TWI890925B

TWI890925B - 用於製造具有包覆圍繞電極的基板的方法及設備

Info

Publication number: TWI890925B
Application number: TW111104694A
Authority: TW
Inventors: 李察哈根; 克迪丹尼爾修泰森
Original assignee: 美商康寧公司
Priority date: 2021-02-10
Filing date: 2022-02-09
Publication date: 2025-07-21
Also published as: JP2024505740A; WO2022173637A1; KR20230145099A; TW202303913A

Abstract

一種製造顯示器瓦片的方法及設備包括將電極的第一部分沉積至基板的第一主表面及邊緣表面上，以及將電極的第二部分沉積至基板的相對第二主表面及邊緣表面上。電極沿著基板的第一主表面的部分、邊緣表面以及第二主表面的部分延伸。

Description

用於製造具有包覆圍繞電極的基板的方法及設備

本申請案依專利法主張2021年2月10日申請的美國臨時申請案第63/147,854號及2021年6月3日申請的美國臨時申請案第63/196,360號的優先權權益，本文依賴於該些美國臨時申請案的內容並且該些美國臨時申請案的內容以全文引用的方式併入本文。

本揭示案大體而言係關於用於製造具有包覆圍繞電極的基板的方法及設備，並且更特別地，係關於使用氣溶膠噴流來製造具有包覆圍繞電極的基板的方法及設備。

諸如微LED顯示器的顯示器包括無框線、無邊框及/或鋪瓦(tiled)式顯示器。頂部發射微LED顯示器要求一種用於電互連基板頂表面上的LED與位於基板後面的驅動器控制器板的方法。此可以藉由使用附接在基板邊緣處的撓曲連接器來完成。然而，在無框線、無邊框或鋪瓦式顯示器的狀況下，不期望使用附接至基板頂表面的撓曲連接器。在此類狀況下，撓曲連接器要麼對觀看者可見並且需要藉由邊框來隱藏，要麼撓曲連接器佔據瓦片之間的過多空間並且阻礙無縫鋪瓦。一種電連接顯示器基板頂表面與驅動器控制器板的解決方案為利用包覆圍繞電極。

包覆圍繞電極可圍繞基板邊緣製造。此使得該些包覆圍繞電極佔據較少實體空間，並且在視覺上不那麼顯眼。包覆圍繞電極已利用無框線、無邊框及鋪瓦式顯示器來證實。此類電極可包含多種材料，並且藉由包括列印、真空沉積、撓曲連接以及電鍍的方法來製造。用以改進包覆圍繞電極的電效能及可靠性的方法係經由材料及製程改進來實現。

本文所揭示的實施例包括一種製造顯示器瓦片的方法。方法包括將電極的第一部分沉積至基板的第一主表面及邊緣表面上。方法包括將電極的第二部分沉積至基板的相對第二主表面及邊緣表面上。第一主表面在大致平行於第二主表面的方向上延伸，並且邊緣表面在第一主表面與第二主表面之間延伸。另外，電極沿著基板的第一主表面的部分、邊緣表面以及第二主表面的部分延伸。

本文所揭示的實施例亦包括一種用於製造顯示器瓦片的設備。設備包括第一孔口，該第一孔口用以將第一氣溶膠噴流導向基板的第一主表面及邊緣表面。設備亦包括第二孔口，該第二孔口用以將第二氣溶膠噴流導向基板的相對第二主表面及邊緣表面。第一主表面在大致平行於第二主表面的方向上延伸，並且邊緣表面在第一主表面與第二主表面之間延伸。另外，第一氣溶膠噴流用以將電極的第一部分沉積至基板的第一主表面及邊緣表面上，並且第二氣溶膠噴流用以將電極的第二部分沉積至基板的第二主表面及邊緣表面上。

本文所揭示的實施例的額外特徵及優勢將在隨後的詳細描述中闡述，並且熟習此項技術者自該描述將顯而易見或藉由實踐如本文(包括隨後的詳細描述、申請專利範圍以及附隨圖式)所描述的揭示實施例來識別額外特徵及優勢的部分。

應瞭解，當前實施例的前述大體描述及以下詳細描述意在提供概述或框架以便瞭解所主張實施例的本質及特性。包括附隨圖式以提供進一步瞭解，並且附隨圖式併入本說明書並構成其部分。圖式說明本揭示案的各種實施例，並且與描述一起用以解釋其原理及操作。

現將詳細參照本揭示案的當前較佳實施例，該些實施例的實例說明於附隨圖式中。無論何時，圖式中自始至終使用相同元件符號來意指相同或類似零件。然而，本揭示案可以以許多不同的形式來實施，並且不應理解為限於本文所闡述的實施例。

範圍可在本文中表達為自「約」一個特定值及/或至「約」另一特定值。當表達此類範圍時，另一實施例包括自一個特定值及/或至另一特定值。類似地，當值例如藉由使用先行詞「約」表達為近似時，應瞭解，特定值形成另一實施例。應進一步瞭解，範圍中的每一範圍的端點與另一端點相關時有意義，而獨立於另一端點時亦有意義。

