TWI880801B - 畫素結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種畫素結構，包括基板、第一電極、第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層以及第二電極。第一電極位於基板之上。第一絕緣層位於第一電極上，且包括至少兩個第一開口。第一開口皆至少部分重疊於第一電極。第二絕緣層位於第一絕緣層上，且具有重疊於至少兩個第一開口的通孔。第三絕緣層位於第二絕緣層上，且包括至少兩個第二開口。第二開口分別重疊於第一開口。第二開口皆至少部分重疊於通孔。第二電極填第一開口、第二開口以及通孔中，並連接第一電極。

Description

畫素結構及其製造方法

本發明是有關於一種畫素結構及其製造方法。

近年來，隨著顯示技術的不斷進步，消費者對於顯示器之顯示品質(如影像解析度、色彩飽和度等)的要求也越來越高。然而，為了製造高效能的顯示器，顯示器中的畫素結構中需要包括許連接不同導電層的導通結構。

在畫素陣列中，有很大的面積被這些連接不同導電層的導通結構給佔據。導致畫素結構的尺寸被限制住，影響了顯示器的解析度。

本發明提供一種畫素結構及其製造方法，能避免製程偏移導致第一電極與第二電極之間的連接點電性不穩定的問題。

本發明的至少一實施例提供一種畫素結構，其包括基板、第一電極、第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層以及第二 電極。第一電極位於基板之上。第一絕緣層位於第一電極上，且包括至少兩個第一開口，其中至少兩個第一開口皆至少部分重疊於第一電極。第二絕緣層位於第一絕緣層上，且具有重疊於至少兩個第一開口的通孔。第三絕緣層位於第二絕緣層上，且包括至少兩個第二開口。至少兩個第二開口分別重疊於至少兩個第一開口。至少兩個第二開口皆至少部分重疊於通孔。第二電極填入至少兩個第一開口、至少兩個第二開口以及通孔中，並連接第一電極。

本發明的至少一實施例提供一種畫素結構的製造方法，其包括以下步驟。形成第一電極於基板之上。形成第一絕緣層於第一電極上。形成第二絕緣層於第一絕緣層上。於第二絕緣層中形成重疊於第一電極的通孔，且通孔暴露出第一絕緣層。形成第三絕緣層於第二絕緣層上以及通孔中。執行蝕刻製程以蝕刻第一絕緣層以及第三絕緣層，以於第一絕緣層中形成至少部分重疊於通孔的至少兩個第一開口，且於第三絕緣層中形成分別重疊於至少兩個第一開口的至少兩個第二開口。形成第二電極於至少兩個第一開口、至少兩個第二開口以及通孔中，且第二電極連接第一電極。

10A,10B,10C,10D,10E,10F:畫素結構

100:基板

100t,120t:頂面

110:介電層

120:第一絕緣層

120b:底面

122,124,142,144:部分

130:第二絕緣層

140:第三絕緣層

AO:開口

AZ:光阻圖案

CP:連接部

CS1,CS2:電極

D1:第一方向

D2:第二方向

DL:資料線

E1:第一電極

E2:第二電極

E3:訊號線

G:閘極

LD:發光二極體

O1:第一開口

O2:第二開口

S1,S2,S3,S4:部分側壁

SD1:第一源極/汲極

SD2:第二源極/汲極

SM:半導體層

SL:掃描線

SP:平台部

T:薄膜電晶體

TH:通孔

X1,X1’,X2,X2’,X3,X3’,X4,X4’:距離

圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意 圖。

圖1B是沿著圖1A的線A-A’以及線B-B’的剖面示意圖。

圖2A至圖2F是圖1B的畫素結構的製造方法的各個階段的剖面示意圖。

圖3A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的局部上視示意圖。

圖3B與圖3C分別是沿著圖3A的線C-C’以及線D-D’的剖面示意圖。

圖4A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的局部上視示意圖。

圖4B與圖4C分別是沿著圖4A的線C-C’以及線D-D’的剖面示意圖。

圖5是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的局部上視示意圖。

圖6是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的局部上視示意圖。

圖7是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。

圖8是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。

圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構10A的 上視示意圖。圖1B是沿著圖1A的線A-A’以及線B-B’的剖面示意圖。請參考圖1A與圖1B，畫素結構10A包括基板100、第一電極E1、第一絕緣層120、第二絕緣層130、第三絕緣層140以及第二電極E2。在本實施例中，畫素結構10A還包括介電層110、掃描線SL、資料線DL以及薄膜電晶體T。

