TWI886791B - 半導體電漿設備及其負壓排氣裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係一種半導體電漿設備及其負壓排氣裝置，該負壓排氣裝置係用以與該半導體電漿設備之一電漿反應腔室的一廢氣排出口接合，並包含一三通管、抽氣泵浦及一電漿產生器。該電漿產生器係接合於該三通管之一主管的其中一管口及該第一廢氣排出口間，該抽氣泵浦接合該三通管之主管的另一管口；如此，當該抽氣泵浦啟動時，對該電漿反應腔室抽氣並產生之負壓氣流，該負壓氣流會先通過該電漿產生器的電漿室，再由該負壓氣流將電漿室產生之電漿帶往該三通管之該主管，進而清潔該主管的內壁面，減少人工清洗該三通管或保養該三通管的頻率。

Description

半導體電漿設備及其負壓排氣裝置

本發明係關於一種半導體電漿設備的負壓排氣裝置，尤指一種具電漿清潔功能的負壓排氣裝置。

在半導體製程中，以電漿技術實現不同半導體製程步驟諸如：薄膜沉積製程步驟的濺鍍(Sputtering)、電漿化學氣相沉積(PECVD)；蝕刻製程步驟的乾式蝕刻(Dry etching)；另在佈植技術，離子佈植機的離子源(ion Source)與電漿浸潤式離子佈植(plasma immersion ion implantation)等。

請參閱圖4所示，一種電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)設備係包含有一電漿反應腔室50、一真空排氣裝置60及一遠端電漿源裝置64；其中該真空排氣裝置60係設置在該電漿反應腔室50的底面52，負責於進行沉積製程前，將該電漿反應腔室50抽成真空，而該遠端電漿源裝置64則設置在該電漿反應腔室50之頂面51。

上述真空排氣裝置60係包含有一抽氣管路61及二抽氣泵浦62、63，其中一抽氣泵浦62負責先透過該抽氣管路61將該電漿反應腔室50抽氣達真空後，再同時啟動另一抽氣泵浦63抽氣，以維持該電漿反應腔室50的高真空狀態，因此自該電漿反應腔室50抽出的氣體係透過該抽氣管路61通向外排出。當該電漿反應腔室50呈真空狀，即進行沉積製程。於該沉積製程結束後，仍維持 該二抽氣泵浦62、63啟動，另啟動該遠端電漿源裝置64，以產生清潔用電漿於該電漿反應腔室50內，清潔其因沉積製程附著於內壁面的沉積顆粒，此時該電漿反應腔室50內被清潔的顆粒持續透過該抽氣管路61向外排出。

由上說明可知，於沉積製程期間中，因該真空排氣裝置的抽氣泵浦持續啟動著，沉積製程產生的顆粒除附著在電漿反應腔室的內壁面外，亦會排入該抽氣管路中，而一併附著在於該抽氣管路的管壁上，甚至附著在抽氣泵浦中；是以，目前半導體廠內人員需時隔一陣子手動停機清潔、保養，即需拆卸該抽氣管路進行清洗後再裝回，確保該抽氣管路的抽真空能力，以穩定該電漿反應腔室的沉積品質。

然而，為清洗抽氣管路而將該電漿輔助化學氣相沉積設備停機，所造成的損失甚鉅，而且手動清洗抽氣管路作業繁複且額外產生工業廢液，又特別對先進製程(10nm以下)的半導體設備造成不可控的微粒揚塵；因此，應進一步尋求更有效地清潔上揭半導體電漿設備之抽氣管路的技術。

