TWI814346B - 畫素陣列基板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種畫素陣列基板包括基底、多個畫素結構、第一絕緣層、第二絕緣層、共用電極層及第三絕緣層。多個畫素結構設置於基底。每一畫素結構包括主動元件、電性連接至主動元件的畫素電極及重疊於畫素電極的彩色濾光圖案。第一絕緣層設置於多個畫素結構的多個主動元件上。多個畫素結構的多個彩色濾光圖案設置於第一絕緣層上。第二絕緣層設置於多個彩色濾光圖案上。共用電極層設置於第二絕緣層上。第三絕緣層設置於共用電極層上，且覆蓋共用電極層的內側壁、第二絕緣層的內側壁以及彩色濾光圖案的內側壁。此外，上述畫素陣列基板的製造方法也被提出。

Description

畫素陣列基板及其製造方法

本發明是有關於一種畫素陣列基板及其製造方法。

一般而言，顯示裝置包括畫素陣列基板、相對於畫素陣列基板的對向基板以及夾設於畫素陣列基板與對向基板之間的顯示介質（例如：液晶）。在某些機種中，會將彩色濾光圖案整合於畫素陣列基板中。整合有彩色濾光圖案的畫素陣列基板包括彩色濾光圖案、位於彩色濾光圖案下的第一絕緣層、位於彩色濾光圖案上的第二絕緣層、設置於第二絕緣層上的共用電極層以及設置於共用電極層上的第三絕緣層，其中第一絕緣層、彩色濾光圖案、第二絕緣層及第三絕緣層分別為無機層、有機層、無機層及有機層。第一絕緣層、彩色濾光圖案、第二絕緣層及第三絕緣層會形成有機/無機層交替堆疊的結構。

在顯示裝置經過烤爐（Oven）測試後，有機/無機層交替堆疊的結構會容易有機/無機層的交界出現裂縫（crack），造成顯示裝置的晶胞間隙（cell gap）變異及漏光等問題。

本發明提供一種畫素陣列基板，特性佳。

本發明提供另一種畫素陣列基板，特性佳。

本發明一實施例的畫素陣列基板包括基底、多個畫素結構、第一絕緣層、第二絕緣層、共用電極層及第三絕緣層。基底具有主動區及主動區外的周邊區。多個畫素結構設置於基底的主動區。每一畫素結構包括主動元件、電性連接至主動元件的畫素電極及重疊於畫素電極的彩色濾光圖案，且彩色濾光圖案具有背向基底的頂面、面向基底的底面及連接於頂面與底面之間的內側壁。第一絕緣層設置於多個畫素結構的多個主動元件上，其中多個畫素結構的多個彩色濾光圖案設置於第一絕緣層上。第二絕緣層設置於多個彩色濾光圖案上，其中第二絕緣層的內側壁設置於畫素結構的彩色濾光圖案的頂面上。共用電極層設置於第二絕緣層上，其中共用電極層的內側壁設置於畫素結構的彩色濾光圖案的頂面上。第三絕緣層設置於共用電極層上，且覆蓋共用電極層的內側壁、第二絕緣層的內側壁以及彩色濾光圖案的內側壁，其中多個畫素結構的多個畫素電極設置於第三絕緣層上。

本發明一實施例的畫素陣列基板的製造方法包括下列步驟：提供基底，其中基底具有主動區；於基底的主動區上形成多個主動元件；形成第一絕緣材料層，以覆蓋多個主動元件；於第一絕緣材料層上形成多個彩色濾光圖案，其中每一彩色濾光圖案具有重疊於主動元件的開口，每一彩色濾光圖案具有背向基底的頂面、面向基底的底面以及連接於頂面與底面之間的內側壁，且內側壁定義開口；於多個彩色濾光圖案上形成第二絕緣材料層；於第二絕緣材料層上形成共用電極層；以共用電極層為遮罩圖案化第二絕緣材料層以形成第二絕緣層，且圖案化第一絕緣材料層以形成第一絕緣層，其中第二絕緣層具有設置於畫素結構的彩色濾光圖案的頂面上的內側壁；於共用電極層上形成第三絕緣層，以覆蓋共用電極層、第二絕緣層的內側壁及彩色濾光圖案的內側壁；以及，於第三絕緣層上形成多個畫素電極，其中多個畫素電極分別電性連接至主動元件。

