TWI876265B

TWI876265B - 封裝基板及其製作方法

Info

Publication number: TWI876265B
Application number: TW112103986A
Authority: TW
Inventors: 陳先明; 林文健; 黃高; 馮磊; 馮進東; 黃本霞; 張治軍
Original assignee: 大陸商珠海越亞半導體股份有限公司
Priority date: 2022-02-25
Filing date: 2023-02-04
Publication date: 2025-03-11
Also published as: CN114666995B; JP7603729B2; US20230276576A1; KR20230127893A; KR102833690B1; TW202335551A; CN114666995A; JP2023124833A

Abstract

一種封裝基板及其製作方法，該方法包括以下步驟：提供內層基板；利用黏性感光材料在內層基板的第一側表面加工得到具有黏性的第一絕緣介質層；將元器件貼裝在第一絕緣介質層上；利用感光封裝材料在內層基板的第一側上加工得到第二絕緣介質層，第二絕緣介質層覆蓋元器件。本發明公開的封裝基板及其製作方法，通過將元器件貼裝在內層基板的第一側上，再利用感光封裝材料在內層基板的第一側上加工得到覆蓋元器件的第二絕緣介質層，以避免將元器件設置在內層基板的腔體內，從而減少加工時間和加工成本。

Description

封裝基板及其製作方法

本發明相關於一種半導體封裝技術領域，特別是相關於一種封裝基板及其製作方法。

將電子元器件埋嵌於封裝基板內部，從而實現電子產品的高集成和小型化，這是當下電子產品的發展趨勢。封裝基板具有多層結構，例如，6層的封裝基板。目前，通常將元器件埋嵌在封裝基板芯板的腔體內，再加工封裝基板的多個增層和封裝結構，從而得到封裝基板。在實際生產過程中，多個增層可能因意外或工藝等原因報廢，從而使埋嵌於芯板的元器件報廢，導致元器件損失而產生的成本較高，並且，將元器件埋嵌在芯板的腔體內的工藝流程較為複雜，導致加工時間較長。

本發明旨在至少解決習知技術中存在的技術問題之一。為此，本發明提出一種封裝基板製作方法，能夠降低元器件損失而產生的成本。

本發明還提出一種由上述製作方法製備得到的封裝基板。

根據本實施例一方面提供的封裝基板製作方法，包括以下步驟：提供內層基板；利用黏性感光材料在所述內層基板的第一側表面加工得到具有黏性的第一絕緣介質層；將元器件貼裝在所述第一絕緣介質層上；利用感光封裝材料在所述內層基板的第一側上加工得到第二絕緣介質層，所述第二絕緣介質層覆蓋所述元器件。

根據本發明實施例的封裝基板製作方法，至少具有如下有益效果：在內層基板的基礎上貼裝元器件，而無需在內層基板上加工用於封裝元器件的腔體，以便於減少加工時間和加工成本，並且，有利於避免內層基板在加工過程中損壞而導致元器件報廢的問題，從而降低元器件損失而產生的成本。

根據本發明的一些實施例，所述黏性感光材料採用黏性感光膜，所述利用黏性感光材料在所述內層基板的第一側表面加工得到具有黏性的第一絕緣介質層，包括以下步驟：將所述黏性感光膜貼裝在所述內層基板的第一側表面上，得到所述第一絕緣介質層；或者，所述黏性感光材料採用黏性感光液，所述利用黏性感光材料在所述內層基板的第一側表面加工得到具有黏性的第一絕緣介質層，包括以下步驟：將所述黏性感光液塗覆在所述內層基板的第一側表面上，得到所述第一絕緣介質層；通過上述步驟，以便於得到第一絕緣介質層，有利於元器件的貼裝，從而有利於減少加工時間和加工成本，以及降低元器件損失而產生的成本。

根據本發明的一些實施例，所述利用感光封裝材料在所述內層基板的第一側上加工得到第二絕緣介質層，包括以下步驟：將所述感光封裝材料塗覆在所述內層基板的第一側上，並覆蓋所述元器件，得到所述第二絕緣介質層；通過上述步驟，以便於在內層基板上加工得到覆蓋元器件的第二絕緣介質層，使元器件位於第二絕緣介質層內，以便於元器件封裝，有利於小型化。