有鑑上述半導體電漿設備的抽氣管路的不易清潔及微粒揚塵等問題，本發明主要目的係提供一種半導體電漿設備及其負壓排氣裝置，可免除手工清潔、保養作業。

欲達上述目的所使用的主要技術手段係令該半導體電漿設備包含：一電漿反應腔室，係分別設置有一電漿入口、一第一廢氣排出口及一第二廢氣排出口；一第一電漿產生器，係設置於該電漿反應腔室之該電漿入口，提供該電漿反應腔室之足量清潔用電漿；以及 一負壓排氣裝置，係設置於該電漿反應腔室的該第一廢氣排出口及該第二廢氣排出口，並包含：一三通管，係包含相互連通的一主管及一側管，該主管具有一第一管口及一第二管口，該側管係包含一第三管口；一第一抽氣泵浦，係接合於該三通管之該主管的第二管口，抽取該電漿反應腔室內空氣，並產生一負壓氣流通過對該三通管之該主管，使該電漿反應腔室內呈負壓狀態；一第二抽氣泵浦，係接合於該電漿反應腔室的該第二廢氣排出口及該三通管之該側管的該第三管口，抽取該電漿反應腔室內空氣，使該電漿反應腔室內維持負壓狀態；以及一第二電漿產生器，係具有一電漿室，該電漿室具有一第一開口及一第二開口；其中該第一開口係接合於該電漿反應腔室的該第一廢氣排出口，該第二開口係接合於該三通管之該主管的該第一管口；其中該負壓氣流通過該電漿室後進入該三通管之該主管，且該第二電漿產生器對存在該負壓氣流的該三通管之該主管提供足量清潔用電漿。

由上述說明可知，本發明半導體電漿設備係主要設置二個電漿產生器，以分別提供足量清潔用電漿至該電漿反應腔室及該三通管的該主管進行內壁面的清潔；其中該第二電漿產生器設置在該三通管之該主管的該第一管口，於該第一抽氣泵浦對該電漿反應腔室抽氣時，負壓氣流會通過其電漿室，故該負壓氣流在通過電漿室，其中顆粒會被電漿消除，並且將電漿帶往該三通管之該主管，更有效率地清潔該主管的內壁面，持續維持該主管內壁不沉積顆粒，以有效減少人工清洗該三通管或更換該三通管的頻率，對於易受微粒揚塵的先進製程(10nm以下)的半導體電漿設備尤佳。

欲達上述目的所使用的主要技術手段係令該半導體電漿設備的負壓排氣裝置係包含：一三通管，係包含相互連通的一主管及一側管，該主管具有一第一管口及一第二管口，該側管係包含一第三管口；一第一抽氣泵浦，係接合於該三通管之該主管的第二管口，並產生一負壓氣流通過對該三通管之該主管；一第二抽氣泵浦，係供接合於一電漿反應腔室的一第二廢氣排出口，並接合於該三通管之該側管的該第三管口；以及一第二電漿產生器，係具有一電漿室，該電漿室具有一第一開口及一第二開口；其中該第一開口係供接合於該電漿反應腔室的一第一廢氣排出口，該第二開口係接合於該三通管之該主管的該第一管口；其中該負壓氣流通過該電漿室後進入該三通管之該主管，且該電漿產生器對存在該負壓氣流的該三通管之該主管提供足量清潔用電漿。

由上述說明可知，本發明半導體電漿設備的負壓排氣裝置係用以與該電漿反應腔室的第一及第二廢氣排出口接合，並主要將該電漿產生器設置在該三通管之該主管的該第一管口處；如此，該電漿反應腔室被抽氣所產生之負壓氣流，即會先通過該電漿產生器的電漿室，再由該負壓氣流在通過電漿室時，其中顆粒會被消除，並且將電漿帶往該三通管之該主管，進而清潔該主管的內壁面，持續維持該主管內壁不沉積顆粒，以有效減少人工清洗該三通管或更換該三通管的頻率，對於易受微粒揚塵的先進製程(10nm以下)的半導體電漿設備尤佳。

