TWI899711B - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

在一態樣中，顯示裝置包含：基板，具有各自包含多個子像素的多個像素；多個發光元件，位於這些子像素上且各自包含一個或多個n型電極及p型電極；第一連接電極，位於這些子像素的這些發光元件之各者上且包含重疊一個或多個n型電極的凹部；以及第二連接電極，位於這些子像素的這些發光元件上且包含重疊p型電極的凸部。凹部及凸部在這些子像素的第一子集合(subset)之各者中沿第一方向延伸，且凹部及凸部在這些子像素的第二子集合之各者中沿與第一方向不同的第二方向延伸。

Description

顯示裝置

本發明涉及一種顯示裝置及其製造方法，特別係使用發光二極體(LED)的一種顯示裝置及其製造方法。

用於電腦、電視、行動電話等的顯示器的顯示裝置可以是用以自發光的有機發光顯示器(OLED)，以及需要獨立光源的液晶顯示器(LCD)。

顯示裝置的應用範圍從電腦及電視機的顯示器到個人行動裝置多樣化，且正在對具有寬顯示面積及減小的體積及重量的顯示裝置進行研究。

最近，包含發光二極體(LED)的顯示裝置作為可能的次世代顯示裝置而受到關注。由於LED由無機材料製成而不是由有機材料製成，所以LED比液晶顯示裝置或有機發光顯示裝置更可靠且具有更長的壽命。此外，LED可快速開啟或關閉，可具有優異的發光效率，可具有高抗衝擊性、更高的穩定性，且可顯示高亮度的影像。

本發明一目的為提供一種顯示裝置，其中一些發光 元件沿第一方向對齊，剩餘的發光元件沿第二方向對齊，使得儘管發光元件不對齊，至少一些發光元件仍會正常地運作。本發明另一目的為提供一種製造這樣的顯示裝置的方法。

本發明另一目的為提供一種顯示裝置及其製造方法，其中儘管多個發光元件位移且轉移，顯示相同顏色的一對子像素之一者仍可正常地顯示影像。

本發明又另一目的為提供一種顯示裝置及其製造方法，所述顯示裝置能夠藉由控制這些發光元件的對齊方向來自組裝多個發光元件。

本發明的目的不受限於上面提及目的，且本發明所屬技術領域中具有通常知識者可從以下描述中清楚地理解上面未提及的其他目的。

在一態樣中，顯示裝置包含：基板，具有各自包含多個子像素的多個像素；多個發光元件，位於這些子像素上且各自包含一個或多個n型電極及p型電極；第一連接電極，位於這些子像素的這些發光元件之各者上且包含重疊一個或多個n型電極的凹部；以及第二連接電極，位於這些子像素的這些發光元件之各者上且包含重疊p型電極的凸部。凹部及凸部在這些子像素的多個第一子集合(subset)之各者中沿第一方向延伸，且凹部及凸部在這些子像素的多個第二子集合之各者中沿與第一方向不同的第二方向延伸。

在另一態樣中，這些像素之各者包含：一對第一子像素，包含第一-第一子像素及第一-第二子像素；一對第二子像素，包含第二-第一子像素及第二-第二子像素；以及一對第三子像素，包含第三-第一子像素及第三-第二子像素。其中凹部在所述一對第一子像素、所述一對第二子像素及所述一對第三子像素中沿不同方向延伸。

在另一態樣中，凹部在第一-第一子像素及第一-第二子像素之任一者中沿第一方向延伸，凹部在第二-第一子像素及第二-第二子像素之任一者中沿第一方向延伸，且凹部在第三-第一子像素及第三-第二子像素之任一者中沿第一方向延伸。

在另一態樣中，凹部及凸部在第一-第一子像素、第二-第一子像素及第三-第一子像素之各者中沿第二方向延伸，且凹部及凸部在第一-第二子像素、第二-第二子像素及第三-第二子像素之各者中沿第一方向延伸。

在另一態樣中，這些發光元件之各者更包含：n型半導體層，具有被設置有n型電極的頂表面；發光層，位於n型半導體層上；以及p型半導體層，位於發光層上且具有被設置有p型電極的頂表面。在這些發光元件的多個子集合之各者中，n型半導體層的頂表面具有橢圓形外形，且n型電極在長軸方向上設置於n型半導體層的頂表面的兩個相對端。

在另一態樣中，發光元件的這些子集合之各者的n型 半導體層的頂表面的短軸沿與對應於發光元件的這些子集合的凹部及凸部的擴展方向相同的方向設置，且發光元件的這些子集合之各者的n型半導體層的頂表面的長軸沿與對應於發光元件的這些子集合的凹部及凸部的擴展方向不同的方向設置。

在另一態樣中，其中n型半導體層的頂表面的長軸在發光元件的這些子集合中重疊沿第一方向延伸的凹部及凸部的發光元件中沿第二方向設置。

在另一態樣中，顯示裝置更包含絕緣層，所述絕緣層位於這些發光元件及第一連接電極之間，且位於這些發光元件及第二連接電極之間。絕緣層包含：一對第一接觸孔，重疊這些發光元件之各者的n型電極及第一連接電極；以及第二接觸孔，重疊這些發光元件之各者的p型電極及第二連接電極。

在另一態樣中，第一連接電極的凹部位於一對第一接觸孔之間，且第二接觸孔重疊第二連接電極的凸部。

在一態樣中，製造顯示裝置的方法包含：在被形成有多個組裝電極的組裝基板上自組裝多個發光元件；將組裝基板上的這些發光元件轉移至予體；以及將予體的這些發光元件轉移至顯示面板的多個子像素。自組裝這些發光元件包含：藉由將電壓施加至這些組裝電極來形成電場，及以電場自組裝這些組裝電極上的這些發光元件。

在另一態樣中，這些組裝電極包含：多個第一組裝電 極，沿第一方向延伸，且包含第一-第一組裝電極及第一-第二組裝電極；以及多個第二組裝電極，沿第一方向延伸，且包含與第一-第一組裝電極相鄰設置的第二-第一組裝電極，以及與第一-第二組裝電極相鄰設置的第二-第二組裝電極。第一-第一組裝電極及第二-第一組裝電極以交錯方式設置，從而在第一-第一組裝電極及第二-第一組裝電極之間形成沿第一方向延伸的間隙。第一-第二組裝電極被設置為面對第二-第二組裝電極，從而在第一-第二組裝電極及第二-第二組裝電極之間形成沿垂直於第一方向的第二方向延伸的間隙。

在另一態樣中，這些發光元件的多個子集合之各者包含：n型半導體層，具有具有橢圓形外形的頂表面；一對n型電極，在n型半導體層的頂表面上位於長軸方向上的n型半導體層的兩個相對端；發光層，位於n型半導體層上；p型半導體層，位於發光層上；以及p型電極，位於p型半導體層上。自組裝這些發光元件的這些子集合包含：執行自組裝，使得一對n型電極之一者重疊這些第一組裝電極，且所述一對n型電極之另一者重疊這些第二組裝電極。

在另一態樣中，一對n型電極在組裝於第一-第一組裝電極及第二-第一組裝電極上的這些發光元件之多者中的每一者中沿第二方向對齊，且一對n型電極在自組裝於第一-第二組裝電極及第二-第二組裝電極上的這些發光元件的這些子集合之各 者中沿第一方向對齊。

在另一態樣中，這些發光元件之各者的外形對應於組裝基板中的多個孔之各者的外形。

在一態樣中，顯示裝置包含：基板，包含多個子像素；多個發光元件，位於這些子像素上，且各自包含一個或多個n型電極及p型電極；以及第一連接電極及一第二連接電極，所述第一連接電極重疊一個或多個n型電極，所述第二連接電極重疊這些發光元件之各者上的p型電極，其中第二連接電極在這些子像素之至少兩者中沿多個不同方向重疊p型電極。

在另一態樣中，第一連接電極及第二連接電極具有供第一連接電極及第二連接電極重疊這些發光元件之各者上的p型電極的U形外形。

在另一態樣中，這些子像素成對且這些子像素的特定對之各者中的p型電極沿多個不同方向之一者重疊。

在另一態樣中，至少兩個相鄰的子像素中的p型電極沿相同方向重疊。

在另一態樣中，相鄰的任兩個子像素中的p型電極沿不同方向重疊。

在另一態樣中，這些子像素成對，且各對子像素的子像素上的發光元件具有相同數量的n型電極。

在另一態樣中，當特定對的子像素具有兩個n型電 極時，特定對的子像素之第一者的兩個n型電極會沿第一方向定向，且特定對的子像素之第二者的兩個n型電極會沿與第一方向不同的第二方向定向。

