TW201930621A - 具有改良邊緣強度之覆瓦的顯示區域及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種製造顯示區域和玻璃覆瓦的方法以及包括該玻璃覆瓦的顯示區域。在將玻璃覆瓦組裝成陣列之前，在玻璃覆瓦上進行邊緣處理，邊緣處理使玻璃覆瓦的邊緣強度增加（透過四點彎曲試驗測量）到至少約200MPa。邊緣處理可以例如包括電漿噴射流處理和保護材料應用中的至少一種。

Description

具有改良邊緣強度之覆瓦的顯示區域及其製造方法

本申請基於35U.S.C.§119要求於2017年12月11日提交的美國臨時申請案編號No.62/597111的優先權，其內容被本案所依靠且藉由引用整體併入本文。

本揭露大體係關於包括覆瓦陣列的顯示區域，更具體地，係關於包括具有改善的邊緣強度的覆瓦陣列的顯示區域及其製造方法。

正在出現的顯示技術受益於將基板（例如玻璃基板）覆瓦狀成陣列或矩陣以形成比單個基板覆瓦更大的顯示器。這些技術包括MicroLED。MicroLED與其他技術相比具有多項優勢，例如更高的亮度、更低的功耗、更高的對比度和更快的響應速度。然而，由於轉移頭尺寸和其他限制，MicroLED轉移到的基板大體遠小於期望的最終顯示區域，因此，將基板覆瓦狀成陣列或矩陣以形成更大的顯示器。在這樣的條件下，單獨的基板覆瓦的邊緣強度和最小化相鄰覆瓦之間的接縫的可見性是重要的設計考慮因素。

這裡揭露的實施例包括用於製作顯示區域的方法。該方法包括將複數個玻璃覆瓦組裝成陣列，其中陣列中的複數個玻璃覆瓦中的每個玻璃覆瓦與陣列中的複數個玻璃覆瓦中的至少另一個相鄰。在將玻璃覆瓦組裝成陣列之前，對玻璃覆瓦進行邊緣處理，邊緣處理使邊緣強度增加，邊緣強度透過四點彎曲試驗測量測得增加至至少約200MPa。

本文揭露的實施方案還包括製造玻璃覆瓦的方法，其包括在玻璃覆瓦上進行邊緣處理。邊緣處理使玻璃覆瓦邊緣強度增加，邊緣強度透過四點彎曲測試測得增加至至少約200MPa。

本文揭露的實施例還包括顯示區域，該顯示區域包括玻璃覆瓦陣列，其中陣列中的每個玻璃覆瓦與陣列中的至少另一個玻璃覆瓦相鄰。透過四點彎曲測試測量所測得，陣列中的每個玻璃覆瓦具有至少約200MPa的邊緣強度。

本文揭露的實施方案的其他特徵和優點將在下面的詳細描述中闡述，並且其部分地對於本領域技術人員來說從該描述是顯而易見的，或者其可透過實踐如本文所述的揭露的實施方案而認識到，包括詳細的以下描述、申請專利範圍以及附圖。

應當理解，前面的一般性描述和以下的詳細描述都提供了用於提供用於理解所要求保護的實施方案的性質和特徵的概述或框架。包括附圖以提供進一步的理解，並且附圖被併入並構成本說明書的一部分。附圖示出了本揭露的各種實施例，並且與說明書一起用於解釋其原理和操作。

現在將詳細參考本揭露的優選實施例，其示例在附圖中示出。只要有可能，在整個附圖中使用相同的元件符號表示相同或相似的部分。然而，本揭露可以以許多不同的形式體現，並且不應該被解釋為限於這裡闡述的實施例。

範圍在本文中可以表示為從「約」一個特定值，和/或到「約」另一個特定值。當表達這樣的範圍時，另一個實施例包括從一個特定值和/或到另一個特定值。類似地，藉由使用先行詞「約」將值表示為近似值時，將理解該特定值形成另一個實施例。將進一步理解，每個範圍的端點相對於另一個端點都是有效的，並且獨立於另一個端點。

