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TWI803971B - 介電陶瓷組合物、多層陶瓷電容器及其形成方法 - Google Patents

介電陶瓷組合物、多層陶瓷電容器及其形成方法 Download PDF

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TWI803971B
TWI803971B TW110133751A TW110133751A TWI803971B TW I803971 B TWI803971 B TW I803971B TW 110133751 A TW110133751 A TW 110133751A TW 110133751 A TW110133751 A TW 110133751A TW I803971 B TWI803971 B TW I803971B
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漢錚 郭
阿比吉特 格拉夫
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美商基美電子公司
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Abstract

一種介電陶瓷組合物，包含主成分，該主成分包含由下式表示的氧化物：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d
其中限定了由U、X、Y、Z和M限定的元素及下標a、b、c、d、x、y、m、u和v。

Description

介電陶瓷組合物、多層陶瓷電容器及其形成方法
本申請主張於2020年9月10日遞交的申請號為63/076,444的係屬中的美國臨時申請案的優先權，藉由引用將該專利申請的內容併入本文中。本發明涉及改進的介電陶瓷，其在高溫下穩定、適用於低頻充電應用且具有提高的介電常數。
人們對電動車輛的日益接受給與電動車輛充電相關的基礎設施帶來了負擔。人們對實現快速充電的需求日益增長，而快速充電通常涉及以相對較低的頻率(例如，50-125KHz)運行的高功率電路。
充電站包括複雜的電路。電路功能的一關鍵性部件是基於電容。隨著功率的增大而頻率降低的趨勢，傳統電容器已被證實是限制充電站和一般充電環境進一步改進的部件。
在電容器中使用的介電陶瓷主要有兩類。一類是在本領域中被稱為C0G的介電陶瓷，由於其非常穩定的電容溫度係數(TCC，其是電容隨溫度變化的量度)而被廣泛用於高溫應用中。隨著溫度的升高，C0G介電質的電容變化很小，因此，它們被發現適用於高溫應用。不幸的是，C0G介電質通常具有非常低的介電常數，因此，不適用於低頻應用。
電容器中通常採用的另一類介電陶瓷在本領域中被稱為X7R，其具有較高的介電常數，但它們也具有高TCC，因此，不適用於高溫或可變溫度的應用中。包括TCC介電陶瓷的電容器的電容隨溫度變化，因此需要額外的部件來減輕溫度變化。正如人們所認識到的，任何能夠控制溫度的部件都需要能量來運行，採用這樣的裝置與使能耗最小化的努力背道而馳。
因此，由於缺乏基於合適的介電陶瓷的電容器，所屬技術領域中具有通常知識者在推進電動車輛充電基礎設施領域的能力方面受到限制。本發明提供一種介電陶瓷，在本領域中被稱為U2J或U2K介電陶瓷，其在低頻(如50-125KHz)時，在高達150℃的溫度下穩定，並且具有相對較高的介電常數。
本發明涉及一種改進的U2J或U2K介電陶瓷，其具有提高的溫度穩定性、相對較高的介電常數，並且可在相對較低的頻率下運行。
所述介電陶瓷的區別特徵是其適用於先進技術的電動車輛充電站。
這些和其他優點(將被認識到)提供於一種介電陶瓷組合物中，該介電陶瓷組合物包含一主成分，該主成分包含由下式表示的氧化物：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d
該氧化物選自由式I、式II、式III、式IV、式V、式VI和式VII組成的群組，其中：式I中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬(alkaline earth)；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽(carbonate)或氧化物； X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；0<c
Figure 110133751-A0305-02-0005-13
0.06；d=0；0
Figure 110133751-A0305-02-0005-14
x
Figure 110133751-A0305-02-0005-15
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0005-16
y
Figure 110133751-A0305-02-0005-17
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0005-18
u<0.8；0
Figure 110133751-A0305-02-0005-19
v
Figure 110133751-A0305-02-0005-21
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0005-22
m
Figure 110133751-A0305-02-0005-23
1.02；式II中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素(rare-earth element)；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0005-27
x
Figure 110133751-A0305-02-0005-26
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0005-28
y
Figure 110133751-A0305-02-0005-29
1；0.03<u
Figure 110133751-A0305-02-0005-30
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0005-31
v
Figure 110133751-A0305-02-0005-32
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0005-33
m
Figure 110133751-A0305-02-0005-34
1.02；式III中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素； 0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.02；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-35
x
Figure 110133751-A0305-02-0006-36
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-37
y
Figure 110133751-A0305-02-0006-38
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-39
u
Figure 110133751-A0305-02-0006-40
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-41
v
Figure 110133751-A0305-02-0006-43
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0006-44
m
Figure 110133751-A0305-02-0006-45
1.02；式IV中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-46
x
Figure 110133751-A0305-02-0006-47
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-48
y
Figure 110133751-A0305-02-0006-49
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-50
u
Figure 110133751-A0305-02-0006-51
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-52
v
Figure 110133751-A0305-02-0006-53
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0006-54
m
Figure 110133751-A0305-02-0006-55
1.02；式V中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-56
x
Figure 110133751-A0305-02-0006-57
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-58
y
Figure 110133751-A0305-02-0006-59
1；0.1<u<0.55；0
Figure 110133751-A0305-02-0006-60
v
Figure 110133751-A0305-02-0006-61
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0006-62
m
Figure 110133751-A0305-02-0006-63
1.02；式VI中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬； U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0.015<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0007-64
x
Figure 110133751-A0305-02-0007-65
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0007-66
y
Figure 110133751-A0305-02-0007-67
1；0.1<u<0.55；0
Figure 110133751-A0305-02-0007-68
v
Figure 110133751-A0305-02-0007-69
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0007-70
m
Figure 110133751-A0305-02-0007-71
1.02；式VII中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；Z包括選自由Y、Sc、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；0<c
Figure 110133751-A0305-02-0007-72
0.06；0<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0007-73
x
Figure 110133751-A0305-02-0007-74
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0007-75
y
Figure 110133751-A0305-02-0007-76
1；0.1<u<0.8；0
Figure 110133751-A0305-02-0007-77
v
Figure 110133751-A0305-02-0007-78
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0007-79
m
Figure 110133751-A0305-02-0007-80
1.02。
1:多層陶瓷電容器
2:內部介電陶瓷
3a:第一內電極
3b:第二內電極