在另一態樣中，第一方向及第二方向與第一連接電極及第二連接電極在這些子像素之第一者及這些子像素之第二者中重疊p型電極的多個不同方向之相對應的一者不同。

在另一態樣中，一個或多個n型電極具有圓形外形或橢圓形外形之一者。

在另一態樣中，顯示裝置更包含位於這些發光元件之各者的一個或多個n型電極及p型電極之間的發光層。

在另一態樣中，一個或多個n型電極與p型電極電性連接。在另一態樣中，一個或多個n型電極之各者具有圓形外形或橢圓形外形之一者。

在另一態樣中，這些發光元件包含第一發光元件、第二發光元件及第三發光元件。

在另一態樣中，第一發光元件具有圓形外形。

在另一態樣中，第二發光元件及第三發光元件具有橢圓形外形。

在另一態樣中，顯示裝置更包含：驅動電晶體；以及至少一絕緣層，位於驅動電晶體上。

在另一態樣中，至少一絕緣層包含被第一連接電極 分離的第一絕緣部及第二絕緣部。

在另一態樣中，顯示裝置更包含：黏著層；以及平坦化層，其中黏著層及平坦化層具有階梯結構(step-wise structure)。

根據本發明的功效不受限於上面舉例的內容，且更多各種功效包含於本說明書中。

10:組裝基板

100:顯示裝置

110:基板

111:緩衝層

112:閘極絕緣層

113:第一層間絕緣層

114:第二層間絕緣層

115:第一平坦化層

116:黏著層

117:第二平坦化層

118:第三平坦化層

119:絕緣層

119a:第一絕緣部

119b:第二絕緣部

120:第一發光元件

121,131,141:n型半導體層

122,132,142:發光層

123,133,143:p型半導體層

124,134,144:n型電極

125,135,145:p型電極

126,136,146:密封膜

130:第二發光元件

140:第三發光元件

AA:顯示區

ACT:主動層

AE1:第一組裝電極

AE1a:第一-第一組裝電極

AE1b:第一-第二組裝電極

AE2:第二組裝電極

AE2a:第二-第一組裝電極

AE2b:第二-第二組裝電極

AL:組裝線路

AL1:第一組裝線路

AL2:第二組裝線路

CB:腔室

CE1:第一連接電極

CE1a,CE1b:凹部

CE2:第二連接電極

CE2a,CE2b:凸部

CH1:第一接觸孔

CH2:第二接觸孔

D1:間隔

DD:資料驅動部

DE:汲極電極

DL:資料線路

DN:予體

DR1:第一方向

DR2:第二方向

DT:驅動電晶體

GD:閘極驅動部

GE:閘極電極

IL:組裝絕緣層

LE:輔助電極

LED:發光元件

LS:光阻擋層

MG:磁鐵

NA:非顯示區

OL:有機層

OLH:口袋部

PAD1:第一墊電極

PAD2:第二墊電極

PN:顯示面板

PX:像素

RE:反射電極

RE1:第一反射電極

RE2:第二反射電極

SE:源極電極

SL:掃描線路

SP:子像素

SP1:第一子像素

SP1a:第一-第一子像素

SP1b:第一-第二子像素

SP2:第二子像素

SP2a:第二-第一子像素

SP2b:第二-第二子像素

SP3:第三子像素

SP3a:第三-第一子像素

SP3b:第三-第二子像素

SRL:側線路

SUB:組合基板

TC:時序控制器

TD:拼接顯示裝置

VDD:電源線路

WT:流體

將從以下結合所附圖式的詳細描述，更清楚理解本發明的上述及其他態樣、特徵以及其他優點，於圖式中：圖1為根據本發明一示例性態樣的顯示裝置的配置示意圖；圖2A為根據本發明一些態樣的顯示裝置的部分剖面圖；圖2B為根據本發明一些態樣的拼接顯示裝置的立體圖；圖3及圖4為根據本發明一些態樣的顯示裝置的俯視平面放大圖；圖5A至圖5C為用以說明根據本發明一些態樣的顯示裝置的發光元件的圖；圖6為根據本發明一些態樣的顯示裝置的剖面圖；圖7A至圖7C為用以根據本發明一些態樣的顯示裝置的發光元件的轉移位置說明第一連接電極、第二連接電極及發 光元件之間的連接關係的俯視平面示意圖；並且圖8A至圖8G為用以說明製造根據本發明一些態樣的顯示裝置的方法的製程圖。

以下詳細討論本發明的各種示例。在討論具體實現的同時，應理解這僅是出於說明目的而完成的。本發明所屬技術領域中具有通常知識者將意識到，可在不脫離本發明的精神及範圍的情況下使用其他構件及配置。因此，以下描述及圖式為說明性的且不應被解釋為限制性的。描述了許多具體細節以提供對本發明的透徹理解。然而，在某些情況下，沒有描述眾所周知的或常規的細節以避免模糊描述。本發明中對一或一個實施例的引用可指同一實施例或任一實施例；並且，這樣的引用指的是多個實施例中之至少一者。

用以描述本發明多個示例性實施例的所附圖式中所繪示的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅為示例，本發明並不以此為限。通篇說明書中相似的符號通常表示相似的元件。再者，在本發明的以下描述中，可省略習知的相關技術的詳細說明，以避免不必要地模糊本發明之主旨。除非與用語「僅」一起使用，否則本文中所使用的例如「包含」、「具有」及「由...組成」的用語通常旨在允許添加其他構件。除非另有明確說明，否則單數的引用可包含複數。

即便沒有明確描述，構件仍被解釋為包含一般誤差範圍。

當使用例如「上」、「之上」、「之下」及「在...旁」的用語描述兩個部分之間的位置關係時，除非與用語「剛好」或「直接」一起使用，否則一個或多個部分可放置於所述兩個部分之間。

當一個元件或層體設置於另一元件或層體「上」時，可在其之間或在所述另一元件上直接插設另一個層體或另一個元件。

儘管使用「第一」、「第二」等用語來描述各種構件，但這些構件不受限於這些用語。這些用語僅用以區分一構件與其他構件。因此，在本發明的技術概念中，以下待提及的第一構件可為第二構件。

通篇說明書中相似的符號通常表示相似的元件。

繪示於圖式中的各構件的尺寸及厚度係為了方便描述而繪示的，且本發明不受限於所繪示的構件的尺寸及厚度。

本發明的各種實施例的特徵能部分或整體地彼此耦接或結合，且可以技術上的各種方式互鎖及運作，且這些實施例能彼此獨立地或關聯地被實施。

以下將參考所附圖式詳細描述根據本發明多個示例性實施例的顯示裝置及製造其的方法。

圖1為根據本發明一些態樣的顯示裝置的配置示意圖。為了方便描述，圖1僅繪示顯示裝置100的各種構成元件中的顯示面板PN、閘極驅動部GD、資料驅動部DD及時序控制器TC。

請參考圖1，顯示裝置100包含：包含多個子像素SP的顯示面板PN、用以將各種類型的訊號供應至顯示面板PN的閘極驅動部GD，以及用以控制資料驅動部DD、閘極驅動部GD的時序控制器TC。

閘極驅動部GD響應於從時序控制器TC提供的多個閘極控制訊號而將多個掃描訊號供應至多個掃描線路SL。圖1繪示一個閘極驅動部GD被設置為與顯示面板PN的一側分離。然而，閘極驅動部GD的數量及布置不以此為限。

資料驅動部DD響應於從時序控制器TC提供的多個資料控制訊號而藉由使用參考伽瑪電壓(reference gamma voltage)來將從時序控制器TC輸入的影像資料轉換為資料電壓。資料驅動部DD可將所轉換的資料電壓供應至多個資料線路DL。

時序控制器TC將從外部輸入的影像資料排序並將影像資料依序供應至資料驅動部DD。時序控制器TC可藉由使用從外部輸入的例如點時脈訊號、資料賦能訊號及水平/垂直同步訊號的同步訊號來產生閘極控制訊號及資料控制訊號。再者，時序控制器TC可藉由將所產生的閘極控制訊號及資料控制訊號供應 至閘極驅動部GD及資料驅動部DD來控制閘極驅動部GD及資料驅動部DD。

顯示面板PN用以顯示影像給使用者，且包含多個子像素SP。在顯示面板PN中，多個掃描線路SL及多個資料線路DL互相交錯，且這些子像素SP之各者連接於掃描線路SL及資料線路DL。此外，儘管未繪示於圖式中，但這些子像素SP可分別連接於高電位電源線路VDD、低電位電源線路VDD、參考線路等等。

顯示面板PN可具有顯示區AA及用以圍繞顯示區AA的非顯示區NA。

顯示區AA為顯示裝置100顯示影像的區域。顯示區AA可包含構成多個像素PX的這些子像素SP及用以運作這些子像素SP的電路。這些子像素SP為構成顯示區AA的最小單位。n個子像素SP可構成一個像素PX。這些子像素SP之各者中可設置發光元件LED、用以運作發光元件LED的薄膜電晶體等等。這些發光元件LED可根據顯示面板PN的類型而具有不同配置。舉例來說，在顯示面板PN為無機發光顯示面板PN的情況下，發光元件LED可為發光二極體(LED)或微型發光二極體(micro LED)。

用以將各種類型的訊號傳輸至這些子像素SP的多個訊號線路設置於顯示區AA中。舉例來說，這些訊號線路可包 含：用以將資料電壓供應至這些子像素SP的這些資料線路DL及用以將閘極電壓供應至這些子像素SP的掃描線路SL。這些掃描線路SL可在顯示區AA中沿一個方向延伸，且連接於這些子像素SP。這些資料線路DL可在顯示區AA中沿與所述一個方向不同的方向延伸，且連接於這些子像素SP。此外，顯示區AA中可進一步設置低電位電源線路VDD、高電位電源線路VDD等等。然而，本發明不以此為限。

非顯示區NA可被界定為不顯示影像的區域，亦即從顯示區AA延伸的區域。非顯示區NA可包含用以將訊號傳輸至顯示區AA中的子像素SP的多個墊電極及多個連結線路。或者，非顯示區NA可包含例如閘極驅動器積體電路及資料驅動器積體電路的驅動積體電路。

在一些示例中，非顯示區NA可放置於顯示面板PN的後表面上，亦即位於沒有子像素SP的表面上。或者，可排除非顯示區NA。然而，本發明不受限於繪示於圖式中的配置。

在一些示例中，例如閘極驅動部GD、資料驅動部DD及時序控制器TC的驅動部可以各種方式連接於顯示面板PN。舉例來說，閘極驅動部GD可藉由板上閘極(GIP)法來安裝於非顯示區NA中，或者在顯示區AA中藉由主動區中閘極(gate-in-active area，GIA)法安裝於這些子像素SP之間。舉例來說，資料驅動部DD及時序控制器TC可形成於分離的可撓性薄膜及印刷電路板 上，且藉由將可撓性薄膜及印刷電路板接合至形成於顯示面板PN的非顯示區NA中的墊電極的方法來電性連接於顯示面板PN。在藉由GIP法安裝閘極驅動部GD且資料驅動部DD及時序控制器TC經由非顯示區NA中的墊電極將訊號傳輸至顯示面板PN的情況下，需要確保非顯示區NA的區域，以設置閘極驅動部GD及墊電極，這可能會增加邊框。

在一些示例中，閘極驅動部GD藉由GIA法安裝於顯示區AA中，且將顯示面板PN的前表面上的訊號線路連接至顯示面板PN的後表面上的墊電極之側線路SRL被形成為將可撓性薄膜及印刷電路板接合至顯示面板PN的後表面。因此，可使顯示面板PN的前表面上的非顯示區NA最小化。亦即，在閘極驅動部GD、資料驅動部DD及時序控制器TC藉由上面堤及的方法連接於顯示面板PN的情況下，可實施實質上不存在邊框的零邊框。這將參考圖2A及圖2B更詳細描述。