10:電漿反應腔室

100:頂面

101:底面

11:電漿入口

12:第一廢氣排出口

13:第二廢氣排出口

20:第一電漿產生器

21:電漿室

22:匹配電路

23:電源裝置

30:負壓排氣裝置

31:三通管

32:主管

321:第一管口

322:第二管口

33:側管

331:第三管口

34:第一抽氣泵浦

35:第二抽氣泵浦

351:第四氣閥

36:第一氣閥

37:第二氣閥

38:第三氣閥

39:控制單元

40:第二電漿產生器

41:電漿室

411:第一開口

412:第二開口

42:外殼

43:第一法蘭接頭

44:第二法蘭接頭

45:氣體通道

46:第三法蘭接頭

461:第五氣閥

462:外加氣體管

47:線圈

48:匹配電路

49:電源裝置

50:電漿反應腔室

51:頂面

52:底面

60:真空排氣裝置

61:抽氣管路

62:抽氣泵浦

63:抽氣泵浦

64:遠端電漿源裝置

圖1：本發明之半導體電漿設備之第一實施例的一剖面示意圖。

圖2：本發明之第二電漿產生器接合一三通管的一立體外觀圖。

圖3：本發明之半導體電漿設備之第二實施例的一剖面示意圖。

圖4：既有一種電漿輔助化學氣相沉積設備的一剖面示意圖。

本發明係提出一種具負壓排氣裝置之半導體電漿設備，以下配合多個實施例及圖式詳細說明技術內容。

首先請參閱圖1所示，為本發明之半導體電漿設備的第一實施例，其包含一電漿反應腔室10、一第一電漿產生器20及一負壓排氣裝置30。

上述電漿反應腔室10係供半導體晶圓置入其中，進行半導體製程，如電漿輔助化學氣相沉積腔室，但不以此為限。該電漿反應腔室10係包含有一頂面100、一底面101、一第一廢氣排出口12及一第二廢氣排出口13；於本實例，該電漿入口11係位於該電漿反應腔室10的頂面100，該第一及第二廢氣排出口12、13係位於該電漿反應腔室10的底面101。

上述第一電漿產生器20係設置於該電漿反應腔室10的頂面100的電漿入口11，並包含一電漿產生室21、一匹配電路22(或線圈)及一電源裝置23。該第一電漿產生器20用以對該電漿反應腔室10產生一清潔用電漿；其中該第一電漿產生器20係使用一外加氣體進行電漿點火，該外加氣體可為CF4或NF3。

上述負壓排氣裝置30係設置於該電漿反應腔室10的該第一廢氣排出口12及該第二廢氣排出口13，並包含一三通管31、一第一抽氣泵浦34、一第二抽氣泵浦35及一第二電漿產生器40。該三通管31係包含相互連通的一主管32及一側管33，該主管32具有一第一管口321及一第二管口322，該側管33係包 含一第三管口331。上述第一抽氣泵浦34係接合於該三通管31之該主管32的第二管口322，抽取該電漿反應腔室10內空氣，並產生一負壓氣流F通過對該三通管31之該主管32，使該電漿反應腔室10內呈負壓狀態，故該負壓氣流F可包含該第一電漿產生器20所使用該外加氣體在電漿點火後的剩餘部分。上述一第二抽氣泵浦35係接合於該電漿反應腔室10的該第二廢氣排出口13及該三通管31之該側管33的該第三管口331，抽取該電漿反應腔室10內空氣，使該電漿反應腔室10內維持負壓狀態。於本實施例，該第二抽氣泵浦35係為一渦輪分子泵，並具有一第四氣閥351，該第二抽氣泵浦35係以該第四氣閥351接合於該電漿反應腔室10的該第二廢氣排出口13。

上述負壓排氣裝置30的第二電漿產生器40係具有一電漿室41該電漿室41透過一匹配電路48連接至一電源裝置49，用以產生足量清潔用電漿。該電漿室41係具有一第一開口411及一第二開口412。請配合參閱圖2所示，該第二電漿產生器40之一外殼42上設有一第一法蘭接頭43，以連通該第一開口411，供接合於該電漿反應腔室10的該第一廢氣排出口12，使該第一開口411與該第一廢氣排出口12連通；又該外殼42另設有一第二法蘭接頭44，以與該第二開口412連通，並供接合於該三通管31之該主管32的該第一管口321，如此該第二開口412即可與該第一管口321連通。此外，該外殼42內另增加一與該電漿室41連通之氣體通道45，且該外殼42可進一步設置有一第三法蘭接頭46，並與該氣體通道45連通，並供接合一外加氣體管462，使外加氣體進入該電漿室41，該外加氣體可為CF4或NF3。於另一實施例，因第二電漿產生器40只需對該三通管31之主管32產生足量清潔用電漿，故其離子化用之氣體可使用該負壓氣流中剩餘的該外加氣體進行電漿點火，即於抽氣期間輸入至該第一電漿產生器20內，但未被離子化的氣體，隨負壓氣流F進入該第二電漿產生器40中，且該第二電漿產生器40的功率小於該第一電漿產生器20的功率，可為為100W至300W 間，其頻率為4MHz至13MHz間，清潔效率為150-280Å/min。於一實施例，第二電漿產生器40係可為一感應耦合電漿產生器，其點火線圈47透過該匹配電路48或線圈連接至該電源裝置49。

