TWI892900B - 記憶體及記憶體測試方法 - Google Patents

Abstract

一種記憶體測試系統包含記憶體及測試機台。測試機台耦接於記憶體，並用以產生第一測試訊號以測試記憶體之最小輸入高電壓準位。測試機台用以產生第二測試訊號以測試記憶體之最大輸入低電壓準位。測試機台用以根據最小輸入高電壓準位及最大輸入低電壓準位以產生記憶體之電壓遮罩範圍。測試機台用以根據記憶體之電壓遮罩範圍產生輸入訊號至記憶體。

Description

記憶體及記憶體測試方法

本案涉及一種電子系統及晶片測試方法。詳細而言，本案涉及一種記憶體測試系統及記憶體測試方法。

現有測試機台輸入資料訊號或命令至記憶體之接收器(receiver)，藉以根據資料訊號或命令執行操作。當資料訊號或命令碰觸到接收器之資料電壓之電壓遮罩範圍時，將導致接收器產生錯誤訊號，以讓接收器無法根據資料訊號或命令執行操作。

因此，上述技術尚存諸多缺陷，而有待本領域從業人員研發出其餘適合的記憶體測試系統及記憶體測試方法。

本案的一面向涉及一種記憶體。記憶體包含接收器。接收器耦接於外部系統。接收器執行以下運作：自外部系統接收複數個測試訊號。記憶體更執行以下運作：響應於複數個測試訊號各者，產生對應的複數個測試結果；以及輸出複數個測試結果至外部系統，以使外部系統基於複數個測試結果決定記憶體之電壓遮罩範圍。

本案的另一面向涉及一種記憶體測試方法。記憶體測試方法包含以下步驟：藉由記憶體接收複數個測試訊號；藉由記憶體響應於複數個測試訊號各者，產生對應的複數個測試結果；藉由記憶體輸出複數個測試結果至與記憶體連接的外部系統，以使外部系統基於複數個測試結果決定記憶體之電壓遮罩範圍。

有鑑於前述之現有技術的缺點及不足，本案提供一種記憶體測試系統及記憶體測試方法，藉由本案記憶體測試系統及記憶體測試方法分析記憶體之電壓遮罩範圍，以根據電壓遮罩範圍確保輸入訊號處於記憶體之正常工作電壓範圍。

以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本案之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本案之實施例後，當可由本案所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本案之精神與範圍。

本文之用語只為描述特定實施例，而無意為本案之限制。單數形式如“一”、“這”、“此”、“本”以及“該”，如本文所用，同樣也包含複數形式。

關於本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。

關於本文中所使用之用詞（terms），除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在本案之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本案之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員在有關本案之描述上額外的引導。

第1圖為根據本案一些實施例繪示的記憶體測試系統100之電路方塊示意圖。在一些實施例中，如第1圖所示，記憶體測試系統100包含記憶體110及測試機台120。測試機台120耦接於記憶體110。

在一些實施例中，測試機台120用以產生第一測試訊號以測試記憶體110之最小輸入高電壓準位。測試機台120用以產生第二測試訊號以測試記憶體110之最大輸入低電壓準位。測試機台120用以根據最小輸入高電壓準位及最大輸入低電壓準位以產生記憶體110之電壓遮罩範圍(圖中未示)，然電壓遮罩範圍將於後續說明書及圖式中加以繪示及說明。測試機台120用以根據記憶體110之電壓遮罩範圍產生輸入訊號至記憶體110。

在一些實施例中，記憶體110包含動態隨機存取存儲記憶體(dynamic random access memory, DRAM)。

在一些實施例中，記憶體110包含接收器111。接收器111耦接於測試機台120，並用以接收第一測試訊號之輸入高電壓準位。接收器111用以判斷輸入高電壓準位是否接觸到接收器111之電壓遮罩範圍，藉以決定是否產生第一錯誤訊號。