圖2A為根據本發明一些態樣的顯示裝置的部分剖面圖。圖2B為根據本發明一些態樣的拼接顯示裝置的立體圖。

用以將各種類型的訊號傳輸至這些子像素SP的多個墊電極設置於顯示面板PN的非顯示區NA中。舉例來說，用以將訊號傳輸至這些子像素SP的第一墊電極PAD1設置於顯示面板PN的前表面上的非顯示區NA中。電性連接於例如可撓性薄膜及印刷電路板的驅動構件的第二墊電極PAD2設置於顯示面 板PN的後表面上的非顯示區NA中。

在此情況下，儘管未繪示於圖式中，但連接於這些子像素SP的例如掃描線路SL、資料線路DL等的各種類型的訊號線路可從顯示區AA延伸至非顯示區NA，且可電性連接於第一墊電極PAD1。

再者，沿顯示面板PN的側表面設置側線路SRL。側線路SRL可電性連接顯示面板PN的前表面上的第一墊電極PAD1及顯示面板PN的後表面上的第二墊電極PAD2。因此，從顯示面板PN的後表面上的驅動構件接收的訊號可經由第二墊電極PAD2、側線路SRL及第一墊電極PAD1而被傳輸至這些子像素SP。因此，訊號傳輸路徑從前表面界定至顯示面板PN的側表面及後表面，這使顯示面板PN的非顯示區NA的面積最小化。

再者，請參考圖2B，可藉由連接多個顯示裝置100來實施具有大螢幕的拼接顯示裝置TD。在此情況下，如圖2A中所繪示，在藉由使用具有最小化的邊框的顯示裝置100來實施拼接顯示裝置TD的情況下，可使多個顯示裝置100之間不顯示影像的接縫(間隔)區最小化，藉此改善顯示品質。

舉例來說，這些子像素SP可構成一個像素PX。一顯示裝置100的最外側周圍的像素PX及相鄰於所述一顯示裝置100的另一顯示裝置100的最外側周圍的像素PX之間的間隔D1可被實施為等於一顯示裝置100中的多個像素PX之間的間隔 D1。因此，因為在拼接顯示裝置TD中相鄰的顯示裝置100之任兩者之間實施多個像素PX的固定間隔，所以可使接縫區最小化。

如圖2A及圖2B中所繪示，根據本發明多個示例性態樣的顯示裝置100可為存在有邊框的一般顯示裝置100。然而，本發明不以此為限。

圖3及圖4為根據本發明一些態樣的顯示裝置的俯視平面放大圖。圖5A至圖5C為用以說明根據本發明一些態樣的顯示裝置的發光元件的圖。圖6為根據本發明一些態樣的顯示裝置的剖面圖。

首先，請參考圖3，顯示面板PN包含各自具有這些子像素SP的多個像素PX。這些子像素SP可各自包含發光元件LED及像素電路並獨立發光。舉例來說，第一子像素SP1可為紅色子像素SP，第二子像素SP2可為綠色子像素SP，且第三子像素SP3可為藍色子像素SP。然而，本發明不以此為限。

一個像素PX可包含：包含第一子像素SP1、第二子像素SP2及第三子像素SP3的這些子像素SP。舉例來說，第一子像素SP1包含第一-第一子像素SP1a及第一-第二子像素SP1b，第二子像素SP2包含第二-第一子像素SP2a及第二-第二子像素SP2b，且第三子像素SP3包含第三-第一子像素SP3a及第三-第二子像素SP3b。第一-第一子像素SP1a、第二-第一子像素SP2a及第三-第一子像素SP3a可設置於相同列中。第一-第二子像素 SP1b、第二-第二子像素SP2b及第三-第二子像素SP3b可設置於相同列中。

第一連接電極CE1的凹部CE1a、CE1b及第二連接電極CE2的凸部CE2a、CE2b的設置方向在第一-第一子像素SP1a及第一-第二子像素SP1b之間、在第二-第一子像素SP2a及第二-第二子像素SP2b之間，以及在第三-第一子像素SP3a及第三-第二子像素SP3b之間可為不同的。在此情況下，儘管發光元件LED不對齊，發光元件LED仍可在一對子像素SP中的至少一子像素中正常地連接於第一連接電極CE1及第二連接電極CE2。這將於後面參考圖7A至圖7C更詳細描述。

根據本發明多個示例性態樣且請參考圖6，顯示裝置100的顯示面板PN的這些子像素SP之各者可包含基板110、緩衝層111、閘極絕緣層112、第一層間絕緣層113、第二層間絕緣層114、第一平坦化層115、黏著層116、第二平坦化層117、第三平坦化層118、驅動電晶體DT、發光元件LED、多個反射電極RE、多個第一連接電極CE1、第二連接電極CE2、光阻擋層LS及輔助電極LE。

根據本發明一些示例性態樣，各子像素SP可在驅動電晶體DT上進一步包含絕緣層119。絕緣層119可更包含被這些第一連接電極CE1及/或第二連接電極CE2分離的第一絕緣部119a及第二絕緣部119b。在一些示例中，第一絕緣部119a及第 二絕緣部119b之各者可覆蓋(例如部分地覆蓋)這些第一連接電極CE1及/或第二連接電極CE2。

根據本發明一些示例性態樣，黏著層116及第二平坦化層117可具有階梯結構(亦可被稱為樓梯結構(staircase structure))。這樣的結構可有助於在第一連接電極CE1中製造孔的製造製程。如果沒有階梯結構，則在第一連接電極CE1中製造孔很可能會導致第一連接電極CE1破裂(斷裂)。

首先，基板110為用以支撐包含於顯示裝置100中的各種構成元件的構件，且可由絕緣材料製成。舉例來說，基板110可由玻璃、樹脂等製成。此外，基板110可包含例如聚合物的塑膠，且可由具有可撓性的材料製成。

光阻擋層LS在基板110上設置於這些子像素SP之各者上。光阻擋層LS阻擋從基板110的下部側進入驅動電晶體DT的主動層ACT的光，這將在下面描述。光阻擋層LS可阻擋進入驅動電晶體DT的主動層ACT的光，藉此使漏電流最小化。

緩衝層111設置於基板110及光阻擋層LS上。緩衝層111可減少濕氣或雜質滲透過基板110。舉例來說，緩衝層111可被配置為由氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)製成的單層體或多層體結構。然而，本發明不以此為限。然而，可根據基板110的類型或電晶體的類型來排除緩衝層111。然而，本發明不以此為限。

驅動電晶體DT設置於緩衝層111上。驅動電晶體 DT包含主動層ACT、閘極電極GE、源極電極SE及汲極電極DE。

主動層ACT設置於緩衝層111上。主動層ACT可由例如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽的半導體材料製成。然而，本發明不以此為限。

閘極絕緣層112設置於主動層ACT上。閘極絕緣層112為將主動層ACT及閘極電極GE絕緣的絕緣層。閘極絕緣層112可被配置為由氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)製成的單層體或多層體結構。然而，本發明不以此為限。

閘極電極GE設置於閘極絕緣層112上。閘極電極GE可由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)，或者上述金屬的合金的導電材料製成。然而，本發明不以此為限。

第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114設置於閘極電極GE上。接觸孔形成於第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114中，源極電極SE及汲極電極DE經由所述接觸孔連接於主動層ACT。第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114可為用以保護第一層間絕緣層113的下部部分及第二層間絕緣層114的下部部分的絕緣層，且各自被配置為由氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)製成的單層體或多層體結構。然而，本發明不以此為限。

源極電極SE及汲極電極DE設置於第二層間絕緣層114上，且電性連接於主動層ACT。源極電極SE及汲極電極DE可各自由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)， 或者上述金屬的合金的導電材料製成。然而，本發明不以此為限。

上面敘述提供第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114(亦即多個絕緣層)設置於閘極電極GE、源極電極SE及汲極電極DE之間的示例性配置。在其他非限制性的示例中，可僅一個絕緣層設置於閘極電極GE、源極電極SE及汲極電極DE之間。然而，本發明不以此為限。

再者，如圖式中所繪示，在多個絕緣層(例如第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114)設置於閘極電極GE、源極電極SE及汲極電極DE之間的情況下，可在第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114之間額外形成電極。額外形成的電極可與設置於第一層間絕緣層113的下部部分或第二層間絕緣層114的上部部分上的其他構件一起界定電容器。

輔助電極LE設置於閘極絕緣層112上。輔助電極LE為將設置於緩衝層111之下的光阻擋層LS電性連接至第二層間絕緣層114上的源極電極SE及汲極電極DE之任一者的電極。舉例來說，光阻擋層LS可經由輔助電極LE電性連接於源極電極SE或汲極電極DE之任一者，從而不以浮動閘極運作，藉此使由浮動的光阻擋層LS造成的驅動電晶體DT的臨界電壓的變化最小化。圖式繪示光阻擋層LS連接於源極電極SE。然而，光阻擋層LS可連接於汲極電極DE。然而，本發明不以此為限。

電源線路VDD設置於第二層間絕緣層114上。電源 線路VDD可與驅動電晶體DT一起電性連接於發光元件LED，並允許發光元件LED發光。電源線路VDD可由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)，或者上述金屬的合金的導電材料製成。然而，本發明不以此為限。

第一平坦化層115設置於驅動電晶體DT及電源線路VDD上。第一平坦化層115可使被設置有驅動電晶體DT的基板110的上部部分平坦化。舉例來說，第一平坦化層115可被配置為由光阻劑或丙烯酸基有機材料製成的單層體或多層體結構。然而，本發明不以此為限。

互相分離的多個反射電極RE設置於第一平坦化層115上。這些反射電極RE可用以將發光元件LED電性連接至電源線路VDD及驅動電晶體DT，且作為將從發光元件LED發出的光反射至發光元件LED的上部部分的反射板。這些反射電極RE可各自由具有優異的反射性質的導電材料製成，並將從發光元件LED發出的光朝發光元件LED的上部部分反射。

