TWI885682B - 雷射加工裝置、半導體晶片及半導體晶片之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之雷射加工裝置具備：內側門，其分別於藉由搬送部取出及收納晶圓時打開；外側門，其分別於由作業人員取出及收納晶圓時打開；及控制部，其進行於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態之控制。

Description

雷射加工裝置、半導體晶片及半導體晶片之製造方法

本發明係關於一種雷射加工裝置、半導體晶片及半導體晶片之製造方法，尤其係關於一種具備照射雷射光之雷射光照射部之雷射加工裝置、半導體晶片及半導體晶片之製造方法。

先前，已知有具備照射雷射光之雷射光照射部之雷射加工裝置。例如日本專利特開2017-64743號公報中對該雷射加工裝置進行了揭示。

上述日本專利特開2017-64743號公報中揭示之雷射加工裝置具備照射雷射光之雷射光線照射單元(雷射光照射部)。該雷射加工裝置構成為藉由自雷射光線照射單元照射之雷射光於晶圓之內部形成由龜裂或孔隙等構成之改質區域，或藉由自雷射光線照射單元照射之雷射光將晶圓切斷。藉此，晶圓被分割成複數個半導體晶片。

上述日本專利特開2017-64743號公報中之雷射光線照射單元構成為藉由使雷射光分支，而能照射第1雷射光及第2雷射光來作為雷射光。再者，照射第1雷射光及第2雷射光之構成相同，因此以下僅對照射第1雷射光之構成進行說明。

上述日本專利特開2017-64743號公報中之雷射加工裝置具備第1匣盒台、第1搬入機構及第1開關門。第1匣盒台供載置收容有藉由第1雷射光來加工之晶圓之匣盒。第1搬入機構以為了向雷射光線照射單元 供給晶圓，而搬送第1匣盒台上之匣盒中收容之晶圓之方式構成。第1開關門係在更換載置於第1匣盒台之匣盒時由作業人員打開之門。

於上述日本專利特開2017-64743號公報之雷射加工裝置中，在使來自雷射光線照射單元之雷射光源之雷射光停止照射的狀態下，作業人員將第1開關門打開來更換第1匣盒台上之匣盒。

然而，上述日本專利特開2017-64743號公報之雷射加工裝置中雖未明確記載，但於上述日本專利特開2017-64743號公報所述之先前之雷射加工裝置中，作業人員將第1開關門打開來更換第1匣盒台上之匣盒時，不僅會使雷射光線照射單元停止作業，亦會使第1搬入機構停止作業。如此，若非雷射光線照射單元停止照射雷射光，並且第1搬入機構停止作業之狀態，則作業人員無法更換第1匣盒台上之匣盒。因此，作業人員更換要向雷射光線照射單元供給之晶圓之更換作業會導致雷射加工裝置藉由雷射光加工晶圓之加工時間增加，從而半導體晶片之生產效率惡化。故而，希望抑制作業人員更換晶圓之更換作業所導致的半導體晶片之生產效率之降低。

本發明係為了解決如上所述之問題而完成的，本發明之1個目的在於，提供一種能抑制作業人員更換晶圓之更換作業所導致的半導體晶片之生產效率之降低之雷射加工裝置及半導體晶片。

本發明之第1態樣之雷射加工裝置具備：晶圓收容部，其收容晶圓；搬送部，其相對於晶圓收容部進行晶圓之取出及收納；雷射光照射部，其沿著被搬送部自晶圓收容部取出並供給來之晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；裝置護罩部，其將晶圓收容部、搬送部及雷射光 照射部收容於內部；內側門，其設置在將晶圓收容部與雷射光照射部之間區隔之裝置護罩部之內壁部，分別於藉由搬送部取出及收納晶圓時打開；外側門，其設置在相對於內壁部與雷射光照射部側為相反側之裝置護罩部之外壁部，分別於由作業人員取出及收納晶圓時打開；及控制部，其進行於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態之控制。

於本發明之第1態樣之雷射加工裝置中，如上所述，設置有：內側門，其分別於藉由搬送部取出及收納晶圓時打開；外側門，其分別於由作業人員取出及收納晶圓時打開；及控制部，其進行於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態之控制。如此，藉由進行於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態之控制，在作業人員為了更換晶圓收容部之晶圓而將外側門打開時，內側門已切實地關閉，因此自搬送部及雷射光照射部照射之雷射光被內側門切實地遮擋。故而，於搬送部搬送晶圓之情形、及自雷射光照射部照射雷射光之情形中之任一情形時，作業人員亦能將外側門打開來進行晶圓之更換作業。結果，與使搬送部及雷射光照射部停止後再進行晶圓之更換作業之情形時相比，能抑制作業人員更換晶圓之更換作業所導致的半導體晶片之生產效率之降低。

於上述第1態樣之雷射加工裝置中，較佳為控制部構成為在藉由雷射光照射部照射雷射光時，進行於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態之控制。若如此構成，則自雷射光照射部照射之雷射光會被內側門切實地遮擋，故而即便於藉由雷射光照射部照射雷射光之期間，作業人員亦能將外側門打開以更換晶圓。結果，與使搬送部及雷射光照射部停止後再進行晶圓之更換作業之情形時相比，能抑制作業 人員更換晶圓之更換作業所導致的半導體晶片之生產效率之降低，且藉由抑制雷射加工裝置中之晶圓之加工時間之增加，能抑制半導體晶片之生產效率之惡化。

於上述第1態樣之雷射加工裝置中，較佳為控制部構成為進行如下控制：於藉由搬送部進行了晶圓之取出及收納而使得內側門已打開之情形時，在檢測到內側門已關閉後，使外側門成為可打開狀態。若如此構成，則只有於控制部中確認到內側門已關閉後，作業人員方能將外側門打開，故而能更切實地為作業人員遮擋住自搬送部及雷射光照射部照射之雷射光。

該情形時，較佳為進而具備使內側門於開關方向上移動之移動部，且控制部構成為進行如下控制：於內側門已打開之情形時，藉由移動部使內側門向關閉方向移動，在檢測到內側門已關閉後，使外側門成為可打開狀態。若如此構成，則能藉由控制部之控制使內側門自動關閉，故而與內側門基於作業人員之操作而關閉之情形時相比，能抑制作業人員之作業負擔增加。

於上述第1態樣之雷射加工裝置中，較佳為控制部構成為進行如下控制：於由作業人員進行了晶圓之取出及收納而使得外側門已打開之情形時，在檢測到外側門已關閉後，將內側門打開。若如此構成，則只有於控制部中確認到外側門已關閉後，方能藉由控制部進行將內側門打開之控制，故而能切實地避免自雷射光照射部照射之雷射光向裝置外洩漏。

該情形時，較佳為外側門構成為由作業人員手動於開關方向上移動，且控制部構成為進行如下控制：於外側門已打開之情形時，在 檢測到外側門已被作業人員關閉後，將內側門打開。若如此構成，則只有於控制部中確認到外側門已關閉後，方能將內側門打開，故而能切實地避免自雷射光照射部照射之雷射光向裝置外洩漏。

於上述控制部構成為進行在檢測到內側門已關閉後，使外側門成為可打開狀態之控制之雷射加工裝置中，較佳為進而具備將內側門上鎖之內側門用上鎖部，且控制部構成為基於內側門已以被內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，而開始使外側門成為可打開狀態之處理。若如此構成，則只有將內側門用上鎖部解鎖，方能將內側門打開，故而能避免在打開外側門後，作業人員將內側門打開。

於具備上述內側門用上鎖部之雷射加工裝置中，較佳為進而具備將外側門上鎖之外側門用上鎖部，且控制部構成為進行如下控制：基於內側門已以被內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，且外側門已以被外側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，而使載置有晶圓之晶圓收容部內之匣盒移動至可更換位置，上述晶圓已被受理由作業人員來加以更換之操作。若如此構成，則使匣盒移動至可更換位置時，內側門及外側門兩者皆已關閉，故而能避免搬送部及作業人員各自與匣盒干涉。

於上述控制部構成為進行使匣盒移動至可更換位置之控制之雷射加工裝置中，較佳為控制部構成為進行如下控制：基於已將匣盒移動至可更換位置，而進行不受理將內側門打開之信號之設定，並且使外側門用上鎖部對外側門之上鎖成為可解除狀態。若如此構成，則即便自晶圓收容部、搬送部及雷射光照射部等向控制部發送了將內側門打開之信號，控制部亦不受理上述信號，故而能更切實地避免於解除外側門用上鎖部對外側門之上鎖後內側門被打開。

於上述控制部構成為進行使外側門用上鎖部對外側門之上鎖成為可解除狀態之控制之雷射加工裝置中，較佳為進而具備解鎖操作受理部，上述解鎖操作受理部構成為能受理作業人員之操作，基於已受理作業人員之操作，而向控制部發送將外側門用上鎖部對外側門之上鎖解除之信號；且控制部構成為進行如下控制：於外側門之上鎖為可解除狀態之情形時，基於已自解鎖操作受理部獲取將外側門解鎖之信號，而將外側門解鎖，使外側門成為可打開狀態。若如此構成，則作業人員能將外側門解鎖，故而能於作業人員之計劃時序將外側門打開。

於具備上述內側門用上鎖部之雷射加工裝置中，較佳為進而具備將外側門上鎖之外側門用上鎖部，且控制部構成為於內側門已以被內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，且外側門已以被外側門用上鎖部上鎖之狀態關閉以外之情形時，不進行使外側門成為可打開狀態之處理。若如此構成，則只有內側門及外側門皆已上鎖，方會開始使外側門成為可打開狀態之處理，故而能避免於使外側門成為可打開狀態之處理完成前，作業人員誤將外側門打開。

於上述控制部構成為進行使匣盒移動至可更換位置之控制之雷射加工裝置中，較佳為進而具備上鎖操作受理部，上述上鎖操作受理部構成為能受理作業人員之操作，基於已受理作業人員之操作，而向控制部發送藉由外側門用上鎖部將外側門上鎖之信號。若如此構成，則作業人員能將外側門上鎖，故而能讓作業人員認識到已將外側門上鎖。

於上述控制部構成為進行如下控制，即，藉由移動部使內側門向關閉方向移動，在檢測到內側門已關閉後，使外側門成為可打開狀態之雷射加工裝置中，較佳為進而具備將內側門上鎖之內側門用上鎖部， 且控制部構成為進行如下控制：於藉由搬送部進行晶圓之取出及收納時，將內側門用上鎖部對內側門之上鎖解除，並且將內側門打開。若如此構成，則能使內側門自動打開，故而能藉由搬送部順利地進行晶圓之取出及收納。

於上述控制部構成為進行將內側門用上鎖部對內側門之上鎖解除，並且將內側門打開之控制之雷射加工裝置中，較佳為進而具備將外側門上鎖之外側門用上鎖部，且控制部構成為進行如下控制：於檢測到外側門已以被外側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，且內側門已以被內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉後，將內側門用上鎖部對內側門之上鎖解除，並且將內側門打開。若如此構成，則只有內側門及外側門皆已上鎖，方能將內側門用上鎖部對內側門之上鎖解除，故而能於外側門會被打開之風險已降低之狀態下將內側門打開。

於具備將上述內側門上鎖之內側門用上鎖部之雷射加工裝置中，較佳為內側門用上鎖部包含：內側門上鎖用卡合部，其設置於內側門；及內側門上鎖用被卡合部，其僅於內側門關閉之狀態下，與內側門上鎖用卡合部卡合而將內側門上鎖。若如此構成，則內側門上鎖用被卡合部會在內側門略微打開之狀態下卡合於內側門上鎖用卡合部，能避免控制部誤認為內側門已以關閉狀態上鎖，故而能避免於內側門略微打開之狀態下自雷射光照射部照射雷射光。

於具備將上述外側門上鎖之外側門用上鎖部之雷射加工裝置中，較佳為外側門用上鎖部包含：外側門上鎖用卡合部，其設置於外側門；及外側門上鎖用被卡合部，其僅於外側門關閉之狀態下，與外側門上鎖用卡合部卡合而將外側門上鎖。若如此構成，則外側門上鎖用被卡合部 會在外側門略微打開之狀態下卡合於外側門上鎖用卡合部，能避免控制部誤認為外側門已以關閉狀態上鎖，故而能避免於外側門略微打開之狀態下將內側門打開。

本發明之第2態樣之半導體晶片係藉由雷射加工裝置製造而成，上述雷射加工裝置具備：晶圓收容部，其收容晶圓；搬送部，其相對於晶圓收容部進行晶圓之取出及收納；雷射光照射部，其沿著被搬送部自晶圓收容部取出並供給來之晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；裝置護罩部，其將晶圓收容部、搬送部及雷射光照射部收容於內部；內側門，其設置在將晶圓收容部與雷射光照射部之間區隔之裝置護罩部之內壁部，分別於藉由搬送部取出及收納晶圓時打開；外側門，其設置在相對於內壁部與雷射光照射部側為相反側之裝置護罩部之外壁部，分別於由作業人員取出及收納晶圓時打開；及控制部，其進行於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態之控制。

於本發明之第2態樣之半導體晶片中，如上所述，其係藉由設置有如下構件之雷射加工裝置製造而成：內側門，其分別於藉由搬送部取出及收納晶圓時打開；外側門，其分別於由作業人員取出及收納晶圓時打開；及控制部，其進行於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態之控制。如此，藉由進行於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態之控制，在作業人員為了更換晶圓收容部之晶圓而將外側門打開時，內側門已切實地關閉，因此自搬送部及雷射光照射部照射之雷射光被內側門切實地遮擋。故而，於搬送部搬送晶圓之情形、及自雷射光照射部照射雷射光之情形中之任一情形時，作業人員亦能將外側門打開來進行晶圓之更換作業。結果，與使搬送部及雷射光照射部 停止後再進行晶圓之更換作業之情形時相比，可提供一種藉由能抑制作業人員更換晶圓之更換作業所導致的半導體晶片之生產效率之降低的雷射加工裝置製造而成之半導體晶片。

