TWI819381B

TWI819381B - 開關裝置

Info

Publication number: TWI819381B
Application number: TW110136118A
Authority: TW
Inventors: 魏俊豪; 陳智聖
Original assignee: 立積電子股份有限公司
Priority date: 2021-08-06
Filing date: 2021-09-28
Publication date: 2023-10-21
Also published as: TW202308313A

Abstract

開關裝置包括第一電路。第一電路具有第一端以耦接在第一終端以及第二終端間，第一電路具有第二端耦接在第一終端與第二終端間，或耦接至第三終端。第一電路包括第一開關以及第二開關。第一開關耦接在第一電路的第一端與第一電路的第二端間，根據第一控制訊號以被導通或截止。第二開關與第一開關並聯，根據第二控制訊號以被導通或截止。第一開關與第二開關包含同類型的電晶體。在突波保護模式中，第二開關被導通以宣洩突波電流。

Description

開關裝置

本發明是有關於一種開關裝置，且特別是有關於一種可提升切換速度的開關裝置。

在習知技術領域中，為了確保開關裝置具有一定程度的靜電放電的防護能力，常透過在分流電路中設置大尺寸的電晶體，以有效宣洩靜電放電電流。

然而，設置在分流電路中的大尺寸電晶體在開關的切換過程中提供大尺寸的寄生電容，會造成開關裝置切換速度降低，影響訊號切換速度的表現。

本發明提供一種開關裝置，可改善開關裝置的切換速度，及/或可加強突波保護模式中突波電流的宣洩能力。

本發明的開關裝置包括第一電路。第一電路具有第一端以耦接在第一終端以及第二終端間，第一電路具有第二端耦接在第一終端與第二終端間，或耦接於第三終端。第一電路包括第一開關以及第二開關。第一開關耦接在第一電路的第一端與第一電路的第二端間，根據第一控制訊號以被導通或截止。第二開關與第一開關並聯，根據第二控制訊號以被導通或截止。第一開關與第二開關包含同類型的電晶體。在突波保護模式中，第二開關被導通以宣洩突波電流。

基於上述，本發明在開關裝置中設置第一開關及第二開關。在正常模式中，第一開關可用於訊號傳送的切換，第二開關可用以改善第一開關的切換速度。在突波保護模式中，第二開關可用以輔助宣洩突波電流。本發明的開關裝置可提升開關裝置的切換速度，及/或可加強突波電流的宣洩能力。

