TWI878102B - 發光二極體及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種發光二極體包含永久基板、反射層、第一半導體層、發光層、第二半導體層以及雷射生成物。雷射生成物位於反射層上，其中第一半導體層於永久基板的第一投影與雷射生成物於永久基板的第二投影間隔開來。第一半導體層包含主體部以及與主體部連接的凸部。主體部的底面實質上齊平於凸部的底面。凸部位於主體部與雷射生成物之間。主體部的第一高度大於凸部的第二高度，且第二高度不低於雷射生成物的第三高度。凸部可以反射由發光層發出的光，使得發光層發出的光較不易被雷射生成物吸收，從而提升發光二極體的亮度。

Description

發光二極體及其製造方法

本揭示內容是關於一種發光二極體及其製造方法，且特別是關於一種具有凸部的半導體層之發光二極體及其製造方法。

目前已知一種使用基板轉移技術製作發光二極體(light emitting diode；LED)的方法，其利用接合(bonding)技術將包含有發光結構的成長基板轉換至永久基板上，然後再利用切割技術(例如：雷射切割)以形成多個獨立的發光二極體。然而，雷射切割後的發光二極體於走道處會產生雷射生成物，此雷射生成物會吸收發光層所發出來的光，從而造成亮度損失。

鑑於上述，目前亟需發展出一種發光二極體及其製造方法以克服上述問題。

本發明至少一實施例提供一種發光二極體，發光二極體的第一半導體層具有主體部以及與主體部連接的凸部，其中第一半導體層的凸部位於第一半導體層的主體部與雷射生成物之間，主體部的高度大於凸部的高度，且凸部的高度不低於雷射生成物的高度，因此，凸部可以反射由發光層發出的光，使得發光層發出的光較不易被雷射生成物吸收，從而提升發光二極體的亮度。

本發明至少一實施例提供一種發光二極體的製造方法，此製造方法採用兩次蝕刻操作。第一蝕刻操作形成第一凹槽，第二蝕刻操作形成第二凹槽，且第二凹槽形成於第一凹槽的底部，其中第二凹槽作為發光二極體的切割走道。由於第二凹槽的寬度小於第一凹槽的寬度，因此，形成的第一半導體層具有凸部。此凸部可以反射由發光層發出的光，使得發光層發出的光較不易被雷射生成物吸收，從而提升發光二極體的亮度。

本發明至少一實施例所提供之發光二極體包含永久基板、鍵合層、反射層、第一半導體層、發光層、第二半導體層、第一電極、第二電極以及雷射生成物。永久基板具有彼此相對之第一表面與第二表面。鍵合層設置於永久基板的第一表面上。反射層設置於鍵合層上。第一半導體層設置於反射層的一部分上。發光層設置於第一半導體層上。第二半導體層設置於發光層上。第一電極設置於第二半導體層的一部分上。第二電極設置於永久基板的第二表面上。雷射生成物位於反射層上，其中第一半導體層於永久基板的第一投影與雷射生成物於永久基板的第二投影間隔開來，其中第一半導體層包含主體部以及與主體部連接的凸部，主體部的底面實質上齊平於凸部的底面，凸部位於主體部與雷射生成物之間，主體部的第一高度大於凸部的第二高度，且第二高度不低於雷射生成物的第三高度。

在一些實施例中，主體部的側面與凸部的頂面之間的第一夾角不小於80度，且凸部的側面與反射層的頂面之間的第二夾角不小於80度。

在一些實施例中，第二高度小於2微米，且第三高度小於2微米。

在一些實施例中，第一半導體層的凸部具有頂面，且頂面的寬度為3微米至10微米。

本發明至少一實施例所提供之發光二極體的製造方法包含以下步驟。形成發光結構於成長基板上，其中發光結構包含依序堆疊之第一半導體材料層、發光材料層、以及第二半導體材料層，其中第二半導體材料層具有彼此相對之第一表面與第二表面，第二半導體材料層的第一表面與成長基板接合。形成反射材料層於第一半導體材料層上。利用鍵合材料層將永久基板接合於反射材料層上，其中永久基板具有彼此相對之第一表面與第二表面，永久基板的第一表面與鍵合材料層接合。移除成長基板。形成複數個第一電極於第二半導體材料層的第一表面的複數個部分上。執行第一蝕刻操作，以移除發光結構的一部分，而形成至少一第一凹槽，其中每個第一凹槽的底部暴露出第一半導體材料層。對每個第一凹槽之底部執行第二蝕刻操作，以形成至少一第二凹槽，而將發光結構切分成複數個發光單元。每個第二凹槽暴露出反射材料層的頂面。每個第二凹槽的寬度小於每個第一凹槽的寬度。對暴露出之反射材料層執行切割操作，以形成複數個發光二極體。