這裡使用的方向術語-例如上、下、右、左、前、後、頂部、底部-僅參照所繪製的附圖，並不意味著暗示絕對定向。

除非另有明確說明，否則絕不意圖將本文所述的任何方法解釋為要求其步驟以特定順序執行，也不要求任何裝置需要特定方向。因此，在方法請求項實際上沒有記下其步驟所遵循的順序，或者任何裝置申請專利範圍實際上沒有敘述單個組件的順序或方向的情況下，或者在申請專利範圍或說明書中沒有特別說明的是步驟應限於特定的順序，或者未記載對裝置的組件的特定順序或方向的情況下，則絕不意圖在任何態樣推斷出順序或方向。這適用於任何可能的非表達的解釋基礎，包括：關於步驟安排、操作流程、組件順序或組件方向的邏輯問題；從語法組織或標點符號中得出的簡單含義；說明書中描述的實施例的數量或類型。

如本文所用，單數形式「一」、「一個」和「該」包括複數指示物，除非上下文另有明確說明。因此，例如，對「一個」組件的引用包括具有兩個或更多個這樣的組件的態樣，除非上下文另有明確說明。

如本文所用，術語「電漿」是指包含正離子和自由電子的電離氣體。

如本文所用，術語「大氣壓電漿噴射流」是指從孔徑排出的電漿流，其中電漿壓力大致匹配周圍大氣的壓力，包括電漿壓力在101.325千帕（標準大氣壓）的90％和110％之間的條件。

如本文所用，術語「顆粒」是指可存在於表面上的任何類型的顆粒，例如玻璃顆粒和灰塵顆粒。

如本文所用，術語「邊緣強度，透過四點彎曲試驗測量」是指邊緣強度，在該邊緣強度下，預期有10％的樣品不使用JISR1601中所述的玻璃撓曲夾具四點試驗。

如這裡所使用的，術語「相鄰」是指在有或沒有實體接觸的情況下緊密接近。

如圖1所示是示例性玻璃製造設備10。在一些示例中，玻璃製造設備10可包括玻璃熔化爐12，其可包括熔化容器14。除了熔化容器14之外，玻璃熔化爐12可任選地包括一個或多個附加組件，例如會加熱原材料並將原材料轉化為熔融玻璃的加熱元件（例如燃燒器或電極）。在進一步的實例中，玻璃熔化爐12可包括熱管理裝置（例如，絕緣部件），其減少從熔化容器附近損失的熱量。在更進一步的實例中，玻璃熔化爐12可包括便於將原材料熔化成玻璃熔體的電子裝置和/或機電裝置。此外，玻璃熔化爐12可包括支撐結構（例如，支撐底盤、支撐構件等）或其他部件。

玻璃熔化容器14通常由耐火材料構成，例如耐火陶瓷材料，例如包含氧化鋁或氧化鋯的耐火陶瓷材料。在一些示例中，玻璃熔化容器14可以由耐火陶瓷覆瓦構成。下面將更詳細地描述玻璃熔化容器14的具體實施方案。

在一些實例中，玻璃熔化爐可以被加入而作為玻璃製造設備的組件以製造玻璃基板，例如連續長度的玻璃帶。在一些實例中，本發明的玻璃熔化爐可以作為玻璃製造設備的組件加入，該玻璃製造設備包括狹縫拉製設備、浮法浴設備、諸如熔合處理的下拉設備、上拉設備、壓滾設備，管拉製設備或任何其他玻璃製造設備，其將受益於本文揭露的態樣。作為示例，圖1示意性地示出了作為熔融下拉玻璃製造設備10的組件的玻璃熔化爐12，其用於熔融拉製玻璃帶以隨後加工成單獨的玻璃板。

玻璃製造設備10（例如，熔融下拉設備10）可以可選地包括位於相對於玻璃熔融容器14之上游的上游玻璃製造設備16。在一些示例中，一部分或整個上游玻璃製造設備16可以被併入而作為玻璃熔化爐12的一部分。

如圖示的示例所示，上游玻璃製造設備16可包括儲存箱18、原材料輸送裝置20和連接到原材料輸送裝置的馬達22。儲存箱18可以配置成儲存一定量的原材料24，其可以進料到玻璃熔化爐12的熔化容器14中，如箭頭26所示。原材料24通常包含一種或多種形成玻璃的金屬氧化物和一種或多種改性劑。在一些示例中，原材料輸送裝置20可由馬達22提供動力，使得原材料輸送裝置20將預定量的原材料24從儲存箱18輸送到熔化容器14。在另外的示例中，馬達22可以為原材料輸送裝置20提供動力，以基於在熔化容器14下游感測到的熔融玻璃水平以受控速率引入原材料24。此後，可以加熱熔化容器14內的原材料24以形成熔融玻璃28。