如本文所使用的方向術語(例如，上、下、右、左、前、後、頂部、底部)僅參照如圖所繪製的附圖，並且並非意在暗指絕對定向。

除非另外明確陳述，否則完全並非意在本文所陳闡述的任何方法理解為要求步驟以具體次序執行，亦完全並非意在要求藉由任何特定於設備的定向。因此，在方法請求項實際上沒有列舉其步驟所遵循的次序，或任何設備請求項實際上沒有列舉個別部件的次序或定向，或在請求項或描述中沒有以其他方式具體陳述步驟受限於具體次序，或沒有列舉設備部件的具體次序或定向的情況下，完全並非意在在任何方面推斷次序或定向。此適用於解譯的任何可能的未表達，包括：相對於步驟、操作流程、部件次序或部件定向的佈置的邏輯事項；自語法結構或標點符號導出的普通含義；以及說明書中所描述的實施例的數目或類型。

如本文所使用，除非上下文另外明確說明，否則單數形式「一個/種(a/an)」、及「該/該些(the)」包括複數指示物。因此，例如，除非上下文另外明確說明，否則參照「一個」部件包括具有兩個或更多個此類部件的態樣。

第1圖展示示例性玻璃製造設備10。在一些實例中，玻璃製造設備10可包含玻璃熔融爐12，該玻璃熔融爐12可包括熔融槽14。除了熔融槽14，玻璃熔融爐12可任選地包括一或多個額外部件，諸如，加熱原始材料並且將原始材料轉化為熔融玻璃的加熱元件(例如，燃燒鍋爐或電極)。在進一步實例中，玻璃熔融爐12可以包括用於降低熔融槽附近的熱損失的熱管理裝置(例如，絕熱部件)。在另外的進一步實例中，玻璃熔融爐12可以包括有助於將原始材料熔融為玻璃熔態的電子裝置及/或電磁裝置。更進一步，玻璃熔融爐12可以包括支撐結構(例如，支撐底盤、支撐構件等)或其他部件。

玻璃熔融槽14通常包含耐火材料，諸如，耐火陶瓷材料，例如，包含氧化鋁或氧化鋯的耐火陶瓷材料。在一些實例中，玻璃熔融槽14可以由耐火陶瓷磚構造。玻璃熔融槽14的具體實施例將在下文更詳細描述。

在一些實例中，玻璃熔融爐可以作為玻璃製造設備的部件併入，以便製造玻璃片，例如，連續長度的玻璃帶。在一些實例中，本揭示案的玻璃熔融爐可以作為玻璃製造設備的部件併入，該玻璃製造設備包含拉縫設備、浮式浴槽設備、下拉設備(諸如，熔合製程)、上拉設備、壓輥設備、拉管設備或可得益於本文所揭示的態樣的任何其他玻璃製造設備。舉例而言，第1圖示意性地說明作為熔合下拉玻璃製造設備10的部件的玻璃熔融爐12，該熔合下拉玻璃製造設備10用於熔合拉製玻璃帶以供後續處理為個別玻璃片。

玻璃製造設備10 (例如，熔合下拉設備10)可任選地包括相對於玻璃熔融槽14定位在上游的上游玻璃製造設備16。在一些實例中，上游玻璃製造設備16的部分或整體可以作為玻璃熔融爐12的部分併入。

如所說明的實例所示，上游玻璃製造設備16可包括儲存箱18、原始材料遞送裝置20以及連接至原始材料遞送裝置的電動機22。儲存箱18可以用以儲存一定量的原始材料24，該一定量的原始材料24可如箭頭26所指示饋送至玻璃熔融爐12的熔融槽14。原始材料24通常包含一或多種玻璃形成金屬氧化物及一或多種修飾劑。在一些實例中，原始材料遞送裝置20可由電動機22供電，以使得原始材料遞送裝置20將預定量的原始材料24自儲存箱18遞送至熔融槽14。在進一步實例中，電動機22可向原始材料遞送裝置20供電，以便基於熔融槽14下游感測的熔融玻璃的位準而以受控速率引入原始材料24。此後，熔融槽14內的原始材料24可經加熱以形成熔融玻璃28。

玻璃製造設備10亦可任選地包括相對於玻璃熔融爐12定位在下游的下游玻璃製造設備30。在一些實例中，下游玻璃製造設備30的部分可以作為玻璃熔融爐12的部分併入。在一些例子中，下文所論述的第一連接導管32，或下游玻璃製造設備30的其他部分可以作為玻璃熔融爐12的部分併入。下游玻璃製造設備的元件(包括第一連接導管32)可以由貴金屬製成。適當貴金屬包括選自由以下族金屬組成的鉑族金屬：鉑、銥、銠、鋨、釕及鈀，或其合金。例如，玻璃製造設備的下游部件可以由包括自約70 wt.%至約90 wt.%的鉑及自約10 wt.%至約30 wt.%的銠的鉑-銠合金製成。然而，其他適當金屬可包括鉬、鈀、錸、鉭、鈦、鎢及其合金。

下游玻璃製造設備30可包括第一調節(亦即，處理)槽，諸如精煉槽34，該第一調節槽位於熔融槽14下游並且藉助上文參照的第一連接導管32耦接至熔融槽14。在一些實例中，熔融玻璃28可以藉助第一連接導管32自熔融槽14重力饋送至精煉槽34。例如，重力可以致使熔融玻璃28自熔融槽14經由第一連接導管32的內部途徑傳遞至精煉槽34。然而，應瞭解，其他調節槽可以定位在熔融槽14下游，例如，在熔融槽14與精煉槽34之間。在一些實施例中，調節槽可以採用於熔融槽與精煉槽之間，其中來自主要熔融槽的熔融玻璃經進一步加熱以繼續熔融製程，或在進入精煉槽之前經冷卻至低於熔融槽中熔融玻璃的溫度的溫度。

