TWI889125B - 開槽裝置、半導體晶片及半導體晶片之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之開槽裝置具備：雷射光照射部，其進行開槽處理；旋轉台，其於形成保護晶圓之電路面不受殘渣影響之保護膜時，保持晶圓，使之旋轉；旋轉角度位置檢測部，其用以檢測保持於旋轉台之晶圓的圓周方向之旋轉角度位置；及控制部，其進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及目標旋轉角度位置，調整晶圓之旋轉角度位置之控制。

Description

開槽裝置、半導體晶片及半導體晶片之製造方法

本發明係關於一種開槽裝置、半導體晶片及半導體晶片之製造方法。

先前，已知有開槽裝置。例如日本專利5324180號公報中對此種開槽裝置進行了揭示。

上述日本專利5324180號公報中揭示之雷射加工裝置具備雷射加工部(雷射光照射部)、旋轉器台(旋轉台)及馬達。該雷射加工部構成為在進行藉由雷射沿著分割預定線(切割道)於晶圓形成規定深度之槽之加工後，進行藉由雷射沿著分割預定線將晶圓切斷之加工。雷射加工部中，於定位晶圓後，藉由雷射進行加工。藉此，晶圓被沿著分割預定線準確地切割(分割)成複數個半導體晶片。

上述日本專利5324180號公報中之旋轉器台構成為於被覆保護晶圓之電路面不受雷射加工時產生之殘渣(碎片)所影響之樹脂時，保持晶圓。馬達構成為使旋轉器台旋轉。如此，藉由以馬達使保持於旋轉器台之晶圓旋轉，而利用離心力使樹脂遍佈晶圓之電路面。雷射加工裝置中，於使樹脂遍佈而被覆晶圓之電路面後，向雷射加工部加以搬送來進行雷射加工。

然而，雖上述專利文獻1中並未明確記載，但上述日本專利5324180號公報中所述之先前之雷射加工裝置中，在使晶圓之電路面上 遍佈樹脂之晶圓搬送至雷射加工部後，基於晶圓之外周所設置之凹槽或參考面之旋轉角度位置，進行晶圓之旋轉角度位置之粗定位。然後，在進行晶圓之旋轉角度位置之粗定位後，檢測晶圓之對準標記。藉此，雷射加工裝置中，在基於所檢測到之對準標記之位置，進行晶圓之旋轉角度位置之調整後，進行雷射加工。如此，先前之雷射加工裝置中，在藉由雷射加工部將晶圓之旋轉角度位置調整為合適之旋轉角度位置後，藉由雷射進行晶圓之加工，且要進行粗定位，因此晶圓之旋轉角度位置之調整需要相對較長之時間。故而，希望縮短晶圓之旋轉角度位置之調整所需之時間。

本發明係為了解決如上所述之問題而完成的，本發明之1個目的在於，提供一種能縮短調整晶圓之旋轉角度位置所需之時間之開槽裝置、半導體晶片及半導體晶片之製造方法。

本發明之第1態樣之開槽裝置具備：雷射光照射部，其進行開槽處理，即，沿著晶圓之電路面之半導體晶片間之切割道照射雷射光，形成將絕緣膜分斷之槽；旋轉台，其於形成保護晶圓之電路面不受殘渣影響之保護膜時，保持晶圓，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由雷射光照射部實施開槽處理時；旋轉角度位置檢測部，其用以檢測保持於旋轉台之晶圓的旋轉台之旋轉方向之旋轉角度位置；及控制部，其進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及晶圓之旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓之旋轉角度位置之控制。

於本發明之第1態樣之開槽裝置中，如上所述，設置有控制部，上述控制部進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及晶圓之旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓之旋轉角度位置之控制。如此， 藉由調整晶圓之旋轉角度位置，於雷射光照射部中，能進行與晶圓之旋轉角度位置之粗定位相同程度之粗定位，上述晶圓之旋轉角度位置之粗定位係基於設置在晶圓之外周之凹槽或參考面之旋轉角度位置而實施的。結果，無需進行凹槽或參考面之檢測，基於定位在調整後之旋轉角度位置之晶圓，便能獲取晶圓之對準標記之位置，故而能縮短調整晶圓之旋轉角度位置所需之時間。

於上述第1態樣之開槽裝置中，較佳為控制部構成為進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，調整解除時位置之控制，上述初始位置係藉由旋轉台保持晶圓時晶圓之旋轉方向上之目標旋轉角度位置，上述解除時位置係解除旋轉台對晶圓之保持時晶圓之旋轉方向上之旋轉角度位置。若如此構成，則藉由將晶圓調整成解除時位置，於雷射光照射部中，能進行與晶圓之旋轉角度位置之粗定位相同程度之粗定位，上述晶圓之旋轉角度位置之粗定位係基於設置在晶圓之外周之凹槽或參考面之旋轉角度位置而實施的。結果，無需進行凹槽或參考面之檢測，基於定位在解除時位置之晶圓，便能獲取晶圓之對準標記之位置，故而能縮短調整晶圓之旋轉角度位置所需之時間。

在上述控制部構成為進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，調整解除時位置之控制的開槽裝置中，較佳為構成為將基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置而定位於解除時位置之晶圓維持旋轉角度不變地自旋轉台搬送至雷射光照射部。若如此構成，則能維持解除時位置之旋轉角度不變地將晶圓搬送至雷射光照射部，故而於雷射光照射部中，無需進行凹槽或參考面之檢測，基於維持解除時位置之旋轉角度不變之晶圓，便能獲取晶圓之對準標記之位置。結果，於雷射光照 射部中，能縮短調整晶圓之旋轉角度位置所需之時間。

在上述控制部構成為進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，調整解除時位置之控制的開槽裝置中，較佳為進而具備收容晶圓之晶圓收容部，且構成為將基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置而定位於解除時位置之晶圓維持旋轉角度不變地自旋轉台搬送至晶圓收容部。若如此構成，則能維持解除時位置之旋轉角度不變地將晶圓搬送至晶圓收容部，故而於開槽裝置之下一個步驟中，無需進行凹槽或參考面之檢測，基於維持解除時位置之旋轉角度不變之晶圓，便能獲取晶圓之對準標記之位置。結果，於開槽裝置之下一個步驟中，能縮短調整晶圓之旋轉角度位置所需之時間。

在上述控制部構成為進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，調整解除時位置之控制的開槽裝置中，較佳為控制部構成為進行如下控制：基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，以使解除時位置對準初始位置之方式進行調整。若如此構成，則能使初始位置處之晶圓之定位精度與解除時位置處之晶圓之定位精度維持於相同程度，故而於開槽裝置之前一個步驟中之晶圓之定位精度為高精度之情形時，解除時位置處之晶圓之定位精度亦能維持為高精度。

在上述控制部構成為進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，調整解除時位置之控制的開槽裝置中，較佳為旋轉角度位置檢測部包含檢測旋轉台之旋轉角度之編碼器，且控制部構成為進行基於由編碼器檢測到之旋轉台之旋轉角度及初始位置，調整解除時位置之控制。若如此構成，則能輕易地藉由編碼器獲取晶圓之初始位置、及將晶圓調整成解除時位置，從而能輕易地實現可將晶圓調整成解除時位置之開槽 裝置。

該情形時，較佳為旋轉台構成為於藉由雷射光照射部實施開槽處理後，進行保護膜之去除及電路面之乾燥時，保持晶圓，使之旋轉；且控制部構成為基於由編碼器檢測到之旋轉台之旋轉角度，控制保護膜之形成、保護膜之去除、及保護膜去除後之電路面之乾燥各自的旋轉台之轉速。若如此構成，則不僅能藉由編碼器獲取晶圓之初始位置、及將晶圓調整成解除時位置，還能控制旋轉台之轉速，故而與使用個別感測器之情形時相比，能抑制開槽裝置之零件個數增加。

在上述控制部構成為進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，調整解除時位置之控制的開槽裝置中，較佳為控制部構成為進行如下控制：於使由旋轉台保持之晶圓旋轉而進行之包括保護膜之形成在內之作業結束後，使旋轉台自作業結束時之旋轉角度位置旋轉至解除時位置。若如此構成，則能於將合適之保護膜形成於晶圓之電路面後，將晶圓調整成解除時位置，故而既能得當地形成保護膜，又能得當地將晶圓調整成解除時位置。

於上述第1態樣之開槽裝置中，較佳為進而具備開槽用夾具台，上述開槽用夾具台於藉由雷射光照射部實施開槽處理時，吸附由搬送機構搬送來之晶圓加以保持，並且使晶圓旋動或於水平方向上移動；且旋轉角度位置檢測部包含攝像部，上述攝像部為了檢測保持於旋轉台之晶圓之旋轉角度位置，而拍攝保持於旋轉台之晶圓，藉此拍攝設置於晶圓之外周之位置基準部；控制部構成為進行如下控制：基於預先設定之目標旋轉角度位置及晶圓之圖像，在藉由開槽用夾具台保持晶圓後，調整旋轉角度位置，上述圖像由攝像部拍攝獲得，包含結束旋轉台之旋轉時之位置基 準部。若如此構成，則藉由基於晶圓之圖像，在晶圓由開槽用夾具台保持後，利用開槽用夾具台調整晶圓之旋轉角度位置，能基於晶圓之實際之旋轉角度位置，調整晶圓之旋轉角度位置，故而能將晶圓準確地調整成預先設定之目標旋轉角度位置而將晶圓保持於開槽用夾具台。

於上述第1態樣之開槽裝置中，較佳為進而具備：晶圓收容部，其收容晶圓；及搬送機構，其包含吸附晶圓加以保持之手部，構成為搬送由手部保持之晶圓；且旋轉角度位置檢測部包含攝像部，上述攝像部為了檢測保持於旋轉台之晶圓之旋轉角度位置，而拍攝保持於旋轉台之晶圓，藉此拍攝設置於晶圓之外周之位置基準部；控制部構成為進行如下控制：基於預先設定之目標旋轉角度位置及晶圓之圖像，調整藉由手部向晶圓收容部收容晶圓時的手部之姿勢，藉此調整晶圓之旋轉角度位置，上述圖像由攝像部拍攝獲得，包含結束旋轉台之旋轉時之位置基準部。若如此構成，則藉由基於晶圓之圖像，利用手部調整晶圓之旋轉角度位置，能基於晶圓之實際之旋轉角度位置，調整晶圓之旋轉角度位置，故而能將晶圓準確地調整成預先設定之目標旋轉角度位置而將其收容於晶圓收容部。

於上述第1態樣之開槽裝置中，較佳為進而具備搬送機構，上述搬送機構包含吸附晶圓加以保持之手部，構成為搬送由手部保持之晶圓；且旋轉台包含旋轉用晶圓保持台，上述旋轉用晶圓保持台構成為吸附由搬送機構搬送來之晶圓加以保持，並且形成有能供插入手部之第1凹部。此處，向第1凹部插入手部而藉由旋轉用晶圓保持台保持晶圓，因此藉由旋轉用晶圓保持台保持晶圓時之手部之姿勢已預先設定。故而，手部係以固定姿勢保持晶圓，因此由手部保持之晶圓亦被以固定姿勢保持。結果，手部能維持解除時位置之旋轉角度不變地搬送晶圓。

該情形時，較佳為進而具備開槽用夾具台，上述開槽用夾具台於藉由雷射光照射部實施開槽處理時，吸附由搬送機構搬送來之晶圓加以保持，並且使晶圓旋動或於水平方向上移動；且開槽用夾具台包含形成有第2凹部之開槽用晶圓保持台。此處，向第2凹部插入手部而藉由開槽用夾具台保持晶圓，因此藉由開槽用夾具台保持晶圓時之手部之姿勢已預先設定。故而，晶圓係以固定姿勢被自手部搬送至開槽用夾具台，因此能維持解除時位置之旋轉角度不變地使開槽用夾具台保持晶圓。

於具備包含上述手部之搬送機構之開槽裝置中，較佳為進而具備臨時放置用台，上述臨時放置用台於藉由雷射光照射部實施開槽處理後，且於將晶圓之電路面之保護膜去除前，吸附由搬送機構搬送來之晶圓加以保持；且臨時放置用台包含形成有第3凹部之臨時放置用晶圓保持台。此處，向第3凹部插入手部而藉由臨時放置用台保持晶圓，因此藉由臨時放置用台保持晶圓時之手部之姿勢已預先設定。故而，晶圓係以固定姿勢被自手部搬送至臨時放置用台，因此能維持解除時位置之旋轉角度不變地使臨時放置用台保持晶圓。