本發明之第3態樣之半導體晶片之製造方法包含如下步驟：於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態，上述外側門分別在由作業人員取出及收納晶圓時打開，上述內側門分別在藉由相對於晶圓收容部進行晶圓之取出及收納之搬送部取出及收納晶圓時打開；沿著設置有複數個半導體晶片之晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；及利用擴開部擴開薄片構件，藉此沿著複數個切割道中的各者將晶圓分割成複數個半導體晶片。

於本發明之第3態樣之半導體晶片之製造方法中，如上所述，設置有如下步驟：於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態，上述外側門分別在由作業人員取出及收納晶圓時打開，上述內側門分別在藉由相對於晶圓收容部進行晶圓之取出及收納之搬送部取出及收納晶圓時打開。如此，藉由進行於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態之控制，在作業人員為了更換晶圓收容部之晶圓而將外側門打開時，內側門已切實地關閉，因此自搬送部及雷射光照射部照射之雷射光被內側門切實地遮擋。故而，於搬送部搬送晶圓之情形、及自雷射光照射部照射雷射光之情形中之任一情形時，作業人員亦能將外側門打開來進行晶圓之更換作業。結果，與使搬送部及雷射光照射部停止後再進行晶圓之更換作業之情形時相比，可提供一種能抑制作業人員更換晶圓之更換作業所導致的半導體晶片之生產效率之降低的半導體晶片之製造方法。

1:開槽裝置

2:膠帶貼附裝置

3:切割裝置

4:研磨裝置

5:膠帶換貼裝置

6:擴開裝置

11:匣盒部

12:雷射光照射部

13:電路面覆膜洗淨部

14:裝置護罩部

14a:內壁部

14b:外壁部

15:內側門

16:外側門

17:控制部

21:匣盒收納部

22:機械手

23:搬送機構

24:保護膠帶貼附部

30:切割部

30a:雷射光照射部

30b:夾具台部

30c:攝像部

30d:攝像部

31:匣盒部

31a:第1匣盒載置部

31b:第2匣盒載置部

31c:第3匣盒載置部

31d:Z方向移動機構

32:晶圓搬送部

32a:夾持手部

32b:Y方向移動機構

32c:軌道部

32d:軌道部

32e:吸附手部

32f:Z方向移動機構

33:基座部

34:裝置護罩部

34a:內壁部

34b:內門用開口

34c:外壁部

34d:外門用開口

35:內側門

35a:門板

35b:移動部

35c:開關偵測感測器

35d:晶圓偵測感測器

36:內側門用上鎖部

36a:內側門上鎖用卡合部

36b:內側門上鎖用被卡合部

37:外側門

37a:門板

37b:把手部

37c:開關偵測感測器

37d:操作受理部

38:外側門用上鎖部

38a:外側門上鎖用卡合部

38b:外側門上鎖用被卡合部

39:控制部

41:第1匣盒部

42:機械手

43:吸附保持部

44:研削部

44a:粗研削部

44b:精研削部

44c:細研削部

45:精研磨部

46:晶體缺陷形成部

47:第2匣盒部

48:旋轉台部

51:匣盒收納部

52:機械手

53:搬送機構

54:擴開用膠帶貼附部

55:紫外線照射部

100:半導體晶圓之加工系統

301b:旋動部

302b:Y方向移動部

303b:X方向移動部

321a:夾持部

351b:螺線管

351c:磁場產生部

351d:投光部

352b:導軌

352c:磁場偵測部

353d:受光部

361a:收容部

361b:收容部

362a:突出桿部

362b:突出桿部

363a:貫通孔

371c:磁場產生部

371d:解鎖操作受理部

372c:磁場偵測部

372d:第3匣盒更換請求部

373d:第1匣盒更換請求部

374d:第2匣盒更換請求部

375d:上鎖操作受理部

381a:收容部

381b:收容部

382a:突出桿部

382b:突出桿部

383a:貫通孔

601:匣盒部

602:提昇手部

603:吸附手部

604:冷氣供給部

605:冷卻單元

606:擴開部

607:擴張維持構件

608:熱收縮部

609:紫外線照射部

610:擠壓部

611:夾持部

700:半導體晶圓之加工系統

703:切割裝置

732:晶圓搬送部

732e:移載頭部

732f:移載頭部

732g:Z方向移動機構

Ch:半導體晶片

Ci:方向

Co:方向

Fri:框架

Fro:框架

Ld:雷射光

Lg:雷射光

Op:作業人員

Pd:位置

Rf:框架

S1:步驟

S2:步驟

S3:步驟

S4:步驟

S5:步驟

S6:步驟

S101:步驟

S102:步驟

S103:步驟

S104:步驟

S105:步驟

S106:步驟

S107:步驟

S108:步驟

S109:步驟

S110:步驟

S111:步驟

S112:步驟

S201:步驟

S202:步驟

S203:步驟

S204:步驟

S205:步驟

S206:步驟

S207:步驟

S208:步驟

S209:步驟

S210:步驟

S211:步驟

S212:步驟

S213:步驟

Tb:保護膠帶

Te:擴開用膠帶

W:晶圓環構造體

Wc:匣盒

We:晶圓

Ws:切割道

X:方向

X1:方向

X2:方向

Y:方向

Y1:方向

Y2:方向

Z:方向

Z1:方向

Z2:方向

圖1係表示第1實施方式之設置有切割裝置及擴開裝置之半導體晶圓之加工系統的概要之模式圖。

圖2係表示第1實施方式之半導體晶圓之加工系統的開槽裝置之俯視圖。

圖3係表示第1實施方式之半導體晶圓之加工系統的膠帶貼附裝置之俯視圖。

圖4係表示第1實施方式之半導體晶圓之加工系統的切割裝置之俯視圖。

圖5係表示第1實施方式之半導體晶圓之加工系統的研磨裝置之俯視圖。

圖6係表示第1實施方式之半導體晶圓之加工系統的膠帶換貼裝置之俯視圖。

圖7係表示第1本實施方式之半導體晶圓之加工系統的膠帶換貼裝置之側視圖。

圖8係表示第1實施方式之半導體晶圓之加工系統的擴開裝置之俯視圖。

圖9係表示第1實施方式之半導體晶圓之加工系統的擴開裝置之側視圖。

圖10係表示第1實施方式之半導體晶圓之加工系統的半導體晶片製造處理之流程圖。

圖11係表示第1實施方式之開槽裝置之外觀之立體圖。

圖12係表示第1實施方式之切割裝置之外觀之立體圖。

圖13係第1實施方式之切割裝置之俯視圖。

圖14係自Y1方向側觀察第1實施方式之切割裝置之內側門之側視圖。

圖15係自Y2方向側觀察第1實施方式之切割裝置之內側門之側視圖。

圖16係沿著圖13之XIV-XIV線之剖面的Y1方向側之部分。

圖17係自Y2方向側觀察第1實施方式之切割裝置之內側門之側視圖。

圖18係自Y1方向側觀察第1實施方式之切割裝置之內側門之側視圖。

圖19係沿著圖13之XIV-XIV線之剖面的Y2方向側之部分。

圖20係表示第1實施方式之切割裝置中，於更換匣盒時，雷射光照射部照射雷射光之情形時外側門為可打開狀態之模式圖。

圖21係表示第1實施方式之切割裝置中，於更換匣盒時，雷射光照射部照射雷射光之情形時作業人員正對操作受理部進行操作之狀態之模式圖。

圖22係表示第1實施方式之切割裝置中，於更換匣盒時，雷射光照射部照射雷射光之情形時內側門關閉且被上鎖之狀態之模式圖。

圖23係表示第1實施方式之切割裝置中，於更換匣盒時，雷射光照射部照射雷射光之情形時匣盒部已使匣盒移動至可更換位置之狀態之模式圖。

圖24係表示第1實施方式之切割裝置中，於更換匣盒時，雷射光照射 部照射雷射光之情形時作業人員正對解鎖操作受理部進行操作之狀態之模式圖。

圖25係表示第1實施方式之切割裝置中，於更換匣盒時，雷射光照射部照射雷射光之情形時作業人員已將外側門打開之狀態之模式圖。

圖26係表示第1實施方式之切割裝置中，於更換匣盒時，雷射光照射部照射雷射光之情形時作業人員在更換匣盒時正對上鎖操作受理部進行操作之狀態之模式圖。

圖27係表示第1實施方式之切割裝置中，於更換匣盒時，雷射光照射部藉由晶圓搬送部搬送晶圓之情形時作業人員正對上鎖操作受理部進行操作之狀態之模式圖。

圖28係表示第1實施方式之切割裝置中，於藉由晶圓搬送部取出晶圓時，雷射光照射部照射雷射光之情形時外側門關閉且被上鎖之狀態之模式圖。

圖29係表示第1實施方式之切割裝置中，於藉由晶圓搬送部取出晶圓時，雷射光照射部照射雷射光之情形時匣盒部已移動至可取出晶圓之位置之狀態之模式圖。

圖30係表示第1實施方式之切割裝置中，於藉由晶圓搬送部取出晶圓時，雷射光照射部照射雷射光之情形時內側門已打開之狀態之模式圖。

圖31係表示第1實施方式之切割裝置中，於藉由晶圓搬送部取出晶圓時，雷射光照射部照射雷射光之情形時夾持手部已取出晶圓之狀態之模式圖。

圖32係表示第1實施方式之切割裝置之控制部中的外側門開關處理之流程圖。

圖33係表示第1實施方式之切割裝置之控制部中的內側門開關處理之流程圖。

圖34係表示第2實施方式之設置有切割裝置及擴開裝置之半導體晶圓之加工系統的概要之模式圖。

圖35係第2實施方式之切割裝置之俯視圖。

圖36係表示第2實施方式之切割裝置中，於更換匣盒時，移載頭部保持有晶圓之情形時作業人員已將外側門打開之狀態之模式圖。

以下，基於圖式，對使本發明具體化之實施方式進行說明。

[第1實施方式]

參照圖1~圖33，對本發明之第1實施方式的半導體晶圓之加工系統100之構成進行說明。

(半導體晶圓之加工系統)

如圖1所示，半導體晶圓之加工系統100係進行晶圓We之加工之裝置。半導體晶圓之加工系統100構成為於晶圓We形成改質部，並且沿著改質部將晶圓We分割而形成複數個半導體晶片Ch。此處，晶圓We係由作為半導體積體電路之材料的半導體物質之晶體形成之圓形薄板。於晶圓We之內部形成改質部，上述改質部係藉由半導體晶圓之加工系統100中之加工，沿著分割線使內部改質而形成的。即，晶圓We會被加工成可沿著分割線分割。此處，所謂改質部，表示藉由雷射光Ld而形成於晶圓We之內 部之龜裂及孔隙等。

具體而言，半導體晶圓之加工系統100具備開槽裝置1、膠帶貼附裝置2、切割裝置3、研磨裝置4、膠帶換貼裝置5及擴開裝置6。再者，開槽裝置1及切割裝置3均為申請專利範圍中之「雷射加工裝置」之一例。

如圖1所示，於半導體晶圓之加工系統100中，按照開槽裝置1、膠帶貼附裝置2、切割裝置3、研磨裝置4、膠帶換貼裝置5及擴開裝置6之順序，進行晶圓We之加工。

<開槽裝置>

開槽裝置1構成為在藉由切割裝置3於晶圓We形成改質部前，沿著未安裝框架Rf及保護膠帶Tb之晶圓We之電路面的半導體晶片Ch間之切割道Ws照射雷射光Lg，將絕緣膜及檢查用圖案分斷。此處，雷射光Lg係波長較紅外區域之波長短之光。又，所謂絕緣膜，係指晶圓We之層間絕緣覆膜。絕緣膜由作為層間絕緣覆膜材料而言介電常數相對較低之Low-k材料形成。又，所謂檢查用圖案，係指用以進行晶圓We之半導體晶片Ch之功能測試的測試用導通圖案。檢查用圖案係所謂的Teg(Test Element Group，測試元件組)。

具體而言，如圖2所示，開槽裝置1包含匣盒部11、雷射光照射部12及電路面覆膜洗淨部13。匣盒部11構成為收容未安裝框架Rf及保護膠帶Tb之晶圓We。雷射光照射部12構成為照射將晶圓We之絕緣膜及檢查用圖案分斷之雷射光Lg。電路面覆膜洗淨部13構成為於將絕緣膜及檢查用圖案分斷前，被覆晶圓We之電路面，並且於將絕緣膜及檢查用圖 案分斷後，洗淨晶圓We之電路面。再者，匣盒部11為申請專利範圍中之「晶圓收容部」之一例。

<膠帶貼附裝置>

膠帶貼附裝置2構成為將保護膠帶Tb貼附於晶圓We之電路面(參照圖1)。

具體而言，如圖3所示，膠帶貼附裝置2包含匣盒收納部21、機械手22、搬送機構23及保護膠帶貼附部24。匣盒收納部21構成為能收納框架Rf、晶圓We、及附框架Rf之晶圓We。機械手22構成為將框架Rf及晶圓We分別自匣盒收納部21向搬送機構23搬運。機械手22構成為將附框架Rf之晶圓We自搬送機構23向匣盒收納部21搬運。搬送機構23構成為將晶圓We搬送至保護膠帶貼附部24能貼附保護膠帶Tb之位置。保護膠帶貼附部24構成為向由搬送機構23搬送來之晶圓We貼附保護膠帶Tb，並且將框架Rf貼附於保護膠帶Tb。