在本發明的一實施例中，上述的第三絕緣層直接地覆蓋共用電極層的內側壁、第二絕緣層的內側壁及彩色濾光圖案的內側壁。

在本發明的一實施例中，上述的共用電極層的內側壁與第二絕緣層的內側壁實質上切齊。

在本發明的一實施例中，在上述的畫素陣列基板的俯視圖中，共用電極層與第二絕緣層實質上重合。

在本發明的一實施例中，上述的畫素陣列基板更包括共用電極線，設置於基底的周邊區上。多個畫素結構包括一個角落畫素結構，設置於主動區的角落。共用電極層包括主要部及第一延伸部，共用電極層的主要部與角落畫素結構的畫素電極重疊，共用電極層的第一延伸部設置於周邊區且電性連接至共用電極線。角落畫素結構的彩色濾光圖案包括主要部及第一延伸部，角落畫素結構的彩色濾光圖案的主要部重疊於角落畫素結構的畫素電極，且角落畫素結構的彩色濾光圖案的第一延伸部部分地重疊於共用電極層的第一延伸部。第二絕緣層具有第一延伸部，重疊於共用電極層的第一延伸部。第二絕緣層的第一延伸部的外側壁及共用電極層的第一延伸部的外側壁設置於角落畫素結構的彩色濾光圖案的第一延伸部的頂面上。第三絕緣層覆蓋第二絕緣層的第一延伸部的外側壁、共用電極層的第一延伸部的外側壁及角落畫素結構的彩色濾光圖案的第一延伸部的外側壁，其中角落畫素結構的彩色濾光圖案的第一延伸部的外側壁連接於彩色濾光圖案的頂面與底面之間且位於周邊區上。

在本發明的一實施例中，上述的第三絕緣層直接地覆蓋共用電極層的第一延伸部的外側壁、第二絕緣層的第一延伸部的外側壁及角落畫素結構的彩色濾光圖案的第一延伸部的外側壁。

在本發明的一實施例中，上述的共用電極層的第一延伸部的外側壁與第二絕緣層的第一延伸部的外側壁實質上切齊。

在本發明的一實施例中，在上述的畫素陣列基板的俯視圖中，共用電極層的第一延伸部與第二絕緣層的第一延伸部實質上重合。

在本發明的一實施例中，上述的共用電極層的第一延伸部及第二絕緣層的第一延伸部在共用電極線的延伸方向上的寬度實質上相等。

在本發明的一實施例中，上述的共用電極層更包括第二延伸部，設置於周邊區且延伸至角落畫素結構的彩色濾光圖案外；第二絕緣層更包括第二延伸部，設置於周邊區、延伸至角落畫素結構的彩色濾光圖案外，且重疊於共用電極層的第二延伸部；共用電極層的第二延伸部與第二絕緣層的第二延伸部相堆疊且與設置於周邊區的部分第一絕緣層之間具有高低差。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1A至圖1C為本發明一實施例之畫素陣列基板的製造方法的剖面示意圖。

請參照圖1A，首先，提供基底110，其中基底110具有主動區110a。舉例而言，在本實施例中，基板110的材質可以是玻璃。然而，本發明不限於此，根據其它實施例，基板110的材質也可以是石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：晶圓、陶瓷等）、或是其它可適用的材料。

接著，於基底110的主動區110a上形成主動元件T。舉例而言，在本實施例中，可依序形成第一金屬層120、閘絕緣層130、半導體層140及第二金屬層150，主動元件T包括薄膜電晶體，第一金屬層120可包括薄膜電晶體的閘極121、半導體層140可包括薄膜電晶體的半導體圖案141，閘絕緣層130至少設置於閘極121與半導體圖案141之間，第二金屬層150可包括薄膜電晶體的源極151與汲極152，且源極151與汲極152分別與半導體圖案141的不同兩區電性連接，但本發明不以此為限。