於上述第1態樣之開槽裝置中，較佳為進而具備電路面保護洗淨部，上述電路面保護洗淨部設置有旋轉台，進行晶圓之電路面上之保護膜之形成、保護膜之去除及乾燥；且電路面保護洗淨部包含：樹脂塗佈噴嘴，其為了形成保護膜，而向晶圓之電路面塗佈水溶性樹脂；洗淨噴嘴，其向晶圓之電路面供給將由樹脂塗佈噴嘴塗佈之水溶性樹脂去除之洗淨水；及乾燥噴嘴，其吹送使晶圓之電路面乾燥之暖風；樹脂塗佈噴嘴、洗淨噴嘴及乾燥噴嘴分別構成為能相互獨立地旋動。此處，於樹脂塗佈噴嘴、洗淨噴嘴及乾燥噴嘴一體地旋動之情形時，例如藉由樹脂塗佈噴嘴塗 佈水溶性樹脂時，鑒於洗淨噴嘴及乾燥噴嘴亦一併旋動，可想而知，水溶性樹脂會附著於洗淨噴嘴及乾燥噴嘴，於樹脂塗佈過程中、乾燥過程中殘液會自洗淨噴嘴滴落而附著於其他噴嘴，或於洗淨過程中、乾燥過程中殘液會自樹脂塗佈噴嘴滴落而附著於其他噴嘴這些情況亦可想而知。鑒於此，樹脂塗佈噴嘴、洗淨噴嘴及乾燥噴嘴分別構成為能相互獨立地旋動，藉此能抑制自樹脂塗佈噴嘴塗佈之水溶性樹脂附著於洗淨噴嘴及乾燥噴嘴，於樹脂塗佈過程中、乾燥過程中有洗淨噴嘴之殘液附著，及於洗淨過程中、乾燥過程中有樹脂塗佈噴嘴之殘液附著，等等。

該情形時，較佳為進而具備：第1旋動機構，其將樹脂塗佈噴嘴旋動至向晶圓之電路面塗佈水溶性樹脂之塗佈位置、及使樹脂塗佈噴嘴自塗佈位置退避之第1退避位置中之任一者；第2旋動機構，其將洗淨噴嘴旋動至向晶圓之電路面供給洗淨水之供給位置、及使洗淨噴嘴自供給位置退避之第2退避位置中之任一者；以及第3旋動機構，其將乾燥噴嘴旋動至向晶圓之電路面吹送暖風之送風位置、及使乾燥噴嘴自送風位置退避之第3退避位置中之任一者。若如此構成，則能輕易地實現使樹脂塗佈噴嘴、洗淨噴嘴及乾燥噴嘴各自獨立地旋動之構造。

本發明之第2態樣之半導體晶片係藉由開槽裝置製造而成，上述開槽裝置具備：雷射光照射部，其進行開槽處理，即，沿著晶圓之電路面之半導體晶片間之切割道照射雷射光，形成將絕緣膜分斷之槽；旋轉台，其於形成保護晶圓之電路面不受殘渣影響之保護膜時，保持晶圓，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由雷射光照射部實施開槽處理時；旋轉角度位置檢測部，其用以檢測保持於旋轉台之晶圓的旋轉台之旋轉方向之旋轉角度位置；及控制部，其進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果、 及晶圓之旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓之旋轉角度位置之控制。

於本發明之第2態樣之半導體晶片中，如上所述，其係藉由設置有控制部之開槽裝置製造而成，上述控制部進行基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及晶圓之旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓之旋轉角度位置之控制。如此，藉由調整晶圓之旋轉角度位置，於雷射光照射部中，能進行與晶圓之旋轉角度位置之粗定位相同程度之粗定位，上述晶圓之旋轉角度位置之粗定位係基於設置在晶圓之外周之凹槽或參考面之旋轉角度位置而實施的。結果，無需進行凹槽或參考面之檢測，基於定位在調整後之旋轉角度位置之晶圓，便能獲取晶圓之對準標記之位置，故而可提供一種能縮短調整晶圓之旋轉角度位置所需之時間之半導體晶片。

本發明之第3態樣之半導體晶片之製造方法包含如下步驟：基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及晶圓之旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓之旋轉角度位置，上述旋轉角度位置檢測部用以檢測保持於旋轉台之晶圓的旋轉台之旋轉方向之旋轉角度位置，上述旋轉台於形成保護晶圓之電路面不受殘渣影響之保護膜時，保持晶圓，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由雷射光照射部實施開槽處理時；沿著設置有複數個半導體晶片之晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；及利用擴開部使薄片構件擴開，藉此沿著複數個切割道中的各者，將晶圓分割成複數個半導體晶片。

於本發明之第3態樣之半導體晶片之製造方法中，如上所述，設置有如下步驟：基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及晶圓之旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓之旋轉角度位置。如此，藉由調 整晶圓之旋轉角度位置，於雷射光照射部中，能進行與晶圓之旋轉角度位置之粗定位相同程度之粗定位，上述晶圓之旋轉角度位置之粗定位係基於設置在晶圓之外周之凹槽或參考面之旋轉角度位置而實施的。結果，無需進行凹槽或參考面之檢測，基於定位在調整後之旋轉角度位置之晶圓，便能獲取晶圓之對準標記之位置，故而可提供一種能縮短調整晶圓之旋轉角度位置所需之時間之半導體晶片之製造方法。

1:開槽裝置

2:膠帶貼附裝置

3:切割裝置

4:研磨裝置

5:膠帶換貼裝置

6:擴開裝置

11:匣盒部

12:雷射光照射部

12a:開槽用夾具台

12b:框架

12c:雷射部

12d:攝像部

12e:攝像部

13:電路面覆膜洗淨部

13a:樹脂塗佈噴嘴

13b:第1旋動機構

13c:洗淨噴嘴

13d:第2旋動機構

13e:乾燥噴嘴

13f:第3旋動機構

13g:飛散抑制護罩

13h:旋轉台

14:攝像部

15:搬送機構

15a:手部

15b:第1臂部

15c:第2臂部

16:臨時放置用台

16a:臨時放置用晶圓保持台

17:基座

18:控制部

21:匣盒收納部

22:機械手

23:搬送機構

24:保護膠帶貼附部

30:切割部

31:匣盒部

32:晶圓搬送部

41:第1匣盒部

42:機械手

43:吸附保持部

44:研削部

44a:粗研削部

44b:精研削部

44c:細研削部

45:精研磨部

46:晶體缺陷形成部

47:第2匣盒部

48:旋轉台部

51:匣盒收納部

52:機械手

53:搬送機構

54:擴開用膠帶貼附部

55:紫外線照射部

100:半導體晶圓之加工系統

121a:開槽用晶圓保持台

122a:Y方向移動部

123a:X方向移動部

131h:旋轉用晶圓保持台

132h:旋轉驅動部

133h:旋轉角度位置檢測部

134h:Z方向移動機構

161a:凹部

201:晶圓通電裝置

201a:探針

601:匣盒部

602:提昇手部

603:吸附手部

604:冷氣供給部

605:冷卻單元

606:擴開部

607:擴張維持構件

608:熱收縮部

609:紫外線照射部

610:擠壓部

611:夾持部

701:開槽裝置

714:攝像部

718:控制部

1211a:凹部

1311h:凹部

1331h:編碼器

1332h:計數部

Ar:對準標記

Ch:半導體晶片

Cs:旋轉中心軸線

H1:塗佈洗淨高度位置

H2:搬入搬出高度位置

Ld:雷射光

Lg:雷射光

Nt:凹槽

P1:初始位置

P2:解除時位置

P3:覆膜完成時位置

P4:乾燥完成時位置

Pr1:塗佈位置

Pr2:第1退避位置

Pw1:供給位置

Pw2:第2退避位置

Pb1:送風位置

Pb2:第3退避位置

R:方向

R1:方向

R2:方向

Rf:框架

S1:步驟

S2:步驟

S3:步驟

S4:步驟

S5:步驟

S6:步驟

S101:步驟

S102:步驟

S103:步驟

S104:步驟

Tb:保護膠帶

Te:擴開用膠帶

We:晶圓

We1:電路面

Ws:切割道

X:方向

X1:方向

X2:方向

Y:方向

Y1:方向

Y2:方向

Z:方向

Z1:方向

Z2:方向

θg:旋轉角度位置

θh:旋轉角度位置

θr:旋轉角度位置

θs:旋轉角度位置

圖1係表示本實施方式之設置有切割裝置及擴開裝置之半導體晶圓之加工系統的概要之模式圖。

圖2係表示本實施方式之半導體晶圓之加工系統的開槽裝置之俯視圖。

圖3係表示本實施方式之半導體晶圓之加工系統的膠帶貼附裝置之俯視圖。

圖4係表示本實施方式之半導體晶圓之加工系統的切割裝置之俯視圖。

圖5係表示本實施方式之半導體晶圓之加工系統的研磨裝置之俯視圖。

圖6係表示本實施方式之半導體晶圓之加工系統的膠帶換貼裝置之俯視圖。

圖7係表示本實施方式之半導體晶圓之加工系統的膠帶換貼裝置之側視圖。

圖8係表示本實施方式之半導體晶圓之加工系統的擴開裝置之俯視 圖。

圖9係表示本實施方式之半導體晶圓之加工系統的擴開裝置之側視圖。

圖10係表示本實施方式之半導體晶圓之加工系統的半導體晶片製造處理之流程圖。

圖11係表示本實施方式之晶圓之凹槽及對準標記之俯視圖。

圖12係表示本實施方式之開槽裝置的上游之晶圓通電裝置及下游之膠帶貼附裝置之模式圖。

圖13係本實施方式之開槽裝置之詳細俯視圖。

圖14係表示本實施方式之開槽裝置之電路面覆膜洗淨部之俯視圖。

圖15係表示使本實施方式之開槽裝置之電路面覆膜洗淨部的旋轉用晶圓保持台移動至塗佈洗淨高度位置之狀態之側視圖。

圖16係表示使本實施方式之開槽裝置之電路面覆膜洗淨部的旋轉用晶圓保持台移動至搬入搬出高度位置之狀態之側視圖。

圖17係表示藉由本實施方式之開槽裝置之U字狀之手部將晶圓搬送至旋轉台之狀態之俯視圖。

圖18係表示藉由本實施方式之開槽裝置之U字狀之手部將晶圓搬送至雷射光照射部之狀態之俯視圖。

圖19係表示本實施方式之開槽裝置之旋轉台上的晶圓之初始位置之俯視圖。

圖20係表示本實施方式之開槽裝置之旋轉台上的晶圓之解除時位置之俯視圖。

圖21係表示本實施方式之開槽裝置之旋轉台上的晶圓之覆膜完成時 位置之俯視圖。

圖22係表示本實施方式之開槽裝置之旋轉台上的晶圓之乾燥完成時位置之俯視圖。

圖23係表示本實施方式之開槽裝置的旋轉控制之設定畫面之模式圖。

圖24係表示本實施方式之開槽裝置之覆膜及乾燥步驟中的時間與速度及總旋轉角度之關係之曲線圖。且係表示旋轉台上的晶圓之乾燥完成時位置之俯視圖。

圖25係表示本實施方式之開槽裝置之洗淨及乾燥步驟中的時間與速度及總旋轉角度之關係之曲線圖。且係表示旋轉台上的晶圓之乾燥完成時位置之俯視圖。

圖26係表示本實施方式之開槽裝置之控制部中的解除時位置調整處理之流程圖。

圖27係表示本實施方式之變化例之開槽裝置之俯視圖。

圖28係表示本實施方式之變化例之開槽裝置中，於匣盒部內藉由U字狀之手部取出(或其中收容有)晶圓之狀態之俯視圖。

圖29係表示本實施方式之變化例之開槽裝置中，藉由U字狀之手部向旋轉台移載了(或其中保持有)晶圓之狀態之俯視圖。

圖30係表示本實施方式之變化例之開槽裝置中，藉由U字狀之手部向開槽用夾具台移載了(或其中保持有)晶圓之狀態之俯視圖。

以下，基於圖式，對使本發明具體化之實施方式進行說明。

參照圖1~圖26，對本發明之實施方式的半導體晶圓之加工系統100之構成進行說明。

(半導體晶圓之加工系統)

如圖1所示，半導體晶圓之加工系統100係進行晶圓We之加工之裝置。半導體晶圓之加工系統100構成為於晶圓We形成改質部，並且沿著改質部將晶圓We分割而形成複數個半導體晶片Ch。此處，晶圓We係由作為半導體積體電路之材料的半導體物質之晶體形成之圓形薄板。於晶圓We之內部形成改質部，上述改質部係藉由半導體晶圓之加工系統100中之加工，沿著分割線使內部改質而形成的。即，晶圓We會被加工成可沿著分割線分割。此處，所謂改質部，表示藉由雷射光Ld而形成於晶圓We之內部之龜裂及孔隙等。

具體而言，半導體晶圓之加工系統100具備開槽裝置1、膠帶貼附裝置2、切割裝置3、研磨裝置4、膠帶換貼裝置5及擴開裝置6。

如圖1所示，於半導體晶圓之加工系統100中，按照開槽裝置1、膠帶貼附裝置2、切割裝置3、研磨裝置4、膠帶換貼裝置5及擴開裝置6之順序，進行晶圓We之加工。

<開槽裝置>

開槽裝置1構成為在藉由切割裝置3於晶圓We形成改質部前，沿著未安裝框架Rf及保護膠帶Tb之晶圓We之電路面We1的半導體晶片Ch間之切割道Ws照射雷射光Lg，將絕緣膜及檢查用圖案分斷。此處，雷射光Lg係波長較紅外區域之波長短之光。又，所謂絕緣膜，係指晶圓We之層間絕 緣覆膜。絕緣膜由作為層間絕緣覆膜材料而言介電常數相對較低之Low-k材料形成。又，所謂檢查用圖案，係指用以進行晶圓We之半導體晶片Ch之導通測試的測試用導通圖案。檢查用圖案係所謂的Teg(Test Element Group，測試元件組)。