來自精煉槽34內的熔融玻璃28的氣泡可以藉由各種技術來移除。例如，原始材料24可以包括多價化合物(亦即，精煉劑)，諸如氧化錫，該多價化合物在經加熱時經受化學還原反應並且釋放氧氣。其他適當精煉劑包括但不限於砷、銻、鐵及鈰。精煉槽34經加熱至高於熔融槽溫度的溫度，從而加熱熔融玻璃及精煉劑。由精煉劑的溫度誘發的化學還原產生的氧氣氣泡在精煉槽內的熔融玻璃中上升，其中熔融玻璃中在熔融爐中形成的氣體可擴散或聚結至由精煉劑形成的氧氣氣泡中。隨後，放大的氣體氣泡可上升至精煉槽中熔融玻璃的自由表面，並且此後排出精煉槽。氧氣氣泡可進一步誘發精煉槽中熔融玻璃的機械混合。

下游玻璃製造設備30可進一步包括另一調節槽，諸如，用於混合熔融玻璃的混合槽36。混合槽36可以位於精煉槽34下游。混合槽36可用以提供均質的玻璃熔體組合物，從而減少化學或熱不均勻性的條紋，該些化學或熱不均勻性的條紋原本可能會存在於離開精煉槽的經精煉熔融玻璃內。如圖所示，精煉槽34可以藉助第二連接導管38耦接至混合槽36。在一些實例中，熔融玻璃28可以藉助第二連接導管38自精煉槽34重力饋送至混合槽36。例如，重力可以致使熔融玻璃28自精煉槽34經由第二連接導管38的內部途徑傳遞至混合槽36。應注意，儘管混合槽36展示為位於精煉槽34下游，混合槽36可以定位在精煉槽34上游。在一些實施例中，下游玻璃製造設備30可以包括多個混合槽，例如，位於精煉槽34上游的混合槽及位於精煉槽34下游的混合槽。這些多個混合槽可以具有相同設計，或者可以具有不同設計。

下游玻璃製造設備30可進一步包括另一調節槽，諸如，可以位於混合槽36下游的遞送槽40。遞送槽40可以調節待饋送至下游形成裝置中的熔融玻璃28。例如，遞送槽40可充當聚集器及/或流量控制器，以便調整一致流量的熔融玻璃28及/或藉助出口導管44提供至形成主體42。如圖所示，混合槽36可以藉助第三連接導管46耦接至遞送槽40。在一些實例中，熔融玻璃28可以藉助第三連接導管46自混合槽36重力饋送至遞送槽40。例如，重力可以將熔融玻璃28自混合槽36經由第三連接導管46的內部途徑驅動至遞送槽40。

下游玻璃製造設備30可進一步包括形成設備48，該形成設備48包含上文參照的形成主體42及入口導管50。出口導管44可經定位以將熔融玻璃28自遞送槽40遞送至形成設備48的入口導管50。例如，出口導管44可以套疊在入口導管50的內表面內並且與之間隔開，從而提供經定位在出口導管44的外表面與入口導管50的內表面之間的熔融玻璃的自由表面。熔合下拉玻璃製作設備中的形成主體42可包含經定位在形成主體的上表面及會聚形成表面54上的溝槽52，該會聚形成表面54沿著形成主體的底部邊緣56在拉製方向上會聚。經由遞送槽40、出口導管44及入口導管50遞送至形成主體溝槽的熔融玻璃溢流出溝槽的側壁，並且沿著會聚形成表面54下降為熔融玻璃的獨立流。熔融玻璃的獨立流沿著底部邊緣56在下方匯合，以便形成單個玻璃帶58，該單個玻璃帶58係藉由施加張力(諸如，藉由重力、邊緣輥72以及牽引輥82)至玻璃帶以在拉製或流動方向60上自底部邊緣56拉製，以便當玻璃冷卻並且玻璃黏度增大時控制玻璃帶的尺寸。因此，玻璃帶58經歷黏-彈轉變，並且獲取賦予玻璃帶58穩定尺寸特性的機械性質。在一些實施例中，玻璃帶58可以藉由玻璃帶的彈性區域中的玻璃分離設備90分離為個別玻璃片62。隨後，機器人64可以使用抓握工具65將個別玻璃片62轉移至輸送機系統，隨之個別玻璃片可以經進一步處理。例如，玻璃片62可以經進一步處理至如本文所描述一或多個基板100上。

第2圖展示基板100的透視圖，該基板100具有第一主表面102、在與第一主表面102大致平行的方向上延伸的相對第二主表面104 (在基板100的與第一主表面相對的側面上)，以及在第一主表面102與第二主表面104之間延伸並且在與第一主表面102及第二主表面104大致垂直的方向上延伸的邊緣表面106。

在某些示例性實施例中，基板100可包含玻璃，諸如，由玻璃片62製成的基板100。

第3圖展示以相對於沉積孔口300的斜角定向來定位的基板100上的電極沉積的透視圖。如第3圖所示，複數個接觸襯墊202經佈置在基板100的主表面上，並且複數個電極204的至少部分經沉積至接觸襯墊202、基板100的主表面及邊緣表面上。隨後，基板100可旋轉或翻轉，以便將複數個電極204的至少一部分沉積至基板100的相對主表面及邊緣表面上。例如，WO2019079253中揭示了其中基板可以相對於沉積孔口的各種角度來定向的電極沉積，該案的全部揭示內容以引用的方式併入本文。此類電極的沉積可藉由各種技術，包括但不限於列印晶種層電鍍、直接列印、鐳射誘發式金屬化、筆式分配以及氣溶膠噴流。