玻璃製造設備10還可任選地包括位於相對於玻璃熔化爐12之下游的下游玻璃製造設備30。在一些示例中，下游玻璃製造設備30的一部分可以被併入而作為玻璃熔化爐12的一部分。在某些情況下，下面討論的第一連接導管32或下游玻璃製造設備30的其他部分可以被加入而作為玻璃熔化爐12的一部分。包括第一連接導管32的下游玻璃製造設備的元件可以由貴金屬形成。合適的貴金屬包括選自鉑、銥、銠、鋨、釕和鈀的金屬或其合金的鉑族金屬。例如，玻璃製造設備的下游部件可以由鉑-銠合金形成，包括約70至約90％重量的鉑和約10％至約30％重量的銠。然而，其他合適的金屬可包括鉬、鈀、錸、鉭、鈦、鎢及其合金。

下游玻璃製造設備30可包括第一調節（即處理）容器，例如澄清容器34，其位於熔化容器14的下游並透過上述第一連接導管32而連接到熔化容器14。在一些示例中，熔融玻璃28可以透過第一連接導管32從熔化容器14重力供給到澄清容器34。例如，重力可使熔融玻璃28透過第一連接導管32的內部通道從熔化容器14流到澄清容器34。然而，應該理解的是，其他調節容器可以位於熔化容器14的下游，例如在熔化容器14和澄清容器34之間。在一些實施方案中，可以在熔化容器和澄清容器之間使用調節容器，其中來自初級熔化容器的熔融玻璃被進一步加熱以繼續熔化處理，或者被冷卻至低於在進入澄清容器之前熔化容器中的熔融玻璃的溫度。

可以透過各種技術從澄清容器34內的熔融玻璃28中除去氣泡。例如，原材料24可包括多價化合物（即澄清劑），例如氧化錫，當加熱時，其經歷化學還原反應並釋放氧。其他合適的澄清劑包括但不限於砷、銻、鐵和鈰。將澄清容器34加熱至高於熔化容器溫度的溫度，從而加熱熔融玻璃和澄清劑。由澄清劑的溫度誘導的化學還原產生的氧氣泡上升而通過澄清容器內的熔融玻璃，其中在熔化爐中產生的熔融玻璃中的氣體可以擴散或聚結成由澄清劑產生的氧氣泡。然後，增大的氣泡可以上升到澄清容器中熔融玻璃的自由表面，然後從澄清容器中排出。氧氣泡可以進一步引起澄清容器中熔融玻璃的機械混合。

下游玻璃製造設備30還可包括另一個調節容器，例如用於混合熔融玻璃的混合容器36。混合容器36可位於澄清容器34的下游。混合容器36可用於提供均勻的玻璃熔體組合物，從而減少化學或熱不均勻性的帘線，其原本可能存在於離開澄清容器的經澄清熔融玻璃內。如圖所示，澄清容器34可以透過第二連接導管38連接到混合容器36。在一些示例中，熔融玻璃28可以透過第二連接管道38從澄清容器34重力供給到混合容器36。例如，重力可使熔融玻璃28從澄清容器34透過第二連接導管38的內部通道到達混合容器36。應當注意，雖然混合容器36顯示在澄清容器34的下游，但混合容器36可位於澄清容器34的上游。在一些實施例中，下游玻璃製造設備30可包括多個混合容器，例如澄清容器34上游的混合容器和澄清容器34下游的混合容器。這些多個混合容器可以具有相同的設計，或者它們可以具有不同的設計。

下游玻璃製造設備30還可包括另一個調節容器，例如可位於混合容器36下游的輸送容器40。輸送容器40可以調節熔融玻璃28，其被供給進入下游成形裝置。例如，輸送容器40可以用作蓄能器和/或流量控制器，以透過出口導管44調節和/或提供一致的熔融玻璃28流到成形主體42。如圖所示，混合容器36可以透過第三連接導管46連接到輸送容器40。在一些示例中，熔融玻璃28可以透過第三連接導管46從混合容器36重力供給到輸送容器40。例如，重力可以驅動熔融玻璃28透過第三連接導管46的內部通道從混合容器36流到輸送容器40。