具體而言，如圖2所示，開槽裝置1包含匣盒部11、雷射光照射部12及電路面覆膜洗淨部13。匣盒部11構成為收容未安裝框架Rf及保護膠帶Tb之晶圓We。雷射光照射部12構成為照射將晶圓We之絕緣膜及檢查用圖案分斷之雷射光Lg。電路面覆膜洗淨部13構成為於將絕緣膜及檢查用圖案分斷前，被覆晶圓We之電路面We1，並且於將絕緣膜及檢查用圖案分斷後，洗淨晶圓We之電路面We1。再者，匣盒部11為申請專利範圍中之「晶圓收容部」之一例。電路面覆膜洗淨部13為申請專利範圍中之「電路面保護洗淨部」之一例。

<膠帶貼附裝置>

膠帶貼附裝置2構成為將保護膠帶Tb貼附於晶圓We之電路面We1(參照圖1)。

具體而言，如圖3所示，膠帶貼附裝置2包含匣盒收納部21、機械手22、搬送機構23及保護膠帶貼附部24。匣盒收納部21構成為能收納框架Rf、晶圓We、及附框架Rf之晶圓We。機械手22構成為將框架Rf及晶圓We分別自匣盒收納部21向搬送機構23搬運。機械手22構成為將附框架Rf之晶圓We自搬送機構23向匣盒收納部21搬運。搬送機構23構成為將晶圓We搬送至保護膠帶貼附部24能貼附保護膠帶Tb之位置。保護膠帶貼附部24構成為向由搬送機構23搬送來之晶圓We貼附保護膠帶Tb，並 且將框架Rf貼附於保護膠帶Tb。

<切割裝置>

切割裝置3構成為於晶圓We之內部形成用以分割晶圓We之改質部(參照圖1)。

具體而言，如圖4所示，切割裝置3具備切割部30、匣盒部31及晶圓搬送部32。切割部30構成為藉由沿著切割道Ws(分割線)對晶圓We照射具有透過性之波長之雷射光Ld(參照圖1)，而形成改質部。此處，雷射光Ld係近紅外區域之波長之光。匣盒部31構成為能收容複數個連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We。晶圓搬送部32構成為於匣盒部31與切割部30之間搬送連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We。

<研磨裝置>

研磨裝置4構成為藉由自與電路面側為相反側之面研削晶圓We，而將利用切割裝置3所形成之晶圓We之改質部去除(參照圖1)。

具體而言，如圖5所示，研磨裝置4包含第1匣盒部41、機械手42、複數個吸附保持部43、複數個研削部44、精研磨部45、晶體缺陷形成部46、第2匣盒部47及單個旋轉台部48。

第1匣盒部41構成為收容藉由切割裝置3形成有改質部之晶圓We。機械手42構成為自第1匣盒部41向複數個吸附保持部43中距第1匣盒部41最近之位置處之吸附保持部43搬運連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We。又，機械手42構成為自複數個吸附保持部43中距第2匣盒部47最近之位置處之吸附保持部43向第2匣盒部47搬運改質部被去除後 之連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We。複數個吸附保持部43構成為吸附連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We加以保持。

複數個研削部44構成為分階段地研削晶圓We之與電路面We1為相反側之背面。複數個研削部44具有粗研削部44a、精研削部44b及細研削部44c。粗研削部44a構成為藉由第1粒徑之第1研削材研削晶圓We之背面。精研削部44b構成為藉由較第1粒徑小之第2粒徑之第2研削材研削晶圓We之背面。細研削部44c構成為藉由較第2粒徑小之第3粒徑之第3研削材研削晶圓We之背面。

精研磨部45構成為研磨經複數個研削部44研削後之晶圓We之背面。晶體缺陷形成部46構成為於經精研磨部45研磨後之晶圓We之背面形成微小之晶體缺陷。晶體缺陷形成部46構成為進行所謂的去疵(gettering)作業。第2匣盒部47構成為收容藉由晶體缺陷形成部46形成有晶體缺陷之晶圓We。單個旋轉台部48構成為使複數個吸附保持部43各自旋轉移動至與複數個研削部44、精研磨部45及晶體缺陷形成部46分別對應之位置。

<膠帶換貼裝置>

膠帶換貼裝置5構成為在藉由研磨裝置4自晶圓We去除改質部後，將擴開用膠帶Te貼附於晶圓We之與電路面We1為相反側之面，並撕掉貼附於晶圓We之電路面We1之保護膠帶Tb(參照圖1)。再者，擴開用膠帶Te為申請專利範圍中之「薄片構件」之一例。

具體而言，如圖6所示，膠帶換貼裝置5包含匣盒收納部51、機械手52、搬送機構53、擴開用膠帶貼附部54、紫外線照射部55(參 照圖7)及保護膠帶剝離部(未圖示)。

匣盒收納部51構成為能收納連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We、及連同框架Rf一併貼附於擴開用膠帶Te之晶圓We。

機械手52構成為將連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We自匣盒收納部51向搬送機構53搬運。搬送機構53構成為將連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We搬送至擴開用膠帶貼附部54。擴開用膠帶貼附部54構成為藉由向框架Rf之與貼附有保護膠帶Tb之側的面為相反側之面貼附擴開用膠帶Te，而將框架Rf及晶圓We貼附於保護膠帶Tb及擴開用膠帶Te兩者。

機械手52構成為自搬送機構53向紫外線照射部55搬運連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb及擴開用膠帶Te兩者之晶圓We。紫外線照射部55構成為位於在出入口具有門之密閉構造之內部，於藉由吹送氮氣，將環境氣體內之氧氣去除，並使內部填充有氮氣(向內部供給氮氣，一面將氧氣排出一面填充氮氣)後，向框架Rf之貼附有保護膠帶Tb之面照射紫外線。藉此，保護膠帶Tb之接著層硬化。機械手52構成為自紫外線照射部55將連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb及擴開用膠帶Te兩者之晶圓We送回搬送機構53。

搬送機構53構成為將連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb及擴開用膠帶Te兩者之晶圓We搬送至保護膠帶剝離部。保護膠帶剝離部構成為撕掉保護膠帶Tb(參照圖1)。機械手52構成為自搬送機構53將連同框架Rf一併貼附於擴開用膠帶Te之晶圓We收納至匣盒收納部51。

<擴開裝置>

擴開裝置6構成為在將擴開用膠帶Te貼附於晶圓We之與電路面We1為相反側之面後，藉由使擴開用膠帶Te擴開，而將晶圓We分割成複數個半導體晶片Ch(參照圖1)。

具體而言，如圖8及圖9所示，擴開裝置6包含匣盒部601、提昇手部602、吸附手部603、冷氣供給部604(參照圖9)、冷卻單元605、擴開部606、擴張維持構件607、熱收縮部608(參照圖9)、紫外線照射部609(參照圖9)、擠壓部610及夾持部611。

匣盒部601構成為能收容將框架Rf及晶圓We貼附於擴開用膠帶Te而形成之晶圓環構造體W。提昇手部602構成為能自匣盒部601取出晶圓環構造體W。提昇手部602構成為能將晶圓環構造體W收容於匣盒部601。吸附手部603構成為自上方吸附晶圓環構造體W之框架Rf。冷氣供給部604構成為於藉由擴開部606使擴開用膠帶Te擴開時，自上方向擴開用膠帶Te供給冷氣。

冷卻單元605構成為自下方冷卻擴開用膠帶Te。擴開部606構成為藉由擴開晶圓環構造體W之擴開用膠帶Te，而沿著切割道Ws(參照圖1)分割晶圓We。擴張維持構件607構成為自上方壓住擴開用膠帶Te，以免晶圓We附近之擴開用膠帶Te因熱收縮部608之加熱而收縮。熱收縮部608構成為藉由加熱而使被擴開部606擴開後之擴開用膠帶Te以保持有複數個半導體晶片Ch彼此之間之間隙之狀態收縮。紫外線照射部609構成為對擴開用膠帶Te照射紫外線，以使擴開用膠帶Te之黏著層之黏著力降低。

擠壓部610構成為於使擴開用膠帶Te擴開後，藉由自下方 向側局部地擠壓晶圓We，而使晶圓We沿著改質部被進一步分割。夾持部611構成為能於抓持有晶圓環構造體W之框架Rf之狀態下，使晶圓環構造體W於上下方向上移動。夾持部611構成為能於抓持有晶圓環構造體W之框架Rf之狀態下，使晶圓環構造體W分別於自冷卻單元605前往擴開部606之方向、及自擴開部606前往冷卻單元605之方向上移動。

(半導體晶片製造處理)

以下，參照圖10，對半導體晶圓之加工系統100之整體動作進行說明。

於步驟S1中，藉由開槽裝置1將絕緣膜及檢查用圖案分斷。即，雷射光照射部12沿著未連同框架Rf一併貼附於保護膠帶Tb之晶圓We之電路面We1的半導體晶片Ch間之切割道Ws照射雷射光Lg，將絕緣膜及檢查用圖案分斷。於步驟S2中，藉由膠帶貼附裝置2將晶圓We及框架Rf貼附於保護膠帶Tb。即，保護膠帶貼附部24向由搬送機構23搬送來之晶圓We貼附保護膠帶Tb，並且將框架Rf貼附於保護膠帶Tb。

於步驟S3中，藉由切割裝置3於晶圓We形成改質部。即，切割部30藉由沿著切割道Ws對晶圓We照射雷射光Ld(參照圖1)，而形成改質部。於步驟S4中，藉由研磨裝置4自晶圓We去除改質部。即，由複數個研削部44分階段地研削晶圓We之與電路面We1為相反側之背面，藉此去除晶圓We之改質部。於步驟S5中，藉由膠帶換貼裝置5向晶圓We及框架Rf貼附擴開用膠帶Te，然後撕掉保護膠帶Tb。即，擴開用膠帶貼附部54將擴開用膠帶Te貼附於框架Rf。保護膠帶剝離部自藉由紫外線照射部55使保護膠帶Tb之接著層硬化後之附框架Rf之晶圓We撕掉保護膠帶Tb。

於步驟S6中，藉由擴開裝置6使擴開用膠帶Te擴開，將晶圓We分割成複數個半導體晶片Ch。即，藉由使夾持部611以保持有框架Rf之狀態下降，而將抵接於擴開部606之擴開用膠帶Te向下方拉伸，從而使擴開用膠帶Te擴開。藉此，晶圓We會被因擴開而於擴開用膠帶Te產生之拉伸力沿著晶圓We之切割道Ws上所形成之龜裂分割，從而分割出複數個半導體晶片Ch。

於步驟S6之後，半導體晶片製造處理結束。

(開槽裝置之詳細構成)

如圖11及圖12所示，開槽裝置1構成為基於半導體晶片Ch上設置之對準標記Ar，精密地定位晶圓We之旋轉角度位置θr，以藉由雷射光Lg進行晶圓We之加工。但對準標記Ar通常係針對被縱橫之切割道Ws切分出之各半導體晶片Ch分別設置的，因此容易誤檢測到鄰接且形狀相同之對準標記Ar，從而難以進行檢測。故而，開槽裝置1構成為於檢測到較對準標記Ar大之凹槽Nt後，基於凹槽Nt，粗定位晶圓We之旋轉角度位置θr。開槽裝置1構成為於粗定位晶圓We之旋轉角度位置θr後，再進行對準標記Ar之檢測。

此處，於半導體晶圓之加工系統100中，作為開槽裝置1之上游之步驟，會藉由晶圓通電裝置201進行設置於晶圓We之半導體晶片Ch之通電檢查。於該通電檢查中，為了使晶圓通電裝置201之探針201a接觸檢查用圖案之上，會相對較為精密地定位晶圓We之旋轉角度位置θr。

因此，於開槽裝置1中，只要能維持晶圓通電裝置201中之晶圓We之旋轉角度位置θr之定位精度，無需基於凹槽Nt進行粗定位便能 檢測到對準標記Ar。又，於開槽裝置1中，只要能定位晶圓通電裝置201中之晶圓We之旋轉角度位置θr，便能基於當前之晶圓We之旋轉角度位置θr而檢測到凹槽Nt，故而能縮短檢測凹槽Nt所需之時間。再者，雖示出的是為了進行粗定位而檢測凹槽Nt之例，但亦可為了進行粗定位而檢測晶圓We之參考面。

又，於開槽裝置1中，只要能維持晶圓通電裝置201中之晶圓We之旋轉角度位置θr之定位精度，則於膠帶貼附裝置2中，亦可不基於凹槽Nt進行粗定位。

因此，本實施方式之開槽裝置1構成為維持晶圓通電裝置201中之晶圓We之旋轉角度位置θr之定位精度。

具體而言，如圖13所示，開槽裝置1具備匣盒部11、雷射光照射部12、電路面覆膜洗淨部13、攝像部14、搬送機構15、臨時放置用台16、基座17及控制部18。再者，匣盒部11已於上文進行過說明，因此省略說明。

此處，將上下方向設為Z方向，將上方向設為Z1方向，並且將下方向設為Z2方向。將與Z方向正交之水平方向設為X方向，將X方向之一方向設為X1方向，將X方向之另一方向設為X2方向。又，將與X方向正交之水平方向設為Y方向，將Y方向之一方向設為Y1方向，將Y方向之另一方向設為Y2方向。