4a:上介電陶瓷
4b:下介電陶瓷
5a:第一外部端子
5b:第二外部端子
10,12,14,16,18,20,22,24,26:過程
圖1為本發明一實施例的示意性截面圖。
圖2為本發明一實施例的流程圖。
本發明公開了一種不可還原的介電陶瓷組合物，其可在還原性環境中與使用卑金屬(例如，Ni和鎳合金)的共燒內電極(co-firing internal electrode)相容。該介電陶瓷組合物在較寬的溫度範圍內具有良好的電容溫度特性。具體而言，由本發明的介電陶瓷組合物製成的多層陶瓷電容器可在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃內的電容溫度係數。
本發明提供一種由多個層壓的陶瓷層和多個內電極層形成的多層陶瓷電容器裝置，其中，陶瓷層和內電極層交替堆疊。該些陶瓷層由本發明所公開的介電陶瓷組合物製成，該些內電極層由主要含有卑金屬(如Ni等)的導電漿料(conductive paste)製成。得到的多層陶瓷電容器在低氧分壓下共燒後，在-55℃至150℃的溫度範圍內的電容溫度係數在±1000ppm/℃以內。
本文提供了一種特別適用於I類陶瓷電容器的介電陶瓷組合物。該介電陶瓷組合物包含至少一主成分(main component)，該主成分含有基於AmBO3分子式的複合氧化物(compound oxide)的主成分，並摻雜有多種副成分(subcomponents)，其中，A為選自由Ca、Sr、Ba和Mg組成的群組中的至少一種元素；B為選自由Zr、Ti和Hf組成的群組中的至少一種元素；並且，0.98
Figure 110133751-A0305-02-0008-81
m
Figure 110133751-A0305-02-0008-82
1.02。該介電陶瓷組合物可以與包含卑金屬的內電極在還原性環境中共燒。包含該介電陶瓷組合物的多層陶瓷電容器在-55℃至150℃的溫度範圍內表現出在±1000ppm/℃以內的電容溫度特性。
所述介電陶瓷為由下式限定的一不可還原性氧化物(nonreducible oxide)：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d GF-1
其選自由式I、式II、式III、式IV、式V、式VI和式VII組成的群組。
參照GF-1，式I由如下組合物限定，其中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；U較佳為Mn；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；X較佳為Si；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；Y較佳為W；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；0<c
Figure 110133751-A0305-02-0009-83
0.06；d=0；0
Figure 110133751-A0305-02-0009-84
x
Figure 110133751-A0305-02-0009-85
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0009-86
y
Figure 110133751-A0305-02-0009-87
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0009-88
u<0.8；0
Figure 110133751-A0305-02-0009-89
v
Figure 110133751-A0305-02-0009-90
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0009-91
m
Figure 110133751-A0305-02-0009-92
1.02。
參照GF-1，式II由如下組合物限定，其中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；U較佳為Mn；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；X較佳為Si；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；Z較佳選自由Ce、Eu、Gd、Tb和Dy組成的群組；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0009-93
x
Figure 110133751-A0305-02-0009-94
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0009-95
y
Figure 110133751-A0305-02-0009-96
1；0.03<u
Figure 110133751-A0305-02-0009-97
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0009-98
v
Figure 110133751-A0305-02-0009-100
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0009-101
m
Figure 110133751-A0305-02-0009-102
1.02。
參照GF-1，式III由如下的組合物限定，其中： M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；U較佳為Mn；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；X較佳為Si；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；Z較佳選自由Pr、Eu、Gd、Tb和Dy組成的群組；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.02；0
Figure 110133751-A0305-02-0010-103
x
Figure 110133751-A0305-02-0010-104
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0010-105
y
Figure 110133751-A0305-02-0010-106
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0010-107
u
Figure 110133751-A0305-02-0010-108
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0010-109
v
Figure 110133751-A0305-02-0010-110
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0010-113
m
Figure 110133751-A0305-02-0010-114
1.02。
參照GF-1，式IV由如下的組合物限定，其中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；U較佳為Mn；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；X較佳為Si；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；Z較佳選自由Nd、Eu、Gd和Tb組成的群組；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0010-125
x
Figure 110133751-A0305-02-0010-116
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0010-117
y
Figure 110133751-A0305-02-0010-118
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0010-119
u
Figure 110133751-A0305-02-0010-120
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0010-121
v
Figure 110133751-A0305-02-0010-122
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0010-123
m
Figure 110133751-A0305-02-0010-124
1.02。
參照GF-1，式V由如下的組合物限定，其中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種 第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；U較佳為Mn；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；X較佳為Si；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；Z較佳選自由Eu、Gd、Tb和Dy組成的群組；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0011-126
x
Figure 110133751-A0305-02-0011-127
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0011-128
y
Figure 110133751-A0305-02-0011-129
1；0.1<u<0.55；0
Figure 110133751-A0305-02-0011-130
v
Figure 110133751-A0305-02-0011-417
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0011-132
m
Figure 110133751-A0305-02-0011-133
1.02。
參照GF-1，式VI由如下的組合物限定，其中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；U較佳為Mn；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；X較佳為Si；Z包括選自由Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；Z較佳選自由Y、Eu、Gd、Tb和Dy組成的群組；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0.015<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0011-134
x
Figure 110133751-A0305-02-0011-135
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0011-136
y
Figure 110133751-A0305-02-0011-137
1；0.1<u<0.55；0
Figure 110133751-A0305-02-0011-138
v
Figure 110133751-A0305-02-0011-139
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0011-140
m
Figure 110133751-A0305-02-0011-141
1.02。
參照GF-1，式VII由如下的組合物限定，其中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；U較佳為Mn；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；X較佳為Si； Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；Y較佳為W；Z包括選自由Y、Sc、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；Z較佳為Y；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；0<c
