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TWI898025B - 電解電容器及電解電容器的製造方法 - Google Patents

電解電容器及電解電容器的製造方法

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TWI898025B
TWI898025B TW110131373A TW110131373A TWI898025B TW I898025 B TWI898025 B TW I898025B TW 110131373 A TW110131373 A TW 110131373A TW 110131373 A TW110131373 A TW 110131373A TW I898025 B TWI898025 B TW I898025B
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carbon
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福島航太
田邉圭祐
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日商日本貴彌功股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種改善了包含碳層的陰極體與引出端子的連接性的電解電容器及該電解電容器的製造方法。電解電容器1包括:陽極體2,於表面形成有電介質氧化皮膜5;陰極體3,具有陰極箔31及形成於所述陰極箔31的碳層32;電解液6,介於陽極體2與陰極體3之間;以及各極的引出端子7,與陽極體2及陰極體3冷壓接。陰極體3的碳層32的表面的最大靜止摩擦係數為0.6以上。

Description

電解電容器及電解電容器的製造方法
本發明是有關於一種電解電容器及電解電容器的製造方法。
電解電容器具備如鉭或鋁等般的閥作用金屬作為陽極箔及陰極箔。陽極箔藉由將閥作用金屬製成燒結體或蝕刻箔等形狀而擴面化,且於擴面化的表面具有電介質氧化皮膜層。電解液介於陽極箔與陰極箔之間。電解液與陽極箔的凹凸面密接,作為真正的陰極發揮功能。該電解電容器藉由電介質氧化皮膜層的介電極化作用而獲得陽極側電容。
電解電容器可被視為於陽極側及陰極側顯現出電容的串聯電容器。因此,為了效率良好地利用陽極側電容,陰極側電容亦非常重要。陰極箔亦藉由蝕刻處理而使表面積增大,但就陰極箔的厚度的觀點而言,陰極箔的擴面化亦有限度。
因此,提出有在陰極箔形成氮化鈦等金屬氮化物的皮膜的電解電容器(參照專利文獻1)。於氮氣環境下,藉由作為離子鍍敷(ion plating)法的一種的真空電弧蒸鍍法而使鈦蒸發,在陰極箔的表面堆積氮化鈦。金屬氮化物為惰性,難以形成自然氧化皮膜。另外,蒸鍍皮膜形成微細的凹凸,陰極的表面積擴大。然而,金屬氮化物的蒸鍍製程複雜,導致電解電容器的成本高。
因此,本發明者等考量於陰極箔上形成碳層。碳層位於陰極體的最外表面。該電解電容器的陰極側電容藉由形成在極化電極與電解質的邊界面的電雙層(electric double layer)的蓄電作用來顯現。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平4-61109號公報
[發明所欲解決之課題]
自電解電容器引出引出端子,經由該引出端子將電解電容器與電路電性連接。引出端子例如是包含鋁製的平坦部的接頭形狀。平坦部藉由各種連接方法與電容器元件的陽極體及陰極體的各極分別連接,引出端子自電解電容器主體引出。
作為引出端子與陽極體或陰極體的連接方法,已知有冷壓接。冷壓接是將陽極體或陰極體與引出端子的平坦部重合,在非加熱狀態下,將陽極體或陰極體與引出端子的平坦部沿積層方向加壓。藉此,可謂陽極體或陰極體與引出端子的平坦部在相互之間引起原子結合。
藉由該冷壓接,確認到若將在陰極箔上形成碳層而成的陰極體與引出端子連接,則與將未形成有碳層的陰極體與引出端子冷壓接的情況相比,連接性差。即,確認到陰極體與引出端子的物理性連接強度變低,另外陰極體與引出端子之間的電阻變高。
本發明是為解決所述課題而提出,其目的在於提供一種改善了包含碳層的陰極體與引出端子的連接性的電解電容器及該電解電容器的製造方法。 [解決課題之手段]
為解決所述課題,實施方式的電解電容器的特徵在於包括:陽極體,於表面形成有電介質層;陰極體,具有陰極箔及形成於該陰極箔的碳層;電解質,介於所述陽極體與所述陰極體之間;以及各極的引出端子,與所述陽極體及所述陰極體冷壓接,且所述陰極體的所述碳層的表面的最大靜止摩擦係數為0.6以上。