根據本發明的一些實施例，所述內層基板上設置有線路層，所述線路層上設置有至少一個連接點，所述內層基板的第一側設置有貼附區，所述第一絕緣介質層位於所述貼附區內，所述製作方法還包括以下步驟：通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質層上加工得到第一盲孔；或者，通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質層上加工得到所述第一盲孔和第二盲孔；其中，所述第一盲孔的位置與所述元器件的連接端子的位置對應，所述第二盲孔的位置與所述線路層的連接點的位置對應，且所述第一盲孔和所述第二盲孔均貫穿所述第二絕緣介質層；通過上述步驟，以便於得到內壁平整度更高、垂直度更好、深度更深的盲孔，以及便於後續線路外層與線路層、元器件連接，有利於提高導電效果。

根據本發明的一些實施例，所述內層基板上設置有線路層，所述線路層上設置有至少一個連接點，所述製作方法還包括以下步驟：通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質層上加工得到第一盲孔；或者，通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質層上加工得到所述第一盲孔並在所述第一絕緣介質層和第二絕緣介質層上加工得到第二盲孔；其中，所述第一盲孔的位置與所述元器件的連接端子的位置對應，所述第二盲孔與所述連接層的連接點的位置對應，所述第一盲孔貫穿所述第二絕緣介質層，所述第二盲孔貫穿所述第一絕緣介質層和所述第二絕緣介質層；通過上述步驟，以便於得到內壁平整度更高、垂直度更好、深度更深的盲孔，以及便於後續線路外層與線路層、元器件連接，有利於提高導電效果。

根據本發明的一些實施例，所述內層基板上設置有線路層，所述製作方法還包括以下步驟：通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路；或者，通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質層上和所述內層基板的第二側上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路；通過上述步驟，以便於將內層基板的線路層和貼裝在內層基板上的元器件分別與外層線路連接。

根據本發明的一些實施例，所述通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路，包括以下步驟：在所述第二絕緣介質層上加工得到種子層；通過感光遮蔽材料在所述種子層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的所述外層線路；或者，所述通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質層上和所述內層基板的第二側上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路，包括以下步驟：在所述內層基板的第二側和所述第二絕緣介質層上加工得到所述種子層；通過感光遮蔽材料在所述種子層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的所述外層線路；通過上述步驟，以便於加工得到外層線路。

根據本發明的一些實施例，還包括以下步驟：利用增強介質材料在所述內層基板的第二側和所述第二絕緣介質層上加工得到增強介質層，所述增強介質層覆蓋所述外層線路，以便於提高封裝基板的剛性，從而便於封裝基板的使用。

根據本發明另一方面實施例提供的封裝基板，由上述封裝基板製作方法製備得到。

根據本發明實施例的封裝基板，至少具有如下有益效果：通過上述封裝基板製作方法製備得到的封裝基板，由於加工時間更短，元器件損失產生的成本更低，從而有利於降低該封裝基板的生產成本。

根據本發明又一方面實施例提供的封裝基板，包括內層基板、元器件和絕緣介質外層，所述絕緣介質外層通過感光材料加工得到，所述元器件和所述絕緣介質外層均設置在所述內層基板的第一側上，且所述元器件位於所述絕緣介質外層內。

根據本發明實施例的封裝基板，至少具有如下有益效果：在內層基板的基礎上封裝元器件，使元器件位於絕緣介質外層內，並位於內層基板的第一側上，以避免內層基板損壞而導致元器件報廢的情況，有利於降低元器件損失產生的成本，並且避免將元器件設置在內層基板內，有利於降低加工難度，減少加工時間和加工成本。

本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐瞭解到。

下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用於解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。

在本發明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、後、左、右等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。

在本發明的描述中，若干的含義是一個或者多個，多個的含義是兩個及兩個以上，大於、小於、超過等理解為不包括本數，以上、以下、以內等理解為包括本數。如果有描述到第一、第二只是用於區分技術特徵為目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量或者隱含指明所指示的技術特徵的先後關係。

本發明的描述中，除非另有明確的限定，設置、安裝、連接等詞語應做廣義理解，所屬技術領域中具有通常知識者可以結合技術方案的具體內容合理確定上述詞語在本發明中的具體含義。

封裝基板可為元器件300提供電連接、保護、支撐、散熱、組裝等功能，以實現多引腳化、縮小封裝產品體積、改善電性能及散熱性、多晶片模組化的目的。

在相關技術中，封裝基板的加工流程通常包括內層加工和外層加工，其中內層加工的步驟包括加工封裝基板的芯板，以實現在芯板內埋嵌元器件300，在部分應用中，內層加工步驟還包括將一個或多個增層加工在芯板上，外層加工的步驟包括在內層加工得到的半成品基礎上進行外層線路的加工；在上述加工流程中，在元器件300埋嵌後再加工增層，由於元器件300埋嵌工藝流程較為複雜，以及可能出現增層加工失敗或由於意外而損壞的情況，從而導致元器件300報廢，導致元器件300損失產生的成本較高。

