TWI893569B - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

根據本公開的一方面，顯示裝置包括可拉伸的下基板。顯示裝置包括設置在下基板上的多個下板圖案。顯示裝置包括設置在多個下板圖案上的多個畫素。多個畫素中的每一個包括多個發光二極體。顯示裝置包括設置在多個發光二極體中的至少一個中的量子點層。透過這樣做，可以提高顯示裝置的發光效率和可靠性。

Description

顯示裝置

本公開涉及一種可拉伸顯示裝置。

作為用於電腦、電視或移動電話的螢幕的顯示裝置，存在作為自發光裝置的有機發光顯示(OLED)裝置和需要單獨光源的液晶顯示(LCD)裝置。

顯示裝置的應用範圍多樣化至個人數字助理以及電腦和電視的螢幕，並且正在研究具有大顯示面積和減小的體積和重量的顯示裝置。

近來，透過在作為柔性材料的諸如塑料的柔性基板上形成顯示單元和佈線而製造的以在特定方向上可拉伸並以各種形式變化的顯示裝置作為下一代顯示裝置而受到關注。

本公開的各個實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括具有量子點的發光二極體並且是可拉伸的。

本公開的各個實施例提供了一種增加或最大化發光二極體的發光效率的顯示裝置。

本公開的技術益處不限於上述益處，並且本領域具 通常知識者可以從以下描述中清楚地理解上面未提及的其他益處。

根據本公開的一方面，顯示裝置包括可拉伸的下基板、設置在下基板上的多個下板圖案以及設置在多個下板圖案上的多個畫素。多個畫素中的每一個包括多個發光二極體。顯示裝置包括設置在多個發光二極體中的至少一個中的量子點層。透過這樣做，可以提高顯示裝置的發光效率和可靠性。

示例性實施例的其他詳細內容包括在詳細描述和圖示中。

根據本公開，在顯示裝置中，可以向發光二極體提供穩定的低電位電壓，以保證發光二極體的發光效率和穩定性。

根據本公開，提高了量子點層的可靠性，從而增強了顯示裝置實現影像的可靠性。

根據本公開，顯示裝置減少或最小化光損失以增加色純度和發光效率並且以低功率被驅動。

根據本公開的效果不限於上面示例的內容，並且更多各種效果都包括在本說明書中。

100:顯示裝置

111:下基板

112:上基板

120:圖案層

121b:上圖案層

122b:上圖案層

122:上基板

121a:下圖案層

122a:下圖案層

141:緩衝層

142:閘極絕緣層

143:第一層間絕緣層

144:第二層間絕緣層

145:鈍化層

146:平坦化層

147:堤部

150:開關電晶體

151:閘電極

152:主動層

153:源電極

154:汲電極

160:驅動電晶體

161:閘電極

162:主動層

164:汲電極

170:發光二極體

170R:第一發光二極體

170G:第二發光二極體

170B:第三發光二極體

171:第一電極

172:第一半導體層

173:發射層

174:第二半導體層

175:第二電極

181b:上連接線

181a:下連接線

182a:下連接線

190:填充層

200:顯示裝置

270R:第一發光二極體

270G:第二發光二極體

270B:第三發光二極體

271R:第一電極

271G:第一電極

271B:第一電極

272R:第一半導體層

272G:第一半導體層

272B:第一半導體層

273R:發射層

273G:發射層

273B:發射層

274R:第二半導體層

274G:第二半導體層

274B:第二半導體層

275G:第二電極

275B:第二電極

275R:第二電極

CP:導電圖案

SIS:第二傾斜表面

TS:第三表面

FS:第一表面

SS:第二表面

θ1:第一傾斜角

θ2:第二傾斜角

PX:畫素

SPX:子畫素

FP:第一部分

FIS:第一傾斜表面

IP:傾斜部分

SP:第二部分

IM:中間金屬層

CNT:連接焊盤

PCB:印刷電路板

DD:資料驅動器

GD:閘極驅動器

PS:電源供應器

NA:非主動區域

AA:主動區域

A:區域

AD1:第一黏合層

AD2:第二黏合層

PAS:鈍化層

QD:量子點層

D1:下基板111的上表面或頂表面111TS和量子點層QD的第三表面TS之間的距離

D2:下基板111的上表面111TS和第一電極171的第二部分SP的第二表面SS之間的距離

VP:電壓焊盤

RQD:第一量子點層

GQD:第二量子點層

TR:透射層

DP:資料焊盤

PAS:鈍化層

DBR:布拉格發射器

CNT1:第一連接焊盤

CNT2:第二連接焊盤

AD:黏合層

X:第一方向

Y:第二方向

111TS:下基板的上表面或頂表面

透過下面結合圖示的詳細描述，將更清楚地理解本公開的上述和其他方面、特徵和其他優點，其中：圖1是示出根據本公開示例性實施例的顯示裝置的平面圖； 圖2是根據本公開示例性實施例的顯示裝置的下基板的放大平面圖；圖3是根據本公開示例性實施例的顯示裝置的上基板的放大平面圖；圖4是沿圖2和圖3的線IV-IV'截取的剖視圖；圖5是沿圖2和圖3的線V-V'截取的剖視圖；和圖6是根據本公開另一示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

透過參考下面詳細描述的示例性實施例以及圖示，本公開的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法將變得清楚。然而，本公開不限於本文公開的示例性實施例，而是可以以各種形式來實現。示例性實施例僅以示例的方式提供，以使本領域具通常知識者能夠充分理解本公開的內容和本公開的範圍。

圖示中示出的用於描述本公開的示例性實施例的形狀、大小、尺寸(例如，長度、寬度、高度、厚度、半徑、直徑、面積等)、比例、角度、數量等這些僅是示例，並且本公開不限於此。

為了便於描述而示出了圖示中示出的每個組件的大小，包括尺寸和厚度，並且本公開不限於示出的組件的尺寸和厚度，但需要注意的是，相對大小包括在此提交的各個圖示中示出的組件的相對尺寸、位置和厚度且是本公開的一部分。

在整個說明書中，相同的圖示標記通常表示相同的元件。此外，在本公開的以下描述中，可以省略已知相關技術的詳細解釋以避免不必要地模糊本公開的主題。本文使用的術語諸如「包括」、「具有」和「由......組成」通常旨在允許添加其他組件，除非這些術語與術語「僅」一起使用。除非另有明確說明，對單數的任何引用可包括複數。

即使沒有明確說明，組件也被解釋為包括普通誤差範圍。

當使用諸如「上」、「上面」、「下」和「挨著」等術語來描述兩個部件之間的位置關係時，一個或多個部件可以位於這兩個部件之間，除非這些術語與術語「立即」或「直接」一起使用。

當一個元件或層設置在另一元件或層「上」時，該元件或層可以直接設置在另一元件或層上，或者其他元件或層可以插入其間。

儘管術語「第一」、「第二」等用於描述各種組件，但是這些組件不受限於這些術語。這些術語僅用於將一個組件與其他組件區分開。因此，下面要提到的第一組件可以是本公開的技術構思中的第二組件。

本公開的各個實施例的特徵可以部分或全部地彼此依附或組合，並且可以以技術上的各種方式聯動和運作，並且實 施例可以彼此獨立或關聯地實施。

在下文中，將參照圖示詳細描述根據本公開示例性實施例的顯示裝置。

根據本公開示例性實施例的顯示裝置是即使在彎曲或延伸狀態下也能夠顯示影像的顯示裝置，並且也可以被稱為可拉伸顯示裝置、柔性顯示裝置和可延伸顯示裝置。與現有技術的一般顯示裝置相比，該顯示裝置不僅具有高柔性，而且具有可拉伸性。因此，使用者可以彎曲或延伸顯示裝置，並且顯示裝置的形狀可以根據使用者的操縱而自由地改變。例如，當使用者透過握住顯示裝置的端部來拉動顯示裝置時，顯示裝置可以向使用者的拉動方向延伸。或者，當使用者將顯示裝置設置在不平坦的外表面上時，顯示裝置可以設置為根據牆壁的外表面的形狀而彎曲。此外，當使用者施加的力被移除時，顯示裝置可以返回到其原始形狀。

可拉伸基板和圖案層

圖1是示出根據本公開示例性實施例的顯示裝置的平面圖。

圖2是根據本公開示例性實施例的顯示裝置的下基板的放大平面圖。

圖3是根據本公開示例性實施例的顯示裝置的上基板的放大平面圖。

圖4是沿圖2和圖3的線IV-IV'截取的剖視圖。

為了描述方便，圖1示出了除了上基板112之外的組件。此外，在圖2中，示出了下基板111和設置在圖1所示的區域A中的下基板111上的組件。此外，在圖3中，示出了上基板112和設置在圖1所示的區域A中的上基板112上的組件。

參照圖1，根據本公開示例性實施例的顯示裝置100可以包括下基板111、圖案層120、多個畫素PX、閘極驅動器GD、資料驅動器DD和電源供應器PS。在本示例性實施例中，進一步參照圖3和圖4，顯示裝置100還可以包括填充層190和上基板112。

下基板111是支撐並保護顯示裝置100的多個組件的基板。上基板112是覆蓋並保護顯示裝置100的多個組件的基板。也就是說，下基板111是支撐圖案層120的基板，在該圖案層120上形成有畫素PX、閘極驅動器GD和電源供應器PS。上基板112是覆蓋畫素PX、閘極驅動器GD和電源供應器PS的基板。

分別為柔性基板的下基板111和上基板112可以由可彎曲或可延伸的絕緣材料來配置。例如，下基板111和上基板112可以由諸如聚二甲基矽氧烷(PDMS)的矽橡膠或諸如聚氨酯(PU)或聚四氟乙烯(PTFE)的彈性體形成。因此，下基板111和上基板112可以具有柔性。根據示例性實施例，下基板111和 上基板112的材料可以相同，但不限於此並且可以變化。