本文所揭示的實施例包括電極經由一或多個氣溶膠噴流來沉積至基板上的實施例。例如，US20090061077中描述了氣溶膠噴流沉積，該案的全部揭示內容以引用的方式併入本文。此類沉積包括使用氣溶膠噴流以形成環形傳播噴流，該環形傳播噴流包含外部的鞘流流動及內部的含氣溶膠載體流動。在氣溶膠噴流製程中，氣溶膠氣流進入列印頭，較佳地直接在氣溶膠化製程之後或在傳遞通過加熱器組件之後，並且沿著裝置的軸線導向列印頭孔口。質量產量可由氣溶膠載體氣體質量流量控制器來控制。在列印頭內部，氣溶膠氣流可藉由傳遞通過0.1毫米大小的孔口來準直。隨後，出射的粒子氣流可與環形鞘流氣體組合，此舉用以減少噴嘴的堵塞並集中氣溶膠氣流。載體氣體及鞘流氣體可以例如包含乾燥氮氣、壓縮空氣或惰性氣體，其中的一者或全部可以經改質以含有溶劑蒸汽。例如，當氣溶膠由含水溶液形成時，可添加水蒸氣至載體氣體或鞘流氣體，以便防止液滴蒸發。

隨後，鞘流氣體可以藉由在氣溶膠入口下方的鞘流空氣入口進入，並且與氣溶膠氣流形成環形流動。與氣溶膠載體氣體一樣，鞘流氣體流率可以藉由質量流量控制器來控制。組合的氣流以高速(例如，每秒50米)經由導向目標的孔口離開噴嘴，並且隨後撞上目標。此環形流將氣溶膠氣流集中至目標上，並且允許列印具有小於例如約1微米的尺寸的特徵。列印圖案可藉由相對於目標移動列印頭來創建。商業可購得的氣溶膠噴流列印頭、裝置及系統的實例包括可購自Optomec公司的氣溶膠噴流列印頭、裝置及系統。

第4圖展示上面沉積有包覆圍繞電極204的基板100的部分的側面剖面圖。具體地，電極204沿著基板100的第一主表面102的部分、邊緣表面106以及第二主表面104延伸，同時接觸接觸襯墊202。並且，儘管基板100的邊緣區域展示為具有矩形橫截面，本文所揭示的實施例包括基板100的邊緣區域具有其他橫截面的情況，包括但不限於包括彎曲或斜角(例如，倒角)區域(未示出)的情況。

電極204可以包含導電材料，諸如，導電金屬性材料，包括例如選自銀或銅的至少一種材料。

第5圖展示根據本文所揭示的實施例的基板100上的電極沉積的側面透視圖。第10圖展示第5圖的圓形區『A』中基板100上的電極沉積的分解側面透視圖。如第5圖及第10圖所示，遮罩206經定位在基板100的第一主表面102及第二主表面104上。如第5圖及第10圖進一步所示，電極204a的第一部分204a1經沉積至基板100的第一主表面102及邊緣表面106上，並且電極204a的第二部分204a2經沉積至基板100的第二主表面104及邊緣表面106上。具體地，電極204a的第一部分204a1由自導向基板100的第一主表面102及邊緣表面106的第一孔口(例如，噴嘴) 300a發射的第一氣溶膠噴流來沉積，並且電極204a的第二部分204a2由自導向基板100的第二主表面104及邊緣表面106的第二孔口(例如，噴嘴) 300b發射的第二氣溶膠噴流來沉積。第一孔口300a經可移除地安裝在第一支架302a上，並且第二孔口300b經可移除地安裝在第二支架302b上。

第6圖展示根據本文所揭示的實施例的基板100上的電極沉積的頂部透視圖。如自第5圖、第6圖及第10圖可見，第一複數個電極204a沿著基板100的第一主表面102的部分、邊緣表面106以及第二主表面104的部分延伸。另外，第二複數個電極204b沿著第一主表面102的部分、相對邊緣表面106以及基板100的第二主表面104的部分延伸。具體地，第二複數個電極204b由自第三孔口(例如，噴嘴) 300c發射的第三氣溶膠噴流及自第四孔口(例如，噴嘴) 300d發射的第四氣溶膠噴流來沉積。在某些示例性實施例中，在沉積第一複數個電極204a的同時，沉積第二複數個電極204b。第三孔口300c經可移除地安裝在第三支架302c上，並且第四孔口經可移除地安裝在第四支架302d上。

第7圖展示根據本文所揭示的實施例的基板100上的電極沉積的端部透視圖。如自第6圖及第7圖可見，第三複數個電極204c沿著基板100的第一主表面102的部分、邊緣表面106以及第二主表面104的部分延伸。具體地，第三複數個電極204c由自第五孔口(例如，噴嘴) 300e發射的第五氣溶膠噴流及自第六孔口(例如，噴嘴) 300f發射的第六氣溶膠噴流來沉積。在某些示例性實施例中，在沉積第一複數個電極204a的同時，沉積第三複數個電極204c。第五孔口300e經可移除地安裝在第五支架302e上，並且第六孔口300f經可移除地安裝在第六支架302f上。

