TWI881935B

TWI881935B - 顯示裝置及其修復方法

Info

Publication number: TWI881935B
Application number: TW113146449A
Authority: TW
Inventors: 郭有斌
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2024-11-29
Filing date: 2024-11-29
Publication date: 2025-04-21

Abstract

一種顯示裝置，包含陣列基板、反射絕緣層及遮光層。陣列基板具有多個畫素區，各畫素區包含多個子畫素單元，各子畫素單元包含第一接墊及發光元件，第一接墊設置於陣列基板上，發光元件設置於第一接墊上以電連接第一接墊。反射絕緣層設置於第一接墊上並圍繞發光元件，於各畫素區中，反射絕緣層具有至少一凹陷部，且凹陷部對應子畫素單元的其中之一。遮光層設置於反射絕緣層上並圍繞發光元件，於各畫素區中，遮光層具有位於凹陷部中的填充部，且填充部對應子畫素單元的前述其中之一。

Description

顯示裝置及其修復方法

本發明是有關於一種顯示裝置及其修復方法。

微型發光二極體(micro light-emitting diode，micro LED)顯示裝置為平板顯示裝置（flat-panel display，FPD）的一種，其係由尺寸等級為1至100微米的發光二極體所組成。相較於液晶顯示裝置，微型發光二極體顯示裝置具有較高對比度與較快反應時間，並消耗較少功率。隨著光電產業的技術進步，光電元件的體積逐漸往小型化發展。因此微型發光二極體顯示裝置已成為現今的顯示裝置產業中的主流趨勢。

一般而言，微型發光二極體的良率尚無法達到完美，設置於陣列基板並與電極電連接的微型發光二極體經過檢測後，仍會發現少數的子畫素壞點。現有修復的方式是在原有的子畫素旁預留修復區域的遮光層開口，但前述方式會暴露過多的接墊造成不必要的反射光而產生影像干擾。

本發明提供一種顯示裝置，能在不增加過多反射率的情況下有效判斷修復區域的位置，可避免不必要的反射光產生影像干擾，進而提升顯示品質。

本發明至少一實施例所提出的顯示裝置，包含陣列基板、反射絕緣層及遮光層。陣列基板具有多個畫素區，各畫素區包含多個子畫素單元，各子畫素單元包含第一接墊及發光元件，第一接墊設置於陣列基板上，發光元件設置於第一接墊上以電連接第一接墊。反射絕緣層設置於這些第一接墊上並圍繞這些發光元件，於各畫素區中，反射絕緣層具有至少一凹陷部，且凹陷部對應這些子畫素單元的其中之一者。遮光層設置於反射絕緣層上並圍繞這些發光元件，於各畫素區中，遮光層具有位於凹陷部中的填充部，且填充部對應這些子畫素單元的前述其中之一者。

在本發明至少一實施例中，所述反射絕緣層具有圍繞所述凹陷部的圍繞部，所述遮光層具有位於圍繞部上的覆蓋部，所述填充部的厚度大於覆蓋部的厚度。

在本發明至少一實施例中，所述填充部具有開口，所述開口暴露一部分的所述凹陷部。

在本發明至少一實施例中，於所述陣列基板的法線上，所述凹陷部與所述第一接墊重疊。

在本發明至少一實施例中，於所述陣列基板的法線上，所述凹陷部與所述第一接墊不重疊。

在本發明至少一實施例中，各所述畫素區具有元件區及穿透區，所述多個子畫素單元位於元件區中，且所述反射絕緣層及所述遮光層未設置於穿透區中。

在本發明至少一實施例中，各所述子畫素單元包含設置於所述陣列基板上的第二接墊，所述發光元件設置於第二接墊上以電連接第二接墊，且所述反射絕緣層設置於這些第二接墊上。

本發明至少另一實施例所提出的顯示裝置的修復方法，包含以下步驟。檢測所述顯示裝置。檢測出所述多個子畫素單元的其中之一者的所述發光元件具有缺陷。使用光學設備判斷對應所述多個子畫素單元的前述其中之一者的所述填充部的位置以定位修補區域。移除修補區域中的所述反射絕緣層及所述遮光層以暴露一部分的所述第一接墊。安裝替代發光元件於前述部分的所述第一接墊上以電連接所述第一接墊。