下基板111和上基板112是易延展基板，從而能夠可逆地擴大和收縮。因此，下基板111也可以被稱為下可拉伸基板、下拉伸基板、下延伸基板、下易延展基板、下柔性基板、第一可拉伸基板、第一拉伸基板、第一延伸基板、第一易延展基板或第一柔性基板。上基板112也可以被稱為上可拉伸基板、上拉伸基板、上延伸基板、上易延展基板、上柔性基板、第二可拉伸基板、第二拉伸基板、第二延伸基板、第二易延展基板或第二柔性基板。此外，下基板111和上基板112中的每一個的彈性模量可以是幾百萬帕(MPa)到幾百MPa。此外，下基板111和上基板112的延性斷裂率可以是100%或更高。這裡，延性斷裂率是指被拉伸物斷裂或破裂時的拉伸率。下基板111的厚度可以是10微米(μm)至1毫米(mm)，但不限於此。

下基板111可以包括主動區域AA和包圍主動區域AA的非主動區域NA。然而，主動區域AA和非主動區域NA不限於下基板111而被提及，而是針對整個顯示裝置100而被提及。

主動區域AA可以是顯示裝置100中顯示影像的區域。多個畫素PX可以設置在主動區域AA上。每個畫素PX可以包括顯示元件和用於驅動顯示元件的各種驅動元件。各種驅動元件可以指至少一個薄膜電晶體(TFT)和電容，但不限於此。多個畫素PX可以分別連接到各種佈線。例如，多個畫素PX中的每一 個可以連接到各種佈線，例如閘極線、資料線、高電位電壓線、低電位電壓線、參考電壓線和初始化電壓線。

非主動區域NA可以是不顯示影像的區域。非主動區域NA可以設置為與主動區域AA相鄰。例如，非主動區域NA可以是包圍主動區域AA的區域。然而，不限於此，因此非主動區域NA對應於從下基板111排除主動區域AA的區域，並且可以以各種形式修改和分離。用於驅動設置在主動區域AA中的多個畫素PX的組件可以設置在非主動區域NA上。即，閘極驅動器GD和電源供應器PS可以設置在非主動區域NA上。此外，在非主動區域NA上，可以設置連接到閘極驅動器GD和資料驅動器DD的多個焊盤，並且每個焊盤可以連接到主動區域AA的多個畫素PX中的每一個。

圖案層120可以設置在下基板111和上基板112之間。具體地，參照圖4，圖案層120可以包括下圖案層121a和122a以及上圖案層121b和122b。下圖案層121a和122a是設置在下基板111上以與下基板111接觸的圖案層。上圖案層121b和122b是設置在上基板122上以接觸上基板112的圖案層。

參照圖1，圖案層120可以包括設置為彼此間隔開的像孤島一樣設置的多個板圖案121a和121b以及連接多個板圖案的多個線圖案122a和122b。

具體地，如圖2所示，下圖案層121a和122a可以 包括設置為彼此間隔開的像孤島一樣設置的多個下板圖案121a以及連接多個下板圖案121a的多個下線圖案122a。如圖3所示，上圖案層121b和122b可以包括設置為彼此間隔開的像孤島一樣設置的多個上板圖案121b以及連接多個上板圖案121b的多個上線圖案122b。

參照圖1、圖2和圖4，多個畫素PX可以形成在設置在主動區域AA中的多個下板圖案121a上。此外，閘極驅動器GD和電源供應器PS可以設置在非主動區域NA中所設置的多個下板圖案121a上。

換句話說，多個畫素PX可以形成在設置在主動區域AA中的多個上板圖案121b之下。此外，閘極驅動器GD和電源供應器PS可以形成在設置在非主動區域NA中的上圖案層121b和122b之下。

多個上板圖案121b和多個下板圖案121a可以分別單獨地分離。因此，多個上板圖案121b也可以被稱為多個上孤島圖案或上單獨圖案。多個下板圖案121a也可以被稱為多個下孤島圖案或下單獨圖案。

在一示例性實施例中，閘極驅動器GD可以安裝在設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a上。配置閘極驅動器GD的各種電路配置(諸如各種電晶體、電容和佈線)可以設置在非主動區域NA中所設置的多個下板圖案121a上。然而，這 是說明性的，因此本公開的示例性實施例不限於此，且閘極驅動器GD可以以膜上晶片(COF)的方式安裝在設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a上。

在一示例性實施例中，電源供應器PS可以安裝在設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a上。設置在彼此不同的層上的電源塊(power block)可以設置在非主動區域NA中所設置的多個下板圖案121a上。下電源塊和上電源塊可以依序地設置在非主動區域NA中所設置的多個下板圖案121a上。例如，低電位電壓可以被施加到下電源塊並且高電位電壓可以被施加到上電源塊。因此，可以透過下電源塊將低電位電壓提供到多個畫素PX，並且可以透過上電源塊將高電位電壓提供到多個畫素。

根據示例性實施例，如圖1所示，設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a的尺寸可以大於設置在主動區域AA中的多個下板圖案121a的尺寸。更具體而言，構成閘極驅動器GD的一級的各種電路結構所佔據的面積相對大於畫素PX所佔據的面積。因此，設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a的尺寸可以大於設置在主動區域AA中的多個下板圖案121a的尺寸。

儘管在圖1中，示出了設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a設置在非主動區域NA中的第二方向Y的兩側上，但是這是示例性的，本發明的示例性實施例公開內容不限 於此。例如，設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a可以設置在非主動區域NA的任意區域中。此外，即使在圖1和圖2中，多個下板圖案121a具有正方形形狀，這是示例性的並且本公開的示例性實施例不限於此，並且多個下板圖案121a可以以各種形式修改。

同時，多個下線圖案122a是連接相鄰的下板圖案121a的圖案並且可以被稱為下連接圖案。也就是說，多個下線圖案122a可以設置在多個下板圖案121a之間。

多個上線圖案122b是連接相鄰的上板圖案121b的圖案並且可以被稱為上連接圖案。即，多個上線圖案122b可以設置在多個上板圖案121b之間。

在一個示例性實施例中，參照圖1，多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個可以具有波狀形狀。例如，多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個可以具有正弦形狀。然而，這只是示例性的，多個上線圖案122b和多個下線圖案122a的形狀不限於此。例如，多個上線圖案122b和多個下線圖案122a可以具有Z字形形狀。作為另一示例，多個上線圖案122b和多個下線圖案122a可以具有各種形狀，例如在其頂點處連接以延伸的多個菱形形狀。如上所述，圖1所示的多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個的數量和形狀可以是說明性的，並且多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一 個的數量和形狀可以根據設計而變化。

在一個示例性實施例中，多個上板圖案121b、多個下板圖案121a、多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個可以是剛性圖案。例如，多個上板圖案121b、多個下板圖案121a、多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個可以比下基板111和上基板112更剛性。因此，多個上板圖案121b、多個下板圖案121a、多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個的彈性模量可以高於下基板111和上基板112的彈性模量。彈性模量是表示針對施加到基板的應力的變形率的參數，並且彈性模量越高，硬度越高。多個上板圖案121b、多個下板圖案121a、多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個的彈性模量可以比下基板111和上基板112的彈性模量的1000倍還高。然而，這是說明性的並且本公開的示例性實施例不限於此。

在一個示例性實施例中，多個上板圖案121b、多個下板圖案121a、多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個可以包括比下基板111和上基板112具有更低柔性的塑料材料。例如，多個上板圖案121b、多個下板圖案121a、多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個可以至少包括聚醯亞胺(PI)、聚丙烯酸酯和聚醋酸鹽中的一種材料。根據示例性實施例，多個上板圖案121b、多個下板圖案121a、多個上線圖案122b和多個下線圖案122a中的每一個可以由相同的材料形成，但是不 限於此，並且可以由不同的材料形成。當多個上板圖案121b、多個下板圖案121a、多個上線圖案122b和多個下線圖案122a由相同材料形成時，多個上板圖案121b和多個上線圖案122b可以一體地形成。此外，多個下板圖案121a和多個下線圖案122a可以一體地形成。

在一些示例性實施例中，下基板111可以被限定為包括多個第一下部圖案和第二下部圖案。多個第一下部圖案可以是與下基板111的多個上板圖案121b和多個下板圖案121a重疊的區域，但是第二下部圖案可以是與多個上板圖案121b和下板圖案121a不重疊的區域。

此外，上基板112可以被限定為包括多個第一上部圖案和第二上部圖案。多個第一上部圖案可以是與上基板112的多個上板圖案121b和下板圖案121a重疊的區域，但是第二上部圖案可以是與多個上板圖案121b和下板圖案121a不重疊的區域。

此時，多個第一下部圖案和第一上部圖案的彈性模量可以高於第二下部圖案和第二上部圖案的彈性模量。例如，多個第一下部圖案和第一上部圖案可以由與多個上板圖案121b和下板圖案121a相同的材料形成。第二下部圖案和第二上部圖案可以由彈性模量低於多個上板圖案121b和下板圖案121a的彈性模量的材料形成。

例如，第一下部圖案和第一上部圖案也可以由聚醯亞胺(PI)、聚丙烯酸酯或聚乙酸鹽形成。此外，第二下部圖案和第二上部圖案可以由諸如聚二甲基矽氧烷(PDMS)的矽橡膠或諸如聚氨酯(PU)或聚四氟乙烯(PTFE)的彈性體形成。