基板100例如為硬質基板(rigid substrate)，且其材質可為玻璃、石英、有機聚合物或不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料)或是其他可適用的材料。然而，本發明不以此為限，在其他實施例中，基板100也可以是可撓式基板(flexible substrate)或是可拉伸基板。舉例來說，可撓式基板以及可拉伸基板的材料包括聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚二甲基矽氧烷(polydimetbylsiloxane，PDMS)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚酯(polyester，PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚胺酯(polyurethane PU)或其他合適的材料。

薄膜電晶體T位於基板100之上，且包括閘極G、半導體層SM、第一源極/汲極SD1以及第二源極/汲極SD2。

掃描線SL電性連接至閘極G。在本實施例中，掃描線SL與閘極G整合於同一導電層中，但本發明不以此為限。在其他實施例中，掃描線SL與閘極G分別位於不同導電層中。

在一些實施例中，掃描線SL與閘極G的材料包括鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅、鎳等金屬、上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬氮化物或上述之組合或其他導電材料。在一些實施例中，掃描線SL與閘極G各自具有單層結構或多層結構。

介電層110位於掃描線SL與閘極G上。在一些實施例中，介電層110的材料包括無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鉿、氧化鋁、其他合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料或其他合適的材料或上述之組合。

半導體層SM位於介電層110上，且重疊於閘極G。在一些實施例中，半導體層SM的材料包括非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料(例如：銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或是其他合適的材料、或上述材料之組合)或其他合適的材料或上述材料之組合。

第一源極/汲極SD1以及第二源極/汲極SD2電性連接至半導體層SM。資料線DL電性連接至第一源極/汲極SD1。在本文中，源極/汲極用於表示源極或汲極。換句話說，資料線DL電性連接至薄膜電晶體T的源極或汲極。

第一電極E1位於基板100之上。在本實施例中，第一電極E1位於介電層110上。第一電極E1電性連接至第二源極/汲極SD2。換句話說，第一電極E1電性連接至薄膜電晶體T的源極或汲極。

在本實施例中，第一源極/汲極SD1、第二源極/汲極SD2、資料線DL以及第一電極E1整合於同一導電層中，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一源極/汲極SD1、第二源極/汲極SD2、資料線DL以及第一電極E1位於不同的導電層中。

在本實施例中，薄膜電晶體T為底部閘極型薄膜電晶體，但本發明不限於此。在其他實施例中，薄膜電晶體T為頂部閘極型薄膜電晶體、雙閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。

在一些實施例中，第一源極/汲極SD1、第二源極/汲極SD2、資料線DL以及第一電極E1的材料包括金屬(例如鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅、鎳、上述金屬的合金或上述金屬的組合)、金屬氧化物(例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其他合適的氧化物或者是上述金屬氧化物的組合)、金屬氮化物或其他導電材料。在一些實施例中，第一源極/汲極SD1、第二源極/汲極SD2、資料線DL以及第一電極E1各自具有單層結構或多層結構。

第一絕緣層120位於第一源極/汲極SD1、第二源極/汲極SD2、資料線DL以及第一電極E1上。第一絕緣層120包括至少兩個第一開口O1。兩個第一開口O1皆至少部分重疊於第一電極E1。

在一些實施例中，第一絕緣層120的材料包括無機材料 (例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鉿、氧化鋁、其他合適的材料、上述至少二種材料的堆疊層)或其他合適的材料或上述之組合。