101、102、301、302、900:開關裝置

△t1、△t2:定電位期間

A1、A2、B1、B2:端

E1~E4、EC:終端

R1~R4、RB:電阻

SH1、SH2、600、601、602:電路

SW1~SW4、810-1、820-1、810-2、820-2、SW1A、SW1B:開關

T1~T3、T21~T2N、T31~T3M、T1A、T1B:電晶體

TA:多閘極電晶體

tP1、tP2:期間

VB:基底電壓

VC1~VC4:控制訊號

圖1繪示本發明一實施例的開關裝置的示意圖。

圖2繪示本發明另一實施例的開關裝置的示意圖。

圖3繪示本發明另一實施例的開關裝置的示意圖。

圖4繪示本發明另一實施例的開關裝置的示意圖。

圖5A繪示本發明實施例的開關裝置中，分流電路的控制訊號的一實施方式的波形圖。

圖5B繪示本發明實施例的開關裝置中，分流電路的控制訊號的另一實施方式的波形圖。

圖6A繪示本發明實施例的開關裝置中的分流電路的實施方式的示意圖。

圖6B以及圖6C分別繪示本發明實施例的開關裝置中的分流電路的其他實施方式的示意圖。

圖7A繪示圖6A實施方式的分流電路的一實施方式的動作波形圖。

圖7B繪示圖6A實施方式的分流電路的另一實施方式的動作波形圖。

圖8A以及圖8B分別繪示本發明實施例的開關裝置中的分流電路的其他實施方式的示意圖。

圖9繪示本發明另一實施例的開關裝置的示意圖。

請參照圖1及圖2，圖1及圖2繪示本發明一實施例的開關裝置101及102的示意圖。

在一實施例中，如圖1所示，開關裝置101包括第一電路SH1以及開關SW3。第一電路SH1的第一端A1及第二端A2耦接在第一終端E1與第二終端E2間所形成的電流路徑上。在本實施例中，第一電路SH1的第一端A1耦接至第一終端E1，第二端A2耦接至第二終端E2。在本實施例中，開關SW3的第一端B1耦接於第一終端E1及第一電路SH1的第一端A1，開關SW3的第二端B2耦接於第三終端E3。在另一實施例中，如圖2所示，開關SW3的第一端B1亦可耦接於第一電路SH1的第二端A2及第二終端E2。在上述實施例中，開關SW3根據控制訊號VC3以被導通或截止。在進一步的實施例中，開關SW3可包含電晶體T3，且電晶體T3的控制端用以接收控制訊號VC3。

在以上描述中，第一電路SH1可用來在第一終端E1與第二終端E2之間進行訊號切換，開關SW3可用於分流動作，舉例而言，當第一電路SH1截止使得訊號不在第一終端E1與第二終端E2之間傳送時，開關SW3導通。惟本發明不限於此，在其他實施例中，開關SW3可用以在第一終端E1與第二終端E2之間進行訊號切換，第一電路SH1可為分流電路，其可在導通時用以執行分流動作。

以下請參照圖3及圖4，其繪示本發明另一實施例的開關裝置的示意圖。開關裝置301包括第一分流電路SH1以及開關SW3。開關SW3的第一端B1耦接於第一終端E1，第二端B2耦接於第二終端E2。在本實施例中，分流電路SH1的第一端A1耦接於第一終端E1及開關SW3的第一端B1(如圖3所示)，或耦接於第二終端E2及開關SW3的第二端B2(如圖4所示)。

在一實施例中，第一終端E1及第二終端E2可為訊號收發端，用以接收或發送訊號。第三終端E3可是參考電壓端，用以接收參考電壓，例如接地。

在一實施例中，請參考圖1-4，第一電路SH1包括開關SW1及開關SW2。開關SW1的第一端耦接於第一電路SH1的第一端A1，開關SW1的第二端耦接於第一電路SH1的第二端A2。開關SW2與開關SW1並聯耦接。開關SW1、SW2分別根據控制訊號VC1及VC2以被導通或截止。進一步講，開關SW1及SW2可分別包含電晶體T1及T2。電晶體T1及T2的第一端相互耦接，電晶體T1及T2的第二端相互耦接。電晶體T1及T2的控制端分別接收控制訊號VC1及VC2。在一實施例中，電晶體T1、T2的類型相同。例如，電晶體T1、T2可皆為N型電晶體，或可皆為P型電晶體。舉例而言，在N型電晶體的情形中，電晶體T1~T2的第一端為汲極，第二端為源極，控制端為閘極。在本實施例中，使用相同類型的電晶體T1及T2可在不明顯增加製作流程及成本的情況下，改善切換速度。

在一實施例中，在進行訊號傳送的正常模式中，開關SW1與開關SW3的導通狀態可不同，例如，當開關SW1導通時，開關SW3可截止，當開關SW1截止時，開關SW3可導通。進一步講，在正常模式中，開關SW1及SW3可分別根據控制訊號VC1及VC3在導通與截止之間切換。如圖1-2所示，當開關SW1導通時，訊號可在第一終端E1與第二終端E2之間傳送，當開關SW1截止時，開關SW3可導通以執行分流。或者，如圖3-4所示，當開關SW3導通時，訊號可在第一終端E1與第二終端E2之間傳送，當開關SW3截止時，開關SW1導通，使得分流電路SH1可導通以執行分流。