非主動區域的驅動元件

閘極驅動器GD可以向設置在主動區域AA中的多個畫素PX提供閘極電壓。閘極驅動器GD包括形成在設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a上的多個級，並且閘極驅動器GD中包括的每個級可以透過多個閘極連接線而彼此電連接。因此，從任一級輸出的閘極電壓可以被傳送到另一級。每個級可以將閘極電壓依序地提供給連接到每個級的多個畫素PX。

電源供應器PS連接到閘極驅動器GD以向閘極驅動器GD提供閘極驅動電壓和閘極時脈電壓。電源供應器PS連接到多個畫素PX以向多個畫素PX中的每一個提供畫素驅動電壓。此外，電源供應器PS可以形成在設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a上。也就是說，電源供應器PS可以形成在設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a上以與閘極驅動器GD相鄰。形成在設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a上的多個電源供應器PS可以電連接到閘極驅動器GD和多個畫素PX。也就是說，形成在設置在非主動區域NA中的多個下板圖案121a上的多個電源供應器PS可以透過閘極電源連接線和畫素電源連 接線而連接到閘極驅動器GD和多個畫素PX。因此，多個電源供應器PS中的每一個可以提供閘極驅動電壓、閘極時脈電壓和畫素驅動電壓。

印刷電路板PCB可以將用於驅動顯示元件的訊號和電壓從控制單元傳輸到顯示元件。因此，印刷電路板PCB也可以稱為驅動基板。諸如IC晶片或電路單元的控制單元可以安裝在印刷電路板PCB上。此外，在印刷電路板PCB上，還可以安裝記憶體或處理器。設置在顯示裝置100中的印刷電路板PCB可以包括拉伸區域和非拉伸區域以確保可拉伸性。在非拉伸區域中，可以安裝IC晶片、電路單元、記憶體和處理器，並且在拉伸區域中，可以設置電連接到IC晶片、電路單元、記憶體和處理器的佈線。

資料驅動器DD可以向設置在主動區域AA中的多個畫素PX提供資料電壓。資料驅動器DD可以被配置為IC晶片，使得其也可以被稱為資料積體電路D-IC。資料驅動器DD可以安裝在印刷電路板PCB的非拉伸區域中。即，資料驅動器DD可以以板上晶片(COB)的方式安裝在印刷電路板PCB上。儘管在圖1中，示出了資料驅動器DD以膜上晶片(COF)方式安裝，但不限於此，且資料驅動器DD還可以透過板上晶片(COB)、玻璃上晶片(COG)或帶載封裝(TCP)的方式安裝。

此外，即使在圖1中，一個資料驅動器DD被設置 為與設置在主動區域AA中的一排下板圖案121a相對應，但不限於此。例如，一個資料驅動器DD可以被設置為對應於多排下板圖案121a。

在下文中，將參照圖4和圖5更詳細地描述根據本公開的示例性實施例的顯示裝置100的主動區域AA。

平面和剖視面結構

參照圖2和圖4，包括多個子畫素SPX的畫素PX可以設置在下基板111上所設置的下板圖案121a中。多個子畫素SPX中的每一個可以包括作為顯示元件的發光二極體170以及驅動發光二極體170的驅動電晶體160和開關電晶體150。然而，在子畫素SPX中，顯示元件不限於LED，還可以改變為有機發光二極體。例如，多個子畫素SPX可以包括紅色子畫素、綠色子畫素和藍色子畫素，但不限於此，並且多個子畫素SPX的顏色可以根據需要修改為各種顏色。

多個子畫素SPX可以連接到多條下連接線181a和182a。例如，多個子畫素SPX可以電連接到在第一方向X上延伸的第一下連接線181a，並且多個子畫素SPX可以電連接到在第二方向Y上延伸的第二下連接線182a。

參照圖3和圖4，導電圖案CP可以設置在上基板112上所設置的上板圖案121b中。多個導電圖案CP可以連接到多條上連接線181b。上連接線181b沿第一方向X延伸以電連接 到多個導電圖案CP。

在下文中，將參照圖4更詳細地描述主動區域AA的剖面結構。

參照圖4，多個無機絕緣層可以設置在多個下板圖案121a上。例如，多個無機絕緣層可以包括緩衝層141、閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144和鈍化層145。然而，本發明的示例性實施例本公開不限於此，並且各種無機絕緣層另外設置在多個下板圖案121a上。也可以省略作為無機絕緣層的緩衝層141、閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144和鈍化層145中的至少一個。

更具體地，緩衝層141可以設置在多個下板圖案121a上。緩衝層141可以形成在多個下板圖案121a上，以保護顯示裝置100的各種組件免受來自下基板111和多個下板圖案121a外部的濕氣(H₂O)和氧氣(O₂)的滲透。緩衝層141可以由絕緣材料配置。例如，緩衝層141可以由由矽氮化物(SiN_x)、矽氧化物(SiO_x)和氮氧化矽(SiON)中的至少一種形成的單層或雙層來配置。然而，根據顯示裝置100的結構或特性，也可以省略緩衝層141。

這裡，緩衝層141可以僅形成在下基板111與多個下板圖案121a重疊的區域中。如上所述，緩衝層141可以由無機材料形成，使得緩衝層141在拉伸顯示裝置100的過程中可能容 易破裂或損壞。因此，緩衝層141不形成在多個下板圖案121a之間的區域中，但是可以被圖案化為具有多個下板圖案121a的形狀，以僅在多個下板圖案121a之上形成。因此，在根據本公開示例性實施例的顯示裝置100中，緩衝層141僅形成在與作為剛性圖案的多個下板圖案121a重疊的區域中。因此，即使顯示裝置100彎曲或延伸而變形，也可以抑制顯示裝置100的各個組件的損壞。

包括閘電極151、主動層152、源電極153和汲電極154的開關電晶體150以及包括閘電極161、主動層162、源電極和汲電極164的驅動電晶體160可以形成在緩衝層141上。

首先，開關電晶體150的主動層152和驅動電晶體160的主動層162可以設置在緩衝層141上。例如，開關電晶體150的主動層152和驅動電晶體160的主動層162中的每一個也可以由氧化物半導體形成。或者，開關電晶體150的主動層152和驅動電晶體160的主動層162可以由非晶矽(a-Si)、多晶矽(poly-Si)或有機半導體形成。

閘極絕緣層142可以設置在開關電晶體150的主動層152和驅動電晶體160的主動層162上。閘極絕緣層142使開關電晶體150的閘電極151與開關電晶體150的主動層152電絕緣，且可以使驅動電晶體160的閘極161與驅動電晶體160的主動層162電絕緣。閘極絕緣層142可以包括絕緣材料。例如，閘 極絕緣層142可以由作為無機材料的矽氮化物(SiN_x)或矽氧化物(SiO_x)的單層或者矽氮化物(SiN_x)或矽氧化物(SiO_x)的多層構成，但是但並不限於此。

開關電晶體150的閘電極151和驅動電晶體160的閘電極161可以設置在閘極絕緣層142上。開關電晶體150的閘電極151和驅動電晶體160的閘電極161可以設置在閘極絕緣層142上以彼此間隔開。開關電晶體150的閘電極151可與開關電晶體150的主動層152重疊，並且驅動電晶體160的閘電極161可與驅動電晶體160的主動層162重疊。

開關電晶體150的閘電極151和驅動電晶體160的閘電極161可以是諸如以下的各種金屬材料中的一種或它們中的兩種以上的合金，或者是它們的多層：鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)，但不限於此。

第一層間絕緣層143可以設置在開關電晶體150的閘電極151和驅動電晶體160的閘電極161上。第一層間絕緣層143可以使驅動電晶體160的閘電極161與中間金屬層IM絕緣。類似於緩衝層141，第一層間絕緣層143可以由無機材料形成。例如，第一層間絕緣層143可以由作為無機材料的矽氮化物(SiN_x)或矽氧化物(SiO_x)的單層或矽氮化物(SiN_x)或矽氧化物(SiO_x)的多層來配置，但不限於此。

中間金屬層IM可以設置在第一層間絕緣層143上。中間金屬層IM可以與驅動電晶體160的閘電極161重疊。因此，電容(例如，儲存電容)可以形成在中間金屬層IM和驅動電晶體160的閘電極161的重疊區域中。具體地，儲存電容可以由驅動電晶體160的閘電極161、第一層間絕緣層143和中間金屬層形成。然而，中間金屬層IM的佈置區域不限於此，並且中間金屬層IM以各種形式與另一電極重疊以形成儲存電容。

中間金屬層IM可以是例如以下的各種金屬材料中的任意一種或者它們中的兩種以上的合金，或者是它們的多層：鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)，但不限於此。

第二層間絕緣層144可以設置在中間金屬層IM上。第二層間絕緣層144可以使開關電晶體150的閘電極151與開關電晶體150的源電極153和汲電極154絕緣。第二層間絕緣層144可以使中間金屬層IM與驅動電晶體160的源電極和汲電極164絕緣。第二層間絕緣層144可以由與緩衝層141相同的無機材料形成。例如，第二層間絕緣層144可以由作為無機材料的矽氮化物(SiN_x)或矽氧化物(SiO_x)的單層或矽氮化物(SiN_x)或矽氧化物(SiO_x)的多層來配置，但不限於此。

開關電晶體150的源電極153和汲電極154可以設置在第二層間絕緣層144上。驅動電晶體160的源電極和汲電極 可以設置在第二層間絕緣層144上。開關電晶體150的源電極153和汲電極154可以設置在同一層上並彼此間隔開。儘管在圖4中省略了驅動電晶體160的源電極，但是驅動電晶體160的源電極也可以與汲電極164在同一層上間隔設置。在開關電晶體150中，源電極153和汲電極154可以與主動層152接觸以電連接到主動層152。在驅動電晶體160中，源電極和汲電極164可以與主動層162接觸以電連接到主動層162。開關電晶體150的汲電極154透過接觸孔與驅動電晶體160的閘電極161接觸以電連接到驅動電晶體160的閘電極161。