<切割裝置>

切割裝置3構成為於晶圓We之內部形成用以分割晶圓We之改質部(參照圖1)。

具體而言，如圖4所示，切割裝置3具備切割部30、匣盒部31及晶圓搬送部32。切割部30構成為藉由沿著切割道Ws(分割線)對晶圓We照射具有透過性之波長之雷射光Ld(參照圖1)，而形成改質部。此處，雷射光Ld係近紅外區域之波長之光。匣盒部31構成為能收容複數個連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We。晶圓搬送部32構成為於匣盒部31與切割 部30之間搬送連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We。再者，匣盒部31為申請專利範圍中之「晶圓收容部」之一例。又，晶圓搬送部32為申請專利範圍中之「搬送部」之一例。

<研磨裝置>

研磨裝置4構成為藉由自與電路面側為相反側之面研削晶圓We，而將利用切割裝置3所形成之晶圓We之改質部去除(參照圖1)。

具體而言，如圖5所示，研磨裝置4包含第1匣盒部41、機械手42、複數個吸附保持部43、複數個研削部44、精研磨部45、晶體缺陷形成部46、第2匣盒部47及單個旋轉台部48。

第1匣盒部41構成為收容藉由切割裝置3形成有改質部之晶圓We。機械手42構成為自第1匣盒部41向複數個吸附保持部43中距第1匣盒部41最近之位置處之吸附保持部43搬運貼附有框架Rf之晶圓We。又，機械手42構成為自複數個吸附保持部43中距第2匣盒部47最近之位置處之吸附保持部43向第2匣盒部47搬運改質部被去除後之連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We。複數個吸附保持部43構成為吸附連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We加以保持。

複數個研削部44構成為分階段地研削晶圓We之與電路面為相反側之背面。複數個研削部44具有粗研削部44a、精研削部44b及細研削部44c。粗研削部44a構成為藉由第1粒徑之第1研削材研削晶圓We之背面。精研削部44b構成為藉由較第1粒徑小之第2粒徑之第2研削材研削晶圓We之背面。細研削部44c構成為藉由較第2粒徑小之第3粒徑之第3研削材研削晶圓We之背面。

精研磨部45構成為研磨經複數個研削部44研削後之晶圓We之背面。晶體缺陷形成部46構成為於經精研磨部45研磨後之晶圓We之背面形成微小之晶體缺陷。晶體缺陷形成部46構成為進行所謂的去疵(gettering)作業。第2匣盒部47構成為收容藉由晶體缺陷形成部46形成有晶體缺陷之晶圓We。單個旋轉台部48構成為使複數個吸附保持部43各自旋轉移動至與複數個研削部44、精研磨部45及晶體缺陷形成部46分別對應之位置。

<膠帶換貼裝置>

膠帶換貼裝置5構成為在藉由研磨裝置4自晶圓We去除改質部後，將擴開用膠帶Te貼附於晶圓We之與電路面為相反側之面，並撕掉貼附於晶圓We之電路面之保護膠帶Tb(參照圖1)。再者，擴開用膠帶Te為申請專利範圍中之「薄片構件」之一例。

具體而言，如圖6所示，膠帶換貼裝置5包含匣盒收納部51、機械手52、搬送機構53、擴開用膠帶貼附部54、紫外線照射部55(參照圖7)及保護膠帶剝離部(未圖示)。

匣盒收納部51構成為能收納連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We、及連同框架Rf一併貼附於擴開用膠帶Te之晶圓We。

機械手52構成為將連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We自匣盒收納部51向搬送機構53搬運。搬送機構53構成為將連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We搬送至擴開用膠帶貼附部54。擴開用膠帶貼附部54構成為藉由向框架Rf之與貼附有保護膠帶Tb之側的面為相反側之面貼附擴開用膠帶Te，而將框架Rf及晶圓We貼附於保護膠帶Tb及 擴開用膠帶Te兩者。

機械手52構成為自搬送機構53向紫外線照射部55搬運連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb及擴開用膠帶Te兩者之晶圓We。紫外線照射部55構成為位於在出入口具有門之密閉構造之內部，於藉由吹送氮氣，將環境氣體內之氧氣去除，並使內部填充有氮氣(向內部供給氮氣，一面將氧氣排出一面填充氮氣)後，向框架Rf之貼附有保護膠帶Tb之面照射紫外線。藉此，保護膠帶Tb之接著層硬化。機械手52構成為自紫外線照射部55將連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb及擴開用膠帶Te兩者之晶圓We送回搬送機構53。

搬送機構53構成為將連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb及擴開用膠帶Te兩者之晶圓We搬送至保護膠帶剝離部。保護膠帶剝離部構成為撕掉保護膠帶Tb(參照圖1)。機械手52構成為自搬送機構53將連同框架Rf一併貼附於擴開用膠帶Te之晶圓We收納至匣盒收納部51。

<擴開裝置>

擴開裝置6構成為在將擴開用膠帶Te貼附於晶圓We之與電路面為相反側之面後，藉由使擴開用膠帶Te擴開，而將晶圓We分割成複數個半導體晶片Ch(參照圖1)。

具體而言，如圖8及圖9所示，擴開裝置6包含匣盒部601、提昇手部602、吸附手部603、冷氣供給部604(參照圖9)、冷卻單元605、擴開部606、擴張維持構件607、熱收縮部608(參照圖9)、紫外線照射部609(參照圖9)、擠壓部610及夾持部611。

匣盒部601構成為能收容將框架Rf及晶圓We貼附於擴開用 膠帶Te而形成之晶圓環構造體W。提昇手部602構成為能自匣盒部601取出晶圓環構造體W。提昇手部602構成為能將晶圓環構造體W收容於匣盒部601。吸附手部603構成為自上方吸附晶圓環構造體W之框架Rf。冷氣供給部604構成為於藉由擴開部606使擴開用膠帶Te擴開時，自上方向擴開用膠帶Te供給冷氣。

冷卻單元605構成為自下方冷卻擴開用膠帶Te。擴開部606構成為藉由擴開晶圓環構造體W之擴開用膠帶Te，而沿著切割道Ws(參照圖1)分割晶圓We。擴張維持構件607構成為自上方壓住擴開用膠帶Te，以免晶圓We附近之擴開用膠帶Te因熱收縮部608之加熱而收縮。熱收縮部608構成為藉由加熱而使被擴開部606擴開後之擴開用膠帶Te以保持有複數個半導體晶片Ch彼此之間之間隙之狀態收縮。紫外線照射部609構成為對擴開用膠帶Te照射紫外線，以使擴開用膠帶Te之黏著層之黏著力降低。

擠壓部610構成為於使擴開用膠帶Te擴開後，藉由自下方向側局部地擠壓晶圓We，而使晶圓We沿著改質部被進一步分割。夾持部611構成為能於抓持有晶圓環構造體W之框架Rf之狀態下，使晶圓環構造體W於上下方向上移動。夾持部611構成為能於抓持有晶圓環構造體W之框架Rf之狀態下，使晶圓環構造體W分別於自冷卻單元605前往擴開部606之方向、及自擴開部606前往冷卻單元605之方向上移動。

(半導體晶片製造處理)

以下，參照圖10，對半導體晶圓之加工系統100之整體動作進行說明。

於步驟S1中，藉由開槽裝置1將絕緣膜及檢查用圖案分斷。即，雷射光照射部12沿著未連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We之電路面的半導體晶片Ch間之切割道Ws照射雷射光Lg，將絕緣膜及檢查用圖案分斷。於步驟S2中，藉由膠帶貼附裝置2將晶圓We及框架Rf貼附於保護膠帶Tb。即，保護膠帶貼附部24向由搬送機構23搬送來之晶圓We貼附保護膠帶Tb，並且將框架Rf貼附於保護膠帶Tb。

於步驟S3中，藉由切割裝置3於晶圓We形成改質部。即，切割部30藉由沿著切割道Ws對晶圓We照射雷射光Ld(參照圖1)，而形成改質部。於步驟S4中，藉由研磨裝置4自晶圓We去除改質部。即，由複數個研削部44分階段地研削晶圓We之與電路面為相反側之背面，藉此去除晶圓We之改質部。於步驟S5中，藉由膠帶換貼裝置5撕掉保護膠帶Tb，並將晶圓We及框架Rf貼附於擴開用膠帶Te。即，擴開用膠帶貼附部54於自附框架Rf之晶圓We撕掉保護膠帶Tb後，向已被撕掉保護膠帶Tb之晶圓We貼附擴開用膠帶Te，並且將框架Rf貼附於擴開用膠帶Te。

於步驟S6中，藉由擴開裝置6使擴開用膠帶Te擴開，將晶圓We分割成複數個半導體晶片Ch。即，藉由使夾持部611以保持有框架Rf之狀態下降，而將抵接於擴開部606之擴開用膠帶Te向下方拉伸，從而使擴開用膠帶Te擴開。藉此，晶圓We會被因擴開而於擴開用膠帶Te產生之拉伸力沿著晶圓We之切割道Ws上所形成之龜裂分割，從而分割出複數個半導體晶片Ch。

於步驟S6之後，半導體晶片製造處理結束。

(開槽裝置及切割裝置各自之2個門之控制概要)

如圖11所示，於開槽裝置1中，藉由自雷射光照射部12照射之雷射光Lg進行晶圓We之加工。因此，作業人員Op進行供給加工前之晶圓We，並且取出加工後之晶圓We之更換作業。此處，所謂供給加工前之晶圓We，係指作業人員Op搬運載置有複數個晶圓We之狀態之匣盒Wc，並且將其設置於匣盒部11內之規定位置之作業。又，所謂取出加工後之晶圓We，表示作業人員Op將設置於匣盒部11內之規定位置之匣盒Wc向裝置外取出，並將其搬運至其他場地之作業。

第1實施方式之開槽裝置1為了抑制上述雷射光Lg洩漏，而具備裝置護罩部14、內側門15、外側門16及控制部17。裝置護罩部14構成為將匣盒部11、搬送部(未圖示)及雷射光照射部12收容於內部。內側門15設置於裝置護罩部14之匣盒部11之雷射光照射部12側之內壁部14a，構成為分別於藉由搬送部取出及收納晶圓We時打開。外側門16設置於裝置護罩部14之與匣盒部11之雷射光照射部12側為相反側之外壁部14b，構成為分別於由作業人員Op取出及收納晶圓We時打開。

控制部17構成為進行於使外側門16成為可打開狀態之情形時，維持內側門15關閉之狀態之控制。藉此，於作業人員Op為了進行更換作業而將外側門16打開時，內側門15已關閉，因此自雷射光照射部12照射之雷射光Lg不會向裝置外洩漏。

又，如圖12所示，於第1實施方式之切割裝置3中，藉由自雷射光照射部30a照射之雷射光Ld進行晶圓We之加工。因此，作業人員Op進行供給加工前之晶圓We，並且取出加工後之晶圓We之更換作業。

第1實施方式之切割裝置3為了抑制上述雷射光Ld洩漏，而具備裝置護罩部34、內側門35、外側門37及控制部39。裝置護罩部34構 成為將切割部30、匣盒部31、晶圓搬送部32及控制部39收容於內部。內側門35設置於裝置護罩部34之匣盒部31之雷射光照射部30a側之內壁部34a，構成為分別於藉由晶圓搬送部32取出及收納晶圓We時打開。外側門37設置於裝置護罩部34之與匣盒部31之雷射光照射部30a側為相反側之外壁部34c，構成為分別於由作業人員Op取出及收納晶圓We時打開。

控制部39構成為進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。藉此，於作業人員Op為了進行更換作業而將外側門37打開時，內側門35已關閉，因此自雷射光照射部30a照射之雷射光Ld不會向裝置外洩漏。

上述第1實施方式之開槽裝置1及第1實施方式之切割裝置3各自之2個門之控制相同，因此以下僅對切割裝置3之構成詳細地進行說明。

(切割裝置之構成)

如圖12及圖13所示，切割裝置3具備切割部30、匣盒部31、晶圓搬送部32、基座部33、裝置護罩部34、內側門35、內側門用上鎖部36、外側門37、外側門用上鎖部38及控制部39。

此處，將上下方向設為Z方向，將上方向設為Z1方向，並且將下方向設為Z2方向。將與Z方向正交之水平方向設為X方向，將X方向之一方向設為X1方向，將X方向之另一方向設為X2方向。又，將與X方向正交之水平方向設為Y方向，將Y方向之一方向設為Y1方向，將Y方向之另一方向設為Y2方向。

如圖13所示，切割部30包含雷射光照射部30a、夾具台部 30b、攝像部30c及攝像部30d。

雷射光照射部30a構成為沿著被晶圓搬送部32自匣盒部31取出並供給來之晶圓We之複數個切割道Ws中的各者照射雷射光Ld。具體而言，雷射光照射部30a構成為一面使晶圓We藉由夾具台部30b相對於雷射光照射部30a相對地移動，一面沿著晶圓We之複數個切割道Ws中的各者照射雷射光Ld。沿著晶圓We之複數個切割道Ws中的各者延伸之方向係加工方向。此處，加工方向為X1方向或X2方向。

夾具台部30b構成為藉由吸附貼附於保護膠帶Tb之框架Rf，而保持晶圓We。夾具台部30b構成為在吸附有框架Rf之狀態下旋動或於水平方向上移動。夾具台部30b具有旋動部301b、Y方向移動部302b及X方向移動部303b。