(雷射光照射部)

雷射光照射部12構成為進行開槽處理，即，沿著晶圓We之電路面We1之半導體晶片Ch間之切割道Ws照射雷射光Lg，形成將絕緣膜及檢查 用圖案分斷之槽。沿著晶圓We之複數個切割道Ws中的各者延伸之方向係加工方向。此處，加工方向為Y1方向或Y2方向。

雷射光照射部12包含開槽用夾具台12a、框架12b、雷射部12c、攝像部12d及攝像部12e。

開槽用夾具台12a構成為於藉由雷射光照射部12實施開槽處理時，吸附由搬送機構15搬送來之晶圓We加以保持，並且使晶圓We旋動或於水平方向(X方向及Y方向中之至少任一者)上移動。即，開槽用夾具台12a構成為藉由吸附晶圓We之下表面來保持晶圓We。開槽用夾具台12a構成為在吸附有晶圓We之狀態下，相對於雷射部12c旋動或於水平方向上相對地移動。

開槽用夾具台12a具有開槽用晶圓保持台121a、旋動部(未圖示)、Y方向移動部122a及X方向移動部123a。開槽用晶圓保持台121a係形成有用以吸附晶圓We加以保持之吸附孔之台。於開槽用晶圓保持台121a，形成有能供插入搬送機構15之下述U字狀之手部15a之凹部1211a。凹部1211a係使開槽用晶圓保持台121a之Z1方向側之面(上表面)向Z2方向(下方)凹陷而形成。凹部1211a於插入了下述U字狀之手部15a時，沿著X方向延伸。凹部1211a於插入了下述U字狀之手部15a時，沿著Y方向排列複數個(2個)而配置。再者，凹部1211a亦可為1個或3個以上。再者，凹部1211a為申請專利範圍中之「第2凹部」之一例。又，U字狀之手部15a為申請專利範圍中之「手部」之一例。

旋動部構成為使開槽用晶圓保持台121a於繞著與Z方向平行之旋動軸線之圓周方向上旋動。旋動部安裝於開槽用晶圓保持台121a之Z2方向側。Y方向移動部122a構成為使旋動部向Y1方向或Y2方向移動。 Y方向移動部122a安裝於旋動部之Z2方向側。X方向移動部123a構成為使Y方向移動部122a向X1方向或X2方向移動。X方向移動部123a安裝於Y方向移動部122a之Z2方向側，並且安裝於基座17之Z1方向側之面。

框架12b固定於基座17。於框架12b分別固定有雷射部12c、攝像部12d及攝像部12e。雷射部12c構成為照射將絕緣膜及檢查用圖案分斷之雷射光Lg。攝像部12d及攝像部12e分別構成為拍攝保持於開槽用夾具台12a之晶圓We。攝像部12d及攝像部12e均為近紅外線攝像用相機。攝像部12d及攝像部12e分別能向Z1方向或Z2方向移動。

(電路面覆膜洗淨部)

如圖14所示，電路面覆膜洗淨部13構成為進行晶圓We之電路面We1上之保護膜之形成、保護膜之去除及乾燥。具體而言，電路面覆膜洗淨部13包含樹脂塗佈噴嘴13a、第1旋動機構13b、洗淨噴嘴13c、第2旋動機構13d、乾燥噴嘴13e、第3旋動機構13f、飛散抑制護罩13g及旋轉台13h。再者，為了便於說明，圖13中並未圖示出電路面覆膜洗淨部13以外之構成。

<樹脂塗佈噴嘴及第1旋動機構>

樹脂塗佈噴嘴13a構成為向晶圓We之電路面We1塗佈水溶性樹脂，以形成保護膜。樹脂塗佈噴嘴13a構成為自與第1旋動機構13b為相反側之前端部向Z2方向(下方向)滴下水溶性樹脂。樹脂塗佈噴嘴13a連接於未圖示之水溶性樹脂貯存部。第1旋動機構13b構成為將樹脂塗佈噴嘴13a旋動至向晶圓We之電路面We1塗佈水溶性樹脂之塗佈位置Pr1、及使之自塗佈 位置Pr1退避之第1退避位置Pr2中之任一者。塗佈位置Pr1係將樹脂塗佈噴嘴13a之前端部配置於旋轉台13h之旋轉中心軸線Cs之狀態的樹脂塗佈噴嘴13a之位置。第1退避位置Pr2係將樹脂塗佈噴嘴13a之前端部配置於旋轉台13h外之狀態的樹脂塗佈噴嘴13a之位置。第1旋動機構13b構成為藉由馬達(未圖示)之驅動力使樹脂塗佈噴嘴13a旋動。

<洗淨噴嘴及第2旋動機構>

洗淨噴嘴13c構成為向晶圓We之電路面We1供給將由樹脂塗佈噴嘴13a塗佈之水溶性樹脂去除之洗淨水(水或熱水)。洗淨噴嘴13c構成為自與第2旋動機構13d為相反側之前端部向Z2方向(下方向)滴下洗淨水。洗淨噴嘴13c連接於未圖示之洗淨水貯存部。第2旋動機構13d構成為將洗淨噴嘴13c旋動至向晶圓We之電路面We1供給洗淨水之供給位置Pw1、及使洗淨噴嘴13c自供給位置Pw1退避之第2退避位置Pw2中之任一者。供給位置Pw1係將洗淨噴嘴13c之前端部配置於旋轉台13h之旋轉中心軸線Cs之狀態的洗淨噴嘴13c之位置。第2退避位置Pw2係將洗淨噴嘴13c之前端部配置於旋轉台13h外之狀態的洗淨噴嘴13c之位置。第2旋動機構13d構成為藉由馬達(未圖示)之驅動力使洗淨噴嘴13c旋動。

<乾燥噴嘴及第3旋動機構>

乾燥噴嘴13e構成為吹送使晶圓We之電路面We1乾燥之暖風。乾燥噴嘴13e構成為自與第3旋動機構13f為相反側之前端部向Z2方向(下方向)吹送暖風。乾燥噴嘴13e連接於未圖示之暖風供給部。第3旋動機構13f構成為將乾燥噴嘴13e旋動至向晶圓We之電路面We1吹送暖風之送風位置 Pb1、及使乾燥噴嘴13e自送風位置Pb1退避之第3退避位置Pb2中之任一者。送風位置Pb1係將乾燥噴嘴13e之前端部配置於旋轉台13h之旋轉中心軸線Cs之狀態的乾燥噴嘴13e之位置。第3退避位置Pb2係將乾燥噴嘴13e之前端部配置於旋轉台13h外之狀態的乾燥噴嘴13e之位置。第3旋動機構13f構成為藉由馬達(未圖示)之驅動力使乾燥噴嘴13e旋動。

如此，樹脂塗佈噴嘴13a、洗淨噴嘴13c及乾燥噴嘴13e分別構成為能相互獨立地旋動。

<飛散抑制護罩>

如圖15所示，飛散抑制護罩13g構成為於藉由旋轉台13h使晶圓We旋轉時，抑制晶圓We之電路面We1上之包含水溶性樹脂及洗淨水中至少任一者之液體自電路面We1飛散。即，飛散抑制護罩13g具有旋轉台13h之旋轉中心軸線Cs側之內側面，上述內側面構成為接住自電路面We1飛散之晶圓We之電路面We1上之液體，並且使接住之液體向Z2方向(下方)流動。

<旋轉台>

旋轉台13h構成為於藉由雷射光照射部12實施開槽處理前，形成保護晶圓We之電路面We1不受殘渣(碎片)影響之保護膜時，保持晶圓We，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由雷射光照射部12實施開槽處理時。旋轉台13h構成為於藉由雷射光照射部12實施開槽處理前，使所形成之保護膜乾燥時，保持晶圓We，使之旋轉。

又，旋轉台13h構成為於藉由雷射光照射部12實施開槽處 理後，將保護膜去除時，保持晶圓We，使之旋轉，又，旋轉台13h構成為於藉由雷射光照射部12實施開槽處理後，使電路面We1乾燥時，保持晶圓We，使之旋轉。

具體而言，如圖16所示，旋轉台13h具有旋轉用晶圓保持台131h、旋轉驅動部132h、旋轉角度位置檢測部133h及Z方向移動機構134h。

旋轉用晶圓保持台131h構成為吸附由搬送機構15搬送來之晶圓We加以保持。旋轉用晶圓保持台131h係形成有用以吸附晶圓We加以保持之吸附孔之台。於旋轉用晶圓保持台131h，形成有能供插入搬送機構15之下述U字狀之手部15a之凹部1311h(參照圖14)。凹部1311h係使旋轉用晶圓保持台131h之Z1方向側之面(上表面)向Z2方向(下方)凹陷而形成。凹部1311h於插入了U字狀之手部15a時，沿著X方向延伸。凹部1311h於插入了U字狀之手部15a時，沿著Y方向排列複數個(2個)而配置。再者，凹部1311h亦可為1個或3個以上。再者，凹部1311h為申請專利範圍中之「第1凹部」之一例。

旋轉驅動部132h構成為基於自控制部18接收到之控制信號，使旋轉用晶圓保持台131h旋轉。旋轉驅動部132h具有馬達作為驅動源。旋轉驅動部132h構成為使旋轉用晶圓保持台131h於繞著旋轉中心軸線Cs之R方向(圓周方向)上旋轉。即，旋轉驅動部132h使旋轉用晶圓保持台131h向R1方向或R2方向旋轉。

旋轉角度位置檢測部133h係用以檢測保持於旋轉台13h之晶圓We的旋轉台13h之旋轉方向(R方向)之旋轉角度位置θr的構成(參照圖11)。具體而言，旋轉角度位置檢測部133h具有編碼器1331h及計數部 1332h。

編碼器1331h構成為檢測旋轉台13h之旋轉角度。即，編碼器1331h構成為每當檢測到旋轉台13h之固定旋轉角度之旋轉，便向計數部1332h發送脈衝波。作為一例，編碼器1331h構成為每當檢測到旋轉台13h之0.1度之旋轉，便向計數部1332h發送脈衝波。編碼器1331h由光學式旋轉編碼器(透過型或反射型)、光學式線性編碼器(透過型或反射型)或磁式線性編碼器等構成。

計數部1332h具有基於自編碼器1331h接收到之脈衝波而使旋轉台13h之旋轉角度增加或減少之第1計數值。第1計數值例如具有16bit之解析度。第1計數值能將旋轉台13h之固定旋轉角度之旋轉最大計數至65536。即，每當第1計數值增加，旋轉角度便以固定旋轉角度之量增加(或減少)。計數部1332h具有使基於第1計數值之旋轉台13h之旋轉次數增加或減少之第2計數值。第2計數值例如具有12bit之解析度。該情形時，能將旋轉台13h之旋轉次數最大計數至4096。

Z方向移動機構134h構成為使旋轉用晶圓保持台131h、旋轉驅動部132h及旋轉角度位置檢測部133h一體地向Z1方向或Z2方向移動。具體而言，Z方向移動機構134h具有活塞及汽缸。

Z方向移動機構134h構成為基於來自控制部18之控制信號，使突出之活塞收納於汽缸，而使旋轉用晶圓保持台131h、旋轉驅動部132h及旋轉角度位置檢測部133h一體地向Z2方向移動。藉此，旋轉用晶圓保持台131h移動至被飛散抑制護罩13g包圍之塗佈洗淨高度位置H1。於塗佈洗淨高度位置H1處，進行晶圓We之電路面We1上之保護膜之形成、保護膜之乾燥、保護膜之去除、及保護膜去除後之電路面We1之乾 燥。

又，如圖16所示，Z方向移動機構134h構成為基於來自控制部18之控制信號，使活塞自汽缸突出，而使旋轉用晶圓保持台131h、旋轉驅動部132h及旋轉角度位置檢測部133h一體地向Z1方向移動。藉此，旋轉用晶圓保持台131h移動至自飛散抑制護罩13g突出之搬入搬出高度位置H2。於搬入搬出高度位置H2處，進行藉由搬送機構15相對於旋轉用晶圓保持台131h搬入及搬出晶圓We之各動作。

(攝像部)

如圖17所示，攝像部14構成為自Z1方向側拍攝吸附於旋轉用晶圓保持台131h之晶圓We。攝像部14構成為自Z1方向側拍攝吸附於旋轉用晶圓保持台131h之晶圓We，以測量吸附於旋轉用晶圓保持台131h之晶圓We上塗佈之保護膜之厚度。由攝像部14拍攝到之攝像圖像隨著晶圓We上塗佈之保護膜之厚度增大而接近於黑色(亮度值為0)，隨著晶圓We上塗佈之保護膜之厚度減小而接近於白色(亮度值為255)。此處，攝像部14構成為於旋轉用晶圓保持台131h停止之狀態下，自Z1方向側拍攝晶圓We。

(搬送機構)

搬送機構15構成為搬送由下述U字狀之手部15a保持之晶圓We。具體而言，搬送機構15具有U字狀之手部15a、第1臂部15b、第2臂部15c及Z方向移動機構(未圖示)。

U字狀之手部15a構成為吸附晶圓We之與電路面We1為相反側之背面加以保持。U字狀之手部15a係至少於呈直線狀延伸之部分形 成有用以吸附晶圓We加以保持之吸附孔之機械手。