源電極153以及汲電極154和164可以包括例如以下的各種金屬材料中的任意一種或它們中的兩種以上的合金，或者是它們的多層：鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)，但它們不限於此。

此外，在本說明書中，儘管描述了驅動電晶體160具有共面結構，但是也可以使用諸如交錯結構的各種電晶體。此外，在本說明書中，電晶體不僅可以形成為具有頂柵結構，而且還可以形成為具有底柵結構。

閘極焊盤和資料焊盤DP可以設置在第二層間絕緣層144上。

具體地，閘極焊盤可以是將閘極電壓傳輸到多個子畫素SPX的焊盤。閘極焊盤可以透過接觸孔連接到第一下連接線 181a。此外，從第一下連接線181a提供的閘極電壓可以透過形成在下板圖案121a上的佈線從閘極焊盤傳輸到開關電晶體150的閘電極151。

資料焊盤DP可以是將資料電壓傳輸到多個子畫素SPX的焊盤。資料焊盤DP可以透過接觸孔連接到第二下連接線182a。此外，從第二下連接線182a提供的資料電壓可以透過形成在下板圖案121a上的佈線從資料焊盤DP傳輸到開關電晶體150的源電極153。

電壓焊盤VP可以是將高電位電壓傳輸到多個子畫素SPX的焊盤。電壓焊盤VP可以透過接觸孔連接到第一下連接線181a。此外，從第一下連接線181a提供的高電位電壓可以透過形成在下板圖案121a上的佈線從電壓焊盤VP傳輸到驅動電晶體160。上述高電位電壓可以被稱為第二驅動電壓，並且下面將描述的低電位電壓可以被稱為第一驅動電壓。

閘極焊盤、資料焊盤DP和電壓焊盤VP可以由與源電極153以及汲電極154和164相同的材料形成，但不限於此。

鈍化層145可以形成在開關電晶體150和驅動電晶體160上。也就是說，鈍化層145可以被設置為覆蓋開關電晶體150和驅動電晶體160，使得開關電晶體150和驅動電晶體160免受濕氣和氧氣的滲透。鈍化層145可以由無機材料形成並由單層或雙層配置，但不限於此。

閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144和鈍化層145被圖案化以僅形成在與多個下板圖案121a重疊的區域中。類似於緩衝層141，閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144和鈍化層145也可以由無機材料形成。因此，閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144和鈍化層145也可能在拉伸顯示裝置100的過程中容易破裂而損壞。因此，閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144和鈍化層145不形成在多個下板圖案121a之間的區域中，而是被圖案化為具有多個下板圖案121a的形狀而僅形成在下板圖案121a之上。

平坦化層146可以形成在鈍化層145上。平坦化層146可以使開關電晶體150和驅動電晶體160的上部平坦化。平坦化層146可以由單層或多層配置，並且可以由有機材料形成。因此，附加的平坦化層146也可以被稱為有機絕緣層。例如，平坦化層146可以由丙烯酸有機材料形成，但不限於此。

參照圖4，平坦化層146可以被設置為覆蓋多個下板圖案121a上的緩衝層141、閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144和鈍化層145的頂表面和側表面。此外，平坦化層146可以與多個下板圖案121a一起包圍緩衝層141、閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144和鈍化層145。更具體地，平坦化層146可以被設置為覆蓋鈍化層145的頂 表面和側表面、第一層間絕緣層143的側表面、第二層間絕緣層144的側表面、閘極絕緣層142的側表面、緩衝層141的側表面以及多個下板圖案121a的頂表面的一部分。因此，平坦化層144可以補償緩衝層141、閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144和鈍化層145的側表面上的段差。此外，平坦化層146可以增強與設置在平坦化層146的側表面上的下連接線181a和182a的黏合強度。

參照圖4，平坦化層146的側表面的傾斜角可以小於由緩衝層141、閘極絕緣層142、第一層間絕緣層143、第二層間絕緣層144的側表面形成的傾斜角。例如，平坦化層146的側表面可以具有比由鈍化層145的側表面、第一層間絕緣層143的側表面、第二層間絕緣層144的側表面、閘極絕緣層142的側表面以及緩衝層141的側表面中的每一個形成的斜度更平緩的斜度。因此，被設置為與平坦化層146的側表面接觸的連接線181a和182a被設置為具有平緩的斜度，使得當顯示裝置100拉伸時，在下連接線181a和182a中產生的應力可以減小。此外，平坦化層146的側表面具有相對平緩的斜度，使得可以抑制下連接線181a和182a的破裂或與平坦化層146的側表面的分離。

參照圖2至圖4，下連接線181a和182a指的是電連接多個下板圖案121a上的多個焊盤的佈線。下連接線181a和182a可以設置在多個下線圖案122a上。此外，下線圖案122a不 設置在多個下板圖案121a之間的未設置下連接線181a和182a的區域中。

下連接線181a和182a可以包括第一下連接線181a和第二下連接線182a。第一下連接線181a和第二下連接線182a可以設置在多個下板圖案121a之間。具體地，第一下連接線181a指的是下連接線181a和182a中的在多個下板圖案121a之間沿第一方向X延伸的佈線。第二下連接線182a可以指的是下連接線181a和182a中的在多個下板圖案121a之間沿第二方向Y延伸的佈線。

下連接線181a和182a可以由諸如銅(Cu)、鋁(Al)、鈦(Ti)和鉬(Mo)的金屬材料或者諸如銅/鉬-鈦(Cu/MoTi)或鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)的金屬材料的堆疊結構形成，但不限於此。

在一般顯示裝置的顯示面板的情況下，諸如多條閘極線和多條資料線的各種佈線在多個子畫素之間作為直線延伸，並且多個子畫素連接到一條訊號線。因此，在一般顯示裝置的顯示面板中，例如閘極線、資料線、高電位電壓線和參考電壓線的各種佈線可以從有機發光顯示裝置的顯示面板的一側延伸至另一側，而不會在基板上斷開。

相反，在根據本公開的示例性實施例的顯示裝置100中，例如閘極線、資料線、高電位電壓線、參考電壓線或初始化電壓線的各種佈線具有被認為用於一般顯示裝置的顯示面板的直 線形狀，該各種佈線可以僅設置在多個下板圖案121a上。也就是說，在根據本公開的示例性實施例的顯示裝置100中，線性佈線可以僅設置在多個下板圖案121a上。

在根據本公開的示例性實施例的顯示裝置100中，兩個相鄰的下板圖案121a上的焊盤可以透過下連接線181a和182a連接。因此，下連接線181a和182a可以電連接兩個相鄰的下板圖案121a上的閘極焊盤、資料焊盤DP或電壓焊盤VP。因此，根據本公開的示例性實施例的顯示裝置100可以包括在多個下板圖案121a之間的電連接各種佈線(例如閘極線、資料線、高電位電壓線和參考電壓線)的多條下連接線181a和182a。例如，閘極線可以設置在沿第一方向X彼此相鄰設置的多個下板圖案121a上，並且閘極焊盤可以設置在閘極線的兩端上。在這種情況下，在第一方向X上彼此相鄰的多個下板圖案121a上的多個閘極焊盤可以透過用作閘極線的第一下連接線181a而彼此連接。因此，設置在多個下板圖案121a上的閘極線和設置在下線圖案122a上的第一下連接線181a可以用作一條閘極線。上述閘極線可以被稱為掃描訊號線。此外，在可以包括在顯示裝置100中的所有各種佈線中，沿第一方向X延伸的佈線(諸如發射訊號線和高電位電壓線)也可以透過第一下連接線181a而電連接，如上所述。

參照圖2和圖4，第一下連接線181a可以連接在第一方向X上相鄰設置的多個下板圖案121a上的電壓焊盤VP之 中並排設置的兩個下板圖案121a上的電壓焊盤VP。第一下連接線181a可以用作作為閘極線的掃描訊號線和發射訊號線，但不限於此。沿第一方向X設置的多個下板圖案121a上的電壓焊盤VP可以透過用作高電位電壓線的第一下連接線181a連接並傳輸一個高電位電壓。

此外，第二下連接線182a可以連接在第二方向Y上相鄰設置的多個下板圖案121a上的資料焊盤DP之中並排設置的兩個下板圖案121a上的資料焊盤DP。第二下連接線182a可以用作資料線或參考電壓線，但不限於此。沿第二方向Y設置的多個下板圖案121a上的內部線可以透過用作資料線的多個第二下連接線182a連接並傳輸一個資料電壓。

如圖4所示，第一下連接線181a可以設置為與設置在下板圖案121a上的平坦化層146的頂表面和側表面接觸。第一下連接線181a可以延伸到下線圖案122a的頂表面。此外，第二下連接線182a可以設置為與設置在下板圖案121a上的平坦化層146的頂表面和側表面接觸。第二下連接線182a可以延伸到下線圖案122a的頂表面。

然而，不需要在未設置第一下連接線181a和第二下連接線182a的區域中設置剛性圖案，使得作為剛性圖案的下線圖案122a不設置在第一下連接線181a和第二下連接線182a之下。

同時，參照圖4，堤部147可以形成在連接焊盤CNT、 下連接線181a和182a以及平坦化層146上。堤部147是可以劃分相鄰子畫素SPX的組件。堤部147可以被設置為覆蓋連接焊盤CNT、下連接線181a和182a以及平坦化層146的至少一部分。堤部147可以由絕緣材料形成。此外，堤部147可以包括黑色材料。堤部147包括黑色材料以阻擋透過主動區域AA可見的佈線。例如，堤部147可以由碳基混合物形成並且例如包括炭黑。然而，不限於此，並且堤部147可以由透明絕緣材料形成。儘管在圖4中，示出了堤部147的高度低於發光二極體170的高度，但是本公開不限於此，並且堤部147的高度可以等於發光二極體170的高度。