這些反射電極RE包含第一反射電極RE1及第二反射電極RE2。第一反射電極RE1可電性連接驅動電晶體DT及發光元件LED。第一反射電極RE1可經由形成於第一平坦化層115中的接觸孔連接於驅動電晶體DT的源極電極SE或汲極電極DE。再者，第一反射電極RE1可經由下面待描述的第一連接電極CE1電性連接於發光元件LED的第一電極及第一半導體層。

第二反射電極RE2可電性連接電源線路VDD及發光元件LED。第二反射電極RE2可經由形成於第一平坦化層115中的接觸孔連接於電源線路VDD，且可經由下面待描述的第二連接電極CE2電性連接於發光元件LED的第二電極及第二半導體層。

黏著層116設置於這些反射電極RE上。基板110的前表面可被塗布有黏著層116，且黏著層116可固定被設置於黏著層116上的發光元件LED。舉例來說，黏著層116可由選自黏著聚合物、環氧樹脂、UV樹脂、聚醯亞胺基材料、丙烯酸基材料、胺甲酸乙脂基材料(urethane-based material)及聚二甲基矽氧烷(PDMS)的任一材料製成。然而，本發明不以此為限。

這些發光元件LED被提供於黏著層116上，且設置於這些子像素SP之各者上。這些發光元件LED可為用以藉由使用電流來發光的元件，且包含用以發出紅色光、綠色光、藍色光等等的發光元件LED。這些發光元件LED可藉由使用紅色光、綠色光、藍色光等等的組合來實施包含白色的各種顏色的光。舉例來說，這些發光元件LED可各自為發光二極體(LED)或微型發光二極體。然而，本發明不以此為限。

請參考圖5A至圖5C，這些發光元件LED包含第一發光元件120、第二發光元件130及第三發光元件140。第一發光元件120可設置於第一子像素SP1上，第二發光元件130可設置 於第二子像素SP2上，且第三發光元件140可設置於第三子像素SP3上。舉例來說，第一發光元件120可為紅色發光元件LED，第二發光元件130可為綠色發光元件LED，且第三發光元件140可為藍色發光元件LED。

請參考圖5A及圖6，第一發光元件120包含第一n型半導體層121、第一發光層122、第一p型半導體層123、第一n型電極124、第一p型電極125及第一密封膜126。

第一n型半導體層121設置於黏著層116上，且第一p型半導體層123設置於第一n型半導體層121上。第一n型半導體層121及第一p型半導體層123可各自為由摻雜有n型及p型雜質的特定材料形成的層體。舉例來說，第一n型半導體層121及第一p型半導體層123可各自為由摻雜有n型及p型雜質的例如氮化鎵(GaN)、磷化銦鋁(InAlP)或砷化鎵(GaAs)的材料形成的層體。再者，p型雜質可為鎂、鋅(Zn)、鈹(Be)等等。n型雜質可為矽(Si)、鍺、錫(Sn)等等。然而，本發明不以此為限。

第一發光層122設置於第一n型半導體層121及第一p型半導體層123之間。第一發光層122可藉由接收來自第一n型半導體層121及第一p型半導體層123的正電的電洞及電子來發光。第一發光層122可被配置為單層體或多量子井(MQW)結構。舉例來說，第一發光層122可由氮化銦鎵(InGaN)、氮化鎵(GaN)等製成。然而，本發明不以此為限。

第一n型電極124設置於第一n型半導體層121上。第一n型電極124為電性連接驅動電晶體DT及第一n型半導體層121的電極。第一n型電極124可設置於從第一發光層122及第一p型半導體層123暴露的第一n型半導體層121的頂表面上。舉例來說，第一n型電極124可設置於第一n型半導體層121的頂表面周圍，且具有圓形平面外形。第一n型電極124可由導電材料製成，所述導電材料例如：例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料或例如鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)，或者上述金屬的合金的不透明導電材料。然而，本發明不以此為限。

第一p型電極125設置於第一p型半導體層123上。第一p型電極125可設置於第一p型半導體層123的頂表面上。第一p型電極125為電性連接電源線路VDD及第一p型半導體層123的電極。第一p型電極125可由導電材料製成，所述導電材料例如：例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料或例如鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)，或者上述金屬的合金的不透明導電材料。然而，本發明不以此為限。

接著，第一密封膜126被設置為圍繞第一n型半導體層121、第一發光層122、第一p型半導體層123、第一n型電極124及第一p型電極125。第一密封膜126可由絕緣材料製成，且保護第一n型半導體層121、第一發光層122及第一p型半導體層123。再者，可在第一密封膜126中形成接觸孔，經由所述 接觸孔暴露第一n型電極124及第一p型電極125，使得第一連接電極CE1、第二連接電極CE2、第一n型電極124及第一p型電極125可電性連接。

請參考圖5B，第二發光元件130包含第二n型半導體層131、第二發光層132、第二p型半導體層133、第二n型電極134、第二p型電極135及第二密封膜136。

第二n型半導體層131設置於黏著層116上，且第二p型半導體層133設置於第二n型半導體層131上。第二n型半導體層131及第二p型半導體層133可各自為由摻雜有n型及p型雜質的特定材料形成的層體。舉例來說，第二n型半導體層131及第二p型半導體層133可各自為由摻雜有n型及p型雜質的例如氮化鎵(GaN)、磷化銦鋁(InAlP)或砷化鎵(GaAs)的材料形成的層體。再者，p型雜質可為鎂、鋅(Zn)、鈹(Be)等等。n型雜質可為矽(Si)、鍺、錫(Sn)等等。然而，本發明不以此為限。

第二發光層132設置於第二n型半導體層131及第二p型半導體層133之間。第二發光層132可藉由接收來自第二n型半導體層131及第二p型半導體層133的正電的電洞及電子來發光。第二發光層132可被配置為單層體或多量子井(MQW)結構。舉例來說，第二發光層132可由氮化銦鎵(InGaN)、氮化鎵(GaN)等製成。然而，本發明不以此為限。

一個或多個第二n型電極134設置於第二n型半導 體層131上。第二n型電極134為電性連接驅動電晶體DT及第二n型半導體層131的電極。第二n型電極134可設置於從第二發光層132及第二p型半導體層133暴露的第二n型半導體層131的頂表面上。舉例來說，第二n型電極134可基於具有橢圓形平面外形的第二n型半導體層131的頂表面上的長軸方向而鄰設於第二n型半導體層131的頂表面的兩個相對端。第二n型電極134可由導電材料製成，所述導電材料例如：例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料或例如鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)，或者上述金屬的合金的不透明導電材料。然而，本發明不以此為限。

第二p型電極135設置於第二p型半導體層133上。第二p型電極135可設置於第二p型半導體層133的頂表面上。第二p型電極135為電性連接電源線路VDD及第二p型半導體層133的電極。第二p型電極135可由導電材料製成，所述導電材料例如：例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料或例如鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)，或者上述金屬的合金的不透明導電材料。然而，本發明不以此為限。

接著，第二密封膜136被設置為圍繞第二n型半導體層131、第二發光層132、第二p型半導體層133、第二n型電極134及第二p型電極135。第二密封膜136可由絕緣材料製成，且保護第二n型半導體層131、第二發光層132及第二p型半導 體層133。再者，可在第二密封膜136中形成接觸孔，經由所述接觸孔暴露第二n型電極134及第二p型電極135，使得第二連接電極CE2、第二連接電極CE2、第二n型電極134及第二p型電極135可電性連接。

請參考圖5C，第三發光元件140包含第三n型半導體層141、第三發光層142、第三p型半導體層143、第三n型電極144、第三p型電極145及第三密封膜146。

第三n型半導體層141設置於黏著層116上，且第三p型半導體層143設置於第三n型半導體層141上。第三n型半導體層141及第三p型半導體層143可各自為由摻雜有n型及p型雜質的特定材料形成的層體。舉例來說，第三n型半導體層141及第三p型半導體層143可各自為由摻雜有n型及p型雜質的例如氮化鎵(GaN)、磷化銦鋁(InAlP)或砷化鎵(GaAs)的材料形成的層體。再者，p型雜質可為鎂、鋅(Zn)、鈹(Be)等等。n型雜質可為矽(Si)、鍺、錫(Sn)等等。然而，本發明不以此為限。

第三發光層142設置於第三n型半導體層141及第三p型半導體層143之間。第三發光層142可藉由接收來自第三n型半導體層141及第三p型半導體層143的正電的電洞及電子來發光。第三發光層142可被配置為單層體或多量子井(MQW)結構。舉例來說，第三發光層142可由氮化銦鎵(InGaN)、氮化鎵(GaN)等製成。然而，本發明不以此為限。

第三n型電極144設置於第三n型半導體層141上。第三n型電極144為電性連接驅動電晶體DT及第三n型半導體層141的電極。第三n型電極144可設置於從第三發光層142及第三p型半導體層143暴露的第三n型半導體層141的頂表面上。舉例來說，第三n型電極144可基於具有橢圓形平面外形的第三n型半導體層141的頂表面上的長軸方向而鄰設於第三n型半導體層141的頂表面的兩個相對端。第三n型電極144可由導電材料製成，所述導電材料例如：例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料或例如鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)，或者上述金屬的合金的不透明導電材料。然而，本發明不以此為限。

第三p型電極145設置於第三p型半導體層143上。第三p型電極145可設置於第三p型半導體層143的頂表面上。第三p型電極145為電性連接電源線路VDD及第三p型半導體層143的電極。第三p型電極145可由導電材料製成，所述導電材料例如：例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料或例如鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)，或者上述金屬的合金的不透明導電材料。然而，本發明不以此為限。

接著，第三密封膜146被設置為圍繞第三n型半導體層141、第三發光層142、第三p型半導體層143、第三n型電極144及第三p型電極145。第三密封膜146可由絕緣材料製成，且保護第三n型半導體層141、第三發光層142及第三p型半導 體層143。再者，可在第三密封膜146中形成接觸孔，經由所述接觸孔暴露第三n型電極144及第三p型電極145，使得第三連接電極、第二連接電極CE2、第三n型電極144及第三p型電極145可電性連接。