另外,為解決所述課題,實施方式的電解電容器的製造方法使表面形成有電介質層的陽極體與陰極體夾著電解質而相向,所述電解電容器的製造方法的特徵在於包括:冷壓接步驟,將引出端子冷壓接於所述陰極體,所述陰極體於陰極箔上形成有表面的最大靜止摩擦係數為0.6以上的碳層。
於引出端子與陰極體冷壓接時,陰極體的陰極箔由於是鋁箔等金屬製,因此富有延伸性,容易藉由按壓而被拉伸。另一方面,與陰極箔相比,碳層本就缺乏延伸性,但若進而最大靜止摩擦係數達到0.6以上,則碳層會卡於按壓構件,於冷壓接時,越來越無法追隨陰極箔的延伸。如此,碳層容易產生大量裂紋,陰極箔自裂紋中露出。因此,可經由碳層的裂紋將引出端子的平坦部與陰極箔的表面壓接,從而改善引出端子與陰極體的連接性。
另外,若碳層表面的摩擦力低,則於冷壓接時按壓構件表面與碳層表面會滑動。於冷壓接時,在碳層及陰極箔產生與按壓構件接觸而受到壓力的按壓區域,但於該按壓區域中的外側範圍,藉由按壓構件表面與碳層表面滑動,欲向按壓區域的外側移動的力起作用。因此,按壓區域中的外側範圍不會隨著按壓而變薄,按壓區域容易成為外側範圍與其他中心區域的厚度急劇變化的形狀。該形狀中,厚度急劇變化的部分的應力容易集中,陰極體與引出端子的連接有可能不充分。但是,若將碳層表面的最大靜止摩擦係數設為0.6以上,則按壓構件不會在碳層表面的表面滑動,碳層及陰極箔的按壓區域整個區域隨著按壓而變薄。因此,成為應力難以集中的結構,可提高陰極體與引出端子的連接力。
所述碳層亦可相對於該碳層中的全部碳原材料的合計量,以包含不添加在內的18 wt%以下的比例包含石墨。石墨具有滑動性能,因此若將石墨的含量設為不添加或18 wt%以下,則可使碳層的表面的最大靜止摩擦係數增大至0.6以上。再者,所述碳層亦可包含球狀碳作為所述碳原材料。
於所述冷壓接步驟中,將所述陰極體與所述引出端子重疊並利用按壓構件進行按壓,所述按壓構件可具有平坦面以及與該平坦面所成的角度傾斜成120度以上的側面。另外,亦可於所述陰極體與所述引出端子的邊界面具有冷壓接區域,所述冷壓接區域具有平坦面以及與該平坦面所成的角度為120度以上的傾斜面。
若利用側面傾斜成120度以上的按壓構件來按壓陰極體與引出端子,則陰極體難以被剪切,陰極體與引出端子的連接性得到改善。另外,冷壓接區域具有平坦面以及120度以上的傾斜面而區域變廣,接合面積變大,因此陰極體與引出端子的連接性得到改善。 [發明的效果]
根據本發明,包含碳層的陰極體與引出端子的連接性得到改善。
對本發明的實施形態的電極體及將該電極體用於陰極的電解電容器進行說明。於本實施形態中,例示具有電解液的捲繞型的電解電容器來進行說明,但並不限定於此。如電解液、導電性聚合物等固體電解質層、凝膠電解質、或者對固體電解質層及凝膠電解質併用電解液的電解質般,可應用於具有各種電解質的電解電容器的任一種中,另外,例如亦可應用於積層型的電解電容器中。
(電解電容器概要) 圖1是本實施方式的電解電容器的模型圖。該電解電容器1是進行與靜電電容對應的電荷的蓄電及放電的被動元件。該電解電容器1包括:表面形成有電介質氧化皮膜5的陽極體2、於陰極箔31的表面形成碳層32而成的陰極體3、以及隔板4。再者,碳層32形成在陰極箔31的兩面。另外,陽極體2與陰極體3為帶狀,隔著隔板4相向配置,帶長度方向呈螺旋狀地捲繞。
於陽極體2與陰極體3之間充滿電解液6。電解液6與陽極體2的電介質氧化皮膜5密接,另外與陰極體3的碳層32密接。該電解電容器1藉由在陰極體3的碳層32與電解液6的界面產生的電雙層作用而產生陰極側電容,另外,在陽極體2產生由介電極化作用產生的陽極側電容。
圖2是陰極體3的剖面圖。如圖2所示,於陰極體3,藉由冷壓接而電性連接及機械性連接有引出端子7。於陽極體2亦同樣地藉由冷壓接而電性連接及機械性連接有另一引出端子7。藉由該引出端子7,電解電容器1被安裝於電氣電路或電子電路。
引出端子7是包括平坦部71的金屬構件,例如為鋁製,具有平板形狀或扁線形狀。以平坦部71與陰極體3的單面進行面接觸的方式,使引出端子7的一端側與陰極體3接觸。另外,以與陰極體3的帶長邊正交的方式,使引出端子7自陰極體3突出。然後,藉由冷壓接將引出端子7與陰極體3連接。陽極體2與另一引出端子7的連接方法亦同樣。再者,引出端子7只要包括平坦部71即可,亦可藉由壓製加工將圓棒部的其中一端部壓潰而形成平坦部71,並藉由電弧焊接等將金屬線連接於圓棒部的另一端部。
(陰極體) 陰極體3具有陰極箔31與碳層32的積層結構。陰極箔31成為集電體,較佳為於其表面形成有擴面層。碳層32含有碳原材料作為主要材料。藉由該碳層32與擴面層密接,而形成陰極箔31與碳層32的積層結構。碳層32位於陰極體3的最外表面。