如自第7圖進一步可見，第四複數個電極204d沿著基板100的第一主表面102的部分、相對邊緣表面106以及第二主表面(未示出)的部分延伸。具體地，第四複數個電極204d由自第七孔口(例如，噴嘴) 300g發射的第七氣溶膠噴流及自第八孔口(例如，噴嘴) (未示出)發射的第八氣溶膠噴流來沉積。在某些示例性實施例中，在沉積第二複數個電極204b的同時，沉積第四複數個電極204d。第七孔口300g經可移除地安裝在第七支架302g上，並且第八孔口(未示出)經可移除地安裝在第八支架(未示出)上。

第11A圖及第11B圖各自展示根據本文所揭示的實施例的基板100上的電極沉積的端部透視圖。具體地，第11A圖及第11B圖展示第一複數個電極204a的第一部分204a1經沉積至基板100的第一主表面102及邊緣表面106上，並且第一複數個電極204a的第二部分204a2經沉積至基板100的第二主表面104及邊緣表面106上。更具體地，第一複數個電極204a的第一部分204a1由自第一孔口(例如，噴嘴) 300a發射的第一氣溶膠噴流來沉積至基板100的第一主表面102及邊緣表面106上，並且第一複數個電極204a的第二部分204a2由自第二孔口(例如，噴嘴) 300b發射的第二氣溶膠噴流來沉積至基板100的第二主表面104及邊緣表面106上。

在某些示例性實施例中，諸如第11A圖及第11B圖所示，第一複數個電極204a中的一者的第一部分204a1經沉積至基板100的第一主表面102及邊緣表面106上，並且第一複數個電極204a中的一者的第二部分204a2經同時沉積至基板100的第二主表面104及邊緣表面106上。如第11A圖所示，第一部分204a1及第二部分204a2為同一電極的部分。如第11B圖(第7圖的圓形區『B』的分解圖)所示，第一部分204a1及第二部分204a2為不同電極的部分(亦即，第一孔口300a及第二孔口300b處於交錯構型)。

第8圖及第9圖相應地展示根據本文所揭示的實施例的電極沉積設備340的側面及頂部透視圖。電極沉積設備340包括複數個台350，每一台350包括Y-軸線移動機構352、X-軸線移動機構354，以及複數個可移動地安裝的孔口(例如，噴嘴) 300，該複數個可移動地安裝的孔口(例如，噴嘴) 300用以將氣溶膠噴流發射至基板100上，以使得在上面沉積複數個電極。每一基板100可經固定地安裝至基板定位機構356上，該基板定位機構356能夠在諸對台350之間移動每一基板100。並且，儘管第9圖展示四對台350，本文所揭示的實施例可包括任何數目個台350或任何數目對台350。另外，儘管第9圖展示針對每個台350的兩個可移除地安裝的孔口300，本文所揭示的實施例包括每一台350包括任何數目個可移除地安裝的孔口300的情況。

複數個台350實現例如第一複數個電極在上游台350沉積至基板100上(或第一及第二複數個電極藉由一對上游台350沉積至基板100上)，並且隨後額外複數個電極藉由一或多個下游遊台350 (或者一或多對下游台350)沉積至同一基板100上。因此，本文所揭示的實施例包括在沉積第一複數個電極之後，沉積沿著基板100的第一主表面102的部分、邊緣表面106以及第二主表面104的部分延伸的第三複數個電極的實施例(例如，其中第三複數個電極由位於沉積第一複數個電極的台350下游的台350沉積至基板100上)。隨後複數個電極可額外地藉由一或多個進一步下游台350沉積至基板100上。此可例如實現在基板100上沉積在X方向上具有變化尺寸的電極。

Y-軸線移動機構352及X-軸線移動機構354各自能夠在Y及X方向上相對於基板100相應地移動孔口300。第12圖為孔口300相對於基板的X及Y移動的頂部。如第12圖所示，孔口300在基板100的邊緣表面106的第一位置P1中開始離開，隨後藉由Y-軸線移動機構352在Y方向上移動至第二位置P2，如由實線箭頭M1所示。在此移動期間，孔口300將氣溶膠噴流發射至基板100上，以便在上面沉積電極。接著，孔口300藉由X-軸線移動機構354在X方向上移動至第三位置P3，如由虛線箭頭M2所示。在此移動期間，孔口300並不將氣溶膠噴流發射至基板100上。相反，此移動的長度提供相鄰電極之間的節距距離(節距距離為相鄰電極在X方向上的中間寬度之間的最短距離)。接著，孔口藉由Y-軸線移動機構352在Y方向上移動至第四位置P4，如由實線箭頭M3所示。在此移動期間，孔口300將氣溶膠噴流發射至基板100上，以便在上面沉積電極。接著，孔口300再次藉由Y-軸線移動機構354在Y方向上移動至第五位置P5，如由虛線箭頭M4所示。在此移動期間，孔口300並不將氣溶膠噴流發射至基板100上。最後，孔口300藉由X-軸線移動機構354在X方向上移動至第六位置P6，如由虛線箭頭M5所示。在此移動期間，孔口300並不將氣溶膠噴流發射至基板100上。此移動的長度提供相鄰電極之間的節距距離。

在某些示例性實施例中，在其中孔口300並不將氣溶膠噴流發射至基板100上的移動期間，一或多個遮罩部件(未示出)可有效地阻止孔口300與基板100之間的流動。此可例如實現孔口300氣溶膠噴流發射的更有效的連續操作。