參照圖1，本發明提供的一種封裝基板製作方法，包括步驟S1000、步驟S2000、步驟S3000和步驟S4000。

步驟S1000，提供內層基板100。

其中，根據生產資料，內層基板100可以是單層板、雙面板或多層板等，即，當內層基板100是單層板或雙面板，則將完成芯板加工的半成品作為內層基板100；當內層基板100是多層板，則將完成芯板、增層加工的半成品作為內層基板100。例如，對於具有6層結構的封裝基板，可以將已經加工完成5層結構的半成品作為本實施例的內層基板100，並利用本實施例提供的製作方法加工得到具有6層結構的封裝基板；或者，對於具有2層結構的封裝基板，可以將已經加工完成1層結構的半成品作為本實施例的內層基板100，並利用本實施例提供的製作方法加工得到具有2層結構的封裝基板。

值得一提的是，如上文所述，相關技術的元器件300嵌埋封裝是在內層加工工序中進行的，而步驟S1000則是在內層加工結束後，且外層加工開始前進行的，如此可以儘量地減少元器件300貼裝後的加工工序，降低因加工失敗而導致元器件300報廢的機率。

步驟S2000，利用黏性感光材料在內層基板100的第一側表面加工得到具有黏性的第一絕緣介質層200。

步驟S3000，將元器件300貼裝在第一絕緣介質層200上。

其中，通過黏性感光材料，將元器件300設置在內層基板100的第一側上，相比於在芯板的腔體內設置元器件300的方式，可以簡化加工工藝的複雜性，減少加工時間和加工成本。此外，黏性感光材料是一種具有光敏特性的材料，以便於後續可以加工得到性能更好的盲孔，例如，黏性感光材料可以採用環氧樹脂，環氧樹脂是一種高分子聚合物，由於環氧基的化學活性，可用多種含有活潑氫的化合物使其開環，固化交聯生成網狀結構，因此環氧樹脂還是一種熱固性樹脂，並且，環氧樹脂具有較好的耐熱性和電絕緣性，對金屬的附著力強。

另外，步驟S2000和步驟S3000位於步驟S1000之後，以及位於步驟S4000之前，即，內層基板100的加工已完成，並且第二絕緣介質層400還未加工得到。例如，當內層基板100是單層板或雙面板，在執行步驟S2000和步驟S3000之前，需要先完成對芯板的加工，且第二絕緣介質層400還未加工得到；當內層基板100是多層板，在執行步驟S2000和步驟S3000之前，需要先完成對芯板和增層的加工，且第二絕緣介質層400還未加工得到。

需要說明的是，元器件300可以是有源元件，例如集成晶片，元器件300還可以是無源元件，例如貼片電阻、貼片電容等。

步驟S4000，利用感光封裝材料在內層基板100的第一側上加工得到第二絕緣介質層400，第二絕緣介質層400覆蓋元器件300。

其中，第二絕緣介質層400用於元器件300的封裝，從而充分利用封裝基板的佈線面積，便於小型化。需要說明的是，感光封裝材料也可以採用環氧樹脂。

通過上述步驟S1000至步驟S4000，在內層基板100貼裝有元器件300的基礎上加工得到第二絕緣介質層400，完成對封裝基板的加工；上述過程中，將對元器件300加工的流程後置，並且使元器件300位於第二絕緣介質層400內，以避免在對內層基板100中的芯板或增層加工時，芯板或增層損壞而導致元器件300報廢的情況，從而減少元器件300損失而產生的成本，以及，避免將元器件300埋嵌在芯板的腔體內，還有利於降低工藝的複雜性，有利於減少加工時間和加工成本。

參照圖2至圖11，本發明實施例提供了封裝基板的剖面示意圖，圖2至圖11所示的封裝基板的剖面示意圖與本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應。