上述該第一抽氣泵浦34首先被啟動抽取該電漿反應腔室10呈負壓，直至真空狀態(約達幾百mTorr等級)，再同時開啟該第二抽氣泵浦35進行負壓抽取，維持該電漿反應腔室10的高真空狀態，以供該電漿反應腔室10進行半導體製程。當半導體製程結束後，啟動該第一電漿產生器20及該第二電漿產生器40，該第一電漿產生器20將產生的清潔用電漿送入該電漿反應腔室10的頂面100的電漿入口11，以清潔該電漿反應腔室10之內壁面因半導體製程期間產生的顆粒，清潔後的廢氣受該第一抽氣泵浦34的空氣抽取產生之負壓氣流，透過該第二電漿產生器40、該三通管31的主管32及該第一抽氣泵浦34向外排出。此時，由於該第二電漿產生器40亦被啟動，且位在該電漿反應腔室10及該三通管31之間，故其所產生之清潔用電漿會隨著負壓氣流送入該三通管31的主管32，以更有效率地清潔該三通管31的主管32；如此，在該電漿反應腔室10的清潔期間，可一併清潔該三通管31的主管32。

此外，本發明之半導體電漿設備可進一步包含一第一氣閥36、一第二氣閥37、一第三氣閥38及一控制單元39。該第一氣閥36係設置在該三通管31的該主管32中；該第二氣閥37係設置在該三通管31的該側管33中；該第三氣閥38係設置在該第一廢氣排出口12與該第二電漿產生器40的該第一開口411間，至於該控制單元39則與該第一及第二電漿產生器20、40、該第一至第三氣閥36、37、38及該第二抽氣浦泵35的該第四氣閥351電連接，並內建有一製程程序及一清潔程序。

上述製程序係由該控制單元39啟動該第一抽氣泵浦34，並開啟該第一及第三氣閥36、38，使該第一抽氣泵浦34透過該三通管31之該主管32對 該電漿反應腔室10抽氣，當該電漿反應腔室10的負壓狀態達真空(約達幾百mTorr等級)後，維持該第一氣閥36及該第一抽氣泵浦34開啟、關閉該第三氣閥38、開啟第二氣閥37及第四氣閥351，並啟動該第二抽氣泵浦35，維持該電漿反應腔室10內的真空狀態，以進行半導體製程。

上述清潔程序係於該製程程序中之該半導體製程結束後始執行之，由該控制單元39維持該第一氣閥36及該第一抽氣泵浦34開啟、關閉該第二抽氣泵浦35的第四氣閥351及該第二氣閥37，並開啟該第三氣閥38、啟動該第一及第二電漿產生器20、40；其中該第一及第二電漿產生器20、40係分別對該電漿反應腔室10及該三通管31之該主管32提供足量之清潔用電漿。再如圖3示，本發明半導體電漿設備之第二實施例係進一步於該外加氣體管462設置有一第五氣閥461，由該控制單元39電連接該第五氣閥461，並控制該第五氣閥461的閥門開度，決定外加氣體流入該氣體通道45的多寡。

綜上所述，本發明半導體電漿設備係主要設置二個電漿產生器，以分別提供足量清潔用電漿至該電漿反應腔室及該三通管的該主管進行內壁面的清潔；其中該第二電漿產生器40設置在該三通管之該主管的該第一管口，於該第一抽氣泵浦對該電漿反應腔室抽氣時，負壓氣流會通過其電漿室，故該負壓氣流在通過電漿室時，其中顆粒會被電漿消除，並且將電漿帶往該三通管之該主管，以清潔該主管的內壁面，持續維持該主管內壁不沉積顆粒，有效減少人工清洗該三通管或更換該三通管的頻率，對於易受微粒揚塵的先進製程(10nm以下)的半導體電漿設備尤佳。

以上所述僅是本發明的實施例而已，並非對本發明做任何形式上的限制，雖然本發明已以實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明技術方案的範圍內，當可利 用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。