第二絕緣層130位於第一絕緣層120上。第二絕緣層130具有重疊於至少兩個第一開口O1的通孔TH。在一些實施例中，第一絕緣層120包括三個以上的第一開口O1，且第二絕緣層130的一個通孔TH重疊於三個以上的第一開口O1。在一些實施例中，第二絕緣層130包含適用於超高開口技術(Ultra/Super High Aperture,UHA/SHA)的有機材料，且第二絕緣層130可以增加電極之間的距離，藉此減少電容並增加畫素結構10A的開口率。舉例來說，第二絕緣層130可以包括壓克力(acrylic)材料、矽氧烷(siloxane)材料、聚醯亞胺(polyimide)材料、或環氧樹脂(epoxy)材料等。

第三絕緣層140位於第二絕緣層130上，且包括至少兩個第二開口O2。至少兩個第二開口O2皆至少部分重疊於通孔TH。至少兩個第二開口O2分別重疊於至少兩個第一開口O1。在其他實施例中，三個以上的第二開口O2分別重疊於三個以上的第一開口O1，且三個以上的第二開口O2皆至少部分重疊於通孔TH。在一些實施例中，第三絕緣層140的材料包括無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鉿、氧化鋁、其他合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)或其他合適的材料或上述之組合。

在一些實施例中，第三絕緣層140的第二開口O2與第一絕緣層120的第一開口O1是在同一個蝕刻製程中利用同一個光阻圖案定義出來的，且兩個第二開口O2分別重疊於兩個第一開口O1。

在一些實施例中，第一開口O1的部分側壁S1因蝕刻製程中的底切(undercut)而內縮，導致第一開口O1的部分側壁S1位於第二絕緣層130的底面120b與基板100的頂面100t之間。在一些實施例中，第二開口O2的部分側壁S3重疊於第二絕緣層130，且位於第二絕緣層130的頂面120t上。

在一些實施例中，第一開口O1的部分側壁S2與第二開口O2的部分側壁S4位於通孔TH的範圍內，且不重疊於第二絕緣層130。在本實施例中，第一開口O1的部分側壁S2與第二開口O2的部分側壁S4彼此不對齊，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一開口O1的部分側壁S2與第二開口O2的部分側壁S4彼此對齊。

在本實施例中，第三絕緣層140的部分142重疊於第一絕緣層120的部分122，且位於第二絕緣層130的通孔TH的底部。第三絕緣層140的部分142接觸第一絕緣層120的部分122。第三絕緣層140的另一部分144重疊於第一絕緣層120的另一部分124，且兩者通過第二絕緣層130而彼此分離。

第二電極E2位於第三絕緣層140上，且填入第三絕緣層140的至少兩個第二開口O2、第二絕緣層130的通孔TH以及 第一絕緣層120的至少兩個第一開口O1中，並連接位於第一開口O1底部的第一電極E1。

第二電極E2的材料包括金屬(例如鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅、鎳、上述金屬的合金或上述金屬的組合)、金屬氧化物(例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其他合適的氧化物或者是上述金屬氧化物的組合)、金屬氮化物或其他導電材料。在一些實施例中，第二電極E2具有單層結構或多層結構。

在一些實施例中，由於第一開口O1的部分側壁S1具有底切問題，第二電極E2在靠近第一開口O1的部分側壁S1處可能會出現斷裂。然而，由於第一開口O1並非所有的側壁都會產生底切問題，如第一開口O1的部分側壁S2不容易有底切問題。因此，第二電極E2可以輕易的沿著第一開口O1的部分側壁S2延伸至第一電極E1。在其他實施例中，第二電極E2沒有在部分側壁S1的底切處斷裂。

在一些實施例中，畫素結構10A適用於液晶顯示裝置。舉例來說，畫素結構10A還包括共用電極(未繪出)以及液晶層(未繪出)。液晶層中的液晶分子可藉由第二電極E2與共用電極之間的電場來控制。在這種情況下，第二電極E2也可稱為畫素電極。