陰極箔31是以閥作用金屬為材料的長條的箔體。閥作用金屬為鋁、鉭、鈮、鈦、鉿、鋯、鋅、鎢、鉍及銻等。純度理想為大致99%以上,亦可含有矽、鐵、銅、鎂、鋅等雜質。作為陰極箔31,例如可使用由日本工業標準(Japanese Industrial Standard,JIS)規格H0001所規定的調質符號為H的鋁材、所謂的H材;由JIS規格H0001所規定的調質符號為O的鋁材、所謂的O材。若使用包含H材的剛性高的金屬箔,則可抑制由壓製加工所致的陰極箔31的變形。
該陰極箔31對將閥作用金屬延伸而成的金屬箔實施了擴面處理。擴面層是藉由電解蝕刻或化學蝕刻、噴砂等而形成,或者是藉由於金屬箔蒸鍍或燒結金屬粒子等而形成。作為電解蝕刻,可列舉直流蝕刻或交流蝕刻等方法。另外,於化學蝕刻中,將金屬箔浸漬於酸溶液或鹼溶液中。所形成的擴面層是具有自箔表面向箔芯部刻入的隧道狀的蝕刻坑或海綿狀的蝕刻坑的層區域。再者,蝕刻坑亦可以貫通陰極箔31的方式形成。
於擴面層,亦可有意或自然地形成有氧化皮膜。自然氧化皮膜是藉由陰極箔31與空氣中的氧反應而形成,化學皮膜是藉由在己二酸或硼酸等水溶液等鹵素離子不存在的溶液中施加電壓的化學轉化處理而有意地形成的氧化皮膜。於金屬箔例如為鋁箔的情況下,利用該方法得到的氧化皮膜是擴面層氧化而成的氧化鋁。
碳層32含有產生電雙層作用的碳原材料作為主要材料。該碳層32的表面以最大靜止摩擦係數為0.6以上的方式進行調整。藉由將碳層32的表面的最大靜止摩擦係數設為0.6以上,具有碳層32的陰極體3與引出端子7的連接性得到改善。接下來的機制為推測,並不限定於該機制,但基於以下理由而認為具有碳層32的陰極體3與引出端子7的連接性將得到改善。
即,於引出端子7與陰極體3藉由冷壓接來加壓時,陰極體3的陰極箔31由於是鋁箔等金屬製,因此富有延伸性,容易藉由按壓而被拉伸。另一方面,與陰極箔31相比,碳層32本就缺乏延伸性,但若進而最大靜止摩擦係數達到0.6以上,則碳層32會卡於按壓構件,於冷壓接時,越來越無法追隨陰極箔31的延伸。如此,碳層32產生大量裂紋,陰極箔31自碳層32的裂紋中露出。因此,可經由碳層32的裂紋將引出端子7的平坦部71與陰極箔31的表面進行接合,從而改善引出端子7與陰極體3的連接性。如此,為了使碳層32的表面容易卡於引出端子7,以碳層32的表面的最大靜止摩擦係數達到0.6以上的方式調整碳層32。
另外,若碳層32的表面的摩擦力低,則於冷壓接時按壓構件表面與碳層32的表面會滑動。於冷壓接時,在碳層32及陰極箔31產生與按壓構件接觸而受到壓力的按壓區域,但於該按壓區域中的外側範圍,藉由按壓構件表面與碳層32的表面滑動,欲向按壓區域的外側移動的力起作用。因此,按壓區域中的外側範圍不會隨著按壓而變薄,按壓區域容易成為外側範圍與其他中心區域的厚度急劇變化的形狀。該形狀中,厚度急劇變化的部分的應力容易集中,陰極體3與引出端子7的連接有可能不充分。但是,若將碳層32的表面的最大靜止摩擦係數設為0.6以上,則按壓構件不會在碳層32的表面滑動,碳層32及陰極箔31的按壓區域整個區域隨著按壓而變薄。因此,成為應力難以集中的結構,可提高陰極體3與引出端子7的連接力。
碳層32中含有的碳原材料為纖維狀碳、碳粉末、或該些的混合。亦可為實施了活化處理或形成孔的開口處理等多孔質化處理的纖維狀碳或碳粉末。纖維狀碳為碳奈米管、碳奈米纖維等。碳奈米管可為石墨烯片為一層的單層碳奈米管,亦可為兩層以上的石墨烯片呈同軸狀捲曲、管壁呈多層的多層碳奈米管(多壁碳奈米管(multi-wall carban nanotubes,MWCNT))。碳粉末是以源自椰殼等天然植物組織、苯酚等合成樹脂、煤炭、焦炭、瀝青等化石燃料的粉末為原料的活性碳、科琴黑(ketjen black)、乙炔黑(acetylene black)、槽黑(channel black)等碳黑、碳奈米角、無定形碳、介孔碳等。於使用電解液6作為電解質的電解電容器1中,碳原材料較佳為表現出電雙層作用者。
作為碳原材料,特佳為球狀碳。較佳為於碳層32中包含一種或兩種以上的球狀碳作為碳原材料。球狀碳的粒徑小,且容易進入形成於陰極箔31的擴面層的更深部,碳層32與陰極箔31密接。作為球狀碳,例如可列舉碳黑。作為碳黑,可列舉科琴黑、乙炔黑、槽黑及熱碳黑(thermal black)等,較佳為一次粒徑平均為100 nm以下,另外較佳為根據布厄特(Brunauer-Emmett-Teller,BET)理論計算的比表面積(以下稱為BET比表面積)為200 m 2/g以下。BET比表面積為200 m 2/g以下的碳黑例如為乙炔黑。