接著，形成第一絕緣材料層160’，以覆蓋主動元件T。接著，於第一絕緣材料層160’上形成彩色濾光圖案170。彩色濾光圖案170具有重疊於主動元件T的開口170a。彩色濾光圖案170具有背向基底110的頂面170s1、面向基底110的底面170s2以及連接於頂面170s1與底面170s2之間的內側壁170s3，且內側壁170s3定義彩色濾光圖案170的開口170a。

接著，於彩色濾光圖案170上形成第二絕緣材料層180’。第二絕緣材料層180’覆蓋彩色濾光圖案170的頂面170s1、彩色濾光圖案170的內側壁170s3及重疊於彩色濾光圖案170之開口170a的部分第一絕緣材料層160’。

接著，於第二絕緣材料層180’上形成共用電極層190。共用電極層190設置於彩色濾光圖案170的頂面170s1上，且具有開口190a。共用電極層190的開口190a重疊於彩色濾光圖案170的開口170a。在本實施例中，共用電極層190例如是形成於第一透明導電層，第一透明導電層的材質可包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層，但本發明不以此為限。

請參照圖1A及圖1B，接著，以共用電極層190為遮罩圖案化第二絕緣材料層180’以形成第二絕緣層180，且圖案化第一絕緣材料層160’以形成第一絕緣層160。第二絕緣層180具有設置於彩色濾光圖案170的頂面170s1上的內側壁180s3。

詳細而言，在本實施例中，是在同一道蝕刻製程中，同時圖案化出第一絕緣層160及第二絕緣層180，其中第二絕緣層180是以共用電極層190為硬遮罩而被圖案化出，因此，第二絕緣層180會具有與共用電極層190的開口190a實質上重合的開口180a，共用電極層190的內側壁190s3定義共用電極層190的開口190a，第二絕緣層180的內側壁180s3定義第二絕緣層180的開口180a，且共用電極層190的內側壁190s3與第二絕緣層180的內側壁180s3實質上切齊；另一方面，第一絕緣層160是以彩色濾光圖案170為硬遮罩而被圖案化出，因此，第一絕緣層160會具有與彩色濾光圖案170的開口170a實質上重合的開口160a，第一絕緣層160的內側壁160s3定義第一絕緣層160的開口160a，彩色濾光圖案170的內側壁170s3定義彩色濾光圖案170的開口170a，且第一絕緣層160的內側壁160s3與彩色濾光圖案170的內側壁170s3實質上切齊。第一絕緣層160的開口160a、彩色濾光圖案170的開口170a、第二絕緣層180的開口180a及共用電極層190的開口190a暴露出主動元件T的汲極152。

請參照圖1C，接著，於共用電極層190上形成第三絕緣層200，以覆蓋共用電極層190、第二絕緣層180的內側壁180s3及彩色濾光圖案170的內側壁170s3。第三絕緣層200具有暴露出主動元件T之汲極152的開口200a。

請參照圖1C，接著，於第三絕緣層200上形成畫素電極211，其中畫素電極211電性連接至主動元件T。詳細而言，在本實施例中，畫素電極211是填入第三絕緣層200的開口200a而電性連接至主動元件T的汲極152。於此，便完成本實施例的畫素陣列基板100。在本實施例中，畫素電極211例如是形成於第二透明導電層210，第二透明導電層210的材質可包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層，但本發明不以此為限。

圖2為本發明一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。圖2示意性地繪出閘極線GL、轉接線gl及基底110，而省略畫素陣列基板100的其它構件。

圖3為本發明一實施例之畫素陣列基板的局部放大示意圖。圖3對應圖1之畫素陣列基板100的局部R1。局部R1係位於主動區110a。圖1C對應圖3的剖線I-I’。圖3省略圖1C的彩色濾光圖案170。