圖2A至圖2F是圖1B的畫素結構10A的製造方法的各 個階段的剖面示意圖。請參考圖2A，形成薄膜電晶體T、介電層110以及第一電極E1於基板100上。在一些實施例中，形成第一電極E1的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積、電鍍、濺鍍、無電電鍍或其他製程。

請參考圖2B，形成第一絕緣層120於薄膜電晶體T以及第一電極E1上。在一些實施例中，形成第一絕緣層120的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積或其他合適的方法。

請參考圖2C，形成第二絕緣層130於第一絕緣層120上。在一些實施例中，利用塗佈製程或其他合適的製程形成第二絕緣層130於第一絕緣層120上。於第二絕緣層130中形成重疊於第一電極E1的通孔TH，且通孔TH暴露出第一絕緣層120。舉例來說，通過微影製程形成通孔TH。

請參考圖2D，形成第三絕緣層140於第二絕緣層130上以及通孔TH中。在一些實施例中，形成第三絕緣層140的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積或其他合適的方法。

請參考圖2E，形成光阻圖案AZ於第三絕緣層140上。在本實施例中，光阻圖案AZ包括至少兩個開口AO，至少兩個開口AO皆重疊於第一電極E1。

請參考圖2F，以光阻圖案AZ為遮罩執行蝕刻製程。蝕刻製程例如為濕蝕刻製程或乾蝕刻製程。乾蝕刻製程例如為反應 離子蝕刻(Reactive-Ion Etching，RIE)製程。

利用蝕刻製程蝕刻第一絕緣層120以及第三絕緣層140，以於第一絕緣層120中形成至少部分重疊於通孔TH的至少兩個第一開口O1，且於第三絕緣層140中形成分別重疊於至少兩個第一開口O1的至少兩個第二開口O2。在本實施例中，通過同一個蝕刻製程蝕刻第一絕緣層120以及第三絕緣層140。

最後回到圖1B，形成第二電極E2於第一開口O1、第二開口O2以及通孔TH中，以連接第一電極E1。

在本實施例中，由於形成了重疊於通孔TH的多個第一開口O1以及多個第二開口O2，可以提升第二電極E2與第一電極E1之間電性(例如耐電流、電阻等特性)的穩定性。舉例來說，若光阻圖案AZ(請參考圖2E)因製程誤差而往左邊偏移，將在後續的製程中導致左邊的第一開口O1以及第二開口O2重疊於通孔TH的面積減少。然而，右邊的第一開口O1以及第二開口O2也會同時往左偏移，使得其重疊於通孔TH的面積增加，並補償前述減少的面積。基於此，可以使第二電極E2與第一電極E1之間的接觸面積不容易因為製程誤差而產生變化，藉此提高電性的穩定性。

圖3A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構10B的局部上視示意圖，其中圖3A顯示了畫素結構10B的第一電極E1、第一開口O1、通孔TH以及第二開口O2，並省略繪示其他結構。圖3B與圖3C分別是沿著圖3A的線C-C’以及線D-D’的 剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3A至圖3C的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖3A至圖3C，第一電極E1包含平台部SP以及連接部CP。平台部SP通過連接部CP而連接至其他訊號線或薄膜電晶體(例如圖1A的薄膜電晶體T)。平台部SP可以為任意幾何形狀。在本實施例中，平台部SP為圓角矩形，但本發明不以此為限。在其他實施例中，平台部SP為圓形、直角矩形或其他幾何形狀。

第二絕緣層130的通孔TH重疊於第一電極E1的平台部SP。在本實施例中，在第一方向D1上，通孔TH的寬度W2大於平台部SP的寬度W1。在其他實施例中，通孔TH的寬度W2小於或等於平台部SP的寬度W1。在本實施例中，寬度W2為通孔TH的最大寬度，且寬度W1為平台部SP的最大寬度。在本實施例中，通孔TH為圓角矩形，但本發明不以此為限。在其他實施例中，通孔TH為圓形、直角矩形或其他幾何形狀。