10:電漿反應腔室

100:頂面

101:底面

11:電漿入口

12:第一廢氣排出口

13:第二廢氣排出口

20:第一電漿產生器

21:電漿室

22:匹配電路

23:電源裝置

30:負壓排氣裝置

31:三通管

32:主管

321:第一管口

322:第二管口

33:側管

331:第三管口

34:第一抽氣泵浦

35:第二抽氣泵浦

351:第四氣閥

36:第一氣閥

37:第二氣閥

38:第三氣閥

39:控制單元

40:第二電漿產生器

41:電漿室

411:第一開口

412:第二開口

42:外殼

43:第一法蘭接頭

44:第二法蘭接頭

45:氣體通道

46:第三法蘭接頭

47:線圈

48:匹配電路

49:電源裝置

Claims (19)

1. 一種半導體電漿設備，包括： 一電漿反應腔室，係分別設置有一電漿入口、一第一廢氣排出口及一第二廢氣排出口； 一第一電漿產生器，係設置於該電漿反應腔室之該電漿入口，提供該電漿反應腔室之足量清潔用電漿；以及 一負壓排氣裝置，係設置於該電漿反應腔室的該第一廢氣排出口及該第二廢氣排出口，並包含： 一三通管，係包含相互連通的一主管及一側管，該主管具有一第一管口及一第二管口，該側管係包含一第三管口； 一第一抽氣泵浦，係接合於該三通管之該主管的第二管口，抽取該電漿反應腔室內空氣，並產生一負壓氣流通過對該三通管之該主管，使該電漿反應腔室內呈負壓狀態； 一第二抽氣泵浦，係接合於該電漿反應腔室的該第二廢氣排出口及該三通管之該側管的該第三管口，抽取該電漿反應腔室內空氣，使該電漿反應腔室內維持負壓狀態；以及 一第二電漿產生器，係具有一電漿室，該電漿室具有一第一開口及一第二開口；其中該第一開口係接合於該電漿反應腔室的該第一廢氣排出口，該第二開口係接合於該三通管之該主管的該第一管口；其中該負壓氣流通過該電漿室後進入該三通管之該主管，且該第二電漿產生器對存在該負壓氣流的該三通管之該主管提供足量清潔用電漿。
2. 如請求項1所述之半導體電漿設備，係進一步包含： 一第一氣閥，係設置在該三通管的該主管中； 一第二氣閥，係設置在該三通管的該側管中； 一第三氣閥，係設置在該第一廢氣排出口與該第二電漿產生器的該第一開口間； 一第四氣閥，係設置在該第二抽氣泵浦與該第二廢氣排出口的接合處；以及 一控制單元，係與該第一電漿產生器及第該二電漿產生器、該第一抽氣浦泵及該第二抽氣浦泵與該第一至第四氣閥電連接，並內建有： 一製程程序，係由該控制單元啟動該第一抽氣泵浦，並開啟該第一及第三氣閥，使該第一抽氣泵浦透過該三通管之該主管對該電漿反應腔室抽氣，當該電漿反應腔室的負壓狀態達真空後，維持該第一氣閥開及該第一抽氣泵浦開啟、關閉該第三氣閥、開啟該第二氣閥及該第四氣閥，並啟動該第二抽氣泵浦，維持該電漿反應腔室內的真空狀態，以進行半導體製程；以及 一清潔程序，係於該製程程序中之該半導體製程結束後始執行之，由該控制單元維持該第一氣閥及該第一抽氣泵浦開啟、關閉該第二氣閥及該第四氣閥，並開啟該第三氣閥、啟動該第一電漿產生器及該第二電漿產生器；其中該第一電漿產生器及該第二電漿產生器係分別對該電漿反應腔室及該三通管之該主管提供足量之清潔用電漿。
3. 如請求項2所述之半導體電漿設備，其中： 該第一電漿產生器係取得一外加氣體，點火產生清潔用電漿；以及 該第二電漿產生器係取得另一外加氣體，點火產生清潔用電漿。
4. 如請求項1或2所述之半導體電漿設備，其中： 該第一電漿產生器係取得一外加氣體，點火產生清潔用電漿，其中剩餘的該外加氣體會流入該負壓氣流中；以及 該第二電漿產生器係使用該負壓氣流中剩餘的該外加氣體，點火產生清潔用電漿。
5. 如請求項3所述之半導體電漿設備，其中該第二電漿產生器為一感應耦合電漿產生器，其於該電漿室外套設一電感元件，該電感元件係透過一阻抗匹配器電連接至一電源供應器。