請參照圖1C、圖2及圖3，畫素陣列基板100包括基底110。基底110具有主動區110a及主動區110a外的周邊區110b。畫素陣列基板100還包括多個畫素結構PX，設置於基底110的主動區110a。每一畫素結構PX包括主動元件T、電性連接至主動元件T的畫素電極211以及重疊於畫素電極211的彩色濾光圖案170。彩色濾光圖案170具有背向基底110的頂面170s1、面向基底110的底面170s2及連接於頂面170s1與底面170s2之間的內側壁170s3。

在本實施例中，畫素陣列基板100還包括在第一方向x上排列的多條資料線DL，其中每一條資料線DL與對應的一個主動元件T的源極151電性連接。在本實施例中，畫素陣列基板100還包括在第二方向y上排列的多條閘極線GL，其中每一條閘極線GL與對應的一個主動元件T的閘極121電性連接。在本實施例中，畫素陣列基板100還包括在第一方向x上排列且穿插於主動區110a之中的多條轉接線gl，其中每一條轉接線gl與對應的一條閘極線GL電性連接。

請參照圖1C及圖3，畫素陣列基板100還包括第一絕緣層160，設置於畫素結構PX的主動元件T上。畫素結構PX的彩色濾光圖案170設置於第一絕緣層160上。畫素陣列基板100還包括第二絕緣層180設置於彩色濾光圖案170上，其中第二絕緣層180的內側壁180s3設置於畫素結構PX的彩色濾光圖案170的頂面170s1上。

畫素陣列基板100還包括共用電極層190設置於第二絕緣層180上，其中共用電極層190的內側壁190s3設置於畫素結構PX的彩色濾光圖案170的頂面170s1上。畫素陣列基板100還包括第三絕緣層200，設置於共用電極層190上。畫素結構PX的畫素電極211設置於第三絕緣層200上。

值得注意的是，第三絕緣層200覆蓋設置於頂面170s1上的共用電極層190的內側壁190s3、設置於頂面170s1上的第二絕緣層180的內側壁180s3以及彩色濾光圖案170的內側壁170s3。也就是說，第二絕緣層180並未包覆整個彩色濾光圖案170，未被第二絕緣層180覆蓋的彩色濾光圖案170的內側壁170s3是被第三絕緣層200所覆蓋。

請參照圖1C，在本實施例中，第一絕緣層160的材料為無機材料，彩色濾光圖案170的材料為有機材料，第二絕緣層180的材料為無機材料，且第三絕緣層200的材料為有機材料。第一絕緣層160、彩色濾光圖案170、第二絕緣層180及第三絕緣層200形成無機/有機/無機/有機的堆疊結構。由於有機之彩色濾光圖案170的內側壁170s3並未被無機的第二絕緣層180覆蓋而是被同為有機的第三絕緣層200所覆蓋，因此，畫素陣列基板100不易出現因內部應力及/或彩色濾光圖案170內含氣體排出所導致的裂縫（crack）。

請參照圖1C及圖3，在本實施例中，第三絕緣層200直接地覆蓋共用電極層190的內側壁190s3、第二絕緣層180的內側壁180s3及彩色濾光圖案170的內側壁170s3。也就是說，第三絕緣層200接觸於共用電極層190的內側壁190s3、第二絕緣層180的內側壁180s3及彩色濾光圖案170的內側壁170s3。

在本實施例中，由於第二絕緣層180是以共用電極層190為硬遮罩而圖案化出的，因此，共用電極層190的內側壁190s3會與第二絕緣層180的內側壁180s3實質上切齊。在畫素陣列基板100的俯視圖中，共用電極層190與第二絕緣層180實質上會重合。

圖4為本發明一實施例之畫素陣列基板的局部放大示意圖。圖4對應圖1之畫素陣列基板100的局部R2。

圖5為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。圖5對應圖4的剖線II-II’。

圖6為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。圖6對應圖4的剖線III-III’。

圖7為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。圖7對應圖4的剖線IV-IV’。

圖4省略圖5、圖6及圖7的彩色濾光圖案170。

請參照圖4，在本實施例中，畫素陣列基板100更包括設置於周邊區110b上的共用電極線CL。共用電極線CL在第一方向x上延伸。共用電極線CL的延伸方向為第一方向x。請參照圖1C及圖4，舉例而言，在本實施例中，共用電極線CL與閘極線GL及/或主動元件T的閘極121形成於同一第一金屬層120，但本發明不以此為限。

