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TWI897771B - 具備校準功能的積體晶片以及晶片校準方法 - Google Patents

具備校準功能的積體晶片以及晶片校準方法

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Publication number
TWI897771B
TWI897771B TW113149473A TW113149473A TWI897771B TW I897771 B TWI897771 B TW I897771B TW 113149473 A TW113149473 A TW 113149473A TW 113149473 A TW113149473 A TW 113149473A TW I897771 B TWI897771 B TW I897771B
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TW
Taiwan
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target
integrated chip
test
signal
identifier
Prior art date
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TW113149473A
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TW202518048A (zh
Inventor
張金磊
Original Assignee
大陸商合肥松豪電子科技有限公司
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Publication date
Application filed by 大陸商合肥松豪電子科技有限公司 filed Critical 大陸商合肥松豪電子科技有限公司
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Abstract

本發明公開一種具備校準功能的積體晶片以及一種晶片校準方法,屬於半導體領域,此晶片包括:類比電路;儲存模組,用於儲存目標識別符以及對積體晶片的類比電路進行調整的目標參數;其中,目標識別符用於表徵目標參數是否通過CP測試和FT測試;訊號控制模組,設置於積體晶片的數位電路內,用於讀取目標識別符,並與預設識別符進行比較;當目標識別符與預設識別符一致時,判定目標參數通過CP測試和FT測試,將目標參數發送至類比電路;或者,當目標識別符與預設識別符不一致時,判定目標參數未通過CP測試和FT測試,將預設參數發送至類比電路;目標參數和預設參數均用於確保積體晶片正常工作。透過此方法可以提高測試階段晶片的良品率。

Description

具備校準功能的積體晶片以及晶片校準方法
本發明涉及半導體領域,特別涉及一種具備校準功能的積體晶片以及一種晶片校準方法。
積體晶片在生產過程中會存在製程的偏差,導致積體晶片中的電源電壓、時鐘頻率等產生參數偏移,所以,需要在CP測試(Chip Probing,晶圓測試)和FT測試(Final Test,最終測試)階段對積體晶片的參數進行調整,進而使得積體晶片能夠運作在準確、可靠的性能參數下。
在通常情況下,會將CP測試和FT測試完畢的參數儲存在積體晶片的記憶體中,以使得積體晶片在通電啟動時,能夠從記憶體中將測試完畢的參數導入到積體晶片的實際工作電路中,並確保積體晶片的電路能正常穩定運行。但是,由於某些技術廠商在生產積體晶片時,其記憶體內部所儲存的參數並未經過CP測試和FT測試,是隨機儲存了一些參數。在此情形下,如果直接將未經CP測試和FT測試的參數導入到積體晶片中,存在積體晶片的電路無法正常運行的風險,降低積體晶片的良品率。目前,針對這一技術問題,還沒有較為有效的解決辦法。
由此可見,如何提高積體晶片的良品率,是本發明所屬領域中具有通常知識者極待解決的技術問題。