同時，第一發光元件120、第二發光元件130及第三發光元件140可具有不同外形。這些發光元件LED可各自共同包含n型半導體層121、131、141、發光層122、132、142、p型半導體層123、133、143、n型電極124、134、144、p型電極125、135、145及密封膜126、136、146。然而，這些發光元件LED的一些構件的外形可互相不同。

舉例來說，第一發光元件120的第一n型半導體層121、第一發光層122、第二p型半導體層133、第一n型電極124及第一p型電極125的所有平面外形可為圓形外形。這些構件中，第一n型電極124可被配置為設置於第一n型半導體層121周圍的具有閉環外形的圓形電極。第一p型電極125可具有對應於第一p型半導體層123的頂表面的外形。

舉例來說，第二發光元件130的第二n型半導體層131、第二p型半導體層133及第二p型電極135的平面外形可為橢圓形外形。在此情況下，第二n型半導體層131的長軸方向可與第二p型半導體層133的長軸方向不同。舉例來說，當第二n型半導體層131具有：具有水平方向的長軸的橢圓形外形時， 第二p型半導體層133可具有：具有垂直方向的長軸的橢圓形外形。再者，多個第二n型電極134可基於第二n型半導體層131的頂表面上的長軸方向而分別設置於第二n型半導體層131的兩個相對端。因此，設置於第二n型半導體層131的兩個相對端的這些第二n型電極134可各自具有半圓形外形。最後，第二p型電極135可像第二p型半導體層133的頂表面一樣具有橢圓形外形。

在一些示例中，第三發光元件140的第三n型半導體層141、第三p型半導體層143及第三p型電極145的平面外形可為橢圓形外形。與第二發光元件130不同，在第三發光元件140中，第三n型半導體層141的長軸方向可與第三p型半導體層143的長軸方向相同。第三n型電極144可基於第三n型半導體層141的頂表面上的長軸方向而設置於第三n型半導體層141的兩個相對端。第三n型電極144可具有半圓形外形。再者，第三p型電極145可像第三p型半導體層143的頂表面一樣具有橢圓形外形。

在根據本發明多個示例性態樣的顯示裝置100中，第一發光元件120、第二發光元件130及第三發光元件140可具有不同外形，從而可區分這些發光元件LED。舉例來說，在自組裝發光元件LED的製程期間，這些發光元件LED可形成為不同外形，使得這些發光元件LED可在分別對應於這些子像素SP的 位置自組裝。然而，這些發光元件LED的外形為示例性的，且本發明不以此為限。

請回頭參考圖6，第二平坦化層117及第三平坦化層118設置於黏著層116上。第二平坦化層117可部分地重疊這些發光元件LED的側表面，且固定並保護這些發光元件LED。第三平坦化層118可被形成為覆蓋第二平坦化層117的上部部分及發光元件LED的上部部分，且具有接觸孔，經由所述接觸孔暴露發光元件LED的n型電極124、134、144及p型電極125、135、145。可從第三平坦化層118暴露發光元件LED的n型電極124、134、144及p型電極125、135、145。第三平坦化層118可部分地設置於n型電極124、134、144及p型電極125、135、145之間的區域中，藉此使短路缺陷最小化。舉例來說，第二平坦化層117及第三平坦化層118可各自被配置為由光阻劑或丙烯酸基有機材料製成的單層體或多層體結構。然而，本發明不以此為限。上述示例性實施例描述設置有第二平坦化層117及第三平坦化層118的配置。然而，平坦化層可被配置為單層體結構。然而，本發明不以此為限。

這些第一連接電極CE1及第二連接電極CE2可設置於第三平坦化層118上。

這些第一連接電極CE1為分別設置於這些子像素SP上且電性連接發光元件LED及驅動電晶體DT的電極。第一連接 電極CE1可經由形成於第三平坦化層118、第二平坦化層117及黏著層116中的接觸孔連接於第一反射電極RE1。因此，第一連接電極CE1可經由第一反射電極RE1電性連接於驅動電晶體DT的源極電極SE及汲極電極DE之任一者。再者，第一連接電極CE1可經由形成於第三平坦化層118中的接觸孔連接於這些發光元件LED的n型電極124、134、144。因此，這些第一連接電極CE1可電性連接驅動電晶體DT及這些發光元件LED的n型電極124、134、144及n型半導體層121、131、141。

第二連接電極CE2為電性連接發光元件LED及電源線路VDD的電極。第二連接電極CE2可經由形成於第三平坦化層118、第二平坦化層117及黏著層116中的接觸孔連接於第二反射電極RE2。因此，第二連接電極CE2可經由第二反射電極RE2電性連接於電源線路VDD。再者，這些第二連接電極CE2可經由形成於第三平坦化層118中的接觸孔連接於這些發光元件LED的p型電極125、135、145。因此，這些第二連接電極CE2可電性連接電源線路VDD及這些發光元件LED的p型電極125、135、145及p型半導體層123、133、143。

在一些示例中，連接設置於這些子像素SP之各者上的發光元件LED及驅動電晶體DT的第一連接電極CE1可獨立地設置於這些子像素SP之各者上。再者，設置於這些子像素SP之各者上且連接電源線路VDD及發光元件LED的這些第二連接 電極CE2可彼此連接。亦即，因為電源線路VDD的電源電壓被共同地施加至這些子像素SP的所有發光元件LED，所以一個第二連接電極CE2可設置於所有子像素SP上。

請參考圖3及圖4，凹部CE1a、CE1b形成在對應於p型電極125、135、145的位置，使得這些子像素SP的第一連接電極CE1可僅連接至發光元件LED的n型電極124、134、144而不連接於p型電極125、135、145。第一連接電極CE1的凹部CE1a、CE1b可重疊這些發光元件LED的p型電極125、135、145。再者，第二連接電極CE2包含朝凹部CE1a、CE1b的內側延伸的凸部CE2a、CE2b，且電性連接於這些發光元件LED的p型電極125、135、145。第二連接電極CE2的凸部CE2a、CE2b可重疊這些發光元件LED的p型電極125、135、145。

在此情況下，第一連接電極CE1的凹部CE1a、CE1b及第二連接電極CE2的凸部CE2a、CE2b可沿第一方向DR1或第二方向DR2之任一者設置。第一連接電極CE1的凹部CE1a、CE1b包含沿第一方向DR1設置的第一凹部CE1a及沿第二方向DR2設置的第二凹部CE1b。第二連接電極CE2的凸部CE2a、CE2b包含沿第一方向DR1設置的第一凸部CE2a及沿第二方向DR2設置的第二凸部CE2b。因此，沿第一方向DR1延伸的第一凹部CE1a及第一凸部CE2a可一起設置於一個子像素SP上。沿與第一方向DR1不同的第二方向DR2延伸的第二凹部CE1b及 第二凸部CE2b可一起設置於另一子像素SP上。

具體來說，凹部CE1a、CE1b及凸部CE2a、CE2b可在兩個第一子像素SP1上分別沿不同方向設置。同樣地，凹部CE1a、CE1b及凸部CE2a、CE2b可在一對第二子像素SP2及一對第三子像素SP3上分別沿不同方向設置。

舉例來說，請參考圖3，第二凹部CE1b及第二凸部CE2b可設置於第一-第一子像素SP1a、第二-第一子像素SP2a及第三-第一子像素SP3a上，且第一凹部CE1a及第一凸部CE2a可設置於第一-第二子像素SP1b、第二-第二子像素SP2b及第三-第二子像素SP3b上。

舉例來說，請參考圖4，第二凹部CE1b及第二凸部CE2b可設置於第一-第一子像素SP1a、第二-第二子像素SP2b及第三-第一子像素SP3a上，且第一凹部CE1a及第一凸部CE2a可設置於第一-第二子像素SP1b、第二-第一子像素SP2a及第三-第二子像素SP3b上。

再者，設置於一個像素PX上且各自具有具有橢圓形外形的n型半導體層131、141的兩個第二發光元件130及兩個第三發光元件140可分別沿不同方向設置。可根據第二發光元件130及第三發光元件140的設置方向決定凹部CE1a、CE1b及凸部CE2a、CE2b的設置方向。

舉例來說，請參考圖3，在包含沿第二方向DR2延 伸的第二凹部CE1b及第二凸部CE2b的第二-第一子像素SP2a及第三-第一子像素SP3a中，第二發光元件130及第三發光元件140可被配置，而使得n型半導體層131、141的頂表面的短軸可沿第二方向DR2設置，且n型半導體層131、141的頂表面的長軸可沿第一方向DR1設置。在包含沿第一方向DR1延伸的第一凹部CE1a及第一凸部CE2a的第二-第二子像素SP2b及第三-第二子像素SP3b中，第二發光元件130及第三發光元件140可被配置，而使得n型半導體層131、141的頂表面的短軸可沿第一方向DR1設置，且n型半導體層131、141的頂表面的長軸可沿第二方向DR2設置。因此，在具有橢圓形外形的n型半導體層131、141的頂表面中，短軸可沿與凹部CE1a、CE1b及凸部CE2a、CE2b的擴展方向相同的方向設置，且長軸可沿與凹部CE1a、CE1b及凸部CE2a、CE2b的擴展方向不同的方向設置。

在一些示例中，在根據本發明多個示例性態樣的顯示裝置100中，第一連接電極CE1的凹部CE1a、CE1b及第二連接電極CE2的凸部CE2a、CE2b可在這些子像素SP之各者中沿不同方向設置。因此，儘管這些發光元件LED沿任一方向位移及轉移，發光元件LED、第一連接電極CE1及第二連接電極CE2仍可在至少一子像素SP中連接。將參考圖7A至圖7C描述此配置。

圖7A至圖7C為用以根據本發明一些態樣的顯示裝置的發光元件的轉移位置來說明第一連接電極、第二連接電極及 發光元件之間的連接關係的俯視平面示意圖。圖7A為當發光元件LED轉移至確切位置時的第二子像素SP2的俯視平面圖。圖7B為當發光元件LED沿第一方向DR1位移且轉移時的第二子像素SP2的俯視平面圖。圖7C為當發光元件LED沿第二方向DR2位移且轉移時的第二子像素SP2的俯視平面圖。為了方便描述，圖7A至圖7C繪示多個第二子像素SP2的俯視平面圖。然而，實質上相似於第二子像素SP2，在第一子像素SP1及第三子像素SP3中，第一連接電極CE1及第二連接電極CE2可連接於發光元件LED。