第1臂部15b將U字狀之手部15a與第2臂部15c連接。第2臂部15c將第1臂部15b與安裝構件(未圖示)連接。即，於第1臂部15b之前端部，以能繞著與Z方向平行之旋動軸線旋動之方式連接有U字狀之手部15a。又，於第2臂部15c之前端部，以能使第1臂部15b向第1臂部15b之延伸方向移動之方式連接有第1臂部15b之基端部。又，第2臂部15c之基端部以能向Z1方向、Z2方向、及第2臂部15c之延伸方向分別移動之方式安裝於安裝構件(未圖示)。Z方向移動機構(未圖示)構成為藉由使第2臂部15c向Z1方向或Z2方向移動，而使U字狀之手部15a與第1臂部15b一體地向Z1方向或Z2方向移動。

藉由上述構成，搬送機構15構成為於吸附有晶圓We之狀態下，移動U字狀之手部15a、第1臂部15b及第2臂部15c，使U字狀之手部15a對準旋轉用晶圓保持台131h之凹部1311h之位置，然後相對於旋轉用晶圓保持台131h搬入或搬出晶圓We。又，如圖18所示，搬送機構15構成為於吸附有晶圓We之狀態下，移動U字狀之手部15a、第1臂部15b及第2臂部15c，使U字狀之手部15a對準開槽用晶圓保持台121a之凹部1211a之位置，然後相對於開槽用晶圓保持台121a搬入或搬出晶圓We。

(臨時放置用台)

臨時放置用台16構成為吸附由搬送機構15搬送來之晶圓We加以保持。此處，臨時放置用台16構成為於藉由雷射光照射部12實施開槽處理後，且於將晶圓We之電路面We1之保護膜去除前，吸附由搬送機構15搬送來之晶圓We加以保持。

具體而言，臨時放置用台16具有臨時放置用晶圓保持台16a及基座(未圖示)。臨時放置用晶圓保持台16a固定於基座之Z1方向側之端部。

臨時放置用晶圓保持台16a係形成有用以吸附晶圓We加以保持之吸附孔之台。於臨時放置用晶圓保持台16a，形成有能供插入搬送機構15之U字狀之手部15a之凹部161a。凹部161a係使臨時放置用晶圓保持台16a之Z1方向側之面(上表面)向Z2方向(下方)凹陷而形成。凹部161a沿著X方向延伸。凹部161a沿著Y方向排列複數個(2個)而配置。再者，凹部1311h亦可為1個或3個以上。再者，凹部161a為申請專利範圍中之「第3凹部」之一例。

(基座)

於基座17，安裝有雷射光照射部12、電路面覆膜洗淨部13、搬送機構15及臨時放置用台16等。

(控制部)

控制部18包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、以及具有ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)及SSD(Solid State Drive，固態驅動器)等之記憶部。記憶部中記憶有控制開槽裝置1之控制程式。控制程式具有解除時位置調整控制，上述解除時位置調整控制用以調整解除旋轉台13h對晶圓We之保持時之晶圓We的R方向(旋轉方向)上之解除時位置P2。

(解除時位置調整控制)

如圖19及圖20所示，控制部18構成為進行基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果、及晶圓We之R方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓We之旋轉角度位置θr之控制。

即，本實施方式之控制部18構成為進行如下控制：基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果及初始位置P1，調整晶圓We之旋轉角度位置θr，上述初始位置P1係藉由旋轉台13h保持晶圓We時晶圓We之R方向上之上述目標旋轉角度位置。此處，控制部18構成為進行如下控制：基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果及初始位置P1，調整解除旋轉台13h對晶圓We之保持時晶圓We之R方向上之解除時位置P2。即，控制部18構成為進行如下控制：基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果及初始位置P1，以使解除時位置P2對準初始位置P1之方式進行調整。此處，作為一例，初始位置P1係晶圓We之凹槽Nt朝向Z1方向之狀態。

具體而言，控制部18構成為進行如下控制：於自樹脂塗佈噴嘴13a滴下水溶性樹脂後，使旋轉台13h旋轉，而利用離心力使水溶性樹脂覆蓋於晶圓We之電路面We1。控制部18構成為於藉由水溶性樹脂覆蓋晶圓We之電路面We1之控制後，進行如下控制：使旋轉台13h旋轉，同時自乾燥噴嘴13e吹送暖風，藉此使晶圓We之電路面We1之水溶性樹脂硬化。藉由水溶性樹脂覆蓋晶圓We之電路面We1之控制之初始位置P1與解除時位置P2藉由使旋轉台13h自使水溶性樹脂硬化之控制之覆膜完成時位置P3(參照圖21)向R2方向(或R1方向)旋轉而變得一致。

又，控制部18構成為進行如下控制：於自洗淨噴嘴13c滴下洗淨水後，使旋轉台13h旋轉，而利用離心力使洗淨水遍佈晶圓We之電 路面We1。控制部18構成為於使洗淨水遍佈之控制後，進行如下控制：使旋轉台13h旋轉，同時自乾燥噴嘴13e吹送暖風，藉此使晶圓We之電路面We1乾燥。藉由洗淨水進行洗淨之控制之初始位置P1與解除時位置P2藉由使旋轉台13h自使電路面We1乾燥之控制之乾燥完成時位置P4(參照圖22)向R2方向(或R1方向)旋轉而變得一致。

為了進行上述控制，如圖23所示，控制部18構成為進行如下控制：基於來自使用者之輸入操作，獲取進行旋轉台13h之旋轉控制時之速度(轉速)及旋轉次數之數值。控制部18構成為進行藉由使獲取之旋轉次數之數值乘以360度而獲取總旋轉角度Tr(Ts)之控制。旋轉控制中之速度及旋轉次數各自之設定可分別對覆膜、覆膜後乾燥、洗淨及洗淨後乾燥個別地進行。

旋轉控制中之速度及旋轉次數各自之設定可分第1階段、第2階段及第3階段來進行。

即，覆膜時，若於使旋轉台13h高速旋轉之狀態下向電路面We1滴下水溶性樹脂，則會發生無法使水溶性樹脂遍佈電路面We1而被覆之情形。此種情形時，需要使旋轉台13h以低速旋轉來調整覆膜之厚度。覆膜時，於使旋轉台13h旋轉，藉由水溶性樹脂覆蓋電路面We1後，利用離心力來調整覆膜之厚度之情形時，需要根據覆膜之黏度，使旋轉台13h以高速旋轉。

又，洗淨時，若於使旋轉台13h高速旋轉之狀態下向電路面We1滴下洗淨水，則會發生無法使洗淨水遍佈電路面We1之情形。此種情形時，需要使旋轉台13h以低速旋轉。洗淨時，於使旋轉台13h旋轉，使得洗淨水遍佈電路面We1之情形時，為了甩去洗淨水，需要使旋轉台 13h以高速旋轉。

為了應對如上所述之情形，於第1階段、第2階段及第3階段各者，旋轉控制中之速度及旋轉次數均能分別設定。再者，於覆膜後乾燥及洗淨後乾燥中，均無需提高速度，因此使用者亦可僅設定第1階段。

如圖24及圖25所示，控制部18構成為基於旋轉控制中之速度及旋轉次數各自之設定，控制覆膜、覆膜後乾燥、洗淨及洗淨後乾燥各步驟時之旋轉台13h。再者，使旋轉台13h加速時之加速度已按預先設定之數值記憶於記憶部。又，使旋轉台13h減速時之減速度已按預先設定之數值記憶於記憶部。

<覆膜及覆膜後乾燥>

具體而言，如圖24所示，控制部18構成為將維持晶圓通電裝置201中之晶圓We之旋轉角度位置θr之定位精度不變的狀態之晶圓We，藉由U字狀之手部15a自匣盒部11維持解除時位置P2之旋轉角度不變地搬送至旋轉台13h，以進行覆膜及覆膜後乾燥。此處，控制部18構成為進行如下控制：基於已藉由旋轉台13h保持晶圓We，而將藉由旋轉角度位置檢測部133h之計數部1332h獲取並記錄之旋轉次數恢復為初始值。此處，所謂維持旋轉角度不變，表示至少維持定位於解除時位置P2之晶圓We之旋轉角度。

控制部18構成為基於由編碼器1331h檢測到之旋轉台13h之旋轉角度，控制用於保護膜之形成(覆膜及硬化)的旋轉台13h之轉速。即，控制部18構成為藉由反饋控制來控制旋轉台13h之轉速。該情形時，控制部18構成為在形成保護膜時，如上所述，進行於使旋轉台13h以低速 之轉速(第1階段之速度C1V)旋轉後，將旋轉台13h之轉速變更成高速(第2階段之速度C2V)之控制。又，於形成保護膜時，計數部1332h構成為對旋轉台13h之旋轉次數進行加法運算。

此處，控制部18構成為在覆膜完成時，進行如下控制：於使旋轉台13h停止旋轉之狀態下，基於由攝像部14拍攝到之攝像圖像，檢查晶圓We上塗佈之保護膜之厚度。控制部18構成為進行如下控制：當檢查結果為保護膜之厚度較小時，於進而滴下水溶性樹脂後，使旋轉台13h旋轉，當檢查結果為保護膜之厚度較大時，使旋轉台13h旋轉。又，於調整保護膜時，計數部1332h構成為對旋轉台13h之旋轉次數進行減法運算。

而且，控制部18構成為進行如下控制：於使由旋轉台13h保持之晶圓We旋轉而進行之包括保護膜之形成在內之作業結束後，使旋轉台13h自作業結束時之旋轉角度位置θr(例如，圖21之覆膜完成時位置P3)旋轉至解除時位置P2(參照圖20)。即，控制部18構成為進行基於由編碼器1331h檢測到之旋轉台13h之旋轉角度及初始位置P1，調整解除時位置P2之控制。

具體而言，控制部18構成為進行如下控制：藉由將旋轉次數Tr1、旋轉次數Tr2、旋轉次數Tr3、旋轉次數Tr4、旋轉次數Tr5、旋轉次數Tr6及旋轉次數Tr7相加，而獲取總旋轉角度Tr。控制部18構成為進行如下控制：藉由自360度減去總旋轉角度Tr除以360度所得之餘數，而獲取用以使覆膜完成時位置P3對準解除時位置P2(初始位置P1)之目標旋轉角度。即，按照目標旋轉角度=360度-((旋轉次數Tr1+旋轉次數Tr2+旋轉次數Tr3+旋轉次數Tr4+旋轉次數Tr5+旋轉次數Tr6+旋轉次數 Tr7)×(360度)×(mod360度))來進行計算。控制部18構成為進行如下控制：藉由使旋轉台13h旋轉目標旋轉角度，而以使解除時位置P2對準初始位置P1之方式進行調整。

控制部18構成為將定位於解除時位置P2之狀態之晶圓We藉由U字狀之手部15a維持旋轉角度不變地自旋轉台13h搬送至開槽用晶圓保持台121a(雷射光照射部12)，以於雷射光照射部12中進行開槽處理。

<洗淨及洗淨後乾燥>

具體而言，如圖25所示，控制部18構成為將維持雷射光照射部12中之晶圓We之旋轉角度位置θr之定位精度不變的狀態之晶圓We藉由U字狀之手部15a自開槽用晶圓保持台121a維持旋轉角度不變地搬送至旋轉台13h，以進行洗淨及洗淨後乾燥。此處，控制部18構成為進行如下控制：基於已藉由旋轉台13h保持晶圓We，而將藉由旋轉角度位置檢測部133h之計數部1332h獲取並記錄之旋轉次數恢復為初始值。此處，所謂維持旋轉角度不變，表示至少維持定位於雷射光照射部12之晶圓We之旋轉角度。

控制部18構成為基於由編碼器1331h檢測到之旋轉台13h之旋轉角度，控制用於電路面We1之洗淨及乾燥的旋轉台13h之轉速。即，控制部18構成為藉由反饋控制來控制旋轉台13h之轉速。該情形時，控制部18構成為在洗淨電路面We1時，如上所述，進行於使旋轉台13h以低速之轉速(第1階段之速度W1V)旋轉後，將旋轉台13h之轉速變更成高速(第2階段之速度W2V)之控制。又，於洗淨電路面We1時，計數部1332h構成為對旋轉台13h之旋轉次數進行加法運算。

控制部18構成為進行如下控制：於使由旋轉台13h保持之晶圓We旋轉而進行之包括電路面We1之洗淨及乾燥在內之作業結束後，使旋轉台13h自作業結束時之旋轉角度位置θr(例如，圖22之乾燥完成時位置P4)旋轉至解除時位置P2(參照圖20)。即，控制部18構成為進行基於由編碼器1331h檢測到之旋轉台13h之旋轉角度及初始位置P1，調整解除時位置P2之控制。

具體而言，控制部18構成為進行如下控制：藉由將旋轉次數Ts1、旋轉次數Ts2、旋轉次數Ts3、旋轉次數Ts4、旋轉次數Ts5、旋轉次數Ts6及旋轉次數Ts7相加，而獲取總旋轉角度Ts。控制部18構成為進行如下控制：藉由自360度減去總旋轉角度Ts除以360度所得之餘數，而獲取用以使乾燥完成時位置P4對準解除時位置P2(初始位置P1)之目標旋轉角度。即，按照目標旋轉角度=360度-((旋轉次數Ts1+旋轉次數Ts2+旋轉次數Ts3+旋轉次數Ts4+旋轉次數Ts5+旋轉次數Ts6+旋轉次數Ts7)×(360度)×(mod360度))來進行計算。控制部18構成為進行如下控制：藉由使旋轉台13h旋轉目標旋轉角度，而以使解除時位置P2對準初始位置P1之方式進行調整。