同時，參照圖3，相對於上基板112，多個上板圖案121b和連接多個上板圖案121b的多個上線圖案122b可以設置在上基板112上。參照圖4，相對於上基板112，多個上板圖案121b和連接多個上板圖案121b的多個上線圖案122b可以設置在上基板112下。即，多個上板圖案121b和多個上線圖案122b可以被設置為與上基板112接觸。

具體地，多個上線圖案122b連接被設置為在第一方向X上彼此相鄰的上板圖案121b。因此，多個上線圖案122b可以在第一方向X上延伸。然而，但不限於此，且多個上線圖案122b可以沿第一方向X延伸或者沿第一方向X和第二方向Y中的每一個延伸。

相對於上基板112，導電圖案CP可以設置在上板圖案121b上，並且上連接線181b可以設置在上線圖案122b上。相對於上基板112，導電圖案CP可以設置在上板圖案121b下，並且上連接線181b可以設置在上線圖案122b下。

導電圖案CP可以具有與上板圖案121b相同的形狀。例如，上板圖案121b具有彼此間隔開的孤島形狀，使得導電圖案CP也可以具有彼此間隔開的孤島形狀。然而，導電圖案CP的形狀不限於此，並且可以隨著與上板圖案121b的形狀重疊的各種形狀而變化。

上連接線181b也可以具有與上線圖案122b相同的形狀。例如，上連接線181b也可以具有正弦形狀。然而，這僅是說明性的，使得多條上連接線181b的形狀不限於此。例如，多個上線圖案122b和多條上連接線181b也可以具有Z字形形狀。作為另一示例，多條上連接線181b還可以具有各種形狀，例如在頂點處連接並延伸的多個菱形形狀。

多個導電圖案CP和多條上連接線181b可以由諸如銅(Cu)、鋁(Al)、鈦(Ti)和鉬的金屬材料或者諸如銅/鉬-鈦(Cu/MoTi)或鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)的金屬材料的堆疊結構形成。然而，並不限於此。多個導電圖案CP和多條上連接線181b可以一體地形成，但不限於此。

用於驅動發光二極體170的低電位電壓可以被施加 到多個導電圖案CP和多條上連接線181b。也就是說，多個導電圖案CP和多條上連接線181b可以構成被施加一個低電位電壓的導電表面。

發光二極體的平面和剖面結構

圖5是沿圖2和圖3的線V-V'截取的剖視圖。

參照圖4，發光二極體170可以設置在連接焊盤CNT上。發光二極體170包括第一電極171、第一半導體層172、發射層173、第二半導體層174和第二電極175。第一半導體層172、發射層173、第二半導體層174和第二電極175可以依序地設置在第一電極171上。因此，發光二極體170是其中第二電極175基於第一電極171的垂直方向而設置在其上的垂直發光二極體170。

第一半導體層172設置在第一電極171上，且第二半導體層174設置在第一半導體層172上。第一半導體層172和第二半導體層174可以是透過將n型雜質和p型雜質摻雜到特定材料中而形成的層。例如，第一半導體層172和第二半導體層174可以是透過將p型和n型雜質摻雜到諸如氮化鎵(GaN)、磷化鋁銦(InAlP)或砷化鎵(GaAs)的材料中而形成的層。p型雜質可以是鎂(Mg)、鋅(Zn)和鈹(Be)，且n型雜質可以是矽(Si)、鍺和錫(Sn)，但不限於此。

發射層173設置在第一半導體層172和第二半導體 層174之間。發射層173被提供來自第一半導體層172和第二半導體層174的電洞和電子以發射光。發射層173可以由單層或多量子井(MQW)結構形成，並且例如可以由氮化銦鎵(InGaN)或氮化鎵(GaN)形成，但不限於此。

第一電極171設置在第一半導體層172之下。第一電極171是將驅動電晶體160和第一半導體層172電連接的電極。第一電極171可以由導電材料來配置，該導電材料例如是透明導電材料(例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO))或不透明導電材料(例如鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)或其合金)，但不限於此。

第二電極175設置在第二半導體層174上。第二電極175可以設置在第二半導體層174的頂表面上。第二電極175是將導電圖案CP和第二半導體層174電連接的電極。第二電極175可以由導電材料來配置，該導電材料例如是透明導電材料(例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO))或不透明導電材料(例如鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)或其合金)，但不限於此。

第一黏合層AD1設置在連接焊盤CNT與第一電極171之間，使得發光二極體170可以接合到連接焊盤CNT上。第二黏合層AD2設置在導電圖案CP與第二電極175之間，使得發光二極體170可以接合在導電圖案CP之下。

第一黏合層AD1和第二黏合層AD2中的每一個可以是其中導電球分散在絕緣基底構件中的導電黏合層。因此，當對黏合層AD1和AD2被施加熱或壓力時，導電球在被施加熱或壓力的部分中電連接以具有導電特性。

連接焊盤CNT電連接到驅動電晶體160的汲電極164，以被施加來自驅動電晶體160的驅動電壓以驅動發光二極體170。即使在圖4中示出了連接焊盤CNT不與驅動電晶體160的汲電極164直接接觸，而是與其間接接觸，但本公開不限於此。因此，連接焊盤CNT和驅動電晶體160的汲電極164也可以彼此直接接觸。此外，可以將低電位電壓施加到第一下連接線181a以驅動發光二極體170。

因此，當顯示裝置100開啟時，驅動電壓透過連接焊盤CNT被施加到第一電極171，並且低電位電壓可以透過導電圖案CP被施加到第二電極。因此，不同的電壓電平被傳輸到第一電極171和第二電極175中的每一個，以允許發光二極體170發光。

填充層190可以設置在下基板111的整個表面上，以填充在設置在上基板112和下基板111上的組件之間。填充層190可以由可固化黏合劑來配置。具體地，配置填充層190的材料被塗覆在下基板111的整個表面上，然後被固化，使得填充層190可以被設置在上基板112和下基板111上設置的組件之間。 例如，填充層190可以是光學透明黏合劑(OCA)並且可以由丙烯酸黏合劑、矽基黏合劑和聚氨酯基黏合劑來配置。

如上所述，根據本公開示例性實施例的顯示裝置可以透過上連接線181b和附著到上基板112的導電圖案CP向發光二極體提供低電位電壓。

上連接線181b和導電圖案CP的總面積大於下連接線181a和182a的總面積，使得上連接線181b和導電圖案CP的總電阻可以相對較低。

因此，可以抑制透過上連接線181b和導電圖案CP提供的低電位電壓的電壓降。因此，可以將穩定的低電位電壓提供給發光二極體170。

同時，量子點層QD可以設置在發光二極體170中。

如圖4所示，量子點層QD可以設置在第一電極171和第一半導體層172之間。

具有各種尺寸的量子點可以設置在量子點層QD中。從量子點層QD發射的光的波長可以根據量子點的尺寸而變化。例如，當量子點的尺寸增大時，發射波長較長的光，而當量子點的尺寸減小時，發射波長較短的光。

鈍化層PAS覆蓋發光二極體170的外部以進行保護。具體地，鈍化層PAS可以被設置為覆蓋發光二極體的第一電極171、第一半導體層172、發射層173、第二半導體層174和第 二電極175的側表面，以及覆蓋量子點層QD的側面。

因此，量子點層QD的外表面可以被第一電極171、第一半導體層172和鈍化層PAS覆蓋。

鈍化層PAS可以由由矽氮化物(SiN_x)、矽氧化物(SiO_x)和氮氧化矽(SiON)中的至少一種形成的單層或雙層構成。

由於材料的性質，設置在量子點層QD中的量子點非常容易受到外部濕氣或氧氣的影響。因此，量子點層QD上的封裝對於始終保持相同位準的效率是非常重要的。

根據本公開的示例性實施例的顯示裝置100的優點在於，量子點層QD被設置在發光二極體170中，使得量子點層QD可以被封裝而無需單獨的封裝層。

因此，根據本公開示例性實施例的顯示裝置100的量子點層QD的可靠性得到改善，從而進一步增強顯示裝置實現影像的可靠性。另外，因為不需要單獨的封裝層，所以可以減小顯示裝置的厚度並且可以去除用於添加單獨的封裝層的製造程序，從而降低顯示裝置的總體成本。

參照圖4，第一電極171包括第一部分FP、傾斜部分IP和第二部分SP。第一電極171的第一部分FP是第一黏合層AD1上的部分。第一部分FP具有基本上平坦的第一表面FS。傾斜部分IP具有第一傾斜表面FIS，該第一傾斜表面FIS具有第一 傾斜角θ1。第二部分SP具有基本上平坦的第二表面SS。傾斜部分IP在第一部分FP和第二部分SP之間，並且第一表面FS和第一傾斜表面FIS連續連接並且第二表面SS和第一傾斜表面FIS連續連接。

在一些實施例中，量子點層QD與第一部分FP的第一表面FS和傾斜部分IP的第一傾斜表面FIS相鄰並接觸。量子點層QD包括基本上平坦的第三表面TS。第三表面TS也可以被稱為量子點層QD的頂表面。這裡，量子點層QD的第三表面TS與第二部分SP的第二表面SS間隔開。此外，在一些實施例中，與第一電極171的第二部分SP的第二表面SS相比，量子點層QD的第三表面TS更靠近下基板111。如圖所示，下基板111的上表面或頂表面111TS和量子點層QD的第三表面TS之間的距離D1小於下基板111的上表面111TS和第一電極171的第二部分SP的第二表面SS之間的距離D2。