作為碳原材料,亦可將石墨與其他碳原材料一起加入至碳層32中。作為與石墨一起加入的其他碳原材料,較佳為球狀碳。作為石墨,較佳為鱗片狀或鱗狀,且短徑與長徑的縱橫比為1:5~1:100的範圍。於將含有該組合的碳原材料的碳層32積層於陰極箔31的情況下,球狀碳容易藉由石墨而擦入擴面層的細孔。石墨容易沿著擴面層的凹凸面變形,容易堆積於凹凸面上。然後,石墨成為按壓蓋,壓住擦入細孔的球狀碳。因此,碳層32與陰極箔31的密接性及固著性進一步提高。
此處,石墨的滑動性能高,因此可藉由調整石墨的含量來調整碳層32的表面的最大靜止摩擦係數。相對於碳層32,石墨設為未添加,或者相對於碳層32中含有的全部碳原材料的合計量,設為至少18 wt%以下的含量。藉此,碳層32的表面的最大靜止摩擦係數變為0.6以上。
此種陰極體3藉由陰極體製作步驟來製作。於陰極體製作步驟中,只要製作含有碳層32的材料的漿料,另外,預先於陰極箔31形成擴面層,於擴面層塗佈漿料進行乾燥及壓製即可。關於碳層32,使碳原材料分散在溶劑中,加入黏合劑,製作漿料。於製作該漿料前,亦可藉由利用珠磨機或球磨機等粉碎手段進行粉碎來預先調整碳原材料的平均粒徑。溶劑為甲醇、乙醇或2-丙醇等醇、烴系溶劑、芳香族系溶劑、N-甲基-2-吡咯啶酮(N-methyl-2-pyrrolidone,NMP)或N,N-二甲基甲醯胺(N,N-dimethyl formamide,DMF)等醯胺系溶劑、水及該些的混合物等。作為分散方法,使用混合器、噴射混合(噴流混合)、或超離心處理、其他超音波處理等。於分散步驟中,將混合溶液中的石墨、球狀碳與黏合劑細分化及均勻化,分散於溶液中。作為黏合劑,例如可列舉苯乙烯丁二烯橡膠、聚偏二氟乙烯、或聚四氟乙烯。
漿料藉由漿料澆鑄法、刮刀法或噴霧法等塗佈於陰極箔31。塗佈後藉由乾燥使溶劑揮發。或者,將碳層32抄紙成型為片狀而載置於陰極箔31。抄紙成型片是使碳層32中含有的碳原材料分散在分散溶劑中,根據需要加入黏合劑後,在減壓過濾及乾燥之後,將堆積物自濾紙剝離來製作。
除此之外,作為碳層32在陰極箔31上的形成方法,可列舉真空蒸鍍、濺鍍法、離子鍍、化學氣相沈積(chemical vapor deposition,CVD)法、電解鍍、無電解鍍等。於採用蒸鍍法的情況下,藉由於真空中對碳原材料進行通電加熱而使其蒸發,或者於真空中使電子束照射至碳原材料使其蒸發,於陰極箔上成膜碳原材料。另外,於採用濺鍍法的情況下,將包含碳原材料的靶材與陰極箔配置於真空容器中,向真空容器內導入惰性氣體並施加電壓,藉此使電漿化的惰性氣體與靶材碰撞,使自靶材敲擊出的碳原材料的粒子堆積於陰極箔。
在陰極箔31上形成碳層32後,以規定的壓製壓力使陰極箔31與碳層32壓接。於壓製加工中,利用壓製輥來夾持例如包含碳層32與陰極箔31的陰極體3,施加壓製線壓。壓製壓力理想為0.01 t/cm~100 t/cm左右。藉由該壓製,若碳層32的碳原材料為石墨及球狀碳,則石墨及球狀碳被鋪滿並排列。另外,藉由壓製,碳層32的石墨以沿著擴面層的凹凸面的方式變形。另外,藉由壓製,對沿著擴面層的凹凸面變形的石墨施加壓接的應力,石墨與擴面層之間的球狀碳被壓入細孔內。藉此,碳層32與陰極箔31的密接性提高。
所得的陰極體3經過冷壓接步驟與引出端子7連接。圖3是表示所得的陰極體3與引出端子7的冷壓接的示意圖。如圖3所示,使所得的陰極體3與引出端子7的平坦部71重合。然後,在非加熱狀態下,自陰極體3側對陰極體3與引出端子7的平坦部71按壓按壓構件200,利用按壓構件200在積層方向上對陰極體3與引出端子7的平坦部71進行加壓。
按壓構件200較佳為具有梯形形狀的前端。即,按壓構件200的前端由平坦面210與側面220劃分而成。側面220與該平坦面210連接,向按壓構件200的外側傾倒,與該平坦面210所成的角度α較佳為傾斜成120度以上。若側面220傾斜成120度以上,則降低對該按壓構件200所按壓的冷壓接區域33的剪應力。即,陰極體3在冷壓接區域33與其周圍之間不會在一部分或全部地斷裂,可良好地保持陰極體3與引出端子7的連接性。
再者,冷壓接區域33是陰極體3與引出端子7的邊界中藉由冷壓接而接合的區域,是在陰極體3與引出端子7的邊界投影有按壓構件200的區域。
該冷壓接區域33藉由具有傾斜角為120度以上的梯形形狀的按壓構件200而具有平坦面33a及傾斜面33b。平坦面33a是按壓構件200的平坦面210碰撞而形成的區域,傾斜面33b是按壓構件200的側面220碰撞而形成的區域。因此,傾斜面33b向外側傾倒,與平坦面33a所成的角度成為與按壓構件200相同的120度以上的角度α。因此,冷壓接區域33的面積擴大,陰極體3與引出端子7的連接性得到進一步改善。