在一些實施例中，發光二極體的製造方法更包含以下步驟。在執行切割操作之前，形成第二電極層於永久基板上。在執行切割操作之後，每個發光二極體包含第二電極。

在一些實施例中，每個第一凹槽的寬度為35微米至50微米，且每個第二凹槽的寬度為15微米至30微米。

在一些實施例中，在執行第二蝕刻操作之後，第一半導體材料層形成複數個第一半導體層，且每個第一半導體層包含有主體部以及與主體部連接的凸部。

在一些實施例中，第一蝕刻操作包含感應耦合電漿蝕刻，且第二蝕刻操作包含感應耦合電漿蝕刻。

在一些實施例中，切割操作包含雷射切割。

以下揭示提供許多不同實施方式或實施例，用於實現本揭示內容的不同特徵。以下敘述部件與佈置的特定實施方式，以簡化本揭示內容。這些當然僅為實施例，並且不是意欲作為限制。舉例而言，在隨後的敘述中，第一特徵在第二特徵上方或在第二特徵上的形成，可包括第一特徵及第二特徵形成為直接接觸的實施方式，亦可包括有另一特徵可形成在第一特徵及第二特徵之間，以使得第一特徵及第二特徵可不直接接觸的實施方式。

除此之外，空間相對用語如「下面」、「下方」、「低於」、「上面」、「上方」及其他類似的用語，在此是為了方便描述圖中的一個元件或特徵和另一個元件或特徵的關係。空間相對用語除了涵蓋圖中所描繪的方位外，該用語更涵蓋裝置在使用或操作時的其他方位。該裝置可以其他方位定向(旋轉90度或在其他方位)，並且本文使用的空間相對描述同樣可以相應地解釋。

圖1為根據本揭示內容之一實施方式所繪示的發光二極體10之剖面示意圖。發光二極體10包含永久基板11、鍵合層12以及反射層13。永久基板11具有彼此相對之第一表面11s1與第二表面11s2。永久基板11可例如為矽基板或導電金屬基板。鍵合層12設置於永久基板11的第一表面11s1上。反射層13設置於鍵合層12上。鍵合層12用於鍵合(bond)反射層13與永久基板11，使得反射層13形成於永久基板11上。在圖1的實施例中，鍵合層12可為兩層的結構，其材料可例如為金-金、金-銦、金-錫或鎳-錫。反射層13可為單層的結構，其材料可例如包含金或銀。

圖1的發光二極體10還包含第一半導體層14、發光層15以及第二半導體層16。第一半導體層14設置於反射層13的一部分上。發光層15設置於第一半導體層14上。第二半導體層16設置於發光層15上。換句話說，發光層15設置於在第一半導體層14與第二半導體層16之間。可以理解的是，第一半導體層14、發光層15以及第二半導體層16可統稱為發光單元U。

第一半導體層14與第二半導體層16具有不同導電型，例如P型與N型。舉例而言，第一半導體層14為P型(也可稱為披覆層(P-cladding))，第二半導體層16為N型(也可稱為窗口層(N-window))。第一半導體層14的材料可例如包含AlGaInP、AlInP、AlGaAs、GaP或這些材料的任一組合。第二半導體層16的材料可例如包含AlGaInP、AlGaAs或這些材料的任一組合。在一些實施例中，第一半導體層14及/或第二半導體層16可由多層材料堆疊而成。發光層15可包含多重量子井(multiple quantum well；MQW)結構。

如圖1所示，第一半導體層14包含主體部MP以及與主體部MP連接的凸部CP，其中主體部MP的底面實質上齊平於凸部CP的底面。可以理解的是，凸部CP從主體部MP的底部延伸出去，因此，主體部MP與凸部CP可視為連續的結構。換句話說，凸部CP環繞主體部MP。從圖1的剖面示意圖可知，第一半導體層14具有T型或階梯狀的剖面結構。