參照圖2，本實施例提供的內層基板100上設置有線路層110，以便於後續設置的外層線路700和元器件300可以與內層基板100建立電性連接關係。

參照圖3和圖4，當黏性感光材料採用黏性感光膜，則上述步驟S2000包括步驟S2100；當黏性感光材料採用黏性感光液，則上述步驟S2000包括步驟S2200。

步驟S2100，將黏性感光膜貼裝在內層基板100的第一側表面上，得到第一絕緣介質層200。

步驟S2200，將黏性感光液塗覆在內層基板100的第一側表面上，得到第一絕緣介質層200。

其中，黏性感光材料具備光敏特性的同時，還具備黏性；當黏性感光材料是液態的，則可以通過塗覆的方式，在內層基板100的第一側上加工得到第一絕緣介質層200；當黏性感光材料是固態的，則可以通過貼裝的方式，在內層基板100的第一側上加工得到第一絕緣介質層200；第一絕緣介質層200同時具備光敏特性和黏性，以便於元器件300的貼裝，以及便於後續加工得到性能更好的盲孔。第一絕緣介質層200可以完全覆蓋內層基板100的第一側，也可以僅覆蓋元器件300所需要貼裝的位置。

參照圖5，上述步驟S4000可以包括步驟S4100。

步驟S4100，將感光封裝材料塗覆在內層基板100的第一側上，並覆蓋元器件300，得到第二絕緣介質層400。

其中，由於內層基板100的第一側表面貼裝有元器件300，因此內層基板100的第一側的表面是不平整的，則可以將液態的感光封裝材料塗覆在內層基板100的第一側上，以將元器件300覆蓋，從而得到第二絕緣介質層400。此外，感光封裝材料具有光敏特性，以便於後續在第二絕緣介質層400的基礎上加工得到性能更好的盲孔。

在一些實施例中，內層基板100上設置有線路層110，線路層110上設置有至少一個連接點，內層基板100的第一側設置有貼附區，第一絕緣介質層200位於貼附區內，上述的封裝基板製作方法還包括步驟S5100或步驟S5200。

步驟S5100，通過曝光顯影的方式，在第二絕緣介質層400上加工得到第一盲孔410。

步驟S5200，通過曝光顯影的方式，在第二絕緣介質層400上加工得到第一盲孔410和第二盲孔420。

其中，第一盲孔410的位置與元器件300的連接端子的位置對應，第二盲孔420的位置與線路層110的連接點的位置對應，且第一盲孔410和第二盲孔420均貫穿第二絕緣介質層400。

在本實施例中，參照圖6，內層基板100上設置有線路層110，線路層110上設置有至少一個連接點，上述的封裝基板製作方法還包括步驟S5300或步驟S5400。

步驟S5300，通過曝光顯影的方式，在第二絕緣介質層400上加工得到第一盲孔410。

步驟S5400，通過曝光顯影的方式，在第二絕緣介質層400上加工得到第一盲孔410並在第一絕緣介質層200和第二絕緣介質層400上加工得到第二盲孔420。

其中，第一盲孔410的位置與元器件300的連接端子的位置對應，第二盲孔420的位置與連接層的連接點的位置對應，第一盲孔410貫穿第二絕緣介質層400，第二盲孔420貫穿第一絕緣介質層200和第二絕緣介質層400。

其中，第一盲孔410用於使元器件300的連接端子可以與外部進行電性連接，第二盲孔420用於使線路層110的連接點可以與外部進行電性連接，例如，後續設置的外層線路700可以通過第一盲孔410與元器件300連接，以及通過第二盲孔420與與內層基板100的線路層110連接。此外，在第二絕緣介質層400上，或者在第二絕緣介質層400和第一絕緣介質層200上，通過曝光顯影的方式，可以加工得到內壁平整度更高、垂直度更好、深度更深的第一盲孔410和第二盲孔420。

另外，由於黏性感光材料和感光封裝材料都具備光敏特性，在步驟S5400中，第二盲孔420更容易貫穿第二絕緣介質層400和第一絕緣介質層200，有利於降低加工工藝的複雜性，並減少加工時間，以及便於避免第二盲孔420無法貫穿第二絕緣介質層400和第一絕緣介質層200的情況，有利於提高良品率。

第一盲孔410的位置是與元器件300的連接端子對應的，即，使元器件300的連接端子可以通過第一盲孔410與後續加工得到的外層線路700連接；第二盲孔420的位置是與線路層110的連接點對應的，即線路層110可以通過第二盲孔420與後續加工得到的外層線路700連接。

參照圖7至圖10，內層基板100上設置有線路層110，上述的封裝基板製作方法還包括步驟S6100或步驟S6200。

步驟S6100，通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在第二絕緣介質層400上加工得到與線路層110、元器件300連接的外層線路700。