控制部18構成為將定位於解除時位置P2之狀態之晶圓We藉由U字狀之手部15a維持旋轉角度不變地自旋轉台13h搬送至匣盒部11，以將其收容於匣盒部11。此處，所謂維持旋轉角度不變，表示至少維持定位於解除時位置P2之晶圓We之旋轉角度。

(解除時位置調整處理)

此處，參照圖26，對使晶圓We之R方向上之解除時位置P2對準初始 位置P1之解除時位置調整處理進行說明。

如圖26所示，於步驟S101中，控制部18基於旋轉台13h已保持(吸附)晶圓We，而將旋轉角度位置檢測部133h(計數部1332h)初始化(重設)。於步驟S102中，控制部18於初始化後，一面計數旋轉台13h之旋轉次數一面使旋轉台13h旋轉，藉此進行水溶性樹脂於電路面We1上之被覆及硬化(或所被覆之水溶性樹脂之洗淨及電路面We1之乾燥)。於步驟S103中，控制部18基於總旋轉角度Tr(Ts)，獲取目標旋轉角度。於步驟S104中，控制部18基於目標旋轉角度，使旋轉台13h旋轉而調整解除時位置P2，然後結束解除時位置調整處理。

如此，半導體晶片Ch如上所述，係藉由具備雷射光照射部12、旋轉台13h、旋轉角度位置檢測部133h及控制部18之開槽裝置1製造而成，上述控制部18進行基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果、及晶圓We之R方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓We之旋轉角度位置θr之控制。

又，半導體晶片製造處理(半導體晶片Ch之製造方法)包含步驟S1，即，基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果、及晶圓We之R方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓We之旋轉角度位置θr，上述旋轉角度位置檢測部133h用以檢測保持於旋轉台13h之晶圓We的旋轉台13h之R方向之旋轉角度位置θr，上述旋轉台13h於形成保護晶圓We之電路面We1不受殘渣影響之保護膜時，保持晶圓We，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由雷射光照射部12實施開槽處理時。半導體晶片Ch之製造方法包含步驟S5，即，沿著設置有複數個半導體晶片Ch之晶圓We之複數個切割道Ws中的各者照射雷射光Ld。半導體晶片Ch之製造方法包含步驟S6，即， 利用擴開部606使擴開用膠帶Te擴開，藉此沿著複數個切割道Ws中的各者，將晶圓We分割成複數個半導體晶片Ch。

(本實施方式之效果)

本實施方式中，能獲得以下所述之效果。

本實施方式中，如上所述，開槽裝置1具備控制部18，上述控制部18進行基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果、及晶圓We之R方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓We之旋轉角度位置θr之控制。如此，藉由調整晶圓We之旋轉角度位置θr，於雷射光照射部12中，能進行與晶圓We之旋轉角度位置θr之粗定位相同程度之粗定位，上述晶圓We之旋轉角度位置θr之粗定位係基於設置在晶圓We之外周之凹槽Nt或參考面之旋轉角度位置而實施的。結果，無需進行凹槽Nt或參考面之檢測，基於定位在調整後之旋轉角度位置θr之晶圓We，便能獲取晶圓We之對準標記Ar之位置，故而能縮短調整晶圓We之旋轉角度位置θr所需之時間。

本實施方式中，如上所述，控制部18具備控制部18，上述控制部18進行如下控制：基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果及初始位置P1，調整解除旋轉台13h對晶圓We之保持時晶圓We之R方向上之解除時位置P2，上述初始位置P1係藉由旋轉台13h保持晶圓We時晶圓We之R方向上之上述目標旋轉角度位置。如此，藉由將晶圓We調整成解除時位置P2，於雷射光照射部12中，能進行與晶圓We之旋轉角度位置θr之粗定位相同程度之粗定位，上述晶圓We之旋轉角度位置θr之粗定位係基於設置在晶圓We之外周之凹槽Nt或參考面之旋轉角度位置而實施的。結果，無需進行凹槽Nt或參考面之檢測，基於定位在解除時位置P2之晶圓 We，便能獲取晶圓We之對準標記Ar之位置，故而能縮短調整晶圓We之旋轉角度位置θr所需之時間。

又，本實施方式中，如上所述，開槽裝置1構成為將基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果及初始位置P1而定位於解除時位置P2之晶圓We維持旋轉角度不變地自旋轉台13h搬送至雷射光照射部12。如此，能維持解除時位置P2之旋轉角度不變地將晶圓We搬送至雷射光照射部12，故而於雷射光照射部12中，無需進行凹槽Nt或參考面之檢測，基於維持解除時位置P2之旋轉角度不變之晶圓We，便能獲取晶圓We之對準標記Ar之位置。結果，於雷射光照射部12中，能縮短調整晶圓We之旋轉角度位置θr所需之時間。

又，本實施方式中，如上所述，開槽裝置1具備收容晶圓We之匣盒部11。開槽裝置1構成為將基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果及初始位置P1而定位於解除時位置P2之晶圓We維持旋轉角度不變地自旋轉台13h搬送至匣盒部11。如此，能維持解除時位置P2之旋轉角度不變地將晶圓We搬送至匣盒部11，故而於開槽裝置1之下一個步驟中，無需進行凹槽Nt或參考面之檢測，基於維持解除時位置P2之旋轉角度不變之晶圓We，便能獲取晶圓We之對準標記Ar之位置。結果，於開槽裝置1之下一個步驟中，能縮短調整晶圓We之旋轉角度位置θr所需之時間。

又，本實施方式中，如上所述，控制部18構成為進行如下控制：基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果及初始位置P1，以使解除時位置P2對準初始位置P1之方式進行調整。如此，能使初始位置P1處之晶圓We之定位精度與解除時位置P2處之晶圓We之定位精度維持於相同程度，故而於開槽裝置1之前一個步驟中之晶圓We之定位精度為高精度之 情形時，解除時位置P2處之晶圓We之定位精度亦能維持為高精度。

又，本實施方式中，如上所述，旋轉角度位置檢測部133h包含檢測旋轉台13h之旋轉角度之編碼器1331h。控制部18構成為進行基於由編碼器1331h檢測到之旋轉台13h之旋轉角度及初始位置P1，調整解除時位置P2之控制。如此，能輕易地藉由編碼器1331h獲取晶圓We之初始位置P1、及將晶圓We調整成解除時位置P2，從而能輕易地實現可將晶圓We調整成解除時位置P2之開槽裝置1。

又，本實施方式中，如上所述，旋轉台13h構成為於藉由雷射光照射部12實施開槽處理後，進行保護膜之去除及電路面We1之乾燥時，保持晶圓We，使之旋轉。控制部18構成為基於由編碼器1331h檢測到之旋轉台13h之旋轉角度，控制保護膜之形成、保護膜之去除、及保護膜去除後之電路面We1之乾燥各自的旋轉台13h之轉速。如此，不僅能藉由編碼器1331h獲取晶圓We之初始位置P1、及將晶圓We調整成解除時位置P2，還能控制旋轉台13h之轉速，故而與使用個別感測器之情形時相比，能抑制開槽裝置1之零件個數增加。

又，本實施方式中，如上所述，控制部18構成為進行如下控制：於使由旋轉台13h保持之晶圓We旋轉而進行之包括保護膜之形成在內之作業結束後，使旋轉台13h自作業結束時之旋轉角度位置θr旋轉至解除時位置P2。如此，能於將合適之保護膜形成於晶圓We之電路面We1後，將晶圓We調整成解除時位置P2，故而既能得當地形成保護膜，又能得當地將晶圓We調整成解除時位置P2。

又，本實施方式中，如上所述，開槽裝置1具備搬送機構15，上述搬送機構15包含吸附晶圓We之與電路面We1為相反側之背面加 以保持之U字狀之手部15a，構成為搬送由U字狀之手部15a保持之晶圓We。旋轉台13h包含旋轉用晶圓保持台131h，上述旋轉用晶圓保持台131h構成為吸附由搬送機構15搬送來之晶圓We加以保持，並且形成有能供插入U字狀之手部15a之凹部1311h。此處，向凹部1311h插入U字狀之手部15a而藉由旋轉用晶圓保持台131h保持晶圓We，因此藉由旋轉用晶圓保持台131h保持晶圓We時之U字狀之手部15a之姿勢已預先設定。故而，U字狀之手部15a係以固定姿勢保持晶圓We，因此由U字狀之手部15a保持之晶圓We亦被以固定姿勢保持。結果，U字狀之手部15a能維持解除時位置P2之旋轉角度不變地搬送晶圓We。

又，本實施方式中，如上所述，開槽裝置1具備開槽用夾具台12a，上述開槽用夾具台12a於藉由雷射光照射部12實施開槽處理時，吸附由搬送機構15搬送來之晶圓We加以保持，並且使晶圓We旋動或於水平方向上移動。開槽用夾具台12a包含形成有凹部1211a之開槽用晶圓保持台121a。此處，向凹部1211a插入U字狀之手部15a而藉由開槽用夾具台12a保持晶圓We，因此藉由開槽用夾具台12a保持晶圓We時之U字狀之手部15a之姿勢已預先設定。故而，晶圓We係以固定姿勢被自U字狀之手部15a搬送至開槽用夾具台12a，因此能維持解除時位置P2之旋轉角度不變地使開槽用夾具台12a保持晶圓We。

又，本實施方式中，如上所述，開槽裝置1具備臨時放置用台16，上述臨時放置用台16於藉由雷射光照射部12實施開槽處理後，且於將晶圓We之電路面We1之保護膜去除前，吸附由搬送機構15搬送來之晶圓We加以保持。臨時放置用台16包含形成有凹部161a之臨時放置用晶圓保持台16a。此處，向凹部161a插入U字狀之手部15a而藉由臨時放置 用台16保持晶圓We，因此藉由臨時放置用台16保持晶圓We時之U字狀之手部15a之姿勢已預先設定。故而，晶圓We係以固定姿勢被自U字狀之手部15a搬送至臨時放置用台16，因此能維持解除時位置P2之旋轉角度不變地使臨時放置用台16保持晶圓We。

又，本實施方式中，如上所述，開槽裝置1具備電路面覆膜洗淨部13，上述電路面覆膜洗淨部13設置有旋轉台13h，進行晶圓We之電路面We1上之保護膜之形成、保護膜之去除及乾燥。電路面覆膜洗淨部13包含樹脂塗佈噴嘴13a，上述樹脂塗佈噴嘴13a為了形成保護膜，而向晶圓We之電路面We1塗佈水溶性樹脂。電路面覆膜洗淨部13包含洗淨噴嘴13c，上述洗淨噴嘴13c向晶圓We之電路面We1供給將由樹脂塗佈噴嘴13a塗佈之水溶性樹脂去除之洗淨水。電路面覆膜洗淨部13包含乾燥噴嘴13e，上述乾燥噴嘴13e吹送使晶圓We之電路面We1乾燥之暖風。樹脂塗佈噴嘴13a、洗淨噴嘴13c及乾燥噴嘴13e分別構成為能相互獨立地旋動。此處，於樹脂塗佈噴嘴13a、洗淨噴嘴13c及乾燥噴嘴13e一體地旋動之情形時，例如藉由樹脂塗佈噴嘴13a塗佈水溶性樹脂時，鑒於洗淨噴嘴13c及乾燥噴嘴13e亦一併旋動，可想而知，水溶性樹脂會附著於洗淨噴嘴13c及乾燥噴嘴13e，於樹脂塗佈過程中、乾燥過程中殘液會自洗淨噴嘴13c滴落而附著於其他噴嘴，或於洗淨過程中、乾燥過程中殘液會自樹脂塗佈噴嘴13a滴落而附著於其他噴嘴這些情況亦可想而知。鑒於此，樹脂塗佈噴嘴13a、洗淨噴嘴13c及乾燥噴嘴13e分別構成為能相互獨立地旋動，藉此能抑制自樹脂塗佈噴嘴13a塗佈之水溶性樹脂附著於洗淨噴嘴13c及乾燥噴嘴13e，於樹脂塗佈過程中、乾燥過程中有洗淨噴嘴13c之殘液附著，及於洗淨過程中、乾燥過程中有樹脂塗佈噴嘴13a之殘液附著，等 等。

又，本實施方式中，如上所述，開槽裝置1具備第1旋動機構13b，上述第1旋動機構13b將樹脂塗佈噴嘴13a旋動至向晶圓We之電路面We1塗佈水溶性樹脂之塗佈位置Pr1、及使樹脂塗佈噴嘴13a自塗佈位置Pr1退避之第1退避位置Pr2中之任一者。開槽裝置1具備第2旋動機構13d，上述第2旋動機構13d將洗淨噴嘴13c旋動至向晶圓We之電路面We1供給洗淨水之供給位置Pw1、及使洗淨噴嘴13c自供給位置Pw1退避之第2退避位置Pw2中之任一者。開槽裝置1具備第3旋動機構13f，上述第3旋動機構13f將乾燥噴嘴13e旋動至向晶圓We之電路面We1吹送暖風之送風位置Pb1、及使乾燥噴嘴13e自送風位置Pb1退避之第3退避位置Pb2中之任一者。如此，能輕易地實現使樹脂塗佈噴嘴13a、洗淨噴嘴13c及乾燥噴嘴13e各自獨立地旋動之構造。