第一絕緣層120的兩個第一開口O1分別對應於平台部SP(以及通孔TH)的相對兩個角落。在本實施例中，第一開口O1暴露出部分的介電層110的頂面。在一些實施例中，在第一方向D1上，兩個第一開口O1之間的距離X1小於通孔TH的寬度W2。在本實施例中，距離X1為兩個第一開口O1之間的最短 距離。在一些實施例中，在第一方向D1上，兩個第一開口O1之間的相反兩側的最長距離X3大於通孔TH的寬度W2。

第三絕緣層140的兩個第二開口O2分別對應於平台部SP(以及通孔TH)的相對兩個角落。第三絕緣層140的兩個第二開口O2分別重疊於兩個第一開口O1。在一些實施例中，在第一方向D1上，兩個第二開口O2之間的距離X2小於通孔TH的寬度W2。在本實施例中，距離X2為兩個第二開口O2之間的最短距離。在一些實施例中，在第一方向D1上，兩個第二開口O2之間的相反兩側的最長距離X4大於通孔TH的寬度W2。

在一些實施例中，第一開口O1各自的最大寬度Z1小於第二開口O2各自的最大寬度Z2。在一些實施例中，寬度Z1的方向不同於寬度Z2的方向。

圖4A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構10C的局部上視示意圖，其中圖4A顯示了畫素結構10C的第一電極E1、第一開口O1、通孔TH以及第二開口O2，並省略繪示其他結構。圖4B與圖4C分別是沿著圖4A的線C-C’以及線D-D’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4A至圖4C的實施例沿用圖3A至圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖4A至圖4C的實施例與圖3A至圖3C的實施例的差異在於：在圖4A至圖4C的實施例中，通孔TH的寬度W2小於 平台部SP的寬度W1。

圖5是依照本發明的一實施例的一種畫素結構10D的局部上視示意圖，其中圖5顯示了畫素結構10D的第一電極E1、第一開口O1、通孔TH以及第二開口O2，並省略繪示其他結構。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖3A至圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖5的實施例與圖3A至圖3C的實施例的差異在於：在圖5的實施例中，在第一方向D1上，兩個第二開口O2各自的寬度Z2大於或等於通孔TH的寬度W2。在一些實施例中，寬度Z2為第二開口O2的最大寬度，且寬度W2為通孔TH的最大寬度。

圖6是依照本發明的一實施例的一種畫素結構10E的局部上視示意圖，其中圖6顯示了畫素結構10E的第一電極E1、第一開口O1、通孔TH以及第二開口O2，並省略繪示其他結構。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖3A至圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖6的實施例與圖3A至圖3C的實施例的差異在於：在圖6的實施例中，兩個第一開口O1分別重疊於平台部SP(以及 通孔TH)的相鄰兩個角落。在一些實施例中，在第二方向D2上，兩個第一開口O1之間的距離X1’小於通孔TH的寬度W2’。在本實施例中，距離X1’為兩個第一開口O1之間的最短距離。在一些實施例中，在第二方向D2上，兩個第一開口O1之間的相反兩側的最長距離X3’大於通孔TH的寬度W2’。

兩個第二開口O2分別對應於平台部SP(以及通孔TH)的相鄰兩個角落。兩個第二開口O2分別重疊於兩個第一開口O1。在一些實施例中，在第二方向D2上，兩個第二開口O2之間的距離X2’小於通孔TH的寬度W2’。在本實施例中，距離X2’為兩個第二開口O2之間的最短距離。在一些實施例中，在第二方向D2上，兩個第二開口O2之間的相反兩側的最長距離X4’大於通孔TH的寬度W2’。

圖7是依照本發明的一實施例的一種畫素結構10F的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖1A與圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