攝像部30c及攝像部30d分別構成為拍攝保持於夾具台部30b之晶圓We。攝像部30c及攝像部30d均為近紅外線攝像用相機。攝像部30c及攝像部30d分別能向Z1方向或Z2方向移動。

如圖12及圖13所示，匣盒部31構成為能收容複數個載置有複數個晶圓環構造體W之狀態之匣盒Wc，上述晶圓環構造體W係藉由貼附於保護膠帶Tb之晶圓We及框架Rf設置而成。具體而言，匣盒部31包含第1匣盒載置部31a、第2匣盒載置部31b、第3匣盒載置部31c及Z方向移動機構31d。

於第1匣盒載置部31a及第2匣盒載置部31b分別載置被作業人員Op收容了複數個加工前之晶圓We之匣盒Wc。又，於第1匣盒載置部31a及第2匣盒載置部31b分別載置被晶圓搬送部32收容了複數個加工後之晶圓We之匣盒Wc。作業人員Op自第1匣盒載置部31a及第2匣盒載置部 31b分別取出收容有複數個加工後之晶圓We之匣盒Wc。於第3匣盒載置部31c載置被晶圓搬送部32收容了複數個加工後之晶圓We之匣盒Wc。品質管理員自第3匣盒載置部31c取出收容有複數個加工後之晶圓We之匣盒Wc。即，載置於第3匣盒載置部31c之匣盒Wc內之加工後之晶圓We係用作定期檢查之晶圓We。再者，品質管理員為申請專利範圍中之「作業人員」之一例。

Z方向移動機構31d構成為使第1匣盒載置部31a、第2匣盒載置部31b及第3匣盒載置部31c一體地向Z1方向或Z2方向移動。Z方向移動機構31d例如具有線性輸送器模組或驅動部，該驅動部具有滾珠螺桿及附編碼器之馬達。

晶圓搬送部32構成為於匣盒部31與切割部30之間搬送晶圓環構造體W。具體而言，晶圓搬送部32具有夾持手部32a、Y方向移動機構32b、軌道部32c、軌道部32d、吸附手部32e及Z方向移動機構32f。

夾持手部32a構成為夾持晶圓環構造體W之框架Rf而將晶圓環構造體W自匣盒部31取出或向匣盒部31收容。

夾持手部32a於前端具有夾持晶圓環構造體W之框架Rf之夾持部321a。夾持部321a構成為於上下方向上夾持晶圓環構造體W之框架Rf之Y1方向側之端部。

夾持手部32a藉由Y方向移動機構32b向Y1方向或Y2方向移動。夾持手部32a藉由利用Y方向移動機構32b移動，來搬送晶圓環構造體W。Y方向移動機構32b例如具有線性輸送器模組或驅動部，該驅動部具有滾珠螺桿及附編碼器之馬達。

夾持手部32a藉由Y方向移動機構32b，將自匣盒部31取出 之晶圓環構造體W搬送至軌道部32c。夾持手部32a藉由Y方向移動機構32b，將已被搬送至軌道部32c之晶圓環構造體W搬送至軌道部32d。夾持手部32a藉由Y方向移動機構32b，將載置於軌道部32d之加工後之晶圓環構造體W收容於匣盒部31。

軌道部32c構成為自Z2方向側支持藉由夾持手部32a而被載置之晶圓環構造體W。軌道部32d構成為自Z2方向側支持藉由夾持手部32a及吸附手部32e中任一者而被載置之晶圓環構造體W。軌道部32c及軌道部32d自Y2方向側朝向Y1方向側依次排列而配置。軌道部32c配置於匣盒部31附近。軌道部32d配置於軌道部32c附近。

吸附手部32e構成為吸附晶圓環構造體W之框架Rf。吸附手部32e設置有用以吸附晶圓環構造體W之框架Rf之抽吸孔等。Z方向移動機構32f構成為使吸附手部32e向Z1方向或Z2方向移動。Z方向移動機構32f例如具有線性輸送器模組或驅動部，該驅動部具有滾珠螺桿及附編碼器之馬達。

切割部30及晶圓搬送部32設置於基座部33。

(裝置護罩部)

如圖12及圖13所示，裝置護罩部34覆蓋切割部30、匣盒部31、晶圓搬送部32、基座部33及控制部39。此種裝置護罩部34具有內壁部34a、內門用開口34b、外壁部34c及外門用開口34d。

內壁部34a係將匣盒部31與雷射光照射部30a之間區隔之裝置護罩部34之區隔壁。即，內壁部34a於裝置護罩部34內之空間中，將匣盒部31與雷射光照射部30a之間區隔開來。內門用開口34b於裝置護罩部 34內之空間中，使匣盒部31側之空間與雷射光照射部30a之空間連通。內門用開口34b係於Y方向上貫通內壁部34a之貫通孔，內門用開口34b配置於較外門用開口34d靠Z1方向側之高度位置。

外壁部34c係相對於內壁部34a而言，與雷射光照射部30a側為相反側(Y2方向側)之裝置護罩部34之壁。外壁部34c係設置於裝置護罩部34內之空間與外部空間之間的裝置護罩部34之區隔壁之一。外門用開口34d使裝置護罩部34內之空間中之匣盒部31側之空間與裝置護罩部34之外部空間連通。外門用開口34d係於Y方向上貫通外壁部34c之貫通孔，外門用開口34d配置於較內門用開口34b靠Z2方向側之高度位置。

(內側門)

如圖14所示，內側門35係為了屏蔽自雷射光照射部30a照射之雷射光Ld而設置之兩道門中之內側之門。再者，圖14係自Y1方向側觀察設置有內側門35之內壁部34a之圖。內側門35構成為分別於藉由晶圓搬送部32取出及收納晶圓環構造體W(晶圓We)時打開。

具體而言，內側門35具有門板35a、移動部35b、開關偵測感測器35c及晶圓偵測感測器35d(參照圖15)。

門板35a構成為將內門用開口34b封閉。於X方向及Z方向各者上，門板35a之尺寸大於內門用開口34b之尺寸。移動部35b構成為使門板35a於開關方向上移動。移動部35b由向Ci方向(關閉方向)或Oi方向(打開方向)移動之直線移動機構構成。此處，Oi方向係與Z1方向平行之方向，Ci方向係與Z2方向平行之方向。移動部35b具有螺線管351b、導軌352b及移動偵測感測器(未圖示)。再者，移動偵測感測器係偵測螺線管 351b之柱塞向Z1方向及Z2方向中之任一者移動之感測器。

開關偵測感測器35c係偵測內側門35之門板35a對內門用開口34b之打開或封閉之感測器。開關偵測感測器35c係具有磁場產生部351c及磁場偵測部352c之磁式感測器。再者，開關偵測感測器35c亦可為使用其他偵測方法之感測器。

開關偵測感測器35c於內側門35之門板35a將內門用開口34b封閉時，藉由使磁場產生部351c與磁場偵測部352c近接，而讓磁場偵測部352c偵測到自磁場產生部351c產生之磁場。藉此，開關偵測感測器35c偵測到內側門35之門板35a已將內門用開口34b封閉。開關偵測感測器35c於內側門35之門板35a將內門用開口34b打開時，藉由使磁場產生部351c與磁場偵測部352c分離，而讓磁場偵測部352c無法偵測到自磁場產生部351c產生之磁場。藉此，開關偵測感測器35c偵測到內側門35之門板35a已將內門用開口34b打開。

如圖15所示，晶圓偵測感測器35d係偵測由夾持手部32a搬送之晶圓環構造體W是否通過內門用開口34b之感測器。晶圓偵測感測器35d係具有投光部351d及受光部353d之透過型感測器。再者，晶圓偵測感測器35d亦可為使用其他偵測方法之感測器。

(內側上鎖部)

如圖16所示，內側門用上鎖部36構成為將內側門35上鎖。內側門用上鎖部36具有內側門上鎖用卡合部36a及內側門上鎖用被卡合部36b。

內側門上鎖用卡合部36a構成為卡合於內側門上鎖用被卡合部36b。內側門上鎖用卡合部36a安裝於內側門35之門板35a之Y2方向側 之面。內側門上鎖用卡合部36a具有收容部361a及突出桿部362a。收容部361a以可進退方式收容突出桿部362a。突出桿部362a藉由向Y2方向移動而自收容部361a突出。突出桿部362a藉由向Y1方向移動而收容於收容部361a。於突出桿部362a形成有在X方向上貫通之貫通孔363a。

內側門上鎖用被卡合部36b構成為卡合於內側門上鎖用卡合部36a。內側門上鎖用被卡合部36b安裝於支持裝置護罩部34之框架Fri。內側門上鎖用被卡合部36b具有收容部361b及突出桿部362b。收容部361b以可進退方式收容突出桿部362b。突出桿部362b藉由向X1方向移動而自收容部361b突出。突出桿部362b藉由向X2方向移動而收容於收容部361b。

根據上述構成，內側門用上鎖部36藉由將突出桿部362b插入突出桿部362a之貫通孔363a，而將內側門35上鎖。

(外側門)

如圖17所示，外側門37係為了屏蔽自雷射光照射部30a照射之雷射光Ld而設置之兩道門中之外側之門。再者，圖17係自Y2方向側觀察之設置有外側門37之外壁部34c之圖。外側門37構成為由作業人員Op手動於開關方向上移動。開關方向中之打開方向設為Oo方向，開關方向中之關閉方向設為Co方向。

具體而言，外側門37具有門板37a、把手部37b、開關偵測感測器37c及操作受理部37d。

門板37a構成為將外門用開口34d封閉。於X方向及Z方向各者上，門板37a之尺寸與外門用開口34d之尺寸大致相同。把手部37b構 成為使門板37a於開關方向上移動。把手部37b係用以供作業人員Op向Y2方向側拉拽，藉此使門板37a向Oo方向(打開方向)旋動之構件。把手部37b係用以供作業人員Op向Y1方向側推動，藉此使門板37a向Co方向(關閉方向)旋動之構件。

開關偵測感測器37c於外側門37之門板37a將外門用開口34d封閉時，藉由使磁場產生部371c與磁場偵測部372c近接，而讓磁場偵測部372c偵測到自磁場產生部371c產生之磁場。藉此，開關偵測感測器37c偵測到外側門37之門板37a已將外門用開口34d封閉。開關偵測感測器37c於外側門37之門板37a將外門用開口34d打開時，藉由使磁場產生部371c與磁場偵測部372c分離，而讓磁場偵測部372c無法偵測到自磁場產生部371c產生之磁場。藉此，開關偵測感測器37c偵測到外側門37之門板37a已將外門用開口34d打開。

操作受理部37d構成為受理作業人員Op之操作。操作受理部37d具有解鎖操作受理部371d、第3匣盒更換請求部372d、第1匣盒更換請求部373d、第2匣盒更換請求部374d及上鎖操作受理部375d。解鎖操作受理部371d、第3匣盒更換請求部372d、第1匣盒更換請求部373d、第2匣盒更換請求部374d及上鎖操作受理部375d分別為自Z1方向側朝向Z2方向側排列而配置之複數個(5個)按鈕。再者，按鈕之數量亦可為1~4個或6個以上。

解鎖操作受理部371d構成為能受理作業人員Op之操作(按壓操作)。解鎖操作受理部371d構成為基於已受理作業人員Op之操作，而向控制部39發送將外側門用上鎖部38對外側門37之上鎖解除之信號。解鎖操作受理部371d常態亮燈。解鎖操作受理部371d構成為第1匣盒更換請 求部373d、第2匣盒更換請求部374d及第3匣盒更換請求部372d中之任一者受理作業人員Op之操作後，於打開外側門37之準備完成之時點閃爍。若作業人員Op打開了外側門37，則解鎖操作受理部371d熄燈。解鎖操作受理部371d構成為基於作業人員Op操作了上鎖操作受理部375d，外側門37已被上鎖，而亮燈。

第3匣盒更換請求部372d構成為能受理品質管理員之操作(按壓操作)。品質管理員為了定期地以目視方式對晶圓We進行檢查而操作第3匣盒更換請求部372d。第3匣盒更換請求部372d構成為基於已受理品質管理員之操作，而向控制部39發送請求使第3匣盒載置部31c移動至取出位置(圖23之Pd位置)之信號。

第3匣盒載置部31c內能收納匣盒Wc時，第3匣盒更換請求部372d亮燈。第3匣盒載置部31c內無匣盒Wc時，第3匣盒更換請求部372d熄燈。第3匣盒載置部31c內裝滿匣盒Wc時，第3匣盒更換請求部372d閃爍，來告知需要取出匣盒Wc。第3匣盒更換請求部372d基於已受理品質管理員之操作，而開始高速閃爍，並且向控制部39發送請求使第3匣盒載置部31c移動至取出位置之信號。第3匣盒更換請求部372d構成為基於品質管理員操作了上鎖操作受理部375d，外側門37已被上鎖，而結束高速閃爍，恢復為常態亮燈。

第1匣盒更換請求部373d構成為能受理作業人員Op之操作。作業人員Op為了更換載置於第1匣盒載置部31a之匣盒Wc而操作第1匣盒更換請求部373d。第1匣盒更換請求部373d構成為基於已受理作業人員Op之操作，而向控制部39發送請求使第1匣盒載置部31a移動至取出位置(圖23之Pd位置)之信號。