在一實施例中，當開關裝置101或102接收突波電壓或突波電流時，例如發生靜電放電時，開關裝置101或102可進入突波保護模式。在突波保護模式中，開關SW2可根據控制訊號VC2以被導通，用以輔助宣洩突波電流。進一步講，在突波保護模式中，開關SW1及開關SW3也可導通，以宣洩突波電流。進一步講，在突波保護模式中，開關SW1的電晶體T1、開關SW2的電晶體T2、及開關SW3的電晶體T3皆可導通，以宣洩突波電流。在本實施例中，相較於僅設置開關SW1及SW3的電路，開關SW2的電晶體T2可在突波保護模式中增加宣洩突波電流的能力。

特別地，在第一實施例中，開關SW2的電晶體T2在正常模式中可維持截止(圖未示)，電晶體T1及T3可在導通與截止之間切換，用以切換訊號的傳送。在此實施例中，電晶體T2的尺寸可大於、小於、或者等於電晶體T1的尺寸，用以輔助宣洩突波電流。或者，在第二實施例中，電晶體T2在正常模式中在導通與截止之間切換，電晶體T2的尺寸可小於電晶體T1的尺寸，用來改善電晶體T1的切換速度。需注意，在第一及第二實施例中，如上所述，當例如發生靜電放電而進入突波保護模式中時，電晶體T2導通。

以下以圖3為例進一步說明第二實施例中電晶體T2的動作。

在此可同步參照圖3、圖5A及圖5B，其中圖5A及圖5B繪示本發明實施例的開關裝置中，分流電路SH1的控制訊號VC1及VC2的一實施方式的波形圖。

在圖5A中，在第一期間tP1，電晶體T1可根據具有相對高準位的控制訊號VC1而維持為被導通，並在第二期間tP2中，電晶體T1可根據具有相對低準位的控制訊號VC1而維持為被截止。在第一期間tP1的起始點，電晶體T1由截止變更為導通，電晶體T2可根據控制訊號VC2上的一高電壓脈波而在定電位期間△t1被導通。在第二期間tP2的起始點，電晶體T1由導通變更為截止，電晶體T2可根據控制訊號VC2的另一高電壓脈波而在定電位期間△t2被導通。在定電位期間△t1、△t2中，電晶體T2被導通，從而將電晶體T1的兩端設定為相同的電壓值。在本實施例中，由於電晶體T2的尺寸小於電晶體T1的尺寸，因此相較於電晶體T1，電晶體T2可具有更快的切換速度。透過電晶體T2快速的導通動作將電晶體T1的兩端設定為相同的電壓值，可以使得電晶體T1的閘極-源極電壓、閘極-汲極電壓快速的達成期望值，從而使得電晶體T1快速的進入導通或截止狀態。因此，透過電晶體T2可提升電晶體T1在導通與截止間的切換速度。

在圖5B中，電晶體T1的動作與圖5A的繪示內容類似，在此不加贅述。差別在於，在第一期間tP1的起始點之前(開始前)的一定電位期間△t1，控制訊號VC2可先被拉高使電晶體T2導通，維持定電位期間△t1的時間長度。接著，在第一期間tP1中，控制訊號VC2的電壓值維持高準位，使電晶體T2持續被導通。從第二期間tP2的起始點開始，電晶體T1由導通變更為截止，且在一定電位期間△t2，控制訊號VC2的電壓值維持為高準位，使電晶體T2維持被導通，直到定電位期間△t2結束，控制訊號VC2的電壓值被拉低，以使電晶體T2被截止。在定電位期間△t1、△t2，電晶體T2被導通，從而將電晶體T1的兩端設定為相同的電壓值。請參考圖3，在第一期間tP1中，電晶體T1、T2可同時被導通，並可同步執行分流動作。在5B所示的實施例中，定電位期間△t1的起始點早於第一期間tP1的起始點，定電位期間△t2的起始點與第二期間tP2的起始點重疊。

圖5A及圖5B繪示第二實施例中，電晶體T1及T2在正常模式下的狀態。在第一期間tP1及/或第二期間tP2，可發生靜電放電，開關裝置可進入突波保護模式，電晶體T1、T2及T3三者可同時導通，以宣洩突波電流。