步驟S6200，通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在第二絕緣介質層400上和內層基板100的第二側上加工得到與線路層110、元器件300連接的外層線路700。

其中，外層線路700用於與內層基板100的線路層110和元器件300建立電性連接關係，以便於線路層110和元器件300可以與外部進行訊號傳輸。

具體地，上述步驟S6100可以包括步驟S6110和步驟S6120。

步驟S6110，在第二絕緣介質層400上加工得到種子層500。

步驟S6120，通過感光遮蔽材料在種子層500上加工得到與線路層110、元器件300連接的外層線路700。

上述步驟S6200可以包括步驟S6210和步驟S6220。

步驟S6210，在內層基板100的第二側和第二絕緣介質層400上加工得到種子層500。

步驟S6220，通過感光遮蔽材料在種子層500上加工得到與線路層110、元器件300連接的外層線路700。

其中，種子層500作為電鍍的基礎，可以提高第二絕緣介質層400與外層線路700之間的結合力，以及，可以提高內層基板100與外層線路700之間的結合力，以便於後續在種子層500上加工得到外層線路700與元器件300、線路層110的連接更緊密。參照圖7，在內層基板100的第二側和第二絕緣介質層400上加工得到種子層500；參照圖8，通過影像轉移的方式，在種子層500上形成具有第一圖形610的圖形層600；參照圖9，利用電鍍的方式，在第一圖形610上加工得到外層線路700；參照圖10，利用去膜、蝕刻等工藝，將圖形層600和部分種子層500去除。

參照圖11，上述封裝基板製作方法還可以包括步驟S7000。

步驟S7000，利用增強介質材料在內層基板100的第二側和第二絕緣介質層400上加工得到增強介質層800，增強介質層800覆蓋外層線路700。

其中，增強介質層800是通過增強介質材料加工得到的，增強介質材料可以採用玻纖介質材料，玻纖介質材料是一種無機非金屬材料，具有質輕、高強度、耐高溫、耐腐蝕、隔熱、吸音、電絕緣性能好等優點，通過增強介質材料加工得到的增強介質層800，可以提高封裝基板的剛性，以便於保護封裝基板。

另外，參照圖12，在步驟S7000之後，外層線路700被覆蓋在增強介質層800之下，而為了使封裝基板具備相應的功能，可以在增強介質層800上加工得到導通孔900，並且在增強介質層800的表面上加工得到表面線路層1000，使表面線路層1000通過導通孔900與外層線路700建立電性連接，從而使外部電路可以通過表面線路層1000與封裝基板內的元器件300建立電性連接，在完成表面線路層1000的加工後，還可以對增強介質層800的表面進行表面處理，進而完成對封裝基板的加工，例如，將液態光致阻焊劑塗覆在增強介質層800的表面，並覆蓋表面線路層1000，得到保護層1100。

參照圖5或圖11，本實施例還提供了一種封裝基板，由上述的封裝基板製作方法製備得到。其中，通過上述封裝基板製作方法製備得到的封裝基板，由於加工時間更短，元器件300損失產生的成本更低，從而有利於降低該封裝基板的生產成本。

參照圖5，本實施例另一方面提供的封裝基板，包括內層基板100、元器件300和絕緣介質外層，絕緣介質外層通過感光材料加工得到，元器件300和絕緣介質外層均設置在內層基板100的第一側上，且元器件300位於絕緣介質外層內。

其中，絕緣介質外層包括第一絕緣介質層200和第二絕緣介質層400，第一絕緣介質層200和第二絕緣介質層400可以採用相同的感光材料加工得到，例如環氧樹脂。在內層基板100的基礎上封裝元器件300，使元器件300位於絕緣介質外層內，並位於內層基板100的第一側上，以避免內層基板100損壞而導致元器件300報廢的情況，有利於降低元器件300損失產生的成本，並且避免將元器件300設置在內層基板100內，有利於降低加工難度，減少加工時間和加工成本。需要說明的是，本實施例的封裝基板可通過上述的封裝基板製作方法加工得到，其中，未涉及的內容可參照上文，為避免累贅，不在此贅述。

上面結合附圖對本發明實施例作了詳細說明，但是本發明不限於上述實施例，在所屬技術領域中具有通常知識者所具備的知識範圍內，還可以在不脫離本發明宗旨的前提下作出各種變化。