下游玻璃製造設備30還可包括成形設備48，成形設備48包括上述成形主體42和入口導管50。出口導管44可定位成將熔融玻璃28從輸送容器40輸送到成形設備48的入口導管50。例如，在示例中，出口導管44可以嵌套在入口導管50的內表面內並與入口導管50的內表面間隔開，從而提供位於出口導管44的外表面和入口導管50的內表面之間的熔融玻璃的自由表面。在熔融下拉玻璃製造裝置中之成形主體42可包括槽52，槽52位於會聚成形表面54和成形主體的上表面中，並且會聚成形表面54沿成形主體的底邊56在拉伸方向上會聚。經由輸送容器40、出口導管44和入口導管槽50而傳遞到成形主體的熔融玻璃會溢出槽的側壁且會沿著會聚成形表面54而作為熔融玻璃的分開的流而下降。熔融玻璃的分開的流在底邊56下方連接且沿著底邊56以產生單個玻璃帶58，其沿從底邊56之拉伸或流動方向60而拉出，且係透過對玻璃帶施加張力（例如透過重力、邊緣輥72和牽引輥82）以在玻璃冷卻並且玻璃的粘度增加時控制玻璃帶的尺寸。因此，玻璃帶58經過粘彈轉變並獲得會賦予玻璃帶58穩定尺寸特性的機械性能。在一些實施例中，玻璃帶58可以透過玻璃分離裝置100而在玻璃帶的彈性區域中被分離成單獨的玻璃板62。然後，機器人64可以使用夾持工具65將單獨的玻璃板62傳送到傳送系統，於是可以進一步處理單獨的玻璃板。

玻璃板62還可以透過本領域普通技術人員已知的一種或多種方法分離成單獨的玻璃覆瓦，例如機械切割技術。示例性切割技術包括例如使用半導體切割鋸或機械劃線。玻璃板63也可以透過其他技術分離成單獨的玻璃覆瓦，例如基於雷射的切割和分離技術。

圖2示出了玻璃覆瓦160的透視圖，該玻璃覆瓦160具有第一主表面162、第二主表面164，其在與第一主表面大致平行的方向上延伸（在玻璃覆瓦160的與第一主表面相對的一側）和邊緣表面166，其在第一主表面和第二主表面之間延伸，並且在與第一和第二主表面162、164大致垂直的方向上延伸。

圖3示出了玻璃覆瓦160的邊緣表面166的斜切處理的至少一部分的透視圖。如圖3所示，斜切處裡包括將砂輪200應用於邊緣表面166，其中砂輪200沿箭頭300所示的方向相對於邊緣表面166移動。斜切處裡還可包括將至少一個拋光輪（未示出）施加到邊緣表面166。這種斜切處裡可導致在邊緣表面166上存在許多玻璃顆粒，以及表面和表面下損傷（即，不規則的形貌）。

玻璃覆瓦160的下游處理可涉及在邊緣表面166上施加機械或化學處理，其可因存在不規則的邊緣表面形貌而導致額外的顆粒產生。這種顆粒可以遷移到玻璃覆瓦160的至少一個表面。因此，本文揭露的實施方案包括去除不規則邊緣表面形貌的那些實施方案，同時去除和/或減少邊緣表面166上存在的邊緣顆粒以及去除可能在去除不規則的邊緣表面形貌所形成的反應副產物。

圖4示出了具有電漿噴射流402的玻璃覆瓦160的邊緣表面166處理過程的至少一部分的透視圖。如圖4所示，處理過程包括透過電漿噴射流402將電漿流導向邊緣表面166，其中電漿噴射頭400沿箭頭500所示的方向相對於邊緣表面166移動。在某些示例性實施例中，電漿噴射流402包括大氣壓電漿噴射流。

電漿噴射流402可以在各種處理參數下指向邊緣表面166。在某些示例性實施例中，電漿噴射流402可以以至少約300瓦的功率來產生，例如至少約500瓦的功率，包括從大約300瓦到大約800瓦的功率，並且還包括以下功率：從大約500瓦到大約800瓦。

在某些示例性實施例中，電漿噴射流402透過直流高壓放電產生，該直流高壓放電產生脈衝電弧，例如至少約5kV的電壓放電，例如約5kV至約15kV。在某些示例性實施例中，電漿噴射流402以至少約10kHz的頻率產生，例如從約10kHz到約100kHz。在某些示例性實施例中，電漿噴射流可具有約5毫米至約40毫米的光束長度和約3毫米至約15毫米的最寬光束寬度。

在某些示例性實施例中，電漿噴射頭400的最靠近邊緣表面166的部分與邊緣表面166之間的距離（在本文中稱為「間隙距離」）至少約為2毫米，例如至少約為3毫米，並且進一步例如至少約4毫米，並且進一步例如至少約5毫米，例如約2毫米至約10毫米，包括約5毫米至約10毫米。