又，本實施方式中，如上所述，半導體晶片Ch係藉由開槽裝置1製造而成，上述開槽裝置1具備：雷射光照射部12，其進行開槽處理，即，沿著晶圓We之電路面We1之半導體晶片Ch間之切割道Ws照射雷射光Lg，形成將絕緣膜分斷之槽；旋轉台13h，其於形成保護晶圓We之電路面We1不受殘渣影響之保護膜時，保持晶圓We，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由雷射光照射部12實施開槽處理時；旋轉角度位置檢測部133h，其用以檢測保持於旋轉台13h之晶圓We的旋轉台13h之R方向之旋轉角度位置θr；及控制部18，其進行基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果、及晶圓We之R方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓We之旋轉角度位置θr之控制。如此，藉由調整晶圓We之旋轉角度位置θr，於雷射光照射部12中，能進行與晶圓We之旋轉角度位置θr之粗定位相同程度之粗 定位，上述晶圓We之旋轉角度位置θr之粗定位係基於設置在晶圓We之外周之凹槽Nt或參考面之旋轉角度位置而實施的。結果，無需進行凹槽Nt或參考面之檢測，基於定位在調整後之旋轉角度位置θr之晶圓We，便能獲取晶圓We之對準標記Ar之位置，故而可提供一種能縮短調整晶圓We之旋轉角度位置θr所需之時間之半導體晶片Ch。

又，本實施方式中，如上所述，半導體晶片Ch之製造方法包含步驟S1，即，基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果、及晶圓We之R方向上之目標旋轉角度位置，調整晶圓We之旋轉角度位置θr，上述旋轉角度位置檢測部133h用以檢測保持於旋轉台13h之晶圓We的旋轉台13h之R方向之旋轉角度位置θr，上述旋轉台13h於形成保護晶圓We之電路面We1不受殘渣影響之保護膜時，保持晶圓We，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由雷射光照射部12實施開槽處理時。半導體晶片Ch之製造方法包含步驟S5，即，沿著設置有複數個半導體晶片Ch之晶圓We之複數個切割道Ws中的各者照射雷射光Ld。半導體晶片Ch之製造方法包含步驟S6，即，利用擴開部606使擴開用膠帶Te擴開，藉此沿著複數個切割道Ws中的各者，將晶圓We分割成複數個半導體晶片Ch。如此，藉由調整晶圓We之旋轉角度位置θr，於雷射光照射部12中，能進行與晶圓We之旋轉角度位置θr之粗定位相同程度之粗定位，上述晶圓We之旋轉角度位置θr之粗定位係基於設置在晶圓We之外周之凹槽Nt或參考面之旋轉角度位置而實施的。結果，無需進行凹槽Nt或參考面之檢測，基於定位在調整後之旋轉角度位置θr之晶圓We，便能獲取晶圓We之對準標記Ar之位置，故而可提供一種能縮短調整晶圓We之旋轉角度位置θr所需之時間之半導體晶片Ch之製造方法。

[變化例]

再者，本次所揭示之實施方式應被視為所有方面皆僅為例示，並不具有限制性。本發明之範圍由申請專利範圍表示，而不由上述實施方式之說明表示，進而包含與申請專利範圍等同之含義下及範圍內之所有變更(變化例)。

例如，上述本實施方式中，示出了如下例：攝像部14構成為自Z1方向側拍攝吸附於旋轉用晶圓保持台131h之晶圓We，以測量吸附於旋轉用晶圓保持台131h之晶圓We上塗佈之保護膜之厚度；但本發明並不限於此。於本發明中，如圖27所示之變化例般，攝像部714亦可構成為拍攝保持於旋轉台13h之晶圓We，藉此拍攝設置於晶圓We之外周之位置基準部(凹槽Nt或參考面)，以檢測保持於旋轉台13h之晶圓We之旋轉角度位置θr。

該情形時，開槽裝置701具備開槽用夾具台12a，上述開槽用夾具台12a於藉由雷射光照射部12實施開槽處理時，吸附由搬送機構15搬送來之晶圓We加以保持，並且使晶圓We旋動或於水平方向上移動。控制部718構成為進行如下控制：基於預先設定之目標旋轉角度位置及晶圓We之圖像，在藉由開槽用夾具台12a保持晶圓We後，調整晶圓We之旋轉角度位置θr，上述圖像由攝像部714拍攝獲得，包含結束旋轉台13h之旋轉時之位置基準部。如此，藉由基於晶圓We之圖像，在晶圓We由開槽用夾具台12a保持後，利用開槽用夾具台12a調整晶圓We之旋轉角度位置，能基於晶圓We之實際之旋轉角度位置θr，調整晶圓We之旋轉角度位置θr，故而能將晶圓We準確地調整成預先設定之目標旋轉角度位置而將晶圓We 保持於開槽用夾具台12a。

又，開槽裝置701具備收容晶圓We之匣盒部11(晶圓收容部)。開槽裝置1具備搬送機構15，上述搬送機構15包含吸附晶圓We之與電路面We1為相反側之背面加以保持之U字狀之手部15a，構成為搬送由U字狀之手部15a保持之晶圓We。旋轉角度位置檢測部包含攝像部714，上述攝像部714為了檢測保持於旋轉台13h之晶圓We之旋轉角度位置θr，而拍攝保持於旋轉台13h之晶圓We，藉此拍攝設置於晶圓We之外周之凹槽Nt(位置基準部)。控制部718構成為進行如下控制：基於預先設定之目標旋轉角度位置及晶圓We之圖像，調整藉由U字狀之手部15a向匣盒部11(晶圓收容部)收容晶圓We時的U字狀之手部15a之姿勢，藉此調整晶圓We之旋轉角度位置，上述圖像由攝像部714拍攝獲得，包含結束旋轉台13h之旋轉時之凹槽Nt(位置基準部)。如此，藉由基於晶圓We之圖像，利用U字狀之手部15a調整晶圓We之旋轉角度位置，能基於晶圓We之實際之旋轉角度位置，調整晶圓We之旋轉角度位置，故而能將晶圓We準確地調整成預先設定之目標旋轉角度位置而將其收容於匣盒部11(晶圓收容部)。

參照圖28~圖30，對晶圓We自匣盒部11向開槽用夾具台12a之搬送進行說明。此處，如圖28所示，U字狀之手部15a之旋轉角度位置θh之原點表示U字狀之手部15a之直線狀之部分沿著X方向平行地延伸之姿勢。又，旋轉台13h之旋轉角度位置θs之原點表示旋轉用晶圓保持台131h之凹部1311h沿著X方向平行地延伸之狀態。又，開槽用夾具台12a之旋轉角度位置θg之原點表示開槽用晶圓保持台121a之凹部1211a沿著X方向平行地延伸之狀態。又，晶圓We之目標旋轉角度位置已預先記憶於控 制部18之記憶部。

如圖28所示，控制部718構成為進行如下控制：於U字狀之手部15a之旋轉角度位置θh對準原點之狀態下，藉由U字狀之手部15a自匣盒部11取出晶圓We。如圖29所示，控制部718構成為進行如下控制：於自匣盒部11取出晶圓We後，將晶圓We移載至旋轉角度位置θs對準原點之旋轉台13h。控制部718構成為進行如下控制：於自旋轉用晶圓保持台131h之凹部1311h抽出U字狀之手部15a後，藉由旋轉台13h吸附晶圓We加以保持。

控制部718構成為進行如下控制：於使保持有晶圓We之狀態之旋轉台13h旋轉，同時向晶圓We之電路面We1塗佈保護膜並使之乾燥後，使旋轉角度位置θs對準原點並停止。控制部718構成為進行如下控制：基於已使旋轉台13h之旋轉角度位置θs對準原點並停止，而藉由攝像部714拍攝保持於旋轉台13h之晶圓We。控制部718構成為進行如下控制：基於由攝像部714拍攝到之晶圓We之攝像圖像，獲取晶圓We之旋轉角度位置θr。控制部718構成為進行如下控制：基於獲取之晶圓We之旋轉角度位置θr與預先記憶(設定)之目標旋轉角度位置之差，計算出差分。

如圖29所示，控制部718構成為進行如下控制：於向旋轉角度位置θs對準原點之旋轉台13h之凹部1311h插入旋轉角度位置θh對準原點之U字狀之手部15a而吸附晶圓We加以保持後，將晶圓We移載至旋轉角度位置θg對準原點之開槽用夾具台12a。

如圖30所示，控制部718構成為進行如下控制：於自開槽用晶圓保持台121a之凹部1211a抽出U字狀之手部15a後，藉由開槽用夾具台12a吸附晶圓We加以保持。又，控制部718構成為進行使開槽用夾具台 12a之旋轉角度位置θg自原點以差分之量旋轉之控制。控制部718構成為於使開槽用夾具台12a之旋轉角度位置θg自原點以差分之量旋轉後，進行開槽用夾具台12a之水平方向及R方向(圓周方向)之對準。控制部718構成為於對準後，藉由雷射光照射部12執行開槽處理。

如此，若於旋轉台13h中調整旋轉角度位置θr，則手部15a無法插入凹部1311h，因此於旋轉台13h中不要調整旋轉角度位置θr，而直接藉由U字狀之手部15a將晶圓We載置於開槽用晶圓保持台121a。控制部718構成為進行如下控制：藉由手部15a將晶圓We載置於開槽用晶圓保持台121a後，基於差分，使開槽用夾具台12a之開槽用晶圓保持台121a旋轉，而使晶圓We之旋轉角度位置θr以與預先設定之目標旋轉角度位置一致之方式對準來進行調整。

再者，上述變化例中示出之例係控制部718構成為進行如下控制：使開槽用夾具台12a之開槽用晶圓保持台121a旋轉，而使晶圓We之旋轉角度位置θr以與目標旋轉角度位置一致之方式對準來進行調整；但本發明並不限於此。於本發明中，控制部亦可構成為進行如下控制：使開槽用晶圓保持台旋轉，而使晶圓之旋轉角度位置對準自預先設定之目標旋轉角度位置偏移規定角度之位置來進行調整。

又，參照圖28~圖30，對晶圓We自開槽用夾具台12a向匣盒部11之搬送進行說明。再者，與晶圓We自匣盒部11向開槽用夾具台12a之搬送相比，兩者俯視下之圖相同，因此參照共通之圖28~圖30來進行說明。

如圖29及圖30所示，控制部718構成為進行如下控制：於向旋轉角度位置θg對準原點之開槽用夾具台12a之凹部1211a插入旋轉角 度位置θh對準原點之U字狀之手部15a而吸附晶圓We加以保持後，將晶圓We移載至旋轉角度位置θs對準原點之旋轉台13h。控制部718構成為進行如下控制：於自旋轉用晶圓保持台131h之凹部1311h抽出U字狀之手部15a後，藉由旋轉台13h吸附晶圓We加以保持。

控制部718構成為進行如下控制：於使保持有晶圓We之狀態之旋轉台13h旋轉，同時於晶圓We之電路面We1洗淨保護膜並使之乾燥後，使旋轉角度位置θs對準原點並停止。控制部718構成為進行如下控制：基於已使旋轉台13h之旋轉角度位置θs對準原點並停止，而藉由攝像部714拍攝保持於旋轉台13h之晶圓We。控制部718構成為進行如下控制：基於由攝像部714拍攝到之晶圓We之攝像圖像，獲取晶圓We之旋轉角度位置θr。控制部718構成為進行如下控制：基於獲取之晶圓We之旋轉角度位置θr與預先記憶(設定)之目標旋轉角度位置之差，計算出差分。

如圖28及圖29所示，控制部718構成為進行如下控制：於向旋轉角度位置θs對準原點之旋轉台13h之凹部1311h插入旋轉角度位置θh對準原點之U字狀之手部15a而吸附晶圓We加以保持後，自旋轉台13h之凹部1311h抽出U字狀之手部15a。控制部718構成為進行如下控制：於抽出U字狀之手部15a後，使U字狀之手部15a之旋轉角度位置θh自原點以差分之量旋轉。控制部718構成為進行如下控制：於使U字狀之手部15a之旋轉角度位置θh自原點以差分之量旋轉後，將晶圓We收容於匣盒部11。

如此，若於旋轉台13h中調整旋轉角度位置θr，則手部15a無法插入凹部1311h，因此於旋轉台13h中不要調整旋轉角度位置θr，而直接藉由U字狀之手部15a將晶圓We收容於匣盒部11。而且，控制部718 構成為進行如下控制：於將洗淨及乾燥後之晶圓We送回匣盒部11時，基於差分，使U字狀之手部15a旋轉，而使晶圓We之旋轉角度位置θr以與預先設定之目標旋轉角度位置一致之方式對準，來調整晶圓We之旋轉角度位置θr。