Figure 110133751-A0305-02-0012-142
0.06；0<d<0.06；0
Figure 110133751-A0305-02-0012-143
x
Figure 110133751-A0305-02-0012-144
1；0
Figure 110133751-A0305-02-0012-145
y
Figure 110133751-A0305-02-0012-146
1；0.1<u<0.8；0
Figure 110133751-A0305-02-0012-147
v
Figure 110133751-A0305-02-0012-148
0.2；且0.98
Figure 110133751-A0305-02-0012-149
m
Figure 110133751-A0305-02-0012-150
1.02。
下面將參照附圖對本發明進行說明，附圖是為使本發明清楚而提供的本說明書的組成但非限制性的部分。
現在參照圖1對本發明的一實施例進行說明，該圖以示意性截面圖示出了多層陶瓷電容器(multilayered ceramic capacitor，MLCC)。在圖1中，MLCC1包括與外部端子5電接觸的內電極3。第一內電極3a與第一外部端子5a和第二內電極3b電接觸，並且，與第二外部端子5b電接觸。每組內電極提供所屬技術領域中具有通常知識者已知的電容耦合(capacitive couple)。該些內電極由本發明的內部介電陶瓷2與電容耦合外部的上介電陶瓷4a和下介電陶瓷4b隔開。所述內部介電陶瓷、上介電陶瓷和下介電陶瓷可以相同，也可以不同。在較佳實施例中，所述內部介電陶瓷、上介電陶瓷和下介電陶瓷相同，較佳為本發明的介電陶瓷。在較佳實施例中，所述內電極包括卑金屬，例如，鎳，並且，電容器在還原性環境中被燒製。更佳地，鎳或鎳合金作為一卑金屬。
現參照圖2說明用於形成MLCC的過程，在該圖中，該過程以流程圖示出。參照圖2，在10處，形成介電陶瓷，較佳藉由本領域公知的固態合成法(solid state synthetic methods)形成介電陶瓷。在12處，形成陶瓷漿料(ceramic slip)，其中，該陶瓷漿料包含上述介電陶瓷。陶瓷漿料是一種可成形(formable)材料。陶瓷漿料通常包含有機載體等，以允許將陶瓷漿料塗覆到一基材上。在14處，在一基材上形成陶瓷漿料的塗層。該基材沒有特別限制，因為它不會成 為成品的一部分。聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)由於成本和可用性等因素而廣泛用於本領域中，並且適於說明本發明。形成塗層的方法沒有特別限制，除了較佳為適於形成一致厚度的塗層的那些方法。刮刀法(doctor blade methods)被廣泛使用並且適用於說明本發明。在16處，乾燥陶瓷漿料。在18處，藉由將導電油墨的電極圖案印刷到乾燥的陶瓷漿料上來形成內電極。該導電油墨較佳包含卑金屬，較佳為鎳或鎳合金。在20處，形成堆疊物(stack)，其中，該堆疊物包括陶瓷前驅物層，無需印刷，以形成電容耦合外部的介電陶瓷層。然後，將包括印刷電極圖案的層依次層疊，其中，相鄰層偏置(offset)，使得交替的印刷電極圖案對齊(registration)。施加另外的沒有印刷的層以形成位於電容耦合外部的相對的介電陶瓷。在22處，壓製和加熱該層狀結構以形成一層壓製品。在24處，對該層壓製品進行分割，以形成生晶片(green chips)。在26處，如本領域已知的那樣對生晶片進行燒結和封端，以形成一電容器。
形成內部電極層的導體較佳為一卑金屬。典型的卑金屬是鎳和鎳合金。較佳的鎳合金是鎳與選自Mn、Cr、Co和Al中的至少一種的合金，更佳地這類鎳合金含有至少95wt%鎳。鎳和鎳合金可含有多達約0.1wt%的磷和其他痕量成分(trace components)。其他導體可用作內電極，例如，銅、貴金屬或它們的合金，更佳的貴金屬選自鈀和銀。應當理解，對於含銅或貴金屬的內電極，較佳為較低溫度的燒製。
實例
根據本領域公知的標準合成程序製備一系列陶瓷組合物。總的來說，將金屬鹽按預期介電陶瓷的化學計量比(stoichiometric ratio)進行混合，並將混合物加熱以形成介電陶瓷。
實例1
藉由將分子式為(Ca0.7Sr0.3)(Zr0.6Ti0.4)O3的基礎氧化物(base oxide)與MnCO3、SiO2和WO3混合來製備對應於式I的示例，其中，MnCO3、SiO2和WO3相對於1mol基礎氧化物的摩爾分數(mole fraction)如表1所示。
Figure 110133751-A0305-02-0014-1
實例2
藉由將分子式為(Ca0.7Sr0.3)(Zr0.6Ti0.4)O3的基礎氧化物與MnCO3、SiO2、CeO2、EuO3/2、GdO3/2、TbO7/4和DyO3/2混合來製備對應於式II的示例，其中，MnCO3、SiO2、CeO2、EuO3/2、GdO3/2、TbO7/4和DyO3/2相對於1mol基礎氧化物的摩爾分數如表2所示。
Figure 110133751-A0305-02-0014-2
實例3
藉由將分子式為(Ca0.7Sr0.3)(Zr0.6Ti0.4)O3的基礎氧化物與MnCO3、SiO2、PrO11/6、EuO3/2、GdO3/2、TbO7/4和DyO3/2混合來製備對應於式III的示例，其中，MnCO3、SiO2、PrO11/6、EuO3/2、GdO3/2、TbO7/4和DyO3/2的摩爾分數如表3所示。
Figure 110133751-A0305-02-0014-3
Figure 110133751-A0305-02-0015-4
實例4
藉由將分子式為(Ca0.7Sr0.3)(Zr0.6Ti0.4)O3的基礎氧化物與MnCO3、SiO2、NdO3/2、EuO3/2、GdO3/2和TbO7/4混合來製備對應於式IV的示例，其中，MnCO3、SiO2、NdO3/2、EuO3/2、GdO3/2和TbO7/4的摩爾分數如表4所示。
Figure 110133751-A0305-02-0015-5
實例5
藉由將分子式為(Ca0.7Sr0.3)(Zr0.6Ti0.4)O3的基礎氧化物與MnCO3、SiO2、EuO3/2、GdO3/2、TbO7/4和DyO3/2混合來製備對應於式V的示例，其中，MnCO3、SiO2、EuO3/2、GdO3/2、TbO7/4和DyO3/2的摩爾分數如表5所示。
Figure 110133751-A0305-02-0015-6
實例6
藉由將分子式為(Ca0.7Sr0.3)(Zr0.6Ti0.4)O3的基礎氧化物與MnCO3、SiO2、YO3/2、EuO3/2、GdO3/2、TbO7/4和DyO3/2混合來製備對應於式VI的示例，其中，MnCO3、SiO2、YO3/2、EuO3/2、GdO3/2、TbO7/4和DyO3/2的摩爾分數如表6 所示。
Figure 110133751-A0305-02-0016-7
實例7
藉由將分子式為(Ca0.7Sr0.3)(Zr0.6Ti0.4)O3的基礎氧化物與MnCO3、SiO2、WO3和YO3/2混合來製備對應於式VII的示例，其中，MnCO3、SiO2、WO3和YO3/2的摩爾分數如表7所示。
Figure 110133751-A0305-02-0016-8
製作MLCC的程序
在加入合適的有機添加劑的情況下將介電陶瓷粉末進行濕磨，以形成一陶瓷漿料。藉由使用刮刀法將陶瓷漿料鋪展到聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)載體膜上，使用流延成型製程(tape-casting process)形成陶瓷生片(ceramic green sheet)。乾燥後，使用包含卑金屬的導電油墨將內電極絲網印刷到該陶瓷生片上。為了說明本發明，使用鎳作為卑金屬。藉由本領域已知的堆疊製程(stacking process)形成生晶片(green chip)。
將多個沒有印刷電極的陶瓷生片作為底部覆蓋層進行堆疊。將多個帶有印刷電極的陶瓷生片沿交替方向層疊，以形成在相對端終止的交替電極。將沒有印刷電極的陶瓷生片作為頂部覆蓋層進行堆疊。然後，在20℃至120 ℃之間的溫度下對所得層疊體進行壓製，以提高所有堆疊層之間的黏合性。
在層壓之後，藉由切割(cutting)或切塊(dicing)分離形成各生晶片。將生晶片在大氣或弱還原性環境中於200℃至700℃的溫度下加熱0.1至100小時(hr)，以燒掉黏合劑；然後，在還原性環境(氧分壓在10-16atm至10-4atm之間)中於1100℃至1400℃之間的溫度下進行燒結。
在燒結之後，藉由在10-14atm至10-3atm的氧分壓下加熱至不超過1100℃的溫度可將再氧化步驟(reoxidation step)應用於所述晶片。從而，實現具有標準3.2mm×1.6mm尺寸的燒結晶片。
藉由滾筒(barrel)或噴砂(sand blasting)對燒結晶片進行倒角處理(corner rounding process)，以暴露形成在陶瓷燒結體兩端的內電極。隨後在兩端形成外部電極，其中，藉由在燒結晶片的兩端施用合適的銅膏，然後在氮氣或弱還原性環境中於600℃至1000℃之間的溫度下烘烤1分鐘(min)至60min形成銅端子。
在形成銅端子之後，藉由滾鍍法(barrel plating method)將鍍鎳層和鍍錫層或其他合適的焊料組合物鍍在銅端子上，以增強可焊性，並防止銅外部電極的氧化。結果得到由卑金屬電極和包含本發明介電陶瓷組合物的介電陶瓷層形成的多層陶瓷電容器。
電氣測量
在1kHz和AC 1V的條件下、-55℃至150℃的溫度範圍內，測量每種組合物的六個樣品的靜電電容(electrostatic capacitance)和介電損耗(dielectric loss)。根據如下等式計算電容溫度係數(TCC)：TCC(ppm/℃)=[(CT-C25)/C25]×[1/(T-25)]×106
其中，T為進行測量時的溫度，CT和C25分別為溫度T和25℃時的靜電電容。
在25℃下測量每種組合物的十個樣品的擊穿電壓(breakdown voltage，UVBD)。
在-55℃至150℃的溫度範圍內，在50V DC電壓下對每種組合物的六個樣品充電60秒後，測量絕緣電阻(Insulation resistance，IR)。對於在25℃下測得的絕緣電阻，1至100GOhms之間的值被給予“一般(fair)”評級，100至200GOhms之間為“良(good)”，大於200GOhms為“優(excellent)”。對於在125℃下測得的絕緣電阻，0.1至1GOhms之間的值被給予“一般”評級，1至2GOhms之間為“良”，大於2GOhms為“優”。對於在150℃下測得的絕緣電阻，10至200MOhms之間的值被給予“一般”評級，200到300MOhms之間為“良”，大於300MOhms為“優”。
藉由將電容器保持在140℃同時施加400V的DC電壓來測量每個電容器樣品的高加速壽命(Highly Accelerated Life Time，HALT)。藉由測量每個樣品的20個電容器的中值失效時間(MTTF)來表徵HALT。小於40h的MTTF值被給予圓形標記“○”，40h至80h之間的值被給予菱形標記“◇”，大於80h的值被給予方形標記“□”。
介電常數、損耗(%)、UVBD(V)和絕緣電阻示於表8中。電容變化溫度係數(temperature coefficient of capacitance change)和HALT結果示於表9中。
Figure 110133751-A0305-02-0018-9
Figure 110133751-A0305-02-0019-10
Figure 110133751-A0305-02-0019-11
Figure 110133751-A0305-02-0020-12
上文中參照較佳實施例描述了本發明，但本發明並不限於這些實施例。所屬技術領域中具有通常知識者將認識到在所附申請專利範圍中描述和給出的其他實施例。
1:多層陶瓷電容器
2:內部介電陶瓷
3a:第一內電極
3b:第二內電極
4a:上介電陶瓷
4b:下介電陶瓷
5a:第一外部端子
5b:第二外部端子

Claims (38)

  1. 一種介電陶瓷組合物，包含：一主成分，該主成分包含由下式表示的氧化物：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d該氧化物選自由式I、式II、式III、式IV、式V、式VI和式VII組成的群組中之任一者，其中：式I中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；0<c