在某些示例性實施例中，電漿噴射頭400與邊緣表面166之間的相對移動速度（此處稱為「掃描速度」）可在約1毫米每秒至約50毫米每秒的範圍內，例如從約5毫米每秒至約25毫米每秒，並且進一步例如從約10毫米每秒至約20毫米每秒。

在某些示例性實施例中，電漿噴射頭400相對於邊緣表面166的整個長度而移動（在此稱為「掃描通過」簡稱）的數目可以是至少1次通過，如至少2次通過，並且進一步例如至少3次通過，並且進一步例如至少4次通過，包括從1次通過到10次通過，並且還包括從2次通過到6次通過。

在某些示例性實施方案中，電漿包含至少一種選自氮、氬、氧、氫和氦的組分，其被激發並至少部分地轉化為電漿狀態。在某些示例性實施方案中，電漿包含至少一種選自氮、氬和氫的組分，例如選自氮、氬和氫的至少兩種組分，並且還包括如下實施方案：電漿包括氮、氬和氫中的每一種。當電漿包含氮、氬和氫中的至少一種時，氮含量可以例如為約50mol％至約100mol％，例如約60mol％至約90mol％，氬含量，例如可以為約0mol％至約20mol％，例如約5mol％至約15mol％，並且氫含量可以為例如約0mol％至約10mol％。例如，約1mol％至約5mol％。

在某些示例性實施例中，包括透過電漿噴射流402將電漿流引向邊緣表面166的處理過程可導致邊緣表面166上的顆粒密度顯著降低，例如顆粒密度降低至少1個數量級，另外，例如顆粒密度降低至少2個數量級，還有諸如顆粒密度降低至少3個數量級。例如，根據本文揭露的實施例，將電漿流引向邊緣表面166可以將邊緣表面166上的顆粒密度降低至小於約40顆每0.1平方毫米，例如小於約30顆每0.1平方毫米，並且進一步例如小於約20顆每0.1平方毫米，並且進一步例如小於約10顆每0.1平方毫米，包括從約0顆至約40顆每0.1平方毫米，並且還包括約1顆至約30顆每0.1平方毫米，更進一步，從約2顆至約20顆每0.1平方毫米。

這裡揭露的實施例包括在邊緣斜切處理之後或代替邊緣斜切處理向邊緣表面166施加電漿噴射流402的實施例，例如圖3中所示的示例性邊緣斜切處理。例如，在某些示例性實施例中，在玻璃覆瓦160與玻璃板62分離之後，可立即將電漿噴射流402施加到玻璃覆瓦160的邊緣表面166。或者，後續處理步驟，例如圖3中所示的示例性邊緣斜切處理，可以在將電漿噴射流402施加到玻璃覆瓦160的邊緣表面166之前應用於玻璃覆瓦160。

圖5是在利用電漿噴射流進行邊緣處理過程之前的示例性玻璃覆瓦160的邊緣166的一部分的示意性前視圖。如圖5所示，不規則的邊緣表面形貌被示出為放大或誇大，並且包括裂縫特徵168以及粘附的玻璃顆粒170。

圖6是在利用電漿噴射流的邊緣處理過程之後的示例性玻璃覆瓦160的邊緣166的一部分的示意性前視圖。如圖6所示，不規則的邊緣表面形貌，包括裂縫特徵168以及粘附的玻璃顆粒170，已經被平滑了。另外，邊緣166和玻璃覆瓦160的第一主表面162的交叉點包括圓角172。

在某些示例性實施例中，在引導電漿流朝向邊緣表面166之前，表面166可以例如透過電阻加熱器或感應加熱器加熱到至少約100℃的溫度，例如至少約200℃，並且進一步例如至少約300℃，更進一步如至少約400℃，還更進一步如至少約500℃，包括從100℃至約600℃的溫度範圍。示例性實施例還包括在將電漿流引向邊緣表面166之後的一段時間內邊緣表面166的溫度保持在上述範圍內的那些實施例。這種熱處理可潛在地減少邊緣拉伸應力。

圖7是示例性玻璃覆瓦160的邊緣的示意性側視圖，其在邊緣表面166具有保護材料174以及在第一主表面162和第二主表面164的與邊緣表面166相鄰的部分上具有保護材料174。雖然不限於任何特定量的覆蓋，但在某些示例性實施例中，保護材料174可以覆蓋第一主表面162和第二主表面164的至少約1％，例如第一主表面162和第二主表面164的約1％至約10％，包括第一主表面162和第二主表面164的約2％至約5％。而雖然圖7示出了在第一主表面162和第二主表面164的部分上的保護材料174，但是應當理解，本文揭露的實施例包括其中保護材料174僅在邊緣表面166上的實施例。