在本發明至少另一實施例中，所述顯示裝置的修復方法更包含形成回填遮光層覆蓋所述多個子畫素單元的所述其中之一者的所述發光元件。

在本發明至少另一實施例中，所述顯示裝置的修復方法更包含移除所述多個子畫素單元的所述其中之一者的所述發光元件。

在以下的內文中，為了清楚呈現本發明的技術特徵，圖式中的元件（例如層、膜、基板以及區域等）的尺寸（例如長度、寬度、厚度與深度）會以不等比例的方式放大，而且有的元件數量會減少。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件數量以及元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本發明圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本發明的申請專利範圍。

其次，本發明所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍，而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍，其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定，而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。舉例而言，兩物件（例如基板的平面或走線）「實質上平行」或「實質上垂直」，其中「實質上平行」與「實質上垂直」分別代表這兩物件之間的平行與垂直可包含允許偏差範圍所導致的不平行與不垂直。

此外，「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內，例如±30％、±20％、±10％或±5％內。本發明所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差，並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。

本發明所使用的空間相對用語，例如「下方」、「之下」、「上方」、「之上」等，這是為了便於敘述一元件或特徵與另一元件或特徵之間的相對關係，如圖中所繪示。這些空間上的相對用語的真實意義包含其他的方位。例如，當圖示上下翻轉180度時，一元件與另一元件之間的關係，可能從「下方」、「之下」變成「上方」、「之上」。此外，本發明所使用的空間上的相對敘述也應作同樣的解釋。

應當可以理解的是，雖然本發明可能會使用到「第一」、「第二」、「第三」等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本發明所使用的術語「或」，應視實際情況可能包含相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

雖然本發明中利用一系列的操作或步驟來說明修復方法，但是這些操作或步驟所示的順序不應被解釋為本發明的限制。例如，某些操作或步驟可以按不同順序進行及/或與其它步驟同時進行。此外，在此所述的每一個操作或步驟可以包含數個子步驟或動作。

此外，本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本發明的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種實施例的組合、修改與變更。

圖1是本發明至少一實施例的顯示裝置10的俯視示意圖。圖2A是圖1中區域A的放大示意圖。圖2B是圖2A中沿剖線a-a’繪製的剖面示意圖。請參閱圖1、圖2A及圖2B，顯示裝置10包含陣列基板100、反射絕緣層102及遮光層104。陣列基板100具有多個畫素區PX，各畫素區PX包含多個子畫素單元PU，各子畫素單元PU包含第一接墊P1及發光元件LE，第一接墊P1設置於陣列基板100上，發光元件LE設置於第一接墊P1上以電連接第一接墊P1。

反射絕緣層102設置於這些第一接墊P1上並圍繞這些發光元件LE，於各畫素區PX中，反射絕緣層102具有至少一凹陷部102r，且凹陷部102r對應這些子畫素單元PU的其中之一者。遮光層104設置於反射絕緣層102上並圍繞這些發光元件LE，於各畫素區PX中，遮光層104具有位於凹陷部102r中的填充部104f，且填充部104f對應這些子畫素單元PU的前述其中之一者。

由於反射絕緣層102及遮光層104皆圍繞發光元件LE，且分別具有對應子畫素單元PU的其中之一者的凹陷部102r及填充部104f，在不需暴露第一接墊P1的情況下，利用外界光經反射絕緣層102及遮光層104的反射之後，位於凹陷部102r中的填充部104f會呈現較深的顏色來定位修補區域，故能在不增加過多反射率的情況下判斷修復區域的位置，可避免不必要的反射光產生影像干擾，進而提升顯示品質。

如圖2B所示，反射絕緣層102具有圍繞凹陷部102r的圍繞部102s，遮光層104具有位於圍繞部102s上的覆蓋部104c，填充部104f的厚度t1大於覆蓋部104c的厚度t2。藉由前述厚度設計，在外界光經反射絕緣層102及遮光層104的反射之後，可有效加深位於凹陷部102r中的填充部104f所呈現的顏色，進而提升判斷修復區域的位置的辨識率及精準度。

在一些實施例中，凹陷部102r的厚度可小於圍繞部102s的厚度。藉由前述厚度設計，在外界光經反射絕緣層102及遮光層104的反射之後，可進一步加深位於厚度較小的凹陷部102r中的填充部104f所呈現的顏色，有助於提升判斷修復區域的位置的辨識率及精準度。