請參考圖7A，在第二發光元件130轉移至確切位置的情況下，第二n型電極134可被設置為對應於第一接觸孔CH1及第一連接電極CE1，且第二p型電極135可被設置為對應於第二連接電極CE2的凸部CE2a、CE2b及第二接觸孔CH2。在此情況下，第一接觸孔CH1及第二接觸孔CH2為圖6中繪示的第三平坦化層118的接觸孔，且可被設置為對應於第二n型電極134及第二p型電極135。第二接觸孔CH2的尺寸可大於第二p型電極135的尺寸。第二接觸孔CH2的尺寸可大於從第二密封膜136被暴露的第二p型電極135的部分的尺寸。第二n型電極134可經由第一接觸孔CH1電性連接於第一連接電極CE1，且第二p型電極135可經由第二接觸孔CH2電性連接於第二連接電極CE2。因此，在第二發光元件130轉移至確切位置的情況下，第二發光 元件130可在第二-第一子像素SP2a及第二-第二子像素SP2b兩者中正常地連接於第一連接電極CE1及第二連接電極CE2。

請參考圖7B，在將發光元件LED轉移至黏著層116上的製程期間，可能會出現對齊誤差，且發光元件LED可能會從確切位置沿第一方向DR1位移。在第二發光元件130沿第一方向DR1位移的情況下，第二發光元件130的第二n型電極134及第二p型電極135、第一接觸孔CH1之一部分及第二接觸孔CH2之一部分可能會互相不對齊。然而，在沿與第二發光元件130的位移方向相同的方向延伸的凹部CE1a、CE1b及凸部CE2a、CE2b中，第一接觸孔CH1之至少一部分及第二接觸孔CH2之至少一部分可重疊第二發光元件130的第二n型電極134及第二p型電極135，且將第一連接電極CE1及第二連接電極CE2電性連接至第二發光元件130。

舉例來說，沿第二方向DR2延伸的第二凹部CE1b及第二凸部CE2b設置於第二-第一子像素SP2a中。在此情況下，當第二發光元件130沿第一方向DR1位移時，第一接觸孔CH1、第二接觸孔CH2、第二n型電極134及第二p型電極135的位置不會對齊，使得第二發光元件130無法連接於第一連接電極CE1及第二連接電極CE2。

然而，沿第一方向DR1延伸的第一凹部CE1a及第一凸部CE2a設置於第二-第二子像素SP2b中，使得第二發光元 件130、第一連接電極CE1及第二連接電極CE2可電性連接。因為沿第一方向DR1延伸的第一凸部CE2a及第二接觸孔CH2設置於第二-第二子像素SP2b中，所以儘管第二發光元件130部分地沿第一方向DR1位移，第二發光元件130的第二p型電極135及第二接觸孔CH2仍可彼此重疊。再者，因為第二接觸孔CH2的尺寸大於第二p型電極135的尺寸，所以即便第二p型電極135部分地位移，第二p型電極135仍可容易地暴露於第二接觸孔CH2的區域中。因為設置於第一凹部CE1a的兩個相對側的第一接觸孔CH1亦沿第一方向DR1延伸，所以第二發光元件130的第二n型電極134之至少一部分可重疊第一接觸孔CH1。因此，在具有沿與第二發光元件130的位移方向相同的方向延伸的第一凹部CE1a及第一凸部CE2a的第二-第二子像素SP2b中，第二發光元件130、第一連接電極CE1及第二連接電極CE2可連接。

請參考圖7C，在轉移發光元件LED的製程期間，可能會出現對齊誤差，且發光元件LED可能會從確切位置沿第二方向DR2位移。在此情況下，在沿與第二發光元件130的位移方向相同的方向延伸的凹部CE1a、CE1b及凸部CE2a、CE2b中，第一接觸孔CH1之至少一部分及第二接觸孔CH2之至少一部分可重疊第二發光元件130的第二n型電極134及第二p型電極135，且將第一連接電極CE1及第二連接電極CE2電性連接至第二發光元件130。

舉例來說，沿第二方向DR2延伸的第二凹部CE1b及第二凸部CE2b設置於第二-第一子像素SP2a中。因為第二凸部CE2b及第二接觸孔CH2在沿第二方向DR2延伸的同時被設置，所以儘管第二發光元件130沿第二方向DR2位移，第二接觸孔CH2及第二發光元件130的第二p型電極135之至少一部分仍可彼此重疊。因為第一接觸孔CH1亦沿第二方向DR2延伸，所以第二發光元件130的第二n型電極134之至少一部分可重疊第一接觸孔CH1。因此，在具有沿與第二發光元件130的位移方向相同的方向延伸的第二凹部CE1b及第二凸部CE2b的第二-第一子像素SP2a中，第二發光元件130、第一連接電極CE1及第二連接電極CE2可正常地連接。

相反地，因為沿第一方向DR1設置的第一凹部CE1a及第一凸部CE2a設置於第二-第二子像素SP2b中，所以沿第二方向DR2位移的第二發光元件130可能會與第一接觸孔CH1及第二接觸孔CH2不對齊。

因此，在根據本發明多個示例性態樣的顯示裝置100中，儘管發光元件LED不對齊，發光元件LED、第一連接電極CE1及第二連接電極CE2仍連接，且影像可正常地顯示在顯示相同顏色的一對子像素SP之至少一者中。舉例來說，第二連接電極CE2的第一凸部CE2a及第一連接電極CE1的第一凹部CE1a可沿第一方向DR1延伸，且連接於沿第一方向DR1位移的發光元 件LED。再者，第二連接電極CE2的第二凸部CE2b及第一連接電極CE1的第二凹部CE1b可沿第二方向DR2延伸，且連接於沿第二方向DR2位移的發光元件LED。因此，在顯示相同顏色的一對子像素SP之各者中，第一連接電極CE1及第二連接電極CE2的凹部CE1a、CE1b及凸部CE2a、CE2b沿不同方向設置。因此，儘管發光元件LED位移且轉移，第一連接電極CE1及第二連接電極CE2仍可在這些子像素SP之至少任一者中連接。

在一些示例中，在根據本發明多個示例性態樣的顯示裝置100中，這些發光元件LED可先自組裝至組裝基板10上，然後自組裝的發光元件LED可被轉移至顯示面板PN，從而可生產出顯示裝置100。在此情況下，在自組裝發光元件LED的製程期間，可藉由將這些發光元件LED對齊使得這些發光元件LED對應於第一連接電極CE1的凹部CE1a、CE1b及第二連接電極CE2的凸部CE2a、CE2b的設置方向來執行自組裝。尤其，各自具有橢圓形平面外形的第二發光元件130及第三發光元件140需要被對齊為對應於顯示面板PN上的第一連接電極CE1的凹部CE1a、CE1b及第二連接電極CE2的凸部CE2a、CE2b的設置方向，從而使第二發光元件130及第三發光元件140可電性連接於第一連接電極CE1及第二連接電極CE2。因此，組裝基板10的多個組裝電極的設置方向可被不同地配置，且這些發光元件LED可沿不同方向對齊並自組裝。

以下將參考圖8A至圖8G描述製造根據本發明多個示例性態樣的顯示裝置100的方法。

圖8A至圖8G為用以說明製造根據本發明一些態樣的顯示裝置的方法的製程圖。圖8A至圖8C為用以說明自組裝這些發光元件LED的製程的製程圖。圖8D至圖8G為用以說明轉移這些發光元件LED的製程及形成第一連接電極CE1及第二連接電極CE2的製程的製程圖。

請參考圖8A，可藉由自組裝法來將發光元件LED轉移至組裝基板10。

首先，生長於晶圓上的這些發光元件LED被輸入至被填充有流體WT的腔室CB。流體WT可包含水等等，且被填充有流體WT的腔室CB可具有在其上部側有開口的外形。

接著，組裝基板10可放置於被填充有發光元件LED的腔室CB上。組裝基板10為供發光元件LED暫實地自組裝的基板110。在發光元件LED自組裝於組裝基板10上之後，組裝基板10上的發光元件LED可被轉移至顯示裝置100。

接著，磁鐵MG可放置於組裝基板10上。浸沒或懸浮於腔室CB的底部上的發光元件LED可藉由磁鐵MG的磁力朝組裝基板10移動。

在此情況下，發光元件LED可包含磁性元件，從而可藉由磁場來移動發光元件LED。舉例來說，發光元件LED的n 型電極124、134、144或p型電極125、135、145之任一者可包含例如鐵(Fe)、鈷(Co)或鎳(Ni)的鐵磁性材料，使得朝向磁鐵MG的發光元件LED的方向可對齊。

接著，已藉由磁鐵MG而朝組裝基板10移動的發光元件LED可藉由電場而自組裝至組裝基板10，所述電場由多個組裝線路AL及多個組裝電極形成。

具體來說，請參考圖8B及圖8C，組裝基板10包含組合基板SUB、多個組裝線路AL、多個組裝電極、組裝絕緣層IL及有機層OL。

首先，這些組裝線路AL及這些組裝電極設置於組合基板SUB上。這些組裝線路AL包含多個第一組裝線路AL1及多個第二組裝線路AL2。這些第一組裝線路AL1及多個第二組裝線路AL2可被設置為以預設間隔互相分離。

這些組裝電極包含多個第一組裝電極AE1及多個第二組裝電極AE2。這些第一組裝電極AE1可連接於這些第一組裝線路AL1，且這些第二組裝電極AE2可連接於這些第二組裝線路AL2。一對第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2可彼此相鄰設置，且形成用以自組裝發光元件LED的電場。在這些子像素SP中，一對第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2可設置於發光元件LED被轉移的確切位置。