    Figure 110133751-A0305-02-0021-151
    0.06；d=0；0
    Figure 110133751-A0305-02-0021-152
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0021-153
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0021-154
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0021-155
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0021-156
    u<0.8；0
    Figure 110133751-A0305-02-0021-157
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0021-158
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0021-159
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0021-160
    1.02；式II中： M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0022-161
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0022-162
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0022-163
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0022-164
    1；0.03<u
    Figure 110133751-A0305-02-0022-165
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0022-166
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0022-167
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0022-168
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0022-169
    1.02；式III中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素； 0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.02；0
    Figure 110133751-A0305-02-0023-170
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0023-171
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0023-172
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0023-173
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0023-174
    u
    Figure 110133751-A0305-02-0023-175
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0023-176
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0023-177
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0023-178
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0023-179
    1.02；式IV中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0023-180
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0023-181
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0023-182
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0023-183
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0023-184
    u
    Figure 110133751-A0305-02-0023-185
    1； 0
    Figure 110133751-A0305-02-0024-186
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0024-189
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0024-190
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0024-191
    1.02；式V中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0024-192
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0024-193
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0024-194
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0024-195
    1；0.1<u<0.55；0
    Figure 110133751-A0305-02-0024-196
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0024-197
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0024-198
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0024-199
    1.02；式VI中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的 至少一種元素的化合物；Z包括選自由Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0.015<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0025-415
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0025-416
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0025-200
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0025-201
    1；0.1<u<0.55；0
    Figure 110133751-A0305-02-0025-202
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0025-203
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0025-204
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0025-205
    1.02；式VII中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；Z包括選自由Y、Sc、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15； 0<c
    Figure 110133751-A0305-02-0026-206
    0.06；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0026-207
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0026-208
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0026-210
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0026-211
    1；0.1<u<0.8；0
    Figure 110133751-A0305-02-0026-212
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0026-213
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0026-214
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0026-215
    1.02；及其中，該介電陶瓷組合物在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃內的電容溫度特性。
  2. 一種介電陶瓷組合物，包含：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d其中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；0<c
    Figure 110133751-A0305-02-0026-418
    0.06；d=0；0
    Figure 110133751-A0305-02-0026-413
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0026-414
    1； 0
    Figure 110133751-A0305-02-0027-216
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0027-217
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0027-218
    u<0.8；0
    Figure 110133751-A0305-02-0027-219
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0027-220
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0027-221
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0027-222
    1.02；及其中，該介電陶瓷組合物在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃內的電容溫度特性。
  3. 如請求項2所述的介電陶瓷組合物，其中，U是Mn。
  4. 如請求項2所述的介電陶瓷組合物，其中，X是Si。
  5. 如請求項2所述的介電陶瓷組合物，其中，Y是W。
  6. 一種介電陶瓷組合物，包含：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d其中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0027-411
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0027-412