第1匣盒載置部31a內能收納匣盒Wc時，第1匣盒更換請求部373d亮燈。第1匣盒載置部31a內無匣盒Wc時，第1匣盒更換請求部373d熄燈。第1匣盒載置部31a內裝滿加工完畢之匣盒Wc時，第1匣盒更換請求部373d閃爍，來告知需要取出匣盒Wc。第1匣盒更換請求部373d基於已受理作業人員Op之操作，而開始高速閃爍，並且向控制部39發送請求使第1匣盒載置部31a移動至取出位置之信號。第1匣盒更換請求部373d構成為基於作業人員Op操作了上鎖操作受理部375d，外側門37已被上鎖，而結束高速閃爍，恢復為常態亮燈。

第2匣盒更換請求部374d構成為能受理作業人員Op之操作。作業人員Op為了更換載置於第2匣盒載置部31b之匣盒Wc而操作第2匣盒更換請求部374d。第2匣盒更換請求部374d構成為基於已受理作業人員Op之操作，而向控制部39發送請求使第2匣盒載置部31b移動至取出位置(圖23之Pd位置)之信號。

第2匣盒載置部31b內能收納匣盒Wc時，第2匣盒更換請求部374d亮燈。第2匣盒載置部31b內無匣盒Wc時，第2匣盒更換請求部374d熄燈。第2匣盒載置部31b內滿載加工完畢之匣盒Wc時，第2匣盒更換請求部374d閃爍，來告知需要取出匣盒Wc。第2匣盒更換請求部374d基於已受理作業人員Op之操作，而開始高速閃爍，並且向控制部39發送請求使第2匣盒載置部31b移動至取出位置之信號。第2匣盒更換請求部374d構成為基於作業人員Op操作了上鎖操作受理部375d，外側門37已被上鎖，而結束高速閃爍，恢復為常態亮燈。

上鎖受理部365d構成為能受理作業人員Op之操作。上鎖受理部365d構成為基於已受理作業人員Op之操作，而向控制部39發送藉由 外側門用上鎖部38將外側門37上鎖之信號。上鎖操作受理部375d常態亮燈。若作業人員Op打開了外側門37，則上鎖操作受理部375d閃爍。上鎖操作受理部375d構成為基於在外側門37被作業人員Op關閉後，作業人員Op操作了上鎖操作受理部375d，而向控制部39發送將外側門37上鎖之信號。上鎖操作受理部375d構成為於作業人員Op將外側門37上鎖後，恢復為常態亮燈。

(外側門用上鎖部)

如圖19所示，外側門用上鎖部38構成為將外側門37上鎖。外側門用上鎖部38具有外側門上鎖用卡合部38a及外側門上鎖用被卡合部38b。

外側門上鎖用卡合部38a構成為卡合於外側門上鎖用被卡合部38b。外側門上鎖用卡合部38a安裝於外側門37之門板37a之Y1方向側之面。外側門上鎖用卡合部38a具有收容部381a及突出桿部382a。收容部381a以可進退方式收容突出桿部382a。突出桿部382a藉由向Y1方向移動而自收容部381a突出。突出桿部382a藉由向Y1方向移動而收容於收容部381a。於突出桿部382a形成有在Z方向上貫通之貫通孔383a。

外側門上鎖用被卡合部38b構成為卡合於外側門上鎖用卡合部38a。外側門上鎖用被卡合部38b安裝於支持裝置護罩部34之框架Fro。外側門上鎖用被卡合部38b具有收容部381b及突出桿部382b。收容部381b以可進退方式收容突出桿部382b。突出桿部382b藉由向Z1方向移動而自收容部381b突出。突出桿部382b藉由向Z2方向移動而收容於收容部381b。

根據上述構成，外側門用上鎖部38藉由將突出桿部382b插 入突出桿部382a之貫通孔383a，而將外側門37上鎖。

(控制部)

控制部39構成為分別控制切割部30、匣盒部31、晶圓搬送部32、內側門35、內側門用上鎖部36及外側門用上鎖部38，以藉由切割裝置3進行晶圓We之加工。控制部39與切割部30、匣盒部31、晶圓搬送部32、內側門35、內側門用上鎖部36、外側門37及外側門用上鎖部38分別相互電性連接。

具體而言，控制部39包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、以及具有ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)及SSD(Solid State Drive，固態驅動器)等之記憶部。記憶部中記憶有控制切割裝置3之控制程式。

<由作業人員執行之匣盒更換>

如圖20所示，第1實施方式之控制部39構成為控制兩道門之開關，以於自雷射光照射部30a照射雷射光Ld之期間，亦能由作業人員Op(質保人員)執行自匣盒部31取出匣盒Wc、及向匣盒部31收納新的匣盒Wc中之至少任一操作。再者，圖20~圖26中模式性地示出了由作業人員Op更換匣盒之情況之一例。此處，所謂匣盒更換，表示自匣盒部31取出匣盒Wc後，向匣盒部31收納新的匣盒Wc。

即，控制部39構成為進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。具體而言，控制部39構成為 在藉由雷射光照射部30a照射雷射光Ld時，進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。此時，控制部39構成為進行如下控制：於藉由晶圓搬送部32進行了晶圓We之取出及收納而使得內側門35已打開之情形時，在檢測到內側門35已關閉後，使外側門37成為可打開狀態。

以下，關於使外側門37成為可打開狀態之控制性構成，示出由作業人員Op更換匣盒Wc之一例來進行說明。此處，示出如下情境作為一例：在藉由自雷射光照射部30a照射之雷射光Ld加工晶圓We時，作業人員Op更換載置於第1匣盒載置部31a之匣盒Wc。再者，由作業人員Op更換載置於第2匣盒載置部31b之匣盒Wc之情形時、及由品質管理員更換載置於第3匣盒載置部31c之匣盒Wc之情形時等，亦會進行使外側門37成為可打開狀態之控制。

<能否開始使外側門成為可打開狀態之處理之判定>

首先，於控制部39中，進行能否開始使外側門37成為可打開狀態之處理之判定。以下對該判定進行說明。

如圖21所示，控制部39構成為進行如下控制：基於已獲取(接收)到由作業人員Op操作第1匣盒更換請求部373d之信號，而對載置於第1匣盒載置部31a之匣盒Wc內之對應之複數個晶圓We中是否存在當前正被雷射光照射部30a加工之晶圓We(加工中之晶圓We)進行判定。此處，由作業人員Op指定之第1匣盒更換請求部373d係由作業人員Op指定之對象之匣盒Wc。又，所謂加工中之晶圓We，係指自對象之匣盒Wc內搬送而來，被搬送至雷射光照射部30a，正由雷射光Ld進行加工之晶圓We。 又，匣盒Wc內之複數個晶圓We各自之位置等資訊已預先記憶於外部伺服器等。

控制部39構成為進行如下控制：當判定對象之匣盒Wc中無當前正被雷射光照射部30a加工之晶圓We時，對載置於第1匣盒載置部31a之匣盒Wc(對象之匣盒Wc)內之對應之複數個晶圓We中是否存在尚未被雷射光照射部30a加工之晶圓We(未加工之晶圓We)進行判定。控制部39構成為進行如下控制：當判定存在尚未被雷射光照射部30a加工之晶圓We時，向作業人員Op顯示受理是否進行匣盒更換之判斷之畫面。控制部39構成為於自作業人員Op受理了不進行匣盒更換之判斷之情形時，結束控制。控制部39構成為進行如下控制：於自作業人員Op受理了進行匣盒更換之判斷之情形時，對是否存在下述尚未被收納於匣盒部31內之晶圓We進行判定。

控制部39構成為進行如下控制：當判定無尚未被雷射光照射部30a加工之晶圓We時，對載置於第1匣盒載置部31a之匣盒Wc(對象之匣盒Wc)內之對應之複數個晶圓We中是否存在正被晶圓搬送部32搬送之晶圓We進行判定。控制部39構成為進行如下控制：當無搬送中之晶圓We時，對下述內側門35及外側門37各自之上鎖狀態進行判定。控制部39構成為進行如下控制：當存在搬送中之晶圓We時，待機至搬送中之晶圓We被晶圓搬送部32之夾持手部32a收納至載置於第1匣盒載置部31a之匣盒Wc內為止。

藉由如上所述之控制，於控制部39中，進行能否開始使外側門37成為可打開狀態之處理之判定。當判定結果為能開始使外側門37成為可打開狀態之處理時，於控制部39中，開始使外側門37成為可打開 狀態之處理。當判定結果為無法開始處理時，結束控制部39之控制。

<使外側門成為可打開狀態之處理>

其次，以下參照圖21~圖26，對在控制部39中使外側門37成為可打開狀態之處理進行說明。

如圖21及圖22所示，控制部39構成為基於內側門35已以被內側門用上鎖部36上鎖之狀態關閉，而開始使外側門37成為可打開狀態之處理。

此處，控制部39構成為進行如下控制：於內側門35已打開之情形時，藉由移動部35b使內側門35向Ci方向(關閉方向)移動，在檢測到內側門35已關閉後，使外側門37成為可打開狀態。具體而言，控制部39構成為進行如下控制：於藉由開關偵測感測器35c偵測到門板35a已打開之情形時，藉由移動部35b使門板35a向Ci方向移動。又，控制部39構成為進行如下控制：基於開關偵測感測器35c偵測到門板35a已關閉，而藉由內側門用上鎖部36將內側門35上鎖。控制部39構成為進行如下控制：於偵測到內側門用上鎖部36對內側門35之上鎖後，使外側門37成為可打開狀態。

又，控制部39構成為進行如下控制：基於外側門37已以被外側門用上鎖部38上鎖之狀態關閉，而開始使外側門37成為可打開狀態之處理。

此處，控制部39構成為進行如下控制：於外側門37已打開之情形時，在檢測到外側門37已被作業人員Op關閉後，使外側門37成為可打開狀態。具體而言，控制部39構成為進行如下控制：基於開關偵測感 測器37c偵測到門板37a已關閉，而藉由外側門用上鎖部38將外側門37上鎖。控制部39構成為進行如下控制：於偵測到外側門用上鎖部38對外側門37之上鎖後，使外側門37成為可打開狀態。

如圖23所示，控制部39構成為進行如下控制：基於內側門35已以被內側門用上鎖部36上鎖之狀態關閉，且外側門37已以被外側門用上鎖部38上鎖之狀態關閉，而藉由Z方向移動機構31d使載置有已受理由作業人員Op來加以更換之操作的晶圓We之匣盒部31內之匣盒Wc移動至可更換之Pd位置。再者，雖僅為一例，但圖23中係使載置於第1匣盒載置部31a之匣盒Wc移動至Pd位置。

此處，控制部39構成為於內側門35已以被內側門用上鎖部36上鎖之狀態關閉，且外側門37已以被外側門用上鎖部38上鎖之狀態關閉以外之情形時，不進行使外側門37成為可打開狀態之處理。該情形時，控制部39之控制結束。

控制部39構成為進行如下控制：基於已將匣盒Wc移動至可更換之Pd位置，而進行不受理將內側門35打開之信號之設定，並且使外側門用上鎖部38對外側門37之上鎖成為可解除狀態。此處，所謂不受理將內側門35打開之信號之設定表示如下設定：於控制部39中，不受理自切割部30、匣盒部31及晶圓搬送部32等發送來之請求將內側門35打開之信號。

如圖24所示，控制部39構成為進行如下控制：於外側門37之上鎖為可解除狀態之情形時，基於已自解鎖操作受理部371d獲取將外側門37解鎖之信號，而將外側門37解鎖，使外側門37成為可打開狀態。此處，外側門37之上鎖為可解除狀態係藉由基於來自控制部39之信號， 使解鎖操作受理部371d閃爍，而被告知作業人員Op。

具體而言，控制部39構成為進行於外側門37之上鎖為可解除狀態之情形時，使解鎖操作受理部371d閃爍之控制。控制部39構成為進行如下控制：基於已獲取藉由作業人員Op之操作而自解鎖操作受理部371d發送來之將外側門37解鎖之信號，而將外側門37解鎖，使外側門37成為可打開狀態。

藉由上述控制，如圖25所示，作業人員Op能將外側門37打開。此時，內側門35已被內側門用上鎖部36上鎖。作業人員Op於打開外側門37後，自第1匣盒載置部31a取出匣盒Wc，然後將新的匣盒Wc載置於第1匣盒載置部31a。繼而，作業人員Op於關閉外側門37後，進行按壓上鎖操作受理部375d之操作。

此處，控制部39構成為進行如下控制：基於開關偵測感測器37c偵測到外側門37已被作業人員Op打開，而使解鎖操作受理部371d熄燈，並且使上鎖操作受理部375d閃爍。控制部39構成為進行如下控制：基於開關偵測感測器37c偵測到外側門37已被作業人員Op關閉，而使解鎖操作受理部371d常態亮燈，並且使上鎖操作受理部375d常態亮燈。又，控制部39構成為進行使匣盒部31回到原來位置之控制。

藉由上述控制，進行使外側門37成為可打開狀態之處理。

作為此種使外側門37成為可打開狀態之處理之一例，示出了如下情形：於自雷射光照射部30a照射雷射光Ld之期間，作業人員Op(質保人員)執行自匣盒部31取出匣盒Wc、及向匣盒部31收納新的匣盒Wc中之至少任一操作。此處，作為使外側門37成為可打開狀態之處理之另一例，如圖27所示，示出了如下情形：於晶圓搬送部32之夾持手部32a 搬送晶圓We之期間，作業人員Op(質保人員)執行自匣盒部31取出匣盒Wc、及向匣盒部31收納新的匣盒Wc中之至少任一操作。