(陽極體2) 其次,陽極體2是以閥作用金屬為材料的長條的箔體。關於陽極體2,純度理想為大致99.9%以上。該陽極體2是對延伸的箔實施蝕刻處理而成,或者是將閥作用金屬的粉體燒結而成,或者是使金屬粒子等的皮膜蒸鍍於箔來形成皮膜而成。陽極體2於表面具有蝕刻層或多孔質結構層。
形成於陽極體2的電介質氧化皮膜5典型而言為形成於陽極體2的表層的氧化皮膜,若陽極體2為鋁製,則是使多孔質結構區域氧化而得的氧化鋁層。該電介質氧化皮膜5是藉由於硼酸銨、磷酸銨、己二酸銨等酸或該些酸的水溶液等不存在鹵素離子的溶液中施加電壓的化學轉化處理而形成。
(隔板) 隔板4可列舉:牛皮紙(kraft)、馬尼拉麻(Manila hemp)、茅草(esparto)、大麻(hemp)、嫘縈(rayon)等纖維素及該些的混合紙;聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、該些的衍生物等聚酯系樹脂;聚四氟乙烯系樹脂;聚偏二氟乙烯系樹脂;維尼綸(vinylon)系樹脂;脂肪族聚醯胺、半芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺系樹脂;聚醯亞胺系樹脂;聚乙烯樹脂;聚丙烯樹脂;三甲基戊烯樹脂;聚苯硫醚樹脂;丙烯酸樹脂等,可將該些樹脂單獨或混合使用,而且可與纖維素混合使用。
(電解液) 電解液6是對溶劑溶解溶質,且根據需要添加添加劑而得的混合液。溶劑可為質子性的極性溶劑或者非質子性的極性溶劑中的任一種。作為質子性的極性溶劑,可列舉一元醇類、及多元醇類、氧基醇化合物類、水等作為代表。作為非質子性的極性溶劑,可列舉碸系、醯胺系、內酯類、環狀醯胺系、腈系、亞碸系等作為代表。
電解液6中所含的溶質含有陰離子及陽離子的成分,典型而言為有機酸或其鹽、無機酸或其鹽、或者有機酸與無機酸的複合化合物或具有其離子離解性的鹽,可單獨使用或組合使用兩種以上。亦可將成為陰離子的酸及成為陽離子的鹼作為溶質成分分別添加至電解液中。
進而,亦可向電解液中添加其他添加劑。作為添加劑,可列舉:聚乙二醇、硼酸與多糖類(甘露糖醇、山梨糖醇等)的錯合化合物、硼酸與多元醇的錯合化合物、硼酸酯、硝基化合物(鄰硝基苯甲酸、間硝基苯甲酸、對硝基苯甲酸、鄰硝基苯酚、間硝基苯酚、對硝基苯酚等)、磷酸酯、膠體二氧化矽等。該些可單獨使用,亦可組合使用兩種以上。
以上,說明了使用電解液6的電解電容器,於使用固體電解質的情況下,藉由碳層32而與固體電解質導通,藉由由介電極化作用所產生的陽極側電容而構成電解電容器的靜電電容。另外,於使用固體電解質的情況下,可列舉聚乙烯二氧噻吩等聚噻吩、或聚吡咯、聚苯胺等導電性聚合物。 [實施例]
以下,基於實施例來對本發明進行更詳細的說明。再者,本發明並不限定於下述實施例。
(實施例1及實施例2) (陰極體的製作) 以如下方式製作比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2的電解電容器1用的陰極體3。首先,碳層32中所含的碳原材料為石墨及作為球狀碳的一種的碳黑的混合,或僅為碳黑。將石墨的粉末、碳黑及作為黏合劑的苯乙烯丁二烯橡膠(styrene butadiene rubber,SBR)添加至作為含分散劑水溶液的羧甲基纖維素鈉(CMC-Na)水溶液中,進行混煉,藉此製作漿料。碳原材料、黏合劑與含分散劑水溶液的調配比以重量比計設為84:10:6。
另行準備鋁箔作為陰極箔31,將漿料均勻地塗佈於該陰極箔31。對於鋁箔,預先藉由於鹽酸中施加電壓而形成擴面層。陰極箔31的表面積藉由擴面層被擴大為22倍。擴面層的深度在單面為4 μm,兩面合計為8 μm,未形成有擴面層的箔芯部以12 μm的厚度殘留。再者,擴面層的深度是自陰極箔31的表面至蝕刻坑最深部的深度的平均。箔芯部的厚度是蝕刻坑未到達的層的厚度的平均。
對該陰極箔31,塗佈包含石墨及碳黑的漿料、或者僅為碳黑的漿料。漿料塗佈於陰極箔31的擴面層上。於使漿料乾燥後,以150 kNcm -2的壓力實施垂直壓製,使碳層32固著於陰極箔31上。
比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2的陰極體3中石墨與碳黑的混合比率如下表1所示不同。再者,比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2的碳層32中含有的碳原材料僅為石墨與碳黑,下表1的石墨所涉及的數值可以說是以碳層32中所含的全部碳原材料為基準的重量比例。