    1； 0
    Figure 110133751-A0305-02-0028-223
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0028-224
    1；0.03<u
    Figure 110133751-A0305-02-0028-225
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0028-226
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0028-227
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0028-228
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0028-229
    1.02；及其中該介電陶瓷組合物在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃內的電容溫度特性。
  7. 如請求項6所述的介電陶瓷組合物，其中，M是Ba。
  8. 如請求項6所述的介電陶瓷組合物，其中，U是Mn。
  9. 如請求項6所述的介電陶瓷組合物，其中，X是Si。
  10. 如請求項6所述的介電陶瓷組合物，其中，Z選自由Ce、Eu、Gd、Tb和Dy組成的群組中之任一者。
  11. 一種介電陶瓷組合物，包含：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d其中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0； 0<d<0.02；0
    Figure 110133751-A0305-02-0029-230
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0029-231
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0029-232
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0029-233
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0029-234
    u
    Figure 110133751-A0305-02-0029-235
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0029-237
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0029-238
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0029-239
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0029-240
    1.02；及其中，該介電陶瓷組合物在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃內的電容溫度特性。
  12. 如請求項11所述的介電陶瓷組合物，其中，M是Ba。
  13. 如請求項11所述的介電陶瓷組合物，其中，U是Mn。
  14. 如請求項11所述的介電陶瓷組合物，其中，X是Si。
  15. 如請求項11所述的介電陶瓷組合物，其中，Z選自由Pr、Eu、Gd、Tb和Dy組成的群組中之任一者。
  16. 一種介電陶瓷組合物，包含：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d其中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06； 0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0030-241
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0030-242
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0030-243
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0030-244
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0030-245
    u
    Figure 110133751-A0305-02-0030-246
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0030-247
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0030-419
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0030-251
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0030-252
    1.02；及其中，該介電陶瓷組合物在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃內的電容溫度特性。
  17. 如請求項16所述的介電陶瓷組合物，其中，M是Ba。
  18. 如請求項16所述的介電陶瓷組合物，其中，U是Mn。
  19. 如請求項16所述的介電陶瓷組合物，其中，X是Si。
  20. 如請求項16所述的介電陶瓷組合物，其中，Z選自由Nd、Eu、Gd和Tb組成的群組中之任一者。
  21. 一種介電陶瓷組合物，包含：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d其中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、 Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0031-253
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0031-254
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0031-255
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0031-256
    1；0.1<u<0.55；0
    Figure 110133751-A0305-02-0031-257
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0031-258
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0031-259
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0031-260
    1.02；及其中，該介電陶瓷組合物在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃內的電容溫度特性。
  22. 如請求項21所述的介電陶瓷組合物，其中，M是Ba。
  23. 如請求項21所述的介電陶瓷組合物，其中，U是Mn。
  24. 如請求項21所述的介電陶瓷組合物，其中，X是Si。
  25. 如請求項21所述的介電陶瓷組合物，其中，Z選自由Eu、Gd、Tb和Dy組成的群組中之任一者。
  26. 一種介電陶瓷組合物，包含：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d其中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的 至少一種元素的化合物；Z包括選自由Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0.015<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0032-420
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0032-421
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0032-261
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0032-262
    1；0.1<u<0.55；0
    Figure 110133751-A0305-02-0032-263
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0032-264
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0032-265
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0032-266
    1.02；及其中，該介電陶瓷組合物在-55℃至150℃的溫度範圍內具有±1000ppm/℃以內的電容溫度特性。
  27. 如請求項26所述的介電陶瓷組合物，其中，M是Ba。
  28. 如請求項26所述的介電陶瓷組合物，其中，U是Mn。
  29. 如請求項26所述的介電陶瓷組合物，其中，X是Si。
  30. 如請求項26所述的介電陶瓷組合物，其中，Z選自由Y、Eu、Gd、Tb和Dy組成的群組中之任一者。
  31. 一種介電陶瓷組合物，包含：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d其中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種 第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；Z包括選自由Y、Sc、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；0<c
    Figure 110133751-A0305-02-0033-268
    0.06；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0033-269
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0033-270
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0033-271
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0033-272
    1；0.1<u<0.8；0
    Figure 110133751-A0305-02-0033-273
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0033-274
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0033-275
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0033-276
    1.02；及其中，該介電陶瓷組合物在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃內的電容溫度特性。
  32. 如請求項31所述的介電陶瓷組合物，其中，M是Ba。
  33. 如請求項31所述的介電陶瓷組合物，其中，U是Mn。
  34. 如請求項31所述的介電陶瓷組合物，其中，X是Si。
  35. 如請求項31所述的介電陶瓷組合物，其中，Y是W。
  36. 如請求項31所述的介電陶瓷組合物，其中，Z是Y。