在一些實施例中，量子點層QD的第三表面TS與第一半導體層172相鄰並接觸。也就是說，量子點層QD的第三表面TS直接接觸第一半導體層172。

在一些實施例中，鈍化層PAS與量子點層QD相鄰。如圖4所示，鈍化層PAS具有第二傾斜表面SIS，第二傾斜表面SIS具有第二傾斜角θ2。在一些實施例中，鈍化層PAS的第二傾斜表面SIS和第一電極171的傾斜部分IP的第一傾斜表面FIS具 有彼此不同的傾斜角。在一個實施例中，第二傾斜角θ2可以大於第一傾斜角θ1。在其他實施例中，第二傾斜角度θ2可以小於第一傾斜角度θ1。

鈍化層PAS的第二傾斜表面SIS與量子點層QD相鄰並接觸。鈍化層PAS的第二傾斜表面SIS可以指的是向內面向發光二極體的表面。

同時，參照圖5，多個發光二極體可以包括被配置為發射具有第一波長的光的第一發光二極體170R、被配置為發射具有第二波長的光的第二發光二極體170G以及被配置為發射具有第三波長的光的第三發光二極體170B。

第一波長比第二波長更長並且第二波長比第三波長更長。例如，第一波長對應於紅色波長，第二波長對應於綠色波長，且第三波長對應於藍色波長。

第一發光二極體170R包括第一量子點層RQD，第二發光二極體170G包括第二量子點層GQD，並且第三發光二極體170B包括透射層TR。

第一量子點層RQD、第二量子點層GQD和透射層TR的佈置關係可以同於上面參照圖4描述的量子點層QD的佈置關係。因此，在一個實施例中，第一量子點層RQD、第二量子點層GQD和透射層TR的厚度可以相同。

第一量子點層RQD將具有第三波長的光轉換為具有 第一波長的光，第二量子點層GQD可將具有第三波長的光轉換為具有第二波長的光。

因此，參照圖4和圖5，第一發光二極體170R的發射層產生具有第三波長的光，並且第一發光二極體170R的第一量子點層RQD將具有第三波長的光轉換成具有第一波長的光。結果，第一發光二極體170R可以發射具有第一波長的光。

第二發光二極體170G的發射層產生具有第三波長的光，並且第二發光二極體170G的第二量子點層GQD將具有第三波長的光轉換成具有第二波長的光。結果，第二發光二極體170G可以發射具有第二波長的光。

第三發光二極體170B的發射層產生具有第三波長的光，並且第三發光二極體170B可以透過透射層TR發射具有第三波長的光。

如上所述，第一發光二極體170R和第二發光二極體170G可以透過第一量子點層RQD和第二量子點層GQD的顏色轉換來發光。

與短波長相比，上述鈍化層PAS在長波長中具有低折射率特性。因此，當透過第一量子點層RQD和第二量子點層GQD的顏色轉換而發生紅移時，在鈍化層PAS的界面上發生全反射的角度增大。因此，全反射有效地發生在根據本公開示例性實施例的顯示裝置的鈍化層PAS上，從而可以減少或最小化光損 失。

因此，可以提高根據本公開的示例性實施例的顯示裝置的發光效率。

此外，在根據本公開的示例性實施例的顯示裝置中，作為反射器的一種類型的分布式布拉格反射器(DBR)可以被設置在第一發光二極體170R和第二發光二極體170G上。

分布式布拉格反射器DBR反射具有第三波長的光並且可以透射具有第一波長和第二波長的光。可以利用能夠執行相同或類似反射特性的其他合適的反射器。

即，在第一發光二極體170R和第二發光二極體170G中的每一個中，第一量子點層RQD和第二量子點層GQD不執行顏色轉換，但是具有第三波長的光可以被向上發射。

因此，分布式布拉格反射器DBR向下反射從第一發光二極體170R和第二發光二極體170G中的每一個發射的具有第三波長的光以再利用該光。

因此，被分布式布拉格反射器DBR反射到第一量子點層RQD和第二量子點層GQD的具有第三波長的光可以再次轉換為具有第一波長的光或具有第二波長的光。

因此，從根據本公開示例性實施例的顯示裝置的第一發光二極體170R發射的具有第一波長的光的發光效率以及從第二發光二極體170G發射的具有第二波長的光的發光效率可以 增加。

在一些實施例中，分布式布拉格反射器DBR位於第一發光二極體170R、第二發光二極體170G和第三發光二極體170B上。然而，分布式布拉格反射器DBR與第三發光二極體170B橫向間隔開。即，從平面圖看，分布式布拉格反射器DBR與第一發光二極體170R和第二發光二極體170G重疊。另一方面，從平面圖來看，分布式布拉格反射器DBR不與第三發光二極體170B重疊。

因此，可以提高根據本公開示例性實施例的顯示裝置的色純度。

本公開的另一示例性實施例

在下文中，將描述根據本公開另一示例性實施例的顯示裝置。根據本公開示例性實施例的顯示裝置與根據本公開另一示例性實施例的顯示裝置之間的區別在於發光二極體的類型，這將主要描述。在根據本公開的示例性實施例的顯示裝置和根據本公開的另一示例性實施例的顯示裝置中，相同的組件由相同的圖示標記表示，並且將省略多餘的描述。

圖6是根據本公開另一示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

參照圖6，多個發光二極體包括第一發光二極體270R、第二發光二極體270G和第三發光二極體270B，並且發光 二極體270R、270G和270B中的每一個可以設置在第一連接上焊盤CNT1和第二連接焊盤CNT2上。發光二極體270R、270G和270B可以分別包括：第二半導體層274R、274G和274B、發射層273R、273G和273B、第一半導體層272R、272G和272B、第二電極275R、275G和275B以及第一電極271R、271G和271B。根據本公開的另一示例性實施例的顯示裝置200的發光二極體270R、270G和270B可以具有倒裝晶片結構，其中第二電極275R、275G和275B與第一電極271R、271G、271B和271B形成在一個表面上。即，發光二極體270R、270G和270B可以是第二電極275R、275G和275B以及第一電極271R、271G和271B被設置在水平方向上的水平的發光二極體。

第二半導體層274R、274G和274B可以透過將n型雜質注入到具有優異結晶度的氮化鎵(GaN)中來形成。第二半導體層274R、274G和274B還可以被設置在由可以發光的材料形成的單獨的基底基板上。

發射層273R、273G和273B可以設置在第二半導體層274R、274G和274B上。發射層273R、273G和273B是在發光二極體270R、270G和270B中發射光的發光層，並且可以由氮化物半導體(例如氮化銦鎵(InGaN))形成。第一半導體層272R、272G和272B可以被設置在發射層273R、273G和273B上。第一半導體層272R、272G和272B可以透過將p型雜質注入到氮 化鎵(GaN)中來形成。

如上所述，根據本公開的另一示例性實施例的發光二極體270R、270G和270B可以透過以下製程來製造：依序地層壓第二半導體層274R、274G和274B、發射層273R、273G和273B以及第一半導體層272R、272G和272B；蝕刻預定部分；且然後形成第二電極275R、275G和275B以及第一電極271R、271G和271B。此時，預定部分是用於將第二電極275R、275G和275B與第一電極271R、271G和271B間隔開的空間，使得預定部分可以被蝕刻以暴露第二半導體層274R、274G和274B的一部分。換句話說，發光二極體270R、270G和270B的其上形成有第二電極275R、275G和275B以及第一電極271R、271G和271B的表面不是平坦表面，而是可以具有不同的高度位準。

如上所述，在蝕刻區域中，設置第二電極275R、275G和275B，並且第二電極275R、275G和275B可以由導電材料形成。此外，在未被蝕刻的區域中，設置第一電極271R、271G和271B，並且第一電極271R、271G和271B也可以由導電材料形成。例如，第二電極275R、275G和275B被設置在透過蝕刻程序暴露的第二半導體層274R、274G和274B上，並且第一電極271R、271G和271B可以設置在第一半導體層272R、272G和272B上。第一電極271R、271G和271B可以由與第二電極275R、275G和275B相同的材料形成。

黏合層AD設置在第一連接焊盤CNT1和第二連接焊盤CNT2的頂表面上並且在第一連接焊盤CNT1和第二連接焊盤CNT2之間。因此，發光二極體270R、270G和270B可以接合到第一連接焊盤CNT1和第二連接焊盤CNT2上。此時，第二電極275R、275G和275B被設置在第一連接焊盤CNT1上，並且第一電極271R、271G和271B可以被設置在第二連接焊盤CNT2上。

黏合層AD可以是其中導電球分散在絕緣基底構件中的導電黏合層。因此，當熱或壓力被施加到黏合層AD時，導電球在被施加熱或壓力的部分中電連接以具有導電特性，並且未加壓的區域可以具有絕緣特性。例如，第二電極275R、275G和275B透過黏合層AD電連接到第一連接焊盤CNT1，並且第一電極271R、271G和271B可以透過黏合層AD而電連接到第二連接焊盤CNT2。在透過噴墨方式將黏合層AD施加到第一連接墊CNT1和第二連接墊CNT2上之後，發光二極體270R、270G和270B被轉移到黏合層AD上，被加壓，然後被加熱以電連接第二連接焊盤CNT2與第一電極271R、271G和271B，以及電連接第一連接焊盤CNT1與第二電極275R、275G和275B。然而，黏合層的除了黏合層AD的設置在第二電極275R、275G和275B和第一連接焊盤CNT1之間的部分以及黏合層AD的設置在第一電極271R、271G和271B和第二連接焊盤CNT2之間的部分之外的 剩餘部分可以具有絕緣特性。同時，黏合層AD可以被劃分為也分別設置在第一連接焊盤CNT1和第二連接焊盤CNT2上。