100:內層基板 110:線路層 200:第一絕緣介質層 300:元器件 400:第二絕緣介質層 410:第一盲孔 420:第二盲孔 500:種子層 600:圖形層 610:第一圖形 700:外層線路 800:增強介質層 900:導通孔 1000:表面線路層 1100:保護層 S1000:步驟 S2000:步驟 S3000:步驟 S4000:步驟

圖1為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的流程圖；圖2為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖3為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖4為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖5為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖6為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖7為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖8為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖9為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖10為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖11為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖；圖12為本發明實施例提供的封裝基板製作方法的中間過程對應的封裝基板的剖面示意圖。

S1000:步驟

S2000:步驟

S3000:步驟

S4000:步驟

Claims

一種封裝基板製作方法，其中包括以下步驟：提供內層基板，當所述內層基板是單層板或雙面板，則將完成芯板加工的半成品作為所述內層基板，當所述內層基板是多層板，則將完成芯板、增層加工的半成品作為所述內層基板；利用黏性感光材料在所述內層基板的第一側表面加工得到具有黏性的第一絕緣介質層；將元器件貼裝在所述第一絕緣介質層上；利用感光封裝材料在所述內層基板的第一側上加工得到第二絕緣介質層，所述第二絕緣介質層覆蓋所述元器件；所述內層基板上設置有線路層，所述線路層上設置有至少一個連接點，所述製作方法還包括以下步驟：通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質層上加工得到第一盲孔；或者，通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質層上加工得到所述第一盲孔並在所述第一絕緣介質層和第二絕緣介質層上加工得到第二盲孔；其中，所述第一盲孔用於使所述元器件的連接端子可以與外部進行電性連接，所述第二盲孔用於使所述線路層的連接點可以與外部進行電性連接；其中，所述第一盲孔的位置與所述元器件的連接端子的位置對應，所述第二盲孔與所述連接層的連接點的位置對應，所述第一盲孔貫穿所述第二絕緣介質層，所述第二盲孔貫穿所述第一絕緣介質層和所述第二絕緣介質層；所述內層基板上設置有線路層，所述製作方法還包括以下步驟：通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路；或者，通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質層上和所述內層基板的第二側上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路。
如請求項1所述的封裝基板製作方法，其中所述黏性感光材料採用黏性感光膜，所述利用黏性感光材料在所述內層基板的第一側表面加工得到具有黏性的第一絕緣介質層，包括以下步驟：將所述黏性感光膜貼裝在所述內層基板的第一側表面上，得到所述第一絕緣介質層；或者，所述黏性感光材料採用黏性感光液，所述利用黏性感光材料在所述內層基板的第一側表面加工得到具有黏性的第一絕緣介質層，包括以下步驟：將所述黏性感光液塗覆在所述內層基板的第一側表面上，得到所述第一絕緣介質層。
如請求項1所述的封裝基板製作方法，其中所述利用感光封裝材料在所述內層基板的第一側上加工得到第二絕緣介質層，包括以下步驟：將所述感光封裝材料塗覆在所述內層基板的第一側上，並覆蓋所述元器件，得到所述第二絕緣介質層。
如請求項1所述的封裝基板製作方法，其中所述內層基板上設置有線路層，所述線路層上設置有至少一個連接點，所述內層基板的第一側設置有貼附區，所述第一絕緣介質層位於所述貼附區內，所述製作方法還包括以下步驟：通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質層上加工得到第一盲孔；或者，通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質層上加工得到所述第一盲孔和第二盲孔；其中，所述第一盲孔的位置與所述元器件的連接端子的位置對應，所述第二盲孔的位置與所述線路層的連接點的位置對應，且所述第一盲孔和所述第二盲孔均貫穿所述第二絕緣介質層。
如請求項1所述的封裝基板製作方法，其中所述通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路，包括以下步驟：在所述第二絕緣介質層上加工得到種子層；通過感光遮蔽材料在所述種子層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的所述外層線路；或者，所述通過圖形轉移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質層上和所述內層基板的第二側上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路，包括以下步驟：在所述內層基板的第二側和所述第二絕緣介質層上加工得到所述種子層；通過感光遮蔽材料在所述種子層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的所述外層線路。
如請求項1所述的封裝基板製作方法，其中還包括以下步驟：利用增強介質材料在所述內層基板的第二側和所述第二絕緣介質層上加工得到增強介質層，所述增強介質層覆蓋所述外層線路。
一種封裝基板，其中由請求項1至6中任一項所述封裝基板製作方法製備得到。