6. 如請求項5所述之半導體電漿設備，其中該第二電漿產生器的該電漿室係設置於一外殼內，該外殼上設置有： 一第一法蘭接頭，係與該電漿室的該第一開口連通，並匹配接合於該電漿反應腔室的該第一廢氣排出口；以及 一第二法蘭接頭，係匹配接合於該三通管之該主管的該第一管口。
7. 如請求項6所述之半導體電漿設備，其中該外殼上係進一步設置有一第三法蘭接頭，以匹配一外加氣體管的一管口。
8. 如請求項7所述之半導體電漿設備，其中該第二電漿產生器用之該電源之功率為100W至300W間，其頻率為4MHz至13MHz間。
9. 如請求項8所述之半導體電漿設備，其中該第一電漿產生器及該第二電漿產生器用之該外加氣體為CF4或NF3。
10. 如請求項7所述之半導體電漿設備，其中外加氣體管設置有一第五氣閥，該控制單元電連接該第五氣閥，並控制該第五氣閥的閥門開度。
11. 一種半導體電漿設備的負壓排氣裝置，係供設置於一電漿反應腔室的一第一廢氣排出口及一第二廢氣排出口，並包括： 一三通管，係包含相互連通的一主管及一側管，該主管具有一第一管口及一第二管口，該側管係包含一第三管口； 一第一抽氣泵浦，係接合於該三通管之該主管的第二管口，並產生一負壓氣流通過對該三通管之該主管； 一第二抽氣泵浦，係供接合於該電漿反應腔室的該第二廢氣排出口，並接合於該三通管之該側管的該第三管口；以及 一電漿產生器，係具有一電漿室，該電漿室具有一第一開口及一第二開口；其中該第一開口係供接合於該電漿反應腔室的該第一廢氣排出口，該第二開口係接合於該三通管之該主管的該第一管口；其中該負壓氣流通過該電漿室後進入該三通管之該主管，且該電漿產生器對存在該負壓氣流的該三通管之該主管提供足量清潔用電漿。
12. 如請求項11所述之半導體電漿設備的負壓排氣裝置，係進一步包含： 一第一氣閥，係設置在該三通管的該主管中； 一第二氣閥，係設置在該三通管的該側管中； 一第三氣閥，係設置在該電漿產生器的該第一開口； 一第四氣閥，係設置在該第二抽氣泵浦與該第二廢氣排出口的接合處；以及 一控制單元，係與該電漿產生器、該第一抽氣浦泵及該第二抽氣浦泵與該第一至第四氣閥電連接，且於啟動該電漿產生器時，同時開啟該第一及第三氣閥、關閉該第二氣閥及該第四氣閥，啟動該第一及該第二抽氣泵浦，以產生足量之清潔用電漿予該三通管之該主管。
13. 如請求項12所述之半導體電漿設備的負壓排氣裝置，其中該電漿產生器係取得一外加氣體，點火產生清潔用電漿。
14. 如請求項13所述之半導體電漿設備的負壓排氣裝置，其中該電漿產生器為一感應耦合電漿產生器，其於該電漿室外套設一電感元件，該電感元件係透過一阻抗匹配器電連接至一電源供應器。
15. 如請求項14所述之半導體電漿設備的負壓排氣裝置，其中該電漿產生器的該電漿室係設置於一外殼內，該外殼上設置有： 一第一法蘭接頭，係與該電漿室的該第一開口連通，並供匹配接合於該電漿反應腔室的該第一廢氣排出口；以及 一第二法蘭接頭，係匹配接合於該三通管之該主管的該第一管口。
16. 如請求項15所述之半導體電漿設備的負壓排氣裝置，其中：該外殼上係進一步設置有一第三法蘭接頭，以匹配一外加氣體管的一管口。
17. 如請求項16所述之半導體電漿設備的負壓排氣裝置，其中該電漿產生器用之該電源之功率為100W至300W間，其頻率為4MHz至13MHz間。
18. 如請求項17所述之半導體電漿設備的負壓排氣裝置，其中該電漿產生器用之該外加氣體為CF4或NF3。
19. 如請求項16所述之半導體電漿設備的負壓排氣裝置，其中該外加氣體管設置一第五氣閥，該控制單元電連接該第五氣閥，並控制該第五氣閥的閥門開度。

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