第一連接焊盤CNT1可以被施加有用於從電源供應器驅動發光二極體270R、270G和270B的低電位電壓。

第二連接焊盤CNT2電連接到驅動電晶體的汲電極，以從驅動電晶體施加用於驅動發光二極體270R、270G和270B的驅動電壓。

因此，當顯示裝置200開啟時，被施加到第一連接焊盤CNT1和第二連接焊盤CNT2的不同電壓電平被傳輸到第二電極275R、275G和275B以及第一電極271R、271G和271R。271B。透過這樣做，發光二極體270R、270G和270B可以發光。

同時，量子點層QD可以被設置在發光二極體270R、270G和270B中。

如圖6所示，量子點層RQD和GQD可以被設置在第一電極271R和271G以及第二電極275R和275G與第一半導體層272R和272G以及第二半導體層274R和274G之間。

更具體地，量子點層RQD和GQD可以被設置在第一電極271R和271G以及第二電極275R和275G的頂表面上以及第一半導體層272R和272G以及第二半導體層274R和274G的底表面上。

具有各種尺寸的量子點可以被設置在量子點層RQD 和GQD中。從量子點層RQD和GQD發射的光的波長可以根據量子點的尺寸而變化。例如，當量子點的尺寸增大時，發射波長較長的光，而當量子點的尺寸減小時，發射波長更短的光。

鈍化層PAS覆蓋發光二極體270R、270G和270B的外面以進行保護。具體地，鈍化層PAS可以被設置為覆蓋發光二極體的第一半導體層272R、272G和272B、發射層273R、273G和273B以及第二半導體層274R、274G和274B的側表面，還覆蓋量子點層RQD和GQD的側表面。

因此，量子點層RQD和GQD的外表面可以被以下元件覆蓋：第一電極271R和271G、第一半導體層272R和272G、發射層273R和273G、第二半導體層274R和274G、第二電極275R和275G、以及鈍化層PAS。

鈍化層PAS可以由由矽氮化物(SiN_x)、矽氧化物(SiO_x)和氮氧化矽(SiON)中的至少一種形成的單層或雙層構成。

由於材料的性質，設置在量子點層RQD和GQD中的量子點非常容易受到外部濕氣或氧氣的影響。因此，量子點層RQD和GQD上的封裝對於始終保持相同位準的效率是非常重要的。

根據本公開的另一示例性實施例的顯示裝置200的優點在於，量子點層RQD和GQD設置在發光二極體270R和 270G中，使得量子點層RQD和GQD可以被封裝而無需單獨的封裝層。

因此，根據本公開另一示例性實施例的顯示裝置200的量子點層RQD和GQD的可靠性得到改善，從而進一步增強了顯示裝置實現影像的可靠性。另外，如前所述，因為不需要單獨的封裝層，所以可以減小顯示裝置的厚度。此外，因為不需要用於添加單獨的封裝層的製造程序，所以可以降低製造顯示裝置的總成本。

在一實施例中，顯示裝置包括與量子點層相鄰的鈍化層，鈍化層具有第二傾斜表面，並且第二傾斜表面與量子點層相鄰並接觸。此外，鈍化層的第二傾斜表面和第一電極的傾斜部分的第一傾斜表面具有彼此不同的傾斜角度。

同時，參照圖6，多個發光二極體可以包括：被配置為發射具有第一波長的光的第一發光二極體270R、被配置為發射具有第二波長的光的第二發光二極體270G以及被配置為發射具有第三波長的光的第三發光二極體270B。。

第一波長比第二波長更長，並且第二波長可以比第三波長更長。例如，第一波長對應於紅色的波長，第二波長對應於綠色的波長，並且第三波長可以對應於藍色的波長。

第一發光二極體270R包括第一量子點層RQD，第二發光二極體270G包括第二量子點層GQD，並且第三發光二極 體270B包括透射層TR。

第一量子點層RQD、第二量子點層GQD和透射層TR的佈置關係可以彼此相同。因此，第一量子點層RQD、第二量子點層GQD和透射層TR的厚度可以相同。

第一量子點層RQD將具有第三波長的光轉換為具有第一波長的光，且第二量子點層GQD可將具有第三波長的光轉換為具有第二波長的光。

因此，第一發光二極體270R的發射層273R產生具有第三波長的光，並且第一發光二極體270R的第一量子點層RQD將具有第三波長的光轉換成具有第一波長的光。結果，第一發光二極體270R可以發射具有第一波長的光。

第二發光二極體270G的發射層273G產生具有第三波長的光，並且第二發光二極體270G的第二量子點層GQD將具有第三波長的光轉換成具有第二波長的光。結果，第二發光二極體270G可以發射具有第二波長的光。

第三發光二極體270B的發射層273B產生具有第三波長的光，並且第三發光二極體270B可以透過透射層TR來發射具有第三波長的光。

如上所述，第一發光二極體270R和第二發光二極體270G可以透過第一量子點層RQD和第二量子點層GQD的顏色轉換來發光。

與短波長相比，上述鈍化層PAS在長波長中具有低折射率特性。因此，當透過第一量子點層RQD和第二量子點層GQD的顏色轉換而發生紅移時，在鈍化層PAS的界面上發生全反射的角度增大。因此，全反射有效地發生在根據本公開另一示例性實施例的顯示裝置200的鈍化層PAS上，從而可以減少或最小化光損失。

因此，可以提高根據本公開另一示例性實施例的顯示裝置的發光效率。

此外，在根據本公開的另一示例性實施例的顯示裝置中，分布式布拉格反射器(DBR)可以設置在第一發光二極體270R和第二發光二極體270G上。

分布式布拉格反射器DBR反射具有第三波長的光並且可以透射具有第一波長和第二波長的光。

即，在第一發光二極體270R和第二發光二極體270G中的每一個中，第一量子點層RQD和第二量子點層GQD不執行顏色轉換，但是具有第三波長的光可以是向上發射。

因此，分布式布拉格反射器DBR向下反射從第一發光二極體270R和第二發光二極體270G發射的具有第三波長的光以再利用該光。

因此，透過分布式布拉格反射器DBR反射到第一量子點層RQD和第二量子點層GQD的具有第三波長的光可以被轉 換為具有第一波長的光或具有第二波長的光。

因此，從根據本公開另一示例性實施例的顯示裝置200的第一發光二極體270R發射的具有第一波長的光的發光效率和從第二發光二極體270G發射的具有第二波長的光的發光效率可以增加。

因此，可以提高根據本公開另一示例性實施例的顯示裝置的色純度。

本發明的示例性實施例還可以描述如下： 根據本公開的一個方面，一種顯示裝置，包括可拉伸的下基板；多個下板圖案設置於下基板上；多個畫素設置在所述多個下板圖案上，並且所述多個畫素中的每一個包括多個發光二極體，並且量子點層設置在所述多個發光二極體的至少一個中。透過這樣做，可以提高顯示裝置的發光效率和可靠性。

每個發光二極體可以包括第一電極、第一半導體層、發光層、第二半導體層和第二電極，並且每個發光二極體可以是垂直發光二極體，其中第一電極和第二電極設置在垂直方向上，並且量子點層可以設置在第一電極和第一半導體層之間。

每個發光二極體還可以包括覆蓋第一半導體層、發射層、第二半導體層和量子點層的側表面的鈍化層。

量子點層的外表面可以被第一電極、第一半導體層和鈍化層覆蓋。

顯示裝置還可以包括：與下基板相對且可拉伸的上基板；設置於上基板下的上板圖案；設置在上板圖案下並電連接至第二電極的多個導電圖案。

顯示裝置還可以包括設置在上基板下的多個上線圖案以及設置在所述多個上線圖案下並連接多個導電圖案的多個上連接線。

每個發光二極體可以包括第一電極、第一半導體層、發射層、第二半導體層和第二電極，並且每個發光二極體可以是水平發光二極體，其中第一電極和第二電極沿水平方向設置，並且量子點層設置在第一電極和第二電極的上表面與第一半導體層和第二半導體層的下表面之間。

每個發光二極體還可以包括覆蓋第一半導體層、發射層、第二半導體層和量子點層的側表面的鈍化層。

量子點層的外表面可以被第一電極、第一半導體層、發射層、第二半導體層、第二電極和鈍化層覆蓋。

多個發光二極體可以包括：被配置為發射具有第一波長的光的第一發光二極體；被配置為發射具有第二波長的光的第二發光二極體；以及被配置為發射具有第三波長的光的第三發光二極體。第一波長長於第二波長，第二波長長於第三波長。

顯示裝置還可以包括分佈布拉格反射器，其設置在第一發光二極體和第二發光二極體上，以反射具有第三波長的光 並透射具有第一波長和第二波長的光。

第一發光二極體可以包括將具有第三波長的光轉換為具有第一波長的光的第一量子點層，且第二發光二極體包括將具有第三波長的光轉換為具有第二波長的光的第二量子點層。

第三發光二極體可以包括與第一量子點層和第二量子點層具有相同厚度的透射層。

儘管已經參照圖示詳細描述了本公開的示例性實施例，但是本公開不限於此，並且可以在不脫離本公開的技術構思的情況下以許多不同的形式來實施。因此，提供本公開的示例性實施例僅用於說明目的，而不旨在限制本公開的技術構思。本公開的技術構思的範圍不限於此。因此，應當理解，上述示例性實施例在所有方面都是說明性的並且不限制本公開。本公開等同範圍內的所有技術構思應當被解釋為落入本公開的範圍內。