有鑑於此,本發明的目的在於提供一種具備校準功能的積體晶片以及一種晶片校準方法,以解決現有技術中積體晶片的良品率較低的問題。其具體方案如下:
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種具備校準功能的積體晶片,包括:類比電路;儲存模組,用於儲存目標識別符以及對積體晶片的類比電路進行調整的目標參數;其中,此目標識別符用於表徵此目標參數是否通過CP測試和FT測試;訊號控制模組,設置於此積體晶片的數位電路內,用於讀取此目標識別符,並與預設識別符進行比較;當此目標識別符與此預設識別符一致時,則判定此目標參數通過CP測試和FT測試,將此目標參數發送至此類比電路;或者,當此目標識別符與此預設識別符不一致時,則判定此目標參數未通過此CP測試和FT測試,將預設參數發送至此類比電路;此目標參數和此預設參數均用於確保此積體晶片正常工作。
較佳的,此訊號控制模組包括:第一訊號選擇器、第二訊號選擇器和訊號控制子模組;此訊號控制子模組用於當此目標識別符與此預設識別符一致時,則判定此目標參數通過此CP測試和FT測試,向此第一訊號選擇器的訊號選通埠發送致能訊號,並對此目標參數進行解析,得到目標解析參數;其中,此訊號控制子模組的輸入端與此儲存模組相連,此訊號控制子模組的輸出端分別與此第一訊號選擇器的訊號選通埠相連,此第一訊號選擇器的輸出端與此第二訊號選擇器的訊號選通埠相連,此第二訊號選擇器的輸出端與此類比電路相連;此第二訊號選擇器的第一輸入端用於接收此預設參數,此第二訊號選擇器的第二輸入端用於接收此目標解析參數。
較佳的,此訊號控制子模組包括:控制單元,用於當此目標識別符與此預設識別符一致時,則判定此目標參數通過此CP測試和FT測試,向此第一訊號選擇器的訊號選通埠發送致能訊號,並將此目標參數發送至解析單元;此解析單元,用於對此目標參數進行解析,得到此目標解析參數。
較佳的,此儲存模組包括:第一儲存單元,用於儲存此目標識別符;第二儲存單元,用於儲存對此積體晶片進行調整的此目標參數。
較佳的,還包括:軟體觸發模組,設置於此數位電路內,用於將經過此CP測試和此FT測試的此目標參數發送至此類比電路。
較佳的,此軟體觸發模組包括:第三訊號選擇器、或閘以及中央處理器,此中央處理器向此第三訊號選擇器的訊號選通埠發送致能訊號;其中,此第三訊號選擇器的訊號輸出端與此或閘的第一輸入端相連,此第一訊號選擇器的輸出端通過與此或閘與此第二訊號選擇器的訊號選通埠相連。
較佳的,此中央處理器由軟體應用程式控制。
較佳的,此目標參數的偵錯效果優於此預設參數。
較佳的,此預設識別符的複雜度與此積體晶片發生失效現象的機率呈反相關關係。
為了解決上述技術問題,本發明還提供了一種晶片校準方法,此晶片已完成CP測試和FT測試,其中,此校準方法包括如下依次執行的步驟: 步驟S201:判斷積體晶片中記憶體的目標識別符是否與預設識別符一致;若是,則執行步驟S202;若否,則執行步驟S204; 步驟S202:向此積體晶片的類比電路發送目標參數; 步驟S203:此積體晶片以此目標參數工作; 步驟S204:透過軟體應用程式向中央處理器發送指令; 步驟S205:此中央處理器控制此積體晶片的此類比電路在此目標參數下工作; 步驟S206:此積體晶片以此目標參數運作。
有益效果:在本發明所提供的具備校準功能的積體晶片中,是在積體晶片中設置了類比電路、儲存模組和數位電路,並在數位電路內設置了訊號控制模組。其中,儲存模組用於儲存目標識別符和對積體晶片進行調整的目標參數。目標識別符用於表徵目標參數是否通過CP測試和FT測試。當訊號控制模組確定出儲存模組中的目標識別符與預設識別符一致時,則說明儲存模組中的目標參數通過了CP測試和FT測試,此時訊號控制模組就會將經過CP測試和FT測試的目標參數發送至類比電路,以供類比電路使用。當訊號控制模組確定出儲存模組中的目標識別符與預設識別符不一致時,則說明儲存模組中的目標參數未通過CP測試和FT測試,是隨機所儲存的一些參數,此時訊號控制模組就會將用於觸發積體晶片正常工作的預設參數發送至類比電路,進而確保積體晶片的正常運行。