儘管本揭示案的第12圖及其他附圖指示相鄰電極知己近似恆定的節距距離，本文所揭示的實施例包括X-軸線移動機構可在相鄰電極之間產生變化的節距距離的情況。另外，儘管第12圖展示藉由Y-軸線移動機構在Y方向上單邊移動以沉積電極(例如，如由實線箭頭M1及M3所示)，本文所揭示的實施例包括藉由Y-軸線機構的雙邊移動來沉積電極的情況(亦即，Y-軸線機構在Y方向上移動噴嘴以部分地沉積電極，隨後在Y方向上反向以繼續沉積同一或另一(例如)相鄰電極)。

在某些示例性實施例中，電極204可在X方向上自約10微米變化至約100微米，諸如，自約20微米變化至約80微米，包括約50微米。在某些示例性實施例中，相鄰電極之間的節距距離可自約20微米至約200微米，諸如，自約50微米至約150微米，包括約100微米。

在某些示例性實施例中，基板100可以具有在第一主表面102與第二主表面104之間自約0.1毫米變化至約1毫米的厚度，諸如自約0.2毫米至約0.8毫米，並且進一步諸如自約0.3毫米至約0.7毫米，包括約0.5毫米。

藉由移動機構(例如，Y-軸線移動機構352及/或X-軸線移動機構354)的重複增量移動，諸如第12圖中所說明並且以諸如上文所闡述的尺寸，可例如藉由音圈型電動機所致動的平行運動撓曲機構來實現。此類機構可用以在相對小的距離內提供重複的準確孔口定位，以使得實現數百萬、數億，甚至數十億的重複。此類機構亦可提供相對於其他構型的最小累積零件移動，同時仍在包含如本文所描述的基板100及電極204的各種期望顯示器瓦片構型上提供快速電極沉積。

基板100與電極沉積設備340之間的相對移動可藉由各種示例性構型來促進，如本文進一步所描述。

例如，第13圖展示根據本文所揭示的實施例的基板100上的電極沉積構型的側面透視圖。如第13圖所示，基板100的第一端110受固定件400約束，而基板100的第二端112可藉由致動器500撓曲(如虛線區所示)。致動器500可相對於基板100移動，並且基板100的第二端112的撓曲可實現其相對於沉積孔口300的移動，以便在基板100的第二端112附近部分地列印電極(未示出)。此類構型，以及第14圖至第16圖所示的其他構型，可實現高精度定位，而無需精確的軸承系統來引導沉積孔口300的列印衝程。

第14圖展示根據本文所揭示的實施例的基板100上的另一電極沉積構型的側面透視圖。如第14圖所示，基板100的第一主表面102與空氣軸承600流體連通，該空氣軸承600可經真空預載以旋轉地約束並加固基板100。致動器500可進而沿著空氣軸承600在兩個維度上移位基板100，以便提供相對於沉積孔口300的移動，從而部分地列印複數個電極(未示出)。致動器500可以例如包含真空葉片或邊緣抓持器。

第15A圖及第15B圖展示根據本文所揭示的實施例的基板100上的另一電極沉積構型的側面透視圖。類似於第14圖所示的構型，採用了空氣軸承600，該空氣軸承600可經真空預載，並且在此種狀況下旋轉地約束托架700 (諸如，真空夾盤)，該托架700旋轉地約束並加固基板100，其中基板的第一主表面102與托架700流體連通。托架700可包括參照特徵(未示出)以固定並定位基板100，並且致動器500可沿著空氣軸承600在兩個維度上移位托架700，以便提供相對於沉積孔口300的移動，從而部分地列印複數個電極(未示出)。另外，如第15B圖所示，托架700及基板100可相對於空氣軸承600及沉積孔口300再定向以列印複數個電極的相對側面(未示出)。

第16圖展示根據本文所揭示的實施例的基板100上的電極沉積構型的側面透視圖。如第16圖所示，基板100經由致動器500圍繞旋轉軸線(A)旋轉，從而實現基板100與沉積孔口300之間的相對移動，以使得完整電極(未示出)可以在單次移動中沉積至基板100上。

第17圖展示根據本文所揭示的實施例的基板100上的電極沉積構型的側面透視圖。如第17圖所示，基板100相對於沉積孔口300傾斜地定位，此舉同時將電極(未示出)沉積至基板100的相對端部上，其中沉積孔口300經定向在相對的豎直方向上。

由於本文中的實施例(包括第13圖至第16圖所示的實施例)可以包括基板100的主表面與自沉積孔口300發射的氣溶膠噴流的主軸線之間的傾斜斜角關係，包括沉積孔口300與基板100之間的變化斜角關係，此可以自然地導致沉積孔口300與基板100之間的變化距離。由於自沉積孔口300發射的氣溶膠噴流在本質上趨於成為錐形，沉積孔口300與基板100之間的變化距離可導致變化的電極寬度。此類斜角關係亦可導致沿著基板100每單位長度上電極材料的變化沉積，從而導致不一致的電極厚度。這些問題可藉由控制沉積孔口300與基板100之間的相對移動來解決(亦即，補償)，例如藉由控制或改變基板100相對於沉積孔口300移動的距離及/或速度，以便沉積寬度及厚度相對恆定或均一的電極(例如，藉由控制致動器500的移動)。此類可例如根據普通熟習此項技術者已知的三維(three dimensional, 3D)列印技術來完成，該些三維(3D)列印技術可應用至本文所揭示的實施例中的任何者。