上述各種實施例可以組合以提供另外的實施例。本說明書中提及和/或申請資料表中列出的所有美國專利、美國專利申請公開、美國專利申請、外國專利、外國專利申請和非專利公開以其全部內容透過引用併入本文。如果需要採用各個專利、申請和出版物的構思來提供另外的實施例，則可以修改實施例的各方面。

根據上述詳細描述，可以對實施例進行這些和其他改變。一般而言，在所附請求項中，所使用的術語不應被解釋為 將請求項限制於說明書和請求項中公開的具體實施例，而應被解釋為包括所有可能的實施例以及請求項所賦予的等同物的完整範圍。因此，請求項不受本公開的限制。

100:顯示裝置

111:下基板

121a:下圖案層

121b:上圖案層

122b:上圖案層

141:緩衝層

142:閘極絕緣層

143:第一層間絕緣層

144:第二層間絕緣層

145:鈍化層

146:平坦化層

147:堤部

170R:第一發光二極體

170G:第二發光二極體

170B:第三發光二極體

181b:上連接線

190:填充層

CP:導電圖案

DBR:布拉格反射器

AD1:第一黏合層

AD2:第二黏合層

RQD:第一量子點層

GQD:第二量子點層

TR:透射層

CNT:連接焊盤

Claims (23)

1. 一種顯示裝置，包括：下基板，包含主動區域以及對應於除了所述主動區域外的區域的非主動區域；多個下板圖案，所述多個下板圖案設置在所述下基板的所述主動區域及所述非主動區域上；多個閘極焊盤，設置於所述多個下板圖案上；多個資料焊盤，設置於所述多個下板圖案上；多個畫素，所述多個畫素設置在所述主動區域中的所述多個下板圖案上，所述多個畫素中的每一個包括多個發光二極體；緩衝層，設置於所述主動區域中的所述多個下板圖案的每一者上；多個驅動電晶體，設置於設置在所述主動區域中的所述多個下板圖案的每一者上的所述緩衝層上，所述多個驅動電晶體的每一者包含位於所述緩衝層上的主動層、位於所述主動層上的閘電極，以及汲電極及源電極；平坦化層，設置於設置在所述主動區域中的所述多個下板圖案的每一者上的所述多個驅動電晶體上，所述平坦化層設置為覆蓋所述緩衝層的多個側表面；以及量子點層，所述量子點層設置在設置於所述平坦化層上的所述多個發光二極體中的至少一個中。
2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述多個發光二極體中的每一個包括第一電極、第一半導體層、發射層、第二半導體層和第二電極，其中，所述多個發光二極體中的每一個為其中所述第一電極和所述第二電極沿垂直方向設置的垂直發光二極體，且其中，所述量子點層設置在所述第一電極與所述第一半導體層之間。
3. 如請求項2所述的顯示裝置，其中，所述每個發光二極體還包括覆蓋所述第一半導體層、所述發射層、所述第二半導體層和所述量子點層的側表面的鈍化層。
4. 如請求項3所述的顯示裝置，其中，所述量子點層的外表面被所述第一電極、所述第一半導體層和所述鈍化層覆蓋。
5. 如請求項2所述的顯示裝置，更包括：上基板，所述上基板相對於所述下基板且是可拉伸的；上板圖案，所述上板圖案設置在所述上基板下；以及多個導電圖案，所述多個導電圖案設置在所述上板圖案下且電連接至所述第二電極。
6. 如請求項5所述的顯示裝置，更包括：多個上線圖案，所述多個上線圖案設置在所述上基板下；以及多條上連接線，所述多條上連接線設置在所述多個上線圖案下且電連接所述多個導電圖案。
7. 如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述多個發光二極體中的每一個包括第一電極、第一半導體層、發射層、第二半導體層和第二電極，且其中，所述多個發光二極體中的每一個是所述第一電極和所述第二電極沿水平方向設置且所述量子點層設置在所述第一電極和所述第二電極的上表面與所述第一半導體層和所述第二半導體層的下表面之間之水平發光二極體。
8. 如請求項7所述的顯示裝置，其中，所述多個發光二極體中的每一個更包括覆蓋所述第一半導體層、所述發射層、所述第二半導體層和所述量子點層的側表面的鈍化層。
9. 如請求項8所述的顯示裝置，其中，所述量子點層的外表面被所述第一電極、所述第一半導體層、所述發射層、所述第二半導體層、所述第二電極和所述鈍化層覆蓋。
10. 如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述多個發光二極體包括：第一發光二極體，所述第一發光二極體被配置為發射具有第一波長的光；第二發光二極體，所述第二發光二極體被配置為發射具有第二波長的光；第三發光二極體，所述第三發光二極體被配置為發射具有第三波長的光；且其中所述第一波長長於所述第二波長，且所述第二波長長於所述第三波長。
11. 如請求項10所述的顯示裝置，更包括：分布式布拉格反射器，所述分布式布拉格反射器被配置為設置在所述第一發光二極體與所述第二發光二極體上，以反射具有所述第三波長的光並透射具有所述第一波長和所述第二波長的光。
12. 如請求項10所述的顯示裝置，其中，所述第一發光二極體包括將具有所述第三波長的光轉換為所述第一波長的第一量子點層，且所述第二發光二極體包括將具有所述第三波長的光轉換為所述第二波長的第二量子點層。
13. 如請求項12所述的顯示裝置，其中，所述第三發光二極體包括與所述第一量子點層和所述第二量子點層厚度相同的透射層。
14. 一種顯示裝置，包括：基板，包含主動區域以及對應於除了所述主動區域外的區域的非主動區域；多個板圖案，所述多個板圖案設置在所述基板的所述主動區域及所述非主動區域上；多個閘極焊盤、多個資料焊盤及多個電壓焊盤，設置於所述多個板圖案上；緩衝層，設置於所述主動區域中的所述多個板圖案上；多個驅動電晶體，設置於所述緩衝層上，所述多個驅動電晶體的每一者包含位於所述緩衝層上的主動層、位於所述主動層上的閘電極，以及汲電極及源電極；平坦化層，設置於所述多個驅動電晶體上，所述平坦化層設置為與所述多個板圖案一起包圍所述緩衝層；以及多個畫素，所述多個畫素位於所述主動區域中的所述多個板圖案上，所述多個畫素中的每一個包括設置於所述平坦化層上的發光二極體，所述發光二極體包括：第一電極；量子點層，所述量子點層與所述第一電極相鄰；第一半導體層，所述第一半導體層位於所述第一電極上；發射層，所述發射層位於所述第一半導體層上；以及第二電極，所述第二電極位於所述發射層上。
15. 如請求項14所述的顯示裝置，其中，所述第一電極包括第一部分、傾斜部分和第二部分，其中，所述傾斜部分在所述第一部分與所述第二部分之間，其中，所述傾斜部分具有第一傾斜表面且所述第一部分具有第一表面，且其中，所述量子點層鄰近並接觸所述第一部分的所述第一表面和所述傾斜部分的所述第一傾斜表面。
16. 如請求項15所述的顯示裝置，其中，所述第二部分具有第二表面且所述量子點層包括第三表面，其中，所述量子點層的所述第三表面與所述第二部分的所述第二表面間隔開，其中，與所述第一電極的所述第二部分的所述第二表面相比，所述量子點層的所述第三表面更靠近所述基板。
17. 如請求項16所述的顯示裝置，其中，所述量子點層的所述第三表面與所述第一半導體層相鄰並接觸。
18. 如請求項14所述的顯示裝置，包括：第二發光二極體，所述第二發光二極體與所述發光二極體相鄰；以及第三發光二極體，所述第三發光二極體與所述第二發光二極體相鄰，其中，所述發光二極體包括被配置為將具有第三波長的光轉換成具有第一波長的光的第一量子點層，其中，所述第二發光二極體包括被配置為將具有所述第三波長的光轉換為具有第二波長的光的第二量子點層，且其中，所述第一量子點層為所述量子點層。
19. 如請求項18所述的顯示裝置，包括：反射器，所述反射器位於所述發光二極體和所述第二發光二極體上，其中，從平面視圖看所述反射器與所述發光二極體和所述第二發光二極體重疊。
20. 如請求項19所述的顯示裝置，其中，所述反射器與所述第三發光二極體間隔開，其中，從平面圖上看，所述反射器不與所述第三發光二極體重疊。
21. 如請求項1所述的顯示裝置，更包含：多個下線圖案，具有波狀形狀，及設置於在所述下基板上的所述多個下板圖案之間；以及多條下連接線，設置於所述多個下線圖案上，所述多條下連接線的每一者與所述多個下線圖案的每一者重疊，其中所述多條下連接線包含多條第一下連接線以及多條第二下連接線，所述多條第一下連接線電連接在第一方向上相鄰的所述多個閘極焊盤，所述多條第二下連接線電連接在第二方向上相鄰的所述多個資料焊盤。
22. 如請求項21所述的顯示裝置，更包含：填充層，設置於所述多條下連接線上；多個導電圖案，設置於所述發光二極體上，所述多個導電圖案的每一者與所述多個下板圖案的每一者重疊；以及多條上連接線，設置於所述填充層上、具有波狀形狀，及電連接在所述第一方向上相鄰的所述多個導電圖案，其中所述多條上連接線用於提供低電位電壓至所述多個畫素。
23. 如請求項22所述的顯示裝置，其中所述多個畫素的每一者包含第一子畫素、第二子畫素以及第三子畫素，所述第一子畫素包括第一發光二極體，所述第二子畫素包括第二發光二極體，及所述第三子畫素包括第三發光二極體，及其中包括在所述多個畫素的每一者中的所述第一子畫素、所述第二子畫素以及所述第三子畫素全部設置於所述多個下板圖案的每一者上。