請繼續參閱圖1、圖2A及圖2B，各子畫素單元PU包含設置於陣列基板100上的第二接墊P2，發光元件LE設置於第二接墊P2上以電連接第二接墊P2，且反射絕緣層102設置於這些第二接墊P2上。詳細而言，發光元件LE包含第一電極E1及第二電極E2（繪示於圖7B及圖8B），且經由第一電極E1及第二電極E2分別電連接第一接墊P1及第二接墊P2。此外，如圖2A及圖2B所示，於陣列基板100的法線上，凹陷部102r與第一接墊P1重疊，凹陷部102r亦可與第二接墊P2重疊。藉由前述設計，當原有的發光元件具有缺陷而需要設置替代發光元件時，可確保替代發光元件與第一接墊P1及第二接墊P2形成有效的電連接，進而提升修補良率。

如圖1、圖2A及圖2B所示，反射絕緣層102圍繞並接觸這些發光元件LE，且反射絕緣層102具有多個凹陷部102r，且這些凹陷部102r分別對應這些子畫素單元PU。遮光層104圍繞並接觸這些發光元件LE，且遮光層104具有位於凹陷部102r中的填充部104f，這些填充部104f分別對應這些子畫素單元PU。

在一些實施例中，發光元件LE可以是發光二極體（Light Emitting Diode，LED），例如是微型發光二極體（micro LED，μLED），其尺寸約為1至100微米。舉例而言，發光元件LE可以是覆晶式微型發光二極體（flip-chip micro LED），即發光元件LE的第一電極及第二電極皆位於發光元件LE面對陣列基板100的一側，但本發明不以此為限。在其他實施例中，發光元件LE可為垂直式微型發光二極體（vertical micro LED），即發光元件LE的第一電極及第二電極分別位於發光元件LE面對陣列基板100的一側及背對陣列基板100的一側。

如圖1所示，各畫素區PX具有元件區EA及穿透區TA，子畫素單元PU位於元件區EA中，且反射絕緣層102及遮光層104未設置於穿透區TA中。詳細而言，由於子畫素單元PU、反射絕緣層102及遮光層104皆位於元件區EA中，故外界光不易穿過元件區EA，而子畫素單元PU、反射絕緣層102及遮光層104皆未設置於穿透區TA中，故外界光可輕易穿過穿透區TA。因此，在本實施例中，顯示裝置10可作為透明顯示裝置，但本發明不以為限。在其他實施例中，顯示裝置10的畫素區PX可不具有穿透區，即顯示裝置10可為非透明顯示裝置。

圖3是本發明至少一實施例的反射絕緣層102的光罩102M的俯視示意圖。請參閱圖3，反射絕緣層102的光罩102M包括對應元件區EA的開口部OP及對應穿透區TA、發光元件LE、凹陷部102r的遮蔽部SP。在本實施例中，反射絕緣層102包含負型光阻，故對應開口部OP的反射絕緣層102會留下，對應遮蔽部SP的反射絕緣層102會被完全移除或部分移除，因而形成元件區EA中的反射絕緣層102。

值得注意的是，由於發光元件LE巨量轉移至陣列基板100的過程可能會發生偏移的情形，於子畫素單元PU中，發光元件LE不一定都會位於預設位置（例如子畫素單元PU的下半部），故於反射絕緣層102的光罩102M對應子畫素單元PU的位置設計兩個遮蔽部SP，且在後續曝光及去光阻的製程中，位於兩個遮蔽部SP中對應未設置發光元件LE的位置的反射絕緣層102會被部分移除而形成凹陷部102r，位於兩個遮蔽部SP中對應設置發光元件LE的位置的反射絕緣層102會因為形成於發光元件LE上的厚度過薄而被完全移除。

在一些實施例中，反射絕緣層102及遮光層104的材料可分別包含光阻等，例如反射絕緣層102可為包含散射粒子的光阻，散射粒子的材料例如為二氧化鈦，且反射絕緣層102的反射率不小於60%，而遮光層104可為深色光阻，遮光層104的光學密度（optical density, OD）不小於2，且遮光層104的穿透率不大於1%。陣列基板100可包含顯示裝置10需要的元件或線路，例如驅動元件、開關元件、電源線、驅動訊號線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線等。第一接墊P1及第二接墊P2的材料可包含鎳金合金等。