在上述實施例中，定電位期間△t1的時間長度小於第一期間tP1的時間長度，且定電位期間△t2的時間長度小於第二期間tP2的時間長度。在進一步的實施例中，電晶體T2可只在定電位期間△t1、△t2的其中之任一被導通，本發明對此不作限制。

以下請參照圖6A-6C，圖6A-6C繪示本發明實施例的開關裝置中的分流電路600的實施方式的示意圖。分流電路600包括開關SW1、SW2、及SW4。開關SW1、SW2、及SW4相互並聯於分流電路600的第一端A1以及第二端A2間。開關SW1、SW2、及SW4可分別包含由電晶體T1、T2、及T4。電晶體T1、T2、及T4的第一端共同耦接至分流電路600的第一端A1，電晶體T1、T2、及T4的第二端共同耦接至分流電路600的第二端A2，電晶體T1、T2、及T4的控制端分別接收控制信號VC1、VC2、及VC4。電晶體T1、T2、及T4分別根據控制信號VC1、VC2、及VC4以被導通或截止。

特別地，在第三實施例中，在正常模式中，電晶體T1可在導通與截止之間切換，用以切換訊號的傳送，電晶體T2在導通與截止之間切換，用來改善電晶體T1的切換速度，電晶體T4可維持截止(圖未示)。當例如發生靜電放電而進入突波保護模式中時，電晶體T4導通，用以宣洩突波電流。進一步講，在突波保護模式中，電晶體T1-T4可皆導通，用以宣洩突波電流。在本實施例中，電晶體T2的尺寸可小於電晶體T1的尺寸。

關於本實施方式的動作細節，可以同步參照圖6A、圖7A、及圖7B，其中圖7A及7B繪示圖6A實施方式的分流電路600的一實施方式的動作波形圖。在本實施例中，在正常模式中，電晶體T1及T2的時序動作類似於圖5A及5B，在此不加贅述。差別在於，相較於圖5A及5B，還設置開關SW4，其包含電晶體T4，在如圖7A及7B所示的正常模式中，不論是在第一期間tP1或是在第二期間tP2，電晶體T4根據恆為低電壓的控制訊號VC4而維持為截止的狀態。另一方面，在第一期間tP1及/或第二期間tP2，可發生靜電放電，開關裝置進入突波保護模式，電晶體T1、T2及T4三者可同時導通，以宣洩突波電流。

在一些實施例中，電晶體T2的尺寸可小於電晶體T1的尺寸，因此相較於電晶體T1，電晶體T2可具有更快的切換速度。透過電晶體T2快速的導通動作可使電晶體T1快速的進入導通或截止狀態。因此，透過電晶體T2可提升電晶體T1在導通與截止間的切換速度。在進一步的實施例中，電晶體T4的尺寸可大於電晶體T1的尺寸，故在突波保護模式中，電晶體T4可提供較大的電流宣洩能力，從而提高開關裝置的可靠性。然而，本發明對此不加以限制，在其他實施例中，電晶體T4的尺寸亦可視空間大小等因素而選擇為等於或小於電晶體T1的尺寸。在此情形中，由於電晶體T1、T2、及T4在突波保護模式中可皆導通，因此T4可提供輔助的電流宣洩能力，且不會造成明顯的成本增加。

請參照圖6B以及圖6C，圖6B以及圖6C分別繪示本發明實施例的開關裝置中的分流電路600的其他實施方式的示意圖。

在圖6B中，分流電路601包括由電晶體T1、T2、T4以及電阻R1、R2、R4。電晶體T1、T2、T4的第一端相互耦接至分流電路的第一端A1，電晶體T1、T2、T4的第二端相互耦接至分流電路的第二端A2。電晶體T1、T2、T4的控制端分別耦接至電阻R1、R2、R4的一端，電阻R1、R2、R4的另一端則分別接收控制信號VC1、VC2、VC4。此外，電晶體T1、T2、T4分別具有各自的基底，且這些基底經由導線相互耦接。電晶體T1、T2、T4各自的基底可透過共同的電阻RB接收基底電壓VB。