請參照圖2及圖4，畫素陣列基板100的多個畫素結構PX包括角落畫素結構PXc，設置於主動區110a的角落。請參照圖4、圖5、圖6及圖7，在本實施例中，共用電極層190包括主要部191及第一延伸部192，共用電極層190的主要部191與角落畫素結構PXc的畫素電極211重疊，共用電極層190的第一延伸部192設置於周邊區110b且電性連接至共用電極線CL。

請參照圖4，具體而言，在本實施例中，共用電極層190的第一延伸部192是由主動區110a向上往共用電極線CL延伸，畫素陣列基板100更包括連接圖案212，在畫素陣列基板100的俯視圖中，連接圖案212重疊於共用電極層190的第一延伸部192及共用電極線CL且設置於共用電極層190的第一延伸部192與共用電極線CL之間，共用電極層190的第一延伸部192是透過連接圖案212電性連接至共用電極線CL。舉例而言，在本實施例中，連接圖案212與畫素電極211同屬第二透明導電層210，但本發明不以此為限。

請參照圖4、圖5、圖6及圖7，在本實施例中，角落畫素結構PXc的彩色濾光圖案170包括主要部171及第一延伸部172，角落畫素結構PXc的彩色濾光圖案170的主要部171重疊於角落畫素結構PXc的畫素電極211，且角落畫素結構PXc的彩色濾光圖案170的第一延伸部172部分地重疊於共用電極層190的第一延伸部192。第二絕緣層180具有主要部181及第一延伸部182。第二絕緣層180的主要部181重疊於共用電極層190的主要部191。第二絕緣層180的第一延伸部182重疊於共用電極層190的第一延伸部192。第二絕緣層180的主要部181與共用電極層190的主要部191實質上重合。第二絕緣層180的第一延伸部182與共用電極層190的第一延伸部192實質上重合。

請參照圖4、圖5及圖6，第二絕緣層180的第一延伸部182的外側壁180s4及共用電極層190的第一延伸部192的外側壁190s4設置於角落畫素結構PXc的彩色濾光圖案170的第一延伸部172的頂面170s1上。第三絕緣層200覆蓋第二絕緣層180的第一延伸部182的外側壁180s4、共用電極層190的第一延伸部192的外側壁190s4以及角落畫素結構PXc的彩色濾光圖案170的第一延伸部172的外側壁170s4，其中角落畫素結構PXc的彩色濾光圖案170的第一延伸部172的外側壁170s4連接於彩色濾光圖案170的頂面170s1與底面170s2之間且位於周邊區110b上。

在本實施例中，第三絕緣層200直接地覆蓋第二絕緣層180的第一延伸部182的外側壁180s4、共用電極層190的第一延伸部192的外側壁190s4及角落畫素結構PXc的彩色濾光圖案170的第一延伸部172的外側壁170s4。

請參照圖4及圖6，在本實施例中，共用電極層190的第一延伸部192的外側壁190s4與第二絕緣層180的第一延伸部182的外側壁180s4實質上切齊。在本實施例中，共用電極層190的第一延伸部192及第二絕緣層180的第一延伸部182在共用電極線CL的延伸方向（即，第一方向x）上的寬度W182、W192實質上相等。請參照圖4，在本實施例中，於畫素陣列基板100的俯視圖中，共用電極層190的第一延伸部192與第二絕緣層180的第一延伸部182實質上重合。

請參照圖4及圖7，在本實施例中，共用電極層190更包括第二延伸部193，設置於周邊區110b且延伸至角落畫素結構PXc的彩色濾光圖案170外。第二絕緣層180更包括第二延伸部183，設置於周邊區110b、延伸至角落畫素結構PXc的彩色濾光圖案170外，且重疊於共用電極層190的第二延伸部193。共用電極層190的第二延伸部193與第二絕緣層180的第二延伸部183實質上重合。共用電極層190的第二延伸部193與第二絕緣層180的第二延伸部183相堆疊且與設置於周邊區110b的部分第一絕緣層160之間具有高低差ΔH。