圖4是本發明至少一實施例的顯示裝置10’的俯視示意圖。圖5A是圖4中區域B的放大示意圖。圖5B是圖5A中沿剖線b-b’繪製的剖面示意圖。請參閱圖4、圖5A及圖5B，圖4的實施例與圖1的實施例大部分的元件結構、材料、製程及相對位置關係皆相同，故在此不再贅述相同技術特徵。兩實施例之間的差異為圖4的顯示裝置10’的遮光層104的填充部104f具有開口O，且開口O暴露一部分的反射絕緣層102的凹陷部102r。

藉由上述設計，在外界光經反射絕緣層102及遮光層104的反射之後，除了填充部104f可呈現較深的顏色，填充部104f的開口O所暴露的部分的凹陷部102r可於前述呈現較深的顏色的填充部104f中呈現淺色亮點而形成明顯對比，進而提升判斷修復區域的位置的辨識率及精準度。

如圖5A及圖5B所示，於陣列基板100的法線上，填充部104f的開口O與第一接墊P1重疊，填充部104f的開口O亦可與第二接墊P2重疊。藉由前述設計，當原有的發光元件具有缺陷而需要設置替代發光元件時，可確保替代發光元件與第一接墊P1及第二接墊P2形成有效的電連接，進而提升修補良率。此外，填充部104f的開口O正投影於陣列基板100的正投影範圍位於凹陷部102r正投影於陣列基板100的正投影範圍內，可避免填充部104f的開口O過大而產生不必要的反射光產生影像干擾。

圖6是本發明至少一實施例的遮光層104的光罩104M的俯視示意圖。請參閱圖6，遮光層104的光罩104M包括對應元件區EA的開口部OP及對應穿透區TA、發光元件LE、凹陷部102r的遮蔽部SP。在本實施例中，遮光層104包含負型光阻，故對應開口部OP的遮光層104會留下，對應遮蔽部SP的遮光層104會被移除，因而形成元件區EA中的遮光層104。

值得注意的是，由於發光元件LE巨量轉移至陣列基板100的過程可能會發生偏移的情形，於子畫素單元PU中，發光元件LE不一定都會位於預設位置（例如子畫素單元PU的下半部），故於遮光層104的光罩104M對應子畫素單元PU的位置設計兩個遮蔽部SP，且在後續曝光及去光阻的製程中，位於兩個遮蔽部SP中對應未設置發光元件LE的位置的遮光層104會被移除而形成開口O，位於兩個遮蔽部SP中對應設置發光元件LE的位置的遮光層104會因為形成於發光元件LE上的厚度過薄而被完全移除。

圖7A是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部放大示意圖。圖7B是圖7A中沿剖線c-c’繪製的剖面示意圖。請參閱圖7A及圖7B，圖7A及圖7B的實施例與圖2A及圖2B的實施例大部分的元件結構、材料、製程及相對位置關係皆相同，故在此不再贅述相同技術特徵。兩實施例之間的差異為，於陣列基板100的法線上，圖7A及圖7B的顯示裝置的凹陷部102r與第一接墊P1不重疊。

圖8A是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部放大示意圖。圖8B是圖8A中沿剖線d-d’繪製的剖面示意圖。請參閱圖8A及圖8B，圖8A及圖8B的實施例與圖5A及圖5B的實施例大部分的元件結構、材料、製程及相對位置關係皆相同，故在此不再贅述相同技術特徵。兩實施例之間的差異為，於陣列基板100的法線上，圖8A及圖8B的顯示裝置的凹陷部102r與第一接墊P1不重疊，且填充部104f的開口O與第一接墊P1不重疊。

上述圖7A、圖7B、圖8A及圖8B的設計可應用於包含小尺寸的發光元件的顯示裝置，例如尺寸約為10微米的發光元件。由於小尺寸的發光元件的子畫素單元的佈局空間有限，藉由將凹陷部102r設置於子畫素單元之外，可避免影響原有子畫素單元的佈局設計。

此外，如圖7A及圖7B所示，於陣列基板100的法線上，凹陷部102r與第二接墊P2亦不重疊。如圖8A及圖8B所示，於陣列基板100的法線上，凹陷部102r與第二接墊P2亦不重疊，且填充部104f的開口O與第二接墊P2亦不重疊。

圖9到圖13是圖4的顯示裝置10’的修復方法在不同修復階段的局部示意圖。詳細而言，圖9（A）、圖10（A）、圖11（A）、圖12（A）及圖13（A）分別為不同修復階段的俯視示意圖，而圖9（B）、圖10（B）、圖11（B）、圖12（B）及圖13（B）分別為不同修復階段的剖面示意圖，且其剖線位置與圖5A中的剖線b-b’相同。