圖1的發光二極體10還包含第一電極17和第二電極18。第一電極17設置於第二半導體層16的一部分上。第二電極18設置於永久基板11的第二表面11s2上。詳細來說，第一電極17覆蓋第二半導體層16的一部分，而與第二半導體層16電性連接。第二電極18覆蓋永久基板11，而與永久基板11電性連接。第一電極17及/或第二電極18可為單層或多層的結構。第一電極17與第二電極18的材料可例如包含Au、AuGe、Ni、Ti、Pt或這些材料的任一組合。

圖1的發光二極體10還包含雷射生成物19。雷射生成物19位於反射層13上，其中第一半導體層14於永久基板11的第一投影P1與雷射生成物19於永久基板11的第二投影P2間隔開來。詳細來說，凸部CP位於主體部MP與雷射生成物19之間。

在圖1的實施例中，主體部MP的第一高度H1大於凸部CP的第二高度H2，且凸部CP的第二高度H2不低於雷射生成物19的第三高度H3。舉例而言，雷射生成物19的第三高度H3小於凸部CP的第二高度H2。當凸部CP的第二高度H2不低於雷射生成物19的第三高度H3時，凸部CP可以反射由發光層15發出的光，使得發光層15發出的光較不易被雷射生成物19吸收，從而提升發光二極體10的亮度。在一些實施例中，凸部CP的第二高度H2小於2微米，例如0.5微米、1微米或1.5微米。在一些實施例中，雷射生成物19的第三高度H3小於2微米，例如0.5微米、1微米或1.5微米。

在一些實施例中，主體部MP的側面與凸部CP的頂面之間的第一夾角θ1不小於80度，例如83度、85度、87度或90度以上。在一些實施例中，凸部CP的側面與反射層13的頂面之間的第二夾角θ2不小於80度，例如83度、85度、87度或90度以上。舉例而言，當第一夾角θ1大於90度時，主體部MP的側面為一斜面。當第二夾角θ2大於90度時，凸部CP的側面為一斜面。

在一些實施例中，凸部CP的頂面ts(也可稱為階梯平台)的寬度為3微米至10微米，例如5微米、7微米或9微米。當上述頂面ts的寬度小於3微米時，頂面ts可能無法反射發光層15發出的光，從而無法提升發光二極體10的亮度。當上述頂面ts的寬度大於10微米時，不利於執行切割操作(請參考圖2F)，且所形成的雷射生成物19之第三高度H3可能會高於第一半導體層14的凸部CP之第二高度H2，從而無法提升發光二極體10的亮度。若第一半導體層14沒有凸部CP，就沒有可以反射發光層15發出的光之階梯平台(即，凸部CP的頂面ts)，因此，無法提升發光二極體10的亮度。換句話說，凸部CP可以反射由發光層15發出的光，使得發光層15發出的光較不易被雷射生成物19吸收，從而提升發光二極體10的亮度。

在一些實施例中，凸部CP的頂面ts與發光層15的底面之垂直距離vd為1微米至2微米。當上述垂直距離vd小於1微米時，不足以反射發光層15發出的光，從而無法提升發光二極體10的亮度。當上述垂直距離vd大於2微米時，凸部CP的頂面ts可能會低於雷射生成物19的高度，使得發光層15發出的光被雷射生成物19吸收，而無法反射發光層15發出的光，從而無法提升發光二極體的亮度。

圖2A至圖2F為圖1的發光二極體10在製程各個階段中的剖面示意圖。請參考圖2A，發光結構22形成於成長基板21上。在一些實施例中，利用金屬有機化學氣相沉積法(metal organic chemical vapor phase deposition；MOCVD)將發光結構22形成於成長基板21上。

成長基板21可例如為砷化鎵基板。發光結構22包含依序堆疊之第一半導體材料層222、發光材料層224、以及第二半導體材料層226。第二半導體材料層226具有彼此相對之第一表面226s1與第二表面226s2，第二半導體材料層226的第一表面226s1與成長基板21接合。可以理解的是，先形成第二半導體材料層226於成長基板21上，然後形成發光材料層224於第二半導體材料層226，再形成第一半導體材料層222於發光材料層224上。第一半導體材料層222之材料可相同於圖1的第一半導體層14之材料，發光材料層224之材料可相同於圖1的發光層15之材料，且第二半導體材料層226之材料可相同於圖1的第二半導體層16之材料，於此不再重複贅述。