本文所揭示的實施例亦包括包含本文所揭示的顯示器瓦片中的任何者的電子裝置。

儘管已參照熔合下拉製程來描述上述實施例，應瞭解，此類實施例亦能夠應用至其他玻璃形成製程，諸如，浮式製程、拉縫製程、上拉製程、拉管製程，以及壓輥製程。

熟習此項技術者將明白，在本揭示案的實施例不脫離本揭示案的精神及範疇的情況下，可對本揭示案的實施例做出修改及變化。因此，預期本揭示案涵蓋屬於隨附請求項及其等效物的範疇的此類修改及變化。

10:玻璃製造設備 12:玻璃熔融爐 14:熔融槽 16:上游玻璃製造設備 18:儲存箱 20:原始材料遞送裝置 22:電動機 24:原始材料 26:箭頭 28:熔融玻璃 30:下游玻璃製造設備 32:第一連接導管 34:精煉槽 36:混合槽 38:第二連接導管 40:遞送槽 42:形成主體 44:出口導管 46:第三連接導管 48:形成設備 50:入口導管 52:溝槽 54:會聚形成表面 56:底部邊緣 58:該單個玻璃帶 60:拉製或流動方向 62:個別玻璃片 64:機器人 65:抓握工具 72:邊緣輥 82:牽引輥 90:玻璃分離設備 100:基板 102:第一主表面 104:相對第二主表面 106:邊緣表面 110:第一端 112:第二端 202:接觸襯墊 204:電極 204a:電極 204a1:電極的第一部分 204a2:電極的第二部分 204b:電極 204c:第三複數個電極 204d:第四複數個電極 206:遮罩 300:沉積孔口 300a:第一孔口 300b:第二孔口 300c:第三孔口 300d:第四孔口 300e:第五孔口 300f:第六孔口 300g:第七孔口 302a:第一支架 302b:第二支架 302c:第三支架 302d:第四支架 302e:第五支架 302f:第六支架 302g:第七支架 340:電極沉積設備 350:台 352:Y-軸線移動機構 354:X-軸線移動機構 356:基板定位機構 400:固定件 500:致動器 600:空氣軸承 700:托架 X:軸線 Y:軸線 A:圓形區 B:圓形區 P1:第一位置 P2:第二位置 P3:第三位置 P4:第四位置 P5:第五位置 P6:第六位置 M1:箭頭 M2:箭頭 M3:箭頭 M4:箭頭 M5:箭頭

第1圖為實例熔合下拉玻璃製作設備及製程的示意圖；

第2圖為基板的透視圖；

第3圖為以相對於沉積孔口的斜角定向來定位的電極沉積的透視圖；

第4圖為上面沉積有包覆圍繞電極的基板的部分的側面剖面圖；

第5圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積的側面透視圖；

第6圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積的頂部透視圖；

第7圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積的端部透視圖；

第8圖為根據本文所揭示的實施例的電極沉積設備的側面透視圖；

第9圖為根據本文所揭示的實施例的電極沉積設備的頂部透視圖；

第10圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積的側面透視圖；

第11A圖及第11B圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積的端部透視圖；

第12圖為相對於基板的X及Y孔口移動的頂部視圖；

第13圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積構型的側面透視圖；

第14圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積構型的側面透視圖；

第15A圖及第15B圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積構型的側面透視圖；

第16圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積構型的側面透視圖；以及

第17圖為根據本文所揭示的實施例的基板上的電極沉積構型的側面透視圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:基板