在圖6C中，電晶體T1、T2、T4可以共用相同的基底。舉例而言，分流電路602可包含一多閘極電晶體TA。多閘極電晶體TA的多個閘極分別耦接至電阻R1、R2、R4，並分別透過電阻 R1、R2、R4接收控制訊號VC1、VC2、VC4。多閘極電晶體TA的第一端耦接至分流電路602的第一端A1，多閘極電晶體TA的第二端則耦接至分流電路602的第二端A2。多閘極電晶體TA的基底透過電阻RB以接收基底電壓VB。

在一些實施方式中，電晶體T1、T2、T4可以皆為N型電晶體，或也可以皆為P型電晶體。舉例而言，在N型電晶體的情形中，電晶體T1、T2、T4的第一端可分別為汲極，第二端可分別為源極，控制端可分別為閘極。請參照圖8A以及圖8B，圖8A以及圖8B分別繪示本發明實施例的開關裝置中的分流電路801、802的其他實施方式的示意圖。

在圖8A中，分流電路801包括開關810-1以及開關820-1，開關810-1以及開關820-1相互並聯耦接。進一步講，開關810-1包括多個電晶體T11~T1N，開關820-1則包括多個電晶體T21~T2M，其中N及M為大於1的整數。在開關810-1中，電晶體T11~T1N依序串接在第一端A1以及第二端A2間。在開關820-1中，電晶體T21~T2M依序串接在第一端A1以及第二端A2間。在本實施例中，電晶體T11~T1N的數量可與電晶體T21~T2M的數量可相等，亦即N=M。惟本發明不限於此，在其他實施例中，N亦可不同於M。舉例而言，在圖8B中，開關810-2包括電晶體T11~T13，開關820-2則包括電晶體T21、T22。亦即，N=3，且M=2。

在一些實施例中，電晶體T11~T1N的控制端可以接收相同的一控制訊號VC1，以同時被導通或被截止。電晶體T21~T2M的控制端可以接收相同的另一控制訊號VC2，以同時被導通或被截止。在本實施例中，開關810-1的導通與截止動作與圖1至圖4實施例中的開關SW1的導通與截止動作類似，開關820-1的導通與截止動作與圖1至圖4實施例中的開關SW2的導通與截止動作類似，在此恕不多贅述。在本實施例中，電晶體T11~T1N可以是相同類型的電晶體，例如，N型電晶體。電晶體T21~T2M可以是相同類型的電晶體，例如，N型電晶體。

請參照圖9，圖9繪示本發明另一實施例的開關裝置的示意圖。開關裝置900包括分流電路SH1、SH2、開關SW1A以及SW1B。分流電路SH1的一端耦接第一終端E1，另一端耦接至第三終端E3。開關SW1A的一端耦接第一終端E1，另一端耦接共用終端EC。開關SW1B的一端耦接共用終端EC，另一端耦接第二終端E2。分流電路SH2的一端耦接第二終端E2，另一端耦接至第四終端E4。分流電路SH1、SH2可採用前述多個實施例的任一分流電路來實施。分流電路SH1以及SH2的電路架構可相同或不同，本發明對此不作限制。

在本實施例中，第一終端E1、第二終端E2以及共用終端EC為訊號收發端，第三終端E3以及第四終端E4則為參考電壓端，例如接地。進一步講，開關SW1A可包含電晶體T1A，開關SW1B可包含電晶體T1B。開關SW1A、SW1B分別根據控制訊號VC1A、VC1B以被導通或截止。

在正常模式中，開關SW1A、SW1B的導通或截止狀態可相反。舉例而言，在正常模式中，當開關SW1A被導通時，分流電路SH1不執行電流分流動作。此時，開關SW1B可截止，分流電路SH2被啟動以執行電流分流動作。當開關SW1A被截止時，分流電路SH1被啟動以執行電流分流動作。此時，開關SW1B可導通，分流電路SH2不執行電流分流動作。