在此設置架構下,積體晶片不管是在CP測試和FT測試之前,還是在CP測試和FT測試之後,均能夠避免記憶體中隨機所儲存的參數進入到類比電路的現象,所以,透過此架構就可以確保積體晶片能夠正常穩定的運行,由此就可以進一步提高測試階段積體晶片的良品率。
相應的,本發明所提供的一種晶片校準方法,同樣具有上述有益效果。
下面將結合本發明實施例中的圖式,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例,所屬技術領域中具有通常知識者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬於本發明保護的範圍。
請參見圖1,圖1為本發明實施例所提供的一種具備校準功能的積體晶片的結構圖,晶片包括類比電路11;儲存模組12用於儲存目標識別符以及對積體晶片的類比電路11進行調整的目標參數;其中,目標識別符用於表徵目標參數是否通過CP測試和FT測試;訊號控制模組14,設置於積體晶片的數位電路13內,用於讀取目標識別符,並與預設識別符進行比較;當目標識別符與預設識別符一致時,則判定目標參數通過CP測試和FT測試,將目標參數發送至類比電路11;或者,當目標識別符與預設識別符不一致時,則判定目標參數未通過CP測試和FT測試,將預設參數發送至類比電路11;目標參數和預設參數均用於確保積體晶片正常工作。
在本實施例中,提供了一種具備校準功能的積體晶片,可降低測試階段產生不良晶片的機率。具備校準功能的積體晶片內設置了類比電路11、儲存模組12和數位電路13,並在數位電路13內設置了訊號控制模組14。
具體的,儲存模組12中儲存有目標識別符和對積體晶片進行調整的目標參數。其中,儲存模組12既可以是Eflash(Embedded Flash,嵌入式快閃記憶體),也可以是OTP(One Time Programable,一次性可程式設計晶片)等儲存介質。目標識別符用於表徵目標參數是否通過CP測試和FT測試。亦即,如果目標識別符與預設識別符一致時,說明儲存模組12中所儲存的目標參數已經通過了CP測試和FT測試。如果目標識別符與預設識別符不一致時,說明儲存模組12中所儲存的目標參數是一些隨機所產生的參數,這些參數進入到積體晶片的類比電路11中時,無法確保積體晶片的正常穩定運行。
當訊號控制模組14確定出儲存模組12中的目標識別符與預設識別符一致時,則說明儲存模組12中的目標參數通過了CP測試和FT測試,此時訊號控制模組14就會將經過CP測試和FT測試的目標參數發送至類比電路11。類比電路11使用經過CP測試和FT測試的目標參數,可以避免積體晶片中的電源電壓、時脈頻率等參數偏移,由此就可以確保積體晶片的運行性能。
當訊號控制模組14確定出儲存模組12中的目標識別符與預設識別符不一致時,則說明儲存模組12中的目標參數未通過CP測試和FT測試,是隨機所產生的一些參數,此時就可以將用於觸發積體晶片正常工作的預設參數發送至類比電路11,進而確保積體晶片的正常運行。
需要注意的是,經過CP測試和FT測試的目標參數能夠確保積體晶片工作在更加穩定、優良的狀態下,而預設參數是一些提前所設置好的參數,這些參數一般會處於中間值,在積體晶片製程偏差不是特別大的情況下,預設參數可以使積體晶片正常工作,但不是處於最佳的運行參數下。
另外,需要說明的是,本發明的積體晶片既可以是TP IC晶片(Touch Panel Driver Integrated Circuit,觸控面板驅動積體電路),也可以是其它類型的晶片。只要是積體晶片在運行過程中有控制記憶體中所儲存的參數在符合條件的前提下導入至積體晶片的類比電路11進行參數調整,即可使用本發明所提供的校準架構。
很顯然,在此設置架構下,積體晶片不管是在CP測試和FT測試之前,還是在CP測試和FT測試之後,均能夠避免記憶體中隨機所儲存的參數導入到類比電路11中,所以,通過此架構就可以確保積體晶片能夠正常穩定的運行,由此就可以進一步提高測試階段積體晶片的良品率。
基於上述實施例,本實施例對技術方案作進一步地說明與最佳化,作為一種較佳的實施方式,請參見圖2,圖2為本發明實施例所提供的另一種具備校準功能的積體晶片的結構圖。儲存模組12包括:第一儲存單元,用於儲存目標識別符;第二儲存單元,用於儲存對積體晶片進行調整的目標參數。