請參考圖2B，反射材料層23形成於第一半導體材料層222上。然後，利用鍵合材料層24將永久基板25接合於反射材料層23上。在一些實施例中，反射材料層23與鍵合材料層24皆是用蒸鍍的方式而形成。永久基板25具有彼此相對之第一表面25s1與第二表面25s2，永久基板25的第一表面25s1與鍵合材料層24接合。在圖2B的實施例中，利用高溫高壓的方式將永久基板25接合於反射材料層23上。反射材料層23之材料可相同於圖1的反射層13之材料，鍵合材料層24之材料可相同於圖1的鍵合層12之材料，且永久基板25之材料可相同於圖1的永久基板11之材料，於此不再重複贅述。

接著，移除圖2B的成長基板21。成長基板21可利用濕式蝕刻來移除。上述濕式蝕刻的蝕刻液可例如為鹼性蝕刻液。在一些實施例中，鹼性蝕刻液可為氨水與雙氧水的混合溶液。詳細來說，將圖2B的成長基板21浸泡至鹼性蝕刻液中，以移除成長基板21。在其他實施例中，圖2B所示之結構更包含在成長基板21和第二半導體材料層226之間的蝕刻停止層(未繪示)，在移除圖2B的成長基板21以後，再以包含有磷酸與鹽酸的蝕刻液移除蝕刻停止層。

在移除成長基板21之後，翻轉倒置圖2B的發光結構22、反射材料層23、鍵合材料層24以及永久基板25。形成複數個第一電極17於第二半導體材料層226的第一表面226s1的複數個部分上，如圖2C所示。在一些實施例中，先利用黃光製程於第二半導體材料層226上形成具有圖案的光阻層，再利用蒸鍍的方式形成如圖2C的第一電極17，之後再移除光阻層。

請參考圖2D，執行第一蝕刻操作，以移除發光結構22的一部分，而形成至少一第一凹槽R1。詳細來說，第一蝕刻操作移除第二半導體材料層226的一部分、發光材料層224的一部分以及第一半導體材料層222的一部分，其中至少一第一凹槽R1之每一者的底部暴露出第一半導體材料層222。換句話說，第一半導體材料層222的底部保留在至少一第一凹槽R1之每一者中。

在一些實施例中，第一蝕刻操作可例如為感應耦合式電漿(induction coupling plasma；ICP)蝕刻。可以理解的是，先利用黃光製程於圖2C所示之結構上形成具有圖案的光阻層，再執行第一蝕刻操作以形成如圖2D所示之結構，之後再移除光阻層。值得注意的是，第一蝕刻操作保留一部分的第一半導體材料層222，使得至少一第一凹槽R1之每一者的底部暴露出第一半導體材料層222。在一些實施例中，第一蝕刻操作的蝕刻氣體包含Ar、Cl ₂、BCl ₃或CF ₃。在一些實施例中，採用相同的蝕刻氣體來蝕刻第二半導體材料層226、發光材料層224以及第一半導體材料層222。

請參考圖2E，對至少一第一凹槽R1之每一者之底部執行第二蝕刻操作，以形成至少一第二凹槽R2，而將發光結構22切分成複數個發光單元U(包含第一半導體層14、發光層15以及第二半導體層16)。詳細來說，在執行第二蝕刻操作之後，第一半導體材料層222(請參考圖2D)形成複數個第一半導體層14、發光材料層224(請參考圖2D)形成複數個發光層15、且第二半導體材料層226(請參考圖2D)形成複數個第二半導體層16。值得注意的是，在執行第二蝕刻操作之後，每個第一半導體層14包含有主體部MP以及與主體部MP連接的凸部CP，如圖2E所示。換句話說，每個第二凹槽R2是由相鄰的凸部CP以及反射材料層23所界定出。

在一些實施例中，第二蝕刻操作可例如為ICP蝕刻。可以理解的是，先利用黃光製程於圖2D所示之結構上形成具有圖案的光阻層，再執行第二蝕刻操作以形成如圖2E所示之結構，之後再移除光阻層。在一些實施例中，第二蝕刻操作的蝕刻氣體包含Ar、Cl ₂、BCl ₃或CF ₃。上述蝕刻氣體不會傷害反射材料層23。

