圖1]晶圓之斜視圖。 [圖2]圖2(A)係顯示孔形成步驟之圖，圖2(B)係孔形成步驟後之晶圓之表面側之整體圖，圖2(C)係孔形成步驟後之晶圓之表面側之部分放大圖。 [圖3]圖3(A)係顯示內部加工步驟之圖，圖3(B)係內部加工步驟後之晶圓之表面側之整體圖，圖3(C)係內部加工步驟後之晶圓之表面側之部分放大圖。 [圖4]說明晶圓之劈開角度之晶圓之一部分剖面側面圖。 [圖5]圖5(A)係顯示背面側研磨步驟之圖，圖5(B)係背面側研磨步驟後之晶圓之表面側之整體圖，圖5(C)係背面側研磨步驟後之晶圓之表面側之部分放大圖。 [圖6]裝置晶片之斜視圖。 [圖7]複數之裝置晶片之製造方法之流程圖。 [圖8]有關第2實施形態之孔形成步驟之圖。 [圖9]有關第3實施形態之製造方法之流程圖。
10:第1之雷射光束照射單元
11:晶圓
11a:表面
11b:背面
13:分割預定線
15:裝置
17:非貫通孔
A:深度
B:深度
L1:第1之雷射光束

Claims (1)

  1. 一種複數之裝置晶片之製造方法，將在經由在於表面側設定成格子狀之複數之分割預定線所分割之複數之各領域形成裝置之被加工物，沿各分割預定線，分割成各個裝置晶片，由該被加工物製造複數之裝置晶片之方法，其特徵係將具有吸收於該被加工物之波長的第1之雷射光束，自該被加工物之外部向該表面側照射，將較相當各裝置晶片之完工厚度之深度更深之孔，形成於該複數之分割預定線交叉之交叉部的孔形成步驟、和將該被加工物之該表面側以保護構件加以被覆之表面保護步驟、和將具有透過該被加工物之波長之第2之雷射光束之聚光點，定位於較相當該完工厚度之深度更位於被加工物之背面側之該被加工物之內部之狀態下，沿各分割預定線自該背面側照射該第2之雷射光束，將相較於未照射該第2之雷射光束之領域強度為低之領域，形成於該被加工物之內部之內部加工步驟、和該被加工物在成為該完成厚度之前，研磨該被加工物之該背面側之同時，將該被加工物，分割成複數之裝置晶片的背面側研磨步驟；其中，該孔形成步驟中，做為該孔，形成從該表面未貫通到該背面之非貫通孔。
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