在本實施例中,為了使訊號控制模組14的執行邏輯更加清楚有序,還可以將儲存模組12劃分為第一儲存單元和第二儲存單元。利用第一儲存單元來儲存目標識別符,並利用第二儲存單元來儲存對積體晶片進行調整的目標參數。
作為一種較佳的實施方式,訊號控制模組14包括第一訊號選擇器MUX1、第二訊號選擇器MUX2和訊號控制子模組100;訊號控制子模組100用於當目標識別符與預設識別符一致時,則判定目標參數通過CP測試和FT測試,向第一訊號選擇器MUX1的訊號選通埠發送致能訊號,並對目標參數進行解析,得到目標解析參數trim_code;
其中,訊號控制子模組100的輸入端與儲存模組12相連,訊號控制子模組100的輸出端分別與第一訊號選擇器MUX1的訊號選通埠相連,第一訊號選擇器MUX1的輸出端與第二訊號選擇器MUX2的訊號選通埠相連,第二訊號選擇器MUX2的輸出端與類比電路11相連;第二訊號選擇器MUX2的第一輸入端用於接收預設參數default_code,第二訊號選擇器MUX2的第二輸入端用於接收目標解析參數trim_code。
在本實施例中,是對訊號控制模組14的內部結構進行了具體說明。其中,訊號控制模組14中是設置有第一訊號選擇器MUX1、第二訊號選擇器MUX2和訊號控制子模組100。
假設儲存模組12是一個N位元的暫存器,這N個暫存器的名稱分別為reg0、reg1、reg2……regN-1、regN。其中,暫存器reg0用於儲存目標識別符,除去暫存器reg0之外的其它暫存器用於儲存目標參數。在此情形下,暫存器reg0為第一儲存單元,除去暫存器reg0之外的其它暫存器為第二儲存單元。
如果將第一儲存單元所儲存的目標識別符定義為是否需要打開目標參數導入至類比電路11的開關,並將預設識別符設置為16’h5aa5。那麼當第一儲存單元中所儲存的目標識別符等於預設識別符16’h5aa5時,說明第二儲存單元中所儲存的目標參數已經通過了CP測試和FT測試,此時就可以將第二儲存單元中所儲存的目標參數發送至類比電路11。當第一儲存單元中所儲存的目標識別符不等於預設識別符16’h5aa5時,說明第二儲存單元中所儲存的目標參數未通過CP測試和FT測試,此時不能將第二儲存單元中所儲存的目標參數發送至類比電路11,而只能將預設參數default_code發送至類比電路11。
具體的,當訊號控制子模組100檢測到儲存模組12中第一儲存單元所儲存的目標識別符與預設識別符16’h5aa5一致時,說明第一儲存單元中所儲存的目標參數已經通過了CP測試和FT測試,此時訊號控制子模組100就會向第一訊號選擇器MUX1的訊號選通埠發送致能訊號,進而使得第一訊號選擇器MUX1的輸出訊號trimcode_enable_hw為高準位。當第一訊號選擇器MUX1的輸出訊號trimcode_enable_hw為高準位時,就相當於是第一訊號選擇器MUX1向第二訊號選擇器MUX2的訊號選通埠發送了致能訊號。此時,第二訊號選擇器MUX2就會接收訊號控制子模組100所輸出的目標解析參數trim_code,並將目標解析參數trim_code發送至積體晶片的類比電路11,進而使得積體晶片能夠利用經過CP測試和FT測試的目標參數來對積體晶片進行更好地參數調優。
當訊號控制子模組100檢測到儲存模組12中第一儲存單元所儲存的目標識別符與預設識別符16’h5aa5不一致時,說明第一儲存單元中所儲存的目標參數未通過CP測試和FT測試,還是一些隨機的參數。此時第二訊號選擇器MUX2就會預設接收預設參數default_code,並將預設參數default_code發送至積體晶片的類比電路11,進而確保積體電路的正常運行。
作為一種較佳的實施方式,訊號控制子模組100包括控制單元101,用於當目標識別符與預設識別符一致時,則判定目標參數通過CP測試和FT測試,向第一訊號選擇器MUX1的訊號選通埠發送致能訊號,並將目標參數發送至解析單元102;解析單元102用於對目標參數進行解析,得到目標解析參數trim_code。