(表1)
  石墨 碳黑
比較例1 75 25
比較例2 56.25 43.75
比較例3 37.5 62.5
實施例1 18.75 81.25
實施例2 0 100
(最大摩擦係數的測量) 以如下方式測定比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2的陰極體3的各碳層32的表面的最大靜止摩擦係數μ。即,依據JIS標準P-8147「紙及紙板的摩擦係數試驗方法」,利用水平直線往返滑動方式來測定最大靜止摩擦係數μ。具體而言,在各陰極體3上按順序載置溶劑紡絲嫘縈(日本高度紙工業製造;TEF(厚度40 μm及密度0.40 g/cm 3))、毛氈、200 g的砝碼,以100 mm/min的速度拉伸溶劑紡絲嫘縈。慢慢增加牽引力,將溶劑紡絲嫘縈移動的瞬間的力作為最大靜止摩擦力(N),藉由荷重元(load cell)(共和電業股份有限公司;型號LUX-B)進行檢測。以藉由砝碼而溶劑紡絲嫘縈自陰極體3受到的垂直阻力(N)除以最大靜止摩擦力(N),藉此算出各陰極體3的碳層32的表面的最大靜止摩擦係數。
將比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2的陰極體3的各碳層32表面的最大靜止摩擦係數μ示於下表2中。 (表2)
  最大靜止摩擦力(N) 最大靜止摩擦係數μ
比較例1 0.65 0.33
比較例2 0.81 0.41
比較例3 0.99 0.51
實施例1 1.16 0.60
實施例2 1.40 0.71
如上表2所示,實施例1及實施例2的最大靜止摩擦係數μ為0.6以上。於實施例1中,石墨的含量以石墨與碳黑的合計、即全部碳原材料為基準為18.75 wt%,於實施例2中未添加石墨。因此可確認到,若將石墨相對於碳層32的含量以全部碳原材料為基準設為18 wt%以下,則可使碳層32的表面的最大靜止摩擦係數μ為0.6以上。
(冷壓接) 接著,對比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2的陰極體3,藉由冷壓接連接引出端子7。使陰極體3與引出端子7的平坦部71重合,利用按壓構件200自陰極體3側向積層方向加壓。按壓構件200的前端具有梯形形狀,平坦面210與側面220所成的角度為120度。
(連接強度試驗) 以引出端子7為上側,固定陰極體3,將引出端子7中自陰極體3突出的前端側拉起。而且,將在引出端子7的平坦部71自各陰極體3剝離之前產生的最大拉伸應力作為連接強度,利用荷重元(共和電業股份有限公司;型號LUX-B)進行測定。再者,力點的位置全部相同。
將該連接強度試驗的結果示於下表3中。另外,將下表3的平均值的結果示於圖4的曲線圖中。再者,各陰極體3各製作3個,對各自進行連接強度試驗,亦算出三次的平均值。於下表3中,×標記表示未能連接。
(表3)
利用120度按壓體的冷壓接
  比較例1 (μ=0.33) 比較例2 (μ=0.41) 比較例3 (μ=0.51) 實施例1 (μ=0.60) 實施例2 (μ=0.71)
第一個體 × 0.10 N 0.10 N 0.30 N 0.40 N
第二個體 × × 0.10 N 0.40 N 0.40 N
第三個體 × × 0.10 N 0.40 N 0.30 N
平均 × 0.10 N 0.10 N 0.33 N 0.37 N
首先,最大靜止摩擦係數為0.33的比較例1的陰極體3於利用具有以120度傾斜的側面220的按壓構件200進行冷壓接時,陰極體3完全被剪切,無法與引出端子7連接。於最大靜止摩擦係數為0.41的比較例2的陰極體3中,三個中只有一個不剪切而與引出端子7連接。
而且,如上表3及圖4所示,確認到於最大靜止摩擦係數為0.51以下的比較例1至比較例3以及最大靜止摩擦係數為0.6以上的實施例1及實施例2中,連接強度完全不同。最大靜止摩擦係數至少為0.51以下時,即便提高最大靜止摩擦係數亦看不到連接強度的提高,但最大靜止摩擦係數至少為0.6以上時,與最大靜止摩擦係數至少為0.51以下的情況相比,連接強度得到大的改善。
(接觸電阻試驗) 引出端子7中自陰極體3突出的部分與陰極體3上連接有電阻計的各極端子。以引出端子7為上側,固定陰極體3,在將引出端子7抬起0.8 mm的狀態及將引出端子7抬起0.0 mm的狀態、即未抬起引出端子7的狀態下分別測定接觸電阻。作為電阻計,使用日置電機股份有限公司製造的型號RM3545。測定結果顯示出陰極體3的電阻值、引出端子7的電阻值與連接電阻的合計值。陰極體3的電阻值與引出端子7的電阻值在比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2中為相同的值。