如圖7所示，第一主表面162和第二主表面164的部分上的保護材料174的厚度在第一主表面162和第二主表面164離圓角172最遠的保護材料部分和圓角172之間減小。而雖然圖7示出了保護材料174在第一主表面162和第二主表面164上厚度減小，但是應當理解，本文揭露的實施例包括其中保護材料174在第一主表面162和第二主表面164上具有相對恆定厚度的實施例。圓角172和保護材料174的組合不僅覆蓋邊緣表面166而且覆蓋第一主表面162和第二主表面164的至少一部分，可以使玻璃覆瓦160具有優異的邊緣強度和抗開裂或碎裂的能力。

如圖7所示，保護材料174在邊緣表面166上具有相對恆定的厚度。雖然不限於任何特定厚度，但在某些示例性實施例中，覆蓋邊緣表面166的保護材料174可具有至少約1微米的厚度，例如約1微米至約500微米。另外，覆蓋第一主表面162和第二主表面164的至少一部分的保護材料174可具有至少約1微米的厚度，例如約1微米至約500微米，包括從在圓角172附近的1微米至約500微米之間的厚度減小至在第一主表面162和第二主表面164上距離圓角172最遠處的小於約0.1微米的厚度。

在某些示例性實施例中，保護材料174包括基於溶液的塗層。溶液可以包括有機或無機（例如，水基）溶劑，並且溶液基塗層可以例如不僅選自溶液而且選自溶膠-凝膠、分散體、懸浮液，和漿液中的至少一種。當溶液基塗層包含溶膠-凝膠時，溶膠-凝膠可以是熱固化或UV固化的。示例性的基於溶液的塗層包括聚酰亞胺（PI）和聚二甲基矽氧烷（PDMS）。

基於溶液的塗層可以透過本領域普通技術人員已知的任何方法施加，例如浸漬、噴塗、刷塗、輥塗和氣相沉積。在施用之後，並且取決於所塗覆的塗層的類型，可以使用本領域普通技術人員已知的乾燥技術，例如對流乾燥或微波乾燥。在某些示例性實施例中，不打算被溶液基塗層覆蓋的玻璃覆瓦160的部分可以用掩蔽材料覆蓋，該掩蔽材料可以在施加和固化和/或乾燥保護材料174之後被移除。

在某些示例性實施例中，保護材料174包括至少一種無機材料。示例性無機材料可包括玻璃料，例如相對透明的玻璃料，和金屬氧化物，例如二氧化矽（SiO₂ ）、氧化鋅（ZnO）和氧化錫（SnO₂ ）。儘管這些材料可以應用於如上所述的溶液基塗層中，但它們也可以根據其他方法施加，包括例如透過火焰沉積。例如，當透過火焰沉積施加二氧化矽時，載氣（例如氮氣）中的矽烷前驅物可以與火焰中的氧反應以產生二氧化矽。並且，在某些示例性實施例中，例如當保護材料174包括玻璃料時，可以使用筆式分配器來施加保護性材料，在某些示例性實施例中，可以透過熱燒結或雷射密封處理來填充任何裂縫，從而進一步增加邊緣強度。

在示例性實施例中，如本文所述的處理過程步驟，包括經由電漿噴射流402將電漿流引向玻璃覆瓦160的邊緣表面166和/或在玻璃覆瓦160的邊緣表面166上施加保護材料174會得到一邊緣強度，其透過四點彎曲試驗測得為至少約200MPa，例如至少約250MPa，並且進一步例如至少約300MPa。例如，在某些實施例中，第一和第二主表面之間的邊緣的延伸方向的距離（即，玻璃覆瓦160的厚度）小於或等於約0.5毫米，並且如本文所述的處理過程可以產生一邊緣強度，其透過四點彎曲試驗測量為至少約200MPa，例如至少約250MPa，並且進一步例如至少約300MPa。