在本實施例中,還可以在訊號控制子模組100中設置控制單元101和解析單元102。其中,當控制單元101檢測到儲存模組12中所儲存的目標識別符與預設識別符一致時,則說明儲存模組12中所儲存的目標參數已經通過了CP測試和FT測試,此時控制單元101就可以向第一訊號選擇器MUX1的訊號選通埠發送致能訊號,並將經過CP測試和FT測試的目標參數發送至解析單元102。當解析單元102接收到控制單元101所發送的目標參數時,解析單元102就會對目標參數進行解析,得到目標解析參數trim_code。
顯然,藉由本實施例所提供的技術方案,就可以透過硬體的方法快速地將經過CP測試和FT測試的目標參數導入到積體電路的類比電路11中。
作為一種較佳的實施方式,上述校準裝置還包括軟體觸發模組15,設置於數位電路13內,用於將經過CP測試和FT測試的目標參數發送至類比電路11。
在實際應用中,除了可以利用硬體形式的訊號控制模組14來將經過CP測試和FT測試的目標參數導入至積體晶片的類比電路11之外,還可以透過軟體的形式將經過CP測試和FT測試的目標參數導入至積體晶片的類比電路11中。具體的,可以在積體晶片的數位電路13內設置軟體觸發模組15,並利用軟體觸發模組15將經過CP測試和FT測試的目標參數發送至積體晶片的類比電路11。
請參見圖3,圖3為本發明實施例所提供的又一種具備校準功能的積體晶片的結構圖。作為一種較佳的實施方式,軟體觸發模組15包括第三訊號選擇器MUX3、或閘OR以及中央處理器103,中央處理器103向第三訊號選擇器MUX3的訊號選通埠發送致能訊號;其中,第三訊號選擇器MUX3的訊號輸出端與或閘OR的第一輸入端相連,第一訊號選擇器MUX1的輸出端通過或閘OR與第二訊號選擇器MUX2的訊號選通埠相連。
在本實施例中,是對軟體觸發模組15進行了具體說明。其中,軟體觸發模組15中設置有中央處理器103(Central Processing Unit,CPU)、第三訊號選擇器MUX3和或閘OR。
在實際應用中,如果遇到了雖然儲存模組12中的目標參數經過了CP測試和FT測試,但是,由於某些原因未能透過硬體形式的訊號控制模組14將這些參數導入至積體晶片的類比電路11中,此時就可以透過軟體觸發模組15將經過CP測試和FT測試的目標參數導入至積體晶片的類比電路11中。
具體的,當目標識別符與預設識別符一致時,中央處理器103就可以向第三訊號選擇器MUX3的訊號選通埠發送致能訊號,進而使得第三訊號選擇器MUX3的輸出訊號trimcode_enable_sw為高準位訊號。在此情形下,或閘OR就會輸出高準位訊號,此時第二訊號選擇器MUX2就會將通過CP測試和FT測試的目標參數發送至類比電路11,進而讓積體晶片可以利用通過CP測試和FT測試的目標參數進行參數調整,進而確保積體晶片的穩定可靠運行。
顯然,藉由本實施例所提供的技術方案,就可以透過軟體控制的方法將通過CP測試和FT測試的目標參數發送至積體晶片的類比電路11。
在實際應用中,中央處理器103可以透過軟體應用程式進行控制。軟體應用程式可以為:APP(Application)應用程式或者是boot應用程式。在此設置方式下,當軟體應用程式運行起來的時候,透過中央處理器103就可以將通過CP測試和FT測試的目標參數發送至積體晶片的類比電路11。
顯然,藉由本實施例所提供的技術方案,就可以進一步提高在向積體晶片的類比電路11發送調整參數時的便捷性。
基於上述實施例,本實施例對技術方案作進一步地說明與最佳化,作為一種較佳的實施方式,積體晶片具體為TP IC。TP IC晶片在智慧手機、平板電腦、觸控式螢幕電腦和其它觸控設備中十分常見。TP IC晶片是一種數模混合(混合訊號,mixed signal)的SOC(System on Chip)晶片,其內部類比電路的主要作用是用於控制觸控式螢幕上的每個感測器元件,同時也為數位電路提供電源、時脈等訊號,進而確保數位電路的正常穩定運行。
由於TP IC晶片在生產過程中會存在製程的偏差,這樣會導致TP IC晶片中的電源電壓、時脈頻率等產生參數偏移,進而影響TP IC晶片的運行性能。本發明所提供的TP IC可以避免隨機所儲存的參數導入至TP IC晶片的實際工作電路中,影響TP IC晶片的穩定運行。