值得注意的是，在執行第二蝕刻操作之後，暴露出反射材料層23的頂面。換句話說，每個第二凹槽R2暴露出反射材料層23的頂面，其中每個第二凹槽R2的第二寬度W2小於每個第一凹槽R1的第一寬度W1。在一些實施例中，第一凹槽R1的第一寬度W1為35微米至50微米，例如40微米或45微米。在一些實施例中，第二凹槽R2的第二寬度W2為15微米至30微米，例如20微米或25微米。當第二凹槽R2的第二寬度W2小於15微米時，相鄰兩側的第一半導體層14的凸部CP可能會碰到，使得後續製程所形成的雷射生成物19之高度可能會高於第一半導體層14的凸部CP之高度，從而無法提升發光二極體10的亮度。當第二凹槽R2的第二寬度W2大於30微米時，所形成的第一半導體層14的凸部CP之頂面ts(也可稱為階梯平台)較小，使得頂面ts可能無法反射發光層15發出的光，從而無法提升發光二極體10的亮度。

可以理解的是，可以藉由調整上述第一蝕刻操作以及第二蝕刻操作的蝕刻時間來形成上述第一凹槽R1以及第二凹槽R2。可以理解的是，第二凹槽R2為後續製程的切割走道。

在形成切割走道之後，形成第二電極層26於永久基板25的第二表面25s2上，如圖2F所示。在一些實施例中，第二電極層26是利用蒸鍍的方式而形成。第二電極層26之材料可相同於圖1的第二電極18之材料，於此不再重複贅述。在一些實施例中，在形成第二電極層26之前，利用例如研磨方式來薄化永久基板25。

在形成第二電極層26之後，對暴露出之反射材料層23執行切割操作，以形成複數個發光二極體10，如圖2F和圖1所示。可以理解的是，圖2F的切割操作將反射材料層23、鍵合材料層24、永久基板25以及第二電極層26切開，以形成複數個獨立的發光二極體10，因此每個發光二極體10包含第二電極18(請參考圖1)。在一些實施例中，切割操作包含雷射切割。在執行切割操作之後，還形成雷射生成物19於第一半導體層14的凸部CP之周圍。雷射生成物19為反射材料層23、鍵合材料層24、永久基板25及/或第二電極層26之融合物。儘管圖1未繪示，可以理解的是，雷射生成物還形成於反射層13、鍵合層12、永久基板11及/或第二電極18的側壁上。發光二極體10可例如為四元紅光發光二極體。

綜上所述，本揭示內容提供的發光二極體的製造方法包含兩次蝕刻操作。由於第二凹槽的寬度小於第一凹槽的寬度，因此，形成的第一半導體層具有凸部。此凸部的高度不低於雷射生成物的高度，因此，凸部可以反射由發光層發出的光，使得發光層發出的光較不易被雷射生成物吸收，從而提升發光二極體的亮度。

上文概述多個實施方式的特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本揭示內容的態樣。熟習此項技術者應瞭解，可輕易使用本揭示內容作為設計或修改其他製程及結構的基礎，以便執行本文所介紹的實施方式的相同目的及/或實現相同優點。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效構造並未脫離本揭示內容的精神及範疇，且可在不脫離本揭示內容的精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、取代及更改。

10:發光二極體 11:永久基板 11s1:第一表面 11s2:第二表面 12:鍵合層 13:反射層 14:第一半導體層 15:發光層 16:第二半導體層 17:第一電極 18:第二電極 19:雷射生成物 21:成長基板 22:發光結構 222:第一半導體材料層 224:發光材料層 226:第二半導體材料層 226s1:第一表面 226s2:第二表面 23:反射材料層 24:鍵合材料層 25:永久基板 25s1:第一表面 25s2:第二表面 26:第二電極層 ts:頂面 H1:第一高度 H2:第二高度 H3:第三高度 CP:凸部 MP:主體部 U:發光單元 P1:第一投影 P2:第二投影 θ1:第一夾角 θ2:第二夾角 R1:第一凹槽 R2:第二凹槽 W1:第一寬度 W2:第二寬度 vd:垂直距離

當結合附圖閱讀時，根據以下詳細描述可以最好地理解本揭示內容的各個態樣。應了解的是，根據行業中的標準實踐，各種特徵未按比例繪製。實際上，為了清楚起見，可以任意增加或減小各種特徵的尺寸。 圖1為根據本揭示內容之一實施方式所繪示的發光二極體之剖面示意圖。 圖2A至圖2F為圖1的發光二極體在製程各個階段中的剖面示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