100:畫素陣列基板 110:基底 110a:主動區 110b:周邊區 120:第一金屬層 121:閘極 130:閘絕緣層 140:半導體層 141:半導體圖案 150:第二金屬層 151:源極 152:汲極 160:第一絕緣層 160’:第一絕緣材料層 160a、170a、180a、190a、200a:開口 160s3、170s3、180s3、190s3:內側壁 170:彩色濾光圖案 170s1:頂面 170s2:底面 170s4、180s4、190s4:外側壁 180:第二絕緣層 180’:第二絕緣材料層 171、181、191:主要部 172、182、192:第一延伸部 183、193:第二延伸部 190:共用電極層 200:第三絕緣層 210:第二透明導電層 211:畫素電極 212:連接圖案 CL:共用電極線 DL:資料線 GL:閘極線 gl:轉接線 PX:畫素結構 PXc:角落畫素結構 R1、R2:局部 T:主動元件 W182、W192:寬度 x:第一方向 y:第二方向 І-І’、II-II’、III-III’、IV-IV’:剖線 ΔH:高低差

圖1A至圖1C為本發明一實施例之畫素陣列基板的製造方法的剖面示意圖。 圖2為本發明一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。 圖3為本發明一實施例之畫素陣列基板的局部放大示意圖。 圖4為本發明一實施例之畫素陣列基板的局部放大示意圖。 圖5為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖6為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖7為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。

100:畫素陣列基板

110:基底

110a:主動區

120:第一金屬層

121:閘極

130:閘絕緣層

140:半導體層

141:半導體圖案

150:第二金屬層

151:源極

152:汲極

160:第一絕緣層

160a、170a、180a、190a、200a:開口

160s3、170s3、180s3、190s3:內側壁

170:彩色濾光圖案

170s1:頂面

170s2:底面

180:第二絕緣層

190:共用電極層

200:第三絕緣層

210:第二透明導電層

211:畫素電極

PX:畫素結構

T:主動元件

I-I’:剖線

Claims (11)