  37. 一種多層陶瓷電容器，包括： 交替堆疊的第一內電極和第二內電極，相鄰內電極之間有一介電陶瓷，其中，所述第一內電極終止於一第一外部端子，所述第二內電極終止於一第二外部端子，並且，所述介電陶瓷包含由下式表示的氧化物：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d，該氧化物選自由式I、式II、式III、式IV、式V、式VI和式VII組成的群組中之任一者，其中：式I中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；0<c
    Figure 110133751-A0305-02-0034-277
    0.06；d=0；0
    Figure 110133751-A0305-02-0034-278
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0034-279
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0034-280
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0034-281
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0034-282
    u<0.8；0
    Figure 110133751-A0305-02-0034-283
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0034-284
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0034-287
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0034-286
    1.02；式II中： M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0035-288
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0035-289
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0035-290
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0035-291
    1；0.03<u
    Figure 110133751-A0305-02-0035-292
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0035-293
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0035-422
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0035-295
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0035-296
    1.02；式III中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素； 0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.02；0
    Figure 110133751-A0305-02-0036-297
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0036-298
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0036-299
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0036-300
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0036-301
    u
    Figure 110133751-A0305-02-0036-302
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0036-303
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0036-304
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0036-305
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0036-306
    1.02；式IV中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0036-309
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0036-308
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0036-310
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0036-311
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0036-312
    u
    Figure 110133751-A0305-02-0036-313
    1； 0
    Figure 110133751-A0305-02-0037-314
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0037-316
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0037-317
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0037-318
    1.02；式V中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0037-319
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0037-320
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0037-321
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0037-322
    1；0.1<u<0.55；0
    Figure 110133751-A0305-02-0037-323
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0037-325
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0037-326
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0037-327
    1.02；式VI中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的 至少一種元素的化合物；Z包括選自由Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0.015<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0038-423
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0038-424
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0038-328
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0038-329
    1；0.1<u<0.55；0
    Figure 110133751-A0305-02-0038-330
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0038-331
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0038-332
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0038-333
    1.02；式VII中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；Z包括選自由Y、Sc、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15； 0<c
    Figure 110133751-A0305-02-0039-334
    0.06；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0039-335
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0039-336
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0039-337
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0039-338
    1；0.1<u<0.8；0
    Figure 110133751-A0305-02-0039-339
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0039-340
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0039-341
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0039-342
    1.02；及其中，該多層陶瓷電容器在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃內的電容溫度特性。
  38. 一種形成多層陶瓷電容器的方法，包括：形成一介電陶瓷，該介電陶瓷包含由下式表示的氧化物：UaXbYcZd((Ca1-x-ySrxMy)m(Zr1-u-vTiuHfv)O3)1-a-b-c-d，該氧化物選自由式I、式II、式III、式IV、式V、式VI和式VII組成的群組中之任一者，其中：式I中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；0<a<0.06；0.0001<b<0.15； 0<c
    Figure 110133751-A0305-02-0040-343
    0.06；d=0；0
    Figure 110133751-A0305-02-0040-344
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0040-345
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0040-346
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0040-347
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0040-348
    u<0.8；0
    Figure 110133751-A0305-02-0040-349
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0040-351
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0040-354
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0040-353
    1.02；式II中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0040-355