圖8是玻璃覆瓦160的透視圖，該玻璃覆瓦160在其邊緣表面166上具有保護材料174，並且在其第一主表面162和第二主表面164的與其邊緣表面166相鄰的部分上具有保護材料174。圖9是具有m×n陣列的玻璃覆瓦160的顯示區域200的示意性前視圖，陣列中的每個玻璃覆瓦160在其邊緣表面上具有保護材料174，並且在第一和第二主表面的位於邊緣表面附近的部分具有保護材料174。如圖9所示，玻璃覆瓦160被添加到陣列200中。在圖9中所示的玻璃覆瓦160的陣列200中，陣列200中的每個玻璃覆瓦160與陣列200中的複數個玻璃覆瓦160中的至少另一個相鄰。雖然陣列200被示出為具有大致矩形形狀，但是應當理解，本文揭露的實施例不限於此並且包括各種形狀、尺寸和平面度，包括但不限於圓形、橢圓形和其他幾何形狀和多邊形形狀。

在與陣列200中的複數個玻璃覆瓦160中的至少另一個相鄰時，陣列200中的每個玻璃覆瓦160可以與陣列200中的至少一個其他玻璃覆瓦160實體接觸。例如，陣列200中的每個玻璃覆瓦160可以與其緊鄰的每個玻璃覆瓦實體接觸。每個玻璃覆瓦160也可以在其緊鄰的位置與玻璃覆瓦160隔開預定距離，例如距離下一個最近的玻璃覆瓦160至少約1微米，包括從約1微米到約20微米，例如，距離下一個最近的玻璃覆瓦160從約2微米至約10微米。

圖10示出了包括複數個像素202的玻璃覆瓦160的一部分的放大的示意性前視圖。每個玻璃覆瓦160的像素202的數量可以根據應用而變化，這取決於像素間距（即，緊鄰像素之間的距離）以及玻璃覆瓦160的尺寸。

圖11示出了圖10中所示的複數個像素中的像素202的截面，包括至少一個microLED。具體而言，圖11示出了像素202，其包括基板204、與基板204相對的玻璃或薄膜206，以及三個microLED 208a、208b和208c，每個microLED具有對應的電極210a、210b和210c以控制相應的microLED的操作。例如，在一些實施例中，microLED中的一個可以包括紅色microLED，microLED中的一個可以包括綠色microLED，並且microLED中的一個可以包括藍色microLED。

雖然已經參考熔融拉製處理描述了上述實施例，但是應該理解，這些實施例也適用於其他玻璃形成處理，例如浮法處理、狹縫拉製處理、上拉處理、管拉製處理，和壓滾處理。

對於本領域技術人員顯而易見的是，在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下，可以對本揭露的實施例進行各種修改和變化。因此，本揭露旨在涵蓋這些修改和變化，只要它們落入所附請求項及其等同物的範圍內。

10‧‧‧玻璃製造設備/熔融下拉設備

12‧‧‧玻璃熔化爐

14‧‧‧熔化容器

16‧‧‧上游玻璃製造設備

18‧‧‧儲存箱

20‧‧‧原材料輸送裝置

22‧‧‧馬達

24‧‧‧原材料

26‧‧‧箭頭

28‧‧‧熔融玻璃

30‧‧‧下游玻璃製造設備

32‧‧‧第一連接導管

34‧‧‧澄清容器

36‧‧‧混合容器

38‧‧‧第二連接導管

40‧‧‧輸送容器

44‧‧‧出口導管

42‧‧‧成形主體

46‧‧‧第三連接導管

48‧‧‧成形設備

50‧‧‧入口導管

52‧‧‧槽

54‧‧‧會聚成形表面

56‧‧‧底邊

60‧‧‧流動方向

72‧‧‧邊緣輥

82‧‧‧牽引輥

58‧‧‧玻璃帶

100‧‧‧玻璃分離裝置

62‧‧‧玻璃板

64‧‧‧機器人

65‧‧‧夾持工具

160‧‧‧玻璃覆瓦

162‧‧‧第一主表面

164‧‧‧第二主表面

166‧‧‧邊緣表面

200‧‧‧砂輪

300‧‧‧箭頭

402‧‧‧電漿噴射流

400‧‧‧電漿噴射頭

500‧‧‧箭頭

62‧‧‧玻璃板

168‧‧‧裂縫特徵

170‧‧‧玻璃顆粒

172‧‧‧圓角

174‧‧‧保護材料

200‧‧‧顯示區域/陣列

202‧‧‧像素

204‧‧‧基板

206‧‧‧薄膜

208a/208b/208c‧‧‧microLED

210a/210b/210c‧‧‧電極

圖1是示例性熔融下拉製造玻璃製造裝置和方法的示意性視圖。

圖2是玻璃覆瓦的透視圖;