在本實施例中，畫素結構10F適用於發光二極體顯示裝置。在本實施例中，第二電極E2電性連接至發光二極體LD的其中一個電極CS1，而發光二極體LD的另一個電極CS2電性連接至訊號線E3。在一些實施例中，電極CS1以及電極CS2中的一者為發光二極體LD的陰極，而另一者為發光二極體LD的陽 極。在一些實施例中，第一電極E1電性連接至共用訊號線。在其他實施例中，第一電極E1電性連接至薄膜電晶體T，如圖8所示。

在本實施例中，雖然第一開口O1的部分側壁S1具有底切問題，但第二電極E2沒有在靠近第一開口O1的部分側壁S1處斷裂。

綜上所述，通過使第三絕緣層的至少兩個第二開口皆至少部分重疊於第二絕緣層的通孔，能避免製程偏移導致第一電極與第二電極之間的連接點電性不穩定的問題。

10A:畫素結構

100:基板

100t,120t:頂面

110:介電層

120:第一絕緣層

120b:底面

122,124,142,144:部分

130:第二絕緣層

140:第三絕緣層

E1:第一電極

E2:第二電極

G:閘極

O1:第一開口

O2:第二開口

S1,S2,S3,S4:部分側壁

SD1:第一源極/汲極

SD2:第二源極/汲極

SM:半導體層

T:薄膜電晶體

TH:通孔

Claims (10)

1. 一種畫素結構，包括： 一基板； 一第一電極，位於該基板之上； 一第一絕緣層，位於該第一電極上，且包括至少兩個第一開口，其中該至少兩個第一開口皆至少部分重疊於該第一電極； 一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上，且具有重疊於該至少兩個第一開口的一通孔； 一第三絕緣層，位於該第二絕緣層上，且包括至少兩個第二開口，其中該至少兩個第二開口分別重疊於該至少兩個第一開口，且該至少兩個第二開口皆至少部分重疊於該通孔；以及 一第二電極，填入該至少兩個第一開口、該至少兩個第二開口以及該通孔中，並連接該第一電極。
2. 如請求項1所述的畫素結構，其中該第三絕緣層的一部分以及該第一絕緣層的一部分位於該第二絕緣層的該通孔的底部，且該第三絕緣層的該部分接觸該第一絕緣層的該部分。
3. 如請求項1所述的畫素結構，其中該至少兩個第一開口之間的最短距離小於該通孔的最大寬度。
4. 如請求項1所述的畫素結構，其中該第一電極電性連接至一薄膜電晶體的源極或汲極。
5. 如請求項1所述的畫素結構，其中該第一絕緣層與該第三絕緣層包括無機材料，且該第二絕緣層包括有機材料。
6. 如請求項1所述的畫素結構，其中該至少兩個第一開口的部分側壁位於該第二絕緣層的底面與該基板的頂面之間。
7. 如請求項1所述的畫素結構，其中該至少兩個第一開口各自的最大寬度小於該至少兩個第二開口各自的最大寬度。
8. 如請求項1所述的畫素結構，其中該至少兩個第二開口各自的最大寬度大於或等於該通孔的最大寬度。
9. 一種畫素結構的製造方法，包括： 形成一第一電極於一基板之上； 形成一第一絕緣層於該第一電極上； 形成一第二絕緣層於該第一絕緣層上； 於該第二絕緣層中形成重疊於該第一電極的一通孔，且該通孔暴露出該第一絕緣層； 形成一第三絕緣層於該第二絕緣層上以及該通孔中； 執行一蝕刻製程以蝕刻該第一絕緣層以及該第三絕緣層，以於該第一絕緣層中形成至少部分重疊於該通孔的至少兩個第一開口，且於該第三絕緣層中形成分別重疊於該至少兩個第一開口的至少兩個第二開口；以及 形成一第二電極於該至少兩個第一開口、該至少兩個第二開口以及該通孔中，且該第二電極連接該第一電極。
10. 如請求項9所述的製造方法，更包括： 形成一光阻圖案於該第二絕緣層上；以及 以該光阻圖案為遮罩執行該蝕刻製程，以形成該至少兩個第一開口以及該至少兩個第二開口。