另外,需要說明的是,在本發明中,目標參數的調優效果要優於預設參數。亦即,預設參數是一些提前所設置好的參數,這些參數一般會處於中間值,在積體晶片製程偏差不是特別大的情況下,預設參數可以使積體晶片正常工作,但不是處於最佳的運行參數下。而當目標參數通過CP測試和FT測試以後,將目標參數導入至積體晶片的類比電路11中,就可以確保積體晶片工作於最佳的工作狀態下。
基於上述實施例,本實施例對技術方案作進一步地說明與最佳化,作為一種較佳的實施方式,預設識別符的複雜度與積體晶片發生失效現象的機率呈反相關關係。即預設識別符的複雜度越高,積體晶片發生失效現象的機率越低,反之,預設識別符的複雜度越低,積體晶片發生失效現象的機率越高。不難想到的是,如果預設識別符的複雜程度越高,積體晶片中記憶體內隨機所儲存的目標識別符幾乎就不會出現與預設識別符保持一致的現象。由此就可以進一步降低積體晶片被誤判為良品的機率。
請參見圖4,圖4為本發明實施例所提供的一種具備校準功能的積體晶片執行校準功能的流程圖。積體晶片已通過CP測試和FT測試,此校準方法依次包括如下步驟: 步驟S201:判斷積體晶片中記憶體的目標識別符是否與預設識別符一致;若是,則執行步驟S202;若否,則執行步驟S204; 步驟S202:向積體晶片的類比電路發送目標參數; 步驟S203:積體晶片以目標參數進行工作; 步驟S204:透過軟體應用程式向中央處理器發送指令; 步驟S205:中央處理器控制積體晶片的類比電路在目標參數下工作; 步驟S206:積體晶片以目標參數工作。
當積體晶片通過CP測試和FT測試之後,如果記憶體內的目標識別符與預設識別符不一致,說明由於某些異常原因無法透過硬體形式的訊號控制模組14向積體晶片的類比電路11發送經過CP測試和FT測試的目標參數。在此情形下,就可以人為透過軟體觸發的形式來向積體晶片的類比電路11發送經過CP測試和FT測試的參數,並讓積體晶片能夠以通過CP測試和FT測試的目標參數進行調整,進而確保積體晶片的穩定可靠運行。
此外,在現有技術中,為了防止沒有經過CP測試和FT測試的參數直接進入到積體晶片的類比電路11中,而導致積體晶片不能正常工作,有時還會設計特別複雜的電路來避免上述問題的發生。但是,電路結構的複雜程度越高,在設計時也就越容易出現疏漏的地方,這樣還是無法100%避免將隨機的參數導入至積體晶片的類比電路11,無法確保積體晶片的穩定可靠運行。
而藉由本發明所提供的校準架構,能夠以較為簡單的電路結構避免將記憶體中隨機所儲存的參數導入至積體晶片的類比電路11中。並且,本發明所提供的校準架構,既可以以硬體的方法將經過CP測試和FT測試的目標參數導入至積體晶片的類比電路11,也可以以軟體的方法將經過CP測試和FT測試的預設參數導入至積體晶片的類比電路11,由此就能夠進一步提高積體晶片在運行過程中的穩定性與可靠性。
顯然,藉由本實施例所提供的技術方案,可以降低測試階段積體晶片被導入隨機參數成為不良品的機率,也可以提高積體晶片在運行過程中的穩定性與可靠性。
本說明書中各個實施例採用遞進的方式描述,每個實施例重點說明的都是與其它實施例的不同之處,各個實施例之間相同或相似部分互相參見即可。
最後,還需要說明的是,在本文中,諸如第一和第二等之類的關係用語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來,而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且,用語「包括」、「包含」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,進而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句「包括一個……」限定的要素,並不排除在包括此要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