10:發光二極體

11:永久基板

11s1:第一表面

11s2:第二表面

12:鍵合層

13:反射層

14:第一半導體層

15:發光層

16:第二半導體層

17:第一電極

18:第二電極

19:雷射生成物

ts:頂面

H1:第一高度

H2:第二高度

H3:第三高度

CP:凸部

MP:主體部

U:發光單元

P1:第一投影

P2:第二投影

vd:垂直距離

θ1:第一夾角

θ2:第二夾角

Claims (10)

1. 一種發光二極體，包含： 一永久基板，具有彼此相對之一第一表面與一第二表面； 一鍵合層，設置於該永久基板的該第一表面上； 一反射層，設置於該鍵合層上； 一第一半導體層，設置於該反射層的一部分上； 一發光層，設置於該第一半導體層上； 一第二半導體層，設置於該發光層上； 一第一電極，設置於該第二半導體層的一部分上； 一第二電極，設置於該永久基板的該第二表面上；及 一雷射生成物，位於該反射層上，其中該第一半導體層於該永久基板的一第一投影與該雷射生成物於該永久基板的一第二投影間隔開來，其中該第一半導體層包含一主體部以及與該主體部連接的一凸部，該主體部的一底面實質上齊平於該凸部的一底面，該凸部位於該主體部與該雷射生成物之間，該主體部的一第一高度大於該凸部的一第二高度，且該第二高度不低於該雷射生成物的一第三高度。
2. 如請求項1所述之發光二極體，其中該主體部的一側面與該凸部的一頂面之間的一第一夾角不小於80度，且該凸部的一側面與該反射層的一頂面之間的一第二夾角不小於80度。
3. 如請求項1所述之發光二極體，其中該第二高度小於2微米，且該第三高度小於2微米。
4. 如請求項1所述之發光二極體，其中該第一半導體層的該凸部具有一頂面，且該頂面的一寬度為3微米至10微米。
5. 一種發光二極體的製造方法，包含： 形成一發光結構於一成長基板上，其中該發光結構包含依序堆疊之一第一半導體材料層、一發光材料層、以及一第二半導體材料層，其中該第二半導體材料層具有彼此相對之一第一表面與一第二表面，該第二半導體材料層的該第一表面與該成長基板接合； 形成一反射材料層於該第一半導體材料層上； 利用一鍵合材料層將一永久基板接合於該反射材料層上，其中該永久基板具有彼此相對之一第一表面與一第二表面，該永久基板的該第一表面與該鍵合材料層接合； 移除該成長基板； 形成複數個第一電極於該第二半導體材料層的該第一表面的複數個部分上； 執行一第一蝕刻操作，以移除該發光結構的一部分，而形成至少一第一凹槽，其中該至少一第一凹槽之每一者的一底部暴露出該第一半導體材料層； 對該至少一第一凹槽之每一者之該底部執行一第二蝕刻操作，以形成至少一第二凹槽，而將該發光結構切分成複數個發光單元，其中該至少一第二凹槽之每一者暴露出該反射材料層的一頂面，該至少一第二凹槽之每一者的一寬度小於該至少一第一凹槽之每一者的一寬度；及 對暴露出之該反射材料層執行一切割操作，以形成複數個發光二極體。
6. 如請求項5所述之發光二極體的製造方法，更包含： 在執行該切割操作之前，形成一第二電極層於該永久基板上；及 在執行該切割操作之後，該些發光二極體之每一者包含一第二電極。
7. 如請求項5所述之發光二極體的製造方法，其中該至少一第一凹槽之每一者的該寬度為35微米至50微米，且該至少一第二凹槽之每一者的該寬度為15微米至30微米。
8. 如請求項5所述之發光二極體的製造方法，其中在執行該第二蝕刻操作之後，該第一半導體材料層形成複數個第一半導體層，且該些第一半導體層之每一者包含有一主體部以及與該主體部連接的一凸部。
9. 如請求項5所述之發光二極體的製造方法，其中該第一蝕刻操作包含感應耦合電漿蝕刻，且該第二蝕刻操作包含感應耦合電漿蝕刻。
10. 如請求項5所述之發光二極體的製造方法，其中該切割操作包含雷射切割。

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