在一些實施例中，若輸入高電壓準位接觸到接收器111之電壓遮罩範圍，接收器111用以輸出第一錯誤訊號。若輸入高電壓準位未接觸到接收器111之電壓遮罩範圍，測試機台120更用以繼續調整輸入高電壓準位。

在一些實施例中，接收器111更用以接收第二測試訊號之輸入低電壓準位。接收器111用以判斷輸入低電壓準位是否接觸到電壓遮罩範圍，藉以決定是否產生第二錯誤訊號。

在一些實施例中，請參閱第1圖，若輸入低電壓準位接觸到接收器111之電壓遮罩範圍，接收器111更用以輸出第二錯誤訊號。若輸入低電壓準位未接觸到接收器111之電壓遮罩範圍，測試機台120用以繼續調整輸入低電壓準位。

在一些實施例中，第一測試訊號、第二測試訊號及輸入訊號不相同。在一些實施例中，第一錯誤訊號及第二錯誤訊號不相同。

在一些實施例中，為了使本案第1圖的用以測試記憶體110的記憶體測試系統100之操作易於理解，請一併參閱第1圖至第4圖。第2圖為根據本案一些實施例繪示的記憶體測試方法200之步驟流程示意圖。第3圖至第4圖為根據本案一些實施例繪示的記憶體測試系統100所產生之測試訊號示意圖。在一些實施例中，記憶體測試方法200包含步驟210至步驟260。步驟將於後續段落詳細描述。

於步驟210中，藉由測試機台輸入第一測試訊號至記憶體。在一些實施例中，請參閱第1圖至第3圖，藉由測試機台120輸入第一測試訊號S1至記憶體110之接收器111。

於步驟220中，藉由記憶體根據第一測試訊號以測試記憶體之最小輸入高電壓準位。

在一些實施例中，請參閱第1圖至第3圖，藉由記憶體110根據第一測試訊號S1以測試記憶體110之接收器111之最小輸入高電壓準位VIH(min)。

須說明的是，第一測試訊號S1為當一般訊號輸入接收器111時，一般訊號可被接收器111認定為最小輸入高電壓準位VIH(min)之測試訊號。VIH(High-level input voltage)之定義為可被邏輯閘認定為高準位的最小輸入電壓。換言之，一般訊號之高準位因電路誤差而具有一段數值範圍，為確保一般訊號之高準位可維持在邏輯閘認定之高準位電壓範圍內，通常需要先進行測試。

在一些實施例中，藉由測試機台120調整第一測試訊號S1之輸入高電壓準位VIH(default)，以搜尋記憶體110之接收器111之最小輸入高電壓準位VIH(min)。

在一些實施例中，藉由接收器111判斷輸入高電壓準位VIH(default)是否接觸到順從遮罩M之電壓遮罩範圍R。接著，若輸入高電壓準位VIH(default)接觸到接收器111之電壓遮罩範圍R，則藉由接收器111輸出第一錯誤訊號。此時，第一錯誤訊號代表第一測試訊號S1碰觸到順從遮罩M，並由此得知接收器111之順從遮罩M之上限。

再者，若輸入高電壓準位VIH(default)未接觸到接收器111之電壓遮罩範圍R，則藉由測試機台120繼續調整輸入高電壓準位VIH(default)。

舉例而言，輸入高電壓準位VIH(default)之電壓數值為910毫伏特(mV)。藉由測試機台120調整電壓位移量ΔX以將輸入高電壓準位VIH(default)調整至接收器111之電壓遮罩範圍R，接收器111將輸出第一錯誤訊號。此時，第一測試訊號S1以調整為第一目標訊號S1’。而電壓位移量ΔX為25毫伏特(mV)。最小輸入高電壓準位VIH(min)為885毫伏特(mV)。