組裝絕緣層IL設置於這些組裝線路AL及這些組裝 電極上。組裝絕緣層IL可保護這些組裝線路AL不受流體WT影響，藉此抑制例如這些組裝線路AL的腐蝕的缺陷。

包含多個口袋部OLH的有機層OL設置於組裝絕緣層IL上。藉由使有機層OL的一部分開口所形成的這些口袋部OLH之各者可為供這些發光元件LED自組裝的區域。這些口袋部OLH可被設置為重疊一對第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2之間的區域。之後，這些口袋部OLH可各自形成在分別對應於顯示裝置100的這些子像素SP的位置。這些口袋部OLH可以一對一的方式被設置為分別對應於這些子像素SP。在這些口袋部OLH中自組裝的發光元件LED可在不被改變的情況下被轉移至這些子像素SP。這些口袋部OLH的平面外形可對應於這些發光元件LED的平面外形。舉例來說，這些口袋部OLH可包含具有對應於第一發光元件120的圓形平面外形的口袋部OLH、具有對應於第二發光元件130的橢圓形平面外形的口袋部OLH及具有對應於第三發光元件140的橢圓形平面外形的口袋部OLH。

再者，藉由將電壓施加至這些組裝線路AL及這些組裝電極，這些發光元件LED可在有機層OL的口袋部OLH中自組裝。舉例來說，可藉由將交流電流電壓施加至這些第一組裝線路AL1、這些第一組裝電極AE1、這些第二組裝線路AL2及第二組裝電極AE2來形成電場。發光元件LED可藉由被電場介電極化(dielectrically polarized)而具有極性。再者，被介電極化的發光 元件LED可藉由介電電泳(dielectrophoresis，DEP)，亦即電場，沿特定方向移動或固定。因此，這些發光元件LED可藉由使用介電電泳而在組裝基板10的口袋部OLH內暫時地自組裝。

在此情況下，可藉由使用第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2的設置方向來調整這些發光元件LED的對齊方向。尤其，第二發光元件130及第三發光元件140的對齊方向可根據第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2的設置方向而改變，所述第二發光元件130包含設置於第二n型半導體層131的兩個相對端的一對第二n型電極134，所述第三發光元件140包含設置於第三n型半導體層141的兩個相對端的一對第三n型電極144。

請參考圖8B，第一組裝電極AE1包含第一-第一組裝電極AE1a及第一-第二組裝電極AE1b，且第二組裝電極AE2包含第二-第一組裝電極AE2a及第二-第二組裝電極AE2b。第一-第一組裝電極AE1a及第二-第一組裝電極AE2a可以預設間隔彼此相鄰設置，且第一-第二組裝電極AE1b及第二-第二組裝電極AE2b可以預設間隔彼此相鄰設置。

沿第一方向DR1延伸的第一-第一組裝電極AE1a及第二-第一組裝電極AE2a沿第二方向DR2以交錯方式設置。第一-第一組裝電極AE1a朝相鄰於第一-第一組裝電極AE1a的第二組裝線路AL2沿第一方向DR1延伸。第二-第一組裝電極AE2a朝相鄰於第二-第一組裝電極AE2a的第一組裝線路AL1沿第一方 向DR1延伸。然而，第一-第一組裝電極AE1a及第二-第一組裝電極AE2a以交錯方式延伸，使得第一-第一組裝電極AE1a及第二-第一組裝電極AE2a可沿第二方向DR2面向彼此。舉例來說，在第二方向DR2為垂直方向的情況下，第二-第一組裝電極AE2a可設置於第一-第一組裝電極AE1a的上部側或下部側。因此，沿第二方向DR2以交錯方式設置的第一-第一組裝電極AE1a及第二-第一組裝電極AE2a可在具有沿第一方向DR1延伸的間隙的同時彼此相鄰設置。

第一-第二組裝電極AE1b及第二-第二組裝電極AE2b可在沿第一方向DR1延伸的同時面向彼此。第一-第二組裝電極AE1b及第二-第二組裝電極AE2b可在相同線路上朝彼此延伸。因此，第一-第二組裝電極AE1b的一端及第二-第二組裝電極AE2b的一端可沿第一方向DR1面向彼此。第一-第二組裝電極AE1b及第二-第二組裝電極AE2b可在具有沿第二方向DR2延伸的間隙的同時彼此相鄰設置。

在此情況下，第二發光元件130可自組裝，使得一對第二n型電極134分別朝向彼此鄰設的第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2。舉例來說，一對第二n型電極134中的一個第二n型電極134可朝第一組裝電極AE1設置。一對第二n型電極134中的另一個第二n型電極134可朝最相鄰於第一組裝電極AE1的第二組裝電極AE2設置。

在此情況下，在於沿第二方向DR2面向彼此的第一-第一組裝電極AE1a及第二-第一組裝電極AE2a上自組裝的第二發光元件130中，一對第二n型電極134可沿第二方向DR2對齊。因為一個第二n型電極134朝第一-第一組裝電極AE1a對齊且另一個第二n型電極134朝第二-第一組裝電極AE2a對齊，所以一對第二n型電極134可沿第二方向DR2對齊且第二p型電極135插設於其之間。亦即，第二發光元件130的第二n型半導體層131的長軸可沿第二方向DR2對齊。

相反地，在於沿第一方向DR1面向彼此的第一-第二組裝電極AE1b及第二-第二組裝電極AE2b上自組裝的第二發光元件130中，一對第二n型電極134可沿第一方向DR1對齊。因為一個第二n型電極134朝第一-第二組裝電極AE1b對齊且另一個第二n型電極134朝第二-第二組裝電極AE2b對齊，所以一對第二n型電極134可沿第一方向DR1對齊且第二p型電極135插設於其之間。亦即，第二發光元件130的第二n型半導體層131的長軸可沿第一方向DR1對齊。

因此，可根據第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2的布置位置來調整設置於第二發光元件130的兩個相對端的第二n型電極134的對齊位置。可形成並對齊沿第二方向DR2面向彼此的第一-第一組裝電極AE1a及第二-第一組裝電極AE2a，使得一對第二n型電極134沿第二方向DR2設置，且第二發光元 件130可自組裝。同樣地，可形成並對齊沿第一方向DR1面向彼此的第一-第二組裝電極AE1b及第二-第二組裝電極AE2b，使得一對第二n型電極134沿第一方向DR1設置，且第二發光元件130可自組裝。再者，可以與第二發光元件130相同的方式來調整包含設置於第三n型半導體層141的兩個相對端的一對第三n型電極144的第三發光元件140的對齊方向。

接著，請參考圖8D，組裝基板10的這些發光元件LED被轉移至予體DN。

首先，對齊組裝基板10及予體DN，使得這些發光元件LED及予體DN面向彼此。再者，可連結組裝基板10及予體DN，使得發光元件LED的上部部分可與予體DN接觸。在此情況下，予體DN由具有黏著力的材料製成，使得這些發光元件LED的上部部分可接合至予體DN並從組裝基板10被轉移至予體DN。予體DN可由例如聚二甲基矽氧烷(PDMS)、聚胺酯丙烯酸酯(PUA)、聚乙二醇(PEG)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、環氧樹脂、胺甲酸乙脂樹脂、丙烯酸樹脂等具有黏彈性的聚合物材料製成。然而，本發明不以此為限。

接著，請參考圖8E及圖8F，予體DN上的這些發光元件LED被轉移至顯示面板PN的黏著層116上。

予體DN及被形成有黏著層116的顯示裝置100對齊。可對齊顯示裝置100及予體DN，使得予體DN的這些發光元 件LED及顯示裝置100的黏著層116面向彼此。再者，可連結予體DN及顯示裝置100，使得予體DN上的發光元件LED可被轉移至黏著層116上。

在此情況下，黏著層116及發光元件LED之間的接合力大於予體DN及發光元件LED之間的接合力，使得發光元件LED可從予體DN脫離並附接於黏著層116。

因此，這些發光元件LED可自組裝，以在對應於這些子像素SP的同時布置於組裝基板10上，然後可藉由使用予體DN來將組裝基板10上的這些發光元件LED轉移至顯示裝置100。在此情況下，在對齊這些發光元件LED使得這些發光元件LED對應於這些子像素SP之間的間隔之後，可省略將這些發光元件LED從晶圓轉移至予體DN的製程。藉由使用電場，發光元件LED可容易地自組裝於確切位置。因此，藉由使用組裝基板10來使晶圓上的這些發光元件LED自組裝，這可使對齊誤差最小化並簡化轉移這些發光元件LED的製程。

在本發明中，配置已被描述為藉由自組裝法使這些發光元件LED自組裝至組裝基板10，然後藉由使用予體DN來將這些發光元件LED轉移至顯示裝置100。然而，本發明不以此為限。舉例來說，可在顯示裝置100上形成分離的組裝線路AL，且這些發光元件LED可直接在顯示裝置100上自組裝。然而，本發明不以此為限。

接著，請參考圖8F及圖8G，發光元件LED被轉移至顯示裝置100的黏著層116上，然後形成第一連接電極CE1及第二連接電極CE2，使得發光元件LED可電性連接於驅動電晶體DT及電源線路VDD。

首先，形成覆蓋這些發光元件LED的第二平坦化層117及第三平坦化層118。再者，可在第三平坦化層118中形成多個接觸孔，經由所述接觸孔暴露這些發光元件LED的n型電極124、134、144及p型電極125、135、145。可在第三平坦化層118、第二平坦化層117及黏著層116中形成多個接觸孔，經由所述接觸孔暴露第一反射電極RE1及反射電極RE。

接著，可在第三平坦化層118上形成第一連接電極CE1及第二連接電極CE2。再者，導電材料層可形成於基板110的前表面上，且可藉由使導電材料層圖案化來形成第一連接電極CE1及第二連接電極CE2。

因此，在顯示裝置100及製造根據本發明多個示例性態樣的顯示裝置100的方法中，可藉由根據第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2的布置位置而調整各自具有橢圓形外形的第二發光元件130及第三發光元件140的對齊方向來執行自組裝。可根據第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2的位置來調整設置於第二發光元件130的兩個相對端的第二n型電極134的對齊位置，或設置於第三發光元件140的兩個相對端的第三n型 電極144的對齊位置。舉例來說，可形成並對齊沿第二方向DR2面向彼此的第一-第一組裝電極AE1a及第二-第一組裝電極AE2a，使得一對第二n型電極134及一對第三n型電極144沿第二方向DR2設置，且第二發光元件130及第三發光元件140可自組裝。可形成並對齊沿第一方向DR1面向彼此的第一-第二組裝電極AE1b及第二-第二組裝電極AE2b，使得一對第二n型電極134及一對第三n型電極144沿第一方向DR1設置，且第二發光元件130及第三發光元件140可自組裝。因此，第一組裝電極AE1及第二組裝電極AE2可沿第一方向DR1及第二方向DR2之任一者面向彼此且對齊，使得各自具有橢圓形外形的第二發光元件130及第三發光元件140的方向對應於第一連接電極CE1的凹部CE1a、CE1b及第二連接電極CE2的凸部CE2a、CE2b的設置方向，且可執行自組裝。