請參閱圖9（A）及圖9（B），檢測如圖4所示的顯示裝置10’，檢測出多個子畫素單元PU的其中之一者的發光元件LE具有缺陷。請參閱圖10（A）及圖10（B），使用光學設備（圖未示）判斷對應多個子畫素單元PU的前述其中之一者的填充部104f的位置以定位修補區域RA，移除修補區域RA中的反射絕緣層102及遮光層104以暴露一部分的第一接墊P1。在一些實施例中，光學設備可包含電荷耦合器件（charge-coupled device， CCD）。

請參閱圖11（A）及圖11（B），安裝替代發光元件LE’於前述部分的第一接墊P1上以電連接第一接墊P1，也就是使替代發光元件LE’的第一電極E1’電連接第一接墊P1。此外，如圖10（A）及圖11（A）所示，修補區域RA更暴露一部分的第二接墊P2，替代發光元件LE’亦位於前述部分的第二接墊P2上以電連接第二接墊P2。

請參閱圖12（A）及圖12（B），於修補區域RA中形成回填反射絕緣層102’，回填反射絕緣層102’設置於上述部分的第一接墊P1上並圍繞替代發光元件LE’。此外，如圖12（A）所示，回填反射絕緣層102’亦設置於上述部分的第二接墊P2上。

請參閱圖13（A）及圖13（B），形成回填遮光層104’覆蓋多個子畫素單元PU的上述其中之一者的發光元件LE。詳細而言，回填遮光層104’形成於遮光層104上及多個子畫素單元PU的上述其中之一者的發光元件LE上以覆蓋遮光層104及多個子畫素單元PU的上述其中之一者的發光元件LE，且回填遮光層104’更形成於回填反射絕緣層102’上以圍繞替代發光元件LE’。

圖14到圖17是圖4的顯示裝置10’的修復方法在不同修復階段的局部示意圖。詳細而言，圖14（A）、圖15（A）、圖16（A）及圖17（A）分別為不同修復階段的俯視示意圖，而圖14（B）、圖15（B）、圖16（B）及圖17（B）分別為不同修復階段的剖面示意圖，且其剖線位置與圖5A中的剖線b-b’相同。此外，圖14到圖17的顯示裝置10’的修復方法亦包含如圖9所示的檢測顯示裝置10’及檢測出多個子畫素單元PU的其中之一者的發光元件LE具有缺陷，故在此不再贅述相同技術特徵。

請參閱圖14（A）及圖14（B），使用光學設備（圖未示）判斷對應多個子畫素單元PU的上述其中之一者的填充部104f的位置以定位修補區域RA，移除修補區域RA中的反射絕緣層102及遮光層104以暴露一部分的第一接墊P1，且移除多個子畫素單元PU的上述其中之一者的發光元件LE。

請參閱圖15（A）及圖15（B），安裝替代發光元件LE’於前述部分的第一接墊P1上以電連接第一接墊P1，也就是使替代發光元件LE’的第一電極E1’電連接第一接墊P1。此外，如圖14（A）及圖15（A）所示，修補區域RA更暴露一部分的第二接墊P2，替代發光元件LE’亦位於前述部分的第二接墊P2上以電連接第二接墊P2。

請參閱圖16（A）及圖16（B），於修補區域RA中形成回填反射絕緣層102’，回填反射絕緣層102’設置於上述部分的第一接墊P1上並圍繞替代發光元件LE’。此外，如圖16（A）所示，回填反射絕緣層102’亦設置於上述部分的第二接墊P2上。請參閱圖17（A）及圖17（B），形成回填遮光層104’於回填反射絕緣層102’上以圍繞替代發光元件LE’。

應理解的是，雖然圖9到圖13的顯示裝置的修復方法及圖14到圖17的顯示裝置的修復方法係以圖4的顯示裝置10’作為例子進行修復步驟的說明，但若以圖1的顯示裝置10作為例子進行修復的步驟與以圖4的顯示裝置10’作為例子進行修復的步驟實質上相同，故在此不再贅述。