於步驟230中，藉由測試機台輸入第二測試訊號至記憶體。

在一些實施例中，請參閱第1圖、第2圖及第4圖，藉由測試機台120輸入第二測試訊號S2至記憶體110之接收器111。

於步驟240中，藉由記憶體根據第二測試訊號以測試記憶體之最大輸入低電壓準位。

在一些實施例中，請參閱第1圖、第2圖及第4圖，藉由記憶體110根據第二測試訊號S2以測試記憶體110之最大輸入低電壓準位VIL(max)。

須說明的是，第二測試訊號S2為當一般訊號輸入接收器111時，一般訊號可被接收器111認定為最大輸入低電壓準位VIL(max)之測試訊號。VIL(low-level input voltage)之定義為可被邏輯閘認定為低準位的最大輸入電壓。換言之，一般訊號之低準位因電路誤差而具有一段數值範圍，為確保一般訊號之低準位可維持在邏輯閘認定之低準位電壓範圍內，通常需要先進行測試。

在一些實施例中，藉由測試機台120調整第二測試訊號S2之輸入低電壓準位VIL(default)，以搜尋記憶體110之接收器111之最大輸入低電壓準位VIL(max)。

在一些實施例中，請參閱第1圖、第2圖及第4圖，藉由接收器111判斷輸入低電壓準位VIL(default)是否接觸到記憶體110之接收器111之順從遮罩M之電壓遮罩範圍R。接著，若輸入低電壓準位VIL(default)接觸到接收器111之電壓遮罩範圍R，則藉由接收器111輸出第二錯誤訊號。此時，第二錯誤訊號代表第二測試訊號S2碰觸到順從遮罩M，並由此得知接收器111之順從遮罩M之下限。

再者，若輸入低電壓準位VIL(default)未接觸到接收器111之電壓遮罩範圍R，則藉由測試機台120繼續調整輸入低電壓準位VIL(default)。

舉例而言，輸入低電壓準位VIL(default)之電壓數值為730毫伏特(mV)。藉由測試機台120調整電壓位移量ΔY以將輸入低電壓準位VIL(default)調整至接收器111之電壓遮罩範圍R，接收器111將輸出第二錯誤訊號。此時，第二測試訊號S2以調整為第二目標訊號S2’。而電壓位移量ΔY為25毫伏特(mV)。最大輸入低電壓準位VIL(max)為755毫伏特(mV)。須說明的是，電壓位移量ΔX及電壓位移量ΔY可相同或不同。

於步驟250中，藉由測試機台根據最小輸入高電壓準位及最大輸入低電壓準位以產生記憶體之電壓遮罩範圍。

在一些實施例中，請參閱第1圖至第4圖，藉由測試機台120根據最小輸入高電壓準位VIH(min)及最大輸入低電壓準位VIL(max)以產生記憶體110之電壓遮罩範圍R。

舉例而言，承上述步驟220及步驟240，最小輸入高電壓準位VIH(min)為885毫伏特(mV)。最大輸入低電壓準位VIL(max)為755毫伏特(mV)。藉由測試機台120根據最小輸入高電壓準位VIH(min)及最大輸入低電壓準位VIL(max)相減以獲得記憶體110之接收器111之電壓遮罩範圍R為130毫伏特(mV)。

於步驟260中，藉由測試機台根據記憶體之電壓遮罩範圍以產生輸入訊號至記憶體。

在一些實施例中，請參閱第1圖至第4圖，藉由測試機台120根據記憶體110之接收器111之順從遮罩M之電壓遮罩範圍R以產生輸入訊號至記憶體110。

在一些實施例中，藉由測試機台120根據順從遮罩M之電壓遮罩範圍R以產生輸入訊號，藉以避免輸入訊號之高準位及低準位碰觸到接收器111之順從遮罩M之電壓遮罩範圍R。

依據前述實施例，本案提供一種記憶體測試系統及記憶體測試方法，藉由本案記憶體測試系統及記憶體測試方法分析記憶體之接收器之電壓遮罩範圍，以根據電壓遮罩範圍確保輸入訊號或命令之高準位及低準位處於記憶體之接收器之正常工作電壓範圍。

雖然本案以詳細之實施例揭露如上，然而本案並不排除其他可行之實施態樣。因此，本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準，而非受於前述實施例之限制。