再者，上述變化例中示出之例係控制部718構成為進行如下控制：使U字狀之手部15a旋轉，而使晶圓We之旋轉角度位置θr以與預先設定之目標旋轉角度位置一致之方式對準來進行調整；但本發明並不限於此。於本發明中，控制部亦可構成為進行如下控制：使U字狀之手部旋轉，而使晶圓之旋轉角度位置對準自預先設定之目標旋轉角度位置偏移規定角度之位置來進行調整。

又，上述本實施方式中示出之例係控制部18構成為進行如下控制：基於旋轉角度位置檢測部133h之檢測結果及初始位置P1，以使晶圓We之解除時位置P2對準初始位置P1之方式進行調整；但本發明並不限於此。於本發明中，控制部亦可構成為進行如下控制：基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，以使解除時位置對準自初始位置偏移規定角度之位置之方式進行調整。

又，上述本實施方式中，示出了搬送機構15具有U字狀之手部15a之例，但本發明並不限於此。於本發明中，搬送機構亦可具有棒狀等之手部。該情形時，開槽用晶圓保持台之凹部、旋轉用晶圓保持台之凹部及臨時放置用晶圓保持台之凹部要根據手部之形狀來形成。

又，上述本實施方式中，示出了U字狀之手部15a構成為吸附晶圓We之與電路面We1為相反側之背面加以保持之例，但本發明並不限於此。於本發明中，U字狀之手部亦可吸附晶圓之電路面加以保持。

又，上述實施方式中，為了便於說明，示出了使用按照處理流程依次進行處理之流程驅動型流程圖來說明控制部18之控制處理之例，但本發明並不限於此。於本發明中，亦可藉由以事件為單位執行處理之事件驅動型(事件從動型)處理來進行控制部之控制處理。該情形時，可採用完全事件驅動型來進行，亦可使事件驅動與流程驅動組合來進行。

13:電路面覆膜洗淨部

13a:樹脂塗佈噴嘴

13b:第1旋動機構

13c:洗淨噴嘴

13d:第2旋動機構

13e:乾燥噴嘴

13f:第3旋動機構

13g:飛散抑制護罩

15:搬送機構

15a:手部

Cs:旋轉中心軸線

Nt:凹槽

P2:解除時位置

R:方向

R1:方向

R2:方向

We:晶圓

X:方向

X1:方向

X2:方向

Y:方向

Y1:方向

Y2:方向

Z:方向

Z1:方向

Z2:方向

Claims (16)

1. 一種開槽裝置，其具備：雷射光照射部，其進行開槽處理，即，沿著晶圓之電路面之半導體晶片間之切割道照射雷射光，形成將絕緣膜分斷之槽；旋轉台，其於形成保護上述晶圓之上述電路面不受殘渣影響之保護膜時，保持上述晶圓，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由上述雷射光照射部實施開槽處理時；旋轉角度位置檢測部，其用以檢測保持於上述旋轉台之上述晶圓的上述旋轉台之旋轉方向之旋轉角度位置；及控制部，其進行基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及上述晶圓之上述旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整上述晶圓之上述旋轉角度位置之控制；且上述控制部構成為進行基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，調整解除時位置之控制，上述初始位置係藉由上述旋轉台保持上述晶圓時上述晶圓之上述旋轉方向上之上述目標旋轉角度位置，上述解除時位置係解除上述旋轉台對上述晶圓之保持時上述晶圓之上述旋轉方向上之上述旋轉角度位置。
2. 如請求項1之開槽裝置，其構成為將基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果及上述初始位置而定位於上述解除時位置之上述晶圓維持旋轉角度不變地自上述旋轉台搬送至上述雷射光照射部。
3. 如請求項1之開槽裝置，其進而具備收容上述晶圓之晶圓收容部，且構成為將基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果及上述初始位置而定位於上述解除時位置之上述晶圓維持旋轉角度不變地自上述旋轉台搬送至上述晶圓收容部。
4. 如請求項1之開槽裝置，其中上述控制部構成為進行如下控制：基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果及上述初始位置，以使上述解除時位置對準上述初始位置之方式進行調整。
5. 如請求項1之開槽裝置，其中上述旋轉角度位置檢測部包含檢測上述旋轉台之旋轉角度之編碼器，且上述控制部構成為進行基於由上述編碼器檢測到之上述旋轉台之上述旋轉角度及上述初始位置，調整上述解除時位置之控制。
6. 如請求項5之開槽裝置，其中上述旋轉台構成為於藉由上述雷射光照射部實施開槽處理後，進行上述保護膜之去除及上述電路面之乾燥時，保持上述晶圓，使之旋轉；且上述控制部構成為基於由上述編碼器檢測到之上述旋轉台之上述旋轉角度，控制上述保護膜之形成、上述保護膜之去除、及上述保護膜去除 後之上述電路面之乾燥各自的上述旋轉台之轉速。
7. 如請求項1之開槽裝置，其中上述控制部構成為進行如下控制：於使由上述旋轉台保持之上述晶圓旋轉而進行之包括上述保護膜之形成在內之作業結束後，使上述旋轉台自作業結束時之上述旋轉角度位置旋轉至上述解除時位置。
8. 如請求項1之開槽裝置，其進而具備開槽用夾具台，上述開槽用夾具台於藉由上述雷射光照射部實施開槽處理時，吸附上述晶圓加以保持，並且使上述晶圓旋動或於水平方向上移動；且上述旋轉角度位置檢測部包含攝像部，上述攝像部為了檢測保持於上述旋轉台之上述晶圓之上述旋轉角度位置，而拍攝保持於上述旋轉台之上述晶圓，藉此拍攝設置於上述晶圓之外周之位置基準部；上述控制部構成為進行如下控制：基於預先設定之上述目標旋轉角度位置及上述晶圓之圖像，在藉由上述開槽用夾具台保持上述晶圓後，調整上述旋轉角度位置，上述圖像由上述攝像部拍攝獲得，包含結束上述旋轉台之旋轉時之上述位置基準部。
9. 一種開槽裝置，其具備：雷射光照射部，其進行開槽處理，即，沿著晶圓之電路面之半導體晶片間之切割道照射雷射光，形成將絕緣膜分斷之槽；旋轉台，其於形成保護上述晶圓之上述電路面不受殘渣影響之保護 膜時，保持上述晶圓，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由上述雷射光照射部實施開槽處理時；旋轉角度位置檢測部，其用以檢測保持於上述旋轉台之上述晶圓的上述旋轉台之旋轉方向之旋轉角度位置；控制部，其進行基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及上述晶圓之上述旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整上述晶圓之上述旋轉角度位置之控制；晶圓收容部，其收容上述晶圓；及搬送機構，其包含吸附上述晶圓加以保持之手部，構成為搬送由上述手部保持之上述晶圓；且上述旋轉角度位置檢測部包含攝像部，上述攝像部為了檢測保持於上述旋轉台之上述晶圓之上述旋轉角度位置，而拍攝保持於上述旋轉台之上述晶圓，藉此拍攝設置於上述晶圓之外周之位置基準部；上述控制部構成為進行如下控制：基於預先設定之上述目標旋轉角度位置及上述晶圓之圖像，調整藉由上述手部向上述晶圓收容部收容上述晶圓時的上述手部之姿勢，藉此調整上述晶圓之上述旋轉角度位置，上述圖像由上述攝像部拍攝獲得，包含結束上述旋轉台之旋轉時之上述位置基準部。
10. 一種開槽裝置，其具備：雷射光照射部，其進行開槽處理，即，沿著晶圓之電路面之半導體晶片間之切割道照射雷射光，形成將絕緣膜分斷之槽；旋轉台，其於形成保護上述晶圓之上述電路面不受殘渣影響之保護 膜時，保持上述晶圓，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由上述雷射光照射部實施開槽處理時；旋轉角度位置檢測部，其用以檢測保持於上述旋轉台之上述晶圓的上述旋轉台之旋轉方向之旋轉角度位置；控制部，其進行基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及上述晶圓之上述旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整上述晶圓之上述旋轉角度位置之控制；及搬送機構，上述搬送機構包含吸附上述晶圓加以保持之手部，構成為搬送由上述手部保持之上述晶圓；且上述旋轉台包含旋轉用晶圓保持台，上述旋轉用晶圓保持台構成為吸附由上述搬送機構搬送來之上述晶圓加以保持，並且形成有能供插入上述手部之第1凹部。
11. 如請求項10之開槽裝置，其進而具備開槽用夾具台，上述開槽用夾具台於藉由上述雷射光照射部實施開槽處理時，吸附由上述搬送機構搬送來之上述晶圓加以保持，並且使上述晶圓旋動或於水平方向上移動；且上述開槽用夾具台包含形成有第2凹部之開槽用晶圓保持台。
12. 如請求項10之開槽裝置，其進而具備臨時放置用台，上述臨時放置用台於藉由上述雷射光照射部實施開槽處理後，且於將上述晶圓之上述電路面之上述保護膜去除前，吸附由上述搬送機構搬送來之上述晶圓加以保持；且 上述臨時放置用台包含形成有第3凹部之臨時放置用晶圓保持台。
13. 一種開槽裝置，其具備：雷射光照射部，其進行開槽處理，即，沿著晶圓之電路面之半導體晶片間之切割道照射雷射光，形成將絕緣膜分斷之槽；旋轉台，其於形成保護上述晶圓之上述電路面不受殘渣影響之保護膜時，保持上述晶圓，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由上述雷射光照射部實施開槽處理時；旋轉角度位置檢測部，其用以檢測保持於上述旋轉台之上述晶圓的上述旋轉台之旋轉方向之旋轉角度位置；控制部，其進行基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及上述晶圓之上述旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整上述晶圓之上述旋轉角度位置之控制；及電路面保護洗淨部，上述電路面保護洗淨部設置有上述旋轉台，進行上述晶圓之上述電路面上之上述保護膜之形成、上述保護膜之去除及乾燥；且上述電路面保護洗淨部包含：樹脂塗佈噴嘴，其為了形成上述保護膜，而向上述晶圓之上述電路面塗佈水溶性樹脂；洗淨噴嘴，其向上述晶圓之上述電路面供給將由上述樹脂塗佈噴嘴塗佈之水溶性樹脂去除之洗淨水；及乾燥噴嘴，其吹送使上述晶圓之上述電路面乾燥之暖風；上述樹脂塗佈噴嘴、上述洗淨噴嘴及上述乾燥噴嘴分別構成為能相 互獨立地旋動。
14. 如請求項13之開槽裝置，其進而具備：第1旋動機構，其將上述樹脂塗佈噴嘴旋動至向上述晶圓之上述電路面塗佈水溶性樹脂之塗佈位置、及使上述樹脂塗佈噴嘴自上述塗佈位置退避之第1退避位置中之任一者；第2旋動機構，其將上述洗淨噴嘴旋動至向上述晶圓之上述電路面供給洗淨水之供給位置、及使上述洗淨噴嘴自上述供給位置退避之第2退避位置中之任一者；以及第3旋動機構，其將上述乾燥噴嘴旋動至向上述晶圓之上述電路面吹送暖風之送風位置、及使上述乾燥噴嘴自上述送風位置退避之第3退避位置中之任一者。
15. 一種半導體晶片，其係藉由開槽裝置製造而成，上述開槽裝置具備：雷射光照射部，其進行開槽處理，即，沿著晶圓之電路面之半導體晶片間之切割道照射雷射光，形成將絕緣膜分斷之槽；旋轉台，其於形成保護上述晶圓之上述電路面不受殘渣影響之保護膜時，保持上述晶圓，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由上述雷射光照射部實施開槽處理時；旋轉角度位置檢測部，其用以檢測保持於上述旋轉台之上述晶圓的上述旋轉台之旋轉方向之旋轉角度位置；及控制部，其進行基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及上述晶圓之上述旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整上述晶圓之上述旋轉角度位置之控制；且上述控制部構成為進行基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果及 初始位置，調整解除時位置之控制，上述初始位置係藉由上述旋轉台保持上述晶圓時上述晶圓之上述旋轉方向上之上述目標旋轉角度位置，上述解除時位置係解除上述旋轉台對上述晶圓之保持時上述晶圓之上述旋轉方向上之上述旋轉角度位置。
16. 一種半導體晶片之製造方法，其包含如下步驟：基於旋轉角度位置檢測部之檢測結果、及晶圓之旋轉方向上之目標旋轉角度位置，調整上述晶圓之旋轉角度位置，上述旋轉角度位置檢測部用以檢測保持於旋轉台之上述晶圓的上述旋轉台之上述旋轉方向之上述旋轉角度位置，上述旋轉台於形成保護上述晶圓之電路面不受殘渣影響之保護膜時，保持上述晶圓，使之旋轉，上述殘渣產生於藉由雷射光照射部實施開槽處理時；沿著設置有複數個半導體晶片之上述晶圓之複數個切割道中的各者照射雷射光；利用擴開部使薄片構件擴開，藉此沿著上述複數個切割道中的各者，將上述晶圓分割成上述複數個半導體晶片；及進行基於上述旋轉角度位置檢測部之檢測結果及初始位置，調整解除時位置之控制，上述初始位置係藉由上述旋轉台保持上述晶圓時上述晶圓之上述旋轉方向上之上述目標旋轉角度位置，上述解除時位置係解除上述旋轉台對上述晶圓之保持時上述晶圓之上述旋轉方向上之上述旋轉角度位置。