<藉由晶圓搬送部執行之晶圓之取出及收納>

如圖28所示，第1實施方式之控制部39構成為進行如下控制：於作業人員Op(質保人員)未執行自匣盒部31取出匣盒Wc、及向匣盒部31收納新的匣盒Wc中之至少任一操作之情形時，藉由晶圓搬送部32之夾持手部32a取出及收納晶圓We。再者，圖28~圖31中模式性地示出了藉由夾持手部32a自匣盒Wc取出晶圓We之情況之一例。

即，控制部39構成為進行於將內側門35打開之情形時，維持外側門37關閉之狀態之控制。此時，控制部39構成為進行如下控制：於由作業人員Op進行了晶圓We之取出及收納而使得外側門37已打開之情形時，在檢測到外側門37已關閉後，將內側門35打開。

以下，關於將內側門35打開之控制性構成，示出藉由夾持手部32a取出晶圓We之情境作為一例。再者，於藉由夾持手部32a收納晶圓We之情形時等，亦會進行相同之將內側門35打開之控制。

如圖28所示，控制部39構成為進行如下控制：基於已自晶圓搬送部32接收到與所取出之晶圓We相關之資訊，而對內側門35及外側門37各自是否已打開進行判定。控制部39構成為進行如下控制：當外側門37已打開時，於檢測到外側門37已被作業人員Op關閉後，將內側門35打開。又，控制部39構成為進行如下控制：當內側門35已打開時，在檢測到內側門35已關閉後，將內側門35打開。此處，所謂來自晶圓搬送部32之與所取出之晶圓We相關之資訊，包含收容晶圓We之位置資訊(位址 資訊)等。

即，控制部39構成為進行如下控制：當內側門35已打開時，藉由晶圓偵測感測器35d對內門用開口34b內是否存在晶圓We進行判定。控制部39構成為進行如下控制：基於已判定無晶圓We，而將內側門35關閉。控制部39構成為進行如下控制：基於開關偵測感測器35c偵測到內側門35已關閉，而藉由內側門用上鎖部36將內側門35上鎖。控制部39構成為進行如下控制：基於偵測到內側門35已被內側門用上鎖部36上鎖，而將內側門35打開。

如此，控制部39構成為進行如下控制：於檢測到外側門37已以被外側門用上鎖部38上鎖之狀態關閉，且內側門35已以被內側門用上鎖部36上鎖之狀態關閉後，將內側門用上鎖部36對內側門35之上鎖解除，並且將內側門35打開。

具體而言，如圖28所示，控制部39構成為進行如下控制：基於檢測到外側門37已以被外側門用上鎖部38上鎖之狀態關閉，且內側門35已以被內側門用上鎖部36上鎖之狀態關閉，而藉由Z方向移動機構31d使載置有與來自晶圓搬送部32之資訊對應之晶圓We的匣盒部31內之匣盒Wc移動至可更換之Pt位置。再者，雖僅為一例，但圖28中係使載置於第1匣盒載置部31a之匣盒Wc移動至Pt位置。

控制部39構成為進行如下控制：基於已將匣盒Wc移動至可更換之Pt位置，而進行不受理將外側門37之上鎖解除之信號之設定，並且將內側門用上鎖部36對內側門35之上鎖解除。此處，所謂不受理將外側門37之上鎖解除之信號之設定表示如下設定：於控制部39中，不受理自切割部30、匣盒部31及晶圓搬送部32等發送來之請求將外側門37之上 鎖解除之信號。

如圖30所示，控制部39構成為進行如下控制：基於偵測到內側門用上鎖部36對內側門35之上鎖已被解除，而將內側門35打開。控制部39構成為進行如下控制：基於藉由開關偵測感測器35c偵測到內側門35已打開，而向晶圓搬送部32發送表示能夠取出晶圓We之資訊。如此，控制部39構成為進行如下控制：於藉由晶圓搬送部32進行晶圓We之取出(或收納)時，將內側門用上鎖部36對內側門35之上鎖解除，並且將內側門35打開。

如圖31所示，控制部39構成為進行如下控制：基於已自晶圓搬送部32接收到與取出晶圓We之完成相關之資訊，而將內側門35關閉。控制部39構成為進行如下控制：基於藉由開關偵測感測器35c偵測到內側門35已關閉，而藉由內側門用上鎖部36將內側門35上鎖。控制部39構成為基於偵測到內側門用上鎖部36對內側門35之上鎖，而結束控制。

藉由上述控制，進行將內側門35打開之處理。

(外側門開關處理)

此處，參照圖32，對作業人員Op取出及收納匣盒Wc時所進行之外側門開關處理進行說明。

如圖32所示，於步驟S101中，控制部39對是否已接收到來自操作受理部37d(第3匣盒更換請求部372d、第1匣盒更換請求部373d及第2匣盒更換請求部374d中之任一者)之信號進行判定(參照圖21)。當已接收到來自操作受理部37d之信號時，進入步驟S102，當未接收到來自操作受理部37d之信號時，結束外側門開關處理。於步驟S102中，控制部39對 雷射光照射部30a當前是否正在加工對象之匣盒Wc之對應之晶圓We進行判定。即，控制部39判定對象之匣盒Wc內之對應之複數個晶圓We中是否存在當前正被雷射光照射部30a加工之加工中之晶圓We。當無加工中之晶圓We時，進入步驟S103，當存在加工中之晶圓We時，結束外側門開關處理。

於步驟S103中，控制部39判定對象之匣盒Wc內是否存在未加工之晶圓We。即，控制部39判定對象之匣盒Wc內之對應之複數個晶圓We中是否存在尚未被雷射光照射部30a加工之晶圓We(未加工之晶圓We)。當無未加工之晶圓We時，進入步驟S104，當存在未加工之晶圓We時，進入步驟S112。於步驟S112中，控制部39為了於存在未加工之晶圓We時亦進行外側門37之開關，而對是否已受理作業人員Op繼續執行處理之操作進行判定。當受理了作業人員Op繼續執行處理之操作時，進入步驟S104，當受理了作業人員Op不繼續執行處理之操作時，結束外側門開關處理。

於步驟S104中，控制部39判定是否正在搬送對象之匣盒Wc之對應之晶圓We。即，控制部39判定對象之匣盒Wc內之對應之複數個晶圓We中是否存在正被晶圓搬送部32搬送之搬送中之晶圓We。當無搬送中之晶圓We時，進入步驟S105，當存在搬送中之晶圓We時，重複步驟S104。

於步驟S105中，控制部39對外側門37及內側門35是否皆已上鎖進行判定(參照圖22)。當外側門37及內側門35皆已上鎖時，進入步驟S106，當外側門37及內側門35中至少一者未上鎖時，結束外側門開關處理。

於步驟S106中，控制部39使匣盒Wc移動至對準外門用開口34d之規定位置(Pd位置)(參照圖23)。於步驟S107中，控制部39進行不受理將內側門35打開之信號之設定。於步驟S108中，控制部39使外側門用上鎖部38之上鎖成為可解除狀態。於步驟S109中，控制部39對是否已受理作業人員Op對解鎖操作受理部371d之操作進行判定(參照圖24)。當已受理作業人員Op對解鎖操作受理部371d之操作時，解除外側門用上鎖部38所實施之上鎖後，進入步驟S110。當未受理作業人員Op對解鎖操作受理部371d之操作時，重複步驟S109。

於步驟S110中，控制部39對是否已受理作業人員Op對上鎖操作受理部375d之操作進行判定(參照圖25及圖26)。當已受理作業人員Op對上鎖操作受理部375d之操作時，進入步驟S111。當未受理作業人員Op對上鎖操作受理部375d之操作時，重複步驟S110。於步驟S111中，控制部39在藉由外側門用上鎖部38將外側門37上鎖後，結束外側門開關處理。

(內側門開關處理)

此處，參照圖33，對藉由晶圓搬送部32取出及收納晶圓We時所進行之內側門開關處理進行說明。

於步驟S201中，控制部39對自晶圓搬送部32是否已接收到與晶圓We相關之資訊(晶圓We之取出或收納之資訊)進行判斷。當已接收到與晶圓We相關之資訊時，進入步驟S202，當未接收到與晶圓We相關之資訊時，結束內側門開關處理。於步驟S202中，控制部39對外側門37是否已上鎖進行判斷。當外側門37已上鎖時，進入步驟S203，當外側門37 未上鎖時，重複步驟S202。

於步驟S203中，控制部39對內側門35是否已上鎖進行判斷。當內側門35已上鎖時，進入步驟S204，當內側門35未上鎖時，進入步驟S212。於步驟S212中，控制部39對藉由晶圓偵測感測器35d於內門用開口34b內是否偵測到晶圓We進行判定。當偵測到晶圓We時，重複步驟S212，當未偵測到晶圓We時，進入步驟S213。於步驟S213中，控制部39在關閉內側門35後，將內側門35上鎖。

於步驟S204中，控制部39使由晶圓搬送部32指定之匣盒Wc移動至對準內門用開口34b之Pt位置(參照圖29)。於步驟S205中，控制部39進行不受理使外側門37之上鎖能夠解除之信號之設定。於步驟S206中，控制部39將內側門用上鎖部36解鎖。於步驟S207中，控制部39對是否偵測到內側門用上鎖部36之解鎖進行判定。當偵測到內側門用上鎖部36之解鎖時，進入步驟S208，當未偵測到內側門用上鎖部36之解鎖時，重複步驟S207。

於步驟S208中，控制部39將內側門35打開。於步驟S209中，控制部39基於開關偵測感測器35c之偵測結果，對內側門35是否已打開進行判定。當內側門35已打開時，進入步驟S210，當內側門35未打開時，重複步驟S209。於步驟S210中，控制部39對自晶圓搬送部32是否已接收到與(晶圓We之取出及收納)完成相關之資訊進行判定。當已接收到與完成相關之資訊時，進入步驟S211，當未接收到與完成相關之資訊時，重複步驟S210。於步驟S211中，控制部39在關閉內側門35後，將內側門35上鎖，結束內側門開關處理。

如此，利用半導體晶片製造處理所製造出之半導體晶片Ch 係藉由切割裝置3製造而成，上述切割裝置3具備：匣盒部31；晶圓搬送部32；雷射光照射部30a；裝置護罩部34；內側門35，其設置於內壁部34a，分別於藉由晶圓搬送部32取出及收納晶圓We時打開；外側門37，其設置於外壁部34c，分別於由作業人員Op取出及收納晶圓We時打開；及控制部39，其進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。

又，半導體晶片Ch之製造方法包含步驟S3，即，於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態，上述外側門37分別在由作業人員Op取出及收納晶圓We時打開，上述內側門35分別在藉由相對於匣盒部31進行晶圓We之取出及收納之晶圓搬送部32取出及收納晶圓We時打開。半導體晶片Ch之製造方法包含步驟S3，即，沿著設置有複數個半導體晶片Ch之晶圓We之複數個切割道Ws中的各者照射雷射光Ld。半導體晶片Ch之製造方法包含步驟S6，即，利用擴開部606使擴開用膠帶Te擴開，藉此沿著複數個切割道Ws中的各者將晶圓We分割成複數個半導體晶片Ch。

(第1實施方式之效果)

第1實施方式中，能獲得以下所述之效果。

第1實施方式中，如上所述，切割裝置3具備：內側門35，其分別於藉由晶圓搬送部32取出及收納晶圓We時打開；外側門37，其分別於由作業人員Op取出及收納晶圓We時打開；及控制部39，其進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。如此，藉由進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35 關閉之狀態之控制，在作業人員Op為了更換匣盒部31之晶圓We而將外側門37打開時，內側門35已切實地關閉，因此自晶圓搬送部32及雷射光照射部30a照射之雷射光Ld被內側門35切實地遮擋。故而，於晶圓搬送部32搬送晶圓We之情形、及自雷射光照射部30a照射雷射光Ld之情形中之任一情形時，作業人員Op亦能將外側門37打開來進行晶圓We之更換作業。結果，與使晶圓搬送部32及雷射光照射部30a停止後再進行晶圓We之更換作業之情形時相比，能抑制作業人員Op更換晶圓We之更換作業所導致的半導體晶片Ch之生產效率之降低。

又，第1實施方式中，如上所述，控制部39構成為在藉由雷射光照射部30a照射雷射光Ld時，進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。如此，自雷射光照射部30a照射之雷射光Ld會被內側門35切實地遮擋，故而即便於藉由雷射光照射部30a照射雷射光Ld之期間，作業人員Op亦能將外側門37打開以更換晶圓We。結果，與使晶圓搬送部32及雷射光照射部30a停止後再進行晶圓We之更換作業之情形時相比，能抑制作業人員Op更換晶圓We之更換作業所導致的半導體晶片Ch之生產效率之降低。

又，第1實施方式中，如上所述，控制部39構成為進行如下控制：於藉由晶圓搬送部32進行了晶圓We之取出及收納而使得內側門35已打開之情形時，在檢測到內側門35已關閉後，使外側門37成為可打開狀態。如此，只有於控制部39中確認到內側門35已關閉後，作業人員Op方能將外側門37打開，故而能更切實地為作業人員Op遮擋住自晶圓搬送部32及雷射光照射部30a照射之雷射光Ld。

又，第1實施方式中，如上所述，切割裝置3具備使內側門 35於開關方向上移動之移動部35b。控制部39構成為進行如下控制：於內側門35已打開之情形時，藉由移動部35b使內側門35向Ci方向移動，在檢測到內側門35已關閉後，使外側門37成為可打開狀態。如此，能藉由控制部39之控制使內側門35自動關閉，故而與內側門35基於作業人員Op之操作而關閉之情形時相比，能抑制作業人員Op之作業負擔增加。