本發明的多個示例性實施例亦可描述如下：

根據本發明一態樣提供一種顯示裝置。顯示裝置包含：基板，具有各自包含多個子像素的多個像素；多個發光元件，設置於這些子像素上且各自包含一個或多個n型電極及p型電極；第一連接電極，設置於這些子像素的這些發光元件之各者上且包含重疊p型電極的凹部；以及第二連接電極，設置於這些子像素的這些發光元件之各者上且包含重疊p型電極的凸部。凹部及凸部在這些子像素之多者中的每一者中沿第一方向延伸，且凹 部及凸部在這些子像素之多者中的每一者中沿與第一方向不同的第二方向延伸。

像素可包含：一對第一子像素，包含第一-第一子像素及第一-第二子像素；一對第二子像素，包含第二-第一子像素及第二-第二子像素；以及一對第三子像素，包含第三-第一子像素及第三-第二子像素，且凹部可在所述一對第一子像素之各者、所述一對第二子像素之各者及所述一對第三子像素之各者中沿不同方向延伸。

凹部可在第一-第一子像素及第一-第二子像素之任一者中沿第一方向延伸，凹部可在第二-第一子像素及第二-第二子像素之任一者中沿第一方向延伸，且凹部可在第三-第一子像素及第三-第二子像素之任一者中沿第一方向延伸。

凹部及凸部可在第一-第一子像素、第二-第一子像素及第三-第一子像素之各者中沿第二方向延伸，且凹部及凸部可在第一-第二子像素、第二-第二子像素及第三-第二子像素之各者中沿第一方向延伸。

這些發光元件之各者可更包含：n型半導體層，具有被設置有n型電極的頂表面；發光層，設置於n型半導體層上；以及p型半導體層，設置於發光層上且具有被設置有p型電極的頂表面。在這些發光元件之多者中的每一者中，n型半導體層的頂表面可具有橢圓形外形，且n型電極可在長軸方向上設置於n 型半導體層的頂表面的兩個相對端。

這些發光元件之多者中的每一者的n型半導體層的頂表面的短軸可沿與對應於這些發光元件之多者的凹部及凸部的擴展方向相同的方向設置，且這些發光元件之多者中的每一者的n型半導體層的頂表面的長軸可沿與對應於這些發光元件之多者的凹部及凸部的擴展方向不同的方向設置。

n型半導體層的頂表面的長軸可在一些發光元件中重疊沿第一方向延伸的凹部及凸部的發光元件中沿第二方向設置。

顯示裝置可更包含絕緣層，所述絕緣層設置於這些發光元件及第一連接電極之間，且設置於這些發光元件及第二連接電極之間。絕緣層可包含：一對第一接觸孔，重疊這些發光元件之各者的n型電極及第一連接電極；以及第二接觸孔，重疊這些發光元件之各者的p型電極及第二連接電極。

第一連接電極的凹部可設置於一對第一接觸孔之間，且第二接觸孔可重疊第二連接電極的凸部。

根據本發明一態樣，提供一種製造顯示裝置的方法。所述方法包含：在被形成有多個組裝電極的組裝基板上自組裝多個發光元件；將組裝基板上的這些發光元件轉移至予體；以及將予體的這些發光元件轉移至顯示面板的多個子像素。自組裝這些發光元件包含：藉由將電壓施加至這些組裝電極來形成電場，及 以電場自組裝這些組裝電極上的這些發光元件。

這些組裝電極可包含：多個第一組裝電極，沿第一方向延伸，且包含第一-第一組裝電極及第一-第二組裝電極；以及多個第二組裝電極，沿第一方向延伸，且包含與第一-第一組裝電極相鄰設置的第二-第一組裝電極，以及與第一-第二組裝電極相鄰設置的第二-第二組裝電極。第一-第一組裝電極及第二-第一組裝電極可以交錯方式設置，從而在第一-第一組裝電極及第二-第一組裝電極之間形成沿第一方向延伸的間隙第一-第二組裝電極可被設置為面對第二-第二組裝電極，從而在第一-第二組裝電極及第二-第二組裝電極之間形成沿垂直於第一方向的第二方向延伸的間隙。

這些發光元件之多者中的每一者可包含：n型半導體層，具有具有橢圓形外形的頂表面；一對n型電極，在n型半導體層的頂表面上設置於長軸方向上的n型半導體層的兩個相對端；發光層，設置於n型半導體層上；p型半導體層，設置於發光層上；p型電極，設置於p型半導體層上。自組裝這些發光元件可包含：執行自組裝，使得一對n型電極之一者重疊這些第一組裝電極，且所述一對n型電極之另一者重疊這些第二組裝電極。

一對n型電極可在組裝於第一-第一組裝電極及第二-第一組裝電極上的這些發光元件之多者中的每一者中沿第二方向對齊，且一對n型電極可在自組裝於第一-第二組裝電極及第二 -第二組裝電極上的這些發光元件之各者中沿第一方向對齊。

儘管已參考所附圖式詳細描述本發明的多個示例性實施例，但本發明並不以此為限，且可在不脫離本發明的技術概念的情況下以許多不同的形式來實施。因此，提供本發明的多個示例性實施例僅用於說明目的，而不旨在限制本發明的技術概念。本發明的技術概念的範圍不以此為限。因此，應理解上述示例性實施例在所有態樣中皆為說明性的且不限制本發明。

敘述一組「至少一者」及/或一組「一個或多個」的申請專利範圍的語言或其他語言旨在所述群組的一個成員或所述群組的(任何組合的)多個成員滿足申請專利範圍。舉例來說，敘述「A及B之至少一者」或「A或B之至少一者」的申請專利範圍的語言表示A、B或A及B。在另一個例子中，敘述「A、B及C之至少一者」或「A、B或C之至少一者」的申請專利範圍的語言表示A、B、C、或A及B、或A及C，或B及C，或A及B及C。一組「至少一者」及/或一組「一個或多個」的語言不會將所述組限制為所述組中列出的項目。舉例來說，敘述「A及B之至少一者」或「A或B之至少一者」的申請專利範圍的語言可表示A、B、或A及B，且可包含未在A及B的組合中列出的項目。

100:顯示裝置 AA:顯示區 DD:資料驅動部 DL:資料線路 GD:閘極驅動部 NA:非顯示區 PN:顯示面板 SL:掃描線路 SP:子像素 TC:時序控制器

Claims (9)

1. 一種顯示裝置，包含： 一基板，具有各自包含多個子像素的多個像素； 多個發光元件，位於該些子像素上且各自包含一個或多個n型電極及一p型電極； 一第一連接電極，位於該些子像素的該些發光元件之各者上且包含重疊該一個或多個n型電極的一凹部；以及 一第二連接電極，位於該些子像素的該些發光元件之各者上且包含重疊該p型電極的一凸部， 其中該凹部及該凸部在該些子像素的多個第一子集合(subset)之各者中沿一第一方向延伸，並且 其中該凹部及該凸部在該些子像素的多個第二子集合之各者中沿與該第一方向不同的一第二方向延伸。
2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該些像素之各者包含： 一對第一子像素，包含一第一-第一子像素及一第一-第二子像素； 一對第二子像素，包含一第二-第一子像素及一第二-第二子像素；以及 一對第三子像素，包含一第三-第一子像素及一第三-第二子像素， 其中該凹部在該對第一子像素、該對第二子像素及該對第三子像素中沿不同方向延伸。
3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中 該凹部在該第一-第一子像素及該第一-第二子像素之任一者中沿該第一方向延伸， 該凹部在該第二-第一子像素及該第二-第二子像素之任一者中沿該第一方向延伸，並且 該凹部在該第三-第一子像素及該第三-第二子像素之任一者中沿該第一方向延伸。
4. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該凹部及該凸部在該第一-第一子像素、該第二-第一子像素及該第三-第一子像素之各者中沿該第二方向延伸，並且 其中該凹部及該凸部在該第一-第二子像素、該第二-第二子像素及該第三-第二子像素之各者中沿該第一方向延伸。
5. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該些發光元件之各者更包含： 一n型半導體層，具有被設置有該n型電極的一頂表面； 一發光層，位於該n型半導體層上；以及 一p型半導體層，位於該發光層上且具有被設置有該p型電極的一頂表面， 其中在該些發光元件的多個子集合之各者中，該n型半導體層的該頂表面具有一橢圓形外形，且該n型電極在一長軸方向上設置於該n型半導體層的該頂表面的兩個相對端。
6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該些發光元件的該些子集合之各者的該n型半導體層的該頂表面的一短軸沿與對應於該些發光元件的該些子集合的該凹部及該凸部的擴展方向相同的一方向設置，並且 其中該些發光元件的該些子集合之各者的該n型半導體層的該頂表面的一長軸沿與對應於該些發光元件的該些子集合的該凹部及該凸部的擴展方向不同的一方向設置。
7. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該n型半導體層的該頂表面的一長軸在該些發光元件的該些子集合中重疊沿該第一方向延伸的該凹部及該凸部的該些發光元件之一者中沿該第二方向設置。
8. 如請求項5所述之顯示裝置，更包含： 一絕緣層，位於該些發光元件及該第一連接電極之間，且位於該些發光元件及該第二連接電極之間， 其中該絕緣層包含：一對第一接觸孔，該對第一接觸孔重疊該些發光元件之各者的該n型電極及該第一連接電極；以及 一第二接觸孔，該第二接觸孔重疊該些發光元件之各者的該p型電極及該第二連接電極。
9. 如請求項8所述之顯示裝置，其中該第一連接電極的該凹部位於該對第一接觸孔之間，且該第二接觸孔重疊該第二連接電極的該凸部。