將該接觸電阻試驗的結果示於下表4中。另外,將下表4的平均值的結果示於圖5的曲線圖中。再者,各陰極體3各製作三個,對於各個,在抬起0.0 mm的狀態及抬起0.8 mm的狀態下進行接觸電阻試驗,亦算出三次的平均值。於下表3中,×標記表示由於剪切而無法連接,無法測定,各數值為藉由試驗得到的電阻值(mΩ)。
(表4)
利用120度按壓體的冷壓接
  比較例1 (μ=0.33) 比較例2 (μ=0.41) 比較例3 (μ=0.51) 實施例1 (μ=0.60) 實施例2 (μ=0.71)
0.0 mm 0.8 mm 0.0 mm 0.8 mm 0.0 mm 0.8 mm 0.0 mm 0.8 mm 0.0 mm 0.8 mm
第一個體 × × 1.88 101.30 1.39 3.00 1.04 1.49 1.04 1.34
第二個體 × × × × 1.07 3.10 1.06 1.45 1.05 1.40
第三個體 × × × × 1.40 2.96 1.02 1.65 1.10 1.65
平均 × × 1.88 101.30 1.29 3.02 1.04 1.53 1.06 1.46
陰極體3的電阻值與引出端子7的電阻值在比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2中為相同的值,因此表4及圖5中所示的測定結果之差為接觸電阻之差。如表4及圖5所示,至最大靜止摩擦係數為0.51以下的比較例3為止,在抬起0.0 mm的狀態與抬起0.8 mm的狀態下,連接電阻的差大。但是,確認到若最大靜止摩擦係數達到0.6以上,則抬起0.8 mm狀態時的接觸電阻下降,與抬起0.0 mm狀態下的接觸電阻之差變小。如此,若碳層32的表面的最大靜止摩擦係數為0.6以上,則與最大靜止摩擦係數至少為0.51以下的情況相比,接觸電阻得到大的改善。
(按壓構件的變形例) 使用側面220的傾斜角不同的按壓構件200,藉由冷壓接將比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2的電解電容器1用的陰極體3與引出端子7連接。使陰極體3與引出端子7的平坦部71重合,利用平坦面210與側面220所成的角度為150度的梯形形狀的按壓構件200自陰極體3側沿積層方向加壓。
藉由利用該具有以150度傾斜的側面220的按壓構件200進行冷壓接,在將陰極體3與引出端子7連接後,進行連接強度試驗與接觸電阻試驗。連接強度試驗與接觸電阻試驗的方法及條件與利用具有以120度傾斜的側面220的按壓構件200進行冷壓接時相同。將連接強度試驗的結果示於下表5中,將接觸電阻試驗的平均值的結果示於下表6中。另外,將下表5的平均值的結果示於圖6的曲線圖中,將下表6的結果示於圖7的曲線圖中。於下表5及下表6中,×標記表示由於剪切而無法連接,無法測定,於下表6中,各數值為藉由試驗得到的電阻值(mΩ)。
(表5)
利用150度按壓體的冷壓接
  比較例1 (μ=0.33) 比較例2 (μ=0.41) 比較例3 (μ=0.51) 實施例1 (μ=0.60) 實施例2 (μ=0.71)
第一個體 0.20 N 0.30 N 0.50 N 0.60 N 0.80 N
第二個體 0.20 N 0.30 N 0.30 N 0.50 N 0.90 N
第三個體 × 0.40 N 0.40 N 0.50 N 1.00 N
平均 0.20 N 0.30 N 0.40 N 0.60 N 0.90 N
(表6)
利用150度按壓體的冷壓接
  比較例1 (μ=0.33) 比較例2 (μ=0.41) 比較例3 (μ=0.51) 實施例1 (μ=0.60) 實施例2 (μ=0.71)
0.0 mm 0.8 mm 0.0 mm 0.8 mm 0.0 mm 0.8 mm 0.0 mm 0.8 mm 0.0 mm 0.8 mm
第一個體 1.36 1.42 1.01 1.45 1.01 1.31 0.88 0.90 1.07 1.14
第二個體 1.38 2.71 0.99 1.40 1.01 1.40 0.99 0.96 1.00 1.02
第三個體 × × 1.02 1.41 0.96 1.36 0.89 0.91 0.99 0.96
平均 1.37 2.06 1.01 1.42 0.99 1.36 0.92 0.92 1.02 1.04