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0040-356
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0040-357
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0040-358
    1；0.03<u
    Figure 110133751-A0305-02-0040-359
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0040-360
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0040-361
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0040-364
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0040-363
    1.02； 式III中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.02；0
    Figure 110133751-A0305-02-0041-365
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0041-366
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0041-367
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0041-368
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0041-369
    u
    Figure 110133751-A0305-02-0041-370
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0041-371
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0041-373
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0041-374
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0041-375
    1.02；式IV中：M是Ba；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn和Cr組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb 和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0042-376
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0042-377
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0042-378
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0042-379
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0042-380
    u
    Figure 110133751-A0305-02-0042-381
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0042-382
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0042-383
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0042-384
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0042-385
    1.02；式V中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0042-386
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0042-387
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0042-388
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0042-389
    1；0.1<u<0.55； 0
    Figure 110133751-A0305-02-0043-390
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0043-391
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0043-392
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0043-393
    1.02；式VI中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的至少一種元素的化合物；Z包括選自由Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；c=0；0.015<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0043-394
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0043-395
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0043-396
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0043-397
    1；0.1<u<0.55；0
    Figure 110133751-A0305-02-0043-398
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0043-399
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0043-400
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0043-401
    1.02；式VII中：M是選自由Ba和Mg組成的群組中的至少一種鹼土金屬；U包括選自由Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al組成的群組中的至少一種第一過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；X包括至少一種如下的燒結助劑：其包括選自由Li、B和Si組成的群組中的 至少一種元素的化合物；Y包括選自由W、Ta和Mo組成的群組中的至少一種第二過渡金屬的碳酸鹽或氧化物；Z包括選自由Y、Sc、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的群組中的至少一種稀土元素；0<a<0.06；0.0001<b<0.15；0<c
    Figure 110133751-A0305-02-0044-402
    0.06；0<d<0.06；0
    Figure 110133751-A0305-02-0044-403
    x
    Figure 110133751-A0305-02-0044-404
    1；0
    Figure 110133751-A0305-02-0044-405
    y
    Figure 110133751-A0305-02-0044-406
    1；0.1<u<0.8；0
    Figure 110133751-A0305-02-0044-407
    v
    Figure 110133751-A0305-02-0044-408
    0.2；且0.98
    Figure 110133751-A0305-02-0044-409
    m
    Figure 110133751-A0305-02-0044-410
    1.02；形成包含所述介電陶瓷的一陶瓷漿料；在一基材上形成所述陶瓷漿料的一塗層；在所述塗層上印刷導電油墨的一圖案，以形成一印刷塗層；形成包括所述印刷塗層的一堆疊物，其中，相鄰印刷塗層偏置，並且，交替的印刷塗層對齊；形成所述堆疊物的一層壓製品；將所述層壓製品分成生晶片；對所述生晶片進行燒結；及對燒結後的所述生晶片進行封端；及其中，該多層陶瓷電容器在-55℃至150℃的溫度範圍內具有在±1000ppm/℃ 內的電容溫度特性。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11621126B2 (en) * 2020-09-10 2023-04-04 Kemet Electronics Corporation Resonant multilayer ceramic capacitors
JP2023162775A (ja) * 2022-04-27 2023-11-09 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品、回路基板、および積層セラミック電子部品の製造方法
KR20250074931A (ko) * 2023-11-21 2025-05-28 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335302B1 (en) * 1999-01-14 2002-01-01 Tdk Corporation Dielectric composition and ceramic capacitor using the same
CN101456731A (zh) * 2007-10-22 2009-06-17 凯米特电子公司 C0g多层陶瓷电容器
TW201439029A (zh) * 2013-04-01 2014-10-16 Walsin Technology Corp 介電陶瓷材料組成物及包含有該介電陶瓷材料組成物之積層陶瓷電容器
CN106747417A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 天津大学 一种ltcc低频介质陶瓷电容器材料及其制备方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53162349U (zh) * 1977-05-27 1978-12-19
JPH06349666A (ja) * 1993-06-02 1994-12-22 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JPH07297072A (ja) * 1994-04-25 1995-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
US5978204A (en) * 1995-11-27 1999-11-02 Maxwell Energy Products, Inc. Capacitor with dual element electrode plates
JPH1097947A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Taiyo Yuden Co Ltd 積層コンデンサ
JP2997236B2 (ja) * 1997-03-31 2000-01-11 ティーディーケイ株式会社 非還元性誘電体磁器材料
JP3334607B2 (ja) * 1998-05-12 2002-10-15 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ
JP3567759B2 (ja) * 1998-09-28 2004-09-22 株式会社村田製作所 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
DE10043882B4 (de) * 1999-09-07 2009-11-05 Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithisches Keramikbauteil
JP2001220229A (ja) * 2000-02-09 2001-08-14 Tdk Corp 誘電体磁器組成物、電子部品および電子部品の製造方法
US6627570B2 (en) * 2000-02-09 2003-09-30 Tdk Corporation Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same
US6572793B2 (en) * 2000-03-30 2003-06-03 Tdk Corporation Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device
JP2001284197A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品のスクリーニング方法
JP3698953B2 (ja) * 2000-03-31 2005-09-21 三星電機株式会社 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法
TW492017B (en) * 2000-06-29 2002-06-21 Tdk Corp Dielectrics porcelain composition and electronic parts
JP4111754B2 (ja) * 2001-06-11 2008-07-02 太陽誘電株式会社 セラミックコンデンサ及びその誘電体組成物並びにその製造方法
US6674321B1 (en) * 2001-10-31 2004-01-06 Agile Materials & Technologies, Inc. Circuit configuration for DC-biased capacitors
KR100444229B1 (ko) * 2001-12-27 2004-08-16 삼성전기주식회사 내환원성 유전체 자기 조성물
KR100444230B1 (ko) * 2001-12-27 2004-08-16 삼성전기주식회사 내환원성 유전체 자기 조성물
TW553920B (en) * 2002-01-31 2003-09-21 Eagle Advanced Ceramics Corp Dielectric composition for multi-layers ceramics capacitor
JP2005538582A (ja) * 2002-08-07 2005-12-15 ディアボーン・エレクトロニクス・インコーポレーテッド 改良型の電磁干渉フィルタ
KR100673878B1 (ko) * 2002-12-24 2007-01-25 티디케이가부시기가이샤 유전체 자기 조성물, 전자 부품 및 이들의 제조 방법
CN100383899C (zh) * 2003-01-30 2008-04-23 广东风华高新科技股份有限公司 高频多层片式陶瓷电容器的制造方法
JP4403705B2 (ja) * 2003-02-17 2010-01-27 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
JP4111006B2 (ja) * 2003-03-03 2008-07-02 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ
JP2005104770A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品
KR100568278B1 (ko) * 2003-11-11 2006-04-05 삼성전기주식회사 내환원성 유전체 자기조성물과 이를 이용한 적층세라믹콘덴서 및 그 제조방법
KR100533640B1 (ko) * 2004-02-25 2005-12-06 삼성전기주식회사 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극 페이스트용 공재, 이공재를 함유하는 적층 세라믹 콘덴서용 내부전극페이스트의 제조방법 및 적층 세라믹 콘덴서
CN100390099C (zh) * 2004-07-08 2008-05-28 株式会社村田制作所 介电陶瓷组合物和单片陶瓷电容器
WO2006067958A1 (ja) * 2004-12-24 2006-06-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
US20060229188A1 (en) * 2005-04-07 2006-10-12 Randall Michael S C0G multi-layered ceramic capacitor
WO2007005642A2 (en) * 2005-06-30 2007-01-11 Derochemont L Pierre Electrical components and method of manufacture
WO2009037922A1 (ja) * 2007-09-19 2009-03-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ
US7781358B2 (en) 2008-02-15 2010-08-24 Trs Technologies, Inc. Antiferroelectric multilayer ceramic capacitor
JP2011162397A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Tdk Corp 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法
US9472342B2 (en) * 2010-05-26 2016-10-18 Kemet Electronics Corporation Leadless multi-layered ceramic capacitor stacks
US10366836B2 (en) * 2010-05-26 2019-07-30 Kemet Electronics Corporation Electronic component structures with reduced microphonic noise
US20120113562A1 (en) * 2010-11-08 2012-05-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Dielectric composition having high dielectric constant, multi layered ceramic condensers comprising the same, and method of preparing for multi layered ceramic condensers
CN103125006B (zh) * 2011-02-23 2016-04-20 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器
WO2013148567A1 (en) * 2012-03-26 2013-10-03 Kemet Electronics Corporation Asymmetric high voltage capacitor
CN102964122A (zh) * 2012-11-23 2013-03-13 潮州三环（集团）股份有限公司 介电陶瓷组合物及其电子元器件制作方法
KR102183423B1 (ko) * 2014-12-08 2020-11-26 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR20170005646A (ko) * 2015-07-06 2017-01-16 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
JP6900157B2 (ja) * 2015-07-17 2021-07-07 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP6699471B2 (ja) * 2016-09-13 2020-05-27 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP6976053B2 (ja) * 2016-12-14 2021-12-01 Tdk株式会社 積層電子部品
US9799454B1 (en) * 2017-05-09 2017-10-24 Celem Passive Components Ltd. High power capacitor
KR101905143B1 (ko) * 2017-05-11 2018-10-08 한국과학기술원 비강유전 고유전체 및 그 제조방법
US10147544B1 (en) * 2017-05-22 2018-12-04 Kemet Electronics Corporation Multilayer ceramic capacitor structures for use at high power
JP7121797B2 (ja) * 2017-09-08 2022-08-18 ケメット エレクトロニクス コーポレーション 高密度マルチコンポーネント及びシリアルパッケージ
CN111433870B (zh) * 2017-10-02 2023-03-21 京瓷Avx元器件公司 高电容可调多层电容器和阵列
JP7358343B2 (ja) * 2017-10-03 2023-10-10 ファーストキャップ・システムズ・コーポレイション チップ形ウルトラキャパシタ
KR102166129B1 (ko) * 2018-09-06 2020-10-15 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
JP7318611B2 (ja) * 2020-08-20 2023-08-01 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
US11621126B2 (en) * 2020-09-10 2023-04-04 Kemet Electronics Corporation Resonant multilayer ceramic capacitors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335302B1 (en) * 1999-01-14 2002-01-01 Tdk Corporation Dielectric composition and ceramic capacitor using the same
CN101456731A (zh) * 2007-10-22 2009-06-17 凯米特电子公司 C0g多层陶瓷电容器
TW201439029A (zh) * 2013-04-01 2014-10-16 Walsin Technology Corp 介電陶瓷材料組成物及包含有該介電陶瓷材料組成物之積層陶瓷電容器
CN106747417A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 天津大学 一种ltcc低频介质陶瓷电容器材料及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
期刊 Michaël Pollet ow temperature sintering of CaZrO3 using lithium fluoride addition Journal of the European Ceramic Society 23(11) Elsevier 2003 1925-1933 *

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