以上對本發明所提供的一種具備校準功能的積體晶片以及一種晶片校準方法進行了詳細介紹,本文中應用了具體個例對本發明的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用於幫助理解本發明的方法及其核心思想;同時,對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者,依據本發明的思想,在具體實施方式及應用範圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內容不應理解為對本發明的限制。
11:類比電路 12:儲存模組 13:數位電路 14:訊號控制模組 15:軟體觸發模組 100:訊號控制子模組 101:控制單元 102:解析單元 103:中央處理器 MUX1:第一訊號選擇器 MUX2:第二訊號選擇器 MUX3:第三訊號選擇器 OR:或閘 trimcode_enable_hw:輸出訊號 trimcode_enable_sw:輸出訊號 trim_code:目標解析參數 default_code:預設參數 16’h5aa5:預設識別符 S201~S206:步驟
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的圖式作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的圖式僅僅是本發明的實施例,對於所屬技術領域中具有通常知識者來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據提供的圖式獲得其他的圖式。 圖1為本發明實施例所提供的一種具備校準功能的積體晶片的結構圖。 圖2為本發明實施例所提供的另一種具備校準功能的積體晶片的結構圖。 圖3為本發明實施例所提供的又一種具備校準功能的積體晶片的結構圖。 圖4為本發明實施例所提供的一種具備校準功能的積體晶片執行校準功能的流程圖。
11:類比電路
12:儲存模組
13:數位電路
14:訊號控制模組

Claims (10)

  1. 一種具備校準功能的積體晶片,包括: 一類比電路; 一儲存模組,用於儲存一目標識別符以及對一積體晶片的該類比電路進行調整的一目標參數;其中,該目標識別符用於表徵該目標參數是否通過一CP測試和一FT測試;及 一訊號控制模組,設置於該積體晶片的一數位電路內,用於讀取該目標識別符,並與一預設識別符進行比較;當該目標識別符與該預設識別符一致時,則判定該目標參數通過該CP測試和FT測試,將該目標參數發送至該類比電路;或者,當該目標識別符與該預設識別符不一致時,則判定該目標參數未通過該CP測試和FT測試,將一預設參數發送至該類比電路;該目標參數和該預設參數均用於確保該積體晶片正常工作。
  2. 如請求項1所述之具備校準功能的積體晶片,其中,該訊號控制模組包括:一第一訊號選擇器、一第二訊號選擇器和一訊號控制子模組,該訊號控制子模組用於當該目標識別符與該預設識別符一致時,則判定該目標參數通過該CP測試和該FT測試,向該第一訊號選擇器的訊號選通埠發送致能訊號,並對該目標參數進行解析,得到一目標解析參數; 其中,該訊號控制子模組的輸入端與該儲存模組相連,該訊號控制子模組的輸出端分別與該第一訊號選擇器的訊號選通埠相連,該第一訊號選擇器的輸出端與該第二訊號選擇器的訊號選通埠相連,該第二訊號選擇器的輸出端與該類比電路相連;該第二訊號選擇器的第一輸入端用於接收該預設參數,該第二訊號選擇器的第二輸入端用於接收該目標解析參數。
  3. 如請求項2所述之具備校準功能的積體晶片,其中,該訊號控制子模組包括: 一控制單元,用於當該目標識別符與該預設識別符一致時,則判定該目標參數通過該CP測試和該FT測試,向該第一訊號選擇器的訊號選通埠發送致能訊號,並將該目標參數發送至一解析單元;及 該解析單元,用於對該目標參數進行解析,得到該目標解析參數。
  4. 如請求項2所述之具備校準功能的積體晶片,其中,該儲存模組包括: 一第一儲存單元,用於儲存該目標識別符;及 一第二儲存單元,用於儲存對該積體晶片進行調整的該目標參數。
  5. 如請求項2所述之具備校準功能的積體晶片,還包括: 一軟體觸發模組,設置於該數位電路內,用於將經過該CP測試和該FT測試的該目標參數發送至該類比電路。