於利用具有以120度傾斜的側面220的按壓構件200進行冷壓接時,一部分個體的陰極體3發生剪切的比較例2中,三個中三個個體不發生剪切,陰極體3與引出端子7可連接。另外,於利用具有以120度傾斜的側面220的按壓構件200進行冷壓接時,全部個體的陰極體3發生剪切的比較例1中,三個中兩個個體不發生剪切,陰極體3與引出端子7可連接。
另一方面,對比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2的陰極體3,藉由使用側面220與平坦面210所成的角度為90度的按壓構件200的冷壓接,嘗試了連接引出端子7。但是,比較例1至比較例3以及實施例1及實施例2的各三個個體的陰極體3均發生剪切,無法連接陰極體3與引出端子7。
即,確認到藉由利用具有以120度以上傾斜的側面220的按壓構件200進行冷壓接,碳層32的表面的最大靜止摩擦係數為0.6以上的陰極體3不剪切,與引出端子7連接。
而且,如表5及圖6所示,若使用具有以150度傾斜的側面220的按壓構件200,則關於最大靜止摩擦係數為0.51以下的比較例1至比較例3,連接強度亦得到改善。另外,最大靜止摩擦係數為0.6以上的實施例1及實施例2與使用具有以120度傾斜的側面220的按壓構件200的情況相比,連接強度進一步提高。
如表5及圖7所示,可確認到,若使用具有以150度傾斜的側面220的按壓構件200,則最大靜止摩擦係數越上升,在抬起0.0 mm的狀態與抬起0.8 mm的狀態下連接電阻的差越小。而且,若使用具有以150度傾斜的側面220的按壓構件200,最大靜止摩擦係數達到0.6以上,則在抬起0.0 mm的狀態與抬起0.8 mm的狀態下連接電阻的差幾乎消失。
1:電解電容器 2:陽極體 3:陰極體 31:陰極箔 32:碳層 33:冷壓接區域 33a:平坦面 33b:傾斜面 4:隔板 5:電介質氧化皮膜 6:電解液 7:引出端子 71:平坦部 200:按壓構件 210:平坦面 220:側面 α:角度
圖1是電解電容器的模型圖。 圖2是表示陰極體的剖面的示意圖。 圖3是表示使用冷壓接的連接步驟的示意圖。 圖4是表示利用具有120度傾斜角的側面的梯形形狀的按壓構件進行冷壓接時的、各最大靜止摩擦係數的連接強度的曲線圖。 圖5是表示利用具有120度傾斜角的側面的梯形形狀的按壓構件進行冷壓接時的、各最大靜止摩擦係數的接觸電阻的曲線圖。 圖6是表示利用具有150度傾斜角的側面的梯形形狀的按壓構件進行冷壓接時的、各最大靜止摩擦係數的連接強度的曲線圖。 圖7是表示利用具有150度傾斜角的側面的梯形形狀的按壓構件進行冷壓接時的、各最大靜止摩擦係數的接觸電阻的曲線圖。
1:電解電容器 2:陽極體 3:陰極體 4:隔板 5:電介質氧化皮膜 6:電解液 31:陰極箔 32:碳層

Claims (8)

  1. 一種電解電容器,其特徵在於包括:陽極體,於表面形成有電介質層;陰極體,具有陰極箔及形成於所述陰極箔的碳層;電解質,介於所述陽極體與所述陰極體之間;以及各極的引出端子,與所述陽極體及所述陰極體冷壓接,且所述陰極體的所述碳層的表面的最大靜止摩擦係數為0.6以上。
  2. 如請求項1所述的電解電容器,其中相對於所述碳層中的全部碳原材料的合計量,所述碳層以包含不添加在內的18wt%以下的比例包含石墨。
  3. 如請求項2所述的電解電容器,其中所述碳層包含球狀碳作為所述碳原材料。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的電解電容器,其中於所述陰極體與所述引出端子的邊界面具有冷壓接區域,所述冷壓接區域具有平坦面以及與所述平坦面所成的角度為120度以上的傾斜面。
  5. 一種電解電容器的製造方法,其使表面形成有電介質層的陽極體與陰極體夾著電解質而相向,所述電解電容器的製造方法的特徵在於包括:冷壓接步驟,將引出端子冷壓接於所述陰極體,所述陰極體 於陰極箔上形成有表面的最大靜止摩擦係數為0.6以上的碳層。
  6. 如請求項5所述的電解電容器的製造方法,其中於所述冷壓接步驟中,將所述陰極體與所述引出端子重疊並利用按壓構件進行按壓,所述按壓構件具有平坦面以及與所述平坦面所成的角度傾斜成120度以上的側面。
  7. 如請求項5或請求項6所述的電解電容器的製造方法,其中於所述陰極體的製作步驟中,相對於所述碳層中的全部碳原材料的合計量,以包含不添加在內的18wt%以下的比例包含石墨。
  8. 如請求項7所述的電解電容器的製造方法,其中於所述陰極體製作步驟中,於所述碳層中包含球狀碳作為所述碳原材料。
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