又，第1實施方式中，如上所述，控制部39構成為進行如下控制：於由作業人員Op進行了晶圓We之取出及收納而使得外側門37已打開之情形時，在檢測到外側門37已關閉後，將內側門35打開。如此，只有於控制部39中確認到外側門37已關閉後，方能藉由控制部39進行將內側門35打開之控制，故而能切實地避免自雷射光照射部30a照射之雷射光Ld向裝置外洩漏。

又，第1實施方式中，如上所述，外側門37構成為由作業人員Op手動於開關方向(Oo方向及Co方向)上移動。控制部39構成為進行如下控制：於外側門37已打開之情形時，在檢測到外側門37已被作業人員Op關閉後，將內側門35打開。如此，只有於控制部39中確認到外側門37已關閉後，方能將內側門35打開，故而能切實地避免自雷射光照射部30a照射之雷射光Ld向裝置外洩漏。

又，第1實施方式中，如上所述，切割裝置3具備將內側門35上鎖之內側門用上鎖部36。控制部39構成為基於內側門35已以被內側門用上鎖部36上鎖之狀態關閉，而開始使外側門37成為可打開狀態之處理。如此，只有將內側門用上鎖部36解鎖，方能將內側門35打開，故而能避免在打開外側門37後，作業人員Op將內側門35打開。

又，第1實施方式中，如上所述，切割裝置3具備將外側門 37上鎖之外側門用上鎖部38。控制部39構成為進行如下控制：基於內側門35已以被內側門用上鎖部36上鎖之狀態關閉，且外側門37已以被外側門用上鎖部38上鎖之狀態關閉，而使載置有晶圓We之匣盒部31內之匣盒Wc移動至可更換之Pd位置，上述晶圓We已被受理由作業人員Op來加以更換之操作。如此，使匣盒Wc移動至可更換之Pd位置時，內側門35及外側門37兩者皆已關閉，故而能避免晶圓搬送部32及作業人員Op各自與匣盒Wc干涉。

又，第1實施方式中，如上所述，控制部39構成為進行如下控制：基於已將匣盒Wc移動至可更換位置，而進行不受理將內側門35打開之信號之設定，並且使外側門用上鎖部38對外側門37之上鎖成為可解除狀態。如此，即便自匣盒部31、晶圓搬送部32及雷射光照射部30a等向控制部39發送了將內側門35打開之信號，控制部39亦不受理上述信號，故而能更切實地避免於解除外側門用上鎖部38對外側門37之上鎖後內側門35被打開。

又，第1實施方式中，如上所述，切割裝置3具備解鎖操作受理部371d，上述解鎖操作受理部371d構成為能受理作業人員Op之操作，基於已受理作業人員Op之操作，而向控制部39發送將外側門用上鎖部38對外側門37之上鎖解除之信號。控制部39構成為進行如下控制：於外側門37之上鎖為可解除狀態之情形時，基於已自解鎖操作受理部371d獲取將外側門37解鎖之信號，而將外側門37解鎖，使外側門37成為可打開狀態。如此，作業人員Op能將外側門37解鎖，故而能於作業人員Op之計劃時序將外側門37打開。

又，第1實施方式中，如上所述，切割裝置3具備將外側門 37上鎖之外側門用上鎖部38。控制部39構成為於內側門35已以被內側門用上鎖部36上鎖之狀態關閉，且外側門37已以被外側門用上鎖部38上鎖之狀態關閉以外之情形時，不進行使外側門37成為可打開狀態之處理。如此，只有內側門35及外側門37皆已上鎖，方會開始使外側門37成為可打開狀態之處理，故而能避免於使外側門37成為可打開狀態之處理完成前，作業人員Op誤將外側門37打開。

又，第1實施方式中，如上所述，切割裝置3具備上鎖操作受理部375d，上述上鎖操作受理部375d構成為能受理作業人員Op之操作，基於已受理作業人員Op之操作，而向控制部39發送藉由外側門用上鎖部38將外側門37上鎖之信號。如此，作業人員Op能將外側門37上鎖，故而能讓作業人員Op認識到已將外側門37上鎖。

又，第1實施方式中，如上所述，切割裝置3具備將內側門35上鎖之內側門用上鎖部36。控制部39構成為進行如下控制：於藉由晶圓搬送部32進行晶圓We之取出及收納時，將內側門用上鎖部36對內側門35之上鎖解除，並且將內側門35打開。如此，能使內側門35自動打開，故而能藉由晶圓搬送部32順利地進行晶圓We之取出及收納。

又，第1實施方式中，如上所述，切割裝置3具備將外側門37上鎖之外側門用上鎖部38。控制部39構成為進行如下控制：於檢測到外側門37已以被外側門用上鎖部38上鎖之狀態關閉，且內側門35已以被內側門用上鎖部36上鎖之狀態關閉後，將內側門用上鎖部36對內側門35之上鎖解除，並且將內側門35打開。如此，只有內側門35及外側門37皆已上鎖，方能將內側門用上鎖部36對內側門35之上鎖解除，故而能於外側門37會被打開之風險已降低之狀態下將內側門35打開。

又，第1實施方式中，如上所述，內側門用上鎖部36包含：內側門上鎖用卡合部36a，其設置於內側門35；及內側門上鎖用被卡合部36b，其僅於內側門35關閉之狀態下，與內側門上鎖用卡合部36a卡合而將內側門35上鎖。如此，內側門上鎖用被卡合部36b會在內側門35略微打開之狀態下卡合於內側門上鎖用卡合部36a，能避免控制部39誤認為內側門35已以關閉狀態上鎖，故而能避免於內側門35略微打開之狀態下自雷射光照射部30a照射雷射光Ld。

又，第1實施方式中，如上所述，外側門用上鎖部38包含：外側門上鎖用卡合部38a，其設置於外側門37；及外側門上鎖用被卡合部38b，其僅於外側門37關閉之狀態下，與外側門上鎖用卡合部38a卡合而將外側門37上鎖。如此，外側門上鎖用被卡合部38b會在外側門37略微打開之狀態下卡合於外側門上鎖用卡合部38a，能避免控制部39誤認為外側門37已以關閉狀態上鎖，故而能避免於外側門37略微打開之狀態下將內側門35打開。

又，第1實施方式中，如上所述，半導體晶片Ch係藉由設置有如下構件之切割裝置3製造而成：內側門35，其分別於藉由晶圓搬送部32取出及收納晶圓We時打開；外側門37，其分別於由作業人員Op取出及收納晶圓We時打開；及控制部39，其進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。如此，藉由進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制，在作業人員Op為了更換匣盒部31之晶圓We而將外側門37打開時，內側門35已切實地關閉，因此自晶圓搬送部32及雷射光照射部30a照射之雷射光Ld被內側門35切實地遮擋。故而，於晶圓搬送部32搬送晶圓We之情形、及自 雷射光照射部30a照射雷射光Ld之情形中之任一情形時，作業人員Op亦能將外側門37打開來進行晶圓We之更換作業。結果，與使晶圓搬送部32及雷射光照射部30a停止後再進行晶圓We之更換作業之情形時相比，可提供一種藉由能抑制作業人員Op更換晶圓We之更換作業所導致的半導體晶片Ch之生產效率之降低的切割裝置3製造而成之半導體晶片Ch。

又，第1實施方式中，如上所述，半導體晶片Ch之製造方法包含步驟S3，即，於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態，上述外側門37分別在由作業人員Op取出及收納晶圓We時打開，上述內側門35分別在藉由相對於匣盒部31進行晶圓We之取出及收納之晶圓搬送部32取出及收納晶圓We時打開。如此，藉由進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制，在作業人員Op為了更換匣盒部31之晶圓We而將外側門37打開時，內側門35已切實地關閉，因此自晶圓搬送部32及雷射光照射部30a照射之雷射光Ld被內側門35切實地遮擋。故而，於晶圓搬送部32搬送晶圓We之情形、及自雷射光照射部30a照射雷射光Ld之情形中之任一情形時，作業人員Op亦能將外側門37打開來進行晶圓We之更換作業。結果，與使晶圓搬送部32及雷射光照射部30a停止後再進行晶圓We之更換作業之情形時相比，可提供一種能抑制作業人員Op更換晶圓We之更換作業所導致的半導體晶片Ch之生產效率之降低的半導體晶片Ch之製造方法。

[第2實施方式]

參照圖34~圖36，對第2實施方式之半導體晶圓之加工系統100之構成進行說明。第2實施方式中，與第1實施方式不同，切割裝置703之晶圓 搬送部732具有移載頭部732e及移載頭部732f。再者，第2實施方式中，對於與第1實施方式相同之構成，省略詳細說明。

(半導體晶圓之加工系統)

如圖34所示，半導體晶圓之加工系統700係進行晶圓We之加工之裝置。

具體而言，半導體晶圓之加工系統700具備開槽裝置1、膠帶貼附裝置2、切割裝置703、研磨裝置4、膠帶換貼裝置5及擴開裝置6。再者，開槽裝置1及切割裝置703均為申請專利範圍中之「雷射加工裝置」之一例。

(開槽裝置及切割裝置各自之2個門之控制概要)

於第2實施方式之開槽裝置1及第2實施方式之切割裝置703各者中，與第1實施方式之開槽裝置1及第1實施方式之切割裝置3各者同樣地，進行2個門之控制。以下，僅對切割裝置703之構成中與第1實施方式之切割裝置3不同之構成進行詳細說明。

(切割裝置之構成)

如圖35所示，切割裝置703具備切割部30、匣盒部31、晶圓搬送部732、基座部33、裝置護罩部34、內側門35、內側門用上鎖部36、外側門37、外側門用上鎖部38及控制部39。

晶圓搬送部732構成為於匣盒部31與切割部30之間搬送晶圓環構造體W。具體而言，晶圓搬送部732具有夾持手部32a、Y方向移動 機構32b、軌道部32c、軌道部32d、移載頭部732e、移載頭部732f及Z方向移動機構732g。

移載頭部732e及移載頭部732f分別構成為吸附晶圓環構造體W之框架Rf。於移載頭部732e及移載頭部732f分別設置有吸附部，上述吸附部設置有用以吸附晶圓環構造體W之框架Rf之抽吸孔等。Z方向移動機構732g構成為使移載頭部732e及移載頭部732f各自獨立地向Z1方向或Z2方向移動。Z方向移動機構732g例如具有線性輸送器模組或驅動部，該驅動部具有滾珠螺桿及附編碼器之馬達。

(控制部)

控制部39構成為分別控制切割部30、匣盒部31、晶圓搬送部32、內側門35、內側門用上鎖部36及外側門用上鎖部38，以藉由切割裝置3進行晶圓We之加工。控制部39與切割部30、匣盒部31、晶圓搬送部32、內側門35、內側門用上鎖部36、外側門37及外側門用上鎖部38分別相互電性連接。

具體而言，控制部39包含CPU(Central Processing Unit)、以及具有ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)及SSD(Solid State Drive)等之記憶部。記憶部中記憶有控制切割裝置3之控制程式。

<由作業人員執行之匣盒更換>

第2實施方式之控制部39構成為控制兩道門之開關，以於自雷射光照射部30a照射雷射光Ld之期間，亦能由作業人員Op(質保人員)執行自匣盒 部31取出匣盒Wc、及向匣盒部31收納新的匣盒Wc中之至少任一操作。即，控制部39構成為進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。具體而言，控制部39構成為在藉由雷射光照射部30a照射雷射光Ld時，進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。

作為此種使外側門37成為可打開狀態之處理之一例，第1實施方式中，示出了如下情形：於自雷射光照射部30a照射雷射光Ld之期間，作業人員Op(質保人員)執行自匣盒部31取出匣盒Wc、及向匣盒部31收納新的匣盒Wc中之至少任一操作。又，第1實施方式中，作為使外側門37成為可打開狀態之處理之另一例，示出了如下情形：於晶圓搬送部32之夾持手部32a搬送晶圓We之期間，作業人員Op(質保人員)執行自匣盒部31取出匣盒Wc、及向匣盒部31收納新的匣盒Wc中之至少任一操作。

此處，第2實施方式中，除了上述例以外，作為使外側門37成為可打開狀態之處理之另一例，如圖36所示，於晶圓搬送部732之移載頭部732e及移載頭部732f中之至少任一者保持晶圓We之期間，作業人員Op(質保人員)能執行自匣盒部31取出匣盒Wc、及向匣盒部31收納新的匣盒Wc中之至少任一操作。再者，第2實施方式之其他構成與第1實施方式之構成相同，因此省略說明。

(第2實施方式之效果)

第2實施方式中，能獲得以下所述之效果。

第2實施方式中，如上所述，切割裝置703具備：內側門35，其分別於藉由晶圓搬送部32取出及收納晶圓We時打開；外側門37， 其分別於由作業人員Op取出及收納晶圓We時打開；及控制部39，其進行於使外側門37成為可打開狀態之情形時，維持內側門35關閉之狀態之控制。如此，能抑制作業人員Op更換晶圓We之更換作業所導致的半導體晶片Ch之生產效率之降低。再者，第2實施方式之其他效果與第1實施方式之效果相同，因此省略說明。

[變化例]

再者，本次所揭示之實施方式應被視為所有方面皆僅為例示，並不具有限制性。本發明之範圍由申請專利範圍表示，而不由上述實施方式之說明表示，進而包含與申請專利範圍等同之含義下及範圍內之所有變更(變化例)。

例如，上述第1及第2實施方式中，示出了開槽裝置1及切割裝置3(703)均具有兩道門之例，但本發明並不限於此。於本發明中，亦可為開槽裝置及切割裝置中之任一者具有兩道門。