對本領域技術人員而言，在不脫離本案之精神和範圍內，當可對本案作各種之更動與潤飾。基於前述實施例，所有對本案所作的更動與潤飾，亦涵蓋於本案之保護範圍內。

100:記憶體測試系統 110:記憶體 111:接收器 120:測試機台 200:方法 210~260:步驟 VIH(default):輸入高電壓準位 VIH(min):最小輸入高電壓準位 R:電壓遮罩範圍 M:順從遮罩 S1:第一測試訊號 S1’:第一目標訊號 ΔX:電壓位移量 VIL(default):輸入低電壓準位 VIL(max):最大輸入低電壓準位 S2:第二測試訊號 S2’:第二目標訊號 ΔY:電壓位移量

參照後續段落中的實施方式以及下列圖式，當可更佳地理解本案的內容： 第1圖為根據本案一些實施例繪示的記憶體測試系統之電路方塊示意圖； 第2圖為根據本案一些實施例繪示的記憶體測試方法之步驟流程示意圖； 第3圖為根據本案一些實施例繪示的記憶體測試系統所產生之測試訊號示意圖；以及 第4圖為根據本案一些實施例繪示的記憶體測試系統所產生之測試訊號示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:記憶體測試系統

110:記憶體

111:接收器

120:測試機台

Claims (10)

1. 一種記憶體，包含： 一接收器，耦接於一外部系統； 其中，該接收器執行以下運作： 自該外部系統接收複數個測試訊號； 其中該記憶體更執行以下運作： 響應於該等測試訊號各者，產生對應的複數個測試結果；以及 輸出該等測試結果至該外部系統，以使該外部系統基於該等測試結果決定該記憶體之該接收器之一順從遮罩之一電壓遮罩範圍。
2. 如請求項1所述之記憶體，其中該外部系統係為一測試機台。
3. 如請求項1所述之記憶體，其中該些測試訊號包含一第一測試訊號及一第二測試訊號，其中該第一測試訊號用以測試該記憶體之該電壓遮罩範圍之一最小輸入高電壓準位，其中該第二測試訊號用以測試該記憶體之該電壓遮罩範圍之一最大輸入低電壓準位。
4. 如請求項3所述之記憶體，其中該接收器用以執行以下運作： 於一第一期間接收該第一測試訊號之一第一準位；以及 於該第一期間基於該電壓遮罩範圍之該最小輸入高電壓準位及該第一測試訊號之該第一準位，決定是否輸出一第一錯誤訊號，以作為該等測試結果其中一者。
5. 如請求項4所述之記憶體，其中若該第一準位接觸到該電壓遮罩範圍，該接收器用以輸出該第一錯誤訊號，其中若該第一準位未接觸到該電壓遮罩範圍，該外部系統更用以繼續降低該第一準位。
6. 如請求項4所述之記憶體，其中該接收器用以執行以下運作： 於一第二期間接收該第二測試訊號之一第二準位；以及 於該第二期間基於該電壓遮罩範圍之該最大輸入低電壓準位及該第二測試訊號之該第二準位，決定是否輸出一第二錯誤訊號，以作為該等測試結果其中一者。
7. 如請求項6所述之記憶體，其中若該第二準位接觸到該電壓遮罩範圍，該接收器更用以輸出該第二錯誤訊號，其中若該第二準位未接觸到該電壓遮罩範圍，該外部系統用以繼續提高該第二準位。
8. 如請求項6所述之記憶體，其中該第一期間與該第二期間不重疊。
9. 如請求項1所述之記憶體，其中該外部系統更用以基於該電壓遮罩範圍產生一輸入訊號，以傳輸該輸入訊號至該記憶體。
10. 一種記憶體測試方法，包含： 藉由一記憶體接收複數個測試訊號； 藉由該記憶體響應於該等測試訊號各者，產生對應的複數個測試結果；以及 藉由該記憶體輸出該等測試結果至與該記憶體連接的一外部系統，以使該外部系統基於該等測試結果決定該記憶體之該接收器之一順從遮罩之一電壓遮罩範圍。