圖3是玻璃覆瓦的邊緣表面的斜切處裡的至少一部分的透視圖;

圖4是利用電漿噴射流的邊緣處理過程的至少一部分的透視圖;

圖5是在利用電漿噴射流的邊緣處理加以處理之前的示例性玻璃覆瓦的邊緣的一部分的示意性前視圖;

圖6是在利用電漿噴射流的邊緣處理加以處理之後的示例性玻璃覆瓦的邊緣的一部分的示意性前視圖;

圖7是示例性玻璃覆瓦的邊緣的示意性側視圖，該邊緣表面上具有保護材料，以及第一和第二主表面的與邊緣表面相鄰的部分具有保護材料;和

圖8是玻璃覆瓦的透視圖，該玻璃覆瓦在其邊緣表面上具有保護材料，以及第一和第二主表面的與邊緣表面相鄰的部分具有保護材料;

圖9是具有玻璃覆瓦陣列的顯示區域的示意性前視圖，陣列中的每個玻璃覆瓦在其邊緣表面上具有保護材料，以及第一和第二主表面的與邊緣表面相鄰的部分具有保護材料;

圖10是包括多個像素的玻璃覆瓦的一部分的放大的示意性正視圖;和

圖11是圖10中所示的複數個像素中的像素的截面視圖，其包括至少一個microLED。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (18)

1. 一種製作一顯示區域的方法，包括以下步驟： 將複數個玻璃覆瓦組裝成一陣列，其中該陣列中的該複數個玻璃覆瓦中的每一者與該陣列中的該複數個玻璃覆瓦中的至少另一者相鄰;和 其中，在將一玻璃覆瓦組裝到該陣列中之前，在該玻璃覆瓦上進行一邊緣處理，該邊緣處理增加該玻璃覆瓦的一邊緣強度，該邊緣強度透過四點彎曲試驗測量測得增加至至少約200MPa。
2. 根據請求項1所述的方法，其中該邊緣處理包括將一電漿流引向該玻璃覆瓦的一邊緣表面。
3. 根據請求項2所述的方法，其中該電漿流包括一大氣壓電漿噴射流。
4. 根據請求項2所述的方法，其中在將該電漿流引向該邊緣表面之前，將該邊緣表面加熱到至少約100℃的溫度。
5. 根據請求項1所述的方法，其中該邊緣處理包括在該玻璃覆瓦的一邊緣表面上施加一保護材料。
6. 根據請求項5所述的方法，其中該保護材料包括一溶液基塗層。
7. 根據請求項5所述的方法，其中透過火焰沉積將該保護材料施加到該邊緣表面。
8. 一種製造一玻璃覆瓦的方法，包括以下步驟：在該玻璃覆瓦上進行一邊緣處理，該邊緣處理增加該玻璃覆瓦的一邊緣強度，該邊緣強度透過四點彎曲試驗測量測得增加至至少約200MPa。
9. 根據請求項8所述的方法，其中該邊緣處理包括將一電漿流引向該玻璃覆瓦的一邊緣表面。
10. 根據請求項9所述的方法，其中該電漿流包括一大氣壓電漿噴射流。
11. 根據請求項9所述的方法，其中在將該電漿流引向該邊緣表面之前，將該邊緣表面加熱到至少約100℃的溫度。
12. 根據請求項8所述的方法，其中該邊緣處理包括在該玻璃覆瓦的一邊緣表面上施加一保護材料。
13. 根據請求項12所述的方法，其中該保護材料包括一溶液基塗層。
14. 根據請求項12所述的方法，其中透過火焰沉積將該保護材料施加到該邊緣表面。
15. 一種顯示區域包括： 一陣列的玻璃覆瓦，其中該陣列中的該玻璃覆瓦之每一者與該陣列中的該玻璃覆瓦的至少另一者相鄰；和 該陣列中的該玻璃覆瓦之每一者透過四點彎曲試驗測量測得具有至少約200MPa的一邊緣強度。
16. 根據請求項15所述的顯示區域，其中該陣列中的該玻璃覆瓦之每一者包括在該玻璃覆瓦的一邊緣表面上的一保護材料。
17. 根據請求項16所述的顯示區域，其中該保護材料包括一溶液基塗層。
18. 根據請求項16所述的顯示區域，其中該陣列中的該玻璃覆瓦之每一者包括複數個microLED。