204a:電極

204b:電極

300a:第一孔口

300b:第二孔口

300c:第三孔口

300d:第四孔口

302a:第一支架

302b:第二支架

302c:第三支架

302d:第四支架

206:遮罩

A:圓形區

Claims

一種製造一顯示器瓦片的方法，包含以下步驟：沉積第一複數個電極，該些第一複數個電極沿著一基板的一第一主表面的一部分、一邊緣表面以及一相對第二主表面的一部分延伸，沉積該些第一複數個電極的每一電極之步驟包含以下步驟：將該電極的一第一部分沉積至該基板的該第一主表面及該邊緣表面上；及將該電極的一第二部分沉積至該基板的該相對第二主表面及該邊緣表面上；其中：該沉積之步驟包含同時地進行以下步驟：將該些第一複數個電極中之一者的該第一部分沉積至該基板的該第一主表面及該邊緣表面上；以及將該些第一複數個電極中之一者的一第二部分沉積至該基板的該第二主表面及該邊緣表面上，其中該第一部分與該第二部分係不同電極的部分；該第一主表面在大致平行於該第二主表面的一方向上延伸，並且該邊緣表面在該第一主表面與該第二主表面之間延伸；並且該電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項1所述之方法，其中該電極的該第一部分由自一第一孔口發射並且導向該基板的該第一主表面及該邊緣表面的一第一氣溶膠噴流來沉積，並且該電極的該第二部分由自一第二孔口發射並且導向該基板的該第二主表面及該邊緣表面的一第二氣溶膠噴流來沉積。
如請求項1所述之方法，其中該方法包含以下步驟：在沉積該些第一複數個電極的同時，沉積第二複數個電極，該些第二複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、一相對邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項1所述之方法，其中該方法包含以下步驟：在沉積該些第一複數個電極的同時，沉積第三複數個電極，該些第三複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項1所述之方法，其中該方法包含以下步驟：在沉積該些第一複數個電極之後，沉積第三複數個電極，該些第三複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項3所述之方法，其中該方法包含以下步驟：在沉積該些第一複數個電極的同時，沉積第三複數個電極，該些第三複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸，並且在沉積該些第二複數個電極的同時，沉積第四複數個電極，該些第四複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該相對邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項1所述之方法，其中該方法包含以下步驟：相對於一孔口移動該基板，該孔口將一氣溶膠噴流沉積至該基板上。
如請求項7所述之方法，其中該基板的移動受一致動器影響。
如請求項8所述之方法，其中該基板與一空氣軸承流體連通。
如請求項1所述之方法，其中在該沉積之期間，該基板經定位在一支架上，該支架與一空氣軸承流體連通。
如請求項1所述之方法，其中在該沉積之期間，該基板的該第一主表面相對於該氣溶膠噴流的一主軸線傾斜地斜角。
如請求項7所述之方法，其中該基板相對於該孔口的移動速度及該基板與該孔口之間的一距離經控制以沉積寬度及厚度近似均一的該電極。
如請求項1所述之方法，其中該基板包含玻璃。
一種製造一顯示器瓦片的方法，包含以下步驟：沉積第一複數個電極，該些第一複數個電極沿著一基板的一第一主表面的一部分、一邊緣表面以及一相對第二主表面的一部分延伸，沉積該些第一複數個電極的每一電極之步驟包含以下步驟：將該電極的一第一部分沉積至該基板的該第一主表面及該邊緣表面上；將該電極的一第二部分沉積至該基板的該相對第二主表面及該邊緣表面上；及沉積第二複數個電極，該些第二複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、一相對邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸其中：沉積該些第一複數個電極之步驟與沉積該些第二複數個電極之步驟同時發生；該第一主表面在大致平行於該第二主表面的一方向上延伸，並且該邊緣表面在該第一主表面與該第二主表面之間延伸；並且該電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項14所述之方法，其中該電極的該第一部分由自一第一孔口發射並且導向該基板的該第一主表面及該邊緣表面的一第一氣溶膠噴流來沉積，並且該電極的該第二部分由自一第二孔口發射並且導向該基板的該第二主表面及該邊緣表面的一第二氣溶膠噴流來沉積。
如請求項14所述之方法，其中在該沉積之期間，該基板經定位在一支架上，該支架與一空氣軸承流體連通。
如請求項14所述之方法，其中該基板包含玻璃。
一種用於製造一顯示器瓦片的設備，包含：一第一孔口，用以將一第一氣溶膠噴流導向一基板的一第一主表面及一邊緣表面；以及一第二孔口，用以將一第二氣溶膠噴流導向該基板的一相對第二主表面及一邊緣表面；其中：該第一主表面在大致平行於該第二主表面的一方向上延伸，並且該邊緣表面在該第一主表面與該第二主表面之間延伸；該第一氣溶膠噴流用以將一電極的一第一部分沉積至一基板的該第一主表面及該邊緣表面上；該第二氣溶膠噴流用以將該電極的一第二部分沉積至該基板的該第二主表面及該邊緣表面上；該設備被配置為：沉積第一複數個電極，該些第一複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸；以及該設備被配置為：在沉積該些第一複數個電極的同時，沉積第二複數個電極，該些第二複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、一相對邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項18所述之設備，其中該設備用以在沉積該些第一複數個電極的同時，沉積第三複數個電極，該些第三複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項18所述之設備，其中該設備用以在沉積該些第一複數個電極之後，沉積第三複數個電極，該些第三複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項18所述之設備，其中該設備用以在沉積該些第一複數個電極的同時，沉積第三複數個電極，該些第三複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸，並且在沉積該些第二複數個電極的同時，沉積第四複數個電極，該些第四複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該相對邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸。
如請求項18所述之設備，其中該設備包含一致動器，該致動器用以影響該基板相對於該第一孔口的移動。
如請求項22所述之設備，其中該設備包含一空氣軸承，該空氣軸承用以與該基板流體連通。
如請求項22所述之設備，其中該設備包含一支架，該支架用以將該基板定位在其上，並且用以與一空氣軸承流體連通。
如請求項22所述之設備，其中該設備用以定位該基板，以使得該基板的該第一主表面相對於該第一氣溶膠噴流的一主軸線傾斜地斜角。
一種藉由如請求項1所述之方法製作的顯示器瓦片。
一種包含如請求項26所述之顯示器瓦片的電子裝置。
一種用於製造一顯示器瓦片的設備，包含：一第一孔口，用以將一第一氣溶膠噴流導向一基板的一第一主表面及一邊緣表面；以及一第二孔口，用以將一第二氣溶膠噴流導向該基板的一相對第二主表面及一邊緣表面；其中：該第一主表面在大致平行於該第二主表面的一方向上延伸，並且該邊緣表面在該第一主表面與該第二主表面之間延伸；該第一氣溶膠噴流用以將一電極的一第一部分沉積至一基板的該第一主表面及該邊緣表面上；該第二氣溶膠噴流用以將該電極的一第二部分沉積至該基板的該第二主表面及該邊緣表面上；該設備被配置為：沉積第一複數個電極，該些第一複數個電極沿著該基板的該第一主表面的一部分、該邊緣表面以及該第二主表面的一部分延伸；以及該設備被配置為：同時沉積該些第一複數個電極的不同電極的該第一部分與該第二部分，其中該第一部分與該第二部分係不同電極的部分。