  6. 如請求項5所述之具備校準功能的積體晶片,其中,該軟體觸發模組包括:一第三訊號選擇器、一或閘以及一中央處理器,該中央處理器向該第三訊號選擇器的訊號選通埠發送致能訊號; 其中,該第三訊號選擇器的訊號輸出端與該或閘的第一輸入端相連,該第一訊號選擇器的輸出端通過該或閘與該第二訊號選擇器的訊號選通埠相連。
  7. 如請求項6所述之具備校準功能的積體晶片,其中,該中央處理器由一軟體應用程式控制。
  8. 如請求項1所述之具備校準功能的積體晶片,其中,該目標參數的偵錯效果優於該預設參數。
  9. 如請求項1至8任一項所述之具備校準功能的積體晶片,其中,該預設識別符的複雜度與該積體晶片發生失效現象的機率呈反相關關係。
  10. 一種晶片校準方法,該晶片已完成一CP測試和一FT測試,其中,該校準方法包括如下依次執行的步驟: 步驟S201:判斷一積體晶片中記憶體的一目標識別符是否與一預設識別符一致;若是,則執行步驟S202;若否,則執行步驟S204; 步驟S202:向該積體晶片的一類比電路發送一目標參數; 步驟S203:該積體晶片以該目標參數工作; 步驟S204:透過一軟體應用程式向一中央處理器發送指令; 步驟S205:該中央處理器控制該積體晶片的該類比電路在該目標參數下工作;及 步驟S206:該積體晶片以該目標參數工作。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI546818B (zh) * 2013-03-15 2016-08-21 晶天電子(深圳)有限公司 一種具有綠能資料持續模式的裝置驅動器
CN113160875A (zh) * 2021-03-25 2021-07-23 南京英锐创电子科技有限公司 芯片测试系统和测试方法
TWI808815B (zh) * 2017-04-12 2023-07-11 美商諳科半導體有限公司 半導體製作製程控制之系統及方法,以及電腦程式產品
TWI833653B (zh) * 2020-10-27 2024-02-21 美商谷歌有限責任公司 單晶片系統、用於其之方法、及運算器件
TWI840870B (zh) * 2021-07-09 2024-05-01 美商聖巴諾瓦系統公司 具有組合式記憶體、邏輯及內建自我測試之處理器單元
US11994559B2 (en) * 2021-11-08 2024-05-28 Texas Instruments Incorporated Tests for integrated circuit (IC) chips
TWI853053B (zh) * 2019-01-22 2024-08-21 日商愛德萬測試股份有限公司 使用晶片上系統測試控制器之自動測試設備

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI546818B (zh) * 2013-03-15 2016-08-21 晶天電子(深圳)有限公司 一種具有綠能資料持續模式的裝置驅動器
TWI808815B (zh) * 2017-04-12 2023-07-11 美商諳科半導體有限公司 半導體製作製程控制之系統及方法,以及電腦程式產品
TWI853053B (zh) * 2019-01-22 2024-08-21 日商愛德萬測試股份有限公司 使用晶片上系統測試控制器之自動測試設備
TWI833653B (zh) * 2020-10-27 2024-02-21 美商谷歌有限責任公司 單晶片系統、用於其之方法、及運算器件
CN113160875A (zh) * 2021-03-25 2021-07-23 南京英锐创电子科技有限公司 芯片测试系统和测试方法
TWI840870B (zh) * 2021-07-09 2024-05-01 美商聖巴諾瓦系統公司 具有組合式記憶體、邏輯及內建自我測試之處理器單元
US11994559B2 (en) * 2021-11-08 2024-05-28 Texas Instruments Incorporated Tests for integrated circuit (IC) chips

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