又，上述第1及第2實施方式中，為了便於說明，示出了使用按照處理流程依次進行處理之流程驅動型流程圖來說明控制部39之控制處理之例，但本發明並不限於此。於本發明中，亦可藉由以事件為單位執行處理之事件驅動型(事件從動型)處理來進行控制部之控制處理。該情形時，可採用完全事件驅動型來進行，亦可使事件驅動與流程驅動組合來進行。

3:切割裝置

30:切割部

30a:雷射光照射部

31:匣盒部

31a:第1匣盒載置部

31c:第3匣盒載置部

31d:Z方向移動機構

34:裝置護罩部

34a:內壁部

34b:內門用開口

34c:外壁部

34d:外門用開口

35:內側門

37:外側門

39:控制部

Ld:雷射光

Op:作業人員

Wc:匣盒

We:晶圓

X:方向

X1:方向

X2:方向

Y:方向

Y1:方向

Y2:方向

Z:方向

Z1:方向

Z2:方向

Claims (18)

1. 一種雷射加工裝置，其具備：晶圓收容部，其收容晶圓；搬送部，其相對於上述晶圓收容部進行上述晶圓之取出及收納；雷射光照射部，其沿著被上述搬送部自上述晶圓收容部取出並供給來之上述晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；裝置護罩部，其將上述晶圓收容部、上述搬送部及上述雷射光照射部收容於內部；內側門，其設置在將上述晶圓收容部與上述雷射光照射部之間區隔之上述裝置護罩部之內壁部，分別於藉由上述搬送部取出及收納上述晶圓時打開；外側門，其設置在相對於上述內壁部與上述雷射光照射部側為相反側之上述裝置護罩部之外壁部，分別於由作業人員取出及收納上述晶圓時打開；及控制部，其進行於使上述外側門成為可打開狀態之情形時，維持上述內側門關閉之狀態之控制；且上述裝置護罩部及上述內側門之各者係構成為在上述內側門關閉之狀態下由上述雷射光照射部所照射之雷射光不會洩漏。
2. 如請求項1之雷射加工裝置，其中上述控制部構成為在藉由上述雷射光照射部照射上述雷射光時，進行於使上述外側門成為可打開狀態之情形時，維持上述內側門關閉之狀態 之控制。
3. 如請求項1之雷射加工裝置，其中上述控制部構成為進行如下控制：於藉由上述搬送部進行了上述晶圓之取出及收納而使得上述內側門已打開之情形時，在檢測到上述內側門已關閉後，使上述外側門成為可打開狀態。
4. 如請求項3之雷射加工裝置，其進而具備使上述內側門於開關方向上移動之移動部，且上述控制部構成為進行如下控制：於上述內側門已打開之情形時，藉由上述移動部使上述內側門向關閉方向移動，在檢測到上述內側門已關閉後，使上述外側門成為可打開狀態。
5. 如請求項1之雷射加工裝置，其中上述控制部構成為進行如下控制：於由上述作業人員進行了上述晶圓之取出及收納而使得上述外側門已打開之情形時，在檢測到上述外側門已關閉後，將上述內側門打開。
6. 如請求項5之雷射加工裝置，其中上述外側門構成為由上述作業人員手動於開關方向上移動，且上述控制部構成為進行如下控制：於上述外側門已打開之情形時，在檢測到上述外側門已被上述作業人員關閉後，將上述內側門打開。
7. 如請求項3之雷射加工裝置，其進而具備將上述內側門上鎖之內側門用上鎖部，且上述控制部構成為基於上述內側門已以被上述內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，而開始使上述外側門成為可打開狀態之處理。
8. 如請求項4之雷射加工裝置，其進而具備將上述內側門上鎖之內側門用上鎖部，且上述控制部構成為進行如下控制：於藉由上述搬送部進行上述晶圓之取出及收納時，將上述內側門用上鎖部對上述內側門之上鎖解除，並且將上述內側門打開。
9. 一種雷射加工裝置，其具備：晶圓收容部，其收容晶圓；搬送部，其相對於上述晶圓收容部進行上述晶圓之取出及收納；雷射光照射部，其沿著被上述搬送部自上述晶圓收容部取出並供給來之上述晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；裝置護罩部，其將上述晶圓收容部、上述搬送部及上述雷射光照射部收容於內部；內側門，其設置在將上述晶圓收容部與上述雷射光照射部之間區隔之上述裝置護罩部之內壁部，分別於藉由上述搬送部取出及收納上述晶圓時打開；外側門，其設置在相對於上述內壁部與上述雷射光照射部側為相反側之上述裝置護罩部之外壁部，分別於由作業人員取出及收納上述晶圓時 打開；及控制部，其進行於使上述外側門成為可打開狀態之情形時，維持上述內側門關閉之狀態之控制；且上述控制部構成為進行如下控制：於藉由上述搬送部進行了上述晶圓之取出及收納而使得上述內側門已打開之情形時，在檢測到上述內側門已關閉後，使上述外側門成為可打開狀態；且該雷射加工裝置進而具備將上述內側門上鎖之內側門用上鎖部，且上述控制部構成為基於上述內側門已以被上述內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，而開始使上述外側門成為可打開狀態之處理；該雷射加工裝置進而具備將上述外側門上鎖之外側門用上鎖部，且上述控制部構成為進行如下控制：基於上述內側門已以被上述內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，且上述外側門已以被上述外側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，而使載置有上述晶圓之上述晶圓收容部內之匣盒移動至可更換位置，上述晶圓已被受理由上述作業人員來加以更換之操作。
10. 如請求項9之雷射加工裝置，其中上述控制部構成為進行如下控制：基於已將上述匣盒移動至可更換位置，而進行不受理將上述內側門打開之信號之設定，並且使上述外側門用上鎖部對上述外側門之上鎖成為可解除狀態。
11. 如請求項10之雷射加工裝置，其進而具備解鎖操作受理部，上述解鎖操作受理部構成為能受理上述作業人員之操作，基於已受理上述作業人員之操作，而向上述控制部發送 將上述外側門用上鎖部對上述外側門之上鎖解除之信號；且上述控制部構成為進行如下控制：於上述外側門之上鎖為可解除狀態之情形時，基於已自上述解鎖操作受理部獲取將上述外側門解鎖之信號，而將上述外側門解鎖，使上述外側門成為可打開狀態。
12. 如請求項9之雷射加工裝置，其進而具備上鎖操作受理部，上述上鎖操作受理部構成為能受理上述作業人員之操作，基於已受理上述作業人員之操作，而向上述控制部發送藉由上述外側門用上鎖部將上述外側門上鎖之信號。
13. 如請求項9之雷射加工裝置，其中上述外側門用上鎖部包含：外側門上鎖用卡合部，其設置於上述外側門；及外側門上鎖用被卡合部，其僅於上述外側門關閉之狀態下，與上述外側門上鎖用卡合部卡合而將上述外側門上鎖。
14. 一種雷射加工裝置，其具備：晶圓收容部，其收容晶圓；搬送部，其相對於上述晶圓收容部進行上述晶圓之取出及收納；雷射光照射部，其沿著被上述搬送部自上述晶圓收容部取出並供給來之上述晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；裝置護罩部，其將上述晶圓收容部、上述搬送部及上述雷射光照射部收容於內部； 內側門，其設置在將上述晶圓收容部與上述雷射光照射部之間區隔之上述裝置護罩部之內壁部，分別於藉由上述搬送部取出及收納上述晶圓時打開；外側門，其設置在相對於上述內壁部與上述雷射光照射部側為相反側之上述裝置護罩部之外壁部，分別於由作業人員取出及收納上述晶圓時打開；及控制部，其進行於使上述外側門成為可打開狀態之情形時，維持上述內側門關閉之狀態之控制；且上述控制部構成為進行如下控制：於藉由上述搬送部進行了上述晶圓之取出及收納而使得上述內側門已打開之情形時，在檢測到上述內側門已關閉後，使上述外側門成為可打開狀態；且該雷射加工裝置進而具備將上述內側門上鎖之內側門用上鎖部，且上述控制部構成為基於上述內側門已以被上述內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，而開始使上述外側門成為可打開狀態之處理；該雷射加工裝置進而具備將上述外側門上鎖之外側門用上鎖部，且上述控制部構成為於上述內側門已以被上述內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，且上述外側門已以被上述外側門用上鎖部上鎖之狀態關閉以外之情形時，不進行使上述外側門成為可打開狀態之處理。
15. 一種雷射加工裝置，其具備：晶圓收容部，其收容晶圓；搬送部，其相對於上述晶圓收容部進行上述晶圓之取出及收納；雷射光照射部，其沿著被上述搬送部自上述晶圓收容部取出並供給 來之上述晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；裝置護罩部，其將上述晶圓收容部、上述搬送部及上述雷射光照射部收容於內部；內側門，其設置在將上述晶圓收容部與上述雷射光照射部之間區隔之上述裝置護罩部之內壁部，分別於藉由上述搬送部取出及收納上述晶圓時打開；外側門，其設置在相對於上述內壁部與上述雷射光照射部側為相反側之上述裝置護罩部之外壁部，分別於由作業人員取出及收納上述晶圓時打開；及控制部，其進行於使上述外側門成為可打開狀態之情形時，維持上述內側門關閉之狀態之控制；上述控制部構成為進行如下控制：於藉由上述搬送部進行了上述晶圓之取出及收納而使得上述內側門已打開之情形時，在檢測到上述內側門已關閉後，使上述外側門成為可打開狀態；且該雷射加工裝置進而具備使上述內側門於開關方向上移動之移動部，且上述控制部構成為進行如下控制：於上述內側門已打開之情形時，藉由上述移動部使上述內側門向關閉方向移動，在檢測到上述內側門已關閉後，使上述外側門成為可打開狀態；且該雷射加工裝置進而具備將上述內側門上鎖之內側門用上鎖部，且上述控制部構成為進行如下控制：於藉由上述搬送部進行上述晶圓之取出及收納時，將上述內側門用上鎖部對上述內側門之上鎖解除，並且將上述內側門打開；且 該雷射加工裝置進而具備將上述外側門上鎖之外側門用上鎖部，且上述控制部構成為進行如下控制：於檢測到上述外側門已以被上述外側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，且上述內側門已以被上述內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉後，將上述內側門用上鎖部對上述內側門之上鎖解除，並且將上述內側門打開。
16. 一種雷射加工裝置，其具備：晶圓收容部，其收容晶圓；搬送部，其相對於上述晶圓收容部進行上述晶圓之取出及收納；雷射光照射部，其沿著被上述搬送部自上述晶圓收容部取出並供給來之上述晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；裝置護罩部，其將上述晶圓收容部、上述搬送部及上述雷射光照射部收容於內部；內側門，其設置在將上述晶圓收容部與上述雷射光照射部之間區隔之上述裝置護罩部之內壁部，分別於藉由上述搬送部取出及收納上述晶圓時打開；外側門，其設置在相對於上述內壁部與上述雷射光照射部側為相反側之上述裝置護罩部之外壁部，分別於由作業人員取出及收納上述晶圓時打開；及控制部，其進行於使上述外側門成為可打開狀態之情形時，維持上述內側門關閉之狀態之控制；且上述控制部構成為進行如下控制：於藉由上述搬送部進行了上述晶圓之取出及收納而使得上述內側門已打開之情形時，在檢測到上述內側門 已關閉後，使上述外側門成為可打開狀態；且該雷射加工裝置進而具備將上述內側門上鎖之內側門用上鎖部，且上述控制部構成為基於上述內側門已以被上述內側門用上鎖部上鎖之狀態關閉，而開始使上述外側門成為可打開狀態之處理；且上述內側門用上鎖部包含：內側門上鎖用卡合部，其設置於上述內側門；及內側門上鎖用被卡合部，其僅於上述內側門關閉之狀態下，與上述內側門上鎖用卡合部卡合而將上述內側門上鎖。
17. 一種半導體晶片，其係藉由雷射加工裝置製造而成，上述雷射加工裝置具備：晶圓收容部，其收容晶圓；搬送部，其相對於上述晶圓收容部進行上述晶圓之取出及收納；雷射光照射部，其沿著被上述搬送部自上述晶圓收容部取出並供給來之上述晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；裝置護罩部，其將上述晶圓收容部、上述搬送部及上述雷射光照射部收容於內部；內側門，其設置在將上述晶圓收容部與上述雷射光照射部側之間區隔之上述裝置護罩部之內壁部，分別於藉由上述搬送部取出及收納上述晶圓時打開；外側門，其設置在相對於上述內壁部與上述雷射光照射部側為相反側之上述裝置護罩部之外壁部，分別於由作業人員取出及收納上述晶圓時打開；及控制部，其進行於使上述外側門成為可打開狀態之情形時，維持上述內側門關閉之狀態之控制；且上述裝置護罩部及上述內側門之各者係構成為在上述內側門關閉之狀態下由上述雷射光照射部所照射之雷射光不會洩漏。
18. 一種半導體晶片之製造方法，其包含如下步驟：於使外側門成為可打開狀態之情形時，維持內側門關閉之狀態，上述外側門分別在由作業人員取出及收納晶圓時打開，上述內側門分別在藉由相對於晶圓收容部進行上述晶圓之取出及收納之搬送部取出及收納上述晶圓時打開；沿著設置有複數個半導體晶片之晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；及利用擴開部擴開薄片構件，藉此沿著複數個切割道中的各者將上述晶圓分割成上述複數個半導體晶片；且上述晶圓收容部及上述搬送部收容於裝置護罩部之內部；上述裝置護罩部及上述內側門之各者係構成為在上述內側門關閉之狀態下所照射之雷射光不會洩漏。