1. 一種畫素陣列基板，包括：一基底，具有一主動區及該主動區外的一周邊區；多個畫素結構，設置於該基底的該主動區，其中每一畫素結構包括一主動元件、電性連接至該主動元件的一畫素電極以及重疊於該畫素電極的一彩色濾光圖案，該彩色濾光圖案具有背向該基底的一頂面、面向該基底的一底面以及連接於該頂面與該底面之間的一內側壁，且該彩色濾光圖案的材料為有機材料；一第一絕緣層，設置於該些畫素結構的多個主動元件上，其中該些畫素結構的多個彩色濾光圖案設置於該第一絕緣層上；一第二絕緣層，設置於該些彩色濾光圖案上，其中該第二絕緣層的一內側壁設置於一畫素結構的該彩色濾光圖案的該頂面上；一共用電極層，設置於該第二絕緣層上，其中該共用電極層的一內側壁設置於該畫素結構的該彩色濾光圖案的該頂面上；以及一第三絕緣層，設置於該共用電極層上，且覆蓋該共用電極層的該內側壁、該第二絕緣層的該內側壁以及該彩色濾光圖案的該內側壁，其中該些畫素結構的多個畫素電極設置於該第三絕緣層上，且該第三絕緣層的材料為有機材料。
2. 如請求項1所述的畫素陣列基板，其中該第三絕緣層直接地覆蓋該共用電極層的該內側壁、該第二絕緣層的該內側壁及該彩色濾光圖案的該內側壁。
3. 如請求項1所述的畫素陣列基板，其中該共用電極層的該內側壁與該第二絕緣層的該內側壁實質上切齊。
4. 如請求項1所述的畫素陣列基板，其中在該畫素陣列基板的俯視圖中，該共用電極層與該第二絕緣層實質上重合。
5. 如請求項1所述的畫素陣列基板，更包括：一共用電極線，設置於該基底的該周邊區上；其中，該些畫素結構包括一角落畫素結構，設置於該主動區的一角落；該共用電極層包括一主要部及一第一延伸部，該共用電極層的該主要部與該角落畫素結構的該畫素電極重疊，該共用電極層的該第一延伸部設置於該周邊區且電性連接至該共用電極線；該角落畫素結構的該彩色濾光圖案包括一主要部及一第一延伸部，該角落畫素結構的該彩色濾光圖案的該主要部重疊於該角落畫素結構的該畫素電極，且該角落畫素結構的該彩色濾光圖案的該第一延伸部部分地重疊於該共用電極層的該第一延伸部；該第二絕緣層具有一第一延伸部，重疊於該共用電極層的該第一延伸部； 該第二絕緣層的該第一延伸部的一外側壁及該共用電極層的該第一延伸部的一外側壁設置於該角落畫素結構的該彩色濾光圖案的該第一延伸部的該頂面上；該第三絕緣層覆蓋該第二絕緣層的該第一延伸部的該外側壁、該共用電極層的該第一延伸部的該外側壁及該角落畫素結構的該彩色濾光圖案的該第一延伸部的一外側壁，其中該角落畫素結構的該彩色濾光圖案的該第一延伸部的該外側壁連接於該彩色濾光圖案的該頂面與該底面之間且位於該周邊區上。
6. 如請求項5所述的畫素陣列基板，其中該第三絕緣層直接地覆蓋該共用電極層的該第一延伸部的該外側壁、該第二絕緣層的該第一延伸部的該外側壁及該角落畫素結構的該彩色濾光圖案的該第一延伸部的該外側壁。
7. 如請求項5所述的畫素陣列基板，其中該共用電極層的該第一延伸部的該外側壁與該第二絕緣層的該第一延伸部的該外側壁實質上切齊。
8. 如請求項5所述的畫素陣列基板，其中在該畫素陣列基板的俯視圖中，該共用電極層的該第一延伸部與該第二絕緣層的該第一延伸部實質上重合。
9. 如請求項5所述的畫素陣列基板，其中該共用電極層的該第一延伸部及該第二絕緣層的該第一延伸部在該共用電極線的一延伸方向上的寬度實質上相等。
10. 如請求項5所述的畫素陣列基板，其中該共用電極層更包括一第二延伸部，設置於該周邊區且延伸至該角落畫素結構的該彩色濾光圖案外；該第二絕緣層更包括一第二延伸部，設置於該周邊區、延伸至該角落畫素結構的該彩色濾光圖案外，且重疊於該共用電極層的該第二延伸部；該共用電極層的該第二延伸部與該第二絕緣層的該第二延伸部相堆疊且與設置於該周邊區的部分該第一絕緣層之間具有一高低差。
11. 一種畫素陣列基板的製造方法，包括：提供一基底，其中該基底具有一主動區；於該基底的一主動區上形成多個主動元件；形成一第一絕緣材料層，以覆蓋該些主動元件；於該第一絕緣材料層上形成多個彩色濾光圖案，其中該些彩色濾光圖案的材料為有機材料，每一彩色濾光圖案具有重疊於一該主動元件的一開口，每一該彩色濾光圖案具有背向該基底的一頂面、面向該基底的一底面以及連接於該頂面與該底面之間的一內側壁，且該內側壁定義該開口；於該些彩色濾光圖案上形成一第二絕緣材料層；於該第二絕緣材料層上形成一共用電極層；以該共用電極層為遮罩圖案化該第二絕緣材料層以形成一第二絕緣層，且圖案化該第一絕緣材料層以形成一第一絕緣層，其中第二絕緣層具有設置於一畫素結構的該彩色濾光圖案的該頂面上的一內側壁； 於該共用電極層上形成一第三絕緣層，以覆蓋該共用電極層、該第二絕緣層的該內側壁及該彩色濾光圖案的該內側壁，其中該第三絕緣層的材料為有機材料；以及於該第三絕緣層上形成多個畫素電極，其中該些畫素電極分別電性連接至該主動元件。