在突波保護模式中，分流電路SH1、SH2的至少其中之一可被啟動，並用以宣洩突波電流。進一步講，開關SW1A、SW1B至少其中之一可被啟動，並用以宣洩突波電流。

綜上所述，本發明在開關裝置中設置第一開關及第二開關。在正常模式中，第一開關可用於訊號傳送的切換，第二開關可用以改善第一開關的切換速度。在突波保護模式中，第二開關可用以輔助宣洩突波電流。進一步講，本發明在開關裝置中設置第一開關、第二開關、第四開關。在正常模式中，第一開關可用於訊號傳送的切換，第二開關可用以改善第一開關的切換速度，第四開關截止。在突波保護模式中，第二開關及第四開關可用以輔助宣洩突波電流。本發明的開關裝置可提升開關裝置的切換速度，及/或可加強突波電流的宣洩能力。

301:開關裝置

A1、A2、B1、B2:端

E1、E2、E3:終端

SH1:第一電路

SW1、SW2、SW3:開關

T1~T3:電晶體

VC1~VC3:控制訊號

Claims

一種開關裝置，包括：一第一電路，該第一電路的一第一端耦接在一第一終端與一第二終端之間，該第一電路的一第二端耦接在該第一終端與該第二終端之間，或耦接一第三終端，該第一電路包括：一第一開關，該第一開關的第一端耦接該第一電路的該第一端，該第一開關的第二端耦接該第一電路的該第二端，該第一開關根據一第一控制訊號以被導通或截止；以及一第二開關，與該第一開關並聯，根據一第二控制訊號以被導通或截止，其中，該第一開關與該第二開關包含同類型的電晶體，其中，在一突波保護模式中，該第二開關被導通以宣洩一突波電流，其中，該第一電路的該第一端耦接在該第一終端與該第二終端之間，且該第一電路的該第二端耦接於該第三終端；其中該開關裝置更包括：一第三開關，該第三開關的第一端耦接於該第一終端，該第三開關的第二端耦接於該第二終端，且該第三開關根據一第三控制訊號以被導通或截止，其中，該第一終端與該第二終端為訊號收發端，該第三終端為參考電壓端，在一正常模式中，該第三開關與該第一開關的導通狀態不同。
如請求項1所述的開關裝置，其中在該正常模式中，當該第一開關導通時，該第三開關為截止，當該第一開關為截止時，該第三開關為導通。
如請求項1所述的開關裝置，其中該第一開關包含一第一電晶體，該第二開關包含一第二電晶體，該第一電晶體與該第二電晶體的第一端相互耦接，該第一電晶體與該第二電晶體的第二端相互耦接，該第一電晶體與該第二電晶體的控制端分別接收該第一控制訊號以及該第二控制訊號，該第一電晶體與該第二電晶體的類型相同，其中該第三開關包含一第三電晶體，其中該第一電路為一第一分流電路。
如請求項3所述的開關裝置，其中當該第一電晶體在導通與截止間切換時，該第二電晶體被導通，以設定該第一電晶體的第一端與第二端上的電壓，其中該第二電晶體的尺寸小於該第一電晶體的尺寸。
如請求項4所述的開關裝置，其中在該正常模式中，該第一電晶體在一第一期間維持被導通，並在一第二期間維持被截止，該第二電晶體在該第一期間及/或該第二期間開始時的至少一定電位期間被導通，該至少一定電位期間的時間長度小於該第一期間及/或該第二期間的時間長度。
如請求項5所述的開關裝置，其中該第二電晶體的該至少一定電位期間的起始點早於對應的該第一期間及/或該第二期間的起始點，或者該至少一定電位期間的起始點與對應的該第一期間及/或該第二期間的起始點重疊。
如請求項3所述的開關裝置，其中在該正常模式中，該第二電晶體維持為截止。