綜上所述，在以上本發明至少一實施例的顯示裝置及其修復方法，由於反射絕緣層及遮光層皆圍繞發光元件，且分別具有對應子畫素單元的其中之一者的凹陷部及填充部，在不需暴露接墊的情況下，利用外界光經反射絕緣層及遮光層的反射之後，位於反射絕緣層凹陷部中的遮光層填充部會呈現較深的顏色來定位修補區域，故能在不增加過多反射率的情況下有效判斷修復區域的位置，可避免不必要的反射光產生影像干擾，進而提升顯示品質。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、10’:顯示裝置 100:陣列基板 102:反射絕緣層 102’:回填反射絕緣層 102M、104M:光罩 102s:圍繞部 102r:凹陷部 104:遮光層 104’:回填遮光層 104c:覆蓋部 104f:填充部 A、B:區域 a-a’、b-b’、c-c’、d-d’:剖線 E1、E1’:第一電極 E2:第二電極 EA:元件區 LE:發光元件 LE’:替代發光元件 O:開口 OP:開口部 P1:第一接墊 P2:第二接墊 PU:子畫素單元 PX:畫素區 RA:修補區域 SP:遮蔽部 t1、t2:厚度 TA:穿透區

圖1是本發明至少一實施例的顯示裝置的俯視示意圖。圖2A是圖1中區域A的放大示意圖。圖2B是圖2A中沿剖線a-a’繪製的剖面示意圖。圖3是本發明至少一實施例的反射絕緣層的光罩的俯視示意圖。圖4是本發明至少另一實施例的顯示裝置的俯視示意圖。圖5A是圖4中區域B的放大示意圖。圖5B是圖5A中沿剖線b-b’繪製的剖面示意圖。圖6是本發明至少另一實施例的遮光層的光罩的俯視示意圖。圖7A是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部放大示意圖。圖7B是圖7A中沿剖線c-c’繪製的剖面示意圖。圖8A是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部放大示意圖。圖8B是圖8A中沿剖線d-d’繪製的剖面示意圖。圖9到圖13是本發明至少另一實施例的顯示裝置的修復方法在不同修復階段的局部示意圖。圖14到圖17是本發明至少另一實施例的顯示裝置的修復方法在不同修復階段的局部示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:陣列基板

102:反射絕緣層

102s:圍繞部

102r:凹陷部

104:遮光層

104c:覆蓋部

104f:填充部

E1:第一電極

LE:發光元件

P1:第一接墊

t1、t2:厚度

Claims

一種顯示裝置，包括：一陣列基板，具有多個畫素區，其中各該畫素區包括多個子畫素單元，各該子畫素單元包括：一第一接墊，設置於該陣列基板上；以及一發光元件，設置於該第一接墊上以電連接該第一接墊；一反射絕緣層，設置於該些第一接墊上並圍繞該些發光元件，其中於各該畫素區中，該反射絕緣層具有至少一凹陷部，且該凹陷部對應該些子畫素單元的其中之一者；以及一遮光層，設置於該反射絕緣層上並圍繞該些發光元件，其中於各該畫素區中，該遮光層具有位於該凹陷部中的一填充部，且該填充部對應該些子畫素單元的其中之該者。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該反射絕緣層具有圍繞該凹陷部的一圍繞部，該遮光層具有位於該圍繞部上的一覆蓋部，其中該填充部的厚度大於該覆蓋部的厚度。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該填充部具有一開口，該開口暴露一部分的該凹陷部。
如請求項1所述之顯示裝置，其中於該陣列基板的一法線上，該凹陷部與該第一接墊重疊。
如請求項1所述之顯示裝置，其中於該陣列基板的一法線上，該凹陷部與該第一接墊不重疊。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該畫素區具有一元件區及一穿透區，該些子畫素單元位於該元件區中，且該反射絕緣層及該遮光層未設置於該穿透區中。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該子畫素單元包括：一第二接墊，設置於該陣列基板上，其中該發光元件設置於該第二接墊上以電連接該第二接墊，且該反射絕緣層設置於該些第二接墊上。
一種顯示裝置的修復方法，包括：檢測如請求項1所述之顯示裝置；檢測出該些子畫素單元的其中之一者的該發光元件具有缺陷；使用一光學設備判斷對應該些子畫素單元的其中之該者的該填充部的位置以定位一修補區域；移除該修補區域中的該反射絕緣層及該遮光層以暴露一部分的該第一接墊；以及安裝一替代發光元件於該部分的該第一接墊上以電連接該第一接墊。
如請求項8所述之顯示裝置的修復方法，更包括：形成一回填遮光層覆蓋該些子畫素單元的其中之該者的該發光元件。
如請求項8所述之顯示裝置的修復方法，更包括：移除該些子畫素單元的其中之該者的該發光元件。