如請求項4所述的開關裝置，其中該第一分流電路更包括：一第四開關，該第四開關包含一第四電晶體，該第四電晶體的第一端與該第一電晶體的第一端耦接，該第四電晶體的第二端與該第一電晶體的第二端耦接，該第四電晶體的控制端接收一第四控制訊號，該第四電晶體根據該第四控制訊號以被導通或截止，在該正常模式中，當該第一電晶體在導通與截止間切換時，該第四電晶體維持為截止。
如請求項8所述的開關裝置，其中在該正常模式中，該第一電晶體在一第一期間維持被導通，並在一第二期間維持被截止，其中該第二電晶體在該第一期間及/或該第二期間開始時的至少一定電位期間被導通，該至少一定電位期間的時間長度小於該第一期間及/或該第二期間的時間長度，其中該至少一定電位期間的起始點早於對應的該第一期間及/或該第二期間的起始點，或者該至少一定電位期間的起始點與對應的該第一期間及/或該第二期間的起始點重疊。
如請求項8所述的開關裝置，其中，該第四電晶體與該第一電晶體為同類型的電晶體。
如請求項10所述的開關裝置，其中該第一電晶體、該第二電晶體與該第四電晶體為P型電晶體或N型電晶體，其中該第一電晶體、該第二電晶體以及該第四電晶體的第一端分別為汲極，該第一電晶體、該第二電晶體以及該第四電晶體的第二端分別為源極，且該第一電晶體、該第二電晶體以及該第四電晶體的控制端分別為閘極。
如請求項11所述的開關裝置，該第一電晶體、該第二電晶體以及該第四電晶體的基底相互耦接，或者，該第一電晶體、該第二電晶體以及該第四電晶體共用相同的基底。
如請求項1所述的開關裝置，其中在該突波保護模式中，該第一開關與該第二開關皆導通，以共同用來宣洩該突波電流。
如請求項3所述的開關裝置，其中該第一電晶體透過一第一電阻以接收該第一控制訊號，該第二電晶體透過一第二電阻以接收該第二控制訊號。
如請求項8所述的開關裝置，其中該第四開關透過一電阻以接收該第四控制訊號。
如請求項1所述的開關裝置，其中該第一開關包括串接的多個第一電晶體，該第二開關包括串接的多個第二電晶體，該些第二電晶體的數量小於或等於該些第一電晶體的數量。
如請求項16所述的開關裝置，其中該多個第一電晶體每一者與該多個第二電晶體其中一者並聯耦接且位置相互對齊。
如請求項8所述的開關裝置，更包括：一第五開關，耦接在一共用終端與該第二終端間，其中該共用終端耦接於該第一終端與該第二終端間；以及一第二分流電路，該第二分流電路的第一端耦接於該第二終端，該第二分流電路的第二端耦接至一第四終端，其中該第四終端為一第二參考電壓端。
一種開關裝置，包括：一第一電路，該第一電路的一第一端耦接在一第一終端與一第二終端之間，該第一電路的一第二端耦接在該第一終端與該第二終端之間，或耦接一第三終端，該第一電路包括：一第一開關，該第一開關的第一端耦接該第一電路的該第一端，該第一開關的第二端耦接該第一電路的該第二端，該第一開關根據一第一控制訊號以被導通或截止；以及一第二開關，與該第一開關並聯，根據一第二控制訊號以被導通或截止，其中，該第一開關與該第二開關包含同類型的電晶體，其中，在一突波保護模式中，該第二開關被導通以宣洩一突波電流，其中，該第一電路的該第一端耦接該第一終端，該第一電路的該第二端耦接該第二終端，其中該開關裝置更包括：一第三開關，該第三開關的第一端耦接該第一終端或耦接該第二終端，該第三開關的第二端耦接於該第三終端，且該第三開關根據一第三控制訊號以被導通或截止，其中，該第一終端與該第二終端為訊號收發端，該第三終端為參考電壓端，在一正常模式中，該第三